WO2021049442A1 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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WO2021049442A1
WO2021049442A1 PCT/JP2020/033699 JP2020033699W WO2021049442A1 WO 2021049442 A1 WO2021049442 A1 WO 2021049442A1 JP 2020033699 W JP2020033699 W JP 2020033699W WO 2021049442 A1 WO2021049442 A1 WO 2021049442A1
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wafer
substrate
rotation
drive unit
rotation axis
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PCT/JP2020/033699
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周平 ▲高▼橋
貴久 大塚
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東京エレクトロン株式会社
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Definitions

  • This disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • the substrate is held and rotated by the substrate rotation holding mechanism, but since the centrifugal force is small in the central part of the substrate and therefore the swirling flow is small, phenomena such as liquid residue and liquid film increase appear in the central part of the substrate, and the substrate Processing defects may occur in the central part of the.
  • the present disclosure has been made in consideration of such a point, and provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of preventing processing defects in the central portion of the substrate.
  • a substrate holding mechanism that holds a substrate, a first rotation driving unit that holds the substrate holding mechanism and rotates around a first rotation shaft, and the first rotation driving unit are referred to as the first rotation shaft.
  • a substrate processing device including a second rotation drive unit that is different and rotates about a second rotation axis parallel to the first rotation axis.
  • FIG. 1A is a schematic configuration diagram showing a substrate processing apparatus according to the present disclosure.
  • FIG. 1B is a diagram showing a modified example of the substrate processing apparatus.
  • FIG. 2 is a flow chart showing a cleaning process.
  • FIG. 3A is a schematic view showing a substrate processing method including a cleaning process according to the present disclosure.
  • FIG. 3B is a schematic view showing a substrate processing method including a cleaning process according to the present disclosure.
  • FIG. 3C is a schematic view showing a substrate processing method including a cleaning process according to the present disclosure.
  • FIG. 3D is a schematic view showing a substrate processing method including a cleaning process according to the present disclosure.
  • FIG. 4A is a diagram showing the behavior of IPA on the substrate when the substrate is rotated and revolved.
  • FIG. 4A is a diagram showing the behavior of IPA on the substrate when the substrate is rotated and revolved.
  • FIG. 4B is a diagram showing the behavior of IPA on the substrate when the substrate is rotated and revolved.
  • FIG. 4C is a diagram showing the behavior of IPA on the substrate when the substrate is rotated and revolved.
  • FIG. 5A is a diagram showing the behavior of the etching solution on the substrate when the substrate is rotated and revolved.
  • FIG. 5B is a diagram showing the behavior of the etching solution on the substrate when the substrate is rotated and revolved.
  • FIG. 5C is a diagram showing the behavior of the etching solution on the substrate when the substrate is rotated and revolved.
  • FIG. 5D is a diagram showing the behavior of the etching solution on the substrate when the substrate is rotated and revolved.
  • FIG. 6 is a schematic view showing coating and exposure processing.
  • FIG. 6 is a schematic view showing coating and exposure processing.
  • FIG. 7A is a schematic view showing a substrate processing method including coating and exposure processing according to the present disclosure.
  • FIG. 7B is a schematic view showing a substrate processing method including coating and exposure processing according to the present disclosure.
  • FIG. 7C is a schematic view showing a substrate processing method including coating and exposure processing according to the present disclosure.
  • FIG. 7D is a schematic view showing a substrate processing method including coating and exposure processing according to the present disclosure.
  • FIG. 8A is a diagram showing the behavior of IPA on the substrate when the substrate is rotated only.
  • FIG. 8B is a diagram showing the behavior of IPA on the substrate when the substrate is rotated only.
  • FIG. 8C is a diagram showing the behavior of IPA on the substrate when the substrate is rotated only.
  • FIG. 1A describes an embodiment of the substrate processing apparatus according to the present disclosure.
  • the substrate processing apparatus 1 rotates a substrate (hereinafter, also referred to as a wafer) W such as a semiconductor wafer and supplies the processing liquid to the wafer W, or supplies the processing liquid in advance. After that, the wafer is treated without supplying the treatment liquid.
  • a substrate hereinafter, also referred to as a wafer
  • W such as a semiconductor wafer
  • Such a substrate processing apparatus 1 has a wafer holding mechanism (board holding mechanism) 2 that holds the wafer W on a horizontal plane, and a first rotation that holds the wafer holding mechanism 2 and rotates it about the first rotation axis L1.
  • the drive unit 8, the second rotation drive unit 40 that rotates the first rotation drive unit 8 around the second rotation axis L2 that is different from the first rotation axis L1 and parallel to the first rotation axis L1, and these wafers. It includes a holding mechanism 2, a first rotation drive unit 8, and a control unit 16 that drives and controls the second rotation drive unit 40.
  • the wafer W held on the horizontal plane by the wafer holding mechanism 2 is rotated on the horizontal plane by the first rotation drive unit 8. Further, the first rotation axis L1 of the first rotation drive unit 8 and the second rotation axis L2 of the second rotation drive unit 40 are parallel to each other and face in the vertical direction.
  • the wafer holding mechanism 2 has a base 2A and a spin chuck 17 provided on the base 2A and sucking and holding the wafer W, and the first rotation driving unit 8 rotationally drives the spin chuck 17 and moves it up and down. It is designed to do. Further, the wafer holding mechanism 2 has a function of rotating the wafer W at high speed when removing the processing liquid supplied by the processing liquid supply mechanism 3 and shaking off the processing liquid by centrifugal force. Further, the processing liquid dripping downward from the outer edge of the wafer W is received by the inclined plate 10 provided in the vicinity of the base 2A, and is discharged to the outside through the discharge path 11.
  • a receiving cup mechanism 15 for receiving the processing liquid scattered from the outer edge of the wafer W is provided on the outer periphery of the wafer holding mechanism 2, and the processing liquid is guided to the discharge path 11 by the receiving cup mechanism 15 and discharged to the outside. ..
  • the receiving cup mechanism 15 has an inner cup 12, an outer cup 13 that covers the outside of the inner cup 12 and extends upward from the inner cup 12, and a cup drive mechanism 14 that drives the outer cup 13.
  • the inner cup 12 is removably inserted into the outer cup 13 and is held by a receiving portion 13a provided at the lower end of the outer cup 13 so as not to come off downward.
  • the upper end portion of the outer cup 13 is formed so as to have an inner diameter larger than the outer shape of the inner cup 12. The reason why the inner cup 12 is detachable in this way is that it is considered that only the inner cup 12 is removed and cleaned.
  • the inner cup 12 includes a vertical wall 12a whose lower end is held by the receiving portion 13a of the outer cup 13 and a curved portion 12b whose one end is connected to the upper end of the vertical wall 12a and is formed in a curved shape.
  • the inner cup 12 and the outer cup 13 configured in this way are vertically driven by the cup drive mechanism 14 shown in FIG. 1A.
  • the cup drive mechanism 14 includes, for example, a ball screw mechanism 24 arranged with the axis perpendicular to the axis.
  • the screw shaft 26 of the ball screw mechanism 24 is connected to the stepping motor 27, and the nut portion 25 screwed to the screw shaft 26 is connected to the outer cup 13. Therefore, by operating the stepping motor 27, the outer cup 13 is driven in the vertical direction, and since the inner cup 12 is also held by the outer cup 13, it is integrally driven up and down.
  • the stepping motor 27 is equipped with an encoder 28 that detects the rotational position of the stepping motor 27.
  • the stepping motor 27 and the encoder 28 are connected to the control unit 16 via a driver (not shown).
  • the discharge passage indicated by reference numeral 11 in FIG. 1A is provided with a pressure / flow rate detection unit 30 for detecting the discharge pressure and the discharge flow rate in the discharge passage 11.
  • the discharge pressure and the discharge flow rate detected by the pressure / flow rate detection unit 30 are sent to the control unit 16.
  • control unit 16 operates the cup drive mechanism 14 based on the value detected by the pressure / flow rate detection unit 30, and positions and controls the height of the inner cup 12. That is, the control unit 16 has a function of positioning and controlling the height of the inner cup 12 in real time while monitoring the exhaust flow rate and the exhaust pressure through the pressure / flow rate detecting unit 30.
  • the treatment liquid supply mechanism 3 holds the treatment liquid supply nozzle 34, the treatment liquid supply unit 35 that supplies the treatment liquid to the treatment liquid supply nozzle 34, and the treatment liquid supply nozzle 34, and faces the upper center of the wafer W. It has a supply nozzle drive mechanism (not shown) for positioning.
  • the processing liquid supplied from the processing liquid supply nozzle 34 of the processing liquid supply mechanism 3 is supplied toward the central portion of the wafer W.
  • the first rotation drive unit 8 for rotating the wafer holding mechanism 2 having the base 2A and the spin chuck 17 includes the base 8B and the first rotation drive unit main body mounted on the base 8B. It has 8A and rotates about the first rotation axis L1.
  • the second rotation drive unit 40 has a base 40B and a second rotation drive unit main body 40A mounted on the base 40B, and is different from the first rotation axis L1 and parallel to the first rotation axis L1. 2 Rotates around the rotation axis L2.
  • a connecting shaft 40C projecting upward is connected to the second rotation driving unit main body 40A, and the base 8B of the first rotation driving unit 8 is connected to the connecting shaft 40C.
  • first rotation shaft L1 of the first rotation drive unit 8 and the second rotation shaft L2 of the second rotation drive unit 40 are parallel to each other and separated from each other with a deviation amount l as described above, and the first rotation The deviation amount l between the shaft L1 and the second rotation shaft L2 satisfies the relationship of 0.05 ⁇ Dw ⁇ l ⁇ 0.2 ⁇ Dw with respect to the diameter Dw of the wafer.
  • a reciprocating drive unit 42 for reciprocating the second rotation drive unit 40 in the vertical direction orthogonal to the wafer W arranged on the horizontal plane is provided below the base 40B of the second rotation drive unit 40.
  • the reciprocating drive unit 42 can reciprocate the second rotation drive unit 40 in the vertical direction.
  • a hydraulic cylinder or an air cylinder can be used as the reciprocating drive unit 42.
  • the tilt drive unit 43 that tilts the second rotation drive unit 40 includes a pair of drive cylinders 43A and 43B. Then, by alternately operating the pair of drive cylinders 43A and 43B, the second rotation drive unit 40 can be sequentially tilted.
  • the wafer W arranged on the horizontal plane can be sequentially tilted with respect to the horizontal plane, for example, in the clockwise direction (one direction) d1 when viewed from the side or in the counterclockwise direction (other direction) d2 when viewed from the side.
  • the wafer W held by the wafer holding mechanism 2 shown in FIG. 1A is subjected to the following cleaning process as shown in the flow chart of FIG.
  • the processing liquid is sequentially supplied from the processing liquid supply mechanism 3 to the central portion of the wafer W held by the wafer holding mechanism 2.
  • the etching solution is first supplied to the wafer W (S1).
  • DIW de-ionized-water
  • the wafer W from the treatment liquid supply mechanism 3 for example 2 fluid containing a N 2 gas and water are supplied (S3).
  • DIW is supplied to the wafer W from the processing liquid supply mechanism 3 (S4).
  • IPA isopropyl alcohol
  • the wafer W held by rotating the wafer holding mechanism 2 is subjected to a drying step (Spin dry) by centrifugal force (S6).
  • the substrate processing apparatus 1 shown in FIG. 1A first drives the first rotation drive unit 8 and rotates the wafer holding mechanism 2 around the first rotation axis L1 by the first rotation drive unit 8. (For example, the rotation speed is 10 to 3000 rpm). Then, as the wafer holding mechanism 2 rotates, the wafer W held by the wafer holding mechanism 2 also rotates (rotates) clockwise around the first rotation axis L1 when viewed from above, for example.
  • the second rotation drive unit 40 is driven, and the second rotation drive unit 40 rotates the first rotation drive unit 8 around the second rotation axis L2 in the same clockwise direction as the rotation direction when viewed from above (revolution).
  • the rotation speed is 10 to 100 rpm.
  • the wafer W can be rotated by the first rotation drive unit 8 and the wafer W can be revolved by the second rotation drive unit 40.
  • the wafer W rotates about the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2. Therefore, for example, the etching solution E is in the center of the wafer W during the supply of the etching solution of (S1). The thickness of the etching solution does not become too large at the center of the wafer W. That is, the etching solution E can be spread over the entire area of the wafer W, whereby the film thickness of the etching solution can be kept substantially constant over the entire area of the wafer W.
  • the IPA can be effectively shaken off from the wafer W by centrifugal force, and the IPA can be appropriately discharged from the wafer W.
  • the behavior of the IPA on the wafer W when the wafer W is only rotated without revolving will be described as a comparative example.
  • FIG. 8A when IPA2 is supplied only to the central portion of the wafer W and the wafer W is rotated only around the rotation axis L1 without revolving the wafer W, the particles 5 are located at the central portion of the wafer W. IPA2 containing the above may remain. Further, if the film thickness of IPA2 in the central portion of the wafer W becomes large, it is considered that the risk of IPA remaining in the central portion of the wafer W increases.
  • the IPA2 remaining in the center of the wafer W is not discharged from the wafer W even by the Spin dry of (S6). Since the IPA remains in the central portion of the wafer W in this way, the particles 5 remain in the central portion of the wafer W even by Spin dry in (S6) (see FIG. 8C).
  • the wafer W is rotated around the first rotation axis L1 and the wafer W is rotated on the second rotation axis. Revolve around L2. Therefore, when the IPA2 is supplied to the wafer W, the IPA2 does not remain in the center of the wafer W and the film thickness of the IPA2 does not increase (see FIG. 4A). Further, as shown in FIGS. 4B and 4C, when the wafer W is spin-dried, the IPA2 scatters outward together with the particles 5 (see FIG. 4B). Therefore, the particles 5 do not remain in the center of the wafer W after the wafer W is spin-dried (see FIG. 4C). As described above, according to the present embodiment, it is possible to prevent processing defects in the central portion of the wafer W.
  • the substrate processing device 1 shown in FIG. 1A is not limited to the operation shown in FIG. 3A, and as shown in FIG. 3B, the second rotation drive unit 40 is driven, and the second rotation drive unit 40 drives the first rotation.
  • the drive unit 8 may be rotated (revolved) in a counterclockwise direction opposite to the rotation direction when viewed from above around the second rotation axis L2.
  • the wafer W is rotated clockwise by the first rotation drive unit 8, and the wafer W is rotated counterclockwise by the second rotation drive unit 40 in the direction opposite to the rotation direction. It can be rotated and revolved.
  • the wafer W rotates clockwise around the first rotation axis L1 and revolves counterclockwise around the second rotation axis L2. Therefore, for example, the etching solution during the supply of the etching solution (S1). Does not accumulate only in the central portion of the wafer W, and the thickness of the etching solution does not become too large in the central portion of the wafer W. That is, the etching solution can be spread over the entire area of the wafer W, whereby the film thickness of the etching solution can be kept substantially constant over the entire area of the wafer W.
  • the IPA can be effectively shaken off from the wafer W by centrifugal force, and the IPA can be appropriately discharged from the wafer W.
  • the wafer W is rotated clockwise at high speed clockwise by the first rotation drive unit 8 around the first rotation axis L1. During this time, the wafer W revolves by the second rotation drive unit 40, and at this time, the wafer W rotates counterclockwise around the second rotation axis L2.
  • the turbulence of the air flow may occur on the periphery of the wafer W that rotates at high speed clockwise around the first rotation axis L1 due to the rotation of the wafer W, but the wafer W is counterclockwise to the second rotation axis.
  • rotating the wafer W in the clockwise direction it is possible to suppress the turbulence of the airflow generated on the periphery of the wafer W by rotating the wafer W.
  • the substrate processing device 1 shown in FIG. 1A is not limited to the operation shown in FIG. 3A, and as shown in FIG. 3C, the wafer W is rotated by the first rotation drive unit 8 during the cleaning processing step for the wafer W.
  • the wafer W is revolved by the second rotation drive unit 40, and at the same time, the second rotation drive unit 40 is reciprocated in the vertical direction by the reciprocating drive unit 42 (for example, 1 cycle / sec), and the wafer W is moved vertically. It may be moved back and forth.
  • the wafer W rotates around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2, so that the etching solution accumulates only in the center of the wafer W during the supply of the etching solution.
  • the thickness of the etching solution does not become too large at the center of the wafer W. That is, the etching solution can be spread over the entire area of the wafer W, whereby the film thickness of the etching solution can be kept substantially constant over the entire area of the wafer W.
  • the etching solution can be sufficiently permeated into the pattern of the wafer W during the supply of the etching solution.
  • FIGS. 5A to 5D The behavior of the etching solution during the action shown in FIGS. 3A and 3B is shown by FIGS. 5A to 5D.
  • the wafer W rotates around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2.
  • the wafer W reciprocates in the vertical direction. Therefore, the new etching solution 7 can be smoothly permeated into the pattern 6 of the wafer, and the old etching solution 7A in the pattern 6 can be discharged to the outside (see FIG. 5A).
  • the old etching solution 7A can be quickly and surely replaced by the new etching solution 7 by repeating this reciprocating movement (see FIGS. 5C and 5D).
  • the DIW is surely permeated into the pattern of the wafer W and the etching solution in the pattern of the wafer W is surely permeated as in the case of supplying the etching solution described above. Can be quickly and reliably replaced by DIW (see FIGS. 5A-5B).
  • the wafer W reciprocates in the vertical direction during the supply of the two fluids (S3), the distance between the wafer W and the processing liquid supply mechanism 3 continuously increases or decreases. Therefore, the relative jet output of the two fluids supplied from the processing liquid supply mechanism 3 can be changed with respect to the wafer W, and the DIW on the wafer W is more effective than the two fluids supplied from the processing liquid supply mechanism 3. Can be discharged as a target.
  • the IPA is surely permeated into the pattern of the wafer W, and the DIW in the pattern of the wafer W is rapidly and quickly by the IPA, as in the case of supplying the etching solution described above. It can be reliably replaced (see FIGS. 5A-5D).
  • the substrate processing device 1 shown in FIG. 1A is not limited to the operation shown in FIG. 3A, and as shown in FIG. 3D, the wafer W is rotated by the first rotation drive unit 8 during the cleaning processing step for the wafer W.
  • the wafer W is rotated by the second rotation drive unit 40, and at the same time, the second rotation drive unit 40 is tilted by the tilt drive unit 43, and the wafer W is tilted clockwise or counterclockwise when viewed from the side with respect to the horizontal plane. May be sequentially tilted (eg, 1 cycle / sec).
  • the wafer W rotates around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2, so that the etching solution accumulates only in the center of the wafer W during the supply of the etching solution.
  • the thickness of the etching solution does not become too large at the center of the wafer W. That is, the etching solution can be spread over the entire area of the wafer W, whereby the film thickness of the etching solution can be kept substantially constant over the entire area of the wafer W.
  • the etching solution can be sufficiently permeated into the pattern of the wafer W during the supply of the etching solution in (S1). it can.
  • the behavior of the etching solution during this period is substantially the same as the case where the wafer W shown in FIGS. 5A to 5D is reciprocated in the vertical direction.
  • the wafer W rotates around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2.
  • the wafer W is sequentially tilted clockwise and counterclockwise when viewed from the side. Therefore, the new etching solution 7 can be smoothly permeated into the pattern 6 of the wafer, and the old etching solution 7A in the pattern 6 can be discharged to the outside (see FIG. 5A).
  • the wafer W is sequentially inclined clockwise and counterclockwise with respect to the horizontal plane when viewed from the side, so that a large force is applied downward to the new etching solution 7, which causes a large amount of force.
  • the new etching solution 7 can be more smoothly permeated into the pattern 6 (see FIG. 5B).
  • the old etching solution 7A can be quickly and surely replaced by the new etching solution 7 by repeating this tilting movement. (See FIGS. 5C and 5D).
  • the DIW is surely permeated into the pattern of the wafer W and the etching solution in the pattern of the wafer W is made by the DIW as in the case of supplying the etching solution described above. It can be replaced quickly and reliably.
  • the IPA is surely permeated into the pattern of the wafer W, and the DIW in the pattern of the wafer W is rapidly and quickly by the IPA, as in the case of supplying the etching solution described above. It can be reliably replaced.
  • the IPA can be effectively shaken off from the wafer W by centrifugal force, and the IPA can be appropriately discharged from the wafer W.
  • the coating and exposure processing performed on such a wafer W is as follows.
  • the wafer W is subjected to hydrophobizing surface treatment (HMDS) (S101).
  • HMDS hydrophobizing surface treatment
  • the wafer W is subjected to temperature control treatment (S102).
  • a coating liquid for example, a base film forming liquid is supplied to the wafer W to form a base film (S103), and then the wafer W is heated and baked (S104).
  • the temperature control treatment is applied to the wafer W (S105), and then a coating liquid, for example, an antireflection film forming liquid is supplied onto the wafer W to form an antireflection film (S106).
  • the wafer W is heated and hardened (S107), and the wafer W is further subjected to temperature control treatment (S108).
  • a coating liquid for example, a resist film forming liquid is supplied to the wafer W to form a resist film (S109). Further, the wafer W is heated and baked (S110), and then the wafer W is subjected to a temperature control treatment (S111).
  • the wafer W is exposed (S112), and the wafer W is further heated and hardened (S113).
  • the wafer W is heated and subjected to temperature control treatment (S114), and then a developing solution is supplied to the wafer W to develop a resist film (S115). After that, the wafer W is heated and hardened (S116), and then the wafer W is subjected to temperature control treatment again (S117).
  • the wafer W is discharged to the outside.
  • the substrate processing apparatus according to the present embodiment is used in the resist film forming step (S109) and the developing step (S115).
  • the substrate processing device 1 shown in FIG. 1A first drives the first rotation drive unit 8 and rotates the wafer holding mechanism 2 around the first rotation axis L1 by the first rotation drive unit 8.
  • the rotation speed is 10 to 3000 rpm.
  • the wafer holding mechanism 2 rotates, the wafer W held by the wafer holding mechanism 2 also rotates (rotates) around the first rotation axis L1 when viewed from above, for example.
  • the second rotation drive unit 40 is driven, and the second rotation drive unit 40 rotates the first rotation drive unit 8 around the second rotation axis L2 in the same clockwise direction as the rotation direction when viewed from above (for example).
  • Revolve for example, rotation speed 10 to 100 rpm.
  • the resist film forming liquid R is supplied to the wafer W from the processing liquid supply mechanism 3.
  • the wafer W is rotated by the first rotation driving unit 8 while supplying the resist film forming liquid R, and the wafer W is rotated by the second rotation driving unit 40. Can be revolved.
  • the wafer W rotates around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2, so that the resist film forming liquid R accumulates only in the center of the wafer W, or the wafer.
  • the film thickness of the resist film forming liquid R does not become too large in the central portion of W. That is, the resist film forming liquid R can be spread over the entire area of the wafer W, whereby the film thickness of the resist film forming liquid R can be kept substantially constant over the entire area of the wafer W.
  • the wafer W is rotated at high speed around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2, whereby the resist film is rotated from the wafer W.
  • the forming liquid R can be effectively shaken off to make the film thickness of the resist film uniform over the entire area of the wafer W.
  • the substrate processing device 1 shown in FIG. 1A is not limited to the operation shown in FIG. 7A, and as shown in FIG. 7B, the second rotation drive unit 40 is driven and the second rotation drive unit 40 drives the first rotation.
  • the portion 8 may be rotated (revolved) in a counterclockwise direction opposite to the rotation direction around the second rotation axis L2 when viewed from above (for example, the rotation speed is 10 to 100 rpm).
  • the resist film forming liquid R is supplied to the wafer W from the processing liquid supply mechanism 3.
  • the wafer W is rotated clockwise by the first rotation drive unit 8 while supplying the resist film forming liquid, and the wafer W is rotated in the second rotation drive unit. 40 allows it to revolve counterclockwise.
  • the wafer W rotates around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2, so that the resist film forming liquid R accumulates only in the center of the wafer W, or the wafer.
  • the film thickness of the resist film forming liquid R does not become too large in the central portion of W. That is, the resist film forming liquid can be spread over the entire area of the wafer W, whereby the film thickness of the resist film forming liquid can be kept substantially constant over the entire area of the wafer W.
  • the wafer W is rotated at high speed in the clockwise direction around the first rotation axis L1 and revolves counterclockwise around the second rotation axis L2. Therefore, the resist film forming liquid R can be effectively shaken off from the wafer W, and the film thickness of the resist film can be made uniform over the entire area of the wafer W.
  • the substrate processing apparatus 1 shown in FIG. 1A is not limited to the operation shown in FIG. 7A, and as shown in FIG. 7C, the resist film forming liquid R is supplied during the resist film forming step (S109) on the wafer W.
  • the second rotation drive unit 40 While rotating the wafer W by the first rotation drive unit 8 and revolving the wafer W by the second rotation drive unit 40, at the same time, the second rotation drive unit 40 is reciprocated in the vertical direction by the reciprocating drive unit 42 (during this time).
  • the wafer W may be reciprocated in the vertical direction for 1 cycle / sec).
  • the wafer W rotates around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2, so that the resist film forming liquid R accumulates only in the center of the wafer W, or the wafer.
  • the film thickness of the resist film forming liquid R does not become too large in the central portion of W. That is, the resist film forming liquid R can be spread over the entire area of the wafer W, whereby the film thickness of the resist film forming liquid can be kept substantially constant over the entire area of the wafer W.
  • the wafer W is rotated at high speed around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2, whereby the resist film is rotated from the wafer W.
  • the forming liquid R can be effectively shaken off to make the film thickness of the resist film uniform over the entire area of the wafer W.
  • the substrate processing apparatus 1 shown in FIG. 1A is not limited to the operation shown in FIG. 7A, and as shown in FIG. 7D, supplies the resist film forming liquid R during the resist film forming step (S9) on the wafer W.
  • the second rotation drive unit 40 While rotating the wafer W by the first rotation drive unit 8 and revolving the wafer W by the second rotation drive unit 40, at the same time, the second rotation drive unit 40 is tilted by the tilt drive unit 43, and the wafer W is horizontal.
  • the wafer may be sequentially tilted clockwise or counterclockwise (for example, 1 cycle / sec).
  • the wafer W rotates around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2, so that the resist film forming liquid R accumulates only in the center of the wafer W, or the wafer.
  • the film thickness of the resist film forming liquid R does not become too large in the central portion of W. That is, the resist film forming liquid R can be spread over the entire area of the wafer W, whereby the film thickness of the resist film forming liquid R can be kept substantially constant over the entire area of the wafer W. Further, since the wafer W is sequentially tilted clockwise or counterclockwise with respect to the horizontal plane, the resist film forming liquid R can be more reliably spread over the entire area of the wafer W.
  • the wafer W is rotated at high speed around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2, whereby the resist film is rotated from the wafer W.
  • the forming liquid can be effectively shaken off to make the film thickness of the resist film uniform over the entire area of the wafer W.
  • the substrate processing device 1 shown in FIG. 1A first drives the first rotation drive unit 8 and rotates the wafer holding mechanism 2 around the first rotation axis L1 by the first rotation drive unit 8.
  • the rotation speed is 10 to 3000 rpm.
  • the wafer holding mechanism 2 rotates, the wafer W held by the wafer holding mechanism 2 also rotates (rotates) clockwise around the first rotation axis L1 when viewed from above, for example.
  • the second rotation drive unit 40 is driven, and the second rotation drive unit 40 rotates the first rotation drive unit 8 around the second rotation axis L2 in the same clockwise direction as the rotation direction when viewed from above (revolution).
  • the rotation speed is 10 to 100 rpm.
  • the developer D is supplied onto the wafer W from the processing liquid supply mechanism 3.
  • the wafer W can be rotated by the first rotation drive unit 8 and the wafer W can be revolved by the second rotation drive unit 40.
  • the wafer W rotates around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2, so that the developer D does not stay in the center of the wafer W and covers the entire area of the wafer W.
  • the resist film can be dissolved to ensure that the development process can be performed.
  • DIW is supplied to the wafer W from the processing liquid supply mechanism 3 while rotating the wafer W around the first rotation axis L1 and revolving around the second rotation axis L2.
  • the DIW can be spread over the entire area of the wafer W without staying in the center of the wafer W. Can be done.
  • the wafer W is rotated at high speed around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2.
  • the DIW can be effectively shaken off, the DIW can be reliably removed from the wafer W, and the residue on the wafer can be eliminated.
  • the substrate processing device 1 shown in FIG. 1A is not limited to the operation shown in FIG. 7A, and as shown in FIG. 7B, the second rotation drive unit 40 is driven, and the second rotation drive unit 40 drives the first rotation.
  • the part 8 may be rotated (revolved) in the counterclockwise direction opposite to the rotation direction around the second rotation axis L2 when viewed from above (for example, the rotation speed is 10 to 100 rpm).
  • the developer D is supplied onto the wafer W from the processing liquid supply mechanism 3.
  • the wafer W is rotated clockwise by the first rotation drive unit 8 and the wafer W is revolved counterclockwise by the second rotation drive unit 40. be able to.
  • the wafer W rotates around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2, so that the developer D does not stay in the center of the wafer W and covers the entire area of the wafer W.
  • the resist film can be dissolved to ensure that the development process can be performed.
  • DIW is supplied to the wafer W from the processing liquid supply mechanism 3 while rotating the wafer W around the first rotation axis L1 and revolving around the second rotation axis L2.
  • the DIW can be spread over the entire area of the wafer W without staying in the center of the wafer W. Can be done.
  • the wafer W is rotated at high speed around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2.
  • the DIW can be effectively shaken off, the DIW can be reliably removed from the wafer W, and the residue on the wafer can be eliminated.
  • the substrate processing device 1 shown in FIG. 1A is not limited to the operation shown in FIG. 7A, and as shown in FIG. 7C, the wafer W rotates about the first rotation axis L1 and rotates the second rotation axis L2. It may revolve around the center, and at the same time, the second rotation drive unit 40 may be reciprocated in the vertical direction by the reciprocating drive unit 42 (for example, 1 cycle / sec), and the wafer W may be reciprocated in the vertical direction. Therefore, the developer D does not stay in the central portion of the wafer W, and the resist film can be dissolved over the entire area of the wafer W to reliably perform the developing process. Further, the developer D can be effectively permeated into the pattern of the wafer W as the wafer W reciprocates in the vertical direction.
  • DIW is supplied to the wafer W from the processing liquid supply mechanism 3 while rotating the wafer W around the first rotation axis L1 and revolving around the second rotation axis L2.
  • the wafer W rotates about the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2.
  • the DIW can be spread over the entire area of the wafer W without staying in the center of the wafer W.
  • the DIW can be permeated into the pattern of the wafer W.
  • the wafer W is rotated at high speed around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2. Further, the wafer W is reciprocated in the vertical direction. As a result, the DIW can be effectively shaken off, the DIW can be reliably removed from the wafer W, and the residue on the wafer can be eliminated.
  • the substrate processing apparatus 1 shown in FIG. 1A is not limited to the operation shown in FIG. 7A, and as shown in FIG. 7D, the wafer W is driven in the first rotation while the developer D is supplied to the wafer W.
  • the unit 8 rotates and the wafer W is revolved by the second rotation drive unit 40.
  • the second rotation drive unit 40 is tilted by the tilt drive unit 43, and the wafer W is viewed from the side with respect to the horizontal plane. It may be tilted sequentially in the direction or counterclockwise (for example, 1 cycle / second).
  • the wafer W rotates around the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2.
  • the wafer W is sequentially tilted clockwise or counterclockwise with respect to the horizontal plane. Therefore, the developer D does not stay in the central portion of the wafer W, and the resist film can be dissolved over the entire area of the wafer W to reliably perform the developing process. Further, by sequentially inclining the wafer W in the clockwise direction or the counterclockwise direction, the developer D can be effectively permeated into the pattern of the wafer W.
  • DIW is supplied to the wafer W from the processing liquid supply mechanism 3 while rotating the wafer W around the first rotation axis L1 and revolving around the second rotation axis L2.
  • the wafer W rotates about the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2.
  • the DIW can be spread over the entire area of the wafer W without staying in the central portion of the wafer W.
  • the DIW can be permeated into the pattern of the wafer W.
  • the wafer W is rotated at high speed about the first rotation axis L1 and revolves around the second rotation axis L2. Further, the wafer W is sequentially tilted with respect to the horizontal plane. As a result, the DIW can be effectively shaken off, the DIW can be reliably removed from the wafer W, and the residue on the wafer can be eliminated.
  • the substrate processing apparatus according to the present embodiment is used in the resist film forming step (S109 in FIG. 6) and the developing step (S115) is shown.
  • the substrate processing apparatus according to the present embodiment may be used in the base film forming step (S104) and the antireflection film forming step (S106).
  • the first rotation drive unit 8 rotates the wafer W around the first rotation axis L1 and the second rotation drive unit 40.
  • An example of revolving the wafer W around the second rotation axis L2 is shown.
  • the first rotation drive unit 8 is stopped to stop the rotation of the wafer W, and the second rotation drive unit 40 is driven to rotate the wafer W to the second rotation. It may be revolved around the shaft L2 so that various treatment liquids can be slowly spread on the wafer W.
  • Substrate processing device 2 Wafer holding mechanism 3 Processing liquid supply mechanism 8 First rotation drive unit 15 Receiving cup mechanism 16 Control unit 17 Spin chuck 40 Second rotation drive unit 42 Reciprocating drive unit 43 Tilt drive unit W Wafer E Etching liquid R Regis Film-forming solution D Developer

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Abstract

［課題］基板の中心部における液残りや、液膜増加を防ぐ。 ［解決手段］基板処理装置は基板を保持する基板保持機構と、基板保持機構を第１回転軸を中心として回転させる第１回転駆動部と、第１回転駆動部を第１回転軸とは異なり、かつ第１回転軸と並行する第２回転軸を中心として回転させる第２回転駆動部とを備える。

Description

基板処理装置及び基板処理方法
　本開示は基板処理装置及び基板処理方法に関する。
　従来、半導体ウエハやＬＣＤ基板等の基板を回転させ、この基板に対して処理液を供給し、その後基板を回転させて基板を処理する技術が知られている。
　基板は基板回転保持機構により保持されて回転するが、基板の中心部は遠心力が小さく、このため旋回流も少ないため、基板の中心部に液残りや液膜増加等の現象が現われ、基板の中心部において処理不良が発生することがある。
特開２００１－８５２９５号
　本開示はこのような点を考慮してなされたものであり、基板の中心部における処理不良を防ぐことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
　本開示は、基板を保持する基板保持機構と、前記基板保持機構を保持して第１回転軸を中心として回転させる第１回転駆動部と、前記第１回転駆動部を前記第１回転軸と異なり、かつ前記第１回転軸と平行する第２回転軸を中心として回転させる第２回転駆動部と、を備えた基板処理装置である。
　本開示によれば、基板の中心部における液残りや液膜増加を防ぐことができる。
図１Ａは本開示による基板処理装置を示す概略構成図。 図１Ｂは基板処理装置の変形例を示す図。 図２は洗浄処理を示すフロー図。 図３Ａは本開示による洗浄処理を含む基板処理方法を示す概略図。 図３Ｂは本開示による洗浄処理を含む基板処理方法を示す概略図。 図３Ｃは本開示による洗浄処理を含む基板処理方法を示す概略図。 図３Ｄは本開示による洗浄処理を含む基板処理方法を示す概略図。 図４Ａは基板を自転させかつ公転させた場合の基板上のＩＰＡの挙動を示す図。 図４Ｂは基板を自転させかつ公転させた場合の基板上のＩＰＡの挙動を示す図。 図４Ｃは基板を自転させかつ公転させた場合の基板上のＩＰＡの挙動を示す図。 図５Ａは基板を自転させかつ公転させた場合の基板上のエッチング液の挙動を示す図。 図５Ｂは基板を自転させかつ公転させた場合の基板上のエッチング液の挙動を示す図。 図５Ｃは基板を自転させかつ公転させた場合の基板上のエッチング液の挙動を示す図。 図５Ｄは基板を自転させかつ公転させた場合の基板上のエッチング液の挙動を示す図。 図６は塗布、露光処理を示す概略図。 図７Ａは本開示による塗布、露光処理を含む基板処理方法を示す概略図。 図７Ｂは本開示による塗布、露光処理を含む基板処理方法を示す概略図。 図７Ｃは本開示による塗布、露光処理を含む基板処理方法を示す概略図。 図７Ｄは本開示による塗布、露光処理を含む基板処理方法を示す概略図。 図８Ａは基板を自転のみさせた場合の基板上のＩＰＡの挙動を示す図。 図８Ｂは基板を自転のみさせた場合の基板上のＩＰＡの挙動を示す図。 図８Ｃは基板を自転のみさせた場合の基板上のＩＰＡの挙動を示す図。
＜本実施の形態の構造＞
　以下、図面を参照して、本開示の実施の形態について説明する。このうち、図１Ａは本開示による基板処理装置の実施の形態について説明する。
　図１Ａに示すように、基板処理装置１は半導体ウエハ等の基板（以下、ウエハともいう）Ｗを回転させ、ウエハＷに対して処理液を供給しながら、あるいは予め処理液を供給しておいた後、処理液を供給することなく処理するものである。
　このような基板処理装置１は、ウエハＷを水平面上で保持するウエハ保持機構（基板保持機構）２と、このウエハ保持機構２を保持して第１回転軸Ｌ１を中心として回転させる第１回転駆動部８と、この第１回転駆動部８を第１回転軸Ｌ１と異なり、かつ第１回転軸Ｌ１と平行する第２回転軸Ｌ２を中心として回転させる第２回転駆動部４０と、これらウエハ保持機構２、第１回転駆動部８および第２回転駆動部４０を駆動制御する制御部１６とを備えている。
　なお、図１Ａに示すように、ウエハ保持機構２に水平面上で保持されたウエハＷは第１回転駆動部８により、水平面上で回転することになる。また第１回転駆動部８の第１回転軸Ｌ１と第２回転駆動部４０の第２回転軸Ｌ２は互いに平行しかつ垂直方向を向いている。
　このうちウエハ保持機構２は、ベース２Ａと、ベース２Ａ上に設けられるとともにウエハＷを吸着保持するスピンチャック１７とを有し、第１回転駆動部８はスピンチャック１７を回転駆動すると共に昇降駆動するようになっている。またウエハ保持機構２は、処理液供給機構３によって供給された処理液を除去する際にウエハＷを高速回転させ、遠心力により処理液を振り切る機能を有する。またウエハＷの外縁から下方向に垂れた処理液は、ベース２Ａの近傍に設けられた傾斜板１０によって受け止められ、排出路１１を通って外部に排出されるようになっている。また、ウエハ保持機構２の外周には、ウエハＷの外縁から飛散した処理液を受け止める受けカップ機構１５が設けられ、処理液はこの受けカップ機構１５によって排出路１１に案内され外部に排出される。
　なお受けカップ機構１５は、内カップ１２と、この内カップ１２の外側を覆いかつこの内カップ１２よりも上方に延びる外カップ１３と、この外カップ１３を駆動するカップ駆動機構１４とを有する。
　内カップ１２は、外カップ１３内に挿脱自在に挿入され、外カップ１３の下端部に設けられた受け部１３ａによって下方に抜けないように保持されている。外カップ１３内へ内カップ１２を容易に挿着するため、外カップ１３の上端部は内カップ１２の外形よりも大きい内径を有するように形成されている。このように内カップ１２が着脱自在になっているのは、この内カップ１２のみを取り外して洗浄することを考慮したためである。
　また、内カップ１２は、下端部が前記外カップ１３の受け部１３ａによって保持される垂直壁１２ａと、一端がこの垂直壁１２ａの上端に連結されるとともに湾曲状に形成された湾曲部１２ｂとを有する。
　このように構成された内カップ１２及び外カップ１３は、図１Ａに示すカップ駆動機構１４によって上下駆動されるようになっている。このカップ駆動機構１４は、例えば軸線を垂直にして配置されたボールねじ機構２４からなる。このボールねじ機構２４のねじ軸２６はステッピングモータ２７に連結されており、このねじ軸２６に螺着されたナット部２５は前記外カップ１３に連結されている。したがって、このステッピングモータ２７が作動することによって、前記外カップ１３が上下方向に駆動され、また、前記内カップ１２もこの外カップ１３に保持されているから一体的に上下駆動される。
　ステッピングモータ２７には、ステッピングモータ２７の回転位置を検出するエンコーダ２８が取り付けられている。このステッピングモータ２７及びエンコーダ２８は図示しないドライバを介して制御部１６に接続されている。
　また、図１Ａに符号１１で示す排出路には、この排出路１１内の排出圧及び排流量を検出するための圧力・流量検出部３０が設けられている。この圧力・流量検出部３０によって検出された排出圧及び排出流量は、前記制御部１６に送られるようになっている。
　そして、制御部１６は圧力・流量検出部３０による検出値に基づいて前記カップ駆動機構１４を作動させ、前記内カップ１２の高さを位置決め制御する。すなわち、この制御部１６は、前記圧力・流量検出部３０を通じて排気流量及び排気圧力を監視しながら前記内カップ１２の高さをリアルタイムで位置決め制御する機能を有している。
　次に、図１Ａに示す処理液供給機構３について説明する。処理液供給機構３は、処理液供給ノズル３４と、処理液供給ノズル３４に処理液を供給する処理液供給部３５と、前記処理液供給ノズル３４を保持し前記ウエハＷの中心上方に対向して位置決めする図示しない供給ノズル駆動機構とを有する。
　そして処理液供給機構３の処理液供給ノズル３４から供給される処理液は、ウエハＷの中心部に向かって供給される。
　また図１Ａに示すように、ベース２Ａとスピンチャック１７とを有するウエハ保持機構２を回転させる第１回転駆動部８は、ベース８Ｂと、ベース８Ｂ上に載置された第１回転駆動部本体８Ａとを有し、第１回転軸Ｌ１を中心として回転する。
　また第２回転駆動部４０は、ベース４０Ｂと、ベース４０Ｂ上に載置された第２回転駆動部本体４０Ａとを有し、第１回転軸Ｌ１と異なりかつ第１回転軸Ｌ１と平行する第２回転軸Ｌ２を中心として回転する。図１Ａに示す実施の形態において、第２回転駆動部本体４０Ａには上方に突出する連結軸４０Ｃが連結され、この連結軸４０Ｃに第１回転駆動部８のベース８Ｂが連結されている。
　また第１回転駆動部８の第１回転軸Ｌ１と第２回転駆動部４０の第２回転軸Ｌ２は、上述のように互いに平行し、かつ互いにずれ量ｌをもって離間しており、第１回転軸Ｌ１と第２回転軸Ｌ２との間のずれ量ｌは、ウエハの直径Ｄｗに対して、０．０５×Ｄｗ≦ｌ≦０．２×Ｄｗの関係を満たすようになっている。
　さらにまた、第２回転駆動部４０のベース４０Ｂの下方には、第２回転駆動部４０を、水平面上に配置されたウエハＷに対して直交する垂直方向に往復移動させる往復駆動部４２が設けられている。そしてこの往復駆動部４２により、第２回転駆動部４０を垂直方向に往復移動させることができる。
　この場合、往復駆動部４２としては油圧シリンダ、あるいはエアシリンダを用いることができる。
　なお、上記実施の形態において、第２回転駆動部４０の下方に往復駆動部４２を設けた例を示したが、これに限らず、図１Ｂに示すように第２回転駆動部４０の下方に往復駆動部４２の代わりに、第２回転駆動部４０を傾斜させる傾斜駆動部４３を設けてもよい。あるいはまた往復駆動部４２の下方に更に第２回転駆動部４０と往復駆動部４２を傾斜させる傾斜駆動部４３を設けてもよい。
　図１Ｂにおいて、第２回転駆動部４０を傾斜させる傾斜駆動部４３は、一対の駆動シリンダ４３Ａ，４３Ｂからなる。そして一対の駆動シリンダ４３Ａ，４３Ｂを交互に作動させることにより、第２回転駆動部４０を順次傾斜させることができる。例えば水平面上に配置されたウエハＷを、水平面に対して例えば側方からみて時計方向（一方向）ｄ１あるいは側方からみて反時計方向（他方向）ｄ２へ順次傾斜させることができる。
＜本実施の形態の作用＞
（１）洗浄処理工程
　次に本実施の形態の作用について述べる。はじめに本実施の形態による基板処理装置１を用いてウエハＷに対して、ウエハＷ上に付着したパーティクルを除去する洗浄処理工程について説明する。
　このような洗浄処理工程では、図１Ａに示すウエハ保持機構２に保持されたウエハＷに対して、図２のフロー図に示すように、以下のような洗浄処理が施される。
　まず、ウエハ保持機構２に保持されたウエハＷの中心部に対して、処理液供給機構３から順次処理液が供給される。
　この場合、はじめにウエハＷに対してエッチング液が供給される（Ｓ１）。
　次に処理液供給機構３からウエハＷに対してＤＩＷ（de-ionized-water）が供給される（Ｓ２）。
　その後、処理液供給機構３からウエハＷに対して、例えばＮ２ガスと水とを含む２流体が供給される（Ｓ３）。
　続いて、処理液供給機構３からウエハＷに対してＤＩＷが供給される（Ｓ４）。
　その後処理液供給機構３からウエハＷに対してＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が供給される（Ｓ５）。
　続いてウエハ保持機構２が回転して保持されたウエハＷに対して遠心力による乾燥工程（Spin dry）が施される（Ｓ６）。
　この間、図１Ａに示す基板処理装置１は、図３Ａに示すように、まず第１回転駆動部８を駆動させて第１回転駆動部８によりウエハ保持機構２を第１回転軸Ｌ１回りに回転させる（例えば、回転数１０～３０００ｒｐｍ）。そしてこのウエハ保持機構２の回転に伴って、ウエハ保持機構２に保持されたウエハＷも例えば、上方からみて時計方向に第１回転軸Ｌ１回りに回転する（自転する）。
　同時に、第２回転駆動部４０を駆動させ、第２回転駆動部４０により第１回転駆動部８を例えば、上方からみて自転方向と同様の時計方向に第２回転軸Ｌ２回りに回転させる（公転させる）（例えば、回転数１０～１００ｒｐｍ）。
　このようにして、ウエハＷに対する洗浄処理工程中、ウエハＷを第１回転駆動部８により自転させ、かつウエハＷを第２回転駆動部４０により公転させることができる。
　このように、ウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として自転するとともに、第２回転軸Ｌ２を中心として公転するため、例えば（Ｓ１）のエッチング液供給中にエッチング液ＥがウエハＷの中心部のみに蓄積してしまったり、ウエハＷの中心部においてエッチング液の膜厚が大きくなりすぎることはない。すなわち、ウエハＷの全域に渡ってエッチング液Ｅを拡げることができ、このことによりウエハＷの全域に渡って、エッチング液の膜厚を略一定に保つことができる。
　また（Ｓ５）のＩＰＡ供給中に、ウエハＷの中心部のみにＩＰＡの液残りが生じることはない。
　さらに（Ｓ６）のSpin dry中においても、ウエハＷからＩＰＡを遠心力により効果的に振り切って、ＩＰＡを適切にウエハＷ上から排出することができる。
　次に図８Ａ乃至図８Ｃにより、比較例として、ウエハＷを公転させることなく、自転のみさせた場合のウエハＷ上のＩＰＡの挙動について説明する。例えば図８Ａに示すように、ウエハＷの中心部のみにＩＰＡ２を供給し、かつウエハＷを公転させることなく、ウエハＷを回転軸Ｌ１回りに自転のみさせる場合、ウエハＷの中心部にパーティクル５を含むＩＰＡ２が残るおそれがある。また、ウエハＷの中心部におけるＩＰＡ２の膜厚が大きくなると、ウエハＷの中心部にＩＰＡが残るリスクが高まることが考えられる。
　この場合は、図８Ｂに示すように、ウエハＷの中心部に残るＩＰＡ２は（Ｓ６）のSpin dryによってもウエハＷから排出されることはない。このように、ウエハＷの中心部にＩＰＡが残るため、（Ｓ６）のSpin dryによってもウエハＷの中心部にパーティクル５が残ってしまう（図８Ｃ参照）。
　これに対して本実施の形態によれば、図４Ａ乃至図４Ｃに示すように、ウエハＷの洗浄処理中、ウエハＷを第１回転軸Ｌ１回りに自転させ、かつウエハＷを第２回転軸Ｌ２回りに公転させる。このため、ウエハＷにＩＰＡ２を供給する際、ウエハＷの中心部にＩＰＡ２が残ってＩＰＡ２の膜厚が大きくなることはない（図４Ａ参照）。また、図４Ｂおよび図４Ｃに示すように、ウエハＷに対してSpin dryを施した場合、ＩＰＡ２はパーティクル５とともに外方へ飛散する（図４Ｂ参照）。このため、ウエハＷに対してSpin dryを施した後に、ウエハＷの中心部にパーティクル５が残ってしまうことはない（図４Ｃ参照）。このように本実施の形態によれば、ウエハＷの中心部における処理不良を防ぐことができる。
　あるいは、図１Ａに示す基板処理装置１は、図３Ａに示す作用に限ることはなく、図３Ｂに示すように、第２回転駆動部４０を駆動させ、第２回転駆動部４０により第１回転駆動部８を第２回転軸Ｌ２回りに上方からみて自転方向と反対方向の反時計方向に回転させてもよい（公転させる）。
　このようにして、ウエハＷに対する洗浄処理工程中、ウエハＷを第１回転駆動部８により時計方向に自転させ、かつウエハＷを第２回転駆動部４０により自転方向と反対方向の反時計方向に回転させて公転させることができる。
　このように、ウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として時計方向に自転するとともに、第２回転軸Ｌ２を中心として反時計方向に公転するため、例えば（Ｓ１）のエッチング液供給中にエッチング液がウエハＷの中心部のみに蓄積してしまったり、ウエハＷの中心部においてエッチング液の膜厚が大きくなりすぎることはない。すなわち、ウエハＷの全域に渡ってエッチング液を拡げることができ、このことによりウエハＷの全域に渡ってエッチング液の膜厚を略一定に保つことができる。
　また（Ｓ５）のＩＰＡ供給中に、ウエハＷの中心部のみにＩＰＡの液残りが生じることはない。
　さらに（Ｓ６）のSpin dry中においても、ウエハＷからＩＰＡを遠心力により効果的に振り切って、ＩＰＡを適切にウエハＷ上から排出することができる。
　さらにまた、（Ｓ６）のSpin dry中に、ウエハＷは第１回転駆動部８により第１回転軸Ｌ１回りに時計方向に高速で自転することになる。この間、ウエハＷは第２回転駆動部４０により公転するが、この際ウエハＷは第２回転軸Ｌ２回りに反時計方向に回転する。
　この場合、第１回転軸Ｌ１回りに時計方向に高速で自転するウエハＷの周縁にウエハＷの自転に伴って気流の乱れが生じることも考えられるが、ウエハＷを第２回転軸回りに反時計方向に回転させることにより、ウエハＷを自転することによってウエハＷ周縁に発生する気流の乱れを抑えることができる。
　あるいは、図１Ａに示す基板処理装置１は、図３Ａに示す作用に限ることはなく、図３Ｃに示すように、ウエハＷに対する洗浄処理工程中、ウエハＷを第１回転駆動部８により自転させ、かつウエハＷを第２回転駆動部４０により公転させ、同時にこの間、第２回転駆動部４０を往復駆動部４２により垂直方向に往復移動させ（例えば１サイクル／秒）、ウエハＷを垂直方向に往復移動させてもよい。
　このように、ウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として自転するとともに、第２回転軸Ｌ２を中心として公転するため、エッチング液供給中にエッチング液がウエハＷの中心部のみに蓄積してしまったり、ウエハＷの中心部においてエッチング液の膜厚が大きくなりすぎることはない。すなわち、ウエハＷの全域に渡ってエッチング液を拡げることができ、このことによりウエハＷの全域に渡って、エッチング液の膜厚を略一定に保つことができる。
　また、ウエハＷを垂直方向に往復移動させることにより（Ｓ１）、のエッチング液供給中にウエハＷのパターン内にエッチング液を十分浸透させることができる。
　図３Ａおよび図３Ｂに示す作用中のエッチング液の挙動を図５Ａ乃至図５Ｄにより示す。上述のようにエッチング液供給中に、ウエハＷは第１回転軸Ｌ１回りに自転をし、かつ第２回転軸Ｌ２回りに公転する。同時にウエハＷは垂直方向に往復移動する。このためウエハのパターン６内に新しいエッチング液７をスムーズに浸透させることができ、かつパターン６内の古いエッチング液７Ａを外方へ排出することができる（図５Ａ参照）。この間、ウエハＷは垂直方向に往復移動するため、新しいエッチング液７に対して下方へ向かって大きな力が加わることになり、このことにより、多量の新しいエッチング液７をよりスムーズにパターン６内に浸透させることができる（図５Ｂ参照）。
　さらにまた、ウエハＷが垂直方向に往復移動するため、この往復移動の繰り返しにより、新しいエッチング液７により古いエッチング液７Ａを迅速かつ確実に置換することができる（図５Ｃおよび図５Ｄ参照）。
　また、（Ｓ２）のＤＩＷの供給中であっても、上述したエッチング液の供給中の場合と同様に、ウエハＷのパターン内にＤＩＷを確実に浸透させ、かつウエハＷのパターン内のエッチング液をＤＩＷにより迅速かつ確実に置換することができる（図５Ａ乃至図５Ｂ参照）。
　さらに（Ｓ３）の２流体の供給中、ウエハＷが垂直方向に往復移動するため、ウエハＷと処理液供給機構３との間の距離が連続的に増減する。このためウエハＷに対して処理液供給機構３から供給される２流体の相対的な噴出力を変化させることができ、ウエハＷ上のＤＩＷを処理液供給機構３から供給される２流体により効果的に排出することができる。
　さらにまた（Ｓ５）のＩＰＡ供給中に、上述したエッチング液の供給中の場合と同様に、ウエハＷのパターン内にＩＰＡを確実に浸透させ、かつウエハＷのパターン内のＤＩＷをＩＰＡにより迅速かつ確実に置換することができる（図５Ａ乃至図５Ｄ参照）。
　あるいは図１Ａに示す基板処理装置１は、図３Ａに示す作用に限ることはなく、図３Ｄに示すように、ウエハＷに対する洗浄処理工程中、ウエハＷを第１回転駆動部８により自転させ、かつウエハＷを第２回転駆動部４０により公転させ、同時にこの間、第２回転駆動部４０を傾斜駆動部４３により傾斜させ、ウエハＷを水平面に対して側方からみて時計方向にあるいは反時計方向に順次傾斜させてもよい（例えば、１サイクル／秒）。
　このように、ウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として自転するとともに、第２回転軸Ｌ２を中心として公転するため、エッチング液供給中にエッチング液がウエハＷの中心部のみに蓄積してしまったり、ウエハＷの中心部においてエッチング液の膜厚が大きくなりすぎることはない。すなわち、ウエハＷの全域に渡ってエッチング液を拡げることができ、このことによりウエハＷの全域に渡って、エッチング液の膜厚を略一定に保つことができる。
　また、ウエハＷを水平面に対して側方からみて時計方向にあるいは反時計方向に順次傾斜させることにより、（Ｓ１）のエッチング液供給中にウエハＷのパターン内にエッチング液を十分浸透させることができる。
　この間のエッチング液の挙動は、図５Ａ乃至図５Ｄに示すウエハＷを垂直方向に往復移動させる場合と略同一である。上述のようにエッチング液供給中に、ウエハＷは第１回転軸Ｌ１回りに自転をし、かつ第２回転軸Ｌ２回りに公転する。同時にウエハＷは側方からみて時計方向および反時計方向に順次傾斜する。このためウエハのパターン６内に新しいエッチング液７をスムーズに浸透させることができ、かつパターン６内の古いエッチング液７Ａを外方へ排出することができる（図５Ａ参照）。この間、ウエハＷは側方からみて水平面に対して時計方向および反時計方向に順次傾斜するため、新しいエッチング液７に対して下方へ向かって大きな力が加わることになり、このことにより、多量の新しいエッチング液７をよりスムーズにパターン６内に浸透させることができる（図５Ｂ参照）。
　さらにまた、ウエハＷが側方からみて、時計方向あるいは反時計方向に順次傾斜するため、この傾斜移動の繰り返しにより、新しいエッチング液７により古いエッチング液７Ａを迅速かつ確実に置換することができる（図５Ｃおよび図５Ｄ参照）。
　また、（Ｓ２）のＤＩＷの供給中に、上述したエッチング液の供給中の場合と同様に、ウエハＷのパターン内にＤＩＷを確実に浸透させ、かつウエハＷのパターン内のエッチング液をＤＩＷにより迅速かつ確実に置換することができる。
　さらにまた（Ｓ５）のＩＰＡ供給中に、上述したエッチング液の供給中の場合と同様に、ウエハＷのパターン内にＩＰＡを確実に浸透させ、かつウエハＷのパターン内のＤＩＷをＩＰＡにより迅速かつ確実に置換することができる。
　さらにまた、（Ｓ６）のSpin dry中においても、ウエハＷからＩＰＡを遠心力により効果的に振り切って、ＩＰＡを適切にウエハＷ上から排出することができる。
（２）塗布、露光処理工程
　次に本実施の形態による基板処理装置を用いてウエハＷに対して施される塗布、露光処理工程について説明する。
　このようなウエハＷに対して行われる塗布、露光処理は図６に示すように、次のようなものである。
　まず図６に示すように、ウエハＷに対して疎水化表面処理（ＨＭＤＳ）が施される（Ｓ１０１）。
　次にウエハＷに対して温調処理が施される（Ｓ１０２）。
　その後ウエハＷに対して、塗布液、例えば下地膜形成液が供給されて下地膜が形成され（Ｓ１０３）、次にウエハＷが加熱されて焼き固められる（Ｓ１０４）。
　その後、ウエハＷに対して温調処理が施され（Ｓ１０５）、次にウエハＷ上に塗布液、例えば反射防止膜形成液が供給されて反射防止膜が形成される（Ｓ１０６）。
　次にウエハＷが加熱されて焼き固められ（Ｓ１０７）、さらにウエハＷに対して温調処理が施される（Ｓ１０８）。
　次にウエハＷに塗布液、例えばレジスト膜形成液が供給されてレジスト膜が形成される（Ｓ１０９）。さらにウエハＷが加熱されて焼き固められ（Ｓ１１０）、次にウエハＷに対して温調処理が施される（Ｓ１１１）。
　次にウエハＷに対して露光処理が施され（Ｓ１１２）、さらにウエハＷが加熱されて焼き固められる（Ｓ１１３）。
　その後、ウエハＷが加熱されて温調処理が施され（Ｓ１１４）、次にウエハＷに対して現像液が供給されてレジスト膜が現像される（Ｓ１１５）。その後ウエハＷが加熱されて焼き固められ（Ｓ１１６）、次にウエハＷに対して再度温調処理が施される（Ｓ１１７）。
　このような塗布、露光処理が施された後、ウエハＷは外部へ排出される。
　本実施の形態において、上述した塗布、露光処理工程のうち、レジスト膜形成工程（Ｓ１０９）および現像工程（Ｓ１１５）において、本実施の形態による基板処理装置が用いられる。
　まず図７Ａ乃至図７ＤによりウエハＷに対してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程（Ｓ１０９）中における基板処理装置の作用について述べる。
　この場合、図１Ａに示す基板処理装置１は図７Ａに示すように、まず第１回転駆動部８を駆動させて第１回転駆動部８によりウエハ保持機構２を第１回転軸Ｌ１回りに回転させる（例えば、回転数１０～３０００ｒｐｍ）。そしてウエハ保持機構２の回転に伴って、ウエハ保持機構２に保持されたウエハＷも例えば上方からみて、第１回転軸Ｌ１回りに回転する（自転する）。
　同時に、第２回転駆動部４０を駆動させ、第２回転駆動部４０により第１回転駆動部８を例えば、上方からみて自転方向と同様の時計方向に、第２回転軸Ｌ２回りに回転させる（公転させる）（例えば、回転数１０～１００ｒｐｍ）。同時に処理液供給機構３からウエハＷに対してレジスト膜形成液Ｒが供給される。
　このようにして、ウエハＷに対するレジスト膜形成工程（Ｓ１０９）中、レジスト膜形成液Ｒを供給しながらウエハＷを第１回転駆動部８により自転させ、かつウエハＷを第２回転駆動部４０により公転させることができる。
　このようにウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として自転するとともに、第２回転軸Ｌ２を中心として公転するため、レジスト膜形成液ＲがウエハＷの中心部のみに蓄積してしまったり、ウエハＷの中心部においてレジスト膜形成液Ｒの膜厚が大きくなりすぎることはない。すなわちウエハＷの全域に渡って、レジスト膜形成液Ｒを拡げることができ、このことによってウエハＷの全域に渡ってレジスト膜形成液Ｒの膜厚を略一定に保つことができる。
　またレジスト膜形成液ＲをウエハＷ上に供給した後、ウエハＷを第１回転軸Ｌ１を中心として高速で自転させ、かつ第２回転軸Ｌ２を中心として公転させることにより、ウエハＷからレジスト膜形成液Ｒを効果的に振り切って、レジスト膜の膜厚をウエハＷの全域に渡って均一とすることができる。
　あるいは図１Ａに示す基板処理装置１は図７Ａに示す作用に限られることはなく、図７Ｂに示すように、第２回転駆動部４０を駆動させ、第２回転駆動部４０により第１回転駆動部８を上方からみて第２回転軸Ｌ２回りに自転方向と反対方向の反時計方向に回転させてもよい（公転させる）（例えば、回転数１０～１００ｒｐｍ）。同時に処理液供給機構３からウエハＷに対してレジスト膜形成液Ｒが供給される。
　このようにして、ウエハＷに対するレジスト膜形成工程（Ｓ１０９）中、レジスト膜形成液を供給しながらウエハＷを第１回転駆動部８により時計方向に自転させ、かつウエハＷを第２回転駆動部４０により反時計方向に公転させることができる。
　このようにウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として自転するとともに、第２回転軸Ｌ２を中心として公転するため、レジスト膜形成液ＲがウエハＷの中心部のみに蓄積してしまったり、ウエハＷの中心部においてレジスト膜形成液Ｒの膜厚が大きくなりすぎることはない。すなわちウエハＷの全域に渡って、レジスト膜形成液を拡げることができ、このことによってウエハＷの全域に渡ってレジスト膜形成液の膜厚を略一定に保つことができる。
　またレジスト膜形成液ＲをウエハＷ上に供給した後、ウエハＷを第１回転軸Ｌ１を中心として時計方向に高速で自転させ、かつ第２回転軸Ｌ２を中心として反時計方向に公転させることにより、ウエハＷからレジスト膜形成液Ｒを効果的に振り切って、レジスト膜の膜厚をウエハＷの全域に渡って均一とすることができる。
　あるいは、図１Ａに示す基板処理装置１は図７Ａに示す作用に限られることはなく、図７Ｃに示すように、ウエハＷに対するレジスト膜形成工程（Ｓ１０９）中、レジスト膜形成液Ｒを供給しながらウエハＷを第１回転駆動部８により自転させ、かつウエハＷを第２回転駆動部４０により公転させ、同時にこの間、第２回転駆動部４０を往復駆動部４２により垂直方向に往復移動させ（例えば、１サイクル／秒）、ウエハＷを垂直方向に往復移動させてもよい。
　このようにウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として自転するとともに、第２回転軸Ｌ２を中心として公転するため、レジスト膜形成液ＲがウエハＷの中心部のみに蓄積してしまったり、ウエハＷの中心部においてレジスト膜形成液Ｒの膜厚が大きくなりすぎることはない。すなわちウエハＷの全域に渡って、レジスト膜形成液Ｒを拡げることができ、このことによってウエハＷの全域に渡ってレジスト膜形成液の膜厚を略一定に保つことができる。
　またレジスト膜形成液ＲをウエハＷ上に供給した後、ウエハＷを第１回転軸Ｌ１を中心として高速で自転させ、かつ第２回転軸Ｌ２を中心として公転させることにより、ウエハＷからレジスト膜形成液Ｒを効果的に振り切って、レジスト膜の膜厚をウエハＷの全域に渡って均一とすることができる。
　あるいは図１Ａに示す基板処理装置１は、図７Ａに示す作用に限られることはなく、図７Ｄに示すように、ウエハＷに対するレジスト膜形成工程（Ｓ９）中、レジスト膜形成液Ｒを供給しながらウエハＷを第１回転駆動部８により自転させ、かつウエハＷを第２回転駆動部４０により公転させ、同時にこの間、第２回転駆動部４０を傾斜駆動部４３により傾斜させ、ウエハＷを水平面に対して側方からみて、時計方向あるいは反時計方向に順次傾斜させてもよい（例えば、1サイクル／秒）。
　このようにウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として自転するとともに、第２回転軸Ｌ２を中心として公転するため、レジスト膜形成液ＲがウエハＷの中心部のみに蓄積してしまったり、ウエハＷの中心部においてレジスト膜形成液Ｒの膜厚が大きくなりすぎることはない。すなわちウエハＷの全域に渡って、レジスト膜形成液Ｒを拡げることができ、このことによってウエハＷの全域に渡ってレジスト膜形成液Ｒの膜厚を略一定に保つことができる。さらにウエハＷを水平面に対して時計方向あるいは反時計方向に順次傾斜させるため、ウエハＷの全域に渡って、レジスト膜形成液Ｒをより確実に拡げることができる。
　またレジスト膜形成液ＲをウエハＷ上に供給した後、ウエハＷを第１回転軸Ｌ１を中心として高速で自転させ、かつ第２回転軸Ｌ２を中心として公転させることにより、ウエハＷからレジスト膜形成液を効果的に振り切って、レジスト膜の膜厚をウエハＷの全域に渡って均一とすることができる。
　次に図７Ａ乃至図７ＤによりウエハＷに対して現像液を供給する現像工程（Ｓ１１５）中における基板処理装置の作用について述べる。
　この場合、図１Ａに示す基板処理装置１は図７Ａに示すように、まず第１回転駆動部８を駆動させて第１回転駆動部８によりウエハ保持機構２を第１回転軸Ｌ１回りに回転させる（例えば、回転数１０～３０００ｒｐｍ）。そしてウエハ保持機構２の回転に伴って、ウエハ保持機構２に保持されたウエハＷも例えば、上方からみて時計方向に第１回転軸Ｌ１回りに回転する（自転する）。
　同時に、第２回転駆動部４０を駆動させ、第２回転駆動部４０により第１回転駆動部８を例えば、上方からみて自転方向と同様の時計方向に第２回転軸Ｌ２回りに回転させる（公転させる）（例えば、回転数１０～１００ｒｐｍ）。同時に処理液供給機構３からウエハＷ上に現像液Ｄが供給される。
