JP2005064277A - 基板加熱装置および基板加熱方法 - Google Patents
基板加熱装置および基板加熱方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005064277A JP2005064277A JP2003293192A JP2003293192A JP2005064277A JP 2005064277 A JP2005064277 A JP 2005064277A JP 2003293192 A JP2003293192 A JP 2003293192A JP 2003293192 A JP2003293192 A JP 2003293192A JP 2005064277 A JP2005064277 A JP 2005064277A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- temperature
- gas
- exhaust
- substrate heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】 ウェハWの加熱処理時において、パージボックス91のガス供給空間91Sには、ヒートホースHT1により所定の温度に加熱されたN2 ガス(不活性ガス)が供給される。これにより、パージボックス91の複数の微細孔91HからN2 ガスが噴出され、ウェハW上の雰囲気が所定の温度のN2 ガスによりパージされる。一方、ウェハW上の雰囲気が排気ガスとしてガス導入路92SからヒートホースHT2、昇華物回収装置60および排気配管U2を通じて外部に排出される。排気ガスはヒートホースHT2により所定の温度に加熱されつつ排出される。
【選択図】 図1
Description
図1は、第1の実施の形態に係る基板加熱装置の一例を示す模式図である。第1の実施の形態に係る基板加熱装置100Aは、CPU(中央演算処理装置)10、メモリ20、プレート温度調整器30、ヒータ温度調整器40、昇華物回収装置60、エアシリンダ70、ホットプレートHP、チャンバCH、ヒートホースHT1,HT2およびマスフローコントローラMF1,MF2を備える。
第2の実施の形態に係る基板加熱装置は以下の点を除き、第1の実施の形態に係る基板加熱装置100Aと同様の構成および動作を有する。
20 メモリ
30 プレート温度調整器
40 ヒータ温度調整器
60 昇華物回収装置
61 冷却ボックス
70 エアシリンダ
91 パージボックス
91H 微細孔
92 外部ケーシング
92S ガス導入路
HP ホットプレート
CH チャンバ
HT1,HT2 ヒートホース
MF1,MF2 マスフローコントローラ
Claims (9)
- 基板を加熱する基板載置台と、
前記基板載置台に載置された基板上に基板加熱空間を形成するチャンバと、
前記基板加熱空間へ置換ガスを供給する供給系と、
前記基板加熱空間の雰囲気を排気ガスとして排出するための排気管と、
前記排気管の温度を調整する第1の温度調整手段とを備えたことを特徴とする基板加熱装置。 - 前記排気管の温度を検出する第1の温度検出手段と、
前記第1の温度検出手段により検出された前記排気管の温度に基づいて前記第1の温度調整手段を制御する第1の制御手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の基板加熱装置。 - 前記第1の制御手段は、前記排気管の温度が所定の温度以上に維持されるように、前記第1の温度調整手段を制御することを特徴とする請求項2記載の基板加熱装置。
- 前記排気管の下流に設けられ、前記排気ガスを冷却する排気ガス冷却手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板加熱装置。
- 前記供給系により前記基板加熱空間へ供給される置換ガスの温度を調整する第2の温度調整手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板加熱装置。
- 前記供給系により前記基板加熱空間へ供給される置換ガスの温度を検出する第2の温度検出手段と、
前記第2の温度検出手段により検出された置換ガスの温度に基づいて前記第2の温度調整手段を制御する第2の制御手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項5記載の基板加熱装置。 - 前記第2の制御手段は、
前記基板載置台による処理温度に基づいて前記供給系により前記基板加熱空間へ供給される置換ガスの温度を制御することを特徴とする請求項6記載の基板加熱装置。 - 前記基板載置台による基板の加熱処理時ならびに前記供給系および前記排気管による前記基板加熱空間の雰囲気の置換時に応じて、前記排気管を流れる排気ガスの流量および前記供給系により供給される置換ガスの流量のうち少なくとも排気ガスの流量を制御する流量制御手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の基板加熱装置。
- 基板載置台に載置された基板上に基板加熱空間を形成するステップと、
前記基板載置台により基板を加熱するステップと、
前記基板加熱空間に供給系により置換ガスを供給するステップと、
前記基板加熱空間の雰囲気を排気管を通して排気ガスとして排出するステップと、
前記排気管の温度を調整するステップとを備えたことを特徴とする基板加熱方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003293192A JP4467266B2 (ja) | 2003-08-13 | 2003-08-13 | 基板加熱装置および基板加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003293192A JP4467266B2 (ja) | 2003-08-13 | 2003-08-13 | 基板加熱装置および基板加熱方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005064277A true JP2005064277A (ja) | 2005-03-10 |
JP4467266B2 JP4467266B2 (ja) | 2010-05-26 |
Family
ID=34370263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003293192A Expired - Fee Related JP4467266B2 (ja) | 2003-08-13 | 2003-08-13 | 基板加熱装置および基板加熱方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4467266B2 (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007201037A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP2007335752A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Toshiba Corp | 基板処理方法 |
JP2008066645A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009524222A (ja) * | 2006-01-18 | 2009-06-25 | オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト | 円板状の基板の脱ガスをする装置 |
KR200447890Y1 (ko) | 2007-11-07 | 2010-03-03 | 조수홍 | 폐가스 처리용 가열 장치 |
US7727895B2 (en) | 2006-03-30 | 2010-06-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system and substrate processing method |
JP2011146542A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
JP2013093391A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
JP2016039369A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置、基板加熱方法、記憶媒体 |
JP2016178116A (ja) * | 2015-03-18 | 2016-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
CN107546123A (zh) * | 2016-06-24 | 2018-01-05 | 细美事有限公司 | 基板处理单元、烘焙装置及基板处理方法 |
JP2018133408A (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及びその装置 |
WO2020008831A1 (ja) * | 2018-07-02 | 2020-01-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板熱処理装置及び基板熱処理方法 |
WO2020065793A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造装置および製造方法 |
JP2020064939A (ja) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
JP2021019178A (ja) * | 2019-07-22 | 2021-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び処理方法 |
CN114234569A (zh) * | 2020-09-09 | 2022-03-25 | 无尽电子有限公司 | 基板干燥装置 |
WO2023209815A1 (ja) * | 2022-04-26 | 2023-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2003
- 2003-08-13 JP JP2003293192A patent/JP4467266B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009524222A (ja) * | 2006-01-18 | 2009-06-25 | オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト | 円板状の基板の脱ガスをする装置 |
JP2007201037A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP4527670B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
KR101176238B1 (ko) * | 2006-01-25 | 2012-08-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 가열 처리 장치, 가열 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체 |
US7727895B2 (en) | 2006-03-30 | 2010-06-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system and substrate processing method |
JP2007335752A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Toshiba Corp | 基板処理方法 |
JP2008066645A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR200447890Y1 (ko) | 2007-11-07 | 2010-03-03 | 조수홍 | 폐가스 처리용 가열 장치 |
JP2011146542A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
KR101197170B1 (ko) | 2010-01-14 | 2012-11-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리 장치, 열처리 방법 및 기억 매체 |
JP2013093391A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
JP2016039369A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置、基板加熱方法、記憶媒体 |
JP2016178116A (ja) * | 2015-03-18 | 2016-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
CN107546123A (zh) * | 2016-06-24 | 2018-01-05 | 细美事有限公司 | 基板处理单元、烘焙装置及基板处理方法 |
JP2018133408A (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及びその装置 |
JP7153485B2 (ja) | 2018-07-02 | 2022-10-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板熱処理装置及び基板熱処理方法 |
JP2020004933A (ja) * | 2018-07-02 | 2020-01-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板熱処理装置及び基板熱処理方法 |
WO2020008831A1 (ja) * | 2018-07-02 | 2020-01-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板熱処理装置及び基板熱処理方法 |
WO2020065793A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造装置および製造方法 |
JP2020064939A (ja) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
JP7129309B2 (ja) | 2018-10-16 | 2022-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
JP2021019178A (ja) * | 2019-07-22 | 2021-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び処理方法 |
JP7359680B2 (ja) | 2019-07-22 | 2023-10-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び処理方法 |
CN114234569A (zh) * | 2020-09-09 | 2022-03-25 | 无尽电子有限公司 | 基板干燥装置 |
WO2023209815A1 (ja) * | 2022-04-26 | 2023-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7542158B2 (ja) | 2022-04-26 | 2024-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4467266B2 (ja) | 2010-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4467266B2 (ja) | 基板加熱装置および基板加熱方法 | |
US7241633B2 (en) | Heat treatment apparatus and heat treatment method | |
JP4290579B2 (ja) | 基板加熱装置および基板加熱方法 | |
JP5274213B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法、温度制御方法 | |
JP6752332B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP2021525947A (ja) | プラズマ処理ツールにおける画像に基づくプラズマシースプロファイル検出 | |
JP4121122B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理装置内温度制御方法 | |
JPH0259002A (ja) | トラップ装置 | |
JP4069035B2 (ja) | 基板の処理システム及び基板の熱処理方法 | |
CN114203579A (zh) | 基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板处理方法以及记录介质 | |
JP2011100820A (ja) | 基板処理装置 | |
TW202119524A (zh) | 加熱處理裝置及加熱處理方法 | |
JP2008270589A (ja) | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 | |
WO2020065707A1 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
KR101950959B1 (ko) | 증착률을 측정하기 위한 방법 및 증착률 제어 시스템 | |
EP1809789B1 (en) | Epitaxial reactor cooling method and reactor cooled thereby | |
JP6227131B2 (ja) | 基材表面の処理方法および装置 | |
JP2010196102A (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2005317734A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6832786B2 (ja) | 掃気ノズル及びこれを用いた基板処理装置、並びにパーティクル除去方法 | |
JP2008300876A (ja) | 基板処理方法 | |
JP2006019583A (ja) | 加熱処理装置及び加熱処理方法 | |
JP7317912B2 (ja) | 炉口部構造、基板処理装置、および半導体装置の製造方法 | |
KR102695925B1 (ko) | 반도체 제조 장치 | |
WO2022070310A1 (ja) | 基板処理装置、温度制御プログラム、半導体装置の製造方法及び温度制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090908 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100223 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4467266 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |