JP2007235041A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】コストを抑えつつスループットを向上できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置ＥＸは、第１視野領域ＦＡ１と該第１視野領域ＦＡ１とは異なる第２視野領域ＦＡ２とを有し、第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡからの露光光ＥＬに基づいてパターンＰＡの像を第１像野領域ＡＲ１に形成するとともに、第２視野領域ＦＡ２内に位置するパターンＰＡからの露光光ＥＬに基づいてパターンＰＡの像を第２像野領域ＡＲ２に形成する投影光学系ＰＬを備え、第１像野領域ＡＲ１に形成されるパターンＰＡの像で第１領域ＳＨ１を露光し、第２像野領域ＡＲ２に形成されるパターンＰＡの像で第１領域ＳＨ１と重複しない第２領域ＳＨ２を露光する。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板を露光する露光装置、及びデバイス製造方法に関する。

例えば液晶表示デバイス等のディスプレイデバイスや半導体デバイス等のマイクロデバイスの製造工程の一つであるフォトリソグラフィ工程では、マスクのパターンの像で感光性の基板を露光する露光装置が用いられる。下記特許文献１には、複数のマスクを用いて複数の基板のそれぞれを並行して処理する露光装置に関する技術が開示されている。
特開昭６１−１６１７１８号公報

ところで、露光装置には、高いスループットで基板を処理することが求められる。複数のマスクを用いて複数の基板のそれぞれを並行して処理することでスループットの向上を目指す場合、複数のマスクを用意する必要があるため、複数のマスクを用意することによるコストの上昇、ひいてはマイクロデバイスの製造コストの上昇を招く可能性がある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、コストを抑えつつスループットを向上できる露光装置、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。

本発明の第１の態様に従えば、パターンの像で基板を露光する露光装置において、第１視野領域（ＦＡ１）と該第１視野領域（ＦＡ１）とは異なる第２視野領域（ＦＡ２）とを有し、第１視野領域（ＦＡ１）内に位置するパターン（ＰＡ）からの露光光（ＥＬ）に基づいてパターン（ＰＡ）の像を第１像野領域（ＡＲ１）に形成するとともに、第２視野領域（ＦＡ２）内に位置するパターン（ＰＡ）からの露光光（ＥＬ）に基づいてパターン（ＰＡ）の像を第２像野領域（ＡＲ２）に形成する投影光学系（ＰＬ）を備え、第１像野領域（ＡＲ１）に形成されるパターン（ＰＡ）の像で第１領域（ＳＨ１）を露光し、第２像野領域（ＡＲ２）に形成されるパターン（ＰＡ）の像で第１領域（ＳＨ１）と重複しない第２領域（ＳＨ２）を露光する露光装置（ＥＸ）が提供される。

本発明の第１の態様によれば、コストを抑えつつスループットを向上でき、基板を効率良く露光することができる。

本発明の第２の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。

本発明の第２の態様によれば、基板を効率良く露光できる露光装置を用いてデバイスを製造することができる。

本発明によれば、コストを抑えつつスループットを向上でき、基板を効率良く露光することができる。したがって、デバイスを生産性良く製造することができる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図、図２は、投影光学系ＰＬの視野領域と像野領域との関係を示す模式図である。図１において、露光装置ＥＸは、パターンＰＡを有するマスクＭを保持して移動可能なマスクステージ２と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ４と、各ステージの位置情報を計測可能な計測システム３と、マスクＭのパターンＰＡを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたパターンＰＡの像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７とを備えている。基板ステージ４は、投影光学系ＰＬの光射出側、すなわち投影光学系ＰＬの像面側で移動可能である。

なお、ここでいう基板はガラス基板等の基材上に感光材（フォトレジスト）を塗布したものを含み、マスクは基板上に投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクは、ガラス板等の透明板部材上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成されたものである。また、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。

図１及び図２に示すように、本実施形態の投影光学系ＰＬは、第１視野領域ＦＡ１と、第１視野領域ＦＡ１とは異なる第２視野領域ＦＡ２とを有している。本実施形態においては、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とはＹ軸方向に離れている。また、本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影光学系ＰＬの光射出側、すなわち投影光学系ＰＬの像面側に、第１像野領域ＡＲ１と第２像野領域ＡＲ２とを所定位置関係で設定する。投影光学系ＰＬは、第１視野領域ＦＡ１内に位置するマスクＭのパターンＰＡからの露光光ＥＬに基づいて、そのパターンＰＡの像を第１像野領域ＡＲ１に形成するとともに、第２視野領域ＦＡ２内に位置するマスクＭのパターンＰＡからの露光光ＥＬに基づいて、そのパターンＰＡの像を第２像野領域ＡＲ２に形成する。

そして、本実施形態の露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬによって第１像野領域ＡＲ１に形成されるパターンＰＡの像で、基板ステージ４に保持されている基板Ｐ上の第１ショット領域ＳＨ１を露光し、第２像野領域ＡＲ２に形成されるパターンＰＡの像で、基板Ｐ上の第１ショット領域ＳＨ１と重複しない第２ショット領域ＳＨ２を露光する。第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２とは１つの基板Ｐ上に設定されており、露光装置ＥＸは、その１つの基板Ｐ上に設定された第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２とほぼ同時に露光可能である。

具体的には、露光装置ＥＸは、第１視野領域ＦＡ１内に位置するマスクＭのパターンＰＡを照明系ＩＬから射出した露光光ＥＬで照明するとともに、第２視野領域ＦＡ２内に位置するマスクＭのパターンＰＡを照明系ＩＬから射出した露光光ＥＬで照明し、投影光学系ＰＬの第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡからの露光光ＥＬに基づいて、第１ショット領域ＳＨ１に形成された第１像野領域ＡＲ１にパターンＰＡの像を形成するとともに、投影光学系ＰＬの第２視野領域ＦＡ２内に位置するパターンＰＡからの露光光ＥＬに基づいて、第２ショット領域ＳＨ２に形成された第２像野領域ＡＲ２にパターンＰＡの像を形成する。そして、露光装置ＥＸは、第１像野領域ＡＲ１に形成されるパターンＰＡの像で第１ショット領域ＳＨ１を露光し、第２像野領域ＡＲ２に形成されるパターンＰＡの像で第２ショット領域ＳＨ２を露光する。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、第１像野領域ＡＲ１と第１ショット領域ＳＨ１とを相対的に移動しつつ、第１像野領域ＡＲ１に形成されるパターンＰＡの像で第１ショット領域ＳＨ１を露光し、第２像野領域ＡＲ２と第２ショット領域ＳＨ２とを相対的に移動しつつ、第２像野領域ＡＲ２に形成されるパターンＰＡの像で第２ショット領域ＳＨ２を露光する。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンＰＡの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）であって、第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２に対して基板Ｐ上の第１ショット領域ＳＨ及び第２ショット領域ＳＨを所定の走査方向に移動しつつ、第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２に形成されるパターンＰＡの像で、基板Ｐ上の第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２を露光する。また、露光装置ＥＸは、基板Ｐ上の第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２の露光中に、マスクＭも所定の走査方向に移動し、投影光学系ＰＬの第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２に対してマスクＭのパターンＰＡを所定の走査方向に移動しつつ、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２を露光する。

本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。

本実施形態においては、露光装置ＥＸは、第１ショット領域ＳＨ１の露光と、第２ショット領域ＳＨ２の露光の少なくとも一部とを並行して実行し、第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２とは、Ｙ軸方向（走査方向）に沿って配置されている。

まず、照明系ＩＬについて説明する。本実施形態の照明系ＩＬは、１つの光源装置からの露光光ＥＬを２つの露光光ＥＬに分割し、それら分割した露光光ＥＬのそれぞれを、投影光学系ＰＬの第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とに照射する。上述のように、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とはＹ軸方向に離れており、照明系ＩＬは、互いに離れた第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とに露光光ＥＬを照射する。

制御装置７は、第１基板Ｐ１及び第２基板Ｐ２を露光するとき、マスクステージ２に保持されたマスクＭを、投影光学系ＰＬの第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２に配置する。マスクＭのパターンＰＡが形成されたパターン形成領域のうち、第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２に配置された２つの所定領域のそれぞれは、照明系ＩＬによって投影光学系ＰＬの第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２のそれぞれに照射される露光光ＥＬによって照明される。照明系ＩＬは、マスクステージ２に保持され、第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２に配置されたマスクＭ上の２つの所定領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。

図３は、本実施形態に係る照明系ＩＬの一例を示す図である。本実施形態においては、露光装置ＥＸは、光源装置１を１つ備えており、照明系ＩＬは、１つの光源装置１からの露光光ＥＬを第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とのそれぞれに照射する。光源装置１は、第１基板Ｐ１及び第２基板Ｐ２を露光するための露光光ＥＬを射出するものである。光源装置１から射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においては、光源装置１にはＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられ、露光光ＥＬにはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。

照明系ＩＬは、ビーム整形光学系１１、オプティカルインテグレータ１２、コンデンサ光学系１３、分割光学系１４、ブラインド装置１５、及びブラインド結像系１６等を備えている。ビーム整形光学系１１は、光源装置１から射出された露光光（レーザビーム）ＥＬを整形してオプティカルインテグレータ１２に入射させるものであって、例えばシリンドリカルレンズやビームエキスパンダ等を含む。フライアイレンズを含むオプティカルインテグレータ１２は、ビーム整形光学系１１からの露光光（レーザビーム）ＥＬに基づいて、多数の点光源（光源像）からなる面光源（二次光源）を形成する。また、オプティカルインテグレータ１２の光射出面の近傍には不図示の開口絞りが配置されている。オプティカルインテグレータ１２で形成された多数の点光源（二次光源）からの光は、コンデンサ光学系１３及び分割光学系１４を介してブラインド装置１５を重畳的に照明する。

分割光学系１４は、光源装置１から射出され、ビーム整形光学系１１、オプティカルインテグレータ１２、及びコンデンサ光学系１３等を通過した露光光ＥＬを、２つの露光光ＥＬに分割するためのものである。

図４は、分割光学系１４の斜視図である。分割光学系１４は、第１光学部材１４１と第２光学部材１４２とを備えている。第１光学部材１４１は、露光光ＥＬが入射する平面状の第１入射面１４１Ａと、第１入射面１４１Ａを通過した露光光ＥＬが射出する第１射出面１４１Ｂとを備えている。第１光学部材１４１の第１射出面１４１Ｂは、図中、Ｘ軸方向に延びた稜線１４１Ｅを有するように所定の頂角で交差する２つの平面状の斜面１４１Ｃ、１４１Ｄを含む。すなわち、この第１射出面１４１Ｂは、射出側に凹Ｖ字形状を有する射出面であり、第１光学部材１４１は平Ｖ凹状のプリズム部材である。

第２光学部材１４２は、第１光学部材１４１の第１射出面１４１Ｂに対して所定のギャップを形成するように対向した状態で位置決めされて第１射出面１４１Ｂを通過した露光光ＥＬが入射する第２入射面１４２Ａと、第２入射面１４２Ａを通過した露光光ＥＬが射出する平面状の第２射出面１４２Ｂとを備えている。第２光学部材１４２の第２入射面１４２Ａは、図中、Ｘ軸方向に延びた稜線１４２Ｅを有するように所定の頂角で交差する２つの平面状の斜面１４２Ｃ、１４２Ｄを含む。すなわち、この第２光学部材１４２の第２入射面１４２Ａは、第１光学部材１４１の第１射出面１４１Ｂの凹Ｖ字形状と相補的な凸Ｖ字形状を有する入射面であり、第２光学部材１４２は平Ｖ凸状のプリズム部材である。

ここで、第１光学部材１４１の第１射出面１４１Ｂの稜線１４１Ｅと第２光学部材１４２の第２入射面１４２Ａの稜線１４２Ｅとが照明系ＩＬの光軸ＡＸと交差するように、各光学部材１４１、１４２が位置決めされている（図３参照）。

光源装置１から射出され、ビーム整形光学系１１、オプティカルインテグレータ１２、及びコンデンサ光学系１３等を通過した露光光ＥＬは、第１光学部材１４１の第１入射面１４１Ａに入射し、第１光学部材１４１を通過して、第１射出面１４１Ｂより射出される。図３に示すように、第１射出面１４１Ｂより射出される露光光ＥＬは、第１射出面１４１Ｂの斜面１４１Ｃ、１４１Ｄで屈折し、その進行方向を変える。具体的には、斜面１４１Ｃから射出される露光光ＥＬは、稜線１４１Ｅ（照明系ＩＬの光軸ＡＸ）から離れように、稜線１４１Ｅに対して一方（−Ｙ方向）に向かうように進行し、斜面１４１Ｄから射出される露光光ＥＬは、稜線１４１Ｅ（照明系ＩＬの光軸ＡＸ）から離れように、稜線１４１Ｅに対して他方（＋Ｙ方向）に向かうように、すなわち、斜面１４１Ｃから射出される露光光ＥＬとは反対方向に向かうように進行する。このように、第１射出面１４１Ｂより射出される露光光ＥＬは、斜面１４１Ｃから射出され、稜線１４１Ｅに対して第１の方向に進行する露光光ＥＬと、斜面１４１Ｄから射出され、稜線１４１Ｅに対して第１の方向とは異なる第２の方向に進行する露光光ＥＬとに分割される。

第１射出面１４１Ｂの斜面１４１Ｃから射出された露光光ＥＬは、第２入射面１４２Ａの斜面１４２Ｃに入射し、第１射出面１４１Ｂの斜面１４１Ｄから射出された露光光ＥＬは、第２入射面１４２Ａの斜面１４２Ｄに入射する。第２入射面１４２Ａの斜面１４２Ｃに入射した露光光ＥＬは、その斜面１４２Ｃで屈折し、照明系ＩＬの光軸ＡＸに近づくように進行する。同様に、第２入射面１４２Ａの斜面１４２Ｄに入射した露光光ＥＬは、その斜面１４２Ｄで屈折し、照明系ＩＬの光軸ＡＸに近づくように進行する。そして、第２入射面１４２Ａの斜面１４２Ｃ、１４２Ｄのそれぞれに入射した露光光ＥＬは、第２光学部材１４２を通過した後、第２射出面１４２Ｄに入射より射出される。斜面１４１Ｃ、１４２Ｃを通過した露光光ＥＬと、斜面１４１Ｄ、１４２Ｄを通過した露光光ＥＬとは、互いに離れた光路を進行し、ブラインド装置１５に入射する。

このように、本実施形態の照明系ＩＬは、分割光学系１４によって、１つの光源装置１からの露光光ＥＬを、２つの露光光ＥＬに分割することができる。

なお、本実施形態においては、１つの光源装置１からの露光光ＥＬを２つに分割したが、２つの光源装置を用いて２つの露光光ＥＬを供給するようにしてもよい。

図３に示すように、分割光学系１４で分割された露光光ＥＬのそれぞれは、ブラインド装置１５に入射する。ブラインド装置１５は、第１開口１５Ａと第２開口１５Ｂとを有しており、分割された２つの露光光のうち、一方の露光光ＥＬは第１開口１５Ａに照射され、他方の露光光ＥＬは第２開口１５Ｂに照射される。

第１開口１５Ａ及び第２開口１５Ｂは、投影光学系ＰＬの第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とのそれぞれに照射される露光光ＥＬの領域を規定するものであって、本実施形態においては、Ｘ軸方向を長手方向とする矩形状（スリット状）に設定されている。また、本実施形態においては、ブラインド装置１５は、第１開口１５Ａ及び第２開口１５Ｂのそれぞれの大きさ、形状、及び位置の少なくとも１つを変えることができる。ブラインド装置１５の第１開口１５Ａ及び第２開口１５Ｂのそれぞれを通過した露光光ＥＬは、ブラインド結像系１６を介して、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とのそれぞれに照射される。

次に、マスクステージ２について説明する。図１において、マスクステージ２は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置２Ｄの駆動により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。マスクステージ２は、マスクＭのパターンＰＡが形成されたパターン形成面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ２（ひいてはマスクＭ）の位置情報は、計測システム３のレーザ干渉計３２によって計測される。レーザ干渉計３２は、マスクステージ２上に設けられた移動鏡の反射面３２Ｋを用いてマスクステージ２の位置情報を計測する。レーザ干渉計３２は、Ｘ軸方向を計測軸とする複数の計測光と、Ｙ軸方向を計測軸とする複数の計測光とを反射面３２Ｋに照射可能であり、マスクステージ２のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置を計測可能である。制御装置７は、レーザ干渉計３２の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置２Ｄを駆動し、マスクステージ２に保持されているマスクＭの位置制御を行う。

図１及び図２に示すように、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とはＹ軸方向に沿って配置されており、Ｙ軸方向に離れている。照明系ＩＬは、露光光ＥＬを、投影光学系ＰＬの第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とに照射するが、制御装置７は、マスクステージ２で保持したマスクＭのパターンＰＡが形成されたパターン形成領域を第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２に配置することによって、そのパターン形成領域の２つの所定領域のそれぞれに、照明系ＩＬからの露光光ＥＬを照射することができる。また、本実施形態においては、照明系ＩＬからの露光光ＥＬが照射される第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２のそれぞれは、ブラインド装置１５の第１開口１５Ａ及び第２開口１５Ｂによって、Ｘ軸方向を長手方向とする矩形状（スリット状）に設定される。

マスクステージ２は、パターンＰＡを有するマスクＭを第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２に対してＹ軸方向に移動可能である。制御装置７は、第１基板Ｐ１及び第２基板Ｐ２を露光するとき、マスクＭのうち、少なくともパターンＰＡが形成されたパターン形成領域が第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２のそれぞれを通過するように、マスクステージ２を制御してマスクＭをＹ軸方向に移動する。

次に、基板ステージ４について説明する。基板ステージ４は、露光光ＥＬが照射され、パターンＰＡの像が形成される第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２を含む所定領域内で、基板Ｐを保持して移動可能である。基板ステージ４は、基板Ｐを保持する基板ホルダを備えており、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。

露光装置ＥＸは、基板ステージ４を駆動するための、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置４Ｄを備えている。基板ステージ４は、基板ステージ駆動装置４Ｄの駆動により、基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。制御装置７は、基板ステージ駆動装置４Ｄを制御することにより、基板ステージ４に保持された基板Ｐの表面のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に関する位置を制御可能である。

基板ステージ４（基板Ｐ）の位置情報は、計測システム３のレーザ干渉計３４によって計測される。レーザ干渉計３４は、基板ステージ４上に設けられた移動鏡の反射面３４Ｋを用いて基板ステージ４の位置情報を計測する。レーザ干渉計３４は、Ｘ軸方向を計測軸とする複数の計測光と、Ｙ軸方向を計測軸とする複数の計測光とを反射面３４Ｋに照射可能であり、基板ステージ４のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置を計測可能である。また、基板ステージ４に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出系によって検出される。制御装置７は、レーザ干渉計３４の計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて基板ステージ駆動装置４Ｄを駆動し、基板ステージ４に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。

図１及び図２に示すように、第１像野領域ＡＲ１と第２像野領域ＡＲ２とはＹ軸方向に沿って配置されており、Ｙ軸方向に離れている。また、第１像野領域ＡＲ１に形成されるパターンＰＡの像で露光される第１ショット領域ＳＨ１と第２像野領域ＡＲ２に形成されるパターンＰＡの像で露光される第２ショット領域ＳＨ２とはＹ軸方向に沿って配置されており、１つの基板Ｐ上で互いに重複しないように配置されている。

また、本実施形態においては、投影光学系ＰＬを介して露光光ＥＬが照射される第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２のそれぞれは、Ｘ軸方向を長手方向とする矩形状（スリット状）に設定される。露光光ＥＬが照射される第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２は、投影光学系ＰＬの投影領域である。

基板ステージ４は、基板Ｐ上の第１ショット領域ＳＨ１を第１像野領域ＡＲ１に対してＹ軸方向に移動可能であり、第２ショット領域ＳＨ２を第２像野領域ＡＲ２に対してＹ軸方向に移動可能である。制御装置７は、基板Ｐ上の第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２を露光するとき、基板Ｐ上の第１ショット領域ＳＨ１が第１像野領域ＡＲ１を通過し、第２ショット領域ＳＨ２が第２像野領域ＡＲ２を通過するように、基板ステージ４を制御して基板ＰをＹ軸方向に移動する。

次に、投影光学系ＰＬについて説明する。投影光学系ＰＬは、第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡからの露光光ＥＬに基づいてパターンＰＡの像を所定の倍率（投影倍率）で第１像野領域ＡＲ１に形成（投影）し、第２視野領域ＦＡ２内に位置するパターンＰＡからの露光光ＥＬに基づいてパターンＰＡの像を所定の倍率（投影倍率）で第２像野領域ＡＲ２に形成（投影）する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１倍の等倍系、又は１．２５倍、２倍、２．５倍等の拡大系である。なお、投影光学系ＰＬとしては、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系であってもよい。また、投影光学系ＰＬの複数の光学素子は不図示の鏡筒で保持されている。

図５は、本実施形態に係る投影光学系ＰＬの概略構成図である。図５に示すように、本実施形態の投影光学系ＰＬは、第１視野領域ＦＡ１からの露光光ＥＬの光路である第１光路ＢＲ１中に配置された第１反射面５１と、第２視野領域ＦＡ２からの露光光ＥＬの光路である第２光路ＢＲ２中に配置された第２反射面５２とを有する光学部材５０を備えており、第１視野領域ＦＡ１からの第１光路ＢＲ１を進行する露光光ＥＬは第１反射面５１を経て第１像野領域ＡＲ１へ導かれ、第２光路ＢＲ２を進行する露光光ＥＬは第２反射面５２を経て第２像野領域ＡＲ２へ導かれる。

具体的には、投影光学系ＰＬは、パターンＰＡからの露光光ＥＬを第１反射面５１及び第２反射面５２へ導く第１光学素子群２１と、第１反射面５１で反射した露光光ＥＬを第１像野領域ＡＲ１へ導く第２光学素子群２２と、第２反射面５２で反射した露光光ＥＬを第２像野領域ＡＲ２へ導く第３光学素子群２３とを有している。そして、第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡからの露光光ＥＬは、第１光学素子群２１に導かれて第１反射面５１に入射し、その第１反射面５１で反射した後、第２光学素子群２２に導かれて第１像野領域ＡＲ１に照射され、その第１像野領域ＡＲ１に、第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡの像を形成する。同様に、第２視野領域ＦＡ２内に位置するパターンＰＡからの露光光ＥＬは、第１光学素子群２１に導かれて第２反射面５２に入射し、その第２反射面２２で反射した後、第３光学素子群２３に導かれて第２像野領域ＡＲ２に照射され、その第２像野領域ＡＲ２に、第２視野領域ＦＡ２内に位置するパターンＰＡの像を形成する。

本実施形態においては、第１光学素子群２１は、所定の屈折力をそれぞれ有する複数の屈折光学素子を有している。光学部材５０の第１反射面５１及び第２反射面５２は、第１光学素子群２１からの露光光ＥＬの光路を折り曲げる。

第２光学素子群２２は、第１反射面５１からの露光光ＥＬが入射する第１部分群２２Ａと、第１ショット領域ＳＨ１（基板Ｐ）と対向する光学素子を含む第２部分群２２Ｂと、第１部分群２２Ａからの露光光ＥＬを第２部分群２２Ｂに向けて反射する反射面２２Ｃを有する反射部材（反射ミラー）とを含む。第１部分群２２Ａは、所定の屈折力をそれぞれ有する複数の屈折光学素子を有する。また、第１部分群２２Ａは、パターンＰＡの像を１回結像させる。反射面２２Ｃは、第１部分群２２Ａからの露光光ＥＬの光路を折り曲げる。第２部分群２２Ｂは、所定の屈折力をそれぞれ有する複数の屈折光学素子を有し、反射面２２Ｃからの露光光ＥＬを第１像野領域ＡＲ１へ導く。すなわち、本実施形態においては、第１視野領域ＦＡ１と第１像野領域ＡＲ１との間に配置された光学系は屈折光学系であり、その光学系による結像回数は１回である。

第３光学素子群２３は、第２光学素子群２２とほぼ同等の構成を有し、第２反射面５２からの露光光ＥＬが入射する第３部分群２３Ａと、第２ショット領域ＳＨ２（基板Ｐ）と対向する光学素子を含む第４部分群２３Ｂと、第３部分群２３Ａからの露光光ＥＬを第４部分群２３Ｂに向けて反射する反射面２３Ｃを有する反射部材（反射ミラー）とを含む。第３部分群２３Ａは、所定の屈折力をそれぞれ有する複数の屈折光学素子を有し、パターンＰＡの像を１回結像させる。反射面２３Ｃは、第３部分群２３Ａからの露光光ＥＬの光路を折り曲げる。第４部分群２３Ｂは、所定の屈折力をそれぞれ有する複数の屈折光学素子を有し、反射面２３Ｃからの露光光ＥＬを第２像野領域ＡＲ２へ導く。すなわち、第２視野領域ＦＡ２と第２像野領域ＡＲ２との間に配置された光学系も屈折光学系であり、その光学系による結像回数は１回である。

本実施形態においては、光学部材５０はプリズムを含み、第１反射面５１及び第２反射面５２は、第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２と光学的に共役な位置又はその近傍に配置されている。本実施形態においては、第１反射面５１と第２反射面５２とはＸＹ平面に対して傾斜する斜面であって、第１反射面５１と第２反射面５２との稜線（頂点）５３はＸ軸と平行であり、光学部材５０には、第１反射面５１と第２反射面５２とによって、第１光学素子群２１に近づくように突出する凸部が形成される。光学部材５０の凸部のＹＺ平面と平行な断面形状は、第１反射面５１と第２反射面５２とによってＶ字状に形成されている。

また、図１に示すように、本実施形態においては、第１光学素子群２１の光軸ＡＸ１はＺ軸とほぼ平行であり、第２光学素子群２２の第１部分群２２Ａの光軸ＡＸ２と第３光学素子群２３の第３部分群２３Ａの光軸ＡＸ４とはＹ軸とほぼ平行であって互いに共軸となっている。そして、光軸ＡＸ１と光軸ＡＸ２と光軸ＡＸ４とは１つの点で交わっている。また、第２光学素子群２２の第２部分群２２Ｂの光軸ＡＸ３と第３光学素子群２３の第４部分群２３Ｂの光軸ＡＸ５とはＺ軸とほぼ平行である。光学部材５０は、光軸ＡＸ１と光軸ＡＸ２と光軸ＡＸ４との交点上に稜線（頂点）５３が位置するように配置されている。

また、本実施形態においては、第１視野領域ＦＡ１は第１光学素子群２１の光軸ＡＸ１に対して＋Ｙ側に配置され、第２視野領域ＦＡ２は−Ｙ側に配置されている。また、第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡの像が形成される第１像野領域ＡＲ１は光学部材５０に対して＋Ｙ側に配置され、第２視野領域ＦＡ２内に位置するパターンＰＡの像が形成される第２像野領域ＡＲ２は−Ｙ側に配置されている。また、第１像野領域ＡＲ１は第２部分群２２Ｂの光軸ＡＸ３に対して−Ｙ側に配置され、第２像野領域ＡＲ２は第４部分群２３Ｂの光軸ＡＸ５に対して＋Ｙ側に配置されている。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法について説明する。本実施形態においては、露光装置ＥＸは、マスクＭと基板ＰとをＹ軸方向に同期移動しつつ、第１ショット領域ＳＨ１の露光と第２ショット領域ＳＨ２の露光とを並行して行う。

マスクＭがマスクステージ２にロードされ、基板Ｐが基板ステージ４にロードされた後、制御装置７は、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２の露光を開始する。制御装置７は、照明系ＩＬを用いて、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とのそれぞれに露光光ＥＬを照射する動作を開始する。そして、制御装置７は、計測システム３で、マスクステージ２及び基板ステージ４の位置情報をモニタしつつ、第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２に対する第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２のＹ軸方向への移動と、第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２に対するマスクＭのＹ軸方向への移動とを同期して行いつつ、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２を露光する。なお、本実施形態においては、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２の露光中に、例えばマスクＭが＋Ｙ方向に移動される場合、基板Ｐは−Ｙ方向に移動され、マスクＭが−Ｙ方向に移動される場合、基板Ｐは＋Ｙ方向に移動される。

第１基板Ｐ１上の第１像野領域ＡＲ１には、第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡからの露光光ＥＬに基づいて、第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡの像が形成され、第１基板Ｐ１上のショット領域Ｓは、第１像野領域ＡＲ１に形成されるパターンＰＡの像で露光される。また、第２基板Ｐ２上の第２像野領域ＡＲ２には、第２視野領域ＦＡ２内に位置するパターンＰＡからの露光光ＥＬに基づいて、第２視野領域ＦＡ２内に位置するパターンＰＡの像が形成され、第２基板Ｐ２上のショット領域Ｓは、第２像野領域ＡＲ２に形成されるパターンＰＡの像で露光される。

以上説明したように、本実施形態においては、１つのマスクＭを用いて、第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２とを同時に露光することができる。したがって、コストを抑えつつスループットを向上することができ、複数のショット領域を効率良く露光することができる。そして、本実施形態においては、一回のスキャン動作で、第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２とを同時に露光することができる。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について図６を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図６は、第２実施形態に係る投影光学系ＰＬを示す概略構成図である。上述の第１実施形態と同様、第２実施形態の投影光学系ＰＬは、第１視野領域ＦＡ１からの露光光ＥＬの光路である第１光路ＢＲ１中に配置された第１反射面５１と、第２視野領域ＦＡ２からの露光光ＥＬの光路である第２光路ＢＲ２中に配置された第２反射面５２とを有する光学部材５０と、第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡからの露光光ＥＬを第１反射面５１へ導き、第２視野領域ＦＡ２内に位置するパターンＰＡからの露光光ＥＬを第２反射面５２へ導く第１光学素子群２１と、第１反射面５１で反射した露光光ＥＬを第１像野領域ＡＲ１へ導く第２光学素子群２２と、第２反射面５２で反射した露光光ＥＬを第２像野領域ＡＲ２へ導く第３光学素子群２３とを備えている。第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡの像は、第１像野領域ＡＲ１に形成され、第２視野領域ＦＡ２内に位置するパターンＰＡの像は、第２像野領域ＡＲ２に形成される。また、本実施形態においても、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とはＹ軸方向（マスクＭの走査方向）に沿って離れて配置され、第１像野領域ＡＲ１と第２像野領域ＡＲ２とはＹ軸方向（基板Ｐの走査方向）に沿って離れて配置され、第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２とはＹ軸方向（基板Ｐの走査方向）に沿って重複しないように配置されている。

第１光学素子群２１は、所定の屈折力をそれぞれ有する複数の屈折光学素子を有しており、本実施形態においては、パターンＰＡの像を１回結像させる。光学部材５０の第１反射面５１及び第２反射面５２は、第１光学素子群２１からの露光光ＥＬの光路を折り曲げる。

第２光学素子群２２は、第１反射面５１からの露光光ＥＬが入射する第１部分群２２Ａと、第１ショット領域ＳＨ１（基板Ｐ）と対向する光学素子を含む第２部分群２２Ｂと、第１部分群２２Ａからの露光光ＥＬを第２部分群２２Ｂに向けて反射する反射面２２Ｃを有する反射部材（反射ミラー）とを含む。第１部分群２２Ａは、所定の屈折力をそれぞれ有する複数の屈折光学素子を有し、パターンＰＡの像を１回結像させる。反射面２２Ｃは、第１部分群２２Ａからの露光光ＥＬの光路を折り曲げる。第２部分群２２Ｂは、所定の屈折力を有する屈折光学素子を有し、反射面２２Ｃからの露光光ＥＬを第１像野領域ＡＲ１へ導く。すなわち、第１視野領域ＦＡ１と第１像野領域ＡＲ１との間に配置された光学系は屈折光学系であり、その光学系による結像回数は２回である。

第３光学素子群２３は、第２光学素子群２２とほぼ同等の構成を有し、第２反射面５２からの露光光ＥＬが入射する第３部分群２３Ａと、第２ショット領域ＳＨ２（基板Ｐ）と対向する光学素子を含む第４部分群２３Ｂと、第３部分群２３Ａからの露光光ＥＬを第４部分群２３Ｂに向けて反射する反射面２３Ｃを有する反射部材（反射ミラー）とを含む。第３部分群２３Ａは、所定の屈折力をそれぞれ有する複数の屈折光学素子を有し、パターンＰＡの像を１回結像させる。反射面２３Ｃは、第３部分群２３Ａからの露光光ＥＬの光路を折り曲げる。第４部分群２３Ｂは、所定の屈折力を有する屈折光学素子を有し、反射面２３Ｃからの露光光ＥＬを第２像野領域ＡＲ２へ導く。すなわち、第２視野領域ＦＡ２と第２像野領域ＡＲ２との間に配置された光学系も屈折光学系であり、その光学系による結像回数は２回である。

