JP2003257837A - 基板処理装置および基板処理システム - Google Patents

基板処理装置および基板処理システム

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JP2003257837A
JP2003257837A JP2002058446A JP2002058446A JP2003257837A JP 2003257837 A JP2003257837 A JP 2003257837A JP 2002058446 A JP2002058446 A JP 2002058446A JP 2002058446 A JP2002058446 A JP 2002058446A JP 2003257837 A JP2003257837 A JP 2003257837A
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substrate
unit
processing
monitoring
substrate processing
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JP2002058446A
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Satoshi Yamamoto
聡 山本
Kazuya Akiyama
一也 秋山
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板処理装置でアラームが発生したときに、
そのアラームの原因となった異常の影響を受ける基板と
その原因を迅速に特定して、処理不良基板が以後の工程
へ流出することを防止する。 【解決手段】 基板処理装置を構成する各処理ユニット
での処理状況を監視する。監視結果としてアラームが発
生したときに、そのアラームの原因となった処理ユニッ
トを識別するためのデータだけでなく、その処理ユニッ
トで処理を受けていた基板を特定するデータや、そこに
おける基板処理の監視データを含む監視結果情報を保存
するとともにモニタに可視的に表示する。これによっ
て、処理不良の可能性がある基板の特定と、その処理状
況とをオペレータが迅速に把握可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)に所
定の処理を行う基板処理装置と基板処理システムとに関
するもので、特に、アラーム発生に対処するための改良
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、基板処理装置では、その構成要素
である処理ユニット毎に処理状況を監視し、そのうち少
なくとも1の処理ユニットで、処理状況の指標となる基
板温度や処理時間等の監視データの値が所定範囲外とな
る場合には、当該処理ユニットで処理不良が発生したと
判断して、基板処理装置のオペレータに対して、当該処
理ユニットで処理不良が発生したことを通知するアラー
ム情報を発していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このアラーム
情報は、処理不良の発生した時刻や処理ユニットを特定
するための情報のみであり、そのため、処理不良発生時
に当該処理ユニットで処理していた基板を特定するに
は、処理不良発生時刻と各処理ユニットの処理サイクル
とを基にして逆算的に時間を遡って基板を特定しなけれ
ばならず、非常に労力を要した。
【0004】また、上述のように、処理不良発生時にオ
ペレータが取得することのできる情報は、処理不良の発
生した時刻や処理ユニットを特定するための情報のみで
あり、そのため、処理不良の影響を受けた基板を逆算的
に特定したとしても、その処理不良が基板に影響を及ぼ
すかとうかを判定するのに必要となる監視データ、およ
びその判定基準を取得することができないため、処理不
良の度合を判断することができなかった。
【0005】さらに、近時の直径が300mm以上の基
板では、基板の品質の向上のため、基板毎に処理状況履
歴を把握することが要望されている。
【0006】そこで、本発明では、アラーム発生時にお
いて、そのアラームの発生原因となった処理不良の影響
を、具体的な基板処理との関連で特定可能な基板処理装
置およびそれを用いた基板処理システムを提供すること
を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく、
請求項1に記載の発明は、複数の処理ユニットを有する
基板処理装置であって、前記複数の処理ユニットのうち
少なくともひとつを監視対象ユニットとして、前記監視
対象ユニットでの基板処理状態を監視する監視手段と、
前記監視手段によって取得される監視データに基づい
て、前記監視対象ユニット内に滞在している各基板の処
理状況を判定し、判定結果が所定の許容範囲を逸脱した
ときにアラームを発生する判定手段と、前記アラームの
発生原因となった監視対象ユニットを異常発生ユニット
として、前記異常発生ユニットを特定するユニット識別
データと、前記処理不良の発生時に前記異常発生ユニッ
ト内に滞在していた基板を特定する基板識別データと、
前記異常発生ユニットにおける前記監視データとを対応
付けた監視結果情報を生成する情報化手段とを備えるこ
とを特徴とする。
【0008】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置であって、前記監視結果情報を可視的に
表示する表示手段をさらに備えることを特徴とする。
【0009】請求項3に記載の発明は、請求項2に記載
の基板処理装置であって、前記表示手段が、前記監視デ
ータとともに、当該監視データが示す値の許容範囲を可
視的に表示することを特徴とする。
【0010】請求項4に記載の発明は、請求項1ないし
請求項3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前
記監視対象ユニットが露光後ベークユニットを含み、前
記露光後ベークユニットについての前記監視データは、
ベーク処理後待ち時間を含むことを特徴とする。
【0011】請求項5に記載の発明は、基板処理システ
ムであって、それぞれが請求項1ないし請求項4のいず
れかに記載の基板処理装置として構成された複数の基板
処理装置と、前記複数の基板処理装置とネットワークを
介して接続される情報処理装置とを備え、前記複数の基
板処理装置のそれぞれは、前記監視結果情報を、自己の
基板処理装置を特定する装置識別データとともに、前記
ネットワークを介して前記情報処理装置に送信する送信
手段を有し、前記情報処理装置は、前記送信手段によっ
て送信された前記装置識別データと前記監視結果情報を
対応付けて、システム監視結果情報として追加格納する
データベースと、前記データベースに蓄積された複数の
システム監視情報のうちから、指定された情報を抽出す
る抽出手段とを有することを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
【0013】<1.基板処理装置の概略構成>図1は、
本発明の実施形態に係る基板処理装置1の全体構成を示
す平面図である。なお、図1および以降の各図にはそれ
らの方向関係を明確にするため必要に応じてZ軸方向を
鉛直方向とし、XY平面を水平平面とするXYZ直交座
標系を付している。
【0014】基板処理装置1は、略円形の半導体基板
(ウェハ)にレジスト塗布処理や現像処理を行う装置で
あって、基板の搬出入を行うインデクサIDと、基板に
処理を行う複数の処理ユニットからなる第1処理部群P
G1、第2処理部群PG2と、図示を省略する露光装置
との基板の受け渡しを行うインターフェイスIFと、搬
送ロボットTRとを備えている。
【0015】インデクサIDは、複数枚の基板を収納可
能なキャリア(図示省略)を載置するとともに移動ロボ
ットを備え、未処理基板を当該キャリアから搬送ロボッ
トTRに払い出すとともに処理済み基板を搬送ロボット
TRから受け取ってキャリアに格納する。
【0016】インターフェイスIFは、搬送ロボットT
Rからレジスト塗布処理済の基板を受け取って図外の露
光装置に渡すとともに、露光済みの基板を受け取って搬
送ロボットTRに渡す機能を有する。また、インターフ
ェイスIFは、露光装置との受け渡しタイミングの調整
を行うべく、露光前後の基板を一時的にストックするバ
ッファ機能を有し、基板を載置するバッファカセットB
Cと、搬送ロボットTRとの間で基板を受け渡す移載ロ
ボットRBとを備えている。
【0017】基板処理装置1は、基板に処理を行うため
の複数の処理ユニット(処理部)を備えており、そのう
ちの一部が第1処理部群PG1を構成し、残部が第2処
理部群を構成する。図2は、第1処理部群PG1および
第2処理部群PG2の構成を示す図である。第1処理部
群PG1は、液処理ユニットたる塗布処理ユニットSC
1、SC2(レジスト塗布処理部)の上方に複数の熱処
理ユニットを配置して構成されている。なお、図2にお
いては、図示の便宜上処理ユニットを平面的に配置して
いるが、実際には高さ方向(Z軸方向)に積層されてい
るものである。
【0018】塗布処理ユニットSC1、SC2は、基板
主面にフォトレジストを供給し、基板を回転させること
によって、均一なレジスト塗布を行う、いわゆるスピン
コータである。塗布処理ユニットSC1、SC2の上方
には3段に積層された熱処理ユニットが3列設けられて
いる。すなわち、下から順に冷却ユニットCP1、密着
強化ユニットAH(密着強化処理部)、加熱ユニットH
P1が積層された列と、冷却ユニットCP2、加熱ユニ
ットHP2、加熱ユニットHP3が積層された列と、冷
却ユニットCP3、加熱ユニットHP4、加熱ユニット
HP5が積層された列とが設けられている。
【0019】同様に、第2処理部群PG2は、液処理ユ
ニットたる現像処理ユニットSD1、SD2の上方に複
数の熱処理ユニットを配置して構成されている。現像処
理ユニットSD1、SD2は、露光後の基板上に現像液
を供給することによって、現像処理を行う、いわゆるス
ピンデベロッパである。現像処理ユニットSD1、SD
2の上方には、3段に積層された熱処理ユニットが3列
設けられている。すなわち、下から順に冷却ユニットC
P4、露光後ベークユニットPEB、加熱ユニットHP
6が積層された列と、冷却ユニットCP5、加熱ユニッ
トHP7、加熱ユニットHP8が積層された列と、冷却
