TWI478272B - A positioning device, a bonding device, a laminated substrate manufacturing device, an exposure device, and a positioning method - Google Patents

A positioning device, a bonding device, a laminated substrate manufacturing device, an exposure device, and a positioning method Download PDF

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Description

定位裝置、貼合裝置、層積基板製造裝置、曝光裝置及定位方法
本發明係關於一種定位裝置、貼合裝置、層積基板製造裝置、曝光裝置及定位方法。另外，本專利申請案與下述之日本專利申請案相關連。
同意配合納入參照文獻之指定國家，依參照記載於下述專利申請案之內容，納入本專利申請案，作為本專利申請案之一部分(主張以下日本優先權)。日本特願2007－211672申請日期2007年8月15日
專利文獻1中記載之重疊各元件而製造層積元件者。專利文獻2中記載之藉由層積形成了複數晶片之晶圓，使層積型半導體器件之生產性提高者。製造層積型半導體器件時，層積之元件相互以次微米級定位後貼合。
以次微米級定位基板等情況下，係以次微米級之精度檢測形成於基板之對準標記的位置。進一步須使基板移動，而使檢測之對準標記的位置與指定之目標位置一致來定位。
[專利文獻1]日本特開2005－026278號公報[專利文獻2]日本特開2007－103225號公報
但是，使用高精度之位置檢測裝置時，在對準標記之當初位置從目標位置離開情況下，作定位時耗費許多 時間。因而層積型半導體器件製造之生產量亦降低。
因此，為了解決上述問題，本發明之第一種形態係提供一種定位裝置，其係對準具有對準標記之基板，且具備：第一對準部，其係將基板對準於第一基準位置；第二對準部，其係在保持基板之前，將基板保持構件對準於第二基準位置；及位置檢測部，其係在將基板保持於基板保持部後，檢測基板之對準標記的位置。
此外，本發明之第二種形態係提供一種貼合裝置，其具備上述定位裝置，並將各個具有對準標記之一對基板，藉由定位裝置相互定位於相同位置後相互貼合。
再者，本發明之第三種形態係提供一種層積基板製造裝置，其具備：上述定位裝置；貼合部，其係將各個具有對準標記之一對基板，藉由定位裝置相互定位於相同位置後相互貼合；及加壓部，其係將該貼合後之一對基板加壓，而恆久地接合一對基板。
另外，本發明之第四種形態係提供一種曝光裝置，其具備上述定位裝置，且藉由定位裝置來定位具有對準標記之圖案形成基板及具有對準標記之被曝光基板的至少一方。
另外，本發明之第五種形態係提供一種對準方法，係對準具有對準標記之基板，且具備：第一對準階段，其係將基板對準於第一基準位置；第二對準階段，其係在保持基板之前，將基板保持構件對準於第二基準位置；及位置檢測階段，其係在將基板保持於基板保持部後，檢測基板之對準標記的位置。
第一圖係層積基板製造裝置100之全體立體圖。此外，第二圖係層積基板製造裝置100之上面概略圖。
層積基板製造裝置100具備：晶圓暫存盒10(10－1、10－2)、晶圓預對準裝置20、晶圓保持器暫存盒30、晶圓保持器預對準裝置40、對準器50、加壓裝置70、分離冷卻單元80、層積基板用暫存盒85、主控制裝置90、晶圓載入器WL及晶圓保持器載入器WHL。以下對於各元件個別說明。
