JP2010217877A - 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 感光性基板への走査露光にかかるスループットの向上。
【解決手段】 本発明の一態様にかかる露光装置は、帯状の感光性基板(SH)の第1部分を第1方向(X方向)に沿って第1の向き(−X方向)に移動させ、且つ基板の第2部分を第1方向に沿って第2の向き(+X方向)に移動させる移動機構(SC)と、マスク(M)を保持し、基板の移動に同期して第2方向(Y方向)に沿って第3の向き(+Y方向)に移動するステージ機構(MS)と、投影光学系(PL)とを備えている。投影光学系は、マスク上の第3の向きと第1部分上の第1の向きとが光学的に対応するようにパターンの第1投影像を第1部分上に形成し、マスク上の第3の向きと第2部分上の第2の向きとが光学的に対応するようにパターンの第2投影像を第2部分上に形成する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、感光性を有する基板にパターンを転写する走査型の露光装置に関する。
パソコン、テレビ等の表示素子として、液晶表示パネルが多用されている。最近では、フレキシブルな高分子シート(感光性基板)上に透明薄膜電極をフォトリソグラフィの手法でパターニングすることにより表示パネルを製造する方法が考案されている。このフォトリソグラフィ工程において用いられる露光装置として、ロール・ツー・ロールで搬送される帯状の感光性基板にマスクのパターンを転写する露光装置(以下、ロール・ツー・ロール型の露光装置という)が提案されている(例えば、特許文献1を参照)。
特開2007−114385号公報
ロール・ツー・ロール型の露光装置では、帯状の感光性基板へのパターンの転写にかかるスループットの向上を図ることが求められている。
本発明の態様は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、例えばロール・ツー・ロールで搬送される帯状の感光性基板への走査露光にかかるスループットの向上を達成することのできる露光装置、露光方法およびデバイス製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第1の態様に従えば、感光性を有する第1基板を第1方向に沿って第1の向きに移動させ、且つ感光性を有する第2基板を前記第1方向に沿って前記第1の向きとは反対の第2の向きに移動させる移動機構と、
パターンを有するマスクを保持し、前記第1基板および前記第2基板の前記第1方向への移動に同期して、第2方向に沿って第3の向きに移動するステージ機構と、
前記パターンを介した光を受光し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第1基板上の前記第1の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第1投影像を前記第1基板上に形成し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第2基板上の前記第2の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第2投影像を前記第2基板上に形成する投影光学系と、を備える露光装置が提供される。
本発明の第2の態様に従えば、感光性を有する帯状の基板の第1部分を第1方向に沿って第1の向きに移動させ、且つ前記基板の第2部分を前記第1方向に沿って前記第1の向きと反対の第2の向きに移動させる移動機構と、
パターンを有するマスクを保持し、前記第1部分および前記第2部分の前記第1方向への移動に同期して、第2方向に沿って第3の向きに移動するステージ機構と、
前記パターンを介した光を受光し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第1部分上の前記第1の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第1投影像を前記第1部分上に形成し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第2部分上の前記第2の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第2投影像を前記第2部分上に形成する投影光学系と、を備える露光装置が提供される。
本発明の第3の態様に従えば、感光性を有する第1基板を第1方向に沿って第1の向きに移動させ、且つ感光性を有する第2基板を前記第1方向に沿って前記第1の向きとは反対の第2の向きに移動させる工程と、
前記第1基板および前記第2基板の前記第1方向への移動に同期して、パターンを有するマスクを第2方向に沿って第3の向きに移動させる工程と、
前記パターンからの光を受光し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第1基板上の前記第1の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第1投影像を前記第1基板上に形成し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第2基板上の前記第2の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第2投影像を前記第2基板上に形成する工程と、を含む露光方法が提供される。
本発明の第4の態様に従えば、感光性を有する帯状の基板の第1部分を第1方向に沿って第1の向きに移動させ、且つ前記基板の第2部分を前記第1方向に沿って前記第1の向きと反対の第2の向きに移動させる工程と、
前記第1部分および前記第2部分の前記第1方向への移動に同期して、パターンを有するマスクを第2方向に沿って第3の向きに移動させる工程と、
前記パターンからの光を受光し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第1部分上の前記第1の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第1投影像を前記第1部分上に形成する工程と、
前記パターンからの光を受光し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第2部分上の前記第2の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第2投影像を前記第2部分上に形成する工程と、を含む露光方法が提供される。
本発明の第5の態様に従えば、本発明にかかる露光装置を用いて、前記パターンを基板に転写する工程と、
前記パターンが転写された前記基板を現像し、前記パターンに対応する形状の転写パターン層を前記基板に形成する工程と、
前記転写パターン層を介して前記基板を加工する工程と、
を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の一態様によれば、マスクを第3の向きへ1回移動させることにより、第1の向きへ移動する帯状の感光性基板の第1部分への第1投影像の走査露光と、第2の向きへ移動する帯状の感光性基板の第2部分への第1投影像の走査露光とを同時に行うことができる。また、マスクの第1方向に沿った往復移動を複数回に亘って繰り返すことにより、所定の経路に沿って継続的に移動する基板上に、第1投影像が転写された領域と第2投影像が転写された領域とを交互に連続形成することができる。その結果、本発明の露光装置では、例えばロール・ツー・ロールで搬送される帯状の感光性基板への走査露光にかかるスループットを向上させることができる。
本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。 帯状の感光性基板をロール・ツー・ロールで搬送する移動機構の要部構成を概略的に示す図である。 本実施形態にかかる投影光学系の構成を概略的に示す図である。 一群の偏向部材の作用を説明する図である。 第1結像領域と第2結像領域とが整列して形成される様子を示す図である。 本実施形態における分割反射部の構成および作用を説明する図である。 分割反射部の複数の反射部と照明瞳における複数の光源との対応関係を説明する図である。 本実施形態における走査露光の動作を説明する図である。 第1変形例にかかる分割反射部の構成および作用を説明する図である。 第2変形例にかかる分割反射部の構成および作用を説明する図である。 第3変形例にかかる分割反射部の構成および作用を説明する図である。 半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。 液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。本実施形態では、図1に示すように、投影光学系PLに対してマスクMおよび帯状のシートSHを相対移動させつつマスクMのパターンをシートSHに投影露光(転写)するロール・ツー・ロール型の露光装置に対して本発明を適用している。図1では、感光性基板としてのシートSHの転写面(感光面;被露光面)の法線方向にZ軸を、シートSHの転写面に平行な面内において図1の紙面に平行な方向にY軸を、シートSHの転写面に平行な面内において図1の紙面に垂直な方向にX軸を設定している。
