CN117321733A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明的一方面的热处理装置包括：热板，其支承形成有覆膜的基片并对其实施进行加热的热处理；腔室，其覆盖被热板支承的基片；气体释放部，具有形成有多个释放孔的头部，从多个释放孔朝向被热板支承的基片的表面释放气体，其中，多个释放孔沿着与该基片相对的面散布；外周排气部，其从比被热板支承的基片的周缘靠外侧的外周区域对腔室内的处理空间进行排气；和控制部。控制部在基片被加热的状态下，控制外周排气部以使得从外周排气部排出的排气量增加。

Description

基片处理装置和基片处理方法

技术领域

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术

专利文献1公开了一种基片处理装置，其包括对形成于基片的涂敷膜进行加热处理的加热单元。专利文献1所记载的加热单元包括：设置于处理容器内的用于对基片进行加热的加热部；从基片的外周侧对单元内供给气体的配管；和排气配管，其从基片的中央附近的上方进行来自单元内的排气。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-56182号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够抑制在热处理中产生的基片的缺陷的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一方面的基片处理装置具有：热板，其支承形成有覆膜的基片并对其实施进行加热的热处理；腔室，其覆盖被上述热板支承的上述基片；气体释放部，其具有形成有多个释放孔的头部，从上述多个释放孔朝向被上述热板支承的上述基片的表面释放气体，其中，上述多个释放孔沿着与该基片相对的面散布；外周排气部，其从比被上述热板支承的上述基片的周缘靠外侧的外周区域对上述腔室内的处理空间进行排气；和控制部，上述控制部在上述基片被加热的状态下，控制上述外周排气部以使得从上述外周排气部排出的排气量增加。

发明效果

依照本发明，提供一种能够抑制在热处理中产生的基片的缺陷的技术。

附图说明

图1是表示基片处理系统的一例的示意图。

图2是表示涂敷显影装置的一例的示意图。

图3是表示热处理单元的一例的示意图。

图4是表示气体释放部的一例的示意图。

图5是表示控制装置的硬件结构的一例的框图。

图6是表示基片处理流程的一例的流程图。

图7是表示热处理步骤的一例的流程图。

图8的(a)～图8的(c)是表示热处理步骤中的各部件的工作和气体的流动的一例的示意图。

图9是表示热处理步骤中的气流的大小与工件的温度的关系的一例的图。

具体实施方式

[例示的实施方式]

以下，参照附图，对一实施方式进行说明。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。

参照图1～图5，对一实施方式的基片处理系统进行说明。图1所示的基片处理系统1是对基片实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光和该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的基片例如是半导体的工件W。感光性覆膜例如是抗蚀剂膜。基片处理系统1包括涂敷显影装置2和曝光装置3。曝光装置3是对在工件W(基片)上形成的抗蚀剂膜(感光性覆膜)进行曝光的装置。具体而言，曝光装置3通过液浸曝光等方法对抗蚀剂膜的曝光对象部分照射能量线。涂敷显影装置2在利用曝光装置3的曝光处理前，进行在形成有下层膜的工件W的表面涂敷抗蚀剂(药液)以形成抗蚀剂膜的处理，在曝光处理后进行抗蚀剂膜的显影处理。

[基片处理装置]

以下，作为基片处理装置的一例，对涂敷显影装置2的结构进行说明。如图1和图2所示，涂敷显影装置2包括承载器区块4、处理区块5、接口区块6和控制装置100(控制部)。

承载器区块4进行工件W向涂敷显影装置2内的导入和工件W从涂敷显影装置2内的导出。例如，承载器区块4能够支承工件W用的多个承载器C，内置有包括交接臂的输送装置A1。承载器C例如收纳圆形的多个工件W。输送装置A1从承载器C取出工件W并交送到处理区块5，从处理区块5接收工件W并送回承载器C内。处理区块5具有多个处理模块11、12、13、14。

处理模块11内置有涂敷单元U1、热处理单元U2和向这些单元输送工件W的输送装置A3。处理模块11利用涂敷单元U1和热处理单元U2在工件W的表面上形成下层膜。涂敷单元U1将下层膜形成用的处理液涂敷在工件W上。热处理单元U2进行伴随下层膜的形成的各种热处理。即，热处理单元U2对形成有处理液的覆膜的工件W实施热处理。由此，在工件W的表面形成下层膜。作为下层膜的具体例，例如可以举出旋涂碳(SOC)膜等所谓的硬掩模。当在热处理中对形成有覆膜的工件W进行加热时，从该覆膜产生升华物(废弃物)。因此，在热处理单元U2设置有用于排出升华物的排气部。

处理模块12内置有涂敷单元U3、热处理单元U4和向这些单元输送工件W的输送装置A3。处理模块12利用涂敷单元U3和热处理单元U4在下层膜上形成抗蚀剂膜。涂敷单元U3将抗蚀剂膜形成用的处理液涂敷在下层膜上。热处理单元U4进行伴随着覆膜的形成的各种热处理。

处理模块13内置有涂敷单元U5、热处理单元U6和向这些单元输送工件W的输送装置A3。处理模块13利用涂敷单元U5和热处理单元U6在抗蚀剂膜上形成上层膜。涂敷单元U5将上层膜形成用的液体涂敷在抗蚀剂膜上。热处理单元U6进行伴随上层膜的形成的各种热处理。

处理模块14内置有显影单元U7、热处理单元U8和向这些单元输送工件W的输送装置A3。处理模块14利用显影单元U7和热处理单元U8进行实施了曝光处理的抗蚀剂膜的显影处理和伴随显影处理的热处理。显影单元U7在已曝光的工件W的表面上涂敷了显影液之后，利用冲洗液对其进行冲洗，从而进行抗蚀剂膜的显影处理。热处理单元U8进行伴随显影处理的各种热处理。作为热处理的具体例，可以举出显影处理前的加热处理(PEB：PostExposure Bake，曝光后烘烤)、显影处理后的加热处理(PB：Post Bake，后烘烤)等。

在处理区块5内的承载器区块4侧设置有搁架单元U10。搁架单元U10被划分为沿上下方向排列的多个单元格。在搁架单元U10的附近设置有包括升降臂的输送装置A7。输送装置A7使工件W在搁架单元U10的单元格彼此之间升降。

在处理区块5内的接口区块6侧设置有搁架单元U11。搁架单元U11被划分为沿上下方向排列的多个单元格。

接口区块6在其与曝光装置3之间进行工件W的交接。例如接口区块6内置有包括交接臂的输送装置A8，并与曝光装置3连接。输送装置A8将配置于搁架单元U11的工件W交送到曝光装置3。输送装置A8从曝光装置3接收工件W并送回搁架单元U11。

