KR20240013668A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체 - Google Patents

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KR20240013668A
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도모야 오니츠카
신이치로 가와카미
히사시 겐지마
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 기판에 형성된 메탈 함유 레지스트에 의한 피막이 대기 분위기에 접하는 시간을 가능한 한 짧게 한다. 도포 현상 장치(2)는, 메탈 함유 레지스트의 피막을 형성하는 성막 처리부로서의 도포 유닛(U1)과, 피막에 대하여 노광 처리가 실시된 워크(W)를 가열 처리하는 열처리부로서의 열처리 유닛(U4)과, 가열 처리가 실시된 워크(W)의 피막을 현상 처리하는 현상 유닛(U3)과, 노광 처리 후부터 현상 처리가 행해지기 전의 기간에 있어서, 피막을 불활성 가스와 접촉시키는 가스 접촉부로서의 가스 공급 유닛(U6)을 갖는다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND RECORDING MEDIUM}
본 개시는, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 관한 것이다.
특허문헌 1에서는, 메탈 함유 레지스트를 사용해서 형성된 피막에 대하여, 가열 처리 시에 반응하는 수분량의 기판마다의 차를 축소시키는 조정 제어부를 구비한 구성이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2020-119961호 공보
본 개시는, 기판에 형성된 메탈 함유 레지스트에 의한 피막이 대기 분위기에 접하는 시간을 가능한 한 짧게 하는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 메탈 함유 레지스트의 피막을 포함하는 기판을 처리하는 기판 처리 장치이며, 상기 피막에 대하여 노광 처리가 실시된 상기 기판을 가열 처리하는 열처리부와, 상기 가열 처리가 실시된 상기 기판의 상기 피막을 현상 처리하는 현상 처리부와, 상기 노광 처리 후부터 상기 현상 처리가 행해지기 전의 기간에 있어서, 상기 피막을 불활성 가스와 접촉시키는 가스 접촉부를 갖는다.
본 개시에 의하면, 기판에 형성된 메탈 함유 레지스트에 의한 피막이 대기 분위기에 접하는 시간을 가능한 한 짧게 하는 기술이 제공된다.
도 1은 하나의 예시적 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 개략 구성을 예시하는 도면이다.
도 2는 기판 처리 장치의 내부 구성을 예시하는 모식도이다.
도 3은 도 2의 III-III선을 따라 본 도면에 대응하는 구성을 예시하는 모식도이다.
도 4는 가스 공급 유닛의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 5는 열처리 유닛의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 6은 온도 조정 유닛의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 7은 제어 장치의 기능적인 구성의 일례를 나타내는 기능 블록도이다.
도 8은 기판의 반송 경로의 일례를 도시하는 도면이다.
도 9는 제어 장치의 하드웨어 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 10은 기판 처리 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 11의 (a), 도 11의 (b)는, 가스 접촉부의 구성의 변경예를 도시하는 도면이다.
도 12의 (a), 도 12의 (b)는, 가스 접촉부의 구성의 변경예를 도시하는 도면이다.
도 13은 기판 처리 방법의 다른 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 14는 변형예에 관한 도포 현상 장치의 내부 구성을 예시하는 모식도이다.
도 15는 도 14의 XV-XV선을 따라 본 도면에 대응하는 구성을 예시하는 모식도이다.
이하, 다양한 예시적 실시 형태에 대해서 설명한다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는, 메탈 함유 레지스트의 피막을 포함하는 기판을 처리하는 기판 처리 장치이며, 상기 피막에 대하여 노광 처리가 실시된 상기 기판을 가열 처리하는 열처리부와, 상기 가열 처리가 실시된 상기 기판의 상기 피막을 현상 처리하는 현상 처리부와, 상기 노광 처리 후부터 상기 현상 처리가 행해지기 전의 기간에 있어서, 상기 피막을 불활성 가스와 접촉시키는 가스 접촉부를 갖는다.
상기 기판 처리 장치에서는, 가스 접촉부에서 피막이 불활성 가스와 접촉하기 때문에, 가스 접촉부를 마련하지 않는 경우에 비하여, 메탈 함유 레지스트에 의한 피막이 대기 분위기에 접촉하는 시간을 짧게 할 수 있다.
상기 가스 접촉부는, 소정의 하우징 내에 상기 기판을 일차적으로 적재함과 함께, 상기 하우징 내에 상기 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 가스 처리 유닛이며, 인터페이스 블록에 마련되어 있는 양태로 해도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 가스 처리 유닛 내에 기판을 반송함으로써, 피막을 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다. 또한, 이 가스 처리 유닛이 인터페이스 블록에 마련되어 있을 경우, 노광 장치와의 사이에서 기판을 반송하는 도중에 기판을 가스 처리 유닛에 반송할 수 있기 때문에, 가스 처리 유닛에의 반송 시간도 짧게 할 수 있어, 기판이 대기 분위기에 노출되는 시간을 줄일 수 있다.
상기 열처리부는, 상기 기판을 가열하는 열판과, 상기 열판에서의 가열 처리 후의 상기 기판을 보유 지지하는 온도 조정 플레이트를 갖고, 상기 가스 접촉부는, 상기 열처리부의 상기 온도 조정 플레이트와, 상기 온도 조정 플레이트 상의 상기 기판의 상기 피막이 상기 불활성 가스와 접촉하도록, 상기 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 포함하는 양태로 해도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 열처리부에서, 가열 처리 후에 온도 조정 플레이트에서 보유 지지되는 기판의 피막에 대해서도, 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다.
상기 가스 접촉부는, 상기 제2 가스 공급부로부터 공급된 상기 불활성 가스가 상기 피막과 접촉하도록 상기 온도 조정 플레이트의 주위를 둘러싸는 챔버를 더 포함하는 양태로 해도 된다.
상기한 바와 같이, 온도 조정 플레이트의 주위를 챔버로 둘러싸는 구성으로 함으로써, 제2 가스 공급부로부터 공급된 불활성 가스를 피막과 접촉시키기 쉬워진다.
상기 가스 접촉부는, 상기 열처리부로부터 반출된 상기 기판을, 상기 현상 처리부에 반입하기 전에 일차적으로 보유 지지하는 온도 조정 유닛이며, 상기 온도 조정 유닛 내에 상기 불활성 가스를 공급하는 제3 가스 공급부를 포함하는 양태로 해도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 온도 조정 유닛에서도, 기판의 피막을 불활성 가스와 접촉시킬 수 있기 때문에, 기판이 대기 분위기에 노출되는 시간을 줄일 수 있다.
상기 가스 접촉부에서의 상기 기판의 접촉 기간과, 상기 가스 접촉부에의 상기 기판의 반송을 제어하는 제어부를 더 갖는 양태로 해도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 제어부에 의해, 가스 접촉부에서의 상기 기판의 접촉 기간과, 가스 접촉부에의 상기 기판의 반송을 제어하는 것이 가능해져, 예를 들어 복수의 기판의 반송 경로 등을 조절하면서, 각 기판의 메탈 함유 레지스트에 의한 피막이 대기 분위기에 접촉하는 시간을 짧게 할 수 있다.
상기 가스 접촉부는, 소정의 하우징 내에 상기 기판을 일차적으로 적재함과 함께, 상기 하우징 내에 상기 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 가스 처리 유닛이며, 상기 가스 접촉부는, 인터페이스 블록에 마련되어 있고, 상기 제어부는, 상기 기판을 상기 가스 처리 유닛에 반송하고, 상기 가스 처리 유닛에서, 상기 피막을 상기 불활성 가스에 소정 시간 접촉시키는 제어를 행하는 양태로 해도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 제어부에 의해 가스 처리 유닛에 기판을 반송함으로써, 피막을 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다.
상기 열처리부는, 상기 기판을 가열하는 열판과, 상기 열판에서의 가열 처리 후의 상기 기판을 보유 지지하는 온도 조정 플레이트와, 상기 온도 조정 플레이트 상의 상기 기판의 상기 피막이 상기 불활성 가스와 접촉하도록, 상기 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 갖고, 상기 제어부는, 상기 가스 처리 유닛으로부터 반출된 상기 기판에 대하여, 상기 열처리부의 상기 온도 조정 플레이트 상에서, 상기 피막을 상기 불활성 가스에 소정 시간 접촉시키는 제어를 행하는 양태로 해도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 제어부에 의해 온도 조정 플레이트 상에서 기판을 대기시킴으로써, 피막을 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다.
상기 열처리부로부터 반출된 상기 기판을, 상기 현상 처리부에 반입하기 전에 일차적으로 보유 지지하는 온도 조정 유닛을 더 갖고, 상기 온도 조정 유닛은, 상기 온도 조정 유닛 내에 상기 불활성 가스를 공급하는 제3 가스 공급부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 열처리부로부터 반출된 상기 기판에 대하여, 상기 온도 조정 유닛에서, 상기 피막을 상기 불활성 가스에 소정 시간 접촉시키는 제어를 행하는 양태로 해도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 제어부에 의해 온도 조정 유닛에 기판을 반송함으로써, 피막을 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다.
상기 가스 접촉부는, 상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 상기 기판 보유 지지부의 상방 및 측방을 둘러싸는 포위부와, 상기 포위부의 상방으로부터 상기 포위부 내에 상기 불활성 가스를 공급하는 가스 공급구를 갖고, 상기 포위부 내에 불활성 가스가 공급됨으로써, 내부의 대기가 하방으로 압출됨으로써, 상기 불활성 가스를 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지되는 상기 기판과 접촉시키는 양태로 해도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 포위부의 상방으로부터 상기 포위부 내에 공급된 불활성 가스가 내부의 대기를 하방으로 압출함으로써, 불활성 가스를 기판 보유 지지부에 보유 지지되는 기판과 접촉시킬 수 있다.
상기 가스 접촉부는, 상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 상기 기판 보유 지지부의 상방 및 하방과, 측방의 일부를 둘러싸는 포위부와, 상기 포위부 내에 상기 불활성 가스를 공급하는 가스 공급구를 갖고, 상기 포위부 내에 불활성 가스가 공급됨으로써, 내부의 대기가 개구되어 있는 측방으로 압출됨으로써, 상기 불활성 가스를 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지되는 상기 기판과 접촉시키는 양태로 해도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 포위부 내에 공급된 불활성 가스가 내부의 대기를 개구되어 있는 측방으로 압출함으로써, 불활성 가스를 기판 보유 지지부에 보유 지지되는 기판과 접촉시킬 수 있다.
상기 불활성 가스는 질소 가스인 양태로 해도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 기판이 대기 분위기에 노출되는 상태를 보다 저렴하면서 또한 확실하게 줄일 수 있다.
상기 기판 상에 메탈 함유 레지스트의 피막을 형성하는 성막 처리부에 의한 처리 후부터 상기 노광 처리가 행해지기 전의 기간에 있어서, 상기 피막을 불활성 가스와 접촉시키는 제2 가스 접촉부를 더 갖는 양태로 해도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 노광 처리가 행해지기 전의 피막에 대해서도, 제2 가스 접촉부에 의해 불활성 가스와 접촉하기 때문에, 메탈 함유 레지스트에 의한 피막이 대기 분위기에 접촉하는 시간을 짧게 할 수 있다.
상기 기판 처리 장치에서는, 상기 기판을 반송하는 반송 장치와, 상기 반송 장치를 제어하는 제어부를 더 갖고, 상기 가스 접촉부는, 상기 인터페이스 블록에 마련되고, 노광 처리 후의 상기 기판을 수용하는 수용실과, 상기 수용실 내에 상기 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 열처리부가 상기 기판을 수용 가능하게 된 후에 상기 기판을 상기 수용실로부터 반출하여, 상기 열처리부에 반입하도록, 상기 반송 장치를 제어하는 양태로 해도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 다른 기판에 대하여 가열 처리가 완료될 때까지는, 수용실에서 기판을 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다. 이에 의해, 기판이 유닛 밖에서 대기함으로써 수분 및/또는 산소와 접촉하는 시간을 줄일 수 있다.
상기 기판 처리 장치에서는, 상기 열처리부로부터 반출된 상기 기판을 수용하고, 상기 기판을 온도 조정 처리하는 온도 조정 유닛을 더 갖고, 상기 열처리부는, 상기 기판을 가열하는 열판을 갖고, 상기 가스 접촉부는, 상기 열판에서의 가열 처리 후의 상기 기판을 수용하도록 상기 열처리부에 마련된 제2 수용실과, 상기 제2 수용실 내에 상기 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 더 포함하고, 상기 제어부는, 상기 온도 조정 유닛이 상기 기판을 수용 가능하게 된 후에, 상기 기판을 상기 제2 수용실로부터 반출하여, 상기 온도 조정 유닛에 반입하도록, 상기 반송 장치를 제어하는 양태로 해도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 다른 기판에 대하여 온도 조정 처리가 완료될 때까지는, 열처리부에 마련된 제2 수용실에서 기판을 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다. 이에 의해, 기판이 유닛 밖에서 대기함으로써 수분 및/또는 산소와 접촉하는 시간을 줄일 수 있다.
상기 기판 처리 장치에서는, 상기 가스 접촉부는, 상기 온도 조정 유닛 내에 상기 불활성 가스를 공급하는 제3 가스 공급부를 더 포함하고, 상기 제어부는, 상기 현상 처리부가 상기 기판을 수용 가능하게 된 후에 상기 기판을 상기 온도 조정 유닛으로부터 반출하여, 상기 현상 처리부에 반입하도록, 상기 반송 장치를 제어하는 양태로 해도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 다른 기판에 대하여 현상 처리가 완료될 때까지는, 온도 조정 유닛에서 기판을 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다. 이에 의해, 기판이 유닛 밖에서 대기함으로써 수분 및/또는 산소와 접촉하는 시간을 줄일 수 있다.
상기 기판 처리 장치에서는, 상기 열처리부는, 상기 기판을 가열하는 열판을 갖고, 상기 가스 접촉부는, 상기 열판에서의 가열 처리 후의 상기 기판을 수용하도록 상기 열처리부에 마련된 제2 수용실과, 상기 제2 수용실 내에 상기 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 현상 처리부가 상기 기판을 수용 가능하게 된 후에, 상기 기판을 상기 제2 수용실로부터 반출하여, 상기 현상 처리부에 반입하도록, 상기 반송 장치를 제어하는 양태로 해도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 다른 기판에 대하여 현상 처리가 완료될 때까지는, 열처리부에 마련된 제2 수용실에서 기판을 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다. 이에 의해, 기판이 유닛 밖에서 대기함으로써 수분 및/또는 산소와 접촉하는 시간을 줄일 수 있다.
하나의 예시적 실시 형태에 관한 기판 처리 방법은, 기판 상에, 메탈 함유 레지스트의 피막을 형성하는 것과, 상기 피막에 대하여 노광 처리가 실시된 상기 기판을 가열 처리하는 것과, 상기 가열 처리가 실시된 상기 기판의 상기 피막을 현상 처리하는 것과, 상기 노광 처리 후부터 상기 현상 처리가 행해지기 전의 기간에 있어서, 상기 피막을 불활성 가스와 접촉시키는 것을 포함한다.
상기 기판 처리 방법에 의하면, 가스 접촉부에서 피막이 불활성 가스와 접촉하기 때문에, 가스 접촉부를 마련하지 않는 경우에 비하여, 메탈 함유 레지스트에 의한 피막이 대기 분위기에 접촉하는 시간을 짧게 할 수 있다.
하나의 예시적 실시 형태에 관한 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 있어서, 상기 기판 처리 프로그램은, 기판 처리를 컴퓨터에 실행시키는 것으로, 기판 상에, 메탈 함유 레지스트의 피막을 형성하는 것과, 상기 피막에 대하여 노광 처리가 실시된 상기 기판을 가열 처리하는 것과, 상기 가열 처리가 실시된 상기 기판의 상기 피막을 현상 처리하는 것과, 상기 노광 처리 후부터 상기 현상 처리가 행해지기 전의 기간에 있어서, 상기 피막을 불활성 가스와 접촉시키는 것을 상기 컴퓨터에 실행시킨다.
상기 기판 처리 프로그램에 의하면, 가스 접촉부에서 피막이 불활성 가스와 접촉하기 때문에, 가스 접촉부를 마련하지 않는 경우에 비하여, 메탈 함유 레지스트에 의한 피막이 대기 분위기에 접촉하는 시간을 짧게 할 수 있다.
[예시적 실시 형태]
이하, 도면을 참조하여 다양한 예시적 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일하거나 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것으로 한다.
[기판 처리 시스템]
기판 처리 시스템(1)은, 기판에 대하여, 감광성 피막의 형성, 당해 감광성 피막의 노광 및 당해 감광성 피막의 현상을 실시하는 시스템이다. 처리 대상인 워크(W)는, 예를 들어 기판, 혹은 소정의 처리가 실시됨으로써 막 또는 회로 등이 형성된 상태의 기판이다. 당해 기판은, 일례로서, 실리콘 웨이퍼이다. 워크(W)(기판)는, 원형이어도 된다. 워크(W)는, 유리 기판, 마스크 기판, 또는 FPD(Flat Panel Display) 등이어도 된다. 감광성 피막은, 예를 들어 레지스트막이다.
도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 도포 현상 장치(2)와 노광 장치(3)를 구비한다. 노광 장치(3)는, 워크(W)(기판) 상에 형성된 레지스트막(감광성 피막)을 노광하는 노광 처리용 장치이다. 노광 장치(3)의 내부 공간은, 예를 들어 실질적인 진공 상태로 유지되어 있다. 구체적으로는, 노광 장치(3)는, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막의 노광 대상 부분에 에너지선을 조사한다. 에너지선은, 예를 들어 전리 방사선 또는 비전리 방사선이다. 전리 방사선은, 원자 또는 분자를 전리시키기에 충분한 에너지를 갖는 방사선이다. 전리 방사선은, 극단 자외선(EUV: Extreme Ultraviolet), 전자선, 이온빔, X선, α선, β선, γ선, 중입자선, 양자선 등이어도 된다. 비전리 방사선은, 원자 또는 분자를 전리시키기에 충분한 에너지를 갖지 않는 방사선이다. 비전리 방사선은, g선, i선, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, F2 엑시머 레이저 등이어도 된다.
도포 현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 워크(W)의 표면에 레지스트(약액)를 도포해서 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 기판 처리 시스템(1)은, 금속을 함유하는 레지스트(이하, 「메탈 함유 레지스트」라고 함)를 사용하여, 메탈 함유 레지스트의 피막을 형성한다. 예를 들어, 기판 처리 시스템(1)은, 산화 금속을 함유하는 레지스트를 사용해서 상기 피막을 형성해도 된다.
[기판 처리 장치]
이하, 기판 처리 장치의 일례로서, 도포 현상 장치(2)의 구성을 설명한다. 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 도포 현상 장치(2)는, 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)과, 제어 장치(100)를 구비한다.
캐리어 블록(4)은, 도포 현상 장치(2) 내에의 워크(W)의 도입 및 도포 현상 장치(2) 내로부터의 워크(W)의 도출을 행한다. 예를 들어 캐리어 블록(4)은, 워크(W)용의 복수의 캐리어(C)를 지지 가능하고, 전달 암을 포함하는 반송 장치(A1)를 내장하고 있다. 캐리어(C)는, 예를 들어 원형의 복수매의 워크(W)를 수용한다. 반송 장치(A1)는, 캐리어(C)로부터 워크(W)를 취출해서 처리 블록(5)에 전달하고, 처리 블록(5)으로부터 워크(W)를 수취해서 캐리어(C) 내로 되돌린다. 처리 블록(5)은, 복수의 처리 모듈(11, 12, 13, 14)을 갖는다.
처리 모듈(11)은, 도포 유닛(U1)과, 열처리 유닛(U2)과, 이들 유닛에 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(11)은, 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 의해 워크(W)의 표면 상에 하층막을 형성한다. 도포 유닛(U1)은, 하층막 형성용 처리액을 워크(W) 상에 도포한다. 열처리 유닛(U2)은, 하층막의 형성에 수반하는 각종 열처리를 행한다.
처리 모듈(12)은, 도포 유닛(U1)과, 열처리 유닛(U2)과, 이들 유닛에 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(12)은, 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 의해 하층막 상에 메탈 함유 레지스트의 피막을 형성한다. 즉, 처리 모듈(12)은, 성막 처리부로서 기능한다. 도포 유닛(U1)은, 피막 형성용 처리액으로서, 메탈 함유 레지스트를 하층막 상에 도포한다. 열처리 유닛(U2)은, 피막의 형성에 수반하는 각종 열처리를 행한다. 이에 의해, 워크(W)의 표면에 메탈 함유 레지스트의 피막이 형성된다.
처리 모듈(13)은, 도포 유닛(U1)과, 열처리 유닛(U2)과, 이들 유닛에 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(13)은, 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 의해 레지스트막 상에 상층막을 형성한다. 도포 유닛(U1)은, 상층막 형성용 액체를 레지스트막 상에 도포한다. 열처리 유닛(U2)은, 상층막의 형성에 수반하는 각종 열처리를 행한다.
처리 모듈(14)은, 현상 유닛(U3)(현상 처리부)과, 열처리 유닛(U4)(열처리부)과, 온도 조정 유닛(U5)(불활성 가스 접촉부)과, 이들 유닛에 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(14)은, 현상 유닛(U3) 및 열처리 유닛(U4)에 의해, 노광 처리가 실시된 피막의 현상 처리 및 현상 처리에 수반하는 가열 처리를 행한다. 이에 의해, 워크(W)의 표면에 메탈 함유 레지스트를 사용한 레지스트 패턴이 형성된다. 현상 유닛(U3)은, 노광 완료된 워크(W)의 표면 상에 현상액을 도포한 후, 이것을 린스액에 의해 씻어냄으로써, 메탈 함유 레지스트의 피막의 현상 처리를 행한다. 혹은, 현상 유닛(U3)은, 현상 가스를 사용한 드라이 현상에 의해, 메탈 함유 레지스트의 피막의 현상 처리를 행해도 된다. 예를 들어, 메탈 함유 레지스트가 포지티브형일 경우, 워크(W)를 현상 가스에 노출시킴으로써, 워크(W)의 금속 함유 레지스트 중, EUV에 의해 노광된 영역이 선택적으로 제거되어도 된다. 메탈 함유 레지스트가 네가티브형일 경우, 워크(W)를 현상 가스에 노출시킴으로써, 워크(W)의 금속 함유 레지스트 중, EUV에 의해 노광된 영역 이외의 영역이 선택적으로 제거되어도 된다. 열처리 유닛(U4)은, 현상 처리에 수반하는 각종 열처리를 행한다. 열처리의 구체예로서는, 현상 처리 전의 가열 처리(PEB: Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB: Post Bake) 등을 들 수 있다. 현상 유닛(U3)은, 열처리 유닛(U4)에 의해 가열 처리(PEB)가 실시된 워크(W)를 현상 처리한다. 또한, 온도 조정 유닛(U5)은, 열처리 유닛(U4)에 의해 가열 처리(PEB)가 실시된 워크(W)에 대해서, 현상 유닛(U3)에서 현상 처리를 행하기 전에 온도 조정을 행하는 기능을 갖는다.
이하, 특별히 설명이 없는 한, 열처리 유닛(U4)에서의 가열 처리는, 「현상 처리 전의 가열 처리(PEB)」인 것으로서 설명한다. 또한, 메탈 함유 레지스트의 피막은, 단순히 「피막」으로서 설명한다.
처리 블록(5) 내에서의 캐리어 블록(4)측에는 선반 유닛(U10)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U10)은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 암을 포함하는 반송 장치(A7)가 마련되어 있다. 반송 장치(A7)는, 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에서 워크(W)를 승강시킨다.
인터페이스 블록(6)은, 노광 장치(3)와의 사이에서 워크(W)의 전달을 행한다. 인터페이스 블록(6)에는, 선반 유닛(U11)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U11)은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 반송 장치(A3)는, 처리 블록(5) 내의 각 유닛과 선반 유닛(U11)의 셀의 사이에서 워크(W)를 전달한다.
또한, 인터페이스 블록(6)은, 전달 암을 포함하는 반송 장치(A8)를 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속된다. 인터페이스 블록(6)에는, 가스 공급 유닛(U6)(불활성 가스 접촉부)이 마련된다. 가스 공급 유닛(U6)은, 워크(W)의 표면에 형성된 피막을, 불활성 가스와 접촉시키는 기능을 갖는다. 가스 공급 유닛(U6)의 구성에 대해서는 후술한다. 또한, 인터페이스 블록(6)에는, 상술한 가스 공급 유닛(U6) 이외에, 워크(W)의 표면 또는 이면을 세정하는 세정 유닛(U7)이 마련되어 있다.
인터페이스 블록(6)에서의 반송 장치(A8)는, 선반 유닛(U11)에 배치된 워크(W)를 노광 장치(3)에 전달한다. 반송 장치(A8)는, 노광 장치(3)로부터 워크(W)를 수취해서 가스 공급 유닛(U6)을 통해서 선반 유닛(U11)으로 되돌린다. 또한, 반송 장치(A8)는, 선반 유닛(U11)과 세정 유닛(U7)의 사이의 워크(W)의 전달도 행한다. 그 때문에, 반송 장치(A8)는, 인터페이스 블록(6) 내에 복수 배치된다. 도 1 내지 3에서 도시하는 예에서는, 반송 장치(A8)는, 인터페이스 블록(6) 내에 3대 배치되어 있다.
제어 장치(100)는, 예를 들어 이하의 수순으로 도포 현상 처리를 실행하도록 도포 현상 장치(2)를 제어한다. 먼저 제어 장치(100)는, 캐리어(C) 내의 워크(W)를 선반 유닛(U10)에 반송하도록 반송 장치(A1)를 제어하고, 이 워크(W)를 처리 모듈(11)용 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 워크(W)를 처리 모듈(11) 내의 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 워크(W)의 표면 상에 하층막을 형성하도록 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 제어 장치(100)는, 하층막이 형성된 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)를 처리 모듈(12)용 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 워크(W)를 처리 모듈(12) 내의 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 워크(W)의 하층막 상에 메탈 함유 레지스트의 피막을 형성하도록 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 제어 장치(100)는, 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)를 처리 모듈(13)용 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 워크(W)를 처리 모듈(13) 내의 각 유닛에 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 워크(W)의 피막 상에 상층막을 형성하도록 도포 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 제어 장치(100)는, 워크(W)를 선반 유닛(U11)에 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U11)의 워크(W)를 노광 장치(3)에 송출하도록 반송 장치(A8)를 제어한다. 그 후 제어 장치(100)는, 노광 처리가 실시된 워크(W)를 노광 장치(3)로부터 받아들여서, 가스 공급 유닛(U6)에 반입하도록 반송 장치(A8)를 제어한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 가스 공급 유닛(U6) 내의 워크(W)를 선반 유닛(U11)에서의 처리 모듈(14)용 셀에 배치하도록 반송 장치(A8)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U11)의 워크(W)를 처리 모듈(14) 내의 열처리 유닛(U4)에 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 워크(W)의 피막에 가열 처리를 실시하도록 열처리 유닛(U4)을 제어한다. 이어서, 제어 장치(100)는, 온도 조정 유닛(U5)에 의해 가열 후의 워크(W)의 온도 조정을 행한다. 이어서, 제어 장치(100)는, 온도 조정 후의 워크(W)의 피막에 현상 처리 및 현상 처리 후의 가열 처리를 실시하도록 현상 유닛(U3) 및 열처리 유닛(U4)을 제어한다. 그 후 제어 장치(100)는, 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)를 캐리어(C) 내로 되돌리도록 반송 장치(A7) 및 반송 장치(A1)를 제어한다. 이상으로 도포 현상 처리가 완료된다.
또한, 기판 처리 장치의 구체적인 구성은, 이상에서 예시한 도포 현상 장치(2)의 구성에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치는, 메탈 함유 레지스트의 피막을 형성하는 성막 처리를 행하는 유닛, 노광 처리 후에 피막을 가열 처리하는 열처리 유닛, 피막을 현상 처리하는 현상 유닛 및 이들을 제어 가능한 제어 장치를 구비하고 있으면 어떤 것이어도 된다. 가스 공급 유닛(U6)은, 캐리어 블록(4) 또는 처리 모듈(11, 12, 13, 14) 내에 마련되어도 된다.
상기 기판 처리 장치에서의 도포 현상 처리에 있어서, 메탈 함유 레지스트는, 노광하고 나서 현상 처리를 개시할 때까지의 동안에도 반응이 진행된다. 그 때문에, 노광 장치(3)에서의 노광 처리 종료 후부터 노광 후에 워크(W)를 처리 모듈(14)의 열처리 유닛(U4)에서, 노광 후의 열처리(PEB)를 행할 때까지의 노광 후 지연 시간(PED 시간)의 길이가 선폭(CD)에 영향을 줄 가능성이 있다. 또한, 노광 후의 열처리(PEB)를 행한 후에, 현상 유닛(U3)에서 워크(W)의 현상 처리를 개시할 때까지의 가열 후 지연 시간(PPD 시간)의 길이도 워크(W) 표면의 선폭(CD)에 영향을 줄 가능성이 있다. 구체적으로는, 노광 후 지연 시간(PED 시간) 및/또는 가열 후 지연 시간(PPD 시간)이 길어지면, 워크(W)에 형성된 피막의 선폭이 커지는 경향이 있다. 즉, 워크(W)마다 노광 후 지연 시간(PED 시간) 및 가열 후 지연 시간(PPD 시간)의 합계 시간이 변동하면, 워크(W)마다의 선폭의 변동이 커진다. 이것은, 상술한 지연 시간에 있어서, 메탈 함유 레지스트가 주변 분위기의 수분 및/또는 산소와 반응하는 것에 유래한다고 생각된다. 또한, 산소와 마찬가지로, 산소 원자를 포함하는 가스인 이산화탄소도, 메탈 함유 레지스트의 선폭(CD)에 영향을 줄 수 있다. 즉, 주변 분위기의 수분, 산소 및/또는 이산화탄소를 포함하는 상태를 대기 분위기로 했을 때, 대기 분위기 하에서는, 메탈 함유 레지스트의 선폭(CD)이 영향을 받기 쉽다. 대기 분위기는, 공기로 채워진 분위기로 바꿔 말할 수 있다.
그러나, 상술한 반송 장치는 서로 비동기로 독립적으로 제어되기 때문에, 반송 사정에 따라 워크(W)마다 지연 시간이 필연적으로 변동되어버린다. 따라서, 워크(W)에서의 선폭 균일성을 확보하기 위해서는, 상술한 지연 시간에 있어서, 워크(W)의 표면과 수분의 접촉을 저감하는 것이 필요해진다. 그것을 위한 구성으로서, 기판 처리 장치에서는, 노광 장치(3)로부터 반출된 워크(W)가 현상 유닛(U3)에 반입될 때까지의 경로 중에서, 워크(W)의 표면과 수분 및/또는 산소의 접촉을 피하면서 상술한 지연 시간을 경과시키기 위한 구성을 갖는다. 구체적으로는, 가스 공급 유닛(U6), 열처리 유닛(U4) 및 온도 조정 유닛(U5)에서, 워크(W)의 표면의 메탈 함유 레지스트와 수분 및/또는 산소의 접촉을 피하면서 상술한 지연 시간을 경과시킨다. 그것을 위한 구체적인 구성에 대해서 설명한다.
(가스 공급 유닛)
먼저, 가스 공급 유닛(U6)의 구성에 대해서 설명한다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 가스 공급 유닛(U6)은, 챔버(20)와, 복수의 지지 핀(25)과, 가스 공급부(30)를 구비한다.
챔버(20)는, 가스 처리를 행하는 열처리 공간을 형성한다. 챔버(20)는, 윗챔버(21)와, 아랫챔버(22)를 구비한다. 윗챔버(21)는, 구동부(도시하지 않음)에 접속되어 있고, 아랫챔버(22)에 대하여 상하 방향으로 이동한다. 윗챔버(21)는, 챔버(20) 내에 배치되는 워크(W)와 대향하는 천장판과, 워크(W)를 둘러싸는 측벽을 포함한다. 아랫챔버(22)는, 보유 지지부(23)를 포함하고 있고, 워크(W)를 보유 지지하는 보유 지지판(24)을 지지하고 있다.
지지 핀(25)은, 워크(W)를 하방으로부터 지지하는 핀이다. 지지 핀(25)은, 보유 지지판(24)을 관통하도록 상하 방향으로 연장되어 있다. 복수의 지지 핀(25)은, 보유 지지판(24)의 중심 둘레의 둘레 방향에 있어서 서로 등간격으로 배치되어 있어도 된다. 구동부(26)는, 제어 장치(100)의 지시에 따라서 지지 핀(25)을 승강시킨다. 구동부(26)는, 예를 들어 승강 액추에이터이다.
가스 공급부(30)는, 챔버(20) 내(열처리 공간)에 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 가스 공급부(30)가 공급하는 가스란, 불활성 가스이다. 일례로서, 가스 공급부(30)는, 챔버(20) 내에 질소(N2) 가스를 공급한다. 단, 불활성 가스는 질소 가스 대신에 아르곤(Ar) 가스이어도 되고, 그 밖의 불활성 가스이어도 된다. 불활성 가스는, 수분, 산소, 이산화탄소 등을 포함하는 공기와 비교하여, 메탈 함유 레지스트와의 반응성이 낮아, 메탈 함유 레지스트의 선폭(CD)에 영향을 주기 어려운 성질을 갖는다. 불활성 가스는, 메탈 함유 레지스트의 선폭(CD)에 영향을 줄 수 있는 가스를 포함하지 않는 가스이어도 된다. 불활성 가스는, 산소를 포함하지 않는 가스이어도 된다. 불활성 가스는, 이산화탄소를 포함하지 않는 가스이어도 된다. 가스 공급부(30)는, 가스 공급원(31)과, 밸브(32)와, 배관(33)을 구비한다. 가스 공급원(31)은, 가스의 공급원으로서 기능한다. 밸브(32)는, 제어 장치(100)의 지시에 따라서 개방 상태와 폐쇄 상태로 전환된다. 가스 공급원(31)은, 밸브(32)가 개방 상태일 때, 배관(33)을 통해서 챔버(20) 내(열처리 공간)에 가스를 송출한다.
상술한 가스 공급 유닛(U6)에서는, 워크(W)를 보유 지지할 때 챔버(20)를 닫은 상태에서, 가스 공급부(30)로부터 가스를 공급한다. 그 결과, 챔버(20) 내부가 불활성 가스 분위기로 되므로, 워크(W)의 표면과 수분의 접촉이 억제된다.
(열처리 유닛)
이어서, 열처리 유닛(U4)의 구성에 대해서 설명한다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 열처리 유닛(U4)은, 처리실(40)과, 온도 조정부(50)와, 가열부(60)를 구비한다.
처리실(40)은, 열처리의 대상인 워크(W)를 수용한다. 처리실(40)은, 하우징(41)을 포함하여 구성된다. 하우징(41)은, 온도 조정부(50) 및 가열부(60)를 수용하는 처리 용기이다. 하우징(41)의 측벽에는, 워크(W)를 반입하기 위한 반입구(42)가 개구되어 있다.
온도 조정부(50)는, 처리실(40) 내에서 워크(W)의 온도를 소정 온도로 조정하는 기구이다. 온도 조정부(50)에서의 워크(W)의 온도의 조정은, 열처리 유닛(U4)에서의 열처리의 일부에 포함되어도 된다. 온도 조정부(50)는, 외부의 반송 장치(A3)와의 사이에서 워크(W)의 전달을 행한다. 온도 조정부(50)는, 온도 조정 플레이트(51)와, 연결 브래킷(52)과, 구동 기구(53)와, 챔버(54)와, 가스 공급부(58)를 갖는다.
온도 조정 플레이트(51)는, 적재된 워크(W)의 온도 조정을 행하는 플레이트이다. 구체적으로는, 온도 조정 플레이트(51)는, 가열부(60)에 의해 가열된 워크(W)를 적재하여, 소정 온도까지 워크(W)를 냉각하는 쿨 플레이트이다. 예를 들어, 온도 조정 플레이트(51)는, 대략 원반상으로 형성되어 있어도 된다. 온도 조정 플레이트(51)는, 열전도성이 높은 알루미늄, 은, 또는 구리 등의 금속에 의해 구성되어 있어도 된다. 온도 조정 플레이트(51)의 내부에는, 냉각수 또는 냉각 기체를 유통시키기 위한 냉각 유로(도시하지 않음)가 형성되어 있다.
연결 브래킷(52)은, 온도 조정 플레이트(51)에 연결되어 있다. 구동 기구(53)는, 제어 장치(100)의 지시에 기초해서 동작하여, 연결 브래킷(52)을 이동시킨다. 연결 브래킷(52)은, 구동 기구(53)에 의해 하우징(41) 내를 이동한다. 구체적으로는, 연결 브래킷(52)은, 하우징(41)의 반입구(42)와 가열부(60)의 근방의 사이로 연장되는 가이드 레일(도시하지 않음)을 따라 이동함으로써, 온도 조정 플레이트(51)가 반입구(42)와 가열부(60)의 사이를 이동한다.
챔버(54)는, 온도 조정 플레이트(51)를 소정의 위치로 이동시켰을 경우에, 온도 조정 플레이트(51)의 워크(W)의 적재면을 둘러싸도록 구성되어 있다. 챔버(54)는, 윗챔버(55)와 아랫챔버(56)에 의해 구성된다. 윗챔버(55)는, 천장판부(55a)와, 다리부(55b)를 갖고 있다. 천장판부(55a)는, 온도 조정 플레이트(51)의 적재면과 상하 방향에 있어서 대향해서 배치되는 원판상으로서 구성되어 있다. 다리부(55b)는, 천장판부(55a)의 외연으로부터 하방으로 연장되도록 구성되어 있다. 아랫챔버(56)는, 윗챔버(55)에 상하 방향에 있어서 대향한 위치에 배치된다. 승강 기구(57)는, 제어 장치(100)의 지시에 따라서 윗챔버(55)를 승강시키는 기구이다. 승강 기구(57)에 의해 윗챔버(55)가 상승함으로써, 워크(W)의 가열 처리를 행하는 공간이 열린 상태로 되고, 윗챔버(55)가 하강함으로써, 워크(W)의 가열 처리를 행하는 공간이 대략 폐쇄된 상태로 된다. 또한, 챔버(54)는, 완전히 닫힌 상태로 되어 있지 않아도 된다.
가스 공급부(58)(제2 가스 공급부)는, 챔버(54) 내(열처리 공간)에 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 가스 공급부(58)가 공급하는 가스란, 불활성 가스이다. 일례로서, 가스 공급부(58)는, 챔버(54) 내에 질소(N2) 가스를 공급한다. 단, 불활성 가스는 질소 가스 대신에 아르곤(Ar) 가스이어도 되고, 그 밖의 불활성 가스이어도 된다. 가스 공급부(58)는, 도시하지 않은 가스 공급원과, 밸브(58a)와, 배관(58b)을 구비한다. 가스 공급원은, 가스의 공급원으로서 기능한다. 밸브(58a)는, 제어 장치(100)의 지시에 따라서 개방 상태와 폐쇄 상태로 전환된다. 가스 공급원은, 밸브(58a)가 개방 상태일 때, 배관(58b)을 통해서 챔버(54) 내(열처리 공간)에 가스를 송출한다.
가열부(60)는, 처리실(40) 내에서 워크(W)를 가열 처리하는 기구이다. 가열부(60)는, 지지대(61)와, 열판(62)과, 히터(63)와, 챔버(64)(덮개)와, 승강 기구(65)와, 지지 핀(66)과, 승강 기구(67)를 갖는다.
지지대(61)는, 중앙 부분에 오목부가 형성된 원통 형상을 나타내고 있고, 열판(62)을 지지하고 있다. 열판(62)은, 예를 들어 대략 원반상이며, 지지대(61)의 오목부에 수용된다. 열판(62)의 적재면(62a)에 처리 대상의 워크(W)가 적재됨으로써, 열판(62)은 워크(W)를 지지한다. 이 상태에서, 열판(62)은, 적재된 워크(W)를 가열한다. 열판(62)의 하면에는, 열판(62)을 가열하기 위한 히터(63)가 마련되어 있어도 된다. 히터(63)는, 열판(62) 내에 매립되어 있어도 된다.
챔버(64)는, 열판(62)에서의 워크(W)의 적재면(62a)을 둘러싸도록 구성되어 있다. 챔버(64)는, 천장판부(64a)와, 다리부(64b)를 갖고 있다. 천장판부(64a)는, 열판(62)의 적재면(62a)과 상하 방향에 있어서 대향해서 배치되는 원판상으로서 구성되어 있다. 다리부(64b)는, 천장판부(64a)의 외연으로부터 하방으로 연장되도록 구성되어 있다. 승강 기구(65)는, 제어 장치(100)의 지시에 따라서 챔버(64)를 승강시키는 기구이다. 승강 기구(65)에 의해 챔버(44)가 상승함으로써, 워크(W)의 가열 처리를 행하는 공간이 열린 상태로 되고, 챔버(64)가 하강함으로써, 워크(W)의 가열 처리를 행하는 공간이 폐쇄된 상태로 된다.
지지 핀(66)은, 지지대(61) 및 열판(62)을 관통하도록 상하 방향으로 연장되어 있고, 워크(W)를 하방으로부터 지지하는 핀이다. 지지 핀(66)은, 상하 방향으로 승강함으로써, 워크(W)를 소정의 위치에 배치한다. 지지 핀(66)은, 워크(W)를 반송하는 온도 조정 플레이트(51)와의 사이에서 워크(W)의 전달을 행한다. 지지 핀(66)은, 예를 들어 둘레 방향으로 등간격으로 배치된 3개의 핀에 의해 구성되어도 된다. 승강 기구(67)는, 제어 장치(100)의 지시에 따라서 지지 핀(46)을 승강시키는 기구이다. 승강 기구(67)는, 열판(62)에 대하여 워크(W)를 접근시켜서, 열판(62)에 워크(W)가 적재되도록, 워크(W)를 지지하는 지지 핀(66)을 승강 가능하게 구성되어 있다.
배기부(70)는, 처리실(40)로부터 기체를 배출한다. 예를 들어, 배기부(70)는, 처리실(40)로부터 열처리 유닛(U4)(도포 현상 장치(2))의 외부로 기체를 배출한다. 배기부(70)는, 배기 덕트(71)와, 개폐부(72)를 포함한다. 배기 덕트(71)는, 처리실(40) 내의 공간(하우징(41)에 의해 구획되는 공간)과 배출처를 접속한다. 개폐부(72)는, 배기 덕트(71)의 유로 상에 마련되어, 제어 장치(100)의 지시에 따라서 배기 덕트(71)의 유로를 개방 상태 또는 차단 상태로 전환한다.
배기부(75)는, 지지대(61) 및 챔버(64)에 의해 구획되는, 챔버(64) 내의 공간으로부터 기체를 배출한다. 이 챔버(64) 내의 공간은, 처리실(40) 내의 공간에 포함되어 있다. 예를 들어, 배기부(75)는, 챔버(64) 내로부터 열처리 유닛(U4)(도포 현상 장치(2))의 외부로 기체를 배출한다. 배기부(75)는, 배기 덕트(76)와, 개폐부(77)를 포함한다. 배기 덕트(76)는, 챔버(64) 내의 공간과 배출처를 접속한다. 배기 덕트(76)는, 예를 들어 챔버(64)의 천장판부(64a)에 접속된다. 개폐부(77)는, 배기 덕트(76)의 유로 상에 마련되어, 제어 장치(100)의 지시에 따라서 배기 덕트(76)의 유로를 개방 상태 또는 차단 상태로 전환한다.
또한, 배기부(70) 및 배기부(75)로부터 배출되는 기체의 총배기량은, 개폐부(72, 77)의 개폐 상태를 제어함으로써 변화시킬 수 있다.
상술한 열처리 유닛(U4)에서는, 온도 조정 플레이트(51)에서 워크(W)를 보유 지지할 때 챔버(54)를 닫은 상태에서, 가스 공급부(58)로부터 가스를 공급한다. 그 결과, 챔버(54) 내부가 불활성 가스 분위기로 되므로, 워크(W)의 표면과 수분의 접촉이 억제된다.
(온도 조정 유닛)
이어서, 온도 조정 유닛(U5)의 구성에 대해서 설명한다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 온도 조정 유닛(U5)은, 온도 조절판(84)과, 챔버(80)와, 복수의 지지 핀(85)과, 가스 공급부(90)를 구비한다.
온도 조절판(84)은, 온도 조정의 대상인 워크(W)를 지지하고, 지지하고 있는 당해 워크(W)를 소정의 온도로 조절한다. 온도 조절판(84)은, 일례로서 대략 원판상으로 형성되어 있다. 온도 조절판(84)은, 열전도율이 높은 알루미늄, 은, 또는 구리 등의 금속에 의해 구성되어도 된다. 온도 조절판(84)은, 도시하지 않은 냉매 등에 의해 냉각되어 있어도 된다.
챔버(80)는, 온도 조정 처리를 행하는 처리 공간을 형성한다. 챔버(80)는, 윗챔버(81)와, 아랫챔버(82)를 구비한다. 윗챔버(81)는, 구동부(도시하지 않음)에 접속되어 있어, 아랫챔버(82)에 대하여 상하 방향으로 이동한다. 윗챔버(81)는, 온도 조절판(84) 상의 워크(W)와 대향하는 천장판과, 온도 조절판(84) 상의 워크(W)를 둘러싸는 측벽을 포함한다. 아랫챔버(82)는, 보유 지지부(83)를 포함하고 있어, 온도 조절판(84)을 보유 지지하고 있다.
지지 핀(85)은, 워크(W)를 하방으로부터 지지하는 핀이다. 지지 핀(85)은, 온도 조절판(84)을 관통하도록 상하 방향으로 연장되어 있다. 복수의 지지 핀(85)은, 온도 조절판(84)의 중심 둘레의 둘레 방향에 있어서 서로 등간격으로 배치되어 있어도 된다. 구동부(86)는, 제어 장치(100)의 지시에 따라서 지지 핀(85)을 승강시킨다. 구동부(86)는, 예를 들어 승강 액추에이터이다.
가스 공급부(90)(제3 가스 공급부)는, 챔버(80) 내(열처리 공간)에 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 예를 들어, 가스 공급부(90)는, 가스로서 불활성 가스를 공급한다. 예를 들어, 가스 공급부(90)는, 챔버(80) 내에 질소 가스를 공급한다. 가스 공급부(90)는, 가스 공급원(91)과, 밸브(92)와, 배관(93)을 구비한다. 가스 공급원(91)은, 가스의 공급원으로서 기능한다. 밸브(92)는, 제어 장치(100)의 지시에 따라서 개방 상태와 폐쇄 상태로 전환된다. 가스 공급원(91)은, 밸브(92)가 개방 상태일 때, 배관(93)을 통해서 챔버(80) 내에 가스를 송출한다.
상술한 온도 조정 유닛(U5)에서는, 워크(W)를 보유 지지할 때 챔버(80)를 닫은 상태에서, 가스 공급부(90)로부터 가스를 공급한다. 그 결과, 챔버(80) 내부가 불활성 가스 분위기로 되므로, 워크(W)의 표면과 수분의 접촉이 억제된다.
(제어 장치)
도 2 및 도 7에 도시되는 제어 장치(100)는, 도포 현상 장치(2)에 포함되는 각 요소를 제어한다. 제어 장치(100)는, 워크(W) 상에, 메탈 함유 레지스트의 피막을 형성하는 것과, 피막에 대하여 노광 처리가 실시된 워크(W)를 가열 처리하는 것과, 가열 처리가 실시된 워크(W)의 피막을 현상 처리하는 것과, 노광 처리 후부터 현상 처리가 행해지기 전의 기간에 있어서, 피막을 불활성 가스와 접촉시키는 것을 실행하도록 구성되어 있다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 제어 장치(100)는, 기능상의 구성(이하, 「기능 모듈」이라고 함)으로서, 대기 제어 설정부(102)와, 반송 제어부(104)와, 유닛 제어부(106)와, 동작 지령 보유부(108)를 갖는다. 동작 지령 보유부(108)에는, 예를 들어 복수의 워크(W) 각각에 대한 반송 계획을 포함하는 처리 스케줄이 포함되어 있어도 된다.
대기 제어 설정부(102)는, 각 워크(W)에 관한 반송 기준 시간을 산출하고, 반송 기준 시간으로부터, 각 워크(W)에 대해서 불활성 가스를 접촉시키는 시간을 설정하도록 구성되어 있다. 예를 들어 반송 기준 시간은, 1개의 워크(W)에 대하여 처리 모듈(12)에 의한 노광 장치(3)로부터 반출된 워크(W)의 현상 유닛(U3)에의 반입까지 걸리는 시간에 대한 일정 목표값이다. 대기 제어 설정부(102)는, 동작 지령 보유부(108)에 보유되어 있는 반송 계획에 기초하여 반송 기준 시간을 취득한다.
반송 기준 시간에는, 워크(W)가 처리 모듈(14)의 열처리 유닛(U4) 또는 온도 조정 유닛(U5)에서 처리되는 시간도 포함된다. 각 유닛에서 워크(W)에 대하여 소정의 처리를 실행하는 것은 정해져 있기 때문에, 반송 기준 시간 중 나머지 시간이, 워크(W)에 대하여 소정의 처리를 행하지 않고 대기하는 대기 시간으로 된다.
즉, 대기 시간은, 어느 것의 반송 장치가 당해 워크(W)를 지지해서 반송하고 있는 시간과, 당해 워크(W)가 반송 장치에 의해 반송되고 있지 않은 시간을 포함한다. 대기 제어 설정부(102)는, 각 워크(W)를 어느 유닛에서 대기시킬지를 결정한다. 상술한 바와 같이, 대기 시간은, 각 워크(W)가 가능한 한 불활성 가스와 접촉하도록, 가스 공급 유닛(U6), 열처리 유닛(U4)의 온도 조정부(50) 및 온도 조정 유닛(U5)의 어느 것에서 워크(W)를 대기시키도록, 보다 상세한 대기 시간이나 제어 내용을 결정한다.
도 8에 도시하는 바와 같이 노광 장치(3)로부터 반출된 워크(W)는, 적어도 열처리 유닛(U4) 및 온도 조정 유닛(U5)을 거쳐서, 현상 유닛(U3)에 반입된다. 또한, 일부 워크(W)는, 열처리 유닛(U4)보다도 전단에서 가스 공급 유닛(U6)을 경유한다. 이 경로 상에 있어서, 가스 공급 유닛(U6), 열처리 유닛(U4)의 온도 조정부(50) 및 온도 조정 유닛(U5)은, 불활성 가스가 워크(W) 표면에 공급되는 공간을 갖고 있다. 따라서, 대기 제어 설정부(102)는, 워크(W)마다, 어느 공간에서 얼마만큼의 시간 대기시킬지를 결정한다.
도포 현상 장치(2)는, 가스 공급 유닛(U6), 열처리 유닛(U4) 및 온도 조정 유닛(U5)을, 서로 다른 대수 갖고 있다. 따라서, 워크(W)마다 그 이동 경로는 다르게 설정된다. 또한, 복수의 워크(W)가 장치 내에서 동시에 처리되기 때문에, 모든 워크를 동일한 대기 위치에서 대기시키는 제어를 행하면, 도포 현상 장치(2)에서 처리하는 워크(W)의 매수가 적어져버린다. 그 때문에, 대기 제어 설정부(102)는, 워크(W)의 처리 효율을 고려하면서, 각 워크(W)의 대기 장소 및 대기 시간을 결정한다. 또한, 워크(W)에 따라서는, 가스 공급 유닛(U6)을 경유하지 않는 경우가 있다. 가스 공급 유닛(U6)을 경유할지 여부에 대해서도, 대기 제어 설정부(102)에 의해 결정된다.
반송 제어부(104)는, 워크(W)를 반송하도록 반송 장치(A3) 및 반송 장치(A8)를 제어한다. 반송 제어부(104)는, 대기 제어 설정부(102)에 의해 설정된 대기 위치 및 대기 시간에 기초하여, 워크(W)마다의 이동 타이밍 등을 제어한다. 반송 제어부(104)는, 조정된 수용 대기 시간에서 각 워크(W)를 소정의 유닛에 반입하도록 반송 장치(A3, A8)를 제어한다.
유닛 제어부(106)는, 동작 지령 보유부(108)에 기초하여, 워크(W)가 반입되는 각 유닛(예를 들어, 현상 유닛(U3), 열처리 유닛(U4), 온도 조정 유닛(U5) 및 가스 공급 유닛(U6))을 제어한다.
제어 장치(100)는, 1개 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 예를 들어 제어 장치(100)는, 도 9에 도시되는 회로(120)를 갖는다. 회로(120)는, 1개 또는 복수의 프로세서(121)와, 메모리(122)와, 스토리지(123)와, 타이머(124)와, 입출력 포트(125)를 갖는다. 스토리지(123)는, 예를 들어 하드 디스크 등, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체를 갖는다. 기억 매체는, 후술하는 기판 처리 수순을 제어 장치(100)에 실행시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 기억 매체는, 불휘발성 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광 디스크 등의 취출 가능한 매체이어도 된다. 메모리(122)는, 스토리지(123)의 기억 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(121)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기억한다. 프로세서(121)는, 메모리(122)와 협동해서 상기 프로그램을 실행함으로써, 상술한 각 기능 모듈을 구성한다. 입출력 포트(125)는, 프로세서(121)로부터의 지령에 따라서, 반송 장치(A3, A8) 및 각 유닛과의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다. 타이머(124)는, 예를 들어 일정 주기의 기준 펄스를 카운트함으로써 경과 시간을 계측한다.
또한, 제어 장치(100)의 하드웨어 구성은, 반드시 프로그램에 의해 각 기능 모듈을 구성하는 것에 한정되지는 않는다. 예를 들어 제어 장치(100)의 각 기능 모듈은, 전용의 논리 회로 또는 이것을 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 된다.
[기판 처리 수순]
계속해서, 기판 처리 방법의 일례로서, 도포 현상 장치(2)에서 실행되는 기판 처리 수순을 설명한다. 이 기판 처리 수순은, 워크(W)에 피막(메탈 함유 레지스트의 피막)을 형성하는 것과, 피막이 형성되고, 당해 피막에 노광 처리가 실시된 워크(W)에 대하여 가열 처리하는 것과, 가열 처리가 실시된 워크(W)의 피막을 현상 처리하는 것을 포함한다. 또한, 기판 처리 수순은, 노광 후의 피막을 현상하기 전에, 워크(W)의 표면에 대하여 불활성 가스를 접촉시키는 것을 포함한다.
또한, 이하의 수순에서는, 제어 장치(100)의 대기 제어 설정부(102)에 의해, 각 워크(W)의 대기 장소 및 대기 시간이 결정되어 있는 것으로 한다.
도 10은, 노광 처리 이후의 워크(W)의 처리 수순을 나타내는 흐름도이다. 먼저 제어 장치(100)는, 스텝 S01을 실행한다. 스텝 S01에서는, 유닛 제어부(106)가, 동작 지령 보유부(108)에 기억되어 있는 반송 계획에 기초하여, 워크(W)에 대한 노광 처리를 실행한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 스텝 S02를 실행한다. 스텝 S02에서는, 반송 제어부(104)는, 동작 지령 보유부(108)에 기억되어 있는 반송 계획과, 대기 제어 설정부(102)에 의해 설정된 대기 위치 및 대기 시간에 기초하여, 노광 처리가 종료된 워크(W)를 가스 공급 유닛(U6) 경유의 경로로 반송할지 여부를 판정한다. 판정 결과, 가스 공급 유닛(U6)을 경유한다고 판정한 경우(S02-"예"), 제어 장치(100)는, 스텝 S03을 실행한다. 스텝 S03에서는, 반송 제어부(104)는, 워크(W)를 가스 공급 유닛(U6)에 반입하도록 반송 장치(A8)를 제어한다. 또한, 스텝 S03에서는, 유닛 제어부(106)는, 가스 공급 유닛(U6)을 제어하여, 워크(W)를 반입할 때 챔버(20)의 개폐 동작을 행함과 함께, 가스 공급부(30)로부터의 가스의 공급을 개시시켜도 된다.
이어서, 제어 장치(100)는, 스텝 S04를 실행한다. 스텝 S04에서는, 반송 제어부(104)는, 대기 제어 설정부(102)에 의해 설정된 대기 위치 및 대기 시간에 기초하여, 가스 공급 유닛(U6)에서 소정의 대기 시간이 경과했는지를 판정한다. 소정의 대기 시간이 경과하지 않은 경우(S04-"아니오"), 소정의 대기 시간이 경과할 때까지 워크(W)를 가스 공급 유닛(U6) 내에 대기시킨다. 한편, 소정의 대기 시간이 경과한 경우(S04-"예"), 제어 장치(100)는, 스텝 S05를 실행한다. 스텝 S05에서는, 반송 제어부(104)는, 워크(W)를 가스 공급 유닛(U6)으로부터 반출하도록, 반송 장치(A8)를 제어한다.
스텝 S02에서, 워크(W)가 가스 공급 유닛(U6)을 경유하지 않는다고 판정한 경우(S02-"아니오"), 또는 스텝 S05를 실행한 후, 제어 장치(100)는, 스텝 S06을 실행한다. 스텝 S06에서는, 반송 제어부(104)는, 워크(W)를 열처리 유닛(U4)에 반입하도록 반송 장치(A8)를 제어한다. 또한, 스텝 S06에서는, 유닛 제어부(106)는, 열처리 유닛(U4)을 제어하여, 처리실(40) 내의 가열부(60)에서 워크(W)를 소정 시간 가열한 후에, 온도 조정부(50)로 이동시킨다.
이어서, 제어 장치(100)는, 스텝 S07을 실행한다. 스텝 S07에서는, 반송 제어부(104)는, 대기 제어 설정부(102)에 의해 설정된 대기 위치 및 대기 시간에 기초하여, 열처리 유닛(U4)에서 소정의 대기 시간이 경과했는지를 판정한다. 소정의 대기 시간이 경과하지 않은 경우(S07-"아니오"), 소정의 대기 시간이 경과할 때까지 워크(W)를 온도 조정부(50) 내에 대기시킨다. 또한, 대기 제어 설정부(102)에 의해, 열처리 유닛(U4)의 온도 조정부(50)에서는 대기시키지 않도록 설정이 되었을 경우에는, 소정의 대기 시간이 경과한(S07-"예") 것으로 해서, 후단의 처리로 이행한다.
소정의 대기 시간이 경과한 경우(S07-"예"), 제어 장치(100)는, 스텝 S08을 실행한다. 스텝 S08에서는, 반송 제어부(104)는, 워크(W)를 열처리 유닛(U4)으로부터 반출하고, 또한, 온도 조정 유닛(U5)에 반입하도록, 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 스텝 S08에서는, 유닛 제어부(106)는, 온도 조정 유닛(U5)을 제어하여, 워크(W)를 반입할 때 챔버(80)의 개폐 동작을 행함과 함께, 가스 공급부(90)로부터의 가스의 공급을 개시시켜도 된다.
이어서, 제어 장치(100)는, 스텝 S09를 실행한다. 스텝 S09에서는, 반송 제어부(104)는, 대기 제어 설정부(102)에 의해 설정된 대기 위치 및 대기 시간에 기초하여, 온도 조정 유닛(U5)에서 소정의 대기 시간이 경과했는지를 판정한다. 소정의 대기 시간이 경과하지 않은 경우(S09-"아니오"), 소정의 대기 시간이 경과할 때까지 워크(W)를 온도 조정 유닛(U5) 내에 대기시킨다. 한편, 소정의 대기 시간이 경과한 경우(S09-"예"), 제어 장치(100)는, 스텝 S10을 실행한다. 스텝 S10에서는, 반송 제어부(104)는, 워크(W)를 온도 조정 유닛(U5)으로부터 반출하고, 또한, 현상 유닛(U3)에 반입하도록, 반송 장치(A3)를 제어한다. 그 후, 제어 장치(100)는, 스텝 S11을 실행한다. 스텝 S11에서는, 유닛 제어부(106)는, 현상 유닛(U3)을 제어하여, 워크(W)에 대한 현상 처리를 행한다. 이에 의해, 워크(W)의 현상 처리가 완료된다.
[실시 형태의 효과]
이상 설명한 본 실시 형태에 관한 도포 현상 장치(2)는, 메탈 함유 레지스트의 피막을 형성하는 성막 처리부로서의 도포 유닛(U1)과, 피막에 대하여 노광 처리가 실시된 워크(W)를 가열 처리하는 열처리부로서의 열처리 유닛(U4)과, 가열 처리가 실시된 워크(W)의 피막을 현상 처리하는 현상 유닛(U3)과, 노광 처리 후부터 현상 처리가 행해지기 전의 기간에 있어서, 피막을 불활성 가스와 접촉시키는 가스 접촉부(예를 들어, 가스 공급 유닛(U6), 열처리 유닛(U4) 및 온도 조정 유닛(U5))를 갖는다.
상기 도포 현상 장치(2)는, 가스 접촉부에서 피막이 불활성 가스와 접촉하기 때문에, 가스 접촉부를 마련하지 않는 경우에 비하여, 메탈 함유 레지스트에 의한 피막이 대기 분위기에 접촉하는 시간을 짧게 할 수 있다. 상기 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 가스 접촉부로서 기능하는, 가스 공급 유닛(U6), 열처리 유닛(U4) 및 온도 조정 유닛(U5)에서, 워크(W)의 표면의 메탈 함유 레지스트와 수분 및/또는 산소의 접촉을 피할 수 있기 때문에, 대기 분위기와의 접촉 시간을 짧게 할 수 있다.
가스 접촉부는, 소정의 하우징 내에 워크(W)를 일차적으로 적재함과 함께, 상기 하우징 내에 상기 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 가스 처리 유닛으로서의 가스 공급 유닛(U6)이어도 된다. 또한, 가스 공급 유닛(U6)은, 인터페이스 블록(6)에 마련되어 있어도 된다. 이러한 구성으로 함으로써, 가스 공급 유닛(U6) 내에 워크(W)를 반송함으로써, 피막을 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다. 또한, 이 가스 공급 유닛(U6)이 인터페이스 블록(6)에 마련되어 있을 경우, 노광 장치(3)와의 사이에서 워크(W)를 반송하는 도중에 워크(W)를 가스 공급 유닛(U6)에 반송할 수 있다. 그 때문에, 가스 공급 유닛(U6)에의 반송 시간도 짧게 할 수 있어, 워크(W)가 대기 분위기에 노출되는 시간을 줄일 수 있다.
열처리부로서의 열처리 유닛(U4)은, 워크(W)를 가열하는 열판(62)과, 열판(62)에서의 가열 처리 후의 워크(W)를 보유 지지하는 온도 조정 플레이트(51)를 갖고 있어도 된다. 이때, 가스 접촉부는, 열처리 유닛(U4)의 온도 조정 플레이트(51)와, 온도 조정 플레이트(51) 상의 워크(W)의 피막이 불활성 가스와 접촉하도록, 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급부로서의 가스 공급부(58)를 포함하고 있어도 된다. 열처리 유닛(U4)에서, 가열 처리 후에 온도 조정 플레이트(51)에서 보유 지지되는 워크(W)의 피막에 대해서도, 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다.
가스 접촉부는, 제2 가스 공급부로서의 가스 공급부(58)로부터 공급된 불활성 가스가 피막과 접촉하도록 온도 조정 플레이트(51)의 주위를 둘러싸는 챔버(54)를 더 포함하고 있어도 된다. 온도 조정 플레이트(51)의 주위를 챔버(54)로 둘러싸는 구성으로 함으로써, 가스 공급부(58)로부터 공급된 불활성 가스를 피막과 접촉시키기 쉬워진다.
가스 접촉부는, 열처리 유닛(U4)으로부터 반출된 워크(W)를, 현상 처리부로서의 현상 유닛(U3)에 반입하기 전에 일차적으로 보유 지지하는 온도 조정 유닛(U5)이어도 된다. 이때, 온도 조정 유닛(U5)은, 유닛 내에 불활성 가스를 공급하는 제3 가스 공급부로서의 가스 공급부(90)를 포함하고 있어도 된다. 이러한 구성으로 함으로써, 온도 조정 유닛(U5)에서도, 워크(W)의 피막을 불활성 가스와 접촉시킬 수 있기 때문에, 워크(W)가 대기 분위기에 노출되는 시간을 줄일 수 있다.
도포 현상 장치(2)는, 가스 접촉부에서의 워크(W)의 접촉 기간과, 가스 접촉부에의 워크(W)의 반송을 제어하는 제어부로서의 제어 장치(100)를 더 가져도 된다. 이러한 구성으로 함으로써, 제어 장치(100)에 의해, 가스 접촉부에서의 워크(W)의 접촉 기간과, 워크(W)의 반송을 제어하는 것이 가능해져, 예를 들어 복수의 워크(W)의 반송 경로 등을 조절하면서, 각 워크(W)의 메탈 함유 레지스트에 의한 피막이 대기 분위기에 접촉하는 시간을 짧게 할 수 있다.
이때, 가스 접촉부는, 소정의 하우징으로서의 챔버(20) 내에 워크(W)를 일차적으로 적재함과 함께, 하우징 내에 가스를 공급하는 가스 공급부(30)를 포함하는 가스 처리 유닛으로서의 가스 공급 유닛(U6)이어도 된다. 또한, 가스 공급 유닛(U6)은, 인터페이스 블록(6)에 마련되어 있어도 된다. 이때, 제어 장치(100)는, 워크(W)를 가스 공급 유닛(U6)에 반송하여, 가스 공급 유닛(U6)에서, 피막을 불활성 가스에 소정 시간 접촉시키는 제어를 행해도 된다. 이러한 구성으로 한 경우, 제어 장치(100)에 의해 가스 공급 유닛(U6)에 워크(W)를 반송함으로써, 피막을 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다.
열처리부로서의 열처리 유닛(U4)은, 워크(W)를 가열하는 열판(62)과, 열판(62)에서의 가열 처리 후의 워크(W)를 보유 지지하는 온도 조정 플레이트(51)와, 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급부로서의 가스 공급부(58)를 포함하고 있어도 된다. 이때, 제어 장치(100)는, 가스 공급 유닛(U6)으로부터 반출된 워크(W)에 대하여, 온도 조정 플레이트(51) 상에서, 피막을 불활성 가스에 소정 시간 접촉시키는 제어를 행해도 된다. 이러한 구성으로 함으로써, 제어 장치(100)에 의해 온도 조정 플레이트(51) 상에서 기판을 대기시키면서, 피막을 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다.
열처리 유닛(U4)으로부터 반출된 워크(W)를, 현상 처리부로서의 현상 유닛(U3)에 반입하기 전에 일차적으로 보유 지지하는 온도 조정 유닛(U5)을 또한 갖고 있어도 된다. 이때, 온도 조정 유닛(U5)은, 유닛 내에 불활성 가스를 공급하는 제3 가스 공급부로서의 가스 공급부(90)를 포함하고 있어도 된다. 이때, 제어 장치(100)는, 열처리 유닛(U4)으로부터 반출된 워크(W)에 대하여, 온도 조정 유닛(U5)에서, 피막을 불활성 가스에 소정 시간 접촉시키는 제어를 행하는 양태로 해도 된다. 이러한 구성으로 한 경우, 제어 장치(100)에 의해 온도 조정 유닛(U5)에 워크(W)를 반송함으로써, 피막을 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다.
또한, 상기 불활성 가스는 질소 가스인 양태로 해도 된다. 이러한 구성으로 함으로써, 기판이 대기 분위기에 노출되는 상태를 보다 저렴하면서 또한 확실하게 줄일 수 있다. 또한, 가스 접촉부에서 워크(W)와 접촉시키는 가스는, 그 순도가 100％일 필요는 없으며, 불활성 가스와는 다른 성분이 포함되어 있어도 된다. 단, 상술한 바와 같이, 기체 중의 수분이 워크(W)의 피막의 선폭(CD)에 영향을 주는 경우도 생각되기 때문에, 가스 접촉부로부터 공급하는 가스에 포함되는 수분이 원하는 범위(예를 들어, 5％ 이하)로 조절되어 있음으로써, 선폭(CD)에의 영향을 작게 할 수 있다. 마찬가지로, 가스 접촉부에서 공급하는 가스에 포함되는 산소 성분을 작게 하도록 조절하는 것도, 선폭(CD)에의 영향을 작게 하는 것에 유효하다. 한편, 산소량의 조절이 선폭(CD)의 컨트롤에 유효할 경우, 불활성 가스에 소정량의 산소 성분을 혼합시킨 가스를 워크(W)에 대하여 공급하는 구성으로 해도 된다.
[변형예]
이상, 다양한 예시적 실시 형태에 대해서 설명해 왔지만, 상술한 예시적 실시 형태에 한정되지 않고, 다양한 생략, 치환 및 변경이 이루어져도 된다. 또한, 다른 실시 형태에서의 요소를 조합해서 다른 실시 형태를 형성하는 것이 가능하다.
(가스 접촉부의 형상의 변형예)
상기 실시 형태에서는, 가스 접촉부가, 가스 공급 유닛(U6), 열처리 유닛(U4) 및 온도 조정 유닛(U5)에서 실현되는 예를 설명했다. 또한, 이들 구성예로서, 1매의 워크(W)를 보유 지지한 상태에서, 워크(W)에 대하여 불활성 가스를 접촉시키는 구성에 대해서 설명했다. 그러나, 이와 같은 구성 대신에, 복수의 워크(W)를 불활성 가스에 대하여 동시에 접촉시키는 구성을 채용해도 된다. 이와 같은 구성의 예로서, 도 11 및 도 12를 참조하면서 2개의 예를 나타낸다. 도 11 및 도 12에 도시하는 변형예는, 가스 공급 유닛(U6) 및 온도 조정 유닛(U5)의 어느 쪽에도 적용할 수 있다.
도 11에는, 제1 예로서, 상방으로부터 불활성 가스를 공급하는 가스 접촉부로서 가스 공급 유닛(U12)의 구성을 나타내고 있다. 가스 접촉부로서 기능하는 가스 공급 유닛(U12)은, 워크(W)를 보유 지지하는 기판 보유 지지부(201)와, 기판 보유 지지부(201)의 상방 및 측방을 둘러싸는 포위부(202)와, 포위부(202)의 상방으로부터 포위부 내에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급구(203)를 갖고 있다. 기판 보유 지지부(201)는 상하 방향으로 복수 배열되어 있고, 복수의 기판 보유 지지부(201)에 의해 복수의 워크(W)를 보유 지지 가능하여도 된다. 또한, 포위부(202)는, 구동부(204)에 의해 상하 방향으로 구동 가능하여도 된다. 또한, 포위부(202)는, 하단은 바닥면(205)에 대하여 이격되어, 포위부(202)의 하단(202a)과 바닥면(205)의 사이에 공간(간극)이 마련되어 있어도 된다. 또한, 포위부(202)에는, 가스 공급구(203)와는 다른 종류의 가스를 공급하는 가스 공급구(206)가 마련되어 있어도 된다. 이 경우, 가스 공급구(206)로부터 공급하는 가스로서는, 예를 들어 산소 등을 들 수 있다.
이때, 도 11의 (a)에 도시하는 바와 같이, 포위부(202) 내에 가스 공급구(203)로부터 불활성 가스가 공급됨으로써, 내부의 대기는 하방으로 압출된다. 불활성 가스가 질소 가스일 경우, 질소 가스보다도 대기 중의 산소 또는 이산화탄소는 그 비중의 차에 의해 하방으로 압입되어, 하단(202a)과 바닥면(205)의 사이에 간극으로부터 외측으로 압출된다. 따라서, 하방에 간극이 있는 포위부(202)를 사용한 경우라도, 불활성 가스와 워크(W)의 피막의 접촉을 실현할 수 있다.
또한, 워크(W)를 이동시킬 때는, 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 구동부(204)의 구동에 의해, 포위부(202)를 상방으로 이동시킨다. 이에 의해, 하단(202a)과 바닥면(205)의 사이의 간극이 커져서, 워크(W)의 이동이 가능하게 된다. 또한, 기판 보유 지지부(201) 자체를 이동 가능한 구성으로 해도 된다.
도 12에는, 제2 예로서, 포위부의 형상이 변경된 가스 공급 유닛(U13)의 구성을 나타내고 있다. 가스 접촉부로서 기능하는 가스 공급 유닛(U13)은, 워크(W)를 보유 지지하는 기판 보유 지지부(301)와, 기판 보유 지지부(301)의 상방 및 하방과, 측방의 일부를 둘러싸는 포위부(302)와, 포위부(302) 내에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급구(303)를 갖고 있다. 기판 보유 지지부(301)는 상하 방향으로 복수 2매의 워크(W)를 보유 지지 가능하여도 된다. 또한, 포위부(302)는, 구동부(304)에 의해 수평 방향으로 구동 가능하여도 된다. 또한, 포위부(302) 및 구동부(304)는, 하우징(305) 내에 배치되어 있어도 된다.
이때, 도 12의 (a)에 도시하는 바와 같이, 포위부(302) 내의 가스 공급구(303)로부터 불활성 가스가 공급됨으로써, 내부의 대기는 측방의 개구로부터 외측으로 압출된다. 따라서, 측방에 간극이 있는 포위부(302)를 사용한 경우라도, 불활성 가스와 워크(W)의 피막의 접촉을 실현할 수 있다.
또한, 워크(W)를 이동시킬 때는, 도 12의 (b)에 도시하는 바와 같이, 구동부(304)의 구동에 의해, 포위부(302)를 수평 방향으로, 기판 보유 지지부(301)와 겹치지 않는 위치까지 이동시킨다. 이에 의해, 워크(W)의 이동이 가능하게 된다. 이 가스 공급 유닛(U13)은, 가스 공급 유닛(U12)에 비하여, 유닛의 높이 저감화가 가능하기 때문에, 상하 방향의 공간의 크기에 제한이 있을 경우에 유효한 구성으로 될 수 있다. 또한, 포위부(302)를 이동시키는 것 대신에, 기판 보유 지지부(301)를 이동 가능한 구성으로 해도 된다. 또한, 가스 공급 유닛(U12)과 마찬가지로, 가스 공급구(303)와는 다른 종류의 가스를 공급하는 가스 공급구가 별도 마련되어 있어도 된다.
(기타 변형예)
상기 실시 형태에서는, 가스 접촉부가, 가스 공급 유닛(U6), 열처리 유닛(U4) 및 온도 조정 유닛(U5)에서 실현되는 예를 설명했지만, 이 중 일부에서만 가스 접촉부로서 실현되어 있어도 된다. 예를 들어, 가스 공급 유닛(U6)만이 가스 접촉부로서 기능하는 구성이어도 된다.
상기 실시 형태에서는, 가스 공급 유닛(U6)을 사용하여, 노광 처리 후의 워크(W)에 대하여 불활성 가스를 접촉시키는 구성을 설명했다. 이 구성과는 별도로, 성막 처리부에 의한 처리 후부터 노광 처리가 행해지기 전, 즉, 노광 장치(3)에 반입되기 전의 워크(W)에 대해서, 워크(W)의 피막을 불활성 가스와 접촉시키는 제2 가스 접촉부를 또한 갖고 있어도 된다. 제2 가스 접촉부의 구성은, 예를 들어 도 4에 도시하는 가스 공급 유닛(U6)과 마찬가지의 구성으로 할 수 있다. 또한, 제2 가스 접촉부를 도포 현상 장치(2)에 배치하는 경우, 예를 들어 도 2 또는 도 3에 도시하는 세정 유닛(U7)이 배치되어 있는 인터페이스 블록(6)의 일부분에 배치하는 것을 생각할 수 있다.
상기 실시 형태에서는, 노광 처리 후의 피막이 수분 및/또는 산소와 접촉함으로써, 선폭(CD)에 영향을 주는 것에 대해서 설명했지만, 노광 처리가 행해지기 전의 피막과 수분 및/또는 산소의 접촉도, 피막의 선폭에 영향을 미칠 수 있다. 즉, 상기 실시 형태에서는, 노광 후 지연 시간(PED 시간)이 선폭(CD)에 영향을 줄 가능성이 있는 것에 대해서 설명했지만, 노광 전의 노광 전 지연 시간의 길이도 선폭(CD)에 영향을 줄 가능성이 있다. 따라서, 제2 가스 접촉부를 배치하는 구성으로 함으로써, 메탈 함유 레지스트의 선폭을 보다 안정적으로 조정할 수 있다.
또한, 제2 가스 접촉부를 배치하는 경우, 상기와 같이 인터페이스 블록(6)에 유닛으로서 배치하는 것 대신에 또는 그에 더하여, 다른 구성을 채용해도 된다. 예를 들어, 메탈 함유 레지스트를 워크(W)에 도포한 후, 노광 전의 가열 처리를 행하기 전에, 제2 가스 접촉부로서의 유닛 또는 기능부가 마련되어 있어도 된다. 또한, 상기 장소에 한하지 않고, 워크(W)의 반송 경로에서의 각 모듈에 대해서, 열처리 유닛(U4)과 마찬가지로, 불활성 가스를 접촉시키는 기능을 마련하도록 구성해도 된다. 상술한 바와 같이, 워크(W)는, 도포 현상 장치(2)의 캐리어(C)로부터 취출되어, 캐리어 블록(4)으로부터 처리 블록(5)에 반송된 후, 처리 블록(5)에서 메탈 함유 레지스트에 의한 피막 형성과 노광 전의 열처리가 행해지고, 그 후, 노광 전의 열처리를 행한 후, 인터페이스 블록(6)에 반송되어, 인터페이스 블록(6)으로부터 노광 장치(3)에 반송된다. 피막을 형성한 후에 한정되지 않고, 노광 장치(3)를 반송하기 전의 워크(W)에 대하여 불활성 가스를 접촉시키는 제2 가스 접촉부로서의 기능이, 워크(W)의 경로 상에 유닛 또는 기능부로서 마련되어 있어도 된다.
또한, 상기 불활성 가스와 워크(W) 상의 피막을 접촉시키는 구성은, 도포 현상 장치(2)와는 다른 장치에도 적용이 가능하다. 예를 들어, 워크(W)에 대한 도포 처리만을 행하는 도포 장치에서도, 상술한 제2 가스 접촉부에 대응하는 기능을 탑재시켜도 된다.
이상의 설명으로부터, 본 개시의 다양한 실시 형태는, 설명의 목적으로 본 명세서에 설명되어 있으며, 본 개시의 범위 및 주지로부터 일탈하지 않고 다양한 변경을 이룰 수 있음이 이해될 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시한 다양한 실시 형태는 한정하는 것을 의도하고 있지 않으며, 참된 범위와 주지는, 첨부의 특허 청구 범위에 의해 나타내진다.
(기판 처리의 변형예)
도포 현상 장치(2)에서는, 복수의 워크(W)가 동시에 처리된다. 그래서, 각 유닛에서 워크(W)의 처리가 완료될 때까지는, 다음에 처리되는 워크(W)를 가스 접촉부에서 불활성 가스에 노출시키도록 반송 계획이 실행된다. 그리고, 각 유닛에서 다음에 처리되는 워크(W)를 수용 가능해진 후에, 다음에 처리되는 워크(W)가 반입되도록 반송 계획이 실행된다.
도 13에는, 기판 처리 방법의 다른 일례를 나타내는 흐름도를 나타내고 있다. 먼저, 제어 장치(100)는, 스텝 S01을 실행한다. 스텝 S01에서는, 유닛 제어부(106)가, 동작 지령 보유부(108)에 기억되어 있는 반송 계획에 기초하여, 워크(W)에 대한 노광 처리를 실행한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 스텝 S02를 실행한다. 스텝 S02에서는, 반송 제어부(104)는, 노광 처리가 종료된 워크(W)를 가스 공급 유닛(U6)에 반입하도록 반송 장치(A8)를 제어한다. 스텝 S02에서는, 유닛 제어부(106)는, 가스 공급 유닛(U6)을 제어하여, 챔버(20)(수용실)의 개폐 동작을 행하여, 워크(W)를 챔버(20)에 수용한다. 그와 함께, 유닛 제어부(106)는, 가스 공급부(30)로부터의 챔버(20) 내에의 가스의 공급을 개시시킨다. 이때, 가스 공급 유닛(U6)이, 가스 접촉부로서 기능한다. 유닛 제어부(106)는, 워크(W)가 챔버(20)에 수용되기 전부터, 가스 공급부(30)로부터 챔버(20) 내에의 가스의 공급을 개시시켜서, 미리 챔버(20) 내를 불활성 가스로 채워 두어도 된다.
이어서, 제어 장치(100)는, 스텝 S03을 실행한다. 스텝 S03에서는, 반송 제어부(104)는, 열처리 유닛(U4)이 워크(W)를 수용 가능한지 여부를 판정한다. 예를 들어 반송 제어부(104)는, 워크(W)의 반송 이력, 또는 열처리 유닛(U4)으로부터 얻어지는 스테이터스 신호 등에 기초하여, 열처리 유닛(U4)이 워크(W)를 수용 가능한지 여부를 판정한다. 판정 결과, 열처리 유닛(U4)이 워크(W)를 수용 가능하지 않을 경우(S03-"아니오"), 반송 제어부(104)는, 워크(W)를 가스 공급 유닛(U6)으로부터 반출하지 않도록 반송 장치(A8)를 제어한다. 이때, 워크(W)는, 가스 공급 유닛(U6) 내에서, 계속해서 불활성 가스에 노출되어도 된다. 바꿔 말하면, 반송 제어부(104)는, 워크(W)를 가스 공급 유닛(U6) 내에 대기시켜도 된다. 또한, 열처리 유닛(U4)이 워크(W)를 수용 가능하지 않을 경우란, 예를 들어 열처리 유닛(U4) 내에서 다른 워크(W)에 대한 열처리가 행해지고 있는 경우를 생각할 수 있다. 상기 구성으로 함으로써, 다른 워크(W)에 대하여 가열 처리가 완료될 때까지는, 가스 공급 유닛(U6)에서 워크(W)를 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다. 이에 의해, 워크(W)가 유닛 밖에서 대기함으로써 수분, 산소 및/또는 이산화탄소와 접촉하는 시간을 줄일 수 있다.
판정 결과, 열처리 유닛(U4)이 워크(W)를 수용 가능한 경우(S03-"예"), 제어 장치(100)는, 스텝 S04를 실행한다. 스텝 S04에서는, 반송 제어부(104)는, 워크(W)를 가스 공급 유닛(U6)에서의 챔버(20)로부터 반출하여, 열처리 유닛(U4)에 반입하도록 반송 장치(A8)를 제어한다.
계속해서, 제어 장치(100)는, 스텝 S05를 실행한다. 스텝 S05에서는, 유닛 제어부(106)는, 열처리 유닛(U4)을 제어하여, 가열부(60)의 열판(62)에서 워크(W)를 소정 시간 가열한 후에, 온도 조정부(50)의 온도 조정 플레이트(51)로 이동시킨다. 스텝 S05에서는, 유닛 제어부(106)는, 열처리 유닛(U4)을 제어하여, 온도 조정부(50)의 챔버(54)(제2 수용실)의 개폐 동작을 행하여, 워크(W)를 챔버(54)에 수용한다. 그와 함께, 유닛 제어부(106)는, 가스 공급부(58)(제2 가스 공급부)로부터의 챔버(54) 내에의 가스의 공급을 개시시켜도 된다. 이때, 열처리 유닛(U4)에서의 온도 조정부(50)가, 가스 접촉부로서 기능해도 된다. 유닛 제어부(106)는, 워크(W)가 챔버(54)에 수용되기 전부터, 가스 공급부(58)로부터 챔버(54) 내에의 가스의 공급을 개시시켜서, 미리 챔버(54) 내를 불활성 가스로 채워 두어도 된다.
이어서, 제어 장치(100)는, 스텝 S06을 실행한다. 스텝 S06에서는, 반송 제어부(104)는, 온도 조정 유닛(U5)이 워크(W)를 수용 가능한지 여부를 판정한다. 예를 들어 반송 제어부(104)는, 워크(W)의 반송 이력, 또는 온도 조정 유닛(U5)으로부터 얻어지는 스테이터스 신호 등에 기초하여, 온도 조정 유닛(U5)이 워크(W)를 수용 가능한지 여부를 판정한다. 판정 결과, 온도 조정 유닛(U5)이 워크(W)를 수용 가능하지 않을 경우(S06-"아니오"), 반송 제어부(104)는, 워크(W)를 열처리 유닛(U4)에서의 온도 조정부(50)로부터 반출하지 않도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 이 경우, 워크(W)는, 열처리 유닛(U4)에서의 온도 조정부(50) 내에서, 계속해서 불활성 가스에 노출되어도 된다. 바꿔 말하면, 반송 제어부(104)는, 워크(W)를 열처리 유닛(U4)에서의 온도 조정부(50) 내에 대기시켜도 된다. 또한, 온도 조정 유닛(U5)이 워크(W)를 수용 가능하지 않을 경우란, 예를 들어 온도 조정 유닛(U5) 내에서 다른 워크(W)에 대한 온도 조정 처리가 행해지고 있는 경우를 생각할 수 있다. 상기 구성으로 함으로써, 다른 워크(W)에 대하여 온도 조정 처리가 완료될 때까지는, 열처리 유닛(U4)에 포함되는 온도 조정부(50)에서 워크(W)를 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다. 이에 의해, 워크(W)가 유닛 밖에서 대기함으로써 수분, 산소 및/또는 이산화탄소와 접촉하는 시간을 줄일 수 있다.
판정 결과, 온도 조정 유닛(U5)이 워크(W)를 수용 가능한 경우(S06-"예"), 제어 장치(100)는, 스텝 S07을 실행한다. 스텝 S07에서는, 반송 제어부(104)는, 워크(W)를 열처리 유닛(U4)에서의 온도 조정부(50)의 챔버(54)로부터 반출하여, 온도 조정 유닛(U5)에 반입하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 스텝 S07에서는, 유닛 제어부(106)는, 온도 조정 유닛(U5)을 제어하여, 온도 조정 유닛(U5)의 챔버(80)의 개폐 동작을 행하여, 워크(W)를 챔버(80)에 수용한다. 그와 함께, 유닛 제어부(106)는, 가스 공급부(90)(제3 가스 공급부)로부터의 챔버(80) 내에의 가스의 공급을 개시시켜도 된다. 이때, 온도 조정 유닛(U5)이, 가스 접촉부로서 기능해도 된다. 유닛 제어부(106)는, 워크(W)가 챔버(80)에 수용되기 전부터, 가스 공급부(90)로부터 챔버(80) 내에의 가스의 공급을 개시시켜서, 미리 챔버(80) 내를 불활성 가스로 채워 두어도 된다.
이어서, 제어 장치(100)는, 스텝 S08을 실행한다. 스텝 S08에서는, 반송 제어부(104)는, 현상 유닛(U3)이 워크(W)를 수용 가능한지 여부를 판정한다. 예를 들어 반송 제어부(104)는, 워크(W)의 반송 이력, 또는 현상 유닛(U3)으로부터 얻어지는 스테이터스 신호 등에 기초하여, 현상 유닛(U3)이 워크(W)를 수용 가능한지 여부를 판정한다. 판정 결과, 현상 유닛(U3)이 워크(W)를 수용 가능하지 않을 경우(S08-"아니오"), 반송 제어부(104)는, 워크(W)를 온도 조정 유닛(U5)으로부터 반출하지 않도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 이 경우, 워크(W)는, 온도 조정 유닛(U5) 내에서, 계속해서 불활성 가스에 노출되어도 된다. 바꿔 말하면, 반송 제어부(104)는, 워크(W)를 온도 조정 유닛(U5) 내에 대기시켜도 된다. 또한, 현상 유닛(U3)이 워크(W)를 수용 가능하지 않을 경우란, 예를 들어 현상 유닛(U3) 내에서 다른 워크(W)에 대한 현상 처리가 행해지고 있는 경우를 생각할 수 있다. 상기 구성으로 함으로써, 다른 워크(W)에 대하여 현상 처리가 완료될 때까지는, 온도 조정 유닛(U5)에서 워크(W)를 불활성 가스와 접촉시킬 수 있다. 이에 의해, 워크(W)가 유닛 밖에서 대기함으로써 수분, 산소 및/또는 이산화탄소와 접촉하는 시간을 줄일 수 있다.
판정 결과, 현상 유닛(U3)이 워크(W)를 수용 가능한 경우(S08-"예"), 제어 장치(100)는, 스텝 S09를 실행한다. 스텝 S09에서는, 반송 제어부(104)는, 워크(W)를 온도 조정 유닛(U5)의 챔버(80)로부터 반출하여, 현상 유닛(U3)에 반입하도록 반송 장치(A3)를 제어한다.
마지막으로, 제어 장치(100)는, 스텝 S10을 실행한다. 스텝 S10에서는, 유닛 제어부(106)는, 현상 유닛(U3)을 제어하여, 워크(W)에 대한 현상 처리를 행한다. 이에 의해, 워크(W)에 대한 일련의 기판 처리가 완료된다.
도포 현상 장치가 온도 조정 유닛(U5)을 구비하지 않을 경우, 스텝 S06, S07이 생략되고, 스텝 S05 후에 스텝 S08이 실행된다. 스텝 S09에서는, 열처리 유닛(U4)으로부터 워크(W)가 반출된다.
도포 현상 장치가 온도 조정 유닛(U5)을 구비하는 경우에도, 반송 제어부(104)는, 온도 조정 유닛(U5)을 거치지 않고, 일부 워크(W)를 열처리 유닛(U4)으로부터 현상 유닛(U3)에 직접 반송해도 된다. 예를 들어, 열처리 유닛(U4)에서의 온도 조정부(50) 내에 워크(W)가 배치된 상태에서, 다음 워크(W)가 열처리 유닛(U4)에의 반입을 대기하기 전에, 현상 유닛(U3)에의 워크(W)의 반입이 가능하게 되었을 경우에, 반송 제어부(104)는, 열처리 유닛(U4)으로부터 현상 유닛(U3)에 워크(W)를 직접 반송해도 된다. 이와 같이, 온도 조정 유닛(U5)을 경유하는 것을 부분적으로 생략함으로써, 반송 장치(A3)의 부담을 경감할 수 있다.
상술한 수순에 있어서, 반송 제어부(104)는, 각 유닛에서 다른 워크(W)에 대한 처리가 완료되어, 워크(W)를 수용 가능하게 되었을 경우에도, 반드시 바로 워크(W)를 반송하도록 반송 장치(A8 또는 A3)를 제어하지 않아도 된다. 예를 들어, 열처리 유닛(U4)에서의 온도 조정부(50)의 챔버(54)에서 워크(W)가 불활성 가스에 노출되어 있고, 온도 조정 유닛(U5)에서 다른 워크(W)에 대한 온도 조정 처리가 완료된 경우를 상정한다. 이 경우에도, 예를 들어 다음에 열처리 유닛(U4)에서 처리되는 또 다른 워크(W)가 아직 가스 공급 유닛(U6)에 반입되어 있지 않은 경우, 워크(W)는, 열처리 유닛(U4)에서의 온도 조정부(50) 내에서, 계속해서 불활성 가스에 노출되어도 된다. 혹은, 또 다른 워크(W)에 대하여 가스 공급 유닛(U6)에서 처리되는 시간이 충분히 경과하지 않은 경우, 워크(W)는, 계속해서 불활성 가스에 노출되어도 된다. 이와 같이, 온도 조정부(50), 가스 공급 유닛(U6), 또는 온도 조정 유닛(U5) 등에서의 워크(W)의 대기 시간을 적절히 변경함으로써, 반송 장치(A3)의 부담을 시계열로 분산시킬 수 있다.
(도포 현상 장치의 제1 변형예)
도포 현상 장치의 구성은, 실시 형태에 관한 도포 현상 장치(2)에 한정되지 않는다. 제1 변형예에 관한 도포 현상 장치에서는, 인터페이스 블록(6)에 마련된 선반 유닛(U11)이 가스 접촉부로서 기능해도 된다. 이 경우, 예를 들어 선반 유닛(U11)은, 가스 공급부(30)에 접속되어 있다. 그리고, 유닛 제어부(106)는, 선반 유닛(U11)의 복수의 셀 내에 가스 공급부(30)로부터 불활성 가스를 공급하도록, 선반 유닛(U11) 및 가스 공급부(30)를 제어한다. 선반 유닛(U11)이 가스 접촉부로서 기능하는 경우, 인터페이스 블록(6)에, 가스 공급 유닛(U6)이 마련되어 있지 않아도 된다.
(도포 현상 장치의 제2 변형예)
도 14에는, 제2 변형예에 관한 도포 현상 장치(2A)를 예시하는 모식도를 나타내고 있다. 도포 현상 장치(2A)는, 제1 처리 블록(5A)과, 제2 처리 블록(5B)을 구비하고 있는 점에서 실시 형태에 관한 도포 현상 장치(2)와 상이하고, 그 이외의 구성에 있어서는 도포 현상 장치(2)와 동일하다. 제1 처리 블록(5A) 및 제2 처리 블록(5B)은, 서로 인접해서 배열되어 있다. 도 14의 예에서는, 제1 처리 블록(5A)은, 캐리어 블록(4)에 인접해서 배치되어 있다. 제2 처리 블록(5B)은, 인터페이스 블록(6)에 인접해서 배치되어 있다.
도 15에는, 도포 현상 장치(2A)의 XV-XV선을 따라 본 도면에 대응하는 구성을 예시하고 있다. 제1 처리 블록(5A) 및 제2 처리 블록(5B) 각각은, 셔틀 반송로(S1)를 갖고 있는 점에서 처리 블록(5)의 구성과 상이하고, 그 이외의 구성에 있어서는 처리 블록(5)과 동일하다. 처리 모듈(11)측을 하측, 처리 모듈(14)측을 상측으로 했을 때, 셔틀 반송로(S1)는, 처리 모듈(14) 상에 배치되어 있다. 셔틀 반송로(S1) 내에는, 셔틀 반송 장치(A0)가 마련되어 있다. 여기서, 제1 처리 블록(5A) 내에 마련된 선반 유닛을 선반 유닛(U10A)으로 하고, 제2 처리 블록(5B)에 마련된 선반 유닛을 선반 유닛(U10B)으로 한다.
제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송 장치(A0)는, 선반 유닛(U10A)과 선반 유닛(U10B)의 사이에서 쌍방향으로 워크(W)를 반송한다. 또한, 제2 처리 블록(5B) 내의 셔틀 반송 장치(A0)는, 선반 유닛(U10B)과 선반 유닛(U11)의 사이에서 쌍방향으로 워크(W)를 반송한다.
선반 유닛(U10A), 선반 유닛(U10B), 선반 유닛(U11), 제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송로(S1) 및 제2 처리 블록(5B) 내의 셔틀 반송로(S1) 중 적어도 하나는, 가스 접촉부로서 기능한다. 선반 유닛(U10A), 선반 유닛(U10B), 선반 유닛(U11), 제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송로(S1) 및 제2 처리 블록(5B) 내의 셔틀 반송로(S1)는, 기존의 가스 공급부와 접속되어 있어도 된다. 기존의 가스 공급부란, 예를 들어 열처리 유닛(U4) 내에 마련된 가스 공급부(58)이다. 혹은, 선반 유닛(U10A), 선반 유닛(U10B), 선반 유닛(U11), 제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송로(S1) 및 제2 처리 블록(5B) 내의 셔틀 반송로(S1)는, 새롭게 마련된 가스 공급부와 접속되어 있어도 된다. 유닛 제어부(106)는, 선반 유닛(U10A), 선반 유닛(U10B) 및 선반 유닛(U11)의 복수의 셀 내에 가스 공급부로부터 불활성 가스를 공급하도록, 각 선반 유닛 및 각 선반 유닛에 접속된 가스 공급부를 제어한다. 또한, 유닛 제어부(106)는, 제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송로(S1) 및 제2 처리 블록(5B) 내에 가스 공급부로부터 불활성 가스를 공급하도록, 각 셔틀 반송로(S1) 및 각 셔틀 반송로(S1)에 접속된 가스 공급부를 제어한다.
이하, 선반 유닛(U10A), 선반 유닛(U10B), 선반 유닛(U11), 제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송로(S1) 및 제2 처리 블록(5B) 내의 셔틀 반송로(S1) 중 적어도 하나가 가스 접촉부로서 기능하는 몇 가지의 패턴에 대해서 설명한다.
제1 패턴으로서, 제2 처리 블록(5B)에서 열처리가 행해지고, 제1 처리 블록(5A)에서 현상 처리가 행하여지는 경우에 대해서 설명한다. 반송 제어부(104)는, 노광 처리 후의 워크(W)를 선반 유닛(U11)에 반입하도록 반송 장치(A8)를 제어한다. 선반 유닛(U11)은, 제2 처리 블록(5B) 내의 열처리 유닛(U4)에서 열처리가 가능해질 때까지 워크(W)를 보관해도 된다. 이때, 선반 유닛(U11)은, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 계속해서, 반송 제어부(104)는, 제2 처리 블록(5B) 내의 열처리 유닛(U4)에서 열처리가 가능해지면, 워크(W)를 선반 유닛(U11)으로부터 반출 후, 열처리 유닛(U4)에 반입하도록, 제2 처리 블록(5B) 내의 반송 장치(A3)를 제어한다. 제2 처리 블록(5B) 내의 열처리 유닛(U4)에 마련된 온도 조정부(50)가 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 계속해서, 반송 제어부(104)는, 열처리된 워크(W)를 열처리 유닛(U4)으로부터 반출 후, 선반 유닛(U10B)에 반입하도록, 제2 처리 블록(5B) 내의 반송 장치(A3)를 제어한다. 선반 유닛(U10B)은, 제1 처리 블록(5A) 내의 현상 유닛(U3)에서 현상 처리가 가능해질 때까지 워크(W)를 보관해도 된다. 이때, 선반 유닛(U10B)은, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 계속해서, 반송 제어부(104)는, 제1 처리 블록(5A) 내의 현상 유닛(U3)에서 현상 처리가 가능해지면, 워크(W)를 선반 유닛(U10B)으로부터 반출 후, 현상 유닛(U3)에 반입하도록, 제1 처리 블록(5A) 내의 반송 장치(A3)를 제어한다. 계속해서, 반송 제어부(104)는, 현상 처리된 워크(W)를 현상 유닛(U3)으로부터 반출 후, 선반 유닛(U10A)에 반입하도록, 제1 처리 블록(5A) 내의 반송 장치(A3)를 제어한다. 선반 유닛(U10A)은, 워크(W)를 외부로 반출할 준비가 끝날 때까지 워크(W)를 보관해도 된다. 이때, 선반 유닛(U10A)은, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다.
제2 패턴으로서, 제2 처리 블록(5B)에서 열처리 및 현상 처리가 행하여지는 경우에 대해서 설명한다. 워크(W)가 제2 처리 블록(5B) 내의 열처리 유닛(U4)에서 열처리될 때까지의 공정은, 제1 패턴과 동일하다. 반송 제어부(104)는, 열처리된 워크(W)를 열처리 유닛(U4)으로부터 반출 후, 제2 처리 블록(5B) 내의 온도 조정 유닛(U5)에 반입하도록, 제2 처리 블록(5B) 내의 반송 장치(A3)를 제어한다. 온도 조정 유닛(U5)이 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 계속해서, 반송 제어부(104)는, 온도 조정된 워크(W)를 온도 조정 유닛(U5)으로부터 반출 후, 제2 처리 블록(5B) 내의 현상 유닛(U3)에 반입하도록, 제2 처리 블록(5B) 내의 반송 장치(A3)를 제어한다. 반송 제어부(104)는, 현상 처리된 워크(W)를 현상 유닛(U3)으로부터 반출 후, 선반 유닛(U10B)에 반입하도록, 제2 처리 블록(5B) 내의 반송 장치(A3)를 제어한다. 이때, 선반 유닛(U10B)은, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 계속해서, 반송 제어부(104)는, 제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송 장치(A0)를 제어하여, 워크(W)를 선반 유닛(U10B)으로부터 반출하여, 선반 유닛(U10A)에 반입한다. 이때, 제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송로(S1)는, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 선반 유닛(U10A)은, 워크(W)를 외부로 반출할 준비가 끝날 때까지 워크(W)를 보관해도 된다. 이때, 선반 유닛(U10A)은, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다.
제3 패턴으로서, 제1 처리 블록(5A)에서 열처리 및 현상 처리가 행하여지는 경우에 대해서 설명한다. 반송 제어부(104)는, 노광 처리 후의 워크(W)를 선반 유닛(U11)에 반입하도록 반송 장치(A8)를 제어한다. 이때, 선반 유닛(U11)은, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 계속해서, 반송 제어부(104)는, 제2 처리 블록(5B) 내의 셔틀 반송 장치(A0)를 제어하여, 워크(W)를 선반 유닛(U11)으로부터 반출하여, 선반 유닛(U10B)에 반입한다. 이때, 제2 처리 블록(5B) 내의 셔틀 반송로(S1)는, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 선반 유닛(U10B)은, 제1 처리 블록(5A) 내의 열처리 유닛(U4)에서 열처리가 가능해질 때까지 워크(W)를 보관해도 된다. 이때, 선반 유닛(U10B)은, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 계속해서, 반송 제어부(104)는, 제1 처리 블록(5A) 내의 열처리 유닛(U4)에서 열처리가 가능해지면, 워크(W)를 선반 유닛(U10B)으로부터 반출 후, 열처리 유닛(U4)에 반입하도록, 제1 처리 블록(5A) 내의 반송 장치(A3)를 제어한다. 제1 처리 블록(5A) 내의 열처리 유닛(U4)에 마련된 온도 조정부(50)가 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 계속해서, 반송 제어부(104)는, 열처리된 워크(W)를 열처리 유닛(U4)으로부터 반출 후, 제1 처리 블록(5A) 내의 온도 조정 유닛(U5)에 반입하도록, 제1 처리 블록(5A) 내의 반송 장치(A3)를 제어한다. 온도 조정 유닛(U5)이 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 계속해서, 반송 제어부(104)는, 온도 조정된 워크(W)를 온도 조정 유닛(U5)으로부터 반출 후, 제1 처리 블록(5A) 내의 현상 유닛(U3)에 반입하도록, 제1 처리 블록(5A) 내의 반송 장치(A3)를 제어한다. 계속해서, 반송 제어부(104)는, 현상 처리된 워크(W)를 현상 유닛(U3)으로부터 반출 후, 선반 유닛(U10A)에 반입하도록, 제1 처리 블록(5A) 내의 반송 장치(A3)를 제어한다. 선반 유닛(U10A)은, 워크(W)를 외부로 반출할 준비가 끝날 때까지 워크(W)를 보관해도 된다. 이때, 선반 유닛(U10A)은, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다.
제4 패턴으로서, 제2 처리 블록(5B)에서 워크(W)를 열처리 후, 열처리된 워크(W)를 외부로 반출하는 경우에 대해서 설명한다. 열처리된 워크(W)가 선반 유닛(U10B)에 반입될 때까지의 공정은, 제1 패턴과 동일하다. 반송 제어부(104)는, 제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송 장치(A0)를 제어하여, 워크(W)를 선반 유닛(U10B)으로부터 반출하여, 선반 유닛(U10A)에 반입한다. 이때, 제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송로(S1)는, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 선반 유닛(U10A)은, 워크(W)를 외부로 반출할 준비가 끝날 때까지 워크(W)를 보관해도 된다. 이때, 선반 유닛(U10A)은, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다.
제5 패턴으로서, 노광 처리된 워크(W)를 외부로 반출하는 경우에 대해서 설명한다. 반송 제어부(104)는, 노광 처리 후의 워크(W)를 선반 유닛(U11)에 반입하도록 반송 장치(A8)를 제어한다. 이때, 선반 유닛(U11)은, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 계속해서, 반송 제어부(104)는, 제2 처리 블록(5B) 내의 셔틀 반송 장치(A0)를 제어하여, 워크(W)를 선반 유닛(U11)으로부터 반출하여, 선반 유닛(U10B)에 반입한다. 이때, 제2 처리 블록(5B) 내의 셔틀 반송로(S1)는, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 이에 더하여, 선반 유닛(U10B)은, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 계속해서, 반송 제어부(104)는, 제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송 장치(A0)를 제어하여, 워크(W)를 선반 유닛(U10B)으로부터 반출하여, 선반 유닛(U10A)에 반입한다. 이때, 제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송로(S1)는, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다. 선반 유닛(U10A)은, 워크(W)를 외부로 반출할 준비가 끝날 때까지 워크(W)를 보관해도 된다. 이때, 선반 유닛(U10A)은, 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출된다.
선반 유닛(U10A), 선반 유닛(U10B), 선반 유닛(U11), 제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송로(S1) 및 제2 처리 블록(5B) 내의 셔틀 반송로(S1) 중 적어도 하나가 가스 접촉부로서 기능한다. 이에 의해, 워크(W)의 피막을 불활성 가스와 접촉시키는 시간을 보다 길게 확보할 수 있다. 이에 의해, 노광하고 나서 현상 처리가 개시될 때까지의 메탈 함유 레지스트의 반응을 더욱 억제하기 쉽게 할 수 있다.
제1 패턴 내지 제5 패턴 각각에 있어서, 선반 유닛(U10B)이 가스 접촉부로서 기능하여, 워크(W)가 불활성 가스 분위기에 노출될 때, 선반 유닛(U10B)은, 워크(W)의 온도를 소정 온도로 조정하는 기구를 갖고 있어도 된다.
제1 패턴 내지 제5 패턴 각각에 있어서, 반송 제어부(104)는, 선반 유닛(10B) 대신에 선반 유닛(10A)에 워크(W)를 반입해도 된다. 예를 들어, 반송 제어부(104)는, 워크(W)를 선반 유닛(U10B)에 반입할 때, 선반 유닛(10B)의 복수의 셀이 모두 다른 워크(W)로 채워져 있을 경우에, 선반 유닛(10A)에 워크(W)를 반입해도 된다. 예를 들어, 제1 패턴에서는, 반송 제어부(104)는, 열처리된 워크(W)를 제2 처리 블록(5B) 내의 열처리 유닛(U4)으로부터 반출 후, 선반 유닛(U10B)을 경유하여 선반 유닛(U10A)에 반입하도록, 제1 처리 블록(5A) 내의 반송 장치(A3)를 제어해도 된다. 혹은, 반송 제어부(104)는, 제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송 장치(A0)를 제어하여, 워크(W)를 선반 유닛(U10B)을 경유하여 선반 유닛(U10A)에 반입해도 된다. 그리고, 선반 유닛(U10A)은, 제1 처리 블록(5A) 내의 현상 유닛(U3)에서 현상 처리가 가능해질 때까지 워크(W)를 보관해도 된다. 이때, 선반 유닛(U10A)은, 워크(W)의 온도를 소정 온도로 조정하는 기구를 갖고 있어도 된다.
제1 패턴 내지 제5 패턴 각각에 있어서, 선반 유닛(U10A)은, 워크(W)를 외부로 반출할 준비가 끝날 때까지의 동안뿐만 아니라, 워크(W)에 대하여 다시 어떠한 처리를 할 때까지의 동안에 워크(W)를 보관해도 된다. 예를 들어, 선반 유닛(U10A)은, 다음 반송처에의 반송이 가능하게 될 때까지의 동안, 워크(W)를 보관해도 된다. 다음 반송처는, 예를 들어 캐리어 블록(4)이어도 된다. 다음 반송처는, 예를 들어 도포 현상 장치(2) 내에 마련된 다른 처리 유닛이어도 된다. 다른 처리 유닛에서는, 예를 들어 현상 처리된 워크(W)에 대하여, 액처리, 열처리, 또는 연마 처리 등이 행해져도 된다. 워크(W)가 보관되는 장소는, 선반 유닛(U10A)에 한정되지 않고, 선반 유닛(U10B), 선반 유닛(U11), 제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송로(S1) 및 제2 처리 블록(5B) 내의 셔틀 반송로(S1) 중 적어도 하나이어도 된다. 이때, 워크(W)가 보관되는 장소는, 가스 접촉부로서 기능한다. 이 경우, 제1 패턴 내지 제3 패턴에서는, 현상 처리된 워크(W)가 선반 유닛(U10A), 선반 유닛(U10B), 선반 유닛(U11), 제1 처리 블록(5A) 내의 셔틀 반송로(S1) 및 제2 처리 블록(5B) 내의 셔틀 반송로(S1) 중 적어도 하나에서, 불활성 가스에 노출된다.

Claims (19)

  1. 메탈 함유 레지스트의 피막을 포함하는 기판을 처리하는 기판 처리 장치이며,
    상기 피막에 대하여 노광 처리가 실시된 상기 기판을 가열 처리하는 열처리부와,
    상기 가열 처리가 실시된 상기 기판의 상기 피막을 현상 처리하는 현상 처리부와,
    상기 노광 처리 후부터 상기 현상 처리가 행해지기 전의 기간에 있어서, 상기 피막을 불활성 가스와 접촉시키는 가스 접촉부
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가스 접촉부는,
    미리 결정된 하우징 내에 상기 기판을 일차적으로 적재함과 함께, 상기 하우징 내에 상기 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 가스 처리 유닛이며, 인터페이스 블록에 마련되어 있는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 열처리부는,
    상기 기판을 가열하는 열판과,
    상기 열판에서의 가열 처리 후의 상기 기판을 보유 지지하는 온도 조정 플레이트를 포함하고,
    상기 가스 접촉부는,
    상기 열처리부의 상기 온도 조정 플레이트와, 상기 온도 조정 플레이트 상의 상기 기판의 상기 피막이 상기 불활성 가스와 접촉하도록, 상기 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 포함하는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 가스 접촉부는, 상기 제2 가스 공급부로부터 공급된 상기 불활성 가스가 상기 피막과 접촉하도록 상기 온도 조정 플레이트의 주위를 둘러싸는 챔버를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 가스 접촉부는,
    상기 열처리부로부터 반출된 상기 기판을, 상기 현상 처리부에 반입하기 전에 일차적으로 보유 지지하는 온도 조정 유닛이며,
    상기 온도 조정 유닛 내에 상기 불활성 가스를 공급하는 제3 가스 공급부를 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 가스 접촉부에서의 상기 불활성 가스에의 상기 기판의 접촉 기간과, 상기 가스 접촉부에의 상기 기판의 반송을 제어하는 제어부를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 가스 접촉부는, 미리 결정된 하우징 내에 상기 기판을 일차적으로 적재함과 함께, 상기 하우징 내에 상기 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 가스 처리 유닛이며,
    상기 가스 접촉부는, 인터페이스 블록에 마련되어 있고,
    상기 제어부는, 상기 기판을 상기 가스 처리 유닛에 반송하고, 상기 가스 처리 유닛에서, 상기 피막을 상기 불활성 가스에 미리 결정된 시간 접촉시키는 제어를 행하는, 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 열처리부는, 상기 기판을 가열하는 열판과, 상기 열판에서의 가열 처리 후의 상기 기판을 보유 지지하는 온도 조정 플레이트와, 상기 온도 조정 플레이트 상의 상기 기판의 상기 피막이 상기 불활성 가스와 접촉하도록, 상기 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 가스 처리 유닛으로부터 반출된 상기 기판에 대하여, 상기 열처리부의 상기 온도 조정 플레이트 상에서, 상기 피막을 상기 불활성 가스에 미리 결정된 시간 접촉시키는 제어를 행하는, 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 열처리부로부터 반출된 상기 기판을, 상기 현상 처리부에 반입하기 전에 일차적으로 보유 지지하는 온도 조정 유닛을 더 포함하고,
    상기 온도 조정 유닛은, 상기 온도 조정 유닛 내에 상기 불활성 가스를 공급하는 제3 가스 공급부를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 열처리부로부터 반출된 상기 기판에 대하여, 상기 온도 조정 유닛에서, 상기 피막을 상기 불활성 가스에 미리 결정된 시간 접촉시키는 제어를 행하는, 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 가스 접촉부는, 상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 상기 기판 보유 지지부의 상방 및 측방을 둘러싸는 포위부와, 상기 포위부의 상방으로부터 상기 포위부 내에 상기 불활성 가스를 공급하는 가스 공급구를 포함하고,
    상기 포위부 내에 불활성 가스가 공급됨으로써, 내부의 대기가 하방으로 압출됨으로써, 상기 불활성 가스를 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지되는 상기 기판과 접촉시키는, 기판 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 가스 접촉부는, 상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 상기 기판 보유 지지부의 상방 및 하방과, 측방의 일부를 둘러싸는 포위부와, 상기 포위부 내에 상기 불활성 가스를 공급하는 가스 공급구를 포함하고,
    상기 포위부 내에 불활성 가스가 공급됨으로써, 내부의 대기가 개구되어 있는 측방으로 압출됨으로써, 상기 불활성 가스를 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지되는 상기 기판과 접촉시키는, 기판 처리 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 불활성 가스는 질소 가스인, 기판 처리 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 기판 상에 메탈 함유 레지스트의 피막을 형성하는 성막 처리부에 의한 처리 후부터 상기 노광 처리가 행해지기 전의 기간에 있어서, 상기 피막을 불활성 가스와 접촉시키는 제2 가스 접촉부를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 기판을 반송하는 반송 장치와,
    상기 반송 장치를 제어하는 제어부를 더 포함하고,
    상기 가스 접촉부는,
    인터페이스 블록에 마련되고, 노광 처리 후의 상기 기판을 수용하는 수용실과,
    상기 수용실 내에 상기 가스를 공급하는 가스 공급부
    를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 열처리부가 상기 기판을 수용 가능하게 된 후에 상기 기판을 상기 수용실로부터 반출하여, 상기 열처리부에 반입하도록, 상기 반송 장치를 제어하는, 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 열처리부로부터 반출된 상기 기판을 수용하고, 상기 기판을 온도 조정 처리하는 온도 조정 유닛을 더 포함하고,
    상기 열처리부는, 상기 기판을 가열하는 열판을 포함하고,
    상기 가스 접촉부는,
    상기 열판에서의 가열 처리 후의 상기 기판을 수용하도록 상기 열처리부에 마련된 제2 수용실과,
    상기 제2 수용실 내에 상기 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 더 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 온도 조정 유닛이 상기 기판을 수용 가능하게 된 후에, 상기 기판을 상기 제2 수용실로부터 반출하여, 상기 온도 조정 유닛에 반입하도록, 상기 반송 장치를 제어하는, 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 가스 접촉부는, 상기 온도 조정 유닛 내에 상기 불활성 가스를 공급하는 제3 가스 공급부를 더 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 현상 처리부가 상기 기판을 수용 가능하게 된 후에 상기 기판을 상기 온도 조정 유닛으로부터 반출하여, 상기 현상 처리부에 반입하도록, 상기 반송 장치를 제어하는, 기판 처리 장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 열처리부는, 상기 기판을 가열하는 열판을 포함하고,
    상기 가스 접촉부는,
    상기 열판에서의 가열 처리 후의 상기 기판을 수용하도록 상기 열처리부에 마련된 제2 수용실과,
    상기 제2 수용실 내에 상기 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 현상 처리부가 상기 기판을 수용 가능하게 된 후에, 상기 기판을 상기 제2 수용실로부터 반출하여, 상기 현상 처리부에 반입하도록, 상기 반송 장치를 제어하는, 기판 처리 장치.
  18. 기판 상에, 메탈 함유 레지스트의 피막을 형성하는 것과,
    상기 피막에 대하여 노광 처리가 실시된 상기 기판을 가열 처리하는 것과,
    상기 가열 처리가 실시된 상기 기판의 상기 피막을 현상 처리하는 것과,
    상기 노광 처리 후부터 상기 현상 처리가 행해지기 전의 기간에 있어서, 상기 피막을 불활성 가스와 접촉시키는 것
    을 포함하는, 기판 처리 방법.
  19. 기판 처리를 컴퓨터에 실행시키는 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서,
    상기 기판 처리 프로그램은,
    기판 상에, 메탈 함유 레지스트의 피막을 형성하는 것과,
    상기 피막에 대하여 노광 처리가 실시된 상기 기판을 가열 처리하는 것과,
    상기 가열 처리가 실시된 상기 기판의 상기 피막을 현상 처리하는 것과,
    상기 노광 처리 후부터 상기 현상 처리가 행해지기 전의 기간에 있어서, 상기 피막을 불활성 가스와 접촉시키는 것
    을 상기 컴퓨터에 실행시키는, 기록 매체.
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