JPS62122126A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPS62122126A JPS62122126A JP60261669A JP26166985A JPS62122126A JP S62122126 A JPS62122126 A JP S62122126A JP 60261669 A JP60261669 A JP 60261669A JP 26166985 A JP26166985 A JP 26166985A JP S62122126 A JPS62122126 A JP S62122126A
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- mask
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70791—Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、集積回路に代表される固体電子デバイスを製
造する際に固体電子デバイスの基板にパターンを形成す
るための露光方法に関するものである。
造する際に固体電子デバイスの基板にパターンを形成す
るための露光方法に関するものである。
集積回路に代表される固体電子デバイスの製造工程にお
いては、フォトリソグラフィ技術が多用され、露光装置
によるパターンの露光は必要不可欠である。
いては、フォトリソグラフィ技術が多用され、露光装置
によるパターンの露光は必要不可欠である。
露光装置には、所定のパターンを描いたマスクとこのマ
スクのパターンが転写される固体電子デバイスの基板を
接触状態で重ねて露光するコンタクト方式、マスクと基
板を１０〜５０μｍ程度離間した状態で重ねて露光する
プロキシミティ方式、マスクと基板を十分に分離した状
態で投影光学系に配置して露光する投影露光方式がある
。
スクのパターンが転写される固体電子デバイスの基板を
接触状態で重ねて露光するコンタクト方式、マスクと基
板を１０〜５０μｍ程度離間した状態で重ねて露光する
プロキシミティ方式、マスクと基板を十分に分離した状
態で投影光学系に配置して露光する投影露光方式がある
。
コンタクト方式及びプロキシミティ方式には、様々な基
板サイズに応じた装置があるが、マスクと基板を重ねる
ため、基板の表面に塗布したフォトレジストがマスクに
付着したり、マスクに傷が付いたりしやすく、基板に転
写されたパターンに欠陥が多く、これを解消するものと
して、投影露光方式の露光装置が登場し、集積回路の分
野では主流になりつつあり、この投影露光装置では、マ
スクと基板が十分な距離をおいて配置されるため、フォ
トリソグラフィで発生する欠陥は大幅に減少する。
板サイズに応じた装置があるが、マスクと基板を重ねる
ため、基板の表面に塗布したフォトレジストがマスクに
付着したり、マスクに傷が付いたりしやすく、基板に転
写されたパターンに欠陥が多く、これを解消するものと
して、投影露光方式の露光装置が登場し、集積回路の分
野では主流になりつつあり、この投影露光装置では、マ
スクと基板が十分な距離をおいて配置されるため、フォ
トリソグラフィで発生する欠陥は大幅に減少する。
現在用いられている投影露光装置には、マスクのパター
ンを等倍で基板に投影するものと、１１５あるいは１／
１０に縮小して投影するものがあり、その投影光学系に
は、ミラーを用いた反射形のものと、レンズを用いた屈
折形のものがある。
ンを等倍で基板に投影するものと、１１５あるいは１／
１０に縮小して投影するものがあり、その投影光学系に
は、ミラーを用いた反射形のものと、レンズを用いた屈
折形のものがある。
一方、マスクの現状の性能を見ると、ガラスマスクの場
合、１０μｍパターンで、誤差１μｍ以下の高精度の仕
様を満足するものとしては、フインチ角の基板、実効バ
ター２１９フ６インチ飛程度のものが最大であり、これ
以上のサイズでは、基板の平坦性の維持、累積ビッヂ誤
差聞、ガラスマスクの製造装置等の問題で、高精度マス
クを得るのが難しい。
合、１０μｍパターンで、誤差１μｍ以下の高精度の仕
様を満足するものとしては、フインチ角の基板、実効バ
ター２１９フ６インチ飛程度のものが最大であり、これ
以上のサイズでは、基板の平坦性の維持、累積ビッヂ誤
差聞、ガラスマスクの製造装置等の問題で、高精度マス
クを得るのが難しい。
したがって、高精度マスクを用いて投影露光を行なう場
合、最大で６インチ飛程度のパターンしか得られないが
、同時に、上記フインチ角サイズまでのマスクであれば
、超高精度の１μｍパターンで、誤差０．１μｍ程度の
ものを得ることも可能である。
合、最大で６インチ飛程度のパターンしか得られないが
、同時に、上記フインチ角サイズまでのマスクであれば
、超高精度の１μｍパターンで、誤差０．１μｍ程度の
ものを得ることも可能である。
また、最近、アクティブマトリックス形液晶表示素子と
呼ばれるもので、薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）をマトリ
ックス状に配列した基板を用いる高精度・高性能の表示
デバイスの開発が盛んであり、たとえば、昭和５８年電
気四学会連合大会予稿集、講演番号１６−６ （ｐ、３
−４１ ）には、その概要が紹介されている。
呼ばれるもので、薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）をマトリ
ックス状に配列した基板を用いる高精度・高性能の表示
デバイスの開発が盛んであり、たとえば、昭和５８年電
気四学会連合大会予稿集、講演番号１６−６ （ｐ、３
−４１ ）には、その概要が紹介されている。
表示デバイスは、人間の目で児るという性格上、ある程
度の大きさと解像度が要求され、たとえば、対角１０イ
ンチあるいは１４インチで、画素数が４００Ｘ６４０の
ものは、表示デバイス開発の一つの目標で、アクティブ
マトリックス形液晶表示素子は、人形の表示デバイスを
実現し得る有望なものであるが、薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）を形成するためには、数回のりソグラフィを行な
う必要があり、通常は、１０μｍパターン程度の高精度
のマスクと、高性能の露光装置が必要で、さらに、欠陥
のないパターンを得るためには投影露光方式で露光を行
なう必要がある。
度の大きさと解像度が要求され、たとえば、対角１０イ
ンチあるいは１４インチで、画素数が４００Ｘ６４０の
ものは、表示デバイス開発の一つの目標で、アクティブ
マトリックス形液晶表示素子は、人形の表示デバイスを
実現し得る有望なものであるが、薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）を形成するためには、数回のりソグラフィを行な
う必要があり、通常は、１０μｍパターン程度の高精度
のマスクと、高性能の露光装置が必要で、さらに、欠陥
のないパターンを得るためには投影露光方式で露光を行
なう必要がある。
しかしながら、上述したような１０μｍパターンで、誤
差１μ亀程度の高精度のマスクと、従来の等信置光ある
いは縮小露光の投影露光装置の組合わせでは、アクティ
アマ１一液晶クス形液晶表示素子は６インチ飛程度のも
のしか）ｑられないという問題があった。
差１μ亀程度の高精度のマスクと、従来の等信置光ある
いは縮小露光の投影露光装置の組合わせでは、アクティ
アマ１一液晶クス形液晶表示素子は６インチ飛程度のも
のしか）ｑられないという問題があった。
本発明は、上述したような点に鑑みなされたしので、大
形の固体電子デバイスの基板にパターンを露光すること
を目的とするものである。
形の固体電子デバイスの基板にパターンを露光すること
を目的とするものである。
本発明の露光方法は、アクティブマトリックス形液晶表
示素子、マルチプレックス形液晶表示素子、その他の集
積回路等の固体電子デバイスの）λ板にパターンを形成
する露光方法であって、光学系により、光源の光を、マ
スク位置決め手段に位置決めした超高精度のマスクに描
かれたパターンを介して、基板位置決め手段に位置決め
した基板に塗布されたフォトレジストに、等倍を越える
倍率で拡大投影し、比較的に小形の超高精度のマスクを
用いて、比較的に大形の基板のフォトレジストに、拡大
したマスクのパターンを高精度に露光するものである。
示素子、マルチプレックス形液晶表示素子、その他の集
積回路等の固体電子デバイスの）λ板にパターンを形成
する露光方法であって、光学系により、光源の光を、マ
スク位置決め手段に位置決めした超高精度のマスクに描
かれたパターンを介して、基板位置決め手段に位置決め
した基板に塗布されたフォトレジストに、等倍を越える
倍率で拡大投影し、比較的に小形の超高精度のマスクを
用いて、比較的に大形の基板のフォトレジストに、拡大
したマスクのパターンを高精度に露光するものである。
本発明の露光方法の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は第１の実施例を示すものである。
１は光源、２は光源１からの放射光ＬＯ，を平行光Ｌ１
にする光学系としてのレンズ系、Ｍは表面に微細なパタ
ーン（図面にはＡＢと大きく示しである）を描いた比較
的に小形のガラスマスク、３はガラスマスクＭを平行光
Ｌ１に垂直に位置決めするマスク位置決め手段、４はマ
スク位置決め手段３に位置決めしたガラスマスクＭを透
過した平行なパターン光Ｌ２を、一旦集光した復、放射
状ツバターン光Ｌ３として拡大する光学系としてのレン
ズ系、５は拡大された放射状のパターン光Ｌ３を平行な
パターン光Ｌ４にする光学系としてのレンズ系、Ｂは表
面にフォトレジストを塗布した比較的に大形の固体電子
デバイスの基板、６は基板Ｂを拡大された平行なパター
ン光Ｌ４に垂直に位置決めする基板位置決め手段で、説
明を簡単にするため、ハウジング等は省略しである。
にする光学系としてのレンズ系、Ｍは表面に微細なパタ
ーン（図面にはＡＢと大きく示しである）を描いた比較
的に小形のガラスマスク、３はガラスマスクＭを平行光
Ｌ１に垂直に位置決めするマスク位置決め手段、４はマ
スク位置決め手段３に位置決めしたガラスマスクＭを透
過した平行なパターン光Ｌ２を、一旦集光した復、放射
状ツバターン光Ｌ３として拡大する光学系としてのレン
ズ系、５は拡大された放射状のパターン光Ｌ３を平行な
パターン光Ｌ４にする光学系としてのレンズ系、Ｂは表
面にフォトレジストを塗布した比較的に大形の固体電子
デバイスの基板、６は基板Ｂを拡大された平行なパター
ン光Ｌ４に垂直に位置決めする基板位置決め手段で、説
明を簡単にするため、ハウジング等は省略しである。
この実施例の場合、所定のパターンを描いたガラスマス
クＭをマスク位置決め手段４に位置決めするとともに、
フォトレジストを塗布した基板Ｂを基板位置決め手段６
に位置決めした状態で、光源１を所定時間点灯するか、
もしくは光源１を点灯した状態で光源１と基板Ｂの間に
配設した図示しないシャッターを所定時間開口すると、
ガラスマスクＭのパターンは１よりも大きい倍率で基板
Ｂの７オトレジストに平行なパターン光Ｌ４として投影
され、パターンがフォトレジストに拡大転写される。
クＭをマスク位置決め手段４に位置決めするとともに、
フォトレジストを塗布した基板Ｂを基板位置決め手段６
に位置決めした状態で、光源１を所定時間点灯するか、
もしくは光源１を点灯した状態で光源１と基板Ｂの間に
配設した図示しないシャッターを所定時間開口すると、
ガラスマスクＭのパターンは１よりも大きい倍率で基板
Ｂの７オトレジストに平行なパターン光Ｌ４として投影
され、パターンがフォトレジストに拡大転写される。
なお、上記基板８には、この露光工程の後、現像工程及
び定着工程を経て、安定なパターンが残され、このパタ
ーンをエツチングマスクとして、通常の集積回路の製造
と同様に、基板Ｂ上に薄膜等をエツチングする。
び定着工程を経て、安定なパターンが残され、このパタ
ーンをエツチングマスクとして、通常の集積回路の製造
と同様に、基板Ｂ上に薄膜等をエツチングする。
この拡大転写に際して、先に、〔発明の技術的背理とそ
の問題点〕の項で説明したように、基板Ｂがアクティブ
マトリックス形液晶表示素子用の鳴合には、１０μ乳程
疫の高精度のパターンが必要とされるが、ガラスマスク
Ｍには、１μｍ程度の超高精度のパターンが得られるの
で、レンズ系４の拡大倍率は１０倍程度まで設定できる
。
の問題点〕の項で説明したように、基板Ｂがアクティブ
マトリックス形液晶表示素子用の鳴合には、１０μ乳程
疫の高精度のパターンが必要とされるが、ガラスマスク
Ｍには、１μｍ程度の超高精度のパターンが得られるの
で、レンズ系４の拡大倍率は１０倍程度まで設定できる
。
そして、ガラスマスクＭと基板Ｂを十分に離すことがで
きるので、両者が接触することはなく、したがって、環
境がジス１−フリーｒ、基板Ｂのフォトレジストにごみ
等がなければ、フォトレジストに拡大転写されたパター
ンは欠陥のないパターンとなる。
きるので、両者が接触することはなく、したがって、環
境がジス１−フリーｒ、基板Ｂのフォトレジストにごみ
等がなければ、フォトレジストに拡大転写されたパター
ンは欠陥のないパターンとなる。
また、基板Ｂが、マルチプレックス形液晶表示素子用の
場合、一層のみの配線でよいので、露光も一回でよいが
、基板Ｂが、アクティブマトリックス形液晶表示素子用
の場合には、薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）を形成するた
めに、複数のガラスマスクＭを用い、各ガラスマスクＭ
を順次にマスク位置決め手段３に位置決めして数回の露
光を行なうが、この際に、先に基板Ｂに形成したパター
ンに対し、次のガラスマスクＭのパターンを所定の関係
に合わせる必要があり、このような場合には、各ガラス
マスクＭ及び基板Ｂに対応する位置合わせ用のマーク旧
、Ｂ１を設けておき、たとえば基板位置決め手段６を移
動することにより、この各マーク旧、Ｂ１を一致させれ
ばよい。
場合、一層のみの配線でよいので、露光も一回でよいが
、基板Ｂが、アクティブマトリックス形液晶表示素子用
の場合には、薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）を形成するた
めに、複数のガラスマスクＭを用い、各ガラスマスクＭ
を順次にマスク位置決め手段３に位置決めして数回の露
光を行なうが、この際に、先に基板Ｂに形成したパター
ンに対し、次のガラスマスクＭのパターンを所定の関係
に合わせる必要があり、このような場合には、各ガラス
マスクＭ及び基板Ｂに対応する位置合わせ用のマーク旧
、Ｂ１を設けておき、たとえば基板位置決め手段６を移
動することにより、この各マーク旧、Ｂ１を一致させれ
ばよい。
なお、先に基板Ｂに形成したパターンに対し、次のガラ
スマスクＭのパターンを所定の関係に合わせるための位
置合わせ機構としては、通常この種の露光装置に付加さ
れているアライブ（Ａｌｉａｎｅｔ）と呼ばれる位置合
わせ機構（八Ｉｉｇｎｉｎｇｍｃｃｈａｎ ｉ ｓｎ＋
）を用いるが、その位置合わせの方法としては、■
作業者が顕微鏡で各マークＨ１、Ｂ１をのぞいて、基板
位置決め手段６を移動するマ二ュアル法、■ レーザビ
ームスキャンにより基板Ｂの位置を認定して自動的に位
置合わせする方法、■ レーザビーム力干渉により基板
Ｂの位置を認定して自動的に位置合わせする方法、■
■の方法において、人間の目の代わりにＣＯＤを用いて
自動的に位置合わせする方法等の様々な方法がある。
スマスクＭのパターンを所定の関係に合わせるための位
置合わせ機構としては、通常この種の露光装置に付加さ
れているアライブ（Ａｌｉａｎｅｔ）と呼ばれる位置合
わせ機構（八Ｉｉｇｎｉｎｇｍｃｃｈａｎ ｉ ｓｎ＋
）を用いるが、その位置合わせの方法としては、■
作業者が顕微鏡で各マークＨ１、Ｂ１をのぞいて、基板
位置決め手段６を移動するマ二ュアル法、■ レーザビ
ームスキャンにより基板Ｂの位置を認定して自動的に位
置合わせする方法、■ レーザビーム力干渉により基板
Ｂの位置を認定して自動的に位置合わせする方法、■
■の方法において、人間の目の代わりにＣＯＤを用いて
自動的に位置合わせする方法等の様々な方法がある。
また、基板位置決め手段６にステップ＆リビー１〜は能
を持たせて、基板Ｂを光軸に対して垂直に移動できるよ
うに形成すると、同一のガラスマスクＭを用いて、基板
Ｂのフォトレジストの複数箇所に同一のパターンを露光
することもでき、当然のことながら、ガラスマスクＭに
複数のパターンを描いておき、これらの各パターンを基
板Ｂのフォトレジストに同時に露光することもできる。
を持たせて、基板Ｂを光軸に対して垂直に移動できるよ
うに形成すると、同一のガラスマスクＭを用いて、基板
Ｂのフォトレジストの複数箇所に同一のパターンを露光
することもでき、当然のことながら、ガラスマスクＭに
複数のパターンを描いておき、これらの各パターンを基
板Ｂのフォトレジストに同時に露光することもできる。
第２図は第１図に示した第１の実施例の変形例を示すも
のである。
のである。
この変形例では、露光装置の］ンバクト化のために、レ
ンズ系２とマスク位置決め手段３のガラスマスクＭの間
において、光学系としての平面鏡１１により、光軸を直
角に曲げたものである。
ンズ系２とマスク位置決め手段３のガラスマスクＭの間
において、光学系としての平面鏡１１により、光軸を直
角に曲げたものである。
第３図は第２のＸｆ８例を示ｔしのである。
２１は光源１からの放（ト）光ＬＯを集光してマスク位
置決め手段３に位置決めされたガラスマスクＭに均等に
照射する光学系としてのレンズ系、２２はマスクＭを透
過したパターン光Ｌ５を基板位置決め手段６に位置決め
された基＃ｉＢのフォトレジストに１よりも犬さい倍率
で結像させる光学系としてのレンズ系で、この第２の実
施例の場合、基板Ｂに投影されるパターンは平行光では
ないが、基板Ｂの平坦度がよい場合には、問題なく適用
することができる。
置決め手段３に位置決めされたガラスマスクＭに均等に
照射する光学系としてのレンズ系、２２はマスクＭを透
過したパターン光Ｌ５を基板位置決め手段６に位置決め
された基＃ｉＢのフォトレジストに１よりも犬さい倍率
で結像させる光学系としてのレンズ系で、この第２の実
施例の場合、基板Ｂに投影されるパターンは平行光では
ないが、基板Ｂの平坦度がよい場合には、問題なく適用
することができる。
そして、この第２の実施例では、第１の実施例と比較し
て、レンズ系を１枚少なくすることができ、パターンを
基板Ｂに結像投影Ｊ−るレンズ系２２の口径ら小さくで
きる。
て、レンズ系を１枚少なくすることができ、パターンを
基板Ｂに結像投影Ｊ−るレンズ系２２の口径ら小さくで
きる。
第４図は第３の実施例を示ずものである。
３１はマスク位置決め手段３に位置決めされたガラスマ
スクＭを透過した平行なパターン光１−２の光軸を直角
に曲げる光学系としての平面鏡、３２は平面鏡３１によ
って曲げられた平行なパターン光１−２を基板位置決め
手段６に位置決めされた基板Ｂのフォトレジストに斜め
に照射して１よりも大きい倍率で投影する光学系として
の平面鏡で、この第３の実施例の場合、第１の実施例、
その変形例及び第２の実施例のようにレンズ系４，２２
０ような屈折形の光学系によりガラスマスクＭのパター
ンを拡大する代わりに、平面１１３２のような反射形の
光学系によりガラスマスクＭのパターンを拡大するｂの
である。
スクＭを透過した平行なパターン光１−２の光軸を直角
に曲げる光学系としての平面鏡、３２は平面鏡３１によ
って曲げられた平行なパターン光１−２を基板位置決め
手段６に位置決めされた基板Ｂのフォトレジストに斜め
に照射して１よりも大きい倍率で投影する光学系として
の平面鏡で、この第３の実施例の場合、第１の実施例、
その変形例及び第２の実施例のようにレンズ系４，２２
０ような屈折形の光学系によりガラスマスクＭのパター
ンを拡大する代わりに、平面１１３２のような反射形の
光学系によりガラスマスクＭのパターンを拡大するｂの
である。
なお、パターンを拡大する拡大機能を備えた光学系とし
て【よ、屈折形のレンズや反射形の平面鏡だけでなく、
凹面鏡や凸面鏡のような反射形の凹面鏡や屈折形のプリ
ズムも用いることができるが、いずれにしても、光学系
の歪みや収差等は、１０μｍ程度の高精度のパターンを
形成するためには、極めて小さなものであることが必要
である。
て【よ、屈折形のレンズや反射形の平面鏡だけでなく、
凹面鏡や凸面鏡のような反射形の凹面鏡や屈折形のプリ
ズムも用いることができるが、いずれにしても、光学系
の歪みや収差等は、１０μｍ程度の高精度のパターンを
形成するためには、極めて小さなものであることが必要
である。
以上の説明では、ガラスマスクを用いたが、目的に応じ
て、フィルムマスクやメタルマスクを用いることができ
る。
て、フィルムマスクやメタルマスクを用いることができ
る。
〔発明の効果）
上述したように、本発明によれば、比較的に小形のマス
クを用いて、比較的に大形の固体電子デバイスの基板に
パターンを拡大して露光づるので、超高精度のマスクを
用いることにより、大形の基板に高精度のパターンを形
成することができ、したがって、アクティブマトリック
ス形液晶表示素子のような高精度の表示デバイスの人形
化が可能となり、このような表示デバイスを人間にかつ
安価に提供することが可能となる。
クを用いて、比較的に大形の固体電子デバイスの基板に
パターンを拡大して露光づるので、超高精度のマスクを
用いることにより、大形の基板に高精度のパターンを形
成することができ、したがって、アクティブマトリック
ス形液晶表示素子のような高精度の表示デバイスの人形
化が可能となり、このような表示デバイスを人間にかつ
安価に提供することが可能となる。
図は本発明の露光方法の実施例を示し、第１図は第１の
実施例の構成図、第２図はその変形例の構成図、第３図
は第２の実施例の構成図、第４図（、′ｉ第３の実ｈ’
Ｍ例の構成図である。 １・・光源、２．４．５．２１．２２・・光学系として
のレンズ系、３・・マスク位置決め手段、６・・基板位
置決め手段、１１．３１．３２・・光学系としての平面
鏡、Ｍ・・マスク、Ｂ・・基板。
実施例の構成図、第２図はその変形例の構成図、第３図
は第２の実施例の構成図、第４図（、′ｉ第３の実ｈ’
Ｍ例の構成図である。 １・・光源、２．４．５．２１．２２・・光学系として
のレンズ系、３・・マスク位置決め手段、６・・基板位
置決め手段、１１．３１．３２・・光学系としての平面
鏡、Ｍ・・マスク、Ｂ・・基板。
Claims (6)
- （１）固体電子デバイスの基板にパターンを形成する露
光方法であつて、 光源と、パターンを描いたマスクを位置決めするマスク
位置決め手段と、フォトレジストを塗布した上記基板を
位置決めする基板位置決め手段と、上記光源の光を上記
マスク位置決め手段により位置決めされたマスクを介し
て上記基板位置決め手段により位置決めされた基板に照
射しマスクのパターンを基板のフォトレジストに投影し
てフォトレジストを露光する光学系とを備え、 上記光学系は、上記マスクのパターンを上記基板のフォ
トレジストに等倍を越える倍率で拡大投影することを特
徴とする露光方法。 - （２）上記光学系は、拡大した上記マスクのパターンを
平行光として上記基板のフォトレジストに投影すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光方法。 - （３）上記光学系は、屈折形光学系を主体として構成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載の露光方法。 - （４）上記光学系は、反射形光学系を主体として構成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載の露光方法。 - （５）上記マスク位置決め手段に複数のマスクを順次に
位置決めしマスク位置・決め手段あるいは上記基板位置
決め手段を移動して各マスクのパターンを各パターン相
互の位置を所定の関係に合わせた状態で上記基板のフォ
トレジストに順次に露光することを特徴とする特許請求
の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の露光方法
。 - （６）上記基板位置決め手段を移動し、同一のマスクに
より同一の基板のフォトレジストの複数箇所に同一のパ
ターンを露光すること特徴とする特許請求の範囲第１項
ないし第５項のいずれかに記載の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261669A JPH0685385B2 (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261669A JPH0685385B2 (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 露光方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7261542A Division JP2818391B2 (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 露光装置 |
| JP7261543A Division JP2747255B2 (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62122126A true JPS62122126A (ja) | 1987-06-03 |
| JPH0685385B2 JPH0685385B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=17365099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685385B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0273230A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Optrex Corp | 基板のパターニング法 |
| US5008702A (en) * | 1988-09-07 | 1991-04-16 | Hitachi, Ltd. | Exposure method and apparatus |
| JPH08195346A (ja) * | 1995-10-09 | 1996-07-30 | Toshiba Corp | 露光方法 |
| JPH08213311A (ja) * | 1995-10-09 | 1996-08-20 | Toshiba Corp | 露光装置 |
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| US6456360B1 (en) | 1993-10-20 | 2002-09-24 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
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-
1985
- 1985-11-21 JP JP60261669A patent/JPH0685385B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| US6229595B1 (en) | 1995-05-12 | 2001-05-08 | The B. F. Goodrich Company | Lithography system and method with mask image enlargement |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0685385B2 (ja) | 1994-10-26 |
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