JP6832786B2 - 掃気ノズル及びこれを用いた基板処理装置、並びにパーティクル除去方法 - Google Patents
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
前記処理容器の内周面に沿う形状を有する吐出管と、
該吐出管の内側に、斜め下方を向くように設けられた複数の吐出孔と、
前記処理容器を外側から貫通して該吐出管に接続されるとともに、前記処理容器に支持されるガス供給部と、を有する。
20 ヒーター
30 マニホールド
40 インジェクタ
50 テーブル
60 蓋体
70 駆動機構
72 回転軸
80 排気ポート
81 排気管
85 真空ポンプ
90 掃気ノズル
91 吐出管
92 吐出孔
93 ガス供給部
100、101 ガス供給管
110、111 ガス供給源
130 ウエハボート
160 制御部
W ウエハ
Claims (20)
- 円筒形の側面を有する処理容器に用いられる掃気ノズルであって、
前記処理容器の内周面に沿う形状を有する吐出管と、
該吐出管の内側に、斜め下方を向くように設けられた複数の吐出孔と、
前記処理容器を外側から貫通して該吐出管に接続されるとともに、前記処理容器に支持されるガス供給部と、を有する掃気ノズル。 - 前記吐出管は前記処理容器の内径に沿う円弧状の形状を有する請求項1に記載の掃気ノズル。
- 前記ガス供給部は、前記吐出管の全長の真中に接続される請求項2に記載の掃気ノズル。
- 円筒形の側面を有し、底面が開口した処理容器と、
複数の基板を保持可能な基板保持具を上面に載置した状態で前記開口に基板保持具を搬入可能であるとともに、前記開口を密閉可能な蓋体と、
前記処理容器の内周面に沿う形状を有する吐出管を有し、前記蓋体にガスを噴出供給可能な掃気ノズルと、を有し、
前記吐出管は前記処理容器の内径に沿う円弧状の形状を有し、前記処理容器の下端付近の内周面に沿って設けられ、前記蓋体の一方の側から他方の側に向かって前記ガスを供給可能なように内側に複数の吐出孔を有する基板処理装置。 - 前記吐出孔は、斜め下方向を向いて設けられ、上方から前記蓋体の上面に沿った流れを形成しながら前記ガスを供給可能である請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記吐出孔は、水平方向においては前記ガスが平行流を形成するように平行に形成されている請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記吐出孔は、水平方向においては前記円弧状の形状の中心を向くように形成されている請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記吐出管は、前記処理容器を外部から貫通するガス供給管に接続されるとともに、該ガス供給管に支持されている請求項4乃至7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ガス供給管は、前記吐出管の全長の真中の位置に接続されている請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記蓋体が下降を開始し、前記蓋体と前記処理容器の下端に隙間が発生したタイミングで前記掃気ノズルから前記蓋体の上面に前記ガスを供給させる制御手段を更に有する請求項4乃至9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記蓋体が下降を開始するタイミングは、前記処理容器内のドライクリーニング終了後のタイミングである請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記蓋体が下降を開始するタイミングは、前記処理容器内における前記基板の処理が終了したタイミングである請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記ガスは窒素ガスである請求項4乃至12のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記処理容器は、前記基板に成膜処理を行うための容器であり、
前記処理容器内に処理ガスを供給するインジェクタと、
前記処理容器の周囲に設けられた加熱ヒーターと、を更に有する請求項4乃至13のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 下端に開口を有し、円筒形の側面を有する処理容器の前記開口を下方から密閉する蓋体の下降を開始する工程と、
前記処理容器の前記下端付近の内周面に沿って設けられた吐出管から、前記蓋体の上面にガスを噴出供給し、前記蓋体の上面のパーティクルを除去する工程と、を有するパーティクル除去方法。 - 前記蓋体の下降を開始する工程の後に、前記処理容器と前記蓋体との間に所定間隔の隙間を形成して前記蓋体の下降を停止する工程を更に有し、
前記パーティクルを除去する工程は、前記蓋体の下降を停止した後に行われる請求項15に記載のパーティクル除去方法。 - 前記蓋体の下降を開始する工程の前に、前記処理容器内の圧力を大気圧に設定する工程を更に有する請求項15又は16に記載にパーティクル除去方法。
- 前記蓋体の下降を開始する工程は、前記処理容器内をドライクリーニングした後に行われる請求項15乃至17のいずれか一項に記載のパーティクル除去方法。
- 前記蓋体の下降を開始する工程は、前記処理容器内において基板の処理を行った後に行われる請求項15乃至17のいずれか一項に記載のパーティクル除去方法。
- 前記ガスは窒素ガスである請求項15乃至19のいずれか一項に記載のパーティクル除去方法。
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