CN109524328A - 控制半导体制造设施的系统和方法、制造集成电路的方法 - Google Patents

控制半导体制造设施的系统和方法、制造集成电路的方法 Download PDF

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Abstract

本申请提供了一种用于控制半导体制造设施的方法和制造集成电路的方法。所述用于控制半导体制造设施的方法包括：当通过多个风扇改变压强条件时，测量设施中的压差传感器的输出改变量。随后将风扇分为不同的组和子组，并且基于改变量确定子组的控制顺序。接着计算差值，并且产生控制信号以调整风扇的转速。

Description

控制半导体制造设施的系统和方法、制造集成电路的方法
相关申请的交叉引用
于2017年9月20日提交的标题为“控制半导体制造设施的系统和方法、利用所述系统和方法制造集成电路的方法以及利用所述系统和方法制造处理器的方法”的韩国专利申请No.10-2017-0121221以引用方式全文并入本文中。
技术领域
本文所述的一个或多个实施例涉及半导体技术。
背景技术
半导体制造设施内的压强和气流可影响性能和成品率。例如，在这样的设施中的压强和气流可允许会污染各种处理的外部颗粒被引入。另外，或可替换地，压强和气流可允许设施内的颗粒排放到设施外。管理半导体制造设施内的气流的一种尝试涉及保持设施内的压强高于设施外的压强。此外，可通过将设备之间的压强差保持恒定来调整设施内的气流。
发明内容
根据一个或多个实施例，一种用于控制半导体制造设施的方法包括：当通过半导体制造设施中的多个风扇将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，通过分组逻辑测量半导体制造设施中的第一压差传感器、第二压差传感器和第三压差传感器各自的第一输出改变量、第二输出改变量和第三输出改变量，并且基于第一输出改变量至第三输出改变量将一些风扇分为第一组并将其余风扇分为第二组；通过顺序确定器将第一组风扇中的一些风扇分为第一子组，并且将第一组风扇中的其余风扇分为第二子组，并且基于第一输出改变量至第三输出改变量确定第一子组和第二子组的控制顺序。
所述方法还包括：通过指数产生器计算第一差值、第二差值和第三差值，第一差值基于第一平均值与目标值之间的差，所述第一平均值是第一压差传感器在半导体制造设施的工作压强下的第一输出的平均值，并且所述目标值是半导体制造设施的目标输出值，第二差值基于第二平均值与所述目标值之间的差，所述第二平均值是第二压差传感器在半导体制造设施的工作压强下的第二输出的平均值，并且第三差值基于第三平均值与所述目标值之间的差，所述第三平均值是第三压差传感器在半导体制造设施的工作压强下的第三输出的平均值。
所述方法还包括：产生对应于第一差值与第二差值之间的差的第一性能调节指数(RPI)和对应于第二差值与第三差值之间的差的第二RPI；以及通过控制器接收对应于第一组和第二组的信息、对应于控制顺序的信息以及第一RPI和第二RPI，并且产生用于调整风扇中的每一个的转速的控制信号。
第一压差传感器用于测量半导体制造设施的外部与半导体制造设施中的第一点之间的压强差，第二压差传感器用于测量半导体制造设施的外部与半导体制造设施中的第二点之间的压强差，第三压差传感器用于测量半导体制造设施的外部与半导体制造设施中的第三点之间的压强差。
第一输出改变量对应于第一压差传感器在第一压强条件下的测量值与第一压差传感器在第二压强条件下的测量值之间的改变量，第二输出改变量对应于第二压差传感器在第一压强条件下的测量值与第二压差传感器在第二压强条件下的测量值之间的改变量，并且第三输出改变量对应于第三压差传感器在第一压强条件下的测量值与第三压差传感器在第二压强条件下的测量值之间的改变量。下面公开了其它实施例。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，特征将对于本领域技术人员应该变得清楚，其中：
图1示出了用于控制半导体制造设施的系统的实施例；
图2示出了指数产生器的实施例；
图3示出了用于操作所述系统的实施例；
图4至图6示出了用于分别操作初始分组单元、分组单元和顺序确定器的实施例；
图7示出了用于操作指数产生器的实施例；
图8示出了压差传感器的输出的实施例；
图9示出了第一指数产生器的输出的实施例；
图10示出了第二指数产生器的输出的实施例；
图11示出了用于操作第三指数产生器的实施例；
图12示出了第三指数产生器的输出的实施例；
图13示出了用于测试包括用于控制半导体制造设施的系统的处理器的方法的实施例；以及
图14示出了用于制造包括处理器的集成电路的方法的实施例。
具体实施方式
图1示出了用于控制半导体制造设施100的系统200的实施例。图2示出了图1的指数产生器250的实施例。
参照图1和图2，用于控制半导体制造设施100的系统200包括初始分组单元210、分组单元220、顺序确定器230、控制器240、指数产生器250和显示器260。
用于控制半导体制造设施100的系统200可分别通过半导体制造设施100中的第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113从半导体制造设施100接收第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3。
半导体制造设施100可包括第一设备101、第二设备102、第三设备103以及多个风扇121、122、123和124。第一设备101可邻近于第二设备102。第二设备102可邻近于第三设备103。第三设备103可比第二设备102更加远离第一设备101。在图中，半导体制造设施100包括第一设备至第三设备101、102和103。然而，在其它实施例中，半导体制造设施100可包括不同数量的(多于三个或少于三个)设备和/或包括除第一设备至第三设备101、102和103之外的其它设备。
第一设备101可包括第一压差传感器111、第一风扇121和第二风扇122。第一压差传感器111可测量半导体制造设施100的外部与半导体制造设施100中的第一点P1之间的压强差，以产生第一输出OUT1。
第二设备102可包括第二压差传感器112和第三风扇123。第二压差传感器112可测量半导体制造设施100的外部与半导体制造设施100中的第二点P2之间的压强差，以产生第二输出OUT2。
第三设备103可包括第三压差传感器113和第四风扇124。第三压差传感器113可测量半导体制造设施100的外部与半导体制造设施100中的第三点P3之间的压强差，以产生第三输出OUT3。
例如，所述半导体制造设施100的外部可为在半导体制造设施100以外限定的特定点Pref。在图中，第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113基于半导体制造设施100的外部的特定点Pref测量压强。在一个实施例中，第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113可基于分别邻近于第一设备至第三设备101、102和103的半导体制造设施100的外部的点测量压强。
第一点至第三点P1、P2和P3可分别为第一设备至第三设备(101、102和103)内的特定点。第二点P2可最靠近第三点P3。第三点P3可比第二点P2更加远离第一点P1。
第一风扇至第四风扇121、122、123和124被示为在半导体制造设施100中的第一设备至第三设备101、102和103内。然而，第一风扇至第四风扇121、122、123和124中的至少一个可位于半导体制造设施100中的第一设备至第三设备101、102和103之外。即使在这种情况下，第一风扇121和第二风扇122仍可与第一设备101关联，第三风扇123仍可与第二设备102关联，第四风扇124仍可与第三设备103关联。将参照图4至图6描述各个设备与风扇之间的示例关系。