ユニットCP6、加熱ユニットHP9、加熱ユニットH
P10が積層された列とが設けられている。
【0020】加熱ユニットHP1〜HP10は、基板を
加熱して所定の温度にまで昇温する、いわゆるホットプ
レートである。また、密着強化ユニットAHおよび露光
後ベークユニットPEBもそれぞれレジスト塗布処理前
および露光直後に基板を加熱する加熱ユニットである。
冷却ユニットCP1〜CP6は基板を冷却して所定の温
度にまで降温するとともに、基板を当該所定の温度に維
持する、いわゆるクールプレートである。
【0021】本明細書においては、これら基板の温度調
整を行うユニット(加熱ユニットおよび冷却ユニット)
を熱処理ユニットと称する。また、塗布処理ユニットS
C1、SC2および現像処理ユニットSD1、SD2の
ような基板に処理液を供給して所定の処理を行う処理ユ
ニットを液処理ユニットと称する。そして、液処理ユニ
ットおよび熱処理ユニットを総称して処理ユニットとす
る。
【0022】なお、液処理ユニットの直上には、液処理
ユニット側に温湿度の管理されたクリーンエアーのダウ
ンフローを形成するフィルタファンユニットFFUが設
けられている。また、図示を省略しているが、搬送ロボ
ットTRが配置された上方の位置にも、搬送空間に向け
てクリーンエアーのダウンフローを形成するフィルタフ
ァンユニットが設けられている。
【0023】基板処理装置1の内部には制御ユニット2
が設けられている。制御ユニット2は、プログラムや変
数等を格納するメモリ21と、メモリ21に格納されて
いるプログラムに従った制御を実行するCPU22とを
備えて構成されいる。制御ユニット2は、搬送ロボット
TRおよび各処理ユニットと制御信号、およびデータを
送受信することにより、所定のタイミングで制御を行う
とともに、各処理ユニットの監視を行う。
【0024】図3は、本実施形態で使用する搬送ロボッ
トTRのアーム駆動部の一例を示す斜視図である。図3
に示すように、搬送ロボットTRは、2つの搬送アーム
61a、61bを上下に配置したダブルアームとして備
えている。
【0025】搬送アーム61(61a、61b)は直動
部材62に固着されている。さらに、直動部材62は水
平面内で直進移動するように屈伸部材63に支持されて
いる。また、屈伸部材63は水平面内に回動自在となる
よう屈伸部材64に支持されており、屈伸部材64は水
平面内に回動自在となるよう、搬送ロボットTRの上面
に配置されたアーム基台65に支持されている。
【0026】直動部材62、屈伸部材63および屈伸部
材64はいずれも、図示しない駆動機構DRによって駆
動されるため、基板搬送アームは水平面内の進退(水平
伸縮ないしは水平屈伸)運動を行い、基板Wの授受およ
び保持を行う。
【0027】また、基板処理装置1には、各処理ユニッ
トでの処理状況や処理条件を表示する表示モニタ3が取
り付けられている。オペレータは、この表示モニタ3に
よって、各処理ユニットの状況を把握することが可能と
なる。
【0028】<2.露光後ベークユニットにおける処理
状況の監視>図1および図2に示すように、基板処理装
置1は種々の処理ユニットから構成されている。そのた
め、基板処理装置1で処理中の各基板の処理状況を把握
するには、各基板が現在滞在している処理ユニットを把
握するとともに、その滞在している処理ユニットで処理
不良の原因となる状況を発生しているか否かの指標とな
る監視データを収集し、処理状況が正常であるかどうか
の判定を行う必要がある。
【0029】ここでは、各処理ユニットにおける基板の
処理状況を把握する例として、露光後ベークユニットP
EBに滞在する基板について、処理不良の原因の1つと
なるベーク処理後待ち時間を指標として、露光後ベーク
ユニットPEBを監視し、判定する手順について説明す
る。ただし、以下のような異常監視処理は、露光後ベー
クユニットPEB以外の処理ユニットについてもあわせ
て行なわれ、同様の処理が並列的に実行される。
【0030】(1) ベーク処理後待ち時間 図4は、基板処理装置1で処理不良が発生せず正常に動
作している場合の、露光後ベークユニットPEBおよび
冷却ユニットCP4における基板の滞在時間を示すタイ
ミングチャートである。また、図5は基板処理装置1に
含まれる処理ユニットのうち少なくとも1つの処理ユニ
ットまたは搬送ロボットTRにおいて、異常な動作が生
じて一時的に動作が停止した場合の、露光後ベークユニ
ットPEBおよび冷却ユニットCP4における基板の滞
在時間を示すタイミングチャートである。
【0031】図4および図5に示す横軸は、時刻Tを、
また、露光後ベークユニットPEBおよび冷却ユニット
CP4における実線は、各処理ユニットに基板が滞在し
ていることを、また、各処理ユニット間を結ぶ一点鎖線
は、基板を搬送ロボットTRによって各処理ユニット間
で搬送することを示す。
【0032】また、図4および図5に示すように、基板
処理装置1では、各処理ユニットに基板が滞在する時間
が所定時間Tcとなるように、処理時間が調整されてい
る。
【0033】さらに、図4および図5に示すタイミング
チャートは、説明を簡略化するため、バッファカセット
BCには、基板上に塗布処理されたレジスト膜に対し
