KR20200042857A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 기억 매체 - Google Patents

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KR20200042857A
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겐이치 시게토미
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 전력 사용량을 저감시킨다.
[해결 수단] 예시적 실시 형태에 관한 기판 처리 장치는, 처리 대상 기판을 수용하는 처리실과, 처리실 내에 있어서 기판을 지지하여 가열하는 열판과, 처리실 내로부터 기체를 배출하는 배기부와, 열판의 온도를 측정하는 제1 온도 측정부와, 처리실 내의 온도를 측정하는 제2 온도 측정부와, 열판 및 배기부를 제어하는 제어부를 갖는다. 제어부는, 처리실 내로부터의 배기량이 제1 배기량으로 되도록 배기부를 제어함과 함께, 제1 온도 측정부에 의한 측정값이 제1 목표값에 근접하도록 열판을 제어하는 제1 제어와, 배기량이 제1 배기량보다도 적은 제2 배기량으로 되도록 배기부를 제어함과 함께, 제2 온도 측정부에 의한 측정값이 제2 목표값에 근접하도록 열판을 제어하는 제2 제어를 실행한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 기억 매체 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}
본 개시의 예시적 실시 형태는, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 기억 매체에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 기판에 열을 부여하는 열판과, 기판을 지지하는 지지 부재와, 열판과 기판의 거리를 측정하는 거리 센서와, 열판의 온도를 측정하는 온도 센서와, 제어부를 구비하는 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 이 기판 처리 장치의 제어부는, 거리 센서에 의해 측정된 이격 거리와, 온도 센서에 의해 측정된 열판의 온도에 기초하여, 열판의 온도를 제어하고 있다.
일본 특허 공개 제2015-177024호 공보
본 개시의 예시적 실시 형태는, 전력 사용량을 저감시키는 것이 가능한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 기억 매체를 제공한다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판 처리 장치가 제공된다. 이 기판 처리 장치는, 처리 대상 기판을 수용하는 처리실과, 처리실 내에 있어서 기판을 지지하여 가열하는 열판과, 처리실 내로부터 기체를 배출하는 배기부와, 열판의 온도를 측정하는 제1 온도 측정부와, 처리실 내의 온도를 측정하는 제2 온도 측정부와, 열판 및 배기부를 제어하는 제어부를 갖는다. 제어부는, 처리실 내로부터의 배기량이 제1 배기량으로 되도록 배기부를 제어함과 함께, 제1 온도 측정부에 의한 측정값이 제1 목표값에 근접하도록 열판을 제어하는 제1 제어와, 배기량이 제1 배기량보다도 적은 제2 배기량으로 되도록 배기부를 제어함과 함께, 제2 온도 측정부에 의한 측정값이 제2 목표값에 근접하도록 열판을 제어하는 제2 제어를 실행한다.
본 개시의 예시적 실시 형태에 따르면, 전력 사용량을 저감시키는 것이 가능한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체가 제공된다.
도 1은, 하나의 예시적 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템을 나타내는 사시도이다.
도 2는, 도 1에 도시되는 기판 처리 시스템의 내부 구성의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 3은, 처리 모듈의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 4는, 기판 처리 시스템의 주요부의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 5는, 제어 장치의 하드웨어 구성의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 6은, 기판 처리 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 7은, 기판 처리 방법의 일례를 설명하기 위한 타이밍 차트이다.
도 8의 (A) 및 도 8의 (B)는, 비교예에 관한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.
도 9는, 기판 처리 방법의 다른 예를 나타내는 흐름도이다.
도 10은, 기판 처리 방법의 다른 예를 설명하기 위한 타이밍 차트이다.
이하, 여러 가지 예시적 실시 형태에 대해서 설명한다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판 처리 장치가 제공된다. 이 기판 처리 장치는, 처리 대상 기판을 수용하는 처리실과, 처리실 내에 있어서 기판을 지지하여 가열하는 열판과, 처리실 내로부터 기체를 배출하는 배기부와, 열판의 온도를 측정하는 제1 온도 측정부와, 처리실 내의 온도를 측정하는 제2 온도 측정부와, 열판 및 배기부를 제어하는 제어부를 갖는다. 제어부는, 처리실 내로부터의 배기량이 제1 배기량으로 되도록 배기부를 제어함과 함께, 제1 온도 측정부에 의한 측정값이 제1 목표값에 근접하도록 열판을 제어하는 제1 제어와, 배기량이 제1 배기량보다도 적은 제2 배기량으로 되도록 배기부를 제어함과 함께, 제2 온도 측정부에 의한 측정값이 제2 목표값에 근접하도록 열판을 제어하는 제2 제어를 실행한다.
이 기판 처리 장치에서는, 제1 배기량보다도 제2 배기량이 적으므로, 제1 제어에 의해 제1 배기량으로 배기할 때의 전력보다도 제2 제어에 의해 제2 배기량으로 배기할 때의 전력이 작아진다. 이에 의해, 제2 제어를 실행하지 않고 제1 제어를 계속하는 경우에 비해서, 전력 사용량을 저감시키는 것이 가능해진다.
열판에 지지되어 있는 기판의 온도는, 처리실 내의 온도로부터도 영향을 받는다. 이 때문에, 처리실 내로부터 배출되는 기체의 배출량(배기량)이 적어지면, 처리실 내의 온도가 상승하여, 열판에 지지되어 있는 기판의 온도에 영향을 준다. 상술한 기판 처리 장치에서는, 처리실 내로부터의 배기량이 제1 배기량으로부터 제1 배기량보다도 적은 제2 배기량으로 변화한 경우에, 처리실 내의 온도의 측정값이 제2 목표값으로 유지되도록 열판이 제어된다. 이에 의해, 배기량이 적어진 경우에 있어서도, 처리실 내의 온도를 원하는 범위로 유지할 수 있으므로, 배기량이 제1 배기량으로 되돌려졌을 때, 배기량의 변화에 수반하는 처리실 내의 온도 변화에 의한 기판에 대한 영향이 저감된다. 따라서, 전력 사용량을 저감시키면서, 기판의 온도를 보다 고정밀도로 제어하는 것이 가능해진다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 제어부는, 열판에 의한 기판의 가열을 포함하는 열처리 시에 제1 제어를 실행하고, 기판의 비열처리 시에 제2 제어를 실행해도 된다. 이 경우, 열처리가 행해지지 않은 동안에도 처리실 내의 온도가 원하는 범위로 유지되므로, 전력 사용량을 저감시키면서, 배기량이 제1 배기량으로 되돌려져 열처리가 행해질 때, 기판의 온도를 보다 고정밀도로 제어하는 것이 가능해진다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 제어부는, 배기량이 제2 배기량으로 되도록 배기부를 제어함과 함께, 제1 온도 측정부에 의한 측정값이 제1 목표값에 근접하도록 열판을 제어하는 제3 제어를 또한 실행해도 된다. 제어부는, 기판의 비열처리 시에 있어서, 기판의 열처리 개시가 가까워짐에 따라 제2 제어로부터 제3 제어로 전환해도 된다. 이 경우, 열처리의 개시 전에 열판의 온도를 제1 목표값에 근접시키는 제3 제어가 개시되므로, 열처리의 개시 시에 맞추어 열판의 온도를 제1 목표값으로 빨리 조정하는 것이 가능해진다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 제어부는, 제2 목표값과 제1 제어 실행 시의 처리실 내의 온도의 차가 소정 범위에 포함되도록 제2 목표값을 설정해도 된다. 이 경우, 처리실 내의 온도가, 배기량에 관계 없이 소정의 범위로 유지되므로, 전력 사용량을 저감시키면서, 기판의 온도를 보다 고정밀도로 제어하는 것이 가능해진다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 처리실은, 열판에 있어서의 기판의 적재면을 둘러싸도록 구성된 덮개를 포함하고 있어도 된다. 제2 온도 측정부는, 처리실 내의 온도로서 덮개의 온도를 측정해도 된다. 예를 들어, 처리실 내에 외기가 일시적으로 들어갔다고 해도 덮개의 온도에 대한 영향은 작다. 상기 구성에서는 덮개의 온도를 측정하고 있으므로, 처리실 내의 온도를 안정적으로 측정할 수 있다. 또한, 열판에 지지되어 있는 기판의 주위의 분위기 온도는, 당해 기판을 둘러싸는 부재의 영향을 받기 쉽다고 생각된다. 이 때문에, 기판을 둘러싸도록 구성된 덮개의 온도를 측정하고, 당해 덮개의 온도의 측정값이 제2 목표값으로 유지됨으로써, 기판의 주위의 분위기 온도가 고정밀도로 조정된다. 그 결과, 전력 사용량을 저감시키면서, 기판의 온도를 보다 고정밀도로 제어하는 것이 가능해진다.
다른 예시적 실시 형태에 있어서, 기판 처리 방법이 제공된다. 이 기판 처리 방법은, 처리 대상 기판을 수용하는 처리실 내로부터의 기체의 배기량이 제1 배기량으로 되도록 제어함과 함께, 기판을 지지하여 가열하는 열판의 온도를 측정하는 제1 온도 측정부에 의한 측정값이 제1 목표값에 근접하도록 제어하는 것과, 배기량이 제1 배기량보다도 적은 제2 배기량으로 되도록 제어함과 함께, 처리실 내의 온도를 측정하는 제2 온도 측정부에 의한 측정값이 제2 목표값에 근접하도록 제어하는 것을 포함한다.
또 다른 예시적 실시 형태에 있어서, 상술한 기판 처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체가 제공된다.
이하, 도면을 참조하여 여러 가지 예시적 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일한 부호를 붙여, 중복되는 설명을 생략한다.
[기판 처리 시스템]
기판 처리 시스템(1)은, 기판에 대해서, 감광성 피막의 형성, 당해 감광성 피막의 노광, 및 당해 감광성 피막의 현상을 실시하는 시스템이다. 처리 대상 기판은, 예를 들어 반도체의 웨이퍼(W)이다. 감광성 피막은, 예를 들어 레지스트막이다. 기판 처리 시스템(1)은, 도포·현상 장치(2)와 노광 장치(3)를 구비한다. 노광 장치(3)는, 웨이퍼(W)(기판) 상에 형성된 레지스트막(감광성 피막)의 노광 처리를 행한다. 구체적으로는, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막의 노광 대상 부분에 에너지선을 조사한다. 도포·현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 웨이퍼(W)(기판)의 표면에 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다.
[기판 처리 장치]
이하, 기판 처리 장치의 일례로서, 도포·현상 장치(2)의 구성을 설명한다. 도 1 및 도 2에 나타나는 바와 같이, 도포·현상 장치(2)는, 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)과, 제어 장치(100)(제어부)를 구비한다.
캐리어 블록(4)은, 도포·현상 장치(2) 내로의 웨이퍼(W)의 도입 및 도포·현상 장치(2) 내로부터의 웨이퍼(W)의 도출을 행한다. 예를 들어 캐리어 블록(4)은, 웨이퍼(W)용 복수의 캐리어(C)를 지지 가능하고, 전달 암 A1을 내장하고 있다. 캐리어(C)는, 예를 들어 원형의 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한다. 전달 암 A1은, 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(5)에 건네주고, 처리 블록(5)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(C) 내로 되돌린다.
처리 블록(5)은, 복수의 처리 모듈(11, 12, 13, 14)을 갖는다. 처리 모듈(11, 12, 13, 14)은, 도포 유닛 U1과, 열처리 유닛 U2와, 이들 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 암 A3을 내장하고 있다. 도포 유닛 U1은, 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 도포한다. 열처리 유닛 U2는, 예를 들어 열판 및 냉각판을 내장하고 있으며, 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각판에 의해 냉각하여 열처리를 행한다.
처리 모듈(11)은, 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2에 의해 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성한다. 처리 모듈(11)의 도포 유닛 U1은, 하층막을 형성하기 위한 처리액을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 처리 모듈(11)의 열처리 유닛 U2는, 하층막의 형성에 수반하는 각종 열처리를 행한다.
처리 모듈(12)은, 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2에 의해 하층막 상에 레지스트막을 형성한다. 처리 모듈(12)의 도포 유닛 U1은, 레지스트막 형성용 처리액을 하층막의 위에 도포한다. 처리 모듈(12)의 열처리 유닛 U2는, 레지스트막의 형성에 수반하는 각종 열처리를 행한다. 열처리의 구체예로서는, 도포막을 경화시켜서 레지스트막으로 하기 위한 가열 처리(PAB: Pre Applied Bake)를 들 수 있다.
처리 모듈(13)은, 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2에 의해 레지스트막 상에 상층막을 형성한다. 처리 모듈(13)의 도포 유닛 U1은, 상층막 형성용 액체를 레지스트막의 위에 도포한다. 처리 모듈(13)의 열처리 유닛 U2는, 상층막의 형성에 수반하는 각종 열처리를 행한다.
처리 모듈(14)은, 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2에 의해, 노광 후의 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 처리 모듈(14)의 도포 유닛 U1은, 노광 완료된 웨이퍼(W)의 표면 상에 현상액을 도포한 후, 이것을 린스액에 의해 씻어 버림으로써, 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 열처리 유닛 U2는, 현상 처리에 수반하는 각종 열처리를 행한다. 열처리의 구체예로서는, 현상 처리 전의 가열 처리(PEB: Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB: Post Bake) 등을 들 수 있다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 캐리어 블록(4)측에는 선반 유닛 U10이 마련되어 있다. 선반 유닛 U10은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛 U10의 근방에는 승강 암 A7이 마련되어 있다. 승강 암 A7은, 선반 유닛 U10의 셀끼리의 사이에서 웨이퍼(W)를 승강시킨다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 인터페이스 블록(6)측에는 선반 유닛 U11이 마련되어 있다. 선반 유닛 U11은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다.
인터페이스 블록(6)은, 노광 장치(3) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 예를 들어 인터페이스 블록(6)은, 전달 암 A8을 내장하고 있으며, 노광 장치(3)에 접속된다. 전달 암 A8은, 선반 유닛 U11에 배치된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)에 건네주고, 노광 장치(3)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 선반 유닛 U11로 되돌린다.
제어 장치(100)는, 예를 들어 이하의 수순으로 도포·현상 처리를 실행하도록 도포·현상 장치(2)를 제어한다. 먼저 제어 장치(100)는, 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)를 선반 유닛 U10에 반송하도록 전달 암 A1을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(11)용 셀에 배치하도록 승강 암 A7을 제어한다.
다음에 제어 장치(100)는, 선반 유닛 U10의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(11) 내의 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2에 반송하도록 반송 암 A3을 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성하도록, 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2를 제어한다. 그 후 제어 장치(100)는, 하층막이 형성된 웨이퍼(W)를 선반 유닛 U10으로 되돌리도록 반송 암 A3을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(12)용 셀에 배치하도록 승강 암 A7을 제어한다.
다음에 제어 장치(100)는, 선반 유닛 U10의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(12) 내의 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2에 반송하도록 반송 암 A3을 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 웨이퍼(W)의 표면에 대해서 레지스트막을 형성하도록 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2를 제어한다. 그 후 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛 U10으로 되돌리도록 반송 암 A3을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(13)용 셀에 배치하도록 승강 암 A7을 제어한다.
다음에 제어 장치(100)는, 선반 유닛 U10의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(13) 내의 각 유닛에 반송하도록 반송 암 A3을 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막 상에 상층막을 형성하도록 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2를 제어한다. 그 후 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛 U11에 반송하도록 반송 암 A3을 제어한다.
다음에 제어 장치(100)는, 선반 유닛 U11의 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)에 송출하도록 전달 암 A8을 제어한다. 그 후 제어 장치(100)는, 노광 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로부터 받아들이고, 선반 유닛 U11에 있어서의 처리 모듈(14)용 셀에 배치하도록 전달 암 A8을 제어한다.
다음에 제어 장치(100)는, 선반 유닛 U11의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(14) 내의 각 유닛에 반송하도록 반송 암 A3을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막에 현상 처리를 실시하도록 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2를 제어한다. 그 후 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛 U10으로 되돌리도록 반송 암 A3을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 캐리어(C) 내로 되돌리도록 승강 암 A7 및 전달 암 A1을 제어한다. 이상으로 도포·현상 처리가 완료된다.
또한, 기판 처리 장치의 구체적인 구성은, 이상에서 예시한 도포·현상 장치(2)의 구성에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치는, 열처리 유닛 U2와, 이것을 제어 가능한 제어 장치(100)를 구비하고 있으면 어떠한 것이어도 된다.
(열처리 유닛)
계속해서, 열처리 유닛 U2에 대해서 도 3을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 3에 나타나는 바와 같이, 열처리 유닛 U2는, 처리실(20)과, 열판 온도 측정부(50)(제1 온도 측정부)와, 실내 온도 측정부(60)(제2 온도 측정부)와, 배기부(70)와, 배기부(80)를 구비한다.
처리실(20)은, 열처리의 대상인 웨이퍼(W)를 수용한다. 바꾸어 말하면, 처리실(20) 내에 있어서, 웨이퍼(W)의 열처리가 행해진다. 처리실(20)은, 하우징(21)과, 온도 조정 기구(30)와, 가열 기구(40)를 갖는다. 또한, 도 3은, 열처리 유닛 U2의 일부의 구성을 나타내고 있으며, 열처리 유닛 U2의 모든 구성을 나타내는 것은 아니다.
하우징(21)은, 온도 조정 기구(30), 가열 기구(40), 열판 온도 측정부(50), 및 실내 온도 측정부(60)를 수용하는 처리 용기이다. 하우징(21)의 측벽에는, 웨이퍼(W)를 반입하기 위한 반입구(22)가 개구되어 있다. 하우징(21)은, 하우징(21) 내를 상방 영역과 하방 영역으로 구획하는 바닥판(23)을 갖는다. 상방 영역은 웨이퍼(W)의 이동 영역이며, 하방 영역은 그 이외의 영역이다.
온도 조정 기구(30)는, 처리실(20) 내에 있어서 웨이퍼(W)의 온도를 소정 온도로 조정하는 기구이다. 온도 조정 기구(30)에 있어서의 웨이퍼(W)의 온도의 조정은, 열처리 유닛 U2에 있어서의 열처리에 일부에 포함되어도 된다. 온도 조정 기구(30)는, 외부의 반송 암 A3과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 온도 조정 기구(30)는, 온도 조정 플레이트(31)와, 연결 브래킷(32)과, 구동 기구(33)를 갖는다.
온도 조정 플레이트(31)는, 적재된 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 플레이트이다. 구체적으로는, 온도 조정 플레이트(31)는, 가열 기구(40)에 의해 가열된 웨이퍼(W)를 적재하여, 해당 웨이퍼(W)를 소정 온도로 냉각하는 쿨 플레이트이다. 예를 들어, 온도 조정 플레이트(31)는, 대략 원반 형상으로 형성되어 있어도 된다. 온도 조정 플레이트(31)는, 열전도성이 높은 알루미늄, 은, 또는 구리 등의 금속으로 구성되어 있어도 된다. 온도 조정 플레이트(31)는, 열에 의한 변형을 방지한다는 관점에서 동일한 재료로 구성되어 있어도 된다. 온도 조정 플레이트(31)의 내부에는, 냉각수 또는 냉각 기체를 유통시키기 위한 냉각 유로(도시하지 않음)가 형성되어 있다.
연결 브래킷(32)은, 온도 조정 플레이트(31)에 연결되어 있다. 구동 기구(33)는, 제어 장치(100)의 지시에 기초하여 동작하고, 연결 브래킷(32)을 이동시킨다. 연결 브래킷(32)은, 구동 기구(33)에 의해 하우징(21) 내를 이동한다. 구체적으로는, 연결 브래킷(32)은, 하우징(21)의 반입구(22)와 가열 기구(40)의 근방의 사이로 연장되는 가이드 레일(도시하지 않음)을 따라 이동한다. 연결 브래킷(32)이 가이드 레일을 따라 이동함으로써, 온도 조정 플레이트(31)가 반입구(22)와 가열 기구(40)의 사이를 이동한다. 연결 브래킷(32)은, 예를 들어 열전도율이 높은 알루미늄, 은, 또는 구리 등의 금속으로 구성되어 있어도 된다.
가열 기구(40)는, 처리실(20) 내에 있어서 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 기구이다. 가열 기구(40)에 있어서의 웨이퍼(W)에 대한 가열 처리는, 열처리 유닛 U2에 있어서의 열처리의 일부에 포함된다. 가열 기구(40)는, 지지대(41)와, 열판(42)과, 히터(43)와, 챔버(44)(덮개)와, 승강 기구(45)와, 지지 핀(46)와, 승강 기구(47)를 갖는다.
지지대(41)는, 중앙 부분에 오목부가 형성된 원통 형상을 하고 있다. 지지대(41)는, 열판(42)을 지지하고 있다. 열판(42)은, 예를 들어 대략 원반형으로 형성되어 있고, 지지대(41)의 오목부에 수용되어 있다. 열판(42)은, 적재면(42a)을 가지고 있다. 적재면(42a)에 처리 대상 웨이퍼(W)가 적재됨으로써, 열판(42)은 웨이퍼(W)를 지지한다. 열판(42)은, 적재된 웨이퍼(W)를 가열한다. 열판(42)의 적재면(42a)과는 반대측의 하면에는, 열판(42)을 가열하기 위한 히터(43)가 마련되어 있다. 예를 들어, 히터(43)는, 저항 발열체로 구성되어 있다. 히터(43)에 대해서 전류가 흐름으로써, 히터(43)는 발열한다. 그리고, 히터(43)로부터의 열이 전열되어, 열판(42)의 온도가 상승한다. 히터(43)에는, 제어 장치(100)로부터의 지시에 따른 값의 전류가 흘러도 되고, 제어 장치(100)로부터의 지시에 따른 값의 전압이 인가되어, 해당 전압값에 따른 전류가 흘러도 된다. 또한, 히터(43)는, 열판(42) 내에 묻혀 있어도 된다. 또한, 열판(42)은, 예를 들어 열전도율이 높은 알루미늄, 은, 또는 구리 등의 금속으로 구성할 수 있지만, 히터(43)로부터의 열이 전해져, 웨이퍼(W)를 가열하는 것이 가능하면, 어떠한 형상 및 재료로 구성되어 있어도 된다.
챔버(44)는, 열판(42)에 있어서의 웨이퍼(W)의 적재면(42a)을 둘러싸도록 구성되어 있다. 챔버(44)는, 천장판부(44a)와, 족부(44b)를 가지고 있다. 천장판부(44a)는, 지지대(41)와 동일 정도의 직경을 갖는 원판형으로 구성되어 있다. 천장판부(44a)는, 열판(42)의 적재면(42a)과 상하 방향에 있어서 대향하도록 배치되어 있다. 족부(44b)는, 천장판부(44a)의 외측 모서리로부터 하방으로 연장되도록 구성되어 있다. 승강 기구(45)는, 제어 장치(100)의 지시에 따라 챔버(44)를 승강시키는 기구이다. 승강 기구(45)에 의해 챔버(44)가 상승함으로써, 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 공간이 열린 상태로 되고, 챔버(44)가 하강함으로써, 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 공간이 닫힌 상태로 된다.
지지 핀(46)은, 지지대(41) 및 열판(42)을 관통하도록 상하 방향으로 연장되어 있으며, 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하는 핀이다. 지지 핀(46)은, 상하 방향으로 승강됨으로써, 웨이퍼(W)를 소정의 위치에 배치한다. 지지 핀(46)은, 웨이퍼(W)를 반송하는 온도 조정 플레이트(31)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 지지 핀(46)은, 예를 들어 둘레 방향으로 등간격으로 배치된 3개의 핀으로 구성되어도 된다. 승강 기구(47)는, 제어 장치(100)의 지시에 따라 지지 핀(46)을 승강시키는 기구이다. 승강 기구(47)는, 열판(42)에 대해서 웨이퍼(W)를 접근시켜, 열판(42)에 웨이퍼(W)가 적재되도록, 웨이퍼(W)(상세하게는 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 핀(46))를 승강 가능하도록 구성되어 있다.
열판 온도 측정부(50)는, 열판(42)의 온도를 측정한다. 열판 온도 측정부(50)로서, 예를 들어 온도 센서가 사용되어도 된다. 열판 온도 측정부(50)는, 열판(42)의 표면 부분의 온도를 측정해도 되고, 열판(42)의 내부 온도를 측정해도 된다. 열판 온도 측정부(50)는, 열판(42)의 온도를 측정할 수 있으면, 어느 개소에 마련되어도 된다. 예를 들어, 열판 온도 측정부(50)는, 열판(42) 상에 마련되어 있어도 되고, 열판(42) 내에 묻혀 있어도 된다.
실내 온도 측정부(60)는, 처리실(20) 내의 온도를 측정한다. 실내 온도 측정부(60)로서, 예를 들어 온도 센서가 사용되어도 된다. 본 실시 형태에서는, 실내 온도 측정부(60)는, 처리실(20) 내의 온도로서, 열판(42)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 주위에 마련되는 부재의 온도를 측정한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 실내 온도 측정부(60)는, 웨이퍼(W)의 주위에 마련되는 부재의 온도로서, 챔버(44)의 온도를 측정한다. 단, 웨이퍼(W)의 주위에 마련되는 부재의 온도로서, 챔버(44) 이외의 부재의 온도를 측정해도 된다. 실내 온도 측정부(60)가 챔버(44)의 온도를 측정하는 경우, 실내 온도 측정부(60)는, 챔버(44)의 외측 또는 내측의 표면 부분에 있어서의 온도를 측정해도 되고, 챔버(44)의 내부의 온도를 측정해도 된다. 이 경우, 실내 온도 측정부(60)는, 챔버(44)의 온도를 측정할 수 있으면, 어느 개소에 마련되어도 된다. 예를 들어, 실내 온도 측정부(60)는, 챔버(44)의 표면 상에 마련되어 있어도 되고, 챔버(44) 내(예를 들어 천장판부(44a) 내)에 묻혀 있어도 된다.
열판 온도 측정부(50) 및 실내 온도 측정부(60) 각각은, 소정의 간격으로 반복하여 측정 대상의 온도를 측정해도 되고, 제어 장치(100)로부터의 지시에 따라 측정 대상의 온도를 측정해도 된다. 열판 온도 측정부(50) 및 실내 온도 측정부(60) 각각은, 측정값을 제어 장치(100)에 출력한다. 예를 들어, 열판 온도 측정부(50) 및 실내 온도 측정부(60) 각각은, 측정한 온도를 아날로그값으로서 출력해도 된다. 열판 온도 측정부(50) 및 실내 온도 측정부(60) 각각은, 서미스터여도 되고, 측정 대상의 온도에 따른 전압값을, 온도에 관한 정보로서 제어 장치(100)에 출력해도 된다.
배기부(70)는, 처리실(20)로부터 기체를 배출한다. 예를 들어, 배기부(70)는, 처리실(20)로부터 열처리 유닛 U2(도포·현상 장치(2))의 외부로 기체를 배출한다. 배기부(70)는, 배기 덕트(71)와, 개폐부(72)를 포함한다. 배기 덕트(71)는, 처리실(20) 내의 공간(하우징(21)에 의해 구획되는 공간)과 배출처를 접속한다. 개폐부(72)는, 배기 덕트(71)의 유로 상에 마련된다. 개폐부(72)는, 제어 장치(100)의 지시에 따라 배기 덕트(71)의 유로를 개방 상태 또는 차단 상태로 전환한다. 개폐부(72)는, 예를 들어 솔레노이드 밸브(전자기 밸브)이다. 개폐부(72)가 개방 상태로 설정됨으로써, 배기 덕트(71)의 유로는 차단 상태로부터 개방 상태로 전환된다. 개폐부(72)가 폐쇄 상태로 설정됨으로써, 배기 덕트(71)의 유로는 개방 상태로부터 차단 상태로 전환된다.
배기부(80)는, 지지대(41) 및 챔버(44)에 의해 구획되는 공간(이하, 챔버(44) 내의 공간이라고 함.)으로부터 기체를 배출한다. 이 챔버(44) 내의 공간은, 처리실(20) 내의 공간에 포함되어 있다. 예를 들어, 배기부(80)는, 챔버(44) 내에서 열처리 유닛 U2(도포·현상 장치(2))의 외부로 기체를 배출한다. 배기부(80)는, 배기 덕트(81)와, 개폐부(82)를 포함한다. 배기 덕트(81)는, 챔버(44) 내의 공간과 배출처를 접속한다. 배기 덕트(81)는, 챔버(44)의 천장판부(44a)에 있어서 실내 온도 측정부(60)가 마련된 위치와 상이한 위치에 접속되어도 된다. 개폐부(82)는, 배기 덕트(81)의 유로 상에 마련된다. 개폐부(82)는, 제어 장치(100)의 지시에 따라 배기 덕트(81)의 유로를 개방 상태 또는 차단 상태로 전환한다. 개폐부(82)는, 예를 들어 솔레노이드 밸브(전자기 밸브)이다. 개폐부(82)가 개방 상태로 설정됨으로써, 배기 덕트(81)의 유로는 차단 상태로부터 개방 상태로 전환된다. 개폐부(82)가 폐쇄 상태로 설정됨으로써, 배기 덕트(81)의 유로는 개방 상태로부터 차단 상태로 전환된다.
배기부(70) 및 배기부(80)로부터 배출되는 기체의 총배기량은, 개폐부(72, 82)의 개폐 상태를 제어함으로써 변화시킬 수 있다. 개폐부(72, 82)의 개폐 상태를 변화시킴으로써, 배기부(70) 및 배기부(80)로부터 배출되는 기체의 총배기량을, 제1 배기량과, 제1 배기량보다 적은 제2 배기량으로 전환할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 개폐부(72, 82)의 양쪽이 개방 상태로 설정되어 있을 때, 총배기량이 제1 배기량이 되는 것으로 한다. 또한, 개폐부(72, 82)의 양쪽이 폐쇄 상태로 설정되어 있을 때, 총배기량이 제2 배기량이 되는 것으로 한다. 즉, 본 실시 형태에 있어서 설명하는 제1 배기량 및 제2 배기량은, 배기부(70) 및 배기부(80)의 양쪽으로부터 배출되는 기체의 총배기량을 가리킨다. 개폐부(72, 82)가 폐쇄 상태로 설정되어 있을 때, 배기부(70) 및 배기부(80)는, 처리실(20)로부터의 기체의 배출(배기)을 정지한 상태(이하, 배기 정지 상태라 함.)라는 점에서, 제2 배기량은 거의 제로에 가깝다. 또한, 배기 정지 상태여도, 개폐부(72, 82)의 구조에 의해 발생하는 미세한 양의 기체의 누설(배기)이 발생하고 있어도 된다. 도포·현상 장치(2)의 전원이 넣어져, 웨이퍼(W)의 처리를 개시하기 전의 초기 상태에 있어서, 개폐부(72, 82)는 폐쇄 상태로 설정되어 있어도 된다.
웨이퍼(W)에 대해서 클린 상태로 열처리를 행하기 위해서, 배기부(70, 80)에 의해 챔버(44) 내의 공간을 포함하는 처리실(20) 내로부터 기체가 배출된다. 예를 들어, 배기부(70)에 의한 배기는, 웨이퍼(W)의 열처리 중에 열처리 유닛 U2 내에서 발진한 파티클이 웨이퍼(W)에 떨어지지 않도록 하기 위해서 행해진다. 예를 들어, 배기부(80)에 의한 배기는, 웨이퍼(W)에 대한 열처리에서 발생하는 승화물이 웨이퍼(W)에 다시 부착되지 않도록 하기 위해서 행해진다.
(제어 장치)
제어 장치(100)는, 도 4에 나타나는 바와 같이, 기능 모듈로서, 판독부 M1과, 기억부 M2와, 처리부 M3과, 지시부 M4를 갖는다. 이들 기능 모듈은, 제어 장치(100)의 기능을 편의상 복수의 모듈로 구획한 것에 불과하며, 제어 장치(100)를 구성하는 하드웨어가 이러한 모듈로 나뉘어져 있다는 것을 반드시 의미하는 것은 아니다. 각 기능 모듈은, 프로그램의 실행에 의해 실현되는 것에 한정되지 않으며, 전용 전기 회로(예를 들어 논리 회로), 또는, 이것을 집적한 집적 회로(ASIC: Application Specific Integrated Circuit)에 의해 실현되는 것이어도 된다.
판독부 M1은, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 RM으로부터 프로그램을 판독한다. 기억 매체 RM은, 기판 처리 시스템(1)의 각 부를 동작시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 기억 매체 RM으로서는, 예를 들어 반도체 메모리, 광 기록 디스크, 자기 기록 디스크, 광자기 기록 디스크여도 된다.
기억부 M2는, 여러 가지 데이터를 기억한다. 기억부 M2는, 예를 들어 판독부 M1에 있어서 기억 매체 RM으로부터 판독한 프로그램, 웨이퍼(W)를 처리할 때의 각종 데이터(소위 처리 레시피), 외부 입력 장치(도시하지 않음)를 통해 오퍼레이터로부터 입력된 설정 데이터 등을 기억한다.
처리부 M3은, 각종 데이터를 처리한다. 처리부 M3은, 예를 들어 기억부 M2에 기억되어 있는 각종 데이터에 기초하여, 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2(가열 기구(40) 및 배기부(70, 80))를 동작시키기 위한 동작 신호를 생성한다.
지시부 M4는, 처리부 M3에 있어서 생성된 동작 신호를 각종 장치에 송신한다. 예를 들어 가열 기구(40)에 송신되는 동작 신호에는, 히터(43)에 흘리는 전류값을 나타내는 신호가 포함되어도 된다. 혹은, 지시부 M4는, 처리부 M3에서 정해진 히터(43)에 흘리는 전류값을 갖는 전류를, 디지털-아날로그 변환 회로를 통해 히터(43)에 출력해도 된다.
제어 장치(100)의 하드웨어는, 예를 들어 하나 또는 복수의 제어용 컴퓨터로 구성된다. 예를 들어 제어 장치(100)는, 도 5에 나타내는 회로(120)를 갖는다. 회로(120)는, 하나 또는 복수의 프로세서(121)와, 메모리(122)와, 스토리지(123)와, 입출력 포트(124)와, 타이머(125)를 갖는다. 스토리지(123)는, 예를 들어 하드 디스크 등, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체를 갖는다. 기억 매체는, 후술하는 기판 처리 수순을 노광·현상 장치(2)에 실행시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 기억 매체는, 불휘발성 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광 디스크 등의 취출 가능한 매체여도 된다. 메모리(122)는, 스토리지(123)의 기억 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(121)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기억한다. 프로세서(121)는, 메모리(122)와 협동하여 상기 프로그램을 실행함으로써, 상술한 각 기능 모듈을 구성한다. 입출력 포트(124)는, 프로세서(121)로부터의 명령에 따라서, 기판 처리 시스템(1)의 각 부와의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다. 타이머(125)는, 예를 들어 일정 주기의 기준 펄스를 카운트함으로써 경과 시간을 계측한다.
제어 장치(100)는, 상기 구성에 의해, 기판 처리 시스템(1)에 포함되는 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2(가열 기구(40) 및 배기부(70, 80)) 등을 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 도 4에 있어서 도시하지 않은 것 외의 유닛 제어도 행해도 된다. 또한, 상기 제어 장치(100)의 구성은 일례이며, 상기에 한정되는 것은 아니다.
[기판 처리 방법]
계속해서, 도 6을 참조하여, 기판 처리 방법의 일례로서, 웨이퍼(W)의 열처리 시 및 비열처리 시에 있어서의 처리실(20) 내의 배기 및 열판(42)의 온도 조정의 수순에 대해서 설명한다. 도 6에 나타나는 각 스텝은, 제어 장치(100)가 도포·현상 장치(2)를 구성하는 각 유닛을 제어함으로써 실행된다. 예를 들어, 이 배기 및 온도 조정의 수순은, 도포·현상 장치(2)에 전원이 넣어져, 웨이퍼(W)의 각종 처리의 개시에 맞춰서 개시된다.
먼저, 제어 장치(100)는, 스텝 S01을 실행한다. 스텝 S01에서는, 제어 장치(100)는, 개폐부(72, 82)를 개방 상태로 설정함으로써, 처리실(20) 내로부터 제1 배기량으로 기체를 배출시킨다. 또한, 이후의 스텝에 있어서, 개폐부(72, 82)가 폐쇄 상태로 설정되기까지, 제어 장치(100)는, 처리실(20) 내로부터 제1 배기량으로 기체를 배출시키는 상태를 유지한다.
다음에, 제어 장치(100)는, 스텝 S02를 실행한다. 스텝 S02에서는, 제어 장치(100)는, 열판(42)의 온도 제어를 개시한다. 구체적으로는, 제어 장치(100)는, 열판(42)의 온도를 웨이퍼(W)의 가열 처리에 적합한 온도(제1 목표값)에 근접시키는 제어를 개시한다.
다음에, 제어 장치(100)는, 스텝 S03을 실행한다. 스텝 S03에서는, 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 처리실(20) 내에 반입한다. 구체적으로는, 제어 장치(100)는, 반송 암 A3, 구동 기구(33) 및 승강 기구(47)를 구동시킴으로써, 선반 유닛 U10 등의 열처리 유닛 U2의 밖으로부터 처리실(20) 내의 열판(42)으로 처리 대상 웨이퍼(W)를 이동시킨다. 다음에, 제어 장치(100)는, 스텝 S04를 실행한다. 스텝 S04에서는, 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)에 대한 가열 처리를 포함하는 열처리를 개시한다.
다음에, 제어 장치(100)는, 스텝 S05, S06을 실행한다. 스텝 S05에서는, 제어 장치(100)는, 열판 온도 측정부(50)로부터 열판(42)의 온도의 측정값을 취득한다. 스텝 S06에서는, 제어 장치(100)는, 열판 온도 측정부(50)로부터의 측정값에 기초하여, 열판(42)의 온도가 제1 목표값으로 유지되도록 열판(42)을 제어한다. 예를 들어, 제어 장치(100)는, 열판 온도 측정부(50)로부터의 측정값과 제1 목표값의 차분값을 산출하여, 산출한 차분값 등에 기초하여 PID(Proportional-Integral-Differential) 제어를 행함으로써 열판(42)의 온도(히터(43)에 흘리는 전류값)를 조정한다.
이와 같이, 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)의 열처리 시에 있어서 제1 제어를 실행한다. 제어 장치(100)는, 제1 제어에서는, 처리실(20) 내로부터 제1 배기량으로 기체를 배기함(스텝 S01)과 함께, 열판 온도 측정부(50)에 의한 측정값이 제1 목표값에 근접하도록 열판(42)의 온도를 제어한다(스텝 S02, S05, S06). 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 「열처리」에는, 가열 기구(40)(열판(42))에 의한 가열 처리, 및 온도 조정 기구(30)에 의해 온도 조정(냉각) 처리가 포함된다. 또한, 제어 장치(100)는, 제1 제어의 실행 시에 있어서 실내 온도 측정부(60)에 의한 측정값을 취득해도 된다.
다음에, 제어 장치(100)는, 스텝 S07을 실행한다. 스텝 S07에서는, 처리 대상 웨이퍼(W)에 대한 열처리가 종료되었는지 여부를 판단한다. 예를 들어, 제어 장치(100)는, 처리실(20) 내에 있어서 가열 기구(40)에 의해 웨이퍼(W)가 가열되어, 당해 웨이퍼(W)가 온도 조정 기구(30)에 의해 소정 온도까지 조정된 후에, 처리 대상 웨이퍼(W)에 대한 열처리가 종료되었다고 판단한다. 제어 장치(100)는, 열처리가 종료되지 않은 경우, 스텝 S05, S06을 다시 행한다. 바꾸어 말하면, 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)의 열처리가 종료될 때까지, 스텝 S05, S06을 반복한다. 이에 의해, 제어 장치(100)는, 열판(42)의 온도를 제1 목표값으로 유지한다. 또한, 열판(42)의 온도를 제1 목표값으로 유지한다는 것은, 열판(42)의 온도가 제1 목표값에 대해서 허용 오차를 가감산한 범위에 포함되는 상태를 계속시킨다는 것이다.
한편, 스텝 S07에 있어서, 처리 대상 웨이퍼(W)에 대한 열처리가 종료되었다고 판단된 경우, 제어 장치(100)는, 스텝 S08을 실행한다. 스텝 S08에서는, 제어 장치(100)는, 예를 들어 온도 조정 기구(30) 및 반송 암 A3을 제어함으로써, 열처리가 종료된 웨이퍼(W)를 열처리 유닛 U2로부터 반출한다. 이에 의해, 열처리 유닛 U2는 웨이퍼(W)의 열처리가 행해지지 않은 대기 상태(비열처리 상태)로 이행한다. 예를 들어, 대기 상태에는, 다음 처리 대상 웨이퍼(W)가 결정되어, 당해 웨이퍼(W)가 열처리 유닛 U2에 반입되는 것을 대기하는 것, 및 다음 처리 대상 웨이퍼(W)가 결정되지 않은 상태에서, 다음 처리 대상 웨이퍼(W)가 결정될 때까지 대기하는 것이 포함되어도 된다. 대기 상태는, 열처리 유닛 U2 내에 처리 대상 웨이퍼(W)가 존재하지 않는 상태라 정의되어도 된다.
다음에, 제어 장치(100)는, 스텝 S09를 실행한다. 스텝 S09에서는, 제어 장치(100)는, 처리실(20) 내의 목표 온도로서 제2 목표값을 설정한다. 예를 들어, 제어 장치(100)는, 미리 정해진 제2 목표값을 기억하고 있어도 된다. 혹은, 제어 장치(100)는, 제1 제어 실행 시에 있어서의 처리실(20) 내의 온도에 따라, 제2 목표값을 설정해도 된다. 구체적으로는, 제어 장치(100)는, 제2 목표값과 제1 제어 실행 시에 있어서의 처리실(20) 내의 온도의 차가 소정 범위(예를 들어 수 ℃)가 되도록 제2 목표값을 설정해도 된다. 예를 들어, 제어 장치(100)는, 제1 제어 실행 시에 있어서의 처리실(20) 내의 온도로서, 제1 제어 실행 시에 있어서 실내 온도 측정부(60)로부터 취득한 측정값을 사용해도 된다. 이 경우, 제2 목표값은, 제1 제어 실행 시에 있어서의 실내 온도 측정부(60)에 의한 복수의 측정값의 평균값이어도 되고, 제1 제어의 종료 시점에서의 측정값이어도 된다. 또한, 제어 장치(100)는, 처리실(20)의 온도에 따라 제2 목표값을 일단 설정한 후, 제2 목표값의 설정값을 기판 처리 수순이 종료될 때까지 유지해도 된다.
다음에, 제어 장치(100)는, 스텝 S10을 실행한다. 스텝 S10에서는, 제어 장치(100)는, 처리실(20) 내로부터 제2 배기량으로 기체를 배출시킨다. 본 실시 형태에서는, 제어 장치(100)는, 개폐부(72, 82)를 폐쇄 상태로 설정함으로써, 처리실(20) 내로부터의 기체의 배출을 정지한다. 또한, 이후의 스텝에 있어서, 개폐부(72, 82)가 개방 상태로 설정되기까지, 제어 장치(100)는, 제2 배기량으로 배기시키는(기체의 배출을 정지한) 상태를 유지한다.
다음에, 제어 장치(100)는, 스텝 S11, S12를 실행한다. 스텝 S11에서는, 제어 장치(100)는, 처리실(20) 내의 온도를 취득한다. 구체적으로는, 제어 장치(100)는, 실내 온도 측정부(60)로부터의 측정값을 취득한다. 스텝 S12에서는, 제어 장치(100)는, 실내 온도 측정부(60)로부터의 측정값에 기초하여, 처리실(20) 내의 온도가 제2 목표값으로 유지되도록 열판(42)을 제어한다. 예를 들어, 제어 장치(100)는, 실내 온도 측정부(60)로부터의 측정값과 제2 목표값의 차분값을 산출하고, 산출한 차분값 등에 기초하여 PID 제어를 행함으로써 열판(42)의 온도(히터(43)에 흘리는 전류값)를 조정한다.
이와 같이, 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)의 열처리가 행해지지 않은 대기 상태(비열처리 시)에 있어서, 제2 제어를 실행한다. 제어 장치(100)는, 제2 제어에서는, 처리실(20) 내로부터의 기체의 배출을 정지함(스텝 S10)과 함께, 실내 온도 측정부(60)에 의한 측정값이 제2 목표값에 근접하도록 열판(42)의 온도를 제어한다(스텝 S11, S12). 제1 제어에서는, 열판 온도 측정부(50)에 의해 측정되는 열판(42)의 온도의 측정값이 제1 목표값에 근접하도록 열판(42)이 제어되는 데 비해서, 제2 제어에서는, 실내 온도 측정부(60)에 의해 측정되는 처리실(20) 내의 온도의 측정값이 제2 목표값에 근접하도록 열판(42)이 제어된다. 즉, 제1 제어와 제2 제어에서는, 제어 대상은, 열판(42)의 온도(히터(43)에 대한 전류값)인 점은 공통되지만, 온도의 조정량을 결정하기 위한 측정값 및 목표값이 서로 다르다.
다음에, 제어 장치(100)는, 스텝 S13을 실행한다. 스텝 S13에서는, 제어 장치(100)는, 대기 상태가 종료되었는지 여부를 판단한다. 대기 상태는, 예를 들어 다음의 열처리가 개시될 때 종료된다. 즉, 제어 장치(100)는, 다음 웨이퍼(W)의 열처리가 열처리 유닛 U2에 있어서 개시되는지 여부에 기초하여, 대기 상태가 종료되었는지 판단한다. 예를 들어, 제어 장치(100)는, 반송 암 A3에 의해 열처리 유닛 U2를 향해서, 다음 처리 대상 웨이퍼(W) 반송이 개시됨으로써, 당해 열처리 유닛 U2에서는 대기 상태가 종료되었다고 판단해도 된다. 스텝 S13에 있어서, 대기 상태가 종료되지 않았다고 판단된 경우, 제어 장치(100)는, 스텝 S11, S12를 반복한다. 이에 의해, 제어 장치(100)는, 열처리가 행해지지 않는 동안, 처리실(20)의 온도를 제2 목표값으로 유지한다. 또한, 처리실(20) 내의 온도를 제2 목표값으로 유지한다는 것은, 처리실(20) 내의 온도가 제2 목표값에 대해서 허용 오차를 가감산한 범위에 포함되는 상태를 계속시키는 것이다.
한편, 스텝 S13에 있어서, 대기 상태가 종료되었다고 판단된 경우, 제어 장치(100)는, 스텝 S01 내지 S13을 다시 실행한다. 제어 장치(100)는, 스텝 S01 내지 S13까지의 처리를, 미리 정해진 매수의 웨이퍼(W)의 열처리가 행해지는 동안, 반복해도 된다. 또한, 제어 장치(100)는, 미리 정해진 매수의 웨이퍼(W) 중 마지막으로 처리되는 웨이퍼(W)에 대한 열처리가 종료되었을 때는, 스텝 S08 내지 S13을 실행하지 않고, 스텝 S07의 실행 후에, 이 배기 및 온도 조정의 수순을 종료해도 된다.
계속해서, 도 7을 참조하여, 상술한 처리 수순을 실행한 경우에 있어서 각종 요소의 시간 변화를 설명한다. 도 7에서는, 기간 T1 및 기간 T3에 있어서 열처리가 행해지고 있으며, 기간 T2에서는 열처리 유닛 U2에 의해 열처리가 행해지지 않는 경우에 있어서의 각 요소의 시간 변화가 나타나 있다. 즉, 기간 T1, T3에 있어서는, 상술한 스텝 S01 내지 S07이 실행되고, 기간 T2에 있어서는, 상술한 스텝 S08 내지 S13이 실행된다.
도 7에 있어서, 「배기 ON」이란, 배기부(70, 80)가 제1 배기량으로 배기되고 있는 상태이며, 「배기 OFF」란, 배기부(70, 80)가 제2 배기량으로 배기되고 있는(배기를 정지하고 있는) 상태이다. 도 7에 있어서, 「전력」은 하나의 열처리 유닛 U2에 있어서 사용되는 전력을 나타내고 있다. 이후에서는, 열처리 및 배기가 행해지는 기간 T1에 있어서의 전력의 사용량을 100％로 하여 설명한다. 기간 T1에서는, 열처리가 행해지므로 열판(42)의 온도는 대략 일정(온도 tp1)하게 유지된다. 또한, 배기부(70, 80)에 의해 배기가 행해지고 있으며, 열판(42)의 온도가 대략 일정하게 유지됨으로써, 처리실(20) 내의 온도가 대략 일정(온도 tp2)하게 유지된다.
기간 T2에서는, 배기부(70, 80)에 의한 배기가 정지된다. 배기 및 열처리에 필요한 전력이 감소하므로, 기간 T2에 있어서의 전력의 사용량은, 기간 T1에 비해서 감소한다. 예를 들어, 기간 T2에 있어서의 전력의 사용량은, 일례로서 30％ 정도까지 감소한다. 이와 같이, 제어 장치(100)는, 제1 제어에 비해서 사용되는 전력이 작아지도록 제2 제어를 실행한다. 기간 T2에서는, 처리실(20) 내의 온도가 제2 목표값에 근접하도록 열판(42)의 온도가 조정되므로, 처리실(20) 내의 온도가 대략 일정(온도 tp2)하게 유지된다. 또한, 제2 목표값이, 기간 T1에 있어서의 처리실(20) 내의 온도로 설정됨으로써, 기간 T1, T2를 거쳐, 처리실(20) 내의 온도가 대략 일정(온도 tp2)하게 유지된다. 또한, 기간 T2에서는, 처리실(20) 내의 온도를 유지하기 위해서, 열판(42)의 온도가 온도 tp1보다도 낮아지도록 제어된다. 열판(42)의 온도의 저하(전류값의 감소)에 수반하여, 기간 T2에 있어서의 전력의 사용량은 점차 감소되어 가지만, 배기를 정지하는 것에 수반하는 전력량의 감소에 비해서 전력량의 변화가 작기 때문에 도시는 생략하였다.
기간 T3에서는, 다음 웨이퍼(W)의 반입을 거쳐서 열처리가 다시 행해지므로, 배기부(70, 80)에 의한 배기가 행해진다. 이에 의해, 전력의 사용량은 기간 T1이 동일 정도로 되고, 열판(42)의 온도는, 상승 후에, 제1 목표값으로 유지된다. 열판(42)의 온도가 제1 목표값으로 유지됨으로써, 처리실(20) 내의 온도는 대략 일정(온도 tp2)하게 유지된다. 열판(42)에는, 히터(43)가 마련되어 있기 때문에, 열판(42)의 온도를 제1 목표값으로 조정하기 위한 시간은, 처리실(20) 내의 온도를 원하는 값으로 조정하기 위한 시간에 비해서 짧다. 예를 들어, 기간 T2에 있어서의 대기 상태의 종료 후, 몇 초 정도로 열판(42)의 온도를 제1 목표값으로 조정할 수 있다. 기간 T3에 있어서의 열처리가 종료된 후, 기간 T2, 및 기간 T3과 마찬가지의 각 요소의 시간 변화가 반복된다.
[작용]
상기 실시 형태에서 설명한 도포·현상 장치(2) 및 기판 처리 방법에서는, 처리실(20) 내로부터의 배기량이 제1 배기량으로 되도록 배기부(70, 80)를 제어함과 함께, 열판 온도 측정부(50)에 의한 측정값이 제1 목표값에 근접하도록 열판(42)을 제어하는 제1 제어와, 배기량이 제1 배기량보다도 적은 제2 배기량으로 되도록 배기부(70, 80)를 제어함과 함께, 실내 온도 측정부(60)에 의한 측정값이 제2 목표값에 근접하도록 열판(42)을 제어하는 제2 제어가 실행된다.
이 도포·현상 장치(2) 및 기판 처리 방법에서는, 제1 배기량보다도 제2 배기량이 적으므로, 제1 제어에 의해 제1 배기량으로 배기할 때의 전력보다도 제2 제어에 의해 제2 배기량으로 배기할 때의 전력이 작아진다. 이에 의해, 제2 제어를 실행하지 않고 제1 제어를 계속하는 경우에 비해서, 전력 사용량을 저감시키는 것 가능해진다.
열판(42)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 온도는, 처리실(20) 내의 온도로부터도 영향을 받는다. 이 때문에, 처리실(20) 내로부터 배출되는 기체의 배출량(배기량)이 적어지면, 처리실(20) 내의 온도가 상승하여, 열판(42)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 온도에 영향을 준다. 상술한 도포·현상 장치(2)에서는, 배기량이 적어진 경우에, 처리실(20) 내의 온도의 측정값이 제2 목표값으로 유지되도록 열판(42)이 제어된다. 이에 의해, 배기량이 적어진 경우에 있어서도, 처리실(20) 내의 온도를 원하는 범위로 유지할 수 있으므로, 배기량이 제1 배기량으로 되돌려졌을 때, 배기량의 변화에 수반하는 처리실(20) 내의 온도 변화에 의한 웨이퍼(W)에 대한 영향이 저감된다. 따라서, 전력 사용량을 저감시키면서, 웨이퍼(W)의 온도를 보다 고정밀도로 제어하는 것이 가능해진다. 즉, 전력 사용량의 저감과 웨이퍼(W)의 온도 제어의 정밀도 향상의 양립을 도모하는 것이 가능해진다.
