KR20090117599A

KR20090117599A - 도포장치 및 도포방법과 기억매체

Info

Publication number: KR20090117599A
Application number: KR1020090013829A
Authority: KR
Inventors: 히로시 신야
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2008-05-08
Filing date: 2009-02-19
Publication date: 2009-11-12
Also published as: JP2009272493A; KR101410567B1; JP5098791B2

Abstract

기판을 회전시킨 상태로 도포액을 도포할 때에, 1종류의 도포액으로, 칼깃 마크의 발생을 억제하면서, 도포막의 막두께의 조정 범위를 크게 하는 것이다.

도포 유닛은, 커버 부재(4)의 상부판(31)을, 상기 스핀척(2)에 놓여진 웨이퍼(W)의 표면에 접근시키고, 상기 스핀척(2)과 커버 부재(4)를 동일한 방향으로 회전시키는 것에 의해, 상기 웨이퍼(W) 표면의 중심부에 공급된 도포액을 원심력에 의해 넓게 펼쳐져 도포막의 막두께를 조정하고, 그 다음에 상기 스핀척(2) 및 커버 부재(4)를, 상기 도포막의 막두께를 조정할 때보다 낮은 회전수로 회전시키면서, 상기 커버 부재(4)를 상승시켜 상기 도포막속의 용제를 휘발시키도록 구성된다.

Description

도포장치 및 도포방법과 기억매체{COATING APPARATUS, COATING METHOD AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은, 기판에 레지스트액 등의 도포액을 도포하는 도포장치 및 도포방법과 기억매체에 관한 것이다.

반도체 디바이스나 LCD의 제조 프로세스에서는, 포토리소그래피 기술에 의해 기판에 레지스트 패턴 형성 처리가 이루어지고 있다. 이들 처리는, 반도체 웨이퍼(이하 '웨이퍼'라고 한다)나 액정 디스플레이용 유리 기판 등의 기판에 레지스트액을 도포하여 박막 상태의 레지스트막을 형성하고, 그 다음에 상기 레지스트막을 노광한 후, 현상 처리를 행하여 소망의 패턴을 얻는, 일련의 공정에 의해 이루어진다.

그런데 상기 기판에 레지스트액 등의, 도포막의 성분과 용제를 포함한 도포액을 도포하는 기술로서 회전 도포법(스핀 코팅법)이 널리 이용되고 있다. 이 수법에서는, 먼저 스핀척상에 웨이퍼를 얹어 놓고 대략 수평으로 유지시켜, 웨이퍼를 연직축 둘레로 회전시키면서, 웨이퍼의 위쪽에 설치된 노즐로부터, 상기 웨이퍼의 중앙부에 레지스트를 공급한다. 웨이퍼에 적하된 레지스트액은, 원심력에 의해 웨 이퍼의 중앙부로부터 바깥둘레부를 향하여 넓게 펼쳐지고, 그 후 웨이퍼의 회전수를 저하시켜, 상기 레지스트액의 레벨링을 행한다. 이 레벨링후, 웨이퍼의 회전수를 다시 상승시켜 웨이퍼상의 여분의 레지스트액을 떨어내어 제거한다. 한편 웨이퍼상의 레지스트액에 포함되는 용제는, 웨이퍼의 회전에 의해 웨이퍼상에 발생하는 기류에 노출되어 휘발해 나간다. 이렇게 해서 웨이퍼의 회전에 의해 레지스트액의 건조가 촉진되어 레지스트막이 형성된다.

이러한 도포법에서는, 웨이퍼의 회전수를 상승시킴에 따라, 형성되는 도포막의 막두께가 얇아지기 때문에, 회전수를 조정하는 것에 의해서 도포막의 막두께를 제어할 수 있다. 그러나 웨이퍼의 대형화에 따라서, 회전수를 어느 값 이상으로 상승시키면, 웨이퍼의 둘레가장자리에 가까운 영역에서, 레지스트막의 표면에, 둘레방향을 따라서, 예를 들면 30개 전후의 주름 형상의, 막두께가 불균일한 부위가 형성되는 경우가 있다. 이 주름은 칼깃 마크로 불리며, 이것이 형성된 부위는 디바이스 영역으로서는 사용할 수 없게 되어 버리기 때문에, 동일한 조성의 도포액을 이용한 경우에는, 막두께의 하한치가 한정되어 버려, 하나의 도포액에 의한 막두께의 제어 범위가 좁다고 하는 문제가 있다.

이 때, 막두께를 상기 하한치보다 작게 하는 경우에는, 도포액의 농도(점도)를 저하시키는 것에 의해 대응할 수 있다. 따라서 막두께의 제어 범위를 크게 하기 위해서는, 농도가 다른 도포액의 공급 계통을 막두께의 제어 범위에 대응하는 수만큼 준비하면 되지만, 이러한 구성에서는, 장치 구성이 번잡하게 되어 장치가 대형화한다고 하는 문제가 있다.

여기서 상기 칼깃 마크는, 레지스트액속의 용제가 휘발하는 과정에서, 웨이퍼의 회전에 따라서 웨이퍼 표면에 형성되는 불균일한 기류의 흐름에 상기 레지스트액이 노출되는 것에 의해 형성되기 때문에, 본 발명자들은, 상기 웨이퍼 표면의 불균일한 기류인 흐름의 발생을 억제하기 위해서, 스핀척상에 놓여진 웨이퍼의 둘레에, 웨이퍼와 함께 회전이 가능한 커버를 설치하여 웨이퍼의 둘레에 둘러싸인 공간을 형성하고, 이 공간내에서 레지스트액의 도포를 행하는 수법을 검토하고 있다.

이 수법으로 레지스트액을 도포하면, 후술하는 실시예에 나타낸 바와 같이, 막두께의 제어 범위를 박막 방향으로 확대할 수 있는 것이 인정된다. 그러나, 둘러싸인 공간의 내부에서는 레지스트액속의 용제가 휘발하기 어려운 상태가 되어, 종래와 같이 웨이퍼를 60초 정도 회전시킨 정도로는, 상기 용제가 완전하게 제거되지 않는다. 이 때문에 상기 용제의 자연 건조를 기다리게 되지만, 이렇게 자연 건조시키면, 막불균일이 발생하기 쉽다고 하는 문제가 있다. 이 막불균일이란 레지스트막내의 용제가 자연 휘발하는 것에 의해서 발생하는 국소적인 막두께의 차이를 말한다.

그런데 특허문헌 1에는, 기판을 유지하면서 회전하는 회전대와, 이 회전대상의 기판의 위쪽에 상기 기판과 대향하도록 설치된 상부 회전판을 구비한 회전식 도포장치가 제안되어 있다. 이 장치에서는, 상기 회전대와 상부 회전판을 회전시키면서, 기판에 대해서 도포 처리를 행하고, 도포 처리 종료후에 상기 회전대와 상부 회전판의 회전을 일단 정지하고, 그 다음에 기판의 회전을 재개하는 한편, 상부 회전판을 회전시키지 않고 상승시키고 있다. 그러나 이 구성에서는, 상부 회전판을 회전시키지 않고 상승시키고 있으므로, 기판상의 기류가 혼란스러워지기 쉽다. 이 때문에, 결과적으로 도포막속의 용제가 휘발할 때에 이 기류의 혼란의 영향을 받게 되어, 칼깃 마크의 발생을 억제하지 못하고, 본 발명의 과제를 해결할 수 없다.

[특허문헌 1] 일본특허공개공보 평성 11-74173호(도 1, 단락 0006)

본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것으로서, 그 목적은, 기판을 회전시킨 상태에서 도포액을 도포할 때에, 1종류의 도포액으로 칼깃 마크의 발생을 억제하면서 도포막의 막두께의 조정 범위를 크게 할 수 있는 기술을 제공하는 데에 있다.

이를 위해서 본 발명의 도포장치는, 기판을 대략 수평으로 유지함과 함께, 연직축 둘레에 회전하는 기판 유지부와, 이 기판 유지부에 유지된 기판의 위쪽에 빈틈을 두고 상기 기판과 대향하는 상부판을 구비하고, 연직축 둘레에 자유롭게 회전하도록 설치된, 기판보다 큰 커버 부재와, 이 커버 부재를 상기 기판 유지부에 대해서 상대적으로 승강시키는 승강기구와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판 표면에, 도포막의 성분과 용제를 포함한 도포액을 공급하기 위한 도포액 노즐과, 상기 기판 유지부와 커버 부재 및 승강기구의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고, 이 제어부는, 상기 상부판을, 상기 기판 표면에 접근시켜, 상기 기판 유지부와 커버 부재를 동일한 방향으로 회전시키는 것에 의해, 상기 기판 표면의 중심부에 공급된 도포액을 원심력에 의해 넓게 펼쳐져 도포막의 막두께를 조정하는 스텝과, 그 다음 에 상기 기판 유지부 및 커버 부재를, 상기 스텝보다 낮은 회전수로 회전시키면서, 상기 커버 부재를 상기 기판 유지부에 대해서 상대적으로 상승시켜 상기 도포막속의 용제를 휘발시키는 스텝을 실행하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.

이 때, 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 이면측에, 기판과 빈틈을 두고 기판의 둘레방향에 둥근 형상으로 형성된 둥근 형상 부재를 포함한 고정부재를 구비하고, 상기 커버 부재는, 기판에 접근했을 때에, 이 고정부재와 함께 기판을 둘러싸도록 구성되어 있는 것이 바람직하다. 또한 상기 커버 부재는, 상기 기판 유지부와는 다른 회전 기구에 의해 자유롭게 회전하도록 구성되어도 좋다. 상기 도포액 노즐은 상기 커버 부재에 더 설치되는 구성으로 할 수 있다.

게다가, 상기 커버 부재를 통하여, 상기 커버 부재와 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 사이에, 공기보다도 점성이 낮은 제1 기체를 공급하는 제1 기체 공급 수단을 구비하고, 상기 제어부를, 상기 커버 부재를 도포막의 막두께를 조정할 때의 회전수로 회전시킬 때, 상기 제1 기체를 공급하기 위한 제어 신호를 출력하도록 구성해도 좋고, 상기 커버 부재를 통하여, 상기 커버 부재와 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 사이에, 상기 제1 기체와 다른 제2 기체를 공급하는 제2 기체 공급 수단을 구비하고, 상기 제어부를, 상기 커버 부재를 상기 기판 유지부에 대해서 상대적으로 상승시킬 때에, 상기 제1 기체에 대신하여 제2 기체를 공급하기 위한 제어 신호를 출력하도록 구성해도 좋다.

게다가, 또한 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 옆쪽 및 아래쪽을 덮는 컵과, 이 컵내의 분위기를 배기하기 위한 배기 수단과, 상기 컵내의 분위기를 소정의 압력으로 조정하기 위해서, 상기 배기 수단의 배기량을 조정하는 배기량 조정부를 구비하고, 상기 제어부를 상기 커버 부재를 통하여 기체를 공급할 때에는 상기 배기량을 크게 하고, 상기 커버 부재를 통하여 기체를 공급하지 않을 때에는, 커버 부재를 통하여 기체를 공급할 때보다 상기 배기량을 작게하도록 제어 신호를 출력하도록 구성해도 좋다.

또한 본 발명의 도포방법은, 기판을 기판 유지부에 대략 수평으로 유지시키는 공정과, 기판 유지부에 유지된 기판의 중심부에 도포막의 성분과 용제를 포함한 도포액을 공급하는 공정과, 상기 커버 부재를, 그 상부판이 상기 기판 표면에 접근하는 위치에 위치시키는 공정과, 그 다음에 상기 기판 유지부와 커버 부재를 동일한 방향으로 회전시키는 것에 의해, 기판 표면의 도포액을 원심력에 의해 넓게 펼쳐져 도포막의 막두께를 조정하는 공정과, 그 다음에 상기 기판 유지부 및 커버 부재의 회전수를 상기 공정보다도 낮은 회전수로 회전시키면서, 상기 커버 부재를 상기 기판 유지부에 대해서 상대적으로 상승시켜 상기 도포막속의 용제를 휘발시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

이 때, 상기 커버 부재를 상기 도포막의 막두께를 조정할 때의 회전수로 회전시킬 때, 이 커버 부재와 상기 기판의 사이에 공기보다도 점성이 낮은 제1 기체를 공급하도록 해도 좋고, 상기 커버 부재를 상기 기판 유지부에 대해서 상대적으로 상승시킬 때에, 상기 커버 부재와 상기 기판의 사이에, 상기 제1 기체에 대신하여, 이 제1 기체와는 다른 제2 기체를 공급하도록 해도 좋다.

또한 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 옆쪽 및 아래쪽을 덮는 컵을 구비하 고, 상기 커버 부재와 기판의 사이에 기체를 공급할 때에는, 상기 컵내를 큰 배기량으로 배기하고, 커버 부재와 기판의 사이에 기체를 공급하지 않을 때에는, 커버 부재와 기판의 사이에 기체를 공급할 때보다 작은 배기량으로 상기 컵내를 배기하여, 상기 컵내의 압력을 조정하도록 해도 좋다.

또한, 본 발명의 기억매체는, 기판 유지부에 대략 수평으로 유지된 기판의 중심부에 도포액을 공급하고, 상기 기판 유지부를 회전시켜 상기 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 격납한 기억매체로서, 상기 프로그램은, 이미 설명한 도포방법을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 기판 표면의 중심부에 공급된 도포액을 원심력에 의해 넓게 펼쳐져 도포막의 막두께를 조정하는 단계는, 커버 부재를 하강시켜, 기판의 표면에 상부판을 접근시킨 상태에서, 상기 커버 부재를 기판 유지부와 동일한 방향으로 회전시키고 있으므로, 기판의 표면에 있어서의 기류의 혼란이 억제되어, 상기 막두께를 얇게 하는 경우에도 칼깃 마크의 발생을 억제할 수 있다. 또한 도포막속의 용제를 휘발시키는 단계에서는, 상기 기판 유지부 및 커버 부재의 회전수를 도포막의 막두께를 조정할 때보다 낮은 회전수로 회전시키면서, 상기 커버 부재를 상기 기판 유지부에 대해서 상대적으로 상승시키고 있으므로, 기류의 혼란의 발생을 억제하면서, 상기 용제의 휘발을 촉진할 수 있어 도포막속에 잔존한 용제가 자연스럽게 휘발하는 것에 기인하는 막불균일의 발생을 억제할 수 있다. 이들로부터, 넓 은 영역에서 균일한 막두께의 도포막을 얻는 경우에, 한 종류의 도포액에 의해서 조정되는 막두께 범위를 넓게 할 수 있다.

이하에 설명하는 실시형태에서는, 본 발명의 도포장치를, 기판에 대해서 도포액, 예를 들면 레지스트액을 도포하는 처리를 행하는 도포 유닛에 적용한 구성을 예로 들어 설명한다. 도 1은 상기 도포 유닛의 단면도를 도시하고 있다. 도면중에서 2는, 기판을 이루는 반도체 웨이퍼(W)(이하 '웨이퍼(W)'라고 한다)의 이면측 중앙부를 흡인흡착하여 상기 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하기 위한 기판 유지부를 이루는 스핀척이다. 이 스핀척(2)은, 축부(21)를 사이에 두고 제1 승강기구(22) 및 제1 회전기구를 이루는 모터(M1)에 접속되고, 웨이퍼(W)를 유지한 상태로 연직축 둘레에 자유롭게 회전 및 승강하도록 구성되어 있다.

도면중에서 23은, 상기 스핀척(2)에 유지된 웨이퍼의 측둘레부 및 저면부의 바깥쪽에 상기 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 설치된 컵이다. 이 컵(23)의 상면은, 웨이퍼(W)를 받아넘기기 위해서, 웨이퍼(W)보다 큰 크기로 개구하고 있다. 컵(23)의 저부측에는, 오목부형상을 이루는 액받이부(24)가 웨이퍼(W)의 둘레가장자리 아래쪽에서 전체둘레에 걸쳐 설치되어 있다. 이 액받이부(24)는 바깥쪽 영역과 안쪽 영역으로 구획되어 있으며, 바깥쪽 영역의 저부에는 저류된 레지스트액의 드레인을 배출하기 위한 드레인관(25)이 접속되고, 안쪽 영역의 저부에는 밸브(V1), 배기량 조정부를 이루는 배기 댐퍼(27)를 구비한 배기로(26)를 사이에 두고 배기 수단(28)에 접속되어 있다.

상기 스핀척(2)은, 상기 제1 승강기구(22)에 의해, 상기 컵(23)내에 있어서의 처리 위치와, 이 컵(23)의 위쪽의 받아넘김 위치와의 사이에 자유롭게 승강하도록 구성되어 있다. 도 1에 도시한 위치는 처리 위치이며, 상기 받아넘김 위치란, 외부의 반송수단(도시하지 않음)과 스핀척(2)의 사이에서 웨이퍼(W)를 받아 넘기는 위치이다. 그리고 컵(23) 내에 있어서의, 상기 처리 위치에 배치된 웨이퍼(W)의 아래쪽에는, 상기 웨이퍼(W)의 이면과 대향하여, 상기 웨이퍼(W)의 이면을 빈틈을 두고 덮도록, 평면 형상이 예를 들면 원형상인 하부판(31)이 설치되어 있다.

이 하부판(31)은, 그 바깥가장자리가 상기 웨이퍼(W)의 바깥가장자리보다 바깥쪽에 위치하도록 되어 있으며, 그 중앙부에는 상기 스핀척(2)의 축부(21)가 승강하는 이동 영역을 이루는 개구부(31a)가 형성되고, 이 개구부(31a)의 바깥가장자리는 예를 들면 스핀척(2)의 아래쪽에 위치하고 있다. 또한 이 하부판(31)의 상면에는, 상기 웨이퍼(W)의 바깥가장자리보다 바깥쪽의 위치에, 둥근 형상 부재를 이루는 벽부재(32)가 세워져 설치되어 있다. 이 벽부재(32)는, 예를 들면 상기 웨이퍼(W)의 바깥가장자리 전체를 둘레방향을 따라서 둘러싸도록 둥근 형상으로 설치되고, 그 높이는 예를 들면 상기 처리 위치에 있는 웨이퍼(W)의 표면보다도 높아지도록 설정되어 있다. 이렇게 해서 이 예에서는 상기 하부판(31)과 벽부재(32)에 의해 고정부재가 구성되고 있다.

한편 상기 스핀척(2)에 유지된 웨이퍼(W)의 위쪽에는, 이 웨이퍼(W)의 위쪽 및 옆쪽을 빈틈을 두고 덮도록 커버 부재(4)가 설치되어 있다. 이 커버 부재(4)는, 상기 처리 위치에 있는 웨이퍼(W)의 상면과 대향하도록, 평면 형상이 예를 들면 원 형상으로서 웨이퍼(W)보다 큰 상부판(41)을 구비하고 있다. 이 상부판(41)은, 그 바깥가장자리가 상기 웨이퍼(W)의 바깥가장자리보다 바깥쪽에 위치하도록 되어 있으며, 그 중앙부에는, 후술하는 도포액 노즐(6)로부터의 도포액의 공급 영역을 형성하기 위해서, 예를 들면 직경이 5mm 정도의 크기의 개구부(41a)가 형성되어 있다.

또한 이 상부판(41)은, 상기 웨이퍼(W)의 바깥가장자리보다도 바깥쪽의 위치에서 아래쪽으로 신장하는 측벽부(42)를 구비하고 있다. 여기서, 커버 부재(4)는 후술하는 바와 같이 자유롭게 승강하도록 구성되어 있으며, 상기 측벽부(42)는, 상기 커버 부재(4)가 도 1에 도시한 도포 위치에 위치할 때에, 예를 들면 상기 벽부재(32)의 바깥쪽에서, 웨이퍼(W)의 측부 전체를 둘레방향을 따라서 둘러싸도록 설치되어 있다. 그리고 커버 부재(4)가 도포 위치에 위치할 때에는, 측벽부(42)의 하단은 예를 들면 상기 처리 위치에 있는 웨이퍼(W)의 이면보다 아래쪽에 위치하도록 설정되어 있다.

이러한 상부판(41)의 상면의 중앙부에는, 상기 상부판(41)을 매단 상태로 유지하기 위해서, 원통형상의 회전 유지부(51)가 설치되어 있다. 이 회전 유지부(51)는, 그 내부에 상기 도포액 노즐(6)의 배치 영역이 형성되어 있으며, 그 상단측은 상기 도포액 노즐(6)을 관통시키기 위해서 개구하는 영역 이외에는 닫혀 있다. 그리고 이 회전 유지부(51)의 상면은, 예를 들면 원통형상의 지지 부재(52)를 사이에 두고, 대략 수평으로 신장하는 지지판(53)에 접속되어 있다.

이 회전 유지부(51)와, 제2 회전기구를 이루는 모터(M2)의 회전축(54)의 사 이에는 타이밍 벨트(55)가 감겨 있으며, 이에 따라 상기 회전 유지부(51)는 연직축 둘레에 자유롭게 회전하도록 구성되어 있다. 또한 상기 지지판(53)과 상기 모터 (M2)는, 승강판(56)의 하면에 각각 접속되어 있으며, 이 승강판(56)을 제2 승강기구(57)에 의해 승강시키는 것에 의해서, 상기 커버 부재(4)가 자유롭게 승강하도록 구성된다.

이와 같이 이 커버 부재(4)는, 상기 상부판(31)이 상기 처리 위치에 있는 웨이퍼(W) 표면에 접근하는 도포 위치와, 이 도포 위치보다 위쪽의 건조 위치와, 이 건조 위치보다 더 위쪽의 받아넘김 위치와의 사이에서 자유롭게 승강하도록 구성됨과 함께, 상기 도포 위치 및 건조 위치에서 연직축 둘레에 자유롭게 회전하도록 구성된다. 한편 도 1에 도시한 위치는 도포 위치이며, 상기 받아넘김 위치란, 상기 받아넘김 위치에 있는 스핀척(2)보다 위쪽의 위치로서, 스핀척(2)과 외부의 반송수단의 사이에서 웨이퍼(W)를 받아넘길 때의 위치이다.

이 지지판(53)의 대략 중앙부에는, 상기 처리 위치에 있는 웨이퍼(W)에 대해서 도포액, 예를 들면 레지스트액을 토출하기 위한 도포액 노즐(6)이 설치되어 있다. 이 노즐(6)은, 그 선단이, 예를 들면 커버 부재(4)의 상부판(41)의 하면보다 위쪽에 위치하도록, 상기 상부판(41)의 상면에 설치된, 예를 들면 통형상의 노즐 지지부(61)에 의해 유지되고 있다. 이 도포액 노즐(6)의 타단측은 밸브(V2) 및 유량 제어부(62)를 구비함과 함께, 커버 부재(4)의 승강 및 회전에 맞추어 플렉서블하게 이동할 수 있도록 구성된 공급로(63)를 사이에 두고 레지스트액이 저류된 레지스트액 공급원(64)에 접속되어 있다.

여기서 각 부의 치수의 일례에 대하여 설명하면, 상기 스핀척(2)을 처리 위치에 위치시킴과 함께, 커버 부재(4)를 도포 위치에 위치시킨 경우에는, 웨이퍼(W)가 커버 부재(4)와 고정부재에 의해 그 주위를 둘러싸는 상태로서, 웨이퍼(W)와 커버 부재(4)의 하면과의 거리(L1)는, 예를 들면 2mm∼10mm, 바람직하게는 3mm 정도, 하부판(31)의 상면과 커버 부재(4)의 하면과의 거리(L2)는, 예를 들면 30mm∼60mm, 바람직하게는 40mm 정도이며, 벽부재(32)와 상부판(41)의 빈틈은 예를 들면 2mm 정도, 측벽부(42)과 하부판(31)의 빈틈은 예를 들면 2mm 정도, 하부판(31)과 스핀척 (2)의 빈틈은 예를 들면 2mm 정도이고, 웨이퍼(W)의 옆쪽에 벽부재(32)와 측벽부 (42)가 위치하는 상태가 되어 있다. 따라서 이 위치에서는, 웨이퍼(W)로부터 보면, 웨이퍼(W)의 이면측은 스핀척(2)과 하부판(31), 표면측은 상부판(41), 옆쪽은 벽부재(32)와 측벽부(42)에 의해 각각 덮여 있으며, 웨이퍼(W)의 주위에는 둘러싸인 공간(S1)이 형성되게 된다.

또한 상기 스핀척(2)을 처리 위치에 위치시킴과 함께, 커버 부재(4)를 상기 건조 위치에 위치시킨 경우에는, 웨이퍼(W)와 커버 부재(4)의 하면과의 거리(L1)는, 예를 들면 3mm∼15mm, 바람직하게는 7mm 정도로 설정하는 것이 바람직하고, 도 3(a)에 도시한 바와 같이 벽부재(32)와 측벽부(42)가 서로 상하 방향으로 떨어진 상태가 되어 있다. 커버 부재(4)를 이 위치로 설정하는 것이 바람직한 이유는, 상기 거리 L1이 너무 크면 웨이퍼(W) 표면의 기류가 혼란스러워질 우려가 있고, 너무 작으면 레지스트막속의 용제의 휘발이 촉진되기 어렵기 때문이다. 이 위치에서는, 웨이퍼(W)로부터 보면, 웨이퍼(W)의 표면측에서는 상부판(41)과의 거리가 크고, 옆 쪽에서도 벽부재(32)와 측벽부(42)가 상하 방향으로 겹쳐지지 않기 때문에, 웨이퍼 (W)의 주위의 공간은 열린 상태가 된다.

이상에서 도포 유닛의 제1 및 제2 회전기구(M1,M2), 제1 및 제2 승강기구 (22,57), 밸브(V1,V2), 배기 댐퍼(27), 유량 조정부(62) 등은, 후술하는 도포, 현상 장치 전체의 동작을 제어하는 제어부(8)에 의해 제어되도록 되어 있다. 제어부 (8)는, 예를 들면 도시하지 않은 프로그램 격납부를 가진 컴퓨터로 이루어지고, 프로그램 격납부에는 외부의 반송수단으로부터 받아들인 웨이퍼(W)를 스핀척(2)에 받아넘기거나 커버 부재(4)를 승강시키거나 이 웨이퍼(W)에 대해서 레지스트액의 도포를 행하는 동작 등에 대한 스텝(명령)군을 구비한 컴퓨터 프로그램이 격납되어 있다. 그리고, 상기 컴퓨터 프로그램이 제어부(8)에 읽히는 것에 의해, 제어부(8)는 도포 유닛의 동작을 제어하도록 되어 있다. 한편, 이 컴퓨터 프로그램은, 예를 들면 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티칼 디스크, 메모리 카드 등의 기억 수단에 수납된 상태로 프로그램 격납부에 격납된다.

이상에 설명한 구성에 기초하여, 도포 유닛으로 행해지는 웨이퍼(W)에 레지스트액의 도포 처리를 행하는 동작에 대하여 도 2∼도 5를 참조하면서 설명한다. 먼저 도 2(a)에 도시한 바와 같이, 커버 부재(4)를 상기 받아넘김 위치까지 상승시킴과 함께, 스핀척(2)을 상기 받아넘김 위치까지 상승시켜, 스핀척(2)에 도시하지 않은 외부의 반송수단으로부터 웨이퍼(W)를 받아 넘긴다(스텝 S1).

이어서 도 2(b)에 도시한 바와 같이 스핀척(2)을 상기 처리 위치까지 하강시킴과 함께, 커버 부재(4)를 상기 도포 위치까지 하강시켜, 웨이퍼(W)의 주위에 둘 러싸인 공간(S1)을 형성한다(스텝 S2). 그리고 스핀척(2)을 제1 회전수, 예를 들면 4000rpm 정도의 회전수로 고속 회전시키면서, 도포액 노즐(6)로부터 도포액인 레지스트액을 웨이퍼(W)의 중심부를 향해서 토출한다(스텝 S3). 이 제1 회전수란, 상기 막두께를 조정할 때의 회전수로서, 레지스트막의 막두께에 따라 결정되는 수치이며, 예를 들면 1000rpm∼4500rpm로 설정된다.

여기서 스핀척(2)을 회전시킬 때에는, 커버 부재(4)도 스핀척(2)의 회전과 동일한 회전 방향으로 고속 회전시킨다. 이 때 커버 부재(4)와 스핀척(2)은 동일한 회전수로 회전시키는 것이 바람직하지만, 커버 부재(4)의 회전수는 제1 회전수±500rpm 정도의 범위내의 회전수이면 좋다. 또한 커버 부재(4)와 스핀척(2)은 서로 동기시킨 상태로 회전시키는 것이 바람직하지만, 다소 어긋나 있어도 좋다.

이 때, 배기로(26)에서는 밸브(V1)를 열어, 배기 댐퍼(27)의 개방도를 조정하여, 배기 수단(28)에 의해, 컵(23)내가 소정의 압력, 예를 들면 대기압보다 5∼20Pa 정도 낮은 압력이 되도록 배기해 둔다. 이와 같이 컵(23)내를 약간 음압으로 하는 것은, 컵(23) 외부로부터의 공기의 유입을 막으면서, 컵(23)내의 미스트를 배기하기 위해서이다.

이렇게 하면, 상기 둘러싸인 공간(S1)내에서, 웨이퍼(W)표면의 레지스트액은 원심력의 작용에 의해 바깥가장자리측을 향하여 흘러 나가고, 또한 웨이퍼(W)상의 잉여의 레지스트액을 떨어내어, 커버 부재(4)와 하부판(31)의 빈틈을 통하여 바깥쪽으로 비산해 나간다. 이렇게 해서 레지스트액을 토출하면서 웨이퍼(W)를 10초∼20초 정도 제1 회전수로 고속 회전시켜 막두께를 조정한다(스텝 S4). 이와 같이 웨 이퍼(W)의 주위를 둘러싼 상태로 웨이퍼(W)를 고속 회전시키고 있는 것은, 칼깃 마크의 형성을 억제하면서 막두께를 소정의 두께로 조정하기 위해서이며, 레지스트액이 공급된 웨이퍼(W)가 제1 회전수로 고속 회전되면 되고, 이 고속 회전의 개시 타이밍은, 레지스트액을 토출하고 나서 회전시켜도 되고, 레지스트액을 토출하면서 회전시켜도 되고, 레지스트액을 토출하기 전부터 회전시켜도 된다.

이 레지스트막두께를 조정한 후, 서서히 스핀척(2) 및 커버 부재(4)의 회전수를 저하시켜 나가며, 예를 들면 도 5에 도시한 바와 같이, 15초 정도로 제1 회전수보다 낮은 제2 회전수, 예를 들면 1800rpm 정도 이하의 회전수까지 저하시킨다(스텝 S5). 이 때 커버 부재(4)의 회전수도 스핀척(2)과 함께 서서히 저하시킨다. 여기서 이 제2 회전수는, 웨이퍼 표면의 레지스트막에서, 칼깃 마크의 발생을 억제하면서 레지스트액속의 용제를 제거시키기 위해서 구해진 회전수로서, 예를 들면 레이놀즈수(Re수)를 고려하여 유도된 수치이다.

상기 Re수는, 웨이퍼(W)의 중심으로부터의 거리를 r(mm), 웨이퍼(W)의 각속도를 ω(rad/s), 웨이퍼(W)의 주위의 가스 동점성(動粘性) 계수를 υ(㎟/s)로 하면, 다음의 (1) 식에 의해 산출된다.

Re수=rω²/υ …(1)

이 Re수가 일정한 값을 넘으면, 웨이퍼(W) 표면에서 기류의 속도 불균일이 발생하여 칼깃 마크가 형성되기 쉬워지기 때문에, 레지스트막의 막두께가 균일한 영역을 넓게 하기 위해서는, Re수를 작게 하는 것이 필요하다. 웨이퍼(W)를 회전할 때에는, 웨이퍼 표면에서 Re수<8×10⁴인 장소에서 층류(層流)가 형성되고, 8×10⁴<Re수<3×10⁵가 되는 장소에는 천이류(遷移流)가 형성되고, Re수>3×10⁵가 되는 장소에는 난류(亂流)가 발생한다. 그리고 상기 속도 불균일은 천이류에 의해서 형성되기 때문에, 칼깃 마크의 형성을 억제하기 위해서는, 상기 천이류의 발생을 억제하는 것이 요구되며, 이에 기초하여 상기 제2 회전수는, 천이류가 발생하지 않을 정도의 느린 속도로 설정된다. 이렇게 해서 제2 회전수는 예를 들면 500rpm∼2000rpm로 설정된다.

이 경우에도, 커버 부재(4)와 스핀척(2)은 동일한 회전수로 회전시키는 것이 바람직하지만, 커버 부재(4)의 회전수는 제2 회전수±500rpm 정도의 범위내의 회전수이면 좋고, 커버 부재(4)와 스핀척(2)은 서로 동기시킨 상태로 회전시키는 것이 바람직하지만, 다소 어긋나 있어도 좋다.

이 후, 스핀척(2)의 회전수 및 커버 부재(4)의 회전수를 상기 제2 회전수이하의 회전수로 설정한 상태에서, 커버 부재(4)를 회전시키면서 서서히 열어, 상기 커버 부재(4)를 상기 건조 위치까지, 예를 들면 5초 정도로 상승시킨다(도 3(a), 스텝 S6). 이렇게 하면, 웨이퍼(W)의 주위는 열린 상태가 되므로, 레지스트액에 포함되는 용제가 휘발하기 쉬워져서, 상기 휘발이 촉진된다(스텝 S7). 한편 커버 부재(4)는, 상기 건조 위치에서도, 스핀척(2)의 회전과 함께 회전시켜, 컵(23)내의 배기도 계속해 나간다.

이렇게 해서 소정 시간, 예를 들면 20초 정도, 스핀척(2) 및 커버 부재(4)를 모두 동일한 방향으로 회전시키는 것에 의해, 레지스트막속의 용제를 충분히 휘발시키고, 남은 레지스트 성분에 의해 웨이퍼(W) 표면에, 예를 들면 두께 0.6㎛의 레지스트막을 형성시킨다. 이렇게 해서 레지스트막이 형성된 후, 커버 부재(4) 및 스핀척(2)의 회전을 정지하고, 이들을 각각의 받아넘김 위치까지 상승시켜, 도시하지 않은 외부의 반송수단에 웨이퍼(W)를 받아 넘긴다(도 3(b)).

이상에 있어서 본 발명에서는, 레지스트막의 막두께를 조정하는 단계에서는, 커버 부재(4)의 상부판(41)을 웨이퍼(W) 표면에 접근시켜, 고정부재와 함께 웨이퍼 (W)를 둘러싸고, 웨이퍼(W)의 주위에 둘러싸인 공간(S1)을 형성한 상태에서, 스핀척(2)과 커버 부재(4)를 모두 제1 회전수에 의해 고속 회전시키고 있으므로, 칼깃 마크의 형성을 억제하면서, 종래의 회전 도포법에서 1종류의 도포액으로는 조정이 곤란하였던 막두께가 얇은 레지스트막을 넓은 영역에 형성할 수 있다.

즉 본 발명의 구성에서는, 레지스트액이 공급된 웨이퍼(W)를 둘러싸인 공간 (S1)내에 배치한 상태로 고속 회전시키고 있으므로, 이 회전중에서의 웨이퍼 주위에 외부로부터의 공기의 유입이 억제된다. 이 때문에 웨이퍼 표면에 혼란스러운 기류가 형성되기 어렵기 때문에, 고속회전시켜도 칼깃 마크의 형성이 억제되어, 커버 부재(4)를 이용하지 않는 경우에 비해 막두께를 작게 할 수 있다. 여기서 레지스트막의 막두께는, 웨이퍼(W)의 회전수에 의해 조정되기 때문에, 종래에 비해 막두께를 작게 할 수 있기 때문에, 1종류의 도포액을 이용한 경우에도 레지스트막의 막두께의 조정 범위가 커진다.