て、図示しない露光装置によって所定パターンの露光が
終了した基板W1〜W3が載置されているものとする。
【0034】以下では、図4および図5を使用してバッ
ファカセットBC、露光後ベークユニットPEBにおい
て処理不良の原因となるベーク処理後待ち時間につい
て、基板W1およびW2とに着目して説明する。
【0035】図4に示すように、時刻t0からt1にお
いて、搬送ロボットTRは、バッファカセットBCに載
置された基板W1を、搬送アーム61aを使用して、移
載ロボットRBから受け取る。そして、露光後ベークユ
ニットPEBに移動した後、基板W1を露光後ベークユ
ニットPEBに渡す。
【0036】時刻t1からt4において、基板W1は、
露光後ベークユニットPEBに滞在する。まず初めに、
時刻t1からt2において、露光後ベークユニットPE
Bは基板W1を保持したまま待機する。次に、時刻t2
において、基板W1を所定温度まで加熱して保持するベ
ーク処理を開始し、時間Tpが経過するまで基板W1を
所定温度で保持し続けることにより、基板上のレジスト
膜の露光された部分の反応をさらに進行させる。そし
て、時刻Tp経過後に基板の加熱処理を停止してベーク
処理を終了し、時刻t4まで露光後ベークユニットPE
Bに滞在する。ここで、ベーク処理終了時から、搬送ロ
ボットTRによって露光後ベークユニットPEBから取
り出されるまでの時間をベーク処理後待ち時間Twと呼
ぶことにする。
【0037】また、時刻t3において、搬送ロボットT
Rは、バッファカセットBCに載置された基板W2を基
板W1と同様に移載ロボットRBから受け取り、露光後
ベークユニットPEBまで移動する(t=t4)。
【0038】時刻t4からt6において、露光後ベーク
ユニットPEBに移動した搬送ロボットTRは、ベーク
処理が終了した基板W1を、搬送アーム61bを使用し
て露光後ベークユニットPEBから取り出す。続いて、
搬送アーム61aを使用して基板W2を露光後ベークユ
ニットPEBに渡す。そして、搬送ロボットTRは、露
光後ベークユニットPEBから冷却ユニットCP4へ移
動し、基板W1を冷却ユニットCP4に渡す。
【0039】時刻t6からt7において、基板W1は冷
却ユニットCP4に滞在する。まず初めに、時刻t6か
ら所定時間Tsの間、基板W1を所定温度まで冷却して
保持することにより、基板上のレジスト膜の露光された
部分の反応を停止させる。したがって、ベーク処理後待
ち時間Twが所定値よりも長くなると、冷却ユニットC
P4における冷却開始時期が遅延し、レジスト膜上の露
光部分の反応が徐々に進行する。その結果、露光後ベー
クユニットPEBによるベーク処理後、現像処理ユニッ
トSD1またはSD2での現像処理によって形成される
パターンの線幅が所定範囲外となり、線幅不良の原因と
なる。
【0040】続いて、時間Tsが経過することにより基
板W1の冷却処理が終了するが、基板W1は、時刻t7
まで冷却ユニットCP4に滞在する。そして、時刻t7
において、搬送ロボットTRの搬送アーム61bによっ
て冷却ユニットCP4から基板W1を取りだし、次の処
理ユニットへと搬送する。
【0041】そして、基板W2およびW3に対しても、
以上と同様な処理が時系列的に行われ、各基板の処理が
行われる。
【0042】次に、図5を使用することによって、基板
処理装置のうち少なくとも1つの処理ユニットまたは搬
送ロボットTRにおいて、異常な動作が生じて一時的に
動作が停止した場合におけるベーク処理後待ち時間につ
いて説明する。ここでは、搬送ロボットTRによる基板
の搬送、露光後ベークユニットPEBによる基板のベー
ク処理および、冷却ユニットCP4による基板の冷却処
理のうち、図4と相違する点を中心に説明する。
【0043】図5に示すように、バッファカセットBC
に載置されている基板W1を、移載ロボットRBおよび
搬送ロボットTRを介して受け取った露光後ベークユニ
ットPEBは、時刻t2において、基板W1を所定温度
まで加熱して保持するベーク処理を開始し、時間Tpが
経過するまで基板W1を所定温度で保持し続けることに
より、基板上のレジスト膜の露光された部分の反応をさ
らに進行させる。そして、時刻Tp経過後に基板の加熱
処理を停止してベーク処理を終了し、搬送ロボットTR
によって露光後ベークユニットPEBから取り出される
まで待機する。
【0044】ここで、時刻t3において、バッファカセ
ットBCに載置された基板W1を、搬送アーム61aを
使用して、移載ロボットRBから受け取る際に、例え
ば、移載ロボットRBロボットと搬送ロボットTRとの
同期ズレが原因で、搬送ロボットTRが基板W2を受け
取る時刻がt3からt3’へと時間ΔTだけ遅延が発生
した場合、それに従って、搬送ロボットTRによって、
基板W1を露光後ベークユニットPEBから取り出す時
刻がt4からt4’へと時間ΔTだけ遅延し、その結
果、ベーク処理後待ち時間が、TwからTw’へとΔT
だけ増加する。このため、基板W1を搬送ロボットTR
によって、露光後ベークユニットPEBから冷却ユニッ
トCP4へと移動して受け渡し、冷却を開始する時刻t
6’が、図4に示す冷却開始時刻t6と比較してΔTだ
け遅延し、基板上に塗布されたレジスト膜の露光部分の
反応停止開始時刻がΔTだけ遅延するため、レジスト膜
上の露光部分の反応がさらに進行し、遅延時間ΔTが所
定の許容範囲外となると線幅不良の原因となる。
【0045】このように、露光後ベークユニットPEB
において、ベーク処理後待ち時間が所定の許容範囲を超
えて長くなってしまった基板が、現像処理等の後工程に
流出すると、処理不良の原因となるため、基板毎にベー
ク処理後待ち時間を監視し、所定範囲内であるか否かを
判定して、基板毎の処理状況を把握することが好まし
い。
【0046】(2) 基板の処理状況の監視および判定 ここでは、露光後ベークユニットPEBにおける基板の
処理状況を把握するための手順を説明する。図6は、露
光後ベークユニットPEBにおいて処理されている基板
を特定し、処理状況を把握する手順を示す。
【0047】まず初めに、搬送ロボットTRから露光後
ベークユニットPEBに基板が搬入されたことを通知す
る制御信号を制御ユニット2が検出すると(S10
1)、制御ユニット2は、搬入された基板の基板識別デ
ータと露光後ベークユニットPEBを示す処理ユニット
識別データ(処理ユニット番号)とをメモリ21に格納
する(S102)。
【0048】基板識別データは、図8に示すようにカセ
ット番号、スロット番号およびウエハ番号から構成され
ており、各基板を一意に特定するのに用いられる。
【0049】また処理ユニット番号は、基板処理装置1
の各処理ユニットを一意に特定するために振られた重複
しない番号である。
【0050】ここで、基板識別データおよび処理ユニッ
ト番号は、基板処理装置1内にある図示しない基板識別
データ格納部から取得してもよいし、ネットワーク5を
介して後述する情報処理装置4から取得してもよい(図
11)。
【0051】続いて、制御ユニット2は、露光後ベーク
ユニットPEBに、露光後ベーク処理と、処理不良の原
因となる状況が発生しているかどうかの監視・判定を開
始させる(S103)。
【0052】図7に、ステップS103に対応して実行
される露光後ベークユニットPEBにおける処理手順を
示す。露光後ベークユニットPEBでは、まず初めに、
メモリ21上の所定の場所に現在日時を開始日時として
保存する(S201)。続いて、基板が露光後ベークユ
ニットPEBに搬入されてから所定時間Tr経過したが
どうかを確認する露光後ベーク処理前待ち時間経過確認
を行う(S202)。次に、所定時間Trが経過したこ
とを確認すると、露光後ベーク処理を開始する(S20
3)。
【0053】露光後ベーク処理が終了したことを確認す
ると、露光後ベーク処理終了時点から搬送ロボットTR
が基板を取り出すまでの時間であるベーク処理後待ち時
間の計測を開始する(S204)。以下、基準値として
の待ち時間Twと区別する目的で、ベーク処理後待ち時
間の計測値をTwaとする。また、ベーク処理後待ち時間
Twaの許容範囲を示す閾値としての上限値をTwh、下限
値をTw0とする。ただし、これらの閾値Twh、Tw0は、
基準値Twに対してTwh>Tw、Tw0<Twを満足する条
件下であらかじめ実験的に決定されている値である。
【0054】続いて、ベーク処理後待ち時間の計測値T
waと上限値Twhとを比較することにより、待ち時間の計
測値Twaが許容範囲内であるかどうかの判定を行う(S
205)。ベーク処理後待ち時間の計測値Twaが上限値
Twhよりも大きく、ベーク処理後待ち状態が許容範囲を
越えて持続していると判定されたか、あるいは計測値T
waが下限値Tw0より小さく、ベーク処理後待ち状態が許
容範囲に達しないと判定された場合は、処理不良が生じ
たものとして、現在日時を示す数値データをアラーム発
生日時としてメモリ21の所定の場所に格納し(S20
6)、あわせて、図9(a)に示す処理不良の内容を一
意に特定することのできるアラーム番号と、ベーク処理
後待ち時間の計測値Twaとも、メモリ21上の所定の場
所に格納する(S207)。一方、ベーク処理後待ち時
間の計測値Twaが許容範囲内の場合(Tw0≦Twa≦Tw
h)には、メモリ21の所定の場所に、図9(b)に示
すようにアラーム番号としてゼロ値を、さらに、監視デ
ータとしてベーク処理後待ち時間の計測値Twaを格納す
る(S208)。ここで、アラーム番号は基板処理装置
1の使用者があらかじめ一意に定めればよく、図9
(a)、(b)に示す値には限定されない。そして、現
在日時を示す数値データを処理終了日時としてメモリ2
1に格納する。
【0055】ステップ103における露光後ベーク処理
が終了すると、制御ユニット2は、メモリ21の所定の
場所に格納されたアラーム番号を取得して(S10
4)、アラーム番号がゼロ以外の場合は、処理不良が発
生していると判断して(S105)、図10に示す表示
モニタ3に、メモリ21に格納されているアラーム番号
と、監視データとしてのベーク処理後待ち時間と、処理
ユニット番号と、基板識別データを構成するカセット番
号、スロット番号およびウエハ番号とを含む監視結果情
報のほか、アラーム番号によって一意に定まるアラーム
内容と、監視データの許容範囲を示す値(許容上限値T
wh、下限値Tw0)も可視的に表示する。
【0056】基板処理装置1を構成する複数の処理ユニ
ットのうち、露光後ベークユニットPEB以外について
同様の処理不良監視処理を行うユニットとしては、例え
