KR900700920A - 감광성 내식막이 피복된 기질로부터 바람직하지 않은 주변물질(예를 들면, 가장자리 비드)을 제거하기 위한 에틸 락테이트와 메틸 에틸 케톤의 특수한 혼합물의 용도 - Google Patents

감광성 내식막이 피복된 기질로부터 바람직하지 않은 주변물질(예를 들면, 가장자리 비드)을 제거하기 위한 에틸 락테이트와 메틸 에틸 케톤의 특수한 혼합물의 용도

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Abstract

내용 없음

Description

감광성 내식막이 피복된 기질로부터 바람직하지 않은 주변물질(예를들면, 가장자리비드)을 제거하기 위한 에틸 락테이트와 메틸 에틸 케톤의 특수한 혼합물의 용도
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (14)

  1. (a) 기질표면에 감광성 내식막 용액을 회전 피복시켜 표면 주변영역에 원하지 않는 감광성 내식막 물질의 침적물 없이 거의 모든 기질 표면에 걸쳐서 균일한 막을 이루는 감광성 내식막 피복물질을 도포하고, (b) 피복된 기질의 주변영역을 에틸 락테이트와 메틸 에틸 케톤이 약 65:35 내지 약 25:75 의 용적비로 존재하는 혼합물을 포함하는 충분한 양의 용매 혼합물과 접촉시켜 균일한 막에 역영향을 끼치지 않고 원하지 않는 침적물을 선택적으로 용해시키고, (c) 피복된 기질로부터 용해된 침적물을 분리하는 단계들을 특징으로 하여 감광성 내식막이 기질의 주변 영역으로부터 원하지 않는 감광성 내식막 물질을 제거하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 기질이 실리콘 옥사이드/실리콘 웨이퍼인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 감광성 내식막 용액이 용매중의 노블락 수지와 나프토퀴논 디아지드 감광제의 용액을 포함하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 메틸 에틸 케톤에 대한 에틸 락테이트의 용적비가 약 60:40 내지 약 40:60인 방법.
  5. 제4항에 있어서, 용적비가 50:50인 방법.
  6. 제1항에 있어서, 용매 접촉단계(b)가 용매 혼합물을 노즐을 사용하여 기질 주변의 배면 표면으로 향하게 하고 용매 혼합물이 기질의 주변 가장자리를 따라 이동하게 함으로써 수행되는 방법.
  7. (a) 웨이퍼의 상부 표면에 용매중의 노블락 수지와 나프토퀴논 다아지드 감광제를 포함함을 특징으로 하는 감광성 내식막 용액을 회전 피복시켜 웨이퍼 주변영역에 원하지 않는 감광성 내식막 물질의 침적물 없이 거의 모든 웨이퍼 표면에 걸쳐서 균일한 막을 이루는 감광성 내식막 피복물질을 도포하고, (b) 피복된 웨이퍼 표면의 주변영역을 에틸 락테이트와 메틸 에틸 케톤이 약 65:35내지 약 25:75의 용적비로 존재하는 혼합물을 포함하는 충분한 양의 용매 혼합물과 접촉시켜 균일한 막에 역영향을 끼치지 않고 원하지 않는 침적물을 선택적으로 용해시키고, (c) 피복된 웨이퍼로부터 용해된 침적물을 분리하는 단계들을 특징으로 하여 실리콘 옥사이드/실리콘 웨이퍼의 주변영역으로부터 원하지 않는 감광성 내식막 물질을 제거하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 메틸 에틸 케톤에 대한 에틸 락테이트의 용적비가 약 60:40 내지 약 40:60인 방법.
  9. 제8항에 있어서, 용적비가 50:50인 방법.
  10. 제7항에 있어서, 용매 접촉단계(b)가 용매 혼함물을 노즐을 사용하여 웨이퍼의 배면으로 향하게 하고 용매 혼합물이 웨이퍼의 가장자리를 따라 이동하게 함으로써 수행되는 방법.
  11. 제7항에 있어서, 노블락 수지가 이성체 크레졸/포름알데하이드 혼합된 노블락 수지인 방법.
  12. 에틸 락테이트와 메틸 에틸 케톤이 용적비 약 65:35 내지 약 25:75로 존재하는 용매 혼합물.
  13. 제12항에 있어서, 용적비가 약 60:40 내지 약 40:60인 용매 혼합물.
  14. 제13항에 있어서, 용적비가 약 50:50인 용매 혼합물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890701656A 1988-01-06 1989-01-04 감광성 내식막이 피복된 기질로부터 바람직하지 않은 주변물질(예를 들면, 가장자리 비드)을 제거하기 위한 에틸 락테이트와 메틸 에틸 케톤의 특수한 혼합물의 용도 KR910007210B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100315015B1 (ko) * 1998-06-29 2002-10-25 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 포토레지스트의에지부제거장치

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5128207A (en) * 1989-03-08 1992-07-07 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing uniform polymethylmethacrylate layers
US5069996A (en) * 1989-07-24 1991-12-03 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Process for developing selected positive photoresists
US5426017A (en) * 1990-05-31 1995-06-20 Hoechst Celanese Corporation Composition and method for removing photoresist composition from substrates surfaces
US5240878A (en) * 1991-04-26 1993-08-31 International Business Machines Corporation Method for forming patterned films on a substrate
US5209815A (en) * 1991-06-06 1993-05-11 International Business Machines Corporation Method for forming patterned films on a substrate
JPH05226241A (ja) * 1992-02-18 1993-09-03 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5279926A (en) * 1992-05-06 1994-01-18 International Business Machines Corporation Method and apparatus for removing vapor from a pressurized sprayed liquid in the manufacture of semiconductor integrated circuits
US5750317A (en) * 1994-09-16 1998-05-12 Advanced Micro Devices, Inc. Process and system for flattening secondary edgebeads on resist coated wafers
JP2950407B2 (ja) * 1996-01-29 1999-09-20 東京応化工業株式会社 電子部品製造用基材の製造方法
US5952050A (en) 1996-02-27 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing
US6015467A (en) * 1996-03-08 2000-01-18 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method of removing coating from edge of substrate
US5814433A (en) * 1996-05-17 1998-09-29 Clariant Finance (Bvi) Limited Use of mixtures of ethyl lactate and N-methyl pyrollidone as an edge bead remover for photoresists
JPH1092726A (ja) * 1996-09-18 1998-04-10 Toshiba Microelectron Corp レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法
US6114254A (en) * 1996-10-15 2000-09-05 Micron Technology, Inc. Method for removing contaminants from a semiconductor wafer
US6485576B1 (en) * 1996-11-22 2002-11-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for removing coating bead at wafer flat edge
JPH10186680A (ja) * 1996-12-26 1998-07-14 Clariant Internatl Ltd リンス液
JP2954059B2 (ja) * 1997-01-09 1999-09-27 山形日本電気株式会社 エッジリンス機構
US5966635A (en) * 1997-01-31 1999-10-12 Motorola, Inc. Method for reducing particles on a substrate using chuck cleaning
US5985363A (en) * 1997-03-10 1999-11-16 Vanguard International Semiconductor Method of providing uniform photoresist coatings for tight control of image dimensions
US6413202B1 (en) 1999-01-21 2002-07-02 Alliedsignal, Inc. Solvent systems for polymeric dielectric materials
KR100308422B1 (ko) 1999-04-15 2001-09-26 주식회사 동진쎄미켐 스핀-온-글라스 및 감광성 수지 제거용 씬너 조성물
US6287477B1 (en) 1999-10-18 2001-09-11 Honeywell International Inc. Solvents for processing silsesquioxane and siloxane resins
US6524775B1 (en) * 2000-10-20 2003-02-25 Clariant Finance (Bvi) Limited Edge bead remover for thick film photoresists
KR20020037665A (ko) * 2000-11-14 2002-05-22 주식회사 동진쎄미켐 감광성 수지 조성물 제거용 씬너 조성물
JP2005524972A (ja) * 2002-02-06 2005-08-18 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド 半導体応力緩衝剤コーティングの改良されたエッジビーズ除去組成物およびその使用
