CN110021540A - 热处理装置、热板冷却方法及计算机可读取的记录介质 - Google Patents

热处理装置、热板冷却方法及计算机可读取的记录介质 Download PDF

Info

Publication number
CN110021540A
CN110021540A CN201910020071.0A CN201910020071A CN110021540A CN 110021540 A CN110021540 A CN 110021540A CN 201910020071 A CN201910020071 A CN 201910020071A CN 110021540 A CN110021540 A CN 110021540A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
hot plate
substrate
processing
coldplate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910020071.0A
Other languages
English (en)
Inventor
远藤建治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN110021540A publication Critical patent/CN110021540A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Mounting, Exchange, And Manufacturing Of Dies (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)

Abstract

本公开涉及热处理装置、热板冷却方法及计算机可读取的记录介质。课题是在更短时间内冷却热板。热板冷却方法包括以下工序：第一工序，获取表示热板的温度与冷却时间之间的关系的相关数据，该热板构成为对基板施加热，该冷却时间是在该温度下被热板加热了的基板被构成为对基板进行冷却的冷却板冷却至目标温度所需的时间；第二工序，由温度传感器获取热板的温度；第三工序，在第二工序之后，将基板载置到热板；第四工序，在第二工序之后，基于相关数据以及在第二工序获取到的温度来计算与在第二工序获取到的温度对应的冷却时间；第五工序，在第四工序之后，将基板载置到冷却板，由冷却板将基板冷却至少在第四工序计算出的冷却时间。

Description

热处理装置、热板冷却方法及计算机可读取的记录介质
技术领域
本公开涉及热处理装置、热板冷却方法及计算机可读取的记录介质。
背景技术
专利文献1公开了具备加热基板的热板和冷却基板的冷却板的热处理装置。该热处理装置具有将在基板的表面涂布的涂布膜与基板共同加热的功能。
然而，例如，在降低热板的设定温度的情况、对热板进行维护的情况下等，为了提高生产性，期望使热板的温度尽快下降。因而，在该热处理装置中，由冷却板将冷却体冷却至规定温度，将冷却了的冷却体在热板上载置规定时间，由此来冷却热板。
专利文献1：日本特开平11-219887号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开说明能够在更短时间内冷却热板的热处理装置、热板冷却方法及计算机可读取的记录介质。
用于解决问题的方案
例1.热处理装置的一个例子为，具备：热板，其构成为对基板施加热；冷却板，其构成为对基板进行冷却；第一移送机构，其构成为在热板与冷却板之间授受基板；温度传感器，其构成为获取热板的温度；存储部，其存储表示热板的温度与冷却时间之间的关系的相关数据，该冷却时间是在该温度下被热板加热了的基板被冷却板冷却至目标温度所需的时间；以及控制部。控制部执行以下处理：第一处理，由温度传感器获取热板的温度；第二处理，在第一处理之后，控制第一移送机构来将基板载置到热板；第三处理，在第一处理之后，基于在第一处理中获取到的温度以及相关数据来计算与在第一处理中获取到的温度对应的冷却时间；以及第四处理，在第三处理之后，控制第一移送机构来将基板载置到冷却板，由冷却板将基板冷却至少在第三处理中计算出的冷却时间。
根据例1的装置，对于被热板加热的基板，被冷却板冷却基于基板被加热前的热板的温度和相关数据获得的冷却时间。因此，基板被冷却板冷却的时间不是统一的长度，而是根据热板的温度发生变化。即，在热板为相对高温的情况下，被该热板加热的基板也成为相对高温，因此存在冷却板对基板进行冷却的冷却时间变长的倾向。另一方面，在热板为相对低温的情况下，被该热板加热的基板也成为相对低温，因此存在冷却板对基板进行冷却的冷却时间变短的倾向。从而，根据热板的温度设定所需的充分的冷却时间，因此能够使基板降低至目标温度的时间缩短。其结果是，能够在更短时间内冷却热板。
例2.在例1的装置中也可以是，控制部还执行以下步骤：第五处理，在第二处理之后，由温度传感器获取热板的温度；第六处理，在第五处理之后，控制第一移送机构来将基板载置到热板；第七处理，在第五处理之后，基于在第五处理中获取到的温度以及相关数据来计算与在第五处理中获取到的温度对应的冷却时间；以及第八处理，在第七处理之后，控制第一移送机构来将基板载置到冷却板，由冷却板将基板冷却至少在第七处理中计算出的冷却时间。在该情况下，首先，在从第一处理至第四处理的过程中，热板被基板从第一温度冷却至第二温度，基板被冷却板冷却第一冷却时间。接着，在从第五处理至第八处理的过程中，热板被基板从第二温度冷却至第三温度，基板被冷却板冷却第二冷却时间。在后处理中的基板载置于热板前的第二温度比在前处理中的基板载置于热板前的第一温度低，因此第二冷却时间比第一冷却时间短。因此，基板的冷却时间不是统一的长度。因而，在将基板多次搬入搬出到热板以及冷却板从而使热板的温度大幅降温的情况下，能够在特别短的时间内冷却热板。
例3.也可以是，例1或者例2的装置还具备第二移送机构，该第二移送机构构成为与冷却板之间授受基板。
例4.也可以是，在例3的装置中，目标温度被设定为第二移送机构的耐热温度以下的温度。该情况下，基板被充分冷却，因此在第二移送机构搬送基板时，来自基板的热难以使第二搬送机构发生变形、劣化、破损等。因此，能够维持第二搬送机构对基板的保持功能。
例5.热板冷却方法的一例为，包括以下工序：第一工序，获取表示热板的温度与冷却时间之间的关系的相关数据，该热板构成为对基板施加热，该冷却时间是在该温度下被热板加热了的基板被构成为对基板进行冷却的冷却板冷却至目标温度所需的时间；第二工序，由温度传感器获取热板的温度；第三工序，在第二工序之后，将基板载置到热板；第四工序，在第二工序之后，基于在第二工序获取到的温度以及相关数据来计算与在第二工序获取到的温度对应的冷却时间；以及第五工序，在第四工序之后，将基板载置到冷却板，由冷却板将基板冷却至少在第四工序计算出的冷却时间。在该情况下，起到与例1的装置同样的作用效果。
例6.也可以是，例5的方法还包括以下工序：第六工序，在第三工序之后，由温度传感器获取热板的温度；第七工序，在第六工序之后，将基板载置到热板；第八工序，在第六工序之后，基于在第六工序获取到的温度以及相关数据来计算与在第六工序获取到的温度对应的冷却时间；第九工序，在第八处理之后，将基板载置到冷却板，由冷却板将基板冷却至少在第八工序计算出的冷却时间。在该情况下，起到与例2的装置同样的作用效果。
例7.也可以是，例5或者例6的方法还包括第十工序，在第五工序之后，由移送机构将基板从冷却板搬出。在该情况下，起到与例3的装置同样的作用效果。
例8.也可以是，在例7的方法中，目标温度被设定为移送机构的耐热温度以下的温度。在该情况下，起到与例4的装置同样的作用效果。
例9.计算机可读取的记录介质的一例为，记录有用于使热处理装置执行例5～例8中的任一项的热板冷却方法的程序。该情况下，起到与例5～例8中的任一项的方法同样的作用效果。在本说明书中，计算机可读取的记录介质包括非易失性的有形的介质(non-transitory computer recording medium)(例如，各种的主存储装置或者辅助存储装置)、传播信号(transitory computer recording medium)(例如，能够经由网络提供的数据信号)。
发明的效果
根据本公开所涉及的热处理装置、热板冷却方法及计算机可读取的记录介质，能够在更短时间内冷却热板。
附图说明
图1是示出基板处理系统的立体图。
图2是图1的II-II线剖视图。
图3是示出单位处理块的顶视图。
图4是从侧方观察热处理单元的剖视图。
图5是从上方观察热处理单元的剖视图。
图6是示出基板处理系统的主要部分的框图。
图7是示出控制器的硬件结构的概略图。
图8是用于说明使用晶圆来获取相关数据的方法的流程图。
图9是用于说明晶圆的处理过程的概略图。
图10是用于说明晶圆的处理过程的概略图。
图11是用于说明晶圆的处理过程的概略图。
图12是用于说明晶圆的处理过程的概略图。
图13是用于说明晶圆的处理过程的概略图。
图14是用于说明使用晶圆来冷却热板的方法的流程图。
附图标记说明
1：基板处理系统；10：控制器(控制部)；10C：存储器(存储部)；10D：存储装置(存储部)；110：加热部；113：热板；117：温度传感器；119：升降机构(第一移送机构)；120：冷却部；121：冷却板(第一移送机构)；122：冷却构件；127：温度传感器；A1～A5：搬送臂(第二移送机构；移送机构)；M2：存储部；U2：单元(热处理装置)；W：晶圆(基板)。
具体实施方式
以下说明的本公开所涉及的实施方式是用于说明本发明的例示，本发明不应限定于以下的内容。在以下的说明中，对同一要素或者具有同一功能的要素使用同一符号，并省略重复的说明。
[基板处理系统]
如图1所示，基板处理系统1(基板处理装置)具备：涂布显影装置2(基板处理装置)、曝光装置3、控制器10(控制部)。曝光装置3进行在晶圆W(基板)的表面形成的抗蚀膜的曝光处理(图案曝光)。具体来讲，通过液浸曝光等方法，对抗蚀膜(感光性覆膜)的曝光对象部分选择性地照射能量射线。作为能量射线，举出例如ArF准分子激光、KrF准分子激光、g线、i线、或者极端紫外线(EUV：Extreme Ultraviolet)。
涂布显影装置2在曝光装置3进行的曝光处理之前，进行在晶圆W的表面形成抗蚀膜的处理，在曝光处理后进行抗蚀膜的显影处理。晶圆W可以呈圆板状，也可以是圆形的一部分被切除的形状，还可以是呈多边形等圆形之外的形状。晶圆W例如是半导体基板、玻璃基板、掩模基板、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)基板及其他各种基板。晶圆W的直径例如可以为200mm～450mm左右。
如图1～图3所示，涂布显影装置2具备承载件块4、处理块5、接口块6。承载件块4、处理块5以及接口块6在水平方向排列。
如图1以及图3所示，承载件块4具有承载件站12、搬入搬出部13。承载件站12支承多个承载件11。承载件11以密封状态收容至少一个晶圆W。在承载件11的侧面11a设置有用于搬入搬出晶圆W的开闭门(未图示)。承载件11以侧面11a面对搬入搬出部13侧的方式装卸自如地设置在承载件站12上。
搬入搬出部13位于承载件站12与处理块5之间的位置。搬入搬出部13具有多个开闭门13a。在承载件11被载置到承载件站12上时，成为承载件11的开闭门面对开闭门13a的状态。通过将开闭门13a以及侧面11a的开闭门同时打开，承载件11内与搬入搬出部13内连通。搬入搬出部13内置有搬送臂A1(第二移送机构；移送机构)。搬送臂A1从承载件11取出晶圆W并且交接到处理块5、从处理块5接受晶圆W并且返还到承载件11内。
如图1以及图2所示，处理块5具有组件14～17。这些组件为，从底面侧起依次排列组件17、组件14、组件15、组件16。
组件14构成为在晶圆W的表面上形成下层膜，也称为BCT组件。如图2以及图3所示，组件14内置有多个用于涂布的单元U1、多个用于热处理的单元U2(热处理装置)、用于将晶圆W搬送到这些单元U1，U2的搬送臂A2(第二移送机构；移送机构)。组件14的单元U1构成为在晶圆W的表面涂布用于形成下层膜的涂布液来形成涂布膜。组件14的单元U2构成为，例如利用热板113(后述)对晶圆W进行加热并且例如利用冷却板121(后述)对加热后的晶圆W进行冷却来进行热处理。作为在组件14中进行的热处理的具体例，举出用于使涂布膜固化来成为下层膜的加热处理。作为下层膜，例如举出防反射(SiARC)膜。
组件15构成为在下层膜上形成中间膜(硬掩模)，也称为HMCT组件。如图2以及图3所示，组件15内置有多个用于涂布的单元U1、多个用于热处理的单元U2(热处理装置)、用于将晶圆W搬送到这些单元U1，U2的搬送臂A3(第二移送机构；移送机构)。组件15的单元U1构成为在晶圆W的表面涂布用于形成中间膜的涂布液来形成涂布膜。组件15的单元U2构成为，例如利用热板113(后述)对晶圆W进行加热并且例如利用冷却板121(后述)对加热后的晶圆W进行冷却来进行热处理。作为在组件15中进行的热处理的具体例，举出用于使涂布膜固化来成为中间膜的加热处理。作为中间膜，例如举出SOC(Spin On Carbon：自旋碳)膜、无定形碳膜。
组件16构成为在中间膜上形成热固化性并且感光性的抗蚀膜，也称为COT组件。如图2以及图3所示，组件16内置有多个用于涂布的单元U1、多个用于热处理的单元U2(热处理装置)、用于将晶圆W搬送到这些单元U1，U2的搬送臂A4(第二移送机构；移送机构)。组件16的单元U1构成为在中间膜上涂布用于形成抗蚀膜的处理液(抗蚀剂)来形成涂布膜。组件16的单元U2构成为，例如利用热板113(后述)对晶圆W进行加热并且例如利用冷却板121(后述)对加热后的晶圆W进行冷却来进行热处理。作为在组件16中进行的热处理的具体例，举出用于使涂布膜固化来成为抗蚀膜的加热处理(PAB：Pre Applied Bake，前烘)。
组件17构成为对曝光了的抗蚀膜进行显影处理，也称为DEV组件。如图2以及图3所示，组件17内置有多个用于显影的单元U1、多个用于热处理的单元U2、用于将晶圆W搬送到这些单元U1，U2的搬送臂A5(第二移送机构；移送机构)、不经过这些单元U1，U2而在棚架单元U11，U10(后述)之间直接搬送晶圆W的搬送臂A6。组件17的单元U1构成为局部地去除抗蚀膜来形成抗蚀图案。组件17的单元U2构成为，例如利用热板113(后述)对晶圆W进行加热并且例如利用冷却板121(后述)对加热后的晶圆W进行冷却来进行热处理。作为在组件17中进行的热处理的具体例，举出显影处理前的加热处理(PEB：Post Exposure Bake，曝光后烘烤)、显影处理后的加热处理(PB：Post Bake，后烘)等。
如图2以及图3所示，在处理块5内的靠承载件块4侧设置有棚架单元U10。棚架单元U10以从底面延伸至组件15的方式设置，棚架单元U10被划分为在上下方向排列的多个单元。在棚架单元U10的附近设置有搬送臂A7。搬送臂A7在棚架单元U10的单元彼此之间使晶圆W升降。
在处理块5内的靠接口块6侧设置有棚架单元U11。棚架单元U11以从底面延伸至组件17的上部的方式设置，棚架单元U11被划分为在上下方向排列的多个单元。
接口块6内置有搬送臂A8，接口块6与曝光装置3连接。搬送臂A8构成为，取出棚架单元U11的晶圆W交接到曝光装置3、从曝光装置3接受晶圆W并且返还到棚架单元U11。
控制器10控制基板处理系统1的部分或者整体。在后详述控制器10。
[用于热处理的单元的结构]
接着，参照图4～图7详细说明用于热处理的单元U2的结构。
如图4以及图5所示，单元U2的壳体100内具有加热晶圆W的加热部110、冷却晶圆W的冷却部120。在与壳体100中的冷却部120对应的部分的端壁形成有能够供搬送臂A2～A5出入的搬入搬出口101。搬送臂A2～A5构成为将晶圆W搬入壳体100的内部并且将晶圆W向壳体100外搬出。
如图5所示，搬送臂A2～A5包括基端部Am1和一对臂构件Am2。一对臂构件Am2从基端部Am1朝向前端侧以圆弧状延伸。在臂构件Am2的内周缘设置多个支承突起Am3。这些支承突起Am3从臂构件Am2的内周缘朝向内侧突出。在晶圆W载置于搬送臂A2～A5的状态下，晶圆W与支承突起Am3的前端部重叠。因此，晶圆W被各支承突起Am3支承。虽未图示，但搬送臂A1、A6～A8也可以是与搬送臂A2～A5同样的构造。
搬送臂A2～A5可以由轻质而且容易加工的材质构成。搬送臂A2～A5例如可以由树脂构成。作为树脂，举出PEEK(聚醚醚酮)树脂、氟树脂等。搬送臂A2～A5的耐热温度例如可以是100℃℃～200℃左右。搬送臂A1、A6～A8也可以具有与搬送臂A2～A5同样的材质以及耐热温度。
如图4以及图5所示，加热部110具有盖部111和热板收容部112。盖部111位于热板收容部112的上方的位置。盖部111构成为，通过由控制器10控制驱动源(未图示)，能够在与热板收容部112分离的上方位置同载置于热板收容部112上的下方位置之间上下移动。盖部111在处于下方位置时与热板收容部112一起构成处理室PR。在盖部111的中央设置有用于从处理室PR排出气体的排气部111a。
热板收容部112呈圆筒状，其内部收容有热板113。热板113的外周部被支承构件114支承。支承构件114的外周被呈筒状的支承环115支承。在支承环115的上表面形成有朝向上方开口的气体供给口115a。气体供给口115a构成为向处理室PR内喷出非活性气体。
如图5所示，热板113是呈圆形状的平板。热板113的外形比晶圆W的外形大。在热板113形成有贯通其厚度方向延伸的三个贯通孔HL。如图4以及图5所示，在热板113的上表面设置有支承晶圆W的至少三个支承销PN。支承销PN的高度例如可以是100μm左右。如图4所示，在热板113的下表面配置有加热器116，加热器116构成为对热板113进行加热。在热板113的内部配置有温度传感器117，温度传感器117构成为测定热板113的温度。
在热板113的下方配置有升降机构119(第一移送机构)。升降机构119具有配置在壳体100外的电动机119a、通过电动机119a而上下移动的三个升降销119b。升降销119b分别插通在所对应的贯通孔HL内。在升降销119b的前端与热板113以及支承销PN相比向上方突出的情况下，在升降销119b的前端上载置晶圆W。在升降销119b的前端上载置的晶圆W伴随着升降销119b的上下移动而升降。
如图4以及图5所示，冷却部120位于与加热部110邻接的位置。冷却部120具有对载置的晶圆W进行冷却的冷却板121(第一移送机构)。如图5所示，冷却板121是呈大致圆形状的平板，构成为能够移送晶圆W。冷却板121的外形比晶圆W的外形大。
如图4所示，冷却板121被安装在朝向加热部110侧延伸的轨道123。冷却板121被移动机构124驱动，能够在轨道123上水平移动。移动至加热部110侧的冷却板121位于热板113的上方的位置。因此，冷却板121能够在热板113的上方位置和与热板113分离的分离位置之间移动。
如图5所示，在冷却板121形成两个狭缝125和多个切口126。狭缝125沿轨道123的延伸方向，从冷却板121的靠加热部110侧的端部延伸至冷却板121的中央部附近。利用狭缝125，能够防止移动至加热部110侧的冷却板121与突出至热板113上的升降销119b干渉。因此，冷却板121能够将晶圆W交接到热板113并且从热板113接受晶圆W。
冷却板121可以由热传导性良好的金属构成。作为冷却板121的材质，例如举出铝。
切口126朝向冷却板121的内侧凹进。在晶圆W载置于冷却板121的状态下，晶圆W与切口126的前端部重叠。各切口126被配置于在搬送臂A2～A5与冷却板121上下重叠的情况下与支承突起Am3对应的位置。因此，在搬送臂A2～A5相对于冷却板121上下移动时，支承突起Am3能够通过所对应的切口126。从而，被支承突起Am3支承的晶圆W通过搬送臂A2～A5移动到冷却板121的下方而被载置到冷却板121上。另一方面，在冷却板121上载置的晶圆W通过搬送臂A2～A5移动到冷却板121的上方而被支承突起Am3支承。
也可以代替上述方式，在冷却板121的下方配置升降机构。升降机构具有配置在壳体100外的电动机、通过电动机上下移动的三个升降销。升降销分别构成为能够通过狭缝125。在升降销的前端与冷却板121相比向上方突出的情况下，能够在升降销的前端上载置晶圆W。在升降销的前端上载置的晶圆W伴随着升降销的上下移动而升降。
如图4所示，在冷却板121内设置有冷却构件122和温度传感器127。冷却构件122构成为调节冷却板121的温度，例如可以由帕尔贴元件构成。温度传感器127构成为测定冷却板121的温度。
[控制器的结构]
如图6所示，控制器10具有读取部M1、存储部M2、处理部M3以及指示部M4作为功能组件。这些功能组件只不过是为了方便将控制器10的功能划分为多个组件，并不意味着构成控制器10的硬件必然是分为这样的组件。各功能组件不限于通过程序的执行来实现，也可以是由专用的电路(例如逻辑电路)、或者将这些集成而成的集成电路(ASIC：Application Specific Integrated Circuit)来实现的。
读取部M1从计算机可读取的记录介质RM读取程序。记录介质RM记录有用于使基板处理系统1的各部进行动作的程序。作为记录介质RM，例如可以是半导体存储器、光记录盘、磁记录盘、光磁记录盘。
存储部M2存储各种各样的数据。作为存储部M2存储的数据，例如举出读取部M1从记录介质RM读取的程序、从温度传感器117输入的热板113的温度、从温度传感器127输入的冷却板121的温度。存储部M2还存储后述的相关数据。
处理部M3处理各种数据。处理部M3例如基于在存储部M2中存储的各种数据，生成用于使基板处理系统1的各部(例如，加热器116、升降机构119、冷却构件122、移动机构124)进行动作的信号。
指示部M4将在处理部M3生成的信号向基板处理系统1的各部(例如，加热器116、升降机构119、冷却构件122、移动机构124)发送。具体来讲，指示部M4向加热器116发送指示信号，来切换加热器116的启动/停止(ON/OFF)。指示部M4向电动机119a发送上升信号或者下降信号，使升降销119b升降。指示部M4向冷却构件122发送指示信号，将冷却构件122调温至规定温度。指示部M4向移动机构124发送驱动信号，使冷却板121沿着轨道123，在冷却板121位于热板113的上方的第一位置与冷却板121同热板113分离的第二位置之间水平移动。
控制器10的硬件例如是由一个或者多个控制用的计算机构成的。控制器10例如具有图7所示的电路10A作为硬件上的结构。电路10A可以是由电路要素(circuitry)构成的。具体来讲，电路10A具有处理器10B、存储器10C(存储部)、存储装置10D(存储部)以及输入输出端口10E。处理器10B与存储器10C和存储装置10D中的至少一方协作来执行程序，经由输入输出端口10E执行信号的输入输出，由此构成上述的各功能组件。输入输出端口10E在处理器10B、存储器10C及存储装置10D与基板处理系统1的各种装置之间进行信号的输入输出。
在本实施方式中，基板处理系统1具备一个控制器10，但也可以是具备由多个控制器10构成的控制器组(控制部)。在基板处理系统1具备控制器组的情况下，既可以是上述的功能组件分别由一个控制器10实现，也可以是上述的功能组件分别由两个以上的控制器10的组合实现。在控制器10是由多个计算机(电路10A)构成的情况下，既可以是上述的功能组件分别由一个计算机(电路10A)实现，也可以是上述的功能组件分别由两个以上的计算机(电路10A)的组合实现。控制器10也可以具有多个处理器10B。该情况下，既可以是上述的功能组件分别由一个处理器10B实现，也可以是上述的功能组件分别由两个以上的处理器10B的组合实现。
[晶圆的相关数据的获取方法]
接下来，参照图8～图13说明使用上述的用于热处理的单元U2来获取相关数据的方法。在此，相关数据是表示热板113的温度与冷却时间之间的关系的数据，该冷却时间是在该温度下被热板113加热了的晶圆W被冷却板121冷却至目标温度所需的时间。
首先，如图9所示，控制器10控制搬送臂A1～A5，从承载件11取出一个晶圆W，搬送到单元U2的壳体100内(图8的步骤S11)。接着，如图10所示，控制器10控制搬送臂A2～A5，使搬送臂A2～A5相对于冷却板121上而言下降到下方。由此，被搬送臂A2～A5的支承突起Am3支承的晶圆W被载置到冷却板121上(图8的步骤S12)。
接着，控制器10从温度传感器117获取此时的热板113的温度T，存储到存储部M2(图8的步骤S13)。接着，控制器10控制未图示的驱动源，如图11所示，使盖部111上升。接着，控制器10控制移动机构124以及电动机119a，将冷却板121上的晶圆W载置到升降销119b上。接着，控制器10控制移动机构124，使冷却板121从加热部110退避出来。
接着，控制器10控制电动机119a，使升降销119b下降，由此使晶圆W支承在支承销PN上。由此，晶圆W从冷却板121载置到热板113(图8的步骤S14)。接着，控制器10控制未图示的驱动源，如图12所示，使盖部111下降到热板收容部112。在该状态下，晶圆W在热板113上静置规定时间(例如20秒左右)(图8的步骤S15)。由此，热板113的热被晶圆W吸收，热板113被冷却并且晶圆W被加热。
当经过规定时间时，控制器10控制未图示的驱动源，如图11所示，使盖部111上升。接着，通过与将晶圆W从冷却板121搬送到热板113相反的顺序，如图13所示，将晶圆W从热板113搬送到冷却板121(图8的步骤S16)。由此，晶圆W的热被冷却板121吸收，晶圆W被冷却。
接着，控制器10接收来自温度传感器127的信号，由此经由冷却板121间接地获取晶圆W的温度。接着，控制器10判断获取到的晶圆W的温度是否降低至目标温度(图8的步骤S17)。在此，目标温度例如可以被设定为搬送臂A2～A5的耐热温度以下的温度，可以是设定为200℃以下。
控制器10在判断为晶圆W的温度没有达到目标温度的情况下(图8的步骤S17为“否”)，使晶圆W静置在冷却板121上继续放置。另一方面，控制器10在判断为晶圆W的温度达到目标温度的情况下(图8的步骤S17为“是”)，将晶圆W的温度达到目标温度的冷却时间t与热板113的温度T相关联地存储到存储部M2(图8的步骤S18)。
