JP2000021754A - 露光方法及び露光装置 - Google Patents

露光方法及び露光装置

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JP2000021754A JP10201334A JP20133498A JP2000021754A JP 2000021754 A JP2000021754 A JP 2000021754A JP 10201334 A JP10201334 A JP 10201334A JP 20133498 A JP20133498 A JP 20133498A JP 2000021754 A JP2000021754 A JP 2000021754A
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 周期パターンの露光と通常のパターン露光の
2重露光によって任意形状の高解像度のパターンが得ら
れる露光方法及び露光装置を得ること。 【解決手段】 感光基板上の同一領域を互いに異なった
パターンで多重露光する露光方法において、多重露光の
うちの少なくとも2回の露光で該感光基板上に位置検出
マークを形成していること。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光方法及び露光
装置に関し、特に微細な回路パターンで感光基板上を露
光し、例えばIC,LSI等の半導体チップ、液晶パネ
ル等の表示素子、磁気ヘッド等の検出素子、CCD等の
撮像素子といった各種デバイスの製造に用いられる際に
好適なものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、IC、LSI、液晶パネル等
のデバイスをフォトリソグラフィー技術を用いて製造す
るときには、フォトマスク又はレチクル等(以下、「マ
スク」と記す。)の面上に形成した回路パターンを投影
光学系によってフォトレジスト等が塗布されたシリコン
ウエハ又はガラスプレート等(以下、「ウエハ」と記
す。)の感光基板上に投影し、そこに転写する(露光す
る)投影露光方法及び投影露光装置が使用されている。
【0003】近年、上記デバイスの高集積化に対応し
て、ウエハに転写するパターンの微細化、即ち高解像度
化とウエハにおける1チップの大面積化とが要求されて
いる。従ってウエハに対する微細加工技術の中心を成す
上記投影露光方法及び投影露光装置においても、現在、
0.5/μm以下の寸法(線幅)の像(回路パターン
像)を広範囲に形成するべく、解像度の向上と露光面積
の拡大が計られている。
【0004】従来の投影露光装置の摸式図を図37に示
す。図37中、191は遠紫外線露光用の光源であるエ
キシマーレーザ、192は照明光学系、193は照明光
学系192から照射される照明光、194はマスク、1
95はマスク194から出て光学系(投影光学系)19
6に入射する物体側露光光、196は縮小型の投影光学
系、197は投影光学系196から出て基板198に入
射する像側露光光、198は感光基板であるウエハ、1
99は感光基板を保持する基板ステージを、示す。
【0005】エキシマレーザ191から出射したレーザ
光は、引き回し光学系(190a,190b)によって
照明光学系192に導光され、照明光学系192により
所定の光強度分布、配光分布、開き角(関口数NA)等
を持つ照明光193となるように調整され、マスク19
4を照明する。マスク194にはウエハ198上に形成
する微細パターンを投影光学系196の投影倍率の逆数
倍(例えば2倍や4倍や5倍)した寸法のパターンがク
ロム等によって石英基板上に形成されており、照明光1
93はマスク194の微細パターンによって透過回折さ
れ、物体側露光光195となる。投影光学系196は、
物体側露光光195を、マスク194の微細パターンを
上記投影倍率で且つ充分小さな収差でウエハ198上に
結像する像側露光光197に変換する。像側露光光19
7は図37の下部の拡大図に示されるように、所定の開
口数NA(=Sin(θ))でウエハ198上に収束
し,ウエハ198上に微細パターンの像を結ぶ。基板ス
テージ199は、ウエハ198の互いに異なる複数の領
域(ショット領域:1個又は複数のチップとなる領域)
に順次、微細パターンを形成する場合に、投影光学系の
像平面に沿ってステップ移動することによりウエハ19
8の投影光学系196に対する位置を変えている。
【0006】現在主流となりつつある上記のエキシマレ
ーザを光源とする投影露光装置は高い投影解像力を有し
ているが、例えば0.15μm以下のパターン像を形成
することが技術的に困難である。
【0007】投影光学系196は、露光(に用いる)波
長に起因する光学的な解像度と焦点深度との間のトレー
ドオフによる解像度の限界がある。投影露光装置による
解像パターンの解像度Rと焦点深度DOFは,次の
(1)式と(2)式の如きレーリーの式によって表され
る。
【0008】R=k1 =(λ/NA) ‥‥‥(1) DOF=k2 =(λ/NA2 ) ‥‥‥(2) ここで、λは露光波長、NAは投影光学系196の明る
さを表す像側の開口数、k1 ,k2 はウエハ198の現
像プロセス特性等によって決まる定数であり、通常0.
5〜0.7程度の値である。この(1)式と(2)式か
ら、解像度Rを小さい値とする高解像度化には開口数N
Aを大きくする「高NA化」がある。しかしながら、実
際の露光では投影光学系196の焦点深度DOFをある
程度以上の値にする必要があるため、高NA化をある程
度以上に進めることが難しいこと、この為、高解像度化
には結局、露光波長λを小さくする「短波長化」が必要
となることとが分かる。
【0009】ところが露光波長の短波長化を進めていく
と重大な問題が発生してくる。それは投影光学系196
を構成するレンズの硝材がなくなってしまうことであ
る。殆どの硝材の透過率は遠紫外線領域では0に近く、
特別な製造方法を用いて露光装置用(露光波長約248
nm)に製造された硝材として溶融石英が現存するが、
この溶融石英の透過率も波長193nm以下の露光波長
に対しては急激に低下するし。線幅0.15μm以下の
微細パターンに対応する露光波長150nm以下の領域
では実用的な硝材の開発は非常に困難である。また遠紫
外線領域で使用される硝材は、透過率以外にも、耐久
牲,屈折率均一性,光学的歪み,加工性等の複数条件を
満たす必要があり、この事から、実用的な硝材の存在が
危ぶまれている。
【0010】このように従来の投影露光方法及び投影露
光鼓置では、ウエハ上に線幅0.15μm以下のパター
ンを形成する為には150nm程度以下まで露光波長の
短波長化が必要である。これに対し、現在のところ、こ
の波長領域では実用的な硝材が存在しないので、ウエハ
に線幅0.15μm以下のパターンを形成することがで
きなかった。
【0011】米国特許夢5415835号公報は2光束
干渉露光によって敏細パターンを形成する技術を開示し
ており、この2光束干渉露光によれば、ウエハに線幅
0.15μm以下のパターンを形成することができる。
【0012】2光束干渉露光の原理を図33を用いて説
明する。2光束干渉露光は、レーザ151からの可干渉
牲を有し且つ平行光線束であるレーザ光L151をハー
フミラー152によってレーザ光L151a,L151
abの2光束に分割し、分割した2光束を夫々平面ミラ
ー153a,153bによって反射することにより2個
のレーザ光(可干渉性の平行光線束)を0より大きく9
0度末満のある角度を成してウエハ154面上で交差さ
せることにより交差部分に干渉縞を形成している。この
干渉縞(の光強度分布)によってウエハ154を露光し
て感光させることで干渉縞の光強度分布に応じた微細な
周期パターンをウエハ154に形成するものである。
【0013】2光束L151a,L151bがウエハ1
54面の立てた垂線に対して互いに逆方向に同じ角度だ
け傾いた状態でウエハ面で交差する場合、この2光束干
渉露光における解像度Rは次の(3)式で表される。
【0014】 R=λ/(4sinθ) =λ/4NA =0.25(λ/NA) ‥‥‥(3) ここで、RはL&S(ライン・アンド・スペース)の夫
々の幅、即ち干渉縞の明部と暗部の夫々の幅を示してい
る。又βは2光束の夫々の像面に対する入射角度(絶対
値)を表し、NA=Sinθである。
【0015】通常の投影露光における解像度の式である
(l)式と2光束干渉露光における解像度の式である
(3)式とを比較すると、2光束干渉露光の解像度Rは
(1)式においてk1 =0.25とした場合に相当する
から、2光束干渉露光ではk1=0.5〜0.7である
通常の投影露光の解像度より2倍以上の解像度を得るこ
とが可能である。
【0016】上記米国特許には開示されていないが、例
えばλ=0.248nm(KrFエキシマ)でNA=
0.6の時は、R=0.10μmが得られる。
【0017】一方、解像力に伴って、半導体投影露光装
置におけるウエハとレチクルを相対位置合わせするアラ
イメントについても高精度化が必要とされている。従
来、行われているアライメントでは、ウエハ面に形成し
たアライメントマークを投影レンズなどの光学系を介し
てCCDカメラなどの撮像素子上に結像投影し、その電
気信号を画像処理してウエハの位置情報を得ている。
【0018】このウエハ像を検出する方法として半導体
投影露光装置で行われている方式としては、例えば次の
3つの方法がある。
【0019】 露光光TTL方式‥‥‥露光光を用い、投影光学系を通す方式 Off-Axis 方式 ‥‥‥非露光光を用い、投影光学系を通さない方式 非露光光TTL 方式 ‥‥‥非露光光を用い、投影光学系を通す方式
【0020】
【発明が解決しようとする課題】2光束干渉露光は、基
本的に干渉縞の光強度分(露光量分布)に相当する単純
な縞パターンしか得られないので、所望の形状の回路パ
ターンをウエハに形成することが難しい。
【0021】そこで上記米国特許第5415835号公
報は、2光束干渉露光によって単純な縞パターン(周期
パターン)即ち2値的な露光量分布をウエハ(のレジス
ト)に与えた後、露光装置の分解能の範囲内の大きさの
ある開口が形成されたマスクを用いて通常リソグラフィ
ー(露光)を行なって更に別の2値的な露光量分布をウ
エハに与えることにより、孤立の線(パターン)を得る
ことを提案している。
【0022】しかしながら、上記米国特許第54158
35号公報の多重露光の方法は、2光束干渉露光用の露
光装置にウエハを設置して露光した後で、別の通常露光
用の露光装置にウエハを設置し直して露光を行うので、
時間がかかるという問題があった。
【0023】本発明の目的は、比較的短い時間で多重露
光が行える露光方法及び露光装置を提供することにあ
る。
【0024】一方、前述したようにパターン像の高解像
力化を図るにはマスクとウエハとの位置合わせを高精度
に行うことが重要になっている。
【0025】感光基板上の同一領域を異なったパターン
を有するマスクで多重露光し、高解像度のパターンを形
成する多重露光方法では特に感光基板とマスクとの位置
合わせ(アライメント)を高精度に行うことが重要にな
ってくる。
【0026】従来よりデバイス製造用の露光装置におい
てマスクとウエハとのアライメントを行う方法は種々と
提案されているが多重露光に際してのアライメント方法
については特に提案されていなかった。
【0027】本発明は、感光基板上の同一領域を異なっ
たパターンで多重露光するときに、感光基板とマスクと
を位置合わせする為の位置合わせマーク(アライメント
マーク)や、オーバーレイ測定マーク等を感光基板上に
適切に形成することにより、感光基板とマスクのそれぞ
れのパターンの重ね合わせを高精度に行い高集積度のパ
ターンを容易に形成することができる露光方法及び露光
装置の提供を目的とする。
【0028】
【課題を解決するための手段】本発明の露光方法は、 (1-1) や感光基板上の同一領域を互いに異なったパター
ンで多重露光する露光方法において、多重露光のうちの
少なくとも2回の露光で該感光基板上に位置検出マーク
を形成していることを特徴とする露光方法。
【0029】特に (1-1-1) 前記位置検出マークが、位置ずれ検出方向に対
して該パターンと同じ線幅、ピッチで構成されることを
特徴としている。
【0030】(1-2) 感光基板上の同一領域を互いに異な
ったパターンで多重露光する露光方法において、一方の
露光で該感光基板上に位置検出マークを形成し、他の露
光では該位置検出マークの領域を露光しないようにして
いることを特徴としている。
【0031】(1-3) 感光基板上の同一領域を互いに異な
ったパターンで多重露光する露光方法において、第1の
露光で第1の位置検出マークを該感光基板上に露光し、
第2の露光時に該感光基板上に第1の位置検出マークと
は異なる位置に第2の位置検出マークを該感光基板上に
露光し、該第1の露光時には、第2の位置検出マークの
領域を露光しないようにし、該第2の露光時には、第1
の位置検出マークの領域を露光しないようにしており、
該第1の位置検出マーク及び該第2の位置検出マークの
位置を検出し、第1の位置検出マークの位置と第2の位
置検出マークの位置の平均値を用いて該感光基板上にパ
ターンを形成していることを特徴としている。
【0032】特に、構成(1-1) 又は(1-2) 又は(1-3) に
おいて、 (1-3-1) 前記位置検出マークが、位置ずれ検出方向に対
して前記パターンの最小線幅の二倍以上の線幅で構成さ
れること。
【0033】(1-3-2) 第1のレチクルのパターンと第2
のレチクルのパターンを縮小投影レンズを介して感光基
板上の同一領域を二重露光してパターンを露光転写する
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項の露光
方法。
【0034】(1-3-3)前記第1のレチクルと第2のレチ
クルのうち、片方のレチクルのパターンがレベンソン型
位相シフトマスクで構成されていること。
【0035】(1-3-4) 前記2重露光のうち、少なくとも
1回の露光が変形照明露光により行うこと。等を特徴と
している。
【0036】(1-4) 感光基板上の同一領域を互いに異な
ったパターンで多重露光する露光方法において、多重露
光によって該感光基板上にマークを形成していることを
特徴としている。
【0037】特に、 (1-4-1) 前記マークは位置検出マークであることを特徴
としている。
【0038】本発明の露光装置は、 (2-1)構成(1-1) 〜(1-4) のいずれか1つの露光方法を
用いて、該パターンと該位置検出マークを閑鋼材を塗布
した該基板上に露光転写後、現像処理し、エッチング又
は成膜工程を行い、次いで基板上に閑鋼材を塗布し、該
基板上の該位置検出マークの位置を測定し、位置合わせ
を行った後に閑構想に半導体素子パターンを露光転写し
てデバイスを製造することを特徴としている。
【0039】本発明のデバイスの製造方法は、 (3-1) 構成(1-1) 〜(1-4) のいずれか1つの露光方法を
用いて、第一のパターンと第1の位置検出マークを感光
剤を塗布した基板上に露光転写後、現像処理し、エッチ
ング工程又は成膜工程を行い、次いで基板上に感光剤を
塗布し、第2のパターンと第2の位置検出マークを該基
板上に露光転写後、現像処理し、該第1の位置検出マー
クと第2の位置検出マーク間の相対的な位置ずれを測定
する工程を利用してデバイスを製造していることを特徴
としている。
【0040】(3-2) 構成(1-1) 〜(1-4) のいずれか1つ
の露光方法を用いて感光性の基板にマスク上のパターン
を転写していることを特徴とする露光装置。
【0041】(3-3) 構成(1-1) 〜(1-4) のいずれか1つ
の露光方法を用いてマスク面上のパターンをウエハ面上
に露光した後、該ウエハを現像処理工程を介してデバイ
スを製造していることを特徴とするデバイスの製造方
法。
【0042】(3-4) 構成(2-1) のいずれか1つの露光
装置を用いてマスク面上のパターンをウエハ面上に露光
した後、該ウエハを現像処理工程を介してデバイスを製
造していることを特徴としている。
【0043】尚、本発明において「多重露光」とは「感
光基板上の同一領域を互いに異なる光パターンで途中に
現像処理工程を介さずに露光すること」を言う。
【0044】
【発明の実施の形態】図1は本発明の露光装置の実施形
態1の要部概略図である。図中、1は投影レンズ( 投影
光学系) であり、レチクルステージ3aに裁置したレチ
クル(第1マスク)3のパターンをXYZ方向に駆動可
能なウエハステージ5上に裁置したウエハ(感光基板)
7上にステップアンドリピート方式又はステップアンド
スキャン方式で微小投影している。
【0045】レチクル3はパターンが異なるレチクル
(第2マスク)13と交換可能となっており、レチクル
3とレチクル13とを交換してウエハ7上の同一領域を
多重露光(二重露光)している。2は照明系であり、超
高圧水銀灯やエキシマレーザ等からの露光光でレチクル
3(13)を照明している。8はレチクルアライメント
検出系であり、例えば図2,図3に示すようなレチクル
アライメントマーク22(23)を検出してそのアライ
メント信号を中央処理系6に入力している。
【0046】4はウエハアライメント検出系であり、ウ
エハ7上のパターン転写領域の位置情報(アライメント
信号)をウエハ7上のパターン転写領域の位置情報(ア
ライメント信号)をウエハ7上に設けたアライメントマ
ークを観察して得ている。
【0047】ウエハアライメント検出系4は明視野/暗
視野の切り替えが可能となっており、像コントラストの
良い信号を選択して用いている。ウエハアライメント検
出系4からのアライメント信号は中央処理系6に入力さ
れている。
【0048】中央処理系6はレチクルアライメント検出
系8からのアライメント信号又は/及びウエハアライメ
ント検出系4からのアライメント信号とを用いてレチク
ルとウエハとの位置合わせを行っている。
【0049】ウエハアライメント検出系4は投影レンズ
1を介さない非TTLオフアクシスを用いているが、投
影レンズ1を介して行うTTLオフアクシス方式、TT
Lオンアクシス方式等を用いても良い。
【0050】本実施形態では二重露光により基板(ウエ
ハ)上に微細パターンを露光転写する露光方法におい
て、第1と第2の二重露光により位置検出マーク(アラ
イメントマーク)を該基板上に露光し、該位置検出マー
クの位置を検出し、該基板上の微細パターンの位置を計
測することを特徴としている。
【0051】具体的には本実施形態において、レチクル
(第1マスク)13として微細な周期的パターンよりな
る周期パターンマスク(Fレチクル)を用いて第1露光
を行い、レチクル(第2マスク)3としてゲートパター
ン等の回路パターンより成る通常パターンマスク(Rレ
チクル)を用いて第2露光を行い、2重露光を行ってい
る。
【0052】これによって後述するようにウエハ面上に
微細パターン(回路パターン)を形成している。このと
きの2重露光プロセスにおいて図2,図3に示すレチク
ル3又は/及び13に設けたアライメントマーク22又
は/及び23をウエハ(感光基板)7上に投影露光して
アライメントマーク(AAマーク)を形成している。
【0053】そして次の工程において、ウエハ面上に形
成したアライメントマークを用いてマスクとの相対的な
位置合わせを行っている。図2において、21は回路パ
ターン領域を示し、領域23には例えば図10に示す回
路パターン(ゲートパターン)が形成されている。図3
において31は回路パターン領域を示し、領域33には
図11に示すような周期的パターンが形成されている。
【0054】次に本実施形態においてウエハ上に位置合
わせマーク(アライメントマーク)を形成する方法につ
いて説明する。
【0055】図4は第1と第2露光でウエハ面上にアラ
イメントマークを形成する実施形態の説明図である。同
図(A)は第1マスク(Fレチクル)に設けたアライメ
ントマークFaと、第2マスク(Rレチクル)に設けた
アライメントマークRaとの2つのマスクのアライメン
トマークを2重露光に際してウエハ上の同一領域に投影
して、現像処理工程を行って合成像としてのアライメン
トマークFRaを形成している。尚、このときの位置合
わせ方向(アライメント方向)は同図(C)の矢印で示
す方向である。
【0056】図4(B)は同図(A)に比べて第2マス
ク(Rレチクル)に設けたアライメントマークRaの形
状が異なっている。この結果、ウエハ面上に形成される
合成像としてのアライメントマークFRaのパターン形
状も異なっている。
【0057】同図(B)では位置合わせ方向は矢印で示
すように同図(A)とは90度方向が異なっている。
【0058】本実施形態では第1,第2露光の2重露光
でアライメントマークを形成している為、2重露光で形
成した回路パターン(ICパターン)の位置を正確に反
映している。
【0059】本発明においてウエハにアライメントマー
クを形成するとき、多重露光で形成するときは多重露光
におけるパターン形成と同様に全露光の露光量の合計値
がレジストのしきい値をEthを超えるようにしてい
る。尚、単一露光で形成するときはレジストのしきい値
Eth以上の露光量を与えている。
【0060】図5〜図8は2重露光により、所定の層に
パターンを形成するとき、次の工程用のアライメントマ
ーク(AAマーク)を2重露光で作成する方法を示して
いる。
【0061】このときはFレチクルとRレチクルのパタ
ーンのうち、次工程で位置合わせを行うレチクル側のア
ライメントマークの線幅を他方のレチクルのアライメン
トマークの線幅よりも小さくしている。
【0062】例えば次工程においてFレチクルのパター
ンとアライメントをしたいときは図5に示すようにFレ
チクルのアライメントマークの線幅をRレチクルのアラ
イメントマークの線幅よりも小さくしておく。
【0063】又、次工程においてRレチクルのパターン
とアライメントしたいときにはRレチクルのアライメン
トマークの線幅をFレチクルのアライメントマークの線
幅よりも小さくしておく。
【0064】次に図5〜図8に示した2重露光によりI
Cパターン(回路パターン)とアライメントマーク(A
Aマーク)を形成する様子を示した概略図について説明
する。図5はFレチクルとアライメントをする場合を示
している。図5はFレチクルFに形成した線幅のAAマ
ークがレジストに形成される様子を示している。
【0065】図5(A)はRレチクルのAAマークとI
Cパターンの投影露光(第1露光)による露光量分布を
示し、図5(B)はFレチクルのAAマークとICパタ
ーンの投影露光(第2露光)による露光量分布を示して
いる。図5(C)はレジストの第1,第2露光の露光量
分布の合計を示している。スレッシュホールドを同図
(C)の点線の如く設定し、これによって同図(D)に
示すようなAAマークとICパターンを形成している。
【0066】図6はRレチクルとアライメントする場合
を示している。図6は図5と基本的には同様であるが、
Rレチクルに形成した線幅のAAマークが2重露光によ
ってレジストに形成される様子を示している。
【0067】露光工程は図5(A)〜(D)と基本的に
同じである。
【0068】図7は次工程においてアライメントを行う
レチクル(Fレチクル)に一定の線幅のアライメントマ
ークを形成し、そうでないレチクル(Rレチクル)には
幅の広いべたマークを形成した場合を示している。
【0069】これによって図7に示すようにレジストに
Fレチクルと同じ線幅のアライメントマークを形成して
いる。
【0070】図8は次工程においてアライメントを行う
レチクルをRレチクルとし、図7に比べてFレチクルと
Rレチクルに形成するアライメントマークの線幅を逆に
したものである。
【0071】図9はウエハ上のレジスト層に回路パター
ンとAAマークが形成される様子を示している。同図
(A)ではFレチクルの回路パターンをパターン部にA
Aマークをマーク領域に各々第1露光でレジスト層に露
光している。
【0072】同図(B)でRレチクルの回路パターンと
AAマークを各々第2露光でレジスト層に露光してい
る。そして多重露光した後に現像処理して同図(C)に
示すようにウエハ面上に回路パターンとAAマークが形
成している。
【0073】図12は本発明のAAマークのパターン形
成の説明図である。図12(A)のレチクル3上のAA
マーク22はその位置合わせ方向の線幅が3Lで間隔が
L、レチクル13上のAAマーク32はその線幅がLで
間隔がLのレベンソン型位相シフトパターンより成って
おり、AAマーク22とAAマーク32との合成したA
Aマークの幅が3Lで間隔Lの場合を示している。これ
は図10の回路パターンの領域Aにおける位置合わせ精
度を検出する為に、該回路パターンの形状に合わせてい
る。
【0074】図12(B)のレチクル3上のAAマーク
22は位置合わせ方向の線幅がL、レチクル13上のA
Aマークが線幅Lで間隔Lのレベンソン型位相シフトパ
ターンより成り、合成したAAマークの幅がL、間隔が
Lの場合を示している。これは図10の回路パターンの
領域Bにおける位置合わせ精度を検出する為に該回路パ
ターンの形状に合わせている。
【0075】本実施形態では回路パターンと同様な線幅
のパターンよりAAマークを形成している。このように
図12では第1及び第2露光で転写される位置検出マー
クが、位置ずれ検出方向に対して該回路パターンと同じ
線幅、ピッチ構成されることを特徴としている。
【0076】これによってレチクル3とレチクル13と
の位置合わせに誤差があるとき、ICパターンの合成像
位置にAAマークの合成像の位置が正確に一致するよう
にしている。
【0077】図13は図12のレチクル3のAAマーク
22とレチクル13のAAマーク32のレジスト面上で
の露光量分布と、双方の露光量分布を合成し、スレッシ
ョホールドをTL2としたときの得られる合成像(パタ
ーン像)を示している。
【0078】図12(A),(B)に対応してA部では
幅3L、間隔LのAAマークが、B部では幅L、間隔L
のAAマークが形成される様子を示している。
【0079】図14は図12の合成パターン(AAマー
ク)42L,42Rをアライメント検出系4で検出した
ときのアライメント検出信号の説明図である。
【0080】図14において位置42La,42Raは
AAマーク42L,42Rに入射した光束の正反射光と
エッジ散乱光との干渉で生じてくる光強度変化の位置を
示し、位置42LRがAAマーク42L,42Rの位置
の平均値であるこの42LRを用いてアライメントを行
っている。
【0081】図15は本発明の実施形態であり、Y方向
の位置検出用のAAマークのパターン形成方法の説明図
である。同図は一方のレチクル(例えばレチクル3)に
のみAAマークが設けられており、レチクル3のAAマ
ーク22を1回の露光でウエハ面上に形成している。
【0082】このときレチクル13の回路パターンをウ
エハ面上に投影露光するとき、ウエハ面上のレチクル3
のAAマーク22を露光形成した領域は露光しないよう
に、レチクル13のそれに相当する領域を遮光領域32
としている。
【0083】レチクル3のAAマーク22の線幅は回路
パターンの最小線幅の10倍程度としている(2倍程度
であれば良い)。
【0084】このように本実施形態では二重露光により
基板上に微細パターンを露光転写するときに片方の露光
で位置検出マークを該基板上に露光し、他方の露光時に
は、該位置検出マークの領域を露光しないようにし、該
位置検出マークの位置を検出して該基板上に微細パター
ンの位置を求めることを特徴としている。
【0085】図16は本発明の実施形態3の説明図であ
る。同図の本実施形態はウエハ面上に形成したオーバー
レイマークのX方向の検出を示している。
【0086】同図はレチクルとウエハとの位置合わせを
行い、多重露光した後のウエハ面上で下地パターン(下
地AAマーク)43L,43Rと今回転写したレジスト
パターン(AAマーク)42L,42Rとの位置ずれを
測定し、次のウエハの位置合わせの際にオフセットを与
えている。
【0087】図12で説明したAAマークの形成方法と
同様にオーバーレイマーク42L,42Rを形成する。
ここでオーバーレイマーク43L,43Rは下地パター
ンであり、前工程で露光転写されたパターンを示してい
る。
【0088】同図では二重露光により基板(ウエハ)上
に微細パターンを露光転写する2重露光において、第1
の露光で第1の位置検出マーク(AAマーク)42L,
43Lを該基板上に露光し、第2の露光時に該基板上に
第1の位置検出マークとは異なる位置に第2の位置検出
マーク(AAマーク)43L,43Rを該基板上に露光
し、該第1の露光時には、第2の位置検出マークの領域
を露光しないようにし、該第2の露光時には、第1の位
置検出マークの領域を露光しないようにし、該第1の位
置検出マーク42L,42R及び該第2の位置検出マー
ク43,43Rの位置を検出し、第1の位置検出マーク
の位置と第2の位置検出マークの位置の平均値により、
該基板上に微細パターンの位置を求めることを特徴とし
ている。
【0089】図17はウエハ7面上に形成したオーバー
レイマーク7bを検出するときの概略図である。同図で
は照明系52からの光束で投影レンズ51の一部を介し
てウエハ7上のオーバーレイマーク7bを照明してい
る。そしてオーバーレイマーク7bの画像情報を投影レ
ンズ51を介してCCDカメラ53で検出している。
【0090】このとき得られる画像情報より下地パター
ン43L,43Rとレジストパターン42L,43Rと
の位置ずれを検出している。
【0091】図18は図17で示すCCDカメラ53で
得られたオーバーレイマークに関する画像信号の説明図
である。42La,42Raはレジストパターン42
L,42Rに基づく画像信号、43La,43Raは下
地パターン43L,43Rに基づく画像信号である。
【0092】同図では画像信号42La,42Raの位
置の平均値と、画像信号43La,43Raの位置の平
均値の差分ΔXを位置合わせ誤差として求めている。
【0093】このときの位置合わせ誤差ΔXをオフセッ
トとして次のレチクルとウエハとの位置合わせに用いて
いる。
【0094】次に本実施形態における多重露光によって
ウエハ面上に回路パターンを形成する露光方法について
説明する。以下の説明では例として2重露光について説
明するが、2重露光プロセスの適切なプロセス工程にお
いて前述したようにウエハ面上にアライメントマークを
形成して、位置合わせ(アライメント)を行っている。
【0095】図19〜図27は本発明の露光方法の実施
形態1の説明図である。図19は本発明の露光方法を示
すフローチャートである。図19には本発明の露光方法
を構成する周期パターン露光ステップ、投影露光ステッ
プ(通常パターン露光ステップ)、現像ステップの各ブ
ロックとその流れが示してある。同図において周期パタ
ーン露光ステップと投影露光ステップの順序は、逆でも
いいし、どちらか一方のステップが複数回の露光段階を
含む場合は各ステップを交互に行うことも可能である。
また、各露光ステップ間には.精密な位置合わせを行な
うステップ等があるが、ここでは図示を略した。
【0096】本発明の露光方法及び露光装置は、被露光
基板(感光基板)に対して周期パターン露光と通常の露
光の二重露光を行うことを特徴としている。
【0097】ここで通常パターン露光とは周期パターン
露光より解像度が低いが任意のパターンで露光が行える
露光であり、代表的なものとして図37に示した投影光
学系によってマスクのパターンを投影する投影露光があ
げられる。
【0098】通常パターン露光によって露光されるパタ
ーン(通常パターン)は解像度以下の微細なパターンを
含み、周期パターン露光はこの微細なパターンと略同線
幅の周期パターンを形成するようにする。通常パターン
露光の解像度以上の大きなパターンは、周期パターン露
光の線幅に限定されないが整数倍が効果的である。
【0099】通常パターン露光は任意の形状をしている
のでいろいろな方向を向いていてもよい。一般にICパ
ターンでは、方向がある方向とそれに直行する方向の2
方向を向いている場合が多く、最も微細なパターンはあ
る特定の1方向のみに限定される場合が多い。
【0100】二重露光で周期パターン露光をする際、そ
の通常パターンの最も微細なパターンの方向に、周期パ
ターンの方向を合致させることが重要である。
【0101】また、周期パターンのピークの中心は、通
常パターンにおける解像度以下の微細なパターンの中心
に合致するように露光する。
【0102】本発明における二重露光とは周期パターン
露光と通常パターン露光の二重露光という意味であっ
て、周期パターン露光は、通常パターン露光の最も微細
なパターンの方向に平行にして何回繰り返して露光して
も良い。
【0103】本発明の露光方法及び露光装置の周期パタ
ーン露光と通常パターン露光のそれぞれは、1回また
は、複数回の露光段階よりなり、複数回の露光段階を取
る場合は、各露光階ごとに異なる露光量分布を感光基板
に与えている。
【0104】図19のフローに従って露光を行なう場
合、まず周期パターンによりウエハ(感光基板)を図2
0に示すような周期パターンで露光する。図20中の数
字は露光量を表しており、図20(A)の斜線部は露光
量1(実際は任意)で白色部は露光量0である。
【0105】このような周期パターンのみを露光後現像
する場合、通常,感光基板のレジストの露光しきい値E
thは図20(B)の下部のグラフに示す通り露光量0
と1の間に設定する。尚、図20(B)の上部は最終的
に得られるリソグラフィーパターン(凹凸パターン)を
示している。
【0106】図21に、この場合の感光基板のレジスト
に関して、現像後の膜厚の露光量依存性と露光しきい値
とをポジ型レジスト(以下、「ポジ型」と記す。)とネ
ガ型レジスト(以下、「ネガ型」配す。)の各々につい
て示す。ポジ型の場合は露光しきい値Eth以上の場合
に、ネガ型の場合は露光しきい値Eth以下の場合に、
現像後の膜厚が0となる。
【0107】図22はこのような露光を行った場合の現
像とエッチングプロセスを経てリソグラフィーパターン
が形成される様子を、ネガ型とポジ型の場合に関して示
した摸式図である。
【0108】本実施形態においては、この通常の露光感
度設定とは異なり、図23(図20(A)と同じ)及び
図24に示す通り、周期パターン露光での中心露光量を
1としたとき、露光基板のレジストの露光しきい値Et
hを1よりも大きく設定している。この感光基板は図2
0に示す下地パターン露光のみ行った露光パターン(露
光量分布)を現像した場合は露光量が不足するので、多
少の膜厚変動はあるものの現像によって膜厚が0となる
部分は生じず、エッチングによってリソグラフィーパタ
ーンは形成されない。これは即ち周期パターンの消失と
見做すことができる(尚、ここではネガ型を用いた場合
の例を用いて本発明の説明を行うが、本発明はポジ型の
場合も実施できる。)。
【0109】尚、図24において、上部はリソグラフィ
ーパターンを示し(何もできない)、下部のグラフは露
光量分布と露光しきい値の関係を示す。尚、下部に記載
のE1 は周期パターン露光における露光量を、E2 は通
常の投影露光における露光量を表している。
【0110】本実施形態の特徴は、周期パターン露光の
みでは一見消失する高解像度の露光パターンを通常の投
影露光による露光装置の分解能以下の大きさのパターン
を含む任意の形状の露光パターンと融合して所望の領域
のみ選択的にレジストの露光しきい値以上の露光をし、
最終的に所望のリソグラフィーパターンを形成できると
ころにある。
【0111】図25(A)は通常の投影露光(通常パタ
ーン露光)による露光パターンであり、微細なパターン
である為、解像できずに被露光物体上での強度分布はぼ
けて広がっている。本実施形態では通常の投影露光の解
像度の約半分の紙幅の微細パターンとしている。
【0112】図25(A)の露光パターンを作る投影露
光を、図23の周期パターン露光の後に、現像工程なし
で、同一レジストの同一領域に重ねて行ったとすると、
このレジスト面上への合計の露光量分布は図25(B)
の下部のグラフのようになる。尚、ここでは周期パター
ン露光の露光量E1 と投影露光の露光量E2 の比が1:
1、レジストの露光しきい値Ethが露光量E1 (=
1)と露光量E1 と投影露光の露光量E2 の和(=2)
の間に設定されている為、図25(B)の上部に示した
リソグラフィーパターンが形成される。
【0113】その際、通常パターンの中心が周期パター
ンのピークと合致させておく。又、通常パターンの方向
と周期パターンの方向とを合致させている。
【0114】図25(B)の上部に示す孤立線パターン
は、解像度が周期パターン露光のものであり且つ単純な
周期パターンもない。従って通常の投影露光で実現でき
る解像度以上の高解像度のパターンが得られたことにな
る。
【0115】ここで仮に、図26の露光パターンを作る
投影露光(図23の露光パターンの2倍の線幅で露光し
きい値以上(ここではしきい値の2倍の露光量)の投影
露光)を、図23の周期パターン露光の後に、現像工程
なしで、同一レジストの同一領域に重ねる。この際、通
常パターンの中心が周期パターン露光のピーク位置と合
致させることで重ね合わせたパターンの対称性が良く、
良好なるパターン像が得られる。
【0116】このレジストの合計の露光量分布は図26
(B)のようになり、2光束干渉露光(周期パターン露
光)の露光パターンは消失して最終的に投影露光による
リソグラフィーパターンのみが形成される。
【0117】また、図27に示すように、図23の露光
パターンの3倍の線幅で行う場合も理屈は同様であり、
4倍以上の線幅の露光パターンでは、基本的に2倍の線
幅の露光パターンと3倍の線幅の露光パターンの組み合
わせから、最終的に得られるリソグラフィーパターンの
線幅は自明でであり、投影露光で実現できるリソグラフ
ィーパターンは全て、本実施形態でも、形成可能であ
る。
【0118】以上簡潔に説明した周期パターン露光と投
影露光の夫々による露光量分布(絶対値及び分布)と感
光基板のレジストのしきい値の調整を行うことにより、
図24,図25(B),図26(B),及び図27
(B)で示したような多種のパターンの組み合わせより
成り且つ最小線幅が周期パターン露光の解像度(図25
(B)のパターンとなる回路パターンを形成することが
できる。
【0119】以上の露光方法の原理をまとめると、 (ア-1) 投影露光(通常パターン露光)をしないパターン
領域即ちレジストの露光しきい値以下の周期露光パター
ンは現像により消失する。
【0120】(ア-2) レジストの露光しきい値以下の露光
量で行った投影露光のパターン領域に関しては投影露光
と周期パターン露光のパターンの組み合わせにより決ま
る周期パターン露光の解像度を持つ露光パターンが形成
される。
【0121】(ア-3) 露光しきい値以上の露光量で行った
投影露光のパターン領域は投影露光のみでは解像しなか
った微細パターンも同様に(マスクに対応する)形成す
る。ということになる。更に露光方法の利点として、最
も解像力の高い周期パターン露光を2光束干渉露光で行
えば、通常の露光に比してはるかに大きい焦点深度が得
られることが挙げられる。
【0122】以上の説明では周期パターン露光と投影露
光の順番は周期パターン露光を先としたが、この順番に
限定されない。
【0123】次に本発明の実施形態2を説明する。
【0124】本実施形態は露光により得られる回路パタ
ーン(リソグラフィーパターン)として、図10に示す
所謂ゲート型のパターンを対象としている。
【0125】図28のゲートパターンは横方向の即ち図
中A−A’方向の最小線幅が0.1μmであるのに対し
て、縦方向では0.2μm以上である。本発明によれ
ば、このような1次元方向のみ高解像度を求められる2
次元パターンに対しては2光束干渉露光(周期パターン
露光)をかかる高解像度の必要な1次元方向のみで行え
ばいい。
【0126】本実施形態では、図29を用いて1次元方
向のみの2光束干渉露光と通常の投影露光の組み合わせ
の一例を示す。
【0127】図29において、図29(A)は1次元方
向のみの2光束干渉露光による周期的な露光パターンを
示す。この露光パターンの周期は0.2μmであり、こ
の露光パターンは線幅0.1μmL&Sパターンに相当
する。図29の下部における数値は露光量を表すもので
ある。
【0128】このような2光束干渉露光を実現する露光
装置としては、図33で示すような、レーザ151,ハ
ーフミラー152,平面ミラー153による干渉計型の
分波合波光学系を備えるものや、図34で示すような、
投影露光装置においてマスクと照明方法を図35又は図
36のように構成した装置がある。
【0129】図33の露光装置について説明を行う。
【0130】図33の露光装置では前述した通り合波す
る2光束の夫々が角度θでウエハ154に斜入射し、ウ
エハ154に形成できる干渉縞パターン(露光パター
ン)の線幅は前記(3)式で表される。角度θと分波合
波光学系の像面側のNAとの関係はNA=sinθであ
る。角度θは一対の平面ミラー153(153a,15
3b)の夫々の角度を変えることにより任意に調整、設
定可能で、一対の平面ミラーで角度θの値を大きく設定
すれば干渉縞パターンの夫々の縞の線幅は小さくなる。
例えば2光束の波長が248nm(KrFエキシマ)の
場合、θ=38度でも各縞の線幅は約0.1μmの干渉
縞パターンが形成できる。尚、この時のNA=sinθ
=0.62である。角度θを38度よりも大きく設定す
れば、より高い解像度が得られるということは言うまで
もない。
【0131】次に図34乃至図36の露光装置に関して
説明する。
【0132】図34の露光装置は、例えば通常のステッ
プアンドリピート方式又はステップアンドスキャン方式
の縮小投影光学系(多数枚のレンズより成る)を用いた
投影露光装置であり、現状で露光波長248nmに対し
てNA0.6以上のものが存在する。
【0133】図34中、161はマスク、162はマス
ク161から出て光学系163に入射する物体側露光
光、163は投影光学系、164は開口絞り、165は
投影光学系163から出てウエハ166に入射する像側
露光光、166は感光基板であるウエハを示し、167
は絞り164の円形開口に相当する瞳面での光束の位置
を一対の黒点で示した説明図である。
【0134】図34は2光束干渉露光を行っている状態
の摸式図であり、物体側露光光162と像側露光光16
5は双方とも、図37の通常の投影露光とは異なり、2
つの平行光線束だけから成っている。
【0135】図34に示すような通常の投影露光装置に
おいて2光束干渉露光(周期パターン露光)を行う為に
は、マスク161とその照明方法を図35又は図36の
ように設定すれば良い。以下これら3種の例について説
明する。
【0136】図35(A)はレベンソン型の位相シフト
マスク173を示しており、クロムより成る遮光部17
1のピッチPOが(4)式で0、位相シフタ172のピ
ッチPOSが(5)式で表されるマスクである。
【0137】 P0 =MP=2MR=Mλ/(2NA) ‥‥‥(4) POS=2P0 =Mλ/(NA) ‥‥‥(5) ここで、Mは投影光学系163の投影倍率、λは露光波
長、NAは投影光学系163の像側の開口数を示す。
【0138】一方、図35(B)が示すマスク174は
クロムより成る遮光部のないシフタエッジ型の位相シフ
トマスクであり、レベンソン型と同様に位相シフタ17
5のピッチPOSを上記(5)式を満たすように構成し
たものである。
【0139】図35(A),(B)の夫々の位相シフト
マスクを用いて2光束干渉露光を行うには、これらのマ
スクをσ=0(又は0に近い値)所謂コヒーレント照明
を行う。具体的には図35に示すようにマスク面170
に対して垂直な方向(光軸に平行な方向)から平行光線
束をマスク170に照射する。
【0140】ここで、σ=照明光学系の開口数/投影光
学系の開口数 である。
【0141】このような照明を行うと、マスク170か
ら上記垂直な方向に出る0次透過回折光に関しては、位
相シフタ172(175)により隣り合う透過光の位相
差がπとなって打ち消し合い存在しなくなり、±1次の
透過回折光の2平行光線束はマスク170から投影光学
系163の光軸に対して対称に発生し、図34の2個の
物体側露光165がウエハ166上で干渉する。また2
次以上の高次の回折光は投影光学系163の開口絞り1
64の開口に入射しないので結像には寄与しない。
【0142】図36に示したマスク180は、クロムよ
り成る遮光部181のピッチPOが(4)式と同様の
(6)式で表されるマスクである。
【0143】 P0 =MP=2MR=Mλ/(2NA) ‥‥‥(6) ここで、Mは投影光学系163の投影倍率、λは露光波
長、NAは投影光学系163の像側の開口数を示す。
【0144】図36の位相シフタを有していないマスク
には、1個又は2個の平行光線束による斜入射照明とす
る。この場合の平行光線束のマスク180への入射角θ
0 は(7)式を満たすように設定される。2個の平行光
線束を用いる場合が、光軸を基準にして互いに逆方向に
θ0 傾いた平行光線束によりマスクを照明する。
【0145】sinθ0 =M/NA ‥‥‥(7) ここでも、Mは投影光学系163の投影倍率、NAは投
影光学系163の像側の開口数を示す。
【0146】図36が示す位相シフタを有していないマ
スクを上記(7)式を満たす平行光線束により斜入射照
明を行うと、マスク180からは、光軸に対して角度θ
0 で直進する0次透過回折光とこの0次透過回折光の光
路と投影光学系の光軸に関して対称な光路に沿って進む
(光軸に対して角度−θ0 で進む)−1次透過回折光の
2光束が図34の2個の物体側露光光162として生
じ、この2光束が投影光学系163の開口絞り164の
開口部に入射し、結像が行われる。
【0147】尚、本発明においてはこのような1個又は
2個の平行光線束による斜入射照明も「コヒーレント照
明」として取り扱う。
【0148】以上が通常の投影露光装置を用いて2光束
干渉露光を行う技術であり、図37に示したような通常
の投影露光装置の照明光学系は部分的コヒーレント照明
を行うように構成してあるので、図37の照明光学系の
0<σ<1に対応する不図示の開口絞りをσ≒0に対応
する特殊開口絞りに交換可能にする等して、投影露光装
置において実質的にコヒーレント照明を行うよう構成す
ることができる。
【0149】図28及び図29が示す実施形態2の説明
に戻る。本実施形態では前述した2光束干渉露光(周期
パターン露光)の次に行う通常の投影露光(通常パター
ン露光)(例えば図37の装置でマスクに対して部分的
コヒーレント照明を行うもの)によって図29(B)が
示すゲートパターンの露光を行う。図29(C)の上部
には2光束干渉露光による露光パターンとの相対的位置
関係と通常の投影露光の露光パターンの領域での露光量
を示し、同図の下部は、通常の投影露光によるウエハの
レジストに対する露光量を縦横を最小線幅のピッチの分
解能でマップ化したものである。
【0150】図29の下部に示す露光量分布は、マスク
から入射される光強度を1としてウエハに露光される強
度分布を示したものである。
【0151】図29(A)の周期パターンの露光による
露光量分布は、理想的には1と0の矩形波であるはずだ
が、2光束干渉露光の解像限界付近の線幅を用いている
ので、0次光と1次光のみで形成されるsin 波となって
いる。そのsin 波の最大値をIo、最小値をI1とあらわ
す。このとき、照明条件のσによって、I0とI1の値が定
まる。
【0152】図29(B) の通常の投影露光による露光量
分布は、各部分での代表的な値を示している。この投影
露光による露光パターンの最小線幅の部分は、解像せず
ぼけて広がり、光強度の各店の値は下がる。露光量は、
大まかにパターン中心部をb,両サイドをd,両側から
のぼけ像がくる中心部をcとする。最小線幅の2倍の線
幅は、b,c,d の値よりも大きいが、投影露光の解像限界
付近の線幅であるため、少しぼけてa の値をとる。これ
ら、a,b,c,d の値は、照明条件によって変化する。
【0153】図29(C) の露光量分布は、図29(A) の
露光パターンと図29(B) の露光パターンの露光量の加
算した結果生じたものである。
【0154】2光束干渉露光と投影露光の各露光での光
量比は、それぞれの露光の照明条件により異なる。加算
における各露光での光量比は、照明系の照度比として、 2光束干渉露光:投影露光=1:k とし、kの値は次のようにして求める。
【0155】図29(C) の露光量分布は、上記の露光量
分布、光量比を用いて、以下の式で表せる。
【0156】a' = k×a + I0 a" = k×a + I1 b' = k ×b + I0 c' = k×c+ I1 d' = k×d + I1 所望のゲートパターンを得るためには、レジストの感光
のしきい値Icとの関係式を得る。たとえば、レジストが
ネガ型の場合、以下のようになる。
【0157】a' >IC a" >IC b' >IC c' <IC d' <IC a',a",b'は差が小さい方が望ましく、c'と特にb'との差
がある方が望ましい。これらの式を解くことにより、各
照明条件での最適光量比が求められる。特に微細パター
ンの関係する以下の2式は重要である。 レジストがネガ型の場合、 k×b+I0>IC k×c+I1<IC レジストがポジ型の場合、 k×b+I1<IC k×c+I0>IC レジストがポジ型の場合、露光量分布の大小関係が反転
し、レジストしきい値Icとの不等号が逆になるが、同様
に最適光量比が求められる。
【0158】以上説明した2光束干渉露光と通常の投影
露光の照明方法の異なった2つを組み合わせによって図
30の微細回路パターンが形成される様子について述べ
る。本実施形態においては2光束干渉露光と通常の投影
露光の間には現像過程はない。従って各露光の露光パタ
ーンが重なる領域での露光量は加算され、加算後の露光
量(分布)により新たな露光パターンが生じることと成
る。
【0159】図30,図31,図32は波長248nm のK
rFエキシマステッパーを用いたときの具体的な実施例
である。
【0160】図30に示すような、最小線幅0.12μmの
ゲートパターンを通常露光し、重ねてレベンソンタイプ
の位相シフトマスクで、その最小線幅と重なるように周
期パターンを露光したものである。
【0161】投影レンズのNAは0.6 、照明系のσは、レ
ベンソンマスクによる露光では、0.3 とした。通常マス
ク露光時では、σ=0.3,0.6,0.8,輪帯照明とした。
【0162】位相シフトマスクなどの2光束干渉により
周期パターンを露光する場合の、コヒーレント照明はσ
の値がゼロまたは、それに近い値であるが、あまり小さ
くすると単位時間当たりの露光量が小さくなり、露光に
要する時間が長くなるので実際的でない。
【0163】周期パターン露光のときはσが0.3 以下で
あることが望ましく、レベンソンマスクによる露光では
その最大であるσ=0.3 とした。
【0164】通常露光では、一般的に部分的コヒーレン
ト照明にするが、σを大きくすると複雑な形状の再現性
はよくなり、かつ深度は広がる。照度分布が外側に比べ
て内側が低いいわゆる輪帯照明では、この傾向は顕著に
なるが、コントラストは落ちるという欠点がある。
【0165】図31(A)に示すように、通常露光のσ
を周期パターン露光のσと同じ0.3にして同じ照明条件
で二重露光を行うと、ゲートパターンがデフォーカス0
±0.2 μmの範囲で解像されるが、線パターンの部分が
うねっており、くびれた部分が断線の原因となるため好
ましくない。
【0166】又、通常パターン露光のときはσ=0.6
以上にするのが良い。図31(B)に示すように、通常
露光のσを0.6 にするとデフォーカス0±0.4 μmの範
囲でゲートパターンが解像されるようになり、線パター
ンの部分がうねりは解消されている。通常露光と周期パ
ターン露光の露光量比を 通常露光:周期パターン露光=
1.5 :1とした。
【0167】図32(A)に示すように、通常露光のσ
が0.8 と大きくなると、複雑な形状の再現性は若干よく
なる。通常露光と周期パターン露光の露光量比を通常パ
ターン露光:周期パターン露光=2 :1とした。通常パ
ターン露光のときは周期パターン露光に比べて2倍以上
の露光量とするのが良い。
【0168】図32(B)では、通常露光を輪帯照明と
し、リング内側の0.6 から外側の0.8 までの照度を1、
リング内側の0.6 以下を照度0とした場合の二次元強度
分布である。通常露光と周期パターン露光の露光量比を
通常露光:周期パターン露光=2.5:1とした。
【0169】輪帯照明では、σが0.8 の時よりも、複雑
な形状の再現性はよくなり、かつ深度は広がる。デフォ
ーカス±0.4 μm以下で良好な像が得られた。
【0170】このように微細な回路パターンは、周期パ
ターン露光との二重露光によって形成される。通常露光
パターンの微細なパターンは光強度が低くコントラスト
も低いので、通常は解像されないが、コントラストが高
い周期パターン露光と二重に露光し重ね合わせることに
よって、微細なパターンはコントラストが増強され解像
されるようになる。
【0171】一方、通常露光パターンの解像度以上の大
きなパターンも、周期パターン露光の強度と重ね合わさ
れコントラストが増強されるので、周期パターン露光の
線幅の整数倍にするとエッジがシャープな像となる。本
発明の露光方法によって、0.12μmといった微細な線幅
を有する回路パターンが、例えばσや照度の光量比を可
変とする照明条件の切り替え可能な照明光学系を有する
投影露光装置を用いて形成可能としている。
【0172】周期パターン露光と通常パターン露光の光
量比は、照明条件の組み合わせによる最適値を前述の計
算式によって求めた。
【0173】照明条件1 周期パターンの露光はσ=0.
3、通常パターン露光はσ=0.3 図29(A) の下部に示した周期パターンの露光による露
光量分布と、図29(B)の下部に示した通常の投影露光
による露光量分布(ベストフォーカス)を以下に示す。
【0174】I0 = 0.80 I1 = 0.23 a = 1.31 b = 0.34 c = 0.61 d = 0.09 k = 1.0 のとき最適であり、 a' = 2.11 a" = 1.54 b'= 1.21 c'= 0.89 d'= 0.32 となり、後の比較のため、最大値のa'を1で規格化する
と次のようになる。
【0175】a' = 1.0 a" = 0.73 b'= 0.57 c'= 0.42
d'= 0.15 I0 = 0.38 照明条件2 周期パターンの露光はσ=0.3、通常パター
ン露光はσ=0.6 I0 = 0.80 I1 = 0.23 a = 1.25 b = 0.44 c = 0.53 d = 0.13 k = 1.5 のとき最適であり、 a' = 2.68 a" = 2.11 b'= 1.46 c'= 1.03 d'= 0.43 となり、後の比較のため、最大値のa'を1で規格化する
と次のようになる。
【0176】a' = 1.0 a" = 0.79 b'= 0.55 c'= 0.38
d'= 0.16 I0 = 0.30 照明条件3 周期パターンの露光はσ=0.3、通常パター
ン露光はσ=0. 8 I0 = 0.80 I1 = 0.23 a = 1.20 b = 0.48 c = 0.47 d = 0.16 k = 2.0 のとき最適であり、 a' = 3.20 a" = 2.63 b'= 1.76 c'= 1.17 d'= 0.55 となり、最大値のa'を1で規格化すると次のようにな
る。
【0177】a' = 1.0 a" = 0.82 b'= 0.55 c'= 0.37
d'= 0.17 I0 = 0.25 照明条件4 周期パターンの露光はσ=0.3、通常パター
ン露光はσ=0. 8で輪帯照明とし、内側(輪帯内側)σ
0.6以下の照度分布をゼロとした。
【0178】I0 = 0.80 I1 = 0.23 a = 1.10 b = 0.47 c = 0.36 d = 0.19 k = 2.5 のとき最適であり、 a' = 3.55 a" = 2.98 b'= 1.98 c'= 1.13 d'=0.71 となり、最大値のa'を1で規格化すると次のようにな
る。
【0179】a' = 1.0 a" = 0.84 b'= 0.56 c'= 0.32
d'=0.20 I0 = 0.23 今までの議論で、レジストしきい値は、最大露光量3の
とき1.5 だったので、最大露光量で規格化するとレジス
トしきい値は0.5 となる。この規格化された露光量分布
を見ると、a',a",b'は規格化されたレジストしきい値0.
5 より大きく、c',d',I0 はしきい値より小さい。
【0180】現像によって露光量がレジストしきい値よ
り大きい部分がのこるから、露光量がa',a",b'のみパタ
ーンとして現像後残ることになる。従って、図11(C)
の下部で灰色に示された部分が、現像後の形状である。
【0181】一般に、通常露光パターンを露光するとき
は、周期パターンを露光するときの約2倍の露光量が適
切で、通常露光パターンを露光するときの照明条件と、
周期パターンを露光するときの照明条件の組合わせによ
って最適な露光量比があり、前述の計算式で求められ
る。
【0182】前述の計算式から、種々の照明条件の組合
わせを計算した結果、次のことが示された。周期パター
ン露光のときσ=0.3で通常パターン露光の照明条件
σが0.8 より小さいときは、通常パターンを露光すると
きの露光量を周期パターンを露光するときの露光量より
2倍以下にするとよい。
【0183】周期パターンのときσ=0.3で通常パタ
ーンを露光するときの照明条件が輪帯照明のときは、輪
帯の巾が小さいときは、通常パターンを露光する露光量
が周期パターンを露光するときの露光量より2倍以上に
するとよい。
【0184】周期パターンを露光するときの照明条件σ
が0.3 より小さいときは、通常パターンを露光する露光
量は、周期パターンを露光するときの露光量より2倍以
上にするとよい。
【0185】図38は本発明に係る2光束干渉露光用の
露光装置の一例を示す概略図であり、図38において、
201は2光束干渉露光用の光学系で、基本構成は図3
3の光学系と同じである。202はKrF又はArFエ
キシマレーザー、203はハーフミラー、204(20
4a,204b)は平面ミラー、205は光学系201
との位置関係が固定又は適宜ベースライン(量)として
検出できるオフアクシス型の位置合わせ光学系で、ウエ
ハ206上の2光束干渉用位置合わせマークを観察し、
その位置を検出する。206は感光基板であるウエハ、
207は光学系201の光軸に直交する平面及びこの光
軸方向に移動可能なXYZステージで、レーザー干渉計
等を用いてその位置が正確に制御される。装置205と
XYZステージ207の構成や機能は周知なので具体的
な説明は略す。
【0186】図39は本発明の2光束干渉用露光装置と
通常の投影露光装置より成る高解像度の露光装置を示す
概略図である。
【0187】図39において、212は図30の光学系
201、装置205を備える2光束干渉露光装置であ
り、213は、不図示の照明光学系とレチクル位置合わ
せ光学系214、ウエハ位置合わせ光学系(オフアクシ
ス位置合わせ光学系)217とマスク215の回路パタ
ーンをウエハ218上に縮小投影する投影光学系216
とを備える通常の投影露光装置である。
【0188】レチクル位置合わせ光学系214はマスク
215上の位置合わせマークを観察し、その位置を検出
する。ウエハ位置合わせ光学系217はウエハ206上
の投影露光用又は2光束干渉と兼用の位置合わせマーク
を観察し、その位置を検出する。光学系214,21
6,217の構成や機能は周知なので、具体的な説明は
略す。
【0189】図39の219は2光束干渉用露光装置2
12と投影露光装置213で共用される1つのXYZス
テージであり、このステージ219は、装置212、2
13の各光軸に直交する平面及びこの光軸方向に移動可
能で、レーザー干渉計等を用いてそのXY方向の位置が
正確に制御される。
【0190】ウエハ218を保持したステージ219
は、図39の位置(1)に送り込まれてその位置が正確
に測定され、測定結果に基づいて位置(2)で示す装置
212の露光位置に送り込まれてウエハ218へ2光束
干渉露光が行われ、その後、位置(3)に送り込まれて
その位置が正確に測定され位置(4)で示す装置213
の露光位置に送り込まれてウエハ218へ投影露光が行
われる。
【0191】装置213においては、オフアクシスの位
置合わせ光学系217の代わりに、投影光学系216を
介してウエハ218の位置合わせマークを観察し、その
位置を検出する不図示のTTLの位置合わせ光学系や、
投影光学系216とマスク(レチクル)215とを介し
てウエハ218上の位置合わせマークを観察し、その位
置を検出する不図示のTTRの位置合わせ光学系も使用
できる。
【0192】図40は本発明の2光束干渉用露光と通常
の投影露光の双方が行える高解像度の露光装置を示す概
略図である。
【0193】図40において、221はKrF又はAr
Fエキシマレーザー、222は照明光学系、223はマ
スク(レチクル)、224はマスクステージ、227は
マスク223の回路パターンをウエハ228上に縮小投
影する投影光学系、225はマスク(レチクル)チェン
ジャであり、ステージ224に、通常のレチクルと前述
したレベンソン位相シフトマスク(レチクル)又はエッ
ジシフタ型のマスク(レチクル)又は位相シフタを有し
ていない周期パターンマスク(レチクル)の一方を選択
的に供給する為に設けてある。
【0194】また、マスクステージは微細パターンの方
向と周期パターンの方向と平行にする為に、予めマスク
にバーコード等に描かれてある情報をもとにマスクを回
転させる機能を持たせてある。
【0195】図40の229は2光束干渉露光と投影露
光で共用される1つのXYZステージであり、このステ
ージ229は、光学系227の光軸に直交する平面及び
この光軸方向に移動可能で、レーザー干渉計等を用いて
そのXY方向の位置が正確に制御される。
【0196】また、図40の装置は、不図示のレチクル
位置合わせ光学系、ウエハ位置合わせ光学系(図39で
説明したオフアクシス位置合わせ光学系とTTL位置合
わせ光学系とTTR位置合わせ光学系)とを備える。
【0197】図40の露光装置の照明光学系222は部
分的コヒーレント照明とコヒーレント照明とを切換え可
能に構成してあり、コヒーレント照明の場合には、ブロ
ック230内の図示した前述した(1a)又は(1b)
の照明光を、前述したレベンソン型位相シフトレチクル
又はエッジシフタ型レチクル又は位相シフタを有してい
ない周期パターンレチクルの1つに供給し、部分的コヒ
ーレント照明の場合にはブロック230内に図示した
(2a)の照明光を所望のレチクルに供給する。部分的
コヒーレント照明からコヒーレント照明とを切換えは、
通常光学系222のフライアイレンズの直後に置かれる
開口絞りを、この絞りに比して開口径が十分に小さいコ
ヒーレント照明用絞りと交換すればいい。
【0198】本発明の露光方法及び露光装置における2
重露光における前記第1露光と前記第2露光の露光波長
は、第2露光が投影露光の場合、双方とも400nm以
下であり、好ましくは250nm以下である。250n
m以下の露光波長の光を得るにはKJrFエキシマレー
ザ(約248nm)やArFエキシマレーザ(約193
nm)を用いる。
【0199】尚、本発明において「投影露光」というの
は、マスクに形成された任意のパターンからの3個以上
の平行光線束が互いに異なる様々な角度で像面に入射し
て露光が行なわれるものである。
【0200】本発明の露光装置はマスクのパターンをウ
エハに投影する投影光学系と、部分的コヒーレント照明
とコヒーレント照明の双方の照明が可能なマスク照明光
学系とを有し、部分的コヒーレント照明によって通常の
露光を行い、コヒーレント照明によって2光束干渉露光
を行うことにより、周期パターン露光を特徴とする。
「部分的コヒーレント照明」とはσ=(照明光学系の開
口数/投影光学系の開口数)の値がゼロより大きく1よ
り小さい照明であり、「コヒーレント照明」とは、σの
値がゼロまたはそれに近い値であり、部分的コヒーレン
ト照明のσに比べて相当小さい値である。
【0201】周期パターン露光でのコヒーレント照明で
はσを0.3以下にする。通常露光を行う際の部分的コ
ヒーレント照明はσを0.6以上にする。σ=0.8が
望ましい。さらに照度分布が外側に比べて内側が低い輪
帯照明にすると、なお効果的である。
【0202】この露光装置の露光波長は、400nm以
下であり、好ましくは250nm以下である。250n
m以下の露光波長の光を得るにはKrFエキシマレーザ
(約248nm)やArFエキシマレーザ(約193n
m)を用いる。
【0203】発明の実施形態においては、マスク照明光
学系として部分的コヒーレント照明とコヒーレント照明
とが切換え可能な光学系を開示している。
【0204】本発明の露光装置は2光束干渉露光装置と
通常(投影)露光装置を両装置で共用される被露光基板
(感光基板)を保持する移動ステージとを有している。
【0205】この露光装置の露光波長も、400nm以
下であり、好ましくは250nm以下である。250n
m以下の露光波長の光を得るにはKrFエキシマレーザ
(約248nm)やArFエキシマレーザ(約193n
m)を用いている。
【0206】以上説明した露光方法及び露光装置を用い
てIC,LSI等の半導体チップ、液晶パネル等の表示
素子、磁気ヘッド等の検出素子、CCD等の撮像素子と
いった各種デバイスの製造が可能である。
【0207】本発明は以上説明した実施形態に限定され
るものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲におい
て種々に変更することが可能である。特に2光束干渉露
光及び通常露光の各ステップでの露光回数や露光量の段
数は適宜選択することが可能であり、更に露光の重ね合
わせもずらして行なう等適宜調整することが可能であ
る。このような調整を行うことで形成可能な回路パター
ンにバリエーションが増える。
【0208】尚、本発明において (a)照明光学系の照明方法としては、KrFエキシマ
レーザー、ArFエキシマレーザー又はF2エキシマレ
ーザーから光でマスクパターンを照明することが適用可
能である。
【0209】(b)露光装置においては屈折系、反射−
屈折系、又は反射系のいずれかより成る投影光学系によ
って前記マスクパターンを投影することが適用可能であ
る。
【0210】(c)露光装置としては本発明の露光方法
を露光モードとして有するステップアンドリピート型縮
小投影露光装置や本発明の露光方法を露光モードとして
有するステップアンドスキャン型縮小投影露光装置等が
適用可能である。
【0211】次に上記説明した投影露光装置を利用した
半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。
【0212】図41は半導体デバイス(ICやLSI等
の半導体チップ、或いは液晶パネルやCCD等)の製造
のフローを示す。
【0213】ステップ1(回路設計)では半導体デバイ
スの回路設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【0214】一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4
(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【0215】次のステップ5(組立)は後工程と呼ば
れ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシ
ング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封
入)等の工程を含む。
【0216】ステップ6(検査)ではステップ5で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0217】図42は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。
【0218】ステップ13(電極形成)ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打
込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【0219】ステップ17(現像)では露光したウエハ
を現像する。ステップ18(エッチング)では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ19(レジス
ト剥離)ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【0220】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易に製
造することができる。
【0221】
【発明の効果】本発明は以上のように、 (イ-1) 感光基板上の同一領域を異なったパターンを有
するマスクを用いて多重露光するときに、感光基板とマ
スクとを位置合わせする為の位置合わせマーク(アライ
メントマーク)や、オーバーレイ測定マーク等を感光基
板上に適切に形成することにより、感光基板とマスクと
の相対的位置合わせを高精度に行い高集積度のパターン
を容易に形成することができる露光方法及び露光装置を
達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の露光装置の実施形態1の要部概略図
【図2】図1のレチクルの要部平面図
【図3】図1のレチクルの要部平面図
【図4】本発明に係るアライメントマークの形成方法の
説明図
【図5】本発明に係るアライメントマークの形成方法の
説明図
【図6】本発明に係るアライメントマークの形成方法の
説明図
【図7】本発明に係るアライメントマークの形成方法の
説明図
【図8】本発明に係るアライメントマークの形成方法の
説明図
【図9】本発明に係るアライメントマークの形成方法の
説明図
【図10】本発明に係るレチクル面上の回路パターンの
説明図
【図11】本発明に係るレチクル面上の周期パターンの
説明図
【図12】本発明に係るアライメントマークの形成方法
の説明図
【図13】本発明に係るアライメントマークの形成方法
の説明図
【図14】本発明に係るアライメントマークで得られる
アライメント信号の説明図
【図15】本発明に係るアライメントマークの説明図
【図16】本発明に係るアライメントマークの説明図
【図17】本発明に係るオーバーレイの検出装置の説明
【図18】本発明に係るオーバーレイの検出信号の説明
【図19】本発明の露光方法のフローチャート
【図20】2光束干渉露光による露光パターンを示す説
明図
【図21】レジストの露光感度特性を示す説明図
【図22】現像によるパターン形成を示す説明図
【図23】通常の2光束干渉露光による露光パターンを
示す説明図
【図24】本発明における2光束干渉露光による露光パ
ターンを示す説明図
【図25】本発明の実施形態1において形成できる露光
パターン(リソグラフィーパターン)の一例を示す説明
【図26】本発明の実施形態1において形成できる露光
パターン(リソグラフィーパターン)の他の一例を示す
説明図
【図27】本発明の実施形態1において形成できる露光
パターン(リソグラフィーパターン)の他の一例を示す
説明図
【図28】本発明の実施形態2に係るゲートパターンを
示す説明図
【図29】本発明の実施形態2を示す説明図
【図30】ゲートパターンを説明する図
【図31】形成されたゲートパターンの説明図
【図32】形成されたゲートパターンの説明図
【図33】従来の2光束干渉用露光装置の一例を示す概
略図
【図34】2光束干渉露光を行なう投影露光装置の一例
を示す概略図
【図35】図34の装置に使用するマスク及び照明方法
の1例を示す説明図
【図36】図34の装置に使用するマスク及び照明方法
の他の1例を示す説明図
【図37】従来の投影露光装置を示す概略図
【図38】本発明の2光束干渉露光装置の一例を示す概
略図
【図39】本発明の高解像度の露光装置の一例を示す概
略図
【図40】本発明の高解像度の露光装置の一例を示す概
略図
【図41】本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
【図42】本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
【符号の説明】
221 エキシマレーザ 222 照明光学系 223 マスク(レチクル) 224 マスク(レチクル)ステージ 225 2光束干渉用マスクと通常投影露光用のマスク 226 マスク(レチクル)チェンジャ 227 投影光学系 228 ウエハ 229 XYZステージ
フロントページの続き (72)発明者 斉藤 謙治 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 5F046 AA13 FC10

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 感光基板上の同一領域を互いに異なった
    パターンで多重露光する露光方法において、多重露光の
    うちの少なくとも2回の露光で該感光基板上に位置検出
    マークを形成していることを特徴とする露光方法。
  2. 【請求項2】 前記位置検出マークが、位置ずれ検出方
    向に対して該パターンと同じ線幅、ピッチで構成される
    ことを特徴とする請求項1の露光方法。
  3. 【請求項3】 感光基板上の同一領域を互いに異なった
    パターンで多重露光する露光方法において、一方の露光
    で該感光基板上に位置検出マークを形成し、他の露光で
    は該位置検出マークの領域を露光しないようにしている
    ことを特徴とする露光方法。
  4. 【請求項4】 感光基板上の同一領域を互いに異なった
    パターンで多重露光する露光方法において、第1の露光
    で第1の位置検出マークを該感光基板上に露光し、第2
    の露光時に該感光基板上に第1の位置検出マークとは異
    なる位置に第2の位置検出マークを該感光基板上に露光
    し、該第1の露光時には、第2の位置検出マークの領域
    を露光しないようにし、該第2の露光時には、第1の位
    置検出マークの領域を露光しないようにしており、該第
    1の位置検出マーク及び該第2の位置検出マークの位置
    を検出し、第1の位置検出マークの位置と第2の位置検
    出マークの位置の平均値を用いて該感光基板上にパター
    ンを形成していることを特徴とする露光方法。
  5. 【請求項5】 前記位置検出マークが、位置ずれ検出方
    向に対して前記パターンの最小線幅の二倍以上の線幅で
    構成されることを特徴とする請求項3又は4の露光方
    法。
  6. 【請求項6】 第1のレチクルのパターンと第2のレチ
    クルのパターンを縮小投影レンズを介して感光基板上の
    同一領域を二重露光してパターンを露光転写することを
    特徴とする請求項1から5のいずれか1項の露光方法。
  7. 【請求項7】 前記第1のレチクルと第2のレチクルの
    うち、片方のレチクルのパターンがレベンソン型位相シ
    フトマスクで構成されていることを特徴とする請求項6
    の露光方法。
  8. 【請求項8】 前記2重露光のうち、少なくとも1回の
    露光が変形照明露光により行うことを特徴とする請求項
    6の露光方法。
  9. 【請求項9】 感光基板上の同一領域を互いに異なった
    パターンで多重露光する露光方法において、多重露光に
    よって該感光基板上にマークを形成していることを特徴
    とする露光方法。
  10. 【請求項10】 前記マークは位置検出マークであるこ
    とを特徴とする請求項9の露光方法。
  11. 【請求項11】 請求項1から10のいずれか1項の露
    光方法を用いて、該パターンと該位置検出マークを閑鋼
    材を塗布した該基板上に露光転写後、現像処理し、エッ
    チング又は成膜工程を行い、次いで基板上に閑鋼材を塗
    布し、該基板上の該位置検出マークの位置を測定し、位
    置合わせを行った後に閑構想に半導体素子パターンを露
    光転写してデバイスを製造することを特徴とするデバイ
    スの製造方法。
  12. 【請求項12】 請求項1から10のいずれか1項の露
    光方法を用いて、第一のパターンと第1の位置検出マー
    クを感光剤を塗布した基板上に露光転写後、現像処理
    し、エッチング工程又は成膜工程を行い、次いで基板上
    に感光剤を塗布し、第2のパターンと第2の位置検出マ
    ークを該基板上に露光転写後、現像処理し、該第1の位
    置検出マークと第2の位置検出マーク間の相対的な位置
    ずれを測定する工程を利用してデバイスを製造している
    ことを特徴とするデバイスの製造方法。
  13. 【請求項13】 請求項1から10のいずれか1項の露
    光方法を用いて感光性の基板にマスク上のパターンを転
    写していることを特徴とする露光装置。
  14. 【請求項14】 請求項1から10のいずれか1項の露
    光方法を用いてマスク面上のパターンをウエハ面上に露
    光した後、該ウエハを現像処理工程を介してデバイスを
    製造していることを特徴とするデバイスの製造方法。
  15. 【請求項15】 請求項13の露光装置を用いてマスク
    面上のパターンをウエハ面上に露光した後、該ウエハを
    現像処理工程を介してデバイスを製造していることを特
    徴とするデバイスの製造方法。
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