JP2010266763A - 露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光装置は、互いに隣接して且つ平行に配置された一対の露光ユニット1,2と、該一対の露光ユニット1,2のそれぞれが共用する光源手段3と、を含む。露光ユニット1,2の各々は、帯状基板4をその長手方向に沿って間欠的に送るための搬送機構5,6,7,8と、帯状基板4の搬送経路に配置された露光部9にして、少なくとも一つのフォトマスク10を有する露光部9と、を備える。光源手段3は、フォトマスク10に描かれたパターンを帯状基板4の露光面に転写するために、一対の露光ユニット1,2におけるそれぞれの露光部9へと交互に光を照射可能となされている。
【選択図】 図1
Description
表面に感光層が形成された露光面を少なくとも片面に有するフレキシブルな帯状基板を所定長さ領域ごとに露光するための露光装置であって、
互いに隣接して且つ平行に配置された一対の露光ユニットと、該一対の露光ユニットのそれぞれが共用する光源手段と、を含み、
前記一対の露光ユニットの各々が、前記帯状基板をその長手方向に沿って間欠的に送るための搬送機構と、前記帯状基板の搬送経路に配置された露光部にして、前記露光面に対して近接または離反可能なように設けられた少なくとも一つのフォトマスクを有する露光部と、を備えており、
前記光源手段が、前記フォトマスクに描かれたパターンを前記帯状基板の前記露光面に転写するために、前記一対の露光ユニットにおけるそれぞれの前記露光部へと交互に光を照射可能となされている、
露光装置が提供される。
前記光源は、前記一対の反射鏡のそれぞれに交互に光を投射するよう照射角度を変更可能なものとすることができる。
これら一対のフォトマスクは、互いに対向する位置に位置合わせ用マークを有しており、
該位置合わせ用マークを読み取るための少なくとも1つのCCDカメラと、該CCDカメラによる前記位置合わせ用マークの読み取りデータに基づいて前記一対のフォトマスクのうち少なくとも一方をその面内でX、Y、θ方向に移動させて位置合わせを行うための移動機構と、をさらに備えることができる。
駆動装置7は駆動ローラ7aを備える。駆動ローラ7aは、繰り出し用リール5に巻かれた帯状基板4を所定長さ分ずつ間欠的に引き出す。図示実施形態では、帯状基板4の搬送経路が途中で垂直になっている。別の実施形態においては、帯状基板4の搬送経路が垂直経路を有しなくてもよい。
Claims (9)
- 表面に感光層が形成された露光面を少なくとも片面に有するフレキシブルな帯状基板を所定長さ領域ごとに露光するための露光装置であって、
互いに隣接して且つ平行に配置された一対の露光ユニットと、該一対の露光ユニットのそれぞれが共用する光源手段と、を含み、
前記一対の露光ユニットの各々が、前記帯状基板をその長手方向に沿って間欠的に送るための搬送機構と、前記帯状基板の搬送経路に配置された露光部にして、前記露光面に対して近接または離反可能なように設けられた少なくとも一つのフォトマスクを有する露光部と、を備えており、
前記光源手段が、前記フォトマスクに描かれたパターンを前記帯状基板の前記露光面に転写するために、前記一対の露光ユニットにおけるそれぞれの前記露光部へと交互に光を照射可能となされている、
露光装置。 - 前記光源手段が、前記一対の露光ユニットにおけるそれぞれの前記露光部へと光を照射可能な位置に移動可能となされている、
請求項1に記載の露光装置。 - 前記光源手段が、複数の発光素子からなる走査型光源を含む、請求項2に記載の露光装置。
- 前記発光素子が半導体発光素子である、請求項3に記載の露光装置。
- 前記光源手段が、光源と、前記一対の露光ユニットにそれぞれ設けられた一対の反射鏡と、を備えており、
前記光源が、前記一対の反射鏡のそれぞれに交互に光を投射するよう照射角度を変更可能とされている、
請求項1に記載の露光装置。 - 前記露光部における前記帯状基板の搬送経路が垂直である、請求項1ないし5のいずれかに記載の露光装置。
- 前記フォトマスクが、垂直状態の前記帯状基板の両側に一つずつ配置されており、
これら一対のフォトマスクは、互いに対向する位置に位置合わせ用マークを有しており、
該位置合わせ用マークを読み取るための少なくとも1つのCCDカメラと、該CCDカメラによる前記位置合わせ用マークの読み取りデータに基づいて前記一対のフォトマスクのうち少なくとも一方をその面内でX、Y、θ方向に移動させて位置合わせを行うための移動機構と、をさらに備える、
請求項6に記載の露光装置。 - 前記帯状基板と前記フォトマスクとの位置合わせを行うために、前記フォトマスクに設けられた位置合わせ用マークと位置合わせ可能な位置合わせ用マークが前記帯状基板に形成されている、請求項7に記載の露光装置。
- 前記帯状基板に形成される前記位置合わせ用マークが、前記帯状基板の側縁にとって代わられている、請求項8に記載の露光装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019174755A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102402131A (zh) * | 2011-11-11 | 2012-04-04 | 深南电路有限公司 | 一种曝光系统 |
US8802333B2 (en) | 2012-03-15 | 2014-08-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reflective lithography masks and systems and methods |
DE102012108211A1 (de) * | 2012-09-04 | 2014-03-06 | Kleo Halbleitertechnik Gmbh | Belichtungsanlage |
KR101510156B1 (ko) * | 2014-11-10 | 2015-04-08 | (주)프리테크 | 리드프레임 제조용 노광장치 |
CN108351597B (zh) * | 2015-09-01 | 2021-02-09 | 株式会社尼康 | 光罩保持装置、曝光装置、平板显示器的制造方法、器件制造方法、光罩的保持方法以及曝光方法 |
CN112188747B (zh) * | 2020-10-13 | 2021-09-07 | 合肥泽延微电子有限公司 | 一种集成电路板布线用智能定位系统 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59121048A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-12 | Ibiden Co Ltd | プリント配線基板の製造装置 |
JPS6321649A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-29 | Sanee Giken Kk | 露光装置 |
JPH0843950A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Orc Mfg Co Ltd | マスク整合機構付露光装置およびワークの整合、露光、ならびに搬送方法。 |
JP2003207902A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Pentax Corp | 露光装置 |
JP2004094142A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-03-25 | Toray Eng Co Ltd | 幅広露光機 |
JP2004347964A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Ushio Inc | 帯状ワークの両面投影露光装置 |
JP2005326550A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Sanee Giken Kk | 露光装置 |
JP2006098718A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 描画装置 |
JP2006301170A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Fujikura Ltd | 露光装置およびその方法 |
JP2007102200A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | パターン露光方法及び装置 |
JP2007272046A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 露光方法及び装置 |
JP2010217877A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2891769B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1999-05-17 | ウシオ電機株式会社 | フィルム露光装置 |
JP2000066418A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-03-03 | Ono Sokki Co Ltd | 露光装置及び露光方法 |
JP2000114159A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-21 | Canon Inc | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2007292933A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Nsk Ltd | 露光装置 |
TW200745781A (en) * | 2006-04-24 | 2007-12-16 | Nsk Ltd | Exposure apparatus |
-
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59121048A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-12 | Ibiden Co Ltd | プリント配線基板の製造装置 |
JPS6321649A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-29 | Sanee Giken Kk | 露光装置 |
JPH0843950A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Orc Mfg Co Ltd | マスク整合機構付露光装置およびワークの整合、露光、ならびに搬送方法。 |
JP2003207902A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Pentax Corp | 露光装置 |
JP2004094142A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-03-25 | Toray Eng Co Ltd | 幅広露光機 |
JP2004347964A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Ushio Inc | 帯状ワークの両面投影露光装置 |
JP2005326550A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Sanee Giken Kk | 露光装置 |
JP2006098718A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 描画装置 |
JP2006301170A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Fujikura Ltd | 露光装置およびその方法 |
JP2007102200A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | パターン露光方法及び装置 |
JP2007272046A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 露光方法及び装置 |
JP2010217877A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019174755A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置 |
JP7040981B2 (ja) | 2018-03-29 | 2022-03-23 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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KR101635962B1 (ko) | 2016-07-04 |
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CN101887217A (zh) | 2010-11-17 |
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