晶圓暫存盒10朝向層積基板製造裝置100之外部，可裝卸地裝設。晶圓暫存盒10包含：收容貼合對象之一方基板的第一半導體晶圓W的晶圓暫存盒10－1，及收容貼合對象之另一方基板的第二半導體晶圓W的晶圓暫存盒10－2。分別在晶圓暫存盒10－1、10－2中裝填複數晶圓，層積基板製造裝置100可連續執行層積基板之製造。
晶圓預對準裝置20配置於晶圓暫存盒10之附近。晶圓預對準裝置20執行各個晶圓W之簡易對準位置。晶圓預對準裝置20之詳細構造與作用，參照第四a圖、第四b圖、第五a圖、第五b圖、第六a圖、第六b圖及第六c圖而說明於後。
晶圓保持器暫存盒30配置於層積基板製造裝置100之內部，而收容複數晶圓保持器WH。晶圓保持器WH吸附晶圓W來支撐。此外，晶圓保持器WH在層積基板製造裝置100之內部隨意驅使。
另外，在該層積基板製造裝置100中，晶圓保持器WH均可對第一半導體晶圓W或第二半導體晶圓W使 用。因此，收容於晶圓保持器暫存盒30之複數晶圓保持器WH全部具有相同規格。但是，有時會分開使用數種晶圓保持器WH。
晶圓保持器預對準裝置40配置於晶圓保持器暫存盒30之附近。晶圓保持器預對準裝置40執行對準晶圓保持器WH之預對準。就晶圓保持器預對準裝置40之構造及作用，參照第七a圖、第七b圖、第八圖及第九圖說明於後。
對準器50對晶圓暫存盒10配置於層積基板製造裝置100之內側。對準器50將分別保持於晶圓保持器WH之第一半導體晶圓及第二半導體晶圓相互高精度地定位後，貼合兩者。在此所謂高精度，相當於形成於半導體晶圓W之元件的線寬，亦有時為次微米級。
此外，在此所謂定位，係指貼合一對半導體晶圓W時，以形成於一方半導體晶圓W之元件的連接端子，對另一方半導體晶圓W的連接端子可獲得有效之電性連接的方式，而使兩者之位置一致。就對準器50之構造及作用，參照第十圖及第十一圖說明於後。
加壓裝置70配置於對準器50之附近。加壓裝置70係將被對準器50貼合之半導體晶圓W加壓後，恆久地貼合者。因而，亦有時係將貼合之半導體晶圓W加熱的同時加壓。就加壓裝置70之構造及作用，參照第十二圖說明於後。
分離冷卻單元80鄰接於加壓裝置70而配置。分離冷卻單元80從貼合之半導體晶圓W拆下晶圓保持器WH，並且冷卻貼合之半導體晶圓W及晶圓保持器WH。冷卻後之半導體晶圓W作為層積基板而收容於層 積基板用暫存盒85。冷卻後之晶圓保持器WH返回晶圓保持器暫存盒30。
層積基板用暫存盒85朝向層積基板製造裝置100之外部可裝卸地裝設。因此，藉由從層積基板製造裝置100拆下層積基板用暫存盒85，可一起收納蓄積之層積基板。
晶圓載入器WL，係多關節機器人，且具有可變位六個自由度方向(X,Y,Z,θx,θy,θz)的手臂。此外，晶圓載入器WL沿著軌道RA而在圖中藉由箭頭Y指示之方向大幅移動。
晶圓載入器WL可搭載半導體晶圓W或是貼合而成為層積基板之半導體晶圓並移動。不過，無法輸送大量超出半導體晶圓W或層積基板質量的晶圓保持器WH。因此，晶圓載入器WL主要在晶圓暫存盒10及晶圓預對準裝置20之間輸送半導體晶圓W。
晶圓保持器載入器WHL亦係多關節機器人，且具有變位於六個自由度方向(X,Y,Z,θx,θy,θz)的手臂。此外，晶圓保持器載入器WHL沿著軌道RB，而在圖中藉由箭頭X指示之方向大幅移動。
晶圓保持器載入器WHL可承受晶圓保持器WH之輸送負荷，並且亦可輸送半導體晶圓W。因此，係在從晶圓保持器暫存盒30至晶圓保持器預對準裝置40之間，或是從分離冷卻單元80至晶圓保持器暫存盒30之間輸送晶圓保持器WH。此外，在從晶圓保持器預對準裝置40至對準器50之間、從對準器50至加壓裝置70之間、或是從加壓裝置70至分離冷卻單元80之間，係一併輸送晶圓保持器WH及半導體晶圓W。再者，就從 分離冷卻單元80至層積基板用暫存盒85之至少一部分區間，亦有時輸送層積晶圓。
主控制裝置90控制上述之層積基板製造裝置100的全體動作。亦即，主控制裝置90與晶圓載入器WL、晶圓保持器載入器WHL、晶圓預對準裝置20及晶圓保持器預對準裝置40等之各別控制裝置實施信號收發，而統籌控制層積基板製造裝置100全體。此外，亦受理電源之接通、斷開等來自外部的操作。
第三圖係顯示使用上述層積基板製造裝置100之晶圓貼合方法的執行程序之流程圖。如圖示，首先，藉由晶圓載入器WL從晶圓暫存盒10取出半導體晶圓W(步驟S101)。繼續，藉由晶圓載入器WL將半導體晶圓W裝填於晶圓預對準裝置20，並預對準半導體晶圓W(步驟S102)。
此外，藉由晶圓保持器載入器WHL從晶圓保持器暫存盒30取出晶圓保持器WH(步驟S103)。繼續，藉由晶圓保持器載入器WHL將晶圓保持器WH裝填於晶圓保持器預對準裝置40，並預對準晶圓保持器WH(步驟S104)。另外，步驟S101、102及步驟S103、104亦可相互並行執行，亦可依序執行。
其次，藉由晶圓載入器WL將預對準後之半導體晶圓W搭載於預對準後之晶圓保持器WH(步驟S105)。藉此，搭載於晶圓保持器WH之半導體晶圓W在各預對準之精度範圍內對準的狀態下保持於晶圓保持器WH。此等一連串之步驟S101~步驟S105，就第一半導體晶圓W及第二半導體晶圓W分別執行。
繼續，保持於晶圓保持器WH之第一半導體晶圓W 及第二半導體晶圓W藉由晶圓保持器載入器WHL依序裝填於對準器50(步驟S106)。對準器50中如以第二半導體晶圓W之對準標記對第一半導體晶圓W之對準標記直接或間接精密地一致之方式，而定位任何一個半導體晶圓W(步驟S107)。在此所謂「間接地」，係指如監視第一半導體晶圓W之基準標記與第二半導體晶圓W之對準標記來定位兩者，此作業參照第十一圖而說明於後。然後，相互定位後之第一半導體晶圓W及第二半導體晶圓W在對準器50中彼此密合而貼合(步驟S108)。
貼合後之半導體晶圓W在藉由晶圓保持器WH夾著的狀態下，藉由晶圓保持器載入器WHL搬入加壓裝置70(步驟S109)。而後，恆久地接合半導體晶圓W時，藉由晶圓保持器載入器WHL搬出半導體晶圓W及晶圓保持器WH，而輸送至分離冷卻單元80。在分離冷卻單元80中，接合而成為層積基板之半導體晶圓W從晶圓保持器WH取出(步驟S110)。
從晶圓保持器WH取出之層積基板，藉由晶圓載入器WL回收至層積基板用暫存盒85(步驟S111)。此外，從層積基板分離之晶圓保持器WH藉由晶圓保持器載入器WHL而返回晶圓保持器暫存盒30(步驟S112)。
如此，在半導體晶圓W搭載於晶圓保持器WH之前，藉由分別個別地預對準半導體晶圓W及晶圓保持器WH，可將搭載於晶圓保持器WH之半導體晶圓W的位置偏差抑制在一定之範圍。藉此，可縮短高精度之主要對準的作業時間，而提高層積基板製造等的生產量。
第四a圖係晶圓預對準裝置20之俯視圖。此外，第 四b圖係晶圓預對準裝置20之側視圖。
晶圓預對準裝置20具有：第一XYθ載台25、真空吸盤23、第一雷射光波干擾儀測長器(以下記載成第一干擾儀)22、晶圓用對準相機CA1及晶圓預對準控制裝置21。如圖中之箭頭ARR所示，第一XYθ載台25被伺服控制，而在X方向、Y方向及θ方向移動及旋轉。