另外，基片处理装置的具体结构不限于以上例示的涂敷显影装置2的结构。基片处理装置只要包括进行下层膜等覆膜的热处理的热处理单元、以及能够控制它的控制装置即可，可以是任意的装置。

(热处理单元)

接下来，参照图3和图4，详细说明处理模块11的热处理单元U2的一例。如图3所示，热处理单元U2具有壳体90、加热部20、腔室30和外周排气部60。壳体90至少收纳加热部20和腔室30。在该情况下，腔室30配置在壳体90所形成的收纳空间V内。此外，在图3中，省略了除去一部分要素的表示剖面的剖面线。

腔室30包括上腔室31和下腔室32。上腔室31位于上侧，下腔室32位于下侧。此外，下腔室32在内侧收纳有加热部20。

加热部20支承工件W并对其进行加热。加热部20例如具有热板22和热板加热器24。热板22支承作为热处理对象的工件W，向被支承的该工件W传递热。热板加热器24使热板22的温度上升。作为一例，在热处理中，热板22的温度被保持为300°～500°左右。热板加热器24例如设置在热板22内。热板22作为一例形成为大致圆板状。热板22的直径可以比工件W的直径大。热板22具有载置面22a，在工件W载置于载置面22a的规定位置的状态下支承该工件W。热板22可以由热传导率高的铝、银或铜等金属构成。热板22的载置面22a的上方成为用于进行工件W的热处理的处理空间S。

热板22具有例如多个用于吸附工件W的吸附孔22b。各吸附孔22b以在厚度方向上贯通热板22的方式形成。

另外，各吸附孔22b与中继部件41的中继孔41a连接。各中继孔41a与进行用于吸附的排气的排气管线27连接。

吸附孔22b与中继孔41a的连接经由金属制的金属部件42和树脂制的衬垫(pad)43进行。具体而言，吸附孔22b与中继孔41a的连接经由金属部件42内的流路和树脂制的衬垫43内的流路进行。

金属部件42位于吸附孔22b侧，树脂制的衬垫43位于中继孔41a侧。金属部件42的一端与热板22(具体而言为吸附孔22b)直接连接，另一端与对应的树脂制的衬垫43的一端直接连接。换言之，各树脂制的衬垫43经由金属部件42与对应的吸附孔22b连通且与热板22连接。此外，树脂制的衬垫43的另一端与中继部件41(具体而言为中继孔41a)直接连接。

金属部件42在树脂制的衬垫43侧具有大径部42a。大径部42a的内部具有截面积比金属部件42的与热板22连接的部分(上端)大的流路空间42b，能够降低由因热处理产生的升华物导致的堵塞的风险。此外，借助于该截面积大的流路空间42b，在吸附工件W时从处理空间S吸引的气体的热被缓和，朝向用于吸附的排气管线27流动。即，能够抑制构成至树脂制的衬垫43、排气管线27为止的排气流路的装置由高温而导致的劣化风险。

另外，在下腔室32内，在热板22的下方设置有例如三根从下方支承工件W使其升降的升降销(未图示)。升降销利用具有电机等驱动源的升降机构(未图示)而能够升降。该升降机构由控制装置100控制。此外，在热板22的中央部形成有供上述升降销通过的贯通孔(未图示)。升降销能够通过贯通孔，从热板的上表面伸出。

收纳上述加热部20的下腔室32将加热部20的热板22保持在规定位置。下腔室32例如包括支承底壁321和周壁部322。支承底壁321形成为具有与热板22的直径相同程度的直径的圆板状。周壁部322以从支承底壁321的外缘向上方延伸的方式形成。周壁部322形成为圆环状，延伸至与热板22的载置面22a相同程度的高度位置。周壁部322包围热板22的周围。例如，周壁部322的内周面与热板22的外周面相对。在周壁部322的内周面与热板22的外周面之间可以形成有间隙。

加热部20的热板22例如被支承在下腔室32的支承底壁321。具体而言，热板22经由支承部330被支承在下腔室32的支承底壁321。支承部330例如具有上端与热板22连接的支承柱331、对支承柱331进行支承的环状部件332、以及将环状部件332支承在下腔室32的底壁的腿部件333。

环状部件332由金属形成，与热板22的背面的大部分以支承柱331的高度这样大小的间隙隔开地设置。通过将树脂制的衬垫43配置在这样设置的环状部件332的下方，环状部件332有效地阻隔来自热板22的热，树脂制的衬垫43不容易暴露于高温(不容易热劣化)。

另外，在下腔室32的周壁部322设置递送口323。递送口323用作从腔室30的外部向该腔室30内递送气体的气体供给部。

上腔室31例如形成为圆板状。上腔室31在形成处理空间S时，以从上方覆盖加热部20上的工件W的方式，在与下腔室32之间形成有间隙g的状态下被配置。上腔室31例如包括顶板311和侧壁312。

上腔室31包括气体释放部50。气体释放部50在腔室30内的处理空间S中从上方朝向热板22上的工件W释放气体。气体释放部50例如朝向工件W的表面的大致整个面释放气体。由气体释放部50释放的气体的种类没有限制，例如可以使用空气、调节了水分含量的气体或非活性气体(氮气)。气体的供给源经由供给管路56与气体释放部50连接。气体释放部50可以具有设置于顶板211的头部52。在头部52形成有气体分配空间和多个释放孔54，气体分配空间设置在顶板211的下侧，多个释放孔54设置于与热板22上的工件W相对的下表面且将气体分配空间与处理空间S之间贯通。气体分配空间是将多个释放孔54与供给管路56连接的空间。

图4是从下方观察图3所例示的上腔室31的示意图。如图4所示，多个释放孔54沿着顶板311的下表面散布。多个释放孔54例如以大致均匀的密度散布在顶板311的下表面中的与热板22上的工件W相对的部分(相对部分)。此外，从上方观察时，在比相对部分靠外侧(比工件W的周缘靠外侧)的位置也可以设置有释放孔54。多个释放孔54在上述相对部分分散地配置。在从气体释放部50释放空气等气体的情况下，多个释放孔54可以以每单位时间的释放量在工件W的整个表面大致均匀的方式散布。

多个释放孔54的开口面积可以彼此大致相同。在多个释放孔54的开口面积彼此大致相同的情况下，多个释放孔54可以以相对部分的每单位面积的释放孔54的开口面积所占的比例均匀的方式散布。从上下方向观察时，释放孔54的形状可以是圆或椭圆。多个释放孔54可以以相邻的释放孔54彼此的间隔大致相同的方式散布。作为一例，如图4所示，在多个释放孔54沿着横向和纵向二维排列的情况下，横向上相邻的释放孔54彼此的间隔可以是均匀的，纵向上相邻的释放孔54彼此的间隔可以是均匀的。横向上相邻的释放孔54彼此的间隔与纵向上相邻的释放孔54彼此的间隔可以大致相同。

侧壁312形成为从顶板311的外缘向下方延伸。侧壁312形成为圆环状，包围载置面22a。在图3中示出了形成处理空间S时的上腔室31的配置的一例，在该配置中，侧壁312的下端面312a以与下腔室32的周壁部322的上端面靠近的状态相对。具体而言，在侧壁312的下端面312a与周壁部322的上端面之间形成有间隙g，该间隙g将处理空间S与腔室30外的空间连接。

也可以为，侧壁312的内周面312b以随着从该侧壁312的下端靠近顶板311而在水平方向上与顶板311的中心的距离变小的方式，相对于上下方向倾斜。在该情况下，侧壁312的内径随着从侧壁312的下端靠近顶板311而变小。

上腔室31还包括外周排气部60。外周排气部60从比被加热部20支承的工件W的周缘靠外侧的外周区域排出处理空间S内的气体。外周排气部60具有设置于气体释放部50的头部52的外侧的多个第一排气孔61和多个第二排气孔62。

多个第一排气孔61设置在上腔室31的侧壁312内，分别在侧壁312的倾斜的内周面312b开口。如图4所示，多个第一排气孔61可以呈环状地配置在顶板311的外侧。此外，也可以为，多个第一排气孔61设置在顶板311内，分别在顶板311的下表面的外周部开口。

多个第二排气孔62设置在上腔室31的侧壁312内，分别在侧壁312的下端面312a开口。在腔室30为关闭状态的情况下，多个第二排气孔62在上腔室31(侧壁312)与下腔室32(周壁部322)之间的间隙g开口。多个第二排气孔62可以呈环状地配置在比多个第一排气孔61靠外侧的位置。第二排气孔62的高度位置比第一排气孔61的高度位置低。

第一排气孔61和第二排气孔62经由排气管道65与排气泵连接。排气管道65可以形成为与多个第一排气孔61的每一者以及多个第二排气孔62的每一者连接的排气流路在上腔室31内汇集成一个流路。此外，也可以在排气管道65设置有控制排气的状态的阀67。通过由控制装置100控制阀67的开闭，可以控制从第一排气孔61和第二排气孔62排出的排气量。作为一例，阀67是电磁阀。

具有上述构成的外周排气部60经由在间隙g开口的第二排气孔62和间隙g排出处理空间S内的气体，并且经由第一排气孔61排出处理空间S内的气体。此外，外周排气部60可以不具有多个第一排气孔61，可以经由第二排气孔62和间隙g排出处理空间S内的气体。

腔室驱动部38使上腔室31沿上下方向移动。利用腔室驱动部38将上腔室31下降至上腔室31的侧壁312靠近周壁部322为止，从而由腔室30形成处理空间S(腔室30成为关闭状态)。利用腔室驱动部38使上腔室31以上腔室31的侧壁312与周壁部322隔开间隔的方式上升，由此热板22上方的空间向腔室30外的空间开放(腔室30成为开放状态)。

在上述腔室30内，除了从气体释放部50的头部52朝向处理空间S供给气体之外，还经由设置于下腔室32的递送口323递送外部的气体。从递送口323递送来的气体能够在热板22的外侧上升而向处理空间S移动。

另外，将处理空间S定义为比腔室30内的热板22靠上方的空间，且为比侧壁312靠内侧的空间。另一方面，将比热板22靠下方的空间定义为缓冲空间B。将缓冲空间B定义为比热板22靠下方且比环状部件332靠上方的空间。此外，缓冲空间B与递送到处理空间S的气体的流路相连。此时，缓冲空间B比处理空间S体积大。

热处理单元U2可以还包括具有冷却工件W的功能的冷却板。此时，冷却板可以在腔室30外的冷却位置与其至少一部分配置在腔室30内的工件W的送入送出位置之间往复移动。或者，冷却板可以固定于水平方向上与热板22并排的位置，热处理单元U2可以具有一边在冷却板与热板22之间移动一边输送工件W的输送臂。

(控制装置)

控制装置100控制包括热处理单元U2的涂敷显影装置2的各部分。控制装置100构成为能够执行：使加热部20支承并加热被腔室30覆盖的状态的工件W的处理；针对被加热部20支承的工件W，从多个释放孔54朝向工件W的表面释放气体的处理；从比周缘靠外侧的外周区域对处理空间S进行排气的处理；以及控制释放量和排气量的处理。

如图2所示，作为功能上的结构，控制装置100具有存储部102和控制部104。存储部102存储有用于使包括热处理单元U2的涂敷显影装置2的各部分工作的程序。存储部102还存储有各种数据(例如，与用于使热处理单元U2工作的指示信号有关的信息)、以及来自设置于各部的传感器等的信息。存储部102例如是半导体存储器、光记录盘、磁记录盘、光磁记录盘。该程序也可以包含在与存储部102分体的外部存储装置或传输信号等无形的介质中。可以从这些其他介质向存储部102安装该程序，使存储部102存储该程序。控制部104基于从存储部102读出的程序，来控制涂敷显影装置2的各部的工作。

控制装置100由一个或多个控制用计算机构成。例如，控制装置100具有图5所示的电路110。电路110具有一个或多个处理器112、内存114、存储器116、定时器122和输入输出端口118。存储器116例如具有硬盘等计算机可读取的存储介质。存储介质存储有用于使控制装置100执行包括后述的热处理步骤的基片处理流程的程序。存储介质可以是非易失性半导体存储器、磁盘以及光盘等可取出的介质。内存114暂时存储从存储器116的存储介质加载的程序和处理器112的运算结果。处理器112通过与内存114协作执行上述程序，来构成上述的各功能模块。定时器122例如通过对一定周期的基准脉冲进行计数来测量经过时间。输入输出端口118按照来自处理器112的指令，在其与热处理单元U2之间进行电信号的输入输出。

另外，控制装置100的硬件结构不一定限于由程序构成各功能模块。例如控制装置100的各功能模块可以由专用的逻辑电路或者将其集成而得的ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit：专用集成电路)构成。

[基片处理流程]

图6是表示包括涂敷显影处理的基片处理流程的一例的流程图。控制装置100控制涂敷显影装置2，以使得例如按以下流程执行一个工件W的涂敷显影处理。首先，控制装置100的控制部104控制输送装置A1以将承载器C内的工件W输送到搁架单元U10，控制输送装置A7以将该工件W配置在处理模块11用的单元格。

接着，控制部104控制输送装置A3，以将搁架单元U10的工件W输送到处理模块11内的涂敷单元U1和热处理单元U2。此外，控制部104控制涂敷单元U1和热处理单元U2，以在该工件W的表面上形成下层膜(步骤S01)。关于伴随在步骤S01中进行的下层膜形成的热处理(以下，称为“热处理步骤”)，在后文说明。之后，控制部104控制输送装置A3以将形成有下层膜的工件W送回搁架单元U10，控制输送装置A7以将该工件W配置在处理模块12用的单元格。

接着，控制部104控制输送装置A3，以将搁架单元U10的工件W输送到处理模块12内的涂敷单元U3和热处理单元U4。此外，控制部104控制涂敷单元U3和热处理单元U4，以在该工件W的下层膜上形成抗蚀剂膜(步骤S02)。之后，控制部104控制输送装置A3以将工件W送回搁架单元U10，控制输送装置A7以将该工件W配置在处理模块13用的单元格。

接着，控制部104控制输送装置A3，以将搁架单元U10的工件W输送到处理模块13内的各单元。此外，控制部104控制涂敷单元U5和热处理单元U6，以在该工件W的抗蚀剂膜上形成上层膜(步骤S03)。之后，控制装置100控制输送装置A3，以将工件W输送到搁架单元U11。

接着，控制部104控制输送装置A8，以将被收纳在搁架单元U11的工件W送出到曝光装置3。然后，在曝光装置3中，对形成于工件W的覆膜实施曝光处理(步骤S04)。之后，控制部104控制输送装置A8，以从曝光装置3接收实施了曝光处理的工件W，将该工件W配置在搁架单元U11中的处理模块14用的单元格。

接着，控制部104控制输送装置A3，以将搁架单元U11的工件W输送到处理模块14内的热处理单元U8。然后，控制装置100控制热处理单元U8，以对工件W的覆膜实施显影前的热处理(步骤S05)。接着，控制部104控制显影单元U7和热处理单元U8，以对由热处理单元U8实施了热处理的工件W的覆膜实施显影处理和显影处理后的热处理(步骤S06、S07)。之后，控制部104控制输送装置A3以将工件W送回搁架单元U10，控制输送装置A7和输送装置A1以将该工件W送回承载器C内。以上，包括涂敷显影处理的基片处理完成。控制部104也可以对其他工件W(后续的工件W)重复执行步骤S01～S07的处理。

(热处理步骤)

图7是表示在热处理单元U2中进行的热处理步骤的一例的流程图。图7所例示的流程图示出在热处理单元U2中对一个工件W依次实施热处理时的流程。此外，热板22以被维持在规定温度为前提。

另外，在图8的(a)～图8的(c)中示意性地示出热处理步骤中的腔室30内的气体的流动。此外，在图9中示意性地示出热处理步骤中的腔室30中的来自气体释放部50的气体释放量、从外周排气部60排出的气体排气量以及工件W的温度之间的关系。

首先，控制部104控制热处理单元U2，以将形成有处理液的覆膜的作为处理对象的工件W送入腔室30内(步骤S11)。

例如，控制部104控制腔室驱动部38，以从在腔室30中形成处理空间S的关闭状态切换到上腔室31与下腔室32隔开间隔的开放状态。之后，控制部104控制热处理单元U2，以将载置有作为处理对象的工件W的冷却板插入到热板22与上腔室31之间(配置在送入送出位置)。然后，控制部104使支承销上升，以使得支承销接收配置在热板22的上方的冷却板上的工件W。由此，作为处理对象的工件W被送入腔室30内。之后，控制部104使支承工件W的支承销下降而使该工件W下降，以将工件W载置到热板22的载置面22a。然后，通过控制腔室驱动部38使上腔室31下降，腔室30成为关闭的状态，在工件W上方形成处理空间S。

接着，控制部104控制热处理单元U2，以使得利用外周排气部60的排气量(外周排气)和来自气体释放部50的气体释放量(供气)均成为“弱”状态(步骤S12)。例如，控制部104通过将设置于供给管路56的开闭阀从关闭状态切换为打开状态，从气体的供给源向头部52的气体分配空间内供给气体。由此，从形成于头部52的多个释放孔54释放气体。此外，控制部104通过将开闭阀调整为规定的开度，能够使气体释放量成为“弱”的状态。同样地，关于外周排气部60，通过将阀67调整为规定的开度，也能够使气体释放量成为“弱”的状态。

另外，利用外周排气部60的排气和来自气体释放部50的供气的调整中的、例如从外周排气部60排出的排气量的调整可以在工件W送入前进行。

在一边从气体释放部50释放气体，一边进行来自外周排气部60的排气的状态下开始进行热处理。此时，来自气体释放部50的气体以及从形成于下腔室32的周壁部322与热板22之间的间隙进入处理空间S内的气体从外周排气部60被排出。

图8的(a)是示意性地表示对处理空间S的供气和排气的流动的图。如图8的(a)所示，使从气体释放部50对工件W的整个上表面供给的气体的气流F1为弱的状态，并且使从工件W的外周排出的气体的气流F2为弱的状态。其结果是，在工件W的表面上形成朝向外周侧的平缓的气体的流动。

接着，控制部104从开始加热工件W起至经过第一规定期间为止待机(步骤S13)。第一规定期间是存储于存储部102的期间，对应于图9所示的时刻0～时刻t1之间。第一规定期间被设定为工件W上的覆膜以规定水平固化的程度。作为一例，第一规定期间可以基于到达工件W上的覆膜的溶剂挥发的温度之后的时刻t1来设定。此外，时刻t1例如可以基于工件W上的覆膜的固化状态，例如通过将表面的状态成为规定状态的时机设为时刻t1来设定。作为一例，时刻t1可以被设定在工件W的热处理时间(图9所示的时刻0～时刻t3之间)的1/5～1/3的时段中。时刻t1也可以通过反复进行使用与工件W相同的试验用工件的实验来决定。

在图9中，线L1表示利用外周排气部60的排气量(外周排气)，并且线L2表示来自气体释放部50的气体释放量(供气)。此外，在图9中示意性地示出了处理中的工件W的温度变化。如图9所示，时刻0～时刻t1的期间(初期)是载置于热板上的工件W温度上升的期间。在该阶段，随着工件W的温度上升，覆膜逐渐固化。此时，源自覆膜中的成分的交联反应等的升华物逐渐产生，可能会飞散在处理空间S内。特别是，图9所示的时段Tc是覆膜的表面充分固化之前，且源自交联反应等的升华物的产生量大的时段。

在直至经过第一规定期间为止控制部104待机的期间，利用外周排气部60的排气量(外周排气)和来自气体释放部50的气体释放量(供气)均持续“弱”的状态。在此期间，在从开始加热工件W起的初期阶段中，工件W的覆膜的固化(形成)进展。如上所述，通过使供气和排气这两者成为弱状态，能够抑制伴随着供气和排气而产生的气流对覆膜的形成的影响。

在经过第一规定期间后，控制部104控制热处理单元U2，以使得利用外周排气部60的排气量(外周排气)成为“强”状态(步骤S14)。例如，控制部104进行调整以使得外周排气部60的阀67的开度变大，由此能够使气体释放量成为“强”的状态。此外，来自气体释放部50的气体释放量(供气)继续维持“弱”状态。

此时，如图8的(b)所示，成为从气体释放部50对工件W的整个上表面供给的气体的气流F1弱，从工件W的外周排出的气体的气流F2强的状态。其结果是，在工件W的表面上形成去往外周侧的气体的气流的情况下，其气流变大。因此，工件W的上方的气体去往外周侧，被排出到处理空间S外。

在该状态下，控制部104待机直至经过第二规定期间(步骤S15)。第二规定期间是存储于存储部102的期间，对应于图9所示的时刻t1～时刻t2的期间。第二规定期间被设定为工件W上的覆膜的固化进一步进展，整体稳定地固化的程度。作为一例，第二规定期间可以基于工件W的温度相对于作为热处理的目标的设定温度成为±1℃以内的时刻t2来设定。此外，时刻t2例如可以基于工件W上的覆膜的固化状态，例如通过将表面的状态固化到某一程度且覆膜的厚度稳定的时机设为时刻t2来设定。作为一例，时刻t2可以被设定在相对于对工件W的热处理时间(图9所示的时刻0～时刻t3之间)的1/3～3/4的时段中。时刻t2可以通过重复进行使用与工件W相同的试验用工件的实验来决定。

如图9所示，时刻t1～时刻t2的期间(中期)是载置于热板上的工件W温度逐渐稳定的期间。在此期间，工件W的覆膜的固化(形成)也进展，覆膜成为更稳定的状态。在该阶段中，虽然来自工件W的覆膜的升华物的产生量逐渐减少，但在覆膜完全固化之前，升华物可能继续产生。因此，可能成为升华物一定程度地滞留在处理空间S中的状态。

对此，在直至经过第二规定期间为止控制部104待机的期间，持续利用外周排气部60的排气量(外周排气)“强”，且来自气体释放部50的气体释放量(供气)“弱”的状态。由此，来自滞留在工件W上方的覆膜的升华物等被排出到腔室30外。特别是，通过将外周侧的排气量调整得较大，能够促进图9所示的时段Tc及其后产生的升华物的排出。

在经过第二规定期间后，控制部104控制热处理单元U2，以使得来自气体释放部50的气体释放量(供气)成为“强”状态(步骤S16)。例如，控制部104进行调整以使得设置于供给管路56的开闭阀的开度变大，由此能够使气体供气量(来自气体释放部的气体释放量)成为“强”的状态。其结果是，利用外周排气部60的排气量(外周排气)和来自气体释放部50的气体释放量(供气)均成为“强”状态。

此时，如图8的(c)所示，成为从气体释放部50对工件W的整个上表面供给的气体的气流F1和从工件W的外周排出的气体的气流F2强的状态。其结果是，在工件W的表面上去往外周侧的气体的气流进一步变大。

在该状态下，控制部104待机至经过第三规定期间(步骤S17)。第三规定期间是存储于存储部102的期间，对应于图9所示的时刻t2～时刻t3之间。第三规定期间被设定为工件W上的覆膜的固化基本完成的程度。作为一例，第三规定期间可以基于从工件W的温度相对于作为热处理的目标的设定温度成为±1℃以内后经过了规定期间的时刻t3来设定。此外，时刻t3例如可以通过将工件W上的覆膜能够完全固化的时机设为时刻t3来设定。时刻t3可以通过重复进行使用与工件W同等的试验用工件的实验来决定。

如图9所示，时刻t2～时刻t3的期间(后期)是载置于热板上的工件W的温度充分稳定的状态。在此期间，工件W的覆膜整体地固化。在该阶段中，来自工件W的覆膜的升华物的产生量变少，成为不向处理空间S供给新的升华物的状态。

在直至经过第三规定期间为止控制部104待机的期间，持续利用外周排气部60的排气量(外周排气)和来自气体释放部50的气体释放量(供气)“强”的状态。因此，从气体释放部50自工件W的上方向处理空间S内供给的气体在工件W的上方移动且从外周侧被排出的气流变得更大，滞留在工件W上方的升华物等更容易乘着该气流被排出腔室30外。

在经过第三规定期间后，控制部104进行工件W的送出工作(步骤S18)。具体而言，控制部104控制腔室驱动部38，以使得从腔室30靠近热板22的关闭状态切换为上腔室31与热板22隔开间隔的开放状态，以便使处理空间S向腔室30外开放。这样，控制部104在使工件W靠近上腔室31的顶板311之后(更详细而言，在持续靠近顶板311的状态之后)，利用腔室驱动部38从关闭状态切换为开放状态。在该状态下，控制部104使支承销工作以使工件W上升，并且控制冷却板等以将工件W送出腔室30外。其结果是，将工件W从腔室30与热板22之间交接到插入腔室30内的冷却板，将工件W送出腔室30外。由此，针对一个工件W的一连串热处理结束。

另外，在送出工件W之后，送入下一个工件W之前，控制部104将利用外周排气部60的排气量(外周排气)和来自气体释放部50的气体释放量(供气)切换为“弱”的状态。这是为了在送入下一个工件W时抑制处理空间S内的气流的紊乱。

在更换作为处理对象的工件W的期间，通过将利用外周排气部60的排气量(外周排气)和来自气体释放部50的气体释放量(供气)切换为“弱”的状态，在送入下一个工件W时，能够抑制未固化的覆膜受到气流的影响。

[作用]

以上的实施方式的涂敷显影装置2包括对形成有覆膜的工件W实施热处理的热处理单元U2和控制热处理单元U2的控制装置100。热处理单元U2具有：加热部20，其包含支承并加热工件W的热板22；腔室30，其覆盖被加热部20支承的工件W；气体释放部50，其具有形成有多个释放孔54的头部52，从多个释放孔54朝向该工件W的表面释放气体，其中，多个释放孔54沿着与被加热部20支承的工件W相对的面散布；和外周排气部60，从比被加热部20支承的工件W的周缘靠外侧的外周区域对腔室30内的处理空间S进行排气。此时，控制装置100在工件W被加热的状态下，控制外周排气部60以使得从外周排气部60排出的排气量增加。

另外，上述实施方式的基片处理流程包括：对形成有覆膜的工件W实施热处理的步骤。对工件W实施热处理的步骤包括：使加热部20的热板22支承被腔室30覆盖的状态的工件W并对其进行加热的处理；从比被热板22支承的工件W的周缘靠外侧的外周区域对腔室30内的处理空间S进行排气的处理；和从多个释放孔54朝向该基片的表面释放气体的处理，其中，多个释放孔54沿着与被热板22支承的工件W相对的面散布，并且还包括如下处理：在进行加热的处理的状态下，一边同时进行排气的处理和释放气体的处理，一边使排气的处理中的排气量增加。

在上述涂敷显影装置2和基片处理流程中，在对作为处理对象的工件W进行热处理时，由于从外周排气部60进行排气，因此能够降低当从中心区域进行排气时可能产生的气流对覆膜的影响，特别是对膜厚的影响。此外，在工件W被加热的状态下，通过增加从外周排气部60排出的排气量，能够在热处理的后段中高效地回收升华物，因此能够抑制由升华物导致的工件W的缺损。

另外，在控制装置100中，可以在工件W被加热的状态下，控制气体释放部50，以使得来自气体释放部50的释放量增加。通过采用这样的构成，能够利用工件W表面附近的气流的流动使升华物高效地移动，因此能够抑制在热处理中产生的工件W的缺陷。

另外，由控制装置100进行的使来自气体释放部50的释放量增加的控制，也可以在使从外周排气部60排出的排气量增加的控制之后进行。通过采用这样的构成，能够避免覆膜因朝向工件W表面的气体的释放量增加而受到影响，并且高效地回收升华物，因此能够进一步抑制由升华物导致的工件W的缺损。

另外，也可以是，在腔室30内形成有与处理空间S连接的、比热板22靠下方的缓冲空间B，且还具有作为从腔室30的外部对缓冲空间B供给气体的气体供给部的递送口323。此时，缓冲空间B可以比处理空间S体积大。通过采用这样的构成，从递送口323供给来的气体在缓冲空间B中加热后被供给到处理空间S，因此能够防止处理空间S内的工件W的温度变化。此外，利用从递送口323供给来的气体，能够防止上腔室31等处理空间S的周围的部件冷却。因此，也能够防止处理空间S内的升华物与冷却的部件接触而固化等。而且，由于处理空间S的体积小，因此处理空间S的内部的气体的热容也变小。因此，处理空间S的温度也容易变得稳定，工件W的热处理本身也能够稳定地进行。

热板22可以具有用于将工件W吸附于该热板的吸附孔22b，还具有树脂制的衬垫43，衬垫43具有与吸附孔22b连通的流路。此时，树脂制的衬垫43可以经由金属部件42与吸附孔22b连通并连接到热板22。在该情况下，与树脂制的衬垫43直接连接到热板22的情况相比，能够抑制由来自热板22的热导致的树脂制的衬垫43的劣化。

金属部件42还可以具有大径部42a。此外，在大径部42a的内侧可以具有截面积大的流路空间42b。通过具有这样的构成，能够降低因热处理中产生的升华物而堵塞的风险。此外，借助于大径部42a的内侧的截面积大的流路空间42b，在吸附工件W时从处理空间S被吸引的气体的热被缓和。因此，能够抑制构成直至下游侧的树脂制的衬垫43和排气管线27为止的排气流路的装置因高温而劣化的风险。

另外，可以还具有经由支承柱331在下方连接到热板22的环状部件332。此时，树脂制的衬垫43可以位于环状部件332的下方。通过采用这样的构成，环状部件332能够有效地阻隔来自热板22的热，因此树脂制的衬垫43不容易暴露于高温，能够抑制由热导致的劣化。

另外，在上述的实施方式中，从设置于气体释放部50的头部52的多个释放孔54释放的气体全部在气体分配空间被分配，因此释放种类相同且温度相同的气体。与之相对，控制装置100也可以控制气体释放部50，以使得从设置于气体释放部50的头部52的多个释放孔54中的、与工件W的外周相对的释放孔54释放的气体的温度比从与工件W的中心相对的释放孔54释放的气体的温度高。通过采用这样的构成，特别是在工件W的外周侧，能够促进覆膜的固化。在上述的热处理单元U2中，由于利用外周排气部60进行排气而产生从工件W的中央侧去往外侧的气流，因此在工件W的外周侧，其上部的空间中的溶剂浓度容易变得比中央侧的空间高。即，由于利用外周排气部60进行排气，因此容易促进工件W的中央侧处的溶剂的挥发，在工件W的外周侧，溶剂的挥发有可能变慢。溶剂的挥发速度之差可能影响工件W中的覆膜的均匀性。因此，通过如上述那样控制气体释放部50以使得比从释放孔54释放的气体的温度高，能够降低在工件W的内外溶剂的挥发速度的差，提高覆膜的均匀性。如上述那样使气体的温度在工件W的中心侧于外周侧不同的控制，例如在热处理的初期～后期(参照图9)的任一时期中都有效。

控制装置100可以控制气体释放部50，以使得从设置于气体释放部50的头部52的多个释放孔54中的、与工件W的外周相对的释放孔54释放的气体流速比从与工件W的中心相对的释放孔54释放的气体的流速大。例如，在图4中，将释放孔54中的与工件W的中央相对的规定的中央区域所包含的释放孔54统称为中央释放区域(未图示)，将在其外侧呈周状的区域的释放孔54统称为外周释放区域(未图示)。此时，能够由利用分隔壁将头部52的内部区分为中央释放区域和外周释放区域，对与之分别连接独立的气体供给流路(未图示)这样的结构来实现。通过采用这样的构成，特别是在工件W的外周侧，能够抑制由升华物导致的工件W的缺损。在上述的热处理单元U2中，由于利用外周排气部60进行排气，因此在工件W的中央侧产生的升华物向外周侧移动，因此在外周侧容易产生由升华物导致的缺损。对此，于是，通过如上述那样控制气体释放部50以使得从释放孔54释放的气体的流速增大，能够促进升华物在工件W的外周侧的移动，提高升华物的回收效率。如上述那样使气体的流速在工件W的中心侧和外周侧不同的控制，例如在热处理的后期(参照图9)是有效的。

[变形例]

上述热处理单元U2的构成是一个例子，能够适当变更。例如，腔室30的上腔室31和下腔室32的形状等不限于在上述的实施方式中说明的结构，能够适当变更。

另外，在上述热处理步骤中，在热处理中对利用外周排气部60的排气量(外周排气)和来自气体释放部50的气体释放量(供气)这两者进行了变更，但也可以是仅变更利用外周排气部60的排气量(外周排气)的构成。而且，在上述步骤中，对以“弱”和“强”这两个阶段进行变更的情况进行了说明，但可以是以三个阶段以上多阶段地进行切换的构成。

根据以上说明，应当理解，本发明的各种实施方式以说明为目的在本说明书中进行了说明，在不脱离本发明的范围以及主旨的情况下能够进行各种变更。因此，本说明书所公开的各种实施方式并不意图限定，真正的范围和主旨由所附的权利要求书给出。

[附记]

此处，如下记载本发明所包括的各种例示的实施方式。

[1]一种基片处理装置，其具有：热板，其支承形成有覆膜的基片并对其实施进行加热的热处理；腔室，其覆盖被上述热板支承的上述基片；气体释放部，其具有形成有多个释放孔的头部，从上述多个释放孔朝向被上述热板支承的上述基片的表面释放气体，其中，上述多个释放孔沿着与该基片相对的面散布；外周排气部，其从比被上述热板支承的上述基片的周缘靠外侧的外周区域对上述腔室内的处理空间进行排气；和控制部，上述控制部在上述基片被加热的状态下，控制上述外周排气部以使得从上述外周排气部排出的排气量增加。

在上述的基片处理装置中，在对作为处理对象的基片进行热处理时，从外周排气部进行排气，因此能够降低从中心区域进行排气时可能产生的气流对覆膜的影响，特别是对膜厚的影响。此外，在基片被加热的状态下，通过使从外周排气部排出的排气量增加，能够在热处理的后段高效地回收升华物，因此能够抑制由升华物导致的基片的缺损。

[2]根据[1]记载的基片处理装置，其中，上述控制部在上述基片被加热的状态下，控制上述气体释放部以使得从上述气体释放部释放的释放量增加。

依照上述构成，由于能够利用基片表面附近的气流的流动使升华物高效地移动，因此能够抑制在热处理中产生的基片的缺陷。

[3]根据[2]记载的基片处理装置，其中，由上述控制部进行的使从上述气体释放部释放的释放量增加的控制，在使从上述外周排气部排出的排气量增加的控制之后进行。

依照上述构成，由于能够避免覆膜因去往基片表面的气体的释放量增加而受到影响，并且高效地回收升华物，因此能够进一步抑制由升华物导致的基片的缺损。

[4]根据[1]～[3]中任一项记载的基片处理装置，其中，在上述腔室内还形成有与上述处理空间连接的、比上述热板靠下方的缓冲空间，上述基片处理装置还具有从上述腔室的外部对上述缓冲空间供给气体的气体供给部，上述缓冲空间与上述处理空间相比体积大。

依照上述构成，由于从气体供给部供给来的气体在缓冲空间中加热后被供给到处理空间，因此能够防止处理空间内的基片的温度变化。此外，利用从气体供给部供给来的气体，能够防止处理空间的周围的部件冷却，也能够防止升华物与冷却的部件接触而固化等。

[5]根据[1]～[4]中任一项记载的基片处理装置，其中，上述热板具有用于将上述基片吸附于该热板的吸附孔，还具有树脂制的衬垫，该衬垫具有与上述吸附孔连通的流路，上述树脂制的衬垫经由金属制的部件与上述吸附孔连通并连接到上述热板。

依照上述构成，与树脂制的衬垫直接连接到热板的情况相比，能够抑制由来自热板的热导致的树脂制的衬垫的劣化。

[6]根据[5]记载的基片处理装置，其中，上述金属制的部件具有大径部。

依照上述构成，由于在大径部的内侧能够形成截面积大的流路空间，因此能够降低因热处理中产生的升华物而堵塞的风险。此外，借助于截面积大的流路空间，在吸附基片时从处理空间吸引的气体的热被缓和，因此能够抑制因高温的气体向下游侧流动而导致的劣化风险。

[7]根据[5]记载的基片处理装置，其中，上述基片处理装置还包括经由支承柱在下方连接到上述热板的环状部件，上述树脂制的衬垫位于上述环状部件的下方。

通过采用这样的构成，由于环状部件332能够有效地阻隔来自热板22的热，因此树脂制的衬垫43不容易暴露于高温，能够抑制由热导致的劣化。

[8]根据[1]～[7]中任一项记载的基片处理装置，其中，上述控制部控制上述气体释放部，以使得从设置于上述气体释放部的上述头部的多个释放孔中的、与上述基片的外周相对的释放孔释放的气体的温度比从与上述基片的中心相对的释放孔释放的气体的温度高。

[9]根据[1]～[7]中任一项记载的基片处理装置，其中，上述控制部控制上述气体释放部，以使得从设置于上述气体释放部的上述头部的多个释放孔中的、与上述基片的外周相对的释放孔释放的气体的流速比从与上述基片的中心相对的释放孔释放的气体的流速大。

通过具有上述构成，特别是在基片的外周侧，能够抑制由升华物导致的基片的缺损。

另外，上述[1]～[9]的基片处理装置的例示的实施方式也能够记述为下述[10]～[18]的基片处理方法的例示的实施方式。[10]～[18]记载的基片处理方法分别能够得到与[1]～[9]的基片处理装置相同的作用效果。

[10]一种包括对形成有覆膜的基片实施热处理的步骤的基片处理方法，其中，上述对基片实施上述热处理的步骤包括：使加热部的热板支承被腔室覆盖的状态的上述基片并对其进行加热的处理；从比被上述热板支承的上述基片的周缘靠外侧的外周区域对上述腔室内的处理空间进行排气的处理；和从多个释放孔朝向被上述热板支承的上述基片的表面释放气体的处理，其中，上述多个释放孔沿着与该基片相对的面散布，上述基片处理方法还包括如下处理：在进行上述加热的状态下，一边同时进行上述排气的处理和上述释放气体的处理，一边使上述排气的处理中的排气量增加。

[11]根据[10]记载的基片处理方法，其中，还包括如下处理：在进行上述加热的处理的状态下，一边同时进行上述排气的处理和上述释放气体的处理，一边使上述释放气体的处理中的释放量增加。

[12]根据[11]记载的基片处理方法，其中，上述使释放气体的处理中的释放量增加处理，在上述使排气的处理中的排气量增加的处理之后进行。

[13]根据[10]～[12]中任一项记载的基片处理方法，其中，在上述腔室内还形成有与上述处理空间连接的、比上述热板靠下方的缓冲空间，上述基片处理方法还包括从上述腔室的外部对上述缓冲空间供给气体的处理，上述缓冲空间与上述处理空间相比体积大。

[14]根据[10]～[13]中任一项记载的基片处理方法，其中，上述热板具有用于将上述基片吸附于该热板的吸附孔，还具有树脂制的衬垫，该衬垫具有与上述吸附孔连通的流路，上述树脂制的衬垫经由金属制的部件与上述吸附孔连通并连接到上述热板。

[15]根据[14]记载的基片处理方法，其中，上述金属制的部件具有大径部。

[16]根据[14]记载的基片处理方法，其中，还具有经由支承柱在下方连接到上述热板的环状部件，上述树脂制的衬垫位于上述环状部件的下方。

[17]根据[10]～[16]中任一项记载的基片处理方法，其中，在上述释放气体的处理中，使从上述多个释放孔中的与上述基片的外周相对的释放孔释放的气体的温度比从与上述基片的中心相对的释放孔释放的气体的温度高。

[18]根据[10]～[16]中任一项记载的基片处理方法，其中，在上述释放气体的处理中，使从上述多个释放孔中的与上述基片的外周相对的释放孔释放的气体的流速比从与上述基片的中心相对的释放孔释放的气体的流速大。

附图标记说明

1…基片处理系统、2…涂敷显影装置、20…加热部、22…热板、22a…载置面、22b…吸附孔、24…热板加热器、30…腔室、31…上腔室、32…下腔室、38…腔室驱动部、41…中继部件、42…金属部件、42a…大径部、42b…流路空间、43…衬垫、50…气体释放部、52…头部、54…释放孔、56…供给管路、60…外周排气部、61…第一排气孔、62…第二排气孔、65…排气管道、67…阀、90…壳体、211…顶板、311…顶板、312…侧壁、323…递送口、330…支承部、331…支承柱、332…环状部件、W…工件。

Claims (18)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

热板，其支承形成有覆膜的基片并对其实施进行加热的热处理；

腔室，其覆盖被所述热板支承的所述基片；

气体释放部，其具有形成有多个释放孔的头部，从所述多个释放孔朝向被所述热板支承的所述基片的表面释放气体，其中，所述多个释放孔沿着与该基片相对的面散布；

外周排气部，其从比被所述热板支承的所述基片的周缘靠外侧的外周区域对所述腔室内的处理空间进行排气；和

控制部，

所述控制部在所述基片被加热的状态下，控制所述外周排气部以使得从所述外周排气部排出的排气量增加。

2.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述控制部在所述基片被加热的状态下，控制所述气体释放部以使得从所述气体释放部释放的释放量增加。

3.根据权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

由所述控制部进行的使从所述气体释放部释放的释放量增加的控制，在使从所述外周排气部排出的排气量增加的控制之后进行。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

在所述腔室内还形成有与所述处理空间连接的、比所述热板靠下方的缓冲空间，

所述基片处理装置还具有从所述腔室的外部对所述缓冲空间供给气体的气体供给部，

所述缓冲空间与所述处理空间相比体积大。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述热板具有用于将所述基片吸附于该热板的吸附孔，

还具有树脂制的衬垫，所述衬垫具有与所述吸附孔连通的流路，

所述树脂制的衬垫经由金属制的部件与所述吸附孔连通并连接到所述热板。

6.根据权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：

所述金属制的部件具有大径部。

7.根据权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：

还具有经由支承柱在下方连接到所述热板的环状部件，

所述树脂制的衬垫位于所述环状部件的下方。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述控制部控制所述气体释放部，以使得从设置于所述气体释放部的所述头部的多个释放孔中的、与所述基片的外周相对的释放孔释放的气体的温度比从与所述基片的中心相对的释放孔释放的气体的温度高。

9.根据权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述控制部控制所述气体释放部，以使得从设置于所述气体释放部的所述头部的多个释放孔中的、与所述基片的外周相对的释放孔释放的气体的流速比从与所述基片的中心相对的释放孔释放的气体的流速大。

10.一种包括对形成有覆膜的基片实施热处理的步骤的基片处理方法，其特征在于：

所述对基片实施所述热处理的步骤包括：

使加热部的热板支承被腔室覆盖的状态的所述基片并对其进行加热的处理；

从比被所述热板支承的所述基片的周缘靠外侧的外周区域对所述腔室内的处理空间进行排气的处理；和

从多个释放孔朝向被所述热板支承的所述基片的表面释放气体的处理，其中，所述多个释放孔沿着与该基片相对的面散布，

所述基片处理方法还包括如下处理：在进行所述加热的处理的状态下，一边同时进行所述排气的处理和所述释放气体的处理，一边使所述排气的处理中的排气量增加。

11.根据权利要求10所述的基片处理方法，其特征在于，还包括如下处理：

在进行所述加热的处理的状态下，一边同时进行所述排气的处理和所述释放气体的处理，一边使所述释放气体的处理中的释放量增加。

12.根据权利要求11所述的基片处理方法，其特征在于：

所述使释放气体的处理中的释放量增加的处理，在所述使排气的处理中的排气量增加的处理之后进行。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述腔室内还形成有与所述处理空间连接的、比所述热板靠下方的缓冲空间，

所述基片处理方法还包括从所述腔室的外部对所述缓冲空间供给气体的处理，

所述缓冲空间与所述处理空间相比体积大。

14.根据权利要求10～12中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述热板具有用于将所述基片吸附于该热板的吸附孔，

还具有树脂制的衬垫，所述衬垫具有与所述吸附孔连通的流路，

所述树脂制的衬垫经由金属制的部件与所述吸附孔连通并连接到所述热板。

15.根据权利要求14所述的基片处理方法，其特征在于：

所述金属制的部件具有大径部。

16.根据权利要求14所述的基片处理方法，其特征在于：

还具有经由支承柱在下方连接到所述热板的环状部件，

所述树脂制的衬垫位于所述环状部件的下方。

17.根据权利要求10～12中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述释放气体的处理中，使从所述多个释放孔中的与所述基片的外周相对的释放孔释放的气体的温度比从与所述基片的中心相对的释放孔释放的气体的温度高。

18.根据权利要求10～12中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述释放气体的处理中，使从所述多个释放孔中的与所述基片的外周相对的释放孔释放的气体的流速大于从与所述基片的中心相对的释放孔释放的气体的流速。