JP2015146341A - リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015146341A JP2015146341A JP2014017743A JP2014017743A JP2015146341A JP 2015146341 A JP2015146341 A JP 2015146341A JP 2014017743 A JP2014017743 A JP 2014017743A JP 2014017743 A JP2014017743 A JP 2014017743A JP 2015146341 A JP2015146341 A JP 2015146341A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens barrel
- lithographic apparatus
- substrate
- interferometer
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】基板上でのビームの位置決め精度の点で有利なリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】パターンを基板3に形成するリソグラフィ装置であって、前記パターンを形成するためのビームを前記基板3に照射する光学系を収容する鏡筒部10と、前記鏡筒部10に設けられ、前記光学系の光軸に平行な反射面を含む反射部材6と、前記反射面上において一直線上にない少なくとも3つの入射箇所のそれぞれに計測光を入射させて前記鏡筒部の回転角を計測する計測部と、を有し、前記反射部材6は、前記光軸に平行な方向において前記少なくとも3つの入射箇所の間の領域内に貫通孔が形成され、該貫通孔内の固定部材を介して前記鏡筒部10に固定されている。
【選択図】図1
【解決手段】パターンを基板3に形成するリソグラフィ装置であって、前記パターンを形成するためのビームを前記基板3に照射する光学系を収容する鏡筒部10と、前記鏡筒部10に設けられ、前記光学系の光軸に平行な反射面を含む反射部材6と、前記反射面上において一直線上にない少なくとも3つの入射箇所のそれぞれに計測光を入射させて前記鏡筒部の回転角を計測する計測部と、を有し、前記反射部材6は、前記光軸に平行な方向において前記少なくとも3つの入射箇所の間の領域内に貫通孔が形成され、該貫通孔内の固定部材を介して前記鏡筒部10に固定されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法に関する。
リソグラフィ装置の1つとして、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置がある。描画装置は、荷電粒子光学系から射出された荷電粒子線を基板に照射し、かかる荷電粒子線を制御(偏向)することで基板上(のレジスト)に任意のパターンを描画(形成)する。荷電粒子光学系は、鏡筒に収容され、真空チャンバに支持されている。
描画装置によって基板に描画されるパターンには、高い描画位置精度が要求されるが、例えば、荷電粒子光学系の鏡筒の振動などによる位置変動が発生すると、パターンの描画位置精度が低下してしまう。従来の露光装置では、投影光学系を収容する鏡筒の位置を計測する計測系を有し、かかる計測系の計測結果に基づいてリアルタイムに露光位置(パターンの形成位置)を補正する、所謂、鏡筒参照計測が行われている(特許文献1参照)。このような鏡筒参照計測では、複数の干渉計を用いて、鏡筒の並進方向の位置変動の計測だけではなく、鏡筒の各並進方向まわりの姿勢変動の計測も行われている。
しかしながら、荷電粒子光学系を収容する鏡筒が真空チャンバで支持される描画装置では、鏡筒の一部分しか真空チャンバの内部に配置することができないため、鏡筒参照計測の反射部材(ターゲット)を固定するための鉛直方向のスペースが十分に取れない。換言すれば、真空チャンバの内部に配置された鏡筒の一部分(鉛直方向の小さなスペース)に反射部材を固定することが困難である。あるいは、反射部材が小さくなって一対の干渉計の計測軸の間の距離が短くなると、計測精度が低下し、描画位置精度(基板上でのビームの位置決め精度)が低下することになる。
本発明は、基板上でのビームの位置決め精度の点で有利なリソグラフィ装置を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、前記パターンを形成するためのビームを前記基板に照射する光学系を収容する鏡筒部と、前記鏡筒部に設けられ、前記光学系の光軸に平行な反射面を含む反射部材と、前記反射面上において一直線上にない少なくとも3つの入射箇所のそれぞれに計測光を入射させて前記鏡筒部の回転角を計測する計測部と、を有し、前記反射部材は、前記光軸に平行な方向において前記少なくとも3つの入射箇所の間の領域内に貫通孔が形成され、該貫通孔内の固定部材を介して前記鏡筒部に固定されていることを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、基板上でのビームの位置決め精度の点で有利なリソグラフィ装置を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
図1は、本発明の一側面としての描画装置100の構成を示す概略図である。描画装置100は、パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、荷電粒子線で基板に描画を行う。描画装置100は、真空チャンバ2と、基板ステージ4と、干渉計5と、反射部材6と、鏡筒部10とを有する。
鏡筒部10は、パターンを形成するためのエネルギー線を基板3に照射する光学系を収容する。鏡筒部10は、本実施形態では、光軸に平行な方向(Z軸方向)に直交する第1方向(X軸方向)及び第2方向(Y軸方向)に配列された複数の荷電粒子光学系1を収容する(即ち、荷電粒子光学系1を複数収容する)。
真空チャンバ2は、鏡筒部10の一部10aを収容するとともに鏡筒部10を支持する。鏡筒部10、詳細には、真空チャンバ2に収容された鏡筒部10の一部10aには、荷電粒子光学系1の光軸に平行な反射面を含む反射部材6が設けられており、干渉計5によって鏡筒部10の位置及び回転が計測できるようになっている。
基板ステージ4は、鏡筒部10の下に配置され、基板3を保持してX軸方向及びY軸方向に移動する可動のステージである。また、基板ステージ4の位置は、干渉計などの計測部(不図示)によって計測できるようになっている。
描画装置100は、CPUやメモリなどを含む制御部(不図示)も有する。かかる制御部において、鏡筒部10(荷電粒子光学系1)からの荷電粒子線を制御(荷電粒子線の照射及び非照射の選択、荷電粒子線の偏向など)しながら基板ステージ4をXY平面内で移動させることで、基板3に任意のパターンを描画することができる。
描画装置100において、鏡筒部10の大気側の周辺、即ち、真空チャンバ2に収容されていない鏡筒部10の残りの部分(他の部分)10bの周辺には、高圧電源や制御部などを配置する制約がある。従って、真空チャンバ2の内部に突き出る(真空チャンバ2に収容される部分)は、その先端の一部10aに限られる。換言すれば、真空チャンバ2に収容された鏡筒部10の一部10aは、真空チャンバ2に収容されていない鏡筒部10の残りの部分10bより小さくなる。このような限られたスペース、即ち、真空チャンバ2に収容された鏡筒部10の一部10aで鏡筒部10aの位置及び回転を干渉計5によって計測することが必要となる。
図2は、鏡筒部10(荷電粒子光学系1)と、干渉計5と、反射部材6との配置関係の一例を示す図である。図2において、鏡筒部10は、6つの荷電粒子光学系1を収容している。6つの荷電粒子光学系1は、例えば、Y軸方向に100mmのピッチで、X軸方向に50mmのピッチで互いに離間して配置されている。
基板3の全面を描画(露光)するために必要となる基板ステージ4の移動ストローク量は、鏡筒部10に収容される荷電粒子光学系1の配置によって決定される。本実施形態では、例えば、直径300mmの基板3の全面を描画するために、X軸方向に少なくとも50mm、Y軸方向に少なくとも400mmの移動ストロークを基板ステージ4が有することが必要となる。換言すれば、基板3をX軸方向に50mmごとに短冊状に分割した領域を、それぞれの荷電粒子光学系1(からの荷電粒子線)で描画することで基板3の全面を描画することができる。
上述したように、荷電粒子光学系1の全体、即ち、荷電粒子光学系1を収容する鏡筒部10の位置及び回転を計測するために、干渉計5からの計測光を反射する反射部材6が鏡筒部10に設けられている。反射部材6は、本実施形態では、X軸方向に沿った反射面6aと、Y軸方向に沿った反射面6bとを含み、XY平面おいてL字形状を有する。また、干渉計5は、本実施形態では、第1干渉計5a、第2干渉計5b、第3干渉計5c、第4干渉計5d及び第5干渉計5eの5つの干渉計を含む。従って、反射部材6に対して、第1干渉計5aの計測軸15、第2干渉計5bの計測軸14、第3干渉計5cの計測軸13、第4干渉計5dの計測軸12及び第5干渉計5eの計測軸11の5軸が構成されている。計測軸15と計測軸13とは、Z軸方向の位置座標が同一で、X軸方向の位置座標が異なっている。計測軸14と計測軸13とは、X軸方向の位置座標が同一で、Z軸方向の位置座標が異なっている。計測軸12と計測軸11とは、Y軸方向の位置座標が同一で、Z軸方向の位置座標が異なっている。これにより、干渉計5、即ち、第1干渉計5a乃至第5干渉計5eは、鏡筒部10のX軸方向及びY軸方向の位置、X軸まわりの回転、Y軸まわりの回転及びZ軸まわりの回転の5軸の位置姿勢(5自由度の運動状態)を計測することができる。
鏡筒部10のZ軸まわりの回転は、第1干渉計5a及び第3干渉計5c(計測軸15及び13)によって計測される。第1干渉計5aと第3干渉計5cとの離間方向は、全ての荷電粒子光学系1の位置座票が異なるX軸方向とするとよい。換言すれば、第1干渉計5aと第3干渉計5cとの離間方向は、基板ステージ4の移動ストローク(可動量)の短手方向(X軸方向)であり、基板ステージ4の移動ストロークの長手方向(Y軸方向)とは直交する方向とするのがよい。これにより、鏡筒部10に設けられる反射部材6の大型化を低減(防止)することができる。なお、第1干渉計5a及び第3干渉計5cそれぞれに対応する反射部材6の反射面6aの長さは、少なくとも基板ステージ4のX軸方向のストロークがあればよく、本実施形態では、それぞれ50mm以上であればよい。
第1干渉計5a乃至第5干渉計5eによって計測された鏡筒部10の位置及び回転(干渉計5の計測結果)を、例えば、荷電粒子線の制御や基板ステージ4の位置制御にフィードバックすることで、荷電粒子線による描画位置精度を向上させることができる。
ここで、鏡筒部10に設けられる反射部材6について詳細に説明する。反射部材6の反射面6aには、図3(a)に示すように、第1干渉計5a乃至第3干渉計5cのそれぞれからの計測光によって入射点113、114及び115が形成される。換言すれば、干渉計5は、反射部材6の反射面6a(反射面上)において一直線上にない少なくとも3つの入射箇所のそれぞれに計測光を入射させて鏡筒部10の回転角を計測する。そこで、本実施形態では、反射面6aに形成される全ての入射点を含む多角形で規定される領域(光軸に平行な方向において少なくとも3つの入射箇所(113乃至115)の間の領域内)に、反射部材6を鏡筒部10に対して固定するための固定部7を設ける。具体的には、反射面6aに形成される少なくとも3つの入射点のうち、X軸方向に沿った最大の間隔を有する2つの入射点113及び115の間及びZ軸方向に沿った最大の間隔を有する2つの入射点113及び114との間の領域に固定部7を設ける。固定部7には、例えば、反射部材6を貫通する貫通孔が形成され、かかる貫通孔内の固定部材、例えば、ボルト及びリベットなどの締結部材によって、反射部材6が鏡筒部10に固定(締結)される。なお、反射面6aの変形を抑制するためにボルトと反射部材6との間に板ばねなどを介して締結してもよい。この場合でも板ばね及びボルトは前記多角形で規定される領域(領域内)に配置する。
このように反射部材6の反射面6aに固定部7を設けることによって、鏡筒部10に固定するために反射部材6をZ軸方向(光軸方向)に拡大する必要がなくなる。従って、真空チャンバ2に収容される鏡筒部10の一部分10bのZ軸方向のスペース(即ち、鏡筒参照計測に必要な部分)を最小限に抑えることができる。換言すれば、真空チャンバ2に収容される鏡筒部10の一部分10bに反射部材6を設ける(固定する)ことができる。
また、本実施形態では、真空チャンバ2の上側のスペースをより多く確保することができる。従って、上述したような高圧電源や制御部などの配置の自由度が高まり、鏡筒部10の設計自由度が向上する効果もある。
また、図3(b)に示すように、反射部材6は、各干渉計に対応した反射面、例えば、第2干渉計5b及び第3干渉計5cに対応する反射面6eと、第1干渉計5aに対応する反射面6fをフレーム8に支持させて構成してもよい。このような場合にも、入射点113と入射点115との間及び入射点113と入射点114との間の領域に、固定部7a及び7bを設けることで、反射部材6をZ軸方向(光軸方向)に拡大することなく鏡筒部10に固定することが可能となる。
このように、描画装置100は、鏡筒部10の回転を計測するための反射部材6を固定するのに有利であり、真空チャンバ2に収容される鏡筒部10の一部分10bのZ軸方向のスペースが小さくても反射部材6を固定することができる。これにより、描画装置100では、鏡筒参照計測を行うことが可能となり、荷電粒子線による描画位置精度を向上させることができる。従って、描画装置100は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に描画装置100を用いて潜像パターンを形成する工程と、かかる工程で潜像パターンを形成された基板を処理(例えば、現像)する工程(描画を行われた基板を現像する工程)とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本発明は、リソグラフィ装置を描画装置に限定するものではなく、露光装置やインプリント装置などのリソグラフィ装置にも適用することができる。ここで、露光装置は、光や荷電粒子等のビームを用い、レチクル又はマスク及び投影光学系を介して基板を露光するリソグラフィ装置である。また、インプリント装置は、基板上のインプリント材(樹脂など)をモールド(型)により成形してパターンを基板に形成するリソグラフィ装置である。
Claims (9)
- パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
前記パターンを形成するためのビームを前記基板に照射する光学系を収容する鏡筒部と、
前記鏡筒部に設けられ、前記光学系の光軸に平行な反射面を含む反射部材と、
前記反射面上において一直線上にない少なくとも3つの入射箇所のそれぞれに計測光を入射させて前記鏡筒部の回転角を計測する計測部と、を有し、
前記反射部材は、前記光軸に平行な方向において前記少なくとも3つの入射箇所の間の領域内に貫通孔が形成され、該貫通孔内の固定部材を介して前記鏡筒部に固定されていることを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記鏡筒部の一部を収容して前記鏡筒部を支持するチャンバを有し、
前記反射部材は、前記一部に設けられていることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - 前記一部は、前記チャンバに収容されていない前記鏡筒部の他の部分より小さいことを特徴とする請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記反射部材は、前記少なくとも3つの入射箇所のうち前記光軸に平行な方向に沿った最大の間隔を有する2つの入射箇所の間で、かつ前記光軸に直交する方向に沿った最大の間隔を有する2つの入射箇所の間の領域に前記貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記固定部材は、締結部材を含むことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記基板を保持して可動のステージを有し、
前記ステージは、前記反射面に直交する方向における可動量より前記光軸に平行な方向における可動量が小さいことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 前記ビームは、荷電粒子線であることを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記鏡筒部は、前記光学系を複数収容することを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014017743A JP2015146341A (ja) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
US14/590,199 US20150219998A1 (en) | 2014-01-31 | 2015-01-06 | Lithography apparatus, and method of manufacturing article |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014017743A JP2015146341A (ja) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015146341A true JP2015146341A (ja) | 2015-08-13 |
Family
ID=53754741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014017743A Pending JP2015146341A (ja) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150219998A1 (ja) |
JP (1) | JP2015146341A (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6798516B1 (en) * | 1996-11-14 | 2004-09-28 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having compact substrate stage |
JP2001308003A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US20050151947A1 (en) * | 2002-07-31 | 2005-07-14 | Nikon Corporation | Position measuring method, position control method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
2014
- 2014-01-31 JP JP2014017743A patent/JP2015146341A/ja active Pending
-
2015
- 2015-01-06 US US14/590,199 patent/US20150219998A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150219998A1 (en) | 2015-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4686563B2 (ja) | 可動物体の位置依存信号を測定するための測定システム、リソグラフィ装置および方法 | |
KR100546862B1 (ko) | 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 그 제조방법에 의해 제조된 디바이스 | |
TW201403267A (zh) | 定位系統、微影裝置及器件製造方法 | |
TWI621924B (zh) | Euv成像裝置 | |
JP2007049165A (ja) | リソグラフィ装置及びメトロロジ・システムを使用するデバイス製造方法 | |
JP6109049B2 (ja) | 処理装置、位置決め装置の制御方法、物品の製造方法 | |
JP5130122B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP5206132B2 (ja) | 光学素子保持装置、光学系、露光装置、デバイスの製造方法 | |
JP6338386B2 (ja) | リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 | |
US7193723B2 (en) | Positioning apparatus and photolithography apparatus including the same | |
KR20130006355A (ko) | 하전 입자 빔 묘화 장치 및 물품 제조 방법 | |
US20140113234A1 (en) | Lithography apparatus, and method of manufacturing an article | |
JP2015146341A (ja) | リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 | |
TW200842502A (en) | Exposure apparatus and device-manufacturing method | |
WO2016027477A1 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP7075302B2 (ja) | 光学装置、投影光学系、露光装置、および物品の製造方法 | |
KR102165797B1 (ko) | 광학 장치, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 | |
JP6744588B2 (ja) | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 | |
TWI576673B (zh) | 物件台、微影裝置及元件製造方法 | |
US20160026097A1 (en) | Vibration control device, lithography apparatus, and article manufacturing method | |
KR20180123006A (ko) | 노광 장치 및 노광 방법, 리소그래피 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 | |
TW201805738A (zh) | 置物台系統、微影裝置及器件製造方法 | |
JP4335084B2 (ja) | 測定装置を有するリトグラフ投影装置 | |
JP6338647B2 (ja) | パターニング装置、位置決め装置の制御方法、物品の製造方法 | |
JP2015056450A (ja) | リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |