WO2020065793A1 - 表示装置の製造装置および製造方法 - Google Patents

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pipe
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introduction
manufacturing
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崇好 津田
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シャープ株式会社
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    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations

Definitions

  • the present invention relates to an apparatus and a method for manufacturing a display device.
  • Patent Document 1 discloses a method for producing a polyimide resin in which a polyimide raw material polymer is mixed, and this mixture is heated and dried under reduced pressure to form a polyimide.
  • the present invention provides a display device manufacturing apparatus that can prevent a sublimate of a resin material from attaching to the inside of a cooling gas introduction pipe even when a cooling gas is used. It is intended to provide a manufacturing method.
  • An apparatus for manufacturing a display device is an apparatus for manufacturing a display device having a resin substrate, wherein a processing chamber for baking a liquid resin material is introduced, and an inert gas is introduced into the processing chamber.
  • An inert gas is led out of the processing chamber to the heating pipe so as to heat the second introduction pipe.
  • the second introduction pipe is heated by the heating pipe, so that the sublimate of the resin material adheres to the inside of the second introduction pipe. Can be prevented.
  • FIG. 6 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a display device. It is sectional drawing which shows the principal part structure of a display device. It is a sectional view showing the outline of the manufacturing device concerning one embodiment of the present invention.
  • 4 is a flowchart illustrating a manufacturing method according to an embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows the outline of the modification of the manufacturing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically illustrating another modification of the manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically illustrating a manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.
  • the same layer means being formed by the same process (film formation step), and “lower layer” is being formed by a process earlier than the layer to be compared. And “upper layer” means that it is formed in a process subsequent to the layer to be compared.
  • FIG. 1 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing a display device.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a main configuration of the display device.
  • a resin layer 12 is formed on a translucent support substrate (for example, mother glass) (Step S1).
  • the barrier layer 3 is formed (Step S2).
  • the TFT layer 4 is formed (Step S3).
  • a top emission type light emitting element layer 5 is formed (Step S4).
  • the sealing layer 6 is formed (Step S5).
  • an upper surface film is attached on the sealing layer 6 (Step S6).
  • Step S7 the support substrate is separated from the resin layer 12 by laser light irradiation or the like (Step S7).
  • the lower surface film 10 is attached to the lower surface of the resin layer 12 (Step S8).
  • the laminate including the lower film 10, the resin layer 12, the barrier layer 3, the TFT layer 4, the light emitting element layer 5, and the sealing layer 6 is divided to obtain a plurality of pieces (Step S9).
  • the functional film 39 is attached to the obtained individual pieces (Step S10).
  • an electronic circuit board for example, an IC chip and an FPC
  • Step S11 are performed by a display device manufacturing apparatus (including a film forming apparatus that performs each step of steps S1 to S5).
  • the resin layer 12 As a material of the resin layer 12, for example, a polyimide resin or the like can be given.
  • the resin layer 12 may be replaced with a two-layer resin film (for example, a polyimide resin film) and an inorganic insulating film interposed therebetween.
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents water, oxygen, and the like from entering the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5, and is, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film formed by a CVD method. Or a laminated film of these.
  • the TFT layer 4 includes a semiconductor film 15, an inorganic insulating film 16 (gate insulating film) above the semiconductor film 15, a gate electrode GE and a gate wiring GH, and a gate electrode GE above the inorganic insulating film 16.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low-temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor (for example, an In—Ga—Zn—O-based semiconductor), and a transistor (TFT) is formed to include the semiconductor film 15 and the gate electrode GE. Is done.
  • the transistor is illustrated as having a top-gate structure, but may have a bottom-gate structure.
  • the gate electrode GE, the gate wiring GH, the capacitor electrode CE, and the source wiring SH are formed of, for example, a single-layer film or a stacked film of a metal containing at least one of aluminum, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, titanium, and copper. You.
  • the TFT layer 4 in FIG. 2 includes one semiconductor layer and three metal layers.
  • the inorganic insulating films 16, 18, and 20 can be composed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a stacked film of these films formed by a CVD method.
  • the flattening film 21 can be made of a coatable organic material such as polyimide or acrylic.
  • the light emitting element layer 5 includes an anode 22 above the flattening film 21, an insulating anode cover film 23 covering the edge of the anode 22, an EL (electroluminescence) layer 24 above the anode cover film 23, And a cathode 25 above the EL layer 24.
  • the anode cover film 23 is formed, for example, by applying an organic material such as polyimide or acrylic and then patterning by photolithography.
  • a light emitting element ES for example, OLED: organic light emitting diode, QLED: quantum dot diode
  • a light emitting element ES including an island-shaped anode 22, an EL layer 24, and a cathode 25 is formed in the light emitting element layer 5, and the light emitting element ES Is formed in the TFT layer 4.
  • the EL layer 24 is formed by, for example, stacking a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in this order from the lower layer side.
  • the light emitting layer is formed in an island shape at the opening (for each sub-pixel) of the anode cover film 23 by a vapor deposition method or an inkjet method.
  • Other layers are formed in an island shape or a solid shape (common layer). Further, a configuration in which one or more of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer are not formed is also possible.
  • an FMM fine metal mask
  • the FMM is a sheet having a large number of openings (for example, made of Invar material), and an organic material that has passed through one opening forms an island-shaped light-emitting layer (corresponding to one sub-pixel).
  • the light emitting layer of the QLED can form an island-shaped light emitting layer (corresponding to one sub-pixel), for example, by inkjet coating a solvent in which quantum dots are diffused.
  • the anode (anode) 22 is made of, for example, a laminate of ITO (Indium Tin Oxide) and Ag (silver) or an alloy containing Ag, and has light reflectivity.
  • the anode 22 is connected to the drain electrode of the TFT layer 4 via a contact hole.
  • the cathode (cathode) 25 can be made of a light-transmitting conductive material such as an MgAg alloy (extremely thin film), ITO, or IZO (Indium Zinc Oxide).
  • the light emitting element ES is an OLED
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer due to a driving current between the anode 22 and the cathode 25, and light is emitted in a process in which the generated excitons transition to the ground state.
  • the cathode 25 is translucent and the anode 22 is light-reflective, the light emitted from the EL layer 24 is directed upward, resulting in top emission.
  • the light emitting device ES is a QLED
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer due to the driving current between the anode 22 and the cathode 25, and the excitons generated by the recombination generate conduction band levels of the quantum dots.
  • Light (fluorescence) is emitted in the process of transitioning from to the valence band (valence band).
  • a light emitting element (such as an inorganic light emitting diode) other than the OLED and QLED may be formed in the light emitting element layer 5.
  • the sealing layer 6 is translucent, and covers an inorganic sealing film 26 covering the cathode 25, an organic buffer film 27 above the inorganic sealing film 26, and an inorganic sealing film 28 above the organic buffer film 27. And The sealing layer 6 covering the light emitting element layer 5 prevents water, oxygen, and the like from penetrating into the light emitting element layer 5.
  • Each of the inorganic sealing film 26 and the inorganic sealing film 28 is an inorganic insulating film, and is formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film formed by a CVD method, or a stacked film thereof. be able to.
  • the organic buffer film 27 is a light-transmitting organic film having a flattening effect, and can be made of an applicable organic material such as acrylic.
  • the organic buffer film 27 can be formed by, for example, ink-jet coating, but a bank for stopping the liquid droplets may be provided in the non-display area.
  • the lower surface film 10 is, for example, a PET film for realizing a display device having excellent flexibility by peeling off the support substrate and attaching the lower surface film 10 to the lower surface of the resin layer 12.
  • the functional film 39 has, for example, at least one of an optical compensation function, a touch sensor function, and a protection function.
  • a manufacturing apparatus for firing a resin substrate (resin layer 12) in a chamber in step S1 in FIG. 1 will be described as an example with reference to FIGS. I do.
  • pre-baking pre-baking
  • post-baking post-baking
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a manufacturing apparatus according to one embodiment of the present invention.
  • the manufacturing apparatus 1 is a manufacturing apparatus that includes a processing chamber 40, a first introduction pipe 50, a second introduction pipe 60, a heating pipe 70, and a first recovery pipe 80, and performs a baking process on the resin substrate 42.
  • the resin substrate 42 includes a support substrate (for example, a glass substrate) and a liquid resin material (for example, a precursor of a polyimide resin) provided on the support substrate by coating or the like (shown in the drawing). Zu).
  • a baked resin material for example, a polyimide resin
  • a baked resin material is formed on the support substrate as the resin layer 12, thereby completing the resin substrate 42.
  • the processing chamber 40 heats the inside of the processing chamber 40 by the heater 41 to bake the liquid resin material to form a resin substrate 42. Therefore, as long as the heater 41 can heat the inside of the processing chamber 40 to a desired temperature, the performance, the installation position, and the number of the heaters 41 are not limited. Then, after forming the resin substrate 42, the processing chamber 40 is cooled by the cooling gas.
  • the resin material in the liquid state sublimates by firing the resin substrate.
  • an inert gas is continuously ventilated during the baking process in order to discard the sublimated resin material outside the processing chamber 40. Therefore, by providing the exhaust port 44 for exhausting the gas from the processing chamber 40 on the surface opposite to the surface into which the gas is introduced, the air flow inside the processing chamber 40 is less likely to be disturbed. Then, the inert gas hardly stays at a specific portion in the processing chamber 40. Further, by providing the number of the exhaust ports 44 to be set, for example, to be equal to the number of the resin substrates 42, it is possible to suppress the gas passing through the resin substrate 42 from staying near the exhaust ports 44. This makes it difficult for the inert gas to stay.
  • the first introduction pipe 50 is a pipe for introducing an inert gas into the processing chamber 40. Therefore, one end of the first introduction pipe 50 is connected to the processing chamber 40.
  • a cylinder (not shown) storing an inert gas is connected to the other end, the inert gas is supplied from the other end side, and the processing chamber is connected through one end. An inert gas is introduced into 40.
  • the inert gas may be, for example, an argon gas or a nitrogen gas. Since the inert gas is constantly ventilated into the processing chamber 40 through the baking process, a large amount of the inert gas is required. Therefore, the case where inexpensive nitrogen gas is used as the inert gas is preferable in that the cost required for the baking treatment can be reduced.
  • the second introduction pipe 60 is a pipe for introducing a cooling gas into the processing chamber 40.
  • the second introduction pipe 60 includes a cooling valve 90 for controlling the flow rate of the cooling gas at one end.
  • the second introduction pipe 60 is connected to the processing chamber 40 at the other end side, and has an ejection port 110 for ejecting a cooling gas into the processing chamber 40.
  • the ejection port 110 is provided in an airtight manner along the wall surface (mounting surface) of the processing chamber 40 so as to be linear. Have been.
  • the cooling gas is not particularly limited, and may be, for example, air. More specifically, air in the environment where the manufacturing apparatus 1 is installed (for example, class 100 air if the manufacturing apparatus 1 is installed in a class 100 clean room) is passed through the filter 150 as a cooling gas. It is preferable to introduce it into the inside of the manufacturing apparatus 1. By using the air in the environment where the manufacturing apparatus 1 is installed as the cooling gas, the cost required for cooling the processing chamber 40 can be suppressed.
  • the heating pipe 70 is provided so as to surround at least a part of the second introduction pipe 60, and is configured so that the inert gas heated in the processing chamber 40 is led out to the heating pipe 70. That is, the heating pipe 70 constitutes an outer pipe having a double pipe structure surrounding the second introduction pipe 60, and heats the second introduction pipe 60 by the inert gas derived from the inside of the processing chamber 40.
  • the heating pipe 70 has an introduction port 70 a connected to the processing chamber 40 at one end, and an introduction section 71 for introducing an inert gas heated in the processing chamber 40 as a heating gas. And a surrounding portion 72 connected to the connection port 70b of the introduction portion 71 provided at the other end of the introduction portion 71 and surrounding the second introduction pipe 60. More specifically, as illustrated in FIG. 3, the inlet 70 a is air-tightly connected to the first recovery pipe 80.
  • the heating gas is introduced into the surrounding part 72 via the introduction part 71 and is a gas for heating the second introduction pipe 60.
  • a gas heated in the processing chamber 40 as a heating gas, it is not necessary to separately prepare a heating gas.
  • the gas heated in the processing chamber 40 is a gas obtained by heating an inert gas introduced from the first introduction pipe.
  • a gas heated in the processing chamber 40 and exhausted to a first recovery pipe 80 described later was used as a heating gas.
  • the introduction part 71 is a pipe for introducing the heating gas into the surrounding part 72.
  • the heating gas is constantly introduced into the surrounding portion 72 while the processing chamber 40 is being heated, the required amount of the heating gas in the firing step of the resin substrate 42 increases. Thereby, the usage of the inert gas increases. Therefore, the introduction portion 71 is provided with a control valve 100 so that the heating gas is introduced into the surrounding portion 72 only when it is necessary to introduce the heating gas into the surrounding portion 72.
