JP7129309B2 - 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本開示の例示的実施形態は、基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体に関する。

特許文献１には、基板に熱を付与する熱板と、基板を支持する支持部材と、熱板と基板との距離を測定する距離センサと、熱板の温度を測定する温度センサと、制御部と、を備える基板処理装置が開示されている。この基板処理装置の制御部は、距離センサにより測定された離間距離と、温度センサにより測定された熱板の温度とに基づいて、熱板の温度を制御している。

特開２０１５－１７７０２４号公報

本開示の例示的実施形態は、電力使用量を減らすことが可能な基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体を提供する。

一つの例示的実施形態において、基板処理装置が提供される。この基板処理装置は、処理対象の基板を収容する処理室と、処理室内において基板を支持して加熱する熱板と、処理室内から気体を排出する排気部と、熱板の温度を測定する第１温度測定部と、処理室内の温度を測定する第２温度測定部と、熱板及び排気部を制御する制御部と、を有する。制御部は、処理室内からの排気量が第１排気量となるように排気部を制御するとともに、第１温度測定部による測定値が第１目標値に近づくように熱板を制御する第１制御と、排気量が第１排気量よりも少ない第２排気量となるように排気部を制御するとともに、第２温度測定部による測定値が第２目標値に近づくように熱板を制御する第２制御と、を実行する。

本開示の例示的実施形態によれば、電力使用量を減らすことが可能な基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体が提供される。

図１は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムを示す斜視図である。 図２は、図１に示される基板処理システムの内部構成の一例を示す模式図である。 図３は、処理モジュールの一例を示す模式図である。 図４は、基板処理システムの主要部の一例を示すブロック図である。 図５は、制御装置のハードウェア構成の一例を示す概略図である。 図６は、基板処理方法の一例を示すフロー図である。 図７は、基板処理方法の一例を説明するためのタイミングチャートである。 図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、比較例に係る基板処理方法を説明するためのタイミングチャートである。 図９は、基板処理方法の他の例を示すフロー図である。 図１０は、基板処理方法の他の例を説明するためのタイミングチャートである。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

一つの例示的実施形態において、基板処理装置が提供される。この基板処理装置は、処理対象の基板を収容する処理室と、処理室内において基板を支持して加熱する熱板と、処理室内から気体を排出する排気部と、熱板の温度を測定する第１温度測定部と、処理室内の温度を測定する第２温度測定部と、熱板及び排気部を制御する制御部と、を有する。制御部は、処理室内からの排気量が第１排気量となるように排気部を制御するとともに、第１温度測定部による測定値が第１目標値に近づくように熱板を制御する第１制御と、排気量が第１排気量よりも少ない第２排気量となるように排気部を制御するとともに、第２温度測定部による測定値が第２目標値に近づくように熱板を制御する第２制御と、を実行する。

この基板処理装置では、第１排気量よりも第２排気量が少ないので、第１制御により第１排気量で排気する際の電力よりも第２制御により第２排気量で排気する際の電力が小さくなる。これにより、第２制御を実行することなく第１制御を継続する場合に比べて、電力使用量を減らすことが可能となる。

熱板に支持されている基板の温度は、処理室内の温度からも影響を受ける。このため、処理室内から排出される気体の排出量（排気量）が少なくなると、処理室内の温度が上昇し、熱板に支持されている基板の温度に影響を与える。上述の基板処理装置では、処理室内からの排気量が第１排気量から第１排気量よりも少ない第２排気量に変化した場合に、処理室内の温度の測定値が第２目標値に維持されるように熱板が制御される。これにより、排気量が少なくなった場合においても、処理室内の温度を所望の範囲に保つことができるので、排気量が第１排気量に戻された際に、排気量の変化に伴う処理室内の温度変化による基板に対する影響が低減される。従って、電力使用量を減らしつつ、基板の温度をより精度良く制御することが可能となる。

一つの例示的実施形態において、制御部は、熱板による基板の加熱を含む熱処理時に第１制御を実行し、基板の非熱処理時に第２制御を実行してもよい。この場合、熱処理が行われていない間においても処理室内の温度が所望の範囲に保たれるので、電力使用量を減らしつつ、排気量が第１排気量に戻され熱処理が行われる際に、基板の温度をより精度良く制御することが可能となる。

一つの例示的実施形態において、制御部は、排気量が第２排気量となるように排気部を制御するとともに、第１温度測定部による測定値が第１目標値に近づくように熱板を制御する第３制御をさらに実行してもよい。制御部は、基板の非熱処理時において、基板の熱処理の開始が近づくのに応じて第２制御から第３制御に切り替えてもよい。この場合、熱処理の開始前に熱板の温度を第１目標値に近づける第３制御が開始されるので、熱処理の開始時に合わせて熱板の温度を第１目標値に早く調整することが可能となる。

一つの例示的実施形態において、制御部は、第２目標値と第１制御実行時の処理室内の温度との差が所定範囲に含まれるように第２目標値を設定してもよい。この場合、処理室内の温度が、排気量にかかわらず所定の範囲に保たれるので、電力使用量を減らしつつ、基板の温度をより精度良く制御することが可能となる。

一つの例示的実施形態において、処理室は、熱板における基板の載置面を囲むように構成された蓋体を含んでいてもよい。第２温度測定部は、処理室内の温度として蓋体の温度を測定してもよい。例えば、処理室内に外気が一時的に入ったとしても蓋体の温度への影響は小さい。上記構成では蓋体の温度を測定しているので、処理室内の温度を安定して測定することができる。また、熱板に支持されている基板の周囲の雰囲気温度は、当該基板を囲む部材の影響を受けやすいと考えられる。このため、基板を囲むように構成された蓋体の温度を測定し、当該蓋体の温度の測定値が第２目標値に維持されることにより、基板の周囲の雰囲気温度が精度良く調整される。その結果、電力使用量を減らしつつ、基板の温度をより精度良く制御することが可能となる。

別の例示的実施形態において、基板処理方法が提供される。この基板処理方法は、処理対象の基板を収容する処理室内からの気体の排気量が第１排気量となるように制御するとともに、基板を支持して加熱する熱板の温度を測定する第１温度測定部による測定値が第１目標値に近づくように制御することと、排気量が第１排気量よりも少ない第２排気量となるように制御するとともに、処理室内の温度を測定する第２温度測定部による測定値が第２目標値に近づくように制御することと、を含む。