また、図６に示すように、本実施形態においては、第１光学素子群２１の光軸ＡＸ１はＺ軸とほぼ平行であり、第２光学素子群２２の第１部分群２２Ａの光軸ＡＸ２と第３光学素子群２３の第３部分群２３Ａの光軸ＡＸ４とはＹ軸とほぼ平行であって互いに共軸となっている。そして、光軸ＡＸ１と光軸ＡＸ２と光軸ＡＸ４とは１つの点で交わっている。また、第２光学素子群２２の第２部分群２２Ｂの光軸ＡＸ３と第３光学素子群２３の第４部分群２３Ｂの光軸ＡＸ５とはＺ軸とほぼ平行である。本実施形態においても、光学部材５０は、光軸ＡＸ１と光軸ＡＸ２と光軸ＡＸ４との交点上に稜線（頂点）５３が位置するように配置されている。

本実施形態においては、第１光学素子群（結像光学系）２１によって形成される中間像の位置近傍に、第１反射面５１及び第２反射面５２、ひいては第１反射面５１及び第２反射面５２により形成される稜線が配置されている。また、本実施形態においては、第１視野領域ＦＡ１は第１光学素子群２１の光軸ＡＸ１に対して＋Ｙ側に配置され、第２視野領域ＦＡ２は−Ｙ側に配置されている。一方、第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡの像が形成される第１像野領域ＡＲ１は光学部材５０に対して−Ｙ側に配置され、第２視野領域ＦＡ２内に位置するパターンＰＡの像が形成される第２像野領域ＡＲ２は光学部材５０に対して＋Ｙ側に配置されている。また、第１像野領域ＡＲ１は第２部分群２２Ｂの光軸ＡＸ３に対して＋Ｙ側に配置され、第２像野領域ＡＲ２は第４部分群２３Ｂの光軸ＡＸ５に対して−Ｙ側に配置される。

本実施形態においても、制御装置７は、第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２に対する第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２のＹ軸方向への移動と、第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２に対するマスクＭのＹ軸方向への移動とを同期して行いつつ、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２を露光する。そして、本実施形態においては、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２の露光中に、例えばマスクＭが＋Ｙ方向に移動される場合、基板Ｐも＋Ｙ方向に移動され、マスクＭが−Ｙ方向に移動される場合、基板Ｐも−Ｙ方向に移動される。

本実施形態の投影光学系ＰＬによれば、第１光学素子群２１の光軸ＡＸ１に対して第１視野領域ＦＡ１を＋Ｙ側に配置し、第２視野領域ＦＡ２を−Ｙ側に配置した場合、第１像野領域ＡＲ１を−Ｙ側に配置し、第２像野領域ＡＲ２を＋Ｙ側に配置することができる。

さらに、本実施形態の投影光学系ＰＬによれば、パターンＰＡと光学的に共役な位置（中間像形成位置）の近傍に稜線を持つ光学部材５０が配置されているので、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とを近づけることができる。そして、本実施形態の投影光学系ＰＬを用いた露光装置ＥＸでは、さらなるスループットの向上を図ることができる。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について図７を参照して説明する。図７は、第３実施形態に係る投影光学系ＰＬを示す概略構成図である。上述の第１、第２実施形態と同様、第３実施形態の投影光学系ＰＬは、第１視野領域ＦＡ１からの露光光ＥＬの光路である第１光路ＢＲ１中に配置された第１反射面５１と、第２視野領域ＦＡ２からの露光光ＥＬの光路である第２光路ＢＲ２中に配置された第２反射面５２とを有する光学部材５０を備えている。また、投影光学系ＰＬは、第１反射面５１で反射した露光光ＥＬを第１像野領域ＡＲ１へ導く第２光学素子群２２と、第２反射面５２で反射した露光光ＥＬを第２像野領域ＡＲ２へ導く第３光学素子群２３とを備えている。第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡの像は、第１像野領域ＡＲ１に形成され、第２視野領域ＦＡ２内に位置するパターンＰＡの像は、第２像野領域ＡＲ２に形成される。また、本実施形態においても、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とはＹ軸方向（マスクＭの走査方向）に沿って離れて配置され、第１像野領域ＡＲ１と第２像野領域ＡＲ２とはＹ軸方向（基板Ｐの走査方向）に沿って離れて配置され、第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２とはＹ軸方向（基板Ｐの走査方向）に沿って重複しないように配置されている。

本実施形態においては、光学部材５０の第１反射面５１及び第２反射面５２は、第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２の近傍に配置されており、第１光学素子群は省略されている。第２光学素子群２２は、第１反射面５１からの露光光ＥＬが入射する第１部分群２２Ａと、第１ショット領域ＳＨ１（基板Ｐ）と対向する光学素子を含む第２部分群２２Ｂと、第１部分群２２Ａからの露光光ＥＬを第２部分群２２Ｂに向けて反射する反射面２２Ｃを有する反射部材（反射ミラー）とを含む。第１部分群２２Ａは、所定の屈折力をそれぞれ有する複数の屈折光学素子を有する。反射面２２Ｃは、第１部分群２２Ａからの露光光ＥＬの光路を折り曲げる。第２部分群２２Ｂは、所定の屈折力をそれぞれ有する複数の屈折光学素子を有し、反射面２２Ｃからの露光光ＥＬを第１像野領域ＡＲ１へ導く。本実施形態においても、第１視野領域ＦＡ１と第１像野領域ＡＲ１との間に配置された光学系は屈折光学系であり、その光学系による結像回数は１回である。

第３光学素子群２３は、第２光学素子群２２とほぼ同等の構成を有し、第２反射面５２からの露光光ＥＬが入射する第３部分群２３Ａと、第２ショット領域ＳＨ２（基板Ｐ）と対向する光学素子を含む第４部分群２３Ｂと、第３部分群２３Ａからの露光光ＥＬを第４部分群２３Ｂに向けて反射する反射面２３Ｃを有する反射部材（反射ミラー）とを含む。第３部分群２３Ａは、所定の屈折力をそれぞれ有する複数の屈折光学素子を有する。反射面２３Ｃは、第３部分群２３Ａからの露光光ＥＬの光路を折り曲げる。第４部分群２３Ｂは、所定の屈折力をそれぞれ有する複数の屈折光学素子を有し、反射面２３Ｃからの露光光ＥＬを第２像野領域ＡＲ２へ導く。本実施形態においても、第２視野領域ＦＡ２と第２像野領域ＡＲ２との間に配置された光学系は屈折光学系であり、その光学系による結像回数は１回である。

また、図７に示すように、第２光学素子群２２の第１部分群２２Ａの光軸ＡＸ２と第３光学素子群２３の第３部分群２３Ａの光軸ＡＸ４とはＹ軸とほぼ平行であって互いに共軸となっている。また、第２光学素子群２２の第２部分群２２Ｂの光軸ＡＸ３と第３光学素子群２３の第４部分群２３Ｂの光軸ＡＸ５とはＺ軸とほぼ平行である。そして、光学部材５０の稜線（頂点）５３は、第１部分群２２Ａの光軸ＡＸ２及び第３部分群２３Ａの光軸ＡＸ４よりも第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２に近い位置に配置されている。

本実施形態においては、第１視野領域ＦＡ１は照明系ＩＬの光軸ＡＸに対して＋Ｙ側に配置され、第２視野領域ＦＡ２は−Ｙ側に配置されている。また、第１像野領域ＡＲ１は光学部材５０に対して＋Ｙ側に配置され、第２像野領域ＡＲ２は−Ｙ側に配置されている。また、第１像野領域ＡＲ１は第２部分群２２Ｂの光軸ＡＸ３に対して＋Ｙ側に配置され、第２像野領域ＡＲ２は第４部分群２３Ｂの光軸ＡＸ５に対して−Ｙ側に配置されている。

本実施形態においても、制御装置７は、第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２に対する第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２のＹ軸方向への移動と、第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２に対するマスクＭのＹ軸方向への移動とを同期して行いつつ、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２を露光する。そして、本実施形態においては、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２の露光中に、例えばマスクＭが＋Ｙ方向に移動される場合、基板Ｐは−Ｙ方向に移動され、マスクＭが−Ｙ方向に移動される場合、基板Ｐは＋Ｙ方向に移動される。

本実施形態の投影光学系ＰＬによれば、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とを近づけることができる。また、本実施形態の投影光学系ＰＬによれば、第２光学素子群２２を有する結像光学系のパターンＰＡ側作動距離と、第３光学素子群２３を有する結像光学系のパターンＰＡ側作動距離とを、各光学素子群に負担をかけずに長く確保することができる。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について図８を参照して説明する。図８は、第４実施形態に係る投影光学系ＰＬを示す概略構成図である。本実施形態においても、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とはＹ軸方向（マスクＭの走査方向）に沿って離れて配置され、第１像野領域ＡＲ１と第２像野領域ＡＲ２とはＹ軸方向（基板Ｐの走査方向）に沿って離れて配置され、第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２とはＹ軸方向（基板Ｐの走査方向）に沿って重複しないように配置されている。

上述の第３実施形態と同様、本実施形態の投影光学系ＰＬも、第１光学素子群は省略されており、光学部材５０の第１反射面５１及び第２反射面５２は、第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２の近傍に配置されている。第２光学素子群２２は、第１反射面５１からの露光光ＥＬが入射する第１部分群２２Ａと、第１ショット領域ＳＨ１（基板Ｐ）と対向する光学素子を含む第２部分群２２Ｂと、第１部分群２２Ａからの露光光ＥＬを第２部分群２２Ｂに向けて反射する反射面２２Ｃを有する反射部材（反射ミラー）とを含む。本実施形態においても、第１視野領域ＦＡ１と第１像野領域ＡＲ１との間に配置された光学系は屈折光学系であり、その光学系による結像回数は１回である。

第３光学素子群２３は、第２光学素子群２２とほぼ同等の構成を有し、第２反射面５２からの露光光ＥＬが入射する第３部分群２３Ａと、第２ショット領域ＳＨ２（基板Ｐ）と対向する光学素子を含む第４部分群２３Ｂと、第３部分群２３Ａからの露光光ＥＬを第４部分群２３Ｂに向けて反射する反射面２３Ｃを有する反射部材（反射ミラー）とを含む。本実施形態においても、第２視野領域ＦＡ２と第２像野領域ＡＲ２との間に配置された光学系は屈折光学系であり、その光学系による結像回数は１回である。

また、図８に示すように、第２光学素子群２２の第１部分群２２Ａの光軸ＡＸ２と第３光学素子群２３の第３部分群２３Ａの光軸ＡＸ４とはＹ軸とほぼ平行であって互いに共軸となっている。また、第２光学素子群２２の第２部分群２２Ｂの光軸ＡＸ３と第３光学素子群２３の第４部分群２３Ｂの光軸ＡＸ５とはＺ軸とほぼ平行である。そして、光学部材５０は、照明系ＩＬの光軸ＡＸと光軸ＡＸ２と光軸ＡＸ４との交点上に稜線（頂点）５３が位置するように配置されている。

本実施形態においては、第１視野領域ＦＡ１は照明系ＩＬの光軸ＡＸに対して＋Ｙ側に配置され、第２視野領域ＦＡ２は−Ｙ側に配置されている。また、第１像野領域ＡＲ１は光学部材５０に対して＋Ｙ側に配置され、第２像野領域ＡＲ２は光学部材５０に対して−Ｙ側に配置される。また、第１像野領域ＡＲ１は第２部分群２２Ｂの光軸ＡＸ３に対して−Ｙ側に配置され、第２像野領域ＡＲ２は第４部分群２３Ｂの光軸ＡＸ５に対して＋Ｙ側に配置される。

本実施形態においても、制御装置７は、第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２に対する第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２のＹ軸方向への移動と、第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２に対するマスクＭのＹ軸方向への移動とを同期して行いつつ、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２を露光する。そして、本実施形態においては、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２の露光中に、例えばマスクＭが＋Ｙ方向に移動される場合、基板Ｐは−Ｙ方向に移動され、マスクＭが−Ｙ方向に移動される場合、基板Ｐは＋Ｙ方向に移動される。

本実施形態の投影光学系ＰＬによれば、第１像野領域ＡＲ１と第２像野領域ＡＲ２とを近づけることができる。

なお、上述の第１〜第４実施形態においては、投影光学系ＰＬが屈折光学系である場合を例にして説明したが、反射光学素子及び屈折光学素子の両方を含む反射屈折系であってもよい。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について図９〜図１３を参照して説明する。本実施形態の特徴的な部分は、第１ショット領域ＳＨ１と第２ショットＳＨ領域とが、Ｙ軸方向（基板Ｐの走査方向）と交差するＸ軸方向に沿って配置されており、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とがＸ軸方向に沿って配置されており、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２を露光する場合において、第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２に対して第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２をＹ軸方向に移動するとともに、第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２に対してマスクＭのパターンＰＡをＸ軸方向に移動しつつ、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２を露光する点にある。

図９は、第５実施形態に係る投影光学系ＰＬを示す斜視図、図１０は、第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２と第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２との位置関係を説明するための平面図、図１１〜図１３は、第１視野領域ＦＡ１からの露光光ＥＬを第１像野領域ＡＲ１へ導く光学系の一部を示す図であって、図１１は−Ｙ側から見た図、図１２は＋Ｚ側から見た図、図１３は−Ｘ側から見た図である。

本実施形態の投影光学系ＰＬも、第１視野領域ＦＡ１からの露光光ＥＬの光路である第１光路ＢＲ１中に配置された第１反射面５１と、第２視野領域ＦＡ２からの露光光ＥＬの光路である第２光路ＢＲ２中に配置された第２反射面５２とを有する光学部材５０と、第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡからの露光光ＥＬを第１反射面５１へ導き、第２視野領域ＦＡ２内に位置するパターンＰＡからの露光光ＥＬを第２反射面５２へ導く第１光学素子群２１と、第１反射面５１で反射した露光光ＥＬを第１像野領域ＡＲ１へ導く第２光学素子群２２と、第２反射面５２で反射した露光光ＥＬを第２像野領域ＡＲ２へ導く第３光学素子群２３とを備えている。

本実施形態においては、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とは、Ｘ軸方向（マスクＭの走査方向）に沿って配置されている。第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とはＸ軸方向に離れており、本実施形態においては、第１視野領域ＦＡ１は第１光学素子群２１の光軸ＡＸ１の−Ｘ側に配置され、第２視野領域ＦＡ２は＋Ｘ側に配置されている。また、第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２は、Ｙ軸方向と長手方向とする矩形状（スリット状）に設定されている。

第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡの像は、第１像野領域ＡＲ１に形成され、第２視野領域ＦＡ２内に位置するパターンＰＡの像は、第２像野領域ＡＲ２に形成される。第１像野領域ＡＲ１と第２像野領域ＡＲ２とはＸ軸方向に離れており、本実施形態においては、第１像野領域ＡＲ１は光学部材５０の−Ｘ側に配置され、第２像野領域ＡＲ２は＋Ｘ側に配置されている。また、第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２は、Ｘ軸方向と長手方向とする矩形状（スリット状）に設定されている。また、本実施形態においては、第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２とはＸ軸方向（基板Ｐの走査方向と交差する方向）に沿って重複しないように配置されており、第１ショット領域ＳＨ１は、第２ショット領域ＳＨ２よりも−Ｘ側に配置されている。

第１光学素子群２１は、所定の屈折力をそれぞれ有する複数の屈折光学素子を有している。光学部材５０の第１反射面５１及び第２反射面５２は、第１光学素子群２１からの露光光ＥＬの光路を折り曲げる。

以下、第１反射面５１で反射した露光光ＥＬを第１像野領域ＡＲ１へ導く第２光学素子群２２について主に説明する。

第２光学素子群２２は、第１反射面５１からの露光光ＥＬが入射する凹面鏡２４を有する反射光学素子と、凹面鏡２４で反射した露光光ＥＬが入射する第３反射面２６を有する第３反射部材（反射ミラー）と、第３反射面２６で反射した露光光ＥＬが入射する第４反射面２７を有する反射部材（反射ミラー）とを有している。凹面鏡２４の光軸ＡＸ６はＸ軸と平行である。また、第３反射面２６及び第４反射面２７は所定の方向を向いている。また、第１反射面５１と凹面鏡２４との間には、複数の光学素子を含む光学素子群２５が配置されている。

第１視野領域ＦＡ１からの露光光ＥＬは、凹面鏡２４の光軸ＡＸ６を超えた後、第１反射面５１に入射する。第１反射面５１に入射した露光光ＥＬは、その第１反射面５１で反射し、凹面鏡２４の光軸ＡＸ６の−Ｚ側を進行し、光学素子群２５を介して凹面鏡２４に入射する。凹面鏡２４に入射し、その凹面鏡２４で反射した露光光ＥＬは、凹面鏡２４の光軸ＡＸ６の＋Ｚ側を進行し、光学素子群２５を介して第３反射面２６に入射する。第３反射面２６は所定の方向を向いており、第３反射面２６に入射した露光光ＥＬの光路はほぼ＋Ｙ方向に折り曲げられる。第３反射面２６で反射し、ほぼ＋Ｙ方向に進行する露光光ＥＬは、第４反射面２７に入射する。第４反射面２７は第３反射面２６よりも＋Ｙ側の所定位置に配置されており、所定の方向を向いている。第４反射面２７に入射した露光光ＥＬの光路は、ほぼ−Ｚ方向に折り曲げられる。第４反射面２７で反射し、ほぼ−Ｚ方向に進行する露光光ＥＬは、光学素子群２８を介して、第１像野領域ＡＲ１に照射される。

本実施形態においては、投影光学系ＰＬは、第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡの像を、ＸＹ平面内においてほぼ９０度回転させて、第１像野領域ＡＲ１に形成する。すなわち、図１０に示すように、第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターン「Ｆ」の像は、投影光学系ＰＬにより、ＸＹ平面内においてほぼ９０度回転して、第１像野領域ＡＲ１に形成される。投影光学系ＰＬは、第１視野領域ＦＡ１内に位置するパターンＰＡの像を、正立正像で第１像野領域ＡＲ１に形成可能である。

以上、第１反射面５１で反射した露光光ＥＬを第１像野領域ＡＲ１へ導く第２光学素子群２２について説明したが、第２反射面５２で反射した露光光ＥＬを第２像野領域ＡＲ２へ導く第３光学素子群２３も、第２光学素子群２２とほぼ同等の構成を有するため、その説明を省略する。

なお、本実施形態においては、第１光学素子群２１の光軸ＡＸ１はＺ軸とほぼ平行であり、第２光学素子群２２の凹面鏡２４の光軸ＡＸ６と第３光学素子群２３の凹面鏡２４’の光軸ＡＸ６’とはＸ軸とほぼ平行であって互いに共軸となっている。したがって、光軸ＡＸ１と光軸ＡＸ６と光軸ＡＸ６’とは１つの点で交わっている。

本実施形態においては、制御装置７は、第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２に対する第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２のＹ軸方向への移動と、第１視野領域ＦＡ１及び第２視野領域ＦＡ２に対するマスクＭのＸ軸方向への移動とを同期して行いつつ、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２を露光する。そして、本実施形態においては、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２の露光中に、例えばマスクＭが−Ｘ方向に移動される場合、基板Ｐは−Ｙ方向に移動され、マスクＭが＋Ｘ方向に移動される場合、基板Ｐは＋Ｙ方向に移動される。

本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（Ｙ軸方向）と交差する方向（Ｘ軸方向）に沿って配置されている第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２とを、一回のスキャン動作で同時に露光することができる。例えば、第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２とが基板Ｐの走査方向に沿って配置されている場合、マスクＭ上のパターン形成領域の走査方向（マスクＭの走査方向）の大きさや、マスクＭの走査方向に沿って配置された第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２との位置関係等によっては、第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２の一部とが重複する可能性がある。本実施形態においては、第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２とを基板Ｐの走査方向と交差する方向に配置して、第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２とを走査露光することができるので、例えばマスクＭのパターン形成領域がマスクＭの走査方向に大きくなっても、基板Ｐ上における第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２との干渉を抑制し、効率良くデバイスを製造することができる。

なお、上述の第５実施形態においては、投影光学系ＰＬが反射光学素子及び屈折光学素子の両方を含む反射屈折系である場合を例にして説明したが、屈折光学素子のみを含む屈折光学系であってもよい。

＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について図１４及び図１５を参照して説明する。本実施形態の特徴的な部分は、第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２のそれぞれに形成されるパターンＰＡの像面の位置及び傾斜の少なくとも一方を調整可能な調整装置を備えた点にある。

図１４において、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば特開２００３−３０９０５３号公報に開示されているような、パターンＰＡの像面の位置及び傾斜の少なくとも一方を調整可能な調整装置１００を備えている。調整装置１００は、第１視野領域ＦＡ１からの露光光ＥＬの光路中の所定位置（例えば第１視野領域ＦＡ１と光学的に共役な位置）、及び第２視野領域ＦＡ２からの露光光ＥＬの光路中の所定位置（例えば第２視野領域ＦＡ２と光学的に共役な位置）のそれぞれに配置されている。調整装置１００は、それぞれくさび状に形成され、露光光ＥＬを通過可能な第１光学部材１０１と第２光学部材１０２とを含む。

例えば、図１５（Ａ）に示すように、第１光学部材１０１を破線で示す位置（符号１０１’参照）から実線で示す位置（符号１０１参照）まで、第２光学部材１０２に対してＹ軸方向にスライド移動することにより、図１５（Ｂ）に示すように、パターンＰＡの像面の位置は、Ｚ軸方向、すなわち像面と直交する方向に移動する。また、図１６（Ａ）に示すように、第１光学部材１０１を破線で示す位置（符号１０１’参照）から実線で示す位置（符号１０１参照）まで、第２光学部材１０２に対してＺ軸回りに回転することにより、図１６（Ｂ）に示すように、パターンＰＡの像面はＸＹ平面に対して傾斜する。このように、調整装置は１００、一対のくさび状の光学部材の相対位置を変えることによって、第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２のそれぞれに形成されるパターンＰＡの像面の位置及び傾斜の少なくとも一方を調整することができる。

したがって、１つの基板Ｐ上に第１ショット領域ＳＨ１と第２ショット領域ＳＨ２とが設定されている場合においても、制御装置７は、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２の露光中に、調整装置１００を用いて、第１像野領域ＡＲ１に形成されるパターンＰＡ１の像面と第１ショット領域ＳＨ１における基板Ｐの表面（露光面）とを所望の位置関係にすることができるとともに、第２像野領域ＡＲ２に形成されるパターンＰＡ２の像面と第２ショット領域ＳＨ２における基板Ｐの表面（露光面）とを所望の位置関係にすることができる。

＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について図１７を参照して説明する。上述の実施形態においては、照明系ＩＬは、光源装置１から射出された露光光ＥＬを２つの露光光ＥＬに分割し、それら分割した露光光ＥＬのそれぞれを、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とに照射しているが、本実施形態の特徴的な部分は、露光光ＥＬを分割せずに、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２との両方に露光光ＥＬを照射する点にある。

図１７（Ａ）は、本実施形態に係るマスクステージ２に保持されたマスクＭを示す平面図、図１７（Ｂ）は、マスクＭを通過した露光光ＥＬが光学部材５０に照射されている状態を示す模式図である。

図１７（Ａ）に示すように、本実施形態においては、照明系ＩＬは、露光光ＥＬを分割せず、投影光学系ＰＬの第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とに露光光ＥＬを照射する。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とはＹ軸方向に並ぶように設定され、第１視野領域ＦＡ１の−Ｙ側のエッジと第２視野領域ＦＡ２の＋Ｙ側のエッジとは接触（又は接近）している。

第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とに照射された露光光ＥＬは、図１７（Ｂ）の模式図に示すように、光学部材５０の稜線（頂点）５３を境界として、第１反射面５１に照射される露光光ＥＬと、第２反射面５２に照射される露光光ＥＬとに分割される。第１反射面５１に照射された露光光ＥＬは、第１像野領域ＡＲ１へ導かれ、第２反射面５２に照射された露光光ＥＬは、第２像野領域ＡＲ２へ導かれる。

このように、照明系ＩＬで露光光ＥＬを分割せずに、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２との両方に露光光ＥＬを照射し、投影光学系ＰＬの光学部材５０で分割するようにしてもよい。本実施形態においては、照明系ＩＬで露光光ＥＬを分割せず、互いに接触（又は接近）している第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とを形成した場合でも、稜線（頂点）５３を境界として、第１視野領域ＦＡ１からの露光光ＥＬを第１像野領域ＡＲ１に導き、第２視野領域ＦＡ２からの露光光ＥＬを第２像野領域ＡＲ２に導くことができる。

＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について図１８を参照して説明する。上述の実施形態においては、光学部材５０の稜線（頂点）５３はＶ字状であるが、図１８（Ｂ）に示すように、光学部材５０のＹＺ平面に平行な断面形状を台形状にしてもよい。これにより、図１８（Ａ）に示すように、照明系ＩＬで露光光ＥＬを分割せずに、第１視野領域ＦＡ１と第２視野領域ＦＡ２とに入射させた場合でも、第１視野領域ＦＡ１からの露光光ＥＬを第１像野領域ＡＲ１に導き、第２視野領域ＦＡ２からの露光光ＥＬを第２像野領域ＡＲ２に導くことができる。

なお、上述の第１〜第８実施形態において、例えば国際公開第９９／４９５０４号パンフレット等に開示されているような液浸法を適用してもよい。すなわち、第１像野領域ＡＲ１及び第２像野領域ＡＲ２を覆うように、液体の液浸領域を基板Ｐ上に形成し、その液体を介して露光光ＥＬを第１ショット領域ＡＲ１及び第２ショット領域ＳＨ２に照射するようにしてもよい。なお、液体としては、水（純水）を用いてもよいし、水以外のもの、例えば過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体、あるいはセダー油などを用いてもよい。また、液体としては、水よりも露光光に対する屈折率が高い液体、例えば屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英や蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で終端光学素子ＦＬを形成してもよい。

なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、フラット・パネル・ディスプレイ用のガラス基板のみならず、半導体デバイス製造用の半導体ウエハや、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）用の半導体ウエハやガラスウエハ、ディスプレイ又は回路デバイス用のシート状有機材料等が適用される。なお、上記実施形態の露光装置ＥＸは、外形が５００ｍｍよりも大きい基板に対して特に有効である。ここで、外形が５００ｍｍよりも大きいとは、一辺若しくは対角の長さが５００ｍｍよりも大きいことをいう。

また、特開平１１−１３５４００号公報や特開２０００−１６４５０４号公報に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１９に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する露光工程を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 投影光学系の視野領域と像野領域との関係を示す模式図である。 第１実施形態に係る照明系の一例を示す図である。 照明系に設けられた光学部材を示す斜視図である。 第１実施形態に係る投影光学系の一例を示す図である。 第２実施形態に係る投影光学系の一例を示す図である。 第３実施形態に係る投影光学系の一例を示す図である。 第４実施形態に係る投影光学系の一例を示す図である。 第５実施形態に係る投影光学系を示す概略斜視図である。 第１、第２視野領域と第１、第２像野領域との位置関係を説明するための平面図である。 第１視野領域からの露光光を第１像野領域へ導く光学系の一部を−Ｙ側から見た図である。 第１視野領域からの露光光を第１像野領域へ導く光学系の一部を＋Ｚ側から見た図である。 第１視野領域からの露光光を第１像野領域へ導く光学系の一部を−Ｘ側から見た図である。 第６実施形態に係る投影光学系の一例を示す図である。 調整装置の動作を説明するための模式図である。 調整装置の動作を説明するための模式図である。 第７実施形態に係るマスクと視野領域との関係を示す図である。 第８実施形態に係るマスクと視野領域との関係を示す図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

２…マスクステージ、４…基板ステージ、７…制御装置、２１…第１光学素子群、２２…第２光学素子群、２３…第３光学素子群、５０…光学部材、５１…第１反射面、５２…第２反射面、１００…調整装置、ＡＲ１…第１像野領域、ＡＲ２…第２像野領域、ＢＲ１…第１光路、ＢＲ２…第２光路、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＦＡ１…第１視野領域、ＦＡ２…第２視野領域、ＩＬ…照明系、Ｍ…マスク、Ｐ…基板、ＰＡ…パターン、ＰＬ…投影光学系、ＳＨ１…第１ショット領域、ＳＨ２…第２ショット領域

Claims (15)

1. パターンの像で基板を露光する露光装置において、
   第１視野領域と該第１視野領域とは異なる第２視野領域とを有し、前記第１視野領域内に位置する前記パターンからの露光光に基づいて前記パターンの像を第１像野領域に形成するとともに、前記第２視野領域内に位置する前記パターンからの露光光に基づいて前記パターンの像を第２像野領域に形成する投影光学系を備え、
   前記第１像野領域に形成される前記パターンの像で第１領域を露光し、前記第２像野領域に形成される前記パターンの像で前記第１領域と重複しない第２領域を露光する露光装置。
2. 前記第１領域と前記第２領域とは１つの基板上に設定されている請求項１記載の露光装置。
3. 前記投影光学系は、前記第１視野領域からの前記露光光の光路である第１光路中に配置された第１反射面と、前記第２視野領域からの前記露光光の光路である第２光路中に配置された第２反射面とを有し、
   前記第１光路を進行する前記露光光は前記第１反射面を経て前記第１像野領域へ導かれ、前記第２光路を進行する前記露光光は前記第２反射面を経て前記第２像野領域へ導かれる請求項１又は２記載の露光装置。
4. 前記第１反射面及び前記第２反射面は、前記第１視野領域及び前記第２視野領域と光学的に共役な位置又はその近傍に配置されている請求項３記載の露光装置。
5. 前記投影光学系は、前記パターンからの前記露光光を前記第１反射面及び前記第２反射面へ導く第１光学素子群と、
   前記第１反射面で反射した前記露光光を前記第１像野領域へ導く第２光学素子群と、
   前記第２反射面で反射した前記露光光を前記第２像野領域へ導く第３光学素子群とを有する請求項３又は４記載の露光装置。
6. 前記第１像野領域と前記第１領域とを相対的に移動しつつ、前記第１像野領域に形成される前記パターンの像で前記第１領域を露光し、
   前記第２像野領域と前記第２領域とを相対的に移動しつつ、前記第２像野領域に形成される前記パターンの像で前記第２領域を露光する請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置。
7. 前記第１像野領域及び前記第２像野領域に対して前記第１領域及び前記第２領域を第１方向に移動しつつ、前記第１領域及び前記第２領域を露光し、
   前記第１領域と前記第２領域とは前記第１方向に沿って配置されている請求項６記載の露光装置。
8. 前記第１像野領域及び前記第２像野領域に対して前記第１領域及び前記第２領域を第１方向に移動しつつ、前記第１領域及び前記第２領域を露光し、
   前記第１領域と前記第２領域とは前記第１方向と交差する第２方向に沿って配置されている請求項６記載の露光装置。
9. 前記第１視野領域及び前記第２視野領域に対して前記パターンを前記第１方向に移動しつつ、前記第１領域及び前記第２領域を露光し、
   前記第１視野領域と前記第２視野領域とは前記第１方向に沿って配置されている請求項７又は８記載の露光装置。
10. 前記第１視野領域及び前記第２視野領域に対して前記パターンを前記第１方向と交差する第２方向に移動しつつ、前記第１領域及び前記第２領域を露光し、
    前記第１視野領域と前記第２視野領域とは前記第２方向に沿って配置されている請求項７又は８記載の露光装置。
11. 前記第１視野領域と前記第２視野領域とは離れている請求項１〜８のいずれか一項記載の露光装置。
12. 前記第１視野領域及び前記第２視野領域に対して前記パターンを所定方向に移動しつつ、前記第１領域及び前記第２領域のそれぞれを露光し、
    前記第１視野領域と前記第２視野領域とは前記所定方向に離れている請求項１〜８のいずれか一項記載の露光装置。
13. 前記第１像野領域及び前記第２像野領域のそれぞれに形成される前記パターンの像面の位置及び傾斜の少なくとも一方を調整可能な調整装置を備えた請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
14. 前記基板の外形は５００ｍｍよりも大きい請求項１〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
15. リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法であって、
    前記リソグラフィ工程において請求項１〜請求項１４のいずれか一項記載の露光装置を用いて露光を行う露光工程を含むデバイス製造方法。
    

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