JPH11145052A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法Info
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- JPH11145052A JPH11145052A JP9329527A JP32952797A JPH11145052A JP H11145052 A JPH11145052 A JP H11145052A JP 9329527 A JP9329527 A JP 9329527A JP 32952797 A JP32952797 A JP 32952797A JP H11145052 A JPH11145052 A JP H11145052A
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- Japan
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- substrate
- unit
- processing
- failure
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理不良が生じた基板を効果的に回収するこ
とにより、基板の処理を効率的に実行することができる
基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的
とする。 【解決手段】 インターフェース部コントローラ２１、
２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッ
パコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２
５または熱処理部コントローラ２６のうちのいずれかが
基板Ｗの処理不良の発生を検知することにより、基板Ｗ
のＩＤデータにフラグを立て、このＩＤデータをメイン
コントローラ１９に転送すれば、メインコントローラ１
９は、各コントローラに対してこのＩＤデータを転送す
る。また、メインコントローラ１９は、基板搬送ユニッ
ト１７の搬送アーム４２を制御し、処理不良が生じた基
板Ｗを第１のインターフェース部３１に載置された不良
基板回収カセット２に収納する。
とにより、基板の処理を効率的に実行することができる
基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的
とする。 【解決手段】 インターフェース部コントローラ２１、
２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッ
パコントローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２
５または熱処理部コントローラ２６のうちのいずれかが
基板Ｗの処理不良の発生を検知することにより、基板Ｗ
のＩＤデータにフラグを立て、このＩＤデータをメイン
コントローラ１９に転送すれば、メインコントローラ１
９は、各コントローラに対してこのＩＤデータを転送す
る。また、メインコントローラ１９は、基板搬送ユニッ
ト１７の搬送アーム４２を制御し、処理不良が生じた基
板Ｗを第１のインターフェース部３１に載置された不良
基板回収カセット２に収納する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の基板を処理するための基板処理装置およ
び基板処理方法に関する。
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の基板を処理するための基板処理装置およ
び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような基板処理装置は、前工程から
処理を行うべき基板を基板搬送カセットに収納した状態
で搬入するとともに、処理の終了した基板を再度基板搬
送カセットに収納して排出するための基板搬送カセット
の載置部を有する第１のインターフェース部と、基板に
薬液を供給することにより薬液処理するスピンコータや
スピンデベロッパ等の薬液処理ユニットと、基板を加熱
または冷却することにより熱処理するホットプレートや
クールプレート等の熱処理ユニットと、薬液処理ユニッ
トおよび熱処理ユニットにおいて処理された基板を基板
処理装置に連結して配設された露光装置に搬出するとと
もに、露光装置により露光を終了した基板を搬入するた
めの第２のインターフェース部と、第１のインターフェ
ース部、薬液処理ユニット、熱処理ユニットおよび第２
のインターフェース部間で基板を搬送する搬送ユニット
とを有し、基板を第１または第２のインターフェース部
から薬液処理ユニットおよび熱処理ユニットに順次搬送
することによりその処理行っている。
処理を行うべき基板を基板搬送カセットに収納した状態
で搬入するとともに、処理の終了した基板を再度基板搬
送カセットに収納して排出するための基板搬送カセット
の載置部を有する第１のインターフェース部と、基板に
薬液を供給することにより薬液処理するスピンコータや
スピンデベロッパ等の薬液処理ユニットと、基板を加熱
または冷却することにより熱処理するホットプレートや
クールプレート等の熱処理ユニットと、薬液処理ユニッ
トおよび熱処理ユニットにおいて処理された基板を基板
処理装置に連結して配設された露光装置に搬出するとと
もに、露光装置により露光を終了した基板を搬入するた
めの第２のインターフェース部と、第１のインターフェ
ース部、薬液処理ユニット、熱処理ユニットおよび第２
のインターフェース部間で基板を搬送する搬送ユニット
とを有し、基板を第１または第２のインターフェース部
から薬液処理ユニットおよび熱処理ユニットに順次搬送
することによりその処理行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような基板処理装
置において、第１、第２のインターフェース部、薬液処
理ユニット、熱処理ユニットまたは搬送ユニットの動作
不良に起因する基板の処理不良が発生した場合、処理不
良が発生した基板に対してそのままその後の処理を継続
した場合においては、薬液処理ユニットにおいて薬液が
無駄に消費されたり、基板の処理に必要以上の時間を要
したりするという問題を生ずる。
置において、第１、第２のインターフェース部、薬液処
理ユニット、熱処理ユニットまたは搬送ユニットの動作
不良に起因する基板の処理不良が発生した場合、処理不
良が発生した基板に対してそのままその後の処理を継続
した場合においては、薬液処理ユニットにおいて薬液が
無駄に消費されたり、基板の処理に必要以上の時間を要
したりするという問題を生ずる。
【０００４】より具体的には、スピンコータやスピンデ
ベロッパ等の薬液処理ユニットにおいて、基板の回転塗
布動作に問題が生じたり、基板に塗布すべき薬液の流量
が不足する等の薬液処理ユニットの動作不良に起因する
基板の処理不良が生ずる場合がある。また、基板をホッ
トプレートに搬送して加熱処理を開始した後、設定時間
経過後においてもこの基板をホットプレートから排出で
きないという、搬送ユニット等の動作不良に起因する基
板の処理不良が生ずる場合がある。さらに、ホットプレ
ートによる基板の加熱処理の終了後、所定時間内にこの
基板をクールプレートに搬送できないという、搬送ユニ
ット等の動作不良に起因する基板の処理不良が生ずる場
合がある。
ベロッパ等の薬液処理ユニットにおいて、基板の回転塗
布動作に問題が生じたり、基板に塗布すべき薬液の流量
が不足する等の薬液処理ユニットの動作不良に起因する
基板の処理不良が生ずる場合がある。また、基板をホッ
トプレートに搬送して加熱処理を開始した後、設定時間
経過後においてもこの基板をホットプレートから排出で
きないという、搬送ユニット等の動作不良に起因する基
板の処理不良が生ずる場合がある。さらに、ホットプレ
ートによる基板の加熱処理の終了後、所定時間内にこの
基板をクールプレートに搬送できないという、搬送ユニ
ット等の動作不良に起因する基板の処理不良が生ずる場
合がある。
【０００５】このような基板の処理不良が発生した場合
には、その基板は製品の製造には使用し得ない。しかし
ながら、従来の基板処理装置においては、処理不良が生
じた基板に対しても、正常な基板と同様の処理が施され
ている。
には、その基板は製品の製造には使用し得ない。しかし
ながら、従来の基板処理装置においては、処理不良が生
じた基板に対しても、正常な基板と同様の処理が施され
ている。
【０００６】このため、例えば薬液処理ユニットにおい
ては、処理不良が生じた基板に対しても薬液が塗布され
ることになり、高価な薬液が無駄に消費されることにな
る。また、この種の基板処理装置においては、後段の露
光装置等との基板処理速度の差を解消するため、第２の
インターフェース部等にバッファカセットを配置してい
るが、このバッファカセットに処理不良が生じた基板が
収納された場合には、基板処理装置全体の基板の処理効
率が低下する。さらに、基板を露光装置等の他の装置に
搬送して処理を行う場合においても、処理不良が生じた
基板に対して正常な基板と同様の処理が施されることに
なり、基板処理全体の効率が低下することになる。
ては、処理不良が生じた基板に対しても薬液が塗布され
ることになり、高価な薬液が無駄に消費されることにな
る。また、この種の基板処理装置においては、後段の露
光装置等との基板処理速度の差を解消するため、第２の
インターフェース部等にバッファカセットを配置してい
るが、このバッファカセットに処理不良が生じた基板が
収納された場合には、基板処理装置全体の基板の処理効
率が低下する。さらに、基板を露光装置等の他の装置に
搬送して処理を行う場合においても、処理不良が生じた
基板に対して正常な基板と同様の処理が施されることに
なり、基板処理全体の効率が低下することになる。
【０００７】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、処理不良が生じた基板を効果的に回収
することにより、基板の処理を効率的に実行することが
できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること
を目的とする。
れたものであり、処理不良が生じた基板を効果的に回収
することにより、基板の処理を効率的に実行することが
できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、前工程から基板を搬入し、または、後工程に基板を
排出するためのインターフェース部と、基板に薬液を供
給することにより薬液処理する薬液処理ユニットを含む
複数の処理ユニットと、前記インターフェース部に搬入
された基板を前記薬液処理ユニットを含む複数の処理ユ
ニットに順次搬送する搬送ユニットとを有する基板処理
装置において、処理不良が生じた基板を収納するための
前記インターフェース部に配設された不良基板回収カセ
ットと、前記インターフェース部、各処理ユニットまた
は搬送ユニットの動作不良に起因する基板の処理不良の
発生を検知する検知手段と、前記検知手段により処理不
良の発生を検知した場合に、前記搬送ユニットを制御す
ることにより、処理不良が発生した基板を、直ちに前記
不良基板回収カセットに収納する制御手段とを備えたこ
とを特徴とする。
は、前工程から基板を搬入し、または、後工程に基板を
排出するためのインターフェース部と、基板に薬液を供
給することにより薬液処理する薬液処理ユニットを含む
複数の処理ユニットと、前記インターフェース部に搬入
された基板を前記薬液処理ユニットを含む複数の処理ユ
ニットに順次搬送する搬送ユニットとを有する基板処理
装置において、処理不良が生じた基板を収納するための
前記インターフェース部に配設された不良基板回収カセ
ットと、前記インターフェース部、各処理ユニットまた
は搬送ユニットの動作不良に起因する基板の処理不良の
発生を検知する検知手段と、前記検知手段により処理不
良の発生を検知した場合に、前記搬送ユニットを制御す
ることにより、処理不良が発生した基板を、直ちに前記
不良基板回収カセットに収納する制御手段とを備えたこ
とを特徴とする。
【０００９】請求項２に記載の発明は、前工程から基板
を搬入し、または、後工程に基板を排出するためのイン
ターフェース部と、基板に薬液を供給することにより薬
液処理する薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニット
と、前記インターフェース部と前記薬液処理ユニットを
含む複数の処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送ユ
ニットとを有する基板処理装置を使用し、基板を前記イ
ンターフェース部から各処理ユニットに順次搬送するこ
とによりその処理を行う基板処理方法において、前記イ
ンターフェース部、各処理ユニットまたは搬送ユニット
の動作不良に起因する基板の処理不良の発生を検知手段
により検知した場合に、前記搬送ユニットを制御するこ
とにより、処理不良が発生した基板を、前記インターフ
ェース部に配設された不良基板回収カセットに直ちに収
納することを特徴とする。
を搬入し、または、後工程に基板を排出するためのイン
ターフェース部と、基板に薬液を供給することにより薬
液処理する薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニット
と、前記インターフェース部と前記薬液処理ユニットを
含む複数の処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送ユ
ニットとを有する基板処理装置を使用し、基板を前記イ
ンターフェース部から各処理ユニットに順次搬送するこ
とによりその処理を行う基板処理方法において、前記イ
ンターフェース部、各処理ユニットまたは搬送ユニット
の動作不良に起因する基板の処理不良の発生を検知手段
により検知した場合に、前記搬送ユニットを制御するこ
とにより、処理不良が発生した基板を、前記インターフ
ェース部に配設された不良基板回収カセットに直ちに収
納することを特徴とする。
【００１０】請求項３に記載の発明は、前工程から基板
を搬入し、または、後工程に基板を排出するためのイン
ターフェース部と、基板に薬液を供給することにより薬
液処理する薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニット
と、前記インターフェース部に搬入された基板を前記薬
液処理ユニットを含む複数の処理ユニットに順次搬送す
る搬送ユニットとを有する基板処理装置において、処理
不良が生じた基板を収納するための前記インターフェー
ス部に配設された不良基板回収カセットと、前記インタ
ーフェース部、各処理ユニットまたは搬送ユニットの動
作不良に起因する基板の処理不良の発生を検知する検知
手段と、前記検知手段により処理不良の発生を検知した
場合に、前記搬送ユニットを制御することにより、処理
不良が発生した基板を、各処理ユニットを通過させた
後、前記不良基板回収カセットに収納する制御手段とを
備えたことを特徴とする。
を搬入し、または、後工程に基板を排出するためのイン
ターフェース部と、基板に薬液を供給することにより薬
液処理する薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニット
と、前記インターフェース部に搬入された基板を前記薬
液処理ユニットを含む複数の処理ユニットに順次搬送す
る搬送ユニットとを有する基板処理装置において、処理
不良が生じた基板を収納するための前記インターフェー
ス部に配設された不良基板回収カセットと、前記インタ
ーフェース部、各処理ユニットまたは搬送ユニットの動
作不良に起因する基板の処理不良の発生を検知する検知
手段と、前記検知手段により処理不良の発生を検知した
場合に、前記搬送ユニットを制御することにより、処理
不良が発生した基板を、各処理ユニットを通過させた
後、前記不良基板回収カセットに収納する制御手段とを
備えたことを特徴とする。
【００１１】請求項４に記載の発明は、前工程から基板
を搬入し、または、後工程に基板を排出するためのイン
ターフェース部と、基板に薬液を供給することにより薬
液処理する薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニット
と、前記インターフェース部と前記薬液処理ユニットを
含む複数の処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送ユ
ニットとを有する基板処理装置を使用し、基板を前記イ
ンターフェース部から各処理ユニットに順次搬送するこ
とによりその処理を行う基板処理方法において、前記イ
ンターフェース部、各処理ユニットまたは搬送ユニット
の動作不良に起因する基板の処理不良の発生を検知手段
により検知した場合に、前記搬送ユニットを制御するこ
とにより、処理不良が発生した基板を、各処理ユニット
を通過させた後、前記インターフェース部に配設された
不良基板回収カセットに収納することを特徴とする。
を搬入し、または、後工程に基板を排出するためのイン
ターフェース部と、基板に薬液を供給することにより薬
液処理する薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニット
と、前記インターフェース部と前記薬液処理ユニットを
含む複数の処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送ユ
ニットとを有する基板処理装置を使用し、基板を前記イ
ンターフェース部から各処理ユニットに順次搬送するこ
とによりその処理を行う基板処理方法において、前記イ
ンターフェース部、各処理ユニットまたは搬送ユニット
の動作不良に起因する基板の処理不良の発生を検知手段
により検知した場合に、前記搬送ユニットを制御するこ
とにより、処理不良が発生した基板を、各処理ユニット
を通過させた後、前記インターフェース部に配設された
不良基板回収カセットに収納することを特徴とする。
【００１２】請求項５に記載の発明は、前工程から処理
を行うべき基板を基板搬送カセットに収納した状態で搬
入するとともに、処理の終了した基板を再度基板搬送カ
セットに収納して排出するための基板搬送カセットの載
置部を有する第１のインターフェース部と、基板に薬液
を供給することにより薬液処理する薬液処理ユニット
と、基板を加熱または冷却することにより熱処理する熱
処理ユニットと、前記薬液処理ユニットおよび前記熱処
理ユニットにおいて処理された基板を露光装置に搬出す
るとともに、露光装置により露光を終了した基板を搬入
するための第２のインターフェース部と、前記第１のイ
ンターフェース部、前記薬液処理ユニット、前記熱処理
ユニットおよび前記第２のインターフェース部間で基板
を搬送する搬送ユニットとを有する基板処理装置におい
て、前記第１、第２のインターフェース部、薬液処理ユ
ニット、熱処理ユニットまたは搬送ユニットの動作不良
に起因する基板の処理不良の発生を検知する検知手段
と、前記検知手段により処理不良の発生を検知した場合
に、前記搬送ユニットを制御することにより、処理不良
が発生した基板を前記第１のインターフェース部に載置
された基板搬送カセットに収納する制御手段とを備えた
ことを特徴とする。
を行うべき基板を基板搬送カセットに収納した状態で搬
入するとともに、処理の終了した基板を再度基板搬送カ
セットに収納して排出するための基板搬送カセットの載
