JP3504863B2 - レジスト塗布方法及び基板処理装置 - Google Patents

レジスト塗布方法及び基板処理装置

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JP3504863B2 JP24114498A JP24114498A JP3504863B2 JP 3504863 B2 JP3504863 B2 JP 3504863B2 JP 24114498 A JP24114498 A JP 24114498A JP 24114498 A JP24114498 A JP 24114498A JP 3504863 B2 JP3504863 B2 JP 3504863B2
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【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板に対してレジ
スト液を塗布するレジスト塗布方法及び基板処理装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造のフォトレジスト工
程においては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称す
る。）等の表面にレジスト膜を形成するためのレジスト
塗布工程が行われている。このレジスト塗布工程では，
スピンチャックに真空吸着されたウェハに所定量のレジ
スト液を供給してこのウェハを回転させ，遠心力によっ
てレジスト液を拡散させることで，所定の膜厚のレジス
ト膜を形成している。かかるレジスト塗布工程は，塗布
現像処理装置内に例えば２台備えられたレジスト塗布装
置によって行われている。
【０００３】ところで，レジスト膜は温湿度の変化に対
して非常に敏感であるため，所定の厚さのレジスト膜を
形成するには各レジスト塗布装置を所定の温湿度に調整
することが必要であった。そのため従来では，気体供給
源から供給される気体を温湿度調整装置で所定の温湿度
に調整し，この気体を各レジスト塗布装置に分岐させて
供給していた。そしてこのように，各レジスト塗布装置
に対して同一の気体が供給されることにより，各レジス
ト塗布装置の温湿度が同一の温湿度になるとみなし，一
のレジスト塗布装置に取り付けられた温湿度センサが検
出する温湿度に基づいて温湿度調整装置を制御するよう
にしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，各レジ
スト塗布装置近傍には加熱処理装置や冷却処理装置等の
熱処理装置が配置されており，これらの熱処理装置から
発せられる熱の影響が各レジスト塗布装置に及ぶ場合が
あった。従って，上述したように同一の気体が各レジス
ト塗布装置に対して供給されても，各レジスト塗布装置
内の温湿度が各々異なってしまう場合があった。そして
この場合，上記手順で温湿度調整装置を制御すると，他
のレジスト塗布装置内の温湿度が所定の温湿度に調整さ
れなくなり，レジスト膜が所定の膜厚で形成できなくな
るおそれが生じる。
【０００５】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり，複数のレジスト塗布装置を用いてレジスト塗
布するにあたり，各レジスト塗布装置で塗布されるレジ
スト膜にばらつきが発生することを防止する，レジスト
塗布方法及びウェハ等の基板処理装置を提供することを
目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，請求項１によれば，基板に対してレジスト液を供給
してレジスト膜を形成する複数のレジスト塗布装置と，
前記複数のレジスト塗布装置に対して気体を供給する気
体供給装置と，前記気体供給装置からの気体の温湿度を
調整する温湿度調整装置と，各レジスト塗布装置内の温
湿度を検出する温湿度検出手段とを用い，前記温湿度検
出手段によって検出した温湿度に基づいて温湿度調整装
置を制御し，所定の温湿度に調整した気体を各レジスト
塗布装置内に供給してレジストを塗布する方法であっ
て，各温湿度検出手段のうちの一の温湿度検出手段を基
準温湿度検出手段とみなして，当該基準温湿度検出手段
によって検出した基準温湿度のみに基づいて温湿度調整
装置を制御し，他の温湿度検出手段によって検出される
温湿度と前記基準温湿度との差が所定値を超えた場合に
は，少なくとも他の温湿度検出手段が検出するレジスト
塗布装置でのレジスト塗布を中止することを特徴とす
る，レジスト塗布方法が提供される。
【０００７】請求項１に記載のレジスト塗布方法にあっ
ては，基準温湿度に基づいて温湿度調整装置を制御する
ために，一のレジスト塗布装置の温湿度が所定の温湿度
に維持される。従って，一のレジスト塗布装置ではレジ
スト膜を所定の膜厚で形成することができる。そして，
基準温湿度と他の温湿度検出手段で検出された温湿度と
の差が所定値以内であれば，他のレジスト塗布装置では
レジスト膜を支障のない範囲での膜厚で形成することが
できる。また，他の温湿度検出手段で検出された温湿度
が基準温湿度から所定値以上ずれた場合は少なくとも他
のレジスト塗布装置を停止させるために，レジスト膜の
膜厚が不良な基板を生産することがない。
【０００８】請求項２によれば，基板に対してレジスト
液を供給してレジスト膜を形成する複数のレジスト塗布
装置と，前記複数のレジスト塗布装置に対して気体を供
給する気体供給装置と，前記気体供給装置からの気体の
温湿度を調整する温湿度調整装置と，各レジスト塗布装
置内の温湿度を検出する温湿度検出手段とを用い，前記
温湿度検出手段によって検出した温湿度に基づいて温湿
度調整装置を制御し，所定の温湿度に調整した気体を各
レジスト塗布装置内に供給してレジストを塗布する方法
であって，各温湿度検出手段のうちの一の温湿度検出手
段を基準温湿度検出手段とみなして，当該基準温湿度検
出手段によって検出した基準温湿度のみに基づいて温湿
度調整装置を制御し，他の温湿度調整装置によって検出
される温湿度と前記基準温湿度との差が所定値を超えた
場合には，当該他の温湿度検出手段が設けられているレ
ジスト塗布装置において，供給するレジスト液の温度を
制御することを特徴とする，レジスト塗布方法が提供さ
れる。
【０００９】請求項２に記載のレジスト塗布方法にあっ
ては，基準温湿度に基づいてレジスト塗布装置の温湿度
を制御するために，一のレジスト塗布装置の温湿度が所
定の温湿度に維持される。従って，一のレジスト塗布装
置では所定の膜厚のレジスト膜を形成することができ
る。そして，基準温湿度と他の温湿度検出手段で検出さ
れた温湿度との差が所定値以内の場合には，請求項１と
同様に，他のレジスト塗布装置ではレジスト膜を支障の
ない範囲での膜厚で形成することができる。また，他の
温湿度検出手段で検出された温湿度が基準温湿度から所
定値以上ずれた場合は，基板に供給するレジスト液の温
度を調整する。従って，レジスト膜の膜厚をレジスト液
の点から制御することができ，他のレジスト塗布装置で
も所定の膜厚のレジスト膜の形成処理が行える。さら
に，他のレジスト塗布装置を停止させないために，請求
項１よりも，基板の処理枚数が増加する。
【００１０】請求項３によれば，基板に対してレジスト
液を供給しかつ当該基板を回転させて基板上にレジスト
膜を形成する複数のレジスト塗布装置と，前記複数のレ
ジスト塗布装置に対して気体を供給する気体供給装置
と，前記気体供給装置からの気体の温湿度を調整する温
湿度調整装置と，各レジスト塗布装置内の温湿度を検出
する温湿度検出手段とを用い，前記温湿度検出手段によ
って検出した温湿度に基づいて温湿度調整装置を制御
し，所定の温湿度に調整した気体を各レジスト塗布装置
内に供給してレジストを塗布する方法であって，各温湿
度検出手段のうちの一の温湿度検出手段を基準温湿度検
出手段とみなして，当該基準温湿度検出手段によって検
出した基準温湿度のみに基づいて温湿度調整装置を制御
し，他の温湿度検出手段によって検出される温湿度と前
記基準温湿度との差異が所定値を超えた場合には，当該
他の温湿度検出手段が設けられているレジスト塗布装置
において，基板の回転速度を制御することを特徴とす
る，レジスト塗布方法が提供される。
【００１１】請求項３に記載のレジスト塗布方法にあっ
ては，一のレジスト塗布装置の温湿度が所定の温湿度に
維持されるために，一のレジスト塗布装置では所定の膜
厚のレジスト膜を形成することができる。他のレジスト
塗布装置の温湿度が一のレジスト塗布装置の温湿度から
所定値以内である場合には，他のレジスト塗布装置では
支障のない範囲内の膜厚を有する塗布処理が行える。ま
た，他のレジスト塗布装置の温湿度が一のレジスト塗布
装置の温湿度から所定値以上ずれた場合には，他のレジ
スト塗布装置における基板の回転速度を制御することに
よりレジスト膜の膜厚を制御する。従って，他のレジス
ト塗布装置内の温湿度が好適な温湿度に調整されていな
くても，所定の膜厚のレジスト膜を形成することが可能
になる。また請求項２と同様に，他のレジスト塗布装置
が停止しないために，請求項１よりも基板の処理枚数が
増加する。
【００１２】さらに請求項１，２または３に記載のレジ
スト塗布方法において，請求項４のように，基準温湿度
検出手段からの温湿度に基づいて温湿度調整装置を制御
するにあたっては，無線信号によって制御信号を送信す
るようにするとよい。請求項４に記載のレジスト塗布方
法にあっては，温湿度調整装置の人為的な調整が不要と
なり，かつ機器，装置のレイアウトに制約を受けずに温
湿度調整装置の遠隔操作が可能になる。
【００１３】なお，前記各請求項でいうところの「所定
値」とは，許容できる膜厚差内に収まる温湿度の最大値
をいう。請求項５の発明によれば，基板に所定の処理を
施す複数の処理装置と，前記複数の処理装置に対して気
体を供給する気体供給装置と，前記気体供給装置からの
気体の温湿度を調整する温湿度調整装置と，各処理装置
内の温湿度を検出する温湿度検出手段と，各温湿度検出
手段のうちの一の温湿度検出手段を基準温湿度検出手段
とみなして，当該基準温湿度検出手段によって検出した
基準温湿度のみに基づいて温湿度調整装置を制御し，他
の温湿度検出手段によって検出される温湿度と前記基準
温湿度との差が所定値を超えた場合には，少なくとも他
の温湿度検出手段が検出する処理装置での所定の処理を
中止するように制御する制御装置と，を具備することを
特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下，添付図面に基づき本発明の
実施の形態について例を挙げて説明する。図１〜図３は
本実施の形態にかかるレジスト塗布方法を実施するため
のレジスト塗布装置が組み込まれた塗布現像処理装置の
概観を示し，図１は平面，図２は正面，図３は背面から
見た様子を示している。
【００１５】この塗布現像処理装置１は図１に示すよう
に，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から
塗布現像処理装置１に対して搬入出したり，カセットＣ
に対してウェハＷを搬入出したりするためのカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られる露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡
しをするためのインターフェイス部４とを一体に接続し
た構成を有している。
【００１６】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に
例えば４個の各カセットＣがウェハＷの出入口を処理ス
テーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一
列に載置自在である。そして，このカセット配列方向
（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウェハＷのウェ
ハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬
送体１５が搬送路１５ａに沿って移動自在であり，各カ
セットＣに対して選択的にアクセスできるようになって
いる。
【００１７】ウェハ搬送体１５はθ方向にも回転自在に
構成されており，後述するように処理ステーション３側
の第３の処理装置群Ｇ3の多段ユニット部に属するアラ
イメントユニット３２及びエクステンションユニット３
３に対してもアクセスできるように構成されている。
【００１８】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置２０が配置されており，その周囲には各種処理
装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。塗
布現像処理装置１においては，５つの処理装置群Ｇ1，
Ｇ2，Ｇ3，Ｇ4，Ｇ5が配置可能であり，第１及び第２の
処理装置群Ｇ1，Ｇ2は塗布現像処理装置１の正面側に配
置されており，第３の処理装置群Ｇ3はカセットステー
ション２に隣接して配置されており，第４の処理装置群
Ｇ4はインターフェイス部４に隣接して配置されてお
り，破線で示した第５の処理装置群Ｇ5は背面側に配置
されている。
【００１９】第１の処理装置群Ｇ1では図２に示すよう
に，２台のスピンナ型処理装置，例えば後述するレジス
ト塗布装置２１と，現像処理装置２２とが下から順に２
段に積み重ねられている。第２の処理装置群Ｇ2におい
ても同様に，２台のスピンナ型処理装置，例えばレジス
ト塗布装置２３及び現像処理装置２４が，第１の処理装
置群Ｇ1と同様に，下から順に２段に積み重ねられてい
る。
【００２０】第３の処理装置群Ｇ3では図３に示すよう
に，ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を施すオーブ
ン型の処理装置，例えば冷却処理を行う冷却処理装置３
０，レジストとウェハＷとの定着性を高めるための疎水
化処理装置３１，ウェハＷの位置合わせを行うアライメ
ント装置３２，ウェハＷを待機させるエクステンション
装置３３，露光処理前の加熱処理を行うプリベーキング
装置３４，３４及び現像処理後の加熱処理を施すポスト
ベーキング装置３５，３５等が下から順に例えば８段に
重ねられている。
【００２１】第４の処理装置群Ｇ4では，例えば冷却処
理装置３０，ウェハＷを自然冷却させるエクステンショ
ン冷却装置３６，エクステンション装置３３，冷却処理
装置３０，プリベーキング装置３４，３４，ポストベー
キング装置３５，３５等が下から順に例えば８段に積み
重ねられている。
【００２２】インタフェイス部４の中央部にはウェハ搬
送体３７が設けられている。このウェハ搬送体３７はＸ
方向，Ｚ方向（垂直方向）の移動及びθ方向の回転が自
在にできるように構成されており，第４の処理装置群Ｇ
4に属するエクステンションユニット３３や露光装置
（図示せず）側のウェハ受け渡し台（図示せず）にもア
クセスできるように構成されている。
【００２３】塗布現像処理装置１は以上のように構成さ
れている。次に，塗布現像処理装置１に組み込まれたレ
ジスト塗布装置２１，２３について説明する。なお，レ
ジスト塗布装置２１及びレジスト塗布装置２３は同一の
構成を有するために，レジスト塗布装置２１の構成につ
いて以下に説明する。
【００２４】レジスト塗布装置２１は図４に示すよう
に，ウェハＷを収納するカップ５０と，ウェハＷをカッ
プ５０内で真空吸着しかつモータ５２によって回転する
スピンチャック５１とを備えている。
【００２５】カップ５０の上方にはノズルホルダ５５が
備えられており，ノズルホルダ５５にはウェハＷに対し
てレジスト液を供給するレジスト液供給ノズル５６とレ
ジスト液の溶剤（以下，「溶剤」という。）を供給する
溶剤供給ノズル５７とが夫々設けられている。
【００２６】レジスト液供給ノズル５６には，外部に設
けられたレジスト液タンク５８からレジスト液供給チュ
ーブ５９を通じてレジスト液が供給されるようになって
いる。このレジスト液供給チューブ５９には途中にフィ
ルタ６０が介装されており，レジスト液中の不純物が除
去されるようになっている。また，レジスト液の供給は
ベローズポンプ６１で行われており，一定量のレジスト
液がレジスト液供給ノズル５６からウェハＷに対して吐
出されるように構成されている。
【００２７】ノズルホルダ５５には，例えば所定温度に
調整された水等の温度調節流体が循環するチューブから
なる往路６２ａ及び復路６２ｂが設けられており，往路
６２ａを通じて外部から供給される温度調節流体を往路
６２ａから復路６２ｂに流通させることで，レジスト液
供給チューブ５９内を流れるレジスト液を一定温度に保
ち，ウェハＷに対して吐出されるレジスト液が常に所定
温度となるように構成されている。なお，温度調節流体
の温度管理は制御装置５３で制御される調整器６３によ
り行われている。
【００２８】一方，溶剤供給ノズル５７には溶剤を貯留
する溶剤タンク６４から溶剤供給チューブ６５を通じて
溶剤が供給されるように構成されており，溶剤供給チュ
ーブ６５に取り付けられたポンプ６６によって，一定量
の溶剤が供給されるように構成されている。また，溶剤
を所定温度に維持するために，温度調節流体が流通する
チューブからなる往路６７ａと復路６７ｂとが設けられ
ており，温度調整用流体の温度は，制御装置５３により
制御される調整器６８によって調整可能である。従っ
て，上述のレジスト液の場合と同様に，溶剤もウェハＷ
に対して所定温度で吐出されるように構成されている。
【００２９】なお，レジスト液供給ノズル５６と溶剤供
給ノズル５７とを具備したノズルホルダ５５はアーム６
９に保持されており，アーム６９は走査機構７０により
三次元移動自在に構成されている。従って，ノズルホル
ダ５５は待機位置とウェハＷ上の所定位置との間を移動
することができるようになっている。また，レジスト液
供給ノズル５６から吐出されるレジスト液や溶剤供給ノ
ズル５７から吐出される溶剤は，カップ５０の底部に設
けられた排液管７１を通じて，カップ５０下方に設置さ
れているドレインタンク７２へと排出される。
【００３０】レジスト塗布装置２１の上部にはチャンバ
７５が形成されており，チャンバ７５内には温湿度調整
装置７６で温湿度調整された後にフィルタ７７で清浄化
された空気が給気されるようになっている。そしてチャ
ンバ７５に給気された空気はチャンバ７５の吐出口から
カップ５０内に対して吐出され，その後別設の排気口７
８から排気されるようになっている。
【００３１】そして，カップ５０の上部には温湿度セン
サ８０が取り付けられており，レジスト塗布装置２１内
部の温湿度を検出できるように構成されている。そし
て，温湿度センサ８０により検出されたレジスト塗布装
置２１内の温湿度は制御装置５３に伝達されるようにな
っている。
【００３２】なお，レジスト塗布装置２３にはレジスト
塗布装置２１と同一の機能及び構成を有する調整器８
３，モータ８４，チャンバ８５及び温湿度センサ９０が
それぞれ具備されている。そして図５に示すように，温
湿度調整装置７６で温湿度が調整された空気は，管９１
を通じてレジスト塗布装置２１のチャンバ７５に給気さ
れる空気と，分岐管９２を通じてレジスト塗布装置２３
のチャンバ８５とにそれぞれ分岐される。従って，各レ
ジスト塗布装置２１，２３内には同一の温湿度の空気が
導入される。なお，各レジスト塗布装置２１，２３内の
温湿度はレジスト膜に影響を与えない温湿度，例えば２
３℃，４０％となるように設定されている。
【００３３】レジスト塗布装置２１，２３は以上のよう
に構成されている。次に，レジスト塗布装置２１，２３
を使用したレジスト塗布方法の作用及び効果について説
明する。
【００３４】疎水化処理装置３１において疎水化処理の
終了したウェハＷは，主搬送装置２０で冷却処理装置３
０に搬送されて冷却処理が施される。冷却処理装置３０
で所定の冷却処理が終了したウェハＷは主搬送装置２０
によって，レジスト塗布装置２１に搬送される。その
後，ウェハＷはレジスト塗布装置２１内のスピンチャッ
ク５１に真空吸着された状態で回転する。
【００３５】次いで，溶剤供給ノズル５７から所定温度
に調整された一定量の溶剤を回転するウェハＷに対して
供給してウェハＷ上に溶剤を拡散させた後，レジスト液
供給ノズル５６から所定温度に調整された一定量のレジ
スト液を回転するウェハＷに塗布して，ウェハＷ上に所
定の厚さのレジスト膜を形成する。なお，レジスト塗布
装置２３においてもレジスト塗布装置２１と同様な手順
でレジスト膜が形成される。
【００３６】ここで，各レジスト塗布装置２１，２３に
おいて所定の膜厚のレジスト膜を形成するために，各レ
ジスト塗布装置の温湿度を等しく調整しなければならな
いが，各レジスト塗布装置２１，２３の近傍には処理温
度の高いポストベーキング装置３５等の加熱系処理装置
や処理温度の低い冷却処理装置３０等の冷却系処理装置
が配置されているために，レジスト塗布装置２１，２３
に同一の空気を分岐させて供給しても，これらの加熱系
処理装置や冷却系処理装置から発せられる熱の影響で各
レジスト塗布装置２１，２３内の温湿度がそれぞれ変化
してしまうおそれが生じる。
【００３７】そこで本実施の形態にかかるレジスト塗布
方法では，先ず温湿度センサ８０で検出されたレジスト
塗布装置２１内の温湿度を基準温湿度とし，この基準温
湿度に基づいて温湿度調整装置７６を制御する。そし
て，温湿度センサ８０で検出されたレジスト塗布装置２
１内の基準温湿度と，温湿度センサ９０で検出されたレ
ジスト塗布装置２３内の温湿度とを一定時間おきに制御
装置５３に対して出力する。
【００３８】次いで，制御装置５３は入力された各温湿
度に基づいて基準温湿度と温湿度センサ９０で検出され
た温湿度との差を算出する。そして，この差が例えば温
度が２３℃，湿度が４０％に設定された所定値よりも小
さい場合には各レジスト塗布装置２１，２３におけるレ
ジスト塗布処理をそのまま続行させる。しかし，この差
が前記所定値よりも大きい場合には，各レジスト塗布装
置２１，２３を停止させて，レジスト塗布処理を中止さ
せる。
【００３９】以上のように本実施の形態にかかるレジス
ト塗布方法では，温湿度センサ８０の検出する基準温湿
度に基づいて温湿度調整装置７６を制御するために，レ
ジスト塗布装置２１内の温湿度を所定の温湿度に調整す
ることができる。従って，レジスト塗布装置２１におい
て形成されるレジスト膜を所定の膜厚で形成することが
できる。
【００４０】一方レジスト塗布装置２３についていう
と，基準温湿度，即ちレジスト塗布装置２１の温湿度
と，温湿度センサ９０の検出するレジスト塗布装置２３
の温湿度との差が所定値を超えていない場合には，許容
範囲とみなしてそのまま処理を続行する。従って，レジ
スト塗布装置２３では膜厚不良なウェハＷを形成するこ
とがなく，歩留まりの低下を招くおそれがない。
【００４１】そして，基準温湿度と温湿度センサ９０の
検出する温湿度との差が所定値を超えている場合には，
レジスト塗布装置２１，２３を停止させるために，内部
が好適な温湿度に調整されていないレジスト塗布装置２
３でレジスト塗布処理を行うことがない。従って，レジ
スト塗布装置２３，即ち許容範囲を超えた温湿度雰囲気
で処理を実行しているレジスト塗布装置２３は停止す
る。その結果，膜厚不良なウェハＷを形成することを未
然に防ぐことができ，膜厚が所定の許容値を超えている
処理を防止して，歩留まり低下を防止することが可能で
ある。
【００４２】さらに本実施の形態にかかるレジスト塗布
方法では，制御装置５３が無線信号による制御信号を送
信することにより温湿度調整装置７６を調整するため
に，レジスト塗布装置２１と温湿度調整装置７６との距
離が離れていても，温湿度調整装置７６に対する人為的
な調整が不要であり，また装置，機器のレイアウトに制
限されずに遠隔操作が可能である。また従来のように，
作業者が一定時間おきに温湿度調整装置７６を調整する
必要がない。
【００４３】かくして，レジスト塗布装置２１，２３に
おけるレジスト液の塗布及びレジスト液の溶剤の供給が
終了したウェハＷは，その後，次の処理装置であるプリ
ベーキング装置３４に搬送される。
【００４４】なお，上記実施の形態では基準温湿度と温
湿度センサ９０の検出する温湿度との差が所定値を超え
ている場合には，レジスト塗布装置２１，２３を停止さ
せてレジスト塗布を中止する例を挙げて説明したが，レ
ジスト塗布装置２３のみを停止するようにしてもよい。
また，基準温湿度と温湿度センサ９０の検出する温湿度
との差が所定値を超えている場合には，レジスト塗布装
置２３に装備された調整器８３でレジスト液の温度を制
御するようにしてもよい。
【００４５】即ち，制御装置５３の算出した基準温湿度
と温湿度センサ９０による温湿度の差が所定値を超えて
いる場合には，制御装置５３からレジスト塗布装置２３
に装備された調整器８３に対して制御信号を出力する。
そして，温度調節流体の温度を調整器８３で調整するこ
とによりレジスト液の温度を制御する。
【００４６】かかる方法によれば，レジスト塗布装置２
３内の温湿度がレジスト塗布装置２１内の好適な温湿度
からずれていても，ウェハＷに供給するレジスト液の温
度を変化させることにより，レジスト塗布装置２３内で
形成されるレジスト膜を所定の膜厚で形成することが可
能となる。そして上記実施の形態のように各レジスト塗
布装置２１，２３を停止させることがないために，処理
枚数の向上を図ることが可能となる。
【００４７】またそのように，レジスト液の温度を制御
することに代えて，レジスト塗布装置２３に備えられた
モータ８４の回転数を制御するようにしてもよい。
【００４８】かかる方法によれば，レジスト塗布装置２
３におけるウェハＷの回転速度を制御して，レジストの
膜厚を調整することができる。従って，レジスト塗布装
置２３の温湿度センサ９０が検出する温湿度が基準温湿
度から所定値以上ずれていても，ウェハＷの回転速度を
変化させることにより，レジスト塗布装置２３内で所定
の膜厚のレジスト膜を形成することができる。また，各
レジスト塗布装置２１，２３を停止させることがないた
めに，ウェハ処理能力の向上を図ることが可能となる。
【００４９】なお，上記実施の形態では２台のレジスト
塗布装置２１，２３を使用してレジスト塗布を行う例を
挙げて説明したが，本発明ではかかる例には限定され
ず，３台以上のレジスト塗布装置を使用してレジスト塗
布を行う場合にも適用可能である。
【００５０】また，温湿度センサ８０が検出したレジス
ト塗布装置２１内の温湿度を基準温湿度としたが，これ
に代えて温湿度センサ９０が検出したレジスト塗布装置
２３内の温湿度を基準温湿度としてもよい。また，本発
明に使用可能な基板は上記実施の形態のようにウェハＷ
には限定されず，例えばＬＣＤ基板やＣＤ基板であって
もよい。
【００５１】
【発明の効果】請求項１及び５の発明によれば，複数の
レジスト塗布装置を使用してレジスト塗布処理を行う場
合，たとえ装置内の温湿度が区々になっても，それが許
容範囲内であればそのまま処理を続行し，許容範囲を超
えていれば，少なくとも当該許容範囲を超えている装置
での処理は中止される。従って，各レジスト塗布装置で
塗布されるレジスト膜の膜厚がばらつくのを防止でき，
膜厚に関して不良のある基板の発生を防止することがで
きる。
【００５２】請求項２，３の発明によれば，複数のレジ
スト塗布装置を使用してレジスト塗布処理を行う場合，
たとえ装置内の温湿度が区々になっても，それが許容範
囲内であればそのまま処理を続行し，許容範囲を超えて
いても，当該許容範囲を超えている装置でのレジスト液
の温度を調整したり（請求項２），基板の回転速度を調
整する（請求項３）ことで，所定の膜厚に制御すること
が可能である。従って，各レジスト塗布装置で塗布され
るレジスト膜の膜厚がばらつくことを防止することがで
きる。また，許容範囲を超えている装置があった場合で
も装置を停止しないので，請求項１よりも基板の処理能
力が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態にかかるレジスト塗布方法を実施す
るためのレジスト塗布装置を備えた塗布現像処理装置の
平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理装置の正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理装置の背面図である。
【図４】実施の形態にかかるレジスト塗布方法を実施す
るためのレジスト塗布装置の説明図である。
【図５】図１の塗布現像処理装置における各レジスト塗
布装置の構成を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理装置 ２１，２３ レジスト塗布装置 ５０ カップ ５１ スピンチャック ５２，８４ モータ ５３ 制御装置 ７５，８５ チャンバ ７６ 温湿度調整装置 ８０，９０ 温湿度センサ Ｗ ウェハ Ｃ カセット
フロントページの続き (72)発明者 飽本 正巳 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (56)参考文献 特開 平８−293457（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−43666（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−268418（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−139008（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 B05D 1/40 G03F 7/16 B05C 5/00 101

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板に対してレジスト液を供給してレジ
    スト膜を形成する複数のレジスト塗布装置と， 前記複数のレジスト塗布装置に対して気体を供給する気
    体供給装置と， 前記気体供給装置からの気体の温湿度を調整する温湿度
    調整装置と， 各レジスト塗布装置内の温湿度を検出する温湿度検出手
    段とを用い，前記温湿度検出手段によって検出した温湿
    度に基づいて温湿度調整装置を制御し，所定の温湿度に
    調整した気体を各レジスト塗布装置内に供給してレジス
    トを塗布する方法であって， 各温湿度検出手段のうちの一の温湿度検出手段を基準温
    湿度検出手段とみなして，当該基準温湿度検出手段によ
    って検出した基準温湿度のみに基づいて温湿度調整装置
    を制御し， 他の温湿度検出手段によって検出される温湿度と前記基
    準温湿度との差が所定値を超えた場合には，少なくとも
    他の温湿度検出手段が検出するレジスト塗布装置でのレ
    ジスト塗布を中止することを特徴とする，レジスト塗布
    方法。
  2. 【請求項２】 基板に対してレジスト液を供給してレジ
    スト膜を形成する複数のレジスト塗布装置と， 前記複数のレジスト塗布装置に対して気体を供給する気
    体供給装置と， 前記気体供給装置からの気体の温湿度を調整する温湿度
    調整装置と， 各レジスト塗布装置内の温湿度を検出する温湿度検出手
    段とを用い，前記温湿度検出手段によって検出した温湿
    度に基づいて温湿度調整装置を制御し，所定の温湿度に
    調整した気体を各レジスト塗布装置内に供給してレジス
    トを塗布する方法であって， 各温湿度検出手段のうちの一の温湿度検出手段を基準温
    湿度検出手段とみなして，当該基準温湿度検出手段によ
    って検出した基準温湿度のみに基づいて温湿度調整装置
    を制御し， 他の温湿度調整装置によって検出される温湿度と前記基
    準温湿度との差が所定値を超えた場合には，当該他の温
    湿度検出手段が設けられているレジスト塗布装置におい
    て，供給するレジスト液の温度を制御することを特徴と
    する，レジスト塗布方法。
  3. 【請求項３】 基板に対してレジスト液を供給しかつ当
    該基板を回転させて基板上にレジスト膜を形成する複数
    のレジスト塗布装置と， 前記複数のレジスト塗布装置に対して気体を供給する気
    体供給装置と， 前記気体供給装置からの気体の温湿度を調整する温湿度
    調整装置と， 各レジスト塗布装置内の温湿度を検出する温湿度検出手
    段とを用い，前記温湿度検出手段によって検出した温湿
    度に基づいて温湿度調整装置を制御し，所定の温湿度に
    調整した気体を各レジスト塗布装置内に供給してレジス
    トを塗布する方法であって， 各温湿度検出手段のうちの一の温湿度検出手段を基準温
    湿度検出手段とみなして，当該基準温湿度検出手段によ
    って検出した基準温湿度のみに基づいて温湿度調整装置
    を制御し， 他の温湿度検出手段によって検出される温湿度と前記基
    準温湿度との差異が所定値を超えた場合には，当該他の
    温湿度検出手段が設けられているレジスト塗布装置にお
    いて，基板の回転速度を制御することを特徴とする，レ
    ジスト塗布方法。
  4. 【請求項４】 基準温湿度検出手段からの温湿度に基づ
    いて温湿度調整装置を制御するにあたっては，無線信号
    によって制御信号を送信することを特徴とする，請求項
    １，２または３に記載のレジスト塗布方法。
  5. 【請求項５】 基板に所定の処理を施す複数の処理装置
    と， 前記複数の処理装置に対して気体を供給する気体供給装
    置と， 前記気体供給装置からの気体の温湿度を調整する温湿度
    調整装置と， 各処理装置内の温湿度を検出する温湿度検出手段と， 各温湿度検出手段のうちの一の温湿度検出手段を基準温
    湿度検出手段とみなして，当該基準温湿度検出手段によ
    って検出した基準温湿度のみに基づいて温湿度調整装置
    を制御し，他の温湿度検出手段によって検出される温湿
    度と前記基準温湿度との差が所定値を超えた場合には，
    少なくとも他の温湿度検出手段が検出する処理装置での
    所定の処理を中止するように制御する制御装置と，を具
    備することを特徴とする，基板処理装置。
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