TWI806104B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI806104B
TWI806104B TW110126888A TW110126888A TWI806104B TW I806104 B TWI806104 B TW I806104B TW 110126888 A TW110126888 A TW 110126888A TW 110126888 A TW110126888 A TW 110126888A TW I806104 B TWI806104 B TW I806104B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
substrates
processing
mentioned
unit
Prior art date
Application number
TW110126888A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202213454A (zh
Inventor
中田宏幸
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202213454A publication Critical patent/TW202213454A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI806104B publication Critical patent/TWI806104B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本發明之課題，在於提供可更適當地收集參數的技術。基板處理裝置具備有同時處理部、搬送部、第1感測器、及控制部。同時處理部可對N(N為2以上的整數)片基板總括地進行處理。搬送部將N片以下之基板總括地搬送至同時處理部。第1感測器被設於同時處理部，對與同時處理部所進行之處理相關的第1參數進行測定。控制部60於N片基板已自搬送部被搬入同時處理部之情形時，將在同時處理部對該N片基板之處理中由第1感測器所測定出之第1參數與該N片基板建立對應並加以儲存，而於M(M為1以上且未滿N之整數)片基板已自搬送部被搬入同時處理部之情形時，將在同時處理部對該M片基板之處理中由第1感測器所測定出之第1參數與該M片基板建立對應並加以儲存。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於基板處理裝置及基板處理方法。
已知有具有複數個處理裝置之塗佈/顯影裝置。例如，於專利文獻1記載之塗佈/顯影裝置中，自被載置於分度部之匣盒所取出的複數片基板，依序地被投入清洗裝置，然後依序經由脫水烘烤裝置、抗蝕劑塗佈裝置、預烘烤裝置、曝光裝置、顯影裝置、及後烘烤裝置之後，再次被收容至匣盒。
於該塗佈/顯影裝置中混合存在有以下2個類型的處理裝置。亦即，混合存在有依序處理裝置與同時處理裝置。依序處理裝置將基板依序地朝一方向搬送並對基板一次一片地進行處理。作為該依序處理裝置，例示有例如清洗裝置及顯影裝置。複數片基板總括地被搬入同時處理裝置。同時處理裝置總括地處理複數片基板。作為該同時處理裝置，例示有例如脫水烘烤裝置。於該脫水烘烤裝置中，作為複數個處理部而設有加熱部及冷卻部。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2020-17604號公報
(發明所欲解決之問題)
為了確認基板處理裝置中的處理是否適當地被進行，可於依序處理裝置及同時處理裝置之各者設置對與處理相關之參數進行測定的感測器。例如，於脫水烘烤裝置中，作為該參數，可設置對基板的溫度進行測定的溫度感測器。
基板處理裝置可將由各感測器所測定出之參數與基板建立對應而加以收集。換言之，基板處理裝置亦可針對每一片基板個別地收集參數。藉由基板處理裝置將對各基板之處理的參數通報給操作者，操作者可確認對各基板之處理的參數。
然而，針對每一片基板個別地收集參數並不一定是最適當者。例如，若將所測定出之參數與各基板個別地建立對應而加以收集，收集資料的資料量則變大。
因此，本發明之目的在於提供可更適當地收集參數的技術。 (解決問題之技術手段)
基板處理裝置之第1態樣具備有：同時處理部，其可總括地處理N(N為2以上之整數)片基板；搬送部，其將N片以下之基板總括地搬送至上述同時處理部；第1感測器，其被設於上述同時處理部，對與上述同時處理部所進行之處理相關的第1參數進行測定；及控制部，其於N片基板已自上述搬送部被搬入上述同時處理部之情形時，將在上述同時處理部對該N片基板之處理中由上述第1感測器所測定出之上述第1參數，與該N片基板建立對應並加以儲存，而於M(M為1以上且未滿N之整數)片基板已自上述搬送部被搬入上述同時處理部之情形時，將在上述同時處理部對該M片基板之處理中由上述第1感測器所測定出之上述第1參數，與該M片基板建立對應並加以儲存。
基板處理裝置之第2態樣如第1態樣之基板處理裝置，其具備有：依序處理部，其包含可總括地搬入N片基板之基板導入部，一邊自上述基板導入部依序地搬送該基板，一邊對該基板依序地進行處理；及第2感測器，其被設於上述依序處理部，對與上述依序處理部所進行之處理相關的第2參數進行測定；上述控制部將在上述依序處理部之處理中由上述第2感測器所檢測出之上述第2參數，與該基板個別地建立對應並加以儲存。
基板處理方法具備有如下之步驟：將N(N為2以上的整數)片基板總括地搬入同時處理部；上述同時處理部對該N片基板總括地進行處理；在上述同時處理部對該N片基板之處理中，藉由第1感測器對與上述同時處理部所進行之處理相關的第1參數進行測定；自上述同時處理部取出該N片基板；將M(M為1以上且未滿N的整數)片基板總括地搬入上述同時處理部；上述同時處理部對該M片基板總括地進行處理；在上述同時處理部對該M片基板之處理中，藉由上述第1感測器對上述第1參數進行測定；自上述同時處理部取出該M片基板；及將在上述同時處理部對該N片基板之處理中由上述第1感測器所測定出之上述第1參數，與該N片基板建立對應並加以儲存，且將在上述同時處理部對該M片基板之處理中由上述第1感測器所測定出之上述第1參數，與該M片基板建立對應並加以儲存。 (對照先前技術之功效)
根據基板處理裝置之第1態樣及基板處理方法，同時處理部可總括地處理N片基板。於同時處理部總括地處理複數片基板之情形時，相較於在不同之處理時間點處理基板之情形，第1參數之基板間的偏差較小，例如大致相同。
若N片基板被搬入同時處理部，第1參數則與N片基板建立對應並被儲存，而若M片基板被搬入同時處理部，第1參數則與M片基板建立對應並被儲存。亦即，第1參數不與各基板個別地建立對應，而相對於已被搬入同時處理部之基板之群組被建立對應並被儲存。藉此，一邊可配合基板片數的變動，一邊亦可相較於將第1參數與各基板個別地建立對應並加以儲存之情形，以較少的資料量適當地收集第1參數。
根據基板處理裝置之第2態樣，在依序處理部一邊依序地搬送基板一邊依序地對基板進行處理。因此，於互不相同之時間點對基板進行處理。因此，第2參數之基板間的偏差相對較大。由於如此之第2參數與基板個別地建立對應而被儲存，因此可對基板間有偏差之資訊不消失地收集第2參數。
以下，一邊參照所添附的圖式一邊對實施形態進行說明。再者，圖式係概略性地被顯示者，為了說明上的方便，已適當作構成省略及構成簡化而得者。又，圖式所示之構成的大小及位置的相互關係並不一定是正確地被記載者，而其為可被適當變更所得者。
又，於以下所示之說明中，對相同之構成元件標示相同符號而加以圖示，且該等的名稱與功能亦設為相同者。因此，其存在有為了避免重複而省略該等之詳細說明的情形。
又，於以下所記載的說明中，即便有使用「第1」或「第2」等之序數的情形，該等用語亦為為了易於理解實施形態的內容，而在方便上所使用者，本發明並不被限定於可由該等序數所產生的順序等。
表示相對或絕對之位置關係的表達(例如「朝一方向」、「沿著一方向」、「平行」、「正交」、「中心」、「同心」、「同軸」等)，只要沒有特別說明，並不僅嚴密地表示其位置關係，而其亦表示，當角度或距離在公差內或可得到相同程度之功能的範圍內可相對被移位後的狀態。表示相等狀態的表達(例如「相同」、「相等」、「均質」等)，只要沒有特別說明，則不僅定量地且嚴密地表示相等的狀態，而其亦表示，當存在公差或可得到相同程度之功能之差的狀態。表示形狀的表達(例如「四邊形」或「圓筒形狀」等)，只要沒有特別說明，則不僅幾何學上且嚴密地表示其形狀，而亦表示，在可得到相同程度之效果的範圍內具有例如凹凸或倒角等之形狀。「具備」、「具有」、「具備有」、「包含」、或「包含有」一構成元件的表達，並非將其他構成元件之存在除外之排他性的表達。「A、B及C之至少任一者」之表達係僅包含A、僅包含B、僅包含C、包含A、B及C中之任意二者、以及包含A、B及C全部。
＜1.基板處理裝置之整體構成、整體動作＞ 圖1係概略性地表示基板處理裝置1之構成之一例的圖。於圖1之例子中，基板處理裝置1係塗佈/顯影裝置，主要具備有清洗裝置12、脫水烘烤裝置13、塗佈相關裝置14、預烘烤裝置15、顯影裝置17及後烘烤裝置18等的各處理裝置。又，於基板處理裝置1之一側配置有將基板相對於基板處理裝置1搬入、搬出之分度部11。此外，於基板處理裝置1之另一側，經由未圖示之介面部而配置有曝光裝置16。
於自分度部11前往曝光裝置16之路線上，依序配置有清洗裝置12、脫水烘烤裝置13、塗佈相關裝置14及預烘烤裝置15。於自曝光裝置16返回分度部11之路線上，依序配置有顯影裝置17及後烘烤裝置18。
於分度部11載置有收納複數片基板之複數個匣盒(省略圖示)。基板例如係液晶顯示裝置所使用之矩形狀的玻璃基板。於分度部11配置有作為搬送基板之搬送部之一例的分度機械人(省略圖示)。分度機械人自匣盒取出基板，並將該基板搬送至清洗裝置12。於清洗裝置12中，對基板進行清洗處理。進行清洗處理後之基板，被搬送至脫水烘烤裝置13。於脫水烘烤裝置13中，藉由加熱進行脫水處理(脫水烘烤處理)。進行脫水烘烤處理後之基板，被搬送至塗佈相關裝置14，而進行包含抗蝕劑之塗佈處理的各種處理。進行該處理後之基板，被搬送至預烘烤裝置15，而進行加熱處理。進行加熱處理後之基板，被搬送至曝光裝置16，而進行曝光處理。
進行該等處理後之基板，被搬送至顯影裝置17，而進行顯影處理。進行顯影處理後之基板，被搬送至後烘烤裝置18，而進行加熱處理。其後，該基板藉由分度機械人而被收容至被載置於分度部11之匣盒中。藉由該等一連串的處理，於基板之表面形成抗蝕劑的圖案。
以下，在第2處理之前先進行第1處理時，係說明為進行第1處理之裝置位於進行第2處理之裝置的「上游」，並說明為進行第2處理之裝置位於進行第1處理之裝置的「下游」。分度部11相對於清洗裝置12位於上游，且相對於後烘烤裝置18位於下游。「上游」、「下游」之用語不僅針對裝置或構成該裝置之各元件，亦被採用於說明所搬送之基板的位置關係之情形。
＜2.處理裝置之類型＞ 於該基板處理裝置1中，作為處理裝置之類型而混合存在有以下2個類型的處理裝置。亦即，混合存在有一邊將基板依序地朝一方向搬送一邊對該基板一次一片地進行處理的依序處理裝置(水平流片處理裝置)、及可總括地對N(2以上之整數)片基板同時地進行處理的同時處理裝置。再者，同時處理裝置所進行之N片基板的處理期間並無完全一致的必要，只要各處理期間之至少一部分有重疊即可。簡單來說，此處所謂的同時，係以與各處理期間完全不重疊之狀態對比的意思來使用。作為依序處理裝置，例示有清洗裝置12及顯影裝置17，而作為同時處理裝置，則例示有脫水烘烤裝置13、塗佈相關裝置14、預烘烤裝置15及後烘烤裝置18。
依序處理裝置可視為基板處理裝置1之一部分的依序處理部。同時處理裝置可視為基板處理裝置1之一部分的同時處理部。
＜2-1.依序處理裝置＞ 圖2係概略性地表示依序處理裝置30之構成之一例的圖。依序處理裝置30具備有處理裝置本體32及基板導出部33，而在快到依序處理裝置30之前設有基板導入部(接收部)31。基板導入部31總括地接取自上游之裝置被搬送之複數片(N片)基板W。處理裝置本體32一次一片依序地接取自基板導入部31被搬送之複數片基板W，且一邊使該基板W沿著一方向(搬送方向：於圖2中自左側朝向右側之方向)搬送一邊對基板W進行各種處理。處理後之基板W自處理裝置本體32被搬送至基板導出部33。基板導出部33依序地接取自處理裝置本體32被搬送而來之複數片基板W。基板導出部33可將依序所接取之複數片(N片)基板W加以保持。複數片基板W自基板導出部33總括地被取出，並被搬送至下游的裝置。再者，亦可視為基板導入部31包含於依序處理裝置30中。基板導入部31可作為依序處理裝置30之入口部來發揮功能，而基板導出部33可作為依序處理裝置30之出口部來發揮功能。以下例示N=2之情形。
＜2-1-1.基板導入部31＞ 基板導入部31具有作為搬送機構之複數個輥311及複數個輥313、以及感測器314、315。輥311、313之剖面呈圓形，輥311、313被設為其中心軸與基板W之搬送方向大致垂直且保持大致水平。此處所謂的搬送方向係依序處理裝置30中之基板W的搬送方向。複數個輥311沿著搬送方向隔開間隔排列地被設置。各輥311可以自己的中心軸為旋轉軸而進行旋轉。各輥311之中心軸上之兩端，分別可進行旋轉地被固定於支撐板(未圖示)。該一對支撐板係沿著搬送方向延伸之板狀構件，且被固定於在地板面所設之既定的台座312。複數個輥313沿著搬送方向隔開間隔排列地被設置。輥313位於相較輥311更下游側，被設置於與輥311相同高度。各輥313可以自己的中心軸為旋轉軸進行旋轉。各輥313之中心軸上之兩端，分別可進行旋轉地被固定於支撐板。
複數個輥311由驅動部(未圖示)所驅動，朝預先所規定之相同方向以大致相等的旋轉速度進行旋轉(同步旋轉)。驅動部具有馬達。基板W被載置於複數個輥311之上。基板W以其主面之法線方向沿著鉛直方向(於圖2中為上下方向)之方式被載置。在該狀態下，藉由複數個輥311朝相同方向進行同步旋轉，基板W於輥311上沿著搬送方向朝向處理裝置本體32移動。複數個輥313亦由驅動部(未圖示)所驅動而進行同步旋轉。輥311、313由於由互不相同之驅動部所驅動，因此相互獨立地被控制。
基板W一次一片地被載置於輥311、313之上。例如亦可2片基板W自分度部11被載置於輥311、313之上。藉由在該狀態下僅輥313進行同步旋轉，可將輥313上之基板W朝向處理裝置本體32搬送。其次，藉由輥311、313雙方進行同步旋轉，可將輥313上之基板W朝向處理裝置本體32搬送。
感測器314對輥311上之停止位置是否有基板W存在進行檢測。感測器315對輥313上之停止位置是否有基板W存在進行檢測。感測器314、315例如係光學式的感測器，在接收到來自基板W之反射光時，對基板W進行檢測。感測器314、315之檢測結果被輸出至控制部60。
以下，將2片基板W之一者亦稱為基板W1，並將另一者亦稱為基板W2。此處，基板W1設為位於較基板W2更上游側者。
＜2-1-2.基板導出部33＞ 基板導出部33可將自處理裝置本體32依序被搬送之複數片(N片)基板W加以保持。基板導出部33可保持之基板W的片數，與其次之同時處理裝置40(例如若依序處理裝置30為清洗裝置12，則為脫水烘烤裝置13)可處理之基板W的片數相同。此處，作為一例，設為基板導出部33保持2片基板W，而同時處理裝置40對2片基板W同時地進行處理者。
基板導出部33具備有作為搬送機構之複數個輥331及複數個輥332、以及感測器334、335。輥331、332之剖面呈圓形。輥331以其中心軸與基板W之搬送方向垂直且成為水平之方式沿著搬送方向隔開間隔地被配置。輥332被配置於較輥331更下游側。輥332以與輥331相同之姿勢沿著搬送方向隔開間隔地被配置。各輥331、332之中心軸上之兩端，分別可進行旋轉地被固定於支撐板(未圖示)。複數個輥331藉由驅動部(未圖示)進行同步旋轉，而複數個輥332藉由驅動部(未圖示)進行同步旋轉。輥331及輥332由於由互不相同之驅動部所驅動，因此可相互獨立地控制。各驅動部例如具有馬達。
輥331、332彼此被設置於相同高度。基板W自處理裝置本體32朝向輥331被搬送，並適當地自輥331朝向輥332被搬送。如後所說明般，1片基板W停止於輥331上，且1片基板W停止於輥332上。藉此，基板導出部33可保持2片基板W。
感測器334對輥331上之停止位置是否有基板W存在進行檢測。感測器335對輥332上之停止位置是否有基板W存在進行檢測。感測器334、335例如係光學式的感測器，在接收到來自基板W之反射光時，對基板W進行檢測。感測器334、335之檢測結果會被輸出至控制部60。
基板導出部33可自處理裝置本體32依序地接取2片基板W，並將該等加以保持。以下，首先由於簡單，而對2片基板W總括地被處理之情形進行說明。關於N片基板W未總括地被處理之情形，將於後詳述之。
首先，第1片基板W藉由輥331、332進行同步旋轉，而被搬送至輥332上之停止位置。具體而言，在感測器334、335雙方未檢測出基板W時，使輥331、332同步旋轉，將來自處理裝置本體32之基板W朝向基板導出部33搬送。然後，在感測器335檢測出基板W時，停止輥332之同步旋轉。藉此，第1片基板W(下游側之基板W2)會於輥332上停止而被支撐。對於第2片基板W(上游側之基板W1)，藉由不使輥332旋轉而使輥331同步旋轉，而將該基板W搬送至輥331之停止位置。具體而言，在感測器334檢測出基板W時，停止輥331之同步旋轉。亦即，在感測器334、335雙方檢測出基板W時，使輥331之同步旋轉停止。藉此，第2片基板W會於輥331上停止而被支撐。如此，基板導出部33可保持2片基板W。
＜2-1-3.處理裝置本體32＞ 處理裝置本體32具有作為搬送機構之複數個輥321。複數個輥321具有與輥311相同之形狀，且以與輥311相同之姿勢被配置。輥321之中心軸上之兩端，分別可進行旋轉地被固定於支撐板(未圖示)。複數個輥321沿著搬送方向隔開間隔地排列。複數個輥321被設於與基板導入部31之輥311相同高度，基板W可自輥311依序地經由輥313、321、331而移動至輥332。
處理裝置本體32對在輥321之上流動的基板W，於其搬送方向之各位置上適當地進行處理。此處，作為依序處理裝置30，舉出清洗裝置12為例來進行說明。例如，處理裝置本體32具有藥液部34、水洗部35及水分去除部36。藥液部34、水洗部35及水分去除部36自上游朝向下游依序串聯地被設置。又，複數個輥321遍及藥液部34、水洗部35及水分去除部36而被設置。複數個輥321由驅動部(未圖示)所驅動而進行同步旋轉。藉此，可將基板W沿著搬送方向搬送，並使其依序地通過藥液部34、水洗部35及水分去除部36。
藥液部34係朝向輥321上之基板W供給藥液來清洗基板W的裝置。藥液部34具備有：複數個噴嘴341，其等吐出藥液；藥液槽342，其貯存藥液；供給管343，其將藥液槽342與噴嘴341加以連接；及泵344，其經由供給管343將藥液供給至噴嘴341。噴嘴341於鉛直方向上被設於基板W之兩側，朝向基板W之兩面供給藥液。於供給管343設有流量感測器345，有助於所要供給之藥液之量的控制。藥液部34亦可具有用以刷洗基板W的刷子(未圖示)等。藉由一邊對基板W供給藥液一邊進行刷洗，則可提高清洗效果。被供給至基板W之藥液主要自基板W之周緣落下而被回收至藥液槽342。
水洗部35係藉由對基板W供給清洗水而將殘留於基板W之藥液沖走之裝置。水洗部35具有貯存清洗水之第1水槽355及第2水槽356。又，水洗部35具有自上游朝向下游依序配置之低壓水供給部351、高壓水供給部352、超音波清洗水供給部353及純水供給部354。各部351～354與藥液部34同樣地，包括向基板W吐出液體之噴嘴、連結於該噴嘴之供給管、及經由該供給管向該噴嘴供給液體之泵。
低壓水供給部351之泵35t係低壓泵，以較低之壓力自第1水槽355抽起清洗水並供給至噴嘴。藉此，低壓水供給部351可以低壓將清洗水供給至基板W。於低壓水供給部351設有狹縫噴嘴(亦稱為水刀)35a，清洗水亦自水刀35a被供給至基板W。被供給至低壓水供給部351之清洗水的壓力係由壓力感測器357所測定。
高壓水供給部352之泵35r係高壓泵，以較高之壓力自第1水槽355抽起清洗水並供給至噴嘴。藉此，高壓水供給部352可以高壓將清洗水供給至基板W。被供給至高壓水供給部352之清洗水的壓力係由壓力感測器358所測定。低壓水供給部351及高壓水供給部352所供給之清洗水主要自基板W之周緣落下而被回收至第1水槽355。
於超音波清洗水供給部353之噴嘴35b設有對來自第2水槽356之清洗水賦予超音波振動之超音波振子。噴嘴35b作為水刀而發揮功能。超音波清洗水供給部353之泵35s自第2水槽356抽起清洗水並供給至噴嘴35b。藉由噴嘴35b之超音波振子進行振動，超音波清洗水供給部353自噴嘴35b將振動狀態之清洗水供給至基板W。超音波清洗水供給部353所供給之清洗水主要被回收至第2水槽356。被供給至噴嘴35b之清洗水的流量係由流量感測器359所測定。
純水供給部354之噴嘴將自純水供給源365供給之純水朝向基板W供給。純水供給源365例如設置為工廠設備(公用設施)。該純水主要被回收至第2水槽356。
水分去除部36係藉由將高壓的氣流流向基板W而將水自基板W吹飛的裝置。水分去除部36具有：噴射部(乾燥氣刀)361，其對基板W噴射氣體；氣體供給源362，其供給氣體；以及管路363，其連結噴射部361及氣體供給源362。於管路363設有對該氣體之流量進行測定的流量感測器364。氣體供給源362係作為工廠設備(公用設施)所設置的氣體源。
如以上般，基板W於處理裝置本體32沿著搬送方向被搬送，而於各位置上被進行各種處理。藉由處理裝置本體32被進行所有處理後之基板W，則被搬送至基板導出部33。
＜3.同時處理裝置40＞ 圖3係概略性地表示同時處理裝置40之構成之一例的圖。此處，作為同時處理裝置40，舉脫水烘烤裝置13為例進行說明。圖3係沿著鉛直向下觀察而顯示脫水烘烤裝置13之構成之一例的概略圖。
＜3-1.脫水烘烤裝置13＞ 脫水烘烤裝置13具備有加熱部82及冷卻部83。該脫水烘烤裝置13自搬送機械人(搬送部)81接取由(作為依序處理裝置30的)清洗裝置12進行清洗處理後之基板W，對所接取到之基板W同時地進行處理。脫水烘烤裝置13可對複數片(N片)基板W同時地進行處理。以下，首先由於簡單，而對總括地處理2片基板W之情形進行說明。關於N片基板W未被總括地處理之情形，將於後詳述之。
＜3-1-1.搬送機械人81＞ 搬送機械人81具有手部H1、移動機構51、升降機構52及旋轉機構53。移動機構51可使手部H1於水平面內移動。例如，移動機構51具有一對臂(未圖示)。各臂具有長尺寸狀之複數個連結構件，且被連結為該連結構件之端部彼此可進行旋轉。各臂之一端被連結於手部H1，而另一端被連結於升降機構52。藉由控制連結構件之連結角度，可使手部H1於水平面內移動。升降機構52藉由使臂沿著鉛直方向升降，而使手部H1升降。升降機構52例如具有滾珠螺桿機構。旋轉機構53可使升降機構52以沿著鉛直方向之旋轉軸為中心旋轉。藉此，手部H1沿著圓周方向轉動。藉由該轉動，可改變手部H1的方向。旋轉機構53例如具有馬達。
於手部H1，2片基板W以在水平之一方向(圖3之左右方向)上排列之狀態被載置。手部H1例如具有複數根指狀構件F1、及將指狀構件F1之基端彼此加以連結的基端構件P1。於該基端構件P1連結有上述之臂的一端。指狀構件F1具有長尺寸狀的形狀，於其上表面供基板W載置。該2片基板W沿著指狀構件F1之長度方向(圖3之左右方向)排列而被載置。因此，指狀構件F1之長度方向之長度係根據2片基板W之長度、及基板W之間的間隔來設定。
搬送機械人81藉由使手部H1適當地移動及旋轉，可使手部H1移動至加熱部82、冷卻部83、清洗裝置12之基板導出部33及下一步驟之塗佈相關裝置14(於圖3中未圖示)之各者。搬送機械人81可將2片基板W總括地自基板導出部33、加熱部82及冷卻部83之各者取出、或者將2片基板W總括地交給加熱部82、冷卻部83及塗佈相關裝置14之各者。
例如搬送機械人81如以下般自基板導出部33將2片基板W總括地取出。亦即，搬送機械人81為了使手部H1位於由基板導出部33所保持之2片基板W的下方，而使手部H1朝向基板導出部33移動。
再者，輥331、332被構成為避開與搬送機械人81之手部H1的碰撞。而且，搬送機械人81可透過使手部H1朝向鉛直上方上升，而藉由手部H1抬起2片基板W。藉此，2片基板W分別離開輥331、332。2片基板W於手部H1上，沿著其長度方向隔開間隔排列地被載置。2片基板W以其主面之法線方向沿著鉛直方向之姿勢被載置於手部H1之上。
2片基板W亦可於手部H1上沿著其橫向方向(短邊方向)隔開間隔排列地被載置。如此之載置，例如可藉由設置旋轉盤使基板W旋轉90度來實現。
其次，搬送機械人81藉由使手部H1以遠離基板導出部33之方式移動，而自基板導出部33總括地將2片基板W取出。
再者，於指狀構件F1之上表面(供載置基板W之面)亦可形成有複數個抽吸口。該抽吸口被設於與2片基板W對向的位置，空氣自該抽吸口被抽吸而對基板W進行抽吸。藉此，可提高用以保持基板W之保持力。
搬送機械人81藉由與上述動作相同之動作，將2片基板W自加熱部82及冷卻部83之各者總括地取出。另一方面，搬送機械人81依照與上述動作相反的順序，將2片基板W總括地交給加熱部82、冷卻部83及塗佈相關裝置14之各者(以下稱為各部)。亦即，搬送機械人81使載置有2片基板W之手部H1移動至各部之內部，並使手部H1下降而將2片基板W總括地載置於各部之基板保持部之上表面。再者，各部之基板保持部被構成為當2片基板W之搬入搬出時不會與手部H1碰撞。而且，搬送機械人81使手部H1自各部之內部移動至外部。藉此，2片基板W總括地被交給各部。
如以上般，搬送機械人81可一邊將由作為依序處理裝置之清洗裝置12所處理之複數片基板W中之N片(2片)基板W沿水平之一方向排列並加以保持，一邊將該N片(2片)基板W總括地搬送至作為同時處理裝置之脫水烘烤裝置13。藉由總括地搬送複數片基板W，相較於一次一片地搬送基板W之情形，其可提高搬送動作的產出量。
＜3-1-2.加熱部82＞ 2片基板W自搬送機械人81總括地被交給加熱部82。該加熱部82具備有：基板保持部91，其將該2片基板W沿著水平方向排列地加以保持；及加熱手段92，其對該2片基板W總括地且同時地進行加熱處理。換言之，加熱部82對2片基板W同時地進行加熱處理。
基板保持部91具有支撐2片基板W之下表面的構件。2片基板W藉由被載置於該構件之上而被保持。2片基板W以其主面之法線方向沿著鉛直方向的姿勢被載置。例如，基板保持部91具備有複數個頂起銷(未圖示)。該複數個頂起銷在使其前端較基板保持部91之上表面突出的上位置與退避至上表面之下的下位置之間進行升降。搬送機械人81在將2片基板W交給朝上方突出之複數個頂起銷之後，自加熱部82退避。複數個頂起銷在支撐2片基板W之狀態下下降，而將2片基板W載置於基板保持部91之上表面。
加熱手段92例如係加熱器等，對由基板保持部91所保持之2片基板W總括地且同時地進行加熱處理。藉由該加熱處理，例如可使殘留於基板W之純水蒸發(脫水處理)。藉由對複數片基板W總括地且同時地進行加熱處理，可相較於對基板W一次一片地進行加熱處理之情形，提高加熱處理的產出量。
加熱手段92例如亦可被內置於基板保持部91。又，於加熱部82亦可設置有複數個加熱手段92。複數個加熱手段92亦可於俯視時相互相鄰地被配置，且相互獨立地被控制。2片基板W例如被載置於與複數個加熱手段92在鉛直方向上相向的位置。於該情形時，可對2片基板W之俯視時之複數個區域內之溫度，針對該每個區域個別地進行調整。若基板W之俯視時的尺寸變大，便難以利用單一的加熱手段92均勻地加熱基板W，但藉由設置複數個加熱手段92，則可更均勻地加熱基板W。
加熱部82進一步包含對基板W之溫度進行測定的溫度感測器95。於加熱部82亦可設置有複數個溫度感測器95。各溫度感測器95對俯視時互不相同之區域的溫度進行測定。例如，溫度感測器95亦可與加熱手段92一對一地設置。於該情形時，溫度感測器95對相對應之加熱手段92之加熱對象區域的溫度進行測定。
溫度感測器95所測定出之溫度輸出至控制部60。控制部60例如亦可基於溫度感測器95所測定出之測定溫度控制加熱手段92。藉此，可使基板W之溫度更均勻地接近目標值。
＜3-1-3.冷卻部83＞ 由加熱部82所加熱之2片基板W自搬送機械人81總括地被交給冷卻部83。亦即，搬送機械人81將在由作為依序處理裝置之清洗裝置12所處理後再由加熱部82所處理之2片基板W，一邊沿著水平之一方向排列並加以保持，一邊將該2片基板W總括地搬送至冷卻部83。該冷卻部83具備有：基板保持部93，其將該2片基板W沿著水平方向排列並加以保持；及冷卻手段94，其對該2片基板W總括地進行冷卻處理。換言之，冷卻部83對2片基板W同時地進行冷卻處理。
該基板保持部93具有支撐2片基板W之下表面的構件(未圖示)。2片基板W藉由被載置於該構件之上而被保持。2片基板W以其主面之法線方向沿著鉛直方向之姿勢被載置。基板保持部93之構造與基板保持部91相同。
冷卻手段94例如係將冷水沿著被形成於金屬板之內部之液路流動的冷卻板等，而對由基板保持部93所保持之2片基板W總括地進行冷卻處理。冷卻手段94由控制部60所控制。2片基板W藉由該冷卻處理所冷卻，而可將2片基板W之溫度設為適於下游側之處理裝置(塗佈相關裝置14)的溫度。藉由對2片基板W總括地且同時地進行冷卻處理，可相較於對基板W一次一片地進行冷卻處理之情形，提高冷卻處理的產出量。
冷卻手段94例如亦可被內置於基板保持部93。又，於冷卻部83亦可設置有複數個冷卻手段94。複數個冷卻手段94亦可於俯視時相互相鄰地被配置，且相互獨立地被控制。2片基板W例如被載置於與複數個冷卻手段94在鉛直方向上相向的位置。於該情形時，可對基板W之俯視時之複數個區域的溫度，針對該每個區域個別地進行調整。若基板W之俯視時的尺寸變大，則難以利用單個冷卻手段94均勻地冷卻基板W，但藉由設置複數個冷卻手段94，則可更均勻地冷卻基板W。
冷卻部83進一步包含對基板W之溫度進行測定的溫度感測器96。於冷卻部83亦可設置有複數個溫度感測器96。各溫度感測器96對在俯視時互不相同之區域的溫度進行檢測。例如，溫度感測器96亦可與冷卻手段94一對一地被設置。於該情形時，溫度感測器96對相對應之冷卻手段94之冷卻對象區域的溫度進行測定。
由溫度感測器96所測定出之溫度被輸出至控制部60。控制部60例如亦可根據由溫度感測器96所測定出之測定溫度，來控制冷卻手段94。藉此，可使基板W之溫度更均勻地接近目標值。
再者，冷卻部83亦可藉由自然冷卻來冷卻2片基板W。所謂自然冷卻係不對經加熱後之基板W進行使用動力(電力)的冷卻，而將基板W加以放置來進行冷卻。於該情形時，不需要作為冷卻板等之構成的冷卻手段94。
＜3-1-4.脫水烘烤裝置之一連串的處理＞ 其次，對脫水烘烤裝置13所進行之一連串的處理簡單地進行說明。搬送機械人81自上游側之清洗裝置12之基板導出部33總括地取出2片基板W，並將該2片基板W總括地交給加熱部82。即便於該加熱部82，2片基板W亦以沿著水平方向排列之狀態被保持。加熱部82對該2片基板W總括地進行加熱處理。加熱處理後之2片基板W藉由搬送機械人81總括地被取出，並總括地被交給冷卻部83。即便於冷卻部83，2片基板W亦以沿著水平方向排列之狀態被保持。冷卻部83對該2片基板W總括地進行冷卻處理。進行冷卻處理後之2片基板W藉由搬送機械人81總括地被取出，並總括地被搬送至塗佈相關裝置14。
＜4.控制部＞ 如圖1中所例示般，基板處理裝置1具有控制各處理裝置中之處理及基板之搬送之控制部60。圖4係概略性地表示控制部60之構成之一例之功能方塊圖。
控制部60係控制電路，如圖4所示般，例如由CPU(Central Processing Unit；中央處理單元)61、ROM(Read Only Memory；唯讀記憶體)62、RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體)63及儲存裝置64等經由匯流排線65而被相互連接而成之一般的電腦所構成。ROM 62貯存基本程式等，RAM 63被用作為當CPU 61進行既定之處理時的作業區域。儲存裝置64由快閃記憶體或硬碟裝置等之非揮發性的儲存裝置所構成。
又，於控制部60中，輸入部66、顯示部67、通信部68亦被連接於匯流排線65。輸入部66由各種開關或觸控面板等所構成，而自操作員接受處理配方等之各種輸入設定指示。顯示部67由液晶顯示裝置及燈等所構成，而於CPU 61之控制下顯示各種資訊。通信部68具有經由LAN(Local Area Network，區域網路)等之資料通信功能。
又，於控制部60作為控制對象而連接有各機械人(分度機械人等之搬送機械人等)及上述之各處理裝置。亦即，控制部60可作為控制基板W之搬送之搬送控制部而發揮功能。
於控制部60之儲存裝置64貯存有用以控制構成基板處理裝置1之各裝置的處理程式P。基板之搬送動作及處理動作係藉由控制部60之CPU 61執行處理程式P所控制。又，處理程式P亦可被儲存於記錄媒體。若使用該記錄媒體，則可將處理程式P安裝至控制部60(電腦)。又，控制部60所要執行之功能之一部分或全部並非一定要由軟體所實現，亦可藉由專用之邏輯電路等之硬體所實現。
控制部60亦可具有多階層構造。例如，控制部60亦可包含主控制部與複數個終端控制部。終端控制部例如設置於分度部11、清洗裝置12、脫水烘烤裝置13、塗佈相關裝置14、預烘烤裝置15、曝光裝置16、顯影裝置17及後烘烤裝置18等各處理裝置。主控制部設置於基板處理裝置1，與複數個終端控制部進行通信。主控制部管理基板處理裝置1之整體之動作，終端控制部控制對應之各裝置之動作。
複數個終端控制部可相互地通信。例如，與基板W相關之資料在終端控制部之間被收發。與基板W相關之資料例如表示群組單位之基板W的資料，且表示基板W之處理之內容的資訊包含於該資料中。終端控制部根據自一個上游側之終端控制部所接收到之基板W的資料來控制相對應的裝置，而對基板W進行處理。例如，清洗裝置12之終端控制部自分度部11之終端控制部接收基板W之資料，並且基板W以群組單位被搬入清洗裝置12。清洗裝置12之終端控制部根據所接收到之基板之資料來控制清洗裝置12，而對被搬入之基板W進行清洗處理。然後，於基板W之處理結束後，基板W以群組單位一邊被搬送至脫水烘烤裝置13，基板W之資料一邊自清洗裝置12之終端控制部被傳輸至脫水烘烤裝置13之終端裝置。以下，以同樣之方式進行處理。
＜5.處理參數之收集＞ 如上述般，於基板處理裝置1設有各種感測器(例如流量感測器345、359、364、壓力感測器357、358及溫度感測器95、96)。該等感測器可視為對與處理相關之參數進行測定的感測器。以下，存在有將被設於同時處理裝置40(例如脫水烘烤裝置13)之感測器亦稱為第1感測器之情形，亦存在將被設於依序處理裝置30(例如清洗裝置12)之感測器稱為第2感測器之情形。
作為第1感測器，例示有溫度感測器95、96。溫度感測器95、96作為與處理相關之參數(第1參數)，而對基板W之溫度進行測定。作為第2感測器，例示有流量感測器345、359、364及壓力感測器357、358。流量感測器345、359、364作為與處理相關之參數(第2參數)，而對測定供給至基板W之流體的流量進行測定。壓力感測器357、358作為與處理相關之參數(第2參數)，而對供給至基板W之流體的壓力進行測定。
控制部60將由第1感測器及第2感測器之各者所測定出之參數與基板W建立對應，並儲存於非揮發性之儲存媒體(例如儲存裝置64)。以下，區分依序處理裝置30與同時處理裝置40而對參數之收集進行說明。以下，作為一例，針對每個包含2片基板W之群組單位，個別地對被搬送及處理之情形進行說明。
＜5-1.依序處理裝置30之參數的收集＞ 如上述般，屬於一個群組之2片基板W，總括地被搬入依序處理裝置30之基板導入部31。依序處理裝置30一邊將被搬入之2片基板W一次一片地且依序地進行搬送，一邊對各基板W依序地進行處理。具體而言，首先，2片基板W中之下游側之基板W2被搬送，一邊藉由處理裝置本體32進行對基板W2的處理，上游側之基板W1一邊接著被搬送，並藉由處理裝置本體32進行對基板W1的處理。以下，代表性地對基板W2進行說明。
於藥液部34，藥液自噴嘴341被供給至基板W2。藉此，對基板W2進行與藥液相應之處理。被供給至基板W2之藥液的流量則由流量感測器345所測定，表示該測定值之測定信號自流量感測器345被輸出至控制部60。
其次，基板W2被搬送至水洗部35。於水洗部35，基板W2首先被搬送至低壓水供給部351，清洗水自水刀35a被供給至基板W2。被供給至基板W2之清洗水的壓力則由壓力感測器357所測定，該測定信號自壓力感測器357被輸出至控制部60。
其次，基板W2被搬送至高壓水供給部352，清洗水自高壓水供給部352之噴嘴被供給至基板W2。被供給至基板W2之清洗水的壓力由壓力感測器358所測定，該測定信號自壓力感測器358被輸出至控制部60。
其次，基板W2被搬送至超音波清洗水供給部353，清洗水自噴嘴35b被供給至基板W2。被供給至基板W2之清洗水的壓力由流量感測器359所測定，該測定信號自流量感測器359被輸出至控制部60。
其次，基板W2被搬送至純水供給部354，純水自純水供給部354之噴嘴被供給至基板W2。於純水供給部354亦可設有對被供給至基板W2之純水之流量進行檢測的流量感測器，而於該情形時，該測定信號自該流量感測器被輸出至控制部60。
如以上般，於水洗部35，清洗水及純水依序地被供給至基板W2，基板W2則被清洗。
其次，基板W2被搬送至水分去除部36，氣體自水分去除部36之噴射部361被供給至基板W2。藉此，附著於基板W2之液體被吹飛。被供給至基板W2之氣體的流量由流量感測器364所測定，該測定信號自流量感測器364被輸出至控制部60。
控制部60將由流量感測器345、359、364所測定出之流量及由壓力感測器357、358所測定出之壓力，與基板W2建立對應並作為依序收集資料而儲存於例如儲存裝置64。亦即，控制部60將在依序處理裝置30對基板W2之處理中由第2感測器所測定出之參數，與基板W2建立對應並儲存於儲存裝置64。
圖5係示意性地表示關於基板W2之依序收集資料之一例的圖。於圖5之例子中，依序收集資料包含群組識別資訊Da1、位置資訊Db1、及處理資訊Dd1。群組識別資訊Da1及位置資訊Db1係用以識別基板W的資訊，將於後詳述之。處理資訊Dd1係表示由各第2感測器所測定出之參數之測定值(所謂實測值)的資訊。於圖5之例子中，於依序收集資料中，對應於清洗裝置12中之流量感測器345、359、364及壓力感測器357、358而包含有5個處理資訊Dd1。於圖5之例子中，測定值以「****」示意性地被表示。
於上述的例子中，雖已對基板W2進行敍述，但基板W1亦同。亦即，控制部60將在依序處理裝置30對基板W1之處理中由第2感測器所測定出之參數，與基板W1建立對應並儲存於例如儲存裝置64。圖6係示意性地表示關於基板W1之依序收集資料之一例的圖。於圖6之例子中，關於基板W1之依序收集資料包含群組識別資訊Da1、位置資訊Db1、及處理資訊Dd1。
群組識別資訊Da1係識別基板W之群組的資訊。群組例如由N片(此處為2片)基板W1、W2所構成。此處，由於基板W1、W2屬於相同群組，因此基板W1、W2之群組識別資訊Da1相互地相同。於圖5及圖6之例子中，作為群組識別資訊Da1已顯示有「配對編號k」。例如群組識別資訊Da1當「k」的值越大，便表示群組位於越上游側。位置資訊Db1係表示基板W之群組內之位置的資訊。此處，由於基板W2位於較基板W1更下游側，因此基板W2之位置資訊Db1(參照圖5)表示「下游」，而基板W1之位置資訊Db1(參照圖6)表示「上游」。可根據群組識別資訊Da1及位置資訊Db1個別地識別基板W。
於上述之例子中，作為依序處理裝置30雖已對清洗裝置12進行說明，但其他的依序處理裝置30亦同。於其他的依序處理裝置30中，亦設有對與處理相關之參數進行測定的第2感測器。控制部60將在基板W2之處理中由第2感測器所測定出之參數，與基板W2建立對應並儲存於例如儲存裝置64。具體而言，控制部60將表示由其他的依序處理裝置30之第2感測器所測定出之參數之測定值的處理資訊Dd1，附加至基板W2的依序收集資料。基板W1亦同。於圖5及圖6中，以沿著縱向排列之黑圓點示意性地表示與其他的依序處理裝置30對應之處理資訊Dd1的存在。
如以上般，雖然基板W以群組單位被搬入依序處理裝置30，但依序處理裝置30將屬於該群組之基板W1、W2一次一片地進行搬送，並對基板W1、W2一次一片地進行處理。亦即，於互不相同之時間點對基板W1、W2個別地進行處理。例如，藥液在基板W1之前，自藥液部34之噴嘴341被供給至基板W2，其後，藥液自噴嘴341被供給至基板W1。由於自噴嘴341被吐出之藥液的流量隨著時間的經過而變動，因此被供給至基板W1、W2之藥液之流量便可互不相同。亦即，即便為屬於相同群組之基板W1、W2，依序處理裝置30中之參數亦可互不相同。因此，控制部60將在依序處理裝置30中所測定之參數，與基板W1、W2個別地建立對應並加以儲存。
＜5-2.在同時處理裝置40中之參數的收集＞ 如上述般，基板W亦以群組單位總括地被搬入同時處理裝置40。亦即，屬於一個群組之2片基板W1、W2總括地被搬入同時處理裝置40。而且，同時處理裝置40對被搬入之2片基板W1、W2總括地進行處理。
例如，2片基板W1、W2總括地被搬入加熱部82，加熱部82對2片基板W1、W2總括地進行加熱。作為第1感測器之一例的溫度感測器95，對基板W1、W2的溫度進行測定，並將該測定信號輸出至控制部60。控制部60亦可根據由溫度感測器95所測定出之基板W1、W2的溫度與加熱溫度的目標值來控制加熱手段92。藉此，可將基板W1、W2之溫度接近加熱溫度的目標值。基板W1、W2之溫度以成為彼此大致相同之值的方式被控制。
2片基板W1、W2亦被總括地搬入冷卻部83。冷卻部83對2片基板W1、W2總括地進行冷卻。作為第1感測器之一例的溫度感測器96對基板W1、W2之溫度進行測定，並將該測定信號輸出至控制部60。控制部60亦可根據由溫度感測器96所測定出之基板W1、W2的溫度與冷卻溫度的目標值來控制冷卻手段94。藉此，可將基板W1、W2之溫度接近冷卻溫度的目標值。基板W1、W2之溫度以成為彼此大致相同之值的方式被控制。
控制部60將在加熱部82對基板W1、W2之加熱處理中由溫度感測器95所測定出之溫度，與基板W1、W2之群組建立對應並作為同時收集資料而儲存於例如儲存裝置64。同樣地，控制部60將在冷卻部83對基板W1、W2之冷卻處理中由溫度感測器96所測定出之溫度，與基板W1、W2之群組建立對應並作為同時收集資料而儲存於例如儲存裝置64。
圖7係示意性地表示同時收集資料之一例的圖。於圖7之例子中，同時收集資料包含群組識別資訊Da1、基板有無資訊De1、目標資訊Df1、及處理資訊Dd1。基板有無資訊De1係表示群組之基板構成的資訊。此處，由於基板W1、W2雙方構成群組，因此於圖7之例子中，基板有無資訊De1表示「兩基板」，而該「兩基板」表示基板W1、W2雙方。
目標資訊Df1係關於與處理相關之參數的目標值。作為更具體之一例，目標資訊Df1表示加熱部82中之基板W的目標溫度、及冷卻部83中之基板W之目標溫度之各者。於圖7之例子中，加熱部82之目標資訊Df1及對溫度感測器95之處理資訊Dd1上下鄰接地被表示，而冷卻部83之目標資訊Df1及對溫度感測器96之處理資訊Dd1亦上下鄰接地被表示。於圖7之例子中，測定值及目標值以「****」示意性地被表示。
於上述之例子中，作為同時處理裝置40雖已對加熱部82及冷卻部83進行說明，但其他的同時處理裝置40亦同。於其他的同時處理裝置40中，亦設有對與處理相關之參數進行測定的第1感測器。控制部60將在同時處理裝置40對基板W1、W2之處理中由第1感測器所測定出之參數，與基板W1、W2之群組建立對應並儲存於例如儲存裝置64。具體而言，控制部60將表示由其他的同時處理裝置40之第1感測器所測定出之參數之測定值的處理資訊Dd1，附加至基板W1、W2之同時收集資料。又，其他的同時處理裝置40之目標資訊Df1亦可附加至同時收集資料。於圖7之例子中，以沿著縱向排列之黑圓點示意性地表示與其他的同時處理裝置40對應之處理資訊Dd1及目標資訊Df1的存在。
如以上般，基板W以群組單位被搬入同時處理裝置40。而且，同時處理裝置40對基板W以群組單位總括地進行處理。此處，同時處理裝置40對基板W1、W2總括地進行處理。因此，相較於在不同時間點進行處理之依序處理裝置30，同時處理裝置40之基板W1、W2之參數(例如溫度)的偏差較小，而彼此大致相同。因此，控制部60將在同時處理裝置40所測定之參數，與基板W1、W2之群組個別地建立對應並加以儲存。藉此，相較於將該參數與基板W1、W2個別地建立對應之情形，可以更少之儲存容量來收集同時處理裝置40的參數。
＜6.基板的欠缺＞ 於上述之例子中，雖已對一個群組包含2片基板W1、W2雙方之情形進行說明。然而，其存在有於複數個群組之至少任一者中欠缺基板W1、W2之一者之情形。以下，作為具體之一例，對在被搬入基板處理裝置1之匣盒之內部欠缺基板W1、W2之一者之情形進行說明。
圖8及圖9係示意性地表示於匣盒10中複數片基板W依每個群組分別被收容之態樣的圖。該匣盒10被搬入分度部11。複數片基板W於匣盒10中依每個群組分別被收容於互不相同的收容位置(插槽)。於圖8及9中，不同插槽於圖中位於上下。
於圖8之例子中，於各插槽中，沿著左右方向排列地收納有2片基板W1、W2。分度部11之分度機械人將基板W1、W2自匣盒10之各插槽總括地取出，並搬入清洗裝置12。因此，各插槽與群組對應。於圖8之例子中，由於在所有插槽中收納有基板W1、W2，因此分度機械人可自任一插槽將2片基板W1、W2總括地取出。於該情形時，所有群組均由2片基板W1、W2所構成。
另一方面，於圖9之例子中，混合存在收納有2片基板W之插槽、與僅收納有1片基板W之插槽。具體而言，於圖9之例子中，在自上方算起的第2個插槽，僅於左側收納有基板W1，而在自上方算起的第5個插槽，則僅於右側收納有基板W2。於該等以外之插槽，沿著左右方向排列地收納有2片基板W1、W2。於該情形時，由分度機械人自匣盒10所取出之基板W的片數會因插槽而不同。
分度機械人例如亦可自上方起依序自匣盒10之插槽取出基板W。於該情形時，分度機械人首先自最上方之插槽將基板W1、W2總括地取出並搬送至清洗裝置12。該群組由基板W1、W2所構成。其次，分度機械人自第2個插槽取出1片基板W1並搬送至清洗裝置12。該群組僅由基板W1所構成。然後，同上述般，分度機械人自匣盒10之各插槽取出基板W並搬送至清洗裝置12。再者，分度機械人可稱之為搬送N片(此處為2片)以下之基板W的搬送部。
於取出基板W1、W2雙方之情形時，該一個群組由基板W1、W2所構成。於僅取出基板W1之情形時，該一個群組則僅由基板W1所構成。亦即，此一個群組欠缺基板W2。又，於僅取出基板W2之情形時，該一個群組僅由基板W2所構成。亦即，此一個群組欠缺基板W1。
由於分度機械人將匣盒10之基板W依每個插槽分別依序地取出，且每次皆將其搬送至清洗裝置12，因此基板W1、W2總括地被搬入、或僅基板W1被搬入、或者僅基板W2被搬入清洗裝置12。
控制部60可得知匣盒10內之基板W的收納態樣。例如，表示匣盒10之各插槽之各位置是否有基板W存在之收納資訊，被輸入控制部60。控制部60可根據該收納資訊得知各群組之基板構成。收納資訊例如可藉由操作者所進行之使用輸入部66的輸入而被輸入至控制部60、或者，亦可自較基板處理裝置1更上游側之裝置被發送至控制部60、或者，亦可於基板處理裝置1設置對匣盒10中是否有基板W存在進行檢測的感測器。
控制部60由於可藉由收納資訊來得知各群組之基板構成(各基板W1、W2之有無)，因此藉由根據收納資訊來控制基板處理裝置1，即可依每個群組分別地管理基板W的搬送及處理。再者，控制部60亦可使用清洗裝置12之基板導入部31之感測器314、315之檢測結果，來得知群組的基板構成。或者，於分度機械人之手部設有對是否有基板W存在進行檢測之感測器之情形時，控制部60亦可根據該感測器之檢測結果，來得知群組的基板構成。
對包含基板W1、W2雙方之群組之搬送及處理係如上所述。亦即，清洗裝置12一邊依序地搬送基板W1、W2一邊對基板W1、W2依序地進行處理。而且，搬送機械人81於基板W1、W2雙方已被搬送至基板導出部33時，將基板W1、W2總括地搬送至脫水烘烤裝置13。脫水烘烤裝置13對基板W1、W2總括地進行處理。具體而言，加熱部82對被搬入之基板W1、W2總括地進行加熱處理。若加熱處理結束，基板W1、W2便藉由搬送機械人81總括地被搬送至冷卻部83。冷卻部83對被搬入之基板W1、W2進行冷卻處理。若冷卻處理結束，基板W1、W2便藉由搬送機械人81被搬送至下游側之裝置。其後，於該群組中，基板W1、W2被搬送至其他的同時處理裝置40及其他的依序處理裝置30，並利用其他的同時處理裝置40及其他的依序處理裝置30進行處理。
另一方面，例如於僅包含基板W2之群組中，分度機械人僅將基板W2搬入清洗裝置12之基板導入部31。該基板W2被載置於基板導入部31之輥313上，由感測器315所檢測。再者，基板導入部31一方面可將2片基板W1、W2總括地搬入，而另一方面亦可將1片基板W搬入。
控制部60使輥313同步旋轉，並使基板W2搬送至處理裝置本體32。該基板W2於處理裝置本體32中接受各種處理，並被搬送至基板導出部33之輥332。基板W2由基板導出部33之感測器335所檢測。於該群組中由於欠缺基板W1，因此搬送機械人81不需等待利用基板導出部33之感測器334所進行之基板W1的檢測，即可自基板導出部33取出基板W2，並將基板W2搬送至脫水烘烤裝置13(加熱部82)。再者，搬送機械人81亦可謂之為搬送N片(此處為2片)以下之基板W之搬送部。
圖10係概略性地表示脫水烘烤裝置13之構成之一例的俯視圖。於圖10之例子中，僅基板W2被搬入加熱部82。加熱部82僅對被搬入之基板W2進行加熱處理。若加熱處理結束，基板W2便藉由搬送機械人81被搬送至冷卻部83。冷卻部83僅對被搬入之基板W2進行冷卻處理。若冷卻處理結束，基板W2便藉由搬送機械人81被搬送至下游側之裝置。其後，於該群組中，僅基板W2被搬送至其他的同時處理裝置40及其他的依序處理裝置30，並利用其他的同時處理裝置40及其他的依序處理裝置30進行處理。僅包含基板W1之群組亦同。
＜6-1.參數的收集＞ 其次，對關於僅包含1片基板W之群組之參數的收集進行敍述。以下，代表性地對僅包含基板W2之群組進行說明。
如上述般，若僅基板W2被搬入清洗裝置12之基板導入部31，清洗裝置12便一邊搬送被搬入之基板W2一邊 進行處理。於該處理中，第2感測器(流量感測器345、359、364及壓力感測器357、358)對參數進行測定，並將該測定信號輸出至控制部60。控制部60將由第2感測器所測定出之參數，與基板W2建立對應並作為依序收集資料而儲存於例如儲存裝置64。關於基板W2之依序收集資料與圖5相同。
若基板W2到達基板導出部33，亦即，若基板導出部33之感測器335檢測到基板W2，搬送機械人81便將該1片基板W2自基板導出部33取出，並搬送至加熱部82。
加熱部82僅對被搬入之1片基板W2進行加熱處理(參照圖10)。於該處理中，溫度感測器95對基板W2之溫度進行測定，並將該測定信號輸出至控制部60。於該情形時，控制部60將由溫度感測器95所測定出之溫度，與1片基板W2建立對應並作為同時收集資料而儲存於例如儲存裝置64。圖11係示意性地表示關於僅包含基板W2之群組之同時收集資料之一例的圖。於圖11之例子中，基板有無資訊De1表示「下游基板」，而「下游基板」表示於群組中僅下游側之基板W2存在之情形。於圖11之例子中，加熱溫度的目標資訊Df1與表示由溫度感測器95所測定出之溫度的處理資訊Dd1亦鄰接地被表示。
若加熱部82之加熱處理結束，搬送機械人81便自加熱部82取出1片基板W2，並搬送至冷卻部83。冷卻部83對被搬入之1片基板W2進行冷卻處理。於該處理中，第1感測器(溫度感測器96)對基板W2之溫度進行測定，並將該測定信號輸出至控制部60。於該情形時，控制部60將由溫度感測器96所測定出之溫度，與1片基板W2建立對應並作為同時收集資料而儲存於例如儲存裝置64。於圖11之例子中，冷卻溫度之目標資訊Df1與由表示溫度感測器96所測定出之溫度之處理資訊Dd1亦鄰接地被表示。
於上述的例子中，雖已對僅由基板W2構成群組之情形進行敍述，但關於僅由基板W1構成群組之情形亦同。亦即，在依序處理裝置30(例如清洗裝置12)所測定出之參數，與基板W1建立對應並作為依序收集資料而被儲存於例如儲存裝置64。關於基板W1之依序收集資料與圖6相同。
在同時處理裝置40(例如脫水烘烤裝置13)所測定出之參數，與1片基板W1建立對應並作為同時收集資料而被儲存於例如儲存裝置64。圖12係示意性地表示關於僅包含基板W1之群組之同時收集資料之一例的圖。於圖12之例子中，基板有無資訊De1表示「上游基板」，而「上游基板」表示僅上游側之基板W1存在之情形。於圖12之例子中，加熱溫度之目標資訊Df1與表示由溫度感測器95所測定出之溫度之處理資訊Dd1亦鄰接地被表示，且冷卻溫度之目標資訊Df1與表示由溫度感測器96所測定出之溫度之處理資訊Dd1亦鄰接地被表示。
再者，於上述的例子中，已對作為基板W之欠缺而於匣盒10內之各插槽中存在空插槽之情形進行說明。然而，於基板處理裝置1之基板W之處理中發生異常時，亦存在該發生異常之基板W自基板處理裝置1被排除之情形。雖然該異常的種類並未特別被限制，但作為該異常可例示如基板W的破裂。基板處理裝置1亦可於異常發生時中斷動作。然後，操作者手動地自基板處理裝置1排除發生異常之基板W。此時，操作者將表示已排除哪一片基板W的資訊輸入至輸入部66。藉此，控制部60便可得知哪一片基板W已被排除。
＜6-2.流程圖＞ 此處，著眼於同時處理裝置40，對基板處理裝置1對於在圖9所示之匣盒10中最上方之插槽之基板W1、W2與第2個插槽之基板W1的動作進行說明。首先，最上方之插槽之2片基板W1、W2被取出並被處理，其次第2個插槽之1片基板W1被取出並被處理。圖13係表示同時處理裝置40之動作之一例的流程圖。此處，作為同時處理裝置40，可舉脫水烘烤裝置13之加熱部82為例。
若對被收納於匣盒10之最上方之插槽之基板W1、W2之清洗裝置12的處理結束，搬送機械人81便自清洗裝置12之基板導出部33取出2片基板W1、W2，並總括地搬入作為同時處理裝置40之一例的加熱部82(步驟S1)。
其次，加熱部82對2片基板W1、W2總括地進行加熱處理(步驟S2)。與該加熱處理並行地，溫度感測器95對基板W1、W2之溫度進行測定(步驟S3)。亦即，溫度感測器95在加熱部82對2片基板W1、W2之處理中，對基板W1、W2之溫度進行測定。若加熱處理結束，搬送機械人81便自加熱部82將2片基板W1、W2總括地取出，並將基板W1、W2搬送至冷卻部83(步驟S4)。
其次，若對被收納於匣盒10之第2個插槽之基板W1之清洗裝置12的處理結束，搬送機械人81便自清洗裝置12之基板導出部33將1片基板W1取出，並搬入至加熱部82(步驟S5)。
其次，加熱部82對1片基板W1進行加熱處理(步驟S6)。與該加熱處理並行地，溫度感測器95對基板W1之溫度進行測定(步驟S7)。亦即，溫度感測器95在加熱部82對1片基板W1之處理中，對基板W1之溫度進行測定。若加熱處理結束，搬送機械人81便自加熱部82將1片基板W1取出，並將基板W1搬送至冷卻部83(步驟S8)。
其次，控制部60將在步驟S3所測定出之第1參數，與在步驟S2所處理之2片基板W1、W2建立對應並加以儲存，且將在步驟S7所測定出之第1參數，與在步驟S6所處理之1片基板W1建立對應並加以儲存(步驟S9)。再者，控制部60亦可回應步驟S2之加熱處理的結束，而將在步驟S3所測定出之第1參數與在步驟S2所處理之2片基板W1、W2建立對應並加以儲存。
＜7.作用效果＞ 如以上般，於本實施形態中，同時處理裝置40之第1感測器所測定出之參數與群組建立對應地由控制部60儲存。
而於同時處理裝置40中，如上述般，對各基板W之處理的時間點實質上相同。因此，屬於相同群組之基板W之相關參數的偏差較小，而大致相同。若將如此之參數與基板W個別地建立對應並加以儲存，收集資料的資料量便會變大，而大量地消耗儲存裝置64之儲存容量。
相對於此，於本實施形態中，由同時處理裝置40之第1感測器所測定出之參數，與群組建立對應並由控制部60所儲存。因此，可以更小的資料量來收集參數。
而且，於構成群組之基板W之片數變動之情形時，由同時處理裝置40之第1感測器所測定出之參數，對應於該基板W之片數的變動而被收集。具體而言，於2片基板W總括地被搬入同時處理裝置40之情形時，控制部60將由第1感測器所測定出之參數與2片基板W建立對應並加以儲存(參照圖7)，而於1片基板W總括地被搬入同時處理裝置40之情形時，控制部60將由第1感測器所測定出之參數與1片基板W建立對應並加以儲存(參照圖11及圖12)。
若更一般地加以說明，於N片基板W總括地被搬入同時處理裝置40之情形時，控制部60將在同時處理裝置40對N片基板W之處理中由第1感測器所測定出之參數，與該N片基板W之群組建立對應並加以儲存，而於M(M為1以上且未滿N之整數)片基板W總括地被搬入同時處理裝置40之情形時，控制部60將在同時處理裝置40對M片基板W之處理中由第1感測器所測定出之參數，與該M片基板W之群組建立對應並加以儲存。
據此，即便構成群組之基板W的片數改變，參數亦會對應於該改變動後之基板W的片數而被收集。因此，可依據基板W之片數的改變而適當地收集參數。
又，於上述的例子中，由依序處理裝置30之第2感測器所測定出之參數並非與群組，而是與基板W個別地建立對應，並由控制部60所儲存。於依序處理裝置30中，由於對各基板W之處理的時間點互不相同，因此由依序處理裝置30之第2感測器所測定出的參數，即便為相同群組亦會在每片基板W與基板W之間存在偏差。尤其，於將流體供給至基板W之清洗裝置12等的依序處理裝置30中，由於其流體的流量及壓力容易依時間而改變，因此參數的偏差會相對地變大。
於上述的例子中，由依序處理裝置30之第2感測器所測定出之參數並非與群組，而是與基板W個別地建立對應，並由控制部60所儲存。因此，有關參數之基板W間之偏差的資訊不會消失，而可適當地收集參數。
＜8.處理參數的通報＞ 操作者在欲確認收集資料(依序收集資料及同時收集資料)時，對輸入部66輸入收集資料之通報的指示。控制部60回應該輸入，例如將被儲存於儲存裝置64之依序收集資料及同時收集資料通報給操作者。例如，控制部60使依序收集資料及同時收集資料顯示於顯示部67。藉此，操作者可確認有關基板W之第1參數及第2參數，而可確認基板W的處理是否適當。
例如，操作者可藉由將有關包含基板W1、W2雙方之群組的同時收集資料(參照圖7)與有關僅包含基板W1、W2之一者之群組的同時收集資料(參照圖11及圖12)加以比較，來確認該等的差異。例如，存在有關於僅包含基板W1、W2之一者之群組之溫度感測器95的測定溫度，高於關於包含基板W1、W2雙方之群組之溫度感測器95的測定溫度的情形。其原因在於，基板W的片數越少，於加熱部82中基板W的溫度便越容易上升。於該情形時，亦可以測定溫度更接近加熱溫度之目標值的方式，將僅對基板W1、W2之一者進行處理時之加熱溫度的目標值更新為更小之值。如此之更新，例如亦可僅將基板W1、W2之一者被處理時之新的目標值，藉由操作者輸入至輸入部66，而輸入至控制部60。
又，操作者可藉由將關於各基板W之依序收集資料彼此加以比較，來確認該等的差異。操作者可於該差異大於容許值之情形時，將該差異例如用於是否需要調整清洗裝置12之各配管上之閥(未圖示)的判斷、用於是否需要更換配管上之過濾器(未圖示)的判斷、或用於是否需要改變泵之驅動方式的判斷。
＜9.變形例＞ 於上述的例子中，控制部60將處理中所測定出之參數適當地與基板W建立對應並加以收集。該收集對象的參數之測定時間點並未特別被限制。控制部60只要儲存在處理中於適當之時間點所測定出的參數即可。自對各基板W之處理開始至測定時間點為止之期間的長度，既可在複數片基板W之間為共通的長度，亦可存在些微的差異。又，於基板W之處理中感測器反覆地對參數進行測定時，控制部60亦可計算參數之時間性的統計值(例如平均值)，並將該統計值作為有關基板W的參數而加以儲存。
又，於設有對相同參數進行測定之複數個感測器(例如複數個溫度感測器95)之情形時，控制部60只要儲存由複數個感測器所測定出之複數個參數之至少任一者即可。或者，控制部60亦可儲存該複數個參數的統計值(例如平均值)。
以上，雖已對基板處理裝置之實施形態進行說明，但該實施形態只要不脫離其主旨，便可在上述內容以外進行各種變更。上述之各種實施形態及變形例可被適當地組合並加以實施。
例如，基板W1、W2之大小亦可互不相同。又，控制部60亦可具有複數階層構造。例如，控制部60亦可包含主控制部及複數個終端控制部。終端控制部例如設置於分度部11、清洗裝置12、脫水烘烤裝置13、塗佈相關裝置14、預烘烤裝置15、曝光裝置16、顯影裝置17及後烘烤裝置18等的各處理裝置。主控制部被設於基板處理裝置1，與複數個終端控制部進行通信。於設有複數個基板處理裝置1之情形時，亦可設置集中地管理該等基板處理裝置1之中央控制部。中央控制部與複數個基板處理裝置1之主控制部進行通信。各裝置中之感測器的測定信號被傳輸至終端控制部而被收集。該收集資料自終端控制部被傳輸至更上位的主控制部及中央控制部則可。藉此，可於中央控制部中管理複數個基板處理裝置1的收集資料。
1:基板處理裝置 10:匣盒 11:分度部 12:清洗裝置 13:脫水烘烤裝置 14:塗佈相關裝置 15:預烘烤裝置 16:曝光裝置 17:顯影裝置 18:後烘烤裝置 30:依序處理部(依序處理裝置) 31:基板導入部 32:處理裝置本體 33:基板導出部 34:藥液部 35:水洗部 35a:狹縫噴嘴 35b,341:噴嘴 35r,35s,35t,344:泵 36:水分去除部 40:同時處理部(同時處理裝置) 51:移動機構 52:升降機構 53:旋轉機構 60:控制部 61:CPU 62:ROM 63:RAM 64:儲存裝置 65:匯流排線 66:輸入部 67:顯示部 68:通信部 81:搬送部(搬送機械人) 82:加熱部 83:冷卻部 91,93:基板保持部 92:加熱手段 94:冷卻手段 95,96:第1感測器(溫度感測器) 311,313,321,331,332:輥 312:台座 314,315,334,335:感測器 342:藥液槽 343:供給管 345,359,364:第2感測器(流量感測器) 351:低壓水供給部 352:高壓水供給部 353:超音波清洗水供給部 354:純水供給部 355:第1水槽 356:第2水槽 357,358:第2感測器(壓力感測器) 361:噴射部 362:氣體供給源 363:管路 365:純水供給源 F1:指狀構件 H1:手部 P:處理程式 P1:基端構件 W,W1,W2:基板
圖1係概略性地表示基板處理裝置之構成之一例的俯視圖。 圖2係概略性地表示依序處理裝置之構成之一例的側視圖。 圖3係概略性地表示同時處理裝置之構成之一例的俯視圖。 圖4係概略性地表示控制部之構成之一例的功能方塊圖。 圖5係示意性地表示依序收集資料之一例的圖。 圖6係示意性地表示依序收集資料之一例的圖。 圖7係示意性地表示同時收集資料之一例的圖。 圖8係示意性地表示於匣盒中收容有複數片基板之態樣的圖。 圖9係示意性地表示於匣盒中收容有複數片基板之態樣的圖。 圖10係概略性地表示同時處理裝置之構成之一例的俯視圖。 圖11係示意性地表示同時收集資料之一例的圖。 圖12係示意性地表示同時收集資料之一例的圖。 圖13係表示同時處理裝置之動作之一例的流程圖。

Claims (4)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有：同時處理部，其可總括地處理N(N為2以上的整數)片基板；搬送部，其將N片以下之基板總括地搬送至上述同時處理部；第1感測器，其被設於上述同時處理部，對與上述同時處理部所進行之處理相關的第1參數進行測定；依序處理部，其包含可總括地搬入N片基板之基板導入部，一邊自上述基板導入部依序地搬送該基板，一邊對該基板依序地進行處理；第2感測器，其被設於上述依序處理部，對與上述依序處理部所進行之處理相關的第2參數進行測定；及控制部，其於N片基板已自上述搬送部被搬入上述同時處理部之情形時，將在上述同時處理部對該N片基板之處理中由上述第1感測器所測定出之上述第1參數，與該N片基板建立對應，並作為同時收集資料而加以儲存，而於M(M為1以上且未滿N的整數)片基板已自上述搬送部被搬入上述同時處理部之情形時，將在上述同時處理部對於該M片基板之處理中由上述第1感測器所測定出之上述第1參數，與該M片基板建立對應，並作為上述同時收集資料而加以儲存；且上述控制部將在上述依序處理部之處理中由上述第2感測器所檢測出之上述第2參數，與該基板個別地建立對應，並作為各該基板分別之依序收集資料而加以儲存；上述同時收集資料包含有：對將N片基板以群組單位所分之群組進行識別的群組識別資訊；表示群組中之基板構成的基板有無資訊；及表示 上述第1參數的第1處理資訊；而上述依序收集資料包含有：表示對應之基板所屬之群組的上述群組識別資訊；表示對應之基板之群組內之搬送方向之位置的位置資訊；及表示上述第2參數的第2處理資訊。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述搬送部包含可將N片基板以沿著水平方向排列之狀態加以保持的手部；上述同時處理部可將N片基板以沿著水平方向排列之狀態加以保持的基板保持部。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，其具備有供匣盒搬入的分度部；上述匣盒各自具有可將上述N片基板沿著水平方向排列而收納之複數個插槽；上述插槽內之基板會以群組單位，被搬送至上述同時處理部或上述依序處理部。
  4. 一種基板處理方法，其具備有如下之步驟：將N(N為2以上的整數)片基板總括地搬入同時處理部；上述同時處理部對該N片基板總括地進行處理；在上述同時處理部對該N片基板之處理中，藉由第1感測器對與上述同時處理部所進行之處理相關的第1參數進行測定；自上述同時處理部取出該N片基板；將M(M為1以上且未滿N的整數)片基板總括地搬入上述同時處理部； 上述同時處理部對該M片基板總括地進行處理；在上述同時處理部對該M片基板之處理中，藉由上述第1感測器對上述第1參數進行測定；自上述同時處理部取出該M片基板；將在上述同時處理部對該N片基板之處理中由上述第1感測器所測定出之上述第1參數作為同時收集資料，與該N片基板建立對應並加以儲存，且將在上述同時處理部對該M片基板之處理中由上述第1感測器所測定出之上述第1參數作為上述同時收集資料，與該M片基板建立對應並加以儲存；依序處理部一邊依序地搬送被搬入之N片以下的基板，一邊對該基板依序地進行處理的步驟；於上述依序處理部之處理中，藉由第2感測器來測定與上述依序處理部所進行之處理相關之第2參數的步驟；及將於上述依序處理部之處理中藉由上述第2感測器所檢測出之上述第2參數，與該基板個別地建立對應，並作為各該基板分別之依序收集資料而加以儲存的步驟；上述同時收集資料包含有：對將N片基板以群組單位所分之群組進行識別的群組識別資訊；表示群組中之基板構成的基板有無資訊；及表示上述第1參數的第1處理資訊；而上述依序收集資料包含有：表示對應之基板所屬之群組的上述群組識別資訊；表示對應之基板之群組內之搬送方向之位置的位置資訊；及表示上述第2參數的第2處理資訊。
TW110126888A 2020-09-23 2021-07-22 基板處理裝置及基板處理方法 TWI806104B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020158355A JP7157786B2 (ja) 2020-09-23 2020-09-23 基板処理装置および基板処理方法
JP2020-158355 2020-09-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202213454A TW202213454A (zh) 2022-04-01
TWI806104B true TWI806104B (zh) 2023-06-21

Family

ID=80791489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110126888A TWI806104B (zh) 2020-09-23 2021-07-22 基板處理裝置及基板處理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7157786B2 (zh)
KR (1) KR102517035B1 (zh)
CN (1) CN114256096B (zh)
TW (1) TWI806104B (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110783166A (zh) * 2018-07-25 2020-02-11 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10189465A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の熱処理装置およびそれを備える薄膜形成装置
US5896294A (en) * 1997-03-11 1999-04-20 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for inspecting manufactured products for defects in response to in-situ monitoring
JP2003257837A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理システム
JP4068404B2 (ja) * 2002-06-26 2008-03-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム、基板処理装置、基板処理方法、プログラム及び記録媒体
JP2004335750A (ja) * 2003-05-08 2004-11-25 Tokyo Electron Ltd 処理スケジュール作成方法
JP2005259934A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウェーハ管理方法
JP2006277298A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、履歴情報記録方法、履歴情報記録プログラム及び履歴情報記録システム
JP5100179B2 (ja) * 2007-03-30 2012-12-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5492509B2 (ja) * 2009-09-25 2014-05-14 株式会社日立国際電気 基板移載方法及び半導体装置の製造方法及び基板処理装置及び搬送制御プログラム
JP2011171648A (ja) * 2010-02-22 2011-09-01 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理システム
JPWO2014115643A1 (ja) * 2013-01-25 2017-01-26 株式会社日立国際電気 基板処理装置の異常判定方法、異常判定装置、及び基板処理システム並びに記録媒体
JP6697984B2 (ja) * 2016-08-31 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
JP6864514B2 (ja) * 2017-03-23 2021-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システムおよび基板処理方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110783166A (zh) * 2018-07-25 2020-02-11 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220040382A (ko) 2022-03-30
CN114256096A (zh) 2022-03-29
JP2022052151A (ja) 2022-04-04
TW202213454A (zh) 2022-04-01
KR102517035B1 (ko) 2023-04-03
CN114256096B (zh) 2023-07-14
JP7157786B2 (ja) 2022-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI343087B (en) Substrate transportation and processing apparatus
US9417529B2 (en) Coating and developing apparatus and method
US8740481B2 (en) Coating and developing apparatus
KR101170211B1 (ko) 기판처리장치
TW472307B (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP4985728B2 (ja) 塗布、現像装置及びその方法
JP2003209154A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR100919084B1 (ko) 기판처리장치 및 기판반송방법
TW201539544A (zh) 塗佈、顯像裝置及塗佈、顯像方法
TW202025364A (zh) 塗布顯像裝置及塗布顯像方法
JP4941570B2 (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
KR102269981B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN111223794A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
TWI806104B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20120106554A (ko) 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체
JP4172553B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102571030B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW202137382A (zh) 基板處理系統及基板處理方法
JP5442889B2 (ja) 基板処理装置