半导体制造设施100被示为包括第一风扇至第四风扇121、122、123和124。在一个实施例中，半导体制造设施100可包括除第一风扇至第四风扇121、122、123和124以外的其它风扇。
在半导体制造设施100中，空气可从第一设备101朝着第二设备102流动(如第一气流AF1所表示的那样)，并且可从第二设备102朝着第三设备103流动(如第二气流AF2所表示的那样)。例如，空气可按照第一气流AF1和第二气流AF2的顺序按次序从第一设备101经第二设备102流动至第三设备103。当发生这种情况时，可认为半导体制造设施100中的气流是正常的。
可将第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113的第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3提供至用于控制半导体制造设施100的系统200。系统200的初始分组单元210可接收第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113的第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3，并且输出第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113的第一输出改变量至第三输出改变量。
例如，初始分组单元210可接收第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113在第一压强条件下的第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3。初始分组单元210可接收第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113在第二压强条件下的第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3。初始分组单元210可计算第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113在第一压强条件下的第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3与第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113在第二压强条件下的第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3之间的差，并且输出计算的差作为第一输出改变量至第三输出改变量。参照图4描述第一输出改变量至第三输出改变量的示例。
可将关于第一输出改变量至第三输出改变量的信息IIG提供至分组单元220和顺序确定器230。分组单元220可利用关于第一输出改变量至第三输出改变量的信息IIG将各个风扇(例如，第一风扇至第四风扇121、122、123和124)中的一些风扇分为第一组，并且将其余风扇分为第二组。参照图5描述了示例。可将关于第一组和第二组的信息IG提供至顺序确定器230。
顺序确定器230可接收关于第一输出改变量至第三输出改变量的信息IIG和关于第一组和第二组的信息IG，并且确定第一组中的风扇的控制顺序。顺序确定器230可将第一组划分为第一子组和第二子组。另外，顺序确定器230可确定第一子组和第二子组的控制顺序。参照图6描述了示例。可将关于控制顺序的信息IS提供至控制器240。在一些实施例中，可在设置半导体制造设施100之后产生关于控制顺序的信息IS。
指数产生器250可接收第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113的第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3，并且产生性能调节指数(RPI)、相关性指数(CI)和回流指数(BFI)。指数产生器250可产生在半导体制造设施100的工作压强下的指数。例如，提供至指数产生器250的第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113的第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3可为在半导体制造设施100的工作压强下的输出。可将第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113的第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3输入至均值计算器251。
均值计算器251可分别计算并输出第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113的第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3的第一平均值至第三平均值AVG1、AVG2和AVG3。可将与第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113的第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3对应的第一平均值至第三平均值AVG1、AVG2和AVG3提供至第一指数产生器253、第二指数产生器255和第三指数产生器257。
第一指数产生器253可计算第一差值，所述第一差值是第一平均值AVG1与作为半导体制造设施100的目标输出值的目标值之间的差。半导体制造设施100的目标输出值可为在半导体制造设施100的工作压强下半导体制造设施100的理想输出值。第一指数产生器253可计算第二差值，所述第二差值是第二平均值AGV2与目标值之间的差。第一指数产生器253可计算第三差值，所述第三差值是第三平均值AGV3与目标值之间的差。
第一指数产生器253可产生第一RPI，所述第一RPI是第一差值与第二差值之间的差。第一指数产生器253还可产生第二RPI，所述第二RPI是第二差值与第三差值之间的差。由于第一点P1和第三点P3并非彼此最靠近，因此第一指数产生器253可不产生第一差值与第三差值之间的差。第一指数产生器253的输出ORPI可包括第一RPI和第二RPI。
第二指数产生器255可计算第一平均值AVG1与第二平均值AVG2之间的相关性。另外，第二指数产生器255可计算第二平均值AVG2和第三平均值AVG3之间的相关性。第二指数产生器255的输出OCI可包括关于第一压差传感器111的第一输出OUT1与第二压差传感器112的第二输出OUT2之间的相关性的信息以及关于第二压差传感器112的第二输出OUT2与第三压差传感器113的第三输出OUT3之间的相关性的信息。
第三指数产生器257可将第一压差传感器111的第一输出OUT1与第二压差传感器112的第二输出OUT2进行比较，并将第二压差传感器112的第二输出OUT2与第三压差传感器113的第三输出OUT3进行比较。由于从第一设备101至第二设备102的第一气流AF1，第一压差传感器111的第一输出OUT1可大于第二压差传感器112的第二输出OUT2。另外，由于从第二设备102至第三设备103的第二气流AF2，第二压差传感器112的第二输出OUT2可大于第三压差传感器113的第三输出OUT3。
当第一压差传感器111的第一输出OUT1大于第二压差传感器112的第二输出OUT2并且当第二压差传感器112的第二输出OUT2大于第三压差传感器113的第三输出OUT3时，第三指数产生器257可产生第一BFI。例如，第一BFI可为默认值。
当第一压差传感器111的第一输出OUT1小于第二压差传感器112的第二输出OUT2时，在对应的时间段中，第三指数产生器257可产生第二BFI，所述第二BFI是第一平均值AVG1与第二平均值AVG2之间的差值。当第二压差传感器112的第二输出OUT2小于第三压差传感器113的第三输出OUT3时，在对应的时间段中，第三指数产生器257可产生第三BFI，所述第三BFI是第二平均值AVG2与第三平均值AVG3之间的差值。
根据将第一压差传感器111的第一输出OUT1与第二压差传感器112的第二输出OUT2进行比较以及将第二压差传感器112的第二输出OUT2与第三压差传感器113的第三输出OUT3进行比较的结果，第三指数产生器257的输出OBFI可为第一BFI、第二BFI和第三BFI中的任一个。
在指数产生器250的输出ORPI、OCI和OBFI中，关于BFI和CI的输出OBFI和OCI可提供至显示器260。在指数产生器250的输出ORPI、OCI和OBFI中，关于RPI的输出ORPI可提供至显示器260和控制器240。在半导体制造设施100的操作中，指数产生器250可实时地产生关于指数的输出ORPI、OCI和OBFI。
控制器240可接收关于控制顺序的信息IS和关于RPI的输出ORPI，并且产生控制信号IC。例如，当关于RPI的输出ORPI异常(例如，与预定输出或预定值不同)时，控制器240可产生用于调整第一子组(例如，图6中的SG1)的转速以及第二子组(例如，图6中的SG2)的转速的控制信号IC。参照图3至图6描述风扇的控制顺序的示例。
当关于RPI的输出ORPI异常(例如，与预定输出或预定值不同)时，第一RPI与第一参考RPI RRPI1(例如，见图9)之间的差Diff1可大于预设的RPI。当关于RPI的输出ORPI异常时，控制器240可基于实时地产生的输出ORPI确定第一子组(例如，图6中的SG1)和第二子组(例如，图6中的SG2)中的每一个的转速。
可将控制信号IC提供至半导体制造设施100的风扇。控制信号IC可包括改变风扇的转速的信息。控制信号IC还可包括关于将被控制的风扇(例如，图5中的第一组G1)的信息和将被控制的风扇(例如，图6中的第一子组SG1和第二子组SG2)的控制顺序。
图3示出了用于操作系统200的实施例，系统200用于控制图1的半导体制造设施100。图4至图6分别示出了图1的初始分组单元210、分组单元220和顺序确定器230的实施例。
参照图1、图3和图4，在操作S100中开始半导体制造设施100的操作之后，在操作S200中，可产生初始分组信息IIG。当利用半导体制造设施100的多个风扇(例如，121、122、123和124)将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，初始分组单元210可测量第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113的第一输出改变量至第三输出改变量。
压强条件可与半导体制造设施100中的各个设备101、102或103与半导体制造设施100的外部之间的压强差(例如，压差)有关。第一压强条件可与第二压强条件不同。例如，第一设备101在第一压强条件下的压差可与第一设备101在第二压强条件下的压差不同。在一些实施例中，例如，第一压强条件可为半导体制造设施100的工作压强。半导体制造设施100的工作压强可为不允许半导体制造设施100的外部的颗粒流入半导体制造设施100中的压差。为了将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件，例如，可改变风扇的转速。
第一输出改变量至第三输出改变量可为第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113在第一压强条件下的测量值与第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113在第二压强条件下的测量值之间的改变量。例如，第一输出改变量a1、b1、c1和d1中的a1可为当压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时根据第一风扇121的转速的改变的第一压差传感器111的测量值的改变量。
例如，第二输出改变量a2、b2、c2和d2中的a2可为当压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时根据第一风扇121的转速的改变的第二压差传感器112的测量值的改变量。
例如，第三输出改变量a3、b3、c3和d3中的a3可为当压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时根据第一风扇121的转速的改变的第三压差传感器113的测量值的改变量。
初始分组信息IIG可包括当利用半导体制造设施100的风扇(例如，121、122、123和124)将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时第一压差传感器111的第一输出改变量a1至d1、第二压差传感器112的第二输出改变量a2、b2、c2和d2和第三压差传感器113的第三输出改变量a3至d3。
参照图1、图3和图5，在操作S300中，利用初始分组信息IIG，可将各个风扇中的一些风扇分为第一组G1，并且可将其余风扇分为第二组G2。
第一输出改变量a1、b1、c1和d1可包括第一风扇121的输出改变量a1、第二风扇122的输出改变量b1、第三风扇123的输出改变量c1和第四风扇124的输出改变量d1。第二输出改变量a2、b2、c2和d2可包括第一风扇121的输出改变量a2、第二风扇122的输出改变量b2、第三风扇123的输出改变量c2和第四风扇124的输出改变量d2。第三输出改变量a3、b3、c3和d3可包括第一风扇121的输出改变量a3、第二风扇122的输出改变量b3、第三风扇123的输出改变量c3和第四风扇124的输出改变量d3。
例如，当(通过调整第一风扇121的转速)将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，如果第一风扇121的第一输出改变量a1、第二输出改变量a2或第三输出改变量a3中的任一个大于或等于参考改变量，则第一风扇121可被包括在第一组G1中。
例如，当(通过调整第一风扇121的转速)将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，第一风扇121的第一输出改变量a1可大于或等于参考改变量，并且第一风扇121的第二输出改变量a2和第三输出改变量a3可小于参考改变量。这可意味着，当第一风扇121的转速改变时，第一设备101受第一风扇121的影响大于第二设备102和第三设备103受第一风扇121的影响。因此，在这种情况下，随着第一风扇121的转速改变，第一设备101的压差的改变可大于第二设备102和第三设备103的压差的改变。这可意味着，第一风扇121对第一设备101的影响比对第二设备102和第三设备103的影响更大。
当压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，通过调整第三风扇123的转速，第三风扇123的第一输出改变量至第三输出改变量c1、c2和c3均可大于或等于参考改变量。这可意味着，第一设备至第三设备101、102和103全部明显受第三风扇123的转速改变的影响。
当通过调整第四风扇124的转速将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，第四风扇124的第三输出改变量d3可大于或等于参考改变量，并且第四风扇124的第一输出改变量d1和第二输出改变量d2可小于参考改变量。这可意味着，当第四风扇124的转速改变时，第三设备103受第四风扇124的影响大于第一设备101和第二设备102受第四风扇124的影响。因此，在这种情况下，随着第四风扇124的转速改变，第三设备103的压差的改变可大于第一设备101和第二设备102的压差的改变。这可意味着，第四风扇124对第三设备103的影响比对第一设备101和第二设备102的影响更大。
当(通过调整第二风扇122的转速)将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，第二风扇122的第一输出改变量至第三输出改变量b1、b2和b3全部可小于参考改变量。这可意味着，第一设备至第三设备101、102和103全部不会明显受第二风扇122的转速改变的影响。
在这种情况下，第一风扇121、第三风扇123和第四风扇124可被包括在第一组G1中，第二风扇122可被包括在第二组G2中。分组信息IG可包括关于第一组G1和第二组G2的信息。
参照图1、图3和图6，在操作S400中，通过利用初始分组信息IIG和分组信息IG，可将第一组G1分为第一子组SG1和第二子组SG2，并且可确定第一子组SG1和第二子组SG2的控制顺序。
例如，第一风扇121的第一输出改变量至第三输出改变量a1、a2和a3中的a1可为等于或大于参考改变量的改变量。第四风扇124的第一输出改变量至第三输出改变量d1、d2和d3中的d3可为等于或大于参考改变量的改变量。另外，第三风扇123的第一输出改变量至第三输出改变量c1、c2和c3中的c1、c2和c3可为等于或大于参考改变量的改变量。在这种情况下，第三风扇123可在第一子组SG1中，第一风扇121和第四风扇124可在第二子组SG2中。
例如，当第一组G1中的特定风扇的第一输出改变量至第三输出改变量全部等于或大于参考改变量时，该特定风扇可被包括在第一子组SG1中。当第一组G1中的特定风扇的第一输出改变量至第三输出改变量中的仅一些等于或大于参考改变量时，该特定风扇可被包括在第二子组SG2中。
当在半导体制造设施100的操作过程中由于半导体制造设施100中的气流的异常而需要利用多个风扇调整半导体制造设施100内的压强时，可调整第一子组SG1的转速。然后，可调整第二子组SG2的转速。
返回参照图1和图3，在操作S500中，可利用第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113的第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3产生指数。参照图7至图12描述产生指数的示例。
在操作S600中，可利用通过指数产生器250产生的指数实时地监控半导体制造设施100中的气流。另外，控制器240可利用通过指数产生器250产生的指数和关于控制顺序的信息IS控制第一组G1的转速。
现在将参照图7至图9描述根据实施例的与图3的操作S500有关的第一指数产生器253(例如，见图2)的操作。
图7示出了用于操作第一指数产生器253(例如，见图2)和第二指数产生器255(例如，见图2)的实施例，也就是说，示出图3的操作S500。在图7中，示出了利用第一压差传感器111(例如，见图1)的第一输出OUT1和第二压差传感器112(例如，见图1)的第二输出OUT2产生指数的情况。在一个实施例中，也可利用第二压差传感器112(例如，见图1)的第二输出OUT2和第三压差传感器113(例如，见图1)的第三输出OUT3来根据图7的方法产生指数。
图8示出了第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113(例如，见图1)随着时间的第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3的实施例。图8的第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113(例如，见图1)的第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3可以是例如在半导体制造设施100(例如，见图1)的工作压强下测量的。图9示出了图2的第一指数产生器253的输出ORPI的示例。在图8和图9中，x轴可为时间(单位：任意单位(AU))，并且y轴可为从压差传感器输出的压差DPV(单位：AU)。
参照图7至图9，在操作S501中，指数产生器250(例如，见图2)的均值计算器251(例如，见图2)可产生第一压差传感器111(例如，见图1)的第一输出OUT1的第一平均值AVG1(例如，见图2)、第二压差传感器112(例如，见图1)的第二输出OUT2的第二平均值AVG2(例如，见图2)和第三压差传感器113(例如，见图1)的第三输出OUT3的第三平均值AVG3(例如，见图2)。
在一个实施例中，均值计算器251(例如，见图2)可针对图8的曲线图产生第一平均值至第三平均值AVG1、AVG2和AVG3(例如，见图2)。
在操作S503中，如图9所示，第一指数产生器253可产生第一RPI(其为第一平均值AVG1与第二平均值AVG2之间的差值)和第二RPI(其为第二平均值AVG2与第三平均值AVG3之间的差值)。
在操作S505中，如图9所示，可将第一RPI与第一参考RPI RRPI1之间的差Diff1与预设的RPI进行比较。
在操作S505中，当第一RPI与第一参考RPI RRPI1之间的差Diff1小于预设的RPI时，可再次执行操作S501中产生第一平均值AVG1和第二平均值AVG2的步骤。
在操作S505中，当第一RPI与第一参考RPI RRPI1之间的差Diff1大于或等于预设的RPI时，可在操作S507中调整风扇的第一子组SG1(例如，见图6)和风扇的第二子组SG2(例如，见图6)中的每一个的转速。
在一个实施例中，当第一RPI与第一参考RPI RRPI1之间的差Diff1大于预设的RPI时，可认为半导体制造设施100中的气流异常。在这种情况下，控制器240(例如，见图1)可利用关于控制顺序的信息IS，调整第一子组SG1(例如，见图6)的转速，并且可随后将用于调整第二子组SG2(例如，见图6)的转速的控制信号IC提供至半导体制造设施100(例如，见图1)。
参照图7和图10描述关于图3的操作S500的第二指数产生器255(例如，见图2)的操作的示例。
图10示出了与图2的第二指数产生器255的输出OCI有关的相关性的示例。在图10中，x轴可为时间(单位：AU)，y轴可为从压差传感器输出的压差DPV(单位：AU)。
参照图7和图10，在操作S511中，第二指数产生器255(例如，见图2)可计算第一平均值AVG1与第二平均值AVG2之间的相关性，并且可将计算的相关性提供至显示器260(例如，见图1)。
在操作S513中，可将第一平均值AVG1与第二平均值AVG2之间的相关性与参考相关性进行比较。
在图10的曲线图中的t1(AU)与t31(AU)之间的时间段中，第一平均值AVG1与第二平均值AVG2的第一部分AVG2_1之间的相关性可大于或等于参考相关性。因此，可在操作S515中确定第一压差传感器111和第二压差传感器112正常工作。
在图10的曲线图中的t31(AU)与t4(AU)之间的时间段中，第一平均值AVG1与第二平均值AVG2的第二部分AVG2_2之间的相关性可小于参考相关性。因此，可在操作S517中确定第一压差传感器111和第二压差传感器112异常工作。
参照图8、图11和图12描述与图3的操作S500有关的第三指数产生器257(例如，见图2)的示例操作。
图11示出了用于操作第三指数产生器257(例如，见图2)的实施例，也就是说，图3的操作S500。在图11中，示出了利用第一压差传感器111(例如，见图1)的第一输出OUT1和第二压差传感器112(例如，见图1)的第二输出OUT2产生指数的情况。在一个实施例中，例如，还可利用第二压差传感器112(例如，见图1)的第二输出OUT2和第三压差传感器113(例如，见图1)的第三输出OUT3来根据图11的方法产生指数。
图12示出了图2的第三指数产生器257随时间的输出OBFI的示例。在图12中，x轴可为时间(单位：AU)，y轴可为压差DPV(单位：AU)。
参照图8、图11和图12，在操作S521中，第三指数产生器257可将第一压差传感器111(例如，见图1)的第一输出OUT1与第二压差传感器112(例如，见图1)的第二输出OUT2进行比较。
在图8的曲线图中的第一时间段T1和第三时间段T3中，第一压差传感器111的第一输出OUT1可大于第二压差传感器112的第二输出OUT2。第二压差传感器112的第二输出OUT2可大于第三压差传感器113的第三输出OUT3。在这种情况下，在操作S523中，第三指数产生器257(例如，见图2)可输出默认值作为第一BFI BFI1，如例如图12的曲线图中的第一时间段T1和第三时间段T3中所示。当第三指数产生器257输出默认值时，可再次执行操作S521。
在图8的曲线图中的第二时间段T2中，第一压差传感器111(例如，见图1)的第一输出OUT1可小于第二压差传感器112(例如，见图1)的第二输出OUT2。
在操作S525中，可针对第二时间段T2产生第一压差传感器111(例如，见图1)的第一输出OUT1的第一平均值AVG1(例如，见图2)和第二压差传感器112的第二输出OUT2的第二平均值AVG2(例如，见图2)。
在操作S527中，例如，可如图12的曲线图中的第二时间段T2中所示的那样产生第二BFI BFI2，第二BFI BFI2是第二时间段T2中第一平均值AVG1(例如，见图2)与第二平均值AVG2(例如，见图2)之间的差值。
例如，可将图12的曲线图输出至显示器260(例如，见图1)。当在第二时间段T2中输出第二BFI BFI2时，可将其解释为第一设备101(例如，见图1)与第二设备102(例如，见图1)之间的气流的方向反向。
根据用于控制半导体制造设施的方法的一个或多个实施例，利用第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113的第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3产生指数RPI、BFI和CI。因此，可根据直觉或基于各种预定标准和/或在不用专家输入的情况下，确定半导体制造设施100的压强改变。
另外，根据用于控制半导体制造设施的方法的一个或多个实施例，通过将多个风扇分组来选取将被控制的风扇，并且确定选取的风扇的控制顺序。例如，第一风扇至第四风扇121、122、123和124中的第一风扇121、第三风扇123和第四风扇124可被包括在第一组G1(例如，见图5)中，并且被选取为控制目标。
此外，第一组G1(例如，见图5)中的一些风扇可在第一子组SG1(例如，见图6)中。因此，当在指数监控中检测到异常情况时，可首先控制第一子组SG1(例如，见图6)。
当半导体制造设施100的压强超出半导体制造设施100的工作压强范围时，并且当根据本文公开的一个或多个方法实施例控制半导体制造设施100时，使半导体制造设施100的压强进入半导体制造设施100的工作压强范围内所用的时间可减少。在至少一个实施例中，可通过首先调整与半导体制造设施100中的设备高度关联的风扇(例如，第一子组SG1(例如，见图6))的转速，来减少使半导体制造设施100的压强进入半导体制造设施100的工作压强范围内所用的时间。
图13示出了用于测试包括根据实施例的用于控制半导体制造设施的系统200的处理器的方法的实施例。可将处理器实施为硬件或通过软件编程的硬件。
参照图13，在操作S710中，处理器可形成为包括一个或多个不同处理器的晶圆或封装件的一部分。在一些实施例中，当利用半导体制造设施100(例如，见图1)的多个风扇(例如，图1的第一风扇至第四风扇121、122、123和124)使压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，处理器可测量半导体制造设施100(例如，见图1)中的第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113(例如，见图1)的第一输出改变量至第三输出改变量a1、a2、a3、b1、b2、b3、c1、c2和c3(例如，见图4)。
第一压差传感器111(例如，见图1)可测量半导体制造设施100(例如，见图1)外部与半导体制造设施100中的第一点P1(例如，见图1)之间的压强差。
第二压差传感器112(例如，见图1)可测量半导体制造设施100(例如，见图1)外部与半导体制造设施100(例如，见图1)中的第二点P2(例如，见图1)之间的压强差。
第三压差传感器113(例如，见图1)可测量半导体制造设施100(例如，见图1)外部与半导体制造设施100(见图1)中的第三点P3(例如，见图1)之间的压强差。
第一输出改变量a1、b1、c1和d1(例如，见图4)可为第一压差传感器111(例如，见图1)在第一压强条件下的测量值与第一压差传感器111(例如，见图1)在第二压强条件下的测量值之间的改变量。
第二输出改变量a2、b2、c2和d2(例如，见图4)可为第二压差传感器112(例如，见图1)在第一压强条件下的测量值与第二压差传感器112(例如，见图1)在第二压强条件下的测量值之间的改变量。
第三输出改变量a3、b3、c3和d3(例如，见图4)可为第三压差传感器113(例如，见图1)在第一压强条件下的测量值与第三压差传感器113(例如，见图1)在第二压强条件下的测量值之间的改变量。
通过利用第一输出改变量至第三输出改变量a1、a2、a3、b1、b2、b3、c1、c2和c3(例如，见图4)，处理器可将风扇121、122、123和124(例如，见图1)中的一些(例如，图1的第一风扇121、第三风扇123和第四风扇124)分为第一组G1(例如，见图5)，并将风扇121、122、123和124(例如，见图1)中的剩余风扇(例如，图2的第二风扇122)分为第二组G2(例如，见图5)。
通过利用第一输出改变量至第三输出改变量a1、a2、a3、b1、b2、b3、c1、c2和c3(例如，见图4)，处理器可将第一组G1(例如，见图5)的风扇中的一些(例如，图1的第三风扇123)分为第一子组SG1(例如，见图6)，并将第一组G1(例如，见图5)的风扇中的剩余风扇(例如，图1的第一风扇121和第四风扇124)分为第二子组SG2，并且可确定第一子组SG1(例如，见图6)和第二子组SG2(例如，见图6)的控制顺序。
处理器可计算第一平均值AVG1(例如，见图2)(第一平均值AVG1是在半导体制造设施100(例如，见图1)的工作压强下第一压差传感器111(例如，见图1)的第一输出OUT1(例如，见图1)的平均值)、第二平均值AVG2(例如，见图2)(第二平均值AVG2是在半导体制造设施100(例如，见图1)的工作压强下第二压差传感器112(例如，见图1)的第二输出OUT2(例如，见图1)的平均值)和第三平均值AVG3(例如，见图2)(第三平均值AVG3是在半导体制造设施100(见图1)的工作压强下第三压差传感器113(见图1)的第三输出OUT3(例如，见图1)的平均值)。
处理器可产生第一RPI(其为第一平均值AVG1(例如，见图2)与第二平均值AVG2之间的差值)和第二RPI(其为第二平均值AVG2与第三平均值AVG3之间的差值)。
处理器可接收关于第一组G1和第二组G2(例如，见图5)的信息IG(例如，见图1)、关于控制顺序的信息IS(例如，见图1)、第一RPI和第二RPI，并且产生用于调整风扇121、122、123和124(例如，见图1)中的每一个的转速的控制信号IC(例如，见图1)。
在一些实施例中，在第一时间段T1(例如，见图8)中，处理器可产生第一RPI，第一RPI是第一平均值AVG1(例如，见图2)与第二平均值AVG2(例如，见图2)之间的差值，第一平均值AVG1是半导体制造设施100(例如，见图1)中的第一压差传感器111(例如，见图1)的第一输出OUT1(例如，见图1)的平均值，第二平均值AVG2(例如，见图2)是半导体制造设施100(见图1)中的第二压差传感器112(例如，见图1)的第二输出OUT2(例如，见图1)的平均值。
另外，在第一时间段T1(例如，见图8)中，处理器可产生第二RPI，第二RPI是第二平均值AVG2(例如，见图2)与第三平均值AVG3(例如，见图2)之间的差值，第三平均值AVG3是半导体制造设施100(见图1)中的第三压差传感器113(例如，见图1)的第三输出OUT3(例如，见图1)的平均值。在第一时间段T1(例如，见图8)中，第一输出OUT1(例如，见图8)可大于第二输出OUT2(例如，见图8)，第二输出OUT2(例如，见图8)可大于第三输出OUT3(例如，见图8)。
在第一时间段T1(例如，见图8)中，处理器可产生指示第一平均值AVG1(例如，见图10)与第二平均值AVG2(例如，见图10)之间的相关性的CI。
处理器可在第一时间段T1(例如，见图8)中输出默认值，并且在第一输出OUT1(例如，见图8)小于第二输出OUT2(例如，见图8)的第二时间段T2(例如，见图8)中产生BFI，所述BFI是第一平均值AVG1(例如，见图2)与第二平均值AVG2(例如，见图2)之间的差值。
接着，在操作S720中，可测试处理器。测试处理器的步骤包括：利用一个或多个电光转换器、一个或多个将一个光信号分为两个或更多个光信号的分光器和一个或多个光电转换器，测试所述处理器和至少一个其它处理器。
图14示出了用于制造包括处理器的集成电路的方法的实施例。参照图14，在操作S810中，可产生初始布局数据，以产生用于集成电路的层的一组特征的掩模布局。例如，掩模布局可包括用于包括处理器的一个或多个电路特征的标准单元库宏。处理器可为以上参照图13描述的处理器。
在操作S820中，在掩模布局产生期间，可以通过为了符合布局设计规则而忽略标准单元库宏的相对位置，来执行设计规则检查。
在操作S830中，在产生掩模布局之后，可通过为了符合布局设计规则而检查标准单元库宏的相对位置，来执行布局修改。
在操作S840中，可形成新布局设计。当检测到由任何标准单元库宏造成的不符合布局设计规则时，可通过将每个不符合的宏修改为符合布局设计规则来修改掩模布局。此外，可根据具有所述集成电路的层的所述一组特征的修改的掩模布局来产生掩模，并且可根据产生的掩模制造所述集成电路的层。
可通过将由计算机、处理器、控制器或其它信号处理装置执行的代码或指令执行本文所述的方法、处理和/或操作。计算机、处理器、控制器或其它信号处理装置可为本文所述的那些，或者除本文所述的元件之外的元件。由于详细描述了形成所述方法(或者计算机、处理器、控制器或其它信号处理装置的操作)的基础的算法，因此用于实施方法实施例的操作的代码或指令可将计算机、处理器、控制器或其它信号处理装置转换为用于执行本文所述的方法的专用处理器。
可在例如可包括硬件、软件或二者的非暂时性逻辑中实施本文公开的实施例的控制器、处理器、计算器、产生器、确定器、比较器、单元和其它信号产生特征、信号提供特征和信号处理特征。当至少部分地在硬件中实施时，控制器、处理器、计算器、产生器、比较器、确定器、单元和其它信号产生特征、信号提供特征和信号处理特征可为例如各种集成电路中的任一种，所述各种集成电路包括(但不限于)专用集成电路、现场可编程门阵列、逻辑门的组合、片上系统、微处理器或另一类型的处理或控制电路。
当至少部分地在软件中实施时，控制器、处理器、计算器、产生器、比较器、单元、确定器和其它信号产生特征、信号提供特征和信号处理特征可包括例如用于存储将由例如计算机、处理器、微处理器、控制器或其它信号处理装置执行的代码或指令的存储器或其它贮存装置。计算机、处理器、微处理器、控制器或其它信号处理装置可为本文所述的那些，或者除本文所述的元件之外的元件。由于详细描述了形成所述方法(或者计算机、处理器、微处理器、控制器或其它信号处理装置的操作)的基础的算法，因此用于实施方法实施例的操作的代码或指令可将计算机、处理器、控制器或其它信号处理装置转换为用于执行本文所述的方法的专用处理器。
另外，另一实施例可包括计算机可读介质，例如，非暂时性计算机可读介质，其用于存储上述代码或指令。计算机可读介质可为易失性或非易失性存储器或其它存储装置，其可以可拆卸方式或固定方式连接至执行用于执行本文所述的方法实施例或设备实施例的操作的代码或指令的计算机、处理器、控制器或其它信号处理装置。
以测量中的误差和与测量特定量相关的误差(例如，测量系统的限制或公差)为考虑，本文所用的“约”、“大约”或“基本上”包括所列出的值，并且意味着在用于本领域普通技术人员之一确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”、“大约”或“基本上”可意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所列值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
可通过能够执行操作的任何合适的装置(诸如各种硬件和/或软件组件、电路和/或模块)执行上述方法的各种操作。
所述软件可包括用于实现逻辑功能的可执行指令的有序列表，并且可以在任何“处理器可读介质”中实施，以用于或与指令执行系统、设备或装置(诸如单核或多核处理器或包含处理器的系统)一起使用。
结合本文公开的实施例描述的方法或算法的块或步骤以及功能可以直接体现在硬件中、在由处理器执行的软件模块中或者在两者的组合中。如果在软件中实现，这些功能可作为一个或多个指令或代码在有形的、非暂时性的计算机可读介质上存储或传输。软件模块可以驻留在随机存取存储器(RAM)、闪速存储器、只读存储器(ROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、CD ROM或本领域已知的任何其他形式的存储介质中。
通过总结和回顾，上述实施例中的一个或多个提供了一种用于控制半导体制造设施的系统和方法，所述系统和方法用于通过确定半导体制造设施中的多个风扇的控制顺序来控制半导体制造设施内的压强。根据这些实施例或更多的其它实施例，提供了一种用于控制半导体制造设施的系统和方法，使用所述系统和方法以利用半导体制造设施内的压差传感器的输出监控半导体制造设施内的压强变化。
本文已公开了示例实施例，虽然采用了特定术语，但是仅按照一般和描述性含义而非针对限制的目的使用和解释它们。在一些情况下，如本领域普通技术人员之一在本申请提交时应该清楚的，除非另有说明，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件联合使用。因此，在不脱离权利要求阐述的实施例的精神和范围的情况下，可作出各种形式和细节上的改变。

Claims (20)

1.一种用于控制半导体制造设施的方法，所述方法包括步骤：
当通过所述半导体制造设施中的多个风扇将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，通过分组逻辑来测量所述半导体制造设施中的第一压差传感器、第二压差传感器和第三压差传感器各自的第一输出改变量、第二输出改变量和第三输出改变量，并且基于所述第一输出改变量至所述第三输出改变量将所述多个风扇中的一些风扇分为第一组并将所述多个风扇中的其余风扇分为第二组；
通过顺序确定器将所述第一组风扇中的一些风扇分为第一子组，并且将所述第一组风扇中的其余风扇分为第二子组，并且基于所述第一输出改变量至所述第三输出改变量确定所述第一子组和所述第二子组的控制顺序；
通过指数产生器计算第一差值、第二差值和第三差值，
所述第一差值基于第一平均值与目标值之间的差，所述第一平均值是所述第一压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第一输出的平均值，并且所述目标值是所述半导体制造设施的目标输出值，
所述第二差值基于第二平均值与所述目标值之间的差，所述第二平均值是所述第二压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第二输出的平均值，并且
所述第三差值基于第三平均值与所述目标值之间的差，所述第三平均值是所述第三压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第三输出的平均值；
产生对应于所述第一差值与所述第二差值之间的差的第一性能调节指数和对应于所述第二差值与所述第三差值之间的差的第二性能调节指数；以及
通过控制器接收对应于所述控制顺序的信息以及所述第一性能调节指数和所述第二性能调节指数的信息，并且产生控制信号以调整所述多个风扇中的每一个的转速，其中：
所述第一压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第一点之间的压强差，
所述第二压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第二点之间的压强差，
所述第三压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第三点之间的压强差，
所述第一输出改变量对应于所述第一压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第一压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量，
所述第二输出改变量对应于所述第二压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第二压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量，并且
所述第三输出改变量对应于所述第三压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第三压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过所述顺序确定器将所述第一组风扇中的一些风扇分为所述第一子组的步骤包括：
当基于对所述第一组风扇中的第一风扇的转速的调整而将压强条件从所述第一压强条件改变为所述第二压强条件时，如果所述第一输出改变量至所述第三输出改变量全部等于或大于参考改变量，则将所述第一风扇包括在所述第一子组中。
3.根据权利要求1所述的方法，其中：
通过所述分组逻辑将所述多个风扇中的一些风扇分为所述第一组的步骤包括：
当基于对所述多个风扇中的第一风扇的转速的调整而将压强条件从所述第一压强条件改变为所述第二压强条件时，如果所述第一输出改变量至所述第三输出改变量中的任一个大于或等于参考改变量，则将所述第一风扇包括在所述第一组中，并且
通过所述分组逻辑将所述多个风扇中的其余风扇分为所述第二组的步骤包括：
当通过调整所述多个风扇中的第二风扇的转速而将压强条件从所述第一压强条件改变为所述第二压强条件时，如果所述第一输出改变量至所述第三输出改变量均不大于或等于所述参考改变量，则将所述第二风扇包括在所述第二组中。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：
通过所述指数产生器比较所述第一输出和所述第二输出；
当所述第一输出大于所述第二输出时，通过所述指数产生器产生默认值作为第一回流指数；以及
当所述第一输出小于所述第二输出时，通过所述指数产生器产生对应于所述第一平均值与所述第二平均值之间的差值的第二回流指数，在所述第一输出小于所述第二输出的时间段中产生所述第二回流指数。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：
通过所述指数产生器计算所述第一平均值与所述第二平均值之间的相关性。
6.根据权利要求1所述的方法，其中：
当所述第一性能调节指数与参考性能调节指数之间的差大于或等于预设的性能调节指数值时，所述控制信号改变所述第一子组中的风扇的转速，随后改变所述第二子组中的风扇的转速。
7.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述第一点最靠近所述第二点，并且
所述第二点最靠近所述第三点。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，用于所述半导体制造设施中的第一设备的所述第一压差传感器在所述第二压强条件下的输出不同于用于所述第一设备的所述第一压差传感器在所述第一压强条件下的输出，并且其中，所述第一点位于所述第一设备之中。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一压强条件等于所述半导体制造设施的工作压强。
10.一种用于控制半导体制造设施的方法，所述方法包括步骤：
通过第一指数产生器计算第一时间段中的第一差值、第二差值和第三差值，
所述第一差值对应于第一平均值与目标值之间的差，所述第一平均值是所述半导体制造设施中的第一压差传感器的第一输出的平均值，并且所述目标值是所述半导体制造设施的目标输出值，
所述第二差值对应于第二平均值与所述目标值之间的差，
所述第二平均值是所述半导体制造设施中的第二压差传感器的第二输出的平均值，并且
所述第三差值对应于第三平均值与所述目标值之间的差，
所述第三平均值是所述半导体制造设施中的第三压差传感器的第三输出的平均值；
产生对应于所述第一差值与所述第二差值之间的差的第一性能调节指数和对应于所述第二差值与所述第三差值之间的差的第二性能调节指数；
通过第二指数产生器产生指示所述第一时间段中所述第一平均值与所述第二平均值之间的相关性的相关性指数；以及
通过第三指数产生器在所述第一时间段中输出默认值，并且在所述第一输出小于所述第二输出的第二时间段中产生对应于所述第一平均值与所述第二平均值之间的差值的回流指数，其中：
所述第一压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第一点之间的压强差，
所述第二压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第二点之间的压强差，
所述第三压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第三点之间的压强差，
在所述第一时间段中所述第一输出大于所述第二输出，并且
在所述第一时间段中所述第二输出大于所述第三输出。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括步骤：
当利用所述半导体制造设施中的多个风扇将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，通过分组逻辑来测量所述半导体制造设施中的第一压差传感器、第二压差传感器和第三压差传感器各自的第一输出改变量、第二输出改变量和第三输出改变量；
基于所述第一输出改变量至所述第三输出改变量，通过所述分组逻辑将所述多个风扇中的一些风扇分为第一组并将所述多个风扇中的其余风扇分为第二组；
通过顺序确定器将所述第一组风扇中的一些风扇分为第一子组，并且将所述第一组风扇中的其余风扇分为第二子组；
基于所述第一输出改变量至所述第三输出改变量确定所述第一子组和所述第二子组的控制顺序；以及
通过控制器接收对应于所述控制顺序的信息以及所述第一性能调节指数和所述第二性能调节指数的信息，并且产生控制信号以调整所述多个风扇中的每一个的转速，其中：
所述第一输出改变量对应于所述第一压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第一压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量，
所述第二输出改变量对应于所述第二压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第二压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量，并且
所述第三输出改变量对应于所述第三压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第三压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，通过所述顺序确定器将所述第一组风扇中的一些风扇分为所述第一子组的步骤包括：
当通过调整所述第一组风扇中的第一风扇的转速而将压强条件从所述第一压强条件改变为所述第二压强条件时，如果所述第一输出改变量至所述第三输出改变量全部等于或大于参考改变量，则将所述第一风扇包括在所述第一子组中。
13.根据权利要求11所述的方法，其中：
通过所述分组逻辑将所述多个风扇中的一些风扇分为所述第一组的步骤包括：
当通过调整所述多个风扇中的第一风扇的转速而将压强条件从所述第一压强条件改变为所述第二压强条件时，如果所述第一输出改变量至所述第三输出改变量中的任一个大于或等于参考改变量，则将所述第一风扇包括在所述第一组中，并且
通过所述分组逻辑将所述多个风扇中的其余风扇分为所述第二组的步骤包括：
当通过调整所述多个风扇中的第二风扇的转速而将压强条件从所述第一压强条件改变为所述第二压强条件时，如果所述第一输出改变量至所述第三输出改变量均不大于或等于参考改变量，则将所述第二风扇包括在所述第二组中。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，用于所述半导体制造设施中的第一设备的所述第一压差传感器在所述第二压强条件下的输出不同于用于所述第一设备的所述第一压差传感器在所述第一压强条件下的输出，其中，所述第一点位于所述第一设备之中。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一压强条件等于所述半导体制造设施的工作压强。
16.一种制造集成电路的方法，所述方法包括步骤：
产生用于所述集成电路的层的一组特征的掩模布局，所述掩模布局包括用于包括处理器的一个或多个电路特征的标准单元库宏；
在产生所述掩模布局期间，忽略所述标准单元库宏的相对位置以符合布局设计规则；
在产生所述掩模布局之后，检查所述标准单元库宏的相对位置以符合所述布局设计规则；
通过将所述标准单元库宏中的不符合所述布局设计规则的任一个修改为符合所述布局设计规则来修改所述掩模布局；
根据具有所述集成电路的所述层的所述一组特征的经修改的掩模布局产生掩模；以及
根据所述掩模制造所述集成电路的所述层，其中，所述处理器用于：
当利用半导体制造设施中的多个风扇将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，测量所述半导体制造设施中的第一压差传感器、第二压差传感器和第三压差传感器各自的第一输出改变量、第二输出改变量和第三输出改变量，
基于所述第一输出改变量至所述第三输出改变量将所述多个风扇中的一些风扇分为第一组和将所述多个风扇中的其余风扇分为第二组，
将所述第一组风扇中的一些风扇分为第一子组，并且将所述第一组风扇中的其余风扇分为第二子组，
基于所述第一输出改变量至所述第三输出改变量确定所述第一子组和所述第二子组的控制顺序，
计算第一差值、第二差值和第三差值，其中：
所述第一差值对应于第一平均值与目标值之间的差，所述第一平均值是所述第一压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第一输出的平均值，并且所述目标值是所述半导体制造设施的目标输出值，
所述第二差值对应于第二平均值与所述目标值之间的差，所述第二平均值是所述第二压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第二输出的平均值，并且
所述第三差值对应于第三平均值与所述目标值之间的差，所述第三平均值是所述第三压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第三输出的平均值，
其中，所述处理器用于：
产生对应于所述第一差值与所述第二差值之间的差的第一性能调节指数和对应于所述第二差值与所述第三差值之间的差的第二性能调节指数；
接收对应于所述第一组和所述第二组的信息、对应于所述控制顺序的信息以及所述第一性能调节指数和所述第二性能调节指数，
产生控制信号，以调整所述多个风扇中的每一个的转速，
其中，所述第一压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第一点之间的压强差，所述第二压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第二点之间的压强差，所述第三压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第三点之间的压强差，并且其中：
所述第一输出改变量对应于所述第一压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第一压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量，
所述第二输出改变量对应于所述第二压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第二压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量，并且
所述第三输出改变量对应于所述第三压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第三压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，将所述第一组风扇中的一些风扇分为所述第一子组的步骤包括：
当通过调整所述第一组风扇中的第一风扇的转速而将压强条件从所述第一压强条件改变为所述第二压强条件时，如果所述第一输出改变量至所述第三输出改变量全部等于或大于参考改变量，则将所述第一风扇包括在所述第一子组中。
18.根据权利要求16所述的方法，其中：
将所述多个风扇中的一些风扇分为所述第一组的步骤包括：
当通过调整所述多个风扇中的第一风扇的转速而将压强条件从所述第一压强条件改变为所述第二压强条件时，如果所述第一输出改变量至所述第三输出改变量中的任一个大于或等于参考改变量，则将所述第一风扇包括在所述第一组中，并且
将所述多个风扇中的其余风扇分为所述第二组的步骤包括：
当通过调整所述多个风扇中的第二风扇的转速而将压强条件从所述第一压强条件改变为所述第二压强条件时，如果所述第一输出改变量至所述第三输出改变量均不大于或等于所述参考改变量，则将所述第二风扇包括在所述第二组中。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述处理器用于：
比较所述第一输出和所述第二输出，
当所述第一输出大于所述第二输出时，产生默认值作为第一回流指数，以及
当所述第一输出小于所述第二输出时，在所述第一输出小于所述第二输出的时间段中，产生对应于所述第一平均值与所述第二平均值之间的差值的第二回流指数。
20.根据权利要求16所述的方法，其中，所述处理器用于计算所述第一平均值和所述第二平均值之间的相关性。
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