真空吸盤23藉由未顯示於圖之真空泵而吸附半導體晶圓W，或是使其脫離。另外，第一XYθ載台25具有未顯示於圖之昇降銷，且具有與晶圓載入器WL交接時，拿起半導體晶圓W之功能。真空吸盤23吸附半導體晶圓W時，半導體晶圓W與第一XYθ載台25一起移動或旋轉。
在裝填於晶圓預對準裝置20之半導體晶圓W中，數十個(Shot)~數百個(Shot)程度地形成有半導體晶片區域CH。此外，在其周圍之一部分具有顯示半導體晶圓W之結晶方向性的凹槽NC。再者，半導體晶圓W具有在光微影工程中使用的複數對準標記AM。對準標記AM形成十字形狀或圓形狀。
晶圓用對準相機CA1之倍率從約等倍至十倍程度，依需要亦可具備自動聚焦機構。第一XYθ載台25以晶圓用對準相機CA1可觀察對準標記AM之方式，亦即以固定晶圓用對準相機CA1，而對準標記AM來到其正下方之方式，而移動於X及Y方向。藉此，將晶圓用對準相機CA1本身之位置作為基準，而對準半導體晶圓W。另外，本實施形態係使用在光微影工程中使用之對準標記AM，來進行半導體晶圓W之預對準，不過亦可使用另外之標記。
第一干擾儀22隨時監視第一XYθ載台25之位置。藉由第一干擾儀22檢測出之第一XYθ載台25的位置傳送至晶圓預對準控制裝置21。晶圓用對準相機CA1觀察之對準標記AM的位置信號亦傳送至晶圓預對準控制裝置21。
晶圓預對準控制裝置21依據此等第一XYθ載台25之位置及對準標記AM之位置，計算半導體晶圓W從特定位置在X方向、Y方向及θ方向有多少偏差量，而以消除其偏差之方式使第一XYθ載台25移動及旋轉。藉此，預對準後之半導體晶圓W在從設計基準值之一定範圍，如在30μm程度以下之範圍對準。
對準後之半導體晶圓W解除真空吸盤23之真空吸附，並藉由昇降銷而上昇。晶圓載入器WL保持該對準後之半導體晶圓W，將其輸送而搭載於晶圓保持器WH。
另外，晶圓預對準控制裝置21亦可使晶圓用對準相機CA1觀察2個以上，如10個程度之對準標記AM。藉此，在設計上之對準標記AM與藉由晶圓用對準相機CA1觀察之半導體晶圓W上的實際對準標記AM的關係中，以其對準誤差就任何半導體晶片區域CH均平均地縮小的方式，使用最小平方法，修正設計上之半導體晶片區域CH排列，可求出實際半導體晶片區域CH之位置。此種方法之詳細內容揭示於日本特開昭62－44429號公報。
此時，晶圓預對準裝置20進一步具有固定於預定之位置的第一定位桿27。以下，參照第五a圖及第五b圖，就晶圓載入器WL從晶圓預對準裝置20搬出半導體晶圓W時的動作作說明。
第五a圖係顯示第一定位桿27及晶圓載入器WL之作用的俯視圖。此外，第五b圖係顯示第一定位桿27及晶圓載入器WL之作用的側視圖。
晶圓載入器WL具有叉部FO及手柄WHA。再者，手柄WHA中具有定位叉部FO及手柄WHA之定位手臂部AA。定位手臂部AA具有與第一定位桿27之直徑一致的凹部AA1，且配置成不與放置於叉部FO之半導體晶圓W干擾。此外，定位手臂部AA具有朝向凹部AA1而誘導第一定位桿27之錐形部AA2。
為了收取預對準後之半導體晶圓W，而手柄WHA接近晶圓預對準裝置20時，藉由使定位手臂部AA抵接於第一定位桿27，可使手柄WHA停止於一定的位置。由於手柄WHA從補償了半導體晶圓W之位置偏差的第一XYθ載台25收取半導體晶圓W，因此在保持了對準後之半導體晶圓W的狀態下，收取半導體晶圓W而輸送。第一定位桿27進入手柄WHA時，手柄WHA移動於XY方向，不過，由於其移動量小，因此以多關節機器人之關節部分吸收其移動量。
第六a圖係顯示其他晶圓預對準裝置20之構造的俯視圖。此外，第六b圖係顯示與第六a圖相同之晶圓預對準裝置20的構造之側視圖。
該晶圓預對準裝置20具備：在垂直之軸的周圍旋轉之θ載台29；及在θ載台29之徑方向，與θ載台29之旋轉軸正交而配置的線感測器SS。晶圓載入器WL在θ載台29上放置半導體晶圓W時，線感測器SS移動至半導體晶圓W之周緣部，以線感測器SS觀察半導體晶圓W之周緣部。另外，θ載台29亦具備晶圓用昇降銷 及真空吸盤等，在此省略圖式。
第六c圖係說明第六a圖及第六b圖所示之晶圓預對準裝置20的動作之波形圖。由於保持半導體晶圓W之θ載台29旋轉時，半導體晶圓W之緣部的徑方向位置連續地變化，因此線感測器SS輸出第六c圖之上段所示的波形信號。
另外，晶圓預對準控制裝置21進行上述信號之一階微分，而獲得第六c圖之下段所示的信號。此時，一階微分信號係水平地直線狀時，判明係半導體晶圓W之中心與θ載台29之旋轉軸一致的狀態。此外，由於藉由一階微分而檢測第一半導體晶圓W之凹槽NC的位置，因此，藉由來自檢測出凹槽NC之位置的θ載台29之旋轉量，判斷第一半導體晶圓W之方向。
藉由此處理，將θ載台29之旋轉軸作為基準，判斷半導體晶圓W被保持的位置。因此，將半導體晶圓W搭載於晶圓保持器WH時，為了消除半導體晶圓W之位置偏差，藉由使晶圓保持器WH變位，可在對準於晶圓保持器WH之狀態下搭載半導體晶圓W。
第七a圖係晶圓保持器預對準裝置40之俯視圖。此外，第七b圖係與第七a圖相同之晶圓保持器預對準裝置40的側視圖。
晶圓保持器預對準裝置40具有：第二XYθ載台45、真空吸盤43、第二雷射光波干擾儀測長器(以下記載成第二干擾儀)42、晶圓保持器用對準相機CA2及晶圓保持器預對準控制裝置41。如圖中藉由箭頭ARR所示，第二XYθ載台45被伺服控制，而在X方向、Y方向及θ方向移動及旋轉。
真空吸盤43藉由未顯示於圖之真空泵吸附半導體晶圓W，或是使其脫離。另外，第二XYθ載台45具有未顯示於圖之昇降銷，且具有與晶圓保持器載入器WHL交接時拿起半導體晶圓W之功能。再者，第二XYθ載台45之具有經由形成於晶圓保持器WH之3個孔部而交接半導體晶圓W用的晶圓用昇降銷46之真空吸盤43吸附晶圓保持器WH時，晶圓保持器WH與第二XYθ載台45一起移動或旋轉。
裝填於晶圓保持器預對準裝置40之晶圓保持器WH，如藉由絕緣體之氧化鋁陶瓷形成圓盤狀，表面研磨成平滑。此外，在周緣部之一部分具有缺口部NT。
此外，在晶圓保持器WH之內部埋設於靜電吸附半導體晶圓W時施加電壓的施加電極EL。第二XYθ載台45設置發生施加於施加電極EL之直流電壓的直流電源DC。在施加電極EL中施加電壓時，晶圓保持器WH靜電吸附保持半導體晶圓W。
再者，晶圓保持器WH在其周緣部附近具有基準標記FM。基準標記FM對晶圓保持器WH之中心對稱地設置一對，且形成於透明石英玻璃上作為十字形狀或圓形狀的標記。在設置了晶圓保持器WH之基準標記FM的區域，形成貫穿晶圓保持器WH之開口部，可從晶圓保持器WH之表面及背面觀察基準標記FM。
固定於指定之位置的晶圓保持器用對準相機CA2，其倍率係約等倍至十倍程度，依需要亦可具備自動聚焦機構。第二XYθ載台45以晶圓保持器用對準相機CA2可觀察基準標記FM之方式，亦即以基準標記FM來到晶圓保持器用對準相機CA2之正下方的方式， 而移動於X方向及Y方向。藉此，將晶圓保持器用對準相機CA2之位置作為基準，可對準晶圓保持器WH。
第二干擾儀42隨時監視第二XYθ載台45之位置。藉由第二干擾儀42檢測之第二XYθ載台45的位置傳送至晶圓保持器預對準控制裝置41。晶圓保持器用對準相機CA2觀察之基準標記FM的位置信號亦傳送至晶圓保持器預對準控制裝置41。
