JP6937906B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
以下、第1実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
基板処理システム1は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置2の構成を説明する。図1〜図3に示されるように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インタフェースブロック6と、コントローラ100とを備える。
続いて、処理モジュール15の熱処理ユニットU2について図4〜図7を参照して詳細に説明する。図4〜図6に示されるように、熱処理ユニットU2は、筐体90と、温度調整機構50と、加熱機構30と、冷却体70(図5参照)と、弾性体72(図6参照)と、温度センサ80と、コントローラ100(制御部)とを有する。なお、図4〜図6については、いずれも熱処理ユニットU2の一部の構成を示すものであり、熱処理ユニットU2の全ての構成を示すものではない。
次に、基板処理方法の一例として、コントローラ100の制御に応じて熱処理ユニットU2が実行するチャンバー冷却処理手順を、図8を参照して説明する。
本実施形態に係る熱処理ユニットU2は、処理対象のウェハWを載置し加熱する熱板34と、熱板34におけるウェハWの載置面を囲うように配置可能に構成されたチャンバー32と、チャンバー32を昇降可能に構成された昇降機構33と、チャンバー32が近接又は接触することによりチャンバー32を冷却可能に構成された冷却体70と、を備える。
以下、第2実施形態について図9を参照しつつ説明する。なお、第2実施形態の説明においては、第1実施形態と異なる点について主に説明し、同様の説明を省略する。
以下、第3実施形態について図10及び図11を参照しつつ説明する。なお、第3実施形態の説明においては、第1実施形態及び第2実施形態と異なる点について主に説明し、同様の説明を省略する。
Claims (9)
- 処理対象の基板を載置し加熱する熱板と、
前記熱板における前記基板の載置面を囲うように配置可能に構成された蓋体と、
前記蓋体を昇降可能に構成された昇降機構と、
前記蓋体が近接又は接触することにより前記蓋体を冷却可能に構成された冷却体と、を備える基板処理装置。 - 前記冷却体は、前記蓋体の上方に設けられており、前記昇降機構によって上方に移動した前記蓋体の上面と近接又は接触する、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記冷却体は、
前記熱板と外部の搬送アームとの間で前記基板を受け渡すと共に、前記基板の温度を所定温度に調整する温度調整プレートを含んで構成されており、
前記温度調整プレートは、前記蓋体の下端部と近接又は接触する、請求項1又は2記載の基板処理装置。 - 前記熱板を支持する支持部を載置する底壁部を更に備え、
前記熱板、前記蓋体、前記昇降機構、及び前記底壁部を有する加熱処理モジュールが上下に多段配置されており、
下段の前記加熱処理モジュールにおける前記冷却体は、上段の前記加熱処理モジュールにおける前記底壁部を含んで構成されている、請求項1〜3のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記冷却体を昇降可能に構成された冷却体昇降部を更に備える、請求項1〜4のいずれか一項記載の基板処理装置。
- 前記蓋体及び前記冷却体の少なくともいずれか一方に設けられ、前記蓋体及び前記冷却体が近接する際に、前記蓋体及び前記冷却体の双方に接触しながら前記蓋体及び前記冷却体の間に配置される弾性体を更に備える、請求項1〜5のいずれか一項記載の基板処理装置。
- 前記基板の加熱処理温度が、次回処理する処理ロットの加熱処理温度よりも高いか否かを判定することと、高いと判定した場合に前記蓋体が前記冷却体に近接又は接触するように前記昇降機構を制御することと、を実行するように構成された制御部を更に備える、請求項1〜6のいずれか一項記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記蓋体を前記冷却体に近接又は接触させる際には、前記熱板による加熱処理終了時において前記蓋体を上昇させる際の上昇位置とは異なる冷却位置に、前記蓋体を移動させるように、前記昇降機構を制御する、請求項7記載の基板処理装置。
- 前記蓋体の温度を測定する温度センサを更に備え、
前記制御部は、前記温度センサにより測定された前記蓋体の温度に基づいて、前記冷却体による前記蓋体の冷却を終了するか否かを判定することと、終了すると判定した場合に前記蓋体が前記冷却体から離間するように前記昇降機構を制御することと、を更に実行するように構成されている、請求項7又は8記載の基板処理装置。
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