  • the introduction unit 71 is provided with a fan 130, and the fan 130 is configured to efficiently introduce the heating gas from the processing chamber 40 to the introduction unit 71.
  • the fan 130 is configured to efficiently introduce the heating gas from the processing chamber 40 to the introduction unit 71.
  • a configuration in which a pump is provided instead of the fan 130 to efficiently introduce the heating gas into the introduction unit 71 may be employed.
  • the surrounding part 72 is a pipe that extends along the extending direction of the second introduction pipe 60 and surrounds at least a part of the second introduction pipe 60.
  • the heating gas introduced from the introduction part 71 to the surrounding part 72 and heating the second introduction pipe 60 is supplied from the outlet 120 connected to the processing chamber 40. It is led out into the processing chamber 40. That is, in the present embodiment, the heating gas is led out of the processing chamber 40 to the heating pipe 70 and then introduced into the processing chamber 40 again.
  • the outlet 120 is provided in an air-tight manner along the wall surface (mounting surface) of the processing chamber 40 so as to be linear. I have.
  • the first recovery pipe 80 is a pipe for exhausting the gas heated in the processing chamber 40 from the processing chamber 40 to the scrubber 140.
  • the first recovery pipe 80 is not particularly limited as long as the gas heated by the processing chamber 40 can be exhausted from the exhaust port 44 substantially uniformly.
  • the gas heated in the processing chamber 40 is introduced into the scrubber 140 from the processing chamber 40 through the exhaust port 44. Then, the scrubber 140 removes foreign substances such as a resin material contained in the introduced gas, and releases the removed gas component to the atmosphere.
  • FIG. 4 shows a flowchart of the firing process.
  • the resin substrate 42 is set in the processing chamber 40 (S21). Then, the resin substrate 42 is subjected to a baking process by heating the processing chamber 40 at about 500 ° C. (S22). Then, before the sintering process is completed, the control valve 100 is opened and the heating gas is introduced into the surrounding portion 72 to start heating the second introduction pipe 60 (S23). After the completion of the baking process, the cooling valve 90 is opened, a cooling gas is introduced from the second introduction pipe 60, and the processing chamber 40 is cooled (S24). Then, after a lapse of a predetermined time (for example, after 5 minutes) from the start of cooling, the control valve 100 is closed to stop heating the second introduction pipe 60 by the heating gas (S25). When the temperature inside the processing chamber 40 becomes equal to or lower than the specified temperature (for example, 100 ° C.), the cooling valve 90 is closed to end the cooling.
  • a predetermined time for example, after 5 minutes
  • the heating of the second introduction pipe 60 by the heating gas in S23 may be performed as long as the second introduction pipe 60 is heated to a desired temperature or more at the end of the baking process, and before the completion of the baking process, for example, 10 minutes before. What is necessary is just to heat the 2nd introduction piping 60.
  • the inert gas heated in the processing chamber 40 is led out to the heating pipe 70, so that the second introduction pipe 60 is heated by the heating pipe 70. Therefore, it is possible to prevent the sublimate of the resin material from attaching to the inside of the second introduction pipe 60. As a result, in the manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment, it is possible to prevent a decrease in cooling efficiency due to the sublimate adhered to the second introduction pipe 60. Further, by preventing the sublimate of the resin material from adhering to the inside of the second introduction pipe 60, it is possible to reduce the contact of the sublimate of the resin material with the resin substrate 42 due to being blown off by the cooling gas.
  • the sublimate adhered during the cooling process from the next time can be prevented from scattering from the inside of the second introduction pipe 60 into the processing chamber 40, Contamination of the chamber 40 and the like can be prevented.
  • the production time of the resin substrate 42 can be reduced, and the production quality of the resin substrate 42 can be prevented from lowering, so that the productivity of the resin substrate 42 and the display device can be improved. can do.
  • FIG. 5 A modified example of the manufacturing apparatus 1 according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
  • the ejection port 110 and the outlet 120 protrude into the processing chamber 40, and the outlet 120 is further connected to the ejection port 110 (that is, the second introduction pipe 60 on the processing chamber 40 side). (End) protrudes into the processing chamber 40.
  • the second introduction pipe 60 can be reliably heated by the heating gas introduced into the heating pipe 70.
  • FIG. 6 Another modification of the manufacturing apparatus 1 according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
  • a connection port 70b between the introduction part 74 and the surrounding part 75 is provided closer to the cooling valve 90 than the processing chamber 40 is.
  • the area of the second introduction pipe heated by the heating gas introduced into the heating pipe 70 can be increased.
  • region of the 2nd introduction piping 60 can be heated more reliably and efficiently.
  • the inlet 70 a is provided directly on the wall surface of the processing chamber 40. That is, in the present modified example, the inlet 70 a, instead of the first recovery pipe 80, is airtightly connected to a through hole provided in the wall surface of the processing chamber 40.
  • FIG. 7 is a sectional view schematically showing a manufacturing apparatus 1 'according to another embodiment of the present invention.
  • a closing wall 121 that closes the outlet is provided at an end of the surrounding portion 77 on the processing chamber 40 side, and the heating gas flows from the heating pipe 70. It is configured not to be drawn out into the processing chamber 40 again.
  • an exhaust port 70 c connected to the second recovery pipe 78 as a recovery pipe is provided in the surrounding portion 77.
  • the second recovery pipe 78 is a recovery pipe for exhausting and collecting the heating gas introduced into the heating pipe 70 via the exhaust port 70c.
  • the connection port 70b between the introduction section 76 as an inflow port through which the inert gas for heating the second introduction pipe flows and the surrounding section 77 is provided as an exhaust port.
  • 70c is provided on the processing chamber 40 side.
  • Module 1 A manufacturing device for a display device having a resin substrate, A processing chamber for baking the liquid resin material, A first introduction pipe for introducing an inert gas into the processing chamber, A second introduction pipe for introducing a cooling gas into the processing chamber, A heating pipe provided to surround the second introduction pipe, An apparatus for manufacturing a display device, wherein an inert gas heated in the processing chamber is led out of the processing chamber to the heating pipe so as to heat the second introduction pipe.
  • Mode 3 The manufacturing method of the display device according to mode 2, for example, wherein the second introduction pipe is connected to the processing chamber on the other end side, and allows the cooling gas flowing through the cooling valve to flow into the processing chamber. apparatus.
  • the heating pipe is provided with an introduction port connected to the processing chamber side at one end, and an introduction section for introducing an inert gas heated in the processing chamber as a heating gas, and at the other end of the introduction section.
  • the above-mentioned introduction opening is provided in the wall surface of the above-mentioned processing chamber directly, for example.
  • a first recovery pipe connected to the processing chamber and exhausting air in the processing chamber is further provided, and in the introduction section, the introduction port is connected to the first recovery pipe.
  • Display device manufacturing equipment is further provided.
  • Module 7 The display device manufacturing apparatus according to any one of aspects 4 to 6, wherein the introduction unit includes a control valve for controlling the flow of the heating gas.
  • Module 8 The apparatus for manufacturing a display device according to any one of aspects 4 to 7, wherein the introduction section includes a fan or a pump for flowing the heating gas into the surrounding section.
  • the second introduction pipe includes a jet port for jetting the cooling gas, and the jet port is formed so as to protrude into the processing chamber, for example, any one of modes 4 to 8. Display device manufacturing equipment.
  • Module 11 An apparatus for manufacturing a display device according to aspect 10, for example, wherein a tip of the outlet protrudes into the processing chamber.
  • the display device manufacturing apparatus according to any one of aspects 4 to 9, wherein the mouth is connected to the second collection pipe.
  • the heating pipe is provided with an inlet for flowing an inert gas for heating the second introduction pipe, and the inlet is provided closer to the processing chamber than the exhaust port. Display device manufacturing equipment.
  • Module 17 17. The apparatus for manufacturing a display device according to any one of aspects 1 to 16, wherein the liquid resin material is a precursor of a polyimide resin.
  • a method of manufacturing a display device having a resin substrate comprising: an installation step of installing a resin material in a processing chamber; a firing step of firing the resin material installed in the installation step; and A pipe heating step of introducing a heating gas into a heating pipe surrounding the second introduction pipe before completion, and a cooling step of introducing a cooling gas from the second introduction pipe into the processing chamber after completion of the baking treatment step.
  • a method for manufacturing a display device comprising: a heating pipe heating step of terminating the introduction of the heating gas into the heating pipe before the cooling step is completed.

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Abstract

表示装置の製造装置（１）は、処理チャンバー（４０）内に不活性ガスおよび冷却用ガスをそれぞれ導入する第１導入配管（５０）および第２導入配管（６０）と、第２導入配管（６０）を囲むように設けられた加熱配管（７０）とを備える。製造装置（１）では、処理チャンバー（４０）内において加熱された不活性ガスが、処理チャンバー（４０）内から加熱配管（７０）へ、第２導入配管（６０）を加熱するように導出される。

Description

表示装置の製造装置および製造方法
　本発明は、表示装置の製造装置および製造方法に関する。
　例えば、下記特許文献１には、ポリイミドの原料ポリマーを混合し、この混合物を減圧下で加熱乾燥することにより、ポリイミドを形成するポリイミド樹脂の製造方法が開示されている。
国際公開特許公報「ＷＯ０１／０２５３１３号公報」
　ところで、上記従来の手法で表示装置に使用される樹脂基板を処理した場合、そのような従来の表示装置の製造装置では、処理チャンバー内において、高温で液状の樹脂材料を焼成処理することとなる。それ故、従来の表示装置の製造装置では、処理チャンバー内から焼成処理後の樹脂基板を迅速に取り出すために当該処理チャンバー内に冷却用ガスを導入することが知られている。
　ところが、上記のような従来の表示装置の製造装置では、処理チャンバー内に冷却用ガスを導入した場合、当該処理チャンバー内に存在する樹脂材料の昇華物もまた冷却された。これにより、この従来の表示装置の製造装置では、上記冷却用ガスを導入するための導入配管（第２導入配管）の内部に昇華物が付着するという問題点を生じることがあった。
　上記の課題に鑑み、本発明は、冷却用ガスを使用した場合でも、当該冷却用ガスの導入配管の内部に樹脂材料の昇華物が付着するのを防止することができる表示装置の製造装置および製造方法を提供することを目的とする。
　本発明の一様態にかかる表示装置の製造装置は、樹脂基板を有する表示装置の製造装置であって、液状の樹脂材料を、焼成処理する処理チャンバーと、上記処理チャンバー内に不活性ガスを導入する第１導入配管と、上記処理チャンバー内に冷却用ガスを導入する第２導入配管と、上記第２導入配管を囲むように設けられた加熱配管とを備え、上記処理チャンバー内において加熱された不活性ガスが、上記処理チャンバー内から上記加熱配管へ、上記第２導入配管を加熱するように導出される。
　処理チャンバー内において加熱された不活性ガスが加熱配管に導出されることにより、第２導入配管が当該加熱配管によって加熱されるので、当該第２導入配管の内部に樹脂材料の昇華物が付着するのを防止することができる。
表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 表示装置の要部構成を示す断面図である。 本発明の一実施の形態に係る製造装置の概略を示す断面図である。 本発明の一実施の形態に係る製造方法を示すフローチャートである。 本発明の一実施の形態に係る製造装置の変形例の概略を示す断面図である。 本発明の一実施の形態に係る製造装置の別の変形例の概略を示す断面図である。 本発明の一実施の別の形態に係る製造装置の概略を示す断面図である。
　以下においては、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
　図１は表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。図２は、表示装置の要部構成を示す断面図である。
　フレキシブルな表示装置を製造する場合、図１および図２に示すように、まず、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、ＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、トップエミッション型の発光素子層５を形成する（ステップＳ４）。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に上面フィルムを貼り付ける（ステップＳ６）。
　次いで、レーザ光の照射等によって支持基板を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ７）。次いで、樹脂層１２の下面に下面フィルム１０を貼り付ける（ステップＳ８）。次いで、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ９）。次いで、得られた個片に機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１０）。次いで、複数のサブ画素が形成された表示領域よりも外側（非表示領域、額縁）の一部（端子部）に電子回路基板（例えば、ＩＣチップおよびＦＰＣ）をマウントする（ステップＳ１１）。なお、ステップＳ１～Ｓ１１は、表示装置の製造装置（ステップＳ１～Ｓ５の各工程を行う成膜装置を含む）が行う。
　樹脂層１２の材料としては、例えばポリイミド樹脂等が挙げられる。樹脂層１２の部分を、二層の樹脂膜（例えば、ポリイミド樹脂膜）およびこれらに挟まれた無機絶縁膜で置き換えることもできる。
　バリア層３は、水、酸素等がＴＦＴ層４および発光素子層５に侵入することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層の、ゲート電極ＧＥおよびゲート配線ＧＨと、ゲート電極ＧＥおよびゲート配線ＧＨよりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量電極ＣＥと、容量電極ＣＥよりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層のソース配線ＳＨ、ソース電極、およびドレイン電極と、ソース配線ＳＨよりも上層の平坦化膜２１（層間絶縁膜）とを含む。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体（例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体）で構成され、半導体膜１５およびゲート電極ＧＥを含むようにトランジスタ（ＴＦＴ）が構成される。図２では、トランジスタがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい。
　ゲート電極ＧＥ、ゲート配線ＧＨ、容量電極ＣＥ、およびソース配線ＳＨは、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、銅の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。図２のＴＦＴ層４には、一層の半導体層および三層のメタル層が含まれる。
　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５は、平坦化膜２１よりも上層のアノード２２と、アノード２２のエッジを覆う絶縁性のアノードカバー膜２３と、アノードカバー膜２３よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層のカソード２５とを含む。アノードカバー膜２３は、例えば、ポリイミド、アクリル等の有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィよってパターニングすることで形成される。
　サブ画素ごとに、島状のアノード２２、ＥＬ層２４、およびカソード２５を含む発光素子ＥＳ（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード，ＱＬＥＤ：量子ドットダイオード）が発光素子層５に形成され、発光素子ＥＳを制御するサブ画素回路がＴＦＴ層４に形成される。
　ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、アノードカバー膜２３の開口（サブ画素ごと）に、島状に形成される。他の層は、島状あるいはベタ状（共通層）に形成する。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成も可能である。
　ＯＬＥＤの発光層を蒸着形成する場合は、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いる。ＦＭＭは多数の開口を有するシート（例えば、インバー材製）であり、１つの開口を通過した有機物質によって島状の発光層（１つのサブ画素に対応）が形成される。
　ＱＬＥＤの発光層は、例えば、量子ドットを拡散させた溶媒をインクジェット塗布することで、島状の発光層（１つのサブ画素に対応）を形成することができる。
　アノード（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇ（銀）あるいはＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。また、アノード２２は、コンタクトホールを介してＴＦＴ層４の上記ドレイン電極に接続されている。カソード（陰極）２５は、ＭｇＡｇ合金（極薄膜）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium zinc Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。
　発光素子ＥＳがＯＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。カソード２５が透光性であり、アノード２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　発光素子ＥＳがＱＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（conduction band）から価電子帯準位（valence band）に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。
　発光素子層５には、前記のＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子（無機発光ダイオード等）を形成してもよい。
　封止層６は透光性であり、カソード２５を覆う無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機バッファ膜２７と、有機バッファ膜２７よりも上層の無機封止膜２８とを含む。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の発光素子層５への浸透を防いでいる。
　無機封止膜２６および無機封止膜２８はそれぞれ無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機バッファ膜２７は、平坦化効果のある透光性有機膜であり、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。有機バッファ膜２７は例えばインクジェット塗布によって形成することができるが、液滴を止めるためのバンクを非表示領域に設けてもよい。
　下面フィルム１０は、支持基板を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けることで柔軟性に優れた表示デバイスを実現するための、例えばＰＥＴフィルムである。機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能の少なくとも１つを有する。
　以上にフレキシブルな表示デバイスについて説明したが、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、一般的に樹脂層の形成、基材の付け替え等が不要であるため、例えば、ガラス基板上にステップＳ２～Ｓ５の積層工程を行い、その後ステップＳ９に移行する。
　〔実施形態１〕
　本発明の一実施の形態に係る表示装置の製造装置として、図１のステップＳ１における、チャンバー内で樹脂基板（樹脂層１２）を焼成する製造装置を例にとり、図３～６を参照し説明する。なお、当該焼成処理の前後に、事前焼成（プリベーク）またはおよび事後焼成（ポストベーク）を実施してもよい。
　図３は、本発明の一実施の形態に係る製造装置の概略を示す断面図である。製造装置１は、処理チャンバー４０、第１導入配管５０、第２導入配管６０、加熱配管７０、および第１回収配管８０を備え、樹脂基板４２に焼成処理を施す製造装置である。ここで、樹脂基板４２は、支持基板（例えば、ガラス基板）と、当該支持基板上に塗布等によって設けられた液状の樹脂材料（例えば、ポリイミド樹脂の前駆体）とを含んでいる（図示せず）。そして、上記焼成処理後、焼成された樹脂材料（例えば、ポリイミド樹脂）が樹脂層１２として支持基板上に形成され、樹脂基板４２として完成される。
　処理チャンバー４０は、加熱器４１により該処理チャンバー４０内部を加熱することにより、上記液状の樹脂材料を焼成し、樹脂基板４２を形成する。そのため、加熱器４１は、処理チャンバー４０内部を所望の温度まで加熱できれば、加熱器４１の性能、設置位置および設置数に制限はない。そして、処理チャンバー４０は、樹脂基板４２を形成後、冷却用ガスにより冷却される。
　処理チャンバー４０では、樹脂基板４２を焼成することにより、液状の樹脂材料が昇華する。そして、該処理チャンバー４０では、昇華した樹脂材料を処理チャンバー４０の外に廃棄するため、焼成処理の間は、絶えず不活性ガスを通気する。そこで、処理チャンバー４０からガスを排気する排気口４４を、ガスが導入される面に対向する面側に開設することにより、処理チャンバー４０内部の気流が乱れ難くなる。そして、処理チャンバー４０内の特定部位に不活性ガスが滞留しにくくなる。また、排気口４４の設置数を、例えば樹脂基板４２と同数とするように備えることにより、樹脂基板４２を通過したガスが排気口４４付近で滞留することを抑制できる。それにより、不活性ガスが滞留しにくくなる。
　第１導入配管５０は、処理チャンバー４０内に不活性ガスを導入する配管である。そのため、第１導入配管５０では、その一端にて処理チャンバー４０と接続する。そして、第１導入配管５０では、他端に不活性ガスを蓄えたボンベ（図示せず）等が接続されており、当該他端側から不活性ガスが供給されて、一端を介して処理チャンバー４０内に不活性ガスが導入される。
　不活性ガスは、例えば、アルゴンガスであってよく、窒素ガスであってもよい。不活性ガスは、焼成処理を通じて処理チャンバー４０へ常時通気されるため、多量の不活性ガスが必要となる。そのため、不活性ガスとして安価な窒素ガスを用いる場合の方が、焼成処理に要するコストを低減できる点で好ましい。
　第２導入配管６０は、処理チャンバー４０内に冷却用ガスを導入する配管である。また、第２導入配管６０は、一方の端部側に上記冷却用ガスの流量を制御する冷却用バルブ９０を備える。また、第２導入配管６０は、その他方の端部側に処理チャンバー４０に接続されるとともに、処理チャンバー４０内に冷却用ガスを噴出する噴出口１１０が形成される。また、本実施形態に係る第２導入配管６０では、図３に示すように、噴出口１１０は処理チャンバー４０の壁面（取付面）と直線上となるように、当該壁面に沿って気密に設けられている。
　冷却用ガスは特に制限されず、例えば、空気であってよい。より具体的には、冷却用ガスとして、製造装置１が設置された環境の空気（例えば、製造装置１がクラス１００のクリーンルーム内に設置されていれば、クラス１００の空気）をフィルタ１５０を介して製造装置１の内部に導入することが好ましい。製造装置１が設置された環境の空気を冷却用ガスとして用いることにより、処理チャンバー４０の冷却に要するコストを抑制できる。
　加熱配管７０は、第２導入配管６０の少なくとも一部を囲むように設けられており、処理チャンバー４０内において加熱された不活性ガスが当該加熱配管７０に導出されるよう構成されている。すなわち、加熱配管７０は、第２導入配管６０を囲んだ二重配管構造の外側配管を構成しており、処理チャンバー４０内から導出された上記不活性ガスによって第２導入配管６０を加熱する。
　具体的には、加熱配管７０は、上記処理チャンバー４０側に接続された導入口７０ａを一端に設けるとともに、上記処理チャンバー４０内において加熱された不活性ガスを加熱用ガスとして導入する導入部７１と、上記導入部７１の他端に設けられた当該導入部７１の接続口７０ｂに接続されるとともに、第２導入配管６０を囲む囲繞部７２と、を備える。より具体的には、図３に例示するように、導入口７０ａは、第１回収配管８０に気密に接続されている。
　加熱用ガスは、導入部７１を経由し、囲繞部７２に導入され、第２導入配管６０を加熱するガスである。加熱用ガスとして、処理チャンバー４０において加熱されたガスを加熱用ガスとして用いることにより、別途加熱用ガスを用意することが不要となる。なお、処理チャンバー４０において加熱されたガスとは、第１導入配管から導入される不活性ガスを加熱したガスである。図３に示す製造装置では、加熱用ガスとして、処理チャンバー４０において加熱され、後述する第１回収配管８０に排気されたガスを加熱用ガスとして用いた。
　導入部７１は、加熱用ガスを囲繞部７２に導入する配管である。なお、処理チャンバー４０を加熱中において、常時加熱用ガスを囲繞部７２へ導入すると、樹脂基板４２の焼成工程における加熱用ガスの必要量が増加する。それにより、不活性ガスの使用量が増加する。そこで、導入部７１には、加熱用ガスを囲繞部７２に導入する必要がある場合のみ囲繞部７２へ導入されるよう、制御バルブ１００を備えている。
　導入部７１には、ファン１３０が設けられており、当該ファン１３０によって上記加熱用ガスを処理チャンバー４０から導入部７１に効率よく導入することができるように構成されている。なお、この説明以外に、例えば、ファン１３０の代わりに、ポンプを設けて、効率よく加熱用ガスを導入部７１に導入する構成でもよい。
　囲繞部７２は、第２導入配管６０の延伸方向に沿って延伸し、第２導入配管６０の少なくとも一部を囲む配管である。図３に示す製造装置１の加熱配管７０では、導入部７１から囲繞部７２に導入されて、第２導入配管６０を加熱した加熱用ガスは、処理チャンバー４０に接続された導出口１２０から当該処理チャンバー４０内へ導出される。つまり、本実施形態では、加熱用ガスは、処理チャンバー４０から加熱配管７０へ導出された後、再度処理チャンバー４０内に導入される。また、本実施形態に係る加熱配管７０では、図３に示すように、導出口１２０は処理チャンバー４０の壁面（取付面）と直線上となるように、当該壁面に沿って気密に設けられている。
　第１回収配管８０は、処理チャンバー４０からスクラバー１４０へ該処理チャンバー４０にて加熱されたガスを排気する配管である。第１回収配管８０は、処理チャンバー４０により加熱されたガスを略均等に排気口４４から排気できれば特に制限はない。
　スクラバー１４０には、排気口４４を介して処理チャンバー４０から、該処理チャンバー４０にて加熱されたガスが導入される。そして、スクラバー１４０は、導入されたガスに含まれる樹脂材料などの異物を除去して、除去後のガス成分を大気開放する。