또한 이 때, 스핀척(2)과 커버 부재(4)를 동일한 회전 방향으로 회전시키고 있으므로, 웨이퍼 표면의 공기도 스핀척(2)과 커버 부재(4)의 회전에 따라서 회전한다. 따라서 웨이퍼 표면에서는 보다 기류의 혼란이 발생하기 어려워, 칼깃 마크의 형성이 억제되어, 레지스트막의 막두께의 면내 균일성이 향상한다. 이에 대해서 커버 부재(4)의 회전수가 제1 회전수범위로부터 크게 어긋나거나, 회전 방향이 다르거나 하면, 웨이퍼(W)와 함께 회전하는 기류와, 커버 부재(4)와 함께 회전하는 기류의 사이에 기류의 혼란이 발생하고, 이에 따라 웨이퍼(W) 표면에서는 가스의 마찰의 영향을 받아, 칼깃 마크가 형성되기 쉬운 상태가 되어 버린다.

또한, 스핀척(2)에 유지된 웨이퍼(W)의 옆쪽에서는, 벽부재(32)와 측벽부 (42)가 상하 방향으로 서로 겹친 상태가 되어 있으며, 만일 벽부재(32)와 하부판 (31)의 사이의 빈틈으로부터 공기가 유입하려고 해도, 벽부재(32)에 충돌하여, 이 벽부재(32)를 따라서 흘러, 벽부재(32)와 상부판(41)의 빈틈을 통하여 흐르게 된다. 따라서 웨이퍼(W)의 옆쪽에서는, 내부에 공기가 들어가기 어려운 구조로 되어 있으며, 이러한 구조에 의해서, 커버 부재(4)의 외부로부터의 공기의 유입에 의한, 웨이퍼의 표면 근방에서의 기류의 혼란이 억제된다.

또한 레지스트막의 막두께를 조정한 후에는, Re수에 기초하여 결정된 제2 회전수 이하로 회전수를 떨어뜨리고 나서, 커버 부재(4)를 스핀척(2)과 동일한 회전 방향으로 회전시키면서 상기 건조 위치까지 이동하고 있다. 이와 같이 커버 부재 (4)를 열 때에도, 커버 부재(4)를 스핀척(2)과 함께 회전시키고 있으므로 웨이퍼 표면의 기류의 혼란을 억제한 상태로 커버 부재(4)를 열 수 있다. 이에 대해서 커버 부재(4)의 회전을 정지시키면, 커버 부재(4) 근방의 기류의 흐름과 웨이퍼(W)와 함께 회전하는 기류는 기류의 형성 상태가 다르기 때문에, 이들 사이에서, 기류의 혼란이 발생하기 쉬운 상태가 된다. 게다가, 또한 상기 제2 회전수는 이미 설명한 바와 같이, 칼깃 마크의 형성을 억제하기 위해서 구해진 수치이므로, 이 공정에서, 웨이퍼(W)의 둘레에 열린 공간이 형성된다고 해도, 칼깃 마크가 형성되기 어렵다.

그리고 이와 같이 커버 부재(4)를 여는 것에 의해, 레지스트액속의 용제의 휘발이 촉진되어 용제의 휘발이 신속하게 행해진다. 이 때문에, 종래와 동일한 정도의 건조 시간이어도 자연 건조에 의한 막불균일의 발생이 억제되어, 면내 균일성이 양호한 레지스트막을 형성할 수 있다. 또한 이 건조 중에도 커버 부재(4)를 스핀척(2)과 함께 회전시키고 있으므로, 웨이퍼(W)표면의 기류의 혼란을 억제할 수 있다.

또한, 도포막의 막두께를 조정하는 단계로부터 도포막속의 용제를 휘발시키는 단계까지 커버 부재(4)와 스핀척(2)을 회전을 정지하고 있지 않고, 커버 부재 (4)와 스핀척(2)을 동일한 회전 방향으로 회전하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)상에서는 항상 웨이퍼(W)의 회전에 따른 기류가 발생한 상태가 되어, 도중에 회전수를 저하시켰다고 해도, 웨이퍼(W)상의 기류는 안정된 상태로 흐른다. 이 때문에 도중에 커버 부재(4)와 스핀척(2)의 회전을 모두 정지하거나 어느 한쪽의 회전을 정지하는 경우에 비해 웨이퍼(W)상의 기류의 혼란이 억제된다.

계속해서 본 발명의 제2 실시형태에 대하여 설명한다. 이 예의 도포 유닛은, 커버 부재(4)를 통하여 커버 부재(4)와 스핀척(2)상의 웨이퍼(W)의 사이에 기체를 공급할 수 있도록 구성되어 있다. 이하, 상술의 제1 실시형태와 다른 점에 대하여 설명한다. 이 예에서는 도 6에 도시한 바와 같이 커버 부재(4)에 통기부(71)가 설치되어 있다. 이 통기부(71)는, 예를 들면 PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌)제의 다공질체로 구성되어 있으며, 예를 들면 커버 부재(4)의 상부판(41)에 있어서의 중앙부, 즉 도포액 노즐(6)로부터의 레지스트액 공급용 개구부(41a)의 주위와, 스핀척 (2)에 놓여진 웨이퍼(W)의 둘레가장자리측에 대향하는 영역에, 예를 들면 둘레방향을 따라서 설치되어 있다. 이 통기부(71)의 두께는 3∼5mm 정도로 설정되고, 상기 상부판(41)에 둘레방향을 따라서 간격을 두고 배치하더라도 좋고, 링형상으로 배치해도 좋다. 또한 다공질체를 설치하는 대신에, 상부판(41)에 다수의 통기구멍을 뚫어서 형성하도록 해도 좋다.

이 커버 부재(4)의 위쪽에는, 상기 통기부(71)를 커버하도록 편평한 통기실 (72)이 형성되어 있고, 이 통기실(72)은 원통형상으로 형성된 회전 유지부(51)의 저부 근방과 접속되어 있으며, 상기 회전 유지부(51)의 내부에 형성된 공간과 함께, 상부판(41)의 위쪽에 통기 공간(S2)을 형성하고 있다. 한편 회전 유지부(51)의 상부의 통형상의 지지부(52)에는 가스 공급로(73)가 접속되어 있으며, 이 가스 공급로(73)의 타단측은, 밸브(V3) 및 유량 조정부 74a를 사이에 두고, 공기보다도 점성이 낮은 제1 기체, 예를 들면 He가스의 공급원(74)에 접속됨과 함께, 밸브(V4) 및 유량 조정부 75a를 사이에 두고 상기 제1 기체와는 다른 제2 기체, 예를 들면 공기의 공급원(75)에 접속되고 있다.

여기서 상기 통기 공간(S2), 가스 공급로(73), 밸브(V3) 및 유량 조정부 (74a), He가스의 공급원(74)에 의해 제1 기체 공급 수단이 구성되고, 상기 통기 공 간(S2), 가스 공급로(73), 밸브(V4) 및 유량 조정부(75a), 공기의 공급원(75)에 의해 제2 기체 공급 수단이 구성되고 있다. 상기 제1 기체로서는, He가스 외에, 네온(Ne) 가스나 질소(N₂) 가스 등을 이용할 수 있고, 상기 제2 기체로서는, 공기 외에, 산소(O₂) 가스나 아르곤(Ar) 가스 등을 이용할 수 있다. 이렇게 해서 가스 공급로(73)로부터 지지부(52)의 내부 공간, 회전 유지부(51)의 내부 공간을 통하여 통기실(72)에 기체가 공급되고, 상기 통기실(72)내에 공급된 기체는, 통기부(71)를 통하여 커버 부재(4)의 아래쪽으로 통기해 나간다. 이 외의 구성에 대해서는 상술의 제1 실시형태와 동일하다.

이상에 설명한 구성에 기초하여, 도포 유닛에서 이루어지는 웨이퍼(W)에 레지스트액의 도포 처리를 행하는 동작에 대하여 도 7, 도 8을 참조하면서 설명한다. 먼저 커버 부재(4)를 상기 받아넘김 위치까지 상승시킴과 함께, 스핀척(2)을 상기 받아넘김 위치까지 상승시키고, 스핀척(2)에 도시하지 않은 외부의 반송수단으로부터 웨이퍼(W)를 받아넘긴다(스텝 S11). 그 다음에 스핀척(2)을 상기 처리 위치까지 하강시킴과 함께, 커버 부재(4)를 상기 도포 위치까지 하강시켜서, 웨이퍼(W)의 둘레에 둘러싸인 공간(S1)을 형성한다(스텝 S12).

그리고 밸브(V3)를 열어, 가스 공급로(73)로부터 지지부(52)의 내부에 He가스를, 예를 들면 20sccm 정도의 유량으로 도입함과 함께, 배기로(26)의 배기 댐퍼 (27)의 개방도를 크게 하여, 컵(23)내의 압력이 약간 음압이 될 정도의 압력, 예를 들면 대기압보다 5∼20Pa 정도 낮은 압력이 되도록 조정한다. 이 상태에서 스핀척 (2) 및 커버 부재(4)를 함께 제1 회전수, 예를 들면 4000rpm 정도의 회전수로 동일한 방향으로 고속 회전시키면서, 도포액 노즐(6)로부터 레지스트액을 웨이퍼(W)의 중심부를 향해서 토출한다(도 7(a), 스텝 S13).

이렇게 하면, 상기 커버 부재(4)와 하부판(31)에 형성된 둘러싸인 공간(S1)내에서는, 컵(23)내가 약간 음압이 될 정도로 배기되는 한편, 커버 부재(4)의 통기부(71)를 통하여 상기 공간(S1)내에 He가스가 공급되므로, 서서히 상기 공간(S1)내의 공기가 He가스로 치환되어 간다. 한편 웨이퍼(W) 표면의 레지스트액은 원심력의 작용에 의해 바깥가장자리쪽을 향하여 흘러 나가고, 또한 웨이퍼(W)상의 잉여의 레지스트액을 떨어내며, 떨어낸 레지스트액은 커버 부재(4)와 하부판(31)의 사이로부터 바깥쪽으로 비산해 나간다. 이렇게 해서 레지스트액을 토출하면서 웨이퍼(W)를 15초 정도 고속 회전시켜 막두께를 조정한다(스텝 S14).

상기 둘러싸인 공간(S1)안은, 공기로부터, 상기 공기보다도 점성이 낮은 He가스로 치환되고, 이렇게 점성이 낮은 분위기에서는, Re수가 작아져 칼깃 마크가 형성되기 어렵기 때문에, 보다 칼깃 마크의 형성이 억제된다. 즉 이미 설명한 바와 같이 Re수가 일정한 값을 넘으면, 칼깃 마크가 형성되기 쉬워지기 때문에, 레지스트막의 막두께가 균일한 영역을 넓게 하기 위해서는, Re수는 작게 하는 것이 필요하다.

여기서 가스 동점성 계수 υ(㎟/s)의 값은, 다음의 (2)식에 의해 산출된다. (2)식중 μ은 웨이퍼의 주위의 가스의 점성 계수(Pas·s)이며, ρ는 상기 가스의 밀도(kg/㎥)이다.

υ=μ/ρ…(2)

따라서 Re수를 작게 하려면, 가스 동점성 계수 υ를 크게 하면 좋고, 이를 위해서는, 밀도 ρ가 낮은 가스, 즉 점성이 낮은 가스를 이용하면 좋다. 이렇게 해서 칼깃 마크의 형성을 억제하여 레지스트막 두께의 조정을 행한 후, 서서히 스핀척(2) 및 커버 부재(4)의 회전수를 저하시켜서 나가며, 이미 설명한 바와 같이 제2 회전수, 예를 들면 1800rpm 정도 이하의 회전수까지 저하시킨다(스텝 S15). 이 때 커버 부재(4)는 스핀척(2)과 함께 동일한 방향으로 회전시키면서, 그 회전수를 스핀척(2)과 함께 서서히 저하시킨다. 또한 이 단계에서도, He가스의 공급 및 배기는 계속해서 이루어진다.

여기서 상기 공간(S1)내는, 칼깃 마크가 형성되는 상태, 즉 레지스트막의 막두께가 조정된 후, 용제가 휘발하는 상태까지 He가스에 의해 치환되면 되기 때문에, He가스의 공급 타이밍은, 레지스트액의 토출 전이든 레지스트액의 토출 후이든 어떤 때라도 좋다. 또한 He가스에 의해 치환된 후에는 He가스의 공급을 정지함과 함께, 배기 댐퍼(27)의 개방도를 작게 하여, He가스를 공급할 때보다 배기량을 작게 하도록 해도 좋다. 이 때 완전하게 배기를 정지하면, 공간(S1)내에 발생한 미스트를 제거할 수 없기 때문에, 컵(23)이 약간 음압이 될 정도로 배기량을 작게 하는 것이 바람직하다.

이 후, 밸브(V3)를 닫고, 밸브(V4)를 열어, 커버 부재(4)를 통하여 공급되는 가스를 He가스로부터 공기로 전환하여, 상기 공기를 20sccm 정도의 유량으로 공급함과 함께, 배기 댐퍼(27)를 열어, 컵(23)내가 약간 음압이 될 정도의 압력, 예를 들면 대기압보다 5∼20Pa 정도 낮은 압력이 되도록 컵(23)내를 배기한다. 이 상태에서 스핀척(2) 및 커버 부재(4)를 상기 제2 회전수 이하의 회전수로 동일한 방향으로 회전시킨 채로, 커버 부재(4)를 서서히 상승시켜, 상기 커버 부재(4)를 상기 건조 위치까지 상승시킨다(도 7(b), 스텝 S16).

이렇게 하면, 커버 부재(4)를 통하여 웨이퍼 표면의 중앙쪽 및 둘레가장자리쪽에 대해 공기를 공급하면서, 커버 부재(4)를 상승하고 있으므로, 상기 커버 부재 (4)를 열었을 때에, 커버 부재(4)의 바깥쪽으로부터 공기가 유입하려고 해도, 커버 부재(4)의 안쪽으로부터 공급된 공기에 의해 바깥쪽으로부터의 공기의 유입이 억제되어, 결과적으로 웨이퍼(W)표면에 있어서의 기류의 혼란의 발생이 억제된다. 또한 웨이퍼(W)의 표면에 공기가 공급되는 것에 의해, 레지스트액속의 용제의 휘발이 촉진된다. 여기서 He가스가 아니라, 공기를 공급하고 있는 것은, 가동 비용의 삭감을 위해서이지만, 이 공정에서도 He가스를 공급하도록 해도 좋다

이렇게 해서 커버 부재(4)를 건조 위치에 위치시키고, 상기 커버 부재(4)와 스핀척(2)을 모두 제2 회전수 이하의 회전수로 동일한 방향으로 회전시키면서, 상기 용제의 휘발을 행한다(스텝 S17). 이 때, 레지스트액의 종류나 막두께에 따라, 공기를 공급하면서, 레지스트액에 포함되는 용제를 휘발시키도록 해도 좋고, 공기의 공급을 정지하여, 레지스트액에 포함되는 용제를 휘발시키도록 해도 좋지만, 공기의 공급량에 따라 배기 댐퍼(27)의 개방도를 조정하여, 칼깃 마크의 발생을 방지한다. 즉 컵(23)내의 음압을 크게 하면, 컵(23)의 바깥쪽으로부터 공기가 들어가, 웨이퍼(W)의 표면의 기류가 혼란스러워져 칼깃 마크가 발생해 버리기 때문에, 컵 (23)내를, 미스트는 제거하지만, 바깥쪽으로부터 공기가 들어가지 않을 정도의 음압, 예를 들면 대기압보다 5∼20Pa 정도 낮은 압력이 되도록, 공기를 공급할 때에는 배기 댐퍼(27)의 개방도를 크게 하고, 공기를 공급하지 않을 때에는 공기를 공급할 때보다 배기 댐퍼의 개방도를 작게 하도록, 컵(23)내의 배기 컨트롤을 행한다.

이렇게 해서 소정 시간, 예를 들면 15초 정도, 스핀척(2) 및 커버 부재(4)를 모두 동일한 방향으로 회전시키는 것에 의해, 레지스트액속의 용제를 충분히 휘발시키고, 남은 레지스트 성분에 의해 웨이퍼(W) 표면에 레지스트막을 형성시킨다. 이렇게 해서 레지스트막이 형성된 후, 공기의 공급을 정지하고, 컵(23)내를 대기압보다 5Pa정도 낮은 압력으로 유지하고, 커버 부재(4) 및 스핀척(2)의 회전을 정지하여, 이들을 각각의 받아넘김 위치까지 상승시켜, 도시하지 않은 외부의 반송수단에 웨이퍼(W)를 받아 넘긴다.

이러한 구성에서도, 레지스트막의 막두께를 조정하는 단계에서는, 웨이퍼(W)의 주위에 둘러싸인 공간(S1)을 형성한 상태에서, 상기 공간(S1)내의 분위기를 공기보다 점성이 낮은 가스에 의해 치환하고 있으므로, 이미 설명한 바와 같이 칼깃 마크의 형성이 억제되어, 1종류의 도포액을 이용한 경우에도 레지스트막의 막두께의 조정 범위가 커진다.

또한 레지스트액중의 용제를 휘발시키는 단계에서는, 커버 부재(4)를 통하여 커버 부재(4)와 웨이퍼(W)의 사이에 공기를 공급하고 있기 때문에, 이미 설명한 바와 같이, 웨이퍼(W) 표면 근방에서의 기류의 혼란을 억제함과 함께, 상기 용제의 휘발을 촉진할 수 있어 상기 용제의 휘발에 요하는 시간을 단축할 수 있다. 이 때문에 종래와 동일한 정도의 건조 시간이라 하더라도 자연 건조에 의한 도포 불균일의 발생이 억제되고, 면내 균일성이 양호한 레지스트막을 형성할 수 있다.

계속해서 상기 도포장치를 조립해 넣은 도포, 현상 장치에, 노광부(노광장치)를 접속한 레지스트 패턴 형성 시스템의 일례에 대하여 간단하게 설명한다. 도 9는 상기 시스템의 평면도이고, 도 10은 동일 시스템의 사시도, 도 11은 동일 시스템의 단면도이다. 이 장치에는, 캐리어 블록(S1)이 설치되어 있으며, 이 블록(S1)에서는, 얹어놓음대(101)상에 놓여진 밀폐형의 캐리어(100)로부터 받아넘김 아암 (C)이 웨이퍼(W)를 꺼내어, 상기 블록(S1)에 인접된 처리 블록(S2)에 받아넘김과 함께, 상기 받아넘김 아암(C)이, 처리 블록(S2)에서 처리된 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 받아들여 상기 캐리어(100)로 되돌아가도록 구성되어 있다.

상기 처리 블록(S2)에는, 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제1 블록 (DEV층)(B1), 레지스트막의 하층쪽에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제2 블록(BCT층)(B2), 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 제3 블록(COT층)(B3), 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제4 블록(TCT층)(B4)을 아래로부터 순서대로 적층하여 구성되어 있다.

제2 블록(BCT층)(B2)과 제4 블록(TCT층)(B4)은, 각각 반사 방지막을 형성하기 위한 도포액을 스핀 코팅에 의해 도포하는 도포 유닛과, 이 도포 유닛으로 이루어진 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 유닛군과, 상기 도포 유닛과 처리 유닛군의 사이에 설치되고, 이들 사이에서 웨이퍼(W)를 받아넘기 는 반송 아암(A2,A4)에 의해 구성되어 있다. 제3 블록(COT층)(B3)에 있어서도, 상기 도포액이 레지스트액인 것을 제외하면 동일한 구성이다

한편, 제1 처리 블록(DEV층)(B1)에 대해서는, 도 10 및 도 11에 도시한 바와 같이, 하나의 DEV층(B1)내에 현상 유닛(102)이 2단으로 적층되어 있다. 그리고 상기 DEV층(B1)내에는, 이들 2단의 현상 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 아암(A1)이 설치되어 있다. 즉 2단의 현상 유닛(102)에 대해서 반송 아암(A1)이 공통화되어 있는 구성으로 되어 있다.

또한, 처리 블록(S2)에는, 도 9 및 도 11에 도시한 바와 같이, 선반 유닛 (U5)이 설치되고, 이 선반 유닛(U5)의 각부끼리의 사이에는, 상기 선반 유닛(U5)의 근방에 설치된 자유롭게 승강하는 제1 받아넘김 아암(D1)에 의해서 웨이퍼(W)가 반송된다.

캐리어 블록(S1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 유닛(U5)의 하나의 받아넘김 유닛, 예를 들면 제2 블록(BCT층)(B2)이 대응하는 받아넘김 유닛 CPL2에 받아넘김 아암 C에 의해서 차례로 반송된다. 제2 블록(BCT층)(B2)내의 반송 아암 A2는, 이 받아넘김 유닛 CPL2로부터 웨이퍼(W)를 받아들여 각 유닛(반사 방지막 유닛 및 가열·냉각계의 처리 유닛군)에 반송하고, 이들 유닛에서 웨이퍼(W)에는 반사 방지막이 형성된다.

그 후, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U5)의 받아넘김 유닛 BF2, 받아넘김 아암 D1, 선반 유닛(U5)의 받아넘김 유닛 CPL3 및 반송 아암 A3를 사이에 두고 제3 블록(COT층)(B3)에 반입되어 레지스트막이 형성된다. 계속해서 웨이퍼(W)는, 반송 아암 A3, 선반 유닛(U5)의 받아넘김 유닛 BF3, 받아넘김 아암 D1을 거쳐 선반 유닛(U5)에 있어서의 받아넘김 유닛 BF3에 받아 넘겨진다. 한편 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제4 블록(TCT층)(B4)에서 반사 방지막이 더 형성되는 경우도 있다. 이 경우는, 웨이퍼(W)는 받아넘김 유닛 CPL4를 사이에 두고 반송 아암 A4에 받아 넘겨져 반사 방지막이 형성된 후, 반송 아암 A4에 의해 받아넘김 유닛 TRS4에 받아 넘겨진다.

한편 DEV층(B1)내의 상부에는, 선반 유닛(U5)에 설치된 받아넘김 유닛 CPL11로부터 선반 유닛(U6)에 설치된 받아넘김 유닛 CPL12에 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용 반송수단인 셔틀 아암(E)이 설치되어 있다. 레지스트막이나 반사 방지막이 더 형성된 웨이퍼(W)는, 받아넘김 아암 D1에 의해 받아넘김 유닛 BF3,TRS4를 사이에 두고 받아넘김 유닛 CPL11에 받아넘겨지고, 여기로부터 셔틀 아암(E)에 의해 선반 유닛(U6)의 받아넘김 유닛 CPL12에 직접 반송되어 인터페이스 블록(S3)에 받아들여지게 된다. 한편 도 11중의 CPL가 붙어 있는 받아넘김 유닛은, 온도 조절용의 냉각 유닛을 겸하고 있으며, BF가 붙어 있는 받아넘김 유닛은, 복수매의 웨이퍼 (W)를 얹어 놓을 수 있는 버퍼 유닛을 겸하고 있다.

그 다음에, 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(B)에 의해 노광 장치(S4)에 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 이루어진 후, 선반 유닛(U6)의 받아넘김 유닛 TRS6에 놓여져 처리 블록(S2)으로 되돌아간다. 되돌아간 웨이퍼(W)는, 제1 블록(DEV층) (B1)에서 현상 처리가 이루어지고, 반송 아암 A1에 의해 선반 유닛(U5)에 있어서의 받아넘김 아암 C의 액세스 범위의 받아넘김대에 반송되어, 받아넘김 아암 C을 사이에 두고 캐리어(100)로 되돌아간다. 한편 도 9에서 U1∼U4는 각각 가열부와 냉각부 를 적층한 열계(熱系) 유닛군이다.

[실시예]

도 12에 도시한 실험용 장치를 이용하여 웨이퍼(W)를 커버 부재와 스핀척에 의해 둘러싼 상태로 레지스트막을 형성한 경우와, 커버 부재를 이용하지 않은 경우에 있어서, 스핀척의 회전수와 레지스트막의 막두께의 관계를 측정하여, 양자를 비교하였다.

먼저 실험장치에 대하여 간단하게 설명하면, 도 12 중에서 91은 스핀척이고, 이 스핀척(91)의 둘레가장자리에는 전체둘레에 설쳐 측벽부(92)가 설치되어 있으며, 이 측벽부(92)의 상단에 커버 부재(93)가 나사 고정에 의해 부착되도록 구성되어 있다. 여기서, 스핀척(91)의 상면과 커버 부재(93)의 하면과의 거리는 5mm, 웨이퍼(W)의 표면과 커버 부재(93)의 하면과의 거리는 4mm로 설정했다.

그리고 스핀척(91)에 웨이퍼(W)를 유지시키고, 그 중앙부에 레지스트액을 공급하고 나서, 스핀척(91)에 커버 부재(93)를 부착하고, 웨이퍼(W)를 둘러싼 공간내에 배치한 상태로 스핀척(91)을 1800rpm, 3000rpm, 4200rpm의 회전수로 회전시키고, 각각의 경우에 있어서 소정 시간 경과후에 막두께를 측정했다. 또한 마찬가지로 커버 부재를 설치하지 않고, 웨이퍼의 표면측을 연 상태로 동일한 실험을 행하였다. 이들 결과를 도 13에 나타낸다. 도면중에 Close란 커버 부재(93)를 설치한 경우이고, Open이란 커버 부재를 설치하지 않은 경우이다. 이 때 이용한 레지스트액은 krF의 레지스트이고, 그 농도는 3cp이다.

이 결과에 의해, 웨이퍼를 커버 부재(93)와 스핀척(91)에 의해 둘러싼 경우 에는, 커버 부재(93)를 이용하지 않는 경우보다, 레지스트막의 박막 방향으로의 막두께 범위를 넓힐 수 있는 것이 확인되었다. 또한 커버 부재(93)를 이용하지 않는 경우에는, 회전 시간을 연장시켜도 막두께의 변화는 적지만, 커버 부재(93)를 이용한 경우에는 회전시간이 20초를 넘고 나서도 막두께의 변화가 큰 것이 인정되고, 회전수가 동일하여도 회전 시간을 조정하는 것에 의해서 막두께를 제어할 수 있는 것이 이해된다.

다만, 상술한 실시예에 있어서 커버 부재(93)를 설치한 경우에는, 회전 시간 5초 경과후에 커버 부재를 열어 스핀척(91)의 회전을 정지하고, 약 60초 경과후에 레지스트막의 상태를 시각적으로 확인한 바, 막불균일의 발생이 인정되었다. 이로부터, 커버 부재(93)에 의해 웨이퍼(W)를 둘러싼 채인 상태에서는 상기 용제의 휘발이 충분히 이루어지지 않고, 막속에 용제가 잔존해 버려, 이것이 스핀척의 회전 정지후에 자연 휘발하여 막불균일의 발생을 일으키고 있다고 추측된다.

이에 기초하여, 회전 시간 10∼60초 경과후에 커버 부재(93)를 열고, 그 후 스핀척(91)을 동일한 회전수로 10초 정도 회전시켜, 이 후 레지스트막의 상태를 시각적으로 확인하는 실험을 행한 바, 막불균일은 확인되지 않았다. 이로부터, 커버 부재(93)를 열고 스핀척(91)을 회전시키면, 상기 용제의 휘발이 촉진되어, 커버 부재(93)를 열고 나서 10초 정도로 충분히 막속의 용제가 휘발하는 것이 인정되었다. 또한 이 때, 회전수가 3000rpm, 4200rpm일 때에는, 칼깃 마크의 발생이 인정되는데 비해, 회전수 1800rpm의 경우는 칼깃 마크는 확인되지 않은 점으로부터, 회전수가 낮을수록, 칼깃 마크의 형성이 억제하는 것이 이해된다.

이상에 있어서, 본 발명에서는, 커버 부재(4)와 스핀척(2)은 서로 동기한 상태로 회전시키는 것이 바람직하지만, 커버 부재(4)의 회전수가 스핀척(2)의 회전수로부터 미리 설정되는 범위내의 회전수이면, 본 발명의 효과를 얻을 수 있고, 회전 개시나 정지의 타이밍이 어긋나 있어도 좋다.

또한 커버 부재(4)의 형상은, 상술한 예에 한정하지 않고, 상부판(41)이 스핀척(2)에 놓여진 웨이퍼에 접근했을 때에, 고정부재와 함께 또는 커버 부재(4) 단독으로, 스핀척(2)에 놓여진 웨이퍼의 표면 및 옆쪽을 덮는 형상이면 좋다. 즉 스핀척(2)에 놓여진 웨이퍼의 표면 및 옆쪽을 덮는 형상이면, 웨이퍼의 주위에 둘러싸인 공간(S1)을 형성하지 않아도, 외부로부터의 기류의 유입이 어느 정도 억제되고, 웨이퍼 표면에 있어서의 기류의 혼란의 발생을 충분히 억제할 수 있기 때문이다.

또한 커버 부재(4)를 스핀척(2)에 대해서 상대적으로 승강시키면 되고, 예를 들면 스핀척(2)측을 승강시켜, 커버 부재(4)를 웨이퍼(W)에 접근시키도록 해도 좋다. 이 때는 컵(23)도 자유롭게 승강하도록 구성하며, 스핀척(2)과 외부의 반송수단의 사이에서 웨이퍼(W)를 받아넘길 때에는 컵(23)을 하강시키고, 웨이퍼(W)에 대해서 도포 처리를 행할 때는 컵(23)을 상승시켜도 좋다.

게다가, 또한 본 발명의 커버 부재(4)는, 스핀척(2)과 공통의 회전기구에 의해 회전시켜도 좋다. 또한 본 발명은 레지스트액의 도포 처리 이외에 반사 방지막이나 절연재료 등의 도포 처리에 더 적용할 수 있다. 또한 본 발명은, 반도체 웨이퍼(W) 이외에, 예를 들면 LCD기판, 마스크 기판 등의 처리에도 적용할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 도포장치를 도시한 단면도이다.

도 2는 상기 도포장치로 이루어지는 도포방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 3은 상기 도포장치로 이루어지는 도포방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 4는 상기 도포방법을 설명하기 위한 공정도이다.

도 5는 상기 도포방법을 설명하기 위한, 회전수와 회전 시간의 관계를 도시한 특성도이다.

도 6은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 도포장치를 도시한 단면도이다.

도 7은 상기 도포장치에서 이루어지는 도포방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 8은 상기 도포방법을 설명하기 위한 공정도이다.

도 9는 상기 도포장치를 조립해 넣은 레지스트 패턴 형성장치를 도시한 평면도이다.

도 10은 상기 레지스트 패턴 형성장치를 도시한 사시도이다.

도 11은 상기 레지스트 패턴 형성장치를 도시한 단면도이다.

도 12은 실험용 도포장치를 도시한 단면도이다.

도 13은 레지스트액의 막두께와 회전수의 관계를 도시한 특성도이다.

[부호의 설명]

W : 웨이퍼 M1, M2 : 모터(회전기구)

2 : 스핀척 22, 57 : 승강기구

23 : 컵 31 : 하부판

32 : 벽부재 4 : 커버 부재

41 : 상부판 42 : 측벽부

51 : 회전 유지부 6 : 도포액 노즐

8 : 제어부

Claims

기판을 대략 수평으로 유지함과 함께, 연직축 둘레로 회전하는 기판 유지부와,

이 기판 유지부에 유지된 기판의 위쪽에 빈틈을 두고 상기 기판과 대향하는 상부판을 구비하고, 연직축 둘레에 자유롭게 회전하도록 설치된, 기판보다 큰 커버 부재와,

이 커버 부재를 상기 기판 유지부에 대해서 상대적으로 승강시키는 승강기구와,

상기 기판 유지부에 유지된 기판 표면에, 도포막의 성분과 용제를 포함한 도포액을 공급하기 위한 도포액 노즐과,

상기 기판 유지부와 커버 부재 및 승강기구의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,

이 제어부는, 상기 상부판을, 상기 기판 표면에 접근시켜, 상기 기판 유지부와 커버 부재를 동일한 방향으로 회전시키는 것에 의해, 상기 기판 표면의 중심부에 공급된 도포액을 원심력에 의해 넓게 펼쳐져 도포막의 막두께를 조정하는 스텝과,

그 다음에 상기 기판 유지부 및 커버 부재를, 상기 스텝보다 낮은 회전수로 회전시키면서, 상기 커버부재를 상기 기판 유지부에 대해서 상대적으로 상승시켜 상기 도포막속의 용제를 휘발시키는 스텝을 실행하도록 구성되는 것을 특징으로 하 는 도포장치.
제 1 항에 있어서, 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 이면측에, 기판과 빈틈을 두고 기판의 둘레방향으로 둥근 형상으로 형성된 둥근 형상 부재를 포함한 고정부재를 구비하고,

상기 커버 부재는, 기판에 접근했을 때에, 이 고정부재와 함께 기판을 둘러싸도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 도포장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 커버 부재는, 상기 기판 유지부와는 다른 회전기구에 의해 자유롭게 회전하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 도포장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도포액 노즐은 상기 커버 부재에 설치되는 것을 특징으로 하는 도포장치.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 커버 부재를 통하여, 상기 커버 부재와 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 사이에, 공기보다 점성이 낮은 제1 기체를 공급하는 제1 기체공급수단을 구비하고,

상기 제어부는, 상기 커버 부재를 도포막의 막두께를 조정할 때의 회전수로 회전시킬 때에, 상기 제1 기체를 공급하기 위한 제어 신호를 출력하는 것을 특징으 로 하는 도포장치.
제 5 항에 있어서, 상기 커버 부재를 통하여, 상기 커버 부재와 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 사이에, 상기 제1 기체와 다른 제2 기체를 공급하는 제2 기체 공급 수단을 구비하고

상기 제어부는, 상기 커버 부재를 상기 기판 유지부에 대해서 상대적으로 상승시킬 때, 상기 제1 기체에 대신하여 제2 기체를 공급하기 위한 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 도포장치.
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 옆쪽 및 아래쪽을 덮는 컵과,

이 컵내의 분위기를 배기하기 위한 배기 수단과,

상기 컵내의 분위기를 소정의 압력으로 조정하기 위해서, 상기 배기 수단의 배기량을 조정하는 배기량 조정부를 구비하고,

상기 제어부는 상기 커버 부재를 통하여 기체를 공급할 때에는 상기 배기량을 크게 하고, 상기 커버 부재를 통하여 기체를 공급하지 않을 때에는, 커버 부재를 통하여 기체를 공급할 때보다 상기 배기량을 작게 하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 도포장치.
기판을 기판 유지부에 대략 수평으로 유지시키는 공정과,

기판 유지부에 유지된 기판의 중심부에 도포막의 성분과 용제를 포함한 도포액을 공급하는 공정과,

상기 커버 부재를, 그 상부판이 상기 기판 표면에 접근하는 위치에 위치시키는 공정과,

그 다음에 상기 기판 유지부와 커버 부재를 동일한 방향으로 회전시키는 것에 의해, 기판 표면의 도포액을 원심력에 의해 넓게 펼쳐져 도포막의 막두께를 조정하는 공정과,

그 다음에 상기 기판 유지부 및 커버 부재의 회전수를 상기 공정보다도 낮은 회전수로 회전시키면서, 상기 커버 부재를 상기 기판 유지부에 대해서 상대적으로 상승시켜 상기 도포막속의 용제를 휘발시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포방법.
제 8 항에 있어서, 상기 커버 부재를 상기 도포막의 막두께를 조정할 때의 회전수로 회전시킬 때, 이 커버 부재와 상기 기판의 사이에 공기보다도 점성이 낮은 제1 기체를 공급하는 것을 특징으로 하는 도포방법.
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 커버 부재를 상기 기판 유지부에 대해서 상대적으로 상승시킬 때, 상기 커버 부재와 상기 기판의 사이에, 상기 제1 기체에 대신하여, 이 제1 기체와는 다른 제2 기체를 공급하는 것을 특징으로 하는 도포방법.
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 옆쪽 및 아래쪽을 덮는 컵을 구비하고, 상기 커버 부재와 기판의 사이에 기체를 공급할 때에는, 상기 컵내를 큰 배기량으로 배기하고, 커버 부재와 기판의 사이에 기체를 공급하지 않을 때에는, 커버 부재와 기판의 사이에 기체를 공급할 때보다 작은 배기량으로 상기 컵내를 배기하여, 상기 컵내의 압력을 조정하는 것을 특징으로 하는 도포방법.
기판 유지부에 대략 수평으로 유지된 기판의 중심부에 도포액을 공급하고, 상기 기판 유지부를 회전시켜 상기 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 격납한 기억매체로서,

상기 프로그램은, 제 8 항 내지 제 11 항에 기재된 도포방법을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는 기억매체.