置部を有する第１のインターフェース部と、基板に薬液
を供給することにより薬液処理する薬液処理ユニット
と、基板を加熱または冷却することにより熱処理する熱
処理ユニットと、前記薬液処理ユニットおよび前記熱処
理ユニットにおいて処理された基板を露光装置に搬出す
るとともに、露光装置により露光を終了した基板を搬入
するための第２のインターフェース部と、前記第１のイ
ンターフェース部、前記薬液処理ユニット、前記熱処理
ユニットおよび前記第２のインターフェース部間で基板
を搬送する搬送ユニットとを有する基板処理装置におい
て、前記第１、第２のインターフェース部、薬液処理ユ
ニット、熱処理ユニットまたは搬送ユニットの動作不良
に起因する基板の処理不良の発生を検知する検知手段
と、前記検知手段により処理不良の発生を検知した場合
に、前記搬送ユニットを制御することにより、処理不良
が発生した基板を前記第１のインターフェース部に載置
された基板搬送カセットに収納する制御手段とを備えた
ことを特徴とする。
【００１３】請求項６に記載の発明は、前工程から処理
を行うべき基板を基板搬送カセットに収納した状態で搬
入するとともに、処理の終了した基板を再度基板搬送カ
セットに収納して排出するための基板搬送カセットの載
置部を有する第１のインターフェース部と、基板に薬液
を供給することにより薬液処理する薬液処理ユニット
と、基板を加熱または冷却することにより熱処理する熱
処理ユニットと、前記薬液処理ユニットおよび前記熱処
理ユニットにおいて処理された基板を露光装置に搬出す
るとともに、露光装置により露光を終了した基板を搬入
するための第２のインターフェース部と、前記第１のイ
ンターフェース部、前記薬液処理ユニット、前記熱処理
ユニットおよび前記第２のインターフェース部間で基板
を搬送する搬送ユニットとを有する基板処理装置を使用
し、基板を前記第１または第２のインターフェース部か
ら前記薬液処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに順
次搬送することによりその処理を行う基板処理方法にお
いて、前記第１、第２のインターフェース部、薬液処理
ユニット、熱処理ユニットまたは搬送ユニットの動作不
良に起因する基板の処理不良の発生を検知手段により検
知した場合に、前記搬送ユニットを制御することによ
り、処理不良が発生した基板を、前記第１のインターフ
ェース部に載置された基板搬送カセットに収納すること
を特徴とする。
を行うべき基板を基板搬送カセットに収納した状態で搬
入するとともに、処理の終了した基板を再度基板搬送カ
セットに収納して排出するための基板搬送カセットの載
置部を有する第１のインターフェース部と、基板に薬液
を供給することにより薬液処理する薬液処理ユニット
と、基板を加熱または冷却することにより熱処理する熱
処理ユニットと、前記薬液処理ユニットおよび前記熱処
理ユニットにおいて処理された基板を露光装置に搬出す
るとともに、露光装置により露光を終了した基板を搬入
するための第２のインターフェース部と、前記第１のイ
ンターフェース部、前記薬液処理ユニット、前記熱処理
ユニットおよび前記第２のインターフェース部間で基板
を搬送する搬送ユニットとを有する基板処理装置を使用
し、基板を前記第１または第２のインターフェース部か
ら前記薬液処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに順
次搬送することによりその処理を行う基板処理方法にお
いて、前記第１、第２のインターフェース部、薬液処理
ユニット、熱処理ユニットまたは搬送ユニットの動作不
良に起因する基板の処理不良の発生を検知手段により検
知した場合に、前記搬送ユニットを制御することによ
り、処理不良が発生した基板を、前記第１のインターフ
ェース部に載置された基板搬送カセットに収納すること
を特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１はこの発明に係る基板処理
装置の斜視図である。
面に基づいて説明する。図１はこの発明に係る基板処理
装置の斜視図である。
【００１５】この基板処理装置は、第１のインターフェ
ース部１２と、薬液処理ユニットとしてのスピンコータ
１３およびスピンデベロッパ１４と、熱処理ユニットと
してのホットプレート１５およびクールプレート１６
と、基板搬送ユニット１７と、第２のインターフェース
部１８と、制御手段としてのメインコントローラ１９と
から構成される。
ース部１２と、薬液処理ユニットとしてのスピンコータ
１３およびスピンデベロッパ１４と、熱処理ユニットと
してのホットプレート１５およびクールプレート１６
と、基板搬送ユニット１７と、第２のインターフェース
部１８と、制御手段としてのメインコントローラ１９と
から構成される。
【００１６】前記第１のインターフェース部１２は、前
工程から処理を行うべき基板Ｗを基板搬送カセット１に
収納した状態で搬入するとともに、処理の終了した基板
Ｗを再度基板搬送カセット１に収納して排出するための
ものであり、基板搬送カセット１および不良基板回収カ
セット２を載置するための載置部３１と、基板搬送カセ
ット１から基板Ｗを取り出し、または、この基板搬送カ
セット１または不良基板回収カセット２に基板Ｗを収納
するための搬送アーム３２を有する基板搬入搬出機構３
３と、インターフェース部コントローラ２１とを備え
る。
工程から処理を行うべき基板Ｗを基板搬送カセット１に
収納した状態で搬入するとともに、処理の終了した基板
Ｗを再度基板搬送カセット１に収納して排出するための
ものであり、基板搬送カセット１および不良基板回収カ
セット２を載置するための載置部３１と、基板搬送カセ
ット１から基板Ｗを取り出し、または、この基板搬送カ
セット１または不良基板回収カセット２に基板Ｗを収納
するための搬送アーム３２を有する基板搬入搬出機構３
３と、インターフェース部コントローラ２１とを備え
る。
【００１７】前記スピンコータ１３は、前工程から搬送
された基板Ｗに対して薬液としてのレジストを供給して
レジスト塗布処理を行うためのものであり、水平方向に
保持した基板Ｗを鉛直軸周りに回転させながらこの基板
Ｗにレジストを供給塗布する塗布部３４と、スピンコー
タコントローラ２２とを備える。
された基板Ｗに対して薬液としてのレジストを供給して
レジスト塗布処理を行うためのものであり、水平方向に
保持した基板Ｗを鉛直軸周りに回転させながらこの基板
Ｗにレジストを供給塗布する塗布部３４と、スピンコー
タコントローラ２２とを備える。
【００１８】前記スピンデベロッパ１４は、図示しない
露光装置において露光が完了した基板Ｗに対して薬液と
しての現像液を塗布して現像処理するためのものであ
り、水平方向に保持した基板Ｗを鉛直軸周りに回転させ
ながらこの基板Ｗに現像液を供給する現像部３５と、ス
ピンデベロッパコントローラ２３とを備える。
露光装置において露光が完了した基板Ｗに対して薬液と
しての現像液を塗布して現像処理するためのものであ
り、水平方向に保持した基板Ｗを鉛直軸周りに回転させ
ながらこの基板Ｗに現像液を供給する現像部３５と、ス
ピンデベロッパコントローラ２３とを備える。
【００１９】熱処理ユニットとしてのホットプレート１
５およびクールプレート１６は、それぞれレジスト塗布
処理後の基板Ｗまたは現像処理前の基板Ｗを加熱、冷却
するためのものであり、図示しない加熱板または冷却板
と、これらのホットプレート１５およびクールプレート
１６を一括して制御する熱処理部コントローラ２６とを
備える。
５およびクールプレート１６は、それぞれレジスト塗布
処理後の基板Ｗまたは現像処理前の基板Ｗを加熱、冷却
するためのものであり、図示しない加熱板または冷却板
と、これらのホットプレート１５およびクールプレート
１６を一括して制御する熱処理部コントローラ２６とを
備える。
【００２０】前記第２のインターフェース部１８は、基
板処理装置においてレジスト塗布処理および熱処理され
た基板Ｗを図示しない露光装置に搬出するとともに、露
光装置により露光を終了した基板を搬入するためのもの
であり、不良基板回収カセット２およびバッファカセッ
ト３を載置するための載置部３６と、図示しない露光装
置に基板Ｗを送るための露光送り用テーブル３７と、露
光装置により露光された基板Ｗを受け取るための露光戻
り用テーブル３８と、不良基板回収カセット２、バッフ
ァカセット３または露光送り用テーブル３７に向けて基
板を搬送し、また、バッファカセット３または露光戻り
用テーブル３８から基板Ｗを受け取るための搬送アーム
３９を有する基板搬入搬出機構４１と、インターフェー
ス部コントローラ２４とを備える。
板処理装置においてレジスト塗布処理および熱処理され
た基板Ｗを図示しない露光装置に搬出するとともに、露
光装置により露光を終了した基板を搬入するためのもの
であり、不良基板回収カセット２およびバッファカセッ
ト３を載置するための載置部３６と、図示しない露光装
置に基板Ｗを送るための露光送り用テーブル３７と、露
光装置により露光された基板Ｗを受け取るための露光戻
り用テーブル３８と、不良基板回収カセット２、バッフ
ァカセット３または露光送り用テーブル３７に向けて基
板を搬送し、また、バッファカセット３または露光戻り
用テーブル３８から基板Ｗを受け取るための搬送アーム
３９を有する基板搬入搬出機構４１と、インターフェー
ス部コントローラ２４とを備える。
【００２１】前記基板搬送ユニット１７は、基板Ｗを、
第１のインターフェース部１２の搬送アーム３２、スピ
ンコータ１３、スピンデベロッパ１４、ホットプレート
１５、クールプレート１６および第２のインターフェー
ス部１８の搬送アーム３９との間で受け渡しするための
ものであり、Ｘ、Ｙ、Ｚ、θ方向に移動可能な搬送アー
ム４２と、基板搬送ユニットコントローラ２５とを備え
る。なお、この基板搬送ユニット１７における搬送アー
ム４２は、第１のインターフェース部１２の搬送アーム
３２、スピンコータ１３、スピンデベロッパ１４、ホッ
トプレート１５、クールプレート１６および第２のイン
ターフェース部１８の搬送アーム３９に対して、基板Ｗ
の搬入と搬出とを同時に実行するため、互いに重畳した
状態で配設された一対のアームを有している。
第１のインターフェース部１２の搬送アーム３２、スピ
ンコータ１３、スピンデベロッパ１４、ホットプレート
１５、クールプレート１６および第２のインターフェー
ス部１８の搬送アーム３９との間で受け渡しするための
ものであり、Ｘ、Ｙ、Ｚ、θ方向に移動可能な搬送アー
ム４２と、基板搬送ユニットコントローラ２５とを備え
る。なお、この基板搬送ユニット１７における搬送アー
ム４２は、第１のインターフェース部１２の搬送アーム
３２、スピンコータ１３、スピンデベロッパ１４、ホッ
トプレート１５、クールプレート１６および第２のイン
ターフェース部１８の搬送アーム３９に対して、基板Ｗ
の搬入と搬出とを同時に実行するため、互いに重畳した
状態で配設された一対のアームを有している。
【００２２】前記メインコントローラ１９は、この基板
処理装置全体を制御するためのものであり、基板処理装
置全体の制御に必要な動作プログラムが格納されたＲＯ
Ｍと、制御時にデータ等が一時的にストアされるＲＡＭ
と、論理演算を実行するＣＰＵとを含む。
処理装置全体を制御するためのものであり、基板処理装
置全体の制御に必要な動作プログラムが格納されたＲＯ
Ｍと、制御時にデータ等が一時的にストアされるＲＡＭ
と、論理演算を実行するＣＰＵとを含む。
【００２３】このメインコントローラ１９は、上述した
第１、第２のインターフェース部１２、１８、スピンコ
ータ１３、スピンデベロッパ１４、ホットプレート１
５、クールプレート１６および基板搬送ユニット１７の
各々（以下、「各ユニット」という）を個別に制御する
ための、上述したインターフェース部コントローラ２
１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベ
ロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントロー
ラ２５および熱処理部コントローラ２６と接続されてい
る。また、このメインコントローラ１９は、図２に示す
ように、表示手段としてのＣＲＴ４３および入力手段と
してのキーボード４４とも接続されている。
第１、第２のインターフェース部１２、１８、スピンコ
ータ１３、スピンデベロッパ１４、ホットプレート１
５、クールプレート１６および基板搬送ユニット１７の
各々（以下、「各ユニット」という）を個別に制御する
ための、上述したインターフェース部コントローラ２
１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベ
ロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントロー
ラ２５および熱処理部コントローラ２６と接続されてい
る。また、このメインコントローラ１９は、図２に示す
ように、表示手段としてのＣＲＴ４３および入力手段と
してのキーボード４４とも接続されている。
【００２４】なお、このメインコントローラ１９は、基
板処理装置の各ユニットを個別に制御するためのインタ
ーフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータコ
ントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、
基板搬送ユニットコントローラ２５および熱処理部コン
トローラ２６との間で、処理を行うべき各基板Ｗを識別
するために使用するＩＤデータを交換している。このＩ
Ｄデータは、図３に示すように、カセット番号、カセッ
ト溝番号、レシピ番号と、後述する処理不良が生じた基
板Ｗを識別するためのフラグ情報とを含む。
板処理装置の各ユニットを個別に制御するためのインタ
ーフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータコ
ントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、
基板搬送ユニットコントローラ２５および熱処理部コン
トローラ２６との間で、処理を行うべき各基板Ｗを識別
するために使用するＩＤデータを交換している。このＩ
Ｄデータは、図３に示すように、カセット番号、カセッ
ト溝番号、レシピ番号と、後述する処理不良が生じた基
板Ｗを識別するためのフラグ情報とを含む。
【００２５】このような基板処理装置においては、基板
搬送カセット１に収納された状態で第１のインターフェ
ース部１２に搬入された基板Ｗは、基板搬送ユニット１
７によりホットプレート１５に搬送され、ホットプレー
ト１５により加熱されて脱水ベークをなされた後、クー
ルプレート１６により冷却される。そして、この基板Ｗ
はスピンコータ１３においてレジストを塗布される。し
かる後、この基板Ｗは、ホットプレート１５により加熱
されてプリベークをなされた後、クールプレート１６に
より冷却され、第２のインターフェース部１８を介して
図示しない露光装置に搬送される。また、このとき、基
板処理装置と露光装置との処理速度差を解消するため、
必要に応じ、基板Ｗが一時的にバッファカセット３に収
納される。
搬送カセット１に収納された状態で第１のインターフェ
ース部１２に搬入された基板Ｗは、基板搬送ユニット１
７によりホットプレート１５に搬送され、ホットプレー
ト１５により加熱されて脱水ベークをなされた後、クー
ルプレート１６により冷却される。そして、この基板Ｗ
はスピンコータ１３においてレジストを塗布される。し
かる後、この基板Ｗは、ホットプレート１５により加熱
されてプリベークをなされた後、クールプレート１６に
より冷却され、第２のインターフェース部１８を介して
図示しない露光装置に搬送される。また、このとき、基
板処理装置と露光装置との処理速度差を解消するため、
必要に応じ、基板Ｗが一時的にバッファカセット３に収
納される。
【００２６】一方、露光装置において露光を完了した基
板Ｗは、第２のインターフェース部１８から基板搬送ユ
ニット１７によりホットプレート１５に搬送され、ホッ
トプレート１５により加熱されてポストエクスポージャ
ベーク（ＰＥＢ）をなされた後、クールプレート１６に
より冷却される。そして、この基板Ｗはスピンデベロッ
パ１４において現像処理される。しかる後、この基板Ｗ
は、ホットプレート１５により加熱されてポストベーク
をなされた後、クールプレート１６により冷却され、第
１のインターフェース部１２を介して後段の処理工程に
向け搬送される。
板Ｗは、第２のインターフェース部１８から基板搬送ユ
ニット１７によりホットプレート１５に搬送され、ホッ
トプレート１５により加熱されてポストエクスポージャ
ベーク（ＰＥＢ）をなされた後、クールプレート１６に
より冷却される。そして、この基板Ｗはスピンデベロッ
パ１４において現像処理される。しかる後、この基板Ｗ
は、ホットプレート１５により加熱されてポストベーク
をなされた後、クールプレート１６により冷却され、第
１のインターフェース部１２を介して後段の処理工程に
向け搬送される。
【００２７】次に、この基板処理装置において、各ユニ
ットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良に対応する
ための構成について説明する。
ットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良に対応する
ための構成について説明する。
【００２８】上述した基板処理装置の各ユニットを個別
に制御するためのインターフェース部コントローラ２
１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベ
ロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントロー
ラ２５および熱処理部コントローラ２６は、基板処理装
置における各ユニットの動作不良に起因する基板Ｗの処
理不良が生じた場合に、この処理不良の発生を検知する
検知手段としても機能する。
に制御するためのインターフェース部コントローラ２
１、２４、スピンコータコントローラ２２、スピンデベ
ロッパコントローラ２３、基板搬送ユニットコントロー
ラ２５および熱処理部コントローラ２６は、基板処理装
置における各ユニットの動作不良に起因する基板Ｗの処
理不良が生じた場合に、この処理不良の発生を検知する
検知手段としても機能する。
【００２９】すなわち、基板処理装置の各ユニットに
は、各ユニットが正常に動作しているか否かを監視する
ための各種の検出器が配設されており、インターフェー
ス部コントローラ２１、２４、スピンコータコントロー
ラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送
ユニットコントローラ２５および熱処理部コントローラ
２６は、これらの検出器からの信号を受信することによ
り、各ユニットにおける動作不良に起因する基板Ｗの処
理不良の発生を検知する。そして、インターフェース部
コントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２
２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニ
ットコントローラ２５および熱処理部コントローラ２６
は、基板Ｗ処理不良の発生を検知した場合には、図３に
示す基板ＷのＩＤデータにフラグを立て、このＩＤデー
タをメインコントローラ１９に転送する。
は、各ユニットが正常に動作しているか否かを監視する
ための各種の検出器が配設されており、インターフェー
ス部コントローラ２１、２４、スピンコータコントロー
ラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送
ユニットコントローラ２５および熱処理部コントローラ
２６は、これらの検出器からの信号を受信することによ
り、各ユニットにおける動作不良に起因する基板Ｗの処
理不良の発生を検知する。そして、インターフェース部
コントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２
２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニ
ットコントローラ２５および熱処理部コントローラ２６
は、基板Ｗ処理不良の発生を検知した場合には、図３に
示す基板ＷのＩＤデータにフラグを立て、このＩＤデー
タをメインコントローラ１９に転送する。
【００３０】この処理不良検知のための動作について、
基板処理装置における各ユニットのうち、スピンコータ
１３を例にして具体的に説明する。図２は、上述した各
ユニットの一つとしてのスピンコータ１３における処理
不良の検出機構の概要を示す説明図である。
基板処理装置における各ユニットのうち、スピンコータ
１３を例にして具体的に説明する。図２は、上述した各
ユニットの一つとしてのスピンコータ１３における処理
不良の検出機構の概要を示す説明図である。
【００３１】このスピンコータ１３は、上述したよう
に、基板Ｗにレジストを供給塗布する塗布部３４とスピ
ンコータコントローラ２２とを備える。そして、塗布部
３４は、モータ５１の駆動により基板Ｗを保持して回転
するスピンチャック５２と、基板Ｗに向けてレジストを
吐出するためレジスト吐出ノズル５３と、モータ５４の
駆動によりレジスト吐出ノズル５３を基板Ｗと対向する
レジスト供給位置と待機位置との間で移動させるノズル
移動機構５５と、レジスト貯留槽５６に貯留されたレジ
ストをレジスト吐出ノズル５３に向けて送液するための
ポンプ５７とを有する。
に、基板Ｗにレジストを供給塗布する塗布部３４とスピ
ンコータコントローラ２２とを備える。そして、塗布部
３４は、モータ５１の駆動により基板Ｗを保持して回転
するスピンチャック５２と、基板Ｗに向けてレジストを
吐出するためレジスト吐出ノズル５３と、モータ５４の
駆動によりレジスト吐出ノズル５３を基板Ｗと対向する
レジスト供給位置と待機位置との間で移動させるノズル
移動機構５５と、レジスト貯留槽５６に貯留されたレジ
ストをレジスト吐出ノズル５３に向けて送液するための
ポンプ５７とを有する。
【００３２】また、モータ５１の回転状況はロータリエ
ンコーダ６１により監視されており、モータ５４の回転
状況はロータリエンコーダ６２により監視されている。
さらに、ポンプ５７によりレジスト吐出ノズル５３に向
けて送液されるレジストの流量は、流量計６３により監
視されている。そして、これらのロータリエンコーダ６
１、６２および流量計６３は、スピンコータコントロー
ラ２２と接続されている。
ンコーダ６１により監視されており、モータ５４の回転
状況はロータリエンコーダ６２により監視されている。
さらに、ポンプ５７によりレジスト吐出ノズル５３に向
けて送液されるレジストの流量は、流量計６３により監
視されている。そして、これらのロータリエンコーダ６
１、６２および流量計６３は、スピンコータコントロー
ラ２２と接続されている。
【００３３】このため、モータ５１、５４またはポンプ
５７の動作に異常が生じた場合においては、スピンコー
タコントローラ２２はロータリエンコーダ６１、６２ま
たは流量計６３からの信号を受信することにより、スピ
ンコータ１３においてスピンコータ１３の動作不良に起
因する基板Ｗの処理不良が発生したことを検知する。そ
して、スピンコータコントローラ２２は、図３に示す基
板ＷのＩＤデータにフラグを立て、このＩＤデータをメ
インコントローラ１９に転送する。
５７の動作に異常が生じた場合においては、スピンコー
タコントローラ２２はロータリエンコーダ６１、６２ま
たは流量計６３からの信号を受信することにより、スピ
ンコータ１３においてスピンコータ１３の動作不良に起
因する基板Ｗの処理不良が発生したことを検知する。そ
して、スピンコータコントローラ２２は、図３に示す基
板ＷのＩＤデータにフラグを立て、このＩＤデータをメ
インコントローラ１９に転送する。
【００３４】一方、メインコントローラ１９において
は、処理不良の発生をＣＲＴ４３に表示するとともに、
処理不良が発生した基板ＷのＩＤデータをインターフェ
ース部コントローラ２１、２４、スピンデベロッパコン
トローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５およ
び熱処理部コントローラ２６に転送する。そして、後述
するように、基板搬送ユニット１７の基板搬送ユニット
コントローラ２５を介して搬送アーム４２を制御し、処
理不良が生じた基板Ｗを基板搬送カセット１または不良
基板回収カセット２に収納する。
は、処理不良の発生をＣＲＴ４３に表示するとともに、
処理不良が発生した基板ＷのＩＤデータをインターフェ
ース部コントローラ２１、２４、スピンデベロッパコン
トローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５およ
び熱処理部コントローラ２６に転送する。そして、後述
するように、基板搬送ユニット１７の基板搬送ユニット
コントローラ２５を介して搬送アーム４２を制御し、処
理不良が生じた基板Ｗを基板搬送カセット１または不良
基板回収カセット２に収納する。
【００３５】なお、インターフェース部コントローラ２
１、２４、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬
送ユニットコントローラ２５および熱処理部コントロー
ラ２６も、上記スピンコータコントローラ２２と同様、
各種の検出器により各ユニットの動作不良に起因する基
板Ｗの処理不良の発生を検知することにより基板ＷのＩ
Ｄデータにフラグを立て、このＩＤデータをメインコン
トローラ１９に転送する構成となっている。
１、２４、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬
送ユニットコントローラ２５および熱処理部コントロー
ラ２６も、上記スピンコータコントローラ２２と同様、
各種の検出器により各ユニットの動作不良に起因する基
板Ｗの処理不良の発生を検知することにより基板ＷのＩ
Ｄデータにフラグを立て、このＩＤデータをメインコン
トローラ１９に転送する構成となっている。
【００３６】次に、この基板処理装置において、各ユニ
ットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良が発生した
場合の、第１実施形態に係る処理動作について説明す
る。
ットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良が発生した
場合の、第１実施形態に係る処理動作について説明す
る。
【００３７】図４は、メインコントローラ１９が、イン
ターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータ
コントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２
３、基板搬送ユニットコントローラ２５または熱処理部
コントローラ２６から、処理不良が発生した基板ＷのＩ
Ｄデータを転送された後の処理動作を示すフローチャー
トである。
ターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータ
コントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２
３、基板搬送ユニットコントローラ２５または熱処理部
コントローラ２６から、処理不良が発生した基板ＷのＩ
Ｄデータを転送された後の処理動作を示すフローチャー
トである。
【００３８】上述したように、各種の検出器によりイン
ターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータ
コントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２
３、基板搬送ユニットコントローラ２５または熱処理部
コントローラ２６のうちのいずれかのコントローラが、
各ユニットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良の発
生を検知することにより、基板ＷのＩＤデータにフラグ
を立て、このＩＤデータをメインコントローラ１９に転
送すれば、メインコントローラ１９は、インターフェー
ス部コントローラ２１、２４、スピンコータコントロー
ラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送
ユニットコントローラ２５および熱処理部コントローラ
２６（以下、必要に応じ「各コントローラ」という）に
対してこのＩＤデータを転送する（ステップＳ１１）。
ターフェース部コントローラ２１、２４、スピンコータ
コントローラ２２、スピンデベロッパコントローラ２
３、基板搬送ユニットコントローラ２５または熱処理部
コントローラ２６のうちのいずれかのコントローラが、
各ユニットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良の発
生を検知することにより、基板ＷのＩＤデータにフラグ
を立て、このＩＤデータをメインコントローラ１９に転
送すれば、メインコントローラ１９は、インターフェー
ス部コントローラ２１、２４、スピンコータコントロー
ラ２２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送
ユニットコントローラ２５および熱処理部コントローラ
２６（以下、必要に応じ「各コントローラ」という）に
対してこのＩＤデータを転送する（ステップＳ１１）。
【００３９】また、メインコントローラ１９は、基板搬
送ユニット１７の基板搬送ユニットコントローラ２５を
介して搬送アーム４２を制御し、処理不良が生じた基板
Ｗを第１のインターフェース部１２の載置部３１に載置
された不良基板回収カセット２に収納した後（ステップ
Ｓ１２）、処理不良の発生をＣＲＴ４３に表示する（ス
テップＳ１３）。なお、不良基板回収カセット２に収納
された不良基板Ｗは、基板再生行程に送られる。
送ユニット１７の基板搬送ユニットコントローラ２５を
介して搬送アーム４２を制御し、処理不良が生じた基板
Ｗを第１のインターフェース部１２の載置部３１に載置
された不良基板回収カセット２に収納した後（ステップ
Ｓ１２）、処理不良の発生をＣＲＴ４３に表示する（ス
テップＳ１３）。なお、不良基板回収カセット２に収納
された不良基板Ｗは、基板再生行程に送られる。
【００４０】次に、この基板処理装置において、各ユニ
ットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良が発生した
場合の、第２実施形態に係る処理動作について説明す
る。
ットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良が発生した
場合の、第２実施形態に係る処理動作について説明す
る。
【００４１】図５は、図４と同様、メインコントローラ
１９が、インターフェース部コントローラ２１、２４、
スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコン
トローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５また
は熱処理部コントローラ２６から、処理不良が発生した
基板ＷのＩＤデータを転送された後の処理動作を示すフ
ローチャートである。
１９が、インターフェース部コントローラ２１、２４、
スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコン
トローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５また
は熱処理部コントローラ２６から、処理不良が発生した
基板ＷのＩＤデータを転送された後の処理動作を示すフ
ローチャートである。
【００４２】各種の検出器によりインターフェース部コ
ントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２
２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニ
ットコントローラ２５または熱処理部コントローラ２６
のうちのいずれかのコントローラが、各ユニットの動作
不良に起因する基板Ｗの処理不良の発生を検知すること
により、基板ＷのＩＤデータにフラグを立て、このＩＤ
データをメインコントローラ１９に転送すれば、メイン
コントローラ１９は、各コントローラに対してこのＩＤ
データを転送する（ステップＳ２１）。
ントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２
２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニ
ットコントローラ２５または熱処理部コントローラ２６
のうちのいずれかのコントローラが、各ユニットの動作
不良に起因する基板Ｗの処理不良の発生を検知すること
により、基板ＷのＩＤデータにフラグを立て、このＩＤ
データをメインコントローラ１９に転送すれば、メイン
コントローラ１９は、各コントローラに対してこのＩＤ
データを転送する（ステップＳ２１）。
【００４３】また、メインコントローラ１９は、処理不
良が発生した基板Ｗが、露光装置に搬送される前のもの
であるのか、すでに露光装置で露光を完了したものであ
るのかを判断する（ステップＳ２２）。
良が発生した基板Ｗが、露光装置に搬送される前のもの
であるのか、すでに露光装置で露光を完了したものであ
るのかを判断する（ステップＳ２２）。
【００４４】そして、処理不良が発生した基板Ｗを通常
の基板Ｗと同様の行程で各ユニットに順次通過させ、第
１のインターフェース部１２または第２のインターフェ
ース部１８のうち、次に通過するインターフェース部に
載置された不良基板回収カセット２内に収納する。より
具体的には、処理不良が発生した基板Ｗが露光前のもの
である場合には、この基板Ｗを基板搬送ユニット１７に
より第２のインターフェース部１８の載置部３６に載置
された不良基板回収カセット２に収納する（ステップＳ
２４）。また、処理不良が発生した基板Ｗが露光後のも
のである場合には、この基板Ｗを基板搬送ユニット１７
により第１のインターフェース部１２の載置部３１に載
置された不良基板回収カセット２に収納する（ステップ
Ｓ２３）。
の基板Ｗと同様の行程で各ユニットに順次通過させ、第
１のインターフェース部１２または第２のインターフェ
ース部１８のうち、次に通過するインターフェース部に
載置された不良基板回収カセット２内に収納する。より
具体的には、処理不良が発生した基板Ｗが露光前のもの
である場合には、この基板Ｗを基板搬送ユニット１７に
より第２のインターフェース部１８の載置部３６に載置
された不良基板回収カセット２に収納する（ステップＳ
２４）。また、処理不良が発生した基板Ｗが露光後のも
のである場合には、この基板Ｗを基板搬送ユニット１７
により第１のインターフェース部１２の載置部３１に載
置された不良基板回収カセット２に収納する（ステップ
Ｓ２３）。
【００４５】そして、処理不良の発生をＣＲＴ４３に表
示する（ステップＳ２５）。不良基板回収カセット２に
収納された不良基板Ｗは、基板再生行程に送られる。
示する（ステップＳ２５）。不良基板回収カセット２に
収納された不良基板Ｗは、基板再生行程に送られる。
【００４６】なお、上述した処理不良が発生した基板Ｗ
を通常の基板Ｗと同様の行程で各ユニットに順次搬送す
る行程においては、メインコントローラ１９から転送さ
れたＩＤデータに基づき、スピンコータ１３またはスピ
ンデベロッパ１４はこの基板Ｗを単に通過させる動作の
みを実行する。すなわち、スピンコータ１３やスピンデ
ベロッパ１４においては、この基板Ｗを塗布部３４や現
像部３５には載置するが、この基板Ｗに対するレジスト
や現像液の供給は行わない。このため、高価な薬液が無
駄に消費することを防止することができる。
を通常の基板Ｗと同様の行程で各ユニットに順次搬送す
る行程においては、メインコントローラ１９から転送さ
れたＩＤデータに基づき、スピンコータ１３またはスピ
ンデベロッパ１４はこの基板Ｗを単に通過させる動作の
みを実行する。すなわち、スピンコータ１３やスピンデ
ベロッパ１４においては、この基板Ｗを塗布部３４や現
像部３５には載置するが、この基板Ｗに対するレジスト
や現像液の供給は行わない。このため、高価な薬液が無
駄に消費することを防止することができる。
【００４７】次に、この基板処理装置において、各ユニ
ットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良が発生した
場合の、第３実施形態に係る処理動作について説明す
る。
ットの動作不良に起因する基板Ｗの処理不良が発生した
場合の、第３実施形態に係る処理動作について説明す
る。
【００４８】図６は、図４と同様、メインコントローラ
１９が、インターフェース部コントローラ２１、２４、
スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコン
トローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５また
は熱処理部コントローラ２６から、処理不良が発生した
基板ＷのＩＤデータを転送された後の処理動作を示すフ
ローチャートである。
１９が、インターフェース部コントローラ２１、２４、
スピンコータコントローラ２２、スピンデベロッパコン
トローラ２３、基板搬送ユニットコントローラ２５また
は熱処理部コントローラ２６から、処理不良が発生した
基板ＷのＩＤデータを転送された後の処理動作を示すフ
ローチャートである。
【００４９】各種の検出器によりインターフェース部コ
ントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２
２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニ
ットコントローラ２５または熱処理部コントローラ２６
のうちのいずれかのコントローラが、各ユニットの動作
不良に起因する基板Ｗの処理不良の発生を検知すること
により、基板ＷのＩＤデータにフラグを立て、このＩＤ
データをメインコントローラ１９に転送すれば、各コン
トローラに対してこのＩＤデータを転送する（ステップ
Ｓ３１）。
ントローラ２１、２４、スピンコータコントローラ２
２、スピンデベロッパコントローラ２３、基板搬送ユニ
ットコントローラ２５または熱処理部コントローラ２６
のうちのいずれかのコントローラが、各ユニットの動作
不良に起因する基板Ｗの処理不良の発生を検知すること
により、基板ＷのＩＤデータにフラグを立て、このＩＤ
データをメインコントローラ１９に転送すれば、各コン
トローラに対してこのＩＤデータを転送する（ステップ
Ｓ３１）。
【００５０】また、メインコントローラ１９は、基板搬
送ユニット１７の基板搬送ユニットコントローラ２５を
介して搬送アーム４２を制御し、処理不良が生じた基板
Ｗを第１のインターフェース部１２の載置部３１に載置
された基板搬送カセット１に収納した後（ステップＳ３
２）、処理不良の発生をＣＲＴ４３に表示する（ステッ
プＳ３３）。
送ユニット１７の基板搬送ユニットコントローラ２５を
介して搬送アーム４２を制御し、処理不良が生じた基板
Ｗを第１のインターフェース部１２の載置部３１に載置
された基板搬送カセット１に収納した後（ステップＳ３
２）、処理不良の発生をＣＲＴ４３に表示する（ステッ
プＳ３３）。
【００５１】このとき、処理不良が発生した基板Ｗは、
オペレータにより基板搬送カセット１内から速やかに取
り出され、基板再生行程に送られる。ただし、処理不良
が発生した基板Ｗが基板搬送カセット１から速やかに取
り出されない場合に対応するため、処理不良が発生した
基板Ｗは、基板搬送カセット１における本来この基板Ｗ
が収納されるべき位置に収納される。
オペレータにより基板搬送カセット１内から速やかに取
り出され、基板再生行程に送られる。ただし、処理不良
が発生した基板Ｗが基板搬送カセット１から速やかに取
り出されない場合に対応するため、処理不良が発生した
基板Ｗは、基板搬送カセット１における本来この基板Ｗ
が収納されるべき位置に収納される。
【００５２】なお、この第３実施形態の場合において
も、上述した第２実施形態の場合と同様、処理不良が発
生した基板Ｗを通常の基板Ｗと同様の行程で各ユニット
に順次通過させた後、基板搬送カセット１に収納するよ
うにしてもよい。
も、上述した第２実施形態の場合と同様、処理不良が発
生した基板Ｗを通常の基板Ｗと同様の行程で各ユニット
に順次通過させた後、基板搬送カセット１に収納するよ
うにしてもよい。
【００５３】なお、上記の発明の実施の形態における薬
液処理ユニットとしてのスピンコータ１３およびスピン
デベロッパ１４と熱処理ユニットとしてのホットプレー
ト１５およびクールプレート１６のそれぞれが、特許請
求の範囲における各処理ユニットに相当する。
液処理ユニットとしてのスピンコータ１３およびスピン
デベロッパ１４と熱処理ユニットとしてのホットプレー
ト１５およびクールプレート１６のそれぞれが、特許請
求の範囲における各処理ユニットに相当する。
【００５４】また、上記発明の実施の形態において薬液
処理ユニットがスピンコータおよびスピンデベロッパで
ある場合について説明したが、これらに限られるもので
はなく、基板を洗浄液を用いて洗浄するユニットである
場合も含まれる。
処理ユニットがスピンコータおよびスピンデベロッパで
ある場合について説明したが、これらに限られるもので
はなく、基板を洗浄液を用いて洗浄するユニットである
場合も含まれる。
【００５５】
【発明の効果】請求項１または請求項２に記載の発明に
よれば、処理不良が発生した基板を、直ちに不良基板回
収カセットに収納することから、薬液処理ユニットにお
いて薬液が無駄に消費されたり、基板の処理に必要以上
の時間を要したりするという問題を解消することができ
る。また、基板を露光装置等の他の装置に搬送して処理
を行う場合においても、不良基板に対して処理が行われ
ることはないため、基板処理全体の効率を向上させるこ
とが可能となる。
よれば、処理不良が発生した基板を、直ちに不良基板回
収カセットに収納することから、薬液処理ユニットにお
いて薬液が無駄に消費されたり、基板の処理に必要以上
の時間を要したりするという問題を解消することができ
る。また、基板を露光装置等の他の装置に搬送して処理
を行う場合においても、不良基板に対して処理が行われ
ることはないため、基板処理全体の効率を向上させるこ
とが可能となる。
【００５６】請求項３または請求項４に記載の発明によ
れば、処理不良が発生した基板を、各処理ユニットを通
過させた後、不良基板回収カセットに収納することか
ら、薬液処理ユニットにおいて薬液が無駄に消費される
という問題を解消することができる。また、基板を露光
装置等の他の装置に搬送して処理を行う場合において
も、不良基板に対して処理が行われることはないため、
基板処理全体の効率を向上させることが可能となる。
れば、処理不良が発生した基板を、各処理ユニットを通
過させた後、不良基板回収カセットに収納することか
ら、薬液処理ユニットにおいて薬液が無駄に消費される
という問題を解消することができる。また、基板を露光
装置等の他の装置に搬送して処理を行う場合において
も、不良基板に対して処理が行われることはないため、
基板処理全体の効率を向上させることが可能となる。
【００５７】請求項５または請求項６に記載の発明によ
れば、処理不良が発生した基板を、基板搬送カセットに
収納することから、薬液処理ユニットにおいて薬液が無
駄に消費されたり、基板の処理に必要以上の時間を要し
たりするという問題を解消することができる。また、基
板を露光装置に搬送して処理を行う場合においても、不
良基板に対して処理が行われることはないため、基板処
理全体の効率を向上させることが可能となる。
れば、処理不良が発生した基板を、基板搬送カセットに
収納することから、薬液処理ユニットにおいて薬液が無
駄に消費されたり、基板の処理に必要以上の時間を要し
たりするという問題を解消することができる。また、基
板を露光装置に搬送して処理を行う場合においても、不
良基板に対して処理が行われることはないため、基板処
理全体の効率を向上させることが可能となる。
【図１】この発明に係る基板処理装置の斜視図である。
【図２】スピンコータ１３における処理不良の検出機構
の概要を示す説明図である。
の概要を示す説明図である。
【図３】ＩＤデータの説明図である。
【図４】メインコントローラ１９が各コントローラから
処理不良が発生した基板ＷのＩＤデータを転送された後
の処理動作を示すフローチャートである。
処理不良が発生した基板ＷのＩＤデータを転送された後
の処理動作を示すフローチャートである。
【図５】メインコントローラ１９が各コントローラから
処理不良が発生した基板ＷのＩＤデータを転送された後
の処理動作を示すフローチャートである。
処理不良が発生した基板ＷのＩＤデータを転送された後
の処理動作を示すフローチャートである。
【図６】メインコントローラ１９が各コントローラから
処理不良が発生した基板ＷのＩＤデータを転送された後
の処理動作を示すフローチャートである。
処理不良が発生した基板ＷのＩＤデータを転送された後
の処理動作を示すフローチャートである。
１ 基板搬送カセット ２ 不良基板回収カセット １２ 第１のインターフェース部 １３ スピンコータ １４ スピンデベロッパ １５ ホットプレート １６ クールプレート １７ 基板搬送ユニット １８ 第２のインターフェース部 １９ メインコントローラ ２１ インターフェース部コントローラ ２２ スピンコータコントローラ ２３ スピンデベロッパコントローラ ２４ インターフェース部コントローラ ２５ 基板搬送ユニットコントローラ ２６ 熱処理部コントローラ ３１ 載置部 ３３ 基板搬入搬出機構 ３６ 載置部 ４１ 基板搬入搬出機構 ４２ 基板搬送アーム
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｃ
Claims (6)
- 【請求項１】 前工程から基板を搬入し、または、後工
程に基板を排出するためのインターフェース部と、基板
に薬液を供給することにより薬液処理する薬液処理ユニ
ットを含む複数の処理ユニットと、前記インターフェー
ス部に搬入された基板を前記薬液処理ユニットを含む複
数の処理ユニットに順次搬送する搬送ユニットとを有す
る基板処理装置において、 処理不良が生じた基板を収納するための前記インターフ
ェース部に配設された不良基板回収カセットと、 前記インターフェース部、各処理ユニットまたは搬送ユ
ニットの動作不良に起因する基板の処理不良の発生を検
知する検知手段と、 前記検知手段により処理不良の発生を検知した場合に、
前記搬送ユニットを制御することにより、処理不良が発
生した基板を、直ちに前記不良基板回収カセットに収納
する制御手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 前工程から基板を搬入し、または、後工
程に基板を排出するためのインターフェース部と、基板
に薬液を供給することにより薬液処理する薬液処理ユニ
ットを含む複数の処理ユニットと、前記インターフェー
ス部と前記薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニット
との間で基板を搬送する搬送ユニットとを有する基板処
理装置を使用し、基板を前記インターフェース部から各
処理ユニットに順次搬送することによりその処理を行う
基板処理方法において、 前記インターフェース部、各処理ユニットまたは搬送ユ
ニットの動作不良に起因する基板の処理不良の発生を検
知手段により検知した場合に、前記搬送ユニットを制御
することにより、処理不良が発生した基板を、前記イン
ターフェース部に配設された不良基板回収カセットに直
ちに収納することを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項３】 前工程から基板を搬入し、または、後工
程に基板を排出するためのインターフェース部と、基板
に薬液を供給することにより薬液処理する薬液処理ユニ
ットを含む複数の処理ユニットと、前記インターフェー
ス部に搬入された基板を前記薬液処理ユニットを含む複
数の処理ユニットに順次搬送する搬送ユニットとを有す
る基板処理装置において、 処理不良が生じた基板を収納するための前記インターフ
ェース部に配設された不良基板回収カセットと、 前記インターフェース部、各処理ユニットまたは搬送ユ
ニットの動作不良に起因する基板の処理不良の発生を検