　図４は、焼成処理のフローチャートを示す。
　まず、樹脂基板４２を処理チャンバー４０に設置する（Ｓ２１）。そして、処理チャンバー４０を約５００℃にて加熱することにより、樹脂基板４２に焼成処理を施す（Ｓ２２）。そして、焼成処理が終了する前に、制御バルブ１００を開状態にして囲繞部７２に加熱用ガスを導入することにより第２導入配管６０の加熱を開始する（Ｓ２３）。焼成処理終了後、冷却用バルブ９０を開状態にして第２導入配管６０から冷却用ガスを導入し、処理チャンバー４０を冷却する（Ｓ２４）。そして、冷却開始から一定時間経過後（例えば、５分後）、制御バルブ１００を閉状態にして加熱用ガスによる第２導入配管６０の加熱を停止する（Ｓ２５）。処理チャンバー４０内が規定温度（例えば、１００℃）以下になれば、冷却用バルブ９０を閉状態にして冷却を終了する。
　なお、Ｓ２２における焼成処理の一例を以下に挙げる。まず、第１導入配管５０を介して１０００Ｌ／ｍｉｎ．の窒素ガスを処理チャンバー４０内に導入する。そして、加熱器４１を用いて処理チャンバー４０内部の温度を５００℃以上となるよう加熱する。そして、該温度にて樹脂基板４２を３時間加熱する。これにより、液状の樹脂材料（ポリイミド樹脂の前駆体）が焼成されて、樹脂層（ポリイミド樹脂）１２を含んだ樹脂基板４２が形成される。
　また、Ｓ２３における加熱用ガスによる第２導入配管６０の加熱は、焼成処理終了時に、第２導入配管６０が所望の温度以上に加熱されていればよく、焼成処理終了前、例えば１０分前から第２導入配管６０を加熱すればよい。
　以上のように、本実施形態に係る製造装置１では、処理チャンバー４０内において加熱された不活性ガスが加熱配管７０に導出されることにより、第２導入配管６０が当該加熱配管７０によって加熱されるので、当該第２導入配管６０の内部に樹脂材料の昇華物が付着するのを防止することができる。この結果、本実施形態に係る製造装置１では、第２導入配管６０での付着した昇華物による冷却効率の低下を防ぐことができる。また、第２導入配管６０内部に樹脂材料の昇華物が付着することを防止することにより、樹脂材料の昇華物が冷却用ガスによって飛ばされることによって樹脂基板４２に接触することを低減できる。更に、本実施形態に係る製造装置１では、次回以降での冷却処理の際に付着した昇華物が、第２導入配管６０の内部から処理チャンバー４０内への飛散を防止することができ、処理チャンバー４０等の汚染を防ぐことができる。この結果、本実施形態に係る製造装置１では、樹脂基板４２の生産時間の短縮、並びに樹脂基板４２の生産品質の低下を防止することができ、樹脂基板４２、ひいては表示装置の生産性を向上することができる。
　本発明の一実施の形態に係る製造装置１の変形例について、図５を参照して説明する。本変形例では、図５に示すように、噴出口１１０および導出口１２０が処理チャンバー４０の内部に突出し、さらに導出口１２０が噴出口１１０（つまり、第２導入配管６０の処理チャンバー４０側の端部）よりも処理チャンバー４０の内部側に突出している。これにより、本変形例では、加熱配管７０に導入された上記加熱用ガスによって確実に第２導入配管６０を加熱することができる。
　また、本発明の一実施の形態に係る製造装置１の別の変形例について、図６を参照して説明する。本変形例では、図６に示すように、導入部７４と囲繞部７５との接続口７０ｂが、処理チャンバー４０よりも冷却用バルブ９０の近傍に設けられている。これにより、本変形例では、加熱配管７０に導入された上記加熱用ガスによって加熱される第２導入配管の領域を大きくすることができる。そして、より確実に、かつ、効率よく第２導入配管６０の領域を加熱することができる。
　また、図６に示すように、加熱配管７０では、導入口７０ａが上記処理チャンバー４０の壁面に直接的に設けられている。つまり、本変形例では、第１回収配管８０ではなく、導入口７０ａは、処理チャンバー４０の壁面に設けられた貫通孔に気密に接続されている。
　〔実施形態２〕
　図７は、本発明の一実施の別の形態に係る製造装置１’の概略を示す断面図である。図７において、本実施形態の製造装置１’では、囲繞部７７の処理チャンバー４０側の端部において上記導出口を閉塞する閉塞壁１２１が設けられており、上記加熱用ガスが加熱配管７０から再度処理チャンバー４０内へ導出されないようになっている。また、本実施形態の製造装置１’では、加熱配管７０において、回収配管として第２回収配管７８に接続された排気口７０ｃが囲繞部７７に設けられている。第２回収配管７８は、排気口７０ｃを介して、加熱配管７０に導入された加熱用ガスを排気し、回収するための回収配管である。また、本実施形態の製造装置１’では、加熱配管７０において、第２導入配管を加熱する不活性ガスを流入する流入口としての導入部７６と囲繞部７７との接続口７０ｂは、排気口７０ｃよりも上記処理チャンバー４０側に設けられている。これにより、本実施形態では、加熱配管７０に導入された上記加熱用ガスによってより確実に、かつ、効率よく第２導入配管６０を加熱しつつ、当該加熱用ガスを処理チャンバー４０内に再導入することなく確実に回収することができる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　〔様態１〕
　樹脂基板を有する表示装置の製造装置であって、
　液状の樹脂材料を、焼成処理する処理チャンバーと、
　上記処理チャンバー内に不活性ガスを導入する第１導入配管と、
　上記処理チャンバー内に冷却用ガスを導入する第２導入配管と、
　上記第２導入配管を囲むように設けられた加熱配管とを備え、
　上記処理チャンバー内において加熱された不活性ガスが、上記処理チャンバー内から上記加熱配管へ、上記第２導入配管を加熱するように導出される表示装置の製造装置。
　〔様態２〕
　上記第２導入配管は、一方の端部側に上記冷却用ガスの流量を制御する冷却用バルブを備える例えば様態１に記載の表示装置の製造装置。
　〔様態３〕
　上記第２導入配管は、他方の端部側において上記処理チャンバーに接続され、上記冷却用バルブを介して流入する上記冷却用ガスを上記処理チャンバーへ流入させる例えば様態２に記載の表示装置の製造装置。
　〔様態４〕
　上記加熱配管は、上記処理チャンバー側に接続された導入口を一端に設けるとともに、上記処理チャンバー内において加熱された不活性ガスを加熱用ガスとして導入する導入部と、上記導入部の他端に設けられた当該導入部の接続口に接続されるとともに、上記第２導入配管を囲む囲繞部と、を備え、上記導入部では、上記接続口が上記処理チャンバーよりも上記冷却用バルブに近接して設けられている例えば様態２または３のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
　〔様態５〕
　上記導入部では、上記導入口が上記処理チャンバーの壁面に直接的に設けられている例えば様態４に記載の表示装置の製造装置。
　〔様態６〕
　上記処理チャンバーに接続されて、当該処理チャンバー内の空気を排気する第１回収配管をさらに備え、上記導入部では、上記導入口が上記第１回収配管に接続されている例えば様態４に記載の表示装置の製造装置。
　〔様態７〕
　上記導入部は、上記加熱用ガスの流入を制御する制御バルブを備えた例えば様態４～６のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
　〔様態８〕
　上記導入部は、上記加熱用ガスを上記囲繞部へ流入させるファンまたはポンプを備えた例えば様態４～７のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
　〔様態９〕
　上記第２導入配管は、上記冷却用ガスを噴出する噴出口を備え、上記噴出口は、上記処理チャンバーの内部に突出するように形成されている例えば様態４～８のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
　〔様態１０〕
　上記加熱配管には、上記処理チャンバーに接続され、かつ当該加熱配管を加熱した不活性ガスを上記処理チャンバー内に導出する導出口が設けられている例えば様態１～９のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
　〔様態１１〕
　上記導出口の先端は、上記処理チャンバーの内部に突出する例えば様態１０に記載の表示装置の製造装置。
　〔様態１２〕
　上記導出口の先端は、上記第２導入配管の上記処理チャンバー側の端部の先端より上記処理チャンバーの内部に突出する例えば様態１１に記載の表示装置の製造装置。
　〔様態１３〕
　上記加熱配管に導入された上記加熱用ガスを排気する第２回収配管をさらに備え、上記加熱配管には、上記第２導入配管を加熱した不活性ガスを排気する排気口が設けられ、上記排気口は、上記第２回収配管に接続されている例えば様態４～９のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
　〔様態１４〕
　上記加熱配管には、上記第２導入配管を加熱する不活性ガスを流入する流入口が設けられ、上記流入口は、上記排気口よりも上記処理チャンバー側に設けられている例えば様態１３に記載の表示装置の製造装置。
　〔様態１５〕
　上記不活性ガスがＮ２である例えば様態請求項１～１４のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置
　〔様態１６〕
　上記製造装置はクリーンルーム内に設置され、上記冷却用ガスは上記クリーンルーム内の空気である例えば様態１～１５のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
　〔様態１７〕
　上記液状の樹脂材料がポリイミド樹脂の前駆体である例えば様態１～１６のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
　〔様態１８〕
　樹脂基板を有する表示装置の製造方法であって、処理チャンバーに、樹脂材料を設置する設置工程と、上記設置工程において設置された上記樹脂材料を焼成処理する焼成処理工程と、上記焼成処理工程の完了前に、第２導入配管を囲む加熱配管に、加熱用ガスを導入する配管加熱工程と、上記焼成処理工程の完了後に、上記処理チャンバーへ上記第２導入配管から冷却用ガスを導入する冷却工程と、上記冷却工程の完了前に、上記加熱配管に上記加熱用ガスの導入を終了する加熱配管加熱終了工程と、を備えた表示装置の製造方法。
１　製造装置
３　バリア層
５　発光素子層
６　封止層
１０　下面フィルム
１２　樹脂層
１５　半導体膜
１６、１６・１８・２０、１８、２０　無機絶縁膜
２１　平坦化膜
２２　アノード
２３　アノードカバー膜
２５　カソード
２６、２８　無機封止膜
２７　有機バッファ膜
３９　機能フィルム
４０　処理チャンバー
４１　加熱器
４２　樹脂基板
４４　排気口
５０　第１導入配管
６０　第２導入配管
７０　加熱配管
７０ａ　導入口
７０ｂ　接続口
７１、７４、７６　導入部
７２、７３、７５、７７　囲繞部
７８　第２回収配管（回収配管）
８０　第１回収配管
９０　冷却用バルブ
１００　制御バルブ
１１０　噴出口
１２０　導出口
１３０　ファン
１４０　スクラバー
１５０　フィルタ

Claims (18)

  1. 　樹脂基板を有する表示装置の製造装置であって、
    　液状の樹脂材料を、焼成処理する処理チャンバーと、
    　上記処理チャンバー内に不活性ガスを導入する第１導入配管と、
    　上記処理チャンバー内に冷却用ガスを導入する第２導入配管と、
    　上記第２導入配管を囲むように設けられた加熱配管とを備え、
    　上記処理チャンバー内において加熱された不活性ガスが、上記処理チャンバー内から上記加熱配管へ、上記第２導入配管を加熱するように導出される表示装置の製造装置。
  2. 　上記第２導入配管は、一方の端部側に上記冷却用ガスの流量を制御する冷却用バルブを備える請求項１に記載の表示装置の製造装置。
  3. 　上記第２導入配管は、他方の端部側において上記処理チャンバーに接続され、上記冷却用バルブを介して流入する上記冷却用ガスを上記処理チャンバーへ流入させる請求項２に記載の表示装置の製造装置。
  4. 　上記加熱配管は、
    　上記処理チャンバー側に接続された導入口を一端に設けるとともに、上記処理チャンバー内において加熱された不活性ガスを加熱用ガスとして導入する導入部と、
    　上記導入部の他端に設けられた当該導入部の接続口に接続されるとともに、上記第２導入配管を囲む囲繞部と、を備え、
    　上記導入部では、上記接続口が上記処理チャンバーよりも上記冷却用バルブに近接して設けられている請求項２または３のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
  5. 　上記導入部では、上記導入口が上記処理チャンバーの壁面に直接的に設けられている請求項４に記載の表示装置の製造装置。
  6. 　上記処理チャンバーに接続されて、当該処理チャンバー内の空気を排気する第１回収配管をさらに備え、
    　上記導入部では、上記導入口が上記第１回収配管に接続されている請求項４に記載の表示装置の製造装置。
  7. 　上記導入部は、上記加熱用ガスの流入を制御する制御バルブを備えた請求項４～６のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
  8. 　上記導入部は、上記加熱用ガスを上記囲繞部へ流入させるファンまたはポンプを備えた請求項４～７のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
  9. 　上記第２導入配管は、上記冷却用ガスを噴出する噴出口を備え、
    　上記噴出口は、上記処理チャンバーの内部に突出するように形成されている請求項１～８のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
  10. 　上記加熱配管には、上記処理チャンバーに接続され、かつ当該加熱配管を加熱した不活性ガスを上記処理チャンバー内に導出する導出口が設けられている請求項１～９のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
  11. 　上記導出口の先端は、上記処理チャンバーの内部に突出する請求項１０に記載の表示装置の製造装置。
  12. 　上記導出口の先端は、上記第２導入配管の上記処理チャンバー側の端部の先端より上記処理チャンバーの内部に突出する請求項１１に記載の表示装置の製造装置。
  13. 　上記加熱配管に導入された上記加熱用ガスを排気する第２回収配管をさらに備え、
    　上記加熱配管には、上記第２導入配管を加熱した不活性ガスを排気する排気口が設けられ、
    　上記排気口は、上記第２回収配管に接続されている請求項４～８のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
  14. 　上記加熱配管には、上記第２導入配管を加熱する不活性ガスを流入する流入口が設けられ、
    　上記流入口は、上記排気口よりも上記処理チャンバー側に設けられている請求項１３に記載の表示装置の製造装置。
  15. 　上記不活性ガスがＮ２である請求項１～１４のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
  16. 　上記製造装置はクリーンルーム内に設置され、上記冷却用ガスは上記クリーンルーム内の空気である請求項１～１５のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
  17. 　上記液状の樹脂材料がポリイミド樹脂の前駆体である請求項１～１６のいずれか１項に記載の表示装置の製造装置。
  18. 　樹脂基板を有する表示装置の製造方法であって、
    　処理チャンバーに、樹脂材料を設置する設置工程と、
    　上記設置工程において設置された上記樹脂材料を焼成処理する焼成処理工程と、
    　上記焼成処理工程の完了前に、第２導入配管を囲む加熱配管に、加熱用ガスを導入する配管加熱工程と、
    　上記焼成処理工程の完了後に、上記処理チャンバーへ上記第２導入配管から冷却用ガスを導入する冷却工程と、
    　上記冷却工程の完了前に、上記加熱配管に上記加熱用ガスの導入を終了する加熱配管加熱終了工程と、
    　を備えた表示装置の製造方法。
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