CN110783166A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够将多个基板在装置间统一搬运并在依次处理部及同时处理部适当地进行搬运及处理的基板处理装置。基板处理装置具有接受部、依次处理部、同时处理部和控制部。接受部接受附加有包括识别信息、位置信息和工艺信息的整体基板数据的多个基板。依次处理部依次搬运并处理多个基板(W)。同时处理部同时处理多个基板。控制部根据整体基板数据生成多个基板的每一个基板固有的个别基板数据,并根据个别基板数据控制依次处理部对多个基板的每一个基板的搬运及处理,当经依次处理部处理后的多个基板聚齐在出口位置时,根据个别基板数据生成整体基板数据,并根据整体基板数据控制所述同时处理部对所述多个基板的搬运及处理。
Description
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
已知具有多个处理装置的涂布机/显影装置。例如,在专利文献1所记载的涂布机/显影装置中,从分度器部所承载的盒中取出的多个基板被按顺序投入清洗装置,然后,依次经过脱水焙烧装置、抗蚀剂涂敷装置、预焙烧装置、曝光装置、显影装置以及后焙烧装置,再次收纳于盒中。
该涂布机/显影装置中混用下面两个类型的处理装置,即,混用依次处理装置和可变搬运型处理装置。向该依次处理装置逐枚地搬入基板。依次处理装置将这些基板依次地向一个方向搬运并对基板逐枚地进行处理。作为该依次处理装置,可例示出清洗装置及显影装置。
同样,向可变搬运型处理装置逐枚地搬入基板。可变搬运型处理装置具有多个处理部和向该多个处理部搬运基板的基板搬运单元。基板搬运单元具有接收基板的手部和使该手部向各个处理部移动的移动机构。该基板搬运单元从上游侧的装置逐枚地接收基板并将基板传递给处理部。另外,基板搬运单元也能够在处理部之间搬运基板。作为该可变搬运型处理装置,例如,可例示出脱水焙烧装置。在该脱水焙烧装置中,作为多个处理部设置加热部及冷却部。
在现有的涂布机/显影装置中,对各个基板分别固有的基板数据进行处理。该基板数据包括用于识别基板的识别信息、用于对基板进行处理的工艺信息以及表示针对基板的处理是否正常完成的错误信息等各种信息。
现有技术文献
专利文献
日本特开2015-156426号公报
发明内容
发明所要解决的问题
为了提高基板处理的吞吐量,会考虑将多个基板在装置间统一搬运。具体来讲,向依次处理装置一次搬运多个基板,在依次处理装置中逐枚地、依次地搬运并进行处理,向可变搬运型处理装置一次搬运经处理后的多个基板。据此,在装置间一次搬运多个基板,所以能够提高吞吐量。
另外,在可变搬运型处理装置中,同样考虑同时处理多个基板。例如,考虑在脱水焙烧装置中同时加热多个基板。据此,能够提高基板处理的吞吐量。
但是,没有研究能够将多个基板在装置间统一搬运并在各个装置中对基板适当地进行处理的基板数据的处理方案。此处所称的基板数据是对应于基板而分配的数据,包括与该基板相关的信息,具体来讲,包括识别基板的识别信息及表示对基板的处理的工艺信息等信息。
本申请的目的在于提供一种能够将多个基板在处理部间统一搬运并在依次处理部及同时处理部中适当地进行搬运及处理的基板处理装置及基板处理方法。
解决问题的技术方案
基板处理装置的第一方式是一种基板处理装置,具有:接受部,接受附加有整体基板数据的多个基板,所述整体基板数据包括用于识别多个基板的固有的识别信息、表示所述多个基板的在搬运方向上的位置关系的位置信息和用于规定处理内容的所述多个基板通用的工艺信息;依次处理部,依次搬运并处理所述多个基板;同时处理部,同时处理所述多个基板;以及控制部,所述控制部根据所述整体基板数据生成作为所述多个基板的每一个基板固有的数据的个别基板数据,所述个别基板数据包括所述识别信息、所述位置信息及所述工艺信息,根据所述个别基板数据,控制所述依次处理部中的对所述多个基板的每一个基板的搬运及处理,当经所述依次处理部处理后的多个基板聚齐在出口位置时,根据所述个别基板数据生成所述整体基板数据,根据所述整体基板数据控制所述同时处理部中的所述多个基板的搬运及处理。
基板处理装置的第二方式是根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,当所述依次处理部针对所述多个基板的一个基板发生错误时,所述控制部在所述多个基板的所述一个基板的所述个别基板数据中附加第一错误信息。
基板处理装置的第三方式是根据权利要求1或者2所述的基板处理装置,其中,当所述同时处理部针对所述多个基板发生错误时,所述控制部在所述整体基板数据中附加第二错误信息。
基板处理方法的第一方式是一种基板处理方法,包括:接受工序,接受附加有整体基板数据的多个基板,所述整体基板数据包括用于识别多个基板的固有的识别信息、表示所述多个基板的搬运方向上的位置关系的位置信息和用于规定处理内容的所述多个基板通用的工艺信息;依次处理工序,依次地搬运并处理所述多个基板;以及同时处理工序,同时处理所述多个基板,所述依次处理工序包括:根据所述整体基板数据生成作为所述多个基板的每一个基板固有的数据的个别基板数据的工序,所述个别基板数据包括所述识别信息、所述位置信息及所述工艺信息;根据所述个别基板数据控制针对所述多个基板的每一个基板的搬运及处理的工序;以及当经处理后的多个基板聚齐在出口位置时,根据所述个别基板数据生成所述整体基板数据的工序,所述同时处理工序包括:根据所述整体基板数据控制所述多个基板的搬运及处理的工序。
发明效果
根据基板处理装置的第一方式及基板处理方法的第一方式,能够将多个基板在处理部间统一搬运,并且在依次处理部及同时处理部适当地进行搬运及处理。
根据基板处理装置的第二方式,当针对各个基板发生错误时,在发生该错误的基板的个别基板数据中附加第一错误信息。因此,容易区分针对哪个基板发生了错误。
根据基板处理装置的第三方式,当针对多个基板发生错误时,在整体基板数据中附加第二错误信息。因此,与针对各个基板均附加第二错误信息的情况相比,能够降低整体基板数据的信息量。
通过下述的详细说明及附图,与本申请说明书所公开的技术相关的目的、特征、方面、优点变得更清楚。
附图说明
图1是概略地表示基板处理装置的结构的一个例子的俯视图。
图2是概略地表示依次处理装置的结构的一个例子的侧视图。
图3是概略地表示同时处理装置的结构的一个例子的俯视图。
图4是概略地表示控制部的结构的一个例子的功能框图。
图5是概略地表示整体基板数据的一个例子的图。
图6是表示控制部的动作的一个例子的流程图。
图7是概略地表示个别基板数据的一个例子的图。
图8是概略地表示个别基板数据的一个例子的图。
附图标记说明
1 基板处理装置
30 依次处理部(依次处理装置)
31 接受部(基板导入部)
33 出口位置(基板导出部)
40 同时处理部(同时处理装置)
60 控制部
具体实施方式
下面,参考附图详细说明实施方式。另外,为了容易理解,根据需要对各部件的尺寸及数量进行夸大或简略地描述。
<1.基板处理装置的整体结构及整体动作>
图1是概略地表示基板处理装置1的结构的一个例子的图。在图1的例子中,基板处理装置1为涂布机/显影装置,主要具有的处理装置有:清洗装置12、脱水焙烧装置13、涂敷关联装置14、预焙烧装置15、显影装置17以及后焙烧装置18。另外,在基板处理装置1的一侧配置有针对基板处理装置1搬入、搬出基板的分度器部11。并且,在基板处理装置1的另一侧经由未图示的接口部配置有曝光装置16。
在从分度器部11到曝光装置16为止的前进路线上,将清洗装置12、脱水焙烧装置13、涂敷关联装置14及预焙烧装置15按此顺序进行配置。在从曝光装置16到分度器部11为止的返回路线上,将显影装置17及后焙烧装置18按此顺序进行配置。
分度器部11上承载有收纳多个基板的多个盒。基板例如是用于液晶显示装置的矩形玻璃基板。在分度器部11上配置有作为基板搬运单元的分度器机器人。分度器机器人从盒中取出基板,并向清洗装置12搬运该基板。在清洗装置12中对基板进行清洗处理。将进行清洗处理后的基板搬运至脱水焙烧装置13。在脱水焙烧装置13中,通过加热进行脱水处理(脱水焙烧处理)。将进行脱水焙烧处理后的基板搬运至涂敷关联装置14进行包括抗蚀剂的涂敷处理的各种处理。将进行该处理后的基板搬运至预焙烧装置15进行加热处理。将进行加热处理后的基板搬运至曝光装置16进行曝光处理。
将进行这些处理后的基板搬运至显影装置17进行显影处理。将进行显影处理后的基板搬运至后焙烧装置18进行加热处理。然后,将该基板通过分度器机器人收纳在承载于分度器部11上的盒内。通过这一系列的处理,在基板的表面上形成抗蚀剂的图案。
<2.处理装置的类型>
在该基板处理装置1中,作为处理装置的类型,混用下面两个类型的处理装置,即,混用依次向一个方向搬运基板并对该基板逐枚地进行处理的依次处理装置(平流处理装置)和对N(2以上的整数)枚基板统一同时进行处理的同时处理装置。此外,同时处理装置对N枚基板进行处理的时间不必完全一致,只要各个处理时间的至少一部分重叠即可。总之,此处所称同时是相对于各个处理时间完全不重叠的状态而言的。作为依次处理装置,可以例示清洗装置12及显影装置17,作为同时处理装置,可以例示脱水焙烧装置13、涂敷关联装置14、预焙烧装置15及后焙烧装置18。
<2-1.依次处理装置>
图2是概略地表示依次处理装置30的结构的一个例子的图。依次处理装置30具有处理装置主体32和基板导出部33,在依次处理装置30之前设置有基板导入部(接受部)31。基板导入部31一次接收从上游的装置搬运来的多个(N枚)基板W。处理装置主体32逐枚地、依次地接收从基板导入部31搬运来的多个基板W,沿着一个方向(搬运方向)搬运该基板W并对基板W进行各种处理。将处理后的基板W从处理装置主体32向基板导出部33搬运。基板导出部33依次地接收从处理装置主体32搬运来的多个基板W。基板导出部33能够保持依次接收到的多个(N枚)基板W。从基板导出部33一次取出多个基板W并将其向下游的装置搬运。此外,可以认为基板导入部31包含于依次处理装置30。基板导入部31作为依次处理装置30的入口位置发挥作用,基板导出部33作为依次处理装置30的出口位置发挥作用。
<2-1-1.基板导入部31>
基板导入部31具有作为搬运机构的多个辊311及多个辊313。辊311、313的截面为圆形,辊311、313被设置为其中心轴与基板W的搬运方向大致垂直且呈大致水平。此处所称搬运方向是依次处理装置30中基板W的搬运方向。多个辊311沿着搬运方向隔开间隔地排列设置。各个辊311能够以自身的中心轴为旋转轴旋转。各个辊311的中心轴的两端分别可旋转地固定于支撑板(未图示)。该一对支撑板是沿着搬运方向延伸的板状部件,其固定在地板面上设置的规定的架台312上。多个辊313沿着搬运方向隔开间隔地排列设置。辊313比辊311更位于下游侧,被设置为与辊311相同的高度。各个辊313能够以自身的中心轴为旋转轴旋转。各个辊313的中心轴的两端分别可旋转地固定于支撑板。
多个辊311通过驱动部(未图示)驱动,沿预定的相同方向以大致等同的旋转速度旋转(同步旋转)。驱动部具有马达。多个辊311上承载基板W。基板W以其主面的法线方向沿着竖直方向的方式被承载。在此状态下,通过多个辊311在相同方向上同步旋转,从而使基板W在辊311上沿着搬运方向向处理装置主体32移动。多个辊313也通过驱动部(未图示)驱动并同步旋转。辊311、313单独进行控制。
在辊311、313上逐枚地承载基板W。例如,可以从分度器部11将两枚基板W1承载于辊311、313上。在此状态下,仅使辊313同步旋转,从而能够向处理装置主体32搬运辊313上的基板W。然后,通过使辊311、313双方同步旋转,从而能够向处理装置主体32搬运辊313上的基板W。
下面,也将两枚基板W中的一个称作基板W1,将另一个称作基板W2。其中,基板W1比基板W2更位于上游侧。
<2-1-2.基板导出部33>
基板导出部33能够保持从处理装置主体32依次搬运的多个(N枚)基板W。基板导出部33能够保持的基板W的数量与随后的同时处理装置40(例如,脱水焙烧装置13)所处理的基板W的数量相同。其中,作为一个例子,基板导出部33保持两枚基板W,同时处理装置40对两枚基板W同时进行处理。
基板导出部33具有作为搬运机构的多个辊331及多个辊332、传感器334、335。辊331、332的截面为圆形。辊331以其中心轴与基板W的搬运方向垂直且呈水平的方式沿着搬运方向隔开间隔地配置。辊332配置得比辊331更靠近下游侧。辊332以与辊331同样的姿态沿着搬运方向隔开间隔地配置。各个辊331、332的中心轴的两端分别可旋转地固定于支撑板(未图示)。多个辊331通过驱动部(未图示)同步旋转,多个辊332通过驱动部(未图示)同步旋转。因为辊331及辊332由互不相同的驱动部驱动,所以能够相互独立地控制。各个驱动部例如具有马达。
辊331、332设置在相互相同的高度。从处理装置主体32向辊331搬运基板W,并适当地从辊331向辊332搬运基板W。如后述说明的那样,一枚基板W停止在辊331上,一枚基板W停止在辊332上。由此,基板导出部33能够保持两枚基板W。
传感器334检测辊331上的停止位置是否存在基板W。传感器335检测辊332上的停止位置是否存在基板W。传感器334、335例如是光学式传感器,当接收了来自基板W的反射光时,检测基板W。传感器334、335的检测结果被输出给控制部60。
基板导出部33能够从处理装置主体32依次接收并保持两枚基板W。首先,第一枚基板W通过辊331、332的同步旋转被搬运至辊332上的停止位置。具体来讲,当传感器334、335均未检测到基板W时,同步旋转辊331、332,向基板导出部33搬运来自处理装置主体32的基板W。并且,当传感器335检测出基板W时停止辊332的同步旋转。由此,第一枚基板W在辊332上停止并被支撑。针对第二枚基板W,不旋转辊332,同步旋转辊331,从而将该基板W搬运至辊331的停止位置。具体来讲,当传感器334检测出基板W时停止辊331的同步旋转。也就是说,当传感器334、335均检测到基板W时,停止辊331的同步旋转。由此,第二枚基板W在辊331上停止并被支撑。如此这般,基板导出部33能够保持两枚基板W。
<2-1-3.处理装置主体32>
处理装置主体32具有作为搬运机构的多个辊321。多个辊321具有与辊311同样的形状,并被配置为与辊311同样的姿态。辊321的中心轴上的两端分别可旋转地固定于支撑板(未图示)。多个辊321沿着搬运方向隔开间隔排列。多个辊321设置为与基板导入部31的辊311相同的高度,基板W能够从辊311按辊313、321、331的顺序经由辊313、321、331向辊332移动。
处理装置主体32针对在辊321上移动的基板W,在其搬运方向的各个位置适当地进行处理。其中,作为依次处理装置30举例说明清洗装置12。例如,处理装置主体32具有药液部34、水洗部35及除水部36。药液部34、水洗部35及除水部36从上游向下游以此顺序串联设置。另外,多个辊321跨越药液部34、水洗部35及除水部36设置。多个辊321被驱动部(未图示)驱动并同步旋转。由此,能够沿着搬运方向搬运基板W,使其按顺序通过药液部34、水洗部35及除水部36。
药液部34是向辊321上的基板W供给药液并清洗基板W的装置。药液部34具有喷出药液的多个喷嘴341、贮存药液的药液槽342、连接药液槽342及喷嘴341的供给管343、经由供给管343向喷嘴341供给药液的泵344。喷嘴341沿竖直方向设置在基板W的两侧,向基板W的两面供给药液。药液部34可以具有用于刷洗基板W的刷子(未图示)等。通过向基板W供给药液并进行刷洗,从而能够提高清洗效果。供给至基板W的药液主要从基板W的周缘落下并被回收至药液槽342。
水洗部35是通过向基板W供给清洗水来冲洗掉残留在基板W上的药液的装置。水洗部35具有贮存清洗水的第一水槽355及第二水槽356。另外,水洗部35从上游向下游具有按后述顺序配置的低压水供给部351、高压水供给部352、超声波清洗水供给部353及纯水供给部354。各部351~354与药液部34同样地具有向基板W喷出液体的喷嘴、与该喷嘴连接的供给管、经由该供给管向该喷嘴供给液体的泵。低压水供给部351的泵是低压泵,以低压力从第一水槽355汲取清洗水并供给至喷嘴。由此,低压水供给部351能够以低压向基板W供给清洗水。高压水供给部352的泵是高压泵,以高压力从第一水槽355汲取清洗水并供给至喷嘴。由此,高压水供给部352能够以高压向基板W供给清洗水。由低压水供给部351及高压水供给部352供给的清洗水主要从基板W的周缘落下并被回收至第一水槽355。
超声波清洗水供给部353的喷嘴上设置有向来自第二水槽356的清洗水提供超声波振动的超声波振子。超声波清洗水供给部353向基板W供给振动状态的清洗水。超声波清洗水供给部353所供给的清洗水主要被回收至第二水槽356。纯水从纯水供给部354的喷嘴向基板W供给。该纯水主要被回收至第二水槽356。
除水部36是一种通过向基板W流动高压气流从而将水从基板W上吹散的装置。除水部36具有向基板W喷射气体的喷射部361、供给气体的气体供给部362、连接喷射部361及气体供给部362的管道363。气体供给部362是作为工厂设备(应用工具)设置的气体源。
如上所述,在处理装置主体32中沿着搬运方向搬运基板W,在各个位置进行各种处理。向基板导出部33搬运由处理装置主体32进行了全部处理后的基板W。
<3.同时处理装置40>
图3是概略地表示同时处理装置40的结构的一个例子的图。其中,作为同时处理装置40举例说明脱水焙烧装置13。图3是表示脱水焙烧装置13的结构的一个例子的概略图。
<3-1.脱水焙烧装置13>
脱水焙烧装置13具有加热部HP及冷却部CP。该脱水焙烧装置13从搬运机器人(基板搬运单元)TR1接收由清洗装置12进行清洗处理后的两枚基板W,并同时对接收到的两枚基板W进行处理。
<3-1-1.搬运机器人TR1>
搬运机器人TR1具有手部H1、移动机构51、升降机构52和旋转机构53。移动机构51能够使手部H1在水平面内移动。例如,移动机构51具有一对臂。各个臂具有长条状的多个连接部件,该连接部件的各个端部可旋转地连接。各个臂的一端与手部H1相连接,另一端与升降机构52相连接。通过控制连接部件的连接角度,从而能够使手部H1在水平面内移动。升降机构52使臂沿着竖直方向升降,从而升降手部H1。升降机构52例如具有滚珠螺杆机构。旋转机构53能够使升降机构52以沿着竖直方向的旋转轴为中心旋转。由此,手部H1沿周向转动。通过该转动,能够改变手部H1的方向。旋转机构53例如具有马达。
手部H1承载沿水平的一个方向上排列的状态的两枚基板W。手部H1具有例如多根指状部件F1、连接指状部件F1的基端的基端部件P1。该基端部件P1连接臂的一端。指状部件F1为长条状,其上表面承载基板W。该两枚基板W沿着指状部件F1的长度方向排列并被承载。因此,根据两枚基板W的长度和基板W间的间隔设定指状部件F1的长度方向的长度。
通过搬运机器人TR1适当地移动并旋转手部H1,从而能够使手部H1向加热部HP、冷却部CP、清洗装置12的基板导出部33以及下一工序的涂敷关联装置14(图5中未图示)的每一个移动。搬运机器人TR1能够从基板导出部33、加热部HP及冷却部CP的每一个一次取出两枚基板W,或者,向加热部HP、冷却部CP及涂敷关联装置14的每一个一次发送两枚基板W。
例如,搬运机器人TR1如下述方式从基板导出部33一次取出两枚基板W。即,搬运机器人TR1使手部H1位于基板导出部33所保持的两枚基板W的下方,并使手部H1向基板导出部33移动。
此外,辊331、332构成为避免与搬运机器人TR1的手部H1发生冲突。并且,搬运机器人TR1使手部H1向竖直上方上升,从而,两枚基板W通过手部H1被抬升。由此,两枚基板W分别离开辊331、332。两枚基板W在手部H1上沿其长度方向隔开间隔排列并被承载。两枚基板W以其主面的法线方向沿着竖直方向的姿态被承载于手部H1上。
然后,搬运机器人TR1以远离基板导出部33的方式移动手部H1,从而从基板导出部33一次取出两枚基板W。
此外,可以在指状部件F1的上表面(承载基板W的面)上形成多个吸引口。该吸引口设置在与两枚基板W相对的位置,从该吸引口抽出空气从而吸引基板W。由此,能够提高用于保持基板W的保持力。
搬运机器人TR1通过与上述动作同样的动作分别从加热部HP及冷却部CP一次取出两枚基板W。另一方面,搬运机器人TR1以与上述动作相反的顺序,分别向加热部HP、冷却部CP及涂敷关联装置14(以下,称作各部)一次传递两枚基板W。也就是说,搬运机器人TR1使承载着两枚基板W的手部H1向各部的内部移动,使手部H1下降,在各部的基板保持部的上表面一次承载两枚基板W。此外,各部的基板保持部构成为两枚基板W搬入搬出时不与手部H1冲突。并且,搬运机器人TR1使手部H1从各部的内部向外部移动。由此,向各部一次传递两枚基板W。
如上所述,搬运机器人TR1沿水平的一个方向(D1方向)上排列并保持由依次处理装置即清洗装置12处理后的多个基板中的N枚(两枚)基板W,并且,向同时处理装置即脱水焙烧装置13一次搬运该N枚(两枚)基板。其结果,与逐枚地搬运基板W的情况相比,能够提高搬运动作的吞吐量。
<3-1-2.加热部HP>
从搬运机器人TR1向加热部HP一次传递两枚基板W。该加热部HP具有在水平方向排列并保持该两枚基板W的基板保持部91、对该两枚基板W同时地进行加热处理的加热单元92。换言之,加热部HP对两枚基板W同时进行加热处理。
基板保持部具有支撑两枚基板W的下表面的部件。两枚基板W承载于该部件上从而被保持。两枚基板W以其主面的法线方向沿着竖直方向的姿态被承载。例如,基板保持部91具有未图示的多个升降销。该多个升降销在使其前端在从基板保持部91的上表面突出的上位置与从所述上表面向下退避的下位置之间升降。搬运机器人TR1将基板W传递给向上方突出的多个升降销后退避。多个升降销在支撑两枚基板W的状态下降,基板保持部91的上表面承载两枚基板W。
加热单元92例如是加热器等,其对由基板保持部91保持的两枚基板W同时地进行加热处理。通过该加热处理,例如能够使基板W上残留的纯水蒸发(脱水处理)。因为对两枚基板W同时地进行加热处理,所以,与对基板W逐枚地进行加热处理的情况相比,能够提高加热处理的吞吐量。
<3-1-3.冷却部CP>
被加热部HP加热后的两枚基板W由搬运机器人TR1一次传递给冷却部CP。也就是说,搬运机器人TR1将经依次处理装置即清洗装置12处理后又经加热部HP处理的两枚基板W排列并保持在水平的一个方向上,并向冷却部CP一次搬运该两枚基板W。该冷却部CP具有将该两枚基板W排列并保持在水平方向上的基板保持部93、对该两枚基板W统一进行冷却处理的冷却单元94。换言之,冷却部CP对两枚基板W同时进行冷却处理。
该基板保持部93具有支撑两枚基板W的下表面的部件。两枚基板W通过承载在该部件上而被保持。两枚基板W以其主面的法线方向沿着竖直方向的姿态被承载。基板保持部93的结构与基板保持部91相同。
冷却单元94例如是向形成在金属板内部的液路流动冷水的冷却板等,对基板保持部所保持的两枚基板W统一进行冷却处理。冷却单元94由控制部60控制。通过该冷却处理,两枚基板W被冷却,能够将两枚基板W的温度设置为适合下游侧的处理装置(涂敷关联装置14)的温度。因为对两枚基板W同时地进行冷却处理,所以与对基板W逐枚地进行冷却处理的情况相比,能够提高冷却处理的吞吐量。
此外,冷却部CP也可以通过自然冷却来冷却两枚基板W。所谓自然冷却是指对加热后的基板W不进行使用动力(电力)的冷却而是放置基板W使之冷却。在此情况下,无需作为冷却板等结构的冷却单元94。
<3-1-4.脱水焙烧装置的一系列处理>
接下来,简单说明脱水焙烧装置13的一系列处理。搬运机器人TR1从上游侧的清洗装置12的基板导出部33一次取出两枚基板W,并将该两枚基板W一次传递给加热部HP。在该加热部HP,以排列在水平方向上的状态保持两枚基板W。加热部HP对该两枚基板W统一进行加热处理。加热处理后的两枚基板W被搬运机器人TR一次取出,并一次传递给冷却部CP。在冷却部CP,以排列在水平方向上的状态保持两枚基板W。冷却部CP对该两枚基板W统一进行冷却处理。进行冷却处理后的两枚基板W被搬运机器人TR1一次取出,并一次搬运至涂敷关联装置14。
<控制部>
如图1所例示的那样,基板处理装置1具有控制各个处理装置的处理及基板的搬运的控制部60。图4是概略地表示控制部60的结构的一个例子的功能框图。
如图4所示,控制部60是一个控制电路,例如由CPU(Central Processing Unit)61、ROM(Read Only Memory)62、RAM(Random Access Memory)63及存储装置64等经由总线65相互连接的常规计算机构成。ROM62存储基本程序等,RAM63被用作CPU61进行预定处理时的作业区域。存储装置64由闪存或者硬盘装置等非易失性存储装置构成。
另外,在控制部60中,输入部66、显示部67、通信部68也与总线65相连接。输入部66由各种开关或者触摸面板等构成,从操作者接收处理工艺等各种输入设定指示。显示部67由液晶显示装置及灯等构成,显示CPU61执行的控制和各种信息。通信部68具有经由LAN(LocalArea Network)等的数据通信功能。
另外,控制部60与作为控制对象的各个机器人(分度器机器人等搬运机器人等)及上述各个处理装置连接。也就是说,控制部60能够作为控制基板W的搬运的搬运控制部发挥作用。
在控制部60的存储装置64中,存储有用于控制构成基板处理装置1的各个装置的处理程序P。通过控制部60的CPU61执行处理程序P,从而控制基板的搬运动作及处理动作。另外,处理程序P可以存储于记录介质。若使用该记录介质,则能够将处理程序P安装于控制部60(计算机)。另外,控制部60所执行的功能的一部分或者全部不必一定由软件实现,也可以由专用的逻辑电路等硬件来实现。
控制部60能够处理与各个基板W对应的基板数据。图5是概略地表示整体基板数据D1的一个例子的图。整体基板数据D1包括与同时被搬运的N枚(此处为两枚)基板W对应的基板数据。如图5所例示的那样,整体基板数据D1包括识别信息Da1、位置信息Db1、工艺信息Dc1及错误信息Dd1等信息。
识别信息Da1是用于识别基板W的基板W固有的信息。在图5的例子中,基板W1的识别信息Da1表示为“A”,基板W2的识别信息Da1表示为“B”。因为基板W在分度器部11被收纳于互不相同的收纳位置(槽),所以,表示各个收纳位置的信息针对基板W是固有信息。因此,作为识别信息Da1,可以采用表示分度器部11中基板W的收纳位置的信息(槽编号)。但是,在盒内的各槽中可收纳两枚基板W。也就是说,对两枚一组的基板W分配一个槽编号。因此,可以作为一个基板W的识别信息Da1采用槽编号,对另一个基板W的识别信息Da1采用虚拟的槽编号(也就是说,与槽编号不同的编号)。
位置信息Db1表示N枚(此处为两枚)基板W的搬运方向上的位置关系。其中,因为基板W1相对于基板W2位于上游侧,所以在图5的例子中,针对基板W1、W2的位置信息Db1分别表示“上游”及“下游”。该位置信息Db1主要用于依次处理装置30中的搬运控制。具体来讲,依次处理装置30先搬运标注了“下游”的位置信息Db1的基板W2,之后搬运标注了“上游”的位置信息Db1的基板W1。
工艺信息Dc1包括表示应对基板W1、W2进行的处理的信息(例如工艺编号)、该处理中的处理条件信息。作为处理条件,若为清洗处理,则能够采用所使用的药液的种类、药液的流量及处理时间(即,搬运速度)等条件。若为脱水焙烧处理,作为处理条件,能够采用加热温度、加热时间、冷却温度及冷却时间等条件。此外,因为对基板W1、W2进行了相同的处理,所以工艺信息Dc1是基板W1、W2通用的信息。因此,在图5的例子中,工艺信息Dc1并不是分别与基板W1、W2相对应,而是与基板W1、W2的组相对应。
错误信息Dd1是表示在对基板W1、W2的处理过程中发生的错误的信息。因为依次处理装置30对基板W1、W2分别进行处理,所以在依次处理装置30中,可能仅对基板W1、W2中的一个发生错误,或者对基板W1、W2发生互不相同的错误。另一方面,因为同时处理装置40同时对基板W1、W2进行处理,所以基板W1、W2会发生共同的错误。因此,错误信息Dd1包括表示分别对基板W1、W2发生的错误的个别错误信息Dd11、表示对基板W1、W2共同发生的错误的共同错误信息Dd12。个别错误信息Dd11分别与基板W1、W2相对应,共同错误信息Dd12与基板W1、W2的组相对应。
作为错误信息,虽然不必特别限制,但是例如能够例示出下面所示错误。即,能够例示出处理时间超出规定范围的错误。该规定范围针对每个处理进行规定,例如包括于工艺信息Dc1。控制部60具有例如定时电路等,能够通过定时电路来测定处理时间。控制部60能够根据该测定值检测处理时间的错误。此外,作为错误信息,还能够例示出附加有相同识别信息Da1的多个基板W包括于相同装置内的错误。通常,针对每个基板W识别信息Da1是不同的,但是,因为操作人员的人为错误等也会出现相同识别信息Da1被附加给多个基板W的情况。控制部60能够确认附加有识别信息Da1的基板W的位置并检测上述错误。此外,虽然没有图示,但是在各装置中,可以设置用于检测各种错误的各种传感器。
另外,错误信息Dd1也可以包括与错误信息对应的对策。例如,存在根据错误的种类而必须废弃该基板W的情况,还存在通过对基板W进行复原处理恢复到初始状态而能够再次进行该处理的情况。错误信息Dd1可以包括表示这样的对策(废弃、复原处理)的信息。
<控制部的动作>
下面,说明控制部60的动作的一个例子。图6是表示控制部60的动作的一个例子的流程图。其中,对在清洗装置12(依次处理装置30)及脱水焙烧装置13(同时处理装置40)中按顺序进行处理两枚基板W的情况进行说明。
首先,在步骤S1中,从分度器部11向基板导入部31搬入两枚基板W。换言之,基板导入部31接收两枚基板W。向该两枚基板W附加整体基板数据D1。此处所称“附加”意思是使整体基板数据D1与两枚基板W的组相关联。
接着,在步骤S2中,控制部60获取关于搬入基板导入部31的两枚基板W的整体基板数据D1。该整体基板数据D1例如可以从上游侧的装置发送而来。整体基板数据D1可以从分度器部11或者分度器部11上游侧的装置发送而来。此外,整体基板数据D1不必一定从上游侧的装置发送而来,可以是操作人员利用输入部66输入整体基板数据D1。
接着,在步骤S3中,控制部60根据整体基板数据D1生成个别基板数据D21、D22。个别基板数据D21、D22分别是基板W1、W2固有的基板数据。图7及图8是概略地表示各个个别基板数据D21、D22的一个例子的图。控制部60从整体基板数据D1中提取与基板W1相关的数据,生成针对基板W1的个别基板数据D21。反之,控制部60从整体基板数据D1中删除仅与基板W2相关的数据,生成个别基板数据D21。即,个别基板数据D21包括基板W1的识别信息Da1、位置信息Db1、工艺信息Dc1及错误信息Dd1。
同样地,控制部60从整体基板数据D1提取与基板W2相关的数据并生成针对基板W2的个别基板数据D22。反之,控制部60从整体基板数据D1中删除仅与基板W1相关的数据并生成个别基板数据D22。个别基板数据D22包括基板W2的识别信息Da1、位置信息Db1、工艺信息Dc1及错误信息Dd1。
接下来,在步骤S4中,控制部60根据个别基板数据D21、D22控制清洗装置12。例如,首先,应对位置信息Db1为“下游”的基板W2进行处理的控制部60根据个别基板数据D22的工艺信息Dc1,控制基板导入部31、处理装置主体32及基板导出部33的搬运机构,并控制各个位置的处理机构。具体来讲,控制部60以药液部34、水洗部35及除水部36的处理时间分别设置为适当的值的方式,根据工艺信息Dc1控制辊321的旋转速度,并且,根据工艺信息Dc1控制药液部34的药液的流量、水洗部35的清洗水的流量以及除水部36的气体的流量等。
由此,在处理装置主体32处对基板W2进行处理后,将基板W停止在基板导出部33。另外,在清洗装置12中发生针对基板W2的错误时,控制部60将该错误信息附加给个别基板数据D22的个别错误信息Dd11。
同样地,应对位置信息Db1为“上游”的基板W1进行处理的控制部60根据个别基板数据D21的工艺信息Dc1,控制基板导入部31、处理装置主体32及基板导出部33的搬运机构,并控制各个位置的处理机构。由此,在处理装置主体32处对基板W1进行了处理后,将基板W1停止在基板导出部33。另外,在清洗装置12中发生针对基板W1的错误时,控制部60将该错误信息附加给个别基板数据D21的个别错误信息Dd11。
如上所述,在清洗装置12(也就是依次处理装置30)中,对一枚基板W分配一个基板数据(个别基板数据)并进行处理。由此,在清洗装置12中,能够适当地对两枚基板W1、W2的分别进行处理。
然后,在步骤S5中,在基板导出部33处聚齐经清洗装置12处理后的基板W1、W2时,控制部60根据个别基板数据D21、D22生成整体基板数据D1。具体来讲,控制部60提取个别基板数据D21中的基板W1固有的信息,提取个别基板数据D22中的基板W2固有的信息,提取个别基板数据D21、D22中的基板W1、W2通用的信息,并将这些信息合并为整体基板数据D1。在步骤S4中,当在个别错误信息Dd11中写入错误信息时,整体基板数据D1也被写入该错误信息。
然后,在步骤S6中,控制部60根据整体基板数据D1控制脱水焙烧装置13。即,应对基板W1、W2进行处理的控制部60根据整体基板数据D1的工艺信息Dc1,控制搬运机器人TR1并控制脱水焙烧装置13的处理机构。更具体地来讲,控制部60根据工艺信息Dc1使搬运机器人TR1向基板保持部91统一搬运基板W1、W2,并按照工艺信息Dc1规定的加热时间使加热单元92加热基板W1、W2。若加热完成,则控制部60根据工艺信息Dc1使搬运机器人TR1向基板保持部93统一搬运基板W1、W2,并按照工艺信息Dc1规定的冷却时间使冷却单元94冷却基板W1、W2。若冷却结束,则控制部60根据工艺信息Dc1使搬运机器人TR1向下一个装置(涂敷关联装置14)搬运基板W1、W2。
另外,当脱水焙烧装置13中发生错误时,控制部60将该错误信息附加给整体基板数据D1的共同错误信息Dd12。
如上所述,在脱水焙烧装置13(也就是同时处理装置40)中,向两枚基板W的组分配一个基板数据(整体基板数据)并进行处理。由此,在脱水焙烧装置13中,能够适当地对两枚基板W1、W2均进行处理。
总之,控制部60在依次处理装置30中分别使用个别基板数据D21、D22控制搬运机构及处理机构,从而对基板W1、W2分别依次地进行处理。另一方面,控制部60在同时处理装置40根据整体基板数据D1控制搬运机构及处理机构,从而对基板W1、W2同时进行处理。由此,能够适当地控制依次处理装置30及同时处理装置40。
另外,在上述例子中,依次处理装置30中的错误作为基板W1、W2固有的个别错误信息Dd11被附加至整体基板数据D1。因此,能够适当地管理错误信息。另一方面,同时处理装置40中的错误作为基板W1、W2共同的共同错误信息Dd12被附加至整体基板数据D1。例如,作为比较例,考察将基板W1、W2共同的错误信息附加给针对基板W1的个别错误信息Dd11和针对基板W2的个别错误信息Dd11的情况。该情况导致整体基板数据D1的信息量无用地增大。对此,本实施方式能够避免这样的无用的信息量的增大。
此外,在上述例子中,在步骤S1中,从上游侧的装置发送的整体基板数据D1包括基板W1、W2的识别信息Da1。作为具体的一个例子,作为基板W1、W2的识别信息Da1包括“A”及“B”。然而,在上游侧的装置中,可以对基板W1、W2的至少一个不决定识别信息Da1。在此情况下,在步骤S1中,控制部60自动地决定识别信息Da1即可。或者,也可以是操作人员操作输入部66输入识别信息Da1。
如上所述,详细说明了基板处理装置及基板处理方法,但是,上述说明只是全方面的例示,本发明并不受其限制。另外,上述各种变形例只要互不矛盾能够组合应用。并且,应理解为未例示的更多变形例只要未超出本发明的范围都是能够想到的。
Claims (4)
1.一种基板处理装置,其中,具有:
接受部,接受附加有整体基板数据的多个基板,所述整体基板数据包括用于识别多个基板的固有的识别信息、表示所述多个基板的在搬运方向上的位置关系的位置信息和用于规定处理内容的所述多个基板通用的工艺信息;
依次处理部,依次搬运并处理所述多个基板;
同时处理部,同时处理所述多个基板;以及
控制部,
所述控制部根据所述整体基板数据生成作为所述多个基板的每一个基板固有的数据的个别基板数据,所述个别基板数据包括所述识别信息、所述位置信息及所述工艺信息,
所述控制部根据所述个别基板数据,控制所述依次处理部中的对所述多个基板的每一个基板的搬运及处理,
当经所述依次处理部处理后的多个基板聚齐在出口位置时,所述控制部根据所述个别基板数据生成所述整体基板数据,
所述控制部根据所述整体基板数据控制所述同时处理部中的所述多个基板的搬运及处理。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
当在所述依次处理部中针对所述多个基板中的一个基板发生错误时,所述控制部针对所述多个基板中的所述一个基板,在所述个别基板数据中附加第一错误信息。
3.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置,其中,
当在所述同时处理部中针对所述多个基板发生错误时,所述控制部在所述整体基板数据中附加第二错误信息。
4.一种基板处理方法,其中,包括:
接受工序,接受附加有整体基板数据的多个基板,所述整体基板数据包括用于识别多个基板的固有的识别信息、表示所述多个基板的在搬运方向上的位置关系的位置信息和用于规定处理内容的所述多个基板通用的工艺信息;
依次处理工序,依次搬运并处理所述多个基板;以及
同时处理工序,同时处理所述多个基板,
所述依次处理工序包括:
根据所述整体基板数据生成作为所述多个基板的每一个基板固有的数据的个别基板数据的工序,所述个别基板数据包括所述识别信息、所述位置信息及所述工艺信息;
根据所述个别基板数据控制针对所述多个基板的每一个基板的搬运及处理的工序;以及
当经处理后的多个基板聚齐在出口位置时,根据所述个别基板数据生成所述整体基板数据的工序,
所述同时处理工序包括:
根据所述整体基板数据控制所述多个基板的搬运及处理的工序。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114256093A (zh) * | 2020-09-23 | 2022-03-29 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理方法 |
CN114256096A (zh) * | 2020-09-23 | 2022-03-29 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置和基板处理方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050061240A1 (en) * | 2003-09-22 | 2005-03-24 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
CN1930520A (zh) * | 2004-03-09 | 2007-03-14 | Hoya株式会社 | 掩模制作支援方法、掩模版提供方法、掩模版供取系统 |
CN101276741A (zh) * | 2007-03-30 | 2008-10-01 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置 |
US20100057239A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Keisuke Masuda | Semiconductor manufacturing apparatus |
TW201246435A (en) * | 2011-01-13 | 2012-11-16 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus |
JP2015170833A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置のスケジュール作成方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10247679A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体処理装置 |
JP3154983B2 (ja) * | 1998-01-13 | 2001-04-09 | 株式会社東芝 | 処理装置、および平面表示装置の基板製造装置 |
