JPH0357209A - 縮小投影型露光装置 - Google Patents
縮小投影型露光装置Info
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- JPH0357209A JPH0357209A JP1193033A JP19303389A JPH0357209A JP H0357209 A JPH0357209 A JP H0357209A JP 1193033 A JP1193033 A JP 1193033A JP 19303389 A JP19303389 A JP 19303389A JP H0357209 A JPH0357209 A JP H0357209A
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- JP
- Japan
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- reduction
- area
- exposure
- projection type
- optical system
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- Pending
Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 11
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70458—Mix-and-match, i.e. multiple exposures of the same area using a similar type of exposure apparatus, e.g. multiple exposures using a UV apparatus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、大面積回路素子、特に、周辺駆動回路部と大
面積画素部とを一体形戒した映像表示装置用大面積回路
素子などを製造する際に用いられる縮小投影型露光装置
に関するものである。
面積画素部とを一体形戒した映像表示装置用大面積回路
素子などを製造する際に用いられる縮小投影型露光装置
に関するものである。
薄型映像表示装置などへの応用を目的として、大面積回
路素子の研究開発が盛んである。従来、大面積回路素子
を製造する際には、大面積基板露光用に開発されたレン
ズ・フィールド面積が広いステップ・アンド・リピート
縮小投影型露光装置が用いられてきた。しかし、縮小投
影型露光装置ではレンズ・フィールド面積を広くすると
露光パターンの解像度が低下する性質を有している。そ
のため、周辺駆動回路部と大面積画素部とを一体形成し
た映像表示装置用高性能大面積回路素子などの製造に必
要な、高解像度と広いレンズ・フィールド面積を現在の
レンズ加工技術や光源技術を用いて両立させることは不
可能である。周辺駆動回路部と大面積画素部とを一体形
成した映像表示装置用高性能大面積回路素子は、その画
素部では高いパターン解像度は必要ないもののその面積
が広く、反対に、その周辺駆動回路部では面積は少ない
ものの高い解像度が必要であるという相反した性質を持
っている。従来、そのような大面積回路素子のフォトレ
ジスト露光工程には、周辺駆動回路の形成に充分な高解
像度を持った、レンズ・フィールド面積の小さい縮小投
影型露光装置を用いた分割露光が行なわれてきた。第２
図は従来の縮小投影型露光装置を示している。光源と、
転写パターンが形戒されたレチクルと、縮小レンズを備
えた縮小露光光学系４の結像位置に、レーザー干渉計と
動的焦点合わせ機構付の基板チャック（試料保持部〉３
を備えている。第３図は周辺駆動回路部５と大面積画素
部（再素アレイ部）６とを一体形成した映像表示装置用
高性能大面積回路素子３を露光した例を示している。５
は周辺駆動回路部、６は画素アレイ部、７は映像表示装
置用大面積回路素子である。縮小露光光学４はレンズフ
ィールド面Ｎ ４ ０ ０ ＋ｎｎｔ パターン解像
度１．５μｍの露光能力を有しているとする。その場合
、例えば回路全体の面積が４ ０ ０ ｃｎ（で、その
１０％が周辺駆動回路部、９０％が画素アレイ部である
とし、一回の分割露光に０．５秒かかる場合には、基板
全体を露光するには５０秒かかる。
路素子の研究開発が盛んである。従来、大面積回路素子
を製造する際には、大面積基板露光用に開発されたレン
ズ・フィールド面積が広いステップ・アンド・リピート
縮小投影型露光装置が用いられてきた。しかし、縮小投
影型露光装置ではレンズ・フィールド面積を広くすると
露光パターンの解像度が低下する性質を有している。そ
のため、周辺駆動回路部と大面積画素部とを一体形成し
た映像表示装置用高性能大面積回路素子などの製造に必
要な、高解像度と広いレンズ・フィールド面積を現在の
レンズ加工技術や光源技術を用いて両立させることは不
可能である。周辺駆動回路部と大面積画素部とを一体形
成した映像表示装置用高性能大面積回路素子は、その画
素部では高いパターン解像度は必要ないもののその面積
が広く、反対に、その周辺駆動回路部では面積は少ない
ものの高い解像度が必要であるという相反した性質を持
っている。従来、そのような大面積回路素子のフォトレ
ジスト露光工程には、周辺駆動回路の形成に充分な高解
像度を持った、レンズ・フィールド面積の小さい縮小投
影型露光装置を用いた分割露光が行なわれてきた。第２
図は従来の縮小投影型露光装置を示している。光源と、
転写パターンが形戒されたレチクルと、縮小レンズを備
えた縮小露光光学系４の結像位置に、レーザー干渉計と
動的焦点合わせ機構付の基板チャック（試料保持部〉３
を備えている。第３図は周辺駆動回路部５と大面積画素
部（再素アレイ部）６とを一体形成した映像表示装置用
高性能大面積回路素子３を露光した例を示している。５
は周辺駆動回路部、６は画素アレイ部、７は映像表示装
置用大面積回路素子である。縮小露光光学４はレンズフ
ィールド面Ｎ ４ ０ ０ ＋ｎｎｔ パターン解像
度１．５μｍの露光能力を有しているとする。その場合
、例えば回路全体の面積が４ ０ ０ ｃｎ（で、その
１０％が周辺駆動回路部、９０％が画素アレイ部である
とし、一回の分割露光に０．５秒かかる場合には、基板
全体を露光するには５０秒かかる。
そのために、従来の露光装置では大面積回路素子のフォ
トレジスト露光工程に長時間を要していた。
トレジスト露光工程に長時間を要していた。
本発明は、周辺駆動回路部と大面積画餅部とを一体形成
した映像表示装置用高性能大面積回路素子などのフォト
レジスト露光工程を短時間で行なうことを可能にする縮
小投影型露光装置を提供することを目的とする。
した映像表示装置用高性能大面積回路素子などのフォト
レジスト露光工程を短時間で行なうことを可能にする縮
小投影型露光装置を提供することを目的とする。
上記した問題点を解決するため、本発明では、解像度の
異なった複数の露光用光学系を備えたことをｆ！ｆ像と
する縮小投影型露光装置とする。
異なった複数の露光用光学系を備えたことをｆ！ｆ像と
する縮小投影型露光装置とする。
第１図は本発明による縮小投影型露光装置の実施例を示
したものである。１は第ｌの縮小露光光学系、２は第２
の縮小露光光学系で各縮小露光光学系は光源と、転写パ
ターンが形成されたレチクルと、縮小レンズを備えてお
り、各々、解像度、レンズ・フィールド面積が異なって
いる。３はレーザー干渉系と動的焦点合わせ機構付の基
板チャックで、各縮小露光光学系１，２の結像位置に移
動できる楕或になっている。ここで、例えば第１の縮小
露光光学系としてレンズ・フィールド面積４００ｍ＋Ｉ
ｌ−パターン解像度１．５μｍ、第２の縮小露光光学系
としてレンズ・フィールド面積６４００＋ｎｎｌパター
ン解像度４μｍを設置する．従来例で露光時間を計算し
た第３図に示した基板を考え、一つの分割露光に要する
時間は１と２の露光光学系で同じで０．５秒であるとす
ると、本発明では８秒で面積４００ｃｎｌの基板全体を
露光できる。
したものである。１は第ｌの縮小露光光学系、２は第２
の縮小露光光学系で各縮小露光光学系は光源と、転写パ
ターンが形成されたレチクルと、縮小レンズを備えてお
り、各々、解像度、レンズ・フィールド面積が異なって
いる。３はレーザー干渉系と動的焦点合わせ機構付の基
板チャックで、各縮小露光光学系１，２の結像位置に移
動できる楕或になっている。ここで、例えば第１の縮小
露光光学系としてレンズ・フィールド面積４００ｍ＋Ｉ
ｌ−パターン解像度１．５μｍ、第２の縮小露光光学系
としてレンズ・フィールド面積６４００＋ｎｎｌパター
ン解像度４μｍを設置する．従来例で露光時間を計算し
た第３図に示した基板を考え、一つの分割露光に要する
時間は１と２の露光光学系で同じで０．５秒であるとす
ると、本発明では８秒で面積４００ｃｎｌの基板全体を
露光できる。
本発明による縮小投影型露光装置を使えば、周辺駆動回
路部と大面積画素部とを一体形成した映像表示装置用高
性能大面積回路素子などを短時間で露光する事が可能に
なるから、高価格の縮小投影型露光装置のスループット
をあげることができる。そのため、低価格で高性能の大
面積回路素子を製造することが可能になる。
路部と大面積画素部とを一体形成した映像表示装置用高
性能大面積回路素子などを短時間で露光する事が可能に
なるから、高価格の縮小投影型露光装置のスループット
をあげることができる。そのため、低価格で高性能の大
面積回路素子を製造することが可能になる。
第１図は本発明による縮小投影型露光装置の実施例を示
す図、第２図は従来例を示す図である。 第３図は映像表示装置用大面積回路素子の例を示す図で
ある。 １・・・第１の縮小露光光学、２・・・第２の縮小露光
光学系、３・・・基板チャック、４・・・縮小露光光学
系、５・・・周辺駆動回路部第、６・・・画素アレイ部
，７・・・映像表示装置用大面積回路素子。
す図、第２図は従来例を示す図である。 第３図は映像表示装置用大面積回路素子の例を示す図で
ある。 １・・・第１の縮小露光光学、２・・・第２の縮小露光
光学系、３・・・基板チャック、４・・・縮小露光光学
系、５・・・周辺駆動回路部第、６・・・画素アレイ部
，７・・・映像表示装置用大面積回路素子。
Claims (1)
- 光源と集束光学系を少くとも有する露光用光学系と、試
料保持部とを少くとも備えている縮小投影型露光装置に
おいて、解像度の異なった複数の露光用光学系を備えた
ことを特徴とする縮小投影型露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193033A JPH0357209A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 縮小投影型露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193033A JPH0357209A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 縮小投影型露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0357209A true JPH0357209A (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=16301050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1193033A Pending JPH0357209A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 縮小投影型露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0357209A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09306826A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 露光装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6473616A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP1193033A patent/JPH0357209A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6473616A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09306826A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 露光装置 |
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