　このようにしてウエハＷに対して現像液Ｄを供給する間、ウエハＷを第１回転駆動部８により自転させ、かつウエハＷを第２回転駆動部４０により公転させることができる。
　このようにウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として自転するとともに、第２回転軸Ｌ２を中心として公転するため、現像液ＤがウエハＷの中心部に滞留することはなく、ウエハＷ全域に渡ってレジスト膜を溶解して確実に現像処理を行うことができる。
　その後ウエハＷを第１回転軸Ｌ１を中心として自転させ、かつ第２回転軸Ｌ２を中心として公転させながら、処理液供給機構３からウエハＷに対してＤＩＷが供給される。この場合、ウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として自転し、かつ第２回転軸Ｌ２を中心として公転するため、ＤＩＷをウエハＷの中心部に滞留することなくウエハＷ全域に渡って拡げることができる。
　その後、ウエハＷを第１回転軸Ｌ１を中心として高速で自転させ、第２回転軸Ｌ２を中心として公転させる。このことにより、ＤＩＷを効果的に振り切って、ウエハＷからＤＩＷを確実に除去して、ウエハ上の残渣をなくすことができる。
　あるいは、図１Ａに示す基板処理装置１は図７Ａに示す作用に限ることはなく、図７Ｂに示すように、第２回転駆動部４０を駆動させ、第２回転駆動部４０により第１回転駆動部８を上方からみて第２回転軸Ｌ２回りに自転方向と反対方向の反時計方向に回転させてもよい（公転させる）（例えば、回転数１０～　１００ｒｐｍ）。同時に処理液供給機構３からウエハＷ上に現像液Ｄが供給される。
　このようにしてウエハＷに対して現像液Ｄを供給する間、ウエハＷを第１回転駆動部８により時計方向に自転させ、かつウエハＷを第２回転駆動部４０により反時計方向に公転させることができる。
　このようにウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として自転するとともに、第２回転軸Ｌ２を中心として公転するため、現像液ＤがウエハＷの中心部に滞留することはなく、ウエハＷ全域に渡ってレジスト膜を溶解して確実に現像処理を行うことができる。
　その後ウエハＷを第１回転軸Ｌ１を中心として自転させ、かつ第２回転軸Ｌ２を中心として公転させながら、処理液供給機構３からウエハＷに対してＤＩＷが供給される。この場合、ウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として自転し、かつ第２回転軸Ｌ２を中心として公転するため、ＤＩＷをウエハＷの中心部に滞留することなくウエハＷ全域に渡って拡げることができる。
　その後、ウエハＷを第１回転軸Ｌ１を中心として高速で自転させ、第２回転軸Ｌ２を中心として公転させる。このことにより、ＤＩＷを効果的に振り切って、ウエハＷからＤＩＷを確実に除去して、ウエハ上の残渣をなくすことができる。
　あるいは図１Ａに示す基板処理装置１は図７Ａに示す作用に限られることはなく、図７Ｃに示すように、ウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として自転させるとともに、第２回転軸Ｌ２を中心として公転させ、同時にこの間、第２回転駆動部４０を往復駆動部４２により垂直方向に往復移動させ（例えば、１サイクル／秒）、ウエハＷを垂直方向に往復移動させてもよい。このため現像液ＤがウエハＷの中心部に滞留することはなく、ウエハＷ全域に渡ってレジスト膜を溶解して確実に現像処理を行うことができる。またウエハＷの垂直方向の往復移動に伴って現像液Ｄを効果的にウエハＷのパターン内に浸透させることができる。
　その後ウエハＷを第１回転軸Ｌ１を中心として自転させ、かつ第２回転軸Ｌ２を中心として公転させながら、処理液供給機構３からウエハＷに対してＤＩＷが供給される。この場合、ウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として自転し、かつ第２回転軸Ｌ２を中心として公転する。またウエハＷを垂直方向に往復移動させることにより、ＤＩＷをウエハＷの中心部に滞留することなくウエハＷ全域に渡って拡げることができる。またウエハＷを垂直方向に往復移動させることにより、ＤＩＷをウエハＷのパターン内に浸透させることができる。
　その後、ウエハＷを第１回転軸Ｌ１を中心として高速で自転させ、第２回転軸Ｌ２を中心として公転させる。またウエハＷを垂直方向に往復移動させる。このことにより、ＤＩＷを効果的に振り切って、ウエハＷからＤＩＷを確実に除去して、ウエハ上の残渣をなくすことができる。
　あるいは、図１Ａに示す基板処理装置１は図７Ａに示す作用に限られることはなく、図７Ｄに示すように、ウエハＷに対して現像液Ｄを供給する間、ウエハＷを第１回転駆動部８により自転させ、かつウエハＷを第２回転駆動部４０により公転させ、同時にこの間、第２回転駆動部４０を傾斜駆動部４３により傾斜させ、ウエハＷを水平面に対して側方からみて時計方向に、あるいは反時計方向に順次傾斜させてもよい（例えば、１　サイクル／秒）。
　このようにウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として自転するとともに、第２回転軸Ｌ２を中心として公転する。同時にこの間、ウエハＷを水平面に対して時計方向あるいは反時計方向に順次傾斜させる。このため現像液ＤがウエハＷの中心部に滞留することはなく、ウエハＷ全域に渡ってレジスト膜を溶解して確実に現像処理を行うことができる。またウエハＷを時計方向あるいは反時計方向に順次傾斜させることに伴って、現像液Ｄを効果的にウエハＷのパターン内に浸透させることができる。
　その後ウエハＷを第１回転軸Ｌ１を中心として自転させ、かつ第２回転軸Ｌ２を中心として公転させながら、処理液供給機構３からウエハＷに対してＤＩＷが供給される。この場合、ウエハＷは第１回転軸Ｌ１を中心として自転し、かつ第２回転軸Ｌ２を中心として公転する。またウエハＷを水平面に対して順次傾斜させることにより、ＤＩＷをウエハＷの中心部に滞留することなくウエハＷ全域に渡って拡げることができる。またウエハＷを水平面に対して傾斜させることにより、ＤＩＷをウエハＷのパターン内に浸透させることができる。
　その後、ウエハＷを第１回転軸Ｌ１を中心として高速で自転させ、第２回転軸Ｌ２を中心として公転させる。またウエハＷを水平面に対して順次傾斜させる。このことにより、ＤＩＷを効果的に振り切って、ウエハＷからＤＩＷを確実に除去して、ウエハ上の残渣をなくすことができる。
　＜本実施の形態の変形例＞
　なお、上記のように、塗布、露光処理工程のうち、レジスト膜の形成工程（図６のＳ１０９）および現像工程（Ｓ１１５）において、本実施の形態による基板処理装置を用いた例を示したが、これに限らず、下地膜形成工程（Ｓ１０４）および反射防止膜形成工程（Ｓ１０６）において、本実施の形態による基板処理装置を用いてもよい。
　また、上記各実施の形態において、処理液供給機構３から各種処理液を供給する際、第１回転駆動部８によってウエハＷを第１回転軸Ｌ１回りに自転させ、かつ第２回転駆動部４０によってウエハＷを第２回転軸Ｌ２回りに公転させる例を示した。
　しかしながら、処理液供給機構３から各種処理液を供給する際、第１回転駆動部８を停止させてウエハＷの自転を停止させ、第２回転駆動部４０を駆動させてウエハＷを第２回転軸Ｌ２回りに公転させ、各種処理液をウエハＷ上にゆっくりと拡げるようにしてもよい。
１　基板処理装置
２　ウエハ保持機構
３　処理液供給機構
８　第１回転駆動部
１５　受けカップ機構
１６　制御部
１７　スピンチャック
４０　第２回転駆動部
４２　往復駆動部
４３　傾斜駆動部
Ｗ　ウエハ
Ｅ　エッチング液
Ｒ　レジス膜形成液
Ｄ　現像液

Claims (13)

  1. 　基板を保持する基板保持機構と、
    　前記基板保持機構を保持して第１回転軸を中心として回転させる第１回転駆動部と、
    　前記第１回転駆動部を前記第１回転軸と異なり、かつ前記第１回転軸と平行する第２回転軸を中心として回転させる第２回転駆動部と、を備えた基板処理装置。
  2. 　前記第１回転軸と前記第２回転軸とのずれ量ｌは、前記基板の直径Ｄｗに対して０．０５×Ｄｗ≦ｌ≦０．２×Ｄｗとなっている、請求項１記載の基板処理装置。
  3. 　前記第２回転駆動部を前記基板に対して直交する方向に往復移動させる往復駆動部を更に設けた、請求項１または２記載の基板処理装置。
  4. 　前記第２回転駆動部を前記基板が水平面に対して傾斜させる傾斜駆動部を更に設けた、請求項１乃至３のいずれか記載の基板処理装置。
  5. 　前記傾斜駆動部は前記第２回転駆動部の下端に設けられ、この傾斜駆動部により前記基板を水平面に対して一方向あるいは他方向に順次傾斜させる、請求項４記載の基板処理装置。
  6. 　前記基板保持機構の上方に、前記基板に対して処理液を供給する処理液供給機構が設けられている、請求項１乃至５のいずれか記載の基板処理装置。
  7. 　前記基板保持機構の外周に、前記基板から放出される処理液を受ける受けカップ機構が設けられている、請求項１乃至６のいずれか記載の基板処理装置。
  8. 　基板を保持する基板保持機構と、前記基板保持機構を保持して第１回転軸を中心として回転させる第１回転駆動部と、前記第１回転駆動部を前記第１回転軸と異なり、かつ前記第１回転軸と平行する第２回転軸を中心として回転させる第２回転駆動部と、を備えた基板処理装置を用いた基板処理方法において、
    　前記基板上に処理液供給部から処理液を供給する工程と、
    　前記第２回転駆動部を駆動させて、前記第１回転駆動部を前記第２回転軸を中心として回転させる工程とを備えた、基板処理方法。
  9. 　前記第１回転駆動部を駆動させて、前記基板保持機構を前記第１回転軸を中心として回転させる工程を更に備えた、請求項８記載の基板処理方法。
  10. 　基板を保持する基板保持機構と、前記基板保持機構を保持して第１回転軸を中心として回転させる第１回転駆動部と、前記第１回転駆動部を前記第１回転軸と異なり、かつ前記第１回転軸と平行する第２回転軸を中心として回転させる第２回転駆動部と、を備えた基板処理装置を用いた基板処理方法において、
    　前記第１回転駆動部を駆動させて前記基板保持機構を前記第１回転軸を中心として回転させる工程と、
    　前記第２回転駆動部を駆動させて前記第１回転駆動部を前記第２回転軸を中心として回転させる工程と、を備えた、基板処理方法。
  11. 　前記第１回転駆動部を駆動させる工程の前に、前記基板上に処理液供給部から処理液を供給する、請求項１０記載の基板処理方法。
  12. 　前記処理液供給部から処理液として、塗布液、現像液、または洗浄液を供給する、請求項８、９または１１のいずれか記載の基板処理方法。
  13. 　前記処理液供給部は前記塗布液として、下地膜形成液、レジスト膜形成液、反射防止膜形成液を供給する、請求項１２記載の基板処理方法。
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