ば、塗布処理ユニットSC1、SC2、現像処理ユニッ
トSD1、SD2、加熱ユニットHP1〜HP10、密
着強化ユニットAHおよび冷却ユニットCP1〜CP6
がある。それぞれのユニットにおける監視データの例は
以下の通りである。
【0057】※回転処理ユニットにおける監視データ 基板を回転させつつレジストや現像液等の処理液を吐出
して基板処理を行う回転処理ユニット、たとえば塗布処
理ユニットSCおよび現像処理ユニットSDの監視デー
タとしては、回転数異常、処理液の流量、処理液の吐出
状況、処理液の温度のそれぞれの計測値などを採用可能
である。
【0058】※加熱関係のユニットにおける監視データ 加熱ユニットHPおよび密着強化ユニットAHのような
加熱関係のユニットの監視データとしては、露光後ベー
クユニットPEBと同様に、加熱処理終了時点から、基
板が当該ユニットより搬出されるまでの時点を示す処理
後待ち時間、加熱温度および温度履歴のそれぞれの計測
値などを採用可能である。
【0059】※冷却関係ユニットにおける監視データ 冷却ユニットCPのような冷却関係のユニットの監視デ
ータとしては、冷却温度および温度履歴のそれぞれの計
測値などを採用可能である。
【0060】以上のような監視処理を監視対象ユニット
についてそれぞれ行うことにより、本実施形態では、露
光後ベークユニットPEBでアラームが発生した場合、
アラームが発生した際に、この露光後ベークユニットP
EBに滞在していた基板と、アラームの原因となった状
況と、その監視データとを対応付けて取得することがで
きるため、従来の基板処理装置のように、アラームの発
生した時刻と、アラームの発生した処理ユニットとによ
り、当該処理ユニットに滞在していた基板をマニュアル
で逆算的に探索する必要がなく、基板を特定するのに必
要となる時間を削減することができる。
【0061】また、処理不良が発生した際に、表示モニ
タ3に、監視データとしてのベーク処理後待ち時間、処
理ユニット番号、基板識別データを構成するカセット番
号、スロット番号およびウエハ番号とを含む監視結果情
報のほか、アラーム番号によって一意に定まるアラーム
内容や、監視データの許容上限値Twh、下限値Tw0
も表示することができるため、基板処理装置1のオペレ
ータは、処理不良の発生した処理ユニットと、アラーム
の原因となった処理不良の内容と、その処理不良の影響
を受ける基板と、監視データおよびその許容範囲とを、
容易に取得することができる。このため、オペレータ
は、処理不良の度合を容易に判断することができ、ま
た、処理不良の影響を受けた基板が露光後ベークユニッ
トPEBより後の工程に流出するのを防止するための措
置、例えば、その基板を処理ラインから取り除いたり、
検査後に処理ラインに再投入するなどの措置を講ずるこ
とができる。
【0062】(3) 基板処理システムによる基板処理状
況の把握 ここでは、本実施形態の基板処理装置と情報処理装置と
を備え、各基板処理装置で処理される基板の処理状況を
把握することのできる基板処理システムについて説明す
る。
【0063】a) 基板処理システムの概略構成 図11は、本実施形態の基板処理装置1を複数備える基
板処理システム100の構成を示す図である。図11に
示すように、基板処理システム100は、情報処理装置
4と複数の基板処理装置1(1a〜1d)とを備え、各
基板処理装置1はネットワークを介して情報処理装置4
と接続されている。
【0064】情報処理装置4は、各基板処理装置1で処
理される基板の処理状況を示すデータを格納するデータ
ベース41を備えている。図12にデータベースの構成
を示す。図12に示すように、データベース41は、基
板を特定し、その基板の処理状況を示す、基板識別デー
タ(カセット番号,スロット番号およびウエハ番号)
と、基板処理システム100が備える基板処理装置を識
別するのに使用する装置番号と、装置番号によって特定
される基板処理装置に含まれる処理ユニットを識別する
のに使用させる処理ユニット番号と、基板識別データで
特定される基板が当該処理ユニットで基板処理された際
の処理不良によるアラーム発生の有無および処理不良内
容を特定することのできるアラーム番号と、当該処理ユ
ニットにおいて処理不良が発生しているか否かの判定を
行う際に使用した監視データと、当該処理ユニットで当
該基板の処理を開始および終了した日時を示す開始時刻
および終了時刻と、処理不良が発生した日時を示すアラ
ーム発生日時とから構成されており、これらの情報が複
数の基板処理装置1内に存在するすべての基板について
登録されている。
【0065】これらデータベース41の各構成要素は、
後述するように各基板処理装置1(1a〜1d)から送
信されるデータを受信した際に、データベース41に追
加格納される。
【0066】b) データベースへの追加格納 ここでは、情報処理装置4のデータベース41に追加格
納する例として、基板処理装置1(1a〜1d)に含ま
れる露光後ベークユニットPEBで基板処理された基板
の処理状況を追加格納する手順について説明する。な
お、以下ではひとつの基板処理装置1aについて説明す
るが、他の基板処理装置1b〜1dについても同様であ
る。
【0067】図13は、データベース41に基板の処理
状況を示すデータを追加格納する手順を示す図である。
ここで、図13中の点線で囲まれた部分は、基板処理装
置1aでの処理を、また、一点鎖線で囲まれた部分は、
情報処理装置4での処理を示すものである。
【0068】まず初めに、基板処理装置1aの露光後ベ
ークユニットPEBにおいて、基板識別データによって
特定されるの基板の露光後ベーク処理を、図6および図
7に示す手順により行う(S301)。ステップS30
1の処理後、メモリ21上の所定の場所には、基板処理
装置1aを他の装置と識別するのに装置番号のほか、そ
れぞれの基板処理装置についての監視結果情報として基
板識別データを構成するカセット番号、スロット番号お
よびウエハ番号と、露光後ベークユニットPEBを示す
処理ユニット番号と、露光後ベーク処理による基板の処
理状況を示すアラーム番号および監視データとしてのベ
ーク処理後待ち時間の計測値とが格納されている。ここ
で、装置番号は、基板処理装置1を一意に特定するのに
使用する識別データであり、メモリ21の所定の場所に
予め格納されている。
【0069】次に、これら基板の処理状況を示すデータ
を、ネットワーク5を介して情報処理装置4に送信する
(S302)。
【0070】情報処理装置4は、ネットワーク5を介し
て基板の処理状況を示すデータを受信すると(S30
3)、各データをデータベース41の対応する位置にそ
れぞれ格納する。
【0071】図14にデータベース41に格納された基
板処理状況データを模式的に示す。図14の各行(レコ
ード)は、基板識別データ(カセット番号、スロット番
号、ウエハ番号)で特定される基板が、処理ユニット番
号で特定される処理ユニットでの基板処理を行った際の
処理状況を示している。
【0072】情報処理装置4は、検索および抽出機能を
有しており、オペレータがキー情報を入力または選択す
ることにより、そのキー情報を含む監視結果情報が自動
抽出されるようになっている。
【0073】図15は、データベース41から基板識別
データを構成するカセット番号、スロット番号およびウ
エハ番号が、それぞれ、B23、2、15となる行の抽
出結果を示したものである。
【0074】このように、データベース41から特定の
基板識別データを含む行を抽出すると、基板識別データ
で特定される基板の処理状況の履歴を閲覧することがで
きるため、当該基板の処理状況を把握することが容易と
なる。この目的で、情報処理装置4にもモニタが設置さ
れており、抽出した監視結果情報を可視的に表示可能で
ある。
【0075】さらに、データベース41に格納された各
基板の処理状況のうちから、処理不良の発生したものを
抽出して監視データを調査することにより、処理不良の
要因解析も容易となる。
【0076】<3.変形例>以上、本発明の実施の形態
について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限
定されるものではなく様々な変形が可能である。
【0077】露光後ベークユニットPEBにおける監視
データは、基板の処理不良に影響する他の因子、例え
ば、露光後ベークユニットPEBの加熱温度および温度
履歴のそれぞれの計測値であっても良い。
【0078】
【発明の効果】請求項1から請求項5に記載の発明によ
れば、監視対象ユニットでアラームが発生したときに、
そのアラームの発生原因となった監視対象ユニット(異
常発生ユニット)を特定するだけでなく、アラーム発生
の際に異常発生ユニット内に滞在していた基板を特定す
る基板識別データや、異常発生ユニットでの監視結果デ
ータを対応付けて監視結果情報を生成しているため、処
理不良の影響を受けた基板をその処理状況とともに容易
に特定することができる。このため、処理不良の疑いの
ある基板が、監視対象ユニットより後の基板処理工程に
流出することを防止する措置を講ずることが可能とな
る。
【0079】特に、請求項2に記載の発明によれば、監
視結果情報を表示することができるため、基板処理装置
のオペレータは、容易に異常発生ユニットと、処理不良
の影響を受けた基板を特定し、さらに、監視データによ
って処理不良の度合を判定することが可能となる。
【0080】特に、請求項3に記載の発明によれば、監
視データが示す値の許容範囲をも可視的に表示するた
め、監視データの実際の状況が許容範囲内かどうかを容
易かつ迅速に判断可能である。
【0081】特に、請求項4に記載の発明によれば、露
光後ベークユニットにおいて、処理不良の原因となる加
熱処理後に露光後ベークユニットに滞在する時間を監視
し、判定することにより、処理不良の発生した基板を特
定することができるため、露光後ベークユニットより後
の工程に、処理不良の発生した基板が流出することを防
止する措置を講ずることが可能となる。
【0082】特に、請求項5に記載の発明によれば、複
数の基板処理装置にネットワーク接続された情報処理装
置によって、それぞれの基板処理装置における異常監視
を集中的に行い、監視対象ユニットより後の基板処理工
程に処理不良基板が流出することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る基板処理装置の全体構
成を示す平面図である。
【図2】図1の基板処理装置の第1処理部群および第2
処理部群の構成を示すための図である。
【図3】搬送ロボットTRのアーム駆動部の一例を示す
斜視図である。
【図4】基板処理装置が正常な動作を行っているとき
の、インターフェイス、露光後ベークユニットおよび冷
却ユニットにおける基板の滞在時間を示すタイミングチ
ャートである。
【図5】基板処理装置で異常な動作が生じて一時的に動
作が停止したときの、インターフェイス、露光後ベーク
ユニットおよび冷却ユニットにおける基板の滞在時間を
示すタイミングチャートである。
【図6】露光後ベークユニットにおける基板処理状況の
把握シーケンスを示すフロチャートである。
【図7】露光後ベークユニットPEBにおける処理手順
を示すフロチャートである。
【図8】基板識別データを示す図である。
【図9】アラーム番号を示す図である。
【図10】処理不良が発生した場合の表示例を示す図で
ある。
【図11】実施形態に係る情報処理装置を有する基板処
理システムを示す図である。
【図12】データベースの構成を示す図である。
【図13】データベースに基板の処理状況を示すデータ
を追加格納するシーケンスを説明するためのフローチャ
ートである。
【図14】データベースに格納されているデータを示す
図である。
【図15】データベースから基板識別データを基にデー
タ抽出処理を実行した結果を示す図である。
【符号の説明】
100 基板処理システム 1 基板処理装置 4 情報処理装置 5 ネットワーク PEB 露光後ベークユニット BC バッファカセット CP1〜6 冷却ユニット
フロントページの続き (72)発明者 秋山 一也 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 5F031 CA01 CA02 CA05 DA01 FA01 FA02 FA11 FA12 GA43 GA47 GA48 GA50 MA02 MA24 MA26 MA27 MA30 PA03 PA04 PA10 PA18 5F046 AA17 AA28 DD03 LA19 MA06

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の処理ユニットを有する基板処理装
    置であって、 (a) 前記複数の処理ユニットのうち少なくともひとつ
    を監視対象ユニットとして、前記監視対象ユニットでの
    基板処理状態を監視する監視手段と、 (b) 前記監視手段によって取得される監視データに基
    づいて、前記監視対象ユニット内に滞在している各基板
    の処理状況を判定し、判定結果が所定の許容範囲を逸脱
    したときにアラームを発生する判定手段と、 (c) 前記アラームの発生原因となった監視対象ユニッ
    トを異常発生ユニットとして、 i) 前記異常発生ユニットを特定するユニット識別デー
    タと、 ii) 前記処理不良の発生時に前記異常発生ユニット内
    に滞在していた基板を特定する基板識別データと、 iii) 前記異常発生ユニットにおける前記監視データ
    と、を対応付けた監視結果情報を生成する情報化手段
    と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置であっ
    て、 (d) 前記監視結果情報を可視的に表示する表示手段、
    をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載の基板処理装置であっ
    て、 前記表示手段が、前記監視データとともに、当該監視デ
    ータが示す値の許容範囲を可視的に表示することを特徴
    とする基板処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれかに記
    載の基板処理装置であって、 前記監視対象ユニットが露光後ベークユニットを含み、 前記露光後ベークユニットについての前記監視データ
    は、ベーク処理後待ち時間を含むことを特徴とする基板
    処理装置。
  5. 【請求項5】 基板処理システムであって、 (e) それぞれが請求項1ないし請求項4のいずれかに
    記載の基板処理装置として構成された複数の基板処理装
    置と、 (f) 前記複数の基板処理装置とネットワークを介して
    接続される情報処理装置と、を備え、 前記複数の基板処理装置のそれぞれは、 (e-1) 前記監視結果情報を、自己の基板処理装置を特
    定する装置識別データとともに、前記ネットワークを介
    して前記情報処理装置に送信する送信手段、を有し、 前記情報処理装置は、 (f-1) 前記送信手段によって送信された前記装置識別
    データと前記監視結果情報を対応付けて、システム監視
    結果情報として追加格納するデータベースと、 (f-2) 前記データベースに蓄積された複数のシステム
    監視情報のうちから、指定された情報を抽出する抽出手
    段と、を有することを特徴とする基板処理システム。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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