知する検知手段と、 前記検知手段により処理不良の発生を検知した場合に、
前記搬送ユニットを制御することにより、処理不良が発
生した基板を、各処理ユニットを通過させた後、前記不
良基板回収カセットに収納する制御手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項４】 前工程から基板を搬入し、または、後工
程に基板を排出するためのインターフェース部と、基板
に薬液を供給することにより薬液処理する薬液処理ユニ
ットを含む複数の処理ユニットと、前記インターフェー
ス部と前記薬液処理ユニットを含む複数の処理ユニット
との間で基板を搬送する搬送ユニットとを有する基板処
理装置を使用し、基板を前記インターフェース部から各
処理ユニットに順次搬送することによりその処理を行う
基板処理方法において、 前記インターフェース部、各処理ユニットまたは搬送ユ
ニットの動作不良に起因する基板の処理不良の発生を検
知手段により検知した場合に、前記搬送ユニットを制御
することにより、処理不良が発生した基板を、各処理ユ
ニットを通過させた後、前記インターフェース部に配設
された不良基板回収カセットに収納することを特徴とす
る基板処理方法。 - 【請求項５】 前工程から処理を行うべき基板を基板搬
送カセットに収納した状態で搬入するとともに、処理の
終了した基板を再度基板搬送カセットに収納して排出す
るための基板搬送カセットの載置部を有する第１のイン
ターフェース部と、基板に薬液を供給することにより薬
液処理する薬液処理ユニットと、基板を加熱または冷却
することにより熱処理する熱処理ユニットと、前記薬液
処理ユニットおよび前記熱処理ユニットにおいて処理さ
れた基板を露光装置に搬出するとともに、露光装置によ
り露光を終了した基板を搬入するための第２のインター
フェース部と、前記第１のインターフェース部、前記薬
液処理ユニット、前記熱処理ユニットおよび前記第２の
インターフェース部間で基板を搬送する搬送ユニットと
を有する基板処理装置において、 前記第１、第２のインターフェース部、薬液処理ユニッ
ト、熱処理ユニットまたは搬送ユニットの動作不良に起
因する基板の処理不良の発生を検知する検知手段と、 前記検知手段により処理不良の発生を検知した場合に、
前記搬送ユニットを制御することにより、処理不良が発
生した基板を前記第１のインターフェース部に載置され
た基板搬送カセットに収納する制御手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項６】 前工程から処理を行うべき基板を基板搬
送カセットに収納した状態で搬入するとともに、処理の
終了した基板を再度基板搬送カセットに収納して排出す
るための基板搬送カセットの載置部を有する第１のイン
ターフェース部と、基板に薬液を供給することにより薬
液処理する薬液処理ユニットと、基板を加熱または冷却
することにより熱処理する熱処理ユニットと、前記薬液
処理ユニットおよび前記熱処理ユニットにおいて処理さ
れた基板を露光装置に搬出するとともに、露光装置によ
り露光を終了した基板を搬入するための第２のインター
フェース部と、前記第１のインターフェース部、前記薬
液処理ユニット、前記熱処理ユニットおよび前記第２の
インターフェース部間で基板を搬送する搬送ユニットと
を有する基板処理装置を使用し、基板を前記第１または
第２のインターフェース部から前記薬液処理ユニットお
よび前記熱処理ユニットに順次搬送することによりその
処理を行う基板処理方法において、 前記第１、第２のインターフェース部、薬液処理ユニッ
ト、熱処理ユニットまたは搬送ユニットの動作不良に起
因する基板の処理不良の発生を検知手段により検知した
場合に、前記搬送ユニットを制御することにより、処理
不良が発生した基板を、前記第１のインターフェース部
に載置された基板搬送カセットに収納することを特徴と
する基板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32952797A JP4172553B2 (ja) | 1997-11-12 | 1997-11-12 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32952797A JP4172553B2 (ja) | 1997-11-12 | 1997-11-12 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145052A true JPH11145052A (ja) | 1999-05-28 |
| JP4172553B2 JP4172553B2 (ja) | 2008-10-29 |
Family
ID=18222374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32952797A Expired - Fee Related JP4172553B2 (ja) | 1997-11-12 | 1997-11-12 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4172553B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006054438A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置，基板処理方法及びコンピュータプログラム |
| US7060115B2 (en) | 2000-07-24 | 2006-06-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate carrying method |
| JP2010171276A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置 |
| US7844359B2 (en) | 2007-05-29 | 2010-11-30 | Tokyo Electron Limited | Coating and developing apparatus, operating method for same, and storage medium for the method |
| JP2011066049A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置、基板処理システムおよび検査周辺露光装置 |
| KR101061645B1 (ko) | 2004-07-16 | 2011-09-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 기록매체 |
| JP2017076667A (ja) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板ストック装置 |
-
1997
- 1997-11-12 JP JP32952797A patent/JP4172553B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7060115B2 (en) | 2000-07-24 | 2006-06-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate carrying method |
| JP2006054438A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置，基板処理方法及びコンピュータプログラム |
| JP4549942B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2010-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置，基板処理方法及びコンピュータプログラム |
| KR101061645B1 (ko) | 2004-07-16 | 2011-09-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 기록매체 |
| US7844359B2 (en) | 2007-05-29 | 2010-11-30 | Tokyo Electron Limited | Coating and developing apparatus, operating method for same, and storage medium for the method |
| JP2010171276A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置 |
| JP2011066049A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置、基板処理システムおよび検査周辺露光装置 |
| US8477301B2 (en) | 2009-09-15 | 2013-07-02 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus, substrate processing system and inspection/periphery exposure apparatus |
| JP2017076667A (ja) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板ストック装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4172553B2 (ja) | 2008-10-29 |
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