KR20190032858A - 반도체 제조 설비의 제어 시스템 및 방법과, 이를 이용한 집적 회로의 제조 방법 및 프로세서의 제조 방법 - Google Patents

반도체 제조 설비의 제어 시스템 및 방법과, 이를 이용한 집적 회로의 제조 방법 및 프로세서의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 제조 설비의 제어 시스템 및 방법과, 이를 이용한 집적 회로의 제조 방법 및 프로세서의 제조 방법이 제공된다. 반도체 제조 설비의 제어 방법은, 반도체 제조 설비의 복수의 팬(fan)을 이용하여 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시켰을 때, 반도체 제조 설비 내의 제1, 제2, 및 제3 차압 센서 각각의 제1, 제2, 및 제3 출력 변화량을 측정하고, 제1 내지 제3 출력 변화량을 이용하여, 복수의 팬 중 일부를 제1 그룹으로 그룹화하고, 복수의 팬 중 나머지를 제2 그룹으로 그룹화하고, 순서 결정부가, 제1 내지 제3 출력 변화량을 이용하여, 제1 그룹 중 일부를 제1 서브 그룹으로 그룹화하고, 제1 그룹의 나머지를 제2 서브 그룹으로 그룹화하여, 제1 서브 그룹과 상기 제2 서브 그룹의 제어 순서를 결정하고, 반도체 제조 설비의 동작 압력 하에서, 제1 차이값과 제2 차이값의 차이인 제1 RPI(Regulation Performance Index)와, 제2 차이값과 상기 제3 차이값의 차이값인 제2 RPI를 생성하고, 제1 및 제2 그룹에 대한 정보, 제어 순서에 대한 정보, 제1 RPI 및 제2 RPI를 제공 받아, 복수의 팬 각각의 회전 속도를 조절하는 제어 신호를 생성하는 것을 포함한다.

Description

반도체 제조 설비의 제어 시스템 및 방법과, 이를 이용한 집적 회로의 제조 방법 및 프로세서의 제조 방법{Control system of semiconductor manufacturing equipment, method of controlling the same, and method of fabricating integrated circuit using the same and method of fabricating processor}
본 발명은 반도체 제조 설비의 제어 시스템 및 방법과, 이를 이용한 집적 회로의 제조 방법 및 프로세서의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치가 소형화 되고, 고성능화 됨에 따라, 반도체 제조 설비 내부의 압력 및 기류 관리의 중요성이 높아지고 있다. 특히, 외부 파티클의 유입을 방지하고, 반도체 제조 설비 내부에서 발생되는 파티클을 효과적으로 배출하기 위해, 반도체 제조 설비 내부의 기류에 대한 관리 및 조정이 필요하다. 반도체 제조 설비 내부의 기류의 경우, 반도체 제조 설비 내부의 압력을 반도체 제조 설비 외부보다 높게 유지시켜 관리할 수 있다. 또한, 반도체 제조 설비 내부의 장치 간 압력의 차이가 일정한 값을 유지하도록 함으로써, 반도체 제조 설비 내부의 기류를 조정할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 반도체 제조 설비의 복수의 팬(fan)에 대한 제어 순서를 결정하여 반도체 제조 설비의 압력을 제어하기 위한 반도체 제조 설비의 제어 시스템 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 반도체 제조 설비 내부의 차압 센서의 출력을 이용하여 반도체 제조 설비의 압력 변화를 모니터링하기 위한 반도체 제조 설비의 제어 시스템 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 설비의 제어 방법은, 그룹화부(grouping)가 반도체 제조 설비의 복수의 팬(fan)을 이용하여 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시켰을 때, 반도체 제조 설비 내의 제1, 제2 및 제3 차압 센서 각각의 제1, 제2 및 제3 출력 변화량을 측정하고, 제1 차압 센서는 반도체 제조 설비의 외부와 반도체 제조 설비 내의 제1 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 제2 차압 센서는 반도체 제조 설비의 외부와 반도체 제조 설비 내의 제2 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 제3 차압 센서는 반도체 제조 설비의 외부와 반도체 제조 설비 내의 제3 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 제1 출력 변화량은 제1 압력 조건의 제1 차압 센서의 측정값과 제2 압력 조건의 제1 차압 센서의 측정값 사이의 변화량이고, 제2 출력 변화량은 제1 압력 조건의 제2 차압 센서의 측정값과 제2 압력 조건의 제2 차압 센서의 측정값 사이의 변화량이고, 제3 출력 변화량은 제1 압력 조건의 제3 차압 센서의 측정값과 제2 압력 조건의 제3 차압 센서의 측정값 사이의 변화량이고, 제1 내지 제3 출력 변화량을 이용하여, 복수의 팬 중 일부를 제1 그룹으로 그룹화하고, 상기 복수의 팬 중 나머지를 제2 그룹으로 그룹화하고, 순서 결정부(sequence determinator)가, 제1 내지 제3 출력 변화량을 이용하여, 제1 그룹 중 일부를 제1 서브 그룹으로 그룹화하고, 제1 그룹의 나머지를 제2 서브 그룹으로 그룹화하여, 제1 서브 그룹과 상기 제2 서브 그룹의 제어 순서를 결정하고, 인덱스 생성부(index generator)가, 반도체 제조 설비의 동작 압력 하에서, 제1 차압 센서의 제1 출력의 평균값인 제1 평균값과 반도체 제조 설비의 목표 출력 값인 목표 값의 차이인 제1 차이값을 계산하고, 제2 차압 센서의 제2 출력의 평균값인 제2 평균값과 목표 값의 차이인 제2 차이값을 계산하고, 상기 제3 차압 센서의 제3 출력의 평균값인 제3 평균값과 상기 목표 값의 차이인 제3 차이값을 계산하고, 제1 차이값과 제2 차이값의 차이인 제1 RPI(Regulation Performance Index)와, 제2 차이값과 제3 차이값의 차이인 제2 RPI를 생성하고, 제어부(controller)가, 제1 및 제2 그룹에 대한 정보, 제어 순서에 대한 정보, 제1 RPI 및 상기 제2 RPI를 제공 받아, 복수의 팬 각각의 회전 속도를 조절하는 제어 신호를 생성하는 것을 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 설비의 제어 방법은, 제1 인덱스 생성부(index generator)가, 제1 시구간에서, 반도체 제조 설비 내의 제1 차압 센서의 제1 출력의 평균값인 제1 평균값과 상기 반도체 제조 설비의 목표 출력 값인 목표 값의 차이인 제1 차이값을 계산하고, 상기 반도체 제조 설비 내의 제2 차압 센서의 제2 출력의 평균값인 제2 평균값과 상기 목표 값의 차이인 제2 차이값을 계산하고, 상기 반도체 제조 설비 내의 제3 차압 센서의 제3 출력의 평균값인 제3 평균값과 상기 목표 값의 차이인 제3 차이값을 계산하고, 상기 제1 차이값과 상기 제2 차이값의 차이인 제1 RPI(Regulation Performance Index)와, 상기 제2 차이값과 제3 차이값의 차이인 제2 RPI를 생성하고, 상기 제1 차압 센서는 상기 반도체 제조 설비의 외부와 상기 반도체 제조 설비 내의 제1 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 상기 제2 차압 센서는 상기 반도체 제조 설비의 외부와 상기 반도체 제조 설비 내의 제2 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 상기 제3 차압 센서는 상기 반도체 제조 설비의 외부와 상기 반도체 제조 설비 내의 제3 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 상기 제1 시구간에서 상기 제1 출력은 제2 출력보다 크고, 상기 제2 출력은 상기 제3 출력보다 크고, 제2 인덱스 생성부가, 상기 제1 시구간에서, 상기 제1 평균값과 상기 제2 평균값의 상관관계(correlation)를 나타내는 CI(Correlation Index)를 생성하고, 제3 인덱스 생성부가, 상기 제1 시구간에서 디폴트(default) 값을 출력하고, 상기 제1 출력이 상기 제2 출력보다 작은 제2 시구간에서 상기 제1 평균값과 상기 제2 평균값의 차이값인 BFI(Back Flow Index)를 생성하는 것을 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 설비의 제어 시스템은, 반도체 제조 설비의 복수의 팬(fan)을 이용하여 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시켰을 때, 상기 반도체 제조 설비 내의 제1, 제2 및 제3 차압 센서 각각의 제1, 제2 및 제3 출력 변화량을 측정하고, 상기 제1 차압 센서는 상기 반도체 제조 설비의 외부와 상기 반도체 제조 설비 내의 제1 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 상기 제2 차압 센서는 상기 반도체 제조 설비의 외부와 상기 반도체 제조 설비 내의 제2 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 상기 제3 차압 센서는 상기 반도체 제조 설비의 외부와 상기 반도체 제조 설비 내의 제3 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 상기 제1 출력 변화량은 상기 제1 압력 조건의 상기 제1 차압 센서의 측정값과 상기 제2 압력 조건의 상기 제1 차압 센서의 측정값 사이의 변화량이고, 상기 제2 출력 변화량은 상기 제1 압력 조건의 상기 제2 차압 센서의 측정값과 상기 제2 압력 조건의 상기 제2 차압 센서의 측정값 사이의 변화량이고, 상기 제3 출력 변화량은 상기 제1 압력 조건의 상기 제3 차압 센서의 측정값과 상기 제2 압력 조건의 상기 제3 차압 센서의 측정값 사이의 변화량이고, 상기 제1 내지 제3 출력 변화량을 이용하여, 상기 복수의 팬 중 일부를 제1 그룹으로 그룹화하고, 상기 복수의 팬 중 나머지를 제2 그룹으로 그룹화하는 그룹화부(grouping), 상기 제1 내지 제3 출력 변화량을 이용하여, 상기 제1 그룹 중 일부를 제1 서브 그룹으로 그룹화하고, 상기 제1 그룹의 나머지를 제2 서브 그룹으로 그룹화하여, 상기 제1 서브 그룹과 상기 제2 서브 그룹의 제어 순서를 결정하는 순서 결정부(sequence determinator), 상기 반도체 제조 설비의 동작 압력 하에서, 상기 제1 차압 센서의 제1 출력의 평균값인 제1 평균값과 상기 반도체 제조 설비의 목표 출력 값인 목표 값의 차이인 제1 차이값을 계산하고, 상기 제2 차압 센서의 제2 출력의 평균값인 제2 평균값과 상기 목표 값의 차이인 제2 차이값을 계산하고, 상기 제3 차압 센서의 제3 출력의 평균값인 제3 평균값과 상기 목표 값의 차이인 제3 차이값을 계산하고, 상기 제1 차이값과 상기 제2 차이값의 차이인 제1 RPI(Regulation Performance Index)와, 상기 제2 차이값과 상기 제3 차이값의 차이인 제2 RPI를 생성하는 인덱스 생성부(index generator) 및 상기 제1 및 제2 그룹에 대한 정보, 상기 제어 순서에 대한 정보, 상기 제1 RPI 및 상기 제2 RPI를 제공 받아, 상기 복수의 팬 각각의 회전 속도를 조절하는 제어 신호를 생성하는 제어부(controller)를 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 설비의 제어 시스템을 설명하기 위한 예시적인 블록도이다.
도 2는 도 1의 인덱스 생성부를 설명하기 위한 예시적인 블록도이다.
도 3은 도 1의 반도체 제조 설비의 제어 시스템의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4 내지 도 6 각각은 도 1의 초기 그룹화부, 그룹화부 및 순서 제어부 각각의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 2의 제1 인덱스 생성부 및 제2 인덱스 생성부의 동작을 설명하기 위한 예시적인 순서도로, 도 3의 단계(S500)를 좀 더 구체적으로 설명하기 위한 순서도이다.
도 8은 도 1의 제1 내지 제3 차압 센서의 제1 내지 제3 출력을 시간에 흐름에 따라 나타낸 예시적인 그래프이다.
도 9는 도 2의 제1 인덱스 생성부의 출력을 설명하기 위한 예시적인 그래프이다.
도 10은 도 2의 제2 인덱스 생성부의 출력을 설명하기 위한 예시적인 그래프이다.
도 11은 제3 인덱스 생성부의 동작을 설명하기 위한 예시적인 순서도로, 도 3의 단계(S500)를 좀 더 구체적으로 설명하기 위한 순서도이다.
도 12는 도 2의 제3 인덱스 생성부의 출력을 시간의 흐름에 따라 도시한 예시적인 그래프이다.
도 13은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 설비의 제어 시스템을 포함하는 프로세서의 테스트 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 14는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 프로세서를 포함하는 집적 회로의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 설비의 제어 시스템은 반도체 제조 설비의 공급업자가 제공하는 반도체 제조 설비의 일부인 것으로 설명되었지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 제한되지 않는다. 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 설비의 제어 시스템은 반도체 제조 설비와 별도로 제공되는 제어 시스템일 수 있음은 물론이다.
이하에서 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 설비의 제어 시스템에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 설비의 제어 시스템을 설명하기 위한 예시적인 블록도이다. 도 2는 도 1의 인덱스 생성부(250)를 설명하기 위한 예시적인 블록도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 제조 설비의 제어 시스템(200)은, 초기 그룹화부(Initial Grouping)(210), 그룹화부(Grouping)(220), 순서 결정부(Sequence Determinator)(230), 제어부(Controller)(240), 인덱스 생성부(Index Generator)(250), 및 디스플레이부(Display)(260)를 포함할 수 있다.
반도체 제조 설비의 제어 시스템(200)은, 반도체 제조 설비(100)로부터, 반도체 제조 설비(100) 내의 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3)을 제공받을 수 있다.
반도체 제조 설비(100)는, 제1 장치(101), 제2 장치(102), 제3 장치(103) 및 복수의 팬(fan)(121, 122, 123, 124)을 포함할 수 있다. 제1 장치(101)는 제2 장치(102)와 인접하게 배치될 수 있다. 제2 장치(102)는 제3 장치(103)와 인접하게 배치될 수 있다. 제3 장치(103)는, 제1 장치(101)를 기준으로, 제2 장치(102) 보다 더 멀리 배치될 수 있다. 도면에서, 반도체 제조 설비(100)가 제1 내지 제3 장치(101, 102, 103)를 포함하는 것으로 도시하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 반도체 제조 설비(100)는, 제1 내지 제3 장치(101, 102, 103) 외에, 다른 장치들을 더 포함할 수 있음은 물론이다.
제1 장치(101)는 제1 차압 센서(111), 제1 팬(121), 및 제2 팬(122)을 포함할 수 있다. 제1 차압 센서(111)는, 반도체 제조 설비(100)의 외부와 반도체 제조 설비(100) 내의 제1 지점(P1) 간의 압력 차이를 측정하여, 제1 출력(OUT1)을 생성할 수 있다.
제2 장치(102)는 제2 차압 센서(112) 및 제3 팬(123)을 포함할 수 있다. 제2 차압 센서(112)는, 반도체 제조 설비(100)의 외부와 반도체 제조 설비(100) 내의 제2 지점(P2) 간의 압력 차이를 측정하여, 제2 출력(OUT2)을 생성할 수 있다.
제3 장치(103)는 제3 차압 센서(113) 및 제4 팬(124)을 포함할 수 있다. 제3 차압 센서(113)는 반도체 제조 설비(100)의 외부와 반도체 제조 설비(100) 내의 제3 지점(P3) 간의 압력 차이를 측정하여, 제3 출력(OUT3)을 생성할 수 있다.
여기서 반도체 제조 설비(100)의 외부는, 예를 들어, 반도체 제조 설비(100)의 외부에 정의한 특정 지점(Pref)일 수 있다. 도면에서 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)가 반도체 제조 설비(100)의 외부의 특정 지점(Pref)을 기준으로 압력을 측정하는 것으로 도시하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113) 각각은, 제1 내지 제3 장치(101, 102, 103) 각각과 인접한 반도체 제조 설비(100)의 외부의 지점들을 기준으로 압력을 측정할 수도 있다.
제1 내지 제3 지점(P1, P2, P3) 각각은 제1 내지 제3 장치(101, 102, 103)각각의 내부의 특정 지점일 수 있다. 또한, 제2 지점(P2)은 제3 지점(P3)과 가장 인접할 수 있다. 제3 지점(P3)은 제1 지점(P1)을 기준으로, 제2 지점(P2) 보다 더 멀리 이격되어 있을 수 있다.
도면에서, 제1 내지 제4 팬(121, 122, 123, 124)이 반도체 제조 설비(100) 내의 제1 내지 제3 장치(101, 102, 103) 내에 배치되는 것으로 도시하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제4 팬(121, 122, 123, 124) 중 적어도 하나는, 반도체 제조 설비(100) 내에 배치되되, 반도체 제조 설비(100) 내의 제1 내지 제3 장치(101, 102, 103)의 외부에 배치될 수도 있음은 물론이다. 그러나, 이 경우에도, 예를 들어, 제1 팬(121) 및 제2 팬(122)은 제1 장치(101)와 연관된 것일 수 있고, 제3 팬(123)은 제2 장치(102)와 연관된 것일 수 있고, 제4 팬(124)은 제3 장치(103)와 연관된 것일 수 있다. 반도체 제조 설비(100) 내의 장치와 팬의 연관성에 대한 자세한 사항은, 도 4 내지 도 6을 참조하여 후술한다.
반도체 제조 설비(100)가 제1 내지 제4 팬(121, 122, 123, 124)을 포함하는 것으로 도시하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 반도체 제조 설비(100)는 제1 내지 제4 팬(121, 122, 123, 124) 외에, 다른 팬을 더 포함할 수 있음은 물론이다.
반도체 제조 설비(100) 내에서, 제1 장치(101)에서 제2 장치(102) 방향으로 제1 기류(AF1)가 흐르고, 제2 장치(102)에서 제3 장치(103) 방향으로 제2 기류(AF2)가 흐를 수 있다. 다시 말해서, 제1 장치(101)에서 제2 장치(102)를 거쳐 제3 장치(103)로 제1 기류(AF1) 및 제2 기류(AF2)가 순차적으로 흐를 때, 반도체 제조 설비(100) 내의 기류의 흐름은 정상 상태일 수 있다.
제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3)은, 반도체 제조 설비의 제어 시스템(200)으로 제공될 수 있다. 반도체 제조 설비의 제어 시스템(200)의 초기 그룹화부(210)는, 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3)을 제공 받아, 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력 변화량을 출력할 수 있다.
예를 들어, 초기 그룹화부(210)는, 제1 압력 조건에서 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3)을 제공 받을 수 있다. 또한, 초기 그룹화부(210)는, 제2 압력 조건에서 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3)을 제공 받을 수 있다. 초기 그룹화부(210)는, 제1 압력 조건에서 제공 받은 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3)과, 제2 압력 조건에서 제공 받은 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3)의 차이를 계산하여, 제1 내지 제3 출력 변화량으로 출력할 수 있다. 제1 내지 제3 출력 변화량에 대하여, 도 4를 참조하여 후술한다.
제1 내지 제3 출력 변화량에 대한 정보(IIG)는, 그룹화부(220) 및 순서 제어부(240)에 제공될 수 있다.
그룹화부(220)는 제1 내지 제3 출력 변화량에 대한 정보(IIG)를 이용하여, 복수의 팬(예를 들어, 제1 내지 제4 팬(121, 122, 123, 124)) 중 일부를 제1 그룹으로 그룹화하고, 복수의 팬 중 나머지를 제2 그룹으로 그룹화할 수 있다. 이에 대한 자세한 사항은, 도 5를 참조하여 후술한다. 제1 그룹 및 제2 그룹에 대한 정보(IG)는 순서 결정부(230)에 제공될 수 있다.
순서 결정부(230)는 제1 내지 제3 출력 변화량에 대한 정보(IIG)와 제1 그룹 및 제2 그룹에 대한 정보(IG)를 제공 받아, 제1 그룹에 포함되는 팬의 제어 순서를 결정할 수 있다. 순서 결정부(230)는 제1 그룹 중 일부를 제1 서브 그룹으로 그룹화하고, 제1 그룹의 나머지를 제2 서브 그룹으로 그룹화할 수 있다. 또한, 순서 결정부(230)는 제 서브 그룹과 제2 서브 그룹의 제어 순서를 결정할 수 있다. 이에 대한 자세한 사항은, 도 6을 참조하여 후술한다. 제어 순서에 대한 정보(IS)는, 제어부(240)에 제공될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제어 순서에 대한 정보(IS)는 반도체 제조 설비(100)를 셋 업(set up)한 후 생성될 수 있다.
인덱스 생성부(250)는, 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3)을 제공 받아, RPI(Regulation Performance Index), CI(Correlation Index), 및 BFI(Back Flow Index)를 생성할 수 있다. 인덱스 생성부(250)는, 반도체 제조 설비(100)의 동작 압력 하에서 인덱스들을 생성할 수 있다. 즉, 인덱스 생성부(250)가 제공 받는 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3)은, 반도체 제조 설비(100)의 동작 압력 하에서의 출력일 수 있다. 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3)은 평균 계산기(Average Calculator)(251)에 입력될 수 있다.
평균 계산기(251)는 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3) 각각의 평균값(AVG1, AVG2, AVG3)을 계산하여 출력할 수 있다. 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3) 각각의 평균값(AVG1, AVG2, AVG3)은 제1 인덱스 생성부(253), 제2 인덱스 생성부(255) 및 제3 인덱스 생성부(257)로 제공될 수 있다.
제1 인덱스 생성부(253)는, 제1 평균값(AVG1)과 반도체 제조 설비(100)의 목표 출력 값인 목표 값의 차이인 제1 차이값을 계산할 수 있다. 반도체 제조 설비(100)의 목표 출력 값은, 반도체 제조 설비의 동작 압력 하에서, 이상적인 반도체 제조 설비(100)의 출력 값일 수 있다. 또한, 제1 인덱스 생성부(253)는, 제2 평균값(AGV2)과 목표 값의 차이인 제2 차이값을 계산할 수 있다. 나아가, 제1 인덱스 생성부(253)는, 제3 평균값(AGV3)과 목표 값의 차이인 제3 차이값을 계산할 수 있다. 제1 인덱스 생성부(253)는, 제1 차이값과 제2 차이값의 차이인 제1 RPI를 생성할 수 있다. 또한, 제1 인덱스 생성부(253)는, 제2 차이값과 제3 차이값의 차이인 제2 RPI를 생성할 수 있다. 제1 지점(P1)과 제3 지점(P3)은 가장 인접한 지점들이 아니기 때문에, 제1 인덱스 생성부(253)는 제1 차이값과 제3 차이값의 차이는 생성하지 않을 수 있다. 제1 인덱스 생성부(253)의 출력(ORPI)은, 제1 RPI와 제2 RPI를 포함할 수 있다.
제2 인덱스 생성부(255)는 제1 평균값(AVG1)과 제2 평균값(AVG2)의 상관관계(correlation)를 계산할 수 있다. 또한, 제2 인덱스 생성부(255)는 제2 평균값(AVG2)과 제3 평균값(AVG3)의 상관관계를 계산할 수 있다. 제2 인덱스 생성부(255)의 출력(OCI)은, 제1 차압 센서(111)의 제1 출력(OUT1)과 제2 차압 센서(112)의 제2 출력(OUT2)의 상관관계에 대한 정보 및 제2 차압 센서(112)의 제2 출력(OUT2)과 제3 차압 센서(113)의 제3 출력(OUT3)의 상관관계에 대한 정보를 포함할 수 있다.
제3 인덱스 생성부(257)는 제1 차압 센서(111)의 제1 출력(OUT1)과 제2 차압 센서(112)의 제2 출력(OUT2)을 비교하고, 제2 차압 센서(112)의 제2 출력(OUT2)과 제3 차압 센서(113)의 제3 출력(OUT3)을 비교할 수 있다. 제1 장치(101)에서 제2 장치(102)로 흐르는 제1 기류(AF1)로 인하여, 제1 차압 센서(111)의 제1 출력(OUT1)은 제2 차압 센서(112)의 제2 출력(OUT2)보다 클 수 있다. 또한, 제2 장치(102)에서 제3 장치(103)로 흐르는 제2 기류(AF2)로 인하여, 제2 차압 센서(112)의 제2 출력(OUT2)은 제3 차압 센서(113)의 제3 출력(OUT3)보다 클 수 있다.
제1 차압 센서(111)의 제1 출력(OUT1)이 제2 차압 센서(112)의 제2 출력(OUT2)보다 큰 경우와 제2 차압 센서(112)의 제2 출력(OUT2)이 제3 차압 센서(113)의 제3 출력(OUT3)보다 큰 경우, 제3 인덱스 생성부(257)는 제1 BFI를 생성할 수 있다. 제1 BFI는, 예를 들어, 디폴트 값일 수 있다.
제3 인덱스 생성부(257)는 제1 차압 센서(111)의 제1 출력(OUT1)이 제2 차압 센서(112)의 제2 출력(OUT2)보다 작은 경우, 해당 시구간 내에서, 제1 평균값(AVG1)과 제2 평균값(AVG2)의 차이값인 제2 BFI를 생성할 수 있다. 또한, 제3 인덱스 생성부(257)는 제2 차압 센서(112)의 제2 출력(OUT2)이 제3 차압 센서(113)의 제3 출력(OUT3)보다 작은 경우, 해당 시구간 내에서, 제2 평균값(AVG2)과 제3 평균값(AVG3)의 차이값인 제3 BFI를 생성할 수 있다.
제3 인덱스 생성부(257)의 출력(OBFI)은, 제1 차압 센서(111)의 제1 출력(OUT1)과 제2 차압 센서(112)의 제2 출력(OUT2)을 비교하고, 제2 차압 센서(112)의 출력(OUT2)과 제3 차압 센서(113)의 출력(OUT3)을 비교한 결과에 따라, 제1 내지 제3 BFI 중 어느 하나일 수 있다.
인덱스 생성부(250)의 출력 중 BFI 및 CI에 대한 출력(OBFI, OCI)은, 디스플레이부(260)에 제공될 수 있다. 인덱스 생성부(250)의 출력 중 RPI에 대한 출력(ORPI)은 디스플레이부(260) 및 제어부(240)에 제공될 수 있다. 인덱스 생성부(250)는, 반도체 제조 설비(100)가 작동되는 동안, 실시간으로 인덱스에 대한 출력(ORPI, OCI, OBFI)을 생성할 수 있다.
제어부(240)는 제어 순서에 대한 정보(IS) 및 RPI에 대한 출력(ORPI)을 제공 받아, 제어 신호(IC)를 생성할 수 있다. 예를 들어, 제어부(240)는 RPI에 대한 출력(ORPI)에 이상이 있는 경우, 제1 서브 그룹(도 6의 SG1)의 회전 속도 조절 후 제2 서브 그룹(도 6의 SG2)의 회전 속도를 조절하는 제어 신호(IC)를 생성할 수 있다. 복수의 팬의 제어 순서에 대한 자세한 사항은 도 3 내지 도 6을 참조하여 후술한다.
RPI에 대한 출력(ORPI)에 이상이 있는 경우는, 예를 들어, 후술할 제1 RPI와 제1 기준 RPI(도 9의 RRPI1)의 차이(Diff1)가 기설정된 RPI보다 큰 경우일 수 있다. RPI에 대한 출력(ORPI)에 이상이 있는 경우, 제어부(240)는 실시간으로 생성되는 RPI에 대한 출력(ORPI)을 이용하여, 제1 서브 그룹(도 6의 SG1) 및 제2 서브 그룹(도 6의 SG2)의 회전 속도를 결정할 수 있다.
제어 신호(IC)는 반도체 제조 설비(100)의 복수의 팬에 제공될 수 있다. 제어 신호(IC)는 복수의 팬의 회전 속도를 변화시키기 위한 정보를 포함할 수 있다. 또한 제어 신호(IC)는 복수의 팬 중 제어 대상인 팬에 대한 정보(도 5의 제1 그룹(G1)) 및 제어 대상인 팬의 제어 순서에 대한 정보(도 6의 제1 서브 그룹(SG1) 및 제2 서브 그룹(SG2))를 포함할 수 있다.
이하에서 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 설비의 제어 방법에 대해 설명한다. 명확성을 위해, 앞서 설명한 것과 중복되는 것은 생략한다.
도 3은 도 1의 반도체 제조 설비의 제어 시스템(200)의 동작을 설명하기 위한 순서도이다. 도 4 내지 도 6 각각은 도 1의 초기 그룹화부(210), 그룹화부(220) 및 순서 제어부(240) 각각의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 1, 도 3 및 도 4를 참조하면, 단계(S100)에서 반도체 제조 설비(100)의 가동이 시작된 후, 단계(S200)에서 초기 그룹화 정보(IIG)가 생성될 수 있다.
초기 그룹화부(210)는, 반도체 제조 설비(100)의 복수의 팬(121, 122, 123, 124)을 이용하여 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시켰을 때, 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력 변화량을 측정할 수 있다.
압력 조건은, 반도체 제조 설비(100) 내의 각 장치(101, 102, 103)와 반도체 제조 설비(100) 외부와의 압력 차이(즉, 차압)에 관한 것일 수 있다. 제1 압력 조건은 제2 압력 조건과 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 압력 조건 하에서 제1 장치(101)의 차압과, 제2 압력 조건 하에서 제1 장치(101)의 차압은 서로 상이할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 압력 조건은, 예를 들어, 반도체 제조 설비(100)의 동작 압력일 수 있다. 반도체 제조 설비(100)의 동작 압력은 반도체 제조 설비(100) 외부의 파티클이 반도체 제조 설비(100) 내로 유입되지 않을 정도의 차압일 수 있다. 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시키기 위해, 예를 들어, 복수의 팬의 회전 속도를 변화시킬 수 있다.
출력 변화량은, 제1 압력 조건에서 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112,113)의 측정값과, 제2 압력 조건에서 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112,113)의 측정값 사이의 변화량일 수 있다. 예를 들어, 제1 출력 변화량(a1, b1, c1, d1) 중 a1은, 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시켰을 때, 제1 팬(121)의 회전 속도 변화에 따른 제1 차압 센서(111)의 측정값의 변화량일 수 있다. 예를 들어, 제2 출력 변화량(a2, b2, c2, d2) 중 a2는, 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시켰을 때, 제1 팬(121)의 회전 속도 변화에 따른 제2 차압 센서(112)의 측정값의 변화량일 수 있다. 예를 들어, 제3 출력 변화량(a3, b3, c3, d3) 중 a3은, 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시켰을 때, 제1 팬(121)의 회전 속도 변화에 따른 제3 차압 센서(113)의 측정값의 변화량일 수 있다.
초기 그룹화 정보(IIG)는, 반도체 제조 설비(100)의 복수의 팬(121, 122, 123, 124)을 이용하여 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시켰을 때, 제1 차압 센서(111)의 제1 출력 변화량(a1, b1, c1, d1), 제2 차압 센서(112)의 제2 출력 변화량(a2, b2, c2, d2), 및 제3 차압 센서(113)의 제3 출력 변화량(a3, b3, c3, d3)을 포함할 수 있다.
도 1, 도 3 및 도 5를 참조하면, 단계(S300)에서, 초기 그룹화 정보(IIG)를 이용하여, 복수의 팬 중 일부는 제1 그룹(G1)으로 그룹화 되고, 복수의 팬 중 나머지는 제2 그룹(G2)으로 그룹화될 수 있다.
제1 출력 변화량(a1, b1, c1, d1)은, 제1 팬(121)에 대한 출력 변화량(a1), 제2 팬(122)에 대한 출력 변화량(b1), 제3 팬(123)에 대한 출력 변화량(c1) 및 제4 팬(124)에 대한 출력 변화량(d1)을 포함할 수 있다. 제2 출력 변화량(a2, b2, c2, d2)은, 제1 팬(121)에 대한 출력 변화량(a2), 제2 팬(122)에 대한 출력 변화량(b2), 제3 팬(123)에 대한 출력 변화량(c2) 및 제4 팬(124)에 대한 출력 변화량(d2)을 포함할 수 있다. 제3 출력 변화량(a3, b3, c3, d3)은, 제1 팬(121)에 대한 출력 변화량(a3), 제2 팬(122)에 대한 출력 변화량(b3), 제3 팬(123)에 대한 출력 변화량(c3) 및 제4 팬(124)에 대한 출력 변화량(d3)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 팬(121)의 회전 속도를 조정하여 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시킨 경우, 제1 팬(121)에 대한 제1 출력 변화량(a1), 제2 출력 변화량(a2) 및 제3 출력 변화량(a3) 중 기준 변화량보다 크거나 같은 출력 변화량이 존재하는 경우, 제1 팬(121)은 제1 그룹(G1)에 포함될 수 있다.
예를 들어, 제1 팬(121)의 회전 속도를 조정하여 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시킨 경우, 제1 팬(121)에 대한 제1 출력 변화량(a1)은 기준 변화량보다 크거나 같을 수 있고, 제1 팬(121)에 대한 제2 및 제3 출력 변화량(a2 및 a3)은 기준 변화량보다 작을 수 있다. 이는, 제1 팬(121)의 회전 속도가 변화될 때, 제1 장치(101)가 제2 및 제3 장치(102, 103)보다 제1 팬(121)에 의한 영향을 더 많이 받는다는 것을 의미할 수 있다. 즉, 이 경우, 제1 팬(121)의 회전 속도가 변화됨에 따라, 제1 장치(101)의 차압은, 제2 및 제3 장치(102, 103)의 차압 보다 더 많이 변화될 수 있다. 이는 제1 팬(121)은, 제2 및 제3 장치(102, 103)에 비해 제1 장치(101)에 더 큰 영향을 준다는 것을 의미할 수 있다.
제3 팬(123)의 회전 속도를 조정하여 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시킨 경우, 제3 팬(123)에 대한 제1 내지 제3 출력 변화량(c1, c2, c3)은 기준 변화량보다 크거나 같을 수 있다. 이는, 제3 팬(123)의 회전 속도가 변화되는 경우, 제1 내지 제3 장치(101, 102, 103) 모두가 상당한 영향을 받는다는 것을 의미할 수 있다.
제4 팬(124)의 회전 속도를 조정하여 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시킨 경우, 제4 팬(124)에 대한 제3 출력 변화량(d3)은 기준 변화량보다 크거나 같을 수 있고, 제4 팬(124)에 대한 제1 및 제2 출력 변화량(d1 및 d2)은 기준 변화량보다 작을 수 있다. 이는, 제4 팬(124)의 회전 속도가 변화될 때, 제3 장치(103)가 제1 및 제2 장치(101, 102)보다 제4 팬(124)에 의한 영향을 더 많이 받는다는 것을 의미할 수 있다. 즉, 이 경우, 제4 팬(124)의 회전 속도가 변화됨에 따라, 제3 장치(103)의 차압은, 제1 및 제2 장치(101, 102)의 차압 보다 더 많이 변화될 수 있다. 이는 제4 팬(124)은, 제1 및 제2 장치(101, 102)에 비해 제3 장치(103)에 더 큰 영향을 준다는 것을 의미할 수 있다.
한편, 제2 팬(122)의 회전 속도를 조정하여 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시킨 경우, 제2 팬(122)에 대한 제1 내지 제3 출력 변화량(b1, b2, b3)은 모두 기준 변화량보다 작을 수 있다. 이는, 제2 팬(122)의 회전 속도가 변화되는 경우, 제1 내지 제3 장치(101, 102, 103) 모두가 상당한 영향을 받지 않는다는 것을 의미할 수 있다.
이 경우, 제1 팬(121), 제3 팬(123) 및 제4 팬(124)은 제1 그룹(G1)으로 그룹화되고, 제2 팬(122)은 제2 그룹(G2)으로 그룹화될 수 있다. 그룹화 정보(IG)는 제1 그룹(G1) 및 제2 그룹(G2)에 대한 정보를 포함할 수 있다.
도 1, 도 3 및 도 6을 참조하면, 단계(S400)에서, 초기 그룹화 정보(IIG) 및 그룹화 정보(IG)를 이용하여, 제1 그룹(G1)은 제1 서브 그룹(SG1)과 제2 서브 그룹(SG2)으로 그룹화되고, 제1 서브 그룹(SG1)과 제2 서브 그룹(SG2)에 대한 제어 순서가 결정될 수 있다.
예를 들어, 제1 팬(121)에 대한 제1 내지 제3 출력 변화량(a1, a2, a3) 중 기준 변화량 이상인 변화량은 a1 일 수 있다. 또한, 제4 팬(124)에 대한 제1 내지 제3 출력 변화량(d1, d2, d3) 중 기준 변화량 이상인 변화량은 d3 일 수 있다. 한편, 제3 팬(123)에 대한 제1 내지 제3 출력 변화량(c1, c2, c3) 중 기준 변화량 이상인 변화량은 c1, c2, 및 c3 일 수 있다. 이 경우, 제1 팬(121)은 제1 서브 그룹(SG1)에 포함될 수 있고, 제3 팬(123) 및 제4 팬(124)은 제2 서브 그룹(SG2)에 포함될 수 있다.
즉, 제1 그룹(G1) 중 특정 팬에 대한 제1 내지 제3 출력 변화량이 모두 기준 변화량 이상인 경우, 해당 팬은 제1 서브 그룹(SG1)에 포함될 수 있다. 제1 그룹(G1) 중 특정 팬에 대한 제1 내지 제3 출력 변화량 중 일부만이 기준 변화량 이상인 경우, 해당 팬은 제2 서브 그룹(SG2)에 포함될 수 있다.
반도체 제조 설비(100) 가동 중, 반도체 제조 설비(100) 내의 기류 흐름에 이상이 발생하여 복수의 팬을 이용한 반도체 제조 설비(100) 내부의 압력에 대한 조정이 필요한 경우, 제1 서브 그룹(SG1)의 회전 속도가 먼저 조정된 후, 제2 서브 그룹(SG2)의 회전 속도가 조정될 수 있다.
도 1 및 도 3을 다시 참조하면, 단계(S500)에서, 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3)을 이용하여, 인덱스들이 생성될 수 있다. 인덱스 생성에 대한 자세한 사항은 도 7 내지 도 12를 참조하여 후술한다.
단계(S600)에서, 인덱스 생성부(250)로부터 생성된 인덱스들을 이용하여 반도체 제조 설비(100)의 기류 흐름에 대한 실시간 모니터링을 수행할 수 있다. 또한, 제어부(240)는 인덱스 생성부(250)로부터 생성된 인덱스와 제어 순서에 대한 정보(IS)를 이용하여, 제1 그룹(G1)의 회전 속도를 제어할 수 있다.
이하에서, 도 7 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 도 3의 단계(S500)와 관련하여, 제1 인덱스 생성부(도 2의 253)의 동작에 대해 설명한다. 명확성을 위해, 앞서 설명한 것과 중복되는 것은 생략한다.
도 7은 제1 인덱스 생성부(도 2의 253) 및 제2 인덱스 생성부(도 2의 255)의 동작을 설명하기 위한 예시적인 순서도로, 도 3의 단계(S500)를 좀 더 구체적으로 설명하기 위한 순서도이다. 도 7에서는 제1 차압 센서(도 1의 111)의 제1 출력(OUT1)과 제2 차압 센서(도 1의 112)의 제2 출력(OUT2)을 이용하여 인덱스를 생성하는 것만 도시하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제2 차압 센서(도 1의 112)의 제2 출력(OUT2)과 제3 차압 센서(도 1의 113)의 제3 출력(OUT3)을 이용하여 도 7에 도시된 방법대로 인덱스를 생성할 수 있음은 물론이다. 도 8은 제1 내지 제3 차압 센서(도 1의 111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3)을 시간에 흐름에 따라 나타낸 예시적인 그래프이다. 도 8의 제1 내지 제3 차압 센서(도 1의 111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3)은, 예를 들어, 반도체 제조 설비(도 1의 100)의 동작 압력에서 측정된 것들일 수 있다. 도 9는 도 2의 제1 인덱스 생성부(도 2의 253)의 출력(ORFI)을 설명하기 위한 예시적인 그래프이다. 도 8 및 도 9에서, x 축은 시간(단위: AU(arbitrary unit))일 수 있고, y 축은 차압 센서로부터 출력되는 차압(DPV)(단위: AU)일 수 있다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 단계(S501)에서, 인덱스 생성부(도 2의 250)의 평균 계산기(도 2의 251)는 제1 차압 센서(도 1의 111)의 제1 출력(OUT1)의 제1 평균값(도 2의 AVG1), 제2 차압 센서(도 1의 112)의 제2 출력(OUT2)의 제2 평균값(도 2의 AVG2) 및 제3 차압 센서(도 1의 113)의 제3 출력(OUT3)의 제3 평균값(도 2의 AVG3)을 생성할 수 있다.
구체적으로, 도 8의 그래프에 대해, 평균 계산기(도 2의 251)는 제1 내지 제3 평균값(도 2의 AVG1, AVG2, AVG3)을 생성할 수 있다.
단계(S503)에서, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 인덱스 생성부(253)는 제1 평균값(AVG1)과 제2 평균값(AVG2)의 차이값인 제1 RPI과, 제2 평균값(AVG2)과 제3 평균값(AVG3)의 차이값인 제2 RPI를 생성할 수 있다.
단계(S505)에서, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 RPI와 제1 기준 RPI(RRPI1)의 차이(Diff1)와, 기설정된 RPI와의 비교가 수행될 수 있다.
단계(S505)에서, 제1 RPI와 제1 기준 RPI(RRPI1)의 차이(Diff1)가 기설정된 RPI보다 작으면, 단계(S501)의 제1 및 제2 평균값(AVG1, AVG2) 생성이 다시 수행될 수 있다.
단계(S505)에서, 제1 RPI와 제1 기준 RPI(RRPI1)의 차이(Diff1)가 기설정된 RPI보다 크면, 단계(S507)에서 제1 서브 그룹(도 6의 SG1)과 제2 서브 그룹(도 6의 SG2)의 회전 속도가 조절될 수 있다.
구체적으로, 제1 RPI와 제1 기준 RPI(RRPI1)의 차이(Diff1)가 기설정된 RPI보다 크면, 반도체 제조 설비(100)의 내부 기류의 흐름이 정상 상태가 아닌 것을 의미할 수 있다. 이 경우, 제어부(도 1의 240)는 제어 순서에 대한 정보(IS)를 이용하여, 제1 서브 그룹(도 6의 SG1)의 회전 속도 조절 후, 제2 서브 그룹(도 6의 SG2)의 회전 속도를 조절하기 위한 제어 신호(IC)를 반도체 제조 설비(도 1의 100)에 제공할 수 있다.
이하에서, 도 7 및 도 10을 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 도 3의 단계(S500)와 관련하여, 제2 인덱스 생성부(도 2의 255)의 동작에 대해 설명한다. 명확성을 위해, 앞서 설명한 것과 중복되는 것은 생략한다.
도 10은 도 2의 제2 인덱스 생성부(도 2의 255)의 출력(OCI)을 설명하기 위한 예시적인 그래프이다. 도 10에서, x 축은 시간(단위: AU(arbitrary unit))일 수 있고, y 축은 차압 센서로부터 출력되는 차압(DPV)(단위: AU)일 수 있다.
도 7 및 도 10을 참조하면, 단계(S511)에서, 제2 인덱스 생성부(도 2의 255)는 제1 평균값(AVG1)과 제2 평균값(AVG2)을 이용하여, 상관관계를 계산하고, 계산된 상관관계를 디스플레이부(도 1의 260)에 제공할 수 있다.
단계(S513)에서, 제1 평균값(AVG1)과 제2 평균값(AVG2)의 상관관계와 기준 상관관계와의 비교가 수행될 수 있다.
도 10의 그래프의 t1(AU)에서 t31(AU) 사이의 시구간에서, 제1 평균값(AVG1)과 제2-1 평균값(AVG2_1)의 상관관계는, 기준 상관관계보다 크거나 같을 수 있다. 이는, 단계(S515)에서, 제1 차압 센서(111)와 제2 차압 센서(112)가 정상적으로 동작하는 것을 의미할 수 있다.
도 10의 그래프의 t31(AU)에서 t4(AU) 사이의 시구간에서, 제1 평균값(AVG1)과 제2-2 평균값(AVG2_2)의 상관관계는, 기준 상관관계보다 작을 수 있다. 이는, 단계(S517)에서, 제1 차압 센서(111)와 제2 차압 센서(112)가 비정상으로 동작하는 것을 의미할 수 있다.
이하에서, 도 8, 도 11 및 도 12를 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 도 3의 단계(S500)와 관련하여, 제3 인덱스 생성부(도 2의 257)의 동작에 대해 설명한다. 명확성을 위해, 앞서 설명한 것과 중복되는 것은 생략한다.
도 11은 제3 인덱스 생성부(도 2의 257)의 동작을 설명하기 위한 예시적인 순서도로, 도 3의 단계(S500)를 좀 더 구체적으로 설명하기 위한 순서도이다. 도 11에서는 제1 차압 센서(도 1의 111)의 제1 출력(OUT1)과 제2 차압 센서(도 1의 112)의 제2 출력(OUT2)을 이용하여 인덱스를 생성하는 것만 도시하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제2 차압 센서(도 1의 112)의 제2 출력(OUT2)과 제3 차압 센서(도 1의 113)의 제3 출력(OUT3)을 이용하여 도 11에 도시된 방법대로 인덱스를 생성할 수 있음은 물론이다.
도 12는 도 2의 제3 인덱스 생성부(도 2의 257)의 출력(OBFI)을 시간의 흐름에 따라 도시한 예시적인 그래프이다. 도 12에서, x 축은 시간(단위: AU(arbitrary unit))일 수 있고, y 축은 차압(DPV)(단위: AU)일 수 있다.
도 8, 도 11 및 도 12를 참조하면, 제3 인덱스 생성부(257)는 단계(S521)에서, 제1 차압 센서(도 1의 111)의 제1 출력(OUT1)과 제2 차압 센서(도 1의 112)의 제2 출력(OUT2)과의 비교를 수행할 수 있다.
도 8의 그래프의 제1 시구간(T1) 및 제3 시구간(T3)에서, 제1 차압 센서(111)의 제1 출력(OUT1)은 제2 차압 센서(112)의 제2 출력(OUT2)보다 크고, 제2 차압 센서(112)의 제2 출력(OUT2)은 제3 차압 센서(113)의 제3 출력(OUT3)보다 클 수 있다. 이 경우, 단계(S523)에서, 도 12의 그래프의 제1 시구간(T1) 및 제3 시구간(T3)에 도시된 바와 같이, 제3 인덱스 생성부(도 2의 257)는 디폴트 값을 제1 BFI(BFI1)로 출력할 수 있다. 제3 인덱스 생성부(257)가 디폴트 값을 출력하는 경우, 단계(S521)가 다시 수행될 수 있다.
도 8의 그래프의 제2 시구간(T2)에서, 제1 차압 센서(도 1의 111)의 제1 출력(OUT1)은 제2 차압 센서(도 1의 112)의 제2 출력(OUT2)보다 작을 수 있다.
단계(S525)에서, 제2 시구간(T2)에 대한 제1 차압 센서(도 1의 111)의 제1 출력(OUT1)의 제1 평균값(도 2의 AVG1)과 제2 차압 센서(112)의 제2 출력(OUT2)의 제2 평균값(도 2의 AVG2)이 생성될 수 있다.
단계(S527)에서, 도 12의 그래프의 제2 시구간(T2)에 도시된 바와 같이, 제2 시구간(T2)에서 제1 평균값(도 2의 AVG1)과 제2 평균값(도 2의 AVG2)의 차이값인 제2 BFI(BFI2)가 생성될 수 있다.
예를 들어, 도 12의 그래프는 디스플레이부(도 1의 260)에 출력될 수 있다. 제2 시구간(T2)에서 제2 BFI(BFI2)가 출력되는 것은, 예를 들어, 제1 장치(도 1의 101)와 제2 장치(도 1의 102) 간 기류의 흐름이 역방향으로 변화되었음을 의미할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 제조 설비의 제어 방법은, 제1 내지 제3 차압 센서(111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력(OUT1, OUT2, OUT3)을 이용하여, 인덱스(RPI, BFI, CI)를 생성함으로써, 반도체 제조 설비(100)의 압력 변화를 직관적으로 판단할 수 있다. 또한, 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 제조 설비의 제어 방법은, 복수의 팬을 그룹화하여 제어 대상을 추출하고, 제어 대상인 팬에 대한 제어 순서를 결정할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제4 팬(121, 122, 123, 124) 중 제1 팬(121), 제3 팬(123) 및 제4 팬(124)을 제1 그룹(도 5의 G1)으로 그룹화하여, 제어 대상으로 추출할 수 있다.
나아가, 제1 그룹(도 5의 G1) 중 일부를 제1 서브 그룹(도 6의 SG1)으로 그룹화하여, 인덱스 모니터링 중 이상이 발견되면 제1 서브 그룹(도 6의 SG1)에 대한 제어를 먼저 수행할 수 있다.
반도체 제조 설비(100)의 압력이 반도체 제조 설비(100)의 동작 압력 범위를 벗어난 경우, 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 제조 설비의 제어 방법과 같이 순차적으로 제어하면, 반도체 제조 설비(100)의 동작 압력 범위로의 수렴 시간이 감소될 수 있다. 반도체 제조 설비(100) 내의 장치들과 상당한 연관성이 있는 팬(예를 들어, 제1 서브 그룹(도 6의 SG1))에 대한 회전 속도를 우선적으로 조정함으로써, 반도체 제조 설비(100)의 동작 압력 범위로의 수렴 시간을 감소시킬 수 있다.
이하에서, 도 13을 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 설비의 제어 시스템(200)을 포함하는 프로세서의 테스트 방법에 대해 설명한다.
도 13은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 설비의 제어 시스템(200)을 포함하는 프로세서의 테스트 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 여기서 상기 프로세서는 하드웨어로 구현되거나 또는 소프트웨어로 프로그래밍된 하드웨어로 구현된다.
도 13을 참조하면, 단계(S710)에서, 적어도 하나 이상의 다른 프로세서를 포함하는 웨이퍼 또는 패키지의 일부로서 프로세서를 형성할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 프로세서는, 반도체 제조 설비(도 1의 100)의 복수의 팬(도 1의 제1 내지 제4 팬(121, 122, 123, 124))을 이용하여 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시켰을 때, 반도체 제조 설비(도 1의 100) 내의 제1 내지 제3 차압 센서(도 1의 111, 112, 113)의 제1 내지 제3 출력 변화량(도 4의 a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, c1, c2, c3, 및 c4)을 측정할 수 있다. 이 때, 제1 차압 센서(도 1의 111)는 반도체 제조 설비(도 1의 100)의 외부와 반도체 제조 설비(도 1의 100) 내의 제1 지점(도 1의 P1) 간의 압력 차이를 측정할 수 있다. 제2 차압 센서(도 1의 112)는 반도체 제조 설비(도 1의 100) 외부와 반도체 제조 설비(도 1의 100) 내의 제2 지점(도 1의 P2) 간의 압력 차이를 측정할 수 있다. 제3 차압 센서(도 1의 113)는 반도체 제조 설비(도 1의 100) 외부와 반도체 제조 설비(도 1의 100) 내의 제3 지점(도 1의 P3) 간의 압력 차이를 측정할 수 있다.
제1 출력 변화량(도 4의 a1, b1, c1, d1)은 제1 압력 조건의 제1 차압 센서(도 1의 111)의 측정값과 제2 압력 조건의 제1 차압 센서(도 1의 111)의 측정값 사이의 변화량일 수 있다. 제2 출력 변화량(도 4의 a2, b2, c2, d2)은 제1 압력 조건의 제2 차압 센서(도 1의 112)의 측정값과 제2 압력 조건의 제2 차압 센서(도 1의 112)의 측정값 사이의 변화량일 수 있다. 제3 출력 변화량(도 4의 a3, b3, c3, d3)은 제1 압력 조건의 제3 차압 센서(도 1의 113)의 측정값과 제2 압력 조건의 제3 차압 센서(도 1의 113)의 측정값 사이의 변화량일 수 있다.
프로세서는, 제1 내지 제3 출력 변화량(도 4의 a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, c1, c2, c3, 및 c4)을 이용하여, 복수의 팬(도 1의 121, 122, 123, 124) 중 일부(예를 들어, 도 1의 제1 팬(121), 제3 팬(123) 및 제4 팬(124))를 제1 그룹(도 5의 G1)으로 그룹화하고, 복수의 팬(도 1의 121, 122, 123, 124) 중 나머지(예를 들어, 도 1의 제2 팬(122))를 제2 그룹(도 5의 G2)으로 그룹화할 수 있다.
프로세서는, 제1 내지 제3 출력 변화량(도 4의 a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, c1, c2, c3, 및 c4)들을 이용하여, 제1 그룹(도 5의 G1) 중 일부(예를 들어, 도 1의 제3 팬(123))를 제1 서브 그룹(도 6의 SG1)으로 그룹화하고, 제1 그룹(도 5의 G1)의 나머지(예를 들어, 도 1의 제1 팬(121) 및 제4 팬(124))를 제2 서브 그룹(도 6의 SG2)으로 그룹화하여, 제1 서브 그룹(도 6의 SG1)과 제2 서브 그룹(도 6의 SG2)의 제어 순서를 결정할 수 있다.
프로세서는, 반도체 제조 설비(도 1의 100)의 동작 압력 하에서, 제1 차압 센서(도 1의 111)의 제1 출력(도 1의 OUT1)의 평균값인 제1 평균값(도 2의 AVG1)과, 제2 차압 센서(도 1의 112)의 제2 출력(도 1의 OUT2)의 평균값인 제2 평균값(도 2의 AVG2)과, 제3 차압 센서(도 1의 113)의 제3 출력(도 1의 OUT3)의 평균값인 제3 평균값(도 2의 AVG3)을 계산할 수 있다.
프로세서는, 제1 평균값(도 2의 AVG1)과 제2 평균값(AVG2)의 차이값인 제1 RPI(Regulation Performance Index)와, 제2 평균값(AVG2)과 제3 평균값(AVG3)의 차이값인 제2 RPI를 생성할 수 있다.
프로세서는, 제1 및 제2 그룹(도 5의 G1, G2)에 대한 정보(도 1의 IG), 제어 순서에 대한 정보(도 1의 IS), 제1 RPI 및 제2 RPI를 제공 받아, 복수의 팬(도 1의 121, 122, 123, 124) 각각의 회전 속도를 조절하는 제어 신호(도 1의 IC)를 생성하는 것을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 프로세서는, 제1 시구간(도 8의 T1)에서, 반도체 제조 설비(도 1의 100) 내의 제1 차압 센서(도 1의 111)의 제1 출력(도 1의 OUT1)의 평균값인 제1 평균값(도 2의 AVG1)과, 반도체 제조 설비(도 1의 100) 내의 제2 차압 센서(도 1의 112)의 제2 출력(도 1의 OUT2)의 평균값인 제2 평균값(도 2의 AVG2)의 차이값인 제1 RPI(Regulation Performance Index)와, 제2 평균값(도 2의 AVG2)과 반도체 제조 설비(도 1의 100) 내의 제3 차압 센서(도 1의 113)의 제3 출력(도 1의 OUT3)의 평균값인 제3 평균값(도 2의 AVG3)의 차이인 제2 RPI를 생성할 수 있다. 또한, 제1 시구간(도 8의 T1)에서 제1 출력(도 8의 OUT1)은 제2 출력(도 8의 OUT2)보다 크고, 제2 출력(도 8의 OUT2)은 제3 출력(도 8의 OUT3)보다 클 수 있다.
프로세서는, 제1 시구간(도 8의 T1)에서, 제1 평균값(도 10의 AVG1)과 제2 평균값(도 10의 AVG2)의 상관관계(correlation)를 나타내는 CI(Correlation Index)를 생성할 수 있다.
프로세서는, 제1 시구간(도 8의 T1)에서 디폴트(default) 값을 출력하고, 제1 출력(도 8의 OUT1)이 제2 출력(도 8의 OUT2)보다 작은 제2 시구간(도 8의 T2)에서 제1 평균값(도 2의 AVG1)과 제2 평균값(도 2의 AVG2)의 차이값인 BFI(Back Flow Index)를 생성할 수 있다.
이어서, 단계(S720)에서, 프로세서가 테스트될 수 있다. 프로세서를 테스트하는 것은, 프로세서 및 하나 이상의 전기-광 변환기(electrical to potical converter), 광 신호를 둘 이상의 광 신호로 분배하는 하나 이상의 광 분배기, 및 하나 이상의 광-전기 변환기(optical to electrical converter)를 이용하는 적어도 하나의 이상의 다른 프로세서를 테스트하는 것을 포함할 수 있다.
이하에서, 도 14를 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 설비의 제어 시스템(200)을 포함하는 프로세서를 포함하는 집적 회로의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 14는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 프로세서를 포함하는 집적 회로의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 14를 참조하면, 단계(S810)에서, 집접 회로의 레이어의 특징 세트(feature set)를 위한 마스크 레이아웃을 생성하는 데이터의 초기 레이아웃이 생성될 수 있다.
마스크 레이아웃은 프로세서를 포함하는 하나 이상의 회로 특징(circuit feature)에 대한 스탠다드 셀 라이브러리매크로(standard cell library macro)를 포함할 수 있다. 프로세서는, 앞서 도 13을 참조하여 설명한 프로세서일 수 있다.
단계(S820)에서, 마스크 레이아웃의 생성 중, 레이아웃 디자인 룰(layout design rule)의 준수를 위해 스탠다드 셀 라이브러리 매크로의 상대적인 위치를 무시하는 디자인 룰(design rule) 체크가 수행될 수 있다.
단계(S830)에서, 마스크 레이아웃 생성 이후에 레이아웃 디자인 룰의 준수를 위해 스탠다드 셀 라이브러리 매크로의 상대적인 위치를 검사하는 레이아웃의 수정이 수행될 수 있다.
단계(S840)에서, 새로운 레이아웃 디자인이 형성되고, 임의의 매크로에 의한 레이아웃 디자인 룰의 준수 여부를 검출할 때, 디자인 룰을 준수하지 않은 매크로 각각을 레이아웃 디자인 룰에 따르도록 수정함으로써 마스크 레이아웃을 수정할 수 있다. 또한, 집적 회로의 레이어의 특징 세트를 갖는 수정된 마스크 레이아웃에 따라 마스크가 생성될 수 있고, 생성된 마스크에 따라 집적 회로 레이어가 제조될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
220: 그룹화부 230: 순서 결정부
250: 인덱스 생성부 240: 제어부

Claims (20)

  1. 그룹화부(grouping)가 반도체 제조 설비의 복수의 팬(fan)을 이용하여 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시켰을 때, 상기 반도체 제조 설비 내의 제1, 제2 및 제3 차압 센서 각각의 제1, 제2 및 제3 출력 변화량을 측정하고, 상기 제1 차압 센서는 상기 반도체 제조 설비의 외부와 상기 반도체 제조 설비 내의 제1 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 상기 제2 차압 센서는 상기 반도체 제조 설비의 외부와 상기 반도체 제조 설비 내의 제2 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 상기 제3 차압 센서는 상기 반도체 제조 설비의 외부와 상기 반도체 제조 설비 내의 제3 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 상기 제1 출력 변화량은 상기 제1 압력 조건의 상기 제1 차압 센서의 측정값과 상기 제2 압력 조건의 상기 제1 차압 센서의 측정값 사이의 변화량이고, 상기 제2 출력 변화량은 상기 제1 압력 조건의 상기 제2 차압 센서의 측정값과 상기 제2 압력 조건의 상기 제2 차압 센서의 측정값 사이의 변화량이고, 상기 제3 출력 변화량은 상기 제1 압력 조건의 상기 제3 차압 센서의 측정값과 상기 제2 압력 조건의 상기 제3 차압 센서의 측정값 사이의 변화량이고, 상기 제1 내지 제3 출력 변화량을 이용하여, 상기 복수의 팬 중 일부를 제1 그룹으로 그룹화하고, 상기 복수의 팬 중 나머지를 제2 그룹으로 그룹화하고,
    순서 결정부(sequence determinator)가, 상기 제1 내지 제3 출력 변화량을 이용하여, 상기 제1 그룹 중 일부를 제1 서브 그룹으로 그룹화하고, 상기 제1 그룹의 나머지를 제2 서브 그룹으로 그룹화하여, 상기 제1 서브 그룹과 상기 제2 서브 그룹의 제어 순서를 결정하고,
    인덱스 생성부(index generator)가, 상기 반도체 제조 설비의 동작 압력 하에서, 상기 제1 차압 센서의 제1 출력의 평균값인 제1 평균값과 상기 반도체 제조 설비의 목표 출력 값인 목표 값의 차이인 제1 차이값을 계산하고, 상기 제2 차압 센서의 제2 출력의 평균값인 제2 평균값과 상기 목표 값의 차이인 제2 차이값을 계산하고, 상기 제3 차압 센서의 제3 출력의 평균값인 제3 평균값과 상기 목표 값의 차이인 제3 차이값을 계산하고, 상기 제1 차이값과 상기 제2 차이값의 차이인 제1 RPI(Regulation Performance Index)와, 상기 제2 차이값과 상기 제3 차이값의 차이인 제2 RPI를 생성하고,
    제어부(controller)가, 상기 제1 및 제2 그룹에 대한 정보, 상기 제어 순서에 대한 정보, 상기 제1 RPI 및 상기 제2 RPI를 제공 받아, 상기 복수의 팬 각각의 회전 속도를 조절하는 제어 신호를 생성하는 것을 포함하는 반도체 제조 설비의 제어 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 순서 결정부가 상기 제1 그룹 중 일부를 제1 서브 그룹으로 그룹화하는 것은, 상기 복수의 팬에 포함되는 제1 팬의 회전 속도를 조정하여, 상기 제1 압력 조건에서 상기 제2 압력 조건으로 변화시킨 경우, 상기 제1 내지 제3 출력 변화량이 모두 기준 변화량 이상인 경우, 상기 제1 팬을 상기 제1 서브 그룹에 포함시키는 것을 포함하는 반도체 제조 설비의 제어 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 그룹화부가 상기 복수의 팬 중 일부를 상기 제1 그룹으로 그룹화하는 것은, 상기 복수의 팬에 포함되는 제1 팬의 회전 속도를 조정하여, 상기 제1 압력 조건에서 상기 제2 압력 조건으로 변화시킨 경우, 상기 제1 내지 제3 출력 변화량 중, 기준 변화량보다 크거나 같은 출력 변화량이 존재하는 경우, 상기 제1 팬을 상기 제1 그룹에 포함시키는 것을 포함하고,
    상기 그룹화부가 상기 복수의 팬 중 나머지를 상기 제2 그룹으로 그룹화하는 것은, 상기 복수의 팬에 포함되는 제2 팬의 회전 속도를 조정하여, 상기 제1 압력 조건에서 상기 제2 압력 조건으로 변화시킨 경우, 상기 제1 내지 제3 출력 변화량 중, 상기 기준 변화량보다 크거나 같은 데이터가 존재하지 않는 경우, 상기 제2 팬을 상기 제2 그룹에 포함시키는 것을 포함하는 반도체 제조 설비의 제어 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 인덱스 생성부는, 상기 제1 출력과 상기 제2 출력을 비교하고,
    상기 제1 출력이 상기 제2 출력보다 크면, 디폴트 값을 제1 BFI(Back Flow Index)로 생성하고,
    상기 제1 출력이 상기 제2 출력보다 작으면, 상기 제1 출력이 상기 제2 출력보다 작은 시구간 내에서, 상기 제1 평균값과 상기 제2 평균값의 차이값인 제2 BFI를 생성하는 것을 더 포함하는 반도체 제조 설비의 제어 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 인덱스 생성부는, 상기 제1 평균값과 상기 제2 평균값의 상관관계(correlation)를 계산하는 것을 더 포함하는 반도체 제조 설비의 제어 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 RPI와 기준 RPI의 차이가, 기설정된 RPI 값보다 크면, 상기 제어 신호는 상기 제1 서브 그룹의 회전 속도를 변화시킨 후 상기 제2 서브 그룹의 회전 속도를 변화시키는 반도체 제조 설비의 제어 시스템.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 지점은 상기 제2 지점과 가장 인접하고, 상기 제2 지점은 상기 제3 지점과 가장 인접한 반도체 제조 설비의 제어 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 압력 조건 하에서의 상기 반도체 제조 설비 내의 제1 장치에 대한 상기 제1 차압 센서의 출력은, 상기 제1 압력 조건 하에서의 상기 제1 장치에 대한 상기 차압 센서의 출력과 상이하고,
    상기 제1 지점은, 상기 제1 장치 내에 위치하는 반도체 제조 설비의 제어 방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 압력 조건은, 상기 반도체 제조 설비의 동작 압력과 동일한 반도체 제조 설비의 제어 방법.
  10. 제1 인덱스 생성부(index generator)가, 제1 시구간에서, 반도체 제조 설비 내의 제1 차압 센서의 제1 출력의 평균값인 제1 평균값과 상기 반도체 제조 설비의 목표 출력 값인 목표 값의 차이인 제1 차이값을 계산하고, 상기 반도체 제조 설비 내의 제2 차압 센서의 제2 출력의 평균값인 제2 평균값과 상기 목표 값의 차이인 제2 차이값을 계산하고, 상기 반도체 제조 설비 내의 제3 차압 센서의 제3 출력의 평균값인 제3 평균값과 상기 목표 값의 차이인 제3 차이값을 계산하고, 상기 제1 차이값과 상기 제2 차이값의 차이인 제1 RPI(Regulation Performance Index)와, 상기 제2 차이값과 제3 차이값의 차이인 제2 RPI를 생성하고, 상기 제1 차압 센서는 상기 반도체 제조 설비의 외부와 상기 반도체 제조 설비 내의 제1 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 상기 제2 차압 센서는 상기 반도체 제조 설비의 외부와 상기 반도체 제조 설비 내의 제2 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 상기 제3 차압 센서는 상기 반도체 제조 설비의 외부와 상기 반도체 제조 설비 내의 제3 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 상기 제1 시구간에서 상기 제1 출력은 제2 출력보다 크고, 상기 제2 출력은 상기 제3 출력보다 크고,
    제2 인덱스 생성부가, 상기 제1 시구간에서, 상기 제1 평균값과 상기 제2 평균값의 상관관계(correlation)를 나타내는 CI(Correlation Index)를 생성하고,
    제3 인덱스 생성부가, 상기 제1 시구간에서 디폴트(default) 값을 출력하고, 상기 제1 출력이 상기 제2 출력보다 작은 제2 시구간에서 상기 제1 평균값과 상기 제2 평균값의 차이값인 BFI(Back Flow Index)를 생성하는 것을 포함하는 반도체 제조 설비의 제어 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    그룹화부(grouping)가, 상기 반도체 제조 설비의 복수의 팬(fan)을 이용하여 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시켰을 때, 상기 반도체 제조 설비 내의 제1 내지 제3 차압 센서의 제1 내지 제3 출력 변화량을 측정하고, 상기 제1 출력 변화량은 상기 제1 압력 조건의 상기 제1 차압 센서의 측정값과 상기 제2 압력 조건의 상기 제1 차압 센서의 측정값 사이의 변화량이고, 상기 제2 출력 변화량은 상기 제1 압력 조건의 상기 제2 차압 센서의 측정값과 상기 제2 압력 조건의 상기 제2 차압 센서의 측정값 사이의 변화량이고, 상기 제3 출력 변화량은 상기 제1 압력 조건의 상기 제3 차압 센서의 측정값과 상기 제2 압력 조건의 상기 제3 차압 센서의 측정값 사이의 변화량이고, 상기 제1 내지 제3 출력 변화량을 이용하여, 상기 복수의 팬 중 일부를 제1 그룹으로 그룹화하고, 상기 복수의 팬 중 나머지를 제2 그룹으로 그룹화하고,
    순서 결정부(sequence determinator)가, 상기 제1 내지 제3 출력 변화량을 기초로, 상기 제1 그룹 중 일부를 제1 서브 그룹으로 그룹화하고, 상기 제1 그룹의 나머지를 제2 서브 그룹으로 그룹화하여, 상기 제1 서브 그룹과 상기 제2 서브 그룹의 제어 순서를 결정하고,
    제어부(controller)가, 상기 제1 및 제2 그룹에 대한 정보, 상기 제어 순서에 대한 정보, 상기 제1 RPI 및 상기 제2 RPI를 제공 받아, 상기 복수의 팬 각각의 회전 속도를 조절하는 제어 신호를 생성하는 것을 더 포함하는 반도체 제조 설비의 제어 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 순서 결정부가 상기 제1 그룹 중 일부를 제1 서브 그룹으로 그룹화하는 것은, 상기 복수의 팬에 포함되는 제1 팬의 회전 속도를 조정하여, 상기 제1 압력 조건에서 상기 제2 압력 조건으로 변화시킨 경우, 상기 제1 내지 제3 출력 변화량이 모두 기준 변화량 이상인 경우, 상기 제1 팬을 상기 제1 서브 그룹에 포함시키는 것을 포함하는 반도체 제조 설비의 제어 방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 그룹화부가 상기 복수의 팬 중 일부를 상기 제1 그룹으로 그룹화하는 것은, 상기 복수의 팬에 포함되는 제1 팬의 회전 속도를 조정하여, 상기 제1 압력 조건에서 상기 제2 압력 조건으로 변화시킨 경우, 상기 제1 내지 제3 출력 변화량 중, 기준 변화량보다 크거나 같은 출력 변화량이 존재하는 경우, 상기 제1 팬을 상기 제1 그룹에 포함시키는 것을 포함하고,
    상기 그룹화부가 상기 복수의 팬 중 나머지를 상기 제2 그룹으로 그룹화하는 것은, 상기 복수의 팬에 포함되는 제2 팬의 회전 속도를 조정하여, 상기 제1 압력 조건에서 상기 제2 압력 조건으로 변화시킨 경우, 상기 제1 내지 제3 출력 변화량 중, 상기 기준 변화량보다 크거나 같은 데이터가 존재하지 않는 경우, 상기 제2 팬을 상기 제2 그룹에 포함시키는 것을 포함하는 반도체 제조 설비의 제어 방법.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 제2 압력 조건 하에서의 상기 반도체 제조 설비 내의 제1 장치에 대한 상기 제1 차압 센서의 출력은, 상기 제1 압력 조건 하에서의 상기 제1 장치에 대한 상기 차압 센서의 출력과 상이하고,
    상기 제1 지점은, 상기 제1 장치 내에 위치하는 반도체 제조 설비의 제어 방법.
  15. 제 11항에 있어서,
    상기 제1 압력 조건은, 상기 반도체 제조 설비의 동작 압력과 동일한 반도체 제조 설비의 제어 방법.
  16. 반도체 제조 설비의 복수의 팬(fan)을 이용하여 제1 압력 조건에서 제2 압력 조건으로 변화시켰을 때, 상기 반도체 제조 설비 내의 제1, 제2 및 제3 차압 센서 각각의 제1, 제2 및 제3 출력 변화량을 측정하고, 상기 제1 차압 센서는 상기 반도체 제조 설비의 외부와 상기 반도체 제조 설비 내의 제1 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 상기 제2 차압 센서는 상기 반도체 제조 설비의 외부와 상기 반도체 제조 설비 내의 제2 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 상기 제3 차압 센서는 상기 반도체 제조 설비의 외부와 상기 반도체 제조 설비 내의 제3 지점 간의 압력 차이를 측정하고, 상기 제1 출력 변화량은 상기 제1 압력 조건의 상기 제1 차압 센서의 측정값과 상기 제2 압력 조건의 상기 제1 차압 센서의 측정값 사이의 변화량이고, 상기 제2 출력 변화량은 상기 제1 압력 조건의 상기 제2 차압 센서의 측정값과 상기 제2 압력 조건의 상기 제2 차압 센서의 측정값 사이의 변화량이고, 상기 제3 출력 변화량은 상기 제1 압력 조건의 상기 제3 차압 센서의 측정값과 상기 제2 압력 조건의 상기 제3 차압 센서의 측정값 사이의 변화량이고, 상기 제1 내지 제3 출력 변화량을 이용하여, 상기 복수의 팬 중 일부를 제1 그룹으로 그룹화하고, 상기 복수의 팬 중 나머지를 제2 그룹으로 그룹화하는 그룹화부(grouping);
    상기 제1 내지 제3 출력 변화량을 이용하여, 상기 제1 그룹 중 일부를 제1 서브 그룹으로 그룹화하고, 상기 제1 그룹의 나머지를 제2 서브 그룹으로 그룹화하여, 상기 제1 서브 그룹과 상기 제2 서브 그룹의 제어 순서를 결정하는 순서 결정부(sequence determinator);
    상기 반도체 제조 설비의 동작 압력 하에서, 상기 제1 차압 센서의 제1 출력의 평균값인 제1 평균값과 상기 반도체 제조 설비의 목표 출력 값인 목표 값의 차이인 제1 차이값을 계산하고, 상기 제2 차압 센서의 제2 출력의 평균값인 제2 평균값과 상기 목표 값의 차이인 제2 차이값을 계산하고, 상기 제3 차압 센서의 제3 출력의 평균값인 제3 평균값과 상기 목표 값의 차이인 제3 차이값을 계산하고, 상기 제1 차이값과 상기 제2 차이값의 차이인 제1 RPI(Regulation Performance Index)와, 상기 제2 차이값과 상기 제3 차이값의 차이인 제2 RPI를 생성하는 인덱스 생성부(index generator); 및
    상기 제1 및 제2 그룹에 대한 정보, 상기 제어 순서에 대한 정보, 상기 제1 RPI 및 상기 제2 RPI를 제공 받아, 상기 복수의 팬 각각의 회전 속도를 조절하는 제어 신호를 생성하는 제어부(controller)를 포함하는 반도체 제조 설비의 제어 시스템
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제1 그룹 중 일부를 제1 서브 그룹으로 그룹화하는 것은, 상기 복수의 팬에 포함되는 제1 팬의 회전 속도를 조정하여, 상기 제1 압력 조건에서 상기 제2 압력 조건으로 변화시킨 경우, 상기 제1 내지 제3 출력 변화량이 모두 기준 변화량 이상인 경우, 상기 제1 팬을 상기 제1 서브 그룹에 포함시키는 것을 포함하는 반도체 제조 설비의 제어 시스템.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 복수의 팬 중 일부를 상기 제1 그룹으로 그룹화하는 것은, 상기 복수의 팬에 포함되는 제1 팬의 회전 속도를 조정하여, 상기 제1 압력 조건에서 상기 제2 압력 조건으로 변화시킨 경우, 상기 제1 내지 제3 출력 변화량 중, 기준 변화량보다 크거나 같은 출력 변화량이 존재하는 경우, 상기 제1 팬을 상기 제1 그룹에 포함시키는 것을 포함하고,
    상기 복수의 팬 중 나머지를 상기 제2 그룹으로 그룹화하는 것은, 상기 복수의 팬에 포함되는 제2 팬의 회전 속도를 조정하여, 상기 제1 압력 조건에서 상기 제2 압력 조건으로 변화시킨 경우, 상기 제1 내지 제3 출력 변화량 중, 상기 기준 변화량보다 크거나 같은 데이터가 존재하지 않는 경우, 상기 제2 팬을 상기 제2 그룹에 포함시키는 것을 포함하는 반도체 제조 설비의 제어 시스템.
  19. 제 16항에 있어서,
    상기 인덱스 생성부는, 상기 제1 출력과 상기 제2 출력을 비교하고,
    상기 제1 출력이 상기 제2 출력보다 크면, 디폴트 값을 제1 BFI(back Flow Index)로 생성하고,
    상기 제1 출력이 상기 제2 출력보다 작으면, 상기 제1 출력이 상기 제2 출력보다 작은 시구간 내에서, 상기 제1 평균값과 상기 제2 평균값의 차이값인 제2 BFI를 생성하는 것을 더 포함하는 반도체 제조 설비의 제어 시스템.
  20. 제 16항에 있어서,
    상기 인덱스 생성부는, 상기 제1 평균값과 상기 제2 평균값의 상관관계(correlation)를 계산하는 것을 더 포함하는 반도체 제조 설비의 제어 시스템.
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