TW202137382A - 基板處理系統及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可抑制因由同時處理部處理的基板的片數發生變動而引起的步驟偏差的基板處理系統。第一平流處理部PF1對多個製品基板WP逐片進行處理。同時處理部PC1對包含製品基板WP的多個基板W以N片（N≧2）為單位同時進行處理。第一基板搬送部TR1可將多個基板W中的最大N片基板水平地並排保持，並且整批搬送至同時處理部PC1。第一基板搬送部TR1構成為能夠以簡單模式與混載模式進行運行，所述簡單模式是將來自第一平流處理部PF1的N片製品基板WP整批搬入至同時處理部PC1，所述混載模式是將來自第一平流處理部PF1的P片（1≦P＜N）製品基板WP與來自基板待機部SD的D片（1≦D≦N-P）偽基板WD整批搬入至同時處理部PC1。

Description

基板處理系統及基板處理方法

本發明關於一種基板處理系統及基板處理方法，特別是關於一種具有平流處理部及同時處理部的基板處理系統、以及使用平流處理部及同時處理部的基板處理方法。

基板處理系統具有多個處理部（處理單元），通過這些處理部而對基板進行一連串處理。作為基板處理系統，例如已知有塗布顯影（coater developer）系統。塗布顯影系統需要進行清洗處理、脫水處理、塗布處理、預烘烤處理、顯影處理、曝光處理、顯影處理及後烘烤處理等一連串處理。在所述情況下，基板處理系統具有多個處理部及用於在這些處理部間搬送基板的搬送部。

面向量產的基板處理系統需要高效地處理大量基板。出於所述目的，理想的是基板處理系統中所含的處理部分別為平流處理部或同時處理部。平流處理部沿著搬送方向依次搬送基板，並且對所述基板逐片進行處理。同時處理部對N（2以上的整數）片基板同時進行處理。根據各處理部所要求的要件，在基板處理系統中有時混合存在平流處理部及同時處理部。

例如，根據日本專利特開2018-160586號公報（專利文獻1），公開有一種如上所述那樣混合存在有平流處理部及同時處理部的基板處理系統。在所述基板處理系統中，基板搬送部將由平流處理部處理過的多個基板中的N片基板在水平的一方向上並排保持，並且將N片基板整批搬送至同時處理部。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2018-160586號公報 [專利文獻2]日本專利特開平09-131561號公報 [專利文獻3]日本專利特開2008-246280號公報

[發明所欲解決之課題] 為了便於說明，在本說明書中，將意圖最終加工成製品的基板稱為製品基板。在使用基板處理系統的量產步驟中，典型而言，多個製品基板分組成分別具有N片的片數的多個組來進行管理。基板搬送部通常將由平流處理部處理過的一組製品基板、即N片製品基板整批搬送至同時處理部。然而，存在平流處理部無法準備所述N片製品基板全部的情況。例如，在平流處理部或較其更靠上游的處理部中，在針對構成所述一組的N片製品基板的一部分的處理中產生異常，因此有時會將一部分基板從步驟中去除。在所述情況下，所述組的製品基板的片數少於N片。雖然也能夠通過從其他組填補製品基板而將所述組的片數維持為N片，但此種措施在步驟管理上不適合的情況多。所述公報的技術未考慮到此種事實情況。

若假設欲維持最初的分組並且進行處理，則基板搬送部只能向同時處理部供給P片（1≦P＜N）製品基板。在同時處理部中，原本假定同時處理N片基板，因此在只能處理P片基板的情況下，可產生因基板片數的不同而引起的步驟偏差。例如，在同時處理部為進行升溫處理的熱板或進行降溫處理的冷卻板的情況下，因基板片數的不同而引起的熱容量的不同導致溫度變化的偏差。另外，例如，在同時處理部為減壓乾燥單元的情況下，由不存在原本應有的基板引起的氣流的變化導致壓力變化的偏差。

本發明是鑒於所述問題而成，其目的在於提供一種可抑制因由同時處理部同時處理的基板的片數發生變動而引起的步驟偏差的基板處理系統及基板處理方法。 [解決問題的技術手段]

本說明書中所公開的第一形態是一種基板處理系統，其用於對包含多個製品基板的多個基板進行處理，且所述基板處理系統包括：第一平流處理部，沿著搬送方向依次搬送所述多個製品基板，並且對所述多個製品基板逐片進行處理；同時處理部，對所述多個基板以N片（N≧2）為單位同時進行處理；基板待機部，使要在所述同時處理部中作為所述多個基板的一部分被處理的至少一片偽基板待機；以及第一基板搬送部，將所述多個基板中的最大N片基板水平地並排保持，並且整批搬送至所述同時處理部，所述第一基板搬送部構成為能夠以簡單模式與混載模式進行運行，所述簡單模式是將來自所述第一平流處理部的N片所述製品基板整批搬入至所述同時處理部，所述混載模式是將來自所述第一平流處理部的P片（1≦P＜N）所述製品基板與來自所述基板待機部的D片（1≦D≦N-P）所述偽基板整批搬入至所述同時處理部。

本說明書中所公開的第二形態是根據第一形態所述的基板處理系統，其還包括控制部，所述控制部將所述多個製品基板分成分別具有最大N片的片數的多個組來進行管理，所述第一基板搬送部將所述多個組一組一組地從所述第一平流處理部搬送至所述同時處理部，關於所述控制部，在所述多個製品基板的所述一組具有N片的片數的情況下，使所述第一基板搬送部以所述簡單模式進行運行，在所述多個製品基板的所述一組具有一片以上且未滿N片的片數的情況下，使所述第一基板搬送部以所述混載模式進行運行。

本說明書中所公開的第三形態是根據第一形態或第二形態所述的基板處理系統，其中，滿足D=N-P。

本說明書中所公開的第四形態是根據第一形態至第三形態中任一形態所述的基板處理系統，其中，所述第一基板搬送部將由所述同時處理部處理過的所述基板搬出，且將從所述同時處理部搬出的所述基板中的所述偽基板搬送至所述基板待機部。

本說明書中所公開的第五形態是根據第一形態至第三形態中任一形態所述的基板處理系統，其還包括：第二基板搬送部，將由所述同時處理部處理過的所述基板搬出；以及基板交接部，從所述第二基板搬送部接收由所述同時處理部處理過的所述基板中的所述偽基板。

本說明書中所公開的第六形態是根據第五形態所述的基板處理系統，其中，所述第一基板搬送部將所述偽基板從所述基板交接部搬送至所述基板待機部。

本說明書中所公開的第七形態是根據第一形態至第六形態中任一形態所述的基板處理系統，其中，所述基板待機部具有使所述偽基板對齊的對齊部。

本說明書中所公開的第八形態是根據第一形態至第七形態中任一形態所述的基板處理系統，其中，所述第一平流處理部構成為能夠對交付至所述第一基板搬送部的所述製品基板的片數進行控制。

本說明書中所公開的第九形態是根據第一形態至第八形態中任一形態所述的基板處理系統，其還包括第二平流處理部，所述第二平流處理部用於對由所述同時處理部處理過的所述製品基板進一步進行處理，所述第二平流處理部構成為接收向所述第二平流處理部搬入來的所述多個基板中的所述製品基板，並驅除所述偽基板。

本說明書中所公開的第十形態是根據第一形態至第九形態中任一形態所述的基板處理系統，其中，所述至少一個偽基板為包含第一偽基板及第二偽基板的多個偽基板，所述基板待機部包括使所述第一偽基板待機的第一待機部位及使所述第二偽基板待機的第二待機部位，所述第二待機部位位於所述第一待機部位的上方。

本說明書中所公開的第十一形態是一種基板處理方法，其用於對多個製品基板進行處理，且所述基板處理方法包括：（a）通過平流處理部而沿著搬送方向依次搬送所述多個製品基板，並且對所述多個製品基板逐片進行處理的步驟；（b1）通過同時處理部而對由所述步驟（a）處理過的N片所述製品基板同時進行處理的步驟；以及（b2）通過所述同時處理部而對由所述步驟（a）處理過的P片（1≦P＜N）所述製品基板與偽基板同時進行處理的步驟，並且所述多個製品基板分別經過所述步驟（b1）及所述步驟（b2）的任一步驟而被處理。 [發明的效果]

根據所述第一形態，可選擇簡單模式與混載模式的任一種，所述簡單模式是將來自第一平流處理部的N片製品基板整批搬入至同時處理部，所述混載模式是將來自第一平流處理部的P片（1≦P＜N）製品基板與來自基板待機部的D片（1≦D≦N-P）偽基板整批搬入至同時處理部。由此，在由同時處理部同時處理的製品基板的片數不足N片時，通過也同時處理偽基板，可使由同時處理部同時處理的基板的片數接近N片。因此，可抑制因由同時處理部同時處理的基板的片數發生變動而引起的步驟偏差。

根據所述第二形態，通過控制部，在第一基板搬送部從第一平流處理部向同時處理部搬送的多個製品基板的一組具有N片的片數的情況下，使第一基板搬送部以簡單模式進行運行，在所述多個製品基板的一組具有一片以上且未滿N片的片數的情況下，使第一基板搬送部以混載模式進行運行。由此，在由同時處理部同時處理的製品基板的片數不足N片時，通過也同時處理偽基板，可使由同時處理部同時處理的基板的片數接近N片。因此，可抑制因由同時處理部同時處理的基板的片數從N片發生變動而引起的步驟偏差。

根據所述第三形態，在根據第一形態或第二形態所述的基板處理系統中，滿足D=N-P。由此，在由同時處理部同時處理的製品基板的片數不足N片時，通過也同時處理偽基板，可將由同時處理部同時處理的基板的片數設為N片。因此，可抑制因由同時處理部同時處理的基板的片數從N片發生變動而引起的步驟偏差。

根據所述第四形態，第一基板搬送部將由同時處理部處理過的基板搬出，且將從同時處理部搬出的基板中的偽基板搬送至基板待機部。由此，第一基板搬送部除發揮搬送製品基板的功能以外，還可發揮回收偽基板的功能。

根據所述第五形態，基板處理系統還包括：第二基板搬送部，將由同時處理部處理過的基板搬出；以及基板交接部，從第二基板搬送部接收由同時處理部處理過的基板中的偽基板。由此，第二基板搬送部除發揮搬送製品基板的功能以外，還可發揮將偽基板搬送至基板交接部的功能。

根據所述第六形態，第一基板搬送部將偽基板從基板交接部搬送至基板待機部。由此，第二基板搬送部、基板交接部及第一基板搬送部可協調來回收偽基板。

根據所述第七形態，在根據第一形態至第六形態中任一形態所述的基板處理系統中，基板待機部具有使偽基板對齊的對齊部。由此，可在從同時處理部回收來的時刻點使具有混亂的姿勢的偽基板對齊。

根據所述第八形態，第一平流處理部構成為能夠對交付至第一基板搬送部的製品基板的片數進行控制。由此，可調整從第一平流處理部向同時處理部搬送的製品基板的片數。

根據所述第九形態，第二平流處理部構成為接收向第二平流處理部搬入來的多個基板中的製品基板，並驅除偽基板。由此，可使得不在第二平流處理部中處理偽基板。

根據所述第十形態，在基板待機部，供第二偽基板待機的第二待機部位位於供第一偽基板待機的第一待機部位的上方。由此，可確保更多的偽基板的片數，並且可抑制在平面佈局中基板待機部所需的面積。

根據所述第十一形態，可選擇通過同時處理部而對N片製品基板同時進行處理的步驟及通過同時處理部而對P片（1≦P＜N）製品基板與偽基板同時進行處理的步驟的任一種。由此，在由同時處理部同時處理的製品基板的片數不足N片時，通過也同時處理偽基板，可使由同時處理部同時處理的基板的片數接近N片。因此，可抑制因由同時處理部同時處理的基板的片數從N片發生變動而引起的步驟偏差。

本發明的目的、特徵、局面及優點通過以下的詳細說明與隨附圖式而變得更明瞭。

以下，參照圖式對實施方式進行詳細說明。另外，為了容易理解，視需要對各部的尺寸或數量進行誇張或簡化描繪。

＜1.概要＞ 首先，作為概要，主要對和基板處理系統中的平流處理部與同時處理部之間的基板的搬送相關的內容進行說明。此外，關於平流處理部及同時處理部其自身的詳細例子，另行在下文敘述。

＜1-1.實施方式1＞ ＜1-1-1.結構＞ 圖1是表示本實施方式1中的基板處理系統SY1的結構的概要的框圖。基板處理系統SY1用於對多個基板W進行處理。此處，多個基板W不僅包含製品基板WP，而且包含後述的至少一片偽基板WD。換句話說，將製品基板WP及偽基板WD總稱為基板W。偽基板WD是與製品基板WP不同的、並不意圖最終加工成製品的基板。基板處理系統SY1具有平流處理部PF1（第一平流處理部）、平流處理部PF2（第二平流處理部）、搬送機器人TR1（第一基板搬送部）、同時處理部PC1及基板收納部SD（基板待機部）。平流處理部PF1具有接收部分PF1i、處理部分PF1m及交付部分PF1o。同樣地，平流處理部PF2也具有接收部分PF2i、處理部分PF2m及交付部分（未圖示）。

平流處理部PF1沿著搬送方向（在圖1中為從左向右的方向）依次搬送多個製品基板WP，並且對多個製品基板WP逐片進行處理。接收部分PF1i接收要由平流處理部PF1處理的製品基板WP。處理部分PF1m對製品基板WP進行實質處理。交付部分PF1o設為能夠將由處理部分PF1m處理過的製品基板WP交付至搬送機器人TR1的狀態。具體而言，交付部分PF1o設為能夠將最大N片製品基板WP交付至搬送機器人TR1的狀態。交付部分PF1o也可構成為能設為能夠交付多於N片的製品基板WP，但在本實施方式中，一次最大只能交付N片製品基板WP。因此，為了不使其尺寸不必要地增大，交付部分PF1o還可構成為無法交付超過N片的片數的製品基板WP。在所述情況下，交付部分PF1o具有分別供製品基板WP配置的N部位的交付位置。在圖1中，N=2，交付部分PF1o具有位置P1、位置P2。

平流處理部PF1優選為構成為能夠對交付至搬送機器人TR1的製品基板WP的片數進行控制。在圖1中，當在位置P1及位置P2分別配置有製品基板WP1及製品基板WP2時，可通過選擇是設為能夠交付所述兩者的狀態或還是設為能夠交付其中一者的狀態來控制所交付的製品基板WP的片數。或者，可通過選擇是配置製品基板WP1及製品基板WP2這兩者或還是僅配置其中一者來控制所交付的製品基板WP的片數。

同時處理部PC1對多個基板W以N片（N≧2）為單位同時進行處理。N為2以上的任意整數，但在圖式中示出了N=2的情況，以下主要對N=2的情況進行說明。

基板收納部SD使要在同時處理部PC1中作為多個基板W的一部分被處理的至少一片偽基板WD待機。在圖1中，示出了使一片偽基板WD待機的情況。基板收納部SD優選為配置於平流處理部PF1的上方，更優選為配置於交付部分PF1o的上方。

搬送機器人TR1可將多個基板W中的最大N片基板W水平地並排保持，並且整批搬送至同時處理部PC1。搬送機器人TR1也可構成為能搬送多於N片的基板W，但在本實施方式中最大只能搬送N片基板W。因此，為了不使其尺寸不必要地增大，搬送機器人TR1還可構成為無法搬送超過N片的片數的基板W。另外，在本實施方式中，搬送機器人TR1將由同時處理部PC1處理過的基板W搬出。另外，在本實施方式中，搬送機器人TR1如上所述那樣將從同時處理部PC1搬出的基板W中的偽基板WD搬送至基板收納部SD。

控制部60通過對構成基板處理系統SY1的各結構進行控制而使各結構運行。由此，對多個製品基板WP進行基板處理。此時，控制部60將多個製品基板WP分成分別具有最大N片的片數的多個組來進行管理。在圖1中，將多個製品基板分為第一組～第n組來進行管理，各組所具有的製品基板WP的最大片數為N=兩片。屬於同一組的製品基板WP在平流處理部PF1及平流處理部PF2中分別逐片處理，但在同時處理部PC1中同時處理。如上所述，為了在同時處理部PC1中進行以組為單位的處理，搬送機器人TR1將多個組一組一組地從平流處理部PF1搬送至同時處理部PC1。關於控制部60，在多個製品基板WP的一組具有N片的片數的情況（在圖1中為兩片的情況）下，使搬送機器人TR1以簡單模式進行運行，在多個製品基板WP的一組具有一片以上且未滿N片的片數的情況（在圖1中為一片的情況）下，使搬送機器人TR1以混載模式進行運行。因此，搬送機器人TR1構成為通過由控制部60控制而能夠以簡單模式與混載模式進行運行，所述簡單模式是將來自平流處理部PF1的N片製品基板WP整批搬入至同時處理部PC1，所述混載模式是將來自平流處理部PF1的P片（1≦P＜N）製品基板WP與來自基板收納部SD的D片（1≦D≦N-P）偽基板WD整批搬入至同時處理部PC1。在圖1中，滿足D=N-P，具體而言，N=2、P=1、D=1。因此，在簡單模式中，將來自平流處理部PF1的兩片製品基板WP整批搬入至同時處理部PC1，在混載模式中，將來自平流處理部PF1的一片製品基板WP與來自基板收納部SD的一片偽基板WD整批搬入至同時處理部PC1。

平流處理部PF2用於對由同時處理部PC1處理過的製品基板WP進一步進行處理。平流處理部PF2構成為接收向其接收部分PF2i搬入來的多個基板W中的製品基板WP，並驅除偽基板WD。

圖2的（a）是表示基板處理系統SY1中的平流處理部PF1的下游部分（處理部分PF1m及交付部分PF1o）、搬送機器人TR1、同時處理部PC1及基板收納部SD的結構的平面圖，圖2的（b）是表示基板處理系統SY1中的平流處理部PF1的下游部分（處理部分PF1m及交付部分PF1o）、搬送機器人TR1、同時處理部PC1及基板收納部SD的結構的側面圖。圖3是圖2的（b）的局部放大圖。

搬送機器人TR1具有機械手HND及使其位移的機構。機械手HND可在平流處理部PF1的交付部分PF1o、基板收納部SD、同時處理部PC1之間位移。在N=2的情況下，一組製品基板WP的片數為最大兩片，與此相對應，機械手HND包括位置Q1及位置Q2這兩個位置。由此，機械手HND可在位置Q1及位置Q2處分別保持基板W。因此，機械手HND可同時保持作為一組基板W的兩片基板W。關於位置Q1及位置Q2的相對位置關係，位置Q1位於機械手HND的根側，位置Q2位於機械手HND的前端側。

基板收納部SD預先使偽基板WD待機。例如，基板收納部SD具有對偽基板WD進行支撐的銷PD。偽基板WD可包含與製品基板WP實質上相同的材料，但也可包含不同的材料。例如，可以是製品基板WP為玻璃基板，偽基板WD為金屬基板。在所述情況下，偽基板WD與製品基板WP相比不易破裂，因此可長期使用。為了避免對於搬送機器人TR1的過度負擔，偽基板WD的重量優選為製品基板WP的重量以下。另外，就同時處理部PC1中的熱影響的觀點而言，偽基板WD的熱容量優選為與製品基板WP的熱容量實質上相同（例如±10%範圍內的差異）。

平流處理部PF1的接收部分PF1i依次接收多個製品基板WP。所接收的製品基板WP分別通過輥RL而從接收部分PF1i經由處理部分PF1m搬送至交付部分PF1o。換句話說，通過輥RL而沿著搬送方向依次搬送多個製品基板WP。針對如上所述那樣搬送的多個製品基板WP，平流處理部PF1的處理部分PF1m逐片進行處理。

在N=2的情況下，平流處理部PF1的交付部分PF1o包括位置P1及位置P2這兩個位置。由此，可在位置P1及位置P2分別配置一組製品基板WP1及製品基板WP2。在位置P1及位置P2分別設置有升降銷LP1及升降銷LP2。升降銷LP1及升降銷LP2分別通過上下驅動機構AC1及上下驅動機構AC2而在上下方向上驅動。由此，可選擇性地上舉製品基板WP中的配置於位置P1及位置P2的製品基板WP1及製品基板WP2的兩者或一者。所上舉的製品基板WP成為能夠向搬送機器人TR1交付的狀態。

在平流處理部可準備這些製品基板WP1及製品基板WP2這兩者的情況下，製品基板WP1及製品基板WP2這兩者配置於交付部分PF1o。在所述情況下，機械手HND可接收一組製品基板WP1及製品基板WP2而不接收偽基板WD。另一方面，在平流處理部無法準備這些製品基板WP1及製品基板WP2這兩者的情況下，僅製品基板WP1及製品基板WP2的其中一者配置於交付部分PF1o。例如，在平流處理部PF1的處理部分PF1m或較其更靠上游的處理部（未圖示）中，因對於構成所述一組的兩片製品基板的其中一者的處理發生異常而會去除所述其中一基板的情況符合所述情況。此處，位置P1位於位置P2與搬送機器人TR1之間。詳細情況將在下文敘述，但存在載置有偽基板WD的機械手HND為了接收位置P2的製品基板WP2而訪問位置P2的情況，在所述情況下，通過不上舉位置P1的升降銷LP1而可避免升降銷LP1與機械手HND上的偽基板WD接觸。

在N=2的情況下，同時處理部PC1包括位置P3及位置P4這兩個位置。由此，可在位置P3及位置P4分別配置基板W。具體而言，可在位置P3及位置P4這兩處配置製品基板WP，也可在位置P3及位置P4的其中一處配置製品基板WP，並在另一處配置偽基板WD。在位置P3及位置P4處設置有升降銷LP3。升降銷LP3通過上下驅動機構AC3而在上下方向上驅動。通過上舉升降銷LP3而成為能夠利用搬送機器人TR1在位置P3及位置P4分別接收或交付基板W的狀態。

＜1-1-2.基板處理方法＞ 圖4是表示基於所述用於對多個製品基板WP進行處理的基板處理系統SY1（圖1～圖3）的基板處理方法的步驟的一部分的流程圖。圖5～圖11是概略地表示各步驟的側面圖。

在基於基板處理系統SY1的基板處理方法中，控制部60（圖1）將多個製品基板WP分成分別具有最大N片的片數的多個組來進行管理。以下，以N=2的情況為例進行說明。在所述情況下，將多個製品基板WP分成第一組～第n組來進行管理，各組所具有的製品基板WP的最大片數為兩片。

在步驟S101（圖4）中，平流處理部PF1（圖1～圖3）的接收部分PF1i接收多個製品基板WP。所接收的多個製品基板WP沿著搬送方向（圖5中的箭頭AR1）依次被搬送。針對如上所述那樣搬送的多個製品基板WP，平流處理部PF1的處理部分PF1m逐片進行處理。

搬送機器人TR1將製品基板WP的多個組一組一組地從平流處理部PF1搬送至同時處理部PC1。在所述搬送之前，在步驟S102（圖4）中，控制部60判定：到達至平流處理部PF1的交付部分PF1o的製品基板WP的組、換句話說要由搬送機器人TR1從交付部分PF1o搬出的組是具有N片的片數或者還是具有一片以上且未滿N片的片數。此處，N=2，因此，可判定要搬出的組的片數是兩片還是一片。所述判定可根據來自安裝於基板處理系統SY1的任意部位的傳感器的信息來進行，或者也可基於從基板處理系統SY1的外部向控制部60提供的信息來進行。

在由所述步驟S102（圖4）所得的判定結果為是（YES）的情況（N片的情況）下，控制部60開始使搬送機器人TR1以所述簡單模式及混載模式中的簡單模式進行運行的控制。在所述開始時刻點，製品基板WP中的屬於所述組的製品基板即製品基板WP1及製品基板WP2分別配置於位置P1及位置P2。升降銷LP1及升降銷LP2分別通過上下驅動機構AC1及上下驅動機構AC2而上舉。由此，可設為能夠交付位於位置P1及位置P2的製品基板WP1及製品基板WP2的狀態。針對這些N=兩片的製品基板WP1及製品基板WP2，由同時處理部PC1同時進行處理。具體而言，首先，在步驟S201（圖4）中，通過搬送機器人TR1而將製品基板WP1及製品基板WP2從平流處理部PF1的交付部分FP1o搬送至同時處理部PC1的位置P3及位置P4。在步驟S202（圖4）中，同時處理部PC1對N=兩片的製品基板WP1及製品基板WP2進行處理。在步驟S203（圖4）中，搬送機器人TR1將由同時處理部PC1處理過的製品基板WP1及製品基板WP2搬送至平流處理部PF2（圖1）的位置P5及位置P6。然後，利用平流處理部PF2進行處理。

在由所述步驟S102（圖4）所得的判定結果為否（NO）的情況（一片以上且未滿N片的情況）下，控制部60開始使搬送機器人TR1以所述簡單模式及混載模式中的混載模式進行運行的控制。在所述開始時刻點，製品基板WP中的屬於所述組的製品基板即製品基板WP1及製品基板WP2僅一者配置於平流處理部PF1的交付部分PF1o。以下，對製品基板WP2配置於位置P2的例子進行說明。

在步驟S301（圖4）中，通過搬送機器人TR1而將由平流處理部PF1處理過的P片（1≦P＜N）製品基板WP與偽基板WD搬送至同時處理部PC1。在N=2的例子中，可搬送一片製品基板（具體而言為製品基板WP2）與一片偽基板WD。

具體而言，參照圖5及圖6，通過箭頭AR2（圖6）所示的動作，搬送機器人TR1的機械手HND接收偽基板WD。由此，可將偽基板WD保持於機械手HND的位置Q1上。參照圖7，其次，如箭頭AR4所示，搬送機器人TR1的機械手HND訪問平流處理部PF1的交付部分PF1o。因此，機械手HND的位置Q2配置於交付部分PF1o的正下方。此時，在交付部分PF1o的位置P1不存在製品基板WP1（圖3），另外，升降銷LP1不被上下驅動機構AC1上舉，因此機械手HND的運行不會被製品基板WP1與升降銷LP1妨礙。參照圖8，其次，如箭頭AR5所示，機械手HND上升，由此搬送機器人TR1的機械手HND接收製品基板WP2。由此，可將製品基板WP2保持於機械手HND的位置Q2上。參照圖9，如箭頭AR6所示，搬送機器人TR1的機械手HND訪問同時處理部PC1。通過機械手HND下降而將偽基板WD及製品基板WP2在同時處理部PC1的位置P3及位置P4處載置於升降銷LP3上。其次，機械手HND從同時處理部PC1退避。由此，步驟S301（圖4）結束。

在步驟S302（圖4）中，其次，通過同時處理部PC1（圖9）而對P片製品基板WP（在本例中為一片製品基板WP2）與至少一片偽基板WD（在本例中為一片偽基板WD）進行處理。

在步驟S303（圖4）中，通過搬送機器人TR1而進行如下操作：將製品基板WP2搬送至平流處理部PF2及將偽基板WD回收至基板收納部SD。具體而言，參照圖10，首先，通過搬送機器人TR1而將偽基板WD及製品基板WP2搬入至平流處理部PF2的接收部分PF2i的位置P5及位置P6各自的上方。其次，在將設置於接收部分PF2i的位置P5的升降銷LP4通過上下驅動機構AC4維持於下方位置的狀態下，將設置於接收部分PF2i的位置P6的升降銷LP5通過上下驅動機構AC5上舉至上方位置。由此，製品基板WP2被升降銷LP5支撐。其次，如箭頭AR7所示，機械手HND從平流處理部PF2退避。其次，使升降銷LP5下降至下方位置。由此，將製品基板WP2在位置P6處載置於輥RL上。根據以上所述，平流處理部PF2構成為接收作為搬入至接收部分PF2i的多個基板W的製品基板WP2及偽基板WD中的製品基板WP2，另一方面，驅除偽基板。所接收的製品基板WP2由平流處理部PF2的處理部分PF2m處理。參照圖11，其次，搬送機器人TR1的機械手HND將偽基板WD搬送至基板收納部SD的銷PD的上方。繼而，如箭頭AR8（圖11）所示，通過機械手HND進行運行而將偽基板WD載置於銷PD上。由此，可將偽基板WD回收至基板收納部SD。

