JP6752332B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents
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Description
所定の間隔で配列された複数の基板を保持する基板保持具と、
上端を閉塞する天井と、下端を開口する開口部と、を備え、前記開口部を介して前記基板保持具を出し入れ可能に収容する、鉛直方向に延びた筒状の反応管と、
前記反応管の下端に接続され、外周面に複数のガス導入ポートを備える筒状のインレットフランジと、
前記インレットフランジの下端開口を、前記基板保持具を出し入れ可能に塞ぐ蓋部と、
前記インレットフランジに、前記ガス導入ポートを避けて設けられる複数のヒータ要素と、
前記インレットフランジもしくは前記ヒータ要素のいずれかと熱的に結合され、温度を検出する温度センサと、
配設された前記ヒータ要素を前記温度センサの数に対応したグループ数にグループ化し、対応する前記温度センサにより検出された検出温度に基づいて、各グループの前記ヒータ要素への供給電力をそれぞれ独立に制御する温度制御器と、
を備える技術が提供される。
Tp1=Tprv−a1×Tfun+b1×Fchn
Tp2=Tprv−a2×Tfun+b2×Fblk−c×Fexh
ここで、Tprvは、副生成物の付着等を予防できるインレットフランジ5の内面温度、Tfunは、処理室8内(ウエハW)の温度、Fexhは、排気の流量であり、a1、a2、b1、b2、cは正の比例定数である。
複数枚のウエハWがボート14に装填(ウエハチャージ)されると、ボート14はボートエレベータ17によって処理室8内に搬入(ボートロード)され、反応管2の下部以降は蓋部9によって気密に閉塞(シール)された状態となる。この時、第1パージガス供給部から、第1パージガス28としてN2ガスを間隙41を介してノズル23a〜23cの基部に供給する。又、第2パージガス供給部から、第2パージガス49としてN2ガスを、第2パージガス流路27を介して隙間46に供給する。更に、第1パージガス28から分岐された第3パージガス29が、筒体39の内周面内に供給される。第1パージガス28、第2パージガス49の供給は、少なくとも成膜処理が完了する迄継続される。また、蓋部9がインレットフランジ5に当接する前に、バルブ41、42が開いていない場合には、開とされる。
処理室8内が所定の圧力(真空度)となる様に、真空ポンプ35によって真空排気(減圧排気)される。処理室8内の圧力は、圧力センサ33で測定され、測定された圧力情報に基づきAPCバルブ34がフィードバック制御される。又、処理室8内のウエハWが所定の処理温度となる様に、ヒータ3によって加熱される。この際、処理室8が所定の温度分布となる様に、温度検出器4が検出した温度情報に基づきヒータ3への通電具合がフィードバック制御される。又、回転機構16によるボート14及びウエハWの回転を開始する。
[原料ガス供給工程]
処理室8内の温度が予め設定された処理温度に安定すると、処理室8内のウエハWに対してDCSガスを供給する。DCSガスは、MFC21aにて所望の流量となる様に制御され、ガス供給管19a及びノズル23aを介して処理室8内に供給される。この時、第1パージガス供給部、第2パージガス供給部から炉口部に対してN2ガスが供給されている。これにより、ノズル23a〜23cの基部と周辺部を第1パージガス28で集中的にパージできると共に、それ以外の部分を第2パージガス49でパージし、炉口部の原料ガス濃度を希釈できる。尚、この工程に於いて、第1パージガス供給部、第2パージガス供給部によるN2ガスの供給を一時的に増加させてもよい。
次に、DCSガスの供給を停止し、真空ポンプ35により処理室8内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部から、不活性ガスとしてN2ガスを処理室8内に供給してもよい(不活性ガスパージ)。この排気工程では、APCバルブ34が一時的に全開となり、排気口26には大流量で高温の排気が流れうる。この間、コントローラ36は、冷却ブロック56へ十分な冷却水が供給されるようにバルブ42を制御するとともに、設定温度を下げるような補償値を温度制御器60に与えることができる。
次に、処理室8内のウエハWに対してNH3ガスを供給する。NH3ガスは、MFC21bにて所望の流量となる様に制御され、ガス供給管19b及びノズル23bを介して処理室8内に供給される。この時、第1パージガス供給部、第2パージガス供給部から炉口部に対してN2ガスが供給されている。これにより、ノズル23a〜23cの基部と周辺領域を集中的にパージできると共に、その他の部分についてもパージでき、炉口部に於ける反応ガス濃度を希釈することができる。
次に、NH3ガスの供給を停止し、真空ポンプ35により処理室8内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部からN2ガスを処理室8内に供給してもよい(不活性ガスパージ)。また、原料ガス排気工程と同様に、冷却水や設定温度が制御されうる。
所定膜厚の膜を形成した後、不活性ガス供給部からN2ガスが供給され、処理室8内がN2ガスに置換されると共に、処理室8の圧力が常圧に復帰される。その後、ボートエレベータ17により蓋部9が降下され、ボート14が反応管2から搬出(ボートアンロード)される。その後、処理済ウエハWは、ボート14より取出される(ウエハディスチャージ)。
処理温度(ウェーハ温度):300℃〜700℃、
処理圧力(処理室内圧力):1Pa〜4000Pa、
DCSガス:100sccm〜10000sccm、
NH3ガス:100sccm〜10000sccm、
N2ガス:100sccm〜10000sccm、
それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内の値に設定することで、成膜処理を適正に進行させることができる。なお成膜処理は、ウエハW上にSiN膜を形成するものに限定されず、例えば、ウエハW上にSiO2膜、SiON膜等を形成する場合にも好適に適用できる。
以上、本開示の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
また、補償値や冷却水量の制御は、成膜等の基板処理中に行うものに限らず、反応管2内のガスクリーニングを行う際にも、好適に実施されうる。この時の設定温度は、エッチング反応が満遍なく起こるように、均一に与えられうる。或いは、除去すべき堆積物の膜厚が大きい位置では温度も高くなるように、設定することができる。
2 反応管
5 インレットフランジ
8 処理室
14 ボート(基板保持具)
26 排気口
32 排気管
36 コントローラ
60 温度制御器
Claims (6)
- 所定の間隔で配列された複数の基板を保持する基板保持具と、
上端を閉塞する天井と、下端を開口する開口部と、を備え、前記開口部を介して前記基板保持具を出し入れ可能に収容する、鉛直方向に延びた筒状の反応管と、
前記反応管の下端に接続され、外周面に複数のガス導入ポートを備える筒状のインレットフランジと、
前記インレットフランジの下端開口を、前記基板保持具を出し入れ可能に塞ぐ蓋部と、
前記インレットフランジに、前記ガス導入ポートを避けて設けられる複数のヒータ要素と、
前記インレットフランジもしくは前記ヒータ要素のいずれかと熱的に結合され、温度を検出する温度センサと、
配設された前記ヒータ要素を前記温度センサの数に対応したグループ数にグループ化し、対応する前記温度センサにより検出された検出温度に基づいて、各グループの前記ヒータ要素への供給電力をそれぞれ独立に制御する温度制御器と、
を備える基板処理装置。 - 前記ヒータ要素は、前記インレットフランジの外周面に沿って配設され、前記ヒータ要素の数は、M(Mは3以上の整数)個であり、
前記温度センサの数は、N(Nは2以上かつMより小さい整数)個であり、
前記温度制御器は、前記N個の温度センサの検出温度が、所定の設定温度と一致するように前記ヒータ要素への供給電力をそれぞれ制御する請求項1記載の基板処理装置。 - 前記インレットフランジは、上端において前記反応管と気密に接続する上フランジと、下端において前記蓋部と気密に接続する下フランジと、前記上フランジと前記下フランジを接続する筒部と、を有し、
前記上フランジ又は前記上フランジに接続され前記反応管の開口部を前記上フランジに固定するクランプは、区分的に全周にわたって埋め込まれた冷却水路を有し、前記筒部の高さは、前記複数のガス導入ポートが有するコネクタの最大の直径と、略等しいかそれよりも低く設定され、
前記M個のヒータ要素は、前記グループ毎に直列又は並列に接続され、単位長さ当たりの発熱量が等しい、請求項1の基板処理装置。 - 前記反応管は、前記開口部付近において、内部のガスを排出する排気管を有し、前記排気管の少なくとも下辺に隣接して前記排気管を冷却する冷却器を更に備えた、請求項3の基板処理装置。
- 筒状の反応管の下端に接続される筒状のインレットフランジに、ガス導入ポートを避けながら設けられた複数のヒータ要素が、前記インレットフランジもしくは前記ヒータ要素のいずれかと熱的に結合されて温度を検出する温度センサの数に対応した数のグループにグループ化されており、前記温度センサにより検出された検出温度に基づいて、グループ毎に独立して、前記ヒータ要素への供給電力をそれぞれ制御する工程と、
前記インレットフランジの下端開口から、基板保持具に保持された複数の基板を前記反応管の中に搬入し、前記下端開口を蓋で塞ぐ工程と、
所定の温度まで加熱した前記反応管の内部に、前記ガス導入ポートからガスを供給する工程と、を有する
半導体装置の製造方法。 - 筒状の反応管の下端に接続される筒状のインレットフランジに、ガス導入ポートを避けながら設けられた複数のヒータ要素を、前記インレットフランジもしくは前記ヒータ要素のいずれかと熱的に結合されて温度を検出する温度センサの数に対応した数のグループにグループ化し、前記温度センサにより検出された検出温度に基づいて、グループ毎に独立して、前記ヒータ要素への供給電力をそれぞれ制御する手順と、
前記インレットフランジの下端開口から、基板保持具に保持された複数の基板を前記反応管の中に搬入し、前記下端開口を蓋で塞ぐ手順と、
所定の温度まで加熱した前記反応管の内部に、前記ガス導入ポートからガスを供給する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
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