KR20180138154A - 노광 방법, 노광 장치 및 물품 제조방법 - Google Patents

노광 방법, 노광 장치 및 물품 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일측면에 의하면, 노광 방법은, 복수의 노광 영역 중에서 어느 하나의 영역에 행해진 노광의 시작으로부터 종료까지의 기간에 기판W를 이동시키는 공정을 포함하고, 상기 기간에 있어서 상기 기판W을 이동시키는 타이밍이, 상기 기판W의 면 위에 제1방향으로 상기 기판W 위에 형성된 패턴의 폭과, 상기 제1방향과는 다른 상기 기판W의 상기 면 위에 제2방향으로 상기 기판W 위에 형성된 상기 패턴의 폭과의 차이에 근거하여, 결정된다.

Description

노광 방법, 노광 장치 및 물품 제조방법{EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은, 노광 방법, 노광 장치 및 물품 제조방법에 관한 것이다.
반도체 메모리나 논리회로등의 미세한 반도체소자를 제조할 때에, 레티클에 묘화된 회로 패턴을 투영 광학계에 의해 기판에 투영해서 전사하는 축소 투영 노광 장치가 사용된다. 축소 투영 노광 장치는, 반도체소자의 회로 선폭의 축소에 따라, 기판에 전사된 패턴의 선폭 균일성의 개선의 요구가 높아지고 있다.
선폭 균일성은, 일반적으로 ＨＶ차라고도 칭하고, 기판에 전사된 패턴의, 기판면의 수평방향(H방향) 및 수직방향(V방향)의 선폭과 설계 선폭과의 차이의 크기를 칭한다. 선폭 균일성이 저하하면, 반도체소자의 수율이 저하한다. 선폭 균일성의 개선 방법으로서는, 조리개나 ＮＤ필터 등을 사용해서 유효 광원 분포를 왜곡시키는 방법이 있다(일본 특허공개 2005-268489호 공보).
그러나, 일본 특허공개 2005-268489호 공보의 방법은, 유효광원을 조정하기 위한 조정 기구가 필요하게 되어, 예를 들면, 제조비용의 면에서 불리할 수도 있다.
본 발명은, 간단한 방법으로 선폭 균일성을 개선하는 기술을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따른, 원판에 패턴을 조명하여서 기판에 복수의 노광 영역을 노광하는 노광 방법은, 상기 복수의 노광 영역 중에서 어느 하나의 영역에 행해진 노광의 시작으로부터 종료까지의 기간에 상기 기판을 이동시키는 공정을 포함한다. 상기 기간에 있어서 상기 기판을 이동시키는 타이밍이, 상기 기판 위에 상기 패턴의 제1방향의 폭과, 상기 제1방향과는 다른 상기 기판 위에 상기 패턴의 제2방향의 폭과의 차이에 근거하여 결정된다. 상기 제1 및 제2 방향은 상기 기판의 면과 평행한 방향이다.
본 발명의 또 다른 특징들은, 첨부도면을 참조하여 이하의 실시예들의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은, 제1실시예에 따른 노광 장치의 구성을 도시한 개략도다.
도 2는, 노광 시작으로부터 노광 종료까지의 노광 광량과 시간의 관계의 예다.
도 3은, 선폭 조정을 설명하는 흐름도다.
도 4는, 제1실시예에 따른 광학상의 시뮬레이션 결과다.
도 5는, 스테이지 구동 개시 시간과 ＨＶ차와의 상관도다.
도 6은, 웨이퍼 스테이지의 스텝 구동의 일례다.
도 7은, ＨＶ차가 최소가 되는 웨이퍼 스테이지의 스텝 구동의 일례다.
도 8은, 노광 광량과 시간의 관계다.
도 9는, 웨이퍼 스테이지의 스텝 방향에 있어서의 위치를 나타내는 그래프다.
도 10은, 웨이퍼 스테이지의 구동중에 노광을 시작했을 경우의 광학상의 시뮬레이션 결과다.
도 11은, 노광 개시 시간과 ＨＶ차와의 상관도다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조해서 설명한다. 이때, 각 도면에 있어서, 동일한 부재 또는 구성요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 중복된 설명은 생략한다.
[제1실시예]
도 1은, 본 실시예에 따른 노광 장치의 구성을 도시한 개략도다. 본 실시예에 있어서의 노광 장치(100)는, 반도체 디바이스 제조 공정에 사용된, 피처리 기판인 웨이퍼에 대하여 노광 처리를 실시하는 장치이며, 특히, 스텝 앤드 리피트 방식을 채용한 투영 노광 장치다.
노광 장치(100)는, 조명 광학계(110)와, 레티클R을 보유하는 레티클 스테이지(120)와, 투영 광학계(130)와, 기판W를 보유하는 웨이퍼 스테이지(140)와, 노광 장치(100)의 각 구성 요소를 제어하는 제어부(150)를 구비한다. 또한, 이하의 도면에서는, 투영 광학계(130)의 광축에 평행한 Z축, 해당 Z축에 수직한 평면내에서 지면에 대하여 수직한 방향을 X축, 해당 X축에 직교하는 지면에 대하여 평행한 방향을 Y축으로 하여 설명한다.
조명 광학계(110)는, (도시되지 않은) 광원부를 구비하고, 전사용의 회로 패턴이 형성된 레티클R을 조명하는 장치다. 광원부에 포함되는 광원의 예로서는, 레이저가 있다. 사용가능한 레이저는, 파장 약 193ｎｍ의 ＡｒＦ엑시머 레이저, 파장 약 248ｎｍ의 ＫｒＦ엑시머 레이저, 파장 약 157ｎｍ의 Ｆ2엑시머 레이저 등이다.
또한, 레이저의 종류는, 엑시머 레이저에 한정되지 않고, 예를 들면, ＹＡＧ레이저를 사용해도 좋고, 레이저의 개수도 한정되지 않는다. 또한, 광원부에 레이저가 사용될 경우, 레이저 광원으로부터의 평행 광속을 원하는 빔 형상으로 정형하는 광속 정형 광학계, 또는 코히어런트 레이저를 인코히어런트 레이저로 변환하는 인코히어런트 광학계를 사용하는 것이 바람직하다. 더욱, 광원부에 사용가능한 광원은, 레이저에 한정되는 것이 아니고, 1 또는 복수의 수은 램프나 크세논 램프 등의 램프일 수 있다.
조명 광학계(110)는, 도시되지 않았지만, 렌즈, 미러, 라이트 인터그레이터, 및 조리개 등을 포함한다. 일반적으로, 내부의 광학계는, 콘덴서 렌즈, 파리의 눈, 개구조리개, 콘덴서 렌즈, 슬릿, 결상광학계의 순으로 정렬한다. 이 경우, 라이트 인터그레이터는, 파리의 눈 렌즈나 2조의 실린드리컬 렌즈 어레이 판을 포개는 것에 의해 형성된 인터그레이터 등을 포함한다.
라이트 인터그레이터는, 광학 로드(rod)나 회절 요소로 치환되는 경우도 있다. 또한, 라이트 인터그레이터는, 유효광원 형성부를 갖고, 조리개와 프리즘에 의해, 원형, 변형 조명용의 환형 조명, 4중극 조명등을 작성 선택할 수 있도록 구성될 수도 있다. 더욱, 광의 편광상태를 제어할 수 있는 구성을 구비하고 있어도 좋다. 또한, 유효광원 분포를, 조리개나 ＮＤ필터에 의해 비대칭으로 왜곡시키거나, 편광조정에 의해 유효광원의 편광상태를 비대칭으로 조정하거나 함으로써, 특정 방위의 선폭을 조정할 수 있는 기구를 구비하고 있어도 좋다.
레티클R은, 예를 들면, 석영 유리제의 원판(original)이며, 거기에 전사되어야 할 회로 패턴이 형성되어 있다. 또한, 레티클 스테이지(120)는, 레티클R을 보유 및 위치결정하기 위한 장치다. 레티클 스테이지(120)는, 이동 거울(121)과, 해당 이동 거울(121)에 레이저 빔을 투사하고, 그 반사광을 수광함으로써, 레티클 스테이지(120)의 위치를 검출하기 위한 레이저 간섭계(122)를 구비한다.
투영 광학계(130)는, 조명 광학계(110)로부터의 노광 광ＩＬ로 조명된 레티클Ｒ상의 패턴의 회절광을 소정배율(예를 들면, 1/2, 1/4, 또는 1/5)로 기판W 위에 결상, 간섭시킨다. 기판 위에 형성된 간섭 상은, 레티클 패턴과 거의 같은 상을 형성한다. 이 간섭 상은, 일반적으로 광학상이라고 칭하고, 광학상의 형상이 기판 위에 형성되는 선폭을 결정한다.
투영 광학계(130)로서는, 복수의 광학요소만으로 구성된 광학계나, 복수의 광학요소와 적어도 1매의 요면경으로 구성된 광학계(카타디옵트릭 광학계)가 채용가능하다. 또는, 투영 광학계(130)로서, 복수의 광학요소와 적어도 1매의 키노폼 등의 회절광학 요소로 구성된 광학계나, 전체 미러형의 광학계등도 채용가능하다.
기판W는, 표면상에 레지스트(감광제)가 도포된, 단결정 실리콘제, ＳｉＣ제, ＧａＮ제, 또는 ＳｉＯ2제의 기판이다. 기판W는, 패턴이 형성되는 복수의 노광 영역(숏)을 가진다. 또한, 웨이퍼 스테이지(140)는, ＸＹＺ방향으로 이동가능한 기판 스테이지이며, 기판W를 보유 및 위치결정하기 위한 장치다. 웨이퍼 스테이지(140)는, 기판W를 흡착 보유하는 보유부(141)와, 해당 보유부(141)를 지지하는 지지체(142)를 구비한다.
웨이퍼 스테이지(140)는, 도면에 도시되지 않았지만, 지지체(142)의 연직방향 상면에, 공기 스프링에 의한 액추에이터를 구비한다. 더욱, 웨이퍼 스테이지(140)는, 이동 거울(143)과, 해당 이동 거울(143)에 레이저 빔을 투사하고, 그 반사광을 수광 함으로써 웨이퍼 스테이지(140)의 위치로부터 구동량을 검출하기 위한 레이저 간섭계(위치 계측수단)(144)를 구비한다. 더욱, 웨이퍼 스테이지(140)의 상부(Z축 위)에는, 웨이퍼 스테이지(140)의 Z축에 대한 위치, 및 진동을 검출하는 레이저 간섭계(145)가 있다.
제어부(150)는, 노광 처리, 해당 노광 처리시에 레티클R이나 기판W의 구동등을 실시하기 위해서, 광학계나 스테이지계 등의 각 구성 요소를 제어하는 제어 유닛이다. 제어부(150)는, 본 발명의 노광 방법을 시퀀스 또는 프로그램의 형태로 실행하고, 자기 기억장치나 메모리 등으로 구성된 기억장치(151)를 구비한 컴퓨터, 및 시퀀서 등으로 구성된다.
또한, 제어부(150)는, 유저가 각종 동작 명령을 설정하는 콘솔부(160)를 구비한다. 제어부(150)는, 근거리 통신망(ＬＡＮ)등의 케이블을 통하여, 노광 처리의 시작(노광 광ＩＬ의 출력)이나, 레티클 스테이지(120) 및 웨이퍼 스테이지(140)의 구동등과 관련된 지령을 송신한다. 제어부(150)는, 레티클 스테이지(120) 및 웨이퍼 스테이지(140)의 위치, 및 진동의 계측값을, 각 레이저 간섭계(122, 144, 145)를 통해 집약한다. 이 집약된 각 정보는, 기억장치(151)에 보존된다.
콘솔부(160)에서는, 유저가, 미리 레시피(ｒｅｃｉｐｅ) 정보의 입력을 행한다. 입력된 레시피 정보는 기억장치(151)에 보존되고, 레이아웃 지시에 따라 노광 처리나 스테이지 이동이 행해진다.