종래는, 배기부(70, 80)에 의한 배기를 비열처리 시에도 계속하는 기판 처리 방법(제1 비교예)이 행해지는 경우가 많다고 생각된다. 도 8의 (A)에는, 제1 비교예에 관한 각 요소의 시간 변화가 나타나 있다. 이 제1 비교예에서는, 배기부(70, 80)에 의한 배기가, 기간 T1, T2 및 그 이후의 기간을 거쳐, 계속되고 있다. 이 경우, 기간 T2에서는, 웨이퍼(W)의 열처리가 행해지지 않은 만큼, 전력의 사용량이 감소하지만, 그 감소폭은 작다. 이와 같이, 제1 비교예에서는, 웨이퍼(W)의 열처리를 행하지 않는 시간대에도 상응의 전력이 사용되고 있다.
그래서, 전력의 사용량을 저감시키기 위해서, 기간 T2(비열처리 시)에 있어서, 배기부(70, 80)에 의한 배기를 정지하는 기판 처리 방법(제2 비교예)을 생각할 수 있다. 도 8의 (B)에는, 제2 비교예에 관한 각 요소의 시간 변화가 나타나 있다. 제2 비교예에 관한 기판 처리 방법에서는, 기간 T2(비열처리 시)에 있어서 배기부(70, 80)에 의한 배기를 정지하지만, 본 실시 형태와 비교하여, 처리실(20) 내의 온도를 대략 일정하게 유지하는 제어가 행해지고 있지 않다. 이 제2 비교예에서는, 기간 T2에 있어서 배기부(70, 80)에 의한 배기는 정지하지만, 제1 비교예와 마찬가지로, 열판(42)의 온도를 측정한 측정값이 목표값(온도 tp1)으로 유지되도록 열판(42)이 제어된다. 이 경우, 처리실(20) 내로부터의 배기가 정지되므로, 처리실(20)(챔버(44) 내의 공간)의 온도는 자연히 상승한다. 이 때문에, 기간 T2의 종료 시점에 있어서의 처리실(20) 내의 온도는, 기간 T1에 있어서의 처리실(20)의 온도에 비해서 상승되어 있다. 이 처리실(20) 내의 온도가 상승된 상태에 있어서, 다음 웨이퍼(W)에 대한 열처리를 행하고자 하면, 웨이퍼(W)를 둘러싼 분위기의 온도 및 챔버(44)의 온도가 기간 T1로 바뀌어 버려, 제1 비교예와 비교하여, 웨이퍼(W)의 온도를 고정밀도로 제어할 수 없을 가능성이 있다.
이에 비해, 본 실시 형태에 있어서는, 열판(42)에 의한 웨이퍼(W)의 가열을 포함하는 열처리 시에 제1 제어가 실행되고, 웨이퍼(W)의 비열처리 시에 제2 제어가 실행된다. 즉, 도 7에 나타나는 바와 같이, 배기부(70, 80)에 의한 배기량이 적어져도, 열처리가 행해지지 않은 기간 T2에 있어서도 처리실(20) 내의 온도가 원하는 범위로 유지된다. 이와 같이, 처리실(20) 내(챔버(44) 내)의 온도가 대략 일정하게 유지되므로, 배기가 정지됨(배기량이 감소함)에 따른 영향이 저감되고 있다. 그 결과, 전력 사용량을 저감시키면서, 배기량이 제1 배기량으로 되돌려져 열처리가 행해질 때, 웨이퍼(W)의 온도를 보다 고정밀도로 제어하는 것이 가능해진다.
또한, 제2 목표값과 제1 제어 실행 시의 처리실 내의 온도의 차가 소정 범위에 포함되도록 제2 목표값이 설정된다. 이 경우, 처리실(20) 내의 온도가, 배기량에 관계 없이 소정의 범위로 유지되므로, 전력 사용량을 저감시키면서, 웨이퍼(W)의 온도를 보다 고정밀도로 제어하는 것이 가능해진다.
또한, 처리실(20)은, 열판(42)에 있어서의 기판의 적재면(42a)을 둘러싸도록 구성된 챔버(44)를 포함한다. 실내 온도 측정부(60)는, 챔버(44)(천장판부(44a))의 온도를 측정한다. 예를 들어, 처리실(20) 내에 열처리 유닛 U2의 밖으로부터 외기가 일시적으로 들어갔다고 해도 챔버(44)의 온도에 대한 영향은 작다. 상기 구성에서는, 실내 온도 측정부(60)에 의해 챔버(44)의 온도가 측정되고 있으므로, 처리실(20) 내의 온도를 안정적으로 측정할 수 있다. 또한, 열판(42)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 주위의 분위기 온도는, 당해 웨이퍼(W)를 둘러싸는 챔버(44)의 영향을 받는다. 이 때문에, 챔버(44)의 온도를 측정하고, 당해 챔버(44)의 온도의 측정값이 제2 목표값으로 유지됨으로써, 웨이퍼(W)의 주위의 분위기 온도가 고정밀도로 조정된다. 그 결과, 전력 사용량을 저감시키면서, 웨이퍼(W)의 온도를 보다 고정밀도로 제어하는 것이 가능해진다.
[변형예]
상기에서 개시된 실시 형태는 모든 점에 있어서 예시이지 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주 요지를 벗어나지 않고, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
도 9 및 도 10을 참조하여, 제어 장치(100)에 의한 기판 처리 방법의 다른 예를 설명한다. 이 변형예에 관한 기판 처리 방법에서는, 도 9에 나타나는 바와 같이, 제어 장치(100)는, 스텝 S21 내지 S32를 순서대로 실행한다. 스텝 S21 내지 S32 각각에 있어서의 처리 내용은, 상술한 스텝 S01 내지 S12와 마찬가지의 처리 내용이므로 설명을 생략한다.
다음에, 제어 장치(100)는, 스텝 S33을 실행한다. 스텝 S33에서는, 제어 장치(100)는, 다음 처리 대상 웨이퍼(W)의 열처리의 개시가 가까워졌는지 여부를 판단한다. 구체적으로는, 제어 장치(100)는, 대기 상태가 종료될 때까지의 시간(예를 들어, 다음 처리 대상 웨이퍼(W)의 열처리의 개시 예정 시각까지의 시간)이 미리 정해진 소정 시간 이내인지 여부를 판단한다. 예를 들어, 제어 장치(100)는, 다음 웨이퍼(W)의 열처리 개시 예정 시각을 취득(산출)하여, 개시 예정 시각과 상기 소정 시간으로부터, 열처리의 개시가 가까워졌다고 판단되는 시각 ts를 산출한다. 제어 장치(100)는, 현재의 시각이 시각 ts에 달하였으면, 대기 상태가 종료될 때까지의 시간이 소정 시간 이내라고 판단한다. 스텝 S33에 있어서, 대기 상태가 종료될 때까지의 시간이 소정 시간 이내로 될 때까지, 제어 장치(100)는, 스텝 S31, S32를 반복한다. 바꾸어 말하면, 도 10에 나타나는 바와 같이, 제어 장치(100)는, 대기 상태가 종료될 때까지의 시간이 소정 시간 이내로 될 때까지(시각 ts가 될 때까지), 처리실(20) 내의 온도가 제2 목표값으로 유지되도록 열판(42)을 제어한다. 또한, 열처리의 개시가 가까워졌는지 여부를 판단하기 위한 소정 시간은, 수 초 정도로 설정되어도 된다.
한편, 스텝 S33에 있어서, 대기 상태가 종료될 때까지의 시간이 소정 시간 이내라고 판단된 경우, 다음 처리 대상 웨이퍼(W) 열처리 개시가 가까워졌다고 판단되어, 제어 장치(100)는, 스텝 S34 내지 S36을 실행한다. 스텝 S34, S35는, 스텝 S25, S26(스텝 S05, S06)과 마찬가지로 행해진다. 스텝 S36에서는, 스텝 S13과 마찬가지로, 제어 장치(100)가, 대기 상태가 종료되었는지 여부를 판단한다. 스텝 S36에 있어서, 대기 상태가 종료되지 않았다고 판단된 경우, 제어 장치(100)는, 스텝 S34, S35를 반복하므로, 도 10에 나타나는 바와 같이, 시각 ts 이후의 기간 T2에 있어서, 열판(42)의 온도가 제1 목표값을 향해서 상승한다.
한편, 스텝 S36에 있어서, 대기 상태가 종료되었다고 판단된 경우, 제어 장치(100)는, 스텝 S37을 실행한다. 스텝 S37에서는, 제어 장치(100)는, 배기부(70, 80)에 의해, 처리실(20) 내로부터 기체를 배기시킨다. 그리고, 제어 장치(100)는, 스텝 S23 내지 S37을 반복한다. 또한, 도 10에 나타나는 기간 T1에 있어서 스텝 S21 내지 S27이 실행되고, 도 10에 나타나는 시각 ts보다 전인 T2에 있어서 스텝 S28 내지 S33이 실행된다. 그리고, 도 10에 나타나는 시각 ts보다 후인 기간 T2에 있어서 스텝 S34 내지 S36이 실행되고, 도 10에 나타나는 기간 T3에 있어서 스텝 S37 및 스텝 S23 내지 S27이 실행된다. 이후, 기간 T2, T3에 있어서의 각 요소의 시간 변화와 마찬가지의 변화가 반복된다.
이 변형예에서는, 제어 장치(100)는, 비열처리 시에 있어서, 제2 제어를 실행한 후에, 처리실(20) 내로부터의 기체의 배출을 정지함과 함께, 열판 온도 측정부(50)에 의한 측정값이 제1 목표값에 근접하도록 열판(42)의 온도를 제어하는 제3 제어를 실행한다. 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)의 비열처리 시에 다음 처리 대상 웨이퍼(W)의 열처리의 개시가 가까워짐에 따라, 제2 제어로부터 제3 제어로 전환한다. 바꾸어 말하면, 제어 장치(100)는, 대기 시간이 종료될 때까지의 시간이, 소정 시간 이내가 되었을 경우에, 제2 제어로부터 제3 제어로 전환한다. 제어 장치(100)는, 제3 제어 실행 후, 다음 처리 대상 웨이퍼(W)의 열처리의 개시에 수반하여 제1 제어를 실행한다. 이 변형예에서는, 열처리의 개시 전에(시각 ts로부터) 열판(42)의 온도를 제1 목표값에 근접시키는 제3 제어가 개시되므로, 열처리의 개시 시에 맞추어 열판(42)의 온도를 제1 목표값으로 빨리 조정하는 것이 가능해진다.
또한, 열판(42)의 온도가 제1 목표값을 향해서 상승함에 수반하여, 배기부(70, 80)에 의한 배기가 정지하고 있으므로 처리실(20) 내의 온도가 약간, 상승할 수 있다. 그러나, 당해 온도 상승이 웨이퍼(W)의 온도 제어에 주는 영향은 작다. 또한, 제3 제어의 후의 제1 제어의 실행에 의해, 단시간에 보정할 수 있을 정도의 온도 변화이다. 또한, 도 10에서는, 당해 온도 상승의 도시는 생략하였다.
상술한 실시 형태 및 변형예에 있어서의 기판 처리 방법(배기 및 온도 조정 수순)에 있어서, 각 스텝이 실행되는 순번이 교체되어도 되고, 계속해서 행해지는 스텝끼리의 실행 시간이 서로 중복되어 있어도 된다. 예를 들어, 스텝 S02에 있어서 열판(42)의 온도 제어가 개시된 후에, 스텝 S01에 있어서 배기부(70, 80)에 의한 배기가 개시되어도 된다. 예를 들어, 웨이퍼(W)가 열처리 유닛 U2 내에 반입되면서, 배기부(70, 80)에 의한 배기가 개시되어도 된다.
제어 장치(100)는, 열처리가 종료된 후, 대기 상태가 종료될 때까지의 동안, 반드시 제2 제어(제2, 제3 제어)를 실행하지는 않아도 된다. 즉, 열처리 기간 및 비열처리 기간이 교대로 반복되는 동안, 제어 장치(100)는, 비열처리 시에 있어서 매회, 제2 제어(제2, 제3 제어)를 실행하지 않아도 된다. 제어 장치(100)는, 열처리 시 및 비열처리 시의 어느 것인지에 상관없이, 제1 제어 및 제2 제어의 전환을 행해도 된다.
배기부(70, 80)의 배기 덕트(71, 81)에 있어서의 외측의 일단부에 있어서, 처리실(20) 내의 기체를 분출하는 블로워가 마련되어 있어도 된다. 배기부(70, 80)에 의한 기체의 배출을 정지하는 경우에, 개폐부(72, 82)의 폐쇄 상태에 대한 설정과 함께, 당해 블로워에 의한 흡인이 정지되어도 된다. 혹은, 당해 블로워에 의한 흡인이 계속된 채, 개폐부(72, 82)가 폐쇄 상태로 설정됨으로써, 배기부(70, 80)에 의한 배기가 정지되어도 된다.
열처리 유닛 U2는, 온도 조정 기구(30)를 구비하지 않고, 가열 처리만을 열처리로서 행해도 된다. 열처리 유닛 U2는, 배기부(70) 및 배기부(80)의 어느 한쪽을 구비하고 있지 않아도 된다. 배기부(70) 및 배기부(80) 각각으로부터의 배기량은, 서로 동일해도 되고, 서로 달라도 된다. 배기량이 서로 다른 경우, 어느 배기부에 의한 배기량이 많아도 된다. 제어 장치(100)는, 비열처리 시에 있어서, 배기부(70) 및 배기부(80)의 어느 한쪽으로부터의 배기를 정지해도 된다. 이 경우, 비열처리 시에 있어서 배기를 행하는 배기부에 의해 제2 배기량으로 기체가 배출되어도 된다.
제어 장치(100)는, 가열 기구(40)에 의한 가열 처리 시에 제1 제어를 실행하고, 온도 조정 기구(30)에 의한 온도 조정 기간을 포함하는 가열 기구(40)에 의한 비가열 처리 시에 제2 제어를 실행해도 된다. 즉, 상기 실시 형태에서는, 제1 제어가 실행되는 기간인 열처리에 온도 조정 기구(30)에 의한 온도 조정이 포함되지만, 당해 열처리에 온도 조정 기구(30)에 의한 온도 조정이 포함되지 않아도 된다.
상기 실시 형태에서는, 하우징(21)으로 구획되어, 챔버(44) 및 지지대(41)가 내부에 수용된 처리실(20) 내에 대해서 설명했지만, 처리실은, 챔버(44) 및 지지대(41)로 구성되어도 된다. 또한, 처리실의 구성에 의해, 배기부의 구성은 적절히 변경된다. 예를 들어, 챔버(44) 및 지지대(41)로 처리실이 구성되어 있는 경우, 제어 장치(100)는, 가열 기구(40)에 의한 가열 처리 시에, 배기부(80)에 의해 챔버(44) 내로부터 제1 배기량으로 배기를 행해도 된다. 또한, 제어 장치(100)는, 가열 기구(40)에 의한 비가열 처리 시(온도 조정 기구(30)에 의한 온도 조정 기간을 포함함)에, 배기부(80)에 의해 챔버(44) 내로부터 제2 배기량으로 배기를 행해도 된다(배기를 정지해도 된다). 또한, 제어 장치(100)는, 가열 처리 시에 열판 온도 측정부(50)에 의한 측정값이 제1 목표값에 근접하도록 열판(42)을 제어하고, 비가열 처리 시에 실내 온도 측정부(60)에 의한 측정값(챔버(44)의 온도)이 제2 목표값에 근접하도록 열판(42)을 제어해도 된다.
처리 대상 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, 예를 들어 유리 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 등이어도 된다.

Claims (7)

  1. 처리 대상 기판을 수용하는 처리실과,
    상기 처리실 내에 있어서 상기 기판을 지지하여 가열하는 열판과,
    상기 처리실 내로부터 기체를 배출하는 배기부와,
    상기 열판의 온도를 측정하는 제1 온도 측정부와,
    상기 처리실 내의 온도를 측정하는 제2 온도 측정부와,
    상기 열판 및 상기 배기부를 제어하는 제어부
    를 갖고,
    상기 제어부는, 상기 처리실 내로부터의 배기량이 제1 배기량으로 되도록 상기 배기부를 제어함과 함께, 상기 제1 온도 측정부에 의한 측정값이 제1 목표값에 근접하도록 상기 열판을 제어하는 제1 제어와, 상기 배기량이 상기 제1 배기량보다도 적은 제2 배기량으로 되도록 상기 배기부를 제어함과 함께, 상기 제2 온도 측정부에 의한 측정값이 제2 목표값에 근접하도록 상기 열판을 제어하는 제2 제어를 실행하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 열판에 의한 상기 기판의 가열을 포함하는 열처리 시에 상기 제1 제어를 실행하고, 상기 기판의 비열처리 시에 상기 제2 제어를 실행하는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 배기량이 상기 제2 배기량으로 되도록 상기 배기부를 제어함과 함께, 상기 제1 온도 측정부에 의한 측정값이 상기 제1 목표값에 근접하도록 상기 열판을 제어하는 제3 제어를 추가로 실행하고,
    상기 기판의 비열처리 시에 있어서, 상기 기판의 열처리의 개시가 가까워짐에 따라 상기 제2 제어로부터 상기 제3 제어로 전환하는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제2 목표값과 상기 제1 제어 실행 시의 상기 처리실 내의 온도의 차가 소정 범위에 포함되도록 상기 제2 목표값을 설정하는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리실은, 상기 열판에 있어서의 상기 기판의 적재면을 둘러싸도록 구성된 덮개를 포함하고,
    상기 제2 온도 측정부는, 상기 처리실 내의 온도로서 상기 덮개의 온도를 측정하는, 기판 처리 장치.
  6. 처리 대상 기판을 수용하는 처리실 내로부터의 배기량이 제1 배기량으로 되도록 제어함과 함께, 상기 기판을 지지하여 가열하는 열판의 온도를 측정하는 제1 온도 측정부에 의한 측정값이 제1 목표값에 근접하도록 제어하는 것과,
    상기 배기량이 상기 제1 배기량보다도 적은 제2 배기량으로 되도록 제어함과 함께, 상기 처리실 내의 온도를 측정하는 제2 온도 측정부에 의한 측정값이 제2 목표값에 근접하도록 제어하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  7. 제6항에 기재된 기판 처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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