JPH08321464A - 被処理体の現像方法 - Google Patents
被処理体の現像方法Info
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- JPH08321464A JPH08321464A JP9811196A JP9811196A JPH08321464A JP H08321464 A JPH08321464 A JP H08321464A JP 9811196 A JP9811196 A JP 9811196A JP 9811196 A JP9811196 A JP 9811196A JP H08321464 A JPH08321464 A JP H08321464A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 短時間でかつ均一に現像を行うことのできる
被処理体の現像方法を提供する。 【解決手段】 回転機構１３ａにより半導体ウエハ１２
を高速回転させながら、現像液供給ノズル１４ａ、１４
ｂから、現像液を例えば 0.3秒間供給し、この後回転速
度を例えば低速として例えば 3秒間程度供給し、しかる
後、回転を停止して所定の時間例えば60秒現像を行う。
現像時間が経過した後、再び半導体ウエハ１２を回転さ
せ、リンス液供給ノズル１５からリンス液を供給し、こ
の後、リンス液の供給を停止して、引き続き半導体ウエ
ハ１２を回転させることにより乾燥を行う。
被処理体の現像方法を提供する。 【解決手段】 回転機構１３ａにより半導体ウエハ１２
を高速回転させながら、現像液供給ノズル１４ａ、１４
ｂから、現像液を例えば 0.3秒間供給し、この後回転速
度を例えば低速として例えば 3秒間程度供給し、しかる
後、回転を停止して所定の時間例えば60秒現像を行う。
現像時間が経過した後、再び半導体ウエハ１２を回転さ
せ、リンス液供給ノズル１５からリンス液を供給し、こ
の後、リンス液の供給を停止して、引き続き半導体ウエ
ハ１２を回転させることにより乾燥を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理体、例えば
半導体ウエハ等の現像に利用される被処理体の現像方法
に関する。
半導体ウエハ等の現像に利用される被処理体の現像方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、現像装置は、半導体ウエハ等の
表面に形成された感光性膜に現像液を供給し、所定時間
感光性膜と、現像液とを接触させて、現像を行う。
表面に形成された感光性膜に現像液を供給し、所定時間
感光性膜と、現像液とを接触させて、現像を行う。
【０００３】図４は、このような従来の現像装置の一例
として、半導体ウエハ上に形成された感光性膜の現像を
行う現像装置を示すもので、処理室１内には、真空チャ
ック等で半導体ウエハ２を保持する保持台３が配置され
ており、保持台３上方には現像液を供給するための現像
液供給ノズル４およびリンス液を供給するためのリンス
液供給ノズル５が配置されている。なお、保持台３は、
モ―タ等からなる回転機構３ａに接続されている。
として、半導体ウエハ上に形成された感光性膜の現像を
行う現像装置を示すもので、処理室１内には、真空チャ
ック等で半導体ウエハ２を保持する保持台３が配置され
ており、保持台３上方には現像液を供給するための現像
液供給ノズル４およびリンス液を供給するためのリンス
液供給ノズル５が配置されている。なお、保持台３は、
モ―タ等からなる回転機構３ａに接続されている。
【０００４】上記構成の従来の現像装置では、保持台３
上に半導体ウエハ２を載置し、真空チャック等で半導体
ウエハ２をこの保持台３上に吸着させ、回転を停止した
状態で現像液供給ノズル４から、例えばテトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドの 3％溶液等の現像液を
スプレイし、半導体ウエハ２上に液盛りして所定の時間
例えば60秒現像を行う。
上に半導体ウエハ２を載置し、真空チャック等で半導体
ウエハ２をこの保持台３上に吸着させ、回転を停止した
状態で現像液供給ノズル４から、例えばテトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドの 3％溶液等の現像液を
スプレイし、半導体ウエハ２上に液盛りして所定の時間
例えば60秒現像を行う。
【０００５】現像時間が経過すると、半導体ウエハ２を
回転させ、リンス液供給ノズル５から純水等のリンス液
を供給し、リンス操作を行った後、リンス液の供給を停
止して、半導体ウエハ２を回転させることにより乾燥を
行う。
回転させ、リンス液供給ノズル５から純水等のリンス液
を供給し、リンス操作を行った後、リンス液の供給を停
止して、半導体ウエハ２を回転させることにより乾燥を
行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記現像装置において
は、現像時間の短縮がスループットの向上につながる。
しかしながら、現像時間を短くした場合、半導体ウエハ
の全面に、現像液を短時間で均一に供給する必要があ
り、上述した従来の現像方法においては、現像むらが生
じてしまうという問題があった。
は、現像時間の短縮がスループットの向上につながる。
しかしながら、現像時間を短くした場合、半導体ウエハ
の全面に、現像液を短時間で均一に供給する必要があ
り、上述した従来の現像方法においては、現像むらが生
じてしまうという問題があった。
【０００７】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、短時間でかつ均一に現像を行うことので
きる被処理体の現像方法を提供しようとするものであ
る。
されたもので、短時間でかつ均一に現像を行うことので
きる被処理体の現像方法を提供しようとするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明の被処理
体の現像方法は、被処理体を高速回転させながら現像液
を供給する工程と、被処理体を低速回転させながら現像
液を供給する工程と、被処理体の回転を停止して、現像
処理を行う工程と、被処理体を回転させながらリンス液
を供給するリンス工程と、このリンス工程から引き続き
被処理体を回転させ、前記リンス液の供給を停止して乾
燥を行う工程とを順次行うことを特徴とする。
体の現像方法は、被処理体を高速回転させながら現像液
を供給する工程と、被処理体を低速回転させながら現像
液を供給する工程と、被処理体の回転を停止して、現像
処理を行う工程と、被処理体を回転させながらリンス液
を供給するリンス工程と、このリンス工程から引き続き
被処理体を回転させ、前記リンス液の供給を停止して乾
燥を行う工程とを順次行うことを特徴とする。
【０００９】本発明の被処理体の現像方法では、最初に
被処理体を高速回転させながら現像液を供給し、短時間
で半導体ウエハ全面を均一に濡らし、この後、被処理体
を低速回転させながら現像液を供給し、しかる後、被処
理体の回転を停止して、現像処理を行う。そして、この
後、被処理体を回転させながらリンス液を供給してリン
スを行い、このリンス工程から引き続き被処理体を回転
させ、リンス液の供給を停止して乾燥を行う。
被処理体を高速回転させながら現像液を供給し、短時間
で半導体ウエハ全面を均一に濡らし、この後、被処理体
を低速回転させながら現像液を供給し、しかる後、被処
理体の回転を停止して、現像処理を行う。そして、この
後、被処理体を回転させながらリンス液を供給してリン
スを行い、このリンス工程から引き続き被処理体を回転
させ、リンス液の供給を停止して乾燥を行う。
【００１０】これによって、半導体ウエハの全面に、現
像液を短時間で均一に供給することができ、均一に現像
を行うことができるとともに、短時間で現像を行うこと
ができる。
像液を短時間で均一に供給することができ、均一に現像
を行うことができるとともに、短時間で現像を行うこと
ができる。
【００１１】また、一般に感光性膜の未露光部分の膜減
り量は、供給される現像液の液圧が高くなると多くなる
傾向にある。
り量は、供給される現像液の液圧が高くなると多くなる
傾向にある。
【００１２】このため、現像液を複数の現像液供給口か
ら被処理物に供給し、現像液供給口１つ当たりの流量を
減少させて現像液の液圧を減少させるとともに、供給さ
れる面内における液圧を均一化して、感光性膜の未露光
部分の膜減り量を減少および均一化することが好まし
い。
ら被処理物に供給し、現像液供給口１つ当たりの流量を
減少させて現像液の液圧を減少させるとともに、供給さ
れる面内における液圧を均一化して、感光性膜の未露光
部分の膜減り量を減少および均一化することが好まし
い。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の被処理体の現像方
法を図面を参照して発明の実施の形態について説明す
る。
法を図面を参照して発明の実施の形態について説明す
る。
【００１４】処理室１１内には、真空チャック等で被処
理体、例えば半導体ウエハ１２を保持する保持台１３が
配置されており、保持台１３上方には現像液を供給する
ための２つの現像液供給ノズル１４ａ、１４ｂおよびリ
ンス液を供給するためのリンス液供給ノズル１５が配置
されている。なお、保持台１３は、モ―タ等からなる回
転機構１３ａに接続されている。
理体、例えば半導体ウエハ１２を保持する保持台１３が
配置されており、保持台１３上方には現像液を供給する
ための２つの現像液供給ノズル１４ａ、１４ｂおよびリ
ンス液を供給するためのリンス液供給ノズル１５が配置
されている。なお、保持台１３は、モ―タ等からなる回
転機構１３ａに接続されている。
【００１５】上記構成の現像装置で現像を行う場合は、
まず、保持台１３上に半導体ウエハ１２を載置し、真空
チャック等で半導体ウエハ１２をこの保持台１３上に吸
着させる。
まず、保持台１３上に半導体ウエハ１２を載置し、真空
チャック等で半導体ウエハ１２をこの保持台１３上に吸
着させる。
【００１６】次に、回転機構１３ａにより例えば1000rp
m 程度で半導体ウエハ１２を回転させながら、現像液供
給ノズル１４ａ、１４ｂから、例えばテトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイドの 3％溶液等の現像液を例
えば 0.3秒間供給し、この後回転速度を例えば30rpm 程
度として例えば 3秒間程度供給し、しかる後、回転を停
止して所定の時間例えば60秒現像を行う。なお、現像液
供給ノズル１４ａ、１４ｂからの現像液の流量は、例え
ばそれぞれ 0.12 ｌ／min 程度である。
m 程度で半導体ウエハ１２を回転させながら、現像液供
給ノズル１４ａ、１４ｂから、例えばテトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイドの 3％溶液等の現像液を例
えば 0.3秒間供給し、この後回転速度を例えば30rpm 程
度として例えば 3秒間程度供給し、しかる後、回転を停
止して所定の時間例えば60秒現像を行う。なお、現像液
供給ノズル１４ａ、１４ｂからの現像液の流量は、例え
ばそれぞれ 0.12 ｌ／min 程度である。
【００１７】このように、最初に半導体ウエハ１２を高
速回転させながら現像液を供給し、短時間で半導体ウエ
ハ１２全面を均一に濡らし、この後、半導体ウエハ１２
を低速回転させながら現像液を供給し、しかる後、被処
理体の回転を停止して、現像処理を行う。
速回転させながら現像液を供給し、短時間で半導体ウエ
ハ１２全面を均一に濡らし、この後、半導体ウエハ１２
を低速回転させながら現像液を供給し、しかる後、被処
理体の回転を停止して、現像処理を行う。
【００１８】そして、現像時間が経過した後、再び半導
体ウエハ１２を回転させ、リンス液供給ノズル１５から
純水等のリンス液を供給し、リンス操作を行い、この
後、リンス液の供給を停止して、引き続き半導体ウエハ
１２を回転させることにより乾燥を行う。
体ウエハ１２を回転させ、リンス液供給ノズル１５から
純水等のリンス液を供給し、リンス操作を行い、この
後、リンス液の供給を停止して、引き続き半導体ウエハ
１２を回転させることにより乾燥を行う。
【００１９】以上の被処理体の現像方法では、半導体ウ
エハ１２の全面に、現像液を短時間で均一に供給するこ
とができ、均一に現像を行うことができる。また、短時
間で半導体ウエハ１２の現像を行うことができ、スルー
プットの向上を図ることができる。
エハ１２の全面に、現像液を短時間で均一に供給するこ
とができ、均一に現像を行うことができる。また、短時
間で半導体ウエハ１２の現像を行うことができ、スルー
プットの向上を図ることができる。
【００２０】縦軸を感光性膜の未露光部分の膜減り量、
横軸を半導体ウエハ中心からの距離とした図２のグラフ
の曲線ａは、上述の現像装置を用い、現像液供給ノズル
１４ａ、１４ｂからの現像液流量をそれぞれ 0.12 ｌ／
min 、現像液供給時間 3.3秒、停止現像時間60秒の現像
操作を行った場合の感光性膜の未露光部分の膜減り量を
示している。なお、現像液供給中の半導体ウエハ１２の
回転速度は、最初の 0.3秒間1000rpm 、次の 3秒間30rp
m である。
横軸を半導体ウエハ中心からの距離とした図２のグラフ
の曲線ａは、上述の現像装置を用い、現像液供給ノズル
１４ａ、１４ｂからの現像液流量をそれぞれ 0.12 ｌ／
min 、現像液供給時間 3.3秒、停止現像時間60秒の現像
操作を行った場合の感光性膜の未露光部分の膜減り量を
示している。なお、現像液供給中の半導体ウエハ１２の
回転速度は、最初の 0.3秒間1000rpm 、次の 3秒間30rp
m である。
【００２１】このグラフの曲線ａに示されるように、こ
の現像方法では、感光性膜の未露光部分の膜減り量は、
最大 172.2nm、最小 165.1nm、平均 168.6nmとなる。こ
の場合の標準偏差は、 1.98 となり半導体ウエハ各部に
おける感光性膜の未露光部分の膜減り量を均一化するこ
とができる。
の現像方法では、感光性膜の未露光部分の膜減り量は、
最大 172.2nm、最小 165.1nm、平均 168.6nmとなる。こ
の場合の標準偏差は、 1.98 となり半導体ウエハ各部に
おける感光性膜の未露光部分の膜減り量を均一化するこ
とができる。
【００２２】比較のために図４に示す現像液供給ノズル
が１つの現像装置で本例と同様な現像方法を実行した場
合を図５に示す。このグラフに示される結果は、感光性
膜の未露光部分の膜減り量が、最大 192.1nm、最小 17
2.8nm、平均 184.2nmであり、標準偏差は56.8で、感光
性膜の未露光部分の膜減り量が、半導体ウエハの中央部
で多く、周辺部で少なく不均一になる。
が１つの現像装置で本例と同様な現像方法を実行した場
合を図５に示す。このグラフに示される結果は、感光性
膜の未露光部分の膜減り量が、最大 192.1nm、最小 17
2.8nm、平均 184.2nmであり、標準偏差は56.8で、感光
性膜の未露光部分の膜減り量が、半導体ウエハの中央部
で多く、周辺部で少なく不均一になる。
【００２３】なお、上記の例では、２つの現像液供給ノ
ズル１４ａ、１４ｂを備えた場合について説明したが、
本発明は係る例に限定されるものではなく、現像液供給
ノズルの数は、２以上いくつとしてもよい。
ズル１４ａ、１４ｂを備えた場合について説明したが、
本発明は係る例に限定されるものではなく、現像液供給
ノズルの数は、２以上いくつとしてもよい。
【００２４】また、現像液供給ノズル１４ａ、１４ｂ
は、図３に示すように、駆動機構により図示矢印方向に
移動させ、半導体ウエハ１２表面に対する現像液のスプ
レイ角度を変えるようにスキャンさせながら現像液をス
プレイするよう構成することにより、図２のグラフに曲
線ｂで示すようにさらに未露光部分の膜減り量の減少お
よび均一化を図ることができる。
は、図３に示すように、駆動機構により図示矢印方向に
移動させ、半導体ウエハ１２表面に対する現像液のスプ
レイ角度を変えるようにスキャンさせながら現像液をス
プレイするよう構成することにより、図２のグラフに曲
線ｂで示すようにさらに未露光部分の膜減り量の減少お
よび均一化を図ることができる。
【００２５】
【発明の効果】上述のように、本発明の被処理体の現像
方法では、半導体ウエハの全面に、現像液を短時間で均
一に供給することができ、短時間でかつ均一に現像を行
うことができる。
方法では、半導体ウエハの全面に、現像液を短時間で均
一に供給することができ、短時間でかつ均一に現像を行
うことができる。
【図１】本発明の現像方法に使用可能な現像装置の構成
例を示す図。
例を示す図。
【図２】感光性膜の未露光部分の膜減り量を示すグラ
フ。
フ。
【図３】図１に示す現像装置の変形例を説明するための
図。
図。
【図４】従来の技術を説明するための図。
【図５】感光性膜の未露光部分の膜減り量を示すグラ
フ。
フ。
１２……半導体ウエハ １３……保持台 １４ａ、１４ｂ……現像液供給ノズル
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理体を高速回転させながら現像液を
供給する工程と、 被処理体を低速回転させながら現像液を供給する工程
と、 被処理体の回転を停止して、現像処理を行う工程と、 被処理体を回転させながらリンス液を供給するリンス工
程と、 このリンス工程から引き続き被処理体を回転させ、前記
リンス液の供給を停止して乾燥を行う工程とを順次行う
ことを特徴とする被処理体の現像方法。 - 【請求項２】 請求項１の被処理体の現像方法におい
て、 現像液を複数の現像液供給口から供給することを特徴と
する被処理体の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8098111A JP2864366B2 (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | 被処理体の現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8098111A JP2864366B2 (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | 被処理体の現像方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62066705A Division JPH0740545B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321464A true JPH08321464A (ja) | 1996-12-03 |
| JP2864366B2 JP2864366B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=14211222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8098111A Expired - Fee Related JP2864366B2 (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | 被処理体の現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2864366B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0887710A2 (en) * | 1997-06-26 | 1998-12-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Resist development process |
| JP2023162466A (ja) * | 2022-04-13 | 2023-11-09 | セメス株式会社 | 基板処理装置および方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596944A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
| JPS57164985A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Surface treatment of substrate to be treated |
| JPH0740545A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-10 | Canon Inc | インクジェット記録装置 |
-
1996
- 1996-04-19 JP JP8098111A patent/JP2864366B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596944A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
| JPS57164985A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Surface treatment of substrate to be treated |
| JPH0740545A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-10 | Canon Inc | インクジェット記録装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0887710A2 (en) * | 1997-06-26 | 1998-12-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Resist development process |
| EP0887710A3 (en) * | 1997-06-26 | 1999-09-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Resist development process |
| JP2023162466A (ja) * | 2022-04-13 | 2023-11-09 | セメス株式会社 | 基板処理装置および方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2864366B2 (ja) | 1999-03-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970408 |
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