さらに別の例示的実施形態において、上述の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体が提供される。

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

［基板処理システム］
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現象を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウエハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウエハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウエハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

［基板処理装置］
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００（制御部）とを備える。

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウエハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウエハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウエハＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウエハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリアＣからウエハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウエハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３，１４は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。塗布ユニットＵ１は、処理液をウエハＷの表面に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。

処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウエハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の塗布ユニットＵ１は、下層膜を形成するための処理液をウエハＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させてレジスト膜とするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）が挙げられる。

処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１４は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１４の塗布ユニットＵ１は、露光済みのウエハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウエハＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウエハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウエハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウエハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のウエハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウエハＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウエハＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このウエハＷの表面上に下層膜を形成するように、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたウエハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウエハＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウエハＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このウエハＷの表面に対してレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウエハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウエハＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウエハＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このウエハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウエハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウエハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後制御装置１００は、露光処理が施されたウエハＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように受け渡しアームＡ８を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウエハＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウエハＷのレジスト膜に現像処理を施すように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウエハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウエハＷをキャリアＣ内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、熱処理ユニットＵ２と、これを制御可能な制御装置１００とを備えていればどのようなものであってもよい。

（熱処理ユニット）
続いて、熱処理ユニットＵ２について図３を参照して詳細に説明する。図３に示されるように、熱処理ユニットＵ２は、処理室２０と、熱板温度測定部５０（第１温度測定部）と、室内温度測定部６０（第２温度測定部）と、排気部７０と、排気部８０とを備える。

処理室２０は、熱処理の対象であるウエハＷを収容する。換言すると、処理室２０内において、ウエハＷの熱処理が行われる。処理室２０は、筐体２１と、温度調整機構３０と、加熱機構４０と、を有する。なお、図３は、熱処理ユニットＵ２の一部の構成を示しており、熱処理ユニットＵ２の全ての構成を示すものではない。

筐体２１は、温度調整機構３０、加熱機構４０、熱板温度測定部５０、及び室内温度測定部６０を収容する処理容器である。筐体２１の側壁には、ウエハＷを搬入するための搬入口２２が開口されている。筐体２１は、筐体２１内を上方領域と下方領域とに区画する床板２３を有する。上方領域はウエハＷの移動領域であり、下方領域はそれ以外の領域である。

温度調整機構３０は、処理室２０内においてウエハＷの温度を所定温度に調整する機構である。温度調整機構３０におけるウエハＷの温度の調整は、熱処理ユニットＵ２における熱処理に一部に含まれてもよい。温度調整機構３０は、外部の搬送アームＡ３との間でウエハＷの受け渡しを行う。温度調整機構３０は、温度調整プレート３１と、連結ブラケット３２と、駆動機構３３とを有する。

温度調整プレート３１は、載置されたウエハＷの温度調整を行うプレートである。具体的には、温度調整プレート３１は、加熱機構４０により加熱されたウエハＷを載置し、該ウエハＷを所定温度に冷却するクールプレートである。例えば、温度調整プレート３１は、略円盤状に形成されていてもよい。温度調整プレート３１は、熱伝導性の高いアルミ、銀、又は銅等の金属によって構成されていてもよい。温度調整プレート３１は、熱による変形を防止する観点から同一の材料で構成されていてもよい。温度調整プレート３１の内部には、冷却水又は冷却気体を流通させるための冷却流路（不図示）が形成されている。

連結ブラケット３２は、温度調整プレート３１に連結されている。駆動機構３３は、制御装置１００の指示に基づいて動作し、連結ブラケット３２を移動させる。連結ブラケット３２は、駆動機構３３によって筐体２１内を移動する。具体的には、連結ブラケット３２は、筐体２１の搬入口２２と加熱機構４０の近傍との間に延びるガイドレール（不図示）に沿って移動する。連結ブラケット３２がガイドレールに沿って移動することにより、温度調整プレート３１が搬入口２２と加熱機構４０との間を移動する。連結ブラケット３２は、例えば熱伝導率の高いアルミ、銀、又は銅等の金属によって構成されていてもよい。

加熱機構４０は、処理室２０内においてウエハＷを加熱処理する機構である。加熱機構４０におけるウエハＷに対する加熱処理は、熱処理ユニットＵ２における熱処理の一部に含まれる。加熱機構４０は、支持台４１と、熱板４２と、ヒータ４３と、チャンバー４４（蓋体）と、昇降機構４５と、支持ピン４６と、昇降機構４７とを有する。

支持台４１は、中央部分に窪みが形成された円筒形状を呈している。支持台４１は、熱板４２を支持している。熱板４２は、例えば略円盤状に形成されており、支持台４１の窪みに収容されている。熱板４２は、載置面４２ａを有している。載置面４２ａに処理対象のウエハＷが載置されることで、熱板４２はウエハＷを支持する。熱板４２は、載置されたウエハＷを加熱する。熱板４２の載置面４２ａとは反対側の下面には、熱板４２を加熱するためのヒータ４３が設けられている。例えば、ヒータ４３は、抵抗発熱体から構成されている。ヒータ４３に対して電流が流れることにより、ヒータ４３は発熱する。そして、ヒータ４３からの熱が伝熱して、熱板４２の温度が上昇する。ヒータ４３には、制御装置１００からの指示に応じた値の電流が流れてもよく、制御装置１００からの指示に応じた値の電圧が印加され、当該電圧値に応じた電流が流れてもよい。なお、ヒータ４３は、熱板４２内に埋め込まれていてもよい。なお、熱板４２は、例えば熱伝導率の高いアルミ、銀、又は銅等の金属によって構成することができるが、ヒータ４３からの熱が伝わり、ウエハＷを加熱することが可能であれば、どのような形状及び材料から構成されていてもよい。

