TW201539544A - 塗佈、顯像裝置及塗佈、顯像方法 - Google Patents

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Abstract

於單位區塊產生異常或進行維修時，抑制塗佈、顯像裝置之處理量下降並且抑制處理區塊之設置面積。 構成一種塗佈、顯像裝置，其具備：被設置在疊層之前段處理用之單位區塊，和各對應之疊層的後段處理用之單位區塊之間，用以在兩單位區塊之搬運機構之間進行基板之收授的塗佈處理用之收授部；和為了在各段之塗佈處理用之收授部之間進行基板之搬運，被設置成升降自如之輔助移載機構；和被疊層於各個上述前段處理用、後段處理用之單位區塊的顯像處理用之單位區塊。因在各層間收授基板，故可以避開不能使用之單位區塊來搬運基板。再者，因顯像用之單位區塊被疊層於前段處理用及後段處理用之單位區塊，故可抑制設置面積。

Description

塗佈、顯像裝置及塗佈、顯像方法
本發明係關於在基板塗佈光阻，並進行顯像之塗佈、顯像裝置及塗佈、顯像方法。
在為半導體製造工程之一的光阻工程中，在半導體晶圓((以下，稱為晶圓)之表面塗佈光阻，並以特定圖案使該光阻曝光之後予以顯像而形成光阻圖案。在用以形成上述光阻圖案之塗佈、顯像裝置上，設置有用以對晶圓進行各種之處理之處理模組的處理區塊。
處理區塊係如專利文獻1所記載般，藉由互相疊層形成光阻膜等之各種塗佈膜之單位區塊及進行顯像處理之單位區塊而被構成。在各單位區塊設置有晶圓之搬運機構，藉由該搬運機構，晶圓依序被收授至設置在各單位區塊之處理模組而接受處理。
然而，為了形成更微細之圖案，並且提升良率，被設置在上述處理區塊之處理模組為多樣化。例如，除在晶圓塗佈光阻之光阻膜形成模組或供給顯像液之顯像模組之外，有洗淨塗佈有光阻之晶圓之背面的背面洗淨模組、對 光阻膜之上層供給藥液而又形成膜之上層用之液處理模組等之情形。
再者，塗佈、顯像裝置被要求構成可以製造各種樣式之半導體製品。具體而言，上述光阻膜形成模組被研究出構成對晶圓供給正型光阻、負型光阻中之一方之光阻，且設置有對應於各個光阻之顯像模組。如此地將各種處理模組搭載在處理區塊，並且研究如何抑制塗佈、顯像裝置之地板占有面積。
疊層上述單位區塊之構成，用於抑制上述地板占有面積為有效，但是因晶圓依序被搬運至各單位區塊，故於在一個處理模組或單位區塊產生異常，或進行維修之時，必須停止塗佈、顯像裝置之處理全體的情形。如此一來，則有裝置之處理量下降之問題。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2007-115831號公報
本發明係鑒於如此之情形下而研究出，提供於單位區塊產生異常或進行維修時，可以抑制塗佈、顯像裝置之處理量下降並且抑制處理區塊之設置面積的技術。
本發明之塗佈、顯像裝置係將藉由載體被搬入至載體區塊之基板收授於處理區塊，在該處理區塊形成含有光阻膜之塗佈膜後，經相對於上述處理區塊位於與載置區相反側之介面區塊而搬運至曝光裝置，並將經上述介面區塊而返回之曝光後的基板在上述處理區塊進行顯像處理而收授於上述載體區塊，該塗佈、顯像裝置之特徵為：(a)上述處理區塊包含：上下疊層有多數前段處理用之單位區塊的構造，該前段處理用之單位區塊具備：為了在基板形成下層側之反射防止膜，供給藥液之下層用之液處理模組；為了在上述反射防止膜上形成光阻膜，供給光阻液的塗佈模組；加熱基板之加熱模組；及為了在該些模組間搬運基板，在從載體區塊側延伸至介面區塊側之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構；多數後段處理用之單位區塊，其係與該前段處理用之單位區塊鄰接而各被設置在多數之前段處理用之單位區塊之介面區塊側，具備：為了在形成有光阻膜之基板形成上層側之膜，供給藥液之上層用之液處理模組；加熱基板之加熱模組；為了在該些模組間搬運基板，在從載體區塊側延伸至介面區塊側之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構；塗佈處理用之收授部，其係各被設置在前段處理用之單位區塊和對應之後段處理用之單位區塊之間，用以在兩單位區塊之搬運機構之間進行基板之收授： 第1顯像處理用之疊層區塊，該係上下疊層多數顯像處理用之單位區塊而構成，且相對於上下疊層有多數上述前段處理用之單位區塊者的構造而被疊層於上下方向，且該顯像處理用之單位區塊具備：對基板供給顯像液之液處理模組；加熱基板之加熱模組；及在從載體區塊側延伸至介面區塊側之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構；第2顯像處理用之疊層區塊，該係上下疊層複數顯像處理用之單位區塊而構成，且相對於上下疊層有多數上述後段處理用之單位區塊的構造而被疊層於上下方向，且該顯像處理用之單位區塊具備：對基板供給顯像液之液處理模組；加熱基板之加熱模組；及在從載體區塊側延伸至介面區塊側之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構；顯像處理用之收授部，其係各被設置在第1顯像處理用之疊層區塊之單位區塊和對應於該單位區塊之第2顯像處理用之疊層區塊之單位區塊之間，用以在兩單位區塊之搬運機構之間進行基板的收授；輔助移載機構，其係為了在各段之塗佈處理用之收授部之間及各段之顯像處理用之收授部之間進行基板之搬運，被設置成升降自如，該塗佈、顯像裝置具備：(b)搬入搬出用之收授部，其係被設置在每個單位區塊的載體區塊側，在與各單位區塊之搬送機構之間進行基板之收授；(c)第1收授機構，其係用以將基板從載體分配至 對應於前段處理用之各單位區塊的搬入搬出用之上述收授部而進行收授，並且使基板從對應於顯像處理用之各單位區塊之搬入搬出用之收授部返回至載體；及(d)第2收授機構，其係用以接取在上述處理區塊被處理之曝光前之基板，將曝光後之基板分配至顯像處理用之單位區塊而進行收授，就以上述塗佈、顯像方法之具體態樣而言，例如下述般。
(1)在後段處理用之單位區塊，藉由該後段處理用之單位區塊用的搬運機構收授基板，設置有用以洗淨曝光前之基板的洗淨模組。
(2)上述洗淨模組具備有用以洗淨形成有光阻膜之基板之背面側的機構。
(3)上述第1顯像處理用之疊層區塊係藉由進行正型顯像之單位區塊群而構成，上述第2顯像處理用之疊層區塊係藉由進行負型顯像之單位區塊群而構成，
(4)上述第1顯像處理用之疊層區塊包含進行正型顯像之單位區塊和進行負型顯像之單位區塊，上述第2顯像處理用之疊層區塊包含進行正型顯像之單位區塊和進行負型顯像之單位區塊，
(5)具備有控制部，該控制部係實行下述步驟：針對前段處理用之單位區塊發生故障或進行維修之時，不將該單位區塊當作成為不使用之單位區塊來使用，在其他前 段處理用之單位區塊，於基板形成下層側之反射防止膜及光阻膜之步驟；和在該步驟之後，經上述輔助移載機構，將該基板搬運至成為不使用之單位區塊之介面區塊側之後段處理用之單位區塊的步驟。
(6)具備有控制部，該控制部係實行下述步驟：針對後段處理用之單位區塊發生故障或進行維修之時，不將該單位區塊當作成為不使用之單位區塊來使用，在成為不使用之單位區塊之載體區塊側之前段處理用之單位區塊，於基板形成下層側之反射防止膜及光阻膜之步驟；和在該步驟之後，經上述輔助移載機構，將該基板搬運至其他階層之後段處理用之單位區塊的步驟。
(7)前段處理用之單位區塊之疊層數及後段處理用之單位區塊之各個疊層數量為3層。
(8)第1顯像處理用之疊層區塊及第2顯像處理用之疊層區塊之各個單位區塊之疊數為3層。
(9)上述輔助搬運機構具備：用以進行各段之塗佈處理用之收授部之間之搬運的第1輔助移載機構，和用以進行各段之顯像處理用之收授部之間之搬運的第2輔助移載機構。
本發明之塗佈、顯像方法係使用上述塗佈、顯像裝置，其特徵在於：實施：於對前段處理用之單位區塊產生故障時或進行維修時，不將該單位區塊當作成為不使用之單位區塊來使用，在其他之前段處理用之單位區塊，在基板形成下層側 之反射防止膜及光阻膜的工程；接著，經輔助移載機構將該基板搬運至成為不使用之單位區塊之介面區塊側之後段處理用之單位區塊的工程；及之後，藉由該後段處理用之單位區塊內之模組，形成上層側之膜的工程。
又其他之本發明的塗佈、顯像方法係使用上述塗佈、顯像裝置，其特徵在於：實施：於對後段處理用之單位區塊產生故障時或進行維修時，不將該單位區塊當作成為不使用之單位區塊來使用，在成為不使用之單位區塊之載體區塊側之前段處理用之單位區塊，在基板形成下層側之反射防止膜及光阻膜的工程；接著，經輔助移載機構將該基板搬運至其他階層之後段處理用之單位區塊的工程；及之後，藉由該後段處理用之單位區塊內之模組，形成上層側之膜的工程。
本發明之記憶媒體係記憶有塗佈、顯像裝置所使用之電腦程式，該記憶媒體之特徵為：上述電腦程式為用以實施上述塗佈、顯像方法。
本發明係構成具備疊層多數用以在基板上形成下層側之反射防止膜及光阻膜之前段處理用之單位區塊，疊層多 數用以在光阻膜上形成上層側之膜的後段處理用之單位區塊，於前後連結該些疊層體，並且具備前段處理用之單位區塊，和對應之後段處理用之單位區塊之間進行基板之收授的收授部，藉由輔助移載機構可以在各層之收授部之間收授基板。因此，即使無法使用前段處理用之單位區塊及後段處理用之單位區塊中之任一者，亦可以利用上述輔助移載機構藉由其他單位區塊而進行處理，而謀求防止處理量下降。再者，因在前段處理用之單位區塊之疊層體及後段處理用之單位區塊之疊層體，疊層多數用以進行顯像處理之單位區塊，故也可以邊抑制裝置之設置面積，邊抑制裝置之深尺寸(沿著連結載體區塊和介面區塊之方向的長度尺寸)。
A1~A6‧‧‧主機械臂
BCT‧‧‧反射防止膜形成模組
B1~B6‧‧‧前方側單位區塊
COT‧‧‧光阻膜形成模組
DEV‧‧‧顯像模組
D1~D6‧‧‧後方側單位區塊
TCT‧‧‧保護膜形成模組
S1‧‧‧載體區塊
S2‧‧‧前方側處理區塊
S3‧‧‧後方側處理區塊
S4‧‧‧介面區塊
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧塗佈、顯像裝置
27、33‧‧‧加熱模組
30、40‧‧‧收授機械臂
51‧‧‧控制部
第1圖為本發明之塗佈、顯像裝置之俯視圖。
第2圖為上述塗佈、顯像裝置之斜視圖。
第3圖為上述塗佈、顯像裝置之縱斷側面圖。
第4圖為上述塗佈、顯像裝置之液處理模組之縱斷側面圖。
第5圖為介面區塊之縱斷正面圖。
第6圖為上述塗佈、顯像裝置之控制部之構成圖。
第7圖為表示上述塗佈、顯像裝置中之晶圓之搬運路徑的流程圖。
第8圖為表示晶圓W被曝光之樣子的說明圖。
第9圖為表示晶圓W被曝光之樣子的說明圖。
第10圖為表示上述塗佈、顯像裝置中之晶圓之搬運路徑的流程圖。
第11圖為表示上述塗佈、顯像裝置中之晶圓之搬運路徑的流程圖。
第12圖為表示上述塗佈、顯像裝置中之晶圓之搬運路徑的流程圖。
第13圖為表示上述塗佈、顯像裝置中之晶圓之搬運路徑的流程圖。
第14圖為表示上述塗佈、顯像裝置中之晶圓之搬運路徑的流程圖。
第15圖為其他處理區塊之構成圖。
第16圖為又一其他處理區塊之構成圖。
第17圖為介面區塊之縱斷正面圖。
第18圖為又其他處理區塊之構成圖。
針對與本發明有關之塗佈、顯像裝置1予以說明。第1圖係表示將本發明之塗佈、顯像裝置1適用於光阻圖案形成裝置之時的一實施型態的俯視圖，第2圖為同概略斜視圖，第3圖為同概略側面圖。該塗佈、顯像裝置1直線狀配列載體區塊S1和處理區塊S20和介面區塊S4而構成，該載體區塊S1係用以搬入搬出密閉收納例如25片作為基板之晶圓W的載體C，該處理區塊S20係用以對晶 圓W進行處理。在介面區塊S4連接有進行浸潤式曝光之曝光裝置S5。
在上述載體區塊S1設置有載置上述載體C之載置台11，和從該載置台11觀看被設置在前方之壁面的開關部12，和用以經開關部12從載體C取出晶圓W之收授機械臂13。收授機械臂13係在上下方向具備五個晶圓保持部14，構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如、在載體C之配列方向移動自如。後述之控制部51係對載體C之晶圓W分配號碼，收授機械臂13從號碼小起每次5片依序將晶圓W整批收授至處理區塊S20之收授模組BU1。並且，將可以載置晶圓W之場所記載成模組，將該模組中對晶圓W進行加熱、液處理、氣體供給或周緣曝光等之處理的模組記載成處理模組。再者，將處理模組中，對晶圓W供給藥液或洗淨液之模組記載成液處理模組。
處理區塊S20係由被設置在載體區塊S1側之前段側處理區塊S2及被設置在介面區塊S4側之後方側處理區塊S3所構成。一面參照前方側處理區塊S2及後方側處理區塊S3之概略縱斷側面圖之第4圖，繼續說明。前段處理區塊S2係被構成從下依序疊層對晶圓W進行液處理之第1~第6之前方側單位區塊B1~B6。該些前方側單位區塊B1~B6具備有液處理模組、加熱模組、單位區塊用之搬運手段的主機械臂A、上述主機械臂A移動之搬運區域R1，在各前方側單位區塊B同樣構成該些配置佈局。在 各前方側單位區塊B中，藉由主機械臂A互相獨立搬運晶圓W，進行處理。
在第1圖中，針對第1前方側單位區塊B1予以表示，以下針對該第1前方側單位區塊B1以代表予以說明。在該第1前方側單位區塊B1之中央，形成有從載體區塊S1朝向後方側處理區塊S3之上述搬運區域R1。從載體區塊S1朝第2處理區塊S3側觀看該搬運區域R1之左右，各配置有液處理單元21、棚架單元U1~U6。
在液處理單元21，設置有反射防止膜形成模組BCT1，和光阻膜形成模組COT1，從載體區塊S1側朝向第2處理區塊S3側以BCT1、COT1之順序配列。反射防止膜形成模組BCT1沿著搬運區域R1之形成方向具備有兩個旋轉吸盤22，旋轉吸盤22係被構成吸附保持晶圓W之背面中央部，並且繞垂直軸旋轉自如。圖中23為處理罩杯，上側為開口。處理罩杯23係包圍旋轉吸盤22之周圍，抑制藥液之飛散。當處理晶圓W之時，在該處理罩杯23內收容晶圓W，晶圓W之背面中央部被保持於旋轉吸盤22。
再者，在反射防止膜形成模組BCT1設置有在處理罩杯23共用之噴嘴24。圖中25為支撐噴嘴24之機械臂，圖中26為驅動機構。驅動機構26為經機械臂25使噴嘴24移動至各處理罩杯23之配列方向，並且經機械臂25使噴嘴24升降。藉由驅動機構26，噴嘴24在反射防止膜形成模組BCT1之各處理罩杯23間移動，並對被收授 於各旋轉吸盤22之晶圓W之中心吐出反射防止膜形成用之藥液。被供給之藥液係藉由利用上述旋轉吸盤22繞垂直軸旋轉之晶圓W的離心力，朝晶圓W之周緣延展，形成反射防止膜。並且，雖然省略圖示，但反射防止膜形成模組BCT1具備對晶圓W之周端部供給溶劑，且除去該周端部不需要之膜的噴嘴。
光阻膜形成模組COT1與反射防止膜形成模組BCT1構成相同。即是，光阻膜形成模組COT1各具備兩個各用以處理晶圓W之處理罩杯23及旋轉吸盤22，相對於兩個處理罩杯23及旋轉吸盤22共有噴嘴。但是，從該噴嘴吐出光阻以取代反射防止膜形成用之藥液。再者，該噴嘴係藉由供給正型光阻之噴嘴27和供給負型光阻之噴嘴28所構成。
棚架單元U1~U6係從載體區塊S1側朝向介面區塊S3側被配列。各棚架單元U1~U6係疊層例如兩段進行晶圓W之加熱處理的加熱模組而構成。因此，前方側單位區塊B1具備有12台之加熱模組27。在上述搬運區域R1設置有上述主機械臂A1。該主機械臂A1係被構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如、從載體區塊S1側在後方處理區塊S3側移動自如，可以在單位區塊B1之所有模組間進行晶圓W之收授。
第2前方側單位區塊B2及第3前方側單位區塊B3係被構成與先前已述之第1前方側單位區塊B1相同。如第4圖所示般，將被設置在第2前方側單位區塊B2之反 射防止膜形成模組設為BCT2，將兩台之光阻膜形成模組設為COT2。再者，將被設置在第3前方側單位區塊B3之反射防止膜形成模組設為BCT3，將光阻膜形成模組設為COT3。前方側單位區塊B1~B3構成前段處理用之單位區塊。
接著，針對構成第1顯像處理用之疊層區塊之前方側單位區塊B4~B6予以說明。第4前方側單位區塊B4以與第1前方側單位區塊B1之差異點而言，具備有顯像模組DEV1、DEV2，以取代反射防止膜形成模組BCT及光阻膜形成模組COT。第5前方側單位區塊B5及第6前方側單位區塊B6係被構成與第4前方側單位區塊B4相同，各具備有兩台之顯像模組DVE。將設置在第5前方側單位區塊B5之顯像模組設為DEV3、DEV4。將設置在第6前方側單位區塊B6之顯像模組設為DEV5、DEV6。顯像模組DEV係被構成與光阻膜形成模組COT相同。但是，對晶圓W供給顯像正型之光阻的顯像液以取代光阻，並進行顯像處理(正型顯像)。
在各層之搬運區域R1之載體區塊S1側，如第1圖及第3圖所示般，跨越各單位區塊B1~B6而設置有棚架單元U7。棚架單元U7係藉由互相疊層之多數模組所構成，針對該些各模組以下予以說明。在第1前方側單位區塊B1之高度位置設置有疏水化處理模組ADH1、ADH2及收授模組CPL11、CPL12。在第2前方側單位區塊B2之高度位置設置有疏水化處理模組ADH3、ADH4及收授模組 CPL13、CPL14。在第3前方側單位區塊B3之高度位置設置有疏水化處理模組ADH5、ADH5及收授模組CPL15、CPL16。
在第4前方側單位區塊B4之高度位置設置有收授模組CPL21及收授模組BU11。在第5前方側單位區塊B5之高度位置設置有收授模組CPL22及收授模組BU12。在第6前方側單位區塊B6之高度位置設置有收授模組CPL23及收授模組BU13。在說明中，記載成CPL之收授模組具備有冷卻載置之晶圓W的冷卻平台。記載成BU之收授模組係構成可以收容多片晶圓W，且使滯留。
再者，疏水化處理模組ADH~ADH6係對含有晶圓W之斜切部的表面供給處理氣體，提升疏水性。依此，即使在各液處理模組除去該周端部之膜而晶圓W之表面成為露出之狀態，該表面亦具有撥水作用，於浸潤式曝光時從該周端部抑制各膜之剝離。
再者，在棚架單元U7中，在載體驅塊S1之收授機械臂13可以存取之高度位置，設置有構成搬出搬入用收授部之收授模組BU1、CPL10。收授模組BU1為了整批接取從先前已述之收授機械臂13所搬運之晶圓W，在上下方向具備有五個晶圓W之保持部。被搬運至收授模組BU1之晶圓W係藉由控制部51從被分配到的號碼小者依序被分到各單位區塊。收授模組CPL10係用於使晶圓W返回至載體C。
並且，在棚架單元U7設置有檢查模阻31。檢查模組 31係檢查顯像處理後之晶圓W，針對圖案崩塌、線寬異常、光阻溶解不良等之各種檢查項目，檢查有無異常。從前方側單位區塊B4~B6搬出晶圓W之時，搬入至檢查模組31之晶圓W被搬運至例如收授模組BU11~BU13。不被搬運至檢查模組31之晶圓W從收授模組CPL不經收授模組BU11~BU13而返回至載體C。如此一來，藉由分別使用收授模組，以上述號碼小之順序，即是從載體C搬出之順序，使晶圓W返回至載體C之方式，控制晶圓W之搬運。
再者，在前方側處理驅塊S2中，在棚架單元U7之附近，設置有升降自如、進退自如之第1收授機構的收授機械臂30。該收授機械臂30係在棚架單元U7之各模組間搬運晶圓W。
接著，針對後方側區塊S3予以說明。該後方側處理區塊S3係被構成疊層對晶圓W進行液處理之第1~第6之後方側單位區塊B1~B6。後方側單位區塊D1~D6係各位於與前方側單位區塊B1~B6相同之高度。該些後方側單位區塊D1~D6係以與前方側單位區塊A大略相同之佈局被構成，具備有對應於液處理單元21之液處理單元32、加熱模組、對應於單位區塊用之搬運手段的主機械臂A的主機械臂E，和對應於上述搬運區域R1之搬運區域R2。在各單位區塊D中，藉由主機械臂E互相獨立搬運晶圓W，進行處理。以下，一面參照第1圖，一面以第1後方側單位區塊D1代表說明。
在該後方側單位區塊D1之液處理單元32，朝向介面區塊S4依序設置有保護膜形成模組TCT1、背面洗淨模組BST1。該保護膜形成模組TCT1除對晶圓W供給撥水性之保護膜之形成用之藥液外，為與反射防止膜形成模組BCT1相同之構成。即是，保護膜形成模組TCT1各具備兩個各用以處理晶圓W之處理罩杯23及旋轉吸盤22，相對於兩個處理罩杯23及旋轉吸盤22共有噴嘴24。
背面洗淨模組BST構成反射防止膜形成模組BCT相同，在每處理罩杯23設置有對晶圓W之背面及斜切部供給洗淨液而進行洗淨之無圖示之噴嘴，以取代設置噴嘴24。並且，背面洗淨模組BST即使被構成對背面或斜切部之一方供給洗淨液亦可。再者，以與液處理單元32對向之方式，設置有各棚架單元U8~U12，各棚架單元係藉由兩台之加熱模組33而被構成。
後方側單位區塊D2係被構成與先前已述之第1後方側單位區塊D1相同。將被設置在第2後方側單位區塊D2之保護膜形成模組設為TCT2，將背面側洗淨模組設為BST2。將被設置在第3後方側單位區塊D3之保護膜形成模組設為TCT3，將背面側洗淨模組設為BST3。
第4後方側單位區塊D4與第1後方側單位區塊D1之差異點係具備負型顯像色調顯像膜組NTD1、NTD2，以取代保護膜形成膜組TCT1及背面洗淨膜組BST1。該負型色調顯像模組NTD係對晶圓W供給顯像負型之光阻的顯像液，並進行顯像處理(負型顯像)。除顯像液之種類 不同外，負型色調顯像模組NTD1係被構成與顯像模組DEV相同。第5後方側單位區塊D5及第6後方側單位區塊D6係被構成與第4後方側單位區塊D4相同。第5後方側單位區塊D5具備NTD3、NTD4以作為負型色調顯像模組，第6後方側單位區塊D6具備NTD5、NTD6以作為負型色調顯像模組。
在負型色調顯像模組NTD所使用之顯像液、在反射防止膜形成模組BCT中所使用之藥液及在光阻膜形成模組COT中所使用之光阻包含有機溶劑。負型色調顯像模組NTD之處理罩杯23、反射防止膜形成模組BCT及光阻膜形成模組COT之處理罩杯23連接有排出使用完之藥液及顯像液之排液路，該些排液路之下游側互相合流。連接於該些NTD、BCT及COT之排液路與連接於其他液處理模組之排液路區隔而被設置，可以與來自其他液處理模組之排液區隔而排出有機溶劑。
在各層之搬運區域R2之前方側處理區塊S2側，如第1圖及第3圖所示般，跨越各後方側單位區塊D1~D6而設置有棚架單元U13。針對該棚架單元U13之構成予以說明。棚架單元U13係藉由互相疊層之多數模組所構成。在第1後方側單位區塊D1之高度位置設置有收授模組CPL31、CPL32。在第2後方側單位區塊D2之高度位置設置有收授模組CPL32、CPL34，在第3後方側單位區塊D3之高度位置設置有收授模組CPL35、CPL36。再者，在第4後方側單位區塊D4之高度位置設置有收授模組 CPL41、CPL42。在第5後方側單位區塊D5之高度位置設置有收授模組CPL43、CPL44，在第6後方側單位區塊D6之高度位置設置有收授模組CPL45、CPL46。
在構成棚架單元U13之模組，位於與該模組相同高位位置之後方側單位區塊D之主機械臂E，和前方側單位區塊B之主機械臂A可以存取。再者，在後方側區塊S3中，在棚架單元13之附近，設置有收授機械臂40，被構成升降自如、對棚架單元U13進退自如。收授機械臂40係在位於棚架單元U13之單位區塊B1~B6之高度位置之各模組間搬運晶圓W。
接著，針對介面區塊S4之構成，也一面參照第5圖一面予以說明。在介面區塊S4於各後段單位區塊之主機械臂E1~E6可以存取之位置設置有棚架單元U11。棚架單元U11係在後方側單位區塊D4、D5、D6之高度位置各具備有TRS1、TRS2、TRS3。在單位區塊D1、D2、D3之高度位置各具備有CPL51、CPL52、CPL53。再者，棚架單元U11具備有收授模組BU21~23、CPL54。該些模組係互相疊層而被設置。
再者，在介面區塊S4疊層設置有例如四台之曝光後洗淨模組PIR1~PIR4。各曝光後洗淨模組PIR係構成與光阻膜形成模組COT相同，對晶圓W表面供給保護膜除去及洗淨用之處理液以取代光阻。
再者，在介面區塊S4設置有兩台介面機械臂35、36。介面機械臂35、36係被構成升降自如及進退自如， 並且介面機械臂35係被構成在水平方向移動自如。介面機械臂35係存取於曝光裝置S5、收授模組BU21、CPL54，在該些之間收授晶圓W。介面機械臂36係存取於構成棚架單元U11之各模組及曝光後洗淨模組PIR1~PIR4，在該些模組間收授晶圓W。
接著，針對被設置在塗佈、顯像裝置1之控制部51，一面參照第6圖一面予以說明。圖中52為匯流排，圖中53為CPU，54為程式。該程式54係對塗佈、顯像裝置1之各部輸出控制訊號，如後述般編成命令(各步驟)使在模組間搬運晶圓W，對各晶圓W進行藥液或洗淨液之供給、加熱等之處理。該程式54係被儲存於例如軟碟、CD、硬碟、MO(光磁碟)記憶卡等之記憶媒體而被安裝於控制部51。
再者，匯流排52連接有記憶體55。例如，在記憶體55具備有寫入處理溫度、處理時間、各藥液之供給量或電力值等之處理參數之值的區域，於CPU53實行程式54之各命令時，讀出該些處理參數，因應其參數值之控制訊號被送至該塗佈、顯像裝置1之各部位。
再者，在記憶體55設置有搬運行程記憶區域56。在該記憶區域56中，記憶有互相使晶圓W之ID，和該晶圓W之搬運目的地之模組，和被搬運之模組之順序對應之搬運行程。並且，在該搬運行程中，針對各液處理模組，針對兩個處理罩杯23中要搬入哪一個也記憶。該搬運行程係於晶圓W之處理前事先被設定，但是當如後述般當決 定停止朝單位區塊或模組搬運時，因應成為搬運停止之單位區塊或模組而變更，以被變更之行程進行搬運。
再者，匯流排52連接有設定部57。設定部57係藉由例如鍵盤或滑鼠、觸控面板等而構成，成為使用者可以選擇晶圓W之搬運模式。當將所有之單位區塊能夠動作之狀態的搬運模式設為通常搬運模式時，在該通常搬運模式有在光阻膜形成模組COT塗佈負型之光阻，且在後段側單位區塊D4~D6進行顯像處理之第1通常搬運模式F1，和在光阻膜形成模組COT塗佈正型之光阻，並在前段側單位區塊B4~B6進行顯像處理之第2通常搬運模式G1。使用者可以自設定部選擇實行之通常搬運模式。
再者，於實行通常搬運模式F1或G1中，可以因應進行維修之單位區塊而將搬運模式切換成後述之F2~F3或G2~G3。再者，該搬運模式之切換也有如後述般自動切換之情形。當切換搬運模式時，搬運行程因應切換之模式而變化，對各主機械臂A、E、收授機械臂13、30、40及介面機械臂35、36發送訊號，切換晶圓W之搬運目的地。再者，使用者從設定部57指定晶圓W之ID，而可以設定在檢查模組31進行檢查之晶圓W。
主機械臂A、E係將例如因應其位置之位置訊號輸出至控制部51，根據該位置訊號，控制部51判定主機械臂A、E之動作有無異常。再者，各處理模組係因應其動作對控制部51輸出訊號，根據該位置訊號，控制部51判定各處理模組之動作有無異常。然後，控制部51係當定主 機械臂A、E或各單位區塊之處理模組有動作異常時，進行搬運模式之變更。
(通常搬運模式F1)
接著，針對當實施通常搬運模式F1之時之塗佈、顯像裝置1中之晶圓W之搬運路徑予以說明。第10圖表示該搬運路徑之概略，從載體C取出至緩衝模組BU1之晶圓W，係被分配置第1~第3前方側單位區塊B1~B3，接收各處理之後，以第1前方側單位區塊B1→第1後方側單位區塊D1、第2前方側單位區塊B2→第2後方側單位區塊D2、第3前方側單位區塊B3→第3後方側單位區塊D3之路徑各被搬運。在第1~第3後方側單位區塊D1~D3接受處理之晶圓W搬入至曝光裝置S5之後，被分配至第4~第5之後方側單位區塊D4~D6，接受顯像處理。
在該例中，被分配至後方側單位區塊D1、D2、D3之晶圓W係各被分配至後方側單位區塊D4、D5、D6，之後各通過前方側單位B4、B5、B6而返回至載體C。再者，晶圓W係從被分配至控制部51之號碼小者依序，例如以單位區塊B1、B2、B3、B1、B2、B3、B1…之順序循環地被分配至單位區塊B1~B3。
針對晶圓W之搬運路徑當以模組單位詳細說明時，被設定成從收授模組BU1被分配至第1前方側單位區塊B1之晶圓W，係以收授機械臂30→疏水化處理模組 ADH1、ADH2之順序被搬運，被進行疏水化處理。之後，主機械臂A1係以收授模組CPL11→反射防止膜形成模組BCT1→加熱模組27→收授模組CPL12→光阻膜形成模組COT1→加熱模組27→收授模組CPL31之順序搬運上述晶圓W，在晶圓W依序形成反射防止膜、負型之光阻膜。
上述晶圓W係藉由主機械臂E而被搬入至第1後方側單位區塊D1，以保護膜形成模組TCT1→加熱模組33→收授模組CPL32之順序被搬運，形成保護膜，並且被搬運至背面洗淨模組BST1而接受背面洗淨處理。之後，晶圓W以主機械臂E1→收授模組CPL51之順序被搬運，被搬入至介面區塊S4。之後，晶圓W以介面機械臂36→收授模組BU22、BU23→介面機械臂36→收授模組CPL54→介面機械臂35→曝光裝置S5之順序被搬運，而被浸潤式曝光。
第8圖、第9圖係表示在該曝光裝置S5進行處理之樣子。圖中61為載置被曝光之晶圓W的平台，繞垂直軸旋轉。N為晶圓W之凹槽。63為曝光頭，一面使晶圓W曝光一面移動。曝光頭63係以鏈線之箭號所示般，一面對晶圓W照射光線一面在晶圓W之一方側和另一方側之間移動，並且每次進行該移動時，錯開成與移動方向正交。依此，在該晶圓W條紋狀地形成曝光區域64。在圖中曝光區域64賦予多數之點。之後，使晶圓W予以90度旋轉，曝光頭63再次同樣在晶圓W上動作，晶圓W被 曝光成格子狀。圖中之65為非曝光區域。
浸潤式曝光後之晶圓W係以介面機械臂35→收授模組BU21→介面機械臂36→曝光後洗淨模組PIR1~PIR4→介面機械臂36→收授模組TRS1之順序被搬運。然後，上述晶圓W係藉由主機械臂E4以加熱模組33→收授模組CPL41→負型色調顯像模組NTD1~NTD2之順序搬運第4後方側單位區塊D4，非曝光區域65溶解於顯像液，形成格子狀配列孔之圖案。並且，上述孔係被利用於例如接觸孔之形成。顯像後，晶圓W係以主機械臂E4→加熱模組33→收授模組CPL42之順序被搬運。
主機械臂A4將上述晶圓W依收授模組CPL21→收授機械臂30→收授模組BU11→收授機械臂30→檢查模組31之順序被搬運，檢查後，依收授機械臂30→收授模組CPL10→收授機械臂13之順序被搬運，收授機械臂13係使該晶圓W返回至載體C。並且，非檢查對象之晶圓W係以顯像、加熱處理後、收授模組CPL21→收授臂30→收授模組CPL10→收授機械臂13→載體C之順序被搬運。
被分配至第2前方側單位區塊B2之晶圓W係以與被分配至第1前方側單位區塊B1之晶圓W相同之順序在模組間搬運，接受同樣處理。之後，簡單針對被分配至第2前方側單位區塊B2之晶圓W之搬運路徑予以說明。該晶圓W係依收授模組BU1→收授機械臂30→疏水化處理模組ADH3、ADH4之順序被搬運之後，主機械臂A2依收 授模組CPL13→反射防止膜形成模組BCT2→加熱模組27→收授模組CPL14→光阻膜形成模組COT2→加熱模組27→收授模組CPL33之順序被搬運，形成負型之光阻膜。
之後，藉由主機械臂E2，上述晶圓W依保護膜形成模組TCT2→加熱模組33→收授模組CPL34→背面側洗淨模組BST2→收授模組CPL52之順序被搬運，被收授於介面機械臂36之後，以與被分配於第1前方側單位區塊B1之晶圓W相同之路徑依序被搬運至曝光裝置S5、曝光後洗淨模組PIR。之後，上述晶圓W係依上述曝光後洗淨模組PIR→介面機械臂36→收授模組TRS2→主機械臂E5→加熱模組33→收授模組CPL43→負型色調顯像模組NTD3~NTD4之順序被搬運，並被進行顯像處理。
之後，晶圓係W依主機械臂E5→加熱模組33→收授模組CPL44→主機械臂A5→收授模組CPL22→收授機械臂30→收授模組BU12→收授機械臂30→檢查模組31→收授機械臂30→收授模組CPL10→收授機械臂13→載體C之順序而被搬運。非檢查對象之晶圓W係從顯像、加熱處理後、收授模組CPL22藉由上述路徑而返回至載體C。
以被分配至第3前方側單位區塊B3之晶圓W也以與被分配至第1前方側單位區塊B1之晶圓W相同之順序接受處理之方式，在模組間搬運。以下，當簡單說明搬運路徑時，以收授模組BU1→收授機械臂30→疏水化處理模組ADH5、ADH6之順序被搬運之後，主機械臂A3將該晶圓W以收授模組CPL15→反射防止膜形成模組BCT3→加熱 模組27→收授模組CPL16→光阻膜形成模組COT3→加熱模組27→收授模組CPL35之順序搬運，形成負型之光阻膜。
之後，晶圓W係以主機械臂E3→保護膜形成模組TCT3→主機械臂E3→加熱模組33→主機械臂E3→收授模組CPL36→背面側洗淨模組BST3→收授模組CPL53→介面機械臂36之順序被搬運。以後，晶圓W係以上述路徑搬運介面區塊S4而進行曝光，並接受曝光洗淨處理，收授至介面機械臂36→收授模組TRS3之後，藉由主機械臂E6以加熱模組33→收授模組CPL43→負型顯像模組NTD5、NTD6之順序被搬運，並被顯像處理。
之後。晶圓W係依主機械臂E6→加熱模組33→收授模組CPL44→主機械臂A5→收授模組CPL23→收授機械臂30→收授模組BU13→收授機械臂30→檢查模組31→收授機械臂30→收授模組CPL10→收授機械臂13→載體C之順序而被搬運。非檢查對象之晶圓W係從顯像、加熱處理後、收授模組CPL23藉由上述路徑而返回至載體C。
(通常搬運模式G1)
接著，針對通常搬運模式G1之搬運路徑，一面參照第10圖一面以與搬運模式F1之差異點為中心予以說明。 與通常搬運模式F1實行時相同晶圓W係被搬運至前方側單位區塊B1~B3、後方側單位區塊D1~D3及介面驅塊S4、曝光裝置S5。但是，在各光阻膜形成模組COT中， 正型光阻被供給至晶圓W。於曝光後，被分配至前方側單位區塊B1、B2、B3之晶圓W，各被搬入至介面區塊S4之收授模組TRS1、TRS2、TRS3。
被搬入至收授模組TRS1之晶圓W係以主機械臂E4→收授模組CPL41→主機械臂A4之順序被收授而被搬入至前方側單位驅塊B4，主機械臂A4係將該晶圓W收授至加熱模組27→收授模組CPL42→顯像模組DEV1、DEV2→加熱模組27→收授模組CPL21。
被搬入至模組TRS2之晶圓W，係以主機械臂E5→收授模組CPL43→主機械臂A5之順序被收授而被搬入至前方側單位驅塊B4。主機械臂A5係將該晶圓W收授至加熱模組27→收授模組CPL44→顯像模組DEV3、DEV4→加熱模組27→收授模組CPL22。
收授模組TRS3之晶圓W係以主機械臂E6→收授模組CPL45→主機械臂A6之順序被收授而被搬入至前方側單位驅塊B6，主機械臂A6係將該晶圓W收授至加熱模組27→收授模組CPL46→顯像模組DEV5、DEV6→加熱模組27→收授模組CPL23。如此一來，被搬運至收授模組CPL21~CPL23之晶圓W係與實行通常搬運模式F1時相同被搬運至載體C。例如，在該通常搬運模式G1中，不進行如第9圖所示般，一次曝光晶圓W全體之後使平台61旋轉、曝光頭63之再移動及再曝光，形成與通常搬運模式F1不同之形狀的光阻圖案。
(搬運模式F2)
接著，針對實行搬運模式F2之時予以說明。該搬運模式F2係於實行搬運模式F1之時，於在前方側單位驅塊B1~B3中之任一者之單位區塊無法進行處理之時被實行之搬運模式，在可處理之前方側單位區塊B1~B3進行處理之後，將晶圓W分配至單位區塊D1~D3而進行搬運。 以後，一面參照第11圖，一面針對例如控制部51在搬運機械臂A1檢測出異常之時予以說明。當檢測出上述異常時，控制部51停止搬運機械臂A1之動作及前方側單位區塊B1之各處理模組之動作。然後，藉由收授機械臂30將後續之晶圓W交互搬運至第2、3前方側單位區塊B2、B3，在先前所述之搬運路徑，各晶圓W係搬運各前方側單位區塊B2、B3而接受處理，然後搬運至棚架單元U13之收授模組CPL33、CPL35。
然後，被搬運至模組CPL33、CPL35之晶圓W中，例如於通常搬運模式F1實行時預定在前方側單位區塊B1被處理之晶圓W，藉由收授機械臂40被搬運至收授模組CPL31，藉由主機械臂E1被搬入至後方側單位區塊D1。 針對其他晶圓W，從收授模組CPL32、CPL33藉由主機械臂E2、E3各被搬入至後方側單位區塊D2、D3。以後與實行通常搬運模式F1之時相同搬運各晶圓W被搬運，接受處理。然後，針對晶圓W之搬運停止之第1前方側單位區塊B1，使用者可以進行故障時之修理或定期檢點、調整確認等之維修。
在前方側單位區塊B2、B3不進行晶圓W之處理之時，也與該例相同，藉由可使用之前方側單位區塊B，進行處理，然後，藉由收授機械臂40，將晶圓W分配至用以將晶圓W搬入至各後方側單位區塊B4~B6之收授模組CPL。
(搬運模式F3)
接著，針對實行搬運模式F3之時予以說明。該搬運模式F3係於實行搬運模式F1之時，於在後方側單位區塊D1、D2、D3中之任一者無法進行處理之時被實行之搬運模式，將在前方側單位區塊B1~B3接受處理之晶圓W分配至上述D1~D3之後方側單位區塊中，能夠處理之後方側單位區塊。
之後，一面參照第12圖，一面針對例如主機械臂E1檢測出異常之時予以說明。控制部51係使主機械臂E1之動作及後方側單位區塊D1之各處理模組之動作停止。然後，當在前方側單位區塊D1被處理之晶圓W被搬運至收授模組CPL31之時，該晶圓W藉由收授機械臂40，交互被分配至棚架單元U13之收授模組CPL33、CPL35，從收授模組CPL33、CPL33被搬入至後方側單位區塊D2、D3而接受處理。
於曝光後，該些晶圓W係藉由介面機械臂37被分配至後方側單位區塊B4~B6而接受處理，與實行通常搬運模式F1時相同返回至載體C。然後，針對晶圓W之搬運 停止之第1後方側單位區塊D1，使用者可以進行先前所述之維修。在後方側單位區塊D2、D3中，無法執行晶圓W之處理之時也與該例相同，藉由收授機械臂40將晶圓W分配至D1~D3中能夠使用之後方側單位區塊D，晶圓W係在該單位區塊D被處理後，被分配至各後方單位區塊D4~D6。
(搬運模式G2)
接著，針對搬運模式G2予以說明。該搬運模式G2係於實行搬運模式G1之時，在前方側單位區塊B1、B2、B3中之任一者無法進行處理之時被實行之搬運模式。在能夠處理之前方側單位區塊B1~B3進行處理之後，將晶圓W分配至單位區塊D1~D3而進行搬運之模式。第13圖中，表示與第11圖同樣在前方側單位區塊B1無法進行處理之時的搬運路徑。若取代後方側單位區塊D4~D6，除去在前方側單位區塊B4~B6被顯像處理時，則與搬運模式F2相同搬運晶圓W。
(搬運模式G3)
接著，針對搬運模式G3予以說明。該搬運模式G3係於實行搬運模式G1之時，於在後方側單位區塊D1、D2、D3中之任一者無法進行處理之時被實行之搬運模式，將在前方側單位區塊B1~B3接受處理之晶圓W分配至上述D1~D3之後方側單位區塊中能夠處理之後方側單 位區塊。第13圖中，表示與第11圖同樣在後方側單位區塊D1無法進行處理之時的搬運路徑。若取代後方側單位區塊D4~D6，除去在前方側單位區塊B4~B6被顯像處理時，則與搬運模式F3相同搬運晶圓W。
雖然針對晶圓W之處理中從F1及G1自動切換搬運模式之例予以表示，但是也可以使用者從設定部57選擇使晶圓W之搬運停止之單位驅塊，指示切換至搬運模式F2、F3、G2及G3。然後，使用者可以如先前所述般維修停止搬運之單位區塊。
在上述之例中，雖然針對停止將晶圓W搬運至被三層化之相同構成之單位區塊中之一個，但是即使停止將晶圓W搬運至相同構成之單位區塊中之兩個亦可。再者，搬運模式F2、F3即使互相組合實行亦可，即使搬運模式G2、G3互相組合實行亦可。因此，即使同時停止將晶圓W搬運至前方側單位區塊B1~B3中之一個或兩個，後方側單位區塊D1~D3中之一個或兩個亦可。
再者，在塗佈、顯像裝置1中，隨著在檢查模組31檢查晶圓W之結果，可以停止晶圓W朝單位區塊搬運。 當具體予以說明時，當晶圓W被檢測出異常時，控制部51使成為異常的檢查項目，該晶圓W之ID、搬運路徑互相對應而當作檢查履歷，記憶於記憶體55。然後，控制部51係根據至此被記憶於記憶體55之過去之檢查之履歷，針對相同檢查項目，判斷通過相同單位區塊之特定片數之晶圓W是否被檢測出異常。
於判定檢測出異常之片數小於特定片數之時，持續進行處理。判定被檢測出異常之片數為特定片以上之時，決定停止朝該單位區塊搬運晶圓W。當如此決定時，控制部51以將晶圓W分配至成為搬運停止之單位區塊之方式，控制各收授機械臂及介面機械臂之動作，使用該些單位區塊而持續進行晶圓W之處理。再者，控制部51係停止決定搬運停止之單位區塊中之各處理模組之動作及主機械臂之動作。依此，使用者可以對該單位區塊進行已述之維修。
如此於藉由檢查結果停止單位區塊之搬運時，與實行上述搬運模式F2、G2等時不同，針對例如產生異常之晶圓W通過的所有單位區塊停止搬運。即是，除單位區塊B1~B3及D1~D3之外，即使針對單位區塊B4~B6及D4~D6，也停止朝成為異常之晶圓W通過之單位區塊搬運。
再者，在塗佈、顯像裝置1中，可以停止晶圓W搬運至每處理模組。當具體說明時，控制部51係當晶圓W被檢測出異常時，如先前所述般記憶檢查之履歷。接著，參照過去之檢查履歷，判定針對相同通過處理模組之晶圓W中，特定片數之晶圓W針對相同檢查項目被檢測出異常時，控制部51停止晶圓W搬運至該處理模組。即是，在單位區塊中，晶圓W被搬運至成為搬運停止之處理模組以外之同種處理模組，持續搬運在單位區塊之晶圓W。 但是，針對BCT、COT、TCT及BST，因在各單位區塊各 設置一台，故於決定停止朝該些液處理模組搬運之時，停止晶圓W朝例如包含該液處理模組之單位區塊搬運。針對如此停止朝每單位區塊搬運晶圓W，或以處理模組單位停止晶圓W之搬運，使用者可以由設定部57設定。
若藉由該塗佈、顯像裝置1時，疊層用以在晶圓W形成下層側之反射防止膜及光阻膜之前方側單位區塊B1~B3，在光阻膜之上疊層用以形成上層側之膜的後方側單位區塊D1~D3，前後連結該些疊層體，並且構成在前方側單位區塊B1~B3，和對應之後段處理用之後方側單位區塊D1~D3之間之各層設置收授模組，可藉由收授機械臂40在該收授模組間進行晶圓W之收授。因此，即使藉由前方側單位區塊B1~B3中之任一者故障或維修等而無法使用，亦可以在能夠使用之前方側單位區塊B1~B3進行處理之後，將晶圓W分配至後方側單位區塊D1~D3之各層。再者，即使後方側單位區塊D1~D3中之任一者由於故障或維修等而無法使用，亦可以在前方側單位區塊B1~B3進行處理之後，將晶圓W分配至後方側單位區塊D1~D3中，能夠使用之各層。依此，可以謀求處理量之提升。再者，因在前方側區塊B1~B3之疊層體上、後方側單位區塊D1~D3之疊層體上，各疊層用以進行顯像處理之前方側區塊B4~B6、後方側單位區塊D4~D6，故可以抑制裝置之設置面積，並且也可以抑制從裝置之載體區塊S1朝向介面區塊S之長度的尺寸。
並且，在該塗佈、顯像裝置1中，因可以選擇執行負 型顯像、正型顯像，故比起設置複數各執行該些顯像處理之塗佈、顯像裝置之時，可以謀求降低成本及刪減工廠內裝置之設置面積。並且，第8圖、第9圖所示之搬運模式F1~F3中之曝光圖案為一例，如上述般，並不限定於在晶圓W之旋轉前後進行曝光，即使一面使曝光頭63僅一次在晶圓上掃描一面曝光亦可。
在上述塗佈、顯像裝置1中，後方側單位區塊B1~B3之各棚架單元U8~U12除加熱模組33之外，即使也具備對光阻塗佈後之晶圓W進行周緣曝光之周緣曝光模組WEE及檢查模組亦可。此時，被搬入至後方側單位區塊B1~B3之晶圓W以周緣曝光模組WEE→檢查模組→檢查模組→保護膜形成模組TCT之順序被搬運。
在上述檢查模組中，檢查例如光阻膜之表面有無異物及光阻之膜厚。然後，當晶圓W被檢測出異常時，控制部51根據搬運行程進行先前已述之判定，針對檢測出異常之晶圓W通過之處理模組或單位區塊，停止後續晶圓W之搬運。再者，即使在後方側單位區塊B1~B3以保護膜形成模組TCT→加熱模組33→檢查模組之順序搬運晶圓W，針對保護膜形成後之晶圓W檢查異物或各膜之膜厚亦可。此時，也是當晶圓W檢測出異常時，同樣針對晶圓W通過之處理模組或單位區塊，停止後續之晶圓W之搬運。
再者，當藉由各檢查模組之檢查結果停止朝各處理模組搬運，針對液處理模組BCT、COT、TCT、BST及 DEV，亦可以控制停止晶圓W搬運至例如每個處理罩杯。即是，在該些各處理模組中，可以停止晶圓W搬運至處理完發生異常之晶圓W之處理罩杯23，持續將晶圓W搬運至共有該處理罩杯23和噴嘴24之處理罩杯23。 如此停止將晶圓W搬運至每處理罩杯23時，為了調整裝置內之晶圓W的處理片數，於不使用例如一個BCT之處理罩杯23時，可以設定成不使用相同單位區塊之一個的COT之處理罩杯23。同樣於不使用例如一個COT之處理罩杯23之時，相同之單位區塊之一個BCT亦可以設定成不使用。並且，如此一來，即使在構成與停止朝COT及BCT之處理罩杯23搬運的單位區塊相同之單位區塊，藉由停止朝COT之一個處理罩杯23及BCT之一個處理罩杯23搬運，來調整晶圓W之處理片數亦可。
再者，在上述塗佈、顯像裝置1中，TCT即使非保護膜形成模組，是在光阻膜之上層形成反射防止膜之模組亦可。再者，在疏水化處理模組ADH中進行的疏水化處理，即使於形成上述反射防止膜之後，光阻塗佈前進行，來取代在反射防止膜形成模組BCT形成反射防止膜之前亦可，即使於塗佈光阻後，將晶圓W搬運至單位區塊B3、B4之前進行亦可。
在各液處理單元21、32中，被供給至晶圓W之藥液係朝被設置在例如塗佈、顯像裝置1之下方側的無圖式之排液路排液。在反射防止膜形成模組BCT、光阻膜形成模組COT及保護膜形成模組TCT中被供給至晶圓W之藥液 之黏度，因高於在顯像模組DEV及NTD被供給之顯像液之黏度，故藉由如該實施型態般將顯像模組DEV、NTD配置在上側之單位區塊，並將其他液處理模組配置在下側之單位區塊，則可以快速排出各藥液。其結果，因可以防止藥液在各處理模組發揮，故可以防止液處理單元21內之處理環境變化。但是，即使包含顯像模組DEV及負型色調顯像模組NTD之單位區塊位於較包含反射防止膜形成模組BCT、光阻膜形成模組COT及保護膜形成模組TCT之單位區塊下方亦可。
再者，如第15圖所示般，即使在前方側單位區塊B4~B6配置顯像模組DEV，在後方側單位區塊D4~D6配置負型色調顯像模組NTD亦可。如第16圖所示般，即使前方側單位區塊B4~B6及後方側單位區塊D4~D6包含顯像模組DEV及NTD亦可。再者，即使藉由所有DEV或NTD構成單位區塊B4~B6及D4~D6之液處理模組亦可。
第17圖表示其他介面區塊S4之構成。就以與先前已述之介面區塊S4之差異點而言，可舉出疊層設置曝光前洗淨模組RD1~RD4及設置有介面機械臂37之點。曝光前洗淨模組RD1~RD4係將洗淨液供給至曝光前之晶圓W之表面，並沖洗該晶圓W之表面溶出物。
在後方側單位區塊B1~B3被處理，各被搬運至收授模組CPL51~CPL53之晶圓W，係以介面機械臂36→收授模組BU22→曝光前洗淨模組RD1~RD4之順序被搬 運，藉由曝光前洗淨模組RD1~RD4而被洗淨。之後，晶圓W以介面機械臂37→收授模組BU23→介面機械臂36→收授模組CPL54→曝光裝置S5之順序被搬運。
並且，上述塗佈、顯像裝置1即使具備避開後方側單位區塊D4~D6中不能使用之單位區塊而進行搬運之搬運模式H亦可。在該搬運模式H中，係停止朝用以將晶圓W收授至介面區塊S4之棚架單元U14中不能使用之上述單位區塊的收授模組搬運。然後，將通過可用之單位區塊D4~D6而被搬運至棚架單元U13之晶圓W，藉由收授機械臂40分配至各前方側單位區塊B4~B6。
例如當後方側單位區塊D4之搬運機械臂E4故障時，介面機械臂36係停止朝對應於該後方側單位區塊D4之收授模組TRS1存取。然後，介面機械臂36係將曝光完之晶圓W各分配至各對應於後方側單位區塊D5、D6之收授模組TRS2、TRS3。然後，收授模組TRS2、TRS3之晶圓W各通過單位區塊D5、D6，各被搬運至棚架單元U13之收授模組CPL43、CPL45。
然後，被收授於上述收授模組CPL43、CPL45之晶圓W中，被設定成通過第4前方側單位區塊B4之晶圓W，藉由收授機械臂40被分配至收授模組CPL41，被搬運至該單位區塊B4。針對其他晶圓W，從收授模組43、45被搬運至前方側單位區塊B5、B6。以後，以先前已述之路徑返回至載體C。在各單位區塊搬運中，與先前已述之各模式相同晶圓W接受負型顯像或正型顯像處理。
並且，上述塗佈、顯像裝置1即使具備避開前方側單位區塊B4~B6中不能使用之單位區塊而進行搬運之搬運模式I亦可。在該搬運模式I中，接受曝光處理，被搬運至後方側單位區塊之棚架單元U13之收授模組CPL41、CPL43、CPL45之晶圓W中，將被收授於對應成為不能使用之上述單位區塊之收授模組CPL之晶圓W，藉由收授機械臂40搬運至其他收授模組CPL。然後，使通過在前方側單位區塊B4~B6中能夠使用之單位區塊。
例如，當前方側單位區塊B4之搬運機械臂A4故障時，收授機械臂40係將接受曝光處理而搬運至收授模組CPL41之晶圓W例如交互搬運至收授模組CPL43、CPL45，並從CPL43、CPL45被搬入至前方側單位區塊B5、B6。在各單位區塊搬運中，與先前已述之各模式相同晶圓W接受負型顯像或正型顯像處理。搬運模式H、I係與其他搬運模式相同，使用者亦可以任意從通常搬運模式F1、G1切換而加以實行。再者，亦可以與其他搬運模式F2、F3、G1、G2同時實行。
再者，如第18圖所示般即使設置在棚架單元U13中將晶圓W搬運至對應於單位區塊B1~B3之各收授模組的第1收授機械臂41，和例如將晶圓W搬運至對應於單位區塊B4~B6之各收授模組的第2收授機械臂42亦可。 該些第1及第2收授機械臂41、42係互相構成不同體，藉由獨立搬運晶圓W，可以抑制各機械臂之搬運負荷，謀求處理量之提升。
A1~A6‧‧‧主機械臂
B1~B6‧‧‧前方側單位區塊
ADH1、ADH2、ADH3、ADH4、ADH5、ADH6‧‧‧疏水化處理模組
BU1、BU11~BU13、BU21~BU23‧‧‧收授模組
D1~D6‧‧‧後方側單位區塊
E1~E6‧‧‧主機械臂
S1‧‧‧載體區塊
S2‧‧‧前方側處理區塊
S3‧‧‧後方側處理區塊
S4‧‧‧介面區塊
S20‧‧‧處理區塊
TRS1、TRS2、TRS3‧‧‧收授模組
C‧‧‧載體
CPL10、CPL11、CPL12、CPL13、CPL14、CPL15、CPL16、CPL21、CPL22、CPL23、CPL31、CPL32、CPL33、CPL34、CPL35、CPL36、CPL41、CPL42、CPL43、CPL44、CPL45、CPL46、CPL51、CPL52、CPL53、CPL54‧‧‧收授模組
U7、U13、U14‧‧‧棚架單元
11‧‧‧載置台
13‧‧‧收授機械臂
14‧‧‧晶圓保持部
31‧‧‧檢查模阻
40‧‧‧收授機械臂

Claims (12)

  1. 一種塗佈、顯像裝置，係將藉由載體搬入至載體區塊之基板收授於處理區塊，以該處理區塊形成含有光阻膜之塗佈膜之後，相對於上述處理區塊經位於與載體區塊相反側之介面區塊而搬運至曝光裝置，在上述處理區塊對經上述介面區塊而返回之曝光後之基板進行顯像處理而收授至上述載體區塊，該塗佈、顯像裝置之特徵為：(a)上述處理區塊包含：上下疊層有多數前段處理用之單位區塊的構造，該前段處理用之單位區塊具備：為了在基板形成下層側之反射防止膜，供給藥液之下層用之液處理模組；為了在上述反射防止膜上形成光阻膜，供給光阻液的塗佈模組；加熱基板之加熱模組；及為了在該些模組間搬運基板，在從載體區塊側延伸至介面區塊側之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構；多數後段處理用之單位區塊，其係與該前段處理用之單位區塊鄰接而各被設置在多數之前段處理用之單位區塊之介面區塊側，具備：為了在形成有光阻膜之基板形成光阻膜之上層側之保護膜，供給藥液之上層用之液處理模組；加熱基板之加熱模組；為了在該些模組間搬運基板，在從載體區塊側延伸至介面區塊側之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構；塗佈處理用之收授部，其係各被設置在前段處理用之單位區塊和對應之後段處理用之單位區塊之間，用以在兩 單位區塊之搬運機構之間進行基板之收授：第1顯像處理用之疊層區塊，該係上下疊層多數顯像處理用之單位區塊而構成，且相對於上下疊層有多數上述前段處理用之單位區塊的構造而被疊層於上下方向，且該顯像處理用之單位區塊具備：對基板供給顯像液之液處理模組；加熱基板之加熱模組；及在從載體區塊側延伸至介面區塊側之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構；第2顯像處理用之疊層區塊，該係上下疊層複數顯像處理用之單位區塊而構成，且相對於上下疊層有多數上述後段處理用之單位區塊的構造而被疊層於上下方向，且該顯像處理用之單位區塊具備：對基板供給顯像液之液處理模組；加熱基板之加熱模組；及在從載體區塊側延伸至介面區塊側之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構；顯像處理用之收授部，其係各被設置在第1顯像處理用之疊層區塊之單位區塊和對應於該單位區塊之第2顯像處理用之疊層區塊之單位區塊之間，用以在兩單位區塊之搬運機構之間進行基板的收授；及輔助移載機構，其係為了在各段之塗佈處理用之收授部之間及各段之顯像處理用之收授部之間進行基板之搬運，被設置成升降自如，該塗佈、顯像裝置具備：(b)搬入搬出用之收授部，其係被設置在每個單位區塊的載體區塊側，在與各單位區塊之搬送機構之間進行基板之收授； (c)第1收授機構，其係用以將基板從載體分配至對應於前段處理用之各單位區塊的搬入搬出用之上述收授部而進行收授，並且使基板從對應於顯像處理用之各單位區塊之搬入搬出用之收授部返回至載體；及(d)第2收授機構，其係用以接取在上述處理區塊被處理之曝光前之基板，將曝光後之基板分配至顯像處理用之單位區塊而進行收授。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之塗佈、顯像裝置，其中在後段處理用之單位區塊，藉由該後段處理用之單位區塊用的搬運機構收授基板，設置有用以洗淨曝光前之基板的洗淨模組。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之塗佈、顯像裝置，其中上述洗淨模組具備有用以洗淨形成有光阻膜之基板之背面側的機構。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中上述第1顯像處理用之疊層區塊係藉由進行正型顯像之單位區塊群而構成，上述第2顯像處理用之疊層區塊係藉由進行負型顯像之單位區塊群而構成。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中 上述第1顯像處理用之疊層區塊包含進行正型顯像之單位區塊和進行負型顯像之單位區塊，上述第2顯像處理用之疊層區塊包含進行正型顯像之單位區塊和進行負型顯像之單位區塊。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中具備有控制部，該控制部係實行下述步驟：針對前段處理用之單位區塊發生故障或進行維修之時，不將該單位區塊當作成為不使用之單位區塊來使用，在其他前段處理用之單位區塊，於基板形成下層側之反射防止膜及光阻膜之步驟；和在該步驟之後，經上述輔助移載機構，將該基板搬運至成為不使用之單位區塊之介面區塊側之後段處理用之單位區塊的步驟。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中具備有控制部，該控制部係實行下述步驟：針對後段處理用之單位區塊發生故障或進行維修之時，不將該單位區塊當作成為不使用之單位區塊來使用，在成為不使用之單位區塊之載體區塊側之前段處理用之單位區塊，於基板形成下層側之反射防止膜及光阻膜之步驟；和在該步驟之後，經上述輔助移載機構，將該基板搬運至其他階層之後段處理用之單位區塊的步驟。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中 前段處理用之單位區塊之疊層數及後段處理用之單位區塊之各個疊層數量為3層。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中第1顯像處理用之疊層區塊及第2顯像處理用之疊層區塊之各個的單位區塊之疊層數為3層。
  10. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中上述輔助搬運機構具備：用以進行各段之塗佈處理用之收授部之間之搬運的第1輔助移載機構，和用以進行各段之顯像處理用之收授部之間之搬運的第2輔助移載機構。
  11. 一種塗佈、顯像方法，其特徵為：使用如申請專利範圍第1項所記載之塗佈、顯像裝置，實施：於對前段處理用之單位區塊產生故障時或進行維修時，不將該單位區塊當作成為不使用之單位區塊來使用使用，在其他之前段處理用之單位區塊，在基板形成下層側之反射防止膜及光阻膜的工程；接著，經輔助移載機構將該基板搬運至成為不使用之單位區塊之介面區塊側之後段處理用之單位區塊的工程；及之後，藉由該後段處理用之單位區塊內之模組，形成光阻膜之上層側之保護膜的工程及洗淨基板的工程。
  12. 一種塗佈、顯像方法，其特徵為：使用如申請專利範圍第1項所記載之塗佈、顯像裝置，實施：於對後段處理用之單位區塊產生故障時或進行維修時，不將該單位區塊當作成為不使用之單位區塊來使用，在成為不使用之單位區塊之載體區塊側之前段處理用之單位區塊，在基板形成下層側之反射防止膜及光阻膜的工程；接著，經輔助移載機構將該基板搬運至其他階層之後段處理用之單位區塊的工程；及之後，藉由該後段處理用之單位區塊內之模組，形成光阻膜之上層側之保護膜的工程及洗淨基板的工程。
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