KR102624099B1 - 열처리 장치, 열판의 냉각 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 - Google Patents

열처리 장치, 열판의 냉각 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 Download PDF

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Abstract

본 개시는, 보다 단시간에 열판을 냉각하는 것을 과제로 한다. 열판의 냉각 방법은, 기판에 열을 부여하도록 구성된 열판의 온도와, 당해 온도에 있어서 열판으로 가열된 기판이, 기판을 냉각하도록 구성된 냉각판으로 목표 온도에까지 냉각되는데 요하는 냉각 시간과의 관계를 나타내는 상관 데이터를 취득하는 제 1 공정과, 온도 센서에 의해 열판의 온도를 취득하는 제 2 공정과, 제 2 공정 후에, 기판을 열판에 배치하는 제 3 공정과, 제 2 공정 후에, 제 2 공정에서 취득된 온도 및 상관 데이터에 기초하여, 제 2 공정에서 취득된 온도에 대응하는 냉각 시간을 산출하는 제 4 공정과, 제 4 공정 후에, 기판을 냉각판에 배치하고, 적어도 제 4 공정에서 산출된 냉각 시간, 기판을 냉각판에 의해 냉각하는 제 5 공정을 포함한다.

Description

열처리 장치, 열판의 냉각 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 {HEAT TREATING APPARATUS, COOLING METHOD FOR HEAT PLATE AND RECORDING MEDIUM}
본 개시는 열처리 장치, 열판의 냉각 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 관한 것이다.
특허 문헌 1은, 기판을 가열하는 열판과, 기판을 냉각하는 냉각판을 구비하는 열처리 장치를 개시하고 있다. 당해 열처리 장치는, 기판의 표면에 도포된 도포막을 기판과 함께 가열하는 기능을 가진다.
그런데, 예를 들면, 열판의 설정 온도를 낮출 경우, 열판을 메인터넌스할 경우 등에는, 생산성을 높이기 위하여 가능한 한 빨리 열판의 온도가 저하되는 것이 바람직하다. 따라서, 당해 열처리 장치에 있어서는, 냉각체를 냉각판으로 정해진 온도로 냉각하는 것과, 냉각된 냉각체를 열판에 정해진 시간 배치함으로써 열판을 냉각하고 있다.
일본특허공개공보 평11-219887호
본 개시는, 보다 단시간에 열판을 냉각하는 것이 가능한 열처리 장치, 열판의 냉각 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체를 설명한다.
예 1. 열처리 장치의 하나의 예는, 기판에 열을 부여하도록 구성된 열판과, 기판을 냉각하도록 구성된 냉각판과, 열판과 냉각판과의 사이에서 기판을 수수하도록 구성된 제 1 이송 기구와, 열판의 온도를 취득하도록 구성된 온도 센서와, 열판의 온도와, 상기 온도에 있어서 열판으로 가열된 기판이 냉각판으로 목표 온도에까지 냉각되는데 요하는 냉각 시간과의 관계를 나타내는 상관 데이터를 기억하는 기억부와, 제어부를 구비한다. 제어부는 온도 센서에 의해 열판의 온도를 취득하는 제 1 처리와, 제 1 처리 후에, 제 1 이송 기구를 제어하여 기판을 열판에 배치하는 제 2 처리와, 제 1 처리 후에, 제 1 처리에서 취득된 온도 및 상관 데이터에 기초하여, 제 1 처리에서 취득된 온도에 대응하는 냉각 시간을 산출하는 제 3 처리와, 제 3 처리 후에, 제 1 이송 기구를 제어하여 기판을 냉각판에 배치하고, 적어도 제 3 처리에서 산출된 냉각 시간, 기판을 냉각판에 의해 냉각하는 제 4 처리를 실행한다.
예 1의 장치에 의하면, 열판으로 가열된 기판은, 기판이 가열되기 전의 열판의 온도와 상관 데이터에 기초하여 얻어지는 냉각 시간, 냉각판으로 냉각된다. 그 때문에, 기판이 냉각판으로 냉각되는 시간은 획일적인 길이가 아니며, 열판의 온도에 따라 변화한다. 즉, 열판이 상대적으로 고온인 경우에는, 상기 열판으로 가열된 기판도 상대적으로 고온이 되므로, 냉각판에 의한 기판의 냉각 시간이 길어지는 경향에 있다. 한편, 열판이 상대적으로 저온인 경우에는, 상기 열판으로 가열된 기판도 상대적으로 저온이 되므로, 냉각판에 의한 기판의 냉각 시간이 짧아지는 경향에 있다. 따라서, 열판의 온도에 따라 필요 충분한 냉각 시간이 설정되므로, 기판이 목표 온도에까지 저하되는 시간이 단축화된다. 그 결과, 보다 단시간에 열판을 냉각하는 것이 가능해진다.
예 2. 예 1의 장치에 있어서, 제어부는, 제 2 처리 후에, 온도 센서에 의해 열판의 온도를 취득하는 제 5 처리와, 제 5 처리 후에, 제 1 이송 기구를 제어하여 기판을 열판에 배치하는 제 6 처리와, 제 5 처리 후에, 제 5 처리에서 취득된 온도 및 상관 데이터에 기초하여, 제 5 처리에서 취득된 온도에 대응하는 냉각 시간을 산출하는 제 7 처리와, 제 7 처리 후에, 제 1 이송 기구를 제어하여 기판을 냉각판에 배치하고, 적어도 제 7 처리에서 산출된 냉각 시간, 기판을 냉각판에 의해 냉각하는 제 8 처리를 더 실행해도 된다. 이 경우, 먼저, 제 1 처리부터 제 4 처리의 과정에서, 열판이 기판에 의해 제 1 온도에서 제 2 온도로 냉각되고, 기판이 냉각판에 의해 제 1 냉각 시간 냉각된다. 이어서, 제 5 처리부터 제 8 처리의 과정에서, 열판이 기판에 의해 제 2 온도에서 제 3 온도로 냉각되고, 기판이 냉각판에 의해 제 2 냉각 시간 냉각된다. 후속의 처리에 있어서 기판이 열판에 배치되기 전의 제 2 온도는, 전의 처리에 있어서 기판이 열판에 배치되기 전의 제 1 온도보다 낮으므로, 제 2 냉각 시간은 제 1 냉각 시간보다 짧아진다. 그 때문에, 기판의 냉각 시간이 획일적인 길이가 되지 않는다. 따라서, 기판을 열판 및 냉각판에 복수 회 반입출하여 열판의 온도를 크게 강온시키는 것과 같은 경우에는, 특히 단시간에 열판을 냉각하는 것이 가능해진다.
예 3. 예 1 또는 예 2의 장치는, 냉각판과의 사이에서 기판을 수수하도록 구성된 제 2 이송 기구를 더 구비하고 있어도 된다.
예 4. 예 3의 장치에 있어서, 목표 온도는, 제 2 이송 기구의 내열 온도 이하로 설정되어 있어도 된다. 이 경우, 기판이 충분히 냉각되어 있으므로, 제 2 이송 기구가 기판을 반송할 시, 기판으로부터의 열로 제 2 반송 기구에 변형, 열화, 파손 등이 발생하기 어려워진다. 그 때문에, 제 2 반송 기구에 의한 기판의 유지 기능을 유지하는 것이 가능해진다.
예 5. 열판의 냉각 방법의 일례는, 기판에 열을 부여하도록 구성된 열판의 온도와, 상기 온도에 있어서 열판으로 가열된 기판이, 기판을 냉각하도록 구성된 냉각판으로 목표 온도에까지 냉각되는데 요하는 냉각 시간과의 관계를 나타내는 상관 데이터를 취득하는 제 1 공정과, 온도 센서에 의해 열판의 온도를 취득하는 제 2 공정과, 제 2 공정 후에, 기판을 열판에 배치하는 제 3 공정과, 제 2 공정 후에, 제 2 공정에서 취득된 온도 및 상관 데이터에 기초하여, 제 2 공정에서 취득된 온도에 대응하는 냉각 시간을 산출하는 제 4 공정과, 제 4 공정 후에, 기판을 냉각판에 배치하고, 적어도 제 4 공정에서 산출된 냉각 시간, 기판을 냉각판에 의해 냉각하는 제 5 공정을 포함한다. 이 경우, 예 1의 장치와 동일한 작용 효과를 얻는다.
예 6. 예 5의 방법은, 제 3 공정 후에, 온도 센서에 의해 열판의 온도를 취득하는 제 6 공정과, 제 6 공정 후에, 기판을 열판에 배치하는 제 7 공정과, 제 6 공정 후에, 제 6 공정에서 취득된 온도 및 상관 데이터에 기초하여, 제 6 공정에서 취득된 온도에 대응하는 냉각 시간을 산출하는 제 8 공정과, 제 8 처리 후에, 기판을 냉각판에 배치하고, 적어도 제 8 공정에서 산출된 냉각 시간, 기판을 냉각판에 의해 냉각하는 제 9 공정을 더 포함해도 된다. 이 경우, 예 2의 장치와 동일한 작용 효과를 얻는다.
예 7. 예 5 또는 예 6의 방법은, 제 5 공정 후에, 이송 기구에 의해 기판을 냉각판으로부터 반출하는 제 10 공정을 더 포함해도 된다. 이 경우, 예 3의 장치와 동일한 작용 효과를 얻는다.
예 8. 예 7의 방법에 있어서, 목표 온도는, 이송 기구의 내열 온도 이하로 설정되어 있어도 된다. 이 경우, 예 4의 장치와 동일한 작용 효과를 얻는다.
예 9. 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체의 일례는, 예 5 ~ 예 8 중 어느 하나의 열판의 냉각 방법을 열처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 이 경우, 예 5 ~ 예 8 중 어느 하나의 방법과 동일한 작용 효과를 나타낸다. 본 명세서에 있어서, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에는, 일시적이지 않은 유형의 매체(non-transitory computer recording medium)(예를 들면, 각종의 주기억 장치 또는 보조 기억 장치), 또는 전파 신호(transitory computer recording medium)(예를 들면, 네트워크를 개재하여 제공 가능한 데이터 신호)가 포함된다.
본 개시에 따른 열처리 장치, 열판의 냉각 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 의하면, 보다 단시간에 열판을 냉각하는 것이 가능해진다.
도 1은 기판 처리 시스템을 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II선 단면도이다.
도 3은 단위 처리 블록을 나타내는 상면도이다.
도 4는 열처리 유닛을 측방에서 본 단면도이다.
도 5는 열처리 유닛을 상방에서 본 단면도이다.
도 6은 기판 처리 시스템의 주요부를 나타내는 블록도이다.
도 7은 컨트롤러의 하드웨어 구성을 나타내는 개략도이다.
도 8은 웨이퍼를 이용하여 상관 데이터를 취득하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 9는 웨이퍼의 처리 순서를 설명하기 위한 개략도이다.
도 10은 웨이퍼의 처리 순서를 설명하기 위한 개략도이다.
도 11은 웨이퍼의 처리 순서를 설명하기 위한 개략도이다.
도 12는 웨이퍼의 처리 순서를 설명하기 위한 개략도이다.
도 13은 웨이퍼의 처리 순서를 설명하기 위한 개략도이다.
도 14는 웨이퍼를 이용하여 열판을 냉각하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
이하에 설명되는 본 개시에 따른 실시 형태는 본 발명을 설명하기 위한 예시이므로, 본 발명은 이하의 내용에 한정되어야만 하는 것은 아니다. 이하의 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일 부호를 이용하는 것으로 하여, 중복되는 설명은 생략한다.
<기판 처리 시스템>
도 1에 나타나는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)(기판 처리 장치)은 도포 현상 장치(2)(기판 처리 장치)와, 노광 장치(3)와, 컨트롤러(10)(제어부)를 구비한다. 노광 장치(3)는 웨이퍼(W)(기판)의 표면에 형성된 레지스트막의 노광 처리(패턴 노광)를 행한다. 구체적으로, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막(감광성 피막)의 노광 대상 부분에 선택적으로 에너지선을 조사한다. 에너지선으로서는, 예를 들면 ArF 엑시머 레이져, KrF 엑시머 레이져, g선, i선 또는 극단 자외선(EUV : Extreme Ultraviolet)을 들 수 있다.
도포 현상 장치(2)는 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 웨이퍼(W)는 원판 형상을 나타내도 되고, 원형의 일부가 노치되어 있어도 되고, 다각형 등 원형 이외의 형상을 나타내고 있어도 된다. 웨이퍼(W)는, 예를 들면 반도체 기판, 글라스 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 기판 그 외의 각종 기판이어도 된다. 웨이퍼(W)의 직경은, 예를 들면 200 mm ~ 450 mm 정도여도 된다.
도 1 ~ 도 3에 나타나는 바와 같이, 도포 현상 장치(2)는 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)을 구비한다. 캐리어 블록(4), 처리 블록(5) 및 인터페이스 블록(6)은 수평 방향으로 배열되어 있다.
캐리어 블록(4)은 도 1 및 도 3에 나타나는 바와 같이, 캐리어 스테이션(12)과, 반입반출부(13)를 가진다. 캐리어 스테이션(12)은 복수의 캐리어(11)를 지지한다. 캐리어(11)는 적어도 하나의 웨이퍼(W)를 밀봉 상태로 수용한다. 캐리어(11)의 측면(11a)에는, 웨이퍼(W)를 출입하기 위한 개폐 도어(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 캐리어(11)는 측면(11a)이 반입반출부(13)측에 면하도록, 캐리어 스테이션(12) 상에 착탈 가능하게 설치된다.
반입반출부(13)는 캐리어 스테이션(12) 및 처리 블록(5)의 사이에 위치하고 있다. 반입반출부(13)는 복수의 개폐 도어(13a)를 가진다. 캐리어 스테이션(12) 상에 캐리어(11)가 배치될 시에는, 캐리어(11)의 개폐 도어가 개폐 도어(13a)에 면한 상태가 된다. 개폐 도어(13a) 및 측면(11a)의 개폐 도어를 동시에 개방함으로써, 캐리어(11) 내와 반입반출부(13) 내가 연통한다. 반입반출부(13)는 반송 암(A1)(제 2 이송 기구 ; 이송 기구)을 내장하고 있다. 반송 암(A1)은 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(5)으로 전달하고, 처리 블록(5)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 되돌린다.
처리 블록(5)은, 도 1 및 도 2에 나타나는 바와 같이, 모듈(14 ~ 17)을 가진다. 이들 모듈은, 바닥면측으로부터 모듈(17), 모듈(14), 모듈(15), 모듈(16)의 순으로 배열되어 있다.
모듈(14)은 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성하도록 구성되어 있으며, BCT 모듈이라고도 불린다. 모듈(14)은, 도 2 및 도 3에 나타나는 바와 같이, 복수의 도포용의 유닛(U1)과, 복수의 열처리용의 유닛(U2)(열처리 장치)과, 이들 유닛(U1, U2)으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 암(A2)(제 2 이송 기구 ; 이송 기구)을 내장하고 있다. 모듈(14)의 유닛(U1)은, 하층막 형성용의 도포액을 웨이퍼(W)의 표면에 도포하여 도포막을 형성하도록 구성되어 있다. 모듈(14)의 유닛(U2)은, 예를 들면 열판(113)(후술함)에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 예를 들면 냉각판(121)(후술함)에 의해 냉각하여 열처리를 행하도록 구성되어 있다. 모듈(14)에서 행해지는 열처리의 구체예로서는, 도포막을 경화시켜 하층막으로 하기 위한 가열 처리를 들 수 있다. 하층막으로서는, 예를 들면 반사 방지(SiARC)막을 들 수 있다.
모듈(15)은 하층막 상에 중간막(하드 마스크)을 형성하도록 구성되어 있고, HMCT 모듈이라고도 불린다. 모듈(15)은 도 2 및 도 3에 나타나는 바와 같이, 복수의 도포용의 유닛(U1)과, 복수의 열처리용의 유닛(U2)(열처리 장치)과, 이들 유닛(U1, U2)으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 암(A3)(제 2 이송 기구 ; 이송 기구)을 내장하고 있다. 모듈(15)의 유닛(U1)은 중간막 형성용의 도포액을 웨이퍼(W)의 표면에 도포하여 도포막을 형성하도록 구성되어 있다. 모듈(15)의 유닛(U2)은, 예를 들면 열판(113)(후술함)에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 예를 들면 냉각판(121)(후술함)에 의해 냉각하여 열처리를 행하도록 구성되어 있다. 모듈(15)에서 행해지는 열처리의 구체예로서는, 도포막을 경화시켜 중간막으로 하기 위한 가열 처리를 들 수 있다. 중간막으로서는, 예를 들면 SOC(Spin On Carbon)막, 아몰퍼스(amorphous) 카본막을 들 수 있다.
모듈(16)은 중간막 상에 열경화성 또한 감광성의 레지스트막을 형성하도록 구성되어 있으며, COT 모듈이라고도 불린다. 모듈(16)은, 도 2 및 도 3에 나타나는 바와 같이 복수의 도포용의 유닛(U1)과, 복수의 열처리용의 유닛(U2)(열처리 장치)과, 이들 유닛(U1, U2)으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 암(A4)(제 2 이송 기구 ; 이송 기구)을 내장하고 있다. 모듈(16)의 유닛(U1)은, 레지스트막 형성용의 처리액(레지스트제)을 중간막 상에 도포하여 도포막을 형성하도록 구성되어 있다. 모듈(16)의 유닛(U2)은, 예를 들면 열판(113)(후술함)에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 예를 들면 냉각판(121)(후술함)에 의해 냉각하여 열처리를 행하도록 구성되어 있다. 모듈(16)에서 행해지는 열처리의 구체예로서는, 도포막을 경화시켜 레지스트막으로 하기 위한 가열 처리(PAB : Pre Applied Bake)를 들 수 있다.
모듈(17)은, 노광된 레지스트막의 현상 처리를 행하도록 구성되어 있으며, DEV 모듈이라고도 불린다. 모듈(17)은, 도 2 및 도 3에 나타나는 바와 같이 복수의 현상용의 유닛(U1)과, 복수의 열처리용의 유닛(U2)과, 이들 유닛(U1, U2)으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 암(A5)(제 2 이송 기구 ; 이송 기구)과, 이들 유닛(U1, U2)을 거치지 않고 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U11, U10)(후술함) 사이에서 직접 반송하는 반송 암(A6)을 내장하고 있다. 모듈(17)의 유닛(U1)은, 레지스트막을 부분적으로 제거하여 레지스트 패턴을 형성하도록 구성되어 있다. 모듈(17)의 유닛(U2)은, 예를 들면 열판(113)(후술함)에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 예를 들면 냉각판(121)(후술함)에 의해 냉각하여 열처리를 행하도록 구성되어 있다. 모듈(17)에서 행해지는 열처리의 구체예로서는, 현상 처리 전의 가열 처리(PEB : Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB : Post Bake) 등을 들 수 있다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 캐리어 블록(4)측에는, 도 2 및 도 3에 나타나는 바와 같이, 선반 유닛(U10)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U10)은, 바닥면으로부터 모듈(15)에 걸치도록 마련되어 있으며, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 반송 암(A7)이 마련되어 있다. 반송 암(A7)은 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에서 웨이퍼(W)를 승강시킨다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 인터페이스 블록(6)측에는, 선반 유닛(U11)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U11)은 바닥면으로부터 모듈(17)의 상부에 걸치도록 마련되어 있으며, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다.
인터페이스 블록(6)은 반송 암(A8)을 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속된다. 반송 암(A8)은, 선반 유닛(U11)의 웨이퍼(W)를 취출하여 노광 장치(3)로 전달하고, 노광 장치(3)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 되돌리도록 구성되어 있다.
컨트롤러(10)는, 기판 처리 시스템(1)을 부분적 또는 전체적으로 제어한다. 컨트롤러(10)의 상세에 대해서는 후술한다.
<열처리용의 유닛의 구성>
이어서, 열처리용의 유닛(U2)의 구성에 대하여, 도 4 ~ 도 7을 참조하여 더 상세하게 설명한다.
유닛(U2)은, 도 4 및 도 5에 나타나는 바와 같이, 하우징(100) 내에, 웨이퍼(W)를 가열하는 가열부(110)와, 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각부(120)를 가진다. 하우징(100) 중 냉각부(120)에 대응하는 부분의 단벽(端壁)에는, 반송 암(A2 ~ A5)이 출입 가능한 반입 출구(101)가 형성되어 있다. 반송 암(A2 ~ A5)은, 웨이퍼(W)를 하우징(100)의 내부로 반입하고 또한 웨이퍼(W)를 하우징(100) 밖으로 반출하도록 구성되어 있다.
반송 암(A2 ~ A5)은, 도 5에 나타나는 바와 같이 기단부(Am1)와, 한 쌍의 암 부재(Am2)를 포함한다. 한 쌍의 암 부재(Am2)는 기단부(Am1)로부터 선단측을 향해 원호 형상으로 연장되어 있다. 암 부재(Am2)의 내주연에는, 복수의 지지 돌기(Am3)가 마련되어 있다. 이들 지지 돌기(Am3)는, 암 부재(Am2)의 내주연으로부터 내측을 향해 돌출되어 있다. 반송 암(A2 ~ A5)에 웨이퍼(W)가 배치된 상태에 있어서, 웨이퍼(W)와 지지 돌기(Am3)의 선단부는 서로 중첩되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)는, 각 지지 돌기(Am3)에 의해 지지된다. 도시하고 있지 않지만, 반송 암(A1, A6 ~ A8)도 반송 암(A2 ~ A5)과 동일한 구조여도 된다.
반송 암(A2 ~ A5)은 경량이며 가공이 용이한 재질로 구성되어 있어도 된다. 반송 암(A2 ~ A5)은 예를 들면 수지로 구성되어 있어도 된다. 수지로서는, PEEK(폴리에테르에테르케톤) 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다. 반송 암(A2 ~ A5)의 내열 온도는, 예를 들면 100℃ ~ 200℃ 정도여도 된다. 반송 암(A1, A6 ~ A8)도 반송 암(A2 ~ A5)과 동일한 재질 및 내열 온도를 가지고 있어도 된다.
가열부(110)는, 도 4 및 도 5에 나타나는 바와 같이 덮개부(111)와, 열판 수용부(112)를 가진다. 덮개부(111)는 열판 수용부(112)의 상방에 위치하고 있다. 덮개부(111)는 컨트롤러(10)가 구동원(도시하지 않음)을 제어함으로써, 열판 수용부(112)로부터 이간한 상방 위치와 열판 수용부(112) 상에 배치되는 하부 위치와의 사이에서 상하 이동 가능하게 구성되어 있다. 덮개부(111)는 하방 위치에 있을 때 열판 수용부(112)와 함께 처리실(PR)을 구성한다. 덮개부(111)의 중앙에는 처리실(PR)로부터 기체를 배기하기 위한 배기부(111a)가 마련되어 있다.
열판 수용부(112)는 원통 형상을 나타내고 있고, 그 내부에 열판(113)을 수용하고 있다. 열판(113)의 외주부는 지지 부재(114)에 의해 지지되어 있다. 지지 부재(114)의 외주는, 통 형상을 나타내는 서포트 링(115)에 의해 지지되어 있다. 서포트 링(115)의 상면에는, 상방을 향해 개구된 가스 공급구(115a)가 형성되어 있다. 가스 공급구(115a)는 처리실(PR) 내에 불활성 가스를 분출하도록 구성되어 있다.
열판(113)은, 도 5에 나타나는 바와 같이 원형 모양을 나타내는 평판이다. 열판(113)의 외형은 웨이퍼(W)의 외형보다 크다. 열판(113)에는 그 두께 방향으로 관통하여 연장되는 관통홀(HL)이 3 개 형성되어 있다. 열판(113)의 상면에는, 도 4 및 도 5에 나타나는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 지지하는 적어도 3 개의 지지 핀(PN)이 마련되어 있다. 지지 핀(PN)의 높이는, 예를 들면 100 μm 정도여도 된다. 열판(113)의 하면에는, 도 4에 나타나는 바와 같이 열판(113)을 가열하도록 구성된 히터(116)가 배치되어 있다. 열판(113)의 내부에는 열판(113)의 온도를 측정하도록 구성된 온도 센서(117)가 배치되어 있다.
열판(113)의 하방에는 승강 기구(119)(제 1 이송 기구)가 배치되어 있다. 승강 기구(119)는 하우징(100) 밖에 배치된 모터(119a)와, 모터(119a)에 의해 상하 이동하는 3 개의 승강 핀(119b)을 가진다. 승강 핀(119b)은 각각, 대응하는 관통홀(HL) 내에 삽입 관통되어 있다. 승강 핀(119b)의 선단이 열판(113) 및 지지 핀(PN)보다 상방으로 돌출되어 있는 경우, 승강 핀(119b)의 선단 상에 웨이퍼(W)가 배치될 수 있다. 승강 핀(119b)의 선단 상에 배치된 웨이퍼(W)는, 승강 핀(119b)의 상하 이동에 수반하여 승강한다.
냉각부(120)는, 도 4 및 도 5에 나타나는 바와 같이 가열부(110)에 인접하여 위치하고 있다. 냉각부(120)는 배치된 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각판(121)(제 1 이송 기구)을 가진다. 냉각판(121)은, 도 5에 나타나는 바와 같이 대략 원형 형상을 나타내는 평판이며, 웨이퍼(W)를 이송 가능하게 구성되어 있다. 냉각판(121)의 외형은 웨이퍼(W)의 외형보다 크다.
냉각판(121)은, 도 4에 나타나는 바와 같이 가열부(110)측을 향해 연신하는 레일(123)에 장착되어 있다. 냉각판(121)은 이동 기구(124)에 의해 구동되고, 레일(123) 상을 수평 이동 가능하다. 가열부(110)측까지 이동한 냉각판(121)은, 열판(113)의 상방에 위치한다. 이 때문에, 냉각판(121)은, 열판(113)의 상방 위치와 열판(113)으로부터의 이간 위치와의 사이에서 이동 가능하다.
냉각판(121)에는, 도 5에 나타나는 바와 같이 2 개의 슬릿(125)과, 복수의 노치(126)가 형성되어 있다. 슬릿(125)은 냉각판(121)에 있어서의 가열부(110)측의 단부로부터 냉각판(121)의 중앙부 부근까지, 레일(123)의 연장 방향으로 연장되어 있다. 슬릿(125)에 의해, 가열부(110)측으로 이동한 냉각판(121)과 열판(113) 상으로 돌출된 승강 핀(119b)과의 간섭이 방지된다. 이 때문에, 냉각판(121)은, 웨이퍼(W)를 열판(113)으로 전달하고 또한 웨이퍼(W)를 열판(113)으로부터 수취하는 것이 가능하다.
냉각판(121)은 열전도성이 양호한 금속으로 구성되어 있어도 된다. 냉각판(121)의 재질로서는, 예를 들면 알루미늄을 들 수 있다.
노치(126)는 냉각판(121)의 내측을 향해 들어가 있다. 냉각판(121)에 웨이퍼(W)가 배치된 상태에 있어서, 웨이퍼(W)와 노치(126)의 선단부는 중첩되어 있다. 각 노치(126)는, 반송 암(A2 ~ A5)과 냉각판(121)이 상하로 중첩된 경우에, 지지 돌기(Am3)와 대응하는 위치에 배치되어 있다. 이 때문에, 반송 암(A2 ~ A5)이 냉각판(121)에 대하여 상하 이동할 시에는, 지지 돌기(Am3)는, 대응하는 노치(126)를 통과 가능하다. 따라서, 지지 돌기(Am3)에 의해 지지되어 있는 웨이퍼(W)는, 반송 암(A2 ~ A5)이 냉각판(121)에 대하여 하방으로 이동함으로써, 냉각판(121) 상에 배치된다. 한편, 냉각판(121) 상에 배치되어 있는 웨이퍼(W)는, 반송 암(A2 ~ A5)이 냉각판(121)에 대하여 상방으로 이동함으로써, 지지 돌기(Am3)에 의해 지지된다.
도 4에 나타나는 바와 같이, 냉각판(121)의 하방에는 승강 기구가 배치되어 있다. 승강 기구는, 하우징(100) 밖에 배치된 모터와, 모터에 의해 상하 이동하는 3 개의 승강 핀을 가진다. 승강 핀은 각각, 슬릿(125)을 통과 가능하게 구성되어 있다. 승강 핀의 선단이 냉각판(121)보다 상방으로 돌출되어 있는 경우, 승강 핀의 선단 상에 웨이퍼(W)를 배치 가능하다. 승강 핀의 선단 상에 배치된 웨이퍼(W)는, 승강 핀의 상하 이동에 수반하여 승강한다.
냉각판(121) 내에는, 도 4에 나타나는 바와 같이, 냉각 부재(122)와 온도 센서(127)가 마련되어 있다. 냉각 부재(122)는 냉각판(121)의 온도를 조절하도록 구성되어 있고, 예를 들면 펠티에 소자로 구성되어 있어도 된다. 온도 센서(127)는 냉각판(121)의 온도를 측정하도록 구성되어 있다.
<컨트롤러의 구성>
컨트롤러(10)는, 도 6에 나타나는 바와 같이 기능 모듈로서, 판독부(M1)와, 기억부(M2)와, 처리부(M3)와, 지시부(M4)를 가진다. 이들 기능 모듈은, 컨트롤러(10)의 기능을 편의상 복수의 모듈로 구획한 것에 불과하며, 컨트롤러(10)를 구성하는 하드웨어가 이러한 모듈로 나누어져 있는 것을 반드시 의미하는 것은 아니다. 각 기능 모듈은, 프로그램의 실행에 의해 실현되는 것에 한정되지 않고, 전용의 전기 회로(예를 들면 논리 회로) 또는 이것을 집적한 집적 회로(ASIC : Application Specific Integrated Circuit)에 의해 실현되는 것이어도 된다.
판독부(M1)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체(RM)로부터 프로그램을 판독한다. 기록 매체(RM)는 기판 처리 시스템(1)의 각 부를 동작시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 기록 매체(RM)로서는, 예를 들면 반도체 메모리, 광기록 디스크, 자기 기록 디스크, 광자기 기록 디스크여도 된다.
기억부(M2)는 각종 데이터를 기억한다. 기억부(M2)가 기억하는 데이터로서는, 예를 들면 판독부(M1)에 있어서 기록 매체(RM)로부터 판독된 프로그램, 온도 센서(117)로부터 입력된 열판(113)의 온도, 온도 센서(127)로부터 입력된 냉각판(121)의 온도를 들 수 있다. 기억부(M2)는 또한 후술하는 상관 데이터도 기억하고 있다.
처리부(M3)는 각종 데이터를 처리한다. 처리부(M3)는, 예를 들면 기억부(M2)에 기억되어 있는 각종 데이터에 기초하여, 기판 처리 시스템(1)의 각 부(예를 들면, 히터(116), 승강 기구(119), 냉각 부재(122), 이동 기구(124))를 동작시키기 위한 신호를 생성한다.
지시부(M4)는 처리부(M3)에서 생성된 신호를 기판 처리 시스템(1)의 각 부(예를 들면, 히터(116), 승강 기구(119), 냉각 부재(122), 이동 기구(124))로 송신한다. 구체적으로, 지시부(M4)는 히터(116)로 지시 신호를 송신하여, 히터(116)의 ON / OFF를 전환한다. 지시부(M4)는, 모터(119a)로 상승 신호 또는 하강 신호를 송신하여, 승강 핀(119b)을 승강시킨다. 지시부(M4)는 냉각 부재(122)로 지시 신호를 송신하여, 냉각 부재(122)를 정해진 온도로 온도 조절한다. 지시부(M4)는 이동 기구(124)로 구동 신호를 송신하여, 냉각판(121)이 열판(113)의 상방에 위치하는 제 1 위치와, 냉각판(121)이 열판(113)으로부터 멀어지는 제 2 위치와의 사이에서 냉각판(121)을 레일(123)을 따라 수평 이동시킨다.
컨트롤러(10)의 하드웨어는, 예를 들면 하나 또는 복수의 제어용의 컴퓨터에 의해 구성된다. 컨트롤러(10)는 하드웨어 상의 구성으로서, 예를 들면 도 7에 나타나는 회로(10A)를 가진다. 회로(10A)는 전기 회로 요소(circuitry)로 구성되어 있어도 된다. 회로(10A)는, 구체적으로 프로세서(10B)와, 메모리(10C)(기억부)와, 스토리지(10D)(기억부)와, 입출력 포트(10E)를 가진다. 프로세서(10B)는 메모리(10C) 및 스토리지(10D) 중 적어도 일방과 협동하여 프로그램을 실행하고, 입출력 포트(10E)를 개재한 신호의 입출력을 실행함으로써, 상술한 각 기능 모듈을 구성한다. 입출력 포트(10E)는 프로세서(10B), 메모리(10C) 및 스토리지(10D)와, 기판 처리 시스템(1)의 각종 장치와의 사이에서 신호의 입출력을 행한다.
본 실시 형태에서는, 기판 처리 시스템(1)은 하나의 컨트롤러(10)를 구비하고 있지만, 복수의 컨트롤러(10)로 구성되는 컨트롤러군(제어부)을 구비하고 있어도 된다. 기판 처리 시스템(1)이 컨트롤러군을 구비하고 있는 경우에는, 상기의 기능 모듈이 각각, 하나의 컨트롤러(10)에 의해 실현되어 있어도 되고, 2 개 이상의 컨트롤러(10)의 조합에 의해 실현되어 있어도 된다. 컨트롤러(10)가 복수의 컴퓨터(회로(10A))로 구성되어 있는 경우에는, 상기의 기능 모듈이 각각, 하나의 컴퓨터(회로(10A))에 의해 실현되어 있어도 되고, 2 개 이상의 컴퓨터(회로(10A))의 조합에 의해 실현되어 있어도 된다. 컨트롤러(10)는 복수의 프로세서(10B)를 가지고 있어도 된다. 이 경우, 상기의 기능 모듈이 각각, 하나의 프로세서(10B)에 의해 실현되어 있어도 되고, 2 개 이상의 프로세서(10B)의 조합에 의해 실현되어 있어도 된다.
<웨이퍼에 의한 상관 데이터의 취득 방법>
이어서, 상기의 열처리용의 유닛(U2)을 이용하여 상관 데이터를 취득하는 방법에 대하여, 도 8 ~ 도 13을 참조하여 설명한다. 여기서, 상관 데이터란, 열판(113)의 온도와, 당해 온도에 있어서 열판(113)으로 가열된 웨이퍼(W)가 냉각판(121)으로 목표 온도에까지 냉각되는데 요하는 냉각 시간과의 관계를 나타내는 데이터이다.
먼저, 컨트롤러(10)가 반송 암(A1 ~ A5)을 제어하여, 도 9에 나타나는 바와 같이, 캐리어(11)로부터 1 매의 웨이퍼(W)를 취출하고, 유닛(U2)의 하우징(100) 내로 반송한다(도 8의 단계(S11)). 이어서, 컨트롤러(10)가 반송 암(A2 ~ A5)을 제어하여, 도 10에 나타나는 바와 같이, 반송 암(A2 ~ A5)을 냉각판(121) 상에 대하여 하방으로 강하시킨다. 이에 의해, 반송 암(A2 ~ A5)의 지지 돌기(Am3)에 의해 지지되어 있는 웨이퍼(W)는, 냉각판(121) 상에 배치된다(도 8의 단계(S12)).
이어서, 이 때의 열판(113)의 온도(T)를, 컨트롤러(10)가 온도 센서(117)로부터 취득하고, 기억부(M2)에 기억시킨다(도 8의 단계(S13)). 이어서, 컨트롤러(10)가 도시하지 않은 구동원을 제어하여, 도 11에 나타나는 바와 같이, 덮개부(111)를 상승시킨다. 이어서, 컨트롤러(10)가 이동 기구(124) 및 모터(119a)를 제어하여, 냉각판(121) 상의 웨이퍼(W)를 승강 핀(119b) 상에 배치한다. 이어서, 컨트롤러(10)가 이동 기구(124)를 제어하여, 냉각판(121)을 가열부(110)로부터 퇴피시킨다.
이어서, 컨트롤러(10)가 모터(119a)를 제어하여, 승강 핀(119b)을 강하시킴으로써, 웨이퍼(W)를 지지 핀(PN) 상에 지지시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)가 냉각판(121)으로부터 열판(113)에 배치된다(도 8의 단계(S14)). 이어서, 컨트롤러(10)가 도시하지 않은 구동원을 제어하여, 도 12에 나타나는 바와 같이, 덮개부(111)를 열판 수용부(112)로 강하시킨다. 이 상태에서, 웨이퍼(W)는 열판(113) 상에 정해진 시간(예를 들면 20 초 정도) 배치된다(도 8의 단계(S15)). 이에 의해, 열판(113)의 열이 웨이퍼(W)에 의해 흡열되어, 열판(113)이 냉각되고, 또한 웨이퍼(W)가 가열된다.
정해진 시간이 경과하면, 컨트롤러(10)가 도시하지 않은 구동원을 제어하여, 도 11에 나타나는 바와 같이, 덮개부(111)를 상승시킨다. 이어서, 웨이퍼(W)를 냉각판(121)으로부터 열판(113)으로 반송한 것과 반대의 순서에 따라, 도 13에 나타나는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 열판(113)으로부터 냉각판(121)으로 반송한다(도 8의 단계(S16)). 이에 의해, 웨이퍼(W)의 열이 냉각판(121)에 의해 흡열되어, 웨이퍼(W)가 냉각된다.
이어서, 컨트롤러(10)는, 온도 센서(127)로부터의 신호를 수신함으로써, 냉각판(121)을 개재하여 웨이퍼(W)의 온도를 간접적으로 취득한다. 이어서, 컨트롤러(10)는 취득한 웨이퍼(W)의 온도가 목표 온도에까지 저하되었는지 여부를 판단한다(도 8의 단계(S17)). 여기서, 목표 온도는, 예를 들면 반송 암(A2 ~ A5)의 내열 온도 이하로 설정되어 있어도 되고, 200℃ 이하로 설정되어 있어도 된다.
컨트롤러(10)는, 웨이퍼(W)의 온도가 목표 온도에 달하지 않았다고 판단한 경우에는(도 8의 단계(S17)에서 NO), 웨이퍼(W)를 냉각판(121) 상에 배치한 채로 방치한다. 한편, 컨트롤러(10)는 웨이퍼(W)의 온도가 목표 온도에 달했다고 판단한 경우에는(도 8의 단계(S17)에서 YES), 웨이퍼(W)의 온도가 목표 온도에 달할 때까지의 냉각 시간(t)을, 열판(113)의 온도(T)와 대응시켜 기억부(M2)에 기억시킨다(도 8의 단계(S18)).
이어서, 컨트롤러(10)는 반송 암(A2 ~ A5)을 제어하여, 반송 암(A2 ~ A5)을 냉각판(121)에 대하여 상승시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는, 냉각판(121)으로부터 반송 암(A2 ~ A5)에 배치된다(도 8의 단계(S19)). 이 후, 컨트롤러(10)는 반송 암(A1 ~ A5)을 제어하여, 웨이퍼(W)를 캐리어(11)로 반송한다(도 8의 단계(S20)).
이상의 순서를 반복함으로써, 열판(113)의 온도(T)와 웨이퍼(W)의 냉각 시간(t)이 대응지어진 복수의 데이터로 구성된 상관 데이터가 얻어진다(제 1 공정). 이들 복수의 데이터의 일례를, 표 1에 나타낸다. 상관 데이터는, 예를 들면 이들 복수의 데이터의 근사 직선 또는 근사 곡선에 대응하는 함수여도 되고, 이웃하는 데이터끼리를 직선으로 연결한 꺾은선에 대응하는 함수여도 된다.
열판(113)의 온도(T) 웨이퍼(W)의 냉각 시간(t)
400℃ 20 초
350℃ 15 초
300℃ 10 초
250℃ 5 초
200℃ 0 초
100℃ 0 초
<열판의 냉각 방법>
각 모듈(14 ~ 17)의 열처리용의 유닛(U2)에 있어서는, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트 패턴을 형성하는 과정에서, 웨이퍼(W)의 열처리가 행해진다. 이 때문에, 열판(113)의 온도는 상대적으로 고온이 되어 있다. 열판(113)의 메인터넌스 시에는, 작업자가 열판(113)을 취급하기 위하여, 열판(113)을 충분히 냉각할 필요가 있다. 따라서, 이어서, 얻어진 상관 데이터에 기초하여 열판(113)을 냉각하는 방법에 대하여, 도 9 ~ 도 14를 참조하여 설명한다. 여기서는, 열판(113)을 정해진 초기 온도부터 정해진 냉각 완료 온도까지 냉각하는 경우를 예시한다. 초기 온도는, 예를 들면 200℃ ~ 500℃정도여도 된다. 냉각 완료 온도는 예를 들면 30℃ ~ 300℃ 정도여도 된다.
먼저, 컨트롤러(10)가 반송 암(A1 ~ A5)을 제어하여, 도 9에 나타나는 바와 같이, 캐리어(11)로부터 1 매의 웨이퍼(W)를 취출하여, 유닛(U2)의 하우징(100) 내로 반송한다(도 14의 단계(S21)). 이어서, 컨트롤러(10)가 반송 암(A2 ~ A5)을 제어하여, 도 10에 나타나는 바와 같이, 반송 암(A2 ~ A5)을 냉각판(121) 상에 대하여 하방으로 강하시킨다. 이에 의해, 반송 암(A2 ~ A5)의 지지 돌기(Am3)에 의해 지지되어 있는 웨이퍼(W)는, 냉각판(121) 상에 배치된다(도 14의 단계(S22)).
이어서, 이 때의 열판(113)의 온도(Tm)를 컨트롤러(10)가 온도 센서(117)로부터 취득하고, 기억부(M2)에 기억시킨다(도 14의 단계(S23) ; 제 1 처리, 제 5 처리, 제 2 공정, 제 6 공정). 이어서, 컨트롤러(10)가 취득한 열판(113)의 온도(Tm)와 상관 데이터에 기초하여, 웨이퍼(W)를 목표 온도에까지 냉각하는데 필요한 냉각 시간(tm)을 산출한다(도 14의 단계 S24 ; 제 3 처리, 제 7 처리, 제 4 공정, 제 8 공정). 구체적으로, 컨트롤러(10)는 열판(113)의 온도(Tm)를 상관 데이터(함수)에 대입하여 냉각 시간(tm)을 산출하고, 당해 냉각 시간(tm)을 기억부(M2)에 기억시킨다.
이어서, 컨트롤러(10)가 도시하지 않은 구동원을 제어하여, 도 11에 나타나는 바와 같이, 덮개부(111)를 상승시킨다. 이어서, 컨트롤러(10)가 이동 기구(124) 및 모터(119a)를 제어하여, 냉각판(121) 상의 웨이퍼(W)를 승강 핀(119b) 상에 배치한다. 이어서, 컨트롤러(10)가 이동 기구(124)를 제어하여, 냉각판(121)을 가열부(110)로부터 퇴피시킨다.
이어서, 컨트롤러(10)가 모터(119a)를 제어하여, 승강 핀(119b)을 강하시킴으로써, 웨이퍼(W)를 지지 핀(PN) 상에 지지시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)가 냉각판(121)으로부터 열판(113)에 배치된다(도 14의 단계(S25) ; 제 2 처리, 제 6 처리, 제 3 공정, 제 7 공정). 이어서, 컨트롤러(10)가 도시하지 않은 구동원을 제어하여, 도 12에 나타나는 바와 같이, 덮개부(111)를 열판 수용부(112)에 강하시킨다. 이 상태에서, 웨이퍼(W)는 열판(113) 상에 정해진 시간(예를 들면 20 초 정도) 배치된다(도 14의 단계(S26)). 이에 의해, 열판(113)의 열이 웨이퍼(W)에 의해 흡열되어, 열판(113)이 냉각되고, 또한 웨이퍼(W)가 가열된다.
정해진 시간이 경과하면, 컨트롤러(10)가 도시하지 않은 구동원을 제어하여, 도 11에 나타나는 바와 같이, 덮개부(111)를 상승시킨다. 이어서, 웨이퍼(W)를 냉각판(121)으로부터 열판(113)으로 반송한 것과 반대의 순서에 의해, 도 13에 나타나는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 열판(113)으로부터 냉각판(121)으로 반송한다(도 14의 단계(S27)). 이 상태에서, 웨이퍼(W)는 냉각판(121) 상에 냉각 시간(tm)동안 배치된다(도 14의 단계(S28); 제 4 처리, 제 8 처리, 제 5 공정, 제 9 공정). 이에 의해, 웨이퍼(W)의 열이 냉각판(121)에 의해 흡열되어, 웨이퍼(W)가 냉각된다.
이어서, 컨트롤러(10)는 냉각 시간(tm)이 경과하면, 반송 암(A2 ~ A5)을 제어하여, 반송 암(A2 ~ A5)을 냉각판(121)에 대하여 상승시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는, 냉각판(121)으로부터 반송 암(A2 ~ A5)에 배치된다(도 14의 단계(S29) ; 제 10 공정). 이 후, 컨트롤러(10)는 반송 암(A1 ~ A5)을 제어하여, 웨이퍼(W)를 캐리어(11)로 반송한다(도 14의 단계(S30)).
이어서, 컨트롤러(10)는 온도 센서(117)를 개재하여 열판(113)의 온도를 취득하고, 당해 온도가 냉각 완료 온도에 달했는지 여부를 판단한다(도 14의 단계(S31)). 컨트롤러(10)는 웨이퍼(W)의 온도가 냉각 완료 온도에 달하지 않았다고 판단한 경우에는(도 14의 단계(S31)에서 NO), 반송 암(A1 ~ A5)을 제어하여 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 다시 취출하여, 단계(S21 ~ S31)의 처리를 반복한다. 한편, 컨트롤러(10)는 웨이퍼(W)의 온도가 냉각 완료 온도에 달했다고 판단한 경우에는(도 14의 단계(S31)에서 YES), 열판(113)의 냉각 처리를 종료한다.
<작용>
이상과 같은 본 실시 형태에서는, 열판(113)으로 가열된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼(W)가 가열되기 전의 열판(113)의 온도(Tm)와 상관 데이터에 기초하여 얻어지는 냉각 시간(tm) 동안 냉각판(121)으로 냉각된다. 이 때문에, 웨이퍼(W)가 냉각판(121)으로 냉각되는 시간은 획일적인 길이가 아니며, 열판(113)의 온도에 따라 변화한다. 즉, 열판(113)이 상대적으로 고온인 경우에는, 당해 열판(113)으로 가열된 웨이퍼(W)도 상대적으로 고온이 되므로, 냉각판(121)에 의한 웨이퍼(W)의 냉각 시간(tm)이 길어지는 경향에 있다. 한편, 열판(113)이 상대적으로 저온인 경우에는, 당해 열판(113)으로 가열된 웨이퍼(W)도 상대적으로 저온이 되므로, 냉각판(121)에 의한 웨이퍼(W)의 냉각 시간(tm)이 짧아지는 경향에 있다. 따라서, 열판(113)의 온도(Tm)에 따른 필요 충분한 냉각 시간(tm)이 설정되므로, 웨이퍼(W)가 목표 온도에까지 저하되는 시간이 단축화된다. 그 결과, 보다 단시간에 열판(113)을 냉각하는 것이 가능해진다.
본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 온도가 냉각 완료 온도에 달할 때까지 단계(S21 ~ S31)의 처리가 반복된다. 먼저 실행된 단계(S23)에서 취득된 열판(113)의 온도(Tm1)는, 이후에 실행된 단계(S23)에서 취득된 열판(113)의 온도(Tm2)보다 높으므로(Tm1 > Tm2), 온도(Tm2)로부터 상관 데이터에 기초하여 산출되는 냉각 시간(tm2)은, 온도(Tm1)로부터 상관 데이터에 기초하여 산출되는 냉각 시간(tm1)보다 짧아진다(tm2 < tm1). 이 때문에, 웨이퍼(W)가 반복하여 유닛(U2)에 반입출되는 과정에서, 웨이퍼(W)의 냉각 시간(tm)이 획일적인 길이가 되지 않는다. 따라서, 웨이퍼(W)를 열판(113) 및 냉각판(121)에 반복하여 반입출하여 열판(113)의 온도를 크게 강온시키는 것과 같은 경우에는, 특히 단시간에 열판(113)을 냉각하는 것이 가능해진다.
본 실시 형태에서는, 냉각에 의해 도달해야 할 웨이퍼(W)의 목표 온도가, 캐리어(11)와 냉각판(121)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행하도록 구성된 반송 암(A1 ~ A5)의 내열 온도 이하로 설정되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)가 충분히 냉각되어 있으므로, 반송 암(A1 ~ A5)이 웨이퍼(W)를 반송할 시, 웨이퍼(W)로부터의 열로 반송 암(A1 ~ A5)에 변형, 열화, 파손 등이 발생하기 어려워진다. 이 때문에, 반송 암(A1 ~ A5)에 의한 웨이퍼(W)의 유지 기능을 유지하는 것이 가능해진다.
<다른 변형예>
이상, 본 개시에 따른 실시 형태에 대하여 상세하게 설명했지만, 본 발명의 요지의 범위 내에서 각종 변형을 상기의 실시 형태에 더해도 된다.
(1) 냉각판(121)의 온도 조절은 펠티에 소자에 한정되지 않고, 수냉 등의 다른 수단이 이용되어도 된다.
(2) 상기의 실시 형태에서는, 열판(113)과 냉각판(121)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달이 냉각판(121)에 의해 행해지고 있었지만, 유닛(U2)은 열판(113)과 냉각판(121)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 수수하기 위한 반송 기구를 별도 구비하고 있어도 된다.
1 : 기판 처리 시스템
10 : 컨트롤러(제어부)
10C : 메모리(기억부)
10D : 스토리지(기억부)
110 : 가열부
113 : 열판
117 : 온도 센서
119 : 승강 기구(제 1 이송 기구)
120 : 냉각부
121 : 냉각판(제 1 이송 기구)
122 : 냉각 부재
127 : 온도 센서
A1 ~ A5 : 반송 암(제 2 이송 기구 ; 이송 기구)
M2 : 기억부
U2 : 유닛(열처리 장치)
W : 웨이퍼(기판)

Claims (9)

  1. 기판에 열을 부여하도록 구성된 열판과,
    상기 기판을 냉각하도록 구성된 냉각판과,
    상기 열판과 상기 냉각판과의 사이에서 상기 기판을 수수하도록 구성된 제 1 이송 기구와,
    상기 열판의 온도를 취득하도록 구성된 온도 센서와,
    상기 열판의 온도와, 상기 온도에 있어서 상기 열판으로 가열된 상기 기판이 상기 냉각판에 의해 목표 온도까지 냉각되는데 요하는 냉각 시간과의 관계를 나타내는 상관 데이터를 기억하는 기억부와,
    제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 온도 센서에 의해 상기 열판의 온도를 취득하는 제 1 처리와,
    상기 제 1 처리 후에, 상기 제 1 이송 기구를 제어하여 상기 기판을 상기 열판에 배치하는 제 2 처리와,
    상기 제 1 처리 후에, 상기 제 1 처리에서 취득된 온도 및 상기 상관 데이터에 기초하여, 상기 제 1 처리에서 취득된 온도에 대응하는 냉각 시간을 산출하는 제 3 처리와,
    상기 제 3 처리 후에, 상기 제 1 이송 기구를 제어하여 상기 기판을 상기 냉각판에 배치하고, 적어도 상기 제 3 처리에서 산출된 냉각 시간 동안, 상기 기판을 상기 냉각판에 의해 냉각하는 제 4 처리를 실행하는, 열처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 제 4 처리 후에, 상기 온도 센서에 의해 상기 열판의 온도를 취득하는 제 5 처리와,
    상기 제 5 처리 후에, 상기 제 1 이송 기구를 제어하여 상기 기판을 상기 열판에 배치하는 제 6 처리와,
    상기 제 5 처리 후에, 상기 제 5 처리에서 취득된 온도 및 상기 상관 데이터에 기초하여, 상기 제 5 처리에서 취득된 온도에 대응하는 냉각 시간을 산출하는 제 7 처리와,
    상기 제 7 처리 후에, 상기 제 1 이송 기구를 제어하여 상기 기판을 상기 냉각판에 배치하고, 적어도 상기 제 7 처리에서 산출된 냉각 시간 동안, 상기 기판을 상기 냉각판에 의해 냉각하는 제 8 처리를 더 실행하는, 열처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 냉각판과의 사이에서 상기 기판을 수수하도록 구성된 제 2 이송 기구를 더 구비하는, 열처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 목표 온도는, 상기 제 2 이송 기구의 내열 온도 이하로 설정되어 있는, 열처리 장치.
  5. 기판에 열을 부여하도록 구성된 열판의 온도와, 상기 온도에 있어서 상기 열판으로 가열된 상기 기판이 상기 기판을 냉각하도록 구성된 냉각판에 의해 목표 온도까지 냉각되는데 요하는 냉각 시간과의 관계를 나타내는 상관 데이터를 취득하는 제 1 공정과,
    온도 센서에 의해 상기 열판의 온도를 취득하는 제 2 공정과,
    상기 제 2 공정 후에, 상기 기판을 상기 열판에 배치하는 제 3 공정과,
    상기 제 2 공정 후에, 상기 제 2 공정에서 취득된 온도 및 상기 상관 데이터에 기초하여, 상기 제 2 공정에서 취득된 온도에 대응하는 냉각 시간을 산출하는 제 4 공정과,
    상기 제 4 공정 후에, 상기 기판을 상기 냉각판에 배치하고 적어도 상기 제 4 공정에서 산출된 냉각 시간 동안, 상기 기판을 상기 냉각판에 의해 냉각하는 제 5 공정을 포함하는, 열판의 냉각 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 5 공정 후에 상기 온도 센서에 의해 상기 열판의 온도를 취득하는 제 6 공정과,
    상기 제 6 공정 후에 상기 기판을 상기 열판에 배치하는 제 7 공정과,
    상기 제 6 공정 후에, 상기 제 6 공정에서 취득된 온도 및 상기 상관 데이터에 기초하여, 상기 제 6 공정에서 취득된 온도에 대응하는 냉각 시간을 산출하는 제 8 공정과,
    상기 제 8 공정 후에, 상기 기판을 상기 냉각판에 배치하고 적어도 상기 제 8 공정에서 산출된 냉각 시간 동안, 상기 기판을 상기 냉각판에 의해 냉각하는 제 9 공정을 더 포함하는, 열판의 냉각 방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 제 5 공정 후에, 이송 기구에 의해 상기 기판을 상기 냉각판으로부터 반출하는 제 10 공정을 더 포함하는, 열판의 냉각 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 목표 온도는 상기 이송 기구의 내열 온도 이하로 설정되어 있는, 열판의 냉각 방법.
  9. 제 5 항 또는 제 6 항에 기재된 방법을 열처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
KR1020190001367A 2018-01-09 2019-01-04 열처리 장치, 열판의 냉각 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 KR102624099B1 (ko)

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11251064B2 (en) * 2020-03-02 2022-02-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer frame sorter and stocker
JP7414664B2 (ja) * 2020-08-12 2024-01-16 東京エレクトロン株式会社 温度測定ユニット、熱処理装置及び温度測定方法
CN113707543B (zh) * 2021-07-19 2023-09-29 长鑫存储技术有限公司 晶圆处理方法及晶圆处理装置
JP7289881B2 (ja) * 2021-08-27 2023-06-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011165693A (ja) 2010-02-04 2011-08-25 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、塗布現像処理システム、熱処理方法、塗布現像処理方法及びその熱処理方法又は塗布現像処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07115058A (ja) * 1993-10-18 1995-05-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板冷却装置
US5620560A (en) * 1994-10-05 1997-04-15 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for heat-treating substrate
JP3246890B2 (ja) * 1998-02-03 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3445757B2 (ja) * 1999-05-06 2003-09-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
TW518639B (en) * 1999-11-18 2003-01-21 Tokyo Electron Ltd Heat treatment device, cooling treatment device and cooling treatment method
JP3648150B2 (ja) * 1999-11-18 2005-05-18 東京エレクトロン株式会社 冷却処理装置及び冷却処理方法
JP4470199B2 (ja) * 2003-09-25 2010-06-02 Ｓｍｃ株式会社 半導体基板の温度調節装置
KR20070087682A (ko) * 2004-12-22 2007-08-28 가부시키가이샤 소쿠도 통합 열 장치
KR100637717B1 (ko) * 2005-09-28 2006-10-25 세메스 주식회사 베이크 유닛, 상기 베이크 유닛에 사용되는 가열플레이트를 냉각하는 방법, 그리고 상기 베이크 유닛을포함하는 기판 처리 장치 및 방법
JP4762699B2 (ja) * 2005-11-30 2011-08-31 古河電気工業株式会社 電子部品用冷却装置、その温度制御方法及びその温度制御プログラム
JP2007158110A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4537324B2 (ja) * 2006-01-24 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 基板冷却装置、基板冷却方法、制御プログラム、コンピュータ読取可能な記憶媒体
KR100749755B1 (ko) * 2006-02-10 2007-08-16 주식회사 싸이맥스 웨이퍼 처리장치
JP4765750B2 (ja) * 2006-04-26 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理方法、記憶媒体
JP4699283B2 (ja) * 2006-05-23 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 熱処理板の温度制御方法、プログラム及び熱処理板の温度制御装置
JP4553266B2 (ja) * 2007-04-13 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、制御定数の自動調整方法及び記憶媒体
US8178820B2 (en) * 2008-03-31 2012-05-15 Tokyo Electron Limited Method and heat treatment apparatus for uniformly heating a substrate during a bake process
JP2010045190A (ja) * 2008-08-12 2010-02-25 Tokyo Electron Ltd 加熱システム、塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体
JP5220517B2 (ja) * 2008-08-27 2013-06-26 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2010087212A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Sokudo Co Ltd 熱処理装置および基板処理装置
JP5611152B2 (ja) * 2011-08-29 2014-10-22 東京エレクトロン株式会社 基板熱処理装置
JP2014120520A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6382151B2 (ja) * 2014-09-25 2018-08-29 東京エレクトロン株式会社 基板熱処理装置、基板熱処理方法、記録媒体及び熱処理状態検知装置
JP6487244B2 (ja) * 2015-03-25 2019-03-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置および熱処理方法
JP6391558B2 (ja) * 2015-12-21 2018-09-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR102319199B1 (ko) * 2019-07-18 2021-10-29 세메스 주식회사 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102303593B1 (ko) * 2019-11-05 2021-09-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011165693A (ja) 2010-02-04 2011-08-25 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、塗布現像処理システム、熱処理方法、塗布現像処理方法及びその熱処理方法又は塗布現像処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体

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