JP2010114463A - リソグラフィ装置の専用計量ステージ - Google Patents

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Abstract

【課題】露光部分または露光ビームに関するパラメータを検出するために使用されるシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】システム２００は、基板ステージ１０６および計量ステージ１１６を有する。基板ステージは、リソグラフィシステムの露光部分からの露光ビームを受け取るために基板を位置決めするように構成される。計量システムは、露光システムまたは露光ビームのパラメータを検出するように構成されたセンサシステムを自身上に有する。一例では、システムはリソグラフィシステム内にあり、これはさらに照明システム２１２、パターニングデバイス２１４、および投影システム２１６を有する。パターニングデバイスは、照明システムからの放射線のビームにパターンを形成する。露光部分内に配置された投影システムは、パターン形成したビームを基板１１２またはセンサシステムに投影する。
【選択図】図２

Description

本出願は、３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１９（ｅ）により、２００５年３月３日に出願された米国暫定特許出願第６０／６５７，７１０号に対する優先権を主張し、これは参照により全体が本明細書に組み込まれる。
本発明は、リソグラフィ露光システムのパラメータの測定に、特にリソグラフィ装置の専用計量ステージに関する。
リソグラフィとは、基板の表面にフィーチャー（ｆｅａｔｕｒｅｓ）を生成するために使用されるプロセスである。このような基板は、フラットパネルディスプレイ、回路基板、様々な集積回路などの製造に使用するものを含む。このような用途で頻繁に使用される基板は、半導体ウェハである。本明細書の記述は、他のタイプの基板にも当てはまることが、当業者には認識される。
リソグラフィでは、ウェハステージ上に配置されたウェハを、リソグラフィシステム内に配置された露光システムによって、ウェハの表面に投影される像に露光する。露光システムは、像をウェハに投影するレチクル（マスクとも呼ぶ）を含む。
レチクルは一般的に、半導体チップと光源との間に配置され、通常はレチクルステージに装着される。フォトリソグラフィでは、レチクルは、例えば半導体チップ上に回路を印刷するためのフォトマスクとして使用される。リソグラフィ光は、マスクおよび像を収縮させる一連の光学レンズを通って光る。次に、この小さい像をシリコンまたは半導体のウェハに投影する。プロセスは、カメラが光を曲げて、フィルム上に像を形成する方法に類似している。光は、リソグラフィプロセスで不可欠な役割を果たす。例えば、マイクロプロセッサの製造において、より強力なマイクロプロセッサを生成するための鍵は、光の波長である。波長が短いほど、シリコンウェハ上にエッチング可能なトランジスタが多くなる。１枚のシリコンウェハが多くのトランジスタを有すると、さらに強力なマイクロプロセッサになる。
リソグラフィ技術の比較的一般的な問題は、リソグラフィ露光に使用する光学システムのパラメータを測定する必要があることである。通常は、リソグラフィ露光システムをオフラインにせず、構成要素を分解し、再度組み付けることなく、このような測定を実行できることが望ましい。本業界における現在の慣行は、空間が許す範囲までウェハステージ上にセンサを配置することである。これらのセンサは通常、ウェハ自体に占有されていない空間で、ウェハステージの隅に配置される。
しかし、露光システムが絶えず精巧さを上げ、露光波長が短くなり、光学系がますます複雑になっているので、最終使用者が必要とする様々なセンサの数が増加している。それと同時に、使用可能な空間に厳格な制約がある。例えば、ウェハステージの寸法を増加させることは概ね実際的でないか、望ましくない。これはステージの位置決めおよびステージの動作を複雑にし、全体的なリソグラフィ機器の寸法を増大させるからであり、製造施設内のクリーンルーム空間が制限されているので、問題を生じるからである。
したがって、必要とされているのは、全体的なリソグラフィツールの寸法に影響を与えずに、リソグラフィ露光光学系の測定センサを位置決めできる方法である。
本発明の１つの実施形態では、基板ステージおよび計量ステージを有するシステムが提供される。基板ステージは、リソグラフィシステムの露光部分からの露光ビームを受けるために基板を位置決めするように構成される。計量ステージは、露光システムまたは露光ビームのパラメータを検出するように構成されたセンサシステムを自身上に有する。
本発明の別の実施形態では、システムはリソグラフィシステム内にあり、これはさらに照明システム、パターニングデバイスおよび投影システムを有する。パターニングデバイスは、照明システムからの放射線のビームにパターンを形成する。投影システムは、露光部分内に配置され、パターン形成されたそのビームを基板またはセンサシステムに投影する。
本発明のさらなる実施形態では、リソグラフィシステムの露光部分の光学パラメータを測定し、以下のステップを含む方法が提供される。つまり、露光部分の光軸から基板ステージを離すこと、センサを光軸に配置するために、計量ステージを移動することと、露光システムの光学パラメータを測定すること、である。
本発明の追加の特徴および利点は、以下の説明で示され、一部はこの説明から明白になるか、本発明の実践から学ぶことができる。本発明の利点は、構造から実現かつ達成され、特に、説明および請求の範囲、さらに添付図面で指摘される。以上の一般的説明および以下の詳細な説明は例示的かつ説明的であり、請求の範囲にある本発明をさらに説明するために提供するものであることを理解されたい。
本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付図面は、本発明の１つまたは複数の実施形態を図示し、さらに説明とともに、本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成し、使用できるようにする働きをする。
次に、本発明の１つまたは複数の実施形態を添付図面に関して説明する。図面では、同様の参照番号は同一または機能的に同様の要素を示す。また、参照番号の最左端桁は、参照番号が最初に現れた図を識別する。
本発明の１つの実施形態による計量ステージを示したものである。 計量ステージを使用する本発明の１つの実施形態による例示的リソグラフィシステムを概略的に示したものである。 本発明の１つの実施形態により図２のシステムで使用可能な例示的偏光センサを示したものである。 計量ステージ上のセンサの例示的配置構成を示したものである。 本発明の１つの実施形態によるセンサ類のアポディゼーションセンサを示したものである。 本発明の１つの実施形態によるセンサ類の迷光センサを示したものである。 本発明の１つの実施形態によるセンサ類の迷光センサを示したものである。
図１は、本発明の１つの実施形態を示す。図１には、露光装置の基板取り扱い機構１０２の等角立体図が図示されている（投影光学系、レチクルステージ、照明ソースなどの露光装置の残りの部分は、明快さを期して図１には図示せず、図２に関する以下の検討を参照されたい）。基板取り扱い装置１０２は枠１０４を有し、その一部が図１に図示されている。ロボットアーム１０８または同様の機構を使用して、基板１１２を基板取り扱い装置１０２から出し入れする。このケースでは１０６Ａおよび１０６Ｂとラベルを付けた２つの基板ステージを、基板取り扱い装置１０２内に配置する。基板ステージ１０６Ａ、１０６Ｂは、自身上に配置された基板１１２Ａ、１１２Ｂを有する。代替実施例では、露光される基板は半導体ウェハまたはフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）基板でよい。基板ステージ１０６Ａ、１０６Ｂの典型的寸法は、基板１１２自体よりわずかに大きい。現在の最新技術の１２インチ直径の基板では、基板ステージはほぼ正方形で、約１３〜１４インチ（３３．０２〜３５．５６ｃｍ）のオーダのサイズでよい。２基板ステージのシステムでは、基板ステージの一方を通常は露光に使用し、他方を露光結果の測定（例えばプロセス後の基板表面高さなどの測定）に使用する。
各基板ステージ１０６Ａ、１０６Ｂは、基板ステージ１０６Ａ、１０６Ｂを移動させるために対応する起動システム１１０Ａ、１１０Ｂを有する。基板ステージ１０６Ａ、１０６Ｂは、自身上に装着されたセンサ、即ち基板ステージ１０６Ａには１２４Ａ〜１３０Ａと、基板ステージ１０６Ｂには１２４Ｂ〜１３０Ｂと指示された対応するセンサを有する。一例では、基板１１２が通常、基板ステージ１０６の中心にあるので、センサ１２４〜１３０の位置は基板ステージ１０６の隅部である。
図１には、光学パラメータを測定するセンサ１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃおよび１４０Ｄを含む計量ステージ１１６も図示されている。計量ステージ１１６上のセンサの数は特に制限されないが、通常、計量ステージ１１６の全体的寸法は基板ステージ１０６の寸法より小さいことが理解される。
一例では、基板ステージ１０６上に配置されたセンサ１２４〜１３０の垂直寸法は、様々な理由から制限される。例えば、基板ステージ１０６の最小高さおよび投影光学系（図には図示せず）の最下の要素の位置が、基板ステージ１０６上のセンサ１２４〜１３０の垂直寸法を制限することができる。一例では、計量ステージ１１６に関して、計量ステージ１１６は基板ステージ１０６より「薄い」ことが可能であるので、センサ１４０はセンサ１２４〜１３０より「背が高く」てよい。また一例では、基板ステージ１０６は、Ｘ−Ｙ（水平）次元で小型化し（例えば「隅部」を「切断」し、その結果、基板ステージの「フットプリント（ｆｏｏｔｐｒｉｎｔ）」が、図１に図示した概ね正方形より小さくなる）、空間の節約を実現することができる。
図２は、本発明の１つの実施形態により、計量ステージ１１６を使用する例示的リソグラフィシステム２００を概略的に示す。図２に示すように、リソグラフィシステム２００（側面図で図示）は、レーザまたはランプのような光源（照明ソース）２１０、照明光学系２１２（集光レンズなど）、および通常はパターニングデバイスステージ（図示せず）上に装着されるパターニングデバイス（例えばレチクル、マスク、空間光変調器などで、以降ではレチクルを使用する）２１４を含む。レチクル２１４は、自身上に露光パターンがある板でよいことに留意されたい。代替例では、レチクルを、マスクなしリソグラフィで使用するようなプログラマブル要素のアレイまたは空間光変調器アレイなどの動的パターニングデバイスと交換してよい。レチクル２１４からの光は、投影光学系２１６を使用して、基板１１２に描像する。基板１１２を基板ステージ１０６に装着する（本発明は特定数の基板ステージに制限されないので、この図では、２つの基板ステージのうち一方のみを図示する）。図２には、ハウジング１０４（基板ステージ１０６および計量ステージ１１６のみを囲むか、図に示す他の構成要素を囲む）も図示される。
一例では、センサ１４０（図１参照）は偏光センサを含んでよく、これは投影光学系の経時変化する偏光（絶対的および相対的）特性の測定に特に有用である。偏光センサは、かなりの高さを有するセンサを設置する能力が特に重要になる１つのセンサである。
図３は、本発明の１つの実施形態により、図２のシステムで使用可能な例示的偏光センサを示す。偏光センサは、１／４波長板３０２、コリメータレンズ３０４、偏光器３０６、検出器３０８、および１／４波長板３０２を回転させる機構を含む。
偏光器（分析器）３０６は、投影光学系２１６の下流に配置され、光路内に位置決めされる。偏光器３０６は、入射光の特定の偏光を通過させ、次にこれを計量ステージ１１６で測定することができる。偏光器の例は、偏光板、偏光ビームスプリッタなどのような光学構成要素である。このような光学構成要素は、例えば数立方センチメートルのオーダで、相対的に容積集約的（ｖｏｌｕｍｅ−ｉｎｔｅｎｓｉｖｅ）であることが多い。さらに、このような光学構成要素は通常、角度範囲が（つまり入射角度が）非常に制限され、通常は１°未満のオーダであり、１°より非常に小さいことが多い。それと同時に、投影光学系２１６は通常、高い開口数のレンズ、またはレンズのセットであり、これは偏光ビームスプリッタのような光学構成要素の非常に小さい角度範囲には不適当である。
一例では、このような偏光器３０６を使用するために、ビームを適切に成形することが必要である。一例では、このような成形はコリメータレンズ３０４（またはレンズのセット）によって実行される。コリメータレンズ３０４は、小型化も比較的困難であり、数立方センチメートルの体積を有することが多い。さらに、往々にして１つの偏光のみではなく、ある範囲の偏光を測定することが望ましい。これを達成するために、一例では偏光センサ全体を回転する必要があり、別の例では、１／４波長板３０２をビーム路に（例えばコリメータレンズ３０４と投影光学系２１６の間に）挿入し、次に適切な偏光を選択するために回転することができる。例えば電荷結合素子（ＣＣＤ）アレイ（またはフォトダイオード）のような検出器３０８を、検出器３０８が適切な焦点にあり、Ｘ−Ｙ面にて位置合わせされるように位置決めされる（これは描像測定であり、検出器を適切に位置決めすることが重要であることに留意されたい）。
以上の説明から、１／４波長板３０２、コリメータレンズ３０４、偏光器３０６、ＣＣＤアレイ３０８、および１／４波長板３０２を回転する機構を含む偏光センサ全体が、比較的大きい体積を占有することが分かる。例えば、この体積は、数立法センチメートルのオーダであり、リソグラフィツールの設計者が使用可能な「束縛された」寸法を考えると、従来の基板ステージに装着する必要がある場合、このような偏光センサを使用することが比較的非現実的になる。しかし、計量ステージ１１６を薄くすることができるので、一例を上述した偏光センサを計量ステージ１１６に設置することができる。
図５は、本発明の１つの実施形態によるセンサ１４０内のアポディゼーションセンサ５０２を示す。アポディゼーションセンサ５０２は、ＸＹ面（像面）における光軸からの距離の関数として、露光ビームの強度を測定する。これは描像測定でもある。アポディゼーションセンサ５０２は、垂直高さの要件によってこのようなセンサを従来の基板ステージに装着することを非現実的にするセンサの別の例となる。一例では、アポディゼーションセンサ５０２は、投影光学系２１６の瞳を「覗き込む」ＣＣＤアレイ５０４を含む。通常、ＣＣＤアレイ５０４は、投影光学系２１６の瞳と光学的に結合する必要がある。これにより、電荷結合素子５０４と投影光学系２１６の間でリレーレンズ５０６を使用することが必要になる。一例では、リレーレンズ５０４は、数ミリメートル、さらには数センチメートルものオーダの寸法を有する。したがって、このようなアポディゼーションセンサ５０２を従来の基板ステージに装着することは、極めて困難である。
一例では、アポディゼーションセンサ５０２のＣＣＤアレイ５０４は、像面の光強度を（Ｘ，Ｙ）の関数として測定し、少なくとも像面の露光フィールドのサイズである。一例では、露光フィールドはサイズが数十ミリメートル掛ける数ミリメートルで、約２６ミリメートル掛ける１０ミリメートルのオーダのサイズである（しかし、多くの最新技術のリソグラフィツールの露光フィールドは、通常、時間とともにサイズが増加している）。したがって、ＣＣＤアレイ５０４は、サイズが露光フィールドと少なくとも同じ大きさであるか、これより多少大きい。
一例では、アポディゼーションセンサ５０２を使用して、システムの開口数を検証することができる。このような測定は、システムが仕様書通りに作動する、つまり「広告通り」に働くか確認するために、最終使用者にとって望ましい。開口数の測定は、これよりはるかに頻繁に実行する必要がある多くの他の測定と比較して、１回だけの（または、せいぜい比較的稀な）測定であることに留意されたい。
図４は、計量ステージ上のセンサの例示的配置構成を（上面図および側面図で）示す。この場合は、グリッドパターンの構成要素に９個のセンサ１４０Ａ〜１４０Ｉが図示されている。以上または以下で検討するセンサのいずれかが、この９個のセンサ１４０Ａ〜１４０Ｉのうち１つでよく、記載されたような配置構成および構造を有するが、これは便宜上図示していない。
一例では、センサ１４０Ａ〜１４０Ｉは、リソグラフィ光学系でスリットを使用する場合に、スリットの均一性を測定するセンサを含んでよい。これは、照明ソースの品質の尺度である。典型的な最高級のリソグラフィシステムは、上述したようにリソグラフィシステムの製造業者に応じて数十ミリメートル掛ける数ミリメートルのサイズ、例えば約２６ミリメートル掛ける１０ミリメートルの基板上の区域を露光する。命名のために（ｆｏｒ ｎｏｍｅｎｃｌａｔｕｒｅ ｐｕｒｐｏｓｅｓ）、２６ミリメートルの寸法（ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）を通常は「Ｘ」とし、１０ミリメートルの寸法を通常は「Ｙ」とする。光学システムは、完璧な「長方形」を描像でき、長方形全体で均一な強度分布を有することが理想的である。スリット均一性センサは、描像される「均一な長方形」が実際に均一であるか、そして均一でない場合は、均一性からいかに逸脱しているかを測定するように設計される。これは、例えばＹ方向で走査する積分精密フォトダイオード（ｉｎｔｅｇｒａｔｉｎｇ ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）を使用して遂行することができる。このフォトダイオードは、フォトダイオードに到達する光の量を制限するために、その「頂部」にピンホールまたはスリットを有してよい。
電荷結合素子は通常、この目的で使用できないことにも留意されたい。大部分のＣＣＤは時間とともにドリフトするからである。スリット均一性測定の主な関心は、（Ｘ、Ｙ距離の関数としての相対的強度に加えて）強度の絶対値である。というのは、フォトダイオードからの電圧をフォトレジストが受け取る光の量に正確に関連させることが重要だからである。精密フォトダイオードを使用すると、信号対雑音比の向上が感応であることも留意されたい。フォトダイオードは、フォトダイオードを移動させるか、スリットを使用して積分することによって、Ｙ方向で受け取った光の積分を提供する。
一例では、センサ１４０Ａ〜１４０Ｉは、波面の像の品質、さらに全ての収差を測定する波面センサを含む。このような波面センサの例は、波面の品質を測定するＩＬＩＡＳセンサ（インラインレンズ干渉計システム）である。ＩＬＩＡＳセンサは従来から使用されてきたが、従来のシステムにおけるこのようなセンサの一つの問題は、リレーレンズ、またはコリメータレンズのための空間がないので、ファーフィールド（ｆａｒ ｆｉｅｌｄ）を測定する必要があることである。上記で検討したように、ＩＬＩＡＳセンサは、ＩＬＩＡＳセンサの性能を、したがって波面および収差の品質測定の性能を大きく改良するために、このようなリレーおよび／またはコリメータレンズを含むことができる。
一例では、センサ１４０Ａ〜１４０Ｉは像のコントラストを測定するセンサを含む。コントラストセンサは、像面で（最高強度−最低強度）を（最高強度＋最低強度）で除した量を測定する。コントラストセンサを実現する一つの方法は、レチクル上にスリットを設け、特定のピッチを有するようにスリットを配置構成することである。像面で、ピッチごとに１つの光検出器または１つの単独の光検出器を使用することができる。完璧なコントラストがある場合、（オブジェクト面の）レチクルのスリットは、像面に「光の線」を、光の線の外側には完全に暗い区域を形成する。実際には、これは達成不可能であり、常に「暗い区域」でも測定される信号が多少ある。したがって、コントラストセンサは、明るい区域と暗い区域との間の相対的強度を測定する。
図６および図７は、本発明の一つの実施形態によるセンサ１４０Ａ〜１４０Ｉの迷光センサ６０２を示す。図７は、本発明の一つの実施形態によるセンサ６０２の板部分７０６の代替実施形態を示す。センサ６０２は、迷光（光学系の汚染に起因するものもある）を測定可能である。迷光センサ６０２は基本的に、光軸からの半径方向距離の関数として像面における強度を測定する。一例では、これはオブジェクト面に点光源を精製することによって実行される。つまり、レチクルが露光用マスクとしてではなく、点光源として機能する。迷光センサ６０２は、透過性ガラス板６０６も含んでよく、クロム６０８（または他の金属）が点光源からの光を遮断する。ガラス板６０６は像面にて位置決めされる。検出器６０４を、例えば光検出器またはＣＣＤアレイとして、ガラス板の下にて位置決めする。検出器は積分フォトダイオードでもよい。
図７で示す例では、点光源からの光を遮断するクロム７０８を有する中心部分に加えて、リング形の環７１０も開いたままであり、ガラス板７０６の残りの部分もクロムまたは金属７０８で覆われる。したがって、センサ６０２は、光軸から距離ｒで受け取った光の量（つまりＩ（ｒ））を測定し、これは点光源が遮断された状態で迷光を表す。様々な半径の環を有する様々なガラス板を使用して、様々な距離ｒを「段階的に進む（ｓｔｅｐ ｔｈｒｏｕｇｈ）」ことができる。オブジェクト面におけるソース、検出器および遮断要素（ガラス板など）の他の配置構成も可能であることが理解される。
一例では、センサ１４０Ａ〜１４０Ｉは、垂直方向で焦点（像）面の位置を感知する焦点センサを含む。焦点センサは通常、最初に焦点の予想位置に配置し、光の強度を測定するフォトダイオードである。次に、フォトダイオードが３自由度（Ｘ、ＹおよびＺ）で移動して、最大値を求め、これを焦点の位置と見なす。
一例では、センサ１４０Ａ〜１４０Ｉは、レチクルの位置合わせを測定し、焦点センサと同様の方法で機能する（位置合わせのポイントで最大強度を求める）センサを含む。
本発明の様々な実施形態について以上で説明してきたが、これは例示でのみ提示したものであり、制限するものではないことを理解されたい。本発明の精神および範囲から逸脱することなく、形態および細部を様々に変更できることが当業者には明白である。したがって、本発明の幅および範囲は、上述した例示的実施形態のいずれにも制限されず、請求の範囲およびその同等物に従ってのみ画定される。
課題を解決するための手段および要約のセクションではなく、発明を実施するための最良の形態のセクションが、請求の範囲を解釈するために使用するよう意図されていることが理解される。課題を解決するための手段および要約のセクションは、本発明の発明者が予想するような本発明の１つまたは複数ではあるが、全部ではない例示的実施形態を示し、いかなる意味でも本発明および請求の範囲を制限するものではない。

Claims (16)

  1. システムであって、
    リソグラフィシステムの露光部分からの露光ビームを受け取るために、基板を位置決めするように構成された基板ステージと、
    露光システムまたは露光ビームのパラメータを検出するように構成され、自身上にセンサシステムを有する計量ステージと、を有し、
    センサシステムが、迷光センサ、スリット均一性センサ、相対偏光センサ、アポディゼーションセンサ、絶対偏光センサ、像品質センサ、または波面収差センサを有するものである、
    システム。
  2. 偏光センサが、１／４波長板と、コリメータレンズと、偏光器と、電荷結合素子アレイと、を有する、
    請求項１に記載の装置。
  3. アポディゼーションセンサが、露光光学系の下のリレーレンズと、露光光学系の瞳と光学的に結合する電荷結合素子アレイと、を有する、
    請求項１に記載の装置。
  4. 迷光センサが、自身上に吸収性コーティングを有する板を有し、コーティングが環状の透過性領域を形成し、さらに、環状透過性領域を通過する光を感知する光検出器を有する、
    請求項１に記載の装置。
  5. さらに、リソグラフィシステムの露光部分から露光ビームを受け取るために、第二の基板を位置決めするように構成された第二の基板ステージを有する、
    請求項１に記載の装置。
  6. 計量ステージが基板の直径より小さい、
    請求項１に記載の装置。
  7. リソグラフィシステムであって、
    放射線のビームを生成する照明システムと、
    ビームにパターンを形成するパターニングデバイスと、
    パターン形成したビームを基板上に投影する投影システムと、
    パターン形成したビームを受け取るために、基板を位置決めするように構成された基板ステージと、
    投影システムまたはパターン形成したビームのパラメータを検出するように構成され、自身上にセンサシステムを有する計量ステージと、を有し、
    センサシステムが、迷光センサ、スリット均一性センサ、相対偏光センサ、アポディゼーションセンサ、絶対偏光センサ、像品質センサ、または波面収差センサを有するものである、
    システム。
  8. さらに、パターン形成したビームを受け取るために第二の基板を位置決めするように構成される第二の基板ステージを有する、
    請求項７に記載のシステム。
  9. 計量ステージが基板の直径より小さい、
    請求項７に記載のシステム。
  10. 偏光センサが、１／４波長板と、コリメータレンズと、偏光器と、電荷結合素子アレイと、を有する、
    請求項７に記載のシステム。
  11. アポディゼーションセンサが、投影光学系の下に配置されたリレーレンズと、投影光学系の瞳と光学的に結合する電荷結合素子と、を有する、
    請求項７に記載のシステム。
  12. 迷光センサが、自身上に吸収性コーティングを有する板を有し、コーティングが環状の透過性領域を形成し、さらに、環状透過性領域を通過する光を感知する光検出器を有する、
    請求項７に記載のシステム。
  13. リソグラフィシステムの露光部分の光学パラメータを測定する方法であって、
    露光部分の光軸から基板ステージを離すことと、
    センサを光軸に配置するために、計量ステージを移動することと、
    露光システムからの光の光学パラメータを測定することと、を含み、
    光学パラメータが、迷光、アポディゼーション、スリット均一性、相対偏光、絶対偏光センサ、像品質、または波面収差を有するものである、
    方法。
  14. 偏光の測定が、１／４波長板、コリメータレンズ、および偏光器を通して、露光システムからの光を電荷結合素子アレイへと透過することを含む、
    請求項１３に記載の方法。
  15. アポディゼーションの測定が、リレーレンズを通して露光システムからの光を、投影光学系の瞳に光学的に結合する電荷結合素子へと透過することを含む、
    請求項１３に記載の方法。
  16. 迷光の測定が、環状透過性領域を形成する吸収性コーティングを自身上に有する板を通して、露光システムからの光を環状透過領域を通過する光を感知するための光検出器へと透過することを含む、
    請求項１３に記載の方法。
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