チャンバー４４は、熱板４２におけるウエハＷの載置面４２ａを囲むように構成されている。チャンバー４４は、天板部４４ａと、足部４４ｂとを有している。天板部４４ａは、支持台４１と同程度の直径を有する円板状に構成されている。天板部４４ａは、熱板４２の載置面４２ａと上下方向において対向するように配置されている。足部４４ｂは、天板部４４ａの外縁から下方に延びるように構成されている。昇降機構４５は、制御装置１００の指示に応じてチャンバー４４を昇降させる機構である。昇降機構４５によりチャンバー４４が上昇することによって、ウエハＷの加熱処理を行う空間が開かれた状態となり、チャンバー４４が下降することによって、ウエハＷの加熱処理を行う空間が閉じられた状態となる。

支持ピン４６は、支持台４１及び熱板４２を貫通するように上下方向に延びており、ウエハＷを下方から支持するピンである。支持ピン４６は、上下方向に昇降することにより、ウエハＷを所定の位置に配置する。支持ピン４６は、ウエハＷを搬送する温度調整プレート３１との間でウエハＷの受け渡しを行う。支持ピン４６は、例えば周方向に等間隔に配置された３本のピンにより構成されてもよい。昇降機構４７は、制御装置１００の指示に応じて支持ピン４６を昇降させる機構である。昇降機構４７は、熱板４２に対してウエハＷを近づけ、熱板４２にウエハＷが載置されるように、ウエハＷ（詳細にはウエハＷを支持する支持ピン４６）を昇降可能に構成されている。

熱板温度測定部５０は、熱板４２の温度を測定する。熱板温度測定部５０として、例えば温度センサが用いられてもよい。熱板温度測定部５０は、熱板４２の表面部分の温度を測定してもよく、熱板４２の内部の温度を測定してもよい。熱板温度測定部５０は、熱板４２の温度を測定できれば、いずれの箇所に設けられてもよい。例えば、熱板温度測定部５０は、熱板４２上に設けられていてもよく、熱板４２内に埋め込まれていてもよい。

室内温度測定部６０は、処理室２０内の温度を測定する。室内温度測定部６０として、例えば温度センサが用いられてもよい。本実施形態では、室内温度測定部６０は、処理室２０内の温度として、熱板４２に支持されているウエハＷの周囲に設けられる部材の温度を測定する。また、本実施形態では、室内温度測定部６０は、ウエハＷの周囲に設けられる部材の温度として、チャンバー４４の温度を測定する。ただし、ウエハＷの周囲に設けられる部材の温度として、チャンバー４４以外の部材の温度を測定してもよい。室内温度測定部６０がチャンバー４４の温度を測定する場合、室内温度測定部６０は、チャンバー４４の外側又は内側の表面部分における温度を測定してもよく、チャンバー４４の内部の温度を測定してもよい。この場合、室内温度測定部６０は、チャンバー４４の温度を測定できれば、いずれの箇所に設けられてもよい。例えば、室内温度測定部６０は、チャンバー４４の表面上に設けられていてもよく、チャンバー４４内（例えば天板部４４ａ内）に埋め込まれていてもよい。

熱板温度測定部５０及び室内温度測定部６０のそれぞれは、所定の間隔で繰り返して測定対象の温度を測定してもよく、制御装置１００からの指示に応じて測定対象の温度を測定してもよい。熱板温度測定部５０及び室内温度測定部６０のそれぞれは、測定値を制御装置１００に出力する。例えば、熱板温度測定部５０及び室内温度測定部６０のそれぞれは、測定した温度をアナログ値として出力してもよい。熱板温度測定部５０及び室内温度測定部６０のそれぞれは、サーミスタであってもよく、測定対象の温度に応じた電圧値を、温度に関する情報として制御装置１００に出力してもよい。

排気部７０は、処理室２０から気体を排出する。例えば、排気部７０は、処理室２０から熱処理ユニットＵ２（塗布・現像装置２）の外部へ気体を排出する。排気部７０は、排気ダクト７１と、開閉部７２とを含む。排気ダクト７１は、処理室２０内の空間（筐体２１により区画される空間）と排出先とを接続する。開閉部７２は、排気ダクト７１の流路上に設けられる。開閉部７２は、制御装置１００の指示に応じて排気ダクト７１の流路を開放状態又は遮断状態に切り替える。開閉部７２は、例えばソレノイドバルブ（電磁弁）である。開閉部７２が開状態に設定されることで、排気ダクト７１の流路は遮断状態から開放状態に切り替えられる。開閉部７２が閉状態に設定されることで、排気ダクト７１の流路は開放状態から遮断状態に切り替えられる。

排気部８０は、支持台４１及びチャンバー４４により区画される空間（以下、チャンバー４４内の空間という。）から気体を排出する。このチャンバー４４内の空間は、処理室２０内の空間に含まれている。例えば、排気部８０は、チャンバー４４内から熱処理ユニットＵ２（塗布・現像装置２）の外部へ気体を排出する。排気部８０は、排気ダクト８１と、開閉部８２とを含む。排気ダクト８１は、チャンバー４４内の空間と排出先とを接続する。排気ダクト８１は、チャンバー４４の天板部４４ａにおいて室内温度測定部６０が設けられた位置と異なる位置に接続されてもよい。開閉部８２は、排気ダクト８１の流路上に設けられる。開閉部８２は、制御装置１００の指示に応じて排気ダクト８１の流路を開放状態又は遮断状態に切り替える。開閉部８２は、例えばソレノイドバルブ（電磁弁）である。開閉部８２が開状態に設定されることで、排気ダクト８１の流路は遮断状態から開放状態に切り替えられる。開閉部８２が閉状態に設定されることで、排気ダクト８１の流路は開放状態から遮断状態に切り替えられる。

排気部７０及び排気部８０から排出される気体の総排気量は、開閉部７２，８２の開閉状態を制御することにより変化させることができる。開閉部７２，８２の開閉状態を変化させることにより、排気部７０及び排気部８０から排出される気体の総排気量を、第１排気量と、第１排気量より少ない第２排気量と、に切り替えることができる。本実施形態では、開閉部７２，８２の両方が開状態に設定されているとき、総排気量が第１排気量になるとする。また、開閉部７２，８２の両方が閉状態に設定されているとき、総排気量が第２排気量になるとする。すなわち、本実施形態において説明する第１排気量及び第２排気量とは、排気部７０及び排気部８０の両方から排出される気体の総排気量を指す。開閉部７２，８２が閉状態に設定されているとき、排気部７０及び排気部８０は、処理室２０からの気体の排出（排気）を停止している状態（以下、排気停止状態という。）であることから、第２排気量はゼロに略等しい。なお、排気停止状態であっても、開閉部７２，８２の構造により生じる微細な量の気体の漏れ（排気）が発生していてもよい。塗布・現像装置２の電源が入れられ、ウエハＷの処理を開始する前の初期状態において、開閉部７２，８２は閉状態に設定されていてもよい。

ウエハＷに対してクリーンな状態で熱処理を行うために、排気部７０，８０によりチャンバー４４内の空間を含む処理室２０内から気体が排出される。例えば、排気部７０による排気は、ウエハＷの熱処理中に熱処理ユニットＵ２内で発塵したパーティクルがウエハＷに落ちないようにするために行われる。例えば、排気部８０による排気は、ウエハＷに対する熱処理で発生する昇華物がウエハＷに再度付着しないようにするために行われる。

（制御装置）
制御装置１００は、図４に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、制御装置１００の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、制御装置１００を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。

読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体ＲＭからプログラムを読み取る。記憶媒体ＲＭは、基板処理システム１の各部を動作させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体ＲＭとしては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。

記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶する。記憶部Ｍ２は、例えば、読取部Ｍ１において記憶媒体ＲＭから読み出したプログラム、ウエハＷを処理する際の各種データ（いわゆる処理レシピ）、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データ等を記憶する。

処理部Ｍ３は、各種データを処理する。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２（加熱機構４０及び排気部７０，８０）を動作させるための動作信号を生成する。

指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を各種装置に送信する。例えば加熱機構４０に送信される動作信号には、ヒータ４３に流す電流値を示す信号が含まれてもよい。あるいは、指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３で定められたヒータ４３に流す電流値を有する電流を、ディジタル－アナログ変換回路を介してヒータ４３に出力してもよい。

制御装置１００のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図５に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の基板処理手順を露光・現像装置２に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１からの指令に従って、基板処理システム１の各部との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。

制御装置１００は、上記の構成により、基板処理システム１に含まれる塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２（加熱機構４０及び排気部７０，８０）等を制御する。また、制御装置１００は、図４において図示しない他のユニットの制御も行ってもよい。なお、上記の制御装置１００の構成は一例であって、上記に限定されるものではない。

［基板処理方法］
続いて、図６を参照して、基板処理方法の一例として、ウエハＷの熱処理時及び非熱処理時における処理室２０内の排気及び熱板４２の温度調整の手順について説明する。図６に示される各ステップは、制御装置１００が塗布・現像装置２を構成する各ユニットを制御することにより実行される。例えば、この排気及び温度調整の手順は、塗布・現像装置２に電源が入れられ、ウエハＷの各種処理の開始に合わせて開始される。

まず、制御装置１００は、ステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、制御装置１００は、開閉部７２，８２を開状態に設定することにより、処理室２０内から第１排気量で気体を排出させる。なお、以降のステップにおいて、開閉部７２，８２が閉状態に設定されるまで、制御装置１００は、処理室２０内から第１排気量で気体を排出させる状態を維持する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、制御装置１００は、熱板４２の温度制御を開始する。具体的には、制御装置１００は、熱板４２の温度をウエハＷの加熱処理に適した温度（第１目標値）に近づける制御を開始する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、制御装置１００は、ウエハＷを処理室２０内に搬入する。具体的には、制御装置１００は、搬送アームＡ３、駆動機構３３及び昇降機構４７を駆動させることで、棚ユニットＵ１０等の熱処理ユニットＵ２の外から処理室２０内の熱板４２に処理対象のウエハＷを移動させる。次に、制御装置１００は、ステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、制御装置１００は、ウエハＷに対しての加熱処理を含む熱処理を開始する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ０５，Ｓ０６を実行する。ステップＳ０５では、制御装置１００は、熱板温度測定部５０から熱板４２の温度の測定値を取得する。ステップＳ０６では、制御装置１００は、熱板温度測定部５０からの測定値に基づいて、熱板４２の温度が第１目標値に維持されるように熱板４２を制御する。例えば、制御装置１００は、熱板温度測定部５０からの測定値と第１目標値との差分値を算出し、算出した差分値等に基づいてＰＩＤ（Proportional-Integral-Differential）制御を行うことで熱板４２の温度（ヒータ４３に流す電流値）を調整する。

このように、制御装置１００は、ウエハＷの熱処理時において第１制御を実行する。制御装置１００は、第１制御では、処理室２０内から第１排気量で気体を排気する（ステップＳ０１）とともに、熱板温度測定部５０による測定値が第１目標値に近づくように熱板４２の温度を制御する（ステップＳ０２，Ｓ０５，Ｓ０６）。本実施形態では、ウエハＷの「熱処理」には、加熱機構４０（熱板４２）による加熱処理、及び温度調整機構３０により温度調整（冷却）処理が含まれる。なお、制御装置１００は、第１制御の実行時において室内温度測定部６０による測定値を取得してもよい。

次に、制御装置１００は、ステップＳ０７を実行する。ステップＳ０７では、処理対象のウエハＷに対する熱処理が終了したかどうかを判断する。例えば、制御装置１００は、処理室２０内において加熱機構４０によりウエハＷが加熱され、当該ウエハＷが温度調整機構３０により所定温度まで調整された後に、処理対象のウエハＷに対する熱処理が終了したと判断する。制御装置１００は、熱処理が終了していない場合、ステップＳ０５，Ｓ０６を再度行う。換言すると、制御装置１００は、ウエハＷの熱処理が終了するまで、ステップＳ０５，Ｓ０６を繰り返す。これにより、制御装置１００は、熱板４２の温度を第１目標値に維持する。なお、熱板４２の温度を第１目標値に維持するとは、熱板４２の温度が第１目標値に対して許容誤差を加減算した範囲に含まれる状態を継続させることである。

一方、ステップＳ０７において、処理対象のウエハＷに対する熱処理が終了したと判断された場合、制御装置１００は、ステップＳ０８を実行する。ステップＳ０８では、制御装置１００は、例えば温度調整機構３０及び搬送アームＡ３を制御することにより、熱処理が終了したウエハＷを熱処理ユニットＵ２から搬出する。これにより、熱処理ユニットＵ２はウエハＷの熱処理が行われていない待機状態（非熱処理状態）に移行する。例えば、待機状態には、次の処理対象のウエハＷが決定され、当該ウエハＷが熱処理ユニットＵ２に搬入されるのを待機すること、及び次の処理対象のウエハＷが決定されていない状態で、次の処理対象のウエハＷが決定されるまで待機すること、が含まれてもよい。待機状態は、熱処理ユニットＵ２内に処理対象のウエハＷが存在してない状態と定義されてもよい。

次に、制御装置１００は、ステップＳ０９を実行する。ステップＳ０９では、制御装置１００は、処理室２０内の目標温度として第２目標値を設定する。例えば、制御装置１００は、予め定められた第２目標値を記憶していてもよい。あるいは、制御装置１００は、第１制御実行時における処理室２０内の温度に応じて、第２目標値を設定してもよい。具体的には、制御装置１００は、第２目標値と第１制御実行時における処理室２０内の温度との差が所定範囲（例えば数℃）となるように第２目標値を設定してもよい。例えば、制御装置１００は、第１制御実行時における処理室２０内の温度として、第１制御実行時において室内温度測定部６０から取得した測定値を用いてもよい。この場合、第２目標値は、第１制御実行時における室内温度測定部６０による複数の測定値の平均値であってもよく、第１制御の終了時点での測定値であってもよい。なお、制御装置１００は、処理室２０の温度に応じて第２目標値を一度設定した後、第２目標値の設定値を基板処理手順が終了するまで維持してもよい。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１０を実行する。ステップＳ１０では、制御装置１００は、処理室２０内から第２排気量で気体を排出させる。本実施形態では、制御装置１００は、開閉部７２，８２を閉状態に設定することで、処理室２０内からの気体の排出を停止する。なお、以降のステップにおいて、開閉部７２，８２が開状態に設定されるまで、制御装置１００は、第２排気量で排気させる（気体の排出を停止した）状態を維持する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１１，Ｓ１２を実行する。ステップＳ１１では、制御装置１００は、処理室２０内の温度を取得する。具体的には、制御装置１００は、室内温度測定部６０からの測定値を取得する。ステップＳ１２では、制御装置１００は、室内温度測定部６０からの測定値に基づいて、処理室２０内の温度が第２目標値に維持されるように熱板４２を制御する。例えば、制御装置１００は、室内温度測定部６０からの測定値と第２目標値との差分値を算出し、算出した差分値等に基づいてＰＩＤ制御を行うことで熱板４２の温度（ヒータ４３に流す電流値）を調整する。

このように、制御装置１００は、ウエハＷの熱処理が行われていない待機状態（非熱処理時）において、第２制御を実行する。制御装置１００は、第２制御では、処理室２０内からの気体の排出を停止する（ステップＳ１０）とともに、室内温度測定部６０による測定値が第２目標値に近づくように熱板４２の温度を制御する（ステップＳ１１，Ｓ１２）。第１制御では、熱板温度測定部５０により測定される熱板４２の温度の測定値が第１目標値に近くづくように熱板４２が制御されるのに対して、第２制御では、室内温度測定部６０により測定される処理室２０内の温度の測定値が第２目標値に近づくように熱板４２が制御される。つまり、第１制御と第２制御では、制御対象は、熱板４２の温度（ヒータ４３への電流値）である点は共通するが、温度の調整量を決定するための測定値及び目標値が互いに異なっている。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、制御装置１００は、待機状態が終了したかどうか判断する。待機状態は、例えば、次の熱処理が開始される際に終了される。つまり、制御装置１００は、次のウエハＷの熱処理が熱処理ユニットＵ２において開始されるかどうかに基づいて、待機状態が終了したか判断する。例えば、制御装置１００は、搬送アームＡ３により熱処理ユニットＵ２に向けて、次の処理対象のウエハＷの搬送が開始されることで、当該熱処理ユニットＵ２では待機状態が終了したと判断してもよい。ステップＳ１３において、待機状態が終了していないと判断された場合、制御装置１００は、ステップＳ１１，Ｓ１２を繰り返す。これにより、制御装置１００は、熱処理が行われていない間、処理室２０の温度を第２目標値に維持する。なお、処理室２０内の温度を第２目標値に維持するとは、処理室２０内の温度が第２目標値に対して許容誤差を加減算した範囲に含まれる状態を継続させることである。

一方、ステップＳ１３において、待機状態が終了したと判断された場合、制御装置１００は、ステップＳ０１～Ｓ１３を再び実行する。制御装置１００は、ステップＳ０１～Ｓ１３までの処理を、予め定められた枚数のウエハＷの熱処理が行われる間、繰り返してもよい。なお、制御装置１００は、予め定められた枚数のウエハＷのうちの最後に処理されるウエハＷに対する熱処理が終了した際には、ステップＳ０８～Ｓ１３を実行することなく、ステップＳ０７の実行後に、この排気及び温度調整の手順を終了してもよい。

続いて、図７を参照して、上述の処理手順を実行した場合において各種要素の時間変化を説明する。図７では、期間Ｔ１及び期間Ｔ３において熱処理が行われており、期間Ｔ２では熱処理ユニットＵ２により熱処理が行われていない場合における各要素の時間変化が示されている。すなわち、期間Ｔ１，Ｔ３においては、上述のステップＳ０１～Ｓ０７が実行され、期間Ｔ２においては、上述のステップＳ０８～Ｓ１３が実行される。

図７において、「排気ＯＮ」とは、排気部７０，８０が第１排気量で排気している状態であり、「排気ＯＦＦ」とは、排気部７０，８０が第２排気量で排気している（排気を停止している）状態である。図７において、「電力」は１つの熱処理ユニットＵ２において使用される電力を示している。以降では、熱処理及び排気が行われる期間Ｔ１における電力の使用量を１００％として説明する。期間Ｔ１では、熱処理が行われるので熱板４２の温度は略一定（温度ｔｐ１）に保たれる。また、排気部７０，８０により排気が行われており、熱板４２の温度が略一定に保たれることによって、処理室２０内の温度が略一定（温度ｔｐ２）に保たれる。