JP4401285B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2010-01-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US7890202B2 (en) * | 2007-10-16 | 2011-02-15 | International Business Machines Corporation | Method for creating wafer batches in an automated batch process tool |
JP5270285B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2013-08-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2010086978A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Toshiba Corp | 半導体製造システム |
JP2010267711A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Sony Corp | 半導体製造方法、半導体生産管理方法、および、半導体生産管理装置 |
WO2014115643A1 (ja) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置の異常判定方法、異常判定装置、及び基板処理システム並びに記録媒体 |
JP6121832B2 (ja) * | 2013-07-29 | 2017-04-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法、および基板処理システム |
JP6279343B2 (ja) | 2014-02-20 | 2018-02-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、プログラム、および、基板処理方法 |
JP6685213B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2020-04-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板整列装置、基板処理装置、基板配列装置、基板整列方法、基板処理方法および基板配列方法 |
-
2018
- 2018-07-25 JP JP2018139015A patent/JP6751735B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-07 KR KR1020190067528A patent/KR102269981B1/ko active IP Right Grant
- 2019-06-26 CN CN201910559676.7A patent/CN110783166B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050061240A1 (en) * | 2003-09-22 | 2005-03-24 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
CN1930520A (zh) * | 2004-03-09 | 2007-03-14 | Hoya株式会社 | 掩模制作支援方法、掩模版提供方法、掩模版供取系统 |
CN101276741A (zh) * | 2007-03-30 | 2008-10-01 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置 |
US20100057239A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Keisuke Masuda | Semiconductor manufacturing apparatus |
TW201246435A (en) * | 2011-01-13 | 2012-11-16 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus |
JP2015170833A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置のスケジュール作成方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114256093A (zh) * | 2020-09-23 | 2022-03-29 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理方法 |
CN114256096A (zh) * | 2020-09-23 | 2022-03-29 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置和基板处理方法 |
TWI806104B (zh) * | 2020-09-23 | 2023-06-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
CN114256093B (zh) * | 2020-09-23 | 2024-03-01 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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