KR102424813B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

처리 대상의 기판에 대하여 정해진 가스를 공급하는 처리에 있어서, 이상 처리를 적절하게 검지하는 것이다. 소수화 처리 유닛(U5)은 처리 대상의 웨이퍼(W)를 수용하는 처리 용기(21)와, 처리 용기(21)에 공기(제 1 가스)를 공급하는 개폐부(60)(제 1 공급부)와, 처리 용기(21)에, 공기와는 상대 습도가 상이한 HMDS 가스(제 2 가스)를 공급하는 가스 공급부(30)(제 2 공급부)와, 컨트롤러(100)(제어부)를 구비하고, 컨트롤러(100)는, 개폐부(60)에 의한 공기의 공급 및 가스 공급부(30)에 의한 HMDS 가스의 공급이 행해진 후의 상대 습도에 기초하여, 처리 용기(21)에 있어서의 가스의 상태를 판정하는 것을 실행하도록 구성되어 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 처리 용기 내에 배치된 기판의 표면에 HMDS(hexamethyldisilazane) 가스를 공급하여 당해 기판을 소수화하는 기판 처리 장치가 개시되어 있다.
일본특허공개공보 2013-004804호
여기서, 소수화 처리와 같이, 처리 대상의 기판에 대하여 정해진 가스를 공급하는 처리에 있어서는 장치 내에 있어서의 가스의 상태를 검출하는 것이 곤란한 경우가 있다.
본 개시는 상기 실정을 감안하여 이루어진 것으로서, 처리 대상의 기판에 대하여 정해진 가스를 공급하는 처리에 있어서 장치 내에 있어서의 가스의 상태를 적절하게 검지하는 것을 목적으로 한다.
본 개시에 따른 기판 처리 장치는, 처리 대상의 기판을 수용하는 처리 용기와, 처리 용기에 제 1 가스를 공급하는 제 1 공급부와, 처리 용기에, 제 1 가스와는 상대 습도가 상이한 제 2 가스를 공급하는 제 2 공급부와, 제어부를 구비하고, 제어부는, 제 1 공급부에 의한 제 1 가스의 공급 및 제 2 공급부에 의한 제 2 가스의 공급이 행해진 후의 상대 습도에 기초하여, 처리 용기에 있어서의 가스의 상태를 판정하는 것을 실행하도록 구성되어 있다.
본 개시에 따른 기판 처리 장치에서는, 처리 용기 내에, 서로 상대 습도가 상이한 제 1 가스 및 제 2 가스가 공급되고, 이러한 가스의 공급 후에 있어서의 상대 습도에 기초하여, 처리의 이상 등의 가스의 상태가 판정된다. 서로 상대 습도가 상이한 가스가 공급되는 경우, 이러한 가스의 공급 후에 있어서의 상대 습도는, 이러한 가스의 공급 비율 등에 따라 결정된다. 그 때문에, 가스의 공급 후에 있어서의 상대 습도를 고려함으로써, 예를 들면, 어떠한 이유에 의해 일방의 가스의 공급량이 증가하고 있는 것 혹은 감소하고 있는 것 등을 검지할 수 있어, 처리 용기에 있어서의 가스의 상태의 변화(처리의 이상)를 적절하게 검지할 수 있다. 이상으로부터, 본 개시에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 처리 대상의 기판에 대하여 정해진 가스를 공급하는 처리에 있어서, 가스의 상태를 적절하게 검지할 수 있다.
기판 처리 장치 내의 상대 습도를 측정하는 습도 측정부를 더 구비하고, 제어부는, 습도 측정부에 의해 측정된 상대 습도를 취득하는 것을 추가로 실행하도록 구성되어 있고, 취득한 상대 습도에 기초하여, 처리 용기에 있어서의 처리의 이상을 판정해도 된다. 이에 의해, 기판 처리 장치 내의 상대 습도를 확실하게 또한 용이하게 취득하여, 이상 처리를 보다 적절하게 검지할 수 있다.
제어부는, 처리 용기에 있어서의 처리가 정상으로 행해진 경우의 상대 습도를 정해(正解) 데이터로 하여, 당해 정해 데이터와 습도 측정부에 의해 측정된 상대 습도를 대비함으로써, 처리 용기에 있어서의 처리의 이상을 판정해도 된다. 이와 같은 정해 데이터를 이용함으로써, 이상 처리를 고정밀도로 또한 용이하게 검지할 수 있다.
처리 용기 내의 가스를 외부로 배출하는 배기관을 더 구비하고, 습도 측정부는 배기관에 마련되어 있어도 된다. 배기관에 있어서 상대 습도가 측정됨으로써, 처리 용기 내에 공급되는 제 1 가스 및 제 2 가스의 쌍방이 포함된 가스(제 1 가스 및 제 2 가스가 합류한 후의 가스)의 상대 습도를 적절하게 취득할 수 있다. 이에 의해, 이상 처리를 보다 적절하게 검지할 수 있다.
기판 처리 장치 내의 온도를 측정하는 온도 측정부를 더 구비하고, 제어부는, 온도 측정부에 의해 측정된 온도를 고려하여, 습도 측정부에 의해 측정된 상대 습도의 값을 변환하고, 당해 변환 후의 상대 습도에 따라 상기 처리 용기에 있어서의 처리의 이상을 판정해도 된다. 상대 습도는 온도 환경에 따라 변화하는 바, 온도를 고려하여 상대 습도의 값을 변환함으로써, 이상 처리를 보다 적절하게 검지할 수 있다.
습도 측정부는 정전 용량식의 습도 센서여도 된다. 이에 의해 상대 습도를 적절하게 측정할 수 있다.
제 1 공급부는, 제 1 가스로서 공기를 공급하고, 제 2 공급부는, 제 2 가스로서, 기판의 표면의 소수화를 위한 처리 가스를 공급해도 된다. 소수화를 위한 처리 가스는 기판에 도포되지만, 매우 박막이기 때문에, 도포 직후의 불량을 조사할 수단이 없어, 통상은 현상 후에 결함이 될 때까지 불량을 검지할 수 없다. 이 점, 공기 및 처리 가스 공급 후의 상대 습도를 취득함으로써, 예를 들면, 공기가 과도하게 공급되고 있는 것 등을, 소수화 처리의 공정에 있어서 적절하게 검지할 수 있다. 즉, 본 개시에 따른 기판 처리 장치에 의하면 기판 표면의 소수화 처리에 있어서의 이상 처리를 적절하게 검지할 수 있다.
제어부는, 처리 용기를 개방함으로써 처리 용기에 공기를 공급하도록 제 1 공급부를 제어하는 것과, 제 1 공급부에 의한 공기의 공급이 종료된 후에 처리 가스를 공급하도록 제 2 공급부를 제어하는 것을 추가로 실행하도록 구성되어 있어도 된다. 이에 의해, 소수화 처리에 있어서 공기의 공급 및 처리 가스의 공급을 적절하게 행할 수 있고, 상대 습도를 적절하게 취득하여, 나아가서는 이상 처리의 검지를 적절하게 행할 수 있다.
제어부는, 제 2 공급부에 의한 처리 가스의 공급 후에 있어서 습도 측정부에 의해 측정된 상대 습도인 처리 가스 공급 습도를 취득하고, 처리 가스 공급 습도에 따라, 처리 용기에 있어서의 처리의 이상을 판정해도 된다. 처리 가스는, 공기보다 상대 습도가 낮기 때문에, 정상적으로 처리가 행해지고 있는 경우에는, 처리 가스 공급 습도는 처리 가스 공급 전의 습도보다 낮아진다. 이 때문에, 예를 들면 처리 가스 공급 습도가 처리 가스 공급 전의 습도와 비교하여 낮게 되어 있지 않은 등의 경우에는, 처리가 이상이라고 검지할 수 있다.
제 2 공급부에 의한 처리 가스의 공급 후에, 처리 가스를 퍼지하기 위하여, 공기 및 처리 가스보다 상대 습도가 낮은 퍼지용 가스를 공급하는 퍼지용 가스 공급부를 더 구비하고, 제어부는, 제 2 공급부에 의한 처리 가스의 공급이 종료된 후에 퍼지용 가스를 공급하도록 퍼지용 가스 공급부를 제어하는 것을 추가로 실행하도록 구성되어 있어도 된다. 이에 의해, 소수화 처리 후의 처리 가스를 적절하게 퍼지할 수 있어, 다음 번 소수화 처리를 적절하게 행할 수 있다.
제어부는, 퍼지용 가스 공급부에 의한 퍼지용 가스의 공급 후에 있어서 습도 측정부에 의해 측정된 상대 습도인 퍼지용 가스 공급 습도를 취득하고, 퍼지용 가스 공급 습도에 따라, 처리 용기에 있어서의 처리의 이상을 판정해도 된다. 퍼지용 가스는, 공기 및 처리 가스와 비교하여 상대 습도가 현저하게 낮기 때문에, 정상적으로 처리가 행해지고 있는 경우에는, 퍼지용 가스 공급 습도는 퍼지용 가스 공급 전의 습도보다 현저하게 낮아지며, 예를 들면 0%가 된다. 이 때문에, 예를 들면 퍼지용 가스 공급 습도가 0%로 되어 있지 않은 등의 경우에는, 처리가 이상이라고 검지할 수 있다.
제어부는, 제 1 공급부에 의한 제 1 가스의 공급 및 제 2 공급부에 의한 제 2 가스의 공급이 행해진 후의 상대 습도에 기초하여, 처리 용기에 있어서의 가스의 농도를 판정해도 된다. 가스의 상대 습도와 농도는 대체로 비례하기 때문에, 상대 습도를 고려함으로써, 농도를 측정하기 위한 다른 구성을 형성하지 않고, 가스의 농도를 고정밀도로 판정할 수 있다.
본 개시에 따른 기판 처리 방법은, 기판 처리 장치가 행하는 기판 처리 방법으로서, 처리 대상의 기판을 수용하는 처리 용기에 제 1 가스를 공급하는 것과, 처리 용기에, 제 1 가스와는 상대 습도가 상이한 제 2 가스를 공급하는 것과, 제 1 공급부에 의한 제 1 가스의 공급 및 제 2 공급부에 의한 제 2 가스의 공급이 행해진 후의 상대 습도에 기초하여, 처리 용기에 있어서의 처리의 이상을 판정하는 것을 포함한다.
본 개시에 따르면, 처리 대상의 기판에 대하여 정해진 가스를 공급하는 처리에 있어서, 장치 내에 있어서의 가스의 상태를 적절하게 검지할 수 있다.
도 1은 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1 중의 Ⅱ-Ⅱ선을 따르는 단면도이다.
도 3은 도 2 중의 Ⅲ-Ⅲ선을 따르는 단면도이다.
도 4는 소수화 처리 유닛의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 5는 정상 처리 시에 있어서의 배기관에서의 상대 습도 및 온도의 측정 결과(정해 데이터)를 나타내는 그래프이다.
도 6은 컨트롤러의 하드웨어 구성도이다.
도 7은 소수화 처리 순서의 순서도이다.
도 8은 공기 공급 순서의 순서도이다.
도 9는 HMDS 공급 순서의 순서도이다.
도 10은 N2 퍼지 순서의 순서도이다.
도 11은 이상 판정 순서의 순서도이다.
도 12는 덮개체 편측 상승 시의 상대 습도를 설명하는 도이다.
도 13은 덮개체 편측 상승 시의 상대 습도를 설명하는 도이다.
도 14는 배기압이 큰 경우의 상대 습도를 설명하는 도이다.
이하, 실시 형태에 대하여 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다.
<기판 처리 시스템>
기판 처리 시스템(1)은 기판에 대하여, 감광성 피막의 형성, 당해 감광성 피막의 노광 및 당해 감광성 피막의 현상을 실시하는 시스템이다. 처리 대상의 기판은, 예를 들면 반도체의 웨이퍼(W)이다. 감광성 피막은, 예를 들면 레지스트막이다. 기판 처리 시스템(1)은 도포·현상 장치(2)와 노광 장치(3)를 구비한다. 노광 장치(3)는 웨이퍼(W)(기판) 상에 형성된 레지스트막(감광성 피막)의 노광 처리를 행한다. 구체적으로는, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막의 노광 대상 부분에 에너지선을 조사한다. 도포·현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에 웨이퍼(W)(기판)의 표면에 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다.
<기판 처리 장치>
이하, 기판 처리 장치의 일례로서 도포·현상 장치(2)의 구성을 설명한다. 도 1 ∼ 도 3에 나타내는 바와 같이, 도포·현상 장치(2)는 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)과, 컨트롤러(100)(제어부)를 구비한다.
캐리어 블록(4)은 도포·현상 장치(2) 내로의 웨이퍼(W)의 도입 및 도포·현상 장치(2) 내로부터의 웨이퍼(W)의 도출을 행한다. 예를 들면, 캐리어 블록(4)은 웨이퍼(W)용의 복수의 캐리어(11)를 지지 가능하고, 전달 암(A1)을 내장하고 있다. 캐리어(11)는, 예를 들면 원형의 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한다. 전달 암(A1)은 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(5)에 넘겨주고, 처리 블록(5)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 되돌린다.
처리 블록(5)은 복수의 처리 모듈(14, 15, 16, 17)을 가진다. 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 처리 모듈(14, 15, 16, 17)은 복수의 액처리 유닛(U1)과, 복수의 열처리 유닛(U2)과, 이러한 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 암(A3)을 내장하고 있다. 처리 모듈(17)은 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)을 거치지 않고 웨이퍼(W)를 반송하는 직접 반송 암(A6)을 추가로 내장하고 있다. 액처리 유닛(U1)은 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 열처리 유닛(U2)은, 예를 들면 열판 및 냉각판을 내장하고 있으며, 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각판에 의해 냉각하여 열처리를 행한다.
처리 모듈(14)은 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막(예를 들면 반사 방지막)을 형성한다. 처리 모듈(14)의 액처리 유닛(U1)은 하층막 형성용의 처리액을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 처리 모듈(14)의 열처리 유닛(U2)은 하층막의 형성에 수반되는 각종 열처리를 행한다. 처리 모듈(14)의 열처리 유닛(U2)에 있어서 행해지는 열처리의 구체예로서는, 하층막을 경화시키기 위한 가열 처리를 들 수 있다. 처리 모듈(14)은 소수화 처리 유닛(U5)을 추가로 구비한다. 소수화 처리 유닛(U5)은 하층막이 형성된 웨이퍼(W)의 표면의 소수화 처리를 행하도록 구성되어 있다. 소수화 처리 유닛(U5)의 상세에 대해서는 후술한다.
처리 모듈(15)은 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 의해 하층막 상에 레지스트막을 형성한다. 처리 모듈(15)의 액처리 유닛(U1)은 레지스트막 형성용의 처리액을 하층막의 위에 도포한다. 처리 모듈(15)의 열처리 유닛(U2)은 레지스트막의 형성에 수반되는 각종 열처리를 행한다.
처리 모듈(16)은 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 의해 레지스트막 상에 상층막을 형성한다. 처리 모듈(16)의 액처리 유닛(U1)은 상층막 형성용의 액체를 레지스트막의 위에 도포한다. 처리 모듈(16)의 열처리 유닛(U2)은 상층막의 형성에 수반되는 각종 열처리를 행한다.
처리 모듈(17)은 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 의해, 노광 후의 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 처리 모듈(17)의 액처리 유닛(U1)은 노광이 끝난 웨이퍼(W)의 표면 상에 현상액을 도포한 후, 이것을 린스액에 의해 씻어냄으로써 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 처리 모듈(17)의 열처리 유닛(U2)은 현상 처리에 수반되는 각종 열처리를 행한다. 열처리의 구체예로서는, 현상 처리 전의 가열 처리(PEB : Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB : Post Bake) 등을 들 수 있다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 캐리어 블록(4)측에는 선반 유닛(U10)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U10)은 상하 방향으로 나열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 암(A7)이 마련되어 있다. 승강 암(A7)은 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에서 웨이퍼(W)를 승강시킨다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 인터페이스 블록(6)측에는 선반 유닛(U11)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U11)은 상하 방향으로 나열되는 복수의 셀로 구획되어 있다.
인터페이스 블록(6)은 노광 장치(3)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 예를 들면, 인터페이스 블록(6)은 전달 암(A8)을 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속된다. 전달 암(A8)은 선반 유닛(U11)에 배치된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)에 넘겨주고, 노광 장치(3)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 되돌린다.
컨트롤러(100)는, 예를 들면 이하의 순서로 도포·현상 처리를 실행하도록 도포·현상 장치(2)를 제어한다. 먼저 컨트롤러(100)는 캐리어(11) 내의 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)에 반송하도록 전달 암(A1)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(14)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다.
다음에 컨트롤러(100)는 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(14) 내의 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성하도록 액처리 유닛(U1), 열처리 유닛(U2) 및 소수화 처리 유닛(U5)을 제어한다. 그 후 컨트롤러(100)는 하층막이 형성된 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(15)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다.
다음에 컨트롤러(100)는 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(15) 내의 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 하층막 상에 레지스트막을 형성하도록 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(16)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다.
다음에 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(16) 내의 각 유닛에 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막 상에 상층막을 형성하도록 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(17)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다.
다음에 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U11)에 반송하도록 직접 반송 암(A6)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)에 보내도록 전달 암(A8)을 제어한다. 그 후 컨트롤러(100)는, 노광 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로부터 받아들여 선반 유닛(U11)으로 되돌리도록 전달 암(A8)을 제어한다.
다음에 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U11)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(17) 내의 각 유닛에 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막에 현상 처리를 실시하도록 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 캐리어(11) 내로 되돌리도록 승강 암(A7) 및 전달 암(A1)을 제어한다. 이상으로 도포·현상 처리가 완료된다.
또한, 기판 처리 장치의 구체적인 구성은 이상에 예시한 도포·현상 장치(2)의 구성에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치는 현상 처리용의 액처리 유닛(U1)(처리 모듈(17)의 액처리 유닛(U1))과, 이것을 제어 가능한 컨트롤러(100)를 구비하고 있으면 어떠한 것이어도 된다.
<소수화 처리 유닛>
이어서, 처리 모듈(14)의 소수화 처리 유닛(U5)에 대하여 상세하게 설명한다. 소수화 처리 유닛(U5)은 하층막이 형성된 웨이퍼(W)의 표면의 소수화 처리를 행하는 처리 유닛이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 소수화 처리 유닛(U5)은 소수화 처리 장치(20)와, 가스 공급부(30)(제 2 공급부, 퍼지용 가스 공급부)와, 배기관(40)과, 습도 센서(50)(습도 측정부)와, 개폐부(60)(제 1 공급부)와, 컨트롤러(100)를 가진다.
(소수화 처리 장치)
소수화 처리 장치(20)는 처리 용기(21)와 덮개체(22)를 가진다. 처리 용기(21)는 처리 대상의 웨이퍼(W)를 수용하는 용기이다. 처리 용기(21)는, 수평으로 배치되는 원형의 저판(底板)(21a)과, 저판(21a)의 주연부로부터 연직 상방으로 연장되는 둘레벽(21b)과, 열판(21c)과, 지지핀(21d)을 가지고 있다. 둘레벽(21b)에는 두께 방향(둘레벽(21b)의 연장 방향)으로 관통하는 관통홀(21x)이 형성되어 있다.
열판(21c)은, 웨이퍼(W)를 열처리하기 위한 것이고, 저판(21a)에 배치되어 처리 용기(21)에 수용되어 있다. 열판(21c)은, 예를 들면 전열선(도시 생략)을 내장하고 있고, 당해 전열선에 급전됨으로써 승온된다. 열판(21c)의 온도는, 예를 들면 90℃ ∼ 200℃가 된다.
지지핀(21d)은 저판(21a) 및 열판(21c)을 두께 방향으로 관통하도록 연장된, 웨이퍼(W)를 지지하는 핀이다. 지지핀(21d)은, 예를 들면 3 개 마련된다. 지지핀(21d)은, 예를 들면 에어 실린더 등의 승강 구동기(도시 생략)에 의해 승강하게 됨으로써, 웨이퍼(W)를 들어 올려 웨이퍼(W)를 열판(21c) 상의 원하는 위치에 배치한다.
덮개체(22)는 처리 용기(21)의 상방의 개구를 덮도록 배치되는 덮개 부재이다. 덮개체(22)는 수평으로 배치되는 원형의 천판(22a)과, 천판(22a)의 주연부로부터 연직 하방으로 연장되는 둘레벽(22b)을 가지고 있다. 후술하는 개폐부(60)에 의해 처리 용기(21)의 개구를 덮는 위치에 덮개체(22)가 배치된 상태에 있어서도, 덮개체(22)의 둘레벽(22b)의 주연부에 있어서의 하단(22y)과, 처리 용기(21)의 둘레벽(21b)의 주연부에 있어서의 상단(21y)의 사이에는 정해진 간극(G)이 형성된다. 정해진 간극(G)은, 예를 들면 3 mm ∼ 10 mm 정도로 설정된다. 정해진 간극(G)이 형성된 상태에 있어서는, 처리 용기(21)와 덮개체(22)의 사이에 처리 공간(S)이 형성되어 있다. 둘레벽(22b)에는 두께 방향(둘레벽(22b)의 연장 방향)으로 관통하는 관통홀(22x) 및 외주 배기부(22c)가 형성되어 있다. 또한, 천판(22a)의 중앙부에는 가스 유로(22d)가 형성되어 있다.
관통홀(22x)은 처리 용기(21)의 개구를 덮는 위치에 덮개체(22)가 배치된 상태에 있어서, 처리 용기(21)의 관통홀(21x)에 연통하도록 형성되어 있다. 후술하는 가스 공급부(30)에 의해 처리 용기(21)의 내부에 HMDS(hexamethyldisilazane) 가스를 공급함에 있어서, 관통홀(21x)의 하단측으로부터 퍼지 가스로서의 질소 가스가 공급된다. 이 경우, 퍼지 처리에 있어서의 잉여의 질소 가스는 관통홀(21x)로부터 관통홀(22x)에 연통하여 관통홀(22x)의 상단으로부터 처리 용기(21)의 외부로 배출된다. 이에 의해, 처리 용기(21)의 내부와 외부의 사이에 소위 에어 커튼이 형성되어, HMDS 가스의 처리 용기(21) 외부로의 누설이 방지된다.
외주 배기부(22c)는 열판(21c)에 배치된 웨이퍼(W)보다 외방(외주측)으로부터, 처리 공간(S) 내의 가스를 배기한다. 처리 공간(S) 내의 가스에는, 후술하는 개폐부(60)에 의해 처리 용기(21)가 개방됨으로써 공급되는 제 1 가스로서의 공기가 포함될 수 있다. 또한, 처리 공간(S) 내의 가스에는 덮개체(22)와 처리 용기(21)의 사이의 간극(G)으로부터 처리 공간(S)으로 유입되는 공기가 포함될 수 있다. 처리 공간(S) 내의 가스에는, 후술하는 가스 공급부(30)에 의해 공급되는 제 2 가스로서의 처리 가스(HMDS 가스)가 포함될 수 있다. 처리 공간(S) 내의 가스에는, 후술하는 가스 공급부(30)에 의해 공급되는 퍼지용 가스로서의 질소 가스가 포함될 수 있다. 외주 배기부(22c)는 둘레벽(22b)에 있어서의 관통홀(22x)보다 직경 방향 내측에 마련되어 있고, 예를 들면, 둘레 방향을 따라 환상으로 등간격으로 마련된 복수의 배기홀에 의해 구성되어 있다. 각 배기홀은 후술하는 배기관(40)에 연통하고 있다.
가스 유로(22d)는 천판(22a)의 중앙부에 형성되어 있고, 가스 공급부(30)로부터 공급되는, 처리 가스로서의 HMDS 가스 및 퍼지용 가스로서의 질소 가스를 처리 공간(S) 내에 흐르게 한다. 가스 유로(22d)는 천판(22a)을 두께 방향으로 관통하도록 형성되어 있고, 가스 공급부(30)의 가스 공급관(35)에 연통하고 있다.
(가스 공급부)
가스 공급부(30)는 처리 용기(21)에 공기(제 1 가스)와는 상대 습도가 상이한 제 2 가스를 공급하는 제 2 공급부로서 기능한다. 가스 공급부(30)는, 제 2 가스로서, 웨이퍼(W)의 표면의 소수화를 위한 처리 가스인 HMDS 가스를 공급한다. HMDS 가스의 상대 습도는 공기와 비교하여 극히 낮으며, 예를 들면 2.5%이다. 가스 공급부(30)는 컨트롤러(100)의 제어에 따라(상세는 후술), 개폐부(60)에 의한 처리 용기(21)의 개방이 종료된 후에 처리 가스인 HMDS 가스를 공급한다.
또한, 가스 공급부(30)는 처리 용기(21) 내에 있어서 HMDS 가스를 퍼지하기 위하여, 퍼지용 가스인 질소 가스를 공급하는 퍼지용 가스 공급부로서도 기능한다. 질소 가스의 상대 습도는 0% 또는 0%에 한없이 가까운 값이며, 상술한 공기 및 HMDS 가스와 비교하여 극히 낮다. 가스 공급부(30)는 컨트롤러(100)의 제어에 따라(상세는 후술) 처리 가스인 HMDS 가스의 공급 후에 퍼지용 가스인 질소 가스를 공급한다.
가스 공급부(30)는 HMDS 공급원(31)과, 질소 가스 공급원(32)과, HMDS 공급 밸브(33)와, N2 퍼지 밸브(34)와, 가스 공급관(35)을 가진다. HMDS 공급원(31)은 처리 가스인 HMDS 가스의 공급원이다. HMDS 공급원(31)에 있어서는, 예를 들면 HMDS의 리퀴드가 저류되어 있고, 당해 리퀴드에 대하여 질소 버블링을 행함으로써, HMDS가 기화되어 HMDS 가스가 된다. 질소 버블링을 행하기 때문에, HMDS 공급원(31)으로부터 공급되는 처리 가스에는, HMDS 가스뿐만 아니라 미소(微小)의 질소 가스가 포함되어 있지만, 본 실시 형태에서는 HMDS 공급원(31)으로부터 공급되는 처리 가스를 간단히 HMDS 가스라고 기재한다. 질소 가스 공급원(32)은 퍼지용 가스인 질소 가스의 공급원이다. 가스 공급관(35)은, HMDS 공급원(31) 및 가스 유로(22d)를 접속시키고, 또한 질소 가스 공급원(32) 및 가스 유로(22d)를 접속시키는 배관이다.
HMDS 공급 밸브(33)는 HMDS 공급원(31) 및 가스 유로(22d)를 접속시키는 가스 공급관(35) 상에 마련되어 있다. N2 퍼지 밸브(34)는 질소 가스 공급원(32) 및 가스 유로(22d)를 접속시키는 가스 공급관(35) 상에 마련되어 있다. HMDS 공급 밸브(33) 및 N2 퍼지 밸브(34)는 가스 공급관(35) 내의 유로를 개폐한다. HMDS 공급 밸브(33)가 열림으로써, HMDS 공급원(31)으로부터 가스 공급관(35)을 통하여 가스 유로(22d)에 처리 가스(HMDS 가스)가 흐른다. N2 퍼지 밸브(34)가 열림으로써, 질소 가스 공급원(32)으로부터 가스 공급관(35)을 통하여 가스 유로(22d)에 퍼지용 가스(질소 가스)가 흐른다. HMDS 공급 밸브(33) 및 N2 퍼지 밸브(34)의 개폐는 컨트롤러(100)에 의해 제어된다(상세는 후술).
(배기관)
배기관(40)은 처리 용기(21) 내의 가스를 외부로 배출하는 배관이다. 배기관(40)은 외주 배기부(22c)의 각 배기홀에 연통하고 있다. 배기관(40)에는 외주 배기부(22c)를 통하여, 제 1 가스로서의 공기, 제 2 가스로서의 처리 가스(HMDS 가스) 및 퍼지용 가스로서의 질소 가스가 흐를 수 있다.
(습도 센서)
습도 센서(50)는 도포·현상 장치(2) 내에 포함되어 있는 소수화 처리 유닛(U5) 내의 상대 습도를 측정하는 습도 측정부이다. 보다 상세하게는, 습도 센서(50)는 배기관(40)에 마련되어 있고, 배기관(40)을 흐르는 가스의 상대 습도를 측정한다. 습도 센서(50)로서는, 예를 들면 전기식 습도 센서를 이용할 수 있고, 예를 들면 정전 용량식의 습도 센서 또는 저항식의 습도 센서를 이용할 수 있다. 정전 용량식의 습도 센서는 센서부가 콘덴서를 포함하여 구성되어 있고, 상부 전극과 하부 전극에 개재되도록 유전 재료인 폴리머(습도 감지막)가 배치되어 있다. 정전 용량식의 습도 센서에서는, 폴리머의 흡습·탈습에 따른 콘덴서의 전기 용량의 변화가 검지되고, 당해 전기 용량의 변화에 따라 가스의 상대 습도가 측정된다. 저항식의 습도 센서에서는, 습도 감지막의 흡습·탈습에 따른 저항의 변화가 검지되고, 당해 저항의 변화에 따라 가스의 상대 습도가 측정된다. 또한, 습도 센서(50)는, 도포·현상 장치(2) 내에 포함되어 있는 소수화 처리 유닛(U5) 내의 온도를 측정하는 온도 측정부로서의 기능을 가지고 있다. 습도 센서(50)는 컨트롤러(100)의 제어에 따라 습도 및 온도 측정을 행하고, 측정한 습도 및 온도를 컨트롤러(100)에 출력한다(상세는 후술).
(개폐부)
개폐부(60)는 처리 용기(21)에 HMDS 가스(제 2 가스)와는 상대 습도가 상이한 제 1 가스를 공급하는 제 1 공급부로서 기능한다. 개폐부(60)는, 제 1 가스로서 공기를 공급한다. 개폐부(60)는, 컨트롤러(100)의 제어에 따라(상세는 후술), 처리 용기(21)를 개방함으로써 처리 용기(21)에 공기를 공급한다. 개폐부(60)는 덮개체(22)를 파지하는 파지부(61)와, 액추에이터를 가지고 파지부(61)를 구동시키는 구동부(62)를 가진다. 구동부(62)는 컨트롤러(100)의 제어에 따라 파지부(61)를 구동시킴으로써, 처리 용기(21)에 대하여 덮개체(22)를 상대적으로 상승시킨다. 개폐부(60)는 처리 용기(21)의 개구를 덮는 위치에 덮개체(22)가 배치된 상태(닫힌 상태)로부터 덮개체(22)를 상방으로 이동시킴으로써, 처리 용기(21)를 개방하여 처리 용기(21)에 공기를 공급한다. 개폐부(60)는 처리 용기(21)가 개방된 상태(열린 상태)로부터 덮개체(22)를 하방으로 이동시킴으로써, 처리 용기(21)의 개구를 덮개체(22)에 의해 덮는다.
(컨트롤러)
컨트롤러(100)는 개폐부(60)에 의한 공기의 공급 및 가스 공급부(30)에 의한 HMDS 가스의 공급이 행해진 후의 상대 습도에 기초하여 처리 용기(21)에 있어서의 가스의 상태를 판정하는 것을 실행하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(100)는, 처리 용기(21)에 있어서의 가스의 상태를 판정하는 것의 일례로서, 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다.
컨트롤러(100)는 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도를 취득하는 것을 추가로 실행하도록 구성되어 있고, 취득한 상대 습도에 기초하여 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다.
컨트롤러(100)는, 처리 용기(21)에 있어서의 처리가 정상으로 행해진 경우의 상대 습도를 정해 데이터로 하여 당해 정해 데이터와 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도를 대비함으로써, 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다.
컨트롤러(100)는, 습도 센서(50)에 의해 측정된 온도를 고려하여 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도의 값을 변환하고, 당해 변환 후의 상대 습도에 따라 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다.
컨트롤러(100)는 처리 용기(21)를 개방함으로써 처리 용기(21)에 공기를 공급하도록 개폐부(60)를 제어하는 것과, 개폐부(60)에 의한 공기의 공급이 종료된 후에 HMDS 가스를 공급하도록 가스 공급부(30)를 제어하는 것을 추가로 실행하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(100)는 가스 공급부(30)에 의한 HMDS 가스의 공급 후에 있어서 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도인 처리 가스 공급 습도를 취득하고, 당해 처리 가스 공급 습도에 따라 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다.
컨트롤러(100)는 가스 공급부(30)에 의한 HMDS 가스의 공급이 종료된 후에 퍼지용 가스인 질소 가스를 공급하도록 가스 공급부(30)를 제어하는 것을 추가로 실행하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(100)는 가스 공급부(30)에 의한 퍼지용 가스인 질소 가스의 공급 후에 있어서 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도인 퍼지용 가스 공급 습도를 취득하고, 당해 퍼지용 가스 공급 습도에 따라 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 컨트롤러(100)는 기능 모듈로서 공기 공급 제어부(101)와, 소수·퍼지 제어부(102)와, 습도·온도 취득부(103)와, 판정부(104)를 가진다.
공기 공급 제어부(101)는 처리 용기(21)를 개방함으로써 처리 용기(21)에 공기를 공급하도록 개폐부(60)를 제어한다. 구체적으로는, 공기 공급 제어부(101)는 처리 용기(21)의 개구를 덮고 있는 덮개체(22)가 상방(처리 용기(21)로부터 멀어지는 방향)을 향하여 이동하도록(덮개체(22)를 오픈하도록), 개폐부(60)의 구동부(62)를 제어한다. 덮개체(22)가 오픈됨으로써 처리 용기(21)가 개방되고, 처리 용기(21)에 공기가 공급된다. 공기 공급 제어부(101)는, 덮개체(22)의 오픈 후 처리 용기(21) 내로의 웨이퍼(W)의 반입 및 열판(21c)으로의 웨이퍼(W)의 배치가 완료된 후에, 처리 용기(21)의 개구가 덮개체(22)에 의해 덮이도록 개폐부(60)를 제어한다. 구체적으로는, 공기 공급 제어부(101)는 처리 용기(21)를 개방한 상태로부터 덮개체(22)가 하방(처리 용기(21)에 접근하는 방향)을 향하여 이동하도록(덮개체(22)를 클로즈하도록), 개폐부(60)의 구동부(62)를 제어한다. 덮개체(22)가 클로즈됨으로써, 처리 용기(21)의 개구로부터의 공기의 유입이 종료된다. 또한, 상술한 바와 같이, 덮개체(22)가 클로즈된 상태에 있어서도, 덮개체(22)와 처리 용기(21)의 사이의 간극(G)으로부터 처리 용기(21)로 미소의 공기가 공급된다.
소수·퍼지 제어부(102)는 개폐부(60)에 의한 공기의 공급이 종료된 후에 HMDS 가스를 공급하도록 가스 공급부(30)를 제어한다. 구체적으로는, 소수·퍼지 제어부(102)는, 공기 공급 제어부(101)에 의해 덮개체(22)가 클로즈된 후에, HMDS 공급 밸브(33)를 연다. 이에 의해, HMDS 공급원(31)으로부터 가스 공급관(35) 및 가스 유로(22d)를 통하여 처리 용기(21) 내에 HMDS 가스가 공급된다. 소수·퍼지 제어부(102)는 정해진 시간(예를 들면 30초간) 경과 후에 HMDS 공급 밸브(33)를 닫아, HMDS 가스의 공급을 종료한다.
소수·퍼지 제어부(102)는 가스 공급부(30)에 의한 HMDS 가스의 공급이 종료된 후에 퍼지용 가스인 질소 가스를 공급하도록 가스 공급부(30)를 제어한다. 구체적으로는, 소수·퍼지 제어부(102)는, 상술한 HMDS 가스의 공급이 종료된 후에, N2 퍼지 밸브(34)를 연다. 이에 의해, 질소 가스 공급원(32)으로부터 가스 공급관(35) 및 가스 유로(22d)를 통하여 처리 용기(21) 내에 질소 가스가 공급된다. 소수·퍼지 제어부(102)는 정해진 시간(예를 들면 10초간) 경과 후에 N2 퍼지 밸브(34)를 닫아, 퍼지용 가스인 질소 가스의 공급을 종료한다.
습도·온도 취득부(103)는 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도를 취득한다. 습도·온도 취득부(103)는 습도 센서(50)에 의해 측정된 온도에 대해서도 취득한다. 습도·온도 취득부(103)는 가스 공급부(30)에 의한 HMDS 가스의 공급 후에 있어서 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도인 처리 가스 공급 습도 및 가스 공급부(30)에 의한 퍼지용 가스인 질소 가스의 공급 후에 있어서 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도인 퍼지용 가스 공급 습도를 취득한다. 보다 상세하게는, 처리 가스 공급 습도란, HMDS 가스의 공급 후 또한 퍼지용 가스인 질소 가스의 공급 전에 있어서 습도 센서(50)에 측정된 상대 습도이다. 또한, 퍼지용 가스 공급 습도란, 퍼지용 가스인 질소 가스의 공급 후 또한 덮개체(22)의 오픈 전(연속 처리되는 다음 웨이퍼(W)의 반입 전)에 있어서 습도 센서(50)에 측정된 상대 습도이다. 습도·온도 취득부(103)는 습도 센서(50)에 의한 상대 습도의 측정 타이밍 및 온도의 측정 타이밍을 습도 센서(50)에 미리 설정한다. 습도·온도 취득부(103)는, 예를 들면, 소수화 처리 유닛(U5)의 동작 중에 있어서 연속적으로 상대 습도의 측정 및 온도의 측정이 행해지도록, 상대 습도의 측정 타이밍 및 온도의 측정 타이밍을 습도 센서(50)에 설정한다.
판정부(104)는 개폐부(60)에 의한 공기의 공급 및 가스 공급부(30)에 의한 HMDS 가스의 공급이 행해진 후의 상대 습도에 기초하여 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다. 여기서의 처리의 이상이란, 예를 들면, HMDS 가스의 공급 시에 있어서 어떠한 이유에 의해 덮개체(22)가 적정하게 닫혀 있지 않아 처리 용기(21)에 유입되는 공기가 증가하고 있는 것, 배기압이 커져 덮개체(22)와 처리 용기(21)의 사이의 간극(G)으로부터 처리 용기(21)로 유입되는 공기가 증가하고 있는 것, 퍼지용 가스인 질소 가스가 충분하게 공급되고 있지 않은 것 등을 말한다. 혹은, 처리의 이상에는 버블러 탱크 불량 및 배관 어긋남 등에 의해 가스 분위기가 변하는 것도 포함된다. 판정부(104)는 습도·온도 취득부(103)가 습도 센서(50)로부터 취득한 상대 습도에 기초하여 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다.
판정부(104)는, 처리 용기(21)에 있어서의 처리가 정상으로 행해진 경우의 상대 습도를 정해 데이터로 하여 당해 정해 데이터와 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도를 대비함으로써, 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다. 정해 데이터는, 예를 들면, 배기관(40)에 마련된 습도 센서(50)에 의해 실제로 측정된, 정상 처리 시의 상대 습도에 기초하여 생성된다.
도 5는 정상 처리 시에 있어서 배기관(40)에 마련된 습도 센서(50)가 측정한 상대 습도 및 온도의 결과(정해 데이터)를 나타내고 있다. 도 5에 나타내는 예에서는, 연속적으로 10 매의 웨이퍼(W)의 소수화 처리가 행해지고 있다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 1 매의 웨이퍼에 대한 소수화 처리는 반입기(T1), HMDS 공급기(T2), N2 퍼지기(T3) 및 반출기(T4)의 각각의 기간의 처리로 이루어진다.
반입기(T1)의 전반에 있어서는, 웨이퍼(W)를 반입하기 위하여 덮개체(22)가 오픈되어 처리 용기(21)에 공기가 공급되므로, 처리 용기(21) 내의 상대 습도는 상승하고 배기관(40)에 마련된 습도 센서(50)에 의해 측정되는 상대 습도도 상승한다. 이 때의 상대 습도는, 도포·현상 장치(2)가 마련된 환경의 상대 습도에 따른 값이 된다. 또한, 도포·현상 장치(2)는, 예를 들면 상대 습도 45%, 온도 23℃의 환경에 마련되어 있다. 반입기(T1)의 후반에 있어서는, 처리 용기(21)로의 웨이퍼(W)의 반입이 완료되고 덮개체(22)가 클로즈된 상태에서 열판(21c)에 의한 웨이퍼(W)의 열처리가 행해지므로, 상대 습도는 하강한다.
HMDS 공급기(T2)에 있어서는, HMDS 공급원(31)으로부터 공기보다 습도가 낮은 HMDS 가스가 공급되므로, 처리 용기(21) 내의 상대 습도는 완만하게 하강하고 배기관(40)에 마련된 습도 센서(50)에 의해 측정되는 상대 습도도 완만하게 하강한다.
N2 퍼지기(T3)에 있어서는, 질소 가스 공급원(32)으로부터 공기보다 극히 습도가 낮은 질소 가스가 공급되므로, 처리 용기(21) 내의 상대 습도는 현저하게 하강하고 배기관(40)에 마련된 습도 센서(50)에 의해 측정되는 상대 습도도 현저하게 하강한다. N2 퍼지기(T3)에 있어서 습도 센서(50)로 측정되는 상대 습도는, 예를 들면 0%이다.
반출기(T4)에 있어서는, 웨이퍼(W)를 반출하기 위하여 덮개체(22)가 오픈되므로, 습도 센서(50)에 의해 측정되는 상대 습도는 상승한다. 그 후, 덮개체(22)가 클로즈되고 반출된 웨이퍼(W)가 쿨 암(도시 생략)으로 냉각되지만, 덮개체(22)가 클로즈되어 있으므로 습도 센서(50)로 측정되는 상대 습도는 하강한다.
또한, 연속적으로 10 매의 웨이퍼(W)의 소수화 처리가 행해진 경우에는, 처리 용기(21) 내에 있어서 열처리가 계속적으로 행해지게 되므로, 도 5에 나타내는 바와 같이, 시간의 경과와 함께 습도 센서(50)에 의해 측정되는 온도가 상승한다.
판정부(104)는, 도 5에 나타낸 바와 같은 정해 데이터와 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도를 대비하여 습도 센서(50)의 측정 결과가 정해 데이터로부터 괴리되는 경우에, 처리 용기(21)에 있어서의 처리가 이상 상태라고 판정한다(상세는 후술).
판정부(104)는, 처리 가스 공급 습도에 따라, 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 정상 처리가 행해지고 있는 경우에는, HMDS 공급기(T2)에 있어서 습도 센서(50)에 의해 측정되는 상대 습도는 완만하게 하강한다. 따라서, 판정부(104)는, 예를 들면, 처리 가스 공급 습도가 '완만한 하강'으로 되어 있지 않은 경우에, 처리 용기(21)에 있어서의 처리가 이상 상태라고 판정한다.
판정부(104)는, 퍼지용 가스 공급 습도에 따라, 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 정상 처리가 행해지고 있는 경우에는, N2 퍼지기(T3)에 있어서 습도 센서(50)에 의해 측정되는 상대 습도는 현저하게 하강하며 예를 들면 0%가 된다. 따라서, 판정부(104)는, 예를 들면 퍼지용 가스 공급 습도가 0%로부터 괴리되어 있는 경우에, 처리 용기(21)에 있어서의 처리가 이상 상태라고 판정한다.
판정부(104)는 습도 센서(50)에 의해 측정된 온도를 고려하여 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도의 값을 변환하고, 당해 변환 후의 상대 습도에 따라 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다. 상대 습도는 온도 환경에 따라 변화하지만, 예를 들면 이하의 (1)식에 의해, 임의의 온도로 한 경우의 상대 습도(변환 후의 상대 습도)(U2)를 도출할 수 있다. 하기 (1)식에 있어서, U2는 변환 후의 상대 습도, U1은 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도, t2는 임의의 온도, t1은 습도 센서(50)에 의해 측정된 온도이다.
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컨트롤러(100)는 하나 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 예를 들면 컨트롤러(100)는, 도 6에 나타내는 회로(120)를 가진다. 회로(120)는, 하나 또는 복수의 프로세서(121)와, 메모리(122)와, 스토리지(123)와, 입출력 포트(124)와, 타이머(125)를 가진다.
입출력 포트(124)는 개폐부(60)의 구동부(62), 가스 공급부(30)의 HMDS 공급 밸브(33), 가스 공급부(30)의 N2 퍼지 밸브(34) 및 습도 센서(50) 등과의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다. 타이머(125)는, 예를 들면 일정 주기의 기준 펄스를 카운트함으로써 경과 시간을 계측한다. 스토리지(123)는, 예를 들면 하드 디스크 등, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체를 가진다. 기록 매체는 후술의 기판 처리 순서를 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 기록 매체는, 불휘발성의 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광 디스크 등의 취출 가능한 매체여도 된다. 메모리(122)는, 스토리지(123)의 기록 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(121)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기록한다. 프로세서(121)는 메모리(122)와 함께 작동하여 상기 프로그램을 실행함으로써, 상술한 각 기능 모듈을 구성한다.
또한, 컨트롤러(100)의 하드웨어 구성은 반드시 프로그램에 의해 각 기능 모듈을 구성하는 것에 한정되지는 않는다. 예를 들면 컨트롤러(100)의 각 기능 모듈은 전용의 논리 회로 또는 이것을 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 된다.
<소수화 처리 순서>
다음에, 기판 처리 방법의 일례로서, 컨트롤러(100)의 제어에 따라 소수화 처리 유닛(U5)이 실행하는 소수화 처리 순서를 설명한다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 컨트롤러(100)는 단계(S1, S2, S3, S4, S5)를 순서대로 실행한다. 단계(S1)에서는, 공기 공급 제어부(101)가 처리 용기(21)를 개방함으로써 처리 용기(21)에 공기를 공급하도록 개폐부(60)를 제어한다. 단계(S2)에서는, 소수·퍼지 제어부(102)가 개폐부(60)에 의한 공기의 공급이 종료된 후에 HMDS 가스를 공급하도록 가스 공급부(30)를 제어한다. 단계(S3)에서는, 소수·퍼지 제어부(102)가 가스 공급부(30)에 의한 HMDS 가스의 공급이 종료된 후에 퍼지용 가스인 질소 가스를 공급하도록(N2 퍼지를 행하도록) 가스 공급부(30)를 제어한다. 단계(S4)에서는, 습도·온도 취득부(103)가 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도 및 온도를 취득한다. 단계(S5)에서는, 판정부(104)가 개폐부(60)에 의한 공기의 공급 및 가스 공급부(30)에 의한 HMDS 가스의 공급이 행해진 후의 상대 습도에 기초하여, 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다. 이하, 각 단계의 내용을 상세하게 설명한다.
(공기 공급 순서)
도 8에 나타내는 바와 같이, 공기 공급 제어부(101)는 상술한 단계(S1)의 공기 공급 처리로서 단계(S11 ∼ S13)를 순서대로 실행한다.
단계(S11)에서는, 공기 공급 제어부(101)가 처리 용기(21)의 개구를 덮고 있는 덮개체(22)가 상방(처리 용기(21)로부터 멀어지는 방향)을 향하여 이동하도록(덮개체(22)를 오픈하도록), 개폐부(60)의 구동부(62)를 제어한다. 덮개체(22)가 오픈됨으로써, 처리 용기(21)가 개방되고 처리 용기(21)에 공기가 공급된다.
단계(S12)에서는, 공기 공급 제어부(101)가 소수화 처리 대상의 웨이퍼(W)가 처리 용기(21) 내에 반입되어 있는지의 여부를 판정한다. 웨이퍼(W)는 컨트롤러(100)에 의해 제어된 반송 암(A3)에 의해 처리 용기(21) 내에 반입되어 열판(21c)에 배치된다. 단계(S12)에 있어서 반입이 완료되어 있다고 판정된 경우에는 단계(S13)가 실행되고, 완료되어 있지 않다고 판정된 경우에는 정해진 시간 경과 후에 다시 단계(S12)가 실행된다.
단계(S13)에서는, 공기 공급 제어부(101)가 처리 용기(21)의 개구가 덮개체(22)에 의해 덮이도록 개폐부(60)를 제어한다. 구체적으로는, 공기 공급 제어부(101)는 처리 용기(21)를 개방한 상태로부터 덮개체(22)가 하방(처리 용기(21)에 접근하는 방향)을 향하여 이동하도록(덮개체(22)를 클로즈하도록), 개폐부(60)의 구동부(62)를 제어한다.
(HMDS 공급 순서)
도 9에 나타내는 바와 같이, 소수·퍼지 제어부(102)는 상술한 단계(S2)의 HMDS 공급 처리로서 단계(S21 ∼ S23)를 순서대로 실행한다.
단계(S21)에서는, 소수·퍼지 제어부(102)가 HMDS 공급 밸브(33)를 연다. 이에 의해, HMDS 공급원(31)으로부터 가스 공급관(35) 및 가스 유로(22d)를 통하여 처리 용기(21) 내에 HMDS 가스가 공급된다.
단계(S22)에서는, 소수·퍼지 제어부(102)가 정해진 HMDS 공급 시간이 경과하였는지의 여부를 판정한다. 또한, HMDS 공급 시간은 HMDS 가스에 의한 웨이퍼(W)의 소수화를 행하는 데 충분한 시간으로 하고, 예를 들면 30초간으로 한다. 단계(S22)에 있어서 HMDS 공급 시간이 경과하였다고 판정된 경우에는 단계(S23)가 실행되고, 경과하고 있지 않다고 판정된 경우에는 정해진 시간 경과 후에 다시 단계(S22)가 실행된다.
단계(S23)에서는, 소수·퍼지 제어부(102)가 HMDS 공급 밸브(33)를 닫는다. 이에 의해, 처리 용기(21) 내로의 HMDS 가스의 공급이 종료된다.
(N2 퍼지 순서)
도 10에 나타내는 바와 같이, 소수·퍼지 제어부(102)는 상술한 단계(S3)의 N2 퍼지 처리로서 단계(S31 ∼ S33)를 순서대로 실행한다.
단계(S31)에서는, 소수·퍼지 제어부(102)가 N2 퍼지 밸브(34)를 연다. 이에 의해, 질소 가스 공급원(32)으로부터 가스 공급관(35) 및 가스 유로(22d)를 통하여 처리 용기(21) 내에 질소 가스가 공급된다.
단계(S32)에서는, 소수·퍼지 제어부(102)가 정해진 N2 퍼지 시간이 경과하였는지의 여부를 판정한다. 또한, N2 퍼지 시간은 질소 가스에 의한 퍼지를 행하는 데 충분한 시간으로 하고, 예를 들면 10초간으로 한다. 단계(S32)에 있어서 N2 퍼지 시간이 경과하였다고 판정된 경우에는 단계(S33)가 실행되고, 경과하고 있지 않다고 판정된 경우에는 정해진 시간 경과 후에 다시 단계(S32)가 실행된다.
단계(S33)에서는, 소수·퍼지 제어부(102)가 N2 퍼지 밸브(34)를 닫는다. 이에 의해, 처리 용기(21) 내로의 질소 가스의 공급이 종료된다.
(이상 판정 순서)
도 11에 나타내는 바와 같이, 판정부(104)는 상술한 단계(S5)의 이상 판정 처리로서 단계(S51 ∼ S53)를 순서대로 실행한다.
단계(S51)에서는, 판정부(104)가 습도 센서(50)에 의해 측정된 온도를 고려하여 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도의 값을 변환하고, 당해 변환 후의 상대 습도에 따라 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다.
단계(S52)에서는, 판정부(104)가 처리 용기(21)에 있어서의 처리가 정상으로 행해진 경우의 상대 습도를 정해 데이터로 하여, 당해 정해 데이터와 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도(보다 상세하게는, 온도를 고려한 변환 후의 상대 습도)를 대비한다.
단계(S53)에서는, 판정부(104)가, 정해 데이터와 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도의 대비 결과로부터 습도 센서(50)의 측정 결과가 정해 데이터로부터 괴리되는 경우에, 처리 용기(21)에 있어서의 처리가 이상 상태라고 판정한다. 판정부(104)는, 예를 들면, 처리 가스 공급 습도에 따라, 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 정상 처리가 행해지고 있는 경우에는, HMDS 공급기(T2)에 있어서 습도 센서(50)에 의해 측정되는 상대 습도는 완만하게 하강한다. 따라서, 판정부(104)는, 예를 들면, 처리 가스 공급 습도가 '완만한 하강'으로 되어 있지 않은 경우에, 처리 용기(21)에 있어서의 처리가 이상 상태라고 판정한다. 또한, 판정부(104)는, 퍼지용 가스 공급 습도에 따라, 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 정상 처리가 행해지고 있는 경우에는, N2 퍼지기(T3)에 있어서 습도 센서(50)에 의해 측정되는 상대 습도는 현저하게 하강하며 예를 들면 0%가 된다. 따라서, 판정부(104)는, 예를 들면 퍼지용 가스 공급 습도가 0%로부터 괴리되어 있는 경우에, 처리 용기(21)에 있어서의 처리가 이상 상태라고 판정한다.
<본 실시 형태의 효과>
본 실시 형태에 따른 소수화 처리 유닛(U5)은 처리 대상의 웨이퍼(W)를 수용하는 처리 용기(21)와, 처리 용기(21)에 공기(제 1 가스)를 공급하는 개폐부(60)(제 1 공급부)와, 처리 용기(21)에, 공기와는 상대 습도가 상이한 HMDS 가스(제 2 가스)를 공급하는 가스 공급부(30)(제 2 공급부)와, 컨트롤러(100)(제어부)를 구비하고, 컨트롤러(100)는, 개폐부(60)에 의한 공기의 공급 및 가스 공급부(30)에 의한 HMDS 가스의 공급이 행해진 후의 상대 습도에 기초하여 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정하는 것을 실행하도록 구성되어 있다.
본 실시 형태에 따른 소수화 처리 유닛(U5)에서는, 처리 용기(21) 내에 서로 상대 습도가 상이한 공기 및 HMDS 가스가 공급되고, 이러한 가스의 공급 후에 있어서의 상대 습도에 기초하여, 처리의 이상이 판정된다. 서로 상대 습도가 상이한 가스가 공급되는 경우, 이러한 가스의 공급 후에 있어서의 상대 습도는 이러한 가스의 공급 비율에 따라 결정된다. 그 때문에, 가스의 공급 후에 있어서의 상대 습도를 고려함으로써, 예를 들면 어떠한 이유에 의해 일방의 가스의 공급량이 증가하고 있는 것 혹은 감소하고 있는 것 등을 검지할 수 있어, 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 적절하게 검지할 수 있다. 이상으로부터, 본 개시에 따른 소수화 처리 유닛(U5)에 의하면, 처리 대상의 웨이퍼(W)에 대한 소수화 처리에 있어서, 이상 처리를 적절하게 검지할 수 있다.
소수화를 위한 처리 가스(예를 들면 HMDS 가스)는 웨이퍼(W)에 도포되지만, 박막이기 때문에 도포 직후의 도포 불량을 조사할 수단이 없어, 통상은 현상 후에 결함이 될 때까지 불량을 검지할 수 없다. IR 방식의 농도 모니터로 처리 가스의 도포 상황을 파악하는 방법이 있지만, 장치 구성이 복잡해져 고가이고 또한 처리 가스의 도포 상황을 고정밀도로 판정하는 것이 곤란하였다. 이 점, 공기 및 HMDS 가스 공급 후의 상대 습도를 취득함으로써, 간이한 구성에 의해 공기가 과도하게 공급되어 처리 가스가 적절하게 도포되어 있지 않은 것 등을 고정밀도로 검지할 수 있다. 즉, 본 실시 형태에 따른 소수화 처리 유닛(U5)에 의하면, 간이한 구성에 의해 웨이퍼(W) 표면의 소수화 처리에 있어서의 이상 처리를 소수화 처리 공정에 있어서 적절하게 검지할 수 있다. 이에 의해, 간이한 구성에 의해 소수화 처리 후의 레지스트막의 형성 등의 처리가 적절하게 행해지지 않는 것 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
소수화 처리 유닛(U5)은 소수화 처리 유닛(U5) 내의 상대 습도를 측정하는 습도 센서(50)를 추가로 구비하고, 컨트롤러(100)는 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도를 취득하는 것을 추가로 실행하도록 구성되어 있으며, 취득한 상대 습도에 기초하여 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다. 이에 의해, 소수화 처리 유닛(U5) 내의 상대 습도를 확실하게 또한 용이하게 취득하여, 이상 처리를 보다 적절하게 검지할 수 있다.
컨트롤러(100)는 처리 용기(21)에 있어서의 처리가 정상으로 행해진 경우의 상대 습도를 정해 데이터로 하여 당해 정해 데이터와 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도를 대비함으로써, 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다. 이러한 정해 데이터를 이용함으로써, 이상 처리를 고정밀도로 또한 용이하게 검지할 수 있다.
소수화 처리 유닛(U5)은 처리 용기(21) 내의 가스를 외부로 배출하는 배기관(40)을 추가로 구비하고, 습도 센서(50)는 배기관(40)에 마련되어 있다. 배기관(40)에 있어서 상대 습도가 측정됨으로써, 처리 용기(21) 내에 공급되는 공기 및 HMDS 가스의 쌍방이 포함된 가스(공기 및 HMDS 가스가 합류한 후의 가스)의 상대 습도를 적절하게 취득할 수 있다. 이에 의해, 이상 처리를 보다 적절하게 검지할 수 있다.
습도 센서(50)는 소수화 처리 유닛(U5) 내의 온도를 측정하는 기능을 가지고, 컨트롤러(100)는 습도 센서(50)에 의해 측정된 온도를 고려하여 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도의 값을 변환하고, 당해 변환 후의 상대 습도에 따라 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다. 상대 습도는 온도 환경에 따라 변화하는 바, 온도를 고려하여 상대 습도의 값을 변환함으로써 이상 처리를 보다 적절하게 검지할 수 있다.
습도 센서(50)는 정전 용량식의 습도 센서이다. 이에 의해 상대 습도를 적절하게 측정할 수 있다.
컨트롤러(100)는 처리 용기(21)를 개방함으로써 처리 용기에 공기를 공급하도록 개폐부(60)를 제어하는 것과, 개폐부(60)에 의한 공기의 공급이 종료된 후에 HMDS 가스를 공급하도록 가스 공급부(30)를 제어하는 것을 추가로 실행하도록 구성되어 있다. 이에 의해, 소수화 처리에 있어서 공기의 공급 및 HMDS 가스의 공급을 적절하게 행할 수 있고, 상대 습도를 적절하게 취득하여 나아가서는 이상 처리의 검지를 적절하게 행할 수 있다.
컨트롤러(100)는, 가스 공급부(30)에 의한 HMDS 가스의 공급 후에 있어서 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도인 처리 가스 공급 습도를 취득하고, 처리 가스 공급 습도에 따라, 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다. HMDS 가스는 공기보다 상대 습도가 낮기 때문에, 정상적으로 처리가 행해지고 있는 경우에는 처리 가스 공급 습도는 HMDS 가스 공급 전의 습도보다 낮아진다. 이 때문에, 예를 들면 처리 가스 공급 습도가 HMDS 가스 공급 전의 습도와 비교하여 낮게 되어 있지 않은 등의 경우에는, 처리가 이상이라고 검지할 수 있다.
가스 공급부(30)는, HMDS 가스의 공급 후에, HMDS 가스를 퍼지하기 위하여 공기 및 HMDS 가스보다 상대 습도가 낮은 퍼지용 가스인 질소 가스를 공급하고, 컨트롤러(100)는 HMDS 가스의 공급이 종료된 후에 퍼지용 가스인 질소 가스를 공급하도록 가스 공급부(30)를 제어하는 것을 추가로 실행하도록 구성되어 있다. 이에 의해, 소수화 처리 후의 HMDS 가스를 적절하게 퍼지할 수 있어, 다음 번의 소수화 처리를 적절하게 행할 수 있다.
컨트롤러(100)는 가스 공급부(30)에 의한 퍼지용 가스인 질소 가스의 공급 후에 있어서 습도 센서(50)에 의해 측정된 상대 습도인 퍼지용 가스 공급 습도를 취득하고, 퍼지용 가스 공급 습도에 따라 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정한다. 퍼지용 가스는, 공기 및 HMDS 가스와 비교하여 상대 습도가 현저하게 낮기 때문에, 정상적으로 처리가 행해지고 있는 경우에는 퍼지용 가스 공급 습도는 퍼지용 가스 공급 전의 습도보다 현저하게 낮아지며, 예를 들면 0%가 된다. 이 때문에, 예를 들면 퍼지용 가스 공급 습도가 0%로 되어 있지 않은 등의 경우에는, 처리가 이상이라고 검지할 수 있다.
예를 들면 도 12의 (a)에 나타내는 바와 같이, 처리 용기(21)의 개구를 덮는 위치에 덮개체(22)가 배치된 상태에 있어서, 어떠한 이유에 의해 덮개체(22)가 적정하게 닫혀 있지 않고 편측 상승 상태로 되어 있었다고 가정한다. 이 경우에는, 처리 용기(21)에 유입되는 공기가 증가하게 된다. 도 12의 (b)는 덮개체(22)가 편측 상승 상태로 되어 있는 경우에 측정되는 상대 습도를 나타내고 있다. 도 12의 (b)에 나타내는 바와 같이, 편측 상승 상태로 되어 있는 경우에는 처리 용기(21)로의 공기의 유입량이 증가하기 때문에, 퍼지용 가스 공급 습도가 10% 정도이고, 0%로부터는 크게 괴리된 값이 되어 있다. 이 때문에, 컨트롤러(100)는 편측 상승 상태로 되어 있는 경우에 있어서 퍼지용 가스 공급 습도로부터 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 검출할 수 있다.
또한, 본 발명자들은, 편측 상승 높이가 어느 정도가 되면 퍼지용 가스 공급 습도로부터 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 검출하는가에 대하여 실험을 행하였다. 도 13의 (a) ∼ (c)는, 열판(21c)의 온도를 180℃로 하여 퍼지용 가스 공급 습도의 측정을 행하고, 상대 습도의 값을 25℃ 환경하로 변환한 결과를 나타내고 있다. 도 13의 (a)에 나타낸, 편측 상승 높이가 1.5 mm인 경우에는, 퍼지용 가스 공급 습도만으로부터 이상을 검출하는 것은 어려웠지만, 도 13의 (b)에 나타낸 편측 상승 높이가 2.5 mm인 경우 및 도 13의 (c)에 나타낸 편측 상승 높이가 4.5 mm인 경우에는, 퍼지용 가스 공급 습도가 0%보다 커져, 퍼지용 가스 공급 습도로부터 처리의 이상을 검출할 수 있었다.
또한, 예를 들면 도 14의 (a)에 나타내는 바와 같이, 처리 용기(21)에 대하여 덮개체(22)가 적정하게 닫혀 있는 경우에 있어서 어떠한 이유에 의해 배기압이 커져 간극(G)으로부터 유입되는 공기가 증가하고 있었다고 가정한다. 도 14의 (b)는, 예를 들면, 통상 0.45 kPa인 배기압이 0.75 kPa가 된 경우에 측정되는 상대 습도를 나타내고 있다. 도 14의 (b)에 나타내는 바와 같이, 배기압이 커져 있는 경우에는, 퍼지용 가스 공급 습도가 4% 정도이고, 0%로부터는 크게 괴리된 값이 되어 있다. 이 때문에, 컨트롤러(100)는, 배기압이 커져 있는 경우에 있어서 퍼지용 가스 공급 습도로부터 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 검출할 수 있다.
이상, 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 습도 센서(50)는 배기관(40)에 마련된다고 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 습도 센서는, 제 1 가스(예를 들면 공기) 및 제 2 가스(예를 들면 HMDS 가스)의 쌍방이 포함되는 가스의 상대 습도를 측정할 수 있으면, 처리 용기 내에 마련되어 있어도 된다.
또한, 습도 센서(50)가 온도 측정 기능을 가지고 있다고 설명하였지만, 습도 센서는 온도 측정 기능을 가지고 있지 않고 상대 습도만을 측정하는 것이어도 된다. 이 경우, 습도 센서와는 별체로 온도 센서가 마련되어 있어도 된다.
또한, 가스 공급부(30)가 처리 가스인 HMDS 가스 및 퍼지용 가스인 질소 가스의 쌍방을 공급한다고 설명하였지만, 이들을 공급하는 기구가 별체로 마련되어 있어도 된다.
또한, 소수화 처리를 행하는 소수화 처리 유닛(U5)에 응용하는 예를 설명하였지만 이에 한정되지 않고, 본 개시는 기판을 수용하는 처리 용기에 대하여 서로 상대 습도가 상이한 복수의 가스를 공급하는 다양한 장치, 예를 들면 저산소 농도의 오븐 또는 UV조사 유닛 등에도 응용할 수 있다.
또한, 컨트롤러(100)가 상대 습도에 기초하여 처리 용기(21)에 있어서의 가스의 상태를 판정하는 것의 일례로서, 처리 용기(21)에 있어서의 처리의 이상을 판정하는 예를 설명하였지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 제어부는 제 1 공급부에 의한 제 1 가스의 공급 및 제 2 공급부에 의한 제 2 가스의 공급이 행해진 후의 상대 습도에 기초하여 처리 용기에 있어서의 가스의 농도를 판정해도 된다. 이 경우, 예를 들면 제어부는, 상대 습도와 제 1 가스 및 제 2 가스의 농도의 조합을 대응시킨 습도·농도 테이블에 기초하여, 측정된 상대 습도로부터, 처리 용기에 있어서의 가스의 농도(제 1 가스 및 제 2 가스 각각의 농도)를 판정해도 된다. 또한, 제어부는, 상대 습도와 제 1 가스 및 제 2 가스의 일방의 농도를 대응시킨 습도·농도 테이블에 기초하여, 측정된 상대 습도로부터, 처리 용기에 있어서의 상기 일방의 가스의 농도를 판정해도 된다.
2 : 도포·현상 장치(기판 처리 장치)
21 : 처리 용기
30 : 가스 공급부(제 2 공급부, 퍼지용 가스 공급부)
40 : 배기관
50 : 습도 센서(습도 측정부, 온도 측정부)
60 : 개폐부(제 1 공급부)
100 : 컨트롤러(제어부)
W : 웨이퍼(기판)

Claims (14)

  1. 처리 대상의 기판을 수용하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기에 제 1 가스를 공급하는 제 1 공급부와,
    상기 처리 용기에 상기 제 1 가스와는 상대 습도가 상이한 제 2 가스를 공급하는 제 2 공급부와,
    제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 제 1 공급부에 의한 상기 제 1 가스의 공급 및 상기 제 2 공급부에 의한 상기 제 2 가스의 공급이 행해진 후의 상대 습도에 기초하여, 상기 처리 용기에 있어서의 가스의 상태를 판정하는 것을 실행하도록 구성되어 있으며,
    상기 가스의 상태는 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스의 공급 비율을 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치 내의 상대 습도를 측정하는 습도 측정부를 더 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 습도 측정부에 의해 측정된 상대 습도를 취득하는 것을 추가로 실행하도록 구성되어 있고,
    취득한 상대 습도에 기초하여 상기 처리 용기에 있어서의 처리의 이상을 판정하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 처리 용기에 있어서의 처리가 정상으로 행해진 경우의 상대 습도를 정해 데이터로 하여, 상기 정해 데이터와 상기 습도 측정부에 의해 측정된 상대 습도를 대비함으로써 상기 처리 용기에 있어서의 처리의 이상을 판정하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 처리 용기 내의 가스를 외부로 배출하는 배기관을 더 구비하고,
    상기 습도 측정부는 상기 배기관에 마련되어 있는, 기판 처리 장치.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치 내의 온도를 측정하는 온도 측정부를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 온도 측정부에 의해 측정된 온도를 고려하여, 상기 습도 측정부에 의해 측정된 상대 습도의 값을 변환하고 상기 변환 후의 상대 습도에 따라 상기 처리 용기에 있어서의 처리의 이상을 판정하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 습도 측정부는 정전 용량식의 습도 센서인, 기판 처리 장치.
  7. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 공급부는 상기 제 1 가스로서 공기를 공급하고,
    상기 제 2 공급부는, 상기 제 2 가스로서, 상기 기판의 표면의 소수화를 위한 처리 가스를 공급하는, 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 처리 용기를 개방함으로써 상기 처리 용기에 상기 공기를 공급하도록 상기 제 1 공급부를 제어하는 것과,
    상기 제 1 공급부에 의한 상기 공기의 공급이 종료된 후에 상기 처리 가스를 공급하도록 상기 제 2 공급부를 제어하는 것을 추가로 실행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 제 2 공급부에 의한 상기 처리 가스의 공급 후에 있어서 상기 습도 측정부에 의해 측정된 상대 습도인 처리 가스 공급 습도를 취득하고,
    상기 처리 가스 공급 습도에 따라, 상기 처리 용기에 있어서의 처리의 이상을 판정하는, 기판 처리 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 공급부에 의한 상기 처리 가스의 공급 후에, 상기 처리 가스를 퍼지하기 위하여, 상기 공기 및 상기 처리 가스보다 상대 습도가 낮은 퍼지용 가스를 공급하는 퍼지용 가스 공급부를 더 구비하고,
    상기 제어부는 상기 제 2 공급부에 의한 상기 처리 가스의 공급이 종료된 후에 상기 퍼지용 가스를 공급하도록 상기 퍼지용 가스 공급부를 제어하는 것을 추가로 실행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 퍼지용 가스 공급부에 의한 상기 퍼지용 가스의 공급 후에 있어서 상기 습도 측정부에 의해 측정된 상대 습도인 퍼지용 가스 공급 습도를 취득하고,
    상기 퍼지용 가스 공급 습도에 따라 상기 처리 용기에 있어서의 처리의 이상을 판정하는, 기판 처리 장치.
  12. 처리 대상의 기판을 수용하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기에 제 1 가스를 공급하는 제 1 공급부와,
    상기 처리 용기에 상기 제 1 가스와는 상대 습도가 상이한 제 2 가스를 공급하는 제 2 공급부와,
    제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 제 1 공급부에 의한 상기 제 1 가스의 공급 및 상기 제 2 공급부에 의한 상기 제 2 가스의 공급이 행해진 후의 상대 습도에 기초하여, 상기 처리 용기에 있어서의 가스의 농도를 판정하는, 기판 처리 장치.
  13. 기판 처리 장치가 행하는 기판 처리 방법으로서,
    처리 대상의 기판을 수용하는 처리 용기에 제 1 가스를 공급하는 것과,
    상기 처리 용기에 상기 제 1 가스와는 상대 습도가 상이한 제 2 가스를 공급하는 것과,
    상기 제 1 가스의 공급 및 상기 제 2 가스의 공급이 행해진 후의 상대 습도에 기초하여, 상기 처리 용기에 있어서의 가스의 상태를 판정하는 것을 포함하고, 상기 가스의 상태는 상기 제 1 가스 및 상기 제 2 가스의 공급 비율을 포함하는 기판 처리 방법.
  14. 기판 처리 장치가 행하는 기판 처리 방법으로서,
    처리 대상의 기판을 수용하는 처리 용기에 제 1 가스를 공급하는 것과,
    상기 처리 용기에 상기 제 1 가스와는 상대 습도가 상이한 제 2 가스를 공급하는 것과,
    상기 제 1 가스의 공급 및 상기 제 2 가스의 공급이 행해진 후의 상대 습도에 기초하여, 상기 처리 용기에 있어서의 가스의 농도를 판정하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
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