期間Ｔ２では、排気部７０，８０による排気が停止される。排気及び熱処理に必要な電力が減少するので、期間Ｔ２における電力の使用量は、期間Ｔ１に比べて減少する。例えば、期間Ｔ２における電力の使用量は、一例として３０％程度まで減少する。このように、制御装置１００は、第１制御に比べて使用される電力が小さくなるように第２制御を実行する。期間Ｔ２では、処理室２０内の温度が第２目標値に近づくように熱板４２の温度が調整されるので、処理室２０内の温度が略一定（温度ｔｐ２）に保たれる。また、第２目標値が、期間Ｔ１における処理室２０内の温度に設定されることにより、期間Ｔ１，Ｔ２を通して、処理室２０内の温度が略一定（温度ｔｐ２）に保たれる。なお、期間Ｔ２では、処理室２０内の温度を保つため、熱板４２の温度が温度ｔｐ１よりも低くなるように制御される。熱板４２の温度の低下（電流値の減少）に伴い、期間Ｔ２における電力の使用量は徐々に減少していくが、排気を停止することに伴う電力量の減少に比べて電力量の変化が小さいために図示は省略されている。

期間Ｔ３では、次のウエハＷの搬入を経て熱処理が再度行われるので、排気部７０，８０による排気が行われる。これにより、電力の使用量は期間Ｔ１と同程度となり、熱板４２の温度は、上昇後に、第１目標値に維持される。熱板４２の温度が第１目標値に維持されることで、処理室２０内の温度は略一定（温度ｔｐ２）に保たれる。熱板４２には、ヒータ４３が設けられているので、熱板４２の温度を第１目標値に調整するための時間は、処理室２０内の温度を所望の値に調整するための時間に比べて短い。例えば、期間Ｔ２における待機状態の終了後、数秒程度で熱板４２の温度を第１目標値に調整することができる。期間Ｔ３における熱処理が終了後、期間Ｔ２、及び期間Ｔ３と同様の各要素の時間変化が繰り返される。

［作用］
上記実施形態で説明した塗布・現像装置２及び基板処理方法では、処理室２０内からの排気量が第１排気量となるように排気部７０，８０を制御するとともに、熱板温度測定部５０による測定値が第１目標値に近づくように熱板４２を制御する第１制御と、排気量が第１排気量よりも少ない第２排気量となるように排気部７０，８０を制御するとともに、室内温度測定部６０による測定値が第２目標値に近づくように熱板４２を制御する第２制御と、が実行される。

この塗布・現像装置２及び基板処理方法では、第１排気量よりも第２排気量が少ないので、第１制御により第１排気量で排気する際の電力よりも第２制御により第２排気量で排気する際の電力が小さくなる。これにより、第２制御を実行することなく第１制御を継続する場合に比べて、電力使用量を減らすこと可能となる。

熱板４２に支持されているウエハＷの温度は、処理室２０内の温度からも影響を受ける。このため、処理室２０内から排出される気体の排出量（排気量）が少なくなると、処理室２０内の温度が上昇し、熱板４２に支持されているウエハＷの温度に影響を与える。上述の塗布・現像装置２では、排気量が少なくなった場合に、処理室２０内の温度の測定値が第２目標値に維持されるように熱板４２が制御される。これにより、排気量が少なくなった場合においても、処理室２０内の温度を所望の範囲に保つことができるので、排気量が第１排気量に戻された際に、排気量の変化に伴う処理室２０内の温度変化によるウエハＷに対する影響が低減される。従って、電力使用量を減らしつつ、ウエハＷの温度をより精度良く制御することが可能となる。すなわち、電力使用量の低減とウエハＷの温度制御の精度向上との両立を図ることが可能となる。

従来は、排気部７０，８０による排気を非熱処理時も継続するような基板処理方法（第１比較例）が行われている場合が多いと考えられる。図８（Ａ）には、第１比較例に係る各要素の時間変化が示されている。この第１比較例では、排気部７０，８０による排気が、期間Ｔ１，Ｔ２及びそれ以降の期間を通して、継続されている。この場合、期間Ｔ２では、ウエハＷの熱処理が行われない分、電力の使用量が減少するが、その減少幅は小さい。このように、第１比較例では、ウエハＷの熱処理を行っていない時間帯にも相応の電力が使用されている。

そこで、電力の使用量を減らすために、期間Ｔ２（非熱処理時）において、排気部７０，８０による排気を停止する基板処理方法（第２比較例）が考えられる。図８（Ｂ）には、第２比較例に係る各要素の時間変化が示されている。第２比較例に係る基板処理方法では、期間Ｔ２（非熱処理時）において排気部７０，８０による排気を停止するが、本実施形態と比較して、処理室２０内の温度を略一定に保つ制御が行われていない。この第２比較例では、期間Ｔ２において排気部７０，８０による排気は停止するが、第１比較例と同様に、熱板４２の温度を測定した測定値が目標値（温度ｔｐ１）に保たれるように熱板４２が制御される。この場合、処理室２０内からの排気が停止されるので、処理室２０（チャンバー４４内の空間）の温度は自然と上昇する。このため、期間Ｔ２の終了時点における処理室２０内の温度は、期間Ｔ１における処理室２０の温度に比べて上昇している。この処理室２０内の温度が上昇している状態において、次のウエハＷに対する熱処理を行おうとすると、ウエハＷを囲む雰囲気の温度及びチャンバー４４の温度が期間Ｔ１と変わってしまい、第１比較例と比較して、ウエハＷの温度を精度よく制御できない可能性がある。

これに対して、本実施形態においては、熱板４２によるウエハＷの加熱を含む熱処理時に第１制御が実行され、ウエハＷの非熱処理時に第２制御が実行される。つまり、図７に示されるように、排気部７０，８０による排気量が少なくなっても、熱処理が行われていない期間Ｔ２においても処理室２０内の温度が所望の範囲に保たれる。このように、処理室２０内（チャンバー４４内）の温度が略一定に保たれるので、排気が停止される（排気量が減少する）ことによる影響が低減されている。その結果、電力使用量を減らしつつ、排気量が第１排気量に戻され熱処理が行われる際に、ウエハＷの温度をより精度良く制御することが可能となる。

また、第２目標値と第１制御実行時の処理室内の温度との差が所定範囲に含まれるように第２目標値が設定される。この場合、処理室２０内の温度が、排気量にかかわらず所定の範囲に保たれるので、電力使用量を減らしつつ、ウエハＷの温度をより精度良く制御することが可能となる。

また、処理室２０は、熱板４２における基板の載置面４２ａを囲むように構成されたチャンバー４４を含む。室内温度測定部６０は、チャンバー４４（天板部４４ａ）の温度を測定する。例えば、処理室２０内に熱処理ユニットＵ２の外から外気が一時的に入ったとしてもチャンバー４４の温度への影響は小さい。上記構成では、室内温度測定部６０によりチャンバー４４の温度が測定されているので、処理室２０内の温度を安定して測定することができる。また、熱板４２に支持されているウエハＷの周囲の雰囲気温度は、当該ウエハＷを囲むチャンバー４４の影響を受ける。このため、チャンバー４４の温度を測定し、当該チャンバー４４の温度の測定値が第２目標値に維持されることにより、ウエハＷの周囲の雰囲気温度が精度良く調整される。その結果、電力使用量を減らしつつ、ウエハＷの温度をより精度良く制御することが可能となる。

［変形例］
上記で開示された実施形態は全ての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

図９及び図１０を参照して、制御装置１００による基板処理方法の他の例を説明する。この変形例に係る基板処理方法では、図９に示されるように、制御装置１００は、ステップＳ２１～Ｓ３２を順に実行する。ステップＳ２１～Ｓ３２それぞれにおける処理内容は、上述したステップＳ０１～Ｓ１２と同様の処理内容であるので説明を省略する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ３３を実行する。ステップＳ３３では、制御装置１００は、次の処理対象のウエハＷの熱処理の開始が近づいているかどうかを判断する。具体的には、制御装置１００は、待機状態が終了するまでの時間（例えば、次の処理対象のウエハＷの熱処理の開始予定時刻までの時間）が予め定められた所定時間以内かどうかを判断する。例えば、制御装置１００は、次のウエハＷの熱処理の開始予定時刻を取得（算出）し、開始予定時刻と上記所定時間から、熱処理の開始が近づいていると判断される時刻ｔｓを算出する。制御装置１００は、現在の時刻が時刻ｔｓに達していたら、待機状態が終了するまでの時間が所定時間以内であると判断する。ステップＳ３３において、待機状態が終了するまでの時間が所定時間以内となるまで、制御装置１００は、ステップＳ３１，Ｓ３２を繰り返す。換言すると、図１０に示されるように、制御装置１００は、待機状態が終了するまでの時間が所定時間以内となるまで（時刻ｔｓになるまで）、処理室２０内の温度が第２目標値に維持されるように熱板４２を制御する。なお、熱処理の開始が近づいているかどうかを判断するための所定時間は、数秒程度に設定されてもよい。

一方、ステップＳ３３において、待機状態が終了するまでの時間が所定時間以内であると判断された場合、次の処理対象のウエハＷの熱処理の開始が近づいていると判断され、制御装置１００は、ステップＳ３４～Ｓ３６を実行する。ステップＳ３４，Ｓ３５は、ステップＳ２５，Ｓ２６（ステップＳ０５，Ｓ０６）と同様に行われる。ステップＳ３６では、ステップＳ１３と同様に、制御装置１００が、待機状態が終了したかどうかを判断する。ステップＳ３６において、待機状態が終了していないと判断された場合、制御装置１００は、ステップＳ３４，Ｓ３５を繰り返すので、図１０に示されるように、時刻ｔｓ以降の期間Ｔ２において、熱板４２の温度が第１目標値に向かって上昇する。

一方、ステップＳ３６において、待機状態が終了している判断された場合、制御装置１００は、ステップＳ３７を実行する。ステップＳ３７では、制御装置１００は、排気部７０，８０によって、処理室２０内から気体を排気させる。そして、制御装置１００は、ステップＳ２３～Ｓ３７を繰り返す。なお、図１０に示される期間Ｔ１においてステップＳ２１～Ｓ２７が実行され、図１０に示される時刻ｔｓより前の期間Ｔ２においてステップＳ２８～Ｓ３３が実行される。そして、図１０に示される時刻ｔｓより後の期間Ｔ２においてステップＳ３４～Ｓ３６が実行され、図１０に示される期間Ｔ３においてステップＳ３７及びステップＳ２３～Ｓ２７が実行される。以降、期間Ｔ２，Ｔ３における各要素の時間変化と同様の変化が繰り返される。

この変形例では、制御装置１００は、非熱処理時において、第２制御を実行した後に、処理室２０内からの気体の排出を停止するとともに、熱板温度測定部５０による測定値が第１目標値に近づくように熱板４２の温度を制御する第３制御を実行する。制御装置１００は、ウエハＷの非熱処理時に次の処理対象のウエハＷの熱処理の開始が近づくのに応じて、第２制御から第３制御に切り替える。換言すると、制御装置１００は、待機時間が終了するまでの時間が、所定時間以内になった場合に、第２制御から第３制御に切り替える。制御装置１００は、第３制御を実行後、次の処理対象のウエハＷの熱処理の開始に伴って第１制御を実行する。この変形例では、熱処理の開始前に（時刻ｔｓから）熱板４２の温度を第１目標値に近づける第３制御が開始されるので、熱処理の開始時に合わせて熱板４２の温度を第１目標値に早く調整することが可能となる。

なお、熱板４２の温度が第１目標値に向かって上昇することに伴い、排気部７０，８０による排気が停止しているので処理室２０内の温度が若干、上昇し得る。しかしながら、当該温度上昇がウエハＷの温度制御に与える影響は小さい。また、第３制御の後の第１制御の実行により、短時間で補正できる程度の温度変化である。なお、図１０では、当該温度上昇の図示は省略されている。

上述の実施形態及び変形例における基板処理方法（排気及び温度調整手順）において、各ステップが実行される順番が入れ替わってもよく、続けて行われるステップ同士の実行時間が互いに重複していてもよい。例えば、ステップＳ０２において熱板４２の温度制御が開始された後に、ステップＳ０１において排気部７０，８０による排気が開始されてもよい。例えば、ウエハＷが熱処理ユニットＵ２内に搬入されつつ、排気部７０，８０による排気が開始されてもよい。

制御装置１００は、熱処理が終了した後、待機状態が終了するまでの間、必ずしも第２制御（第２，第３制御）を実行しなくてもよい。つまり、熱処理期間及び非熱処理期間が交互に繰り返される間、制御装置１００は、非熱処理時において毎回、第２制御（第２，第３制御）を実行しなくてもよい。制御装置１００は、熱処理時及び非熱処理時のいずれであるかにかかわらず、第１制御及び第２制御の切替えを行ってもよい。

排気部７０，８０の排気ダクト７１，８１における外側の一端において、処理室２０内の気体を吸い出すブロアが設けられていてもよい。排気部７０，８０による気体の排出を停止する場合に、開閉部７２，８２の閉状態への設定とともに、当該ブロアによる吸引が停止されてもよい。あるいは、当該ブロアによる吸引が継続されたまま、開閉部７２，８２が閉状態に設定されることで、排気部７０，８０による排気が停止されてもよい。

熱処理ユニットＵ２は、温度調整機構３０を備えずに、加熱処理のみを熱処理として行ってもよい。熱処理ユニットＵ２は、排気部７０及び排気部８０のいずれか一方を備えていなくてもよい。排気部７０及び排気部８０それぞれからの排気量は、互いに同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。排気量が互いに異なる場合、いずれの排気部による排気量が多くてもよい。制御装置１００は、非熱処理時において、排気部７０及び排気部８０のいずれか一方からの排気を停止してもよい。この場合、非熱処理時において排気を行う排気部によって第２排気量で気体が排出されてもよい。

制御装置１００は、加熱機構４０による加熱処理時に第１制御を実行し、温度調整機構３０による温度調整期間を含む加熱機構４０による非加熱処理時に第２制御を実行してもよい。すなわち、上記実施形態では、第１制御が実行される期間である熱処理に温度調整機構３０による温度調整が含まれるが、当該熱処理に温度調整機構３０による温度調整が含まれなくてもよい。

上記実施形態では、筐体２１に区画され、チャンバー４４及び支持台４１が内部に収容された処理室２０内について説明したが、処理室は、チャンバー４４及び支持台４１によって構成されてもよい。また、処理室の構成により、排気部の構成は適宜変更される。例えば、チャンバー４４及び支持台４１によって処理室が構成されている場合、制御装置１００は、加熱機構４０による加熱処理時に、排気部８０によりチャンバー４４内から第１排気量で排気を行ってもよい。また、制御装置１００は、加熱機構４０による非加熱処理時（温度調整機構３０による温度調整期間を含む）に、排気部８０によりチャンバー４４内から第２排気量で排気を行ってもよい（排気を停止してもよい）。さらに、制御装置１００は、加熱処理時に熱板温度測定部５０による測定値が第１目標値に近づくように熱板４２を制御し、非加熱処理時に室内温度測定部６０による測定値（チャンバー４４の温度）が第２目標値に近づくように熱板４２を制御してもよい。

処理対象の基板は半導体ウエハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）などであってもよい。

１…基板処理システム、２…塗布・現像装置（基板処理装置）、Ｕ２…熱処理ユニット、２０…処理室、４２…熱板、４４…チャンバー（蓋体）、５０…熱板温度測定部（第１温度測定部）、６０…室内温度測定部（第２温度測定部）、７０，８０…排気部、１００…制御装置（制御部）、Ｗ…ウエハ（基板）。

Claims (6)

1. 処理対象の基板を収容する処理室と、
   前記処理室内において前記基板を支持して加熱する熱板と、
   前記処理室内から気体を排出する排気部と、
   前記熱板の温度を測定する第１温度測定部と、
   前記処理室内の温度を測定する第２温度測定部と、
   前記熱板及び前記排気部を制御する制御部と、
   を有し、
   前記制御部は、前記処理室内からの排気量が第１排気量となるように前記排気部を制御するとともに、前記第１温度測定部による測定値が第１目標値に近づくように前記熱板を制御する第１制御と、前記排気量が前記第１排気量よりも少ない第２排気量となるように前記排気部を制御するとともに、前記第２温度測定部による測定値が第２目標値に近づくように前記熱板を制御する第２制御と、を実行し、
   前記制御部は、前記熱板による前記基板の加熱を含む熱処理時に前記第１制御を実行し、前記基板の非熱処理時に前記第２制御を実行する、基板処理装置。
2. 前記制御部は、
   前記排気量が前記第２排気量となるように前記排気部を制御するとともに、前記第１温度測定部による測定値が前記第１目標値に近づくように前記熱板を制御する第３制御をさらに実行し、
   前記基板の非熱処理時において、前記基板の熱処理の開始が近づくのに応じて前記第２制御から前記第３制御に切り替える、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記制御部は、前記第２目標値と前記第１制御実行時の前記処理室内の温度との差が所定範囲に含まれるように前記第２目標値を設定する、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
4. 前記処理室は、前記熱板における前記基板の載置面を囲むように構成された蓋体を含み、
   前記第２温度測定部は、前記処理室内の温度として前記蓋体の温度を測定する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 処理対象の基板を収容する処理室内からの排気量が第１排気量となるように制御するとともに、前記基板を支持して加熱する熱板の温度を測定する第１温度測定部による測定値が第１目標値に近づくように制御する第１制御を実行することと、
   前記排気量が前記第１排気量よりも少ない第２排気量となるように制御するとともに、前記処理室内の温度を測定する第２温度測定部による測定値が第２目標値に近づくように制御する第２制御を実行することと、を含み、
   前記熱板による前記基板の加熱を含む熱処理時に前記第１制御が実行され、前記基板の非熱処理時に前記第２制御が実行される、基板処理方法。
6. 請求項５に記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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