本実施形態の露光装置は、マスクMのパターン領域を照明する照明光学系ILと、パターンを有するマスクMを保持して移動するマスクステージMSと、マスクMのパターンの拡大像をシートSH上に形成する投影光学系PLと、シートSHをロール・ツー・ロールの方式にしたがって移動させる(搬送する)移動機構SCと、マスクステージMSおよび移動機構SCを駆動する駆動系DRと、駆動系DR等の動作を統括的に制御する主制御系CRとを備えている。シートSHは、フォトレジスト(感光材料)が塗布されたフレキシブルな(可撓性を有する)帯状の高分子シートである。
照明光学系ILには、光源LSから露光用の照明光(露光光)が供給される。露光光として、例えば、超高圧水銀ランプの射出光から選択されたi線(波長365nm)の光、YAGレーザの3倍高調波(波長355nm)よりなるパルス光、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などを用いることができる。照明光学系ILは、光の入射順に、コリメータレンズ20、フライアイレンズ21、コンデンサー光学系22、可変視野絞りとしてのマスクブラインド23、照明結像光学系24(24a,24b)などを備えている。
光源LSから射出された光は、照明光学系ILを介して、マスクM上に照明領域IRを照明する。照明領域IRは、X方向に沿って細長く延びる所定の外形形状を有する。マスクMの照明領域IRからの光は、投影光学系PLを介して、第1結像領域ER1に照明領域IR内のパターンの第1投影像を形成し、第1結像領域ER1からY方向に間隔を隔てた第2結像領域ER2に照明領域IR内のパターンの第2投影像を形成する。すなわち、投影光学系PLは、後述するように、パターンの第1投影像が形成された第1結像領域ER1を−X方向へ移動するシートSH上に形成し、パターンの第2投影像が形成された第2結像領域ER2を+X方向へ移動するシートSH上に形成する。
投影光学系PLは、マスクM側およびシートSH側にテレセントリックであり、マスクM側からシートSH側へ拡大倍率を有する。結像領域ER1,ER2の形状は、照明領域IRの形状を投影光学系PLの投影倍率βで拡大した形状である。以下、説明の理解を容易にするために、照明領域IRはX方向に沿って細長く延びる矩形状の領域であるものとする。この場合、後述するように、第1結像領域ER1および第2結像領域ER2は、照明領域IRの長手方向であるX方向と直交するY方向に沿って細長く延びる矩形状の領域になる。ただし、照明領域IRの形状、ひいては結像領域ER1,ER2の形状は、照明光学系IL中のマスクブラインド23の可変開口部(光透過部)の形状に応じて可変的に設定される。
マスクMは、マスクホルダ(不図示)を介して、マスクステージMS上に吸着保持されている。マスクステージMS上には、周知の構成を有するマスク側レーザ干渉計(不図示)が配置されている。マスク側レーザ干渉計は、マスクステージMSのX方向の位置、Y方向の位置、およびZ軸廻りの回転角を計測し、計測結果を主制御系CRに供給する。主制御系CRは、その計測値に基づいて、駆動系DRを介して、マスクステージMSのX方向の位置、走査方向としてのY方向の位置および速度、並びにZ軸廻りの回転角を制御する。
シートSHは、一連のロールを備えた移動機構SCの作用により、所定の経路に沿って搬送される。移動機構SCは、図2に示すように、X方向に沿って直線状に延びる第1直進経路SCa、第1直進経路SCaからY方向に間隔を隔ててX方向に沿って直線状に延びる第2直進経路SCb、および第1直進経路SCaと第2直進経路SCbとを接続する反転経路SCcを有する。可撓性を有する帯状のシートSHは、第1直進経路SCaに沿って−X方向の向きに移動した後、反転経路SCcに進入する。第1直進経路SCaに沿って−X方向の向きに移動するシートSH上には、第1結像領域ER1が形成される。
反転経路SCcに進入したシートSHは、反転経路SCcの中央に配置されてZ方向に延びる軸線を中心として回転する反転ロールSCdを経た後、第2直進経路SCbに進入する。第2直進経路SCbに進入したシートSHは、+X方向の向きに移動する。第2直進経路SCbに沿って+X方向の向きに移動するシートSH上には、第2結像領域ER2が形成される。走査露光時には、マスクステージMSが+Y方向の向きに速度V/βで駆動されるのに同期して、移動機構SCは第1直進経路SCaにおいてシートSHを−X方向の向きに速度Vで移動させ且つ第2直進経路SCbにおいてシートSHを+X方向の向きに速度Vで移動させる。
図3は、本実施形態にかかる投影光学系の構成を概略的に示す図である。図3を参照すると、投影光学系PLは、マスクMのパターン領域において照明領域IRにより照明されたパターンの第1中間像I1および第2中間像I2を形成する中間結像光学系GMと、第1中間像I1からの光に基づいてシートSH上の第1結像領域ER1にパターンの第1投影像を形成する第1結像光学系G1と、第2中間像I2からの光に基づいてシートSH上の第2結像領域ER2にパターンの第2投影像を形成する第2結像光学系G2とを有する。
すなわち、中間結像光学系GMは、マスクMのパターン領域の位置と第1中間像I1の形成位置および第2中間像I2の形成位置とを光学的に共役にしている。第1結像光学系G1は、第1中間像I1の形成位置と第1結像領域ER1の位置とを光学的に共役にしており、第1直進経路SCaに沿って−X方向へ移動するシートSH上の第1結像領域ER1にパターンの第1投影像を形成する。第2結像光学系G2は、第2中間像I2の形成位置と第2結像領域ER2の位置とを光学的に共役にしており、第2直進経路SCbに沿って+X方向へ移動するシートSH上の第2結像領域ER2にパターンの第2投影像を形成する。
マスクMは、そのパターン領域が投影光学系PLの物体面OBJにほぼ一致するようにマスクステージMS上に配置される。シートSHは、その表面(感光面)が投影光学系PLの像面IMGにほぼ一致するような軌道に沿って移動機構SCにより搬送される。中間結像光学系GMは、照明領域IRにより照明されたパターン領域からの光が入射する正レンズ群Lpと、正レンズ群Lpからの光を正レンズ群Lpの光軸AXpを挟んで互いに異なる方向に進む第1の光と第2の光とに分割し且つ第1の光および第2の光を正レンズ群Lpに向けて反射する分割反射部10とを有する。分割反射部10の具体的な構成および作用については後述する。
中間結像光学系GMと第1結像光学系G1との間の光路中には、光の入射順に、第1偏向部材M1、第2偏向部材M2、および第3偏向部材M3が配置されている。中間結像光学系GMと第2結像光学系G2との間の光路中には、光の入射順に、第4偏向部材M4、第5偏向部材M5、および第6偏向部材M6が配置されている。偏向部材M1〜M6は、例えば平面状の反射面を有する反射鏡である。以下、投影光学系PLの構成の理解を容易にするために、照明領域IRから光軸AXpに沿って射出される光L1に着目して、偏向部材M1〜M6の作用を説明する。
図3を参照すると、照明領域IRから光軸AXpに沿って射出された光L1は、正レンズ群Lpを経て分割反射部10により反射され、図3の紙面において斜め右上の向き(第1の向き)に進む第1の光L11と斜め左上の向き(第2の向き)に進む第2の光L12とに分割される。分割反射部10により反射された第1の光L11は、正レンズ群Lpを経た後に+Z方向に沿って偏向部材M1に入射し、偏向部材M1により+Y方向に偏向される。
偏向部材M1により+Y方向に偏向された第1の光L11は、第1中間像I1として、例えばマスクパターンのほぼ等倍の像を形成する。第1中間像I1から+Y方向に沿って進む第1の光は、図4に示すように、偏向部材M2により+X方向に偏向され、偏向部材M3により−Z方向に偏向された後、第1結像光学系G1を介して、第1直進経路SCaに沿って−X方向へ移動するシートSH上の第1結像領域ER1に達する。Y方向に沿って細長い矩形状の第1結像領域ER1には、第1投影像として、マスクパターンの拡大像が形成される。なお、図4では、正レンズ群Lpのうち、最もマスク側に配置されたレンズLP1だけを示している。
一方、分割反射部10により反射された第2の光L12は、正レンズ群Lpを経た後に+Z方向に沿って偏向部材M4に入射し、偏向部材M4により−Y方向に偏向される。偏向部材M4により−Y方向に偏向された第2の光L12は、第2中間像I2として、第1中間像I1と同様にマスクパターンのほぼ等倍の像を形成する。第2中間像I2から−Y方向に沿って進む第2の光は、図4に示すように、偏向部材M5により+X方向に偏向され、偏向部材M6により−Z方向に偏向された後、第2結像光学系G2を介して、第2直進経路SCbに沿って+X方向へ移動するシートSH上の第2結像領域ER2に達する。Y方向に沿って細長い矩形状の第2結像領域ER2には、第2投影像として、マスクパターンの拡大像が形成される。
第1投影像および第2投影像は、投影光学系PLの投影倍率βでマスクパターンを拡大した形状を有する。そして、図4に明瞭に示すように、第1投影像はマスクパターンをZ軸廻りに+90度回転させた姿勢で形成され、第2投影像はマスクパターンを−90度回転させた姿勢で形成される。すなわち、第1投影像と第2投影像とは互いに同じ形状および同じ大きさを有するが、X方向およびY方向に関して互いに逆向きである。
投影光学系PLでは、図5に示すように、照明領域IRから光軸AXpに沿って射出されて第3偏向部材M3により−Z方向に偏向される光線の位置C1と第1結像光学系G1の光軸AX1とが一致し、且つ照明領域IRから光軸AXpに沿って射出されて第6偏向部材M6により−Z方向に偏向される光線の位置C2と第2結像光学系G2の光軸AX2とが一致している。その結果、第1結像領域ER1と第2結像領域ER2とはY方向に整列して形成される。なお、図5において、破線の円IF0は投影光学系PLの入射側視野を、破線の円IF1,IF2は結像光学系G1,G2の入射側視野を、破線の円EF1,EF2は結像光学系G1,G2の射出側視野を示している。
分割反射部10は、図6に示すように、正レンズ群Lpの焦点位置またはその近傍に配置された複数の第1反射部10aと複数の第2反射部10bとを有する。ここで正レンズ群Lpの焦点位置とは、マスクM側から正レンズ群Lpに平行光線を入れた場合にその平行光線が集光される位置(すなわち後側焦点位置)である。第1反射部10aと第2反射部10bとは、正レンズ群Lpに向かって凹面状の曲面(例えば球面)に沿って配列され、Y方向に沿って交互に設けられている。あるいは、第1反射部10aと第2反射部10bとは、XY平面に平行な面に沿って配列され、Y方向に沿って交互に設けられている。第1反射部10aは例えば平面状の反射面を有し、その反射面から外側に延びる法線は図6中斜め右上に向いている。第2反射部10bは例えば平面状の反射面を有し、その反射面から外側に延びる法線は図6中斜め左上に向いている。
したがって、正レンズ群Lpの光軸(ひいては中間結像光学系GMの光軸)AXpと平行に第1反射部10aに入射した光は、その反射面によって図6中斜め右上に向かって反射される。複数の第1反射部10aにより反射された光は、上述の第1の光となり、正レンズ群Lpおよび第1偏向部材M1を経て第1中間像I1を形成する。一方、光軸AXpと平行に第2反射部10bに入射した光は、その反射面によって図6中斜め左上に向かって反射される。複数の第2反射部10bにより反射された光は、上述の第2の光となり、正レンズ群Lpおよび第4偏向部材M4を経て第2中間像I2を形成する。すなわち、分割反射部10において、複数の第1反射部10aは正レンズ群Lpから入射した光を図6中斜め右上の向きに反射して第1の光を生成し、複数の第2反射部10bは図6中斜め左上の向きに反射して第2の光を生成する。
なお、分割反射部10の複数の反射部10a,10bは、正レンズ群Lpの後側焦点位置またはその近傍(すなわち投影光学系PLの瞳位置またはその近傍)に配置され、ひいては照明光学系IL中のフライアイレンズ21の後側焦点位置(すなわち照明光学系ILの照明瞳の位置)と光学的に共役な位置またはその近傍に配置されている。フライアイレンズ21は、図7の上側の図に示すように、たとえば縦横に且つ稠密に配列された複数の正屈折力を有するレンズ要素21aからなる光学素子である。各レンズ要素21aは、X方向に細長い矩形状の照明領域IRに対応して、同じくX方向に細長い矩形状の断面形状を有する。各レンズ要素21aの矩形状の入射面は、波面分割型のオプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ21の単位波面分割面を構成している。
フライアイレンズ21に入射した光束は、複数のレンズ要素21aにより二次元的に分割され、各レンズ要素21aの後側焦点面(ひいてはフライアイレンズ21の後側焦点面)またはその近傍にそれぞれ1つの光源21bを形成する。本実施形態の露光装置では、フライアイレンズ21の後側焦点面またはその近傍の照明瞳に形成された複数の光源21bからなる実質的な面光源を二次光源として、照明光学系ILの被照射面(投影光学系PLの物体面)に配置されるマスクM(ひいては投影光学系PLの像面に配置されるシートSH)をケーラー照明する。
こうして、正レンズ群Lpの後側焦点位置またはその近傍に配置された分割反射部10の複数の反射部10a,10bの反射面上には、複数の光源21bの像が形成される。分割反射部10の反射部10a,10bにおける反射効率を高めるには、各反射部10a,10bの反射面上にX方向に1列に並んだ複数の光源21bの像が形成されるように構成することが望ましい。換言すれば、照明光学系ILは、分割反射部10の位置と光学的に共役な位置である照明瞳の位置に、複数の第1反射部10aおよび複数の第2反射部10bの配置に対応させて複数の光源21bを形成することが望ましい。また、別の表現をすれば、反射部10a,10bは、光源21bの反射部10a,10b上における共役像を包含する大きさの反射領域を有することが望ましい。
以下、図8を参照して、本実施形態における走査露光の動作を説明する。図8を参照すると、マスクM上には、例えば表示パネルの回路パターンが形成された矩形状のパターン領域PAが設けられている。本実施形態では、帯状の感光性基板であるシートSHが、移動機構SCの作用により所定の経路に沿って一定の速度で搬送される。そして、シートSH上には、マスクMのパターン領域PAを投影光学系PLの投影倍率βで拡大した矩形状のショット領域SR1,SR2が一定の間隔を隔てて順次形成される。
図8では、投影光学系PLの第1結像光学系G1を介してマスクMのパターンが転写されるショット領域または転写されたショット領域を参照符号SR1で表し、第2結像光学系G2を介してマスクMのパターンが転写されるショット領域または転写されたショット領域を参照符号SR2で表している。ショット領域SR1とショット領域SR2とは、後述するように、シートSHの長手方向に沿って交互に形成される。シートSHの長手方向に沿った各ショット領域SR1,SR2の寸法はSxであり、互いに隣り合う一対のショット領域SR1とSR2との間隔はGxである。また、図8では、走査露光動作の説明の理解を容易にするために、マスクMのスキャン移動方向であるY方向およびシートSHのスキャン移動方向であるX方向を、図8の紙面上の水平方向に一致させている。
本実施形態では、投影光学系PLの第1結像光学系G1の直下を通過するショット領域SR1、すなわち第1直進経路SCaに沿って−X方向へ移動するシートSH上のショット領域SR1に、マスクMのパターンを走査露光(スキャン露光)する。また、第1直進経路SCaにおけるショット領域SR1への走査露光と同時に、投影光学系PLの第2結像光学系G2の直下を通過するショット領域SR2、すなわち第2直進経路SCbに沿って+X方向へ移動するシートSH上のショット領域SR2に、マスクMのパターンを走査露光する。
具体的には、一対のショット領域SR1およびSR2への同時走査露光に際して、照明領域IRがパターン領域PAの+Y方向側の端部に位置する始動位置から−Y方向側の端部に達する終了位置まで、パターン領域PAが照明領域IRによって走査されるように、マスクM(ひいてはマスクステージMS)を+Y方向に向かって所要の速度で移動させる。マスクMの+Y方向への移動に同期して、第1結像領域ER1がショット領域SR1の−X方向側の端部に位置する始動位置から+X方向側の端部に達する終了位置まで、ショット領域SR1が第1結像領域ER1によって走査されるように、シートSHが第1直進経路SCaに沿って−X方向へ移動する。
また、マスクMの+Y方向へのスキャン移動に同期して、第2結像領域ER2がショット領域SR2の+X方向側の端部に位置する始動位置から−X方向側の端部に達する終了位置まで、ショット領域SR2が第2結像領域ER2によって走査されるように、シートSHが第2直進経路SCbに沿って+X方向へ移動する。すなわち、照明領域IRによるパターン領域PAの走査に同期して、ショット領域SR1への走査露光とショット領域SR2への走査露光とが並列的に且つ同時に行われる。換言すれば、マスクMが+Y方向の向きに移動される期間に、マスクMのパターンの第1投影像および第2投影像がショット領域SR1およびSR2上にそれぞれ形成される。
次いで、照明領域IRがパターン領域PAの−Y方向側の端部からパターン領域PAの+Y方向側の端部へ移動するように、すなわち照明領域IRが走査露光の終了位置から始動位置へ戻るように、マスクMを−Y方向へ巻き戻し移動させる。マスクMの−Y方向への巻き戻し移動に際して、例えばマスクMの直後の光路中には結像光束を遮るためのシャッター(不図示)が挿入され、結像領域ER1,ER2にマスクパターンの投影像が形成されないようにする。あるいは、照明光学系IL中のマスクブラインド23の可変開口部を閉じることにより、結像領域ER1,ER2にマスクパターンの投影像が形成されないようにしても良い。
その結果、マスクMが巻き戻し移動する間に、第1直進経路SCaでは、走査露光が終了した直後のショット領域SR1に後続するショット領域であってマスクパターンの第2投影像の転写用に設定されたショット領域SR2が、走査露光を受けることなく第1結像光学系G1の直下を通過する。図8では、第1直進経路SCaにおける走査露光中のショット領域SR1および走査露光後のショット領域SR1を実線で示し、走査露光を受けることなく第1結像光学系G1の直下を通過すべきショット領域SR2および走査露光を受けることなく第1結像光学系G1の直下を通過したショット領域SR2を破線で示している。
同様に、マスクMが巻き戻し移動する間に、第2直進経路SCbでは、走査露光が終了した直後のショット領域SR2に後続するショット領域であってマスクパターンの第1投影像が既に転写されたショット領域SR1が、走査露光を受けることなく第2結像光学系G2の直下を通過する。図8では、第2直進経路SCbにおける走査露光中のショット領域SR2および走査露光後のショット領域SR2を一点鎖線で示し、走査露光を受けることなく第2結像光学系G2の直下を通過すべきショット領域SR1および走査露光を受けることなく第2結像光学系G2の直下を通過したショット領域SR1を実線で示している。
マスクMが−Y方向への巻き戻し移動を終了し、照明領域IRがパターン領域PAの+Y方向側の始動位置に戻ってマスクMの+Y方向へのスキャン移動が可能になった時点で、マスクMの直後のシャッターが光路から退避し、第1結像領域ER1が次に走査露光すべきショット領域SR1の−X方向側の始動位置に形成され、且つ第2結像領域ER2が次に走査露光すべきショット領域SR2の+X方向側の始動位置に形成される。あるいは、マスクMの巻き戻し移動が終了した時点で、マスクブラインド23の可変開口部を開けることにより、結像領域ER1,ER2が次に走査露光すべきショット領域SR1,SR2の始動位置に形成される。
こうして、マスクMの次のスキャン移動に同期して、第1結像光学系G1の直下を通過するショット領域SR1への走査露光と第2結像光学系G2の直下を通過するショット領域SR2への走査露光とが同時に行われる。そして、マスクMのY方向に沿った往復移動(スキャン移動と巻き戻し移動)を複数回に亘って繰り返すことにより、所定の経路に沿って継続的に移動するシートSH上に、マスクMのパターンが転写されたショット領域SR1とショット領域SR2とが交互に形成される。
すなわち、第1結像光学系G1を介してマスクパターンの第1投影像が形成されるショット領域SR1と、第2結像光学系G2を介してマスクパターンの第2投影像が形成されるショット領域SR2とは、帯状のシートSHの長手方向に沿って互いに隣り合っている。図8において、第1結像領域ER1の中心から第2結像領域ER2の中心までの搬送経路に沿った折返し距離は、各ショット領域のX方向寸法Sxと間隔Gxとの和(Sx+Gx)の奇数倍になっている。また、X方向寸法Sxと間隔Gxとの和(Sx+Gx)は、マスクMがスキャン移動する期間に対応するとともに、マスクMが巻き戻し移動する期間に対応している。
本実施形態の投影光学系PLにおいて、中間結像光学系GM、一群の偏向部材M1〜M3、および第1結像光学系G1は、マスクMのパターンの第1投影像をシートSH上の第1結像領域ER1に形成する第1結像系を構成している。第1結像系(GM,M1〜M3,G1)は、照明光学系ILによってマスクMのパターン領域に形成される照明領域IRと光学的に共役な第1結像領域ER1を、第1直進経路SCaに沿って−X方向へ移動するシートSH上に形成する。
一方、中間結像光学系GM、一群の偏向部材M4〜M6、および第2結像光学系G2は、マスクMのパターンの第2投影像を第1結像領域ER1からY方向に間隔を隔てた第2結像領域ER2に形成する第2結像系を構成している。第2結像系(GM,M4〜M6,G2)は、照明領域IRと光学的に共役な第2結像領域ER2を、第1直進経路SCaからY方向に間隔を隔てた第2直進経路SCbに沿って+X方向へ移動するシートSH上に形成する。
本実施形態では、帯状のシートSHの第1直進経路SCa上の部分(第1部分)が−X方向の向きに移動し、シートSHの第2直進経路SCb上の部分(第2部分)が+X方向の向きに移動し、マスクMがシートSHのX方向の移動に同期して+Y方向の向きに移動する。シートSHの第1直進経路SCa上の第1部分およびシートSHの第2直進経路SCb上の第2部分には、シートSHの走査方向であるX方向と直交するY方向に間隔を隔てて整列した一対の結像領域ER1およびER2がそれぞれ形成される。
また、図4に示すように、マスクMのパターンの第1投影像は、マスクMの走査方向である+Y方向と第1直進経路SCaにおけるシートSHの移動方向(走査方向)である−X方向とが光学的に対応するように、第1直進経路SCaに沿って移動するシートSH上の第1結像領域ER1に形成される。マスクMのパターンの第2投影像は、マスクMの走査方向である+Y方向と第2直進経路SCbにおけるシートSHの移動方向である+X方向とが光学的に対応するように、第2直進経路SCbに沿って移動するシートSH上の第2結像領域ER2に形成される。
こうして、本実施形態の露光装置では、マスクMを+Y方向へ1回スキャン移動させることにより、第1直進経路SCaに沿って−X方向へ移動するシートSH上のショット領域SR1への第1投影像の走査露光と、第2直進経路SCaに沿って+X方向へ移動するシートSH上のショット領域SR2への第2投影像の走査露光とを同時に行うことができる。また、マスクMのY方向に沿った往復移動を複数回に亘って繰り返すことにより、所定の経路に沿って継続的に移動するシートSH上に、マスクMのパターンの第1投影像が転写された転写されたショット領域SR1と第2投影像が転写されたショット領域SR2とを交互に連続形成することができる。すなわち、本実施形態の露光装置では、ロール・ツー・ロールで搬送される帯状のシートSHへの走査露光にかかるスループットを向上させることができる。
なお、上述の実施形態では、図2〜図7に示す特定の構成を有する投影光学系PLに基づいて本発明を説明している。しかしながら、投影光学系の構成については、様々な形態が可能である。具体的に、上述の実施形態では、正レンズ群Lpの後側焦点位置またはその近傍に固定的に配置された複数の第1反射部10aと複数の第2反射部10bとを有する分割反射部10を用いている。しかしながら、これに限定されることなく、分割反射部10に代えて、図9に示すように、二次元的に配列されて個別に姿勢変化可能な複数のミラー要素11aを有する空間光変調器11を用いることができる。
空間光変調器11は、正レンズ群Lpの後側焦点位置またはその近傍において二次元的に配列された複数のミラー要素11aと、複数のミラー要素11aを保持する基盤11bと、基盤11bに接続されたケーブル(不図示)を介して複数のミラー要素11aの姿勢を個別に駆動する駆動部11cとを備えている。駆動部11cは、主制御系CRからの指令にしたがって、複数のミラー要素11aの姿勢を個別に制御する。
複数のミラー要素11aは、例えば平面状の反射面を有し、XY平面に平行な平面に沿って配列されている。あるいは、複数のミラー要素11aは、正レンズ群Lpに向かって凹面状の曲面(例えば球面)に沿って配列されている。図9の変形例では、ショット領域SR1への走査露光とショット領域SR2への走査露光とを同時に行う際に、複数のミラー要素11aの姿勢を図9中の部分詳細図Aに示す状態に設定する。
部分詳細図Aに示す状態では、反射面から外側に延びる法線が図9中斜め右上に向くように姿勢制御されたミラー要素11aaと、反射面から外側に延びる法線が図9中斜め左上に向くように姿勢制御されたミラー要素11abとが、Y方向に沿って交互に並ぶように設定されている。したがって、正レンズ群Lpの光軸AXpと平行に第1反射部としてのミラー要素11aaに入射した光は、その反射面によって図9中斜め右上に向かって反射される。複数のミラー要素11aaにより反射された光は、第1の光となり、正レンズ群Lpおよび第1偏向部材M1を経て第1中間像I1を形成する。一方、光軸AXpと平行に第2反射部としてのミラー要素11abに入射した光は、その反射面によって図9中斜め左上に向かって反射される。複数のミラー要素11abにより反射された光は、第2の光となり、正レンズ群Lpおよび第4偏向部材M4を経て第2中間像I2を形成する。
また、帯状のシートSHへの走査露光の開始直後においてショット領域SR1への走査露光だけを行う場合、すべてのミラー要素11aの姿勢を図9中の部分詳細図Bに示す状態に設定する。部分詳細図Bに示す状態では、反射面から外側に延びる法線が図9中斜め右上に向くように、すべてのミラー要素11aの姿勢が一律に設定されている。この場合、すべてのミラー要素11aは、正レンズ群Lpの光軸AXpと平行に入射した光を図9中斜め右上に向かって反射する第1反射部として機能する。したがって、空間光変調器11により反射された光は、すべて第1の光となり、正レンズ群Lpおよび第1偏向部材M1を経て第1中間像I1を形成する。
図示を省略したが、帯状のシートSHへの走査露光の終了直前においてショット領域SR2への走査露光だけを行う場合、反射面から外側に延びる法線が図9中斜め左上に向くように、すべてのミラー要素11aの姿勢を一律制御する。この場合、すべてのミラー要素11aは、正レンズ群Lpの光軸AXpと平行に入射した光を図9中斜め左上に向かって反射する第2反射部として機能する。したがって、空間光変調器11により反射された光は、すべて第2の光となり、正レンズ群Lpおよび第4偏向部材M4を経て第2中間像I2を形成する。
図9の変形例では、例えばフライアイレンズ21の後側焦点面またはその近傍の照明瞳に形成される光強度分布(瞳強度分布)の形状などに応じて、各ミラー要素11aの姿勢を個別に制御することができ、ひいては使用するミラー要素11aの選択、ミラー要素11aからの反射光の配向の選択、ミラー要素11aからの反射光の光量の分配などを適宜変更することができる。その結果、例えば投影光学系PLの瞳位置における光強度分布を調整したり、結像領域ER1,ER2の形成位置を微調整したり、結像領域ER1,ER2での光量分布を調整したり、投影光学系PLの収差を補正したりすることができる。
図9の変形例においても、空間光変調器11の複数のミラー要素11aにおける反射効率を高めるために、各ミラー要素11aの反射面上に1つの光源21bの像が形成されるように構成することが望ましい。空間光変調器11として、たとえば特表平10−503300号公報およびこれに対応する欧州特許公開第779530号公報、特開2004−78136号公報およびこれに対応する米国特許第6,900,915号公報、特表2006−524349号公報およびこれに対応する米国特許第7,095,546号公報、並びに特開2006−113437号公報に開示される空間光変調器を用いることができる。
なお、中間結像光学系GMは、マスクMのパターン領域からの光が入射するレンズ群として正レンズ群Lpを備えるものとしたが、このレンズ群は正レンズ群(全体で正の屈折力を有するレンズ群)に限定されず、負レンズ群(全体で負の屈折力を有するレンズ群)とすることができる。例えばこのレンズ群は、分割反射部10の複数の第1反射部10aおよび第2反射部10bが平面に沿って配列される場合や、空間光変調器11の複数のミラー要素11aが平面に沿って配列される場合には、正レンズ群とすることが好ましい。また、例えばそのレンズ群は、複数の第1反射部10aおよび第2反射部10b、または複数のミラー要素11aが中間結像光学系GMに向かって凹状の凹面に沿って配列され、且つ中間結像光学系GMのうち最も後側焦点位置側のレンズLp2(図9参照)が凹レンズである場合には、負レンズ群とすることが好ましい。
一方、図10に示すように、分割反射部10に代えて、偏光ビームスプリッター12aと一対の凹面反射鏡12b,12cとからなる分割反射部12を用いることができる。分割部としての偏光ビームスプリッター12aは、正レンズ群Lpからの光L1をP偏光の透過光(第1の光)L11とS偏光の反射光(第2の光)L12とに分割する。偏光ビームスプリッター12aを透過したP偏光の光L11は、正レンズ群Lpの焦点位置またはその近傍に配置された第1凹面反射鏡12bにより反射され、偏光ビームスプリッター12aに入射する。
偏光ビームスプリッター12aに入射したP偏光の光L11は、偏光ビームスプリッター12aを透過した後、正レンズ群Lpおよび第1偏向部材M1を経て第1中間像I1を形成する。一方、偏光ビームスプリッター12aにより反射されたS偏光の光L12は、正レンズ群Lpの焦点位置またはその近傍に配置された第2凹面反射鏡12cにより反射され、偏光ビームスプリッター12aに入射する。偏光ビームスプリッター12aに入射したS偏光の光L12は、偏光ビームスプリッター12aにより反射された後、正レンズ群Lpおよび第4偏向部材M4を経て第2中間像I2を形成する。
なお、図10の構成に代えて、偏光ビームスプリッターを透過したP偏光の光が第2中間像I2を形成する第2の光となり、偏光ビームスプリッターにより反射されたS偏光の光が第1中間像I1を形成する第1の光となるような構成も可能である。この場合、偏光ビームスプリッターを透過したP偏光の光は、一方の凹面反射鏡により反射された後、偏光ビームスプリッター、正レンズ群Lpおよび第4偏向部材M4を経て第2中間像I2を形成する。偏光ビームスプリッターにより反射されたS偏光の光は、他方の凹面反射鏡により反射された後、偏光ビームスプリッター、正レンズ群Lpおよび第1偏向部材M1を経て第1中間像I1を形成する。
また、図11に示すように、分割反射部10に代えて、反射型回折格子を有する分割反射部13を用いることができる。分割反射部13は、例えばXY平面に平行な平面に沿って(あるいは正レンズ群Lpに向かって凹面状の曲面(例えば球面)に沿って)形成された回折光学面13aを有する。回折光学面13aは、正レンズ群Lpの光軸AXpに沿って入射した光Liを反射して、図11中斜め左上へ向かう+1次回折光L(+1)と、図12中斜め右上へ向かう−1次回折光L(−1)とを生成し、0次反射光を実質的に発生させないように設計されている。すなわち、回折光学面13aは、入射した光のほとんどを+1次回折光と−1次回折光とに配分して回折させる位相格子であることが好ましい。具体的には、回折光学面13aは、凹凸形状の位相格子であって、凹部と凸部との各反射光の位相差がπ/2(=180°)の奇数倍であることが好ましい。
また、回折光学面13aは、凹部と凸部とのデューティー比(凹部と凸部との配列方向(図11ではY方向)の幅の比率)が略50%であることが好ましい。デューティー比を略50%とすることで、+1次回折光L(+1)と−1次回折光L(−1)とを効率的に回折させることができる。なお、回折光学面13aの凹部(または凸部)の配列ピッチPは、光軸AXpと−1次回折光L(−1)(もしくは+1次回折光L(+1))とがなす角θと、回折光学面13aに入射する光の波長λとの間でsinθ=λ/Pの関係を満足する。このため、なす角θが、光軸AXpと第1の光L11(もしくは第2の光L12)とのなす角(図3参照)と等しくなるように配列ピッチPを設定するとよい。
また、上述の実施形態では、第1偏向部材M1は中間結像光学系GMと第1中間像I1の形成位置との間の光路中に配置され、第2偏向部材M2は第1中間像I1の形成位置と第1結像光学系G1との間の光路中に配置され、第3偏向部材M3は第2偏向部材M2と第1結像光学系G1との間の光路中に配置されている。また、第4偏向部材M4は中間結像光学系GMと第2中間像I2の形成位置との間の光路中に配置され、第5偏向部材M5は第2中間像I2の形成位置と第2結像光学系G2との間の光路中に配置され、第6偏向部材M6は第5偏向部材M5と第2結像光学系G2との間の光路中に配置されている。
そして、第1偏向部材M1は正レンズ群Lpからの第1の光をマスクMの走査方向であるY方向へ偏向し、第2偏向部材M2は第1偏向部材M1からの光をシートSHの走査方向であるX方向へ偏向し、第3偏向部材M3は第2偏向部材M2からの光を中間結像光学系GMの光軸AXpに平行なZ方向へ偏向している。同様に、第4偏向部材M4は正レンズ群Lpからの第2の光をY方向へ偏向し、第5偏向部材M5は第4偏向部材M4からの光をX方向へ偏向し、第6偏向部材M6は第5偏向部材M5からの光をZ方向へ偏向している。
さらに、第4偏向部材M4は第1偏向部材M1による光の偏向方向(+Y方向)と逆向き(−Y方向)に光を偏向し、第5偏向部材M5は第2偏向部材M2による光の偏向方向(+X方向)と同じ向き(+X方向)に第4偏向部材M4からの光を偏向し、第6偏向部材M6は第3偏向部材M3による光の偏向方向(−Z方向)と同じ向き(−Z方向)に第5偏向部材M5からの光を偏向している。しかしながら、中間結像光学系GMと第1結像光学系G1との間の光路中に配置される第1群の偏向部材、および中間結像光学系GMと第2結像光学系G2との間の光路中に配置される第2群の偏向部材の構成については、様々な形態が可能である。
例えば、正レンズ群Lpからの第1の光をシートSHの走査方向であるX方向へ偏向する第1偏向部材と、この第1偏向部材からの光をマスクMの走査方向であるY方向へ偏向する第2偏向部材と、この第2偏向部材からの光を中間結像光学系GMの光軸AXpに平行なZ方向へ偏向する第3偏向部材とにより、第1群の偏向部材を構成することもできる。同様に、正レンズ群Lpからの第2の光をX方向へ偏向する第4偏向部材と、この第4偏向部材からの光をY方向へ偏向する第5偏向部材と、この第5偏向部材からの光をZ方向へ偏向する第6偏向部材とにより、第2群の偏向部材を構成することもできる。
このように、正レンズ群Lpからの第1の光をY方向、X方向、およびZ方向の順に、あるいはX方向、Y方向、およびZ方向の順に偏向するように第1群の偏向部材を構成することにより、マスクMのパターン領域上の+Y方向に光学的に対応する第1投影像上の方向を−X方向に一致させることができる。同様に、正レンズ群Lpからの第2の光をY方向、X方向、およびZ方向の順に、あるいはX方向、Y方向、およびZ方向の順に偏向するように第2群の偏向部材を構成することにより、マスクMのパターン領域上の+Y方向に光学的に対応する第2投影像上の方向を+X方向に一致させることができる。
すなわち、正レンズ群Lpからの第1の光をX方向、Y方向、およびZ方向へ順次偏向するように第1群の偏向部材を構成し、正レンズ群Lpからの第2の光をX方向、Y方向、およびZ方向へ順次偏向するように第2群の偏向部材を構成することが可能である。ここで、「順次偏向する」とは、上記の記載順に限らず各方向に順次偏向することを意味しており、具体的には、X方向への偏向とY方向への偏向との順番を入れ換えてもよいことを意味している。したがって、第1群の偏向部材においてX方向(Y方向)、Y方向(X方向)、およびZ方向の順に偏向する構成と、第2群の偏向部材においてY方向(X方向)、X方向(Y方向)、およびZ方向の順に偏向する構成とを混在させることもできる。
また、例えば、第1偏向部材M1と第1中間像I1の形成位置との間の光路中に中間結像光学系GMの一部を構成するレンズを配置し、第4偏向部材M4と第2中間像I2の形成位置との間の光路中に中間結像光学系GMの一部を構成するレンズを配置する構成も可能である。この構成では、中間結像光学系GMの全体ではなく一部が第1結像系と第2結像系とに共通となる。
また、上述の実施形態では、照明光学系IL中のマスクブラインド23の作用により、マスクM上に形成される照明領域IRの形状を規定し、ひいてはシートSH上に形成される結像領域ER1,ER2の形状を規定している。しかしながら、マスクブラインド23に代えて、例えば第1中間像I1の形成位置またはその近傍に第1可変視野絞り(不図示)を配置し、第2中間像I2の形成位置またはその近傍に第2可変視野絞り(不図示)を配置する構成も可能である。
この場合、第1可変視野絞りと第2可変視野絞りとにより、投影光学系PLのマスク側投影視野の形状が規定されることになり、このマスク側投影視野はマスクM上に形成される照明領域IRと必ずしも一致しない。例えば、照明領域IRは、所要のマージン領域を確保してマスク側投影視野を包含する形状に設定される。そして、第1可変視野絞りにより、投影光学系PLのシート側の第1投影視野である第1結像領域ER1が、マスク側投影視野と光学的に共役な領域として規定される。同様に、第2可変視野絞りにより、投影光学系PLのシート側の第2投影視野である第2結像領域ER2が、マスク側投影視野と光学的に共役な領域として規定される。
また、マスクブラインド23に加えて、例えば第1中間像I1の形成位置またはその近傍に第1可変視野絞りを配置し、第2中間像I2の形成位置またはその近傍に第2可変視野絞りを配置する構成も可能である。第1可変視野絞りおよび第2可変視野絞りを配置する構成では、上述のシャッターの配置が不要になり、第1可変視野絞りおよび第2可変視野絞りの開口部の開閉動作によりシャッター機能を果たすことができる。
また、上述の実施形態では、マスクMの走査方向(Y方向)とシートSHの走査方向(X方向)とが直交している。しかしながら、マスクの走査方向と基板の走査方向とは直交する必要はなく、投影光学系の構成に応じて様々な形態が可能である。
また、上述の実施形態では、第1直進経路SCaと第2直進経路SCbとが互いに平行に設けられ、ひいては帯状のシートSHが第1直進経路SCaに沿って移動する向き(−X方向)と第2直進経路SCbに沿って移動する向き(+X方向)とが反対になっている。しかしながら、第1直進経路と第2直進経路とは厳密に平行である必要はなく、したがって帯状の感光性基板の第1部分の移動方向と第2部分の移動方向とは厳密に反対向きである必要はない。
また、上述の実施形態では、可撓性を有する帯状の感光性基板の第1部分への走査露光と第2部分への走査露光とを同時に行う露光装置に本発明を適用している。しかしながら、これに限定されることなく、第1方向に沿って第1の向きに移動する第1基板への走査露光と、第1方向に沿って第1の向きとは反対の第2の向きに移動する第2基板への走査露光とを同時に行う露光装置にも同様に、本発明を適用することができる。この場合、移動機構は、第2基板を第1基板から第1方向と交差する方向に間隔を隔てて第2の向きに移動させることになる。なお、第1基板および第2基板は、可撓性を有する任意形状の基板であっても良いし、可撓性を有しない任意形状の基板であっても良い。
また、上述の実施形態では、拡大倍率を有する投影光学系PLを搭載した露光装置に本発明を適用している。しかしながら、これに限定されることなく、例えば等倍の投影光学系または縮小倍率を有する投影光学系を備えた露光装置にも同様に本発明を適用することができる。
上述の実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
上述の実施形態にかかる露光装置を用いて、半導体デバイス、液晶デバイスなどを製造することができる。図12は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図12に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウェハに金属膜を蒸着し(ステップS40)、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布する(ステップS42)。つづいて、上述の実施形態の露光装置を用い、マスクMに形成されたパターンをウェハ上の各ショット領域に転写し(ステップS44:露光工程)、この転写が終了したウェハの現像、つまりパターンが転写されたフォトレジストの現像を行う(ステップS46:現像工程)。
その後、ステップS46によってウェハの表面に生成されたレジストパターンをウェハ加工用のマスクとし、ウェハの表面に対してエッチング等の加工を行う(ステップS48:加工工程)。ここで、レジストパターンとは、上述の実施形態の露光装置によって転写されたパターンに対応する形状の凹凸が生成されたフォトレジスト層(転写パターン層)であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップS48では、このレジストパターンを介してウェハの表面の加工を行う。ステップS48で行われる加工には、例えばウェハの表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップS44では、上述の実施形態の露光装置は、フォトレジストが塗布されたウェハを感光性基板としてパターンの転写を行う。
図13は、液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図13に示すように、液晶デバイスの製造工程では、パターン形成工程(ステップS50)、カラーフィルタ形成工程(ステップS52)、セル組立工程(ステップS54)およびモジュール組立工程(ステップS56)を順次行う。ステップS50のパターン形成工程では、感光性基板としてフォトレジストが塗布されたガラス基板上に、上述の実施形態の露光装置を用いて回路パターンおよび電極パターン等の所定のパターンを形成する。このパターン形成工程には、上述の実施形態の露光装置を用いてフォトレジスト層にパターンを転写する露光工程と、パターンが転写された感光性基板の現像、つまりガラス基板上のフォトレジスト層の現像を行い、パターンに対応する形状のフォトレジスト層(転写パターン層)を生成する現像工程と、この現像されたフォトレジスト層を介してガラス基板の表面を加工する加工工程とが含まれている。
ステップS52のカラーフィルタ形成工程では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応する3つのドットの組をマトリックス状に多数配列するか、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を水平走査方向に複数配列したカラーフィルタを形成する。ステップS54のセル組立工程では、ステップS50によって所定パターンが形成されたガラス基板と、ステップS52によって形成されたカラーフィルタとを用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。具体的には、例えばガラス基板とカラーフィルタとの間に液晶を注入することで液晶パネルを形成する。ステップS56のモジュール組立工程では、ステップS54によって組み立てられた液晶パネルに対し、この液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路およびバックライト等の各種部品を取り付ける。
また、本発明は、半導体デバイスまたは液晶デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、プラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程(露光装置)にも適用することができる。
10,11,12,13,14 分割反射部
21 フライアイレンズ
23 マスクブラインド
LS 光源
IL 照明光学系
IR 照明領域
ER1,ER2 結像領域
M マスク
MS マスクステージ
PL 投影光学系
GM,G1,G2 結像光学系
SH 帯状のシート
SC 移動機構
DR 駆動系
CR 主制御系

Claims (29)

  1. 感光性を有する第1基板を第1方向に沿って第1の向きに移動させ、且つ感光性を有する第2基板を前記第1方向に沿って前記第1の向きとは反対の第2の向きに移動させる移動機構と、
    パターンを有するマスクを保持し、前記第1基板および前記第2基板の前記第1方向への移動に同期して、第2方向に沿って第3の向きに移動するステージ機構と、
    前記パターンを介した光を受光し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第1基板上の前記第1の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第1投影像を前記第1基板上に形成し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第2基板上の前記第2の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第2投影像を前記第2基板上に形成する投影光学系と、を備えることを特徴とする露光装置。
  2. 感光性を有する帯状の基板の第1部分を第1方向に沿って第1の向きに移動させ、且つ前記基板の第2部分を前記第1方向に沿って前記第1の向きと反対の第2の向きに移動させる移動機構と、
    パターンを有するマスクを保持し、前記第1部分および前記第2部分の前記第1方向への移動に同期して、第2方向に沿って第3の向きに移動するステージ機構と、
    前記パターンを介した光を受光し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第1部分上の前記第1の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第1投影像を前記第1部分上に形成し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第2部分上の前記第2の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第2投影像を前記第2部分上に形成する投影光学系と、を備えることを特徴とする露光装置。
  3. 前記第1方向と前記第2方向とは直交していることを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
  4. 前記第1投影像と前記第2投影像とは前記第1方向と直交する方向に整列して形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光装置。
  5. 前記投影光学系は、前記パターンの第1中間像および第2中間像を形成する中間結像光学系と、前記第1中間像と前記第1投影像とを光学的に共役にする第1結像光学系と、前記第2中間像と前記第2投影像とを光学的に共役にする第2結像光学系と、を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。
  6. 前記中間結像光学系は、前記パターンからの光が入射するレンズ群と、前記レンズ群からの光を該レンズ群の光軸を挟んで互いに異なる方向に進む第1の光と第2の光とに分割し且つ前記第1の光および前記第2の光を前記レンズ群に向けて反射する分割反射部と、を有することを特徴とする請求項5に記載の露光装置。
  7. 前記分割反射部は、前記レンズ群の後側焦点位置またはその近傍に配置され、前記レンズ群から入射した光を第4の向きに反射して前記第1の光を生成する複数の第1反射部および第5の向きに反射して前記第2の光を生成する複数の第2反射部を有することを特徴とする請求項6に記載の露光装置。
  8. 前記第1反射部と前記第2反射部とは、前記第2方向に沿って交互に設けられていることを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
  9. 前記複数の第1反射部および前記複数の第2反射部は、二次元的に配列されて個別に姿勢変化可能な複数のミラー要素を有することを特徴とする請求項7または8に記載の露光装置。
  10. 前記ステージ機構に保持された前記マスクのパターンに光を照射する照明光学系を備え、
    前記照明光学系は、前記分割反射部の位置と光学的に共役な位置に、前記複数の第1反射部および前記複数の第2反射部の配置に対応させて複数の光源を形成することを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の露光装置。
  11. 前記分割反射部は、前記レンズ群からの光を前記第1の光と前記第2の光とに分割する分割部と、前記レンズ群の後側焦点位置またはその近傍に配置され、前記分割部からの光を反射して該分割部を介して前記レンズ群に再入射させる反射部と、を有することを特徴とする請求項6に記載の露光装置。
  12. 前記分割部は、偏光ビームスプリッターを有し、
    前記反射部は、前記偏光ビームスプリッターを透過して生成された前記第1の光を前記偏光ビームスプリッターに向けて反射する第1反射部材と、前記偏光ビームスプリッターを反射して生成された前記第2の光を前記偏光ビームスプリッターに向けて反射する第2反射部材と、を有することを特徴とする請求項11に記載の露光装置。
  13. 前記分割反射部は、前記レンズ群の後側焦点位置またはその近傍に配置され、前記レンズ群から入射した光に基づいて前記第1の光としての+1次回折光と前記第2の光としての−1次回折光とを発生させる回折光学面を有することを特徴とする請求項6に記載の露光装置。
  14. 前記投影光学系は、前記第1の光を前記第1方向、前記第2方向、および前記中間結像光学系の光軸に平行な方向へ順次偏向する第1群の偏向部材と、前記第2の光を前記第1方向、前記第2方向、および前記中間結像光学系の光軸に平行な方向へ順次偏向する第2群の偏向部材と、を有することを特徴とする請求項6〜13のいずれか1項に記載の露光装置。
  15. 前記投影光学系は、前記中間結像光学系と前記第1結像光学系との間の光路中に配置された第1群の偏向部材と、前記中間結像光学系と前記第2結像光学系との間の光路中に配置された第2群の偏向部材と、を有することを特徴とする請求項6〜13のいずれか1項に記載の露光装置。
  16. 前記第1群の偏向部材は、前記第1の光を前記第2方向へ偏向する第1偏向部材と、該第1偏向部材からの前記第1の光を前記第1方向へ偏向する第2偏向部材と、該第2偏向部材からの前記第1の光を前記中間結像光学系の光軸に平行な方向へ偏向する第3偏向部材と、を有することを特徴とする請求項14または15に記載の露光装置。
  17. 前記第1群の偏向部材は、前記第1の光を前記第1方向へ偏向する第1偏向部材と、該第1偏向部材からの前記第1の光を前記第2方向へ偏向する第2偏向部材と、該第2偏向部材からの前記第1の光を前記中間結像光学系の光軸に平行な方向へ偏向する第3偏向部材と、を有することを特徴とする請求項14または15に記載の露光装置。
  18. 前記第2群の偏向部材は、前記第2の光を前記第2方向へ偏向する第4偏向部材と、該第4偏向部材からの前記第2の光を前記第1方向へ偏向する第5偏向部材と、該第5偏向部材からの前記第2の光を前記中間結像光学系の光軸に平行な方向へ偏向する第6偏向部材と、を有することを特徴とする請求項14〜17のいずれか1項に記載の露光装置。
  19. 前記第2群の偏向部材は、前記第2の光を前記第1方向へ偏向する第4偏向部材と、該第4偏向部材からの前記第2の光を前記第2方向へ偏向する第5偏向部材と、該第5偏向部材からの前記第2の光を前記中間結像光学系の光軸に平行な方向へ偏向する第6偏向部材と、を有することを特徴とする請求項14〜17のいずれか1項に記載の露光装置。
  20. 前記第2群の偏向部材は、前記第1偏向部材による前記第1の光の偏向方向と逆向きに前記第2の光を偏向する第4偏向部材と、前記第2偏向部材による前記第1の光の偏向方向と同じ向きに前記第4偏向部材からの前記第2の光を偏向する第5偏向部材と、前記第3偏向部材による前記第1の光の偏向方向と同じ向きに前記第5偏向部材からの前記第2の光を偏向する第6偏向部材と、を有することを特徴とする請求項16または17に記載の露光装置。
  21. 前記第1偏向部材は、前記中間結像光学系と前記第1中間像の形成位置との間の光路中に配置され、前記第2偏向部材は、前記第1中間像の形成位置と前記第1結像光学系との間の光路中に配置され、前記第3偏向部材は、前記第2偏向部材と前記第1結像光学系との間の光路中に配置されることを特徴とする請求項16または17に記載の露光装置。
  22. 前記第4偏向部材は、前記中間結像光学系と前記第2中間像の形成位置との間の光路中に配置され、前記第5偏向部材は、前記第2中間像の形成位置と前記第2結像光学系との間の光路中に配置され、前記第6偏向部材は、前記第5偏向部材と前記第2結像光学系との間の光路中に配置されることを特徴とする請求項18〜20のいずれか1項に記載の露光装置。
  23. 感光性を有する第1基板を第1方向に沿って第1の向きに移動させ、且つ感光性を有する第2基板を前記第1方向に沿って前記第1の向きとは反対の第2の向きに移動させる工程と、
    前記第1基板および前記第2基板の前記第1方向への移動に同期して、パターンを有するマスクを第2方向に沿って第3の向きに移動させる工程と、
    前記パターンからの光を受光し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第1基板上の前記第1の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第1投影像を前記第1基板上に形成し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第2基板上の前記第2の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第2投影像を前記第2基板上に形成する工程と、を含むことを特徴とする露光方法。
  24. 感光性を有する帯状の基板の第1部分を第1方向に沿って第1の向きに移動させ、且つ前記基板の第2部分を前記第1方向に沿って前記第1の向きと反対の第2の向きに移動させる工程と、
    前記第1部分および前記第2部分の前記第1方向への移動に同期して、パターンを有するマスクを第2方向に沿って第3の向きに移動させる工程と、
    前記パターンからの光を受光し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第1部分上の前記第1の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第1投影像を前記第1部分上に形成する工程と、
    前記パターンからの光を受光し、前記マスク上の前記第3の向きと前記第2部分上の前記第2の向きとが光学的に対応するように前記パターンの第2投影像を前記第2部分上に形成する工程と、を含むことを特徴とする露光方法。
  25. 前記第1投影像を形成する工程および前記第2投影像を形成する工程は、前記マスクが前記第3の向きに移動される期間にそれぞれ前記第1投影像および前記第2投影像を形成することを特徴とする請求項24に記載の露光方法。
  26. 前記第2投影像を形成する工程は、前記基板の前記第2部分のうち前記第1投影像が形成されていない領域に前記第2投影像を形成することを特徴とする請求項24または25に記載の露光方法。
  27. 前記第1部分および前記第2部分を移動させる工程は、前記第1部分および前記第2部分を継続的に前記第1方向に沿って移動させ、
    前記マスクを移動させる工程は、前記マスクを前記第2方向に沿って複数回往復移動させることを特徴とする請求項24〜26のいずれか1項に記載の露光方法。
  28. 前記第1方向と前記第2方向とは直交していることを特徴とする請求項23〜27のいずれか1項に記載の露光方法。
  29. 請求項1〜22のいずれか1項に記載の露光装置を用いて、前記パターンを基板に転写する工程と、
    前記パターンが転写された前記基板を現像し、前記パターンに対応する形状の転写パターン層を前記基板に形成する工程と、
    前記転写パターン層を介して前記基板を加工する工程と、
    を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010266763A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 San Ei Giken Inc 露光装置
JP2017215535A (ja) * 2016-06-01 2017-12-07 株式会社オーク製作所 露光装置
KR20180033595A (ko) 2012-09-14 2018-04-03 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 장치 및 디바이스 제조 방법

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9348462B2 (en) * 2012-06-13 2016-05-24 Maxim Integrated Products, Inc. Gesture detection and recognition based upon measurement and tracking of light intensity ratios within an array of photodetectors
KR101914895B1 (ko) * 2012-07-13 2018-11-02 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법
CN104885012B (zh) * 2012-11-06 2017-07-28 株式会社尼康 偏振光分束器、基板处理装置、器件制造系统及器件制造方法
KR102178173B1 (ko) * 2013-06-14 2020-11-12 가부시키가이샤 니콘 주사 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
EP3061120A4 (en) * 2013-10-22 2017-06-28 Applied Materials, Inc. Roll to roll mask-less lithography with active alignment
CN110488576B (zh) * 2014-09-04 2023-05-16 株式会社尼康 处理系统
GB2530768B (en) * 2014-10-01 2019-07-17 Kratos Analytical Ltd Method and apparatuses relating to cleaning an ion source
KR102206992B1 (ko) * 2015-02-27 2021-01-25 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 장치, 디바이스 제조 방법
CN109031899A (zh) * 2018-09-29 2018-12-18 苏州源卓光电科技有限公司 一种高分辨率高效率投影光刻成像系统及曝光方法
DE102022200539A1 (de) 2022-01-18 2022-11-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für die Projektionslithographie

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000214595A (ja) * 1999-01-25 2000-08-04 Ushio Inc 帯状ワ―クの露光装置
JP2003218026A (ja) * 2001-12-28 2003-07-31 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2007114385A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Mejiro Precision:Kk 投影露光装置及びその投影露光方法
JP2007235041A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2009276522A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 画像記録装置
JP2010176121A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP5397748B2 (ja) * 2009-02-25 2014-01-22 株式会社ニコン 露光装置、走査露光方法、およびデバイス製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5652645A (en) * 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
RU2084941C1 (ru) 1996-05-06 1997-07-20 Йелстаун Корпорейшн Н.В. Адаптивный оптический модуль
US5923403A (en) * 1997-07-08 1999-07-13 Anvik Corporation Simultaneous, two-sided projection lithography system
TW448487B (en) * 1997-11-22 2001-08-01 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device
JP4307813B2 (ja) 2001-11-14 2009-08-05 株式会社リコー 光偏向方法並びに光偏向装置及びその光偏向装置の製造方法並びにその光偏向装置を具備する光情報処理装置及び画像形成装置及び画像投影表示装置及び光伝送装置
US6900915B2 (en) * 2001-11-14 2005-05-31 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
KR100545297B1 (ko) * 2002-06-12 2006-01-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
CA2522790C (en) 2003-04-24 2013-12-03 Metconnex Canada Inc. A micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
US7095546B2 (en) * 2003-04-24 2006-08-22 Metconnex Canada Inc. Micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
US7292308B2 (en) * 2004-03-23 2007-11-06 Asml Holding N.V. System and method for patterning a flexible substrate in a lithography tool
CN100339754C (zh) * 2004-04-28 2007-09-26 友达光电股份有限公司 应用于反射式平面显示器的反射电极的制作方法及光罩
JP4335114B2 (ja) 2004-10-18 2009-09-30 日本碍子株式会社 マイクロミラーデバイス
CN101069267A (zh) * 2005-02-03 2007-11-07 株式会社尼康 光学积分器、照明光学装置、曝光装置以及曝光方法
US7738081B2 (en) * 2005-05-06 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a flat panel display handler with conveyor device and substrate handler
EP1986224A4 (en) 2006-02-16 2012-01-25 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000214595A (ja) * 1999-01-25 2000-08-04 Ushio Inc 帯状ワ―クの露光装置
JP2003218026A (ja) * 2001-12-28 2003-07-31 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2007114385A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Mejiro Precision:Kk 投影露光装置及びその投影露光方法
JP2007235041A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2009276522A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 画像記録装置
JP2010176121A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP5397748B2 (ja) * 2009-02-25 2014-01-22 株式会社ニコン 露光装置、走査露光方法、およびデバイス製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010266763A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 San Ei Giken Inc 露光装置
KR20180033595A (ko) 2012-09-14 2018-04-03 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20180127548A (ko) 2012-09-14 2018-11-28 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2017215535A (ja) * 2016-06-01 2017-12-07 株式会社オーク製作所 露光装置

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