KR100865355B1 - 리소그래피 인쇄 공구에서의 다수의 레티클의 사용 - Google Patents

리소그래피 인쇄 공구에서의 다수의 레티클의 사용 Download PDF

Info

Publication number
KR100865355B1
KR100865355B1 KR1020020006383A KR20020006383A KR100865355B1 KR 100865355 B1 KR100865355 B1 KR 100865355B1 KR 1020020006383 A KR1020020006383 A KR 1020020006383A KR 20020006383 A KR20020006383 A KR 20020006383A KR 100865355 B1 KR100865355 B1 KR 100865355B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reticle
stage
reticles
image
view
Prior art date
Application number
KR1020020006383A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020067425A (ko
Inventor
맥컬락앤드류더블유.
메이슨크리스토퍼
마코야루이스
세웰해리
Original Assignee
에이에스엠엘 유에스, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 유에스, 인크. filed Critical 에이에스엠엘 유에스, 인크.
Publication of KR20020067425A publication Critical patent/KR20020067425A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100865355B1 publication Critical patent/KR100865355B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 최소한 2개의 개별적인 레티클을 스캐닝하기에 충분한 이동 범위를 갖는 레티클 스테이지에 관한 것이다. 포토리소그래피 공정에서는, 확장된 이동 범위를 가지며, 최소한 2개의 레티클, 바람직하게는 위상 시프트(phase shift) 레티클 및 조정(trim) 레티클을 포함하는 레티클 스테이지가 사용된다. 레티클 스테이지는 조명 시계(illumination field)에 걸쳐서 상기 2개의 레티클을 스캐닝한다. 각각의 레티클의 이미지는 투영 광학 기기에 의해 웨이퍼 스테이지 상의 감광성 기판 상에 투영된다. 감광성 기판 상의 시계는 제1 레티클의 이미지로 노출되며 다음으로는 제2 레티클의 이미지로 노출된다. 스캐닝 작업으로 동일한 시계상에 제1 및 제2 레티클의 이미지를 투영함으로써 포토리소그래피 공구 또는 장치의 처리가 대단히 촉진된다. 최소한 2개의 레티클이 단일의 시계를 노출시키는 데 필요한 경우에는 레티클의 이동이 배제된다. 위상 시프트 마스크 및 관련 조정 마스크가 사용되는 경우에는 단일의 시계를 노출시키는 데 다수의 레티클을 사용하는 것이 필요하다. 다른 실시예에 있어서는, 레티클 스테이지가 추가적인 교정 레티클의 스캐닝을 허용하는 이동 범위를 갖는다. 이는 신속한 실시간 시스템 교정을 허용한다.

Description

리소그래피 인쇄 공구에서의 다수의 레티클의 사용{USE OF MULTIPLE RETICLES IN LITHOGRAPHIC PRINTING TOOLS}
도1A는 제1 위치에서의 다수의 레티클 또는 마스크를 사용하는 리소그래피 공구를 개략적으로 예시한 도면.
도1B는 제2 위치에서의 다수의 레티클 또는 마스크를 사용하는 리소그래피 공구를 개략적으로 예시한 도면.
도2는 상부에 다수의 마스크 또는 레티클을 갖는 레티클 스테이지를 개략적으로 예시한 도면.
도3은 2개의 마스크 또는 레티클을 포함하는 본 발명의 다른 실시예를 개략적으로 예시한 도면.
도4는 본 발명의 공정 단계들을 예시한 블록 다이어그램.
발명의 분야
본 발명은 일반적으로는, 반도체 장치의 제조에서 사용되는 포토리소그래피에 관한 것이며, 보다 구체적으로 기술하면, 생산 효율(throughput)을 증대시키는 방법 및 레티클 스테이지에 관한 것이다.
발명의 배경
반도체 또는 전자 장치의 제조에서는, 포토리소그래피 기법 또는 공정이 종종 사용되고 있다. 포토리소그래피 또는 리소그래피 공정에서는, 마스크 또는 레티클 상에 포함된 회로 패턴이 감광성 기판 상에 투영 또는 영사(映寫;image)된다. 가공 처리 이후에 패터닝된 감광성 기판은 공지된 기법으로 반도체 장치 또는 기타의 전자 장치를 형성하도록 추가로 가공 처리된다. 상기 기판은 웨이퍼인 것이 전형적이다. 인쇄되는 데 요구되는 특징 사이즈(feature size)가 작아짐에 따라, 그러한 특징을 영사하기 위한 다른 기법들이 필요하게 된다. 패턴 인쇄의 품질이 개선되기 위한 한가지 기법은 위상 시프트 마스크 또는 레티클을 사용하는 것이다. 위상 시프트 마스크 또는 레티클의 사용은 일반적으로, 먼저 위상 시프트 마스크로 그 다음에는 조정 마스크로 감광성 기판 또는 웨이퍼 상에 동일한 시계 또는 부위가 노출되는 것을 필요로 한다. 상기 조정 마스크는 상기 위상 시프트 마스크와는 전혀 다르고, 개별적인 노출 조건으로 인쇄될 수 있다. 따라서, 포토리소그래피 공정이 서로 다른 마스크로 감광성 기판상에 동일한 시계의 노출을 필요로 하는 경우, 상기 마스크들은 각각의 노출마다 이동되어야 한다. 이러한 이동으로 생산 효율이 대단히 감소하게 되며 잠재적인 정렬 문제가 종종 생기게 된다. 시간이 소비되면서 잠재적으로는 정렬 오차가 생길 수 있는 공정은 감광성 기판 또는 웨이퍼 상에 시계를 노출시키는 데 사용되는 각각의 마스크에 대하여 행해져야 한다. 그러므로, 생산 효율을 증대시키면서 정렬 또는 교정 문제를 방지하는 방식으로 최소한 2개의 서로 다른 마스크 또는 레티클로 동일한 시계를 노출시키는 방법 및 레티클 스테이지가 필요하다. 웨이퍼가 본래 두번 노출됨에 따라 생산 효율은 항상 감소하기 마련이다. 피치못할 2번의 노출 손실을 배제시킴으로써 그 같은 생산 효율의 손실을 없앨 필요가 있다.
본 발명은 시스템이 2중 노출 모드로 사용되는 경우 생산 효율이 증가되게 하고, 최소한 2개의 마스크 또는 레티클로 동일한 시계의 노출 간의 정렬을 개선시키고자 한 것이다.
본 발명은 생산 효율을 증대시키면서, 감광성 기판 상에의 2번의 시계 노출시 다수의 마스크 또는 레티클이 사용되는 경우 정렬을 개선시키는 방법 및 레티클 스테이지에 관한 것이다. 레티클 스테이지는 최소한 2개의 마스크 또는 레티클을 포함하는 스캐닝용 포토리소그래피 공구 또는 장치에서 사용된다. 본 발명은 또한 스텝 앤드 리피트(step and repeat) 시스템에도 적용될 수 있다. 레티클 스테이지는 최소한 2개의 마스크 또는 레티클이 순차적으로 스캐닝되게 하여 감광성 기판상에 2개의 서로 다른 패턴에 대하여 동일한 시계를 노출시키는 이동 범위를 갖는다. 다른 실시예에 있어서는, 레티클 스테이지가 최소한 2개의 마스크 또는 레티클 중 하나에 인접 배치된 제3 교정 레티클을 지닐 수 있다. 최소한 하나의 감광성 기판 또는 웨이퍼 면 검출기는 상기 교정 레티클 또는 마스크와의 협력 관계로 사용되어 실시간 시스템 교정을 제공한다. 본 발명은 위상 시프트 마스크 또는 레티클 및 관련 조정 마스크 또는 레티클과 함께 사용하기에 특히 적합하다.
따라서, 본 발명의 제1 목적은 시스템이 2중 노출 모드로 사용되는 경우 생산 효율이 증가되게 하는 것이다.
본 발명의 제2 목적은 최소한 2개의 마스크 또는 레티클로 동일한 시계의 노출 간의 정렬을 개선시키는 것이다.
본 발명의 제1 이점은 제조 비용이 감소된다는 점이다.
본 발명의 제2 이점은 마스크 또는 레티클 이동 및 재정렬을 필요로 하지 않고서도 동일한 시계가 최소한 2개의 마스크 또는 레티클로 노출될 수 있다는 점이다.
본 발명의 제1 특징은 최소한 2개의 마스크 또는 레티클의 스캐닝을 허용하는 이동 범위를 갖는 마스크 또는 레티클이 최소한 2개의 레티클 또는 마스크와 함께 사용된다는 점이다.
본 발명의 제2 특징은 교정 레티클이 최소한 하나의 기판 또는 웨이퍼 면 검출기와의 협력 관계로 사용된다는 점이다.
이들 및 그 외의 목적, 이점, 및 특징은 이하 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 보다 상세한 설명을 고려하면 용이하게 알 수 있을 것이다.
실시예
도1A 및 도1B는 본 발명을 개략적으로 예시한 것이다. 도1A는 제1 위치에서의 본 발명을 예시한 것이고, 도1B는 제2 위치에서의 본 발명을 예시한 것이다. 도1A는 감광성 기판(28)상에 마스크 또는 레티클(22)의 이미지를 투영하는 데 사용되는 포토리소그래피 시스템(10)을 예시한 것이다. '마스크(mask) 및 레티클( reticle)' 이라는 용어는 동등한 의미를 갖는 것으로 의도된 것이며, 패턴, 바람직하게는 집적 회로가 복제되기에 적합한 기판, 바람직하게는 유리 또는 석영을 의미하는 것이다. 모든 조명 시스템(12)은 마스크 또는 레티클 스테이지(14) 내에 유지된 마스크 또는 레티클(22)을 조명한다. 상기 조명 시스템(12)과 연관되어 있는 것은 노출 파라미터 수정기(exposure parameter modifier;13) 및 노출 제어기(15)이다. 노출 파라미터 수정기(13)는 필요한 경우 노출을 수정하는 데 사용된다. 예를 들면, 노출 선량(exposure dose) 또는 부분 간섭성(partial coherence)은 마스크 또는 레티클(22) 상에 패턴을 복제하는 데 필요한 노출 요구에 의존하여 노출량 마다 필요한 만큼 또는 원하는 만큼 수정될 수 있다. 이는 노출 선량을 조절하는 조절가능한 구멍 또는 슬릿 또는 부분 간섭성을 조절하는 어레이 광학 소자에 의해 달성될 수 있다. 투영 광학 기기(18)는 감광성 기판(28) 상에 레티클(22)의 이미지를 투영한다. 감광성 기판(28)은 웨이퍼 또는 기판 스테이지(16) 상에 유지된다. 감광성 기판(28)은 레지스트(resist)가 피복된 웨이퍼일 수 있다. 마스크 또는 레티클 스테이지(14) 및 웨이퍼 또는 기판 스테이지(16)는 스테이지 제어기(20)에 의해 제어된다. 마스크 또는 레티클 스테이지(14)는 화살표(32)의 방향으로 스캐닝하고 기판 또는 웨이퍼 스테이지(16)는 화살표(34)의 방향으로 스캐닝한다. 마스크 또는 레티클 스테이지(14)는 최소한 2개의 마스크 또는 레티클(22,24)을 포함한다. 이러한 실시예에서는, 레티클 스테이지(14)가 또한 교정 마스크 또는 레티클(26)을 포함한다. 교정 마스크 또는 레티클(26)은 마스크 또는 레티클(22,24)보다 작을 수 있는 데, 전형적으로는 스캔 방향으로 또는 화살표(32,34)의 방향으로 마스크 또는 레티클(22, 24)의 절반 폭일 수 있다. 예를 들면, 마스크 또는 레티클(22,24)은 각각 스캔 방향으로 약 15 센티미터 또는 6 인치의 폭을 지닐 수 있는 데 반하여, 교정 마스크 또는 레티클(26)은 스캔 방향으로 약 8 센티미터 또는 3 인치의 폭을 지닌다. 레티클 스테이지(14)는 이동될 수 있으며, 최소한 마스크 또는 레티클(22,24 )의 스캔 방향의 폭과 동등한 이동 범위를 지닌다. 그 외에도, 레티클 스테이지 (14)는, 교정 레티클(26)을 수용하는 이동 범위와 아울러, 마스크 또는 레티클 (22,24,26) 사이의 간격 및 공학적 오버스캔 공차를 수용하는 기타의 추가적인 스캐닝 이동 범위를 가질 수 있다. 하나 또는 그 이상의 웨이퍼 또는 기판 면 검출기 또는 검출기들(30)은 웨이퍼 또는 기판 스테이지(16)상에 배치될 수 있다. 웨이퍼 또는 기판 면 검출기(30)는 교정 마스크 또는 레티클(26) 상의 특정 패턴을 검출한다. 이는 신속한 실시간 시스템 교정을 허용한다. 웨이퍼 또는 기판 면 검출기 또는 검출기들(30)은, 제1 마스크 또는 레티클(22) 및 제2 마스크 또는 레티클(24) 모두의 스캐닝시 교정 마스크 또는 레티클(26) 상의 패턴 이미지를 수용하도록 위치가 선정되어야 한다. 그 외에도, 개별 교정 정렬 시스템은 교정 마스크 또는 레티클(26) 및 정합 웨이퍼 또는 기판 면 검출기 또는 검출기들(30)과 함께 사용될 수 있다.
도1B는 감광성 기판(28) 상에서의 이전에 노출된 시계상에 마스크 또는 레티클(24)의 이미지를 투영하기 위해 제2 위치에서의 레티클 스테이지(14)를 예시한 것 외에는 도1A와 유사하다. 감광성 기판(28) 상의 노출된 시계는 도1A에 예시된 바와 같이, 마스크 또는 레티클(22)의 이미지에 의해 이전에 노출된 것이다.
본 발명은 특히, 위상 시프트 마스크 또는 레티클에 적합하며 위상 시프트 마스크 또는 레티클과 함께 사용되도록 의도된 것이다. 예를 들면, 제1 마스크 또는 레티클(22)은 위상 시프트 마스크 또는 레티클일 수 있으며, 제2 마스크 또는 레티클(24)은 위상 시프트 마스크 또는 레티클과의 협력 관계로 사용되기에 적합한 조정 마스크 또는 레티클일 수 있다. 위상 시프트 마스크 또는 레티클 및 조정 마스크 또는 레티클은 공지된 형태의 마스크 또는 레티클이며 포토리소그래피에서 흔히 사용되고 있다. 위상 시프트 마스크 또는 레티클 및 조정 마스크 또는 레티클은 이미징을 개선시키는 데, 특히 분해능을 향상시키는 데 사용된다.
도1A 및 도1B를 참조하면, 작동시, 레티클 스테이지(14)는 조명 시스템(12)에 의해 제공된 조명 시계에 걸쳐 3개의 마스크 또는 레티클(22,24,26) 모두를 스캐닝할 수 있는 능력 및 범위를 갖는다. 따라서, 레티클 스테이지(14)는 조명 시스템(12)에 의해 제공된 조명 시계(36)에 걸쳐 화살표(32)의 방향으로 스캐닝된다. 동기적으로, 웨이퍼 스테이지(16)는 마스크 또는 레티클(22) 상의 이미지 또는 패턴으로 감광성 기판 또는 웨이퍼(28)를 노출시키도록 화살표(34)의 방향으로 스캐닝된다. 스테이지 제어기(20)는 이와 같은 동기화를 제어한다. 바람직하기로는, 투영 광학 기기(18)는 마스크 또는 레티클(22) 상의 패턴의 축소된 이미지를 감광성 기판 또는 웨이퍼(28) 상에 제공한다. 전형적으로는, 4:1의 축소 비율이 사용된다. 이러한 결과로, 레티클 스테이지(14)는 웨이퍼 스테이지(16)의 속도의 4배인 속도로 스캐닝한다. 이와 같이 맨처음 또는 초기에 감광성 기판 또는 웨이퍼(28)가 마스크 또는 레티클(22) 상에 포함된 이미지 또는 패턴으로 노출된 후에는, 웨이퍼 또는 기판 스테이지(16)는 마스크 또는 레티클(24) 상의 이미지 또는 패턴에 대하여 동일한 시계를 노출시키기 위해 다시 위치가 선정된다. 그후, 레티클(14)은 조명 시계(26)에 걸쳐 마스크 또는 레티클(24)의 이미지를 계속 스캐닝한 다음에, 감광성 기판 또는 웨이퍼(28) 상에 동일한 노출 시계를 노출시킨다. 따라서, 레티클 스테이지(14)의 큰 오버스캔 능력은, 상부에 포함된 최소한 2개의 레티클(22,24)과 의 협력 관계로, 레티클 모두가 초기의 정렬이후에 요구되는 레티클 이동 또는 재정렬 없이 정위치에 유지되게 할 수 있다. 이는 생산 효율을 상당히 증대시키며 레티클을 이동시켜야 하는 데 낭비되는 시간 및 레티클의 이동이나 치환 이후에 요구되는 재정렬을 배제시킨다. 그 외에도, 교정된 마스크 또는 레티클(26)을 포함하도록 스캐닝 이동 범위를 제공함으로써, 특정 패턴이 하나 또는 그 이상의 정합 웨이퍼 또는 기판 면 검출기 또는 검출기들(30) 상에 영사되어 신속한 실시간 시스템 교정이 제공될 수 있다. 그 외에도, 노출, 부분 간섭성, 또는 기타 조건과 같은, 2가지 형태의 마스크 사이의 노출 조건에 있어서의 어떠한 변경이라도 웨이퍼 인쇄 사이클의 비 노출 부분 동안에 이행될 수 있음으로써, 생산 효율에 영향을 주지 않는다.
도2는 레티클 스테이지(14)를 개략적으로 예시한 평면도이다. 레티클 스테이지(14)는 화살표(32)의 방향으로 스캐닝할 수 있으며 마스크 또는 레티클(22,24, 26)의 스캔 방향에서의 누적 폭(cumulative width)과 최소한 동일한 이동 범위와 아울러, 요구될 수 있는 공학적 오버스캔 공차를 갖는다. 레티클 스테이지(14)의 이동 범위는 또한 화살표(32)에 의해 예시된 스캔 방향에서의 각각의 레티클 또는 마스크 사이의 스페이스 또는 갭을 수용하기에 충분하여야 한다. 마스크 또는 레티클(22,24,26)은 전형적으로 공지되었거나, 등가의 레티클 유지 기법에 의해 레티클 스테이지(14) 내에 유지될 수 있다. 따라서, 조명 시계(36)는 일반적으로 고정된 상태이지만, 레티클 스테이지(14)는 3개의 마스크 또는 레티클(22,24,26) 모두의 전체면을 순차적으로 노출시키도록 화살표(32)의 방향으로 스캐닝된다.
도3은 본 발명의 다른 한 실시예를 예시한 것이다. 도3에 예시된 실시예에 있어서는, 교정 레티클이 사용되고 있지 않다. 도3은 레티클 스테이지(114)를 개략적으로 예시한 평면도이다. 레티클 스테이지(114)는 2개의 관련 마스크 또는 레티클을 유지하기에 적합하다. 앞서 지적한 바와 같이, 레티클(24)은 위상 시프트 마스크 또는 레티클(22)과의 협력 관계로 사용될 조정 마스크 또는 레티클일 수 있다. 레티클 스테이지(114)는 조명 시계(36)가 마스크 또는 레티클(22,24) 모두를 조명하도록 화살표(32)의 방향으로 스캐닝되는 이동 범위를 갖는다.
도4는 본 발명의 공정 단계들을 예시한 블록 다이어그램이다. 블록(200)은 마스크 또는 레티클 스테이지에 제1 및 제2 마스크를 유지시키는 단계를 나타낸 것이다. 마스크 또는 레티클 스테이지는 조명 시계가 제1 및 제2 레티클 모두를 스캐닝할 수 있도록 이동 범위를 갖는다. 블록(202)은 제1 또는 개시 위치로 감광성 기판 상의 시계를 위치선정하는 단계를 나타낸 것이다. 블록(204)은 상기 시계 상에 제1 레티클의 이미지를 스캐닝하는 단계를 나타낸 것이다. 제1 레티클은 위상 시프트 마스크 또는 레티클인 것이 바람직하다. 블록(206)은 제1 레티클에 의해 제1 위치에 대하여 노출되었던 시계를 다시 위치선정하는 단계를 나타낸 것이다. 블록(207)은 제1 레티클 및 제2 레티클의 노출 마다 필요한 만큼 노출 파라미터를 조절하는 단계를 나타낸다. 노출 파라미터는 노출 선량 또는 부분 간섭성일 수 있다. 조명 시스템의 개구수(numerical aperture) 또는 조명의 각(angular) 특성을 변화시킴으로써 부분 간섭성은 변화될 수 있다. 블록(208)은 상기 시계 상에 제2 레티클의 이미지를 스캐닝하는 단계를 나타낸 것이다. 제2 레티클은 정합되거나 또는 위상 시프트 마스크 또는 레티클을 보완하는 조정 마스크 또는 레티클인 것이 바람직하다. 제1 레티클의 이미지로 이전에 노출된 시계는 제2 레티클의 이미지로 다시 노출된다. 위상 시프트 마스크 및 위상 시프트 마스크와 함께 사용되기에 적합한 조정 마스크의 사용으로 이미징, 특히 분해능이 개선된다.
본 발명은 스캐닝용 포토리소그래피 시스템 또는 공구에서의 최소한 2개의 레티클의 노출을 대단히 용이하게 한다. 본 발명은 또한, 감광성 기판 상에 동일한 시계를 순차적으로 노출시키기 위해 위상 시프트 마스크 및 해당 조정 마스크와 함께 사용하기에 특히 적합하다. 결과적으로, 레티클 스테이지 상에서의 마스크 또는 레티클을 이동시키는 시간 소비 성향이 배제된다. 그 외에도, 한 실시예에서는, 교정 레티클 또는 마스크 및 교정 레티클 또는 마스크를 포함하는 이동 범위를 갖는 레티클 스테이지의 사용으로 신속한 실시간 시스템 교정이 가능해진다. 결과적으로, 본 발명은 전자 디바이스 제조 기술을 대단히 촉진 및 향상시킨다.
지금까지 여러 실시예, 특히 3개의 서로 다른 레티클을 수용하는 이동 범위를 갖는 실시예에 대하여 본 발명을 예시 및 설명하였지만, 최소한 2개의 레티클이 최소한 2개의 레티클 또는 마스크를 스캐닝하기에 충분한 이동 범위를 갖는 레티클 스테이지로 동일한 시계를 노출시키는 데 사용되는 경우에는, 기타 여러 개의 레티클이 이용될 수 있다는 점을 이해하여야 한다. 그 외에도, 당업자라면, 본 발명의 정신 및 범위로 부터 이탈하지 않고서도 여러 형태의 변형이 이루어질 수 있다는 점을 알 수 있을 것이다.

Claims (20)

  1. 적어도 2개의 레티클을 동시에 유지시키도록 구성되며, 상기 적어도 2개의 레티클의 스캐닝을 허용하는 이동 범위를 갖는 레티클 스테이지;
    상기 적어도 2개의 레티클 중 적어도 일부의 이미지를 감광성 기판 상에 투영시키도록 위치가 선정된 투영 광학 기기;
    상기 감광성 기판을 유지하며, 상기 투영 광학 기기로부터 투영된 이미지를 수용하도록 위치가 선정된 기판 스테이지; 및
    상기 레티클 스테이지 및 상기 기판 스테이지와 결합되어 있으며, 상기 감광성 기판 상에 시계를 노출시키도록 상기 적어도 2개의 레티클 중 한 레티클의 이미지를 위치선정한 다음에, 상기 시계를 재노출시키도록 상기 적어도 2개의 레티클 중 다른 한 레티클의 이미지를 위치선정할 수 있는 스테이지 제어기를 포함하고,
    상기 적어도 2개의 레티클의 이미지가 상기 레티클 스테이지 상의 레티클을 교체할 필요 없이 상기 적어도 2개의 레티클의 이미지가 상기 시계를 노출시키며,
    상기 레티클 스테이지 내에 유지된 교정 레티클; 및 상기 교정 레티클의 이미지를 수용하도록 상기 기판 스테이지 상에 위치가 선정된 적어도 하나의 기판 면 검출기를 더 포함하여, 실시간 시스템 교정이 달성되는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 적어도 2개의 레티클은 위상 시프트 마스크 및 조정(trim) 마스크를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 감광성 기판은 레지스트가 피복된 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 적어도 2개의 레티클은 집적 회로 패턴의 이미지를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
  6. 반도체 장치의 제조용 포토리소그래피 장치에 있어서,
    스캔 방향으로의 이동 범위를 갖는 레티클 스테이지;
    상기 레티클 스테이지 내에 배치된 제1 레티클;
    상기 레티클 스테이지 내에서 상기 제1 레티클에 인접 배치되어 있으며, 상기 레티클 스테이지의 이동 범위가 조명 시계로 상기 제1 레티클과 함께 스캐닝하도록 구성된 제2 레티클;
    상기 제1 및 제2 레티클 중 적어도 일부의 이미지를 상기 감광성 기판 상에 투영하도록 위치가 선정된 투영 광학 기기;
    상기 감광성 기판을 유지하며, 상기 투영 광학 기기로부터 투영된 이미지를 수용하도록 위치가 선정된 기판 스테이지; 및
    상기 레티클 스테이지 및 상기 기판 스테이지와 결합되어 있으며, 상기 감광성 기판 상에 시계를 노출시키도록 상기 제1 레티클의 이미지를 위치선정한 다음에, 상기 시계를 또 노출시키도록 상기 제2 레티클의 이미지를 위치선정할 수 있는 스테이지 제어기를 포함하여,
    상기 레티클 스테이지 상의 레티클을 교환할 필요 없이 상기 제1 및 제2 레티클의 이미지가 상기 시계를 노출시키며,
    상기 레티클 스테이지 내에서 상기 제1 또는 제2 레티클 중 한 레티클에 인접 배치된 교정 레티클; 및 상기 교정 레티클의 이미지를 수용하도록 상기 기판 스테이지 상에 위치선정된 적어도 하나의 기판 면 검출기를 더 포함하여, 실시간 시스템 교정이 달성되는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
  7. 제6항에 있어서, 노출 제어기를 더 포함하며, 상기 노출 제어기는 노출 마다 상기 제1 및 제2 레티클의 노출 조건을 제어하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1 레티클은 위상 시프트 마스크를 포함하며, 상기 제2 레티클은 상기 위상 시프트 마스크와 함께 사용되도록 구성된 조정(trim) 마스크를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
  9. 삭제
  10. 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레티클은 집적 회로 패턴의 이미지를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
  11. 반도체 장치의 제조용 포토리소그래피 장치에 있어서,
    스캐닝 방향으로의 이동 범위를 갖는 레티클 스테이지;
    상기 레티클 스테이지 내에 배치된 위상 시프트 레티클;
    상기 레티클 스테이지 내에서 상기 위상 시프트 레티클에 인접 배치되어 있으며, 상기 위상 시프트 레티클과 함께 사용되도록 구성된 조정 레티클;
    상기 레티클 스테이지 내에서 상기 조정 레티클에 인접 배치되어 있으며, 상기 레티클 스테이지의 이동 범위가 조명 시계로 상기 위상 시프트 및 조정 레티클과 함께 스캐닝하도록 구성된 교정 레티클;
    상기 위상 시프트, 조정, 및 교정 레티클 중 적어도 일부의 이미지를 감광성 기판상에 투영하도록 위치가 선정된 투영 광학 기기;
    상기 감광성 기판을 유지하고, 상기 투영 광학 기기로부터 투영된 이미지를 수용하도록 위치가 선정된 기판 스테이지;
    상기 기판 스테이지 상에 배치되어 있으며 상기 교정 레티클의 이미지를 수용하도록 위치가 선정된 적어도 하나의 기판 면 검출기; 및
    상기 레티클 스테이지 및 상기 기판 스테이지와 결합되어 있으며, 상기 감광성 기판 상에 시계를 노출시키도록 상기 위상 시프트 레티클의 이미지를 위치 선정한 다음에, 상기 시계를 또 노출시키도록 상기 조정 레티클의 이미지를 위치 선정할 수 있는 스테이지 제어기를 포함하여,
    상기 레티클 스테이지 상의 레티클을 교환할 필요 없이 상기 위상 시프트 및 조정 레티클의 이미지가 상기 시계를 노출시키는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
  12. 스캐닝용 포토리소그래피에서 사용하기 위한 레티클 스테이지에 있어서,
    레티클 스테이지;
    상기 레티클 스테이지 상에 제1 레티클이 배치되는 제1 위치; 및
    상기 레티클 스테이지 상에 제2 레티클이 배치되는 제2 위치를 포함하며,
    상기 레티클 스테이지는 조명 시계로 제1 및 제2 레티클을 스캐닝하도록 구성된 스캐닝 방향으로의 이동 범위를 갖고,
    상기 레티클 스테이지 상에 제3 레티클이 배치되는 제3 위치; 및 상기 레티클 스테이지 상에 제3 레티클이 배치되는 제3 위치에 배치되어 있는 교정 레티클을 더 포함하여, 실시간 시스템 교정이 달성될 수 있는 것을 특징으로 하는, 스캐닝용 포토리소그래피에서 사용하기 위한 레티클 스테이지.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 레티클 스테이지 상에 제1 레티클이 배치되는 제1 위치에 배치되어 있는 위상 시프트 레티클; 및
    상기 레티클 스테이지 상에 제2 레티클이 배치되는 제2 위치에 배치되어 있으며 상기 위상 시프트 레티클과 함께 사용되도록 구성된 조정 레티클을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 스캐닝용 포토리소그래피에서 사용하기 위한 레티클 스테이지.
  14. 삭제
  15. 제12항에 있어서, 상기 제3 위치는 스캔 방향에서의 상기 제1 위치의 폭의 절반에 상당하는 스캔 방향에서의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는, 스캐닝용 포토리소그래피에서 사용하기 위한 레티클 스테이지.
  16. 삭제
  17. 적어도 2개의 레티클의 이미지로 감광성 기판 상에 시계를 노출시키는 방법에 있어서,
    상기 적어도 2개의 레티클을 스캐닝하도록 구성된 이동 범위를 갖는 레티클 스테이지에 적어도 2개의 레티클을 동시에 유지시키는 단계;
    상기 감광성 기판 상의 시계를 개시 위치에 위치선정하는 단계;
    상기 적어도 2개의 레티클 중 한 레티클의 이미지를 스캐닝하여 상기 감광성 기판 상의 시계를 노출시키는 단계;
    상기 감광성 기판 상의 시계를 개시 위치에 대하여 재 위치선정하는 단계; 및
    상기 적어도 2개의 레티클 중 다른 한 레티클의 이미지를 스캐닝하여 상기 감광성 기판 상의 시계를 노출시키는 단계를 포함하여,
    시계가 최소한 2개의 레티클의 이미지로 순차적으로 노출되며,
    상기 레티클 스테이지에 교정 레티클을 유지시키는 단계; 및 상기 감광성 기판에 인접하고 상기 교정 레티클의 이미지를 수용하도록 위치가 선정된 최소한 하나의 검출기를 배치시키는 단계를 더 포함하여, 시스템 교정이 달성되는 것을 특징으로 하는, 적어도 2개의 레티클의 이미지로 감광성 기판 상에 시계를 노출시키는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 적어도 2개의 레티클의 노출마다 노출 파라미터를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 적어도 2개의 레티클의 이미지로 감광성 기판 상의 시계를 노출시키는 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 노출 파라미터는 노출 선량을 포함하는 것을 특징으로 하는, 적어도 2개의 레티클의 이미지로 감광성 기판 상의 시계를 노출시키는 방법.
  20. 제17항에 있어서, 상기 노출 파라미터는 부분 간섭성을 포함하는 것을 특징으로 하는, 적어도 2개의 레티클의 이미지로 감광성 기판 상의 시계를 노출시키는 방법.
KR1020020006383A 2001-02-16 2002-02-05 리소그래피 인쇄 공구에서의 다수의 레티클의 사용 KR100865355B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/785,777 2001-02-16
US09/785,777 US6628372B2 (en) 2001-02-16 2001-02-16 Use of multiple reticles in lithographic printing tools

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020067425A KR20020067425A (ko) 2002-08-22
KR100865355B1 true KR100865355B1 (ko) 2008-10-24

Family

ID=25136594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020006383A KR100865355B1 (ko) 2001-02-16 2002-02-05 리소그래피 인쇄 공구에서의 다수의 레티클의 사용

Country Status (5)

Country Link
US (3) US6628372B2 (ko)
EP (1) EP1233305A3 (ko)
JP (1) JP2002252171A (ko)
KR (1) KR100865355B1 (ko)
TW (1) TW543098B (ko)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6628372B2 (en) * 2001-02-16 2003-09-30 Mccullough Andrew W. Use of multiple reticles in lithographic printing tools
US6852471B2 (en) * 2001-06-08 2005-02-08 Numerical Technologies, Inc. Exposure control for phase shifting photolithographic masks
KR100614295B1 (ko) * 2001-12-21 2006-08-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 디바이스 제조방법, 그 디바이스 및 그를 위한 리소그래피장치
US6777143B2 (en) * 2002-01-28 2004-08-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Multiple mask step and scan aligner
US6872509B2 (en) * 2002-08-05 2005-03-29 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for photolithographic processing
US6876439B2 (en) * 2003-05-29 2005-04-05 Asml Holding N.V. Method to increase throughput in a dual substrate stage double exposure lithography system
US6781674B1 (en) * 2003-05-29 2004-08-24 Asml Holding N.V. System and method to increase throughput in a dual substrate stage double exposure lithography system
US20050112474A1 (en) * 2003-11-20 2005-05-26 Micronic Laser Systems Ab Method involving a mask or a reticle
US7423722B2 (en) * 2004-01-29 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7153616B2 (en) * 2004-03-31 2006-12-26 Asml Holding N.V. System and method for verifying and controlling the performance of a maskless lithography tool
US7385671B2 (en) * 2004-05-28 2008-06-10 Azores Corporation High speed lithography machine and method
US7102733B2 (en) 2004-08-13 2006-09-05 Asml Holding N.V. System and method to compensate for static and dynamic misalignments and deformations in a maskless lithography tool
US7525645B2 (en) * 2005-06-29 2009-04-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Exposure apparatus and method, and mask stage therefor
US7924406B2 (en) * 2005-07-13 2011-04-12 Asml Netherlands B.V. Stage apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method having switch device for two illumination channels
US7417715B2 (en) * 2005-07-13 2008-08-26 Asml Netherlands B.V. Stage apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method using two patterning devices
US7671970B2 (en) * 2005-07-13 2010-03-02 Asml Netherlands B.V. Stage apparatus with two patterning devices, lithographic apparatus and device manufacturing method skipping an exposure field pitch
KR100729263B1 (ko) * 2005-07-14 2007-06-15 삼성전자주식회사 기판 노광 장치
US7884921B2 (en) * 2006-04-12 2011-02-08 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, projection exposure apparatus, projection optical system, and device manufacturing method
WO2007119514A1 (ja) * 2006-04-17 2007-10-25 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2008001593A1 (fr) * 2006-06-30 2008-01-03 Nikon Corporation PROCÉDÉ d'exposition, dispositif D'EXPOSITION, et procédé de fabrication de dispositif
US7518705B2 (en) * 2006-09-14 2009-04-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9529275B2 (en) * 2007-02-21 2016-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography scanner throughput
SG156564A1 (en) * 2008-04-09 2009-11-26 Asml Holding Nv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8305559B2 (en) * 2008-06-10 2012-11-06 Nikon Corporation Exposure apparatus that utilizes multiple masks
NL2009666A (en) * 2011-11-22 2013-05-23 Asml Netherlands Bv Reticle assembly, a lithographic apparatus, the use in a lithographic process, and a method to project two or more image fields in a single scanning movement of a lithographic process.
JP2015532980A (ja) 2012-09-21 2015-11-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ方法及び装置
CN104166315B (zh) * 2014-08-14 2017-05-17 深圳市华星光电技术有限公司 曝光方法及曝光机
DE102015218917B4 (de) * 2015-09-30 2020-06-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Ermittlung einer Position eines Strukturelements auf einer Maske und Mikroskop zur Durchführung des Verfahrens
US9899183B1 (en) * 2016-07-28 2018-02-20 Globalfoundries Inc. Structure and method to measure focus-dependent pattern shift in integrated circuit imaging
WO2019067809A2 (en) 2017-09-29 2019-04-04 Rudolph Technologies, Inc. SYSTEM AND METHOD FOR OPTIMIZING LITHOGRAPHIC EXPOSURE METHOD
CN109782542A (zh) * 2017-11-10 2019-05-21 长鑫存储技术有限公司 半导体转接板曝光方法以及曝光设备
WO2021168359A1 (en) 2020-02-21 2021-08-26 Onto Innovation, Inc. System and method for correcting overlay errors in a lithographic process

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01261821A (ja) * 1988-04-13 1989-10-18 Nec Corp 縮小投影露光装置
JPH1027738A (ja) * 1996-07-09 1998-01-27 Canon Inc 走査型露光方法および該方法を用いたデバイス製造方法
KR20020060818A (ko) * 2001-01-12 2002-07-19 동부전자 주식회사 노광 장비용 멀티 레티클 얼라인 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5281996A (en) * 1992-09-04 1994-01-25 General Signal Corporation Photolithographic reduction imaging of extended field
JP3374467B2 (ja) * 1993-09-14 2003-02-04 株式会社ニコン 投影露光装置及び露光方法
KR100471461B1 (ko) * 1996-05-16 2005-07-07 가부시키가이샤 니콘 노광방법및노광장치
DE69738910D1 (de) * 1996-11-28 2008-09-25 Nikon Corp Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren
JPH10209039A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp 投影露光方法及び投影露光装置
US5767523A (en) 1997-04-09 1998-06-16 Svg Lithography Systems, Inc. Multiple detector alignment system for photolithography
US6040892A (en) * 1997-08-19 2000-03-21 Micron Technology, Inc. Multiple image reticle for forming layers
JP3315658B2 (ja) * 1998-12-28 2002-08-19 キヤノン株式会社 投影装置および露光装置
US6628372B2 (en) * 2001-02-16 2003-09-30 Mccullough Andrew W. Use of multiple reticles in lithographic printing tools

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01261821A (ja) * 1988-04-13 1989-10-18 Nec Corp 縮小投影露光装置
JPH1027738A (ja) * 1996-07-09 1998-01-27 Canon Inc 走査型露光方法および該方法を用いたデバイス製造方法
KR20020060818A (ko) * 2001-01-12 2002-07-19 동부전자 주식회사 노광 장비용 멀티 레티클 얼라인 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020067425A (ko) 2002-08-22
JP2002252171A (ja) 2002-09-06
EP1233305A2 (en) 2002-08-21
US6628372B2 (en) 2003-09-30
US6800408B2 (en) 2004-10-05
US20020115004A1 (en) 2002-08-22
EP1233305A3 (en) 2005-04-20
TW543098B (en) 2003-07-21
US6967713B2 (en) 2005-11-22
US20050030514A1 (en) 2005-02-10
US20040043311A1 (en) 2004-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100865355B1 (ko) 리소그래피 인쇄 공구에서의 다수의 레티클의 사용
EP1248151B1 (en) Scanner linewidth control
JP4714403B2 (ja) デュアルレチクルイメージを露光する方法および装置
US6665054B2 (en) Two stage method
US4864360A (en) Exposure apparatus
US4708466A (en) Exposure apparatus
EP1020770B1 (en) Dose control for correcting linewidth variation in the scan direction
US20030025893A1 (en) Projection exposure apparatus and projection exposure method
JP2002064058A (ja) ホトリソグラフィ装置における線幅の変化を補償する、空間的に制御可能な部分干渉性を有する照明系
JPH11111601A (ja) 露光方法及び装置
EP0753796A1 (en) Scanning exposure apparatus and device for manufacturing method using the same
JP3309871B2 (ja) 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法
KR100695895B1 (ko) 주사형 노광장치 및 그 노광방법
JPH11354425A (ja) 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2002043214A (ja) 走査型露光方法
JP3460129B2 (ja) 露光装置および露光方法
JPH0917718A (ja) 露光装置及びこれを用いたデバイス生産方法
JPH11121328A (ja) 走査型縮小投影露光装置
US5666206A (en) Exposure system and exposure method
JP4174324B2 (ja) 露光方法及び装置
JP2000114164A (ja) 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH09306826A (ja) 露光装置
JPH0982633A (ja) 投影露光装置
US20070072128A1 (en) Method of manufacturing an integrated circuit to obtain uniform exposure in a photolithographic process
JP2962257B2 (ja) 走査型投影露光方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121012

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131011

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141010

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151012

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161007

Year of fee payment: 9