接着，控制器10控制搬送臂A2～A5，使搬送臂A2～A5相对于冷却板121上升。由此，晶圆W从冷却板121载置到搬送臂A2～A5(图8的步骤S19)。之后，控制器10控制搬送臂A1～A5，将晶圆W搬送到承载件11(图8的步骤S20)。
通过重复以上的顺序，获得由热板113的温度T与晶圆W的冷却时间t相关联的多个数据构成的相关数据(第一工序)。表1示出这多个数据的一例。相关数据例如可以是与这多个数据的近似直线或者近似曲线对应的函数，也可以是与将相邻的数据彼此用直线连接而得到的折线对应的函数。
【表1】
[热板冷却方法]
在各组件14～17的用于热处理的单元U2中，在晶圆W的表面形成抗蚀图案的过程中，进行晶圆W的热处理。因此，热板113的温度成为相对高温。在热板113的维护时，由于作业者要对热板113进行处理，因此需要对热板113充分地进行冷却。因而，接着，参照图9～图14说明基于所获得的相关数据来对热板113进行冷却的方法。在此，例示将热板113从规定的初期温度冷却至规定的冷却完成温度的情况。初期温度例如可以是200℃～500℃左右。冷却完成温度例如可以是30℃～300℃左右。
首先，如图9所示，控制器10控制搬送臂A1～A5，从承载件11取出一个晶圆W，搬送到单元U2的壳体100内(图14的步骤S21)。接着，如图10所示，控制器10控制搬送臂A2～A5，使搬送臂A2～A5相对于冷却板121上而言下降到下方。由此，被搬送臂A2～A5的支承突起Am3支承的晶圆W被载置到冷却板121上(图14的步骤S22)。
接着，控制器10从温度传感器117获取此时的热板113的温度Tm，存储到存储部M2(图14的步骤S23；第一处理、第五处理、第二工序、第六工序)。接着，控制器10基于所获取到的热板113的温度Tm和相关数据，计算将晶圆W冷却至目标温度所需的冷却时间tm(图14的步骤S24；第三处理、第七处理、第四工序、第八工序)。具体来讲，控制器10将热板113的温度Tm代入相关数据(函数)来计算冷却时间tm，将该冷却时间tm存储到存储部M2。
接着，控制器10控制未图示的驱动源，如图11所示，使盖部111上升。接着，控制器10控制移动机构124以及电动机119a，使冷却板121上的晶圆W载置到升降销119b上。接着，控制器10控制移动机构124，使冷却板121从加热部110退避出来。
接着，控制器10控制电动机119a，使升降销119b下降，由此使晶圆W支承在支承销PN上。由此，晶圆W从冷却板121载置到热板113(图14的步骤S25；第二处理、第六处理、第三工序、第七工序)。接着，控制器10控制未图示的驱动源，如图12所示，使盖部111下降到热板收容部112。在该状态下，晶圆W在热板113上静置规定时间(例如20秒左右)(图14的步骤S26)。由此，热板113的热被晶圆W吸收，热板113被冷却并且晶圆W被加热。
当经过规定时间时，控制器10控制未图示的驱动源，如图11所示，使盖部111上升。接着，通过与将晶圆W从冷却板121搬送到热板113相反的顺序，如图13所示，将晶圆W从热板113搬送到冷却板121(图14的步骤S27)。在该状态下，晶圆W在冷却板121上静置冷却时间tm(图14的步骤S28；第四处理、第八处理、第五工序、第九工序)。由此，晶圆W的热被冷却板121吸收，晶圆W被冷却。
接着，当经过冷却时间tm时，控制器10控制搬送臂A2～A5，使搬送臂A2～A5相对于冷却板121上升。由此，晶圆W从冷却板121载置到搬送臂A2～A5(图14的步骤S29；第十工序)。之后，控制器10控制搬送臂A1～A5，将晶圆W搬送到承载件11(图14的步骤S20)。
接着，控制器10经由温度传感器117来获取热板113的温度，判断该温度是否达到冷却完成温度(图14的步骤S31)。控制器10在判断为热板113的温度没有达到冷却完成温度的情况下(图14的步骤S31为“否”)，控制搬送臂A1～A5来再次从承载件11取出晶圆W，重复步骤S21～S31的处理。另一方面，控制器10在判断为热板113的温度达到冷却完成温度的情况下(图14的步骤S31为“是”)，结束热板113的冷却处理。
[作用]
在以上的本实施方式中，被热板113加热了的晶圆W被冷却板121冷却以下的冷却时间tm，该冷却时间tm是基于晶圆W被加热前的热板113的温度Tm和相关数据获得的。因此，晶圆W被冷却板121冷却的时间不是统一的长度，会根据热板113的温度而发生变化。即，在热板113为相对高温的情况下，被该热板113加热的晶圆W也成为相对高温，因此存在由冷却板121对晶圆W进行冷却的冷却时间tm变长的倾向。另一方面，在热板113为相对低温的情况下，被该热板113加热的晶圆W也成为相对低温，因此存在由冷却板121对晶圆W进行冷却的冷却时间tm变短的倾向。因而，根据热板113的温度Tm设定所需的充分的冷却时间tm，因此使晶圆W降低至目标温度的时间缩短。其结果是，能够在更短时间内冷却热板113。
在本实施方式中，重复步骤S21～S31的处理，直到晶圆W的温度达到冷却完成温度为止。在先执行的步骤S23中获取到的热板113的温度Tm1比在后执行的步骤S23中获取到的热板113的温度Tm2高(Tm2<Tm1)，因此根据温度Tm2并且基于相关数据计算出的冷却时间tm2比根据温度Tm1并且基于相关数据计算出的冷却时间tm1短(tm2<tm1)。因此，在晶圆W被重复搬入搬出单元U2的过程中，晶圆W的冷却时间tm不是统一的长度。因而，在将晶圆W重复搬入搬出热板113以及冷却板121来使热板113的温度大幅降温的情况下，能够在特别短的时间内冷却热板113。
在本实施方式中，通过冷却而应达到的晶圆W的目标温度被设定为搬送臂A1～A5的耐热温度以下的温度，搬送臂A1～A5构成为在承载件11与冷却板121之间进行晶圆W的授受。因此，晶圆W被充分冷却，在搬送臂A1～A5搬送晶圆W时，来自晶圆W的热难以使搬送臂A1～A5产生变形、劣化、破损等。因此，能够维持搬送臂A1～A5对晶圆W的保持功能。
[其它变形例]
以上，详细说明了本公开所涉及的实施方式，但在本发明的主旨的范围内，也可以对上述的实施方式施加各种各样的变形。
(1)关于冷却板121的调温，不限定于使用帕尔贴元件，也可以使用水冷等其它手段。
(2)在上述的实施方式中，在热板113与冷却板121之间进行的晶圆W的授受是由冷却板121进行的，也可以是单元U2另外具备用于在热板113与冷却板121之间授受晶圆W的搬送机构。

Claims (9)

1.一种热处理装置，具备：
热板，其构成为对基板施加热；
冷却板，其构成为对所述基板进行冷却；
第一移送机构，其构成为在所述热板与所述冷却板之间授受所述基板；
温度传感器，其构成为获取所述热板的温度；
存储部，其存储表示所述热板的温度与冷却时间之间的关系的相关数据，该冷却时间是在该温度下被所述热板加热了的所述基板被所述冷却板冷却至目标温度所需的时间；以及
控制部，
其中，所述控制部执行以下处理：
第一处理，由所述温度传感器获取所述热板的温度；
第二处理，在所述第一处理之后，控制所述第一移送机构来将所述基板载置到所述热板；
第三处理，在所述第一处理之后，基于在所述第一处理中获取到的温度以及所述相关数据，计算与在所述第一处理中获取到的温度对应的冷却时间；以及
第四处理，在所述第三处理之后，控制所述第一移送机构来将所述基板载置到所述冷却板，由所述冷却板将所述基板冷却至少在所述第三处理中计算出的冷却时间。
2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，
所述控制部还执行以下处理：
第五处理，在所述第二处理之后，由所述温度传感器获取所述热板的温度；
第六处理，在所述第五处理之后，控制所述第一移送机构来将所述基板载置到所述热板；
第七处理，在所述第五处理之后，基于在所述第五处理中获取到的温度以及所述相关数据来计算与在所述第五处理中获取到的温度对应的冷却时间；以及
第八处理，在所述第七处理之后，控制所述第一移送机构来将所述基板载置到所述冷却板，由所述冷却板将所述基板冷却至少在所述第七处理中计算出的冷却时间。
3.根据权利要求1或者2所述的热处理装置，其特征在于，
还具备第二移送机构，该第二移送机构构成为与所述冷却板之间授受所述基板。
4.根据权利要求3所述的热处理装置，其特征在于，
所述目标温度被设定为所述第二移送机构的耐热温度以下的温度。
5.一种热板冷却方法，包括以下工序：
第一工序，获取表示热板的温度与冷却时间之间的关系的相关数据，该热板构成为对基板施加热，该冷却时间是在该温度下被所述热板加热了的所述基板被构成为对所述基板进行冷却的冷却板冷却至目标温度所需的时间；
第二工序，由温度传感器获取所述热板的温度；
第三工序，在所述第二工序之后，将所述基板载置到所述热板；
第四工序，在所述第二工序之后，基于在所述第二工序获取到的温度以及所述相关数据来计算与在所述第二工序获取到的温度对应的冷却时间；以及
第五工序，在所述第四工序之后，将所述基板载置到所述冷却板，由所述冷却板将所述基板冷却至少在所述第四工序计算出的冷却时间。
6.根据权利要求5所述的热板冷却方法，其特征在于，还包括以下工序：
第六工序，在所述第三工序之后，由所述温度传感器获取所述热板的温度；
第七工序，在所述第六工序之后，将所述基板载置到所述热板；
第八工序，在所述第六工序之后，基于在所述第六工序获取到的温度以及所述相关数据来计算与在所述第六工序获取到的温度对应的冷却时间；以及
第九工序，在所述第八工序之后，将所述基板载置到所述冷却板，由所述冷却板将所述基板冷却至少在所述第八工序计算出的冷却时间。
7.根据权利要求5或者6所述的热板冷却方法，其特征在于，
还包括第十工序，在所述第五工序之后，由移送机构将所述基板从所述冷却板搬出。
8.根据权利要求7所述的热板冷却方法，其特征在于，
所述目标温度被设定为所述移送机构的耐热温度以下的温度。
9.一种计算机可读取的记录介质，
记录有用于使热处理装置执行根据权利要求5～8中的任一项所述的热板冷却方法的程序。
CN201910020071.0A 2018-01-09 2019-01-09 热处理装置、热板冷却方法及计算机可读取的记录介质 Pending CN110021540A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018001257A JP6964005B2 (ja) 2018-01-09 2018-01-09 熱処理装置、熱板の冷却方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2018-001257 2018-01-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110021540A true CN110021540A (zh) 2019-07-16

Family

ID=67140960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910020071.0A Pending CN110021540A (zh) 2018-01-09 2019-01-09 热处理装置、热板冷却方法及计算机可读取的记录介质

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190214281A1 (zh)
JP (1) JP6964005B2 (zh)
KR (1) KR102624099B1 (zh)
CN (1) CN110021540A (zh)
TW (1) TWI806953B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113707543A (zh) * 2021-07-19 2021-11-26 长鑫存储技术有限公司 晶圆处理方法及晶圆处理装置
TWI828196B (zh) * 2021-08-27 2024-01-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11251064B2 (en) * 2020-03-02 2022-02-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer frame sorter and stocker
JP7414664B2 (ja) * 2020-08-12 2024-01-16 東京エレクトロン株式会社 温度測定ユニット、熱処理装置及び温度測定方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW472307B (en) * 1999-05-06 2002-01-11 Tokyo Electron Ltd Substrate processing device and substrate processing method
CN1601732A (zh) * 2003-09-25 2005-03-30 Smc株式会社 半导体基板的温度调节装置
JP2007157770A (ja) * 2005-11-30 2007-06-21 Furukawa Electric Co Ltd:The 電子部品用冷却装置、その温度制御方法及びその温度制御プログラム
CN101009210A (zh) * 2006-01-24 2007-08-01 东京毅力科创株式会社 基板冷却装置、基板冷却方法、控制程序和可计算机读取的存储介质
KR100749755B1 (ko) * 2006-02-10 2007-08-16 주식회사 싸이맥스 웨이퍼 처리장치
US20070272680A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-29 Tokyo Electron Limited Temperature control method of heat processing plate, computer storage medium, and temperature control apparatus of heat processing plate
US20090246723A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Tokyo Electron Limited Method and heat treatment apparatus for uniformly heating a substrate during a bake process
JP2010056223A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
JP2010087212A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Sokudo Co Ltd 熱処理装置および基板処理装置
TW201626487A (zh) * 2014-09-25 2016-07-16 東京威力科創股份有限公司 基板熱處理裝置、基板熱處理方法、記錄媒體及熱處理狀態檢測裝置
CN106024672A (zh) * 2015-03-25 2016-10-12 株式会社思可林集团 热处理装置以及热处理方法
JP2017117852A (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07115058A (ja) * 1993-10-18 1995-05-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板冷却装置
US5620560A (en) * 1994-10-05 1997-04-15 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for heat-treating substrate
JP3246890B2 (ja) * 1998-02-03 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
TW518639B (en) * 1999-11-18 2003-01-21 Tokyo Electron Ltd Heat treatment device, cooling treatment device and cooling treatment method
JP3648150B2 (ja) * 1999-11-18 2005-05-18 東京エレクトロン株式会社 冷却処理装置及び冷却処理方法
KR20070087682A (ko) * 2004-12-22 2007-08-28 가부시키가이샤 소쿠도 통합 열 장치
KR100637717B1 (ko) * 2005-09-28 2006-10-25 세메스 주식회사 베이크 유닛, 상기 베이크 유닛에 사용되는 가열플레이트를 냉각하는 방법, 그리고 상기 베이크 유닛을포함하는 기판 처리 장치 및 방법
JP2007158110A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4765750B2 (ja) * 2006-04-26 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理方法、記憶媒体
JP4553266B2 (ja) * 2007-04-13 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、制御定数の自動調整方法及び記憶媒体
JP2010045190A (ja) * 2008-08-12 2010-02-25 Tokyo Electron Ltd 加熱システム、塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体
JP5107372B2 (ja) 2010-02-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、塗布現像処理システム、熱処理方法、塗布現像処理方法及びその熱処理方法又は塗布現像処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5611152B2 (ja) * 2011-08-29 2014-10-22 東京エレクトロン株式会社 基板熱処理装置
JP2014120520A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR102319199B1 (ko) * 2019-07-18 2021-10-29 세메스 주식회사 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102303593B1 (ko) * 2019-11-05 2021-09-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW472307B (en) * 1999-05-06 2002-01-11 Tokyo Electron Ltd Substrate processing device and substrate processing method
CN1601732A (zh) * 2003-09-25 2005-03-30 Smc株式会社 半导体基板的温度调节装置
JP2007157770A (ja) * 2005-11-30 2007-06-21 Furukawa Electric Co Ltd:The 電子部品用冷却装置、その温度制御方法及びその温度制御プログラム
CN101009210A (zh) * 2006-01-24 2007-08-01 东京毅力科创株式会社 基板冷却装置、基板冷却方法、控制程序和可计算机读取的存储介质
KR100749755B1 (ko) * 2006-02-10 2007-08-16 주식회사 싸이맥스 웨이퍼 처리장치
US20070272680A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-29 Tokyo Electron Limited Temperature control method of heat processing plate, computer storage medium, and temperature control apparatus of heat processing plate
US20090246723A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Tokyo Electron Limited Method and heat treatment apparatus for uniformly heating a substrate during a bake process
JP2010056223A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
JP2010087212A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Sokudo Co Ltd 熱処理装置および基板処理装置
TW201626487A (zh) * 2014-09-25 2016-07-16 東京威力科創股份有限公司 基板熱處理裝置、基板熱處理方法、記錄媒體及熱處理狀態檢測裝置
CN106024672A (zh) * 2015-03-25 2016-10-12 株式会社思可林集团 热处理装置以及热处理方法
JP2017117852A (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113707543A (zh) * 2021-07-19 2021-11-26 长鑫存储技术有限公司 晶圆处理方法及晶圆处理装置
CN113707543B (zh) * 2021-07-19 2023-09-29 长鑫存储技术有限公司 晶圆处理方法及晶圆处理装置
TWI828196B (zh) * 2021-08-27 2024-01-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190084875A (ko) 2019-07-17
TWI806953B (zh) 2023-07-01
KR102624099B1 (ko) 2024-01-11
JP2019121706A (ja) 2019-07-22
TW201937669A (zh) 2019-09-16
US20190214281A1 (en) 2019-07-11
JP6964005B2 (ja) 2021-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110021540A (zh) 热处理装置、热板冷却方法及计算机可读取的记录介质
TWI754039B (zh) 基板加熱裝置
JP4948587B2 (ja) フォトレジスト塗布現像装置、基板搬送方法、インターフェイス装置
KR101314001B1 (ko) 온도 제어 방법, 온도 조절기 및 열처리 장치
TWI425586B (zh) 基板搬送裝置及熱處理裝置
JP5296022B2 (ja) 熱処理方法及びその熱処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体並びに熱処理装置
JP5174098B2 (ja) 熱処理方法及びその熱処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体並びに熱処理装置
JP6487244B2 (ja) 熱処理装置および熱処理方法
JP6391558B2 (ja) 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2004342654A (ja) 基板処理装置
JP2005294460A (ja) 塗布、現像装置
US7901149B2 (en) Substrate processing method, program, computer-readable recording medium, and substrate processing system
CN109309033B (zh) 热处理装置、热处理方法以及存储介质
KR101018574B1 (ko) 열처리 장치, 열처리 방법 및 기록 매체
JP2006237262A (ja) 加熱処理装置
JP2003051439A (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
JPH11345765A (ja) 半導体ウェ―ハ上のレジストをベ―キングするための装置
JP2004319626A (ja) 熱処理装置および基板処理装置
TWI830816B (zh) 熱處理裝置及熱處理方法
JP5995892B2 (ja) 基板を熱処理する方法、熱処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2007158110A (ja) 基板処理装置
JP2018195849A (ja) 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
WO2019225319A1 (ja) 基板処理装置
JP2005005441A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH0927503A (ja) 基板加熱装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination