JPH09306826A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH09306826A JPH09306826A JP8140791A JP14079196A JPH09306826A JP H09306826 A JPH09306826 A JP H09306826A JP 8140791 A JP8140791 A JP 8140791A JP 14079196 A JP14079196 A JP 14079196A JP H09306826 A JPH09306826 A JP H09306826A
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- JP
- Japan
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- exposure
- substrate
- optical system
- reticle
- stepper
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スループットの高いステッパ露光装置を提供
する。 【構成】 露光光を形成する光学系１０１〜１０５、投
影レンズ１１１〜１１５、反射光学系１１６〜１２０で
構成される複数の露光用光学系を有するステッパ露光装
置である。本露光装置により基板上の複数の領域を同時
に露光することが可能となり、露光処理時間を大幅に低
減することできる。
する。 【構成】 露光光を形成する光学系１０１〜１０５、投
影レンズ１１１〜１１５、反射光学系１１６〜１２０で
構成される複数の露光用光学系を有するステッパ露光装
置である。本露光装置により基板上の複数の領域を同時
に露光することが可能となり、露光処理時間を大幅に低
減することできる。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
投影型ステッパ露光装置の構成に関する。特に、大面積
の大型ガラス基板を対象とした大版型ステッパ露光装置
の構成に関する。
投影型ステッパ露光装置の構成に関する。特に、大面積
の大型ガラス基板を対象とした大版型ステッパ露光装置
の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶ディスプレイの開発が急速に
進められており、安価なガラス基板上に駆動回路とマト
リクス回路とを集積化した集積化回路を構成する技術が
注目されている。
進められており、安価なガラス基板上に駆動回路とマト
リクス回路とを集積化した集積化回路を構成する技術が
注目されている。
【０００３】基板上へのパターン形成においては、ＬＳ
Ｉの製造工程に用いられてきた露光技術がそのまま踏襲
されている。即ち、露光装置としてはＬＳＩ製造と同じ
ものを用いることが可能である。
Ｉの製造工程に用いられてきた露光技術がそのまま踏襲
されている。即ち、露光装置としてはＬＳＩ製造と同じ
ものを用いることが可能である。
【０００４】従来より露光装置としてはプロキシミティ
（近接）方式、結像方式とに大別される。また、結像方
式は、さらにミラープロジェクション方式とステッパ方
式とに区別される。
（近接）方式、結像方式とに大別される。また、結像方
式は、さらにミラープロジェクション方式とステッパ方
式とに区別される。
【０００５】プロキシミティ方式の露光装置は、露光す
べきガラス基板に転写マスクを近接して配置して直接基
板に対して露光光を照射するものであり、特別な光学系
を必要としない特徴がある。
べきガラス基板に転写マスクを近接して配置して直接基
板に対して露光光を照射するものであり、特別な光学系
を必要としない特徴がある。
【０００６】従って、装置の製造コストが比較的安価で
あり、しかもデバイス形成時のスループットが高いとい
う利点を持っている。しかし、転写マスクと基板とを非
接触で保持して露光するため露光光の回折が避けられ
ず、高い解像度を望めない。
あり、しかもデバイス形成時のスループットが高いとい
う利点を持っている。しかし、転写マスクと基板とを非
接触で保持して露光するため露光光の回折が避けられ
ず、高い解像度を望めない。
【０００７】また、転写マスクと基板との距離（ギャッ
プ）の調節が微妙であり、基板の反りやうねりの影響を
受けて解像度の均一性を維持するのも困難である。この
事実はガラス基板の大型化に伴い一層顕著な問題とな
る。
プ）の調節が微妙であり、基板の反りやうねりの影響を
受けて解像度の均一性を維持するのも困難である。この
事実はガラス基板の大型化に伴い一層顕著な問題とな
る。
【０００８】一方で、結像方式は転写マスク（一般的に
はレチクルと呼ばれる）の像を光学系を用いて結像する
方式であるため、高い解像度を有していることが最大の
特徴である。
はレチクルと呼ばれる）の像を光学系を用いて結像する
方式であるため、高い解像度を有していることが最大の
特徴である。
【０００９】従って、年々大型化が進められる液晶ディ
スプレイを形成する際にはプロキシミティ方式では解像
度の面で難があり、結像方式が主流となってきている。
スプレイを形成する際にはプロキシミティ方式では解像
度の面で難があり、結像方式が主流となってきている。
【００１０】結像方式の場合、前述の様にガラス基板の
大型化に伴い基板面内において反りやうねりによる平坦
性の悪化が大きな問題となる。ガラス基板の平坦性が悪
化すると、解像度の均一性を確保するために光学系の焦
点深度を基板の凹凸に合わせて深く設計しなければなら
ない。
大型化に伴い基板面内において反りやうねりによる平坦
性の悪化が大きな問題となる。ガラス基板の平坦性が悪
化すると、解像度の均一性を確保するために光学系の焦
点深度を基板の凹凸に合わせて深く設計しなければなら
ない。
【００１１】しかし、現状の光学系は焦点深度を深くす
ると解像度が落ちるといった相反する特徴を持つ。その
ため、露光領域を大きくするとどうしても焦点深度を深
くしなければならず、解像度の低下を避けられない状況
にある。
ると解像度が落ちるといった相反する特徴を持つ。その
ため、露光領域を大きくするとどうしても焦点深度を深
くしなければならず、解像度の低下を避けられない状況
にある。
【００１２】この状況に対してステッパ方式を用いた場
合、100mm □程度の露光領域の中心でステップ毎にフォ
ーカス制御を行うことで平坦性の悪化の影響を緩和する
ことが可能である。
合、100mm □程度の露光領域の中心でステップ毎にフォ
ーカス制御を行うことで平坦性の悪化の影響を緩和する
ことが可能である。
【００１３】また、基板保持台はガラス基板の拡大に伴
い大型化させる必要があるものの、露光領域はステージ
の延長により容易に拡大することが可能である。
い大型化させる必要があるものの、露光領域はステージ
の延長により容易に拡大することが可能である。
【００１４】以上の理由から、液晶ディスプレイ用の露
光装置としてはガラス基板の大型化に対して容易に対応
可能であるステッパ方式の露光装置が多用されている。
また、ステッパ方式は露光領域が狭いため１枚の大型ガ
ラス基板上を複数回に分けて露光する分割露光方式を採
用することが多い。
光装置としてはガラス基板の大型化に対して容易に対応
可能であるステッパ方式の露光装置が多用されている。
また、ステッパ方式は露光領域が狭いため１枚の大型ガ
ラス基板上を複数回に分けて露光する分割露光方式を採
用することが多い。
【００１５】ここで、従来のステッパ露光装置の概略を
図２を用いて説明する。なお、ステッパ露光装置の構造
は各社様々な工夫が凝らしてあるため、ここでは極一般
的なステッパ露光装置の一例を示す。
図２を用いて説明する。なお、ステッパ露光装置の構造
は各社様々な工夫が凝らしてあるため、ここでは極一般
的なステッパ露光装置の一例を示す。
【００１６】図２において、２０１は照明系であり、概
略図３に示す様な構成である。即ち、超高圧水銀灯３０
１から発する強度の高い光を楕円鏡３０２により集光し
て反射鏡３０３、波長フィルタ３０４、フライアイレン
ズ３０５、レチクルブラインド３０６を経て均一性の高
い露光光を形成する。
略図３に示す様な構成である。即ち、超高圧水銀灯３０
１から発する強度の高い光を楕円鏡３０２により集光し
て反射鏡３０３、波長フィルタ３０４、フライアイレン
ズ３０５、レチクルブラインド３０６を経て均一性の高
い露光光を形成する。
【００１７】図２に戻って、照明系２０１で形成された
露光光は反射鏡２０２で方向を変えられてコンデンサレ
ンズ２０３へと入射する。そして、コンデンサレンズ２
０３で再び集光されて所望の形状の露光光が形成され
る。
露光光は反射鏡２０２で方向を変えられてコンデンサレ
ンズ２０３へと入射する。そして、コンデンサレンズ２
０３で再び集光されて所望の形状の露光光が形成され
る。
【００１８】この時、露光光の形状は可能な限り面積を
大きくすることがスループットを高める上で重要である
が、やみくもに面積を稼ぐと露光光の照度が落ちるとい
った問題がある。
大きくすることがスループットを高める上で重要である
が、やみくもに面積を稼ぐと露光光の照度が落ちるとい
った問題がある。
【００１９】次に、形成された露光光はレチクル２０４
へと照射される。分割露光方式により露光を行う場合に
おいては、複数枚のレチクルを必要とする。そのため、
レチクル２０４を保持するサセプタ２０５は、通常レチ
クルチェンジャー（図示せず）へと連結されてレチクル
２０４の交換が行われる。
へと照射される。分割露光方式により露光を行う場合に
おいては、複数枚のレチクルを必要とする。そのため、
レチクル２０４を保持するサセプタ２０５は、通常レチ
クルチェンジャー（図示せず）へと連結されてレチクル
２０４の交換が行われる。
【００２０】また、ここでは説明を省略するが、レチク
ルに描画されたパターン像と基板上に形成されたパター
ン像とを精密に重ね合わせるレチクルアライメント機構
が一般的には配置される。
ルに描画されたパターン像と基板上に形成されたパター
ン像とを精密に重ね合わせるレチクルアライメント機構
が一般的には配置される。
【００２１】次に、レチクル２０４を透過した露光光は
投影レンズ２０６へと入射する。投影レンズ２０６はそ
の光学系の設計次第で等倍投影、縮小投影、拡大投影を
行うことが可能である。ステッパ露光装置の解像度はこ
の投影レンズ２０６の性能により決定されると言っても
過言ではない。
投影レンズ２０６へと入射する。投影レンズ２０６はそ
の光学系の設計次第で等倍投影、縮小投影、拡大投影を
行うことが可能である。ステッパ露光装置の解像度はこ
の投影レンズ２０６の性能により決定されると言っても
過言ではない。
【００２２】次に、レチクル２０４を透過して像形成し
た露光光は投影レンズ２０６によって正確に被処理基板
（本明細書ではガラス基板を例にとる）２０７へと照射
される。こうして、レチクル２０４に描画されたパター
ン像が基板の第１の領域に対して転写される。
た露光光は投影レンズ２０６によって正確に被処理基板
（本明細書ではガラス基板を例にとる）２０７へと照射
される。こうして、レチクル２０４に描画されたパター
ン像が基板の第１の領域に対して転写される。
【００２３】また、ここでは説明を省略するが、一般的
にはガラス基板２０７と基板保持台２０８とを正確に位
置設定するプレート（基板）アライメント機構（レーザ
ー干渉計など）が配置される。また、基板２０７の反り
やうねりに対して投影レンズの結像焦点を補正するオー
トフォーカス機構を備えている。
にはガラス基板２０７と基板保持台２０８とを正確に位
置設定するプレート（基板）アライメント機構（レーザ
ー干渉計など）が配置される。また、基板２０７の反り
やうねりに対して投影レンズの結像焦点を補正するオー
トフォーカス機構を備えている。
【００２４】第１の領域に対してパターン像の転写が終
了したら、次は第２の領域に対してパターン像の転写を
行う。露光作業の一連の流れは上記と同様であるが、そ
の前に基板保持台２０８を矢印２０９のいずれかの方向
へ移動させて第２の露光領域を投影レンズ２０６の直下
へと移動させなければならない。
了したら、次は第２の領域に対してパターン像の転写を
行う。露光作業の一連の流れは上記と同様であるが、そ
の前に基板保持台２０８を矢印２０９のいずれかの方向
へ移動させて第２の露光領域を投影レンズ２０６の直下
へと移動させなければならない。
【００２５】また、第１の領域とその後に続く第２の領
域とで転写するパターン像が異なる場合は、レチクル２
０４の交換を行わなければならない。即ち、１回１回の
露光が終了するたびに基板２０７を少しづつ移動させな
ければならず、時にはレチクル２０４の交換も行う必要
がある。
域とで転写するパターン像が異なる場合は、レチクル２
０４の交換を行わなければならない。即ち、１回１回の
露光が終了するたびに基板２０７を少しづつ移動させな
ければならず、時にはレチクル２０４の交換も行う必要
がある。
【００２６】現状において、１回に照射可能な露光面積
は100mm □程度であり、大型ガラス基板の面積が550mm
×650mm 程度へと移行してきていることを踏まえると、
基板全体を露光するのに40〜50回程度の露光作業を行う
ことになる。
は100mm □程度であり、大型ガラス基板の面積が550mm
×650mm 程度へと移行してきていることを踏まえると、
基板全体を露光するのに40〜50回程度の露光作業を行う
ことになる。
【００２７】従って、ステッパ露光装置は大型ガラス基
板に対して最も柔軟性をもって対応できる露光装置であ
る反面、スループットが悪いという欠点を併せ持ってい
ることが問題となっている。
板に対して最も柔軟性をもって対応できる露光装置であ
る反面、スループットが悪いという欠点を併せ持ってい
ることが問題となっている。
【００２８】この問題に対して、露光光の照度を強くし
て露光時間を短縮させたり、レチクル交換や基板保持台
の移動速度の向上させたり、投影レンズの性能を向上さ
せて露光可能領域を拡大したりするなどの試みがなされ
てきたが、現状の技術では未だにスループットの向上が
望まれている。
て露光時間を短縮させたり、レチクル交換や基板保持台
の移動速度の向上させたり、投影レンズの性能を向上さ
せて露光可能領域を拡大したりするなどの試みがなされ
てきたが、現状の技術では未だにスループットの向上が
望まれている。
【００２９】
【発明が解決しようとする課題】本明細書で開示する発
明は、ステッパ露光装置の露光処理時間を大幅に低減
し、スループットの高いステッパ露光装置を提供するこ
とを目的とする。
明は、ステッパ露光装置の露光処理時間を大幅に低減
し、スループットの高いステッパ露光装置を提供するこ
とを目的とする。
【００３０】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の構成は、露光光を形成する光学系と投影レンズとを少
なくとも有する露光用光学系と、露光パターン形成用の
レチクルおよび該レチクルを保持するサセプタと、被処
理基板を保持する基板保持台と、を少なくとも有する投
影型ステッパ露光装置において、前記被処理基板の露光
は同一解像度の複数の前記露光用光学系を用いて同時に
行われることを特徴とする。
の構成は、露光光を形成する光学系と投影レンズとを少
なくとも有する露光用光学系と、露光パターン形成用の
レチクルおよび該レチクルを保持するサセプタと、被処
理基板を保持する基板保持台と、を少なくとも有する投
影型ステッパ露光装置において、前記被処理基板の露光
は同一解像度の複数の前記露光用光学系を用いて同時に
行われることを特徴とする。
【００３１】また、他の発明の構成は、露光光を形成す
る光学系と投影レンズとを少なくとも有する露光用光学
系と、露光パターン形成用のレチクルおよび該レチクル
を保持するサセプタと、被処理基板を保持する基板保持
台と、を少なくとも有する投影型ステッパ露光装置にお
いて、前記被処理基板の露光は同一解像度の複数の前記
露光用光学系を用いて同時に行われ、その露光領域の面
積は任意の一つの露光用光学系で一括露光可能な面積の
積算値で得られることを特徴とする。
る光学系と投影レンズとを少なくとも有する露光用光学
系と、露光パターン形成用のレチクルおよび該レチクル
を保持するサセプタと、被処理基板を保持する基板保持
台と、を少なくとも有する投影型ステッパ露光装置にお
いて、前記被処理基板の露光は同一解像度の複数の前記
露光用光学系を用いて同時に行われ、その露光領域の面
積は任意の一つの露光用光学系で一括露光可能な面積の
積算値で得られることを特徴とする。
【００３２】また、他の発明の構成は、露光光を形成す
る光学系と投影レンズとを少なくとも有する露光用光学
系と、露光パターン形成用のレチクルおよび該レチクル
を保持するサセプタと、被処理基板を保持する基板保持
台と、を少なくとも有する投影型ステッパ露光装置にお
いて、前記被処理基板の露光は同一解像度の複数の前記
露光用光学系を用いて同時に行われ、その露光領域は実
質的に線状を形成していることを特徴とする。
る光学系と投影レンズとを少なくとも有する露光用光学
系と、露光パターン形成用のレチクルおよび該レチクル
を保持するサセプタと、被処理基板を保持する基板保持
台と、を少なくとも有する投影型ステッパ露光装置にお
いて、前記被処理基板の露光は同一解像度の複数の前記
露光用光学系を用いて同時に行われ、その露光領域は実
質的に線状を形成していることを特徴とする。
【００３３】即ち、露光用光学系（前述の照明系２０
１、コンデンサレンズ２０３、投影レンズ２０６等）を
複数配置した構成を成し、基板の複数の領域を同時に露
光することで大幅にスループットを向上させることが可
能である。
１、コンデンサレンズ２０３、投影レンズ２０６等）を
複数配置した構成を成し、基板の複数の領域を同時に露
光することで大幅にスループットを向上させることが可
能である。
【００３４】上記構成でなる本発明の詳細について、以
下に記載する実施例でもって説明を行うこととする。
下に記載する実施例でもって説明を行うこととする。
【００３５】
〔実施例１〕本実施例では、本発明を実施するための露
光装置の概略の一例を説明する。本実施例で示す露光装
置を使用した場合、基板を１列づつ（または１行づつ）
線状に露光していくことが可能となる。
光装置の概略の一例を説明する。本実施例で示す露光装
置を使用した場合、基板を１列づつ（または１行づつ）
線状に露光していくことが可能となる。
【００３６】図１に示すのは、本実施例を示す露光装置
の概略である。基本的な部品は図２、図３を用いて従来
例で説明したステッパ露光装置と同様である。
の概略である。基本的な部品は図２、図３を用いて従来
例で説明したステッパ露光装置と同様である。
【００３７】１０１〜１０５で示されるのは、露光光を
形成する光学系であり、図２で説明した照明系２０１コ
ンデンサレンズ２０３を具備している。なお、本実施例
では光源としてｇ線またはｉ線を発する超高圧水銀灯を
用いる。また、光源として代わりにエキシマレーザーを
用いることも可能である。
形成する光学系であり、図２で説明した照明系２０１コ
ンデンサレンズ２０３を具備している。なお、本実施例
では光源としてｇ線またはｉ線を発する超高圧水銀灯を
用いる。また、光源として代わりにエキシマレーザーを
用いることも可能である。
【００３８】そして、露光光を形成する光学系１０１〜
１０５から発した露光光は各々レチクル１０６〜１１０
に入射する。簡略化して記載されているが、レチクル１
０６〜１１０は各々図示しないサセプタに固定され移動
可能となっており、レチクルチェンジャーへと連結して
いる。
１０５から発した露光光は各々レチクル１０６〜１１０
に入射する。簡略化して記載されているが、レチクル１
０６〜１１０は各々図示しないサセプタに固定され移動
可能となっており、レチクルチェンジャーへと連結して
いる。
【００３９】また、レチクル１０６〜１１０は各々が図
示しないレチクルアライメント機構によって個別に制御
される。本発明では隣接した露光領域との繋ぎ合わせ精
度を精密に制御する必要がある。繋ぎ合わせの際の制御
は公知技術によれば良いが、本発明を実施するにあたっ
て特に精密な制御が必要となる。
示しないレチクルアライメント機構によって個別に制御
される。本発明では隣接した露光領域との繋ぎ合わせ精
度を精密に制御する必要がある。繋ぎ合わせの際の制御
は公知技術によれば良いが、本発明を実施するにあたっ
て特に精密な制御が必要となる。
【００４０】次に、レチクル１０６〜１１０を透過して
所望のパターン像を含んだ露光光は、投影レンズ１１１
〜１１５を透過して反射光学系１１６〜１２０を経てガ
ラス基板１２１へと照射され、基板１２１上に対してパ
ターン像が転写される。
所望のパターン像を含んだ露光光は、投影レンズ１１１
〜１１５を透過して反射光学系１１６〜１２０を経てガ
ラス基板１２１へと照射され、基板１２１上に対してパ
ターン像が転写される。
【００４１】反射光学系１１６〜１２０とは、投影レン
ズ１１１〜１１５を透過したパターン像を含んだ露光光
を正確に基板１２１上に結像させる機能を有した光学系
である。
ズ１１１〜１１５を透過したパターン像を含んだ露光光
を正確に基板１２１上に結像させる機能を有した光学系
である。
【００４２】また、投影レンズは用途に応じて等倍投影
レンズ、縮小投影レンズ、拡大投影レンズのいずれかを
用いれば良い。
レンズ、縮小投影レンズ、拡大投影レンズのいずれかを
用いれば良い。
【００４３】この際、露光用光学系（本実施例では、露
光光を形成する光学系、投影レンズ、反射光学系を含
む）の各々には個別に図示しないオートフォーカス機構
が配置され、露光領域に対する焦点合わせは個別に行う
構成としている。
光光を形成する光学系、投影レンズ、反射光学系を含
む）の各々には個別に図示しないオートフォーカス機構
が配置され、露光領域に対する焦点合わせは個別に行う
構成としている。
【００４４】また、ガラス基板１２１はレーザー干渉計
等を用いたクローズド制御により高精度の位置決めが可
能な基板保持台１２２に固定され、基板保持台１２２と
一緒に矢印１２３の方向に移動する。
等を用いたクローズド制御により高精度の位置決めが可
能な基板保持台１２２に固定され、基板保持台１２２と
一緒に矢印１２３の方向に移動する。
【００４５】以上の構成でなる本発明のステッパ露光装
置を用いると、各々の露光用光学系で一括露光可能な領
域を同時に露光することが可能であるため、それら領域
の積算値（積算面積値）を本装置の１回の露光処理で可
能な実質的な露光面積と考えることができる。
置を用いると、各々の露光用光学系で一括露光可能な領
域を同時に露光することが可能であるため、それら領域
の積算値（積算面積値）を本装置の１回の露光処理で可
能な実質的な露光面積と考えることができる。
【００４６】例えば、本実施例の様に露光用光学系を複
数並列してガラス基板１２１のある１列（または１行）
を一度に露光すると、１回の露光処理における露光領域
は実質的に線状を形成することになる。
数並列してガラス基板１２１のある１列（または１行）
を一度に露光すると、１回の露光処理における露光領域
は実質的に線状を形成することになる。
【００４７】以上の様に複数の露光用光学系により、複
数の領域を同時に露光することに本発明の意義がある。
数の領域を同時に露光することに本発明の意義がある。
【００４８】なお、本実施例では計５つの露光用光学計
を装備したステッパ露光装置を一例としたが、露光用光
学系の数は必要に応じて増減すれば良い。
を装備したステッパ露光装置を一例としたが、露光用光
学系の数は必要に応じて増減すれば良い。
【００４９】例えば、ガラス基板の面積が550mm ×650m
m であって、任意の一つの露光用光学系の一括露光可能
領域が100mm □である時、少なくとも６×７で４２回の
露光処理が必要となる。
m であって、任意の一つの露光用光学系の一括露光可能
領域が100mm □である時、少なくとも６×７で４２回の
露光処理が必要となる。
【００５０】この時、本実施例を応用して６つの露光用
光学系を装備したステッパ露光装置を使用すれば、７回
の露光処理で基板全面を露光することができるため、大
幅なスループットの向上が可能である。
光学系を装備したステッパ露光装置を使用すれば、７回
の露光処理で基板全面を露光することができるため、大
幅なスループットの向上が可能である。
【００５１】〔実施例２〕本実施例では、実施例１と異
なる構成のステッパ露光装置についての説明を行う。な
お、各部品や露光処理の流れは既に説明を行ったので、
ここでの説明は省略することとする。本実施例で説明す
るステッパ露光装置の概略の一例を図４に示す。
なる構成のステッパ露光装置についての説明を行う。な
お、各部品や露光処理の流れは既に説明を行ったので、
ここでの説明は省略することとする。本実施例で説明す
るステッパ露光装置の概略の一例を図４に示す。
【００５２】図４において、４０１〜４０３は実施例１
と同様の構成でなる露光光を形成する光学系である。そ
して、４０４〜４０６はレチクル、４０７〜４０９は投
影レンズである。
と同様の構成でなる露光光を形成する光学系である。そ
して、４０４〜４０６はレチクル、４０７〜４０９は投
影レンズである。
【００５３】これらのレチクル４０４〜４０６、投影レ
ンズ４０７〜４０９を透過したパターン像を含んだ露光
光は、基板保持台４１１に固定されたガラス基板４１０
に対して照射され、基板４１０上にパターン像が形成さ
れる。
ンズ４０７〜４０９を透過したパターン像を含んだ露光
光は、基板保持台４１１に固定されたガラス基板４１０
に対して照射され、基板４１０上にパターン像が形成さ
れる。
【００５４】本実施例が特徴とするのは、図４に示す様
に任意の一つの露光用光学系で露光可能な領域を１つお
きに露光していく点である。
に任意の一つの露光用光学系で露光可能な領域を１つお
きに露光していく点である。
【００５５】なお、図４に示す状態から、各々の露光用
光学系を矢印４１２の方向へ移動させれば、実質的に線
状の露光領域を形成することができる。また、矢印４１
３の方向へ基板保持台４１１および基板４１０を移動さ
せ、複数列（または複数行）を順次露光していくことも
可能である。
光学系を矢印４１２の方向へ移動させれば、実質的に線
状の露光領域を形成することができる。また、矢印４１
３の方向へ基板保持台４１１および基板４１０を移動さ
せ、複数列（または複数行）を順次露光していくことも
可能である。
【００５６】換言すれば、実施例１では各露光用光学系
を同時に使用して一括で線状の露光領域を形成していた
のに対し、本実施例ではそれを２回またはそれ以上の露
光に分けた点で異なると言える。
を同時に使用して一括で線状の露光領域を形成していた
のに対し、本実施例ではそれを２回またはそれ以上の露
光に分けた点で異なると言える。
【００５７】本実施例の様な構成のステッパ露光装置を
用いた場合、隣接する領域を同時に露光する必要がない
ため、従来と同じ程度の繋ぎ合わせ精度を確保すれば良
い点で有意である。
用いた場合、隣接する領域を同時に露光する必要がない
ため、従来と同じ程度の繋ぎ合わせ精度を確保すれば良
い点で有意である。
【００５８】
【発明の効果】本発明によるステッパ露光装置を活用す
ることで、従来からステッパ露光装置の問題点となって
いた露光処理時間を大幅に低減することを可能とし、露
光処理のスループットを向上することができる。
ることで、従来からステッパ露光装置の問題点となって
いた露光処理時間を大幅に低減することを可能とし、露
光処理のスループットを向上することができる。
【図１】 本発明のステッパ露光装置の概略を示す図。
【図２】 従来のステッパ露光装置の概略を示す図。
【図３】 従来のステッパ露光装置の概略を示す図。
【図４】 本発明のステッパ露光装置の概略を示す図。
１０１〜１０５ 露光光を形成する光学系 １０６〜１１０ レチクル １１１〜１１５ 投影レンズ １１６〜１２０ 反射光学系 １２１ ガラス基板 １２２ 基板保持台
Claims (3)
- 【請求項１】露光光を形成する光学系と投影レンズとを
少なくとも有する露光用光学系と、 露光パターン形成用のレチクルおよび該レチクルを保持
するサセプタと、 被処理基板を保持する基板保持台と、 を少なくとも有する投影型ステッパ露光装置において、 前記被処理基板の露光は同一解像度の複数の前記露光用
光学系を用いて同時に行われることを特徴とする露光装
置。 - 【請求項２】露光光を形成する光学系と投影レンズとを
少なくとも有する露光用光学系と、 露光パターン形成用のレチクルおよび該レチクルを保持
するサセプタと、 被処理基板を保持する基板保持台と、 を少なくとも有する投影型ステッパ露光装置において、 前記被処理基板の露光は同一解像度の複数の前記露光用
光学系を用いて同時に行われ、 その露光領域の面積は任意の一つの露光用光学系で一括
露光可能な面積の積算値で得られることを特徴とする露
光装置。 - 【請求項３】露光光を形成する光学系と投影レンズとを
少なくとも有する露光用光学系と、 露光パターン形成用のレチクルおよび該レチクルを保持
するサセプタと、 被処理基板を保持する基板保持台と、 を少なくとも有する投影型ステッパ露光装置において、 前記被処理基板の露光は同一解像度の複数の前記露光用
光学系を用いて同時に行われ、 その露光領域は実質的に線状を形成していることを特徴
とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14079196A JP3770959B2 (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 投影型ステッパ露光装置およびそれを用いた露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14079196A JP3770959B2 (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 投影型ステッパ露光装置およびそれを用いた露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306826A true JPH09306826A (ja) | 1997-11-28 |
| JP3770959B2 JP3770959B2 (ja) | 2006-04-26 |
Family
ID=15276834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14079196A Expired - Fee Related JP3770959B2 (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 投影型ステッパ露光装置およびそれを用いた露光方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3770959B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6617097B2 (en) | 1999-12-22 | 2003-09-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Exposure method |
| JP2003255552A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-10 | Nec Corp | レーザ照射装置並びに走査レーザ光を用いた露光方法及び走査レーザ光を用いたカラーフィルタの製造方法 |
| JP2007235041A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP4998803B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2012-08-15 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法、および露光方法 |
| JP2020511691A (ja) * | 2017-03-15 | 2020-04-16 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント（グループ）カンパニー リミティド | フォトエッチング装置及び方法 |
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-
1996
- 1996-05-10 JP JP14079196A patent/JP3770959B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US11042099B2 (en) | 2017-03-15 | 2021-06-22 | Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd. | Photoetching apparatus and method |
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|---|---|
| JP3770959B2 (ja) | 2006-04-26 |
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