JP2000021760A

JP2000021760A - 露光方法及び露光装置

Info

Publication number: JP2000021760A
Application number: JP10201341A
Authority: JP
Inventors: Miyoko Kawashima; 美代子川島; Takahiro Matsumoto; 隆宏松本
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-06-30
Filing date: 1998-06-30
Publication date: 2000-01-21

Abstract

(57)【要約】【課題】周期パターンの露光と通常のパターン露光の
２重露光によって任意形状の高解像度のパターンが得ら
れる露光方法及び露光装置を得ること。【解決手段】多重露光を用いた露光方法において、あ
る露光で使用するマスクは予め現像後の感光基板におけ
るパターンの変形を見込んでパターンを形成しているこ
と。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光方法及び露光
装置に関し、特に微細な回路パターンで感光基板上を露
光し、例えばＩＣ，ＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネ
ル等の表示素子、磁気ヘッド等の検出素子、ＣＣＤ等の
撮像素子といった各種デバイスの製造に用いられる際に
好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＩＣ、ＬＳＩ、液晶パネル等
のデバイスをフォトリソグラフィー技術を用いて製造す
るときには、フォトマスク又はレチクル等（以下、「マ
スク」と記す。）の面上に形成した回路パターンを投影
光学系によってフォトレジスト等が塗布されたシリコン
ウエハ又はガラスプレート等（以下、「ウエハ」と記
す。）の感光基板上に投影し、そこに転写する（露光す
る）投影露光方法及び投影露光装置が使用されている。

【０００３】近年、上記デバイスの高集積化に対応し
て、ウエハに転写するパターンの微細化、即ち高解像度
化とウエハにおける１チップの大面積化とが要求されて
いる。従ってウエハに対する微細加工技術の中心を成す
上記投影露光方法及び投影露光装置においても、現在、
０．５／μｍ以下の寸法（線幅）の像（回路パターン
像）を広範囲に形成するべく、解像度の向上と露光面積
の拡大が計られている。

【０００４】従来の投影露光装置の摸式図を図３２に示
す。図３２中、１９１は遠紫外線露光用の光源であるエ
キシマーレーザ、１９２は照明光学系、１９３は照明光
学系１９２から照射される照明光、１９４はマスク、１
９５はマスク１９４から出て光学系（投影光学系）１９
６に入射する物体側露光光、１９６は縮小型の投影光学
系、１９７は投影光学系１９６から出て基板１９８に入
射する像側露光光、１９８は感光基板であるウエハ、１
９９は感光基板を保持する基板ステージを、示す。

【０００５】エキシマレーザ１９１から出射したレーザ
光は、引き回し光学系（１９０ａ，１９０ｂ）によって
照明光学系１９２に導光され、照明光学系１９２により
所定の光強度分布、配光分布、開き角（関口数ＮＡ）等
を持つ照明光１９３となるように調整され、マスク１９
４を照明する。マスク１９４にはウエハ１９８上に形成
するパターンを投影光学系１９６の投影倍率の逆数倍
（例えば２倍や４倍や５倍）した寸法のパターンがクロ
ム等によって石英基板上に形成されており、照明光１９
３はマスク１９４のパターンによって透過回折され、物
体側露光光１９５となる。投影光学系１９６は、物体側
露光光１９５を、マスク１９４のパターンを上記投影倍
率で且つ充分小さな収差でウエハ１９８上に結像する像
側露光光１９７に変換する。像側露光光１９７は図３２
の下部の拡大図に示されるように、所定の開口数ＮＡ
（＝Ｓｉｎ（θ））でウエハ１９８上に収束し，ウエハ
１９８上にパターンの像を結ぶ。基板ステージ１９９
は、ウエハ１９８の互いに異なる複数の領域（ショット
領域：１個又は複数のチップとなる領域）に順次、パタ
ーンを形成する場合に、投影光学系の像平面に沿ってス
テップ移動することによりウエハ１９８の投影光学系１
９６に対する位置を変えている。

【０００６】現在主流となりつつある上記のエキシマレ
ーザを光源とする投影露光装置は高い投影解像力を有し
ているが、例えば０．１５μｍ以下のパターン像を形成
することが技術的に困難である。

【０００７】投影光学系１９６は、露光（に用いる）波
長に起因する光学的な解像度と焦点深度との間のトレー
ドオフによる解像度の限界がある。投影露光装置による
解像パターンの解像度Ｒと焦点深度ＤＯＦは，次の
（１）式と（２）式の如きレーリーの式によって表され
る。

【０００８】Ｒ＝ｋ₁ ×（λ／ＮＡ） ‥‥‥（１）ＤＯＦ＝ｋ₂ ×（λ／ＮＡ² ） ‥‥‥（２）ここで、λは露光波長、ＮＡは投影光学系１９６の明る
さを表す像側の開口数、ｋ₁ ，ｋ₂ はウエハ１９８の現
像プロセス特性等によって決まる定数であり、通常０．
５〜０．７程度の値である。この（１）式と（２）式か
ら、解像度Ｒを小さい値とする高解像度化には開口数Ｎ
Ａを大きくする「高ＮＡ化」がある。しかしながら、実
際の露光では投影光学系１９６の焦点深度ＤＯＦをある
程度以上の値にする必要があるため、高ＮＡ化をある程
度以上に進めることが難しいこと、この為、高解像度化
には結局、露光波長λを小さくする「短波長化」が必要
となることとが分かる。

【０００９】ところが露光波長の短波長化を進めていく
と重大な問題が発生してくる。それは投影光学系１９６
を構成するレンズの硝材がなくなってしまうことであ
る。殆どの硝材の透過率は遠紫外線領域では０に近く、
特別な製造方法を用いて露光装置用（露光波長約２４８
ｎｍ）に製造された硝材として溶融石英が現存するが、
この溶融石英の透過率も波長１９３ｎｍ以下の露光波長
に対しては急激に低下する。線幅０．１５μｍ以下のパ
ターンに対応する露光波長１５０ｎｍ以下の領域では実
用的な硝材の開発は非常に困難である。また遠紫外線領
域で使用される硝材は、透過率以外にも、耐久牲，屈折
率均一性，光学的歪み，加工性等の複数条件を満たす必
要があり、この事から、実用的な硝材の存在が危ぶまれ
ている。

【００１０】このように従来の投影露光方法及び投影露
光鼓置では、ウエハ上に線幅０．１５μｍ以下のパター
ンを形成する為には１５０ｎｍ程度以下まで露光波長の
短波長化が必要である。これに対し、現在のところ、こ
の波長領域では実用的な硝材が存在しないので、ウエハ
に線幅０．１５μｍ以下のパターンを形成することがで
きなかった。

【００１１】米国特許第５４１５８３５号公報は２光束
干渉露光によって敏細パターンを形成する技術を開示し
ており、この２光束干渉露光によれば、ウエハに線幅
０．１５μｍ以下のパターンを形成することができる。

【００１２】２光束干渉露光の原理を図２８を用いて説
明する。２光束干渉露光は、レーザ１５１からの可干渉
牲を有し且つ平行光線束であるレーザ光Ｌ１５１をハー
フミラー１５２によってレーザ光Ｌ１５１ａ，Ｌ１５１
ａｂの２光束に分割し、分割した２光束を夫々平面ミラ
ー１５３ａ，１５３ｂによって反射することにより２個
のレーザ光（可干渉性の平行光線束）を０より大きく９
０度末満のある角度を成してウエハ１５４面上で交差さ
せることにより交差部分に干渉縞を形成している。この
干渉縞（の光強度分布）によってウエハ１５４を露光し
て感光させることで干渉縞の光強度分布に応じた微細な
周期パターンをウエハ１５４に形成するものである。

【００１３】２光束Ｌ１５１ａ，Ｌ１５１ｂがウエハ１
５４面の立てた垂線に対して互いに逆方向に同じ角度だ
け傾いた状態でウエハ面で交差する場合、この２光束干
渉露光における解像度Ｒは次の（３）式で表される。

【００１４】Ｒ＝λ／（４ｓｉｎθ）＝λ／４ＮＡ＝０．２５（λ／ＮＡ） ‥‥‥（３）ここで、ＲはＬ＆Ｓ（ライン・アンド・スペース）の夫
々の幅、即ち干渉縞の明部と暗部の夫々の幅を示してい
る。又βは２光束の夫々の像面に対する入射角度（絶対
値）を表し、ＮＡ＝Ｓｉｎθである。

【００１５】通常の投影露光における解像度の式である
（ｌ）式と２光束干渉露光における解像度の式である
（３）式とを比較すると、２光束干渉露光の解像度Ｒは
（１）式においてｋ₁ ＝０．２５とした場合に相当する
から、２光束干渉露光ではｋ₁＝０．５〜０．７である
通常の投影露光の解像度より２倍以上の解像度を得るこ
とが可能である。

【００１６】上記米国特許には開示されていないが、例
えばλ＝０．２４８ｎｍ（ＫｒＦエキシマ）でＮＡ＝
０．６の時は、Ｒ＝０．１０μｍが得られる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】２光束干渉露光は、基
本的に干渉縞の光強度分（露光量分布）に相当する単純
な縞パターンしか得られないので、所望の形状の回路パ
ターンをウエハに形成することが難しい。

【００１８】そこで上記米国特許第５４１５８３５号公
報は、２光束干渉露光によって単純な縞パターン（周期
パターン）即ち２値的な露光量分布をウエハ（のレジス
ト）に与えた後、露光装置の分解能の範囲内の大きさの
ある開口が形成されたマスクを用いて通常リソグラフィ
ー（露光）を行なって更に別の２値的な露光量分布をウ
エハに与えることにより、孤立の線（パターン）を得る
ことを提案している。

【００１９】しかしながら上記米国特許第５４１５８３
５号公報の露光方法は、２光束干渉露光と通常露光の２
つの露光法の夫々において通常の２値的な露光量分布し
か形成していないので、より複雑な形状の回路パターン
を得ることが難しい。

【００２０】また、上記米国特許第５４１５８３５号公
報は２光束干渉露光と通常露光の２つの露光法を組み合
わせることは開示しているが、このような組み合せを達
成する露光装置を具体的に示してはいない。

【００２１】この他本発明は、２光束干渉露光に代表さ
れる周期パターン露光と通常パターン露光（通常露光）
の２つの露光方法を用いることにより、複雑な形状の回
路パターンをウエハに形成することが可能な露光方法及
び露光装置の提供を目的とする。

【００２２】一般に通常露光パターンはいろいろな線幅
のパターンを含むが、解像限界付近の線幅が所望の線幅
となるように露光量を設定し露光すると、それより線幅
の広いパターンはパターンの大きさの比例関係が保たれ
たまま解像される。この比例関係を線幅リニアリティと
いい、解像限界より微細なパターンの線幅は線幅リニア
リティからはずれて広くなり、ぼけて解像されなくな
る。

【００２３】また、パターンが密集している場合は、近
接効果の影響により、孤立したパターンと比べてパター
ン変形が生じる。通常パターンにこのようなパターンの
変形があると、二重露光で周期パターン露光を重ね焼き
しても所望のパターンの正確な線幅再現性が得られにく
い。

【００２４】本発明はこのパターン変形を極力避ける為
に、通常露光パターンの解像限界付近やそれ以下の線幅
のパターンに関して予め感光基板上のパターンの変形を
見込んで、又アライメントの位置ずれの影響を受けにく
いようなパターンを形成すること（マスク補正を施すこ
と）により良好なるパターン像が得られる露光方法及び
露光装置の提供を目的としている。

【００２５】また本発明の他の目的は線幅０．１５μｍ
以下の部分を備える回路パターンを容易に得ることが可
能な露光方法及び露光装置の提供にある。

【００２６】また本発明の他の目的は周期パターン露光
と通常露光の２つの露光法が実施できる露光装置を提供
することにある。

【００２７】

【課題を解決するための手段】本発明の露光方法は、（１−１）多重露光を用いた露光方法において、ある露
光で使用するマスクは予め現像後の感光基板におけるパ
ターンの変形を見込んでパターンを形成していることを
特徴としている。

【００２８】（１−２）マスク上のパターンを感光基板
上に投影光学系を介してパターン露光と周期パターン露
光の多重露光を行う露光方法において、該通常パターン
露光は該投影光学系の分解能以下の微細線部分を含むパ
ターンを有するマスクで行っており、該マスクは予め現
像後の該感光基板におけるパターンの変形を見込んでパ
ターンを形成していることを特徴としている。

【００２９】特に、構成（１−１）又は（１−２）にお
いて、（１−２−１）前記マスクのパターンの微細線部分を予
め感光基板側でのパターンの変形を見込んで形成してい
ること。

【００３０】（１−２−２）前記マスクのパターンに前
記投影光学系の開口数をＮＡ、露光波長をλとしたと
き、０．５λ／ＮＡ以下の線幅の微細線部分が存在する
とき該微細線部分を予め感光基板側でのパターンの変形
を見込んで形成していること。

【００３１】（１−２−３）前記微細線部分の線幅が
０．５λ／ＮＡ以下のとき、該微細線とその延長部分を
太くすること。

【００３２】（１−２−４）前記マスクのパターンの形
成をマスク上で倍率換算後、０．０２λ／ＮＡから０．
０５λ／ＮＡだけ幅を補正して形成していること。

【００３３】（１−２−５）前記マスクでのパターンと
パターンとの間の間隔を感光基板側でのパターンの変形
を見込んで太くすること。

【００３４】（１−２−６）前記マスクでのパターンと
パターンとの間の間隔を倍率換算後、０．０２λ／ＮＡ
から０．０５λ／ＮＡだけ幅を補正して形成しているこ
と。等を特徴としている。

【００３５】（１−３）露光基板上に投影光学系を介し
て通常パターン露光と周期パターン露光の多重露光を行
う露光方法において、該通常パターン露光は該通常パタ
ーン露光は該投影光学系の分解能以下の微細線部分を含
むパターンを有する通常マスクで行っており、該通常マ
スクはアライメントの位置ずれの影響を受けにくいパタ
ーンで形成していることを特徴としている。

【００３６】特に、（１−３−１）前記マスクのパターンに前記投影光学系
の開口数をＮＡ、露光波長をλとしたとき、０．５λ／
ＮＡ以下の線幅の微細線部分が存在するとき、該微細線
部分を予め感光基板側でのパターンの変形を見込んで形
成していること。

【００３７】（１−３−２）前記微細線部分とその延長
部分を太くすること。

【００３８】（１−３−３）前記マスクの微細線パター
ンの形成をマスク上で倍率換算後、０．０２λ／ＮＡか
ら０．０５λ／ＮＡだけ幅を補正して形成しているこ
と。

【００３９】（１−３−４）前記マスクでのパターンと
パターンとの間の間隔を太くすること。

【００４０】（１−３−５）前記マスクでのパターンと
パターンとの間の間隔を倍率換算後、０．０２λ／ＮＡ
から０．０５λ／ＮＡだけ幅を補正していること。等を
特徴としている。

【００４１】（１−４）露光基板上に投影光学系を介し
て通常パターン露光と周期パターン露光の多重露光を行
う露光方法において、該通常パターン露光は該通常パタ
ーン露光は該投影光学系の分解能以下の微細線部分を含
むパターンを有するマスクで行っており、該マスクは該
パターンを複数個、互いに近接配置しており、該パター
ンを近接配置したことによる感光基板側でのパターンの
変形を見込んで該通常マスクのパターンを形成している
ことを特徴としている。

【００４２】特に、（１−４−１）前記周期パターン露光は、線パターンを
周期的に配列した周期パターンを有する周期マスクを用
いて行っており、前記マスクの複数のパターンは該周期
方向及びそれと直交する方向に配列されており、２つの
パターンの間隔のうち周期パターンと平行方向の間隔Ｓ
１が０．３λ／ＮＡより小さいとき、該間隔を幅０．１
λ／ＮＡだけ大きくしていること。

【００４３】（１−４−２）前記２つのパターンの間隔
を広げた量の１／２だけ、該２つのパターンの間隔に接
するパターンのうちの一方のパターンの幅を小さくして
いること。等を特徴としている。

【００４４】本発明の露光装置は、 (2-1) 構成(1-1) 又は(1-2) 又は(1-3) の露光方法を用
いて感光性の基板にマスク上のパターンを転写している
ことを特徴としている。

【００４５】本発明のデバイスの製造方法は、 (3-1) 構成(1-1) 又は(1-2) 又は(1-3) のいずれか１項
の露光方法を用いてマスク面上のパターンをウエハ面上
に露光した後、該ウエハを現像処理工程を介してデバイ
スを製造していることを特徴としている。

【００４６】(3-2) 構成(2-1) の露光装置を用いてマス
ク面上のパターンをウエハ面上に露光した後、該ウエハ
を現像処理工程を介してデバイスを製造していることを
特徴としている。

【００４７】尚、本発明において「多重露光」とは「感
光基板上の同一領域を互いに異なる光パターンで途中に
現像処理工程を介さずに露光すること」を言う。

【００４８】

【発明の実施の形態】図１〜図９は本発明の露光方法の
実施形態１の説明図である。図１は本発明の露光方法を
示すフローチャートである。図１には本発明の露光方法
を構成する周期パターン露光ステップ、投影露光ステッ
プ（通常パターン露光ステップ）、現像ステップの各ブ
ロックとその流れが示してある。同図において周期パタ
ーン露光ステップと投影露光ステップの順序は、逆でも
いいし、どちらか一方のステップが複数回の露光段階を
含む場合は各ステップを交互に行うことも可能である。
また、各露光ステップ間には．精密な位置合わせを行な
う位置合わせステップがある。

【００４９】本発明の露光方法及び露光装置は、被露光
基板（感光基板）に対して周期パターン露光と通常の露
光の二重露光を行うことを特徴としている。

【００５０】ここで通常パターン露光とは周期パターン
露光より解像度が低いが任意のパターンで露光が行える
露光であり、投影光学系によってマスクのパターンを投
影する投影露光があげられる。

【００５１】通常パターン露光によって露光されるパタ
ーン（通常パターン）は解像度以下の後述する形状より
成る微細なパターンを含み、周期パターン露光はこの微
細なパターンと略同線幅の周期パターンを形成するよう
にする。通常パターン露光の解像度以上の大きなパター
ンは、周期パターン露光の線幅に限定されないが整数倍
が効果的である。

【００５２】通常パターン露光は任意の形状をしている
のでいろいろな方向を向いていてもよい。一般にＩＣパ
ターンでは、方向がある方向とそれに直交する方向の２
方向を向いている場合が多く、最も微細なパターンはあ
る特定の１方向のみに限定される場合が多い。

【００５３】二重露光で周期パターン露光をする際、そ
の通常パターンの最も微細なパターンの方向に、周期パ
ターンの方向を合致させることが重要である。

【００５４】また、周期パターンのピークの中心は、通
常パターンにおける解像度以下の微細なパターンの中心
に合致するように露光する。

【００５５】本発明における二重露光とは周期パターン
露光と通常パターン露光の二重露光という意味であっ
て、周期パターン露光は、通常パターン露光の最も微細
なパターンの方向に平行にして何回繰り返して露光して
も良い。

【００５６】本発明の露光方法及び露光装置の周期パタ
ーン露光と通常パターン露光のそれぞれは、１回また
は、複数回の露光段階よりなり、複数回の露光段階を取
る場合は、各露光階ごとに異なる露光量分布を感光基板
に与えている。

【００５７】図１のフローに従って露光を行なう場合、
まず周期パターンによりウエハ（感光基板）を図２に示
すような周期パターンで露光する。図２中の数字は露光
量を表しており、図２（Ａ）の斜線部は露光量１（実際
は任意）で白色部は露光量０である。

【００５８】このような周期パターンのみを露光後現像
する場合、通常，感光基板のレジストの露光しきい値Ｅ
ｔｈは図２（Ｂ）の下部のグラフに示す通り露光量０と
１の間に設定する。尚、図２（Ｂ）の上部は最終的に得
られるリソグラフィーパターン（凹凸パターン）を示し
ている。

【００５９】図３に、この場合の感光基板のレジストに
関して、現像後の膜厚の露光量依存性と露光しきい値と
をポジ型レジスト（以下、「ポジ型」と記す。）とネガ
型レジスト（以下、「ネガ型」配す。）の各々について
示す。ポジ型の場合は露光しきい値Ｅｔｈ以上の場合
に、ネガ型の場合は露光しきい値Ｅｔｈ以下の場合に、
現像後の膜厚が０となる。

【００６０】図４はこのような露光を行った場合の現像
とエッチングプロセスを経てリソグラフィーパターンが
形成される様子を、ネガ型とポジ型の場合に関して示し
た摸式図である。

【００６１】本実施形態においては、この通常の露光感
度設定とは異なり、図５（図２（Ａ）と同じ）及び図６
に示す通り、周期パターン露光での中心露光量を１とし
たとき、露光基板のレジストの露光しきい値Ｅｔｈを１
よりも大きく設定している。この感光基板は図２に示す
下地パターン露光のみ行った露光パターン（露光量分
布）を現像した場合は露光量が不足するので、多少の膜
厚変動はあるものの現像によって膜厚が０となる部分は
生じず、エッチングによってリソグラフィーパターンは
形成されない。これは即ち周期パターンの消失と見做す
ことができる。（尚、ここではネガ型を用いた場合の例
を用いて本発明の説明を行うが、本発明はポジ型の場合
も実施できる。）尚、図６において、上部はリソグラフィーパターンを示
し（何もできない）、下部のグラフは露光量分布と露光
しきい値の関係を示す。尚、下部に記載のＥ₁は周期パ
ターン露光における露光量を、Ｅ₂ は通常の投影露光に
おける露光量を表している。

【００６２】本実施形態の特徴は、周期パターン露光の
みでは一見消失する高解像度の露光パターンを通常の投
影露光による露光装置の分解能以下の大きさのパターン
を含む任意の形状の露光パターンと融合して所望の領域
のみ選択的にレジストの露光しきい値以上の露光をし、
最終的に所望のリソグラフィーパターンを形成できると
ころにある。

【００６３】図７（Ａ）は通常の投影露光（通常パター
ン露光）による露光パターンであり、微細なパターンで
ある為、解像できずに被露光物体上での強度分布はぼけ
て広がっている。本実施形態では通常の投影露光の解像
度の約半分の紙幅のパターン（微細パターン）としてい
る。

【００６４】図７（Ａ）の露光パターンを作る投影露光
を、図５の周期パターン露光の後に、現像工程なしで、
同一レジストの同一領域に重ねて行ったとすると、この
レジスト面上への合計の露光量分布は図７（Ｂ）の下部
のグラフのようになる。尚、ここでは周期パターン露光
の露光量Ｅ₁ と投影露光の露光量Ｅ₂ の比が１：１、レ
ジストの露光しきい値Ｅｔｈが露光量Ｅ₁ （＝１）と露
光量Ｅ₁ と投影露光の露光量Ｅ₂ の和（＝２）の間に設
定されている為、図７（Ｂ）の上部に示したリソグラフ
ィーパターンが形成される。

【００６５】その際、通常パターンの中心が周期パター
ンのピークと合致させておく。又、通常パターンの方向
と周期パターンの方向とを合致させている。

【００６６】図７（Ｂ）の上部に示す孤立線パターン
は、解像度が周期パターン露光のものであり且つ単純な
周期パターンもない。従って通常の投影露光で実現でき
る解像度以上の高解像度のパターンが得られたことにな
る。

【００６７】ここで仮に、図８の露光パターンを作る投
影露光（図５の露光パターンの２倍の線幅で露光しきい
値以上（ここではしきい値の２倍の露光量）の投影露
光）を、図５の周期パターン露光の後に、現像工程なし
で、同一レジストの同一領域に重ねる。この際、通常パ
ターンの中心が周期パターン露光のピーク位置と合致さ
せることで重ね合わせたパターンの対称性が良く、良好
なるパターン像が得られる。

【００６８】このレジストの合計の露光量分布は図８
（Ｂ）のようになり、２光束干渉露光（周期パターン露
光）の露光パターンは消失して最終的に投影露光による
リソグラフィーパターンのみが形成される。

【００６９】また、図９に示すように、図５の露光パタ
ーンの３倍の線幅で行う場合も理屈は同様であり、４倍
以上の線幅の露光パターンでは、基本的に２倍の線幅の
露光パターンと３倍の線幅の露光パターンの組み合わせ
から、最終的に得られるリソグラフィーパターンの線幅
は自明でであり、投影露光で実現できるリソグラフィー
パターンは全て、本実施形態でも、形成可能である。

【００７０】以上簡潔に説明した周期パターン露光と投
影露光の夫々による露光量分布（絶対値及び分布）と感
光基板のレジストのしきい値の調整を行うことにより、
図６，図７（Ｂ），図８（Ｂ），及び図９（Ｂ）で示し
たような多種のパターンの組み合わせより成り且つ最小
線幅が周期パターン露光の解像度（図７（Ｂ）のパター
ンとなる回路パターンを形成することができる。

【００７１】以上の露光方法の原理をまとめると、 (ア-1) 投影露光（通常パターン露光）をしないパターン
領域即ちレジストの露光しきい値以下の周期露光パター
ンは現像により消失する。

【００７２】(ア-2) レジストの露光しきい値以下の露光
量で行った投影露光のパターン領域に関しては投影露光
と周期パターン露光のパターンの組み合わせにより決ま
る周期パターン露光の解像度を持つ露光パターンが形成
される。

【００７３】(ア-3) 露光しきい値以上の露光量で行った
投影露光のパターン領域は投影露光のみでは解像しなか
ったパターンも同様に（マスクに対応する）形成する。
ということになる。更に露光方法の利点として、最も解
像力の高い周期パターン露光を２光束干渉露光で行え
ば、通常の露光に比してはるかに大きい焦点深度が得ら
れることが挙げられる。

【００７４】以上の説明では周期パターン露光と投影露
光の順番は周期パターン露光を先としたが、この順番に
限定されない。

【００７５】二重露光したパターン像の結果を詳しく調
べてみると、微細線部分ではパターンの線幅が細くな
る。つまり、通常露光では解像度以下の微細なパターン
はぼけて拡がるため、他の太い部分と比べて相対的に強
度低下が起こり、二重露光で周期パターン露光を重ね焼
きしても他の太い部分が所望の線幅として解像される条
件では、微細線部分では所望の線幅より数％細くなるこ
とがわかった。

【００７６】また、周期パターン露光と通常の二重露光
を行う際、アライメントの位置ずれがあると微細線部分
での線幅誤差が生じてくる。

【００７７】そこで本実施形態では前述した２重露光に
おいて、微細線部分の幅を調整することによって（パタ
ーン補正、マスク補正することによって）太い部分と解
像度以下の微細なパターンを同時に所望の線幅として解
像し、かつ、線幅誤差も低減することによって、線幅再
現性を向上させている。

【００７８】次に本実施形態において通常露光ステップ
で用いるマスク上のパターンを適切に形成することによ
って、良好なるパターン像を得るパターン形成方法につ
いて説明する。

【００７９】図１０〜図１６はＫｒＦエキシマレーザー
からの波長２４８ｎｍの光を露光光として用いたステッ
パー（ＫｒＦエキシマステッパー）における回路パター
ンの具体的な実施例で図１０に示したパターン（ゲート
パターン）のＡ−Ａ’線上の2 本の線パターンはパター
ンである為、通常露光では解像されない。しかし、この
２本の線パターンは現像後、パターン像として解像され
ないが潜像がレジスト内に形成されている。２本の線パ
ターンに着目して通常露光における潜像の線幅をシミュ
レーションにより調べてみた。投影レンズのＮＡは０．
６、照明系のσはσ＝０．８とした。

【００８０】図１１は、限界解像以下のパターンの各種
線幅パターンに対する線幅誤差（設計値の線幅と潜像の
線幅との差）を示している。

【００８１】同図は同じ露光量でベストフォーカスとデ
フォーカスした場合の線幅誤差を示している。この場合
は、ベストフォーカス±０．３μｍ以内のデフォーカス
範囲を示した。先に示した式（１）より、解像度Ｒは、
波長２４８ｎｍ、ＮＡ０．６、プロセス定数Ｋ１＝０．
６の時、Ｒ＝０．２４８μｍである。

【００８２】Ｒ＝Ｋ１（λ／ＮＡ）＝０．６×０．２４
８／０．６＝０．２４８（μｍ）この線幅０．２４８μｍのパターンのベストフォーカス
での線幅誤差がゼロとなるように露光量を決めて現像す
ると、プロセス定数Ｋ１＝０．６のときには、０．２４
８μｍ以上の線幅のパターンが誤差なく解像される。

【００８３】ここに示したベストフォーカス±０．３μ
ｍの範囲内で、潜像は０．１４μｍの線パターンまでは
誤差があっても２つのパターン像として分布している
が、それより細い線パターンではぼけた１本線パターン
として分布する。

【００８４】本実施形態では２本の線パターンの幅と２
本の線パターンの間のスペース部分の幅をそれぞれ０．
０２μｍ太くするマスク補正（パターン補正）をしてい
る。図１２はマスク補正された各種線幅に対する線幅誤
差を示している。

【００８５】同図に示すように、０．２４８μｍの線パ
ターンは０．０２μｍ付加されて０．２６８μｍの線パ
ターンにマスク補正されるが、０．２４８μｍのパター
ン像として形成され線幅誤差がゼロとなるように露光量
を決めてある。

【００８６】図１２に示されたように、０．１１μｍま
で線パターンの潜像が形成されている。即ち、２本の線
パターンの幅と２本の線パターンの間のスペース部分を
それぞれ０．０２μｍ太くするマスク補正によって、限
界解像以下のパターンの潜像は０．１４μｍから０．１
１μｍまで解像されるようになる。

【００８７】波長λ、ＮＡ、照明条件を変えた結果で
も、補正量＝Ｋｄ（λ／ＮＡ）Ｋｄ＝０．０５とすると、限界解像以下のパターンの潜像の解像は、
０．０５（λ／ＮＡ）程度微細化する。

【００８８】このＫｒＦエキシマレーザーを用いたステ
ッパー（ＮＡは０．６、照明系のσはσ＝０．８）で
は、潜像として線幅０．１４μｍから０．１１μｍまで
解像されるようになり、下式に示すように（１）式のＫ
１は０．３４から０．２７まで、０．０７（λ／ＮＡ）
微細化した。

【００８９】０．１４＝Ｋ１（λ／ＮＡ）Ｋ１＝０．３４０．１４＝Ｋ１（λ／ＮＡ）Ｋ１＝０．３４図１３〜図１６は波長２４８ｎｍのレーザ光を露光光と
したＫｒＦエキシマステッパーで投影露光（多重露光）
したときの具体的な実施例である。

【００９０】図１３，図１４に示すような最小線幅０．
１２μｍを有するゲートパターンを通常露光し、重ねて
レベンソンタイプの位相シフトマスク（レベンソンマス
ク）で、その最小線幅と重なるように周期パターンを露
光したものである。

【００９１】投影レンズのＮＡは０．６、照明系のσ
は、レベンソンマスクによる露光では０．３とした。通
常マスクの露光時では、σ＝０．８とした。

【００９２】図１３はマスク補正なしのゲートパターン
を示し、図１４は２本の線パターン及びその延長部分の
幅及び２つのパターンの間の間隔部分をそれぞれ０．０
２μｍ太くするマスク補正をしたゲートパターンを示し
ている。

【００９３】図１５，図１６は図１３，図１４のパター
ンを投影した像の二次元像である。図１５で点線は通常
露光、二重露光ともに、マスクのパターン、即ちマスク
補正なしのパターンを示し、図１６で点線は通常露光で
はマスク補正したパターン、二重露光では補正なしの所
望のパターンを示している。

【００９４】図１５に示すように、マスク補正なしのパ
ターンにおいて、通常露光では２本線が解像されない
が、二重露光を行うことによってゲートパターンが解像
されるようになる。

【００９５】しかし、２本の線パターンの微細部分を所
望の線幅となるような露光量で露光すると、他のそれよ
り太い部分では数％大きくなり、逆に太い部分を所望の
線幅となるような露光量で露光すると、２本線の微細部
分の幅が数％細くなってしまう。また、デフォーカスす
ると２本線のパターンの微細部分の幅の線幅誤差が大き
い。

【００９６】図１６に示すように、マスク補正したパタ
ーンにおいて二重露光を行うと図１５の補正なしの場合
よりもさらにゲートパターンが高コントラストで解像さ
れる。

【００９７】特に微細線部分での幅を計測すると、線幅
の再現性がよく所望の設計値の線幅に対して±１０％の
範囲内となるデフォーカス範囲を実用的な深度とする
と、実用的な深度が広がる。

【００９８】ここにはシミュレーション結果のみ示した
が、実際に露光した実験結果でも全く同様で効果が確認
されている。

【００９９】この実施例では微細線部分の幅を０．０５
λ／ＮＡ太くしたが、微細線部分の幅が０．５λ／ＮＡ
以下の時太くするマスク補正量を０．０２λ／ＮＡから
０．０５λ／ＮＡの間にすると同様な効果が得られる。
さらに、微細線部分の幅により、マスク補正量を上記範
囲内で最適値にすることにより大きな効果が得られる。

【０１００】次に、図１０に示したゲートパターンが複
数個、密集すると、隣接する位置にパターンがあること
によってパターンに歪みが生じる近接効果を図１７〜図
２０を用いて説明する。通常マスクは、図１０に示した
ゲートパターンが複数個密集したパターンから成る。

【０１０１】図１７は通常パターンと周期パターンの二
重露光時に重ねる際の位置関係を示し、ゲートパターン
が密集した通常パターンと周期パターンそれぞれを重ね
て示している。

【０１０２】図１７に示すようにゲートパターンの最小
線幅ａと、周期パターンの線幅は等しくなっている。そ
の他ゲートパターンの最小線幅でない部分は、最小線幅
ａの整数倍としている。

【０１０３】ゲートパターンの隣り合う間隔は、周期パ
ターンと平行な方向の間隔をＳ１、周期パターンと直交
する方向の間隔をＳ２としている。

【０１０４】周期パターンと直交する方向の間隔Ｓ２
は、最小線幅ａに等しくする場合が最も最小な間隔であ
るが、周期パターンと平行な方向の間隔Ｓ１は、最小線
幅ａに依存しない。

【０１０５】図１８〜図２０は波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝
０．６のＫｒＦエキシマステッパーを用いた時の具体的
な実施例である。

【０１０６】図１８の上部にＳ１＝ａ＝０．１２，Ｓ１
＝１．５ａ＝０．１８，Ｓ２＝ａ＝０．１２としてゲー
トパターンを並べた場合の二重露光後の二次元強度分布
を示す。

【０１０７】周期パターンと平行な方向の間隔Ｓ１を最
小線幅ａまで近づけると、隣り合うゲートパターンとく
っついてしまう。間隔Ｓ１を１．５ａまで離すと、パタ
ーンは分離し、２つのパターンとして解像する。

【０１０８】Ｓ１＝ａ＝０．１２とした場合、図１８下
部に単独な露光での通常露光と周期パターン露光のそれ
ぞれの結果をベストフォーカス、デフォーカス時の二次
元強度で示す。

【０１０９】通常露光で、ゲートパターンの隣り合う部
分がパターンに歪みが生じくっついていることが分か
る。つまり、隣り合う部分の先端が、ゲートパターンの
隣にパターンのない部分の先端に比べて、隣のパターン
があることによって歪みが生じており、これを近接効果
という。

【０１１０】さらに、コントラストの高い周期パターン
と重ね焼きすると、周期パターンは連続しているので、
近接効果が強調され、パターンは分離しない。この近接
効果の補正をするには通常露光のパターンが離れるよう
な補正をすればいいが、通常露光の１回露光の最適補正
量と必ずしも一致しているわけではなく、周期パターン
と重ね焼きすることを考慮しなければならない。

【０１１１】なぜなら、コントラストの高い周期パター
ンは微細線幅で縦方向に一様であるが、微細線に直交す
る方向は強度の高い部分と低い部分とが隣り合っている
ので、微細線線幅より太いパターンでは微細線に直交す
る分布も影響するからである。また、周期パターンと通
常露光パターンの二重露光された合成像は通常露光の１
回露光の像とはぼけ型が違い、同じ露光量でも線幅が違
ってくるからである。

【０１１２】二重露光を考慮してこの近接効果の補正を
するには、マスクパターンを図１９の上部のようにマス
ク補正する。線パターンの間隔をａだけあけたい場合に
は、間隔Ｓ１を０．０４μｍ大きく（ａ＋０．０４μ
ｍ）あけ、その代わりに図示の幅ｂを０．０２μｍ（ｂ
＝２ａ−０．０２）小さくすると、間隔ａの密集パター
ンが形成される。このように間隔を補正した場合、補正
量の１／２ずつの量を間隔に接した２つのパターンの端
を短くすると、ピッチが一定に保たれる。

【０１１３】図１９の下部が、マスクパターンにこのよ
うなマスク補正を施した結果である。図１８で分離され
なかったパターンが分離され、ピッチが不変で間隔がａ
の所望のパターンが形成されている。図２０でさらに前
述のパターン微細部分の線パターンのマスク補正を施せ
ば、ｄｅｆ＝±０．４μｍ以内にわたる実用的な深度で
高コントラストの密集ゲートパターンが得られる。

【０１１４】逆に周期パターンと直交する方向の間隔Ｓ
２は、最小線幅ａに等しい場合でも、コントラストの高
い周期パターンと重ね焼きすることによって近接効果に
よる影響を考えなくて良い。

【０１１５】周期パターンと平行な方向でも充分離せ
ば、すなわち間隔Ｓ１が１．５ａ＝０．１８以上間隔を
空ける場合は、近接効果の影響を考えなくて良い。間隔
Ｓ１が１．５ａ＝０．１８より小さく間隔をせばめてパ
ターンを密集させたいときはパターンを補正する必要が
ある。

【０１１６】このように本実施形態では前記周期パター
ン露光は、線パターンを周期的に配列した周期パターン
を有する周期マスクを用いて行っており、前記通常マス
クの複数のパターンは該周期方向及びそれと直交する方
向に配列されており、２つのパターンの間隔のうち周期
パターンと平行方向の間隔Ｓ１が０．３λ／ＮＡより小
さいとき、該間隔を幅０．１λ／ＮＡだけ大きくしてい
ることを特徴としている。

【０１１７】そして前記２つのパターンの間隔を広げた
量の１／２だけ、該２つのパターンの間隔に接する線パ
ターンのうちの一方の線パターンの幅を小さくしてい
る。

【０１１８】次に、周期パターン露光と通常露光の二重
露光を行う際のアライメントの位置ずれによって起こる
微細線部分での線幅誤差について図２１〜図２５で説明
する。

【０１１９】このような二重露光では、１回目の露光と
２回目の露光の間にアライメントなどの位置合わせを行
うステップがあるが、一般に周期パターン露光のコント
ラストが高いので位置ずれの影響がでにくいがさらに位
置ずれの影響を軽減する。

【０１２０】図２４では図１３のようなゲートパターン
を二重露光によって形成された二次元像であり、デフォ
ーカスｄｅｆがゼロの時を左側に、右にいくにしたがっ
てデフォーカスｄｅｆが±０．２μｍずつ増えた場合を
示している。

【０１２１】最上段にアライメント誤差がない場合、２
段目以降はアライメント誤差が生じた場合を示してお
り、左側の数字はアライメント誤差量（ｎｍ）を示す。
図に示したように、アライメント誤差量が５ｎｍの場合
には誤差の影響はほとんどないが、デフォーカス時には
わずかにパターン像に左右の非対称性が見られる。この
アライメント誤差によって生じる左右の非対称性は、パ
ターンの微細線部分に線幅誤差を引き起こす。

【０１２２】このような好ましくないアライメントの位
置ずれの影響を受けにくいようなパターン補正について
図２１〜図２３で説明する。図２１〜図２３では、周期
パターンとゲートパターンの片側を２回の露光を行う際
の位置関係で重ね描きしてある。ゲートパターンの実線
はパターン補正してあるもの、点線はパターン補正して
ないものを示す。

【０１２３】パターン補正は、微細線部分とその延長部
分を幅２ａだけ太くしたものである。図２１〜図２３は
レジスト上の潜像の概念図であって、倍率で割ったマス
ク寸法とは異なる場合もある。

【０１２４】図２１ではアライメント誤差のないもの
で、図２２，図２３ではアライメント誤差がそれぞれａ
ずつ逆方向にあるものとする。合成像は微細線部分では
周期パターンとゲートパターンの重なる共通部分が現像
後残り、パターンの大きな部分では強度が強い為大きな
部分が支配的に残る。

【０１２５】パターン補正したものの合成像は左下から
右上の向きの斜線部でパターン補正してないものの合成
像は右下から左上の向きの斜線部で示す。

【０１２６】これら３つの図を比較して、点線で示した
パターン補正してないパターンでは周期パターンと重な
る微細線部分が、アライメント誤差がある場合には、幅
ａずつ細くなっている。これに反して、実線で示したパ
ターン補正してあるパターンでは周期パターンと重なる
微細線部分が変化していないことがわかる。

【０１２７】レジスト上の合成像の微細線部分の幅を
０．１２μｍとしたい場合、マスク寸法をいろいろ変え
て調べた結果、図１４のような倍率で割ったマスク寸法
を０．０２μｍ程度線幅と間隔の幅を太くするとアライ
メント誤差の影響が半減することが分かった。

【０１２８】一般にレジスト上の合成像の微細線部分の
幅を０．５λ／ＮＡ以下とする場合、倍率で割ったマス
ク寸法を０．０２λ／ＮＡから０．０５λ／ＮＡ幅を太
くするとアライメント誤差の影響がほぼ半減する。

【０１２９】図２５では図１４のようなマスク補正した
ゲートパターンを二重露光によって形成された二次元像
であり、図２４と同様、最上段にアライメント誤差がな
い場合、２段目以後はアライメント誤差が生じた場合を
示している。

【０１３０】アライメント誤差量が１０ｎｍの場合には
誤差の影響はほとんどなく、左右の非対称性や、線幅誤
差が生じない。アライメント誤差量が２０ｎｍの場合で
も、例えば、線幅変化の許容値が所望の線幅の±１０％
とするなら問題とならない場合もある。

【０１３１】従って、図２４のパターンマスクの補正の
ない場合に比べて、アライメント誤差の影響は緩和され
ており、微細線部分でのパターンを太くするというマス
ク補正は位置ずれの影響を受け難いようなマスク補正を
施すという目的を持っている。

【０１３２】次に本発明に係るパターン補正（マスク補
正）したマスクを用い、多重露光によってパターン像を
形成する露光方法について説明する。

【０１３３】以下の各実施形態の通常露光で用いるマス
クは前述したマスク補正したものを用いている。

【０１３４】本発明の実施形態２について説明する。

【０１３５】本実施形態は露光により得られる回路パタ
ーン（リソグラフィーパターン）として、図１０に示す
所謂ゲート型のパターンを対象としている。

【０１３６】図１０のゲートパターンは横方向の即ち図
中Ａ−Ａ’方向の最小線幅が０．１μｍであるのに対し
て、縦方向では０．２μｍ以上である。本発明によれ
ば、このような１次元方向のみ高解像度を求められる２
次元パターンに対しては２光束干渉露光（周期パターン
露光）をかかる高解像度の必要な１次元方向のみで行え
ばいい。尚、このときのゲートパターンの線幅について
は前述したようにマスク補正しているが、以下、便宜
上、マスク補正していない数値を用いて説明する。

【０１３７】本実施形態では、図２６を用いて１次元方
向のみの２光束干渉露光と通常の投影露光の組み合わせ
の一例を示す。

【０１３８】図２６において、図２６（Ａ）は１次元方
向のみの２光束干渉露光による周期的な露光パターンを
示す。この露光パターンの周期は０．２μｍであり、こ
の露光パターンは線幅０．１μｍＬ＆Ｓパターンに相当
する。図２６の下部における数値は露光量を表すもので
ある。

【０１３９】このような２光束干渉露光を実現する露光
装置としては、図３０で示すような、レーザ１５１，ハ
ーフミラー１５２，平面ミラー１５３による干渉計型の
分波合波光学系を備えるものや、図２９で示すような、
投影露光装置においてマスクと照明方法を図３０又は図
３１のように構成した装置がある。

【０１４０】図２８の露光装置について説明を行う。図
２８の露光装置では前述した通り合波する２光束の夫々
が角度θでウエハ１５４に斜入射し、ウエハ１５４に形
成できる干渉縞パターン（露光パターン）の線幅は前記
（３）式で表される。角度θと分波合波光学系の像面側
のＮＡとの関係はＮＡ＝ｓｉｎθである。角度θは一対
の平面ミラー１５３（１５３ａ，１５３ｂ）の夫々の角
度を変えることにより任意に調整、設定可能で、一対の
平面ミラーで角度θの値を大きく設定すれば干渉縞パタ
ーンの夫々の縞の線幅は小さくなる。例えば２光束の波
長が２４８ｎｍ（ＫｒＦエキシマ）の場合、θ＝３８度
でも各縞の線幅は約０．１μｍの干渉縞パターンが形成
できる。尚、この時のＮＡ＝ｓｉｎθ＝０．６２であ
る。角度θを３８度よりも大きく設定すれば、より高い
解像度が得られるということは言うまでもない。

【０１４１】次に図２９乃至図３１の露光装置に関して
説明する。図２９の露光装置は、例えば通常のステップ
アンドリピート方式又はステップアンドスキャン方式の
縮小投影光学系（多数枚のレンズより成る）を用いた投
影露光装置であり、現状で露光波長２４８ｎｍに対して
ＮＡ０．６以上のものが存在する。

【０１４２】図２９中、１６１はマスク、１６２はマス
ク１６１から出て光学系１６３に入射する物体側露光
光、１６３は投影光学系、１６４は開口絞り、１６５は
投影光学系１６３から出てウエハ１６６に入射する像側
露光光、１６６は感光基板であるウエハを示し、１６７
は絞り１６４の円形開口に相当する瞳面での光束の位置
を一対の黒点で示した説明図である。図１６は２光束干
渉露光を行っている状態の摸式図であり、物体側露光光
１６２と像側露光光１６５は双方とも、図３２の通常の
投影露光とは異なり、２つの平行光線束だけから成って
いる。

【０１４３】図２９に示すような通常の投影露光装置に
おいて２光束干渉露光（周期パターン露光）を行う為に
は、マスク１６１とその照明方法を図３０又は図３１の
ように設定すれば良い。以下これら３種の例について説
明する。

【０１４４】図３０（Ａ）はレベンソン型の位相シフト
マスク１７３を示しており、クロムより成る遮光部１７
１のピッチＰＯが（４）式で０、位相シフタ１７２のピ
ッチＰＯＳが（５）式で表されるマスクである。

【０１４５】Ｐ₀ ＝ＭＰ＝２ＭＲ＝Ｍλ／（２ＮＡ） ‥‥‥（４）Ｐ_OS＝２Ｐ₀ ＝Ｍλ／（ＮＡ） ‥‥‥（５）ここで、Ｍは投影光学系１６３の投影倍率、λは露光波
長、ＮＡは投影光学系１６３の像側の開口数を示す。

【０１４６】一方、図３０（Ｂ）が示すマスク１７４は
クロムより成る遮光部のないシフタエッジ型の位相シフ
トマスクであり、レベンソン型と同様に位相シフタ１７
５のピッチＰＯＳを上記（５）式を満たすように構成し
たものである。

【０１４７】図３０（Ａ），（Ｂ）の夫々の位相シフト
マスクを用いて２光束干渉露光を行うには、これらのマ
スクをσ＝０（又は０に近い値）所謂コヒーレント照明
を行う。具体的には図３０に示すようにマスク面１７０
に対して垂直な方向（光軸に平行な方向）から平行光線
束をマスク１７０に照射する。

【０１４８】ここで、σ＝照明光学系の開口数／投影光
学系の開口数である。

【０１４９】このような照明を行うと、マスク１７０か
ら上記垂直な方向に出る０次透過回折光に関しては、位
相シフタ１７２（１７５）により隣り合う透過光の位相
差がπとなって打ち消し合い存在しなくなり、±１次の
透過回折光の２平行光線束はマスク１７０から投影光学
系１６３の光軸に対して対称に発生し、図２９の２個の
物体側露光１６５がウエハ１６６上で干渉する。また２
次以上の高次の回折光は投影光学系１６３の開口絞り１
６４の開口に入射しないので結像には寄与しない。

【０１５０】図３に示したマスク１８０は、クロムより
成る遮光部１８１のピッチＰＯが（４）式と同様の
（６）式で表されるマスクである。

【０１５１】Ｐ₀ ＝ＭＰ＝２ＭＲ＝Ｍλ／（２ＮＡ） ‥‥‥（６）ここで、Ｍは投影光学系１６３の投影倍率、λは露光波
長、ＮＡは投影光学系１６３の像側の開口数を示す。

【０１５２】図３１の位相シフタを有していないマスク
には、１個又は２個の平行光線束による斜入射照明とす
る。この場合の平行光線束のマスク１８０への入射角θ
₀ は（７）式を満たすように設定される。２個の平行光
線束を用いる場合が、光軸を基準にして互いに逆方向に
θ₀ 傾いた平行光線束によりマスクを照明する。

【０１５３】ｓｉｎθ₀ ＝Ｍ／ＮＡ ‥‥‥（７）ここでも、Ｍは投影光学系１６３の投影倍率、ＮＡは投
影光学系１６３の像側の開口数を示す。

【０１５４】図３１が示す位相シフタを有していないマ
スクを上記（７）式を満たす平行光線束により斜入射照
明を行うと、マスク１８０からは、光軸に対して角度θ
₀ で直進する０次透過回折光とこの０次透過回折光の光
路と投影光学系の光軸に関して対称な光路に沿って進む
（光軸に対して角度−θ₀ で進む）−１次透過回折光の
２光束が図２８の２個の物体側露光光１６２として生
じ、この２光束が投影光学系１６３の開口絞り１６４の
開口部に入射し、結像が行われる。

【０１５５】尚、本発明においてはこのような１個又は
２個の平行光線束による斜入射照明も「コヒーレント照
明」として取り扱う。

【０１５６】以上が通常の投影露光装置を用いて２光束
干渉露光を行う技術であり、図３２に示したような通常
の投影露光装置の照明光学系は部分的コヒーレント照明
を行うように構成してあるので、図３２の照明光学系の
０＜σ＜１に対応する不図示の開口絞りをσ≒０に対応
する特殊開口絞りに交換可能にする等して、投影露光装
置において実質的にコヒーレント照明を行うよう構成す
ることができる。

【０１５７】図１０及び図２６が示す実施形態２の説明
に戻る。本実施形態では前述した２光束干渉露光（周期
パターン露光）の次に行う通常の投影露光（通常パター
ン露光）（例えば図３２の装置でマスクに対して部分的
コヒーレント照明を行うもの）によって図２６（Ｂ）が
示すゲートパターンの露光を行う。図２６（Ｃ）の上部
には２光束干渉露光による露光パターンとの相対的位置
関係と通常の投影露光の露光パターンの領域での露光量
を示し、同図の下部は、通常の投影露光によるウエハの
レジストに対する露光量を縦横を最小線幅のピッチの分
解能でマップ化したものである。

【０１５８】図２６の下部に示す露光量分布は、マスク
から入射される光強度を１としてウエハに露光される強
度分布を示したものである。

【０１５９】図２６（Ａ）の周期パターンの露光による
露光量分布は、理想的には１と０の矩形波であるはずだ
が、２光束干渉露光の解像限界付近の線幅を用いている
ので、０次光と１次光のみで形成されるsin 波となって
いる。そのsin 波の最大値をIo、最小値をI₁とあらわ
す。このとき、照明条件のσによって、I₀とI₁の値が定
まる。

【０１６０】図２６(B) の通常の投影露光による露光量
分布は、各部分での代表的な値を示している。この投影
露光による露光パターンの最小線幅の部分は、解像せず
ぼけて広がり、光強度の各店の値は下がる。露光量は、
大まかにパターン中心部をｂ，両サイドをｄ，両側から
のぼけ像がくる中心部をｃとする。最小線幅の２倍の線
幅は、b,c,d の値よりも大きいが、投影露光の解像限界
付近の線幅であるため、少しぼけてa の値をとる。これ
ら、a,b,c,d の値は、照明条件によって変化する。

【０１６１】図２６(C) の露光量分布は、図２６(A) の
露光パターンと図２６(B) の露光パターンの露光量の加
算した結果生じたものである。

【０１６２】２光束干渉露光と投影露光の各露光での光
量比は、それぞれの露光の照明条件により異なる。加算
における各露光での光量比は、照明系の照度比として、２光束干渉露光：投影露光＝１：ｋとし、ｋの値は次のようにして求める。

【０１６３】図２６(C) の露光量分布は、上記の露光量
分布、光量比を用いて、以下の式で表せる。

【０１６４】a' = k×a + I₀ a" = k×a + I₁ b' = k ×b + I₀ c' = k×c+ I₁ d' = k×d + I₁ 所望のゲートパターンを得るためには、レジストの感光
のしきい値Icとの関係式を得る。たとえば、レジストが
ネガ型の場合、以下のようになる。

【０１６５】a' ＞I_C a" ＞I_C b' ＞I_C c' ＜I_C d' ＜I_C a',a",b'は差が小さい方が望ましく、c'と特にb'との差
がある方が望ましい。これらの式を解くことにより、各
照明条件での最適光量比が求められる。特にパターンの
関係する以下の２式は重要である。レジストがネガ型の場合、ｋ×ｂ＋I₀＞I_C ｋ×ｃ＋I₁＜I_C レジストがポジ型の場合、ｋ×ｂ＋I₁＜I_C ｋ×ｃ＋I₀＞I_C レジストがポジ型の場合、露光量分布の大小関係が反転
し、レジストしきい値Icとの不等号が逆になるが、同様
に最適光量比が求められる。

【０１６６】図３３は本発明に係る２光束干渉露光用の
露光装置の一例を示す概略図であり、図３３において、
２０１は２光束干渉露光用の光学系で、基本構成は図１
５の光学系と同じである。２０２はＫｒＦ又はＡｒＦエ
キシマレーザー、２０３はハーフミラー、２０４（２０
４ａ，２０４ｂ）は平面ミラー、２０５は光学系２０１
との位置関係が固定又は適宜ベースライン（量）として
検出できるオフアクシス型の位置合わせ光学系で、ウエ
ハ２０６上の２光束干渉用位置合わせマークを観察し、
その位置を検出する。２０６は感光基板であるウエハ、
２０７は光学系２０１の光軸に直交する平面及びこの光
軸方向に移動可能なＸＹＺステージで、レーザー干渉計
等を用いてその位置が正確に制御される。装置２０５と
ＸＹＺステージ２０７の構成や機能は周知なので具体的
な説明は略す。

【０１６７】図３４は本発明の２光束干渉用露光装置と
通常の投影露光装置より成る高解像度の露光装置を示す
概略図である。

【０１６８】図３４において、２１２は図３３の光学系
２０１、装置２０５を備える２光束干渉露光装置であ
り、２１３は、不図示の照明光学系とレチクル位置合わ
せ光学系２１４、ウエハ位置合わせ光学系（オフアクシ
ス位置合わせ光学系）２１７とマスク２１５の回路パタ
ーンをウエハ２１８上に縮小投影する投影光学系２１６
とを備える通常の投影露光装置である。

【０１６９】レチクル位置合わせ光学系２１４はマスク
２１５上の位置合わせマークを観察し、その位置を検出
する。ウエハ位置合わせ光学系２１７はウエハ２０６上
の投影露光用又は２光束干渉と兼用の位置合わせマーク
を観察し、その位置を検出する。光学系２１４，２１
６，２１７の構成や機能は周知なので、具体的な説明は
略す。

【０１７０】図３４の２１９は２光束干渉用露光装置２
１２と投影露光装置２１３で共用される１つのＸＹＺス
テージであり、このステージ２１９は、装置２１２、２
１３の各光軸に直交する平面及びこの光軸方向に移動可
能で、レーザー干渉計等を用いてそのＸＹ方向の位置が
正確に制御される。

【０１７１】ウエハ２１８を保持したステージ２１９
は、図３４の位置（１）に送り込まれてその位置が正確
に測定され、測定結果に基づいて位置（２）で示す装置
２１２の露光位置に送り込まれてウエハ２１８へ２光束
干渉露光が行われ、その後、位置（３）に送り込まれて
その位置が正確に測定され位置（４）で示す装置２１３
の露光位置に送り込まれてウエハ２１８へ投影露光が行
われる。

【０１７２】装置２１３においては、オフアクシスの位
置合わせ光学系２１７の代わりに、投影光学系２１６を
介してウエハ２１８の位置合わせマークを観察し、その
位置を検出する不図示のＴＴＬの位置合わせ光学系や、
投影光学系２１６とマスク（レチクル）２１５とを介し
てウエハ２１８上の位置合わせマークを観察し、その位
置を検出する不図示のＴＴＲの位置合わせ光学系も使用
できる。

【０１７３】図３５は本発明の２光束干渉用露光と通常
の投影露光の双方が行える高解像度の露光装置を示す概
略図である。

【０１７４】図３５において、２２１はＫｒＦ又はＡｒ
Ｆエキシマレーザー、２２２は照明光学系、２２３はマ
スク（レチクル）、２２４はマスクステージ、２２７は
マスク２２３の回路パターンをウエハ２２８上に縮小投
影する投影光学系、２２５はマスク（レチクル）チェン
ジャであり、ステージ２２４に、通常のレチクルと前述
したレベンソン位相シフトマスク（レチクル）又はエッ
ジシフタ型のマスク（レチクル）又は位相シフタを有し
ていない周期パターンマスク（レチクル）の一方を選択
的に供給する為に設けてある。

【０１７５】また、マスクステージはパターンの方向と
周期パターンの方向と平行にする為に、予めマスクにバ
ーコード等に描かれてある情報をもとにマスクを回転さ
せる機能を持たせてある。

【０１７６】図３５の２２９は２光束干渉露光と投影露
光で共用される１つのＸＹＺステージであり、このステ
ージ２２９は、光学系２２７の光軸に直交する平面及び
この光軸方向に移動可能で、レーザー干渉計等を用いて
そのＸＹ方向の位置が正確に制御される。

【０１７７】また、図３５の装置は、不図示のレチクル
位置合わせ光学系、ウエハ位置合わせ光学系（図３４で
説明したオフアクシス位置合わせ光学系とＴＴＬ位置合
わせ光学系とＴＴＲ位置合わせ光学系）とを備える。

【０１７８】図３５の露光装置の照明光学系２２２は部
分的コヒーレント照明とコヒーレント照明とを切換え可
能に構成してあり、コヒーレント照明の場合には、ブロ
ック２３０内の図示した前述した（１ａ）又は（１ｂ）
の照明光を、前述したレベンソン型位相シフトレチクル
又はエッジシフタ型レチクル又は位相シフタを有してい
ない周期パターンレチクルの１つに供給し、部分的コヒ
ーレント照明の場合にはブロック２３０内に図示した
（２ａ）の照明光を所望のレチクルに供給する。部分的
コヒーレント照明からコヒーレント照明とを切換えは、
通常光学系２２２のフライアイレンズの直後に置かれる
開口絞りを、この絞りに比して開口径が十分に小さいコ
ヒーレント照明用絞りと交換すればいい。

【０１７９】本発明の露光方法及び露光装置における２
重露光における前記第１露光と前記第２露光の露光波長
は、第２露光が投影露光の場合、双方とも４００ｎｍ以
下であり、好ましくは２５０ｎｍ以下である。２５０ｎ
ｍ以下の露光波長の光を得るにはＫＪｒＦエキシマレー
ザ（約２４８ｎｍ）やＡｒＦエキシマレーザ（約１９３
ｎｍ）を用いる。

【０１８０】尚、本発明において「投影露光」というの
は、マスクに形成された任意のパターンからの３個以上
の平行光線束が互いに異なる様々な角度で像面に入射し
て露光が行なわれるものである。

【０１８１】本発明の露光装置はマスクのパターンをウ
エハに投影する投影光学系と、部分的コヒーレント照明
とコヒーレント照明の双方の照明が可能なマスク照明光
学系とを有し、部分的コヒーレント照明によって通常の
露光を行い、コヒーレント照明によって２光束干渉露光
を行うことにより、周期パターン露光を特徴とする。
「部分的コヒーレント照明」とはσ＝（照明光学系の開
口数／投影光学系の開口数）の値がゼロより大きく１よ
り小さい照明であり、「コヒーレント照明」とは、σの
値がゼロまたはそれに近い値であり、部分的コヒーレン
ト照明のσに比べて相当小さい値である。

【０１８２】周期パターン露光でのコヒーレント照明で
はσを０．３以下にする。通常露光を行う際の部分的コ
ヒーレント照明はσを０．６以上にする。σ＝０．８が
望ましい。さらに照度分布が外側に比べて内側が低い輪
帯照明にすると、なお効果的である。

【０１８３】この露光装置の露光波長は、４００ｎｍ以
下であり、好ましくは２５０ｎｍ以下である。２５０ｎ
ｍ以下の露光波長の光を得るにはＫｒＦエキシマレーザ
（約２４８ｎｍ）やＡｒＦエキシマレーザ（約１９３ｎ
ｍ）を用いる。

【０１８４】発明の実施形態においては、マスク照明光
学系として部分的コヒーレント照明とコヒーレント照明
とが切換え可能な光学系を開示している。

【０１８５】本発明の露光装置は２光束干渉露光装置と
通常（投影）露光装置を両装置で共用される被露光基板
（感光基板）を保持する移動ステージとを有している。

【０１８６】この露光装置の露光波長も、４００ｎｍ以
下であり、好ましくは２５０ｎｍ以下である。２５０ｎ
ｍ以下の露光波長の光を得るにはＫｒＦエキシマレーザ
（約２４８ｎｍ）やＡｒＦエキシマレーザ（約１９３ｎ
ｍ）を用いている。

【０１８７】以上説明した露光方法及び露光装置を用い
てＩＣ，ＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル等の表示
素子、磁気ヘッド等の検出素子、ＣＣＤ等の撮像素子と
いった各種デバイスの製造が可能である。

【０１８８】本発明は以上説明した実施形態に限定され
るものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲におい
て種々に変更することが可能である。特に２光束干渉露
光及び通常露光の各ステップでの露光回数や露光量の段
数は適宜選択することが可能であり、更に露光の重ね合
わせもずらして行なう等適宜調整することが可能であ
る。このような調整を行うことで形成可能な回路パター
ンにバリエーションが増える。

【０１８９】尚、本発明において（ａ）照明光学系の照明方法としては、ＫｒＦエキシマ
レーザー、ＡｒＦエキシマレーザー又はＦ２エキシマレ
ーザーから光でマスクパターンを照明することが適用可
能である。

【０１９０】（ｂ）露光装置においては屈折系、反射−
屈折系、又は反射系のいずれかより成る投影光学系によ
って前記マスクパターンを投影することが適用可能であ
る。

【０１９１】（ｃ）露光装置としては本発明の露光方法
を露光モードとして有するステップアンドリピート型縮
小投影露光装置や本発明の露光方法を露光モードとして
有するステップアンドスキャン型縮小投影露光装置等が
適用可能である。

【０１９２】次に上記説明した投影露光装置を利用した
半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。

【０１９３】図３６は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、或いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造
のフローを示す。

【０１９４】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。

【０１９５】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。

【０１９６】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。

【０１９７】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。

【０１９８】図３７は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。

【０１９９】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。

【０２００】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

【０２０１】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易に製
造することができる。

【０２０２】

【発明の効果】本発明は以上のように、 (イ-1) ２光束干渉露光に代表される周期パターン露光と
周期パターンを含まない通常パターン露光（通常露光）
の２つの露光方法を用いることにより、複雑な形状の回
路パターンをウエハに形成することが可能な露光方法及
び露光装置。

【０２０３】(イ-2) 線幅０．１５μｍ以下の部分を備え
る回路パターンを容易に得ることが可能な露光方法及び
露光装置。

【０２０４】(イ-3) 周期パターン露光と通常露光の２つ
の露光法が実施できる露光装置。を、達成することがで
きる。

【０２０５】特に、本発明によれば、 (イ-4) ２光束干渉露光と通常の露光を融合して例えば
０．１５μｍ以下の微細な線幅を有する複雑なパターン
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の露光方法のフローチャート

【図２】２光束干渉露光による露光パターンを示す説明
図

【図３】レジストの露光感度特性を示す説明図

【図４】現像によるパターン形成を示す説明図

【図５】通常の２光束干渉露光による露光パターンを示
す説明図

【図６】本発明における２光束干渉露光による露光パタ
ーンを示す説明図

【図７】本発明の実施形態１において形成できる露光パ
ターン（リソグラフィーパターン）の一例を示す説明図

【図８】本発明の実施形態１において形成できる露光パ
ターン（リソグラフィーパターン）の他の一例を示す説
明図

【図９】本発明の実施形態１において形成できる露光パ
ターン（リソグラフィーパターン）の他の一例を示す説
明図

【図１０】本発明の実施形態２に係るゲートパターンを
示す説明図

【図１１】本発明の露光方法に係るパターンの線幅誤差
の説明図

【図１２】本発明の露光方法に係るパターンの線幅誤差
の説明図

【図１３】本発明の露光方法に係るパターンの説明図

【図１４】本発明の露光方法に係るパターンの説明図

【図１５】本発明の露光方法に係るパターンの投影像の
説明図

【図１６】本発明の露光方法に係るパターンの投影像の
説明図

【図１７】本発明の露光方法に係るパターンの説明図

【図１８】図１７のパターンの投影像の説明図

【図１９】図１７のパターンの投影像の説明図

【図２０】図１７のパターンの投影像の説明図

【図２１】本発明の露光方法に係るパターンの説明図

【図２２】本発明の露光方法に係るパターンの説明図

【図２３】本発明の露光方法に係るパターンの説明図

【図２４】図２１のパターンの投影像の説明図

【図２５】図２１のパターンの投影像の説明図

【図２６】本発明の実施形態２を示す説明図

【図２７】ゲートパターンを説明する図

【図２８】従来の２光束干渉用露光装置の一例を示す概
略図

【図２９】２光束干渉露光を行なう投影露光装置の一例
を示す概略図

【図３０】図２９の装置に使用するマスク及び照明方法
の１例を示す説明図

【図３１】図２９の装置に使用するマスク及び照明方法
の他の１例を示す説明図

【図３２】従来の投影露光装置を示す概略図

【図３３】本発明の２光束干渉露光装置の一例を示す概
略図

【図３４】本発明の高解像度の露光装置の一例を示す概
略図

【図３５】本発明の高解像度の露光装置の一例を示す概
略図

【図３６】本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
ト

【図３７】本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
ト

【符号の説明】

２２１エキシマレーザ２２２照明光学系２２３マスク（レチクル）２２４マスク（レチクル）ステージ２２５２光束干渉用マスクと通常投影露光用のマスク２２６マスク（レチクル）チェンジャ２２７投影光学系２２８ウエハ２２９ＸＹＺステージ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】多重露光を用いた露光方法において、あ
る露光で使用するマスクは予め現像後の感光基板におけ
るパターンの変形を見込んでパターンを形成しているこ
とを特徴とする露光方法。
【請求項２】マスク上のパターンを感光基板上に投影
光学系を介してパターン露光と周期パターン露光の多重
露光を行う露光方法において、該通常パターン露光は該
投影光学系の分解能以下の微細線部分を含むパターンを
有するマスクで行っており、該マスクは予め現像後の該
感光基板におけるパターンの変形を見込んでパターンを
形成していることを特徴とする露光方法。
【請求項３】前記マスクのパターンの微細線部分を予
め感光基板側でのパターンの変形を見込んで形成してい
ることを特徴とする請求項１又は２の露光方法。
【請求項４】前記マスクのパターンに前記投影光学系
の開口数をＮＡ、露光波長をλとしたとき、０．５λ／
ＮＡ以下の線幅の微細線部分が存在するとき該微細線部
分を予め感光基板側でのパターンの変形を見込んで形成
していることを特徴とする請求項１，２又は３の露光方
法。
【請求項５】前記微細線部分の線幅が０．５λ／ＮＡ
以下のとき、該微細線とその延長部分を太くすることを
特徴とする請求項４の露光方法。
【請求項６】前記マスクのパターンの形成をマスク上
で倍率換算後、０．０２λ／ＮＡから０．０５λ／ＮＡ
だけ幅を補正して形成していることを特徴とする請求項
４の露光方法。
【請求項７】前記マスクでのパターンとパターンとの
間の間隔を感光基板側でのパターンの変形を見込んで太
くすることを特徴とする請求項１，２，３又は４の露光
方法。
【請求項８】前記マスクでのパターンとパターンとの
間の間隔を倍率換算後、０．０２λ／ＮＡから０．０５
λ／ＮＡだけ幅を補正して形成していることを特徴とす
る請求項４の露光方法。
【請求項９】露光基板上に投影光学系を介して通常パ
ターン露光と周期パターン露光の多重露光を行う露光方
法において、該通常パターン露光は該通常パターン露光
は該投影光学系の分解能以下の微細線部分を含むパター
ンを有する通常マスクで行っており、該通常マスクはア
ライメントの位置ずれの影響を受けにくいパターンで形
成していることを特徴とする露光方法。
【請求項１０】前記マスクのパターンに前記投影光学
系の開口数をＮＡ、露光波長をλとしたとき、０．５λ
／ＮＡ以下の線幅の微細線部分が存在するとき、該微細
線部分を予め感光基板側でのパターンの変形を見込んで
形成していることを特徴とする請求項９の露光方法。
【請求項１１】前記微細線部分とその延長部分を太く
することを特徴とする請求項１０の露光方法。
【請求項１２】前記マスクの微細線パターンの形成を
マスク上で倍率換算後、０．０２λ／ＮＡから０．０５
λ／ＮＡだけ幅を補正して形成していることを特徴とす
る請求項１０の露光方法。
【請求項１３】前記マスクでのパターンとパターンと
の間の間隔を太くすることを特徴とする請求項１０の露
光方法。
【請求項１４】前記マスクでのパターンとパターンと
の間の間隔を倍率換算後、０．０２λ／ＮＡから０．０
５λ／ＮＡだけ幅を補正していることを特徴とする請求
項１０の露光方法。
【請求項１５】露光基板上に投影光学系を介して通常
パターン露光と周期パターン露光の多重露光を行う露光
方法において、該通常パターン露光は該通常パターン露
光は該投影光学系の分解能以下の微細線部分を含むパタ
ーンを有するマスクで行っており、該マスクは該パター
ンを複数個、互いに近接配置しており、該パターンを近
接配置したことによる感光基板側でのパターンの変形を
見込んで該通常マスクのパターンを形成していることを
特徴とする露光方法。
【請求項１６】前記周期パターン露光は、線パターン
を周期的に配列した周期パターンを有する周期マスクを
用いて行っており、前記マスクの複数のパターンは該周
期方向及びそれと直交する方向に配列されており、２つ
のパターンの間隔のうち周期パターンと平行方向の間隔
Ｓ１が０．３λ／ＮＡより小さいとき、該間隔を幅０．
１λ／ＮＡだけ大きくしていることを特徴とする請求項
１５の露光方法。
【請求項１７】前記２つのパターンの間隔を広げた量
の１／２だけ、該２つのパターンの間隔に接するパター
ンのうちの一方のパターンの幅を小さくしていることを
特徴とする請求項１６の露光方法。
【請求項１８】請求項１から１７のいずれか１項の露
光方法を用いて感光性の基板にマスク上のパターンを転
写していることを特徴とする露光装置。
【請求項１９】請求項１〜１７のいずれか１項の露光
方法を用いてマスク面上のパターンをウエハ面上に露光
した後、該ウエハを現像処理工程を介してデバイスを製
造していることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項２０】請求項１８の露光装置を用いてマスク
面上のパターンをウエハ面上に露光した後、該ウエハを
現像処理工程を介してデバイスを製造していることを特
徴とするデバイスの製造方法。