JP2002367896A - 環境チャンバ及び基板処理装置並びに基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 安定した処理を行うことができ、省エネルギ
ー化を図ることができる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 外部から隔離されたクリーンルームＣに
おいて、基板に対して所定の処理を行う処理装置２０が
設置された空間を覆う保護チャンバ１０と、保護チャン
バ１０の外部及び保護チャンバ１０の内部の少なくとも
一方における環境条件を検出する環境条件検出手段４０
と、環境条件検出手段４０の出力に基づいて保護チャン
バ１０内の環境条件を制御する環境制御装置３０とを備
えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置及び
基板処理方法、特に半導体ウェハや液晶表示基板などの
基板の製造や検査などを行う基板処理装置及び基板処理
方法に関するものである。また、本発明はかかる基板処
理装置に設置される環境チャンバに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子を製造する半導体製造装置や
半導体ウェハや液晶表示基板などの基板の欠陥などを検
査する検査装置等は、図６に示すように、温度、湿度、
及び清浄度が制御されたクリーンルームＣ内に設置され
る。従って、クリーンルームＣ内に設置された半導体製
造装置や検査装置などの処理装置１００は、クリーンル
ームＣ内の環境条件（温度、湿度、圧力など）に大きく
左右されることとなる。

【０００３】例えば、処理装置として、図７に示すよう
な、基板に対して微細パターンを露光するための露光装
置を考える。このような露光装置は、レチクルが載置さ
れるレチクルステージ１０１と、半導体ウェハを載置す
るウェハステージ１０２と、レーザ光源１０３と、レー
ザ光源１０３からの光をレチクル上の照明エリアに対し
て均一に照明するための照明光学系１０４と、レチクル
のパターンを半導体ウェハ上に結像するための投影光学
系１０５とを備えている。

【０００４】大気中での光の波長は、気温、湿度、圧力
に依存してわずかに変化するので、クリーンルームＣ内
の環境条件は露光装置の処理に影響を与える。また、ク
リーンルームＣの温度が変化すると、露光装置内の各部
材の寸法の変化や基板の熱膨張などを引き起こす場合が
ある。従って、クリーンルームＣ内の環境条件の変動
は、投影光学系１０５の収差、アライメント変動、フォ
ーカス変動、レチクルステージ１０１やウェハステージ
１０２の位置誤差として現れる。このように、処理装置
１００が設置された空間、即ちクリーンルームＣ内の環
境条件の変動は、処理装置１００における処理プロセス
に多大な影響を与える。

【０００５】このような問題に対し、従来から、処理装
置１００の内部に処理チャンバを設けて、空調部１０６
によって処理チャンバ内の環境条件（温度、湿度、圧
力）を制御したり、クリーンルームＣ内の環境条件の変
動に応じて補正処理したりすることが行われている。

【０００６】処理装置１００の内部に処理チャンバを設
けて、処理チャンバ内の環境条件（温度、湿度、圧力）
を制御する場合には、処理チャンバ内を外部のクリーン
ルームＣに対して常に陽圧となるような一定の圧力に制
御する。これによって、外部から塵や埃が入るのを防止
することができるのと同時に、クリーンルームＣ内の環
境条件が変動することにより光の屈折率が変わり露光プ
ロセスに影響を与えるのを防止することができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、クリー
ンルーム内の環境条件は、遅い周期で変動することもあ
れば、早い周期で変動することもある。また、上述のよ
うに、処理チャンバ内の環境条件を制御したり、補正処
理をしたりする場合における変動の許容範囲も狭い。従
って、上述した従来の方法では、クリーンルーム内の環
境条件の変化に完全に対応することは困難である。

【０００８】また、上述した露光装置においては、近年
の集積回路の高密度化及び微細化に対応するために、露
光光を短波長化する傾向にある。従って、クリーンルー
ム内の環境条件が露光装置に与える影響がますます大き
くなると予想される。このような影響を極力抑えるため
には、露光装置が設置されたクリーンルームに対しても
厳しい環境条件が求められ、クリーンルームの空調制御
の高精度化、高応答性、高信頼性が要求されるため、製
造工場全体の高コスト化につながってしまう。

【０００９】現在のメモリを中心にした少品種大量生産
のシステムが疑問視され、システムＬＳＩを中心にした
多品種少量生産のシステムに移行していく構想がある。
このような多品種少量生産のシステムを構築するために
は、大量生産のシステムとは異なり、製造工場のコスト
は極力抑えなければならない。従って、集積回路の高密
度化及び微細化を進めるためには、処理装置を設置する
空間における環境条件が重要な要素となってくる。

【００１０】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、安定した処理を行うことがで
き、省エネルギー化を図ることができる基板処理装置及
び基板処理方法を提供することを目的とする。また、本
発明はかかる基板処理装置に設置される環境チャンバを
提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】このような従来技術にお
ける問題点を解決するために、本発明の第１の態様は、
外部から隔離された処理空間において、基板に対して所
定の処理を行う処理装置が設置された空間を覆う保護チ
ャンバと、上記保護チャンバ外部及び上記保護チャンバ
内部の少なくとも一方における環境条件を検出する環境
条件検出手段と、上記環境条件検出手段の出力に基づい
て上記保護チャンバ内の環境条件を制御する環境制御装
置とを備えたことを特徴とする環境チャンバである。

【００１２】本発明の好ましい一態様は、上記環境条件
が、温度、湿度、及び圧力のうちの少なくとも１つであ
ることを特徴としている。

【００１３】このような構成により、半導体製造装置や
検査装置などの処理装置を保護チャンバの内部に設置し
て、この保護チャンバの内部空間、即ち、処理装置が設
置される空間の環境条件を独立して制御することができ
る。従って、外部の環境条件の変動の影響を処理装置に
与えることなく、安定した処理を行うことが可能とな
る。

【００１４】本発明の第２の態様は、外部から隔離され
た処理空間において、基板に対して所定の処理を行う処
理装置が設置された空間を覆う保護チャンバと、上記保
護チャンバ外部の外気圧を検出する外気圧検出手段と、
上記保護チャンバ内部の内気圧を検出する内気圧検出手
段と、上記保護チャンバ内部の内気圧を検出する内気圧
検出手段と、上記外気圧検出手段により検出された外気
圧と上記内気圧検出手段により検出された内気圧との差
圧に基づいて目標圧力を設定し、上記目標圧力に基づい
て上記保護チャンバ内の圧力を制御する圧力制御装置と
を備えたことを特徴とする環境チャンバである。

【００１５】このような構成により、外気圧と内気圧と
の差圧が一定範囲内になるように保護チャンバ内の圧力
を制御することができるので、保護チャンバ内の圧力に
対する外気圧の変動の影響をなくすことができる。従っ
て、処理装置を安定した環境条件の下で運転することが
可能となる。

【００１６】また、外気圧に関係なく絶対圧において保
護チャンバ内の圧力が一定となるように制御する場合に
は、保護チャンバの壁に外気圧と内気圧との差圧に耐え
得る強度と気密性が要求される。この場合には、保護チ
ャンバが大型化し、コストも高くなってしまう。上記の
ような構成にすれば、保護チャンバを大型化する必要が
なく、コストを低減することができる。また、制御系の
消費するエネルギーを軽減することができ、省エネルギ
ー化を図ることができる。

【００１７】本発明の好ましい一態様は、上記圧力制御
装置は、少なくとも基板１枚又は１ロット分の基板を処
理する間は上記保護チャンバ内の圧力を一定に制御する
ことを特徴としている。

【００１８】このような構成により、処理装置において
プロセスが進行している間の内気圧を一定とすることが
でき、プロセスに対する外気圧変動の影響をなくすこと
ができる。

【００１９】本発明の他の好ましい一態様は、上記圧力
制御装置は、上記保護チャンバ外部の外気圧の変動を予
測し、該予測に応じて上記保護チャンバ内の圧力を制御
することを特徴としている。

【００２０】このような構成により、外気圧の変動の予
測に基づいて目標圧力の変動を前もって予測することが
できるので、外気圧との差圧を極力抑え、外気圧の変動
に対して遅れることなく、処理装置に対して安定した圧
力雰囲気を提供することことが可能となる。また、将来
の内気圧も予測することができるので、保護チャンバ内
の圧力を常時把握することができ、保護チャンバ内に配
置された処理装置に対しても常に圧力情報を提供して、
より高精度の処理を行うことが可能となる。

【００２１】本発明の第３の態様は、基板に対して所定
の処理を行う処理装置を備えた基板処理装置において、
上述した環境チャンバを備えたことを特徴とする基板処
理装置である。

【００２２】本発明の第４の態様は、基板に対して所定
の処理を行う基板処理方法において、外部から隔離され
た処理空間において、基板に対して所定の処理を行う処
理装置を保護チャンバ内に収容し、上記保護チャンバ外
部の外気圧を検出し、上記保護チャンバ内部の内気圧を
検出し、上記検出された外気圧と上記検出された内気圧
との差圧に基づいて目標圧力を設定し、上記目標圧力に
基づいて上記保護チャンバ内の圧力を制御することを特
徴としている。

【００２３】本発明の好ましい一態様は、少なくとも基
板１枚又は１ロット分の基板を処理する間は上記保護チ
ャンバ内の圧力を一定に制御することを特徴としてい
る。

【００２４】本発明の他の好ましい一態様は、上記保護
チャンバ外部の外気圧の変動を予測し、該予測に応じて
上記保護チャンバ内の圧力を制御することを特徴として
いる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る基板処理装置
の一実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態における基板処理装置の全
体構成を示す概略図である。図１に示すように、温度、
湿度、清浄度がコントロールされた、外部から隔離され
た処理空間としてのクリーンルームＣ内に保護チャンバ
１０が設置されている。この保護チャンバ１０の内部に
は、半導体ウェハや液晶表示基板などの基板に対して所
定の処理を行う処理装置２０が収容されている。このよ
うな処理装置として、例えば、半導体ウェハや液晶表示
基板などの基板を製造する製造装置やこのような製造装
置により製造された基板の欠陥などを検査する検査装置
を用いることができる。なお、保護チャンバ１０は、遮
音材で形成することが好ましい。

【００２６】近年、集積回路の高密度化及び微細化に対
応するために、露光光を短波長化する傾向にあり、露光
装置における露光光としてエキシマレーザ等のＤＵＶ光
（Deep Ultra Violet）が使用され、化学増幅型レジス
トなどの高感度レジストが多く用いられるようになって
いる。従って、露光装置内の雰囲気中に不純物ガスが存
在すると、レジストの特性劣化を引き起こしてしまう。
このため、保護チャンバ１０には、物理的に不純物を除
去するＨＥＰＡフィルタに加え、化学物質（アルカリ物
質）を除去するためのケミカルフィルタ等の清浄用フィ
ルタ（図示せず）が設けられており、物理的にも化学的
にもクリーンな状態に保たれている。

【００２７】保護チャンバ１０の内部には、保護チャン
バ１０内における温度、湿度、圧力などの環境条件を制
御する環境制御装置３０が設置されており、この環境制
御装置３０には、保護チャンバ１０の外部及び内部の少
なくとも一方における環境条件を検出するセンサ（環境
条件検出手段）４０が接続されている。図１では、保護
チャンバ１０の外部及び内部の双方にセンサを設置した
例が示されている。処理装置２０を収容した保護チャン
バ１０と環境制御装置３０と環境条件検出手段４０とに
よって本発明に係る環境チャンバが構成されている。

【００２８】環境制御装置３０は、上記センサ４０から
の出力信号を受けて保護チャンバ１０内の環境条件を制
御するための制御信号を演算する演算部３１と、演算部
３１からの制御信号を受けて保護チャンバ１０内の環境
条件を実際に制御する制御部３２とを備えている。この
環境制御装置３０によって、上記センサ４０からの出力
信号に基づいて保護チャンバ１０内の環境条件が制御さ
れ、例えば、保護チャンバ１０内の環境条件の変動がゼ
ロになるように制御される。なお、このような環境制御
装置３０の全体又は一部を保護チャンバ１０又はクリー
ンルームＣの外部に設置することもできる。また、図１
においては、保護チャンバ１０がクリーンルームＣによ
って覆われている例を説明したが、保護チャンバ１０は
外部から隔離された処理空間にあればよく、例えば工場
建屋などの処理空間に保護チャンバを設置してもよい。

【００２９】このような環境制御装置３０によって、温
度を制御する場合には、例えば、上記制御部３２を冷凍
機、加熱ヒータ、循環ファンから構成し、保護チャンバ
１０内の空気を循環させて保護チャンバ１０内の温度の
制御を行う。また、圧力を制御する場合には、例えば、
制御部３２を給気部と排気部とから構成し、給気部から
の給気風量と排気部からの排気風量とを調節して保護チ
ャンバ１０内の圧力の制御を行う。湿度を制御する場合
には、例えば、制御部３２を除湿器、加湿器、冷却器、
加熱ヒータ、ファンから構成し、保護チャンバ１０内を
加除湿して保護チャンバ１０内の湿度を精密に制御す
る。このように保護チャンバ１０内の湿度を直接制御す
るのではなく、保護チャンバ１０内の圧力と温度とを制
御することによって間接的に保護チャンバ１０内の湿度
を制御してもよい。なお、２種類以上の環境条件を制御
する場合には、種類別に環境制御装置を設けてもよい
し、１つの環境制御装置によって複数種類の環境条件を
制御するようにしてもよい。

【００３０】このような環境制御装置３０によって、保
護チャンバ１０の内部空間、即ち、処理装置２０が設置
される空間の環境条件を制御することができるので、ク
リーンルームＣにおける環境条件の変動の影響を処理装
置２０に与えることなく安定した処理を行うことが可能
となる。

【００３１】ここで、上記環境制御装置によって保護チ
ャンバ１０内の圧力を制御する場合を例として説明す
る。図２は、保護チャンバ１０内の圧力を制御する場合
における基板処理装置の全体構成を示す概略図である。

【００３２】図２に示す環境制御装置３０（圧力制御装
置）には、保護チャンバ１０外部の圧力（外気圧）を検
出する外気圧センサ４０ａと、保護チャンバ１０内部の
圧力（内気圧）を検出する内気圧センサ４０ｂとが接続
されている。

【００３３】圧力制御装置３０の制御部３２は、給気ブ
ロワ（ファン）、風量調節弁、風量調節ダンパを有する
給気部３２ａと、排気ブロワ（ファン）、風量調節弁、
風量調節タンパを有する排気部３２ｂとから構成されて
おり、制御部３２の給気部３２ａからの給気風量と排気
部３２ｂからの排気風量とを調節して保護チャンバ１０
内の圧力を制御している。

【００３４】外気圧に関係なく絶対圧において保護チャ
ンバ１０内の圧力が一定となるように制御する場合に
は、保護チャンバ１０の壁に外気圧と内気圧との差圧に
耐え得る強度と気密性が要求されるので、保護チャンバ
１０が大型化し、コストも高くなってしまう。また、外
気圧と内気圧との圧力差が大きい場合には、保護チャン
バ１０内の圧力を一定にするために大きなエネルギーが
制御部３２に必要となる。そこで、本実施形態では、以
下に述べるように、外気圧センサ４０ａにより検出され
た外気圧と内気圧センサ４０ｂにより検出された内気圧
との差圧に基づいて保護チャンバ１０内の圧力の制御を
行っている。即ち、上記差圧が保護チャンバ１０の壁の
許容圧力の範囲内に収まるように内気圧の目標圧力を変
更し、この目標圧力に追従するように内気圧を制御し
て、保護チャンバ１０内に安定した一定圧力環境を形成
している。

【００３５】図３は、図２に示す圧力制御装置３０にお
ける制御を示すブロック図である。まず、外気圧センサ
４０ａからの出力信号（外気圧）Ｐ_ｏｕｔは、ローパス
フィルタ３３ａを通過してその低周波成分が取り出され
た信号Ｐ_ｏｆとなる。低周波成分を取り出すのは、圧力
の大きな変動を制御するための参照値とするためであ
る。なお、ローパスフィルタ３３ａの代わりに移動平均
法を用いて低周波成分を取り出すこともできる。

【００３６】一方、内気圧センサ４０ｂからの出力信号
（内気圧）Ｐ_ｉｎは、ローパスフィルタ３３ｂを通過し
てその低周波成分が取り出された信号Ｐ_ｉｆとなる。そ
して、上記ローパスフィルタ３３ａを通過した低周波成
分を含む外気圧信号Ｐ_ｏｆと、ローパスフィルタ３３ｂ
を通過した低周波成分を含む内気圧信号Ｐ_ｉｆとが比較
され、その差（差圧）Ｐ_Ｄがコンパレータ３４に入力さ
れる。コンパレータ３４では、差圧Ｐ_Ｄと予め設定され
た保護チャンバ１０の許容圧力差Ｐ_ａとが比較される。
そして、差圧Ｐ_Ｄの絶対値が許容圧力Ｐ_ａよりも大きい
場合には、保護チャンバ１０内の圧力に関する目標値テ
ーブル３５を参照して、目標圧力Ｐ_ｔの値を目標値テー
ブル３５中の新たな値に更新する。一方、差圧Ｐ_Ｄの絶
対値が許容圧力Ｐ_ａよりも小さい場合には、目標圧力Ｐ
_ｔは更新されない。なお、許容圧力Ｐ_ａ、目標値テーブ
ル３５及び目標圧力Ｐ_ｔは、圧力制御装置３０内に設け
られた記憶装置（図示せず）に記憶される。

【００３７】保護チャンバ１０内の圧力の制御に際して
は、内気圧センサ４０ｂからの出力信号（内気圧）Ｐ
_ｉｎが上記目標圧力Ｐ_ｔと比較され、その偏差（圧力エ
ラー）Ｐ_ｅｒｒがコントローラ３６に入力される。コン
トローラ３６は、圧力エラーＰ _ｅｒｒがゼロとなるよう
に制御部３２を制御する制御信号を演算し、この制御信
号を制御部３２に出力する。制御部３２では、制御信号
に基づいて給気部３２ａからの給気風量と排気部３２ｂ
からの排気風量とが調節される。従って、保護チャンバ
１０内の圧力は、差圧Ｐ_Ｄの絶対値が許容圧力Ｐ_ａより
も大きい場合には新たに設定された目標圧力になるよう
に制御され、小さい場合にはそのままの目標圧力に維持
されて、保護チャンバ１０内の圧力変動がゼロとなるよ
うな制御が行われる。

【００３８】図４は、上述した圧力制御装置３０を用い
て圧力制御を行った場合の外気圧と内気圧の時間的推移
を示すグラフである。外気圧（図４においてＡで示す）
の変動は、遅い周期の変動と速い周期の変動からなって
いる。本実施形態における圧力制御装置３０では、この
うちの遅い周期の変動を抽出し、内気圧と外気圧との差
圧に基づいて保護チャンバ１０内の圧力（図４において
Ｂで示す）を制御している。

【００３９】上述したように、内気圧と外気圧との差圧
が保護チャンバ１０の許容圧力の範囲内であれば、内気
圧は一定に維持される。一方、許容圧力の範囲を越えた
場合には、目標圧力が更新され内気圧が高圧側又は低圧
側にシフトされる。この内気圧のシフトにおいては、処
理装置２０において対応可能な速度で圧力をシフトさせ
るのが好ましい。

【００４０】ここで、本実施形態では、より安定した制
御を行うため、外気圧の変動を予測し、この予測に応じ
て保護チャンバ１０内の圧力を制御している。即ち、ロ
ーパスフィルタ３３ａを通過した外気圧センサ４０ａの
信号Ｐ_ｏｆは微分器３７にも入力され、外気圧の微分値
Ｐ_ｄが導出される。この微分値Ｐ_ｄによって、外気圧が
上昇中であるのか下降中であるのか、更には、一定時間
後に外気圧がどのくらいになっているのかを予測するこ
とができる。従って、上述したコンパレータ３４での差
圧Ｐ_Ｄと許容圧力Ｐ_ａとの比較において、上記外気圧の
予測結果も利用して比較を行えば、より安定した制御が
可能となる。

【００４１】図５においては、上述のようにして外気圧
Ｃ（低周波成分）を予測しておけば、基板毎に、又は１
ロット分の基板の処理が終了し、次の基板又はカセット
の交換時に、上述した目標圧力を定期的に更新すること
で、処理装置２０において処理中の内気圧を一定に維持
することができる（この場合の保護チャンバ１０内の圧
力を図５においてＤで示す）。従って、処理装置２０に
おいてプロセスが進行している間の内気圧を外気圧に関
係なく一定とすることができ、プロセスに対する外気圧
変動の影響をなくすことが可能となる。

【００４２】なお、内気圧が外部のクリーンルームＣに
対して常に陽圧となるように、保護チャンバ１０内の圧
力を外気圧よりも常に高くして外部からの塵や埃が保護
チャンバ１０内に入らないようにすることもできる。こ
の場合には、保護チャンバ１０内の圧力が常に外気圧よ
りも高いので、圧力を制御する際の負担も軽減される。

【００４３】また、上述した制御部３２の循環ファン、
給気ブロワ（ファン）、排気ブロワ（ファン）の回転体
を支持する軸受として磁気軸受を用いれば、保護チャン
バ１０内の空気を汚染することなく循環又は給排気する
ことができる。この場合において、コイルが巻回された
磁気軸受の固定側をキャンで覆うことが好ましい。更
に、処理装置２０内に有害なガスが混入することを防止
するために、保護チャンバ１０内を不活性ガスでパージ
することが好ましく、この場合には特に上記磁気軸受が
好ましい。また、上述したように、保護チャンバ１０に
は、物理的に不純物を除去するＨＥＰＡフィルタに加
え、化学物質（アルカリ物質）を除去するためのケミカ
ルフィルタ等の清浄用フィルタが設けられており、物理
的にも化学的にもクリーンな状態に保たれている。

【００４４】これまで本発明の一実施形態について説明
したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技
術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施され
てよいことは言うまでもない。

【００４５】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、半導
体製造装置や検査装置などの処理装置を保護チャンバの
内部に設置して、この保護チャンバの内部空間、即ち、
処理装置が設置される空間の環境条件を独立して制御す
ることができる。従って、外部の環境条件の変動の影響
を処理装置に与えることなく、安定した処理を行うこと
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態における基板処理装置の全
体構成を示す概略図である。

【図２】本発明の一実施形態における基板処理装置の全
体構成を示す概略図である。

【図３】図２に示す圧力制御装置における制御を示すブ
ロック図である。

【図４】図２に示す基板処理装置を用いて圧力制御を行
った場合の外気圧と内気圧の時間的推移を示すグラフで
ある。

【図５】本発明の他の実施形態における基板処理装置を
用いて圧力制御を行った場合の外気圧と内気圧の時間的
推移を示すグラフである。

【図６】従来の基板処理装置の全体構成を示す概略図で
ある。

【図７】露光装置の全体構成を示す概略図である。

【符号の説明】

Ｃ クリーンルーム １０ 保護チャンバ ２０ 処理装置 ３０ 環境制御装置 ３１ 演算部 ３２ 制御部 ３２ａ 給気部 ３２ｂ 排気部 ３３ａ，３３ｂ ローパスフィルタ ３４ コンパレータ ３５ 目標値テーブル ３６ コントローラ ３７ 微分器 ４０ センサ（環境条件検出手段） ４０ａ 外気圧センサ ４０ｂ 内気圧センサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 亮 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 奥村 勝弥 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 (72)発明者 東木 達彦 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 4G075 AA22 AA30 BA04 DA01 DA02 EB01 5F046 AA28 DA09 DA26 DA27 DB02 DB03 DC14

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外部から隔離された処理空間において、
   基板に対して所定の処理を行う処理装置が設置された空
   間を覆う保護チャンバと、 前記保護チャンバ外部及び前記保護チャンバ内部の少な
   くとも一方における環境条件を検出する環境条件検出手
   段と、 前記環境条件検出手段の出力に基づいて前記保護チャン
   バ内の環境条件を制御する環境制御装置とを備えたこと
   を特徴とする環境チャンバ。
2. 【請求項２】 前記環境条件が、温度、湿度、及び圧力
   のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項
   １に記載の環境チャンバ。
3. 【請求項３】 外部から隔離された処理空間において、
   基板に対して所定の処理を行う処理装置が設置された空
   間を覆う保護チャンバと、 前記保護チャンバ外部の外気圧を検出する外気圧検出手
   段と、 前記保護チャンバ内部の内気圧を検出する内気圧検出手
   段と、 前記外気圧検出手段により検出された外気圧と前記内気
   圧検出手段により検出された内気圧との差圧に基づいて
   目標圧力を設定し、前記目標圧力に基づいて前記保護チ
   ャンバ内の圧力を制御する圧力制御装置とを備えたこと
   を特徴とする環境チャンバ。
4. 【請求項４】 前記圧力制御装置は、少なくとも基板１
   枚又は１ロット分の基板を処理する間は前記保護チャン
   バ内の圧力を一定に制御することを特徴とする請求項３
   に記載の環境チャンバ。
5. 【請求項５】 前記圧力制御装置は、前記保護チャンバ
   外部の外気圧の変動を予測し、該予測に応じて前記保護
   チャンバ内の圧力を制御することを特徴とする請求項３
   又は４に記載の環境チャンバ。
6. 【請求項６】 基板に対して所定の処理を行う処理装置
   を備えた基板処理装置において、 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の環境チャンバを
   備えたことを特徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 基板に対して所定の処理を行う基板処理
   方法において、 外部から隔離された処理空間において、基板に対して所
   定の処理を行う処理装置を保護チャンバ内に収容し、 前記保護チャンバ外部の外気圧を検出し、 前記保護チャンバ内部の内気圧を検出し、 前記検出された外気圧と前記検出された内気圧との差圧
   に基づいて目標圧力を設定し、 前記目標圧力に基づいて前記保護チャンバ内の圧力を制
   御することを特徴とする基板処理方法。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の基板処理方法におい
   て、 少なくとも基板１枚又は１ロット分の基板を処理する間
   は前記保護チャンバ内の圧力を一定に制御することを特
   徴とする基板処理方法。
9. 【請求項９】 前記請求項７又は８に記載の基板処理方
   法において、 前記保護チャンバ外部の外気圧の変動を予測し、該予測
   に応じて前記保護チャンバ内の圧力を制御することを特
   徴とする基板処理方法。