US7105431B2 (en) * 2003-08-22 2006-09-12 Micron Technology, Inc. Masking methods
US7354631B2 (en) 2003-11-06 2008-04-08 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus and methods
JP2005286208A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 剥離液および薄膜除去方法
US7115524B2 (en) * 2004-05-17 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Methods of processing a semiconductor substrate
US7371361B2 (en) * 2004-11-03 2008-05-13 Kellogg Brown & Root Llc Maximum reaction rate converter system for exothermic reactions
US7691559B2 (en) * 2005-06-30 2010-04-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography edge bead removal
US7977037B2 (en) 2006-08-24 2011-07-12 Micron Technology, Inc. Photoresist processing methods
US20080092806A1 (en) * 2006-10-19 2008-04-24 Applied Materials, Inc. Removing residues from substrate processing components
US9024233B2 (en) 2011-11-30 2015-05-05 First Solar, Inc. Side edge cleaning methods and apparatus for thin film photovoltaic devices
KR102009850B1 (ko) 2013-03-29 2019-08-13 동우 화인켐 주식회사 레지스트 도포성 개선용 및 제거용 신너 조성물
JP5886804B2 (ja) * 2013-09-02 2016-03-16 信越化学工業株式会社 レジスト組成物の製造方法
JP6199686B2 (ja) * 2013-10-04 2017-09-20 信越化学工業株式会社 レジスト組成物の製造方法
KR102128374B1 (ko) 2014-01-23 2020-07-01 동우 화인켐 주식회사 레지스트 도포성 개선용 및 제거용 신너 조성물
JP6466650B2 (ja) * 2014-04-03 2019-02-06 信越化学工業株式会社 レジスト組成物の製造方法
KR20220109563A (ko) 2021-01-29 2022-08-05 에스케이하이닉스 주식회사 신너 조성물 및 이를 이용한 반도체 기판의 표면 처리 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5819350B2 (ja) * 1976-04-08 1983-04-18 富士写真フイルム株式会社 スピンコ−テイング方法
US4272292A (en) * 1977-11-28 1981-06-09 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Heat transfer printing
US4685975A (en) * 1982-08-03 1987-08-11 Texas Instruments Incorporated Method for edge cleaning
US4510176A (en) * 1983-09-26 1985-04-09 At&T Bell Laboratories Removal of coating from periphery of a semiconductor wafer
US4518678A (en) * 1983-12-16 1985-05-21 Advanced Micro Devices, Inc. Selective removal of coating material on a coated substrate
JPS62123444A (ja) * 1985-08-07 1987-06-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物
US4732836A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
US4732785A (en) * 1986-09-26 1988-03-22 Motorola, Inc. Edge bead removal process for spin on films
EP0718693B1 (en) * 1986-12-23 2003-07-02 Shipley Company Inc. Photoresist compositions and components
JPH05128001A (ja) * 1991-11-07 1993-05-25 Koufu Nippon Denki Kk 情報処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100315015B1 (ko) * 1998-06-29 2002-10-25 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 포토레지스트의에지부제거장치

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Publication number Publication date
JP2561964B2 (ja) 1996-12-11
WO1989006378A1 (en) 1989-07-13
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JPH03502255A (ja) 1991-05-23
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DE68921878D1 (de) 1995-04-27
US4886728A (en) 1989-12-12
AU3032689A (en) 1989-08-01
EP0394354A1 (en) 1990-10-31
EP0394354A4 (en) 1991-01-16

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