如上所述，在基板處理系統SY1中，將多個製品基板WP分成分別具有最大兩片的片數的多個組來進行管理。在所述步驟S101（圖4）中，依次處理這些多個組，另外，在這些各組中，將製品基板逐片處理。然後，根據所述步驟S102中的判定結果，對製品基板WP的各組進行包括步驟S201～步驟S203的步驟或包括步驟S301～步驟S303的步驟的任一者。因此，多個製品基板WP分別經過包括步驟S201～步驟S203的步驟或包括步驟S301～步驟S303的步驟的任一個步驟而被處理。

＜1-1-3.效果＞ 首先，以下，特別對N=2時的效果進行說明。

根據本實施方式，在步驟S102（圖4）中，可選擇簡單模式（對應於圖4中的步驟S201～步驟S203）與混載模式（對應於圖4中的步驟S301～步驟S303）的任一種，所述簡單模式是將來自平流處理部PF1的兩片製品基板WP1及製品基板WP2整批搬入至同時處理部PC1，所述混載模式是將來自平流處理部PF1的一片製品基板WP2與來自基板收納部SD的一片偽基板WD整批搬入至同時處理部PC1。由此，在由同時處理部PC1同時處理的製品基板WP的片數不足兩片而為一片時，通過也同時處理偽基板WD，可將由同時處理部PC1同時處理的基板W的片數設為兩片。其結果，即使在簡單模式及混載模式的任一種的情況下，由同時處理部PC1同時處理的基板W的片數均共通而為兩片。由此，可抑制因由同時處理部PC1同時處理的基板W的片數發生變動而引起的步驟偏差。

具體而言，通過控制部60，在搬送機器人TR1從平流處理部PF1向同時處理部PC1搬送的多個製品基板WP的一組具有兩片的片數的情況下，使搬送機器人TR1以簡單模式進行運行，在所述多個製品基板WP的一組具有一片的片數的情況下，使搬送機器人TR1以混載模式進行運行。由此，在由同時處理部PC1同時處理的製品基板WP的片數不足兩片時，通過也同時處理偽基板WD，可將由同時處理部PC1同時處理的基板W的片數設為兩片。因此，可抑制因由同時處理部PC1同時處理的基板W的片數從兩片發生變動而引起的步驟偏差。

平流處理部PF1構成為能夠對交付至搬送機器人TR1的製品基板WP的片數進行控制。具體而言，在圖3中，通過將製品基板WP配置於位置P1及位置P2這兩處，而可設為能夠交付兩片基板，通過將製品基板WP僅配置於其中一處，而可設為能夠交付一片基板。由此，可調整從平流處理部PF1向同時處理部PC1搬送的製品基板WP的片數。

平流處理部PF2（圖10）構成為接收向平流處理部PF2搬入來的多個基板W中的製品基板WP2，並驅除偽基板WD。由此，可使得不在平流處理部PF2中處理偽基板WD。

其次，N並不限定於N=2，以下，對為任意整數時的效果進行說明。

根據本實施方式，可選擇簡單模式（對應於圖4中的步驟S201～步驟S203）與混載模式（對應於圖4中的步驟S301～步驟S303）的任一種，所述簡單模式是將來自平流處理部PF1的N片製品基板WP整批搬入至同時處理部PC1，所述混載模式是將來自平流處理部PF1的P片（1≦P＜N）製品基板WP與來自基板收納部SD的D片（1≦D≦N-P）偽基板WD整批搬入至同時處理部PC1。由此，在由同時處理部PC1同時處理的製品基板WP的片數不足N片時，通過也同時處理偽基板WD，可使由同時處理部PC1同時處理的基板W的片數接近N片。因此，可抑制因由同時處理部PC1同時處理的基板W的片數發生變動而引起的步驟偏差。

具體而言，通過控制部60，在搬送機器人TR1從平流處理部PF1向同時處理部PC1搬送的多個製品基板WP的一組具有N片的片數的情況下，使搬送機器人TR1以簡單模式進行運行，在所述多個製品基板WP的一組具有一片以上且未滿N片的片數的情況下，使搬送機器人TR1以混載模式進行運行。由此，在由同時處理部PC1同時處理的製品基板WP的片數不足N片時，通過也同時處理偽基板WD，可使由同時處理部PC1同時處理的基板W的片數接近N片。因此，可抑制因由同時處理部PC1同時處理的基板W的片數從N片發生變動而引起的步驟偏差。

在所述中，優選為滿足D=N-P。由此，在由同時處理部PC1同時處理的製品基板WP的片數不足N片時，通過也同時處理偽基板WD，可將由同時處理部PC1同時處理的基板W的片數設為N片。因此，可抑制因由同時處理部PC1同時處理的基板W的片數從N片發生變動而引起的步驟偏差。

在步驟S303（圖4）中，搬送機器人TR1將由同時處理部PC1處理過的基板W搬出，且將從同時處理部PC1搬出的基板W中的偽基板WD搬送至基板收納部SD。由此，搬送機器人TR1除發揮搬送製品基板WP的功能以外，還可發揮回收偽基板WD的功能。

平流處理部PF1構成為能夠對交付至搬送機器人TR1的製品基板WP的片數進行控制。由此，可調整從平流處理部PF1向同時處理部PC1搬送的製品基板WP的片數。

平流處理部PF2構成為接收向平流處理部PF2搬入來的多個基板W中的製品基板WP，並驅除偽基板WD。由此，可使得不在平流處理部PF2中處理偽基板WD。

＜1-2.實施方式2＞ ＜1-2-1.結構＞ 圖12是表示本實施方式2中的基板處理系統SY2的結構的概要的框圖。基板處理系統SY2除具有基板處理系統SY1（圖1）的結構以外，還具有同時處理部PC2。同時處理部PC2對多個基板W以N片（N≧2）為單位同時進行處理。N為2以上的任意整數，但在圖式中示出了N=2的情況，同時處理部PC2具有用於配置兩片基板的位置P13及位置P14。以下，主要對N=2的情況進行說明。

在本實施方式中，搬送機器人TR1也可訪問同時處理部PC2。搬送機器人TR1將由同時處理部PC1處理過的基板W搬送至同時處理部PC2。具體而言，將配置於同時處理部PC1的位置P3及位置P4的基板W搬送至同時處理部PC2的位置P13及位置P14。另外，搬送機器人TR1將由同時處理部PC2處理過的基板W搬出。另外，搬送機器人TR1將從同時處理部PC2搬出的基板W中的偽基板WD搬送至基板收納部SD。另外，搬送機器人TR1將從同時處理部PC2搬出的基板W中的製品基板WP搬送至平流處理部PF2。因此，在本實施方式中，平流處理部PF2用於對由同時處理部PC1及同時處理部PC2處理過的製品基板WP進一步進行處理。

＜1-2-2.基板處理方法＞ 圖13是表示基於基板處理系統SY2（圖12）的基板處理方法的步驟的一部分的流程圖。步驟S101及步驟S102與實施方式1的情況（圖4）共通。

在由所述步驟S102（圖13）所得的判定結果為是（YES）的情況（N片的情況）下，步驟S211及步驟S212（圖13）與步驟S201及步驟S202（圖4：實施方式1）同樣地進行。在步驟S213（圖13）中，搬送機器人TR1（圖12）將配置於同時處理部PC1的位置P3及位置P4的兩片製品基板WP搬送至同時處理部PC2的位置P13及位置P14。在步驟S214（圖13）中，利用同時處理部PC2對所搬送的製品基板WP進行處理。在步驟S215（圖13）中，搬送機器人TR1將由同時處理部PC1處理過的兩片製品基板WP搬送至平流處理部PF2（圖12）的位置P5及位置P6。然後，利用平流處理部PF2進行處理。

在由所述步驟S102（圖13）所得的判定結果為否（NO）的情況（一片以上且未滿N片的情況）下，步驟S311及步驟S312（圖13）與步驟S301及步驟S302（圖4：實施方式1）同樣地進行。在步驟S313（圖13）中，搬送機器人TR1（圖12）將配置於同時處理部PC1的位置P3及位置P4的兩片基板W搬送至同時處理部PC2的位置P13及位置P14。此處的兩片基板W為一片製品基板WP（例如製品基板WP2）及一片偽基板WD（參照圖9）。在步驟S314（圖13）中，利用同時處理部PC2對所搬送的製品基板WP及偽基板WD進行處理。在步驟S315（圖13）中，通過搬送機器人TR1而進行如下操作：將製品基板WP2搬送至平流處理部PF2及將偽基板WD回收至基板收納部SD。除並非從同時處理部PC1而是從同時處理部PC2搬出製品基板WP及偽基板WD這一方面以外，所述步驟S315與步驟S303（圖4：實施方式1）相同。

＜1-3.實施方式3＞ ＜1-3-1.結構＞ 圖14是表示本實施方式3中的基板處理系統SY3的結構的概要的框圖。基板處理系統SY3具有平流處理部PF1、平流處理部PF2、搬送機器人TR1、同時處理部PC1及基板收納部SD，這些各自自身的結構與實施方式1的情況相同。關於與實施方式1不同，在本實施方式中，搬送機器人TR1也可無法訪問平流處理部PF2。

基板處理系統SY3還具有搬送機器人TR2（第二基板搬送部）及基板交接部VD。搬送機器人TR2將由同時處理部PC1處理過的基板W搬出。基板交接部VD從搬送機器人TR2接收由同時處理部PC1處理過的基板W中的偽基板WD。在本實施方式中，搬送機器人TR1將偽基板WD從基板交接部VD搬送至基板收納部SD。

圖15的（a）是表示基板處理系統SY3中的平流處理部PF1的下游部分（處理部分PF1m及交付部分PF1o）、平流處理部PF2的上游部分（接收部分PF2i及處理部分PF2m）、搬送機器人TR1、搬送機器人TR2、同時處理部PC1、基板收納部SD及基板交接部VD的結構的平面圖，圖15的（b）是表示基板處理系統SY3中的平流處理部PF1的下游部分（處理部分PF1m及交付部分PF1o）、平流處理部PF2的上游部分（接收部分PF2i及處理部分PF2m）、搬送機器人TR1、搬送機器人TR2、同時處理部PC1、基板收納部SD及基板交接部VD的結構的側面圖。此外，與實施方式1同樣地圖示了N=2時的結構，以下，主要以N=2的情況為例進行說明。

搬送機器人TR2具有與搬送機器人TR1的機械手HND相同的機械手HND2及使其位移的機構。機械手HND2可在同時處理部PC1、基板交接部VD、平流處理部PF2的接收部分PF2i之間位移。

基板交接部VD進行偽基板WD的交接。具體而言，基板交接部VD從搬送機器人TR2接收偽基板WD，暫時保持所接收的偽基板WD，並將所保持的偽基板WD傳遞至搬送機器人TR1。基板交接部VD優選為配置於同時處理部PC1的上方。基板交接部VD具有銷PV（保持部），所述銷PV配置於能夠分別由搬送機器人TR1及搬送機器人TR2訪問的位置P7。作為變形例，也可具有能夠輸送偽基板WD的輥（輸送部）來代替銷PV。在所述情況下，輥在所述輸送開始位置從搬送機器人TR2接收偽基板WD，然後將偽基板WD輸送至輸送結束位置。搬送機器人TR1將位於輸送結束位置的偽基板WD搬出。因此，搬送機器人TR2無需能夠訪問輸送結束位置，另外，搬送機器人TR1無需能夠訪問輸送開始位置。

＜1-3-2.基板處理方法＞ 圖16是表示基於基板處理系統SY3（圖15）的基板處理方法的步驟的一部分的流程圖。步驟S101及步驟S102與實施方式1的情況（圖4）共通。

在由所述步驟S102（圖16）所得的判定結果為是（YES）的情況（N片的情況）下，步驟S221及步驟S222（圖16）與步驟S201及步驟S202（圖4：實施方式1）同樣地進行。在步驟S223（圖16）中，搬送機器人TR2（圖15）將製品基板WP從同時處理部PC1的位置P3及位置P4搬送至平流處理部PF2（圖1）的位置P5及位置P6。然後，利用平流處理部PF2進行處理。

在由所述步驟S102（圖16）所得的判定結果為否（NO）的情況（一片以上且未滿N片的情況）下，步驟S321及步驟S322（圖16）與步驟S301及步驟S302（圖4：實施方式1）同樣地進行。在步驟S323（圖16）中，通過搬送機器人TR2（圖15）而進行如下操作：將製品基板WP2搬送至平流處理部PF2及將偽基板WD搬送至基板交接部VD。在步驟S324（圖16）中，搬送機器人TR1（圖15）將偽基板WD從基板交接部VD回收至基板收納部SD。

＜1-3-3.效果＞ 根據本實施方式，搬送機器人TR2除發揮搬送製品基板WP的功能以外，還發揮將偽基板WD搬送至基板交接部VD的功能。另外，搬送機器人TR2、基板交接部VD及搬送機器人TR1可協調來回收偽基板WD。

＜1-4.實施方式4＞ 圖17及圖18分別是概略地表示本實施方式4中的基板收納部SD（基板待機部）的結構及動作的平面圖。在本實施方式4中，為了使偽基板WD對齊，基板收納部SD（參照圖2）具有至少一個（在圖17及圖18中為四個）對齊部LM。對齊部LM具有對齊銷AP及驅動機構AC9。驅動機構AC9使對齊銷AP相對於偽基板WD進退。如箭頭AR9（圖18）所示，對齊銷AP行進至偽基板WD，由此可將基板收納部SD中的偽基板WD的位置調整至規定的位置DP。根據本實施方式，可在從同時處理部PC1回收來的時刻點使具有混亂的姿勢的偽基板WD對齊。此外，關於所述以外的結構，與所述實施方式1～實施方式3的結構大致相同，因此對相同或相對應的要素標注相同的符號，並不重複其說明。

＜1-5.實施方式5＞ 圖19是概略地表示本實施方式5中的基板收納部SD（基板待機部）的結構的側面圖。在本實施方式中，使多個偽基板WD在基板收納部SD待機。因此，基板收納部SD包括分別供第一偽基板WD及第二偽基板WD待機的待機部位G1（第一待機部位）及待機部位G2（第二待機部位）。待機部位G2位於待機部位G1的上方。根據本實施方式，與實施方式1～實施方式4相比，可確保更多的偽基板WD的片數，並且抑制在平面佈局中基板收納部SD所需的面積。此外，關於所述以外的結構，與所述實施方式1～實施方式4的結構大致相同，因此對相同或相對應的要素標注相同的符號，並不重複其說明。

＜2.補充＞ 其次，以下記述用於對平流處理部、同時處理部及控制部各自的結構的詳細情況進行補充的說明。作為所述實施方式1～實施方式5中的平流處理部、同時處理部及控制部，可應用以下記述的基板處理系統中的平流處理部及同時處理部。

＜2-1.基板處理系統的整體結構‧整體動作＞ 圖20是概略地表示基板處理系統1的結構的一例的圖。在圖20的例子中，基板處理系統1是塗布/顯影裝置，主要包括：清洗裝置12、脫水烘烤裝置13、塗布相關裝置14、預烘烤裝置15、顯影裝置17及後烘烤裝置18的各處理裝置（處理部）。另外，在基板處理系統1的一側配置有相對於基板處理系統1而將基板搬入、搬出的分度器部11。進而在基板處理系統1的另一側隔著未圖示的界面配置有曝光裝置16。

從分度器部11至曝光裝置16為止的行進線上依次配置有清洗裝置12、脫水烘烤裝置13、塗布相關裝置14及預烘烤裝置15等。從曝光裝置16至分度器部11為止的返回線上依次配置有顯影裝置17及後烘烤裝置18等。

在分度器部11載置有收納多個基板的多個匣盒。在分度器部11配置有作為基板搬送部件的分度器機器人。分度器機器人從匣盒中取出基板，並將所述基板搬送至清洗裝置12。在清洗裝置12中對基板進行清洗處理。進行了清洗處理的基板被搬送至脫水烘烤裝置13。在脫水烘烤裝置13中通過加熱進行脫水處理（脫水烘烤處理）。進行了脫水烘烤處理的基板被搬送至塗布相關裝置14，並進行包含抗蝕劑的塗布處理在內的各種處理。進行了所述處理的基板被搬送至預烘烤裝置15並進行加熱處理。進行了加熱處理的基板被搬送至曝光裝置16並進行曝光處理。基板是例如用於液晶顯示裝置中的矩形狀的玻璃基板。

進行了這些處理的基板被搬送至顯影裝置17並進行顯影處理。進行了顯影處理的基板被搬送至後烘烤裝置18並進行加熱處理。然後，所述基板由分度器機器人收容至載置於分度器部11的匣盒中。通過這些一連串的處理，在基板的表面形成抗蝕劑的圖案。

另外，基板處理系統1具有對各處理裝置中的處理及基板的搬送進行控制的控制部60。圖21是概略地表示控制部60的結構的一例的功能框圖。

控制部60是控制電路，如圖21所示，例如包括將中央處理器（Central Processing Unit，CPU）61、只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）62、隨機存取存儲器（Random Access Memory，RAM）63及存儲裝置64等經由總線（bus line）65相互連接而成的一般的計算機。ROM 62儲存基本程式等，RAM 63被提供作為供CPU 61進行規定處理時的操作領域。存儲裝置64包括閃速存儲器、或者硬盤裝置等非易失性的存儲裝置。

另外，控制部60中，輸入部66、顯示部67、通訊部68也連接於總線65。輸入部66包括各種開關、或者觸摸屏等，且從操作員收到處理安排（recipe）等各種輸入設定指示。顯示部67包括液晶顯示裝置及燈等，基於CPU 61的控制來顯示各種信息。通訊部68具有經由局域網（Local Area Network，LAN）等的數據通訊功能。

另外，在控制部60上連接有各機器人（分度器機器人等搬送機器人等）及所述各處理裝置作為控制對象。即，控制部60可作為對基板的搬送進行控制的搬送控制部發揮功能。

在控制部60的存儲裝置64中預先設定有針對構成基板處理系統1的各裝置的搬送控制的多個模式（設定步驟）。控制部60的CPU 61執行處理程式P，由此所述多個模式中的一個模式被選擇，且基板的搬送動作由所述模式控制（執行步驟）。另外，處理程式P也可存儲在記錄介質中。若使用所述記錄介質，則可將處理程式P安裝於控制部60（計算機）中。另外，控制部60所執行的功能的一部分或全部不必一定通過軟件來實現，也可通過專用的邏輯電路等硬件來實現。

＜2-2.處理裝置的類型＞ 在所述基板處理系統1中，作為處理裝置的類型，混合存在如下兩種類型的處理裝置。即，混合存在平流處理裝置（平流處理部）與同時處理裝置（同時處理部），所述平流處理裝置沿著一方向依次搬送基板並且對所述基板W逐片進行處理，所述同時處理裝置對N（2以上的整數）片基板整批同時進行處理。此外，同時處理裝置對N片基板的處理期間不必完全一致，各處理期間的至少一部分重疊即可。總之，此處所說的同時，是以與各處理期間完全不重疊的狀態對比的含義來使用。平流處理裝置例示有清洗裝置12及顯影裝置17，同時處理裝置例示有脫水烘烤裝置13、塗布相關裝置14、預烘烤裝置15、及後烘烤裝置18。

＜2-2-1.平流處理裝置＞ 圖22是概略地表示平流處理裝置30的結構的一例的圖。平流處理裝置30包括：基板導入部（接收部分）31、處理裝置主體（處理部分）32及基板導出部（交付部分）33。基板導入部31接收從上游的裝置搬送的基板W。處理裝置主體32接收從基板導入部31搬送的基板W，沿著一方向（搬送方向）搬送所述基板W並且對基板W進行各種處理。處理後的基板W從處理裝置主體32被搬送至基板導出部33。基板導出部33依次接收從處理裝置主體32搬送的基板W。基板導出部33可保持多個（N片）依次接收的基板W。多個基板W從基板導出部33被整批取出並搬送至下游的裝置。

以下，作為平流處理裝置30，可列舉清洗裝置12為例來說明。此外，針對基板導入部31及基板導出部33的以下說明在其他平流處理裝置30（例如顯影裝置17）中也通用。另一方面，處理裝置主體32是承擔實質的基板處理的框（block），因此與處理裝置主體32的清洗相關的以下說明是清洗裝置12中固有的說明。

＜2-2-1-1.基板導入部31＞ 基板導入部31具有作為搬送傳送機的多個輥311及多個輥313。輥311、輥313的剖面具有圓形狀，輥311、輥313是以其中心軸與基板W的搬送方向D1大致垂直且成為大致水平的姿勢設置。多個輥311沿著搬送方向D1空開間隔並排設置。各輥311可將自身的中心軸作為旋轉軸來旋轉。各輥311的中心軸的兩端分別以能夠旋轉的方式固定於支撐板（未圖示）。所述一對支撐板是沿著搬送方向D1延伸的板狀構件，且固定於設置在地面上的規定的底座312。多個輥313沿著搬送方向D1空開間隔並排設置。輥313位於比輥311更靠下游側，且設置成與輥311相同的高度。各輥313可將自身的中心軸作為旋轉軸來旋轉。各輥313的中心軸的兩端分別以能夠旋轉的方式固定於支撐板。

多個輥311由驅動部（未圖示）驅動，在預定的相同方向上以大致相等的旋轉速度旋轉（同步旋轉）。驅動部具有馬達，且由控制部60控制。在多個輥311上載置基板W。基板W是以其主面的法線方向沿著鉛垂方向的姿勢載置。這一狀態下，多個輥311沿著相同方向同步旋轉，由此基板W在輥311上沿著搬送方向D1向處理裝置主體32移動。多個輥313也由驅動部（未圖示）驅動且同步旋轉。輥311、輥313獨立地受到控制。

也可在輥311、輥313上各載置一個基板W。例如也可從分度器部11將兩片基板W1載置於輥311、輥313上。這一狀態下，控制部60通過僅使輥313同步旋轉來將輥313上的基板W搬送至處理裝置主體32。其次，控制部60通過使輥311、輥313這兩者同步旋轉來將輥313上的基板W搬送至處理裝置主體32。

＜2-2-1-2.處理裝置主體32＞ 處理裝置主體32具有藥液部34、水洗部35及除水部36。藥液部34、水洗部35及除水部36從上游向下游依次直列地設置。另外，處理裝置主體32也具有作為搬送傳送機的多個輥321。多個輥321具有與輥311相同的形狀，且以與輥311相同的姿勢配置。多個輥321沿著搬送方向D1空開間隔並排著。多個輥321設置成與基板導入部31的輥311相同的高度，且基板W可從輥311向輥321移動。另外，多個輥321跨越藥液部34、水洗部35及除水部36而設置。多個輥321由驅動部（未圖示）驅動且同步旋轉。由此，可將基板W沿著搬送方向D1搬送，且使其依次通過藥液部34、水洗部35及除水部36。

藥液部34是向輥321上的基板W供給藥液並對基板W進行清洗的裝置。藥液部34包括：射出藥液的多個噴嘴341、貯存藥液的藥液槽342、將藥液槽342及噴嘴341相連的供給管343、以及經由供給管343而向噴嘴341供給藥液的泵344。噴嘴341在鉛垂方向上設置於基板W的兩側，且向基板W的兩表面供給藥液。藥液部34也可具有用於對基板W進行刷掃的刷子（未圖示）等。一邊對基板W供給藥液一邊進行刷掃，由此可提高清洗效果。對基板W供給的藥液主要從基板W的周緣落下，且被回收至藥液槽342。

水洗部35是通過對基板W供給清洗水來沖洗殘留於基板W上的藥液的裝置。水洗部35具有貯存清洗水的第一水槽355及第二水槽356。另外，水洗部35具有從上游向下游依次配置的低壓水供給部351、高壓水供給部352、超聲波清洗水供給部353及純水供給部354。與藥液部34同樣地，各部351～354包括對基板W射出液體的噴嘴、以及連結於所述噴嘴的供給管。低壓水供給部351以由調節器（壓力調整部）調整過的低壓力將清洗水從第一水槽355供給至噴嘴。由此，低壓水供給部351可在低壓下將清洗水供給至基板W。高壓水供給部352以由調節器調整過的高壓力將清洗水從第一水槽355供給至噴嘴。由此，高壓水供給部352可在高壓下將清洗水供給至基板W。由低壓水供給部351及高壓水供給部352供給的清洗水主要從基板W的周緣落下，且被回收至第一水槽355。

在超聲波清洗水供給部353的噴嘴上設置有對來自第二水槽356的清洗水賦予超聲波振動的超聲波振子。超聲波清洗水供給部353將振動狀態的清洗水供給至基板W。由超聲波清洗水供給部353供給的清洗水主要被回收至第二水槽356。從純水供給部354的噴嘴向基板W供給純水。所述純水主要被回收至第二水槽356。

除水部36是通過使高壓的氣流流向基板W來將水從基板W吹散的裝置。除水部36具有：對基板W噴射氣體的噴射部361、供給氣體的氣體供給部362、以及將噴射部361及氣體供給部362加以連結的管路363。氣體供給部362是作為工廠設備（公用設施（utility））而設置的氣體源。

如上所述，在處理裝置主體32中將基板W沿著搬送方向D1搬送，在各位置進行各種處理。利用處理裝置主體32進行了全部處理的基板W被搬送至基板導出部33。

＜2-2-1-3.基板導出部33＞ 基板導出部33可保持從處理裝置主體32依次搬送的基板W中的多個（N片）。基板導出部33能夠保持的基板W的片數與在接下來的同時處理裝置40（例如脫水烘烤裝置13）中處理的基板W的片數相同。此處，作為一例，設為：基板導出部33保持兩片基板W，且同時處理裝置40對兩片基板W同時進行處理。

基板導出部33包括：作為搬送傳送機的多個第一輥331及多個第二輥332、以及傳感器334、傳感器335。第一輥331的剖面具有圓形狀。第一輥331是以其中心軸與基板W的搬送方向D1垂直且成為水平的姿勢沿著搬送方向D1空開間隔配置。第二輥332配置於比第一輥331更靠下游側。第二輥332也具有與第一輥331相同的形狀，且以與第一輥331相同的姿勢沿著搬送方向D1空開間隔配置。多個第一輥331利用第一驅動部（未圖示）來同步旋轉，第二輥332利用第二驅動部（未圖示）來同步旋轉。第一輥331及第二輥332是由互不相同的第一驅動部及第二驅動部驅動，因此能夠彼此獨立地進行控制。第一驅動部例如具有馬達，且第二驅動部例如具有馬達。第一驅動部及第二驅動部由控制部60控制。

第一輥331及第二輥332設置成與輥321相同的高度，且它們進行同步旋轉，由此基板W從輥321被搬送至第一輥331，且適宜地從第一輥331被搬送至第二輥332。如下文說明的那樣，一片基板W在第一輥331上停止，一片基板W在第二輥332上停止。由此，基板導出部33可保持兩片基板W。

傳感器334檢測在第一輥331上的停止位置是否存在基板W。傳感器335檢測在第二輥332上的停止位置是否存在基板W。傳感器334、傳感器335例如為光學式傳感器，當接收到來自基板W的反射光時，對基板W進行檢測。傳感器334、傳感器335的檢測結果被輸出至控制部60。

基板導出部33可從處理裝置主體32依次接收兩片基板W，並對他們進行保持。首先通過第一輥331及第二輥332同步旋轉，而第一片基板W被搬送至第二輥332上的停止位置。具體而言，當傳感器334、傳感器335這兩者未檢測到基板W時，控制部60使輥321、第一輥331及第二輥332同步旋轉，以將來自處理裝置主體32的基板W搬送至基板導出部33。而且，當傳感器335檢測到基板W時，控制部60停止第二輥332的同步旋轉。由此，第一片基板W在第二輥332上停止且得到支撐。對於第二片基板W，控制部60不使第二輥332旋轉，且使輥321及第一輥331同步旋轉，由此將所述基板W搬送至第一輥331的停止位置。具體而言，當傳感器334檢測到基板W時，控制部60停止第一輥331的同步旋轉。即，當傳感器334、傳感器335這兩者檢測到基板W時，控制部60停止第一輥331的同步旋轉。由此，第二片基板W在第一輥331上停止且得到支撐。像這樣，基板導出部33可保持兩片基板W。

以下，將兩片基板W中的一片也稱作基板W1，將另一片也稱作基板W2。此處設為：基板W1在第一輥331上停止，且基板W2在第二輥332上停止。另外，以下將與搬送方向D1正交且水平的方向也稱作寬度方向D2。

另外，基板導出部33可調整兩片基板W的間隔。具體而言，基板導出部33通過控制第一輥331及第二輥332的旋轉，可在所述搬送傳送機上依次對所搬入的兩片基板W的停止位置分別進行控制，以調整兩片基板W的間隔。基板導出部33將所述所搬入的兩片基板W的間隔調整為在緊接著的脫水烘烤裝置13中對兩片基板W同時進行處理時的所述間隔。如下文說明的那樣，調整後的間隔是兩片基板W這兩者可載置於脫水烘烤裝置13的基板保持部上的程度的間隔。即，若兩片基板W的間隔過寬，則無法載置於下游側的基板保持部上，因此基板導出部33預先調整間隔。

基板導出部33也可包括用於使兩片基板W1、基板W2對齊的對齊部。基板W1、基板W2的寬度方向D2上的位置得到調整而對齊。

＜2-3.同時處理裝置40＞ 圖23及圖24是概略地表示同時處理裝置40的結構的一例的圖。此處，作為同時處理裝置40，列舉脫水烘烤裝置13及塗布相關裝置14為例來說明。圖23是表示脫水烘烤裝置13的結構的一例的概略的圖，圖24是概略地表示塗布相關裝置14的結構的一例的圖。圖23及圖24中，基板W的搬送方向以中空箭頭表示。

＜2-3-1.脫水烘烤裝置13＞ 脫水烘烤裝置13包括加熱部HP及冷卻部CP。所述脫水烘烤裝置13從搬送機器人（基板搬送部件）TR1接收利用清洗裝置12進行了清洗處理的兩片基板W，並對所接收的兩片基板W進行處理。

＜2-3-1-1.搬送機器人TR1＞ 搬送機器人TR1具有機械手H1、移動機構51、升降機構52及旋轉機構53。移動機構51可使機械手H1在水平面內移動。例如移動機構51具有一對臂。各臂具有長條狀的多個連結構件，將所述連接構件的端部彼此以能夠旋轉的方式加以連結。各臂的一端連結於機械手H1，另一端連結於升降機構52。通過控制連結構件的連結角度，可使機械手H1在水平面內移動。升降機構52通過使臂沿著鉛垂方向升降來使機械手H1升降。升降機構52例如具有滾珠絲杠機構。旋轉機構53可將沿著鉛垂方向的旋轉軸作為中心而使升降機構52旋轉。由此，機械手H1沿著圓周方向轉動。通過所述轉動，可改變機械手H1的朝向。旋轉機構53例如具有馬達。移動機構51、升降機構52及旋轉機構53由控制部60控制。

兩片基板W以沿著水平的一方向並排的狀態配置於機械手H1上。機械手H1例如具有：多條指狀構件F1、以及將指狀構件F1的基端加以連結的基端構件P1。所述基端構件P1上連結有臂的一端。指狀構件F1具有長條狀的形狀，且在其上表面載置有基板W。所述兩片基板W沿著指狀構件F1的長度方向並排載置。因此，指狀構件F1的長度方向的長度可根據基板W的兩片的長度以及基板W之間的間隔來設定。

搬送機器人TR1通過使機械手H1適宜地移動及旋轉，可使所述機械手H1向加熱部HP、冷卻部CP、清洗裝置12的基板導出部33及下一步驟的塗布相關裝置14（在圖23中未圖示）中的每一者移動。搬送機器人TR1可將兩片基板W整批從基板導出部33、加熱部HP及冷卻部CP中的每一者取出、或者、將兩片基板W整批傳遞至加熱部HP、冷卻部CP及塗布相關裝置14中的每一者。

例如搬送機器人TR1以如下方式從基板導出部33將兩片基板W整批取出。即，搬送機器人TR1為了使機械手H1位於在基板導出部33得以保持的兩片基板W的下方，而使機械手H1移動至基板導出部33。

基板W經由圖2的（a）及圖2的（b）所示的進行升降的升降銷LP1及升降銷LP2（在圖23中未圖示）而被搬送。此外，第一輥331及第二輥332以避免與搬送機器人TR1的機械手H1碰撞的方式構成。例如圖23中，多個第一輥331從上方觀察配置成格子狀。具體而言，三個第一輥331沿著排列方向D1空開間隔並排著。具有所述三個第一輥331的組設置有五個，所述五個組沿著寬度方向D2空開間隔而設置。沿著寬度方向D2並排的五個第一輥331彼此連結於同一個軸，且在所述軸的周圍旋轉。第二輥332也同樣地配置。第一輥331的各組與第二輥332的各組沿著排列方向D1並排著。指狀構件F1為了不與第一輥331及第二輥332碰撞而被插入至第一輥331的組的相互之間以及第二輥332的組的相互之間。

而且，搬送機器人TR1使機械手H1向鉛垂上方上升，由此兩片基板W由機械手H1抬起。由此，兩片基板W分別離開第一輥331及第二輥332。兩片基板W在機械手H1上沿著所述機械手H1的長度方向空開間隔並排載置。兩片基板W以其主面的法線方向沿著鉛垂方向的姿勢載置於機械手H1上。另外，在所述搬出動作中，兩片基板W幾乎不產生水平方向的力，因此基板導出部33中的兩片基板W的間隔在搬送機器人TR1中也得以實質性地維持。

其次，搬送機器人TR1使機械手H1以遠離基板導出部33的方式移動，由此從基板導出部33將兩片基板W整批取出。

此外，也可在指狀構件F1的上表面（載置有基板W的面）形成多個抽吸口。所述抽吸口設置於與兩片基板W對向的位置，且從所述抽吸口將空氣抽出並抽吸基板W。由此，可提高用於保持基板W的保持力。

搬送機器人TR1利用與所述動作相同的動作從加熱部HP及冷卻部CP中的每一者將兩片基板W整批取出。另一方面，搬送機器人TR1以與所述動作相反的順序，將兩片基板W整批傳遞至加熱部HP、冷卻部CP及塗布相關裝置14中的每一者（以下，稱作各部）。即，搬送機器人TR1使載置有兩片基板W的機械手H1移動至各部的內部且使機械手H1下降，從而將兩片基板W整批載置於各部的基板保持部的上表面。此外，各部的基板保持部以在兩片基板W的搬出搬入時不與機械手H1碰撞的方式構成。而且搬送機器人TR1使機械手H1從各部的內部移動至外部。由此，兩片基板W被整批傳遞至各部。另外，在所述搬入動作中，兩片基板W也幾乎不產生水平方向的力，因此搬送機器人TR1中的兩片基板W的間隔在各部中也得以實質性地維持。

如上所述，搬送機器人TR1可維持著由基板導出部33調整的間隔而將兩片基板W從基板導出部33取出，且維持著所述間隔而將兩片基板W傳遞至脫水烘烤裝置13。另外，同樣地，搬送機器人TR1在各部的相互之間也能夠維持著間隔來搬送兩片基板W。

搬送機器人TR1也可具有兩個機械手H1。所述兩個機械手H1彼此獨立地被驅動。例如，可設置由其中一個機械手H1使用的移動機構51、升降機構52及旋轉機構53，且也可設置由另一個機械手H1使用的移動機構51、升降機構52及旋轉機構53。例如搬送機器人TR1使用其中一個機械手H1從基板導出部33將兩片基板W取出。此時，另一個機械手H1是空的。而且搬送機器人TR1使用所述另一個機械手H1將由加熱部HP處理的兩片基板W從加熱部HP取出，且將載置於其中一個機械手H1上的兩片基板W傳遞至加熱部HP。由此，可提高基板搬送的生產率。以下，將具有兩個機械手H1的搬送機器人也稱作雙機械手型的搬送機器人，將具有一個機械手H1的搬送機器人也稱作單機械手型的搬送機器人。

如上所述，搬送機器人TR1將由作為平流處理部的清洗裝置12處理的多個基板中的N片（兩片）基板W在水平的一方向（D1方向）上並排保持，並且將所述N片（兩片）基板整批搬送至作為同時處理部的脫水烘烤裝置13。結果，與逐片搬送基板W的情況相比，可提高搬送處理的生產率。

＜2-3-1-2.加熱部HP＞ 將兩片基板W從搬送機器人TR1整批傳遞至加熱部HP。所述加熱部HP包括：基板保持部91，將所述兩片基板W在水平方向上並排保持；及加熱部件92，對所述兩片基板W整批同時進行加熱處理。換句話說，加熱部HP對兩片基板同時進行加熱處理。

基板保持部具有對兩片基板W的下表面進行支撐的構件。兩片基板W通過載置於所述構件上而得以保持。兩片基板W以其主面的法線方向沿著鉛垂方向的姿勢載置。例如基板保持部91包括未圖示的多個升降銷。所述多個升降銷在使其前端自基板保持部91的上表面突出的上位置、與自所述上表面向下退避的下位置之間升降。搬送機器人TR1將兩片基板W傳遞至向上方突出的多個升降銷後進行退避。多個升降銷在支撐著兩片基板W的狀態下下降，且將兩片基板W載置於基板保持部91的上表面。此外，兩片基板W的間隔由清洗裝置12的基板導出部33調整為適當的間隔，因此基板保持部91可適當地保持兩片基板W。反過來說，基板導出部33將從處理裝置主體32搬送的兩片基板W的間隔調整為所述兩片基板W可載置於基板保持部91。

加熱部件92例如為加熱器等，對由基板保持部91保持的兩片基板W整批同時進行加熱處理。加熱部件92由控制部60控制。通過所述加熱處理，例如可使殘留於基板W上的純水蒸發（脫水處理）。由於對兩片基板W整批同時進行加熱處理，因此與對基板W逐片進行加熱處理的情況相比，可提高加熱處理的生產率。所述加熱部HP也可以說是對N片（例如兩片）基板整批同時進行處理的同時處理部。

＜2-3-1-3.冷卻部CP＞ 將由加熱部CP加熱的兩片基板W從搬送機器人TR1整批搬送至冷卻部CP。即，搬送機器人TR1將由作為平流處理部的清洗裝置12處理之後由加熱部HP處理的兩片基板W在水平的一方向上並排保持，並且將所述兩片基板W整批搬送至冷卻部CP。所述冷卻部CP包括：基板保持部93，將所述兩片基板W在水平方向上並排保持；及冷卻部件94，對所述兩片基板W整批進行冷卻處理。換句話說，冷卻部CP對兩片基板同時進行冷卻處理。

所述基板保持部93具有對兩片基板W的下表面進行支撐的構件。兩片基板W通過載置於所述構件上而得以保持。兩片基板W以其主面的法線方向沿著鉛垂方向的姿勢載置。基板保持部93的結構與基板保持部91相同。

冷卻部件94例如為使冷水在形成於金屬板的內部的液路中流動的冷卻板等，對由基板保持部保持的兩片基板W整批進行冷卻處理。冷卻部件94由控制部60控制。通過所述冷卻處理，可將兩片基板W冷卻，且使兩片基板W的溫度成為適合下游側的處理裝置（塗布相關裝置14）的溫度。由於對兩片基板W整批同時進行冷卻處理，因此與對基板W逐片進行冷卻處理的情況相比，可提高冷卻處理的生產率。

此外，冷卻部CP也可利用自然冷卻來使兩片基板W冷卻。所謂自然冷卻，是指不對經加熱的基板W進行使用動力（電力）的冷卻，而是將基板W放置冷卻。這一情況下，不需要作為冷卻板等的結構的冷卻部件94。所述冷卻部CP也可以說是對N片（兩片）基板同時進行處理的同時處理部。

＜2-3-1-4.脫水烘烤裝置的一連串處理＞ 其次，對脫水烘烤裝置13的一連串處理進行簡單的說明。搬送機器人TR1從上游側的清洗裝置12的基板導出部33將兩片基板W整批取出，且將所述兩片基板W整批傳遞至加熱部HP。所述加熱部HP中，兩片基板W也以在水平方向上並排的狀態得以保持。加熱部HP對所述兩片基板W整批進行加熱處理。加熱處理後的兩片基板W由搬送機器人TR1整批取出，且被整批傳遞至冷卻部CP。冷卻部CP中，兩片基板W也以在水平方向上並排的狀態得以保持。冷卻部CP對所述兩片基板W整批進行冷卻處理。進行了冷卻處理的兩片基板W由搬送機器人TR1整批取出，且被整批傳遞至塗布相關裝置14。

＜2-3-2.塗布相關裝置14＞ 如圖24所示，塗布相關裝置14包括：間隔調整部41、抗蝕劑塗布裝置42、減壓乾燥裝置43、及搬送機器人TR2、搬送機器人TR3。所述塗布相關裝置14中，對兩片基板W主要進行以下兩個處理。即，抗蝕劑塗布裝置42對兩片基板W整批同時進行抗蝕劑塗布處理，其次，減壓乾燥裝置43對兩片基板W整批同時進行減壓乾燥處理。

然而，所述抗蝕劑塗布裝置42中，理想的是兩片基板W的間隔成為規定的間隔。關於所述規定的間隔（即，對抗蝕劑塗布裝置42而言合適的間隔），在下文詳細敘述。

然而，從上游側的脫水烘烤裝置13傳遞至塗布相關裝置14的時刻的兩片基板W的間隔也會存在未成為所述規定的間隔的情況。因此，在圖24的例子中設置有間隔調整部41。所述間隔調整部41從脫水烘烤裝置13的搬送機器人TR1將兩片基板W整批接收，且將所述兩片基板W的間隔調整為適合抗蝕劑塗布裝置42的間隔。

＜2-3-2-1.搬送機器人TR2＞ 回到圖24，搬送機器人TR2將兩片基板W從間隔調整部41整批取出。間隔調整部41具有對基板W進行支撐的支撐部（未圖示）。在所述基板W的搬出時，搬送機器人TR2的機械手被插入至間隔調整部41的支撐部的相互之間。因此搬送機器人TR2不與支撐部碰撞。搬送機器人TR2將所述兩片基板W整批傳遞至抗蝕劑塗布裝置42。此時搬送機器人TR2維持著由間隔調整部41變更後的間隔而取出兩片基板W，且維持著所述間隔而將兩片基板W傳遞至抗蝕劑塗布裝置42。在抗蝕劑塗布裝置42中也維持著所述間隔而保持兩片基板W。

所述搬送機器人TR2具有與搬送機器人TR1相同的結構，且進行與搬送機器人TR1相同的動作。即，搬送機器人TR2通過使空機械手上升並抬起兩片基板W而將兩片基板W取出。另外，搬送機器人TR2使載置著兩片基板W的機械手下降並將所述兩片基板W載置於基板保持部。這些動作中，兩片基板W幾乎不產生水平方向的力，因此在由搬送機器人TR2將兩片基板W搬出搬入時，兩片基板W的間隔得以實質性地維持。即，搬送機器人TR2可維持著由間隔調整部41變更的間隔而將兩片基板W從間隔調整部41取出，且維持著所述間隔而將兩片基板W傳遞至抗蝕劑塗布裝置42。搬送機器人TR2也可為單機械手型的搬送機器人。

如上所述，搬送機器人TR2與搬送機器人TR1同樣地，在上游步驟中，將由作為平流處理部的清洗裝置12處理的N片（兩片）基板W在水平的一方向（D1方向）上並排保持，並且將所述N片基板W整批搬送至作為同時處理部的抗蝕劑塗布裝置42。結果，與逐片搬送基板W的情況相比，可提高搬送處理的生產率。

＜2-3-2-2.抗蝕劑塗布裝置＞ 抗蝕劑塗布裝置42以由間隔調整部41變更的間隔從搬送機器人TR2接收兩片基板W，並對所接收的兩片基板W進行塗布處理。圖25是表示抗蝕劑塗布裝置42的結構的一例的側面圖。抗蝕劑塗布裝置42包括基板保持部421、噴嘴422及噴嘴移動機構423。基板保持部421是用於將從搬送機器人TR2搬送的兩片基板W在水平方向上並排保持的構件。兩片基板W以其主面的法線方向沿著鉛垂方向的姿勢載置於基板保持部421上。基板保持部421包括未圖示的多個升降銷。所述多個升降銷在使其前端自基板保持部421的上表面突出的上位置、與自所述上表面向下退避的下位置之間升降。搬送機器人TR2將兩片基板傳遞至向上方突出的多個升降銷後進行退避。多個升降銷在支撐了兩片基板的狀態下下降，且將兩片基板載置於基板保持部421的上表面。結果，基板保持部421以與在搬送機器人TR2中得到保持的兩片基板W的間隔相同的間隔來保持兩片基板W。此外，關於所述升降銷及其升降機構，例如使日本專利特開2014-130868號公報中記載的技術應用於本實施方式即可。

以下，將由間隔調整部41的支撐部支撐的兩片基板W並排的方向也稱作排列方向D11，將與所述排列方向D11正交且水平的方向也稱作寬度方向D12。另外，將在基板保持部421中兩片基板W並排的方向也稱作排列方向D21，將與排列方向D21正交且水平的方向也稱作寬度方向D22。在圖24的例子中，以排列方向D11、排列方向D21成為彼此相同的方向的方式來配置間隔調整部41及抗蝕劑塗布裝置42。

如圖25所示，噴嘴422是沿著排列方向D21延伸的噴嘴，在所述噴嘴422的下端面形成有用於射出塗布液的兩個射出口42a、射出口42b。所述兩個射出口42a、射出口42b具有沿著排列方向D21延伸的狹縫狀的形狀。所述兩個射出口42a、射出口42b分別對應於兩片基板W1、基板W2的表面上的塗布區域R1、塗布區域R2（圖24）而形成。塗布區域R1、塗布區域R2是塗布液被塗布的區域，且塗布區域R1、塗布區域R2在俯視時具有矩形狀。塗布區域R1的一邊與基板W1的一邊平行，塗布區域R2的一邊與基板W2的一邊平行。

射出口42a的兩端在鉛垂方向上與基板W1的塗布區域R1的排列方向D21上的兩端對向。因此射出口42a的排列方向D21上的長度與基板W1的塗布區域R1的排列方向D21上的長度大致相等。同樣地，射出口42b的兩端在鉛垂方向上與基板W2的塗布區域R2的排列方向D21上的兩端對向。因此射出口42b的排列方向D21上的長度與基板W2的塗布區域R2的排列方向D21上的長度大致相等。基板W1的塗布區域R1與基板W2的塗布區域R2之間的間隔與射出口42a、射出口42b之間的間隔大致相等。

在噴嘴422的內部形成有用於將塗布液送往射出口42a、射出口42b的流路（未圖示）。所述流路連接於未圖示的塗布液供給管。塗布液經由所述塗布液供給管及流路而從射出口被塗布。所述流路在排列方向D21上將從塗布液供給管供給的塗布液延展，並且使塗布液從兩個射出口42a、射出口42b分別向基板W1、基板W2射出。來自噴嘴422的塗布液的射出由控制部60控制。

噴嘴422由噴嘴保持部424支撐。噴嘴保持部424具有將基板保持部421的排列方向D21上的兩端交聯的交聯結構。即，噴嘴保持部424可在排列方向D21上跨越兩片基板W這一組。噴嘴保持部424包括：沿著排列方向D21延伸的主體部4241、以及對主體部4241的兩端進行支撐的一對柱部4242。噴嘴422固定於所述主體部4241的下表面。一對柱部4242相對於基板保持部421而以能夠沿著寬度方向D22移動的方式被固定。

噴嘴移動機構423使噴嘴422相對於基板保持部421沿著寬度方向D22移動。噴嘴移動機構423設置有兩個，且例如具有線性馬達。線性馬達包括移動件4231與固定件4232。固定件4232分別固定於基板保持部421的兩側面，且具有沿著寬度方向D22並排的多個線圈。移動件4231分別與固定件4232對向配置，且具有永磁鐵。所述移動件4231分別固定於柱部4242。通過對線圈施加電壓，而固定件4232對移動件4231施加移動用的磁場。由此，移動件4231沿著寬度方向D22移動。進而，固定有移動件4231的柱部4242、以及相對於所述柱部4242且經由主體部4241而被固定的噴嘴422相對於基板保持部421而沿著寬度方向D22移動。所述噴嘴移動機構423（具體而言，線圈的電壓）由控制部60控制。

噴嘴422在由基板保持部421保持的兩片基板W1、基板W2的上方沿著寬度方向D22移動。當噴嘴422與兩片基板W1、基板W2的塗布區域的寬度方向D22的一端對向時，控制部60開始塗布液的供給；當噴嘴422與塗布區域的另一端對向時，控制部60結束塗布液的供給。像這樣，噴嘴422一邊向兩片基板W1、基板W2射出塗布液，一邊沿著寬度方向D22移動，由此可在兩片基板W1、基板W2的塗布區域R1、塗布區域R2形成塗膜。

如上所述，根據抗蝕劑塗布裝置42，可通過噴嘴422的一次移動來對兩片基板W1、基板W2整批同時進行塗布處理。由此，可提高塗布處理的生產率。所述抗蝕劑塗布裝置42也可以說是對N片（兩片）基板W同時進行處理的同時處理部。

而且，間隔調整部41將從清洗裝置12側搬入的兩片基板W1、基板W2的間隔調整為對抗蝕劑塗布裝置42而言合適的間隔。具體而言，以使基板W1的塗布區域R1與基板W2的塗布區域R2的間隔與噴嘴422的射出口42a、射出口42b的間隔一致的方式，對基板W1、基板W2的間隔進行調整。由此，可針對基板W1、基板W2而以高的位置精度將塗布液塗布於塗布區域R1、塗布區域R2。

另外，根據抗蝕劑塗布裝置42，噴嘴422沿著寬度方向D22移動。作為比較例，假設如下形態：使具有沿著寬度方向D22延伸的射出口的噴嘴相對於基板W1、基板W2沿著排列方向D21移動。這一情況下，噴嘴在位於塗布區域R1的正上方期間射出塗布液，在位於塗布區域R1、塗布區域R2之間的期間暫時停止塗布液的射出，且在位於塗布區域R2的正上方期間恢復塗布液的射出。然而，若暫時停止塗布液的射出，則在噴嘴的射出口附近會不均勻地殘留塗布液。若在這一狀態下恢復塗布液的射出，則形成於塗布區域R2的塗膜的膜厚精度會惡化。

相對於此，根據抗蝕劑塗布裝置42，噴嘴422的移動方向（寬度方向D22）與基板W1、基板W2並排的排列方向D21正交。因此，不必中斷來自噴嘴422的塗布液的供給。因而，可避免此種膜厚精度的惡化。

＜2-3-2-3.搬送機器人TR3＞ 參照圖24，搬送機器人TR3相對於抗蝕劑塗布裝置42而配置於搬送機器人TR2的相反側。搬送機器人TR3將進行了塗布處理的兩片基板W從抗蝕劑塗布裝置42整批取出。搬送機器人TR3的結構與搬送機器人TR1相同。抗蝕劑塗布裝置42利用多個升降銷將結束了塗布處理的兩片基板W自基板保持部421的上表面向上抬起。搬送機器人TR3將由多個升降銷支撐的兩片基板W整批取出，並將所述兩片基板W整批傳遞至減壓乾燥裝置43。兩片基板W以其主面的法線方向沿著鉛垂方向的姿勢載置於搬送機器人TR3。所述搬送機器人TR3也與搬送機器人TR1同樣地，在上游步驟中，將由作為平流處理部的清洗裝置12處理的N片（兩片）基板W在水平的一方向上並排保持，並且將所述多個基板整批搬送至作為同時處理部的減壓乾燥裝置43。結果，與逐片搬送基板W的情況相比，可提高搬送處理的生產率。搬送機器人TR3也可為雙機械手型的搬送機器人。

另外，搬送機器人TR3可將進行了減壓乾燥處理的兩片基板W在水平的一方向（D21或D22）上並排保持，並且從減壓乾燥裝置43整批取出，將所述兩片基板W搬送至下游側的裝置（預烘烤裝置15）。

＜2-3-2-4.減壓乾燥裝置＞ 減壓乾燥裝置43例如包括如日本專利特開2014-126263號公報中記載那樣的基板保持部與抽吸裝置。所述基板保持部從搬送機器人TR3將兩片基板W整批接收並對它們進行保持。兩片基板W以其主面的法線方向沿著鉛垂方向的姿勢載置於所述基板保持部上。所述基板保持部以不與搬送機器人TR3的機械手碰撞的方式構成。在所述基板保持部中，兩片基板W也在水平方向上並排保持，且所述兩片基板W的間隔與搬送機器人TR3中的兩片基板W的間隔相同。基板保持部例如配置於腔室內，抽吸裝置抽吸所述腔室內的氣體而使腔室內的壓力降低。具體而言，例如使腔室內的壓力降低至塗布液的溶劑的蒸氣壓為止。由此，塗布液的溶劑蒸發，且在利用預烘烤裝置15對塗膜進行預烘烤處理之前，可使塗膜適度乾燥。即，進行減壓乾燥處理。

在所述減壓乾燥裝置43中，也對兩片基板W整批同時進行減壓乾燥處理，因此與對基板W逐片進行減壓乾燥處理的情況相比，可提高減壓乾燥處理的生產率。

＜2-4.塗布相關裝置14（圖24）的變形例＞ 圖26是概略地表示作為塗布相關裝置14的另一例的塗布相關裝置14A的結構的圖。塗布相關裝置14A包括：間隔調整部41、抗蝕劑塗布裝置42A、減壓乾燥裝置43及搬送機器人TR2、搬送機器人TR3。即，塗布相關裝置14A除抗蝕劑塗布裝置的結構以外，具有與塗布相關裝置14相同的結構。

所述抗蝕劑塗布裝置42具有噴嘴422沿著寬度方向D22移動的結構，相對於此，在抗蝕劑塗布裝置42A中，兩片基板W沿著寬度方向D22移動。具體而言，抗蝕劑塗布裝置42A包括：輥子輸送機（roller conveyor）423A、移載單元424A、一對基板卡盤部425A、上浮台421A、噴嘴422A及進退機構426A。抗蝕劑塗布裝置42A例如為如日本專利特開2011-210985號公報中記載那樣的基板上浮式的塗布裝置。

輥子輸送機423A從搬送機器人TR2接收兩片基板W1、基板W2。在所述輥子輸送機423A中，也維持著搬送機器人TR2中的基板W1、基板W2的間隔來載置基板W1、基板W2。基板W1、基板W2以其主面的法線方向沿著鉛垂方向的姿勢載置。輥子輸送機423A是通過未圖示的多個輥子的外周面的最上部與兩片基板W的下表面接觸來對基板W賦予推動力，並使所述基板W沿著寬度方向D22移動的接觸式的搬送裝置。

移載單元424A設置於輥子輸送機423A與上浮台421A之間。移載單元424A包括未圖示的多個輥子及上浮墊。上浮墊是對基板W1、基板W2的下表面噴出壓縮氣體、例如空氣而使基板W上浮，且在非接觸狀態下支撐基板W1、基板W2的上浮機構。上浮墊在其上表面形成有多個噴出口。所述噴出口經由氣體供給路徑而連接於氣體供給部（氣體源）。來自氣體供給部的氣體從所述噴出口噴出。

移載單元424A的多個輥子以能夠升降的方式形成。上升時的位置是即使在上浮墊噴射壓縮氣體的過程中，多個輥子的外周面的最上部也與兩片基板W的下表面接觸的位置。因此，此時移載單元424A的多個輥子也可對基板W1、基板W2賦予推動力，並使基板W1、基板W2沿著寬度方向D22移動。下降時的位置是在上浮墊噴射壓縮氣體的過程中，移載單元424A的多個輥子離開基板W1、基板W2的位置。即，在多個輥子下降時，基板W1、基板W2由來自上浮墊的壓縮氣體支撐。

上浮台421A沿著寬度方向D22延伸。在所述上浮台421A的上表面（載置有兩片基板W的面）形成有多個噴出口。所述噴出口經由形成於上浮台421A的內部的氣體供給路徑而連接於氣體供給部（氣體源）。來自氣體供給部的氣體從上浮台421A的上表面的噴出口噴出，由此，使基板W1、基板W2從上浮台421A的上表面上浮。從移載單元424A將基板W搬送至上浮台421A。

基板卡盤部425A在移載單元424A的多個輥子下降且基板W1、基板W2上浮的狀態下，可對基板W1、基板W2的各端面進行保持。具體而言，基板卡盤部425A對基板W1中與基板W2相反的一側的端面進行保持，且對基板W2中與基板W1相反的一側的端面進行保持。基板卡盤部425A以能夠升降的方式形成，且基板卡盤部425A通過上升而吸附於基板W1、基板W2的下表面（端面）。

進退機構426A使基板卡盤部425A沿著寬度方向D22移動。例如進退機構426A為線性馬達等。基板卡盤部425A使基板W1、基板W2從移載單元424A移動至上浮台421A。

噴嘴422A在基板W1、基板W2的移動路徑的中途，設置於基板W1、基板W2的上方。噴嘴422A具有與噴嘴422相同的結構。即，在噴嘴422A的下端面形成有分別與基板W1、基板W2的塗布區域R1、塗布區域R2對應的射出口42a、射出口42b。此外，在圖26中，雖然僅對噴嘴422A示意性地示出其側面，但實際上，射出口42a、射出口42b由於形成於噴嘴422A的下表面，因此在俯視時不出現。

噴嘴422A利用與圖25中例示的噴嘴保持部424相同的噴嘴保持部而固定於上浮台421A。

基板W1、基板W2的初始位置是在鉛垂方向上不與噴嘴422A對向的位置。基板卡盤部425A使基板W1、基板W2沿著寬度方向D22移動，由此基板W1、基板W2在噴嘴422A的正下方橫穿移動。在基板W1、基板W2的塗布區域R1、塗布區域R2處於噴嘴422A的正下方期間，適宜地從噴嘴422A的射出口42a、射出口42b將塗布液分別向基板W1、基板W2射出。由此，在基板W1、基板W2的塗布區域R1、塗布區域R2形成塗膜。

而且，基板卡盤部425A使基板W1、基板W2沿著寬度方向D22移動至在鉛垂方向上不與噴嘴422A對向的位置為止。即，基板W1、基板W2的停止位置相對於噴嘴422A而位於與基板W1、基板W2的初始位置相反的一側。

根據此種抗蝕劑塗布裝置42A，也通過兩片基板W的一次移動來對兩片基板W整批同時進行塗布處理。由此與對兩片基板W逐片進行塗布處理的情況相比，可提高塗布處理的生產率。

搬送機器人TR3將在所述停止位置停止的兩片基板W整批取出且在水平的一方向（D21或D22）上並排保持，並且將所述兩片基板W整批傳遞至減壓乾燥裝置43。另外，搬送機器人TR3將進行了減壓乾燥處理後的兩片基板W在水平的一方向（D21或D22）上並排保持，並且從減壓乾燥裝置43整批取出，將所述兩片基板W整批傳遞至下游側的裝置。

此外，在所述的一例中，雖然各搬送機器人將兩片基板W整批搬送，且各同時處理裝置對兩片基板W同時進行處理，但搬送機器人也可將三片以上的基板整批搬送，且同時處理裝置也可對三片以上的基板同時進行處理。

＜3.所述補充中的塗布相關裝置的變形例＞ 塗布相關裝置14（圖24）是同時處理裝置（同時處理部），但通過將其所具有的塗布裝置BP（圖24）置換為塗布裝置BPv（圖27）而可設為平流處理裝置（平流處理部）。以下，對所述變形例進行說明。

塗布裝置BPv包括基板導入部21、處理裝置主體22及基板待機部23。基板導入部21接收基板W。例如，在基板導入部21整批搬入兩片基板W。處理裝置主體22依次接收從基板導入部21搬送的基板W，並沿著搬送方向搬送所述基板W。此處，處理裝置主體22中的搬送方向為X軸方向，所述搬送方向的上游側為-X側，搬送方向的下游側為+X側。此外，塗布裝置BPv是位於減壓乾燥裝置43（圖24）的上游側（-X側）的上游處理部。

處理裝置主體22向+X側依次搬送基板W，並且對所述基板W逐片依次進行塗布處理。塗布處理後的基板W從處理裝置主體22依次搬送至基板待機部23。基板待機部23依次接收從處理裝置主體22搬送來的基板W。基板待機部23可使依次接收到的兩片基板W待機。此外，所謂此處所述的“待機”，是指不論其待機時間的長短如何，都在所述位置停止。在基板待機部23待機的基板W由搬送機器人4取出而搬送至下游側的減壓乾燥裝置43（圖24）。

＜3-1.基板導入部＞ 圖28是概略地表示塗布裝置BPv及搬送機器人4的結構的一例的側面圖。在圖28的例子中，基板導入部21例如包括輥子輸送機。所述輥子輸送機包括多個旋轉軸211A、多個旋轉軸211B、多個輥子212A及多個輥子212B。旋轉軸211A及旋轉軸211B分別以其中心軸沿著Y軸的姿勢設置。多個旋轉軸211A在X軸方向上隔開間隔地並排，多個旋轉軸211B在較多個旋轉軸211A更靠下游側且在X軸方向上隔開間隔地並排。另外，旋轉軸211A及旋轉軸211B設置於相互大致相同高度的位置。旋轉軸211A及旋轉軸211B分別可以自身的中心軸為旋轉軸進行旋轉。

在各旋轉軸211A的外周面設置有多個輥子212A，在各旋轉軸211B的外周面設置有多個輥子212B。輥子212A及輥子212B具有圓環狀的形狀，並以其中心軸沿著Y軸的姿勢設置。

基板W載置於多個輥子212A及多個輥子212B上。即，多個輥子212A的外周面的最上部與基板W的下表面接觸，多個輥子212B的外周面的最上部與基板W的下表面接觸。

多個旋轉軸211A由驅動部（未圖示）驅動，在預定的相同方向上以大致相等的旋轉速度旋轉（同步旋轉）。通過所述旋轉，多個輥子212A也在相同方向上以大致相等的旋轉速度旋轉。驅動部具有馬達，由控制部60控制。通過輥子212A的旋轉而向+X側搬送載置於輥子212A上的基板W。多個旋轉軸211B也由驅動部（未圖示）驅動而進行同步旋轉。由此，向+X側搬送載置於輥子212B上的基板W。旋轉軸211A及旋轉軸211B相互獨立地受到控制。

也可在輥子212A及輥子212B上分別載置基板W各一片。例如，也可從上游側的裝置將兩片基板W分別載置於輥子212A及輥子212B上。在所述狀態下，控制部60僅使旋轉軸211B同步旋轉。由此，可將輥子212B上的基板W搬送至處理裝置主體22。其次，控制部60使旋轉軸211A及旋轉軸211B這兩者同步旋轉。由此，可將輥子212A上的基板W搬送至處理裝置主體22。

＜3-2.處理裝置主體的概要＞ 處理裝置主體22依次搬送基板W，並且對所述基板W依次進行塗布處理。在圖27及圖28的例子中，所述處理裝置主體22包括移載單元221、上浮台222、基板搬送部223及噴嘴224。

移載單元221是將從基板導入部21搬送來的基板W搬送至上浮台222的單元，且為變換搬送方式的單元。即，在基板導入部21中，以輥子搬送方式搬送基板W，與此相對，後述的上浮台222以上浮搬送方式搬送基板W，因此移載單元221在它們之間變換搬送方式。

在上浮台222的上表面設置有多個噴出口，從所述噴出口噴出氣體。因此，在上浮台222上，基板W由所述氣體賦予浮力。

基板搬送部223對基板W的Y軸方向上的兩端部分進行保持，並且將所述基板W從移載單元221經由上浮台222搬送至基板待機部23。基板搬送部223僅保持基板W的兩端部分，因此基板W會在其中央附近撓曲。然而，上浮台222從噴出口向基板W的下表面噴出氣體，向基板W賦予浮力。由此，可抑制基板W的撓曲。因此，基板W可以水平姿勢通過上浮台222。

噴嘴224設置於上浮台222的上方空間。基板搬送部223在上浮台222的上方使基板W向+X側移動，由此基板W橫穿噴嘴224的正下方。噴嘴224對其正下方的基板W塗布塗布液。由此，可在基板W上形成塗膜。此外，噴嘴224也可構成為能夠在處理位置與待機位置之間移動。處理位置是噴嘴224對基板W射出塗布液的位置，待機位置是使噴嘴224待機的位置。在待機位置，也可設置對噴嘴224的射出口進行清洗的機構等。

形成有塗膜的基板W由基板搬送部223搬送至基板待機部23。基板搬送部223在基板待機部23解除基板W的保持。然後，基板搬送部223再次返回移載單元221，並對接下來的基板W進行保持。

＜3-2-1.移載單元＞ 在圖28的例子中，移載單元221包括多個輥子2211、入口上浮台2212及多個升降銷2213。多個輥子2211具有與基板導入部21的輥子相同的結構，在X軸方向上隔開間隔地並排。輥子2211的旋轉由控制部60控制。輥子2211通過自身的旋轉而接收從基板導入部21搬送來的基板W並向+X側搬送。

入口上浮台2212設置於較多個輥子2211更靠下游側（+X側）。在入口上浮台2212的上表面形成有多個噴出口（未圖示）。所述噴出口在俯視時（即，沿著Z軸方向觀察時），例如排列成矩陣狀。各噴出口經由形成於入口上浮台2212的內部的氣體供給路徑而與氣體供給源（未圖示）連接。來自氣體供給源的氣體從所述噴出口噴出。由此，可對入口上浮台2212上的基板W賦予浮力。

多個升降銷2213具有沿著Z軸方向延伸的棒狀的形狀，且設置成能夠升降。多個升降銷2213中的若干個與輥子2211對應設置，剩餘的升降銷與入口上浮台2212對應設置。與輥子2211對應的升降銷2213設置於多個輥子2211之間的間隙中。在入口上浮台2212上形成有多個貫穿孔，以便不與多個噴出口的任一個干涉。所述貫穿孔在Z軸方向上貫穿入口上浮台2212。剩餘的升降銷2213分別貫穿配置於所述貫穿孔中。如圖28所例示，多個升降銷2213可在-Z側的基端部相互連結。

升降銷2213通過升降機構2214而進行升降。升降機構2214例如是氣缸，且由控制部60控制。

在升降銷2213下降的狀態下，升降銷2213的+Z側的前端部相對於輥子2211的外周面的最上部及入口上浮台2212的上表面的任一者均位於-Z側。在升降銷2213上升的狀態下，其前端部位於較輥子2211的最上部及入口上浮台2212的上表面的任一者更靠+Z側，可與基板W的下表面接觸來抬起基板W。基板W在由升降銷2213抬起的狀態下，由基板搬送部223保持。

＜3-2-2.上浮台＞ 上浮台222設置於較入口上浮台2212更靠+X側。在上浮台222的上表面也形成有多個噴出口（未圖示）。所述噴出口在俯視時例如排列成矩陣狀。各噴出口經由形成於上浮台222的內部的氣體供給路徑而與氣體供給源連接。來自氣體供給源的氣體從所述噴出口噴出。

此外，也可在上浮台222的上表面形成多個抽吸口。所述抽吸口形成於與噴出口不同的位置，例如排列成矩陣狀。各抽吸口經由形成於上浮台222的內部的氣體抽吸路徑而與抽吸裝置（例如泵）連接。從上浮台222的噴出口噴出的氣體的一部分從抽吸口被抽吸。據此，可更精密地控制對基板W賦予的浮力。進而，可進一步減少基板W的撓曲。

＜3-2-3.基板搬送部＞ 在圖27的例子中，基板搬送部223包括基板卡盤部2231及進退機構2232。基板卡盤部2231對基板W的Y軸方向上的兩側端面進行保持。在圖27的例子中，相對於基板W，在Y軸方向上的兩側分別設置有一對基板卡盤部2231。一對基板卡盤部2231在X軸方向上隔開間隔地設置。各基板卡盤部2231具有對基板W的下表面中的Y軸方向上的端部進行支撐的支撐部。在所述支撐部的上表面例如形成有吸附口，所述吸附口經由支撐部的內部的抽吸路徑而與抽吸裝置（例如泵）連接。通過從吸附口抽吸氣體，基板卡盤部2231可吸附保持基板W。

進退機構2232使基板卡盤部2231沿著X軸方向移動。例如進退機構2232是線性馬達等。進退機構2232由控制部60控制。進退機構2232使基板卡盤部2231從移載單元221經由上浮台222而移動至基板待機部23。由此，保持於基板卡盤部2231的基板W也從移載單元221經由上浮台222而移動至基板待機部23。

＜3-2-4.噴嘴＞ 噴嘴224設置於上浮台222的上方空間。在噴嘴224的下端形成有與基板W的塗布區域R1對應的射出口。所述噴嘴224是其射出口在Y軸方向上較長的長噴嘴。射出口的長度（沿著Y軸方向的長度）與塗布區域R1的長度（沿著Y軸方向的長度）大致一致。

噴嘴224均經由未圖示的塗布液供給管而與塗布液供給源連接。在塗布液供給管的中途設置有未圖示的泵，通過驅動控制所述泵來切換塗布液從噴嘴224的射出/停止。泵由控制部60控制。

基板搬送部223使基板W向+X側移動，由此基板W橫穿噴嘴224的正下方。噴嘴224在基板W橫穿時射出塗布液。具體而言，噴嘴224在基板W的塗布區域R1的+X側的端位於噴嘴224的正下方時開始射出塗布液，在塗布區域R1的-X側的端位於噴嘴224的正下方時結束射出塗布液。由此，在塗布區域R1塗布塗布液，並在塗布區域R1上形成塗膜。

此外，噴嘴224也能夠對基板W射出多種塗布液。更具體而言，也可設置與多種塗布液分別對應的多個噴嘴224。作為多種塗布液，例如可採用光致抗蝕劑用塗布液及絕緣膜用塗布液。

＜3-3.基板待機部＞ 基板待機部23依次接收由處理裝置主體22處理過的基板W。基板待機部23可使兩片基板W待機。所述基板待機部23包括第一待機部231及第二待機部232。第一待機部231可使一片基板W待機，第二待機部232可使一片基板W待機。

在圖27及圖28的例子中，第一待機部231及第二待機部232沿著處理裝置主體22的搬送方向（即X軸方向）並排。更具體而言，第一待機部231設置於較處理裝置主體22更靠+X側，第二待機部232設置於處理裝置主體22與第一待機部231之間。第二待機部232還具有將從處理裝置主體22搬送來的基板W搬送至第一待機部231的功能。

在處理裝置主體22中處理過的一片基板W（以下，稱為第一基板W1）通過基板搬送部223而經由第二待機部232搬送至第一待機部231。第一待機部231可使所述第一基板W1待機。在處理裝置主體22中繼第一基板W1之後處理過的第二基板W2由基板搬送部223搬送至第二待機部232。第二待機部232可使第二基板W2待機。

作為更具體的一例，基板待機部23包括出口上浮台233、第一上升機構234及第二上升機構235。出口上浮台233設置於較上浮台222更靠+X側。在出口上浮台233的上表面，也與入口上浮台2212同樣地形成有用於噴出氣體的多個噴出口。出口上浮台233的長度（沿著X軸方向的長度）設定得長於兩片基板W的長度（沿著X軸方向的長度）的總和。

第一基板W1被搬送至出口上浮台233的下游部分。第一上升機構234使位於所述下游部分的第一基板W1上升。第一上升機構234由控制部60控制。在圖28的例子中，第一上升機構234包括多個升降銷2341及升降機構2342。各升降銷2341具有棒狀的形狀，以其長度方向沿著Z軸的姿勢設置。如圖28所例示，升降銷2341的-Z側的基端部可相互連結。在出口上浮台233形成有在Z軸方向上延伸的多個貫穿孔，以便不與多個噴出口的任一個干涉。升降銷2341分別貫穿配置於出口上浮台233的貫穿孔中。

升降機構2342例如是氣缸，使多個升降銷2341升降。所述升降機構2342由控制部60控制。在升降銷2341下降的狀態下，升降銷2341的前端部相對於出口上浮台233的上表面而位於-Z側。另一方面，在升降銷2341上升的狀態下，升降銷2341的前端部相對於出口上浮台233的上表面而位於+Z側。升降機構2342在解除了基板卡盤部2231對第一基板W1的吸附的狀態下，使升降銷2341上升。通過所述上升，升降銷2341的前端部與第一基板W1的下表面接觸，從而可抬起第一基板W1。升降銷2341也可使第一基板W1上升至從出口上浮台233噴出的氣體實質上不會到達的高度位置。由此，第一基板W1由升降銷2341支撐。

在圖28的例子中，使第一基板W1待機的第一待機部231包括出口上浮台233的下游部分及第一上升機構234。

繼第一基板W1之後要處理的第二基板W2被搬送至出口上浮台233的上游部分。出口上浮台233的上游部分相對於下游部分而位於-X側。第二上升機構235使位於所述上游部分的第二基板W2上升。第二上升機構235獨立於第一上升機構234地由控制部60控制。在圖28的例子中，第二上升機構235包括多個升降銷2351及升降機構2352。升降銷2351及升降機構2352分別與升降銷2341及升降機構2342相同，因此避免詳細說明。

升降機構2352與升降機構2342同樣地，在解除了基板卡盤部2231對第二基板W2的吸附的狀態下，使升降銷2351上升。通過所述上升，升降銷2351的前端部與第二基板W2的下表面接觸，從而可抬起第二基板W2。第二基板W2由升降銷2351支撐。

在圖28的例子中，使第二基板W2待機的第二待機部232包括出口上浮台233的上游部分及第二上升機構235。

如上所述，第一上升機構234及第二上升機構235相互獨立地受到驅動，因此既可僅使第一基板W1上升，也可僅使第二基板W2上升，還可使第一基板W1及第二基板W2這兩者上升。

第一基板W1及第二基板W2在分別由升降銷2341及升降銷2351支撐的狀態下被搬送機器人4取出。

雖然對本發明進行了詳細說明，但所述說明在所有方面都是例示，本發明並不限定於此。可理解為在不脫離本發明的範圍的情況下，可假定未例示的無數個變形例。在所述各實施方式及各變形例中所說明的各結構只要不相互矛盾，則可適當地組合或省略。

1:基板處理系統 4:搬送機器人 11:分度器部 12:清洗裝置 13:脫水烘烤裝置 14、14A:塗布相關裝置 15:預烘烤裝置 16:曝光裝置 17:顯影裝置 18:後烘烤裝置 21:基板導入部 22:處理裝置主體 23:基板待機部 30:平流處理裝置 31:基板導入部（接收部分） 32:處理裝置主體（處理部分） 33:基板導出部 34:藥液部 35:水洗部 36:除水部 40:同時處理裝置 41:間隔調整部 42、42A:抗蝕劑塗布裝置 42a、42b:射出口 43:減壓乾燥裝置 51:移動機構 52、2214、2342、2352:升降機構 53:旋轉機構 60:控制部 61:CPU 62:ROM 63:RAM 64:存儲裝置 65:總線 66:輸入部 67:顯示部 68:通訊部 426A、2232:進退機構 91、93、421:基板保持部 92:加熱部件 94:冷卻部件 211A、211B:旋轉軸 212A、212B、2211:輥子 221、424A:移載單元 222、421A:上浮台 223:基板搬送部 224、341、422、422A:噴嘴 231:第一待機部 232:第二待機部 233:出口上浮台 234:第一上升機構 235:第二上升機構 311、313、321:輥 312:底座 331:第一輥 332:第二輥 334、335:傳感器 342:藥液槽 343:供給管 344:泵 351:低壓水供給部 352:高壓水供給部 353:超聲波清洗水供給部 354:純水供給部 355:第一水槽 356:第二水槽 361:噴射部 362:氣體供給部 363:管路 423:噴嘴移動機構 423A:輥子輸送機 424:噴嘴保持部 425A、2231:基板卡盤部 2212:入口上浮台 2213、2341、2351、LP1、LP2、LP3、LP4、LP5:升降銷 4231:移動件 4232:固定件 4241:主體部 4242:柱部 AC1、AC2、AC3、AC4、AC5:上下驅動機構 AC9:驅動機構 AR1、AR2、AR3、AR4、AR5、AR6、AR7、AR8、AR9:箭頭 AP:對齊銷 BP、BPv:塗布裝置 CP:冷卻部 D1:搬送方向（排列方向） D2、D12、D22:寬度方向 D11、D21:排列方向 F1:指狀構件 G1:待機部位（第一待機部位） G2:待機部位（第二待機部位） H1、HND、HND2:機械手 HP:加熱部 LM:對齊部 P:處理程式 P1:基端構件 P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P13、P14、Q1、Q2:位置 PC1:同時處理部 PC2:同時處理部 PD、PV:銷 PF1:平流處理部（第一平流處理部） PF1i、PF2i:接收部分 PF1m、PF2m:處理部分 PF1o:交付部分 PF2:平流處理部（第二平流處理部） R1、R2:塗布區域 RL:輥 S101、S102、S201～S203、S211～S215、S221～S223、S301～S303、S311～S315、S321～S324:步驟 SD:基板收納部（基板待機部） SY1～SY3:基板處理系統 TR1:搬送機器人（第一基板搬送部） TR2:搬送機器人（第二基板搬送部） TR3:搬送機器人 VD:基板交接部 W:基板 W1:基板（第一基板） W2:基板（第二基板） WD:偽基板 WP、WP1、WP2:製品基板

圖1是表示實施方式1中的基板處理系統的結構的概要的框圖。 圖2的（a）是表示實施方式1中的基板處理系統的結構的部分平面圖，圖2的（b）是表示實施方式1中的基板處理系統的結構的部分側面圖。 圖3是圖2的（b）的局部放大圖。 圖4是概略地表示實施方式1中的基板處理方法的流程圖。 圖5是概略地表示圖4中的一步驟的部分側面圖。 圖6是概略地表示圖4中的一步驟的部分側面圖。 圖7是概略地表示圖4中的一步驟的部分側面圖。 圖8是概略地表示圖4中的一步驟的部分側面圖。 圖9是概略地表示圖4中的一步驟的部分側面圖。 圖10是概略地表示圖4中的一步驟的部分側面圖。 圖11是概略地表示圖4中的一步驟的部分側面圖。 圖12是表示實施方式2中的基板處理系統的結構的概要的框圖。 圖13是概略地表示實施方式2中的基板處理方法的流程圖。 圖14是表示實施方式3中的基板處理系統的結構的概要的框圖。 圖15的（a）是表示實施方式3中的基板處理系統的結構的部分平面圖，圖15的（b）是表示實施方式3中的基板處理系統的結構的部分側面圖。 圖16是概略地表示實施方式3中的基板處理方法的流程圖。 圖17是概略地表示實施方式4中的基板待機部的結構的平面圖。 圖18是概略地表示圖17的動作的平面圖。 圖19是概略地表示實施方式5中的基板待機部的結構的側面圖。 圖20是概略地表示基板處理系統的結構的一例的平面圖。 圖21是概略地表示控制部的結構的一例的框圖。 圖22是概略地表示平流處理部的結構的一例的側面圖。 圖23是概略地表示同時處理部的結構的一例的平面圖。 圖24是概略地表示同時處理部的結構的一例的平面圖。 圖25是表示抗蝕劑塗布裝置的結構的一例的側面圖。 圖26是概略地表示圖24的同時處理裝置的變形例的平面圖。 圖27是概略地表示圖24的塗布裝置的變形例的平面圖。 圖28是圖27的側面圖。

AC1、AC2、AC3:上下驅動機構

HND:機械手

LP1、LP2、LP3:升降銷

P3、P4:位置

PC1:同時處理部

PF1:平流處理部(第一平流處理部)

PF1m:處理部分

PF1o:交付部分

RL:輥

SD:基板收納部(基板待機部)

SY1:基板處理系統

TR1:搬送機器人(第一基板搬送部)

W:基板

WD:偽基板

WP、WP1、WP2:製品基板

Claims (11)

1. 一種基板處理系統，其用於對包含多個製品基板的多個基板進行處理，且所述基板處理系統包括： 第一平流處理部，沿著搬送方向依次搬送所述多個製品基板，並且對所述多個製品基板逐片進行處理； 同時處理部，對所述多個基板以N片（N≧2）為單位同時進行處理； 基板待機部，使要在所述同時處理部中作為所述多個基板的一部分被處理的至少一片偽基板待機；以及 第一基板搬送部，將所述多個基板中的最大N片基板水平地並排保持，並且整批搬送至所述同時處理部，並且 所述第一基板搬送部構成為能夠以簡單模式與混載模式進行運行， 所述簡單模式是將來自所述第一平流處理部的N片所述製品基板整批搬入至所述同時處理部， 所述混載模式是將來自所述第一平流處理部的P片（1≦P＜N）所述製品基板與來自所述基板待機部的D片（1≦D≦N-P）所述偽基板整批搬入至所述同時處理部。
2. 如請求項1所述的基板處理系統，其還包括控制部， 所述控制部將所述多個製品基板分成分別具有最大N片的片數的多個組來進行管理， 所述第一基板搬送部將所述多個組一組一組地從所述第一平流處理部搬送至所述同時處理部， 關於所述控制部，在所述多個製品基板的所述一組具有N片的片數的情況下，使所述第一基板搬送部以所述簡單模式進行運行，在所述多個製品基板的所述一組具有一片以上且未滿N片的片數的情況下，使所述第一基板搬送部以所述混載模式進行運行。
3. 如請求項1或2所述的基板處理系統，其中，滿足D=N-P。
4. 如請求項1或2所述的基板處理系統，其中，所述第一基板搬送部將由所述同時處理部處理過的所述基板搬出，且將從所述同時處理部搬出的所述基板中的所述偽基板搬送至所述基板待機部。
5. 如請求項1或2所述的基板處理系統，其還包括： 第二基板搬送部，將由所述同時處理部處理過的所述基板搬出；以及 基板交接部，從所述第二基板搬送部接收由所述同時處理部處理過的所述基板中的所述偽基板。
6. 如請求項5所述的基板處理系統，其中，所述第一基板搬送部將所述偽基板從所述基板交接部搬送至所述基板待機部。
7. 如請求項1或2所述的基板處理系統，其中，所述基板待機部具有使所述偽基板對齊的對齊部。
8. 如請求項1或2所述的基板處理系統，其中，所述第一平流處理部構成為能夠對交付至所述第一基板搬送部的所述製品基板的片數進行控制。
9. 如請求項1或2所述的基板處理系統，其還包括第二平流處理部，所述第二平流處理部用於對由所述同時處理部處理過的所述製品基板進一步進行處理，所述第二平流處理部構成為接收向所述第二平流處理部搬入來的所述多個基板中的所述製品基板，並驅除所述偽基板。
10. 如請求項1或2所述的基板處理系統，其中，所述至少一個偽基板為包含第一偽基板及第二偽基板的多個偽基板，所述基板待機部包括使所述第一偽基板待機的第一待機部位及使所述第二偽基板待機的第二待機部位，所述第二待機部位位於所述第一待機部位的上方。
11. 一種基板處理方法，其用於對多個製品基板進行處理，且所述基板處理方法包括： （a）通過平流處理部而沿著搬送方向依次搬送所述多個製品基板，並且對所述多個製品基板逐片進行處理的步驟； （b1）通過同時處理部而對由所述步驟（a）處理過的N片所述製品基板同時進行處理的步驟；以及 （b2）通過所述同時處理部而對由所述步驟（a）處理過的P片（1≦P＜N）所述製品基板與偽基板同時進行處理的步驟，並且 所述多個製品基板分別經過所述步驟（b1）及所述步驟（b2）的任一步驟而被處理。

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