다음에, 본 실시예의 기본동작에 대해서 설명한다. 도 2는, 기판Ｗ상의 복수의 노광 영역 중에서, 하나의 노광 영역의 노광 시작으로부터 노광 종료까지의 노광 광량과 시간의 관계의 예를 도시하고 있다. 횡축이 시간, 종축이 노광 광량이다. 0에서 노광이 개시되고, t1에서 조리개(노광 셔터)를 열기 시작한다. t1부터 t2까지 정상 노광하고, t2로부터 노광 셔터를 닫기 시작하고, t3에서 노광 셔터를 닫았다. 스텝 앤드 리피트 방식의 경우, 노광 셔터가 닫아진 ｔ3이후에, 웨이퍼 스테이지(140)가 다음 노광 영역을 향해서 스텝 이동을 시작한다. 본 실시예에서는 선폭 균일성의 향상을 위해, 노광 시작으로부터 종료까지의 기간(노광 중)에, 즉 노광 셔터가 닫아지기 전에, 웨이퍼 스테이지(140)의 구동을 시작한다.
이하, 노광 셔터가 닫아지기 전에 스테이지를 구동하는 것을 "포워드 구동", 포워드 구동을 시작하는 타이밍을 "스테이지 구동 개시 시간"이라고 말한다. 도 2에서는 노광 종료 시간이 t3이고, 노광중의 ｔ4로부터 웨이퍼 스테이지(140)를 구동한다. 이 경우의 "스테이지 구동 개시 시간"은 t4이다.
도 3은, 선폭 조정을 설명하는 흐름도다. 공정S301에서, 기판W 위에 형성된 패턴의 선폭을 측정, 또는 계산으로 구한다(선폭의 산출). 선폭의 측정에는, 예를 들면, 주사 전자 현미경(ＳＥＭ), 광학현미경등을 사용할 수 있다. 선폭의 산출은, 예를 들면, 투영 광학계(130)의 설계 값, 투영 광학계(130)의 제조후의 수차, 유효광원 분포 중, 적어도 하나를 고려한 광학상 계산에 따른다.
공정S302에서, 상기 구한 선폭으로부터, 특정 방위의 선폭의 조정량을 결정한다. 조정량은, 예를 들면, 기판W의 면에 있어서의 제1방향의 폭과, 제1방향과는 다르고, 기판W의 면에 있어서의 제2방향의 폭과의 차이에 근거해서 결정되어도 된다. 공정S303에서, 특정 방위에서 조정량과 스테이지 속도 또는 가속도 및, 노광량으로부터 웨이퍼 스테이지(140)의 "스테이지 구동 개시 시간"을 결정한다. 공정S304에서, 콘솔부(160)를 거쳐 공정S303에서 결정된 포워드 구동 시간을 입력하고, 제어부(150)는, 입력된 "스테이지 구동 개시 시간"을 사용하여 웨이퍼 스테이지(140)를 "포워드 구동"시킨다.
포워드 구동에 의한 선폭조정의 원리를 설명한다. 우선, 노광되는 패턴이 X방향에 평행한 패턴을 H패턴, Y방향에 평행한 패턴을 V패턴이라고 한다. 도 4는, 노광중에 웨이퍼 스테이지(140)가 X스텝 구동을 시작했을 경우의 광학상의 시뮬레이션 결과를 나타낸다. H패턴(본 실시예에서는 스텝 방향에 대하여 평행)은 전혀 광학상에의 영향을 받지 않는 것에 대해서, V패턴(본 실시예에서는 스텝 방향에 대하여 수직)은 화상이 스텝 방향으로 이동하면서 노광된다. 따라서, 광학상이 변화되고, 선폭이 변화된다.
상술한 것처럼, 노광중의 스테이지 구동에 의해, 스테이지 스텝 구동방향에 대하여 수직한 패턴의 선폭을 조정하는 것이 가능해진다. 예를 들면, 웨이퍼 스테이지(140)가 Y스텝의 경우는, 스텝 방향에 대하여 수직한 Ｈ패턴의 선폭을 조정할 수 있다. 또한, 레지스트의 나머지 패턴에서는 선폭이 가늘고, 생략 패턴에서는 굵다. 이렇게, 특정 방위의 선폭을 조정할 수 있으므로, V패턴만 또는 H패턴만의 라인 앤드 스페이스 노광 레이아웃의 선폭조정이나, H패턴 및 V패턴이 혼재했을 때의 ＨＶ차의 보정이 가능해진다.
도 3에 나타낸 플로우에서 실제로 포워드 구동했을 때의 ＨＶ차 보정의 구체 예를 서술한다. 우선, 노광한 기판W의 선폭(나머지 패턴)을 평가한 결과, ＨＶ차(V-H)가 +ΔＨＶ정도 발생하고 있는 것을 알 수 있다. 이 경우, 조정 목표는 "스텝 방향을 X로 하고 V패턴을 -ΔＨＶ만큼 가늘게 한다"이다. 스테이지 가속도와 노광량을 고려하여, 광학 시뮬레이션을 한 결과, 스테이지 구동 개시 시간T의 스테이지 포워드 구동을 행하는 것으로, 양호하게 보정할 수 있는 것을 알 수 있다. 콘솔부(160)에 스테이지 구동 개시 시간T를 입력하고, 제어부(150)를 통해서 포워드 노광을 실시한다.
도 5는, 스테이지 구동 개시 시간과 ＨＶ차간의 상관도다. 포워드 구동을 실시하지 않을 경우, 즉 스테이지 구동 개시 시간 0ｍｓｅｃ에서는 ＨＶ차(V-H)가 +ΔＨＶ=15ｎｍ정도 발생하고 있었다. X스텝 포워드 구동을 행하면, V패턴이 보다 가늘어지고, ＨＶ차가 감소하고, 스테이지 구동 개시 시간T에서, 실험 값으로 ＨＶ차가 2ｎｍ, 시뮬레이션에서는 제로가 된다.
본 실시예에서는 ＨＶ차 보정량 및 스테이지 가속도로부터 시뮬레이션으로 스테이지 구동 개시 시간을 구했다. 기억장치(151)에 스테이지 가속도, 속도 데이터, 노광량을 보유하고, 보정ＨＶ차로부터, 제어부(150)가 기억장치(151)에 보유된 데이터를 참조해서 자동으로 스테이지 구동 개시 시간을 산출, 포워드 구동을 실행해도 된다.
공통 스테이지 구동 개시 시간을 숏(shot)마다, 즉 기판마다 설정하고, 숏마다 최적화하고, 숏마다 다른 스테이지 구동 개시 시간을 설정해서 포워드 구동을 실시하는 것이 가능하다.
본 실시예에서는 스텝 방향으로 포워드 구동한 것에 의해, 광학상이 비대칭이 되어, 상(image) 쉬프트가 발생할 수도 있다. 필요하면, 상 쉬프트를 고려해서 노광 위치를 조정하는, 쉬프트 보정을 실시할 수 있다. 또한, 노광중에 스텝 방향과 스텝 방향과 180°방향으로 교대로 스테이지를 구동시켜, 광학상이 비대칭이 되는 것을 막고, 쉬프트 발생을 방지하는 것도 가능하다.
웨이퍼 스테이지(140)의 스텝 방향이 숏마다 ＨＶ차에 따라 최적화되어도 된다. 도 6은, 웨이퍼 스테이지(140)의 스텝 구동의 일례다. 도 7은, ＨＶ차가 최소가 되는 웨이퍼 스테이지(140)의 스텝 구동의 일례다. 각 도면에 있어서, 참조번호는 노광 영역의 장소를 나타내고, 화살표의 순서로 노광이 실시된다. 보통, 도 6과 같이, 웨이퍼 스테이지(140)는, 스네이크형으로 스텝 구동되지만, 도 7과 같이 스텝은 기판내의 ＨＶ차가 최소로 되도록 최적화되어도 된다.
도 6의 45번의 숏으로부터 46번의 숏까지 비스듬히 웨이퍼 스테이지(140)가 스텝 구동될 경우, 필요한 보정방향이 X방향일 때, 노광중에 X방향으로 미소 스텝된 후, 노광 종료후에 46번의 숏 위치에 이동할 수 있다.
스텝 구동 시작전에 선폭 보정을 위한 스테이지 구동을 종료시켜도 좋다. 도 8은, 기판Ｗ상의 복수의 노광 영역 중에서, 하나의 노광 영역의 노광 시작으로부터 노광 종료까지의 노광 광량과 시간의 관계의 예를 도시하고 있다. 횡축이 시간, 종축이 노광 광량이다. 도 8에 도시한 바와 같이, t1∼t2의 정상 노광중의 ｔ4에서 스테이지 구동을 시작하고, t5에서 스테이지 구동을 종료시킨다. 스테이지 구동방위는 선폭보정의 방위라고 결정된 일방향으로 구동되어도 좋고, 일방향과 이 일방향과 180°방향으로 교대로 스테이지를 구동시켜도 좋다. 스테이지 구동시간은, 선폭보정량, 스테이지 속도, 가속도, 및 노광량으로부터 결정된다.
이상과 같이, 본 실시예의 노광 방법에 의하면, 선폭의 조정을 위한 유효 광원을 조정하는 등의 조정 기구를 사용하지 않고, 스테이지 구동의 타이밍을 조정하는 간단한 방법으로 선폭 균일성을 개선할 수 있다.
[제2실시예]
제1실시예에서는, 하나의 숏의 노광이 실시될 때 노광 셔터가 닫히기 전에 웨이퍼 스테이지(140)를 구동시키는 것으로, 선폭을 조정하였다. 본 실시예에서는, 웨이퍼 스테이지(140)의 구동 도중에 노광을 시작하는 것으로 선폭을 조정한다.
도 9는, 웨이퍼 스테이지(140)가 노광 위치에 스텝 구동한 후부터 스테이지가 완전히 정지할 때까지, 레이저 간섭계(144)로 계측된 웨이퍼 스테이지(140)의 스텝 방향에 있어서의 위치를 나타내는 그래프다. 횡축이 시간, 종축이 스텝 방향에 있어서의 웨이퍼 스테이지의 위치다. 원점은, 어느 하나의 숏을 노광할 때의 웨이퍼 스테이지(140)의 위치(목표위치)다.
웨이퍼 스테이지(140)를 목표위치까지 이동시키는 처리 중에, 목표위치를 중심으로 해서 웨이퍼 스테이지(140)가 진동한다. 웨이퍼 스테이지(140)의 진동의 진폭은, 웨이퍼 스테이지(140)가 목표위치 부근에 도착하고나서 서서히 작아진다. 종래의 노광 장치에서는, 예를 들면, 도 9에 나타낸 완전히 안정된 시각을 웨이퍼 스테이지(140)의 구동이 종료한 시각으로 설정하고, 이 시점 이후에 숏의 노광이 개시된다. 완전히 안정화된 상태 전에 진폭이 어느 정도로 작아지는 시각을 웨이퍼 스테이지(140)의 구동이 종료한 시각으로 설정하여도 좋다. 본 실시예에서는, 웨이퍼 스테이지(140)의 진동을 이용하여, 웨이퍼 스테이지(140)의 안정화된 상태를 기다리지 않고, 즉, 구동중에 노광을 시작하는 것으로 선폭을 조정한다.
노광의 시작 타이밍은, 진동량(진폭)이, 선폭조정에 필요한 웨이퍼 스테이지(140)의 구동량과 일치하는 시각이다. 조정량과, 필요 구동량은, 상기 제1실시예와 같이 구해질 수 있다.
도 10은, 웨이퍼 스테이지(140)의 구동중에 노광을 시작했을 경우의 광학상의 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 웨이퍼 스테이지(140)가 X구동중에 노광을 시작할 경우, H패턴(본 실시예에서는 스텝 방향에 대하여 평행)은 바뀌지 않지만, V패턴(본 실시예에서는 스텝 방향에 대하여 수직)의 광학상이 변화되어, 선폭이 변화된다. 이렇게, 노광중의 스테이지 구동에 의해, 스테이지 스텝 구동방향에 대하여 수직한 패턴의 선폭을 조정하는 것이 가능해진다. 또한, 레지스트의 나머지 패턴에서는 선폭이 가늘고, 생략 패턴에서는 선폭이 굵다.
상기 제1실시예와 달리, +X방향과 -X방향으로 스테이지가 구동하므로, 좌우 대칭으로 상이 왜곡되고, 상 쉬프트의 영향은 감소된다. 이렇게, 특정 방위의 선폭을 조정할 수 있기 때문에, V패턴만 또는 H패턴만의 라인 앤드 스페이스 노광 레이아웃의 선폭조정이나, H패턴과 V패턴이 혼재했을 때의 ＨＶ차의 보정이 가능하다.
도 11은, 노광 개시 시간과 ＨＶ차와의 상관도다. 웨이퍼 스테이지(140)를 X스텝 하는 숏에서, 패턴은 나머지 패턴이다. 본 실시예에서는, 노광 개시 시간을 T'로 설정한다. 본 실시예에서는, ＨＶ차 보정량으로부터 "노광 개시 시간"을 구했지만, 입력한 보정ＨＶ차로부터, 상기 장치가 레이저 간섭계(144)로 계측된 웨이퍼 스테이지(140)의 구동량을 파악하고, 제어부(150)가 자동으로 "노광 개시 시간"을 산출하고, 노광을 행해도 된다. 이상, 본 실시예에서도 제1실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 종래 사용한 유효광원 분포의 조정과 상기 제1실시예 또는 제2실시예를 병용해서 특정 방위의 선폭보정을 실시해도 된다. 또한, 특정 방위의 선폭보정 방향이, 웨이퍼 스테이지(140)의, 예를 들면 생산성의 관점에서 이상적인 스텝 방향과 일치하지 않고, 선폭보정과 생산성이 양립할 수 없는 숏이 존재하는 경우가 있을 수도 있다. 보정방향과 스텝 방향이 일치하지 않는 숏에 대하여는, 유효광원 분포의 조정으로 특정 방위의 선폭보정을 실시해도 좋다. 유효광원 분포의 조정이외에, 예를 들면, 일본특허 제5312058호 공보에 기재된 종횡 배율 보정기구를 병용하는 것도 가능하다.
(물품 제조 방법에 관련된 예)
본 실시예에 따른 물품의 제조 방법은, 예를 들면, 반도체 디바이스 등이나 미세구조를 갖는 소자등의 물품을 제조하는데 적합하다. 상기 물품의 예로서는, 전기 회로소자, 광학소자, 미세 전자기계 시스템(ＭＥＭＳ), 기록 소자, 센서, 혹은, 몰드등이다. 전기 회로소자로서는, 다이내믹 랜덤 액세스 메모리(ＤＲＡＭ), 스태틱 랜덤 액세스 메모리(ＳＲＡＭ), 플래시 메모리, 자기 랜덤 액세스 메모리(ＭＲＡＭ)와 같은, 휘발성 혹은 불휘발성의 반도체 메모리나, 대규모 집적회로(ＬＳＩ), 전하결합소자(ＣＣＤ), 이미지 센서, 필드 프로그래머블 게이트 어레이(ＦＰＧＡ)와 같은 반도체소자 등이 있다. 몰드의 예로서는, 임프린트용의 몰드 등이 있다. 본 실시예의 물품의 제조 방법은, 기판에 도포된 감광제에 상기한 노광 장치를 사용해서 잠상 패턴을 형성하는 공정(기판을 노광하는 공정)과, 이러한 공정에서 잠상 패턴이 형성된 기판을 현상하는 공정을 포함한다. 추가로, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 기판은, 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 수지등으로 제조되고, 필요하면, 그 표면에 기판과는 다른 재료로 이루어진 부재가 형성되어 있어도 좋다. 기판으로서는, 구체적으로, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리등이다.
(그 밖의 실시예)
이상, 본 발명의 실시예를 설명해 왔지만, 본 발명은 이것들의 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 요지의 범위내에서 여러가지로 변경이 가능하다.
본 발명을 실시예들을 참조하여 기재하였지만, 본 발명은 상기 개시된 실시예들에 한정되지 않는다는 것을 알 것이다. 아래의 청구항의 범위는, 모든 변형예, 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 폭 넓게 해석해야 한다.
본 출원은, 여기서 전체적으로 참고로 포함된, 2017년 6월 19일에 출원된 일본국 특허출원번호 2017-119613의 이점을 청구한다.

Claims (10)

  1. 원판에 패턴을 조명하여서 기판에 복수의 노광 영역을 노광하는 노광 방법으로서,
    상기 복수의 노광 영역 중에서 어느 하나의 영역에 행해진 노광의 시작으로부터 종료까지의 기간에 상기 기판을 이동시키는 공정을 포함하고,
    상기 기간에 있어서 상기 기판을 이동시키는 타이밍이, 상기 기판 위에 상기 패턴의 제1방향의 폭과, 상기 제1방향과는 다른 상기 기판 위에 상기 패턴의 제2방향의 폭과의 차이에 근거하여 결정되고, 상기 제1 및 제2 방향은 상기 기판의 면과 평행한 방향인, 노광 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 이동시키는 방향은, 상기 차이에 근거하여 결정되는, 노광 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 이동시키는 양은, 상기 차이에 근거하여 결정되는, 노광 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 노광의 상기 시작의 타이밍은, 상기 차이에 근거하여 결정되는, 노광 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 노광의 상기 시작의 타이밍은, 상기 어느 하나의 영역을 노광하는 위치까지 상기 기판을 이동시키고 있는 과정에서 생성된 상기 기판의 진동량에 근거하여 결정되는, 노광 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 차이에 근거하여, 상기 원판을 조명하는 광학계의 유효광원 분포를 조정하는 공정을 더 포함하는, 노광 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 노광 영역 위의 각 패턴의 차이가 구해지는, 노광 방법.
  8. 원판에 패턴을 조명하여서 기판에 복수의 노광 영역을 노광하는 노광 방법으로서,
    상기 복수의 노광 영역 중에서 어느 하나의 영역을 노광하는 위치까지 상기 기판을 이동시키는 공정을 포함하고,
    상기 노광의 시작의 타이밍은, 상기 이동시키는 공정에서 생성된 상기 기판의 진동량에 근거하여, 상기 이동시키는 공정 전에 결정되는, 노광 방법.
  9. 원판에 패턴을 조명하여서 기판에 복수의 노광 영역을 노광하는 노광 장치로서,
    상기 기판을 보유하여 이동하는 스테이지; 및
    상기 스테이지를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 복수의 노광 영역 중에서 어느 하나의 영역에 행해진 노광의 시작으로부터 종료까지의 기간에 상기 기판을 이동시키고,
    상기 기간에 있어서 상기 기판을 이동시키는 타이밍을, 상기 기판 위에 상기 패턴의 제1방향의 폭과, 상기 제1방향과는 다른 상기 기판 위에 상기 패턴의 제2방향의 폭과의 차이에 근거하여 결정하도록 구성되고, 상기 제1 및 제2 방향은 상기 기판의 면과 평행한 방향인, 노광 장치.
  10. 물품의 제조 방법으로서,
    노광 방법을 사용하여 기판을 노광하는 공정; 및
    상기 노광하는 공정에서 노광된 상기 기판을 현상하는 공정을 포함하고,
    상기 노광 방법은, 원판에 패턴을 조명하여서 기판에 복수의 노광 영역을 노광하고, 상기 복수의 노광 영역 중에서 어느 하나의 영역에 행해진 노광의 시작으로부터 종료까지의 기간에 상기 기판을 이동시키는 공정을 포함하고,
    상기 기간에 있어서 상기 기판을 이동시키는 타이밍이, 상기 기판 위에 상기 패턴의 제1방향의 폭과, 상기 제1방향과는 다른 상기 기판 위에 상기 패턴의 제2방향의 폭과의 차이에 근거하여 결정되고,
    상기 제1 및 제2 방향은 상기 기판의 면과 평행한 방향인, 물품의 제조 방법.
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