晶圓保持器預對準控制裝置41依據此等第二XYθ載台45之位置及基準標記FM之位置，計算晶圓保持器WH從特定位置在X方向、Y方向及θ方向有何種程度偏差量，而以消除其偏差之方式使第二XYθ載台45移動及旋轉。藉此，預對準後之晶圓保持器WH在從設計基準值之一定範圍，如在30μm程度以下之範圍對準。
對準後之晶圓保持器WH在其位置待機至搭載半導體晶圓W。如前述之說明，由於半導體晶圓W係於晶圓預對準裝置20中在對準之狀態輸送，因此搭載於對準後之晶圓保持器WH時，半導體晶圓W及晶圓保持器WH間產生的位置偏差在一定之範圍，如收在100μm程度以下之範圍內。
此時，晶圓保持器預對準裝置40亦進一步具有固定於預定位置之第二定位桿47。藉由使輸送半導體晶圓W之晶圓載入器WL的定位手臂部AA抵接於第二定位桿，晶圓載入器WL停止於指定的位置，而將半導體晶圓W搭載於晶圓保持器WH，在此省略圖式。
第八圖係其他晶圓保持器預對準裝置40之俯視圖。該晶圓保持器預對準裝置40具有：放置晶圓保持器WH之平臺49，及從側面抵接於搭載於平臺49之晶 圓保持器WH的三支抵接銷AP。
如圖中空心箭頭所示，抵接銷AP個別地移動於平臺49之徑方向，並從側端面擠壓晶圓保持器WH。藉此，可使晶圓保持器WH在平臺49上移動於任意之方向。
此外，平臺49在垂直於圖式紙面之軸的周圍旋轉。藉此，除了合併晶圓保持器WH之中心外，亦可使一個抵接銷AP進入晶圓保持器WH之缺口部NT。如此，可藉由將至少三支抵接銷AP抵接於晶圓保持器WH而實施預對準。
又再者，亦可將上述之抵接銷AP中的一支或二支固定於預定之位置。藉此，藉由將該固定之抵接銷AP擠壓於晶圓保持器WH，將抵接銷AP之位置作為基準，可簡單地預對準晶圓保持器WH。
另外，藉由將與第八圖所示之抵接銷AP同樣之對準構件設於晶圓預對準裝置20中，使半導體晶圓W抵接於前述對準構件，可進行半導體晶圓W之預對準，在此省略圖式。
此外，與第六a圖至第六c圖所示之晶圓預對準裝置20同樣地，將平臺49作為θ載台，同時設置線感測器SS，依據晶圓保持器WH之偏芯量與旋轉量亦可檢測位置偏差，在此省略圖式。
第九圖係模式顯示又其他晶圓保持器預對準裝置之構造圖。該晶圓保持器預對準裝置包含：設於晶圓保持器暫存盒30之缺口用定位桿32、及緣部用定位桿34。缺口用定位桿32及緣部用定位桿34在晶圓保持器暫存盒30之內部，固定於預定之位置。
因此，將晶圓保持器WH收納於晶圓保持器暫存盒30時，缺口用定位桿32進入晶圓保持器WH之缺口部NT，藉由緣部用定位桿34抵接於晶圓保持器WH之緣部而擠入晶圓保持器WH，將缺口用定位桿32及緣部用定位桿34之位置作為基準，可以簡單之構造且一定之精度對準晶圓保持器WH。
另外，缺口用定位桿32及緣部用定位桿34之配置不限於晶圓保持器暫存盒30。如亦可在後述之對準器50的載台上設置缺口用定位桿32及緣部用定位桿34，來執行預對準。
上述之預對準藉由簡潔之操作得以短時間執行。因此，藉由執行預對準，層積基板製造工程全體之生產量不致降低。
第十圖係顯示放置了半導體晶圓W之晶圓保持器WH的俯視圖。如圖示，在半導體晶圓W中形成有對準標記。此外，晶圓保持器WH具備基準標記FM。
可對晶圓保持器WH之基準標記FM，將半導體晶圓W之對準標記AM定位於特定範圍內。藉此，晶圓保持器WH上之半導體晶圓W從設計基準值亦包含WL之誤差而定位於100μm以下之範圍內。
第十一圖係顯示執行相當於第三圖所示之一連串工程的步驟S107之階段，而貼合半導體晶圓之對準器50的構造模式圖。對準器50具有：第三雷射光波干擾式測長器(以下記載成第三干擾儀)52、第一平臺54、第二平臺56及高精度對準相機CA3。
第一平臺54及第二平臺56具有彼此相對之水平保持面。第一平臺54中固定保持了第一半導體晶圓W之 第一晶圓保持器WH。此外，第二平臺56中固定保持了第二半導體晶圓W之第二晶圓保持器WH。
此外，第一平臺54藉由第一驅動裝置55支撐而微動。第二平臺56支撐於第二驅動裝置53，且至少移動於Y方向。第二平臺56之移動量藉由第三干擾儀52來監視。
高精度對準相機CA3可調整成保持於第一平臺54之第一半導體晶圓W的基準標記FM位於光學系之物面，並從晶圓保持器WH之背面觀察該基準標記FM。此外，高精度對準相機CA3從此等之表面側觀察保持於第二平臺56之第二晶圓保持器WH的基準標記FM或是保持於該晶圓保持器WH之半導體晶圓W的對準標記AM。
另外，從高精度對準相機CA3至第一晶圓保持器WH的基準標記FM的距離，與至第二晶圓保持器WH之基準標記的距離相互不同。因此，觀察兩者之基準標記FM時，係使高精度對準相機CA3之位置變位，或是使光學系之焦點位置變化。
又另外，高精度對準相機CA3具有20倍程度之倍率，不過因應高倍率而視野變窄。具體而言，如具有400μm×400μm程度之視野。但是，由於半導體晶圓W及晶圓保持器WH藉由晶圓預對準裝置20及晶圓保持器預對準裝置40實施預對準，因此，基準標記FM或對準標記AM確實地進入高精度對準相機CA3之視野內。
藉由第三干擾儀52檢測出之第二平臺56的位置傳送至對準器控制裝置51。此外，高精度對準相機CA3觀察之對準標記AM及基準標記FM的位置信號亦傳送 至對準器控制裝置51。對準器控制裝置51依據此等信號傳送驅動信號至第一驅動裝置55或第二驅動裝置53。
以下說明使用對準器50之半導體晶圓W的定位工程。藉由晶圓保持器載入器WHL而搬入對準器50的第一晶圓保持器WH，首先固定於第二平臺56。對準器50使用高精度對準相機CA3及第三干擾儀52，求出第一晶圓保持器WH上之基準標記FM與保持於晶圓保持器WH之第一半導體晶圓W的位置關係。
如此，計測了基準標記FM及對準標記AM之相對的位置關係之第一晶圓保持器WH及第一半導體晶圓W，藉由晶圓保持器載入器WHL而反轉移至第一平臺54。由於已經判斷出第一晶圓保持器WH之基準標記FM及第一半導體晶圓W之對準標記的位置關係，因此藉由高精度對準相機CA3從第一晶圓保持器WH之背面檢測基準標記FM之位置時，可判斷第一半導體晶圓W之對準標記的位置。
繼續，晶圓保持器載入器WHL在空的第二平臺56中搬入保持了第二半導體晶圓W之第二晶圓保持器WH而固定。對準器控制裝置51使第二驅動裝置53動作，並藉由第三干擾儀52計測第二平臺56之位置，並且使高精度對準相機CA3觀察第二晶圓保持器WH之基準標記FM。而後，對準器控制裝置51使第二半導體晶圓W上之對準標記AM依序移動於高精度對準相機CA3之視野內，藉由第三干擾儀52計測第二平臺56之位置。藉此，決定基準標記FM或各對準標記AM之位置關係。
高精度對準相機CA3中，於視野內配置有規定與其光軸之位置關係的指標。更具體而言，具備配置於與顯 微鏡之像面共軛之位置的指標。藉此，觀察高精度對準相機CA3之視野內的影像時，可求出基準標記FM與高精度對準相機CA3之光軸的位置關係。
此外，從基準標記FM對高精度對準相機CA3之指標的位置規定基準標記FM之位置。由於已經測定了半導體晶圓W上之對準標記AM與晶圓保持器WH之基準標記FM的位置關係，因此將基準標記FM作為基準，可決定半導體晶圓W1之對準標記AM的位置。
對準器50檢測經由基準標記FM而檢測出之第一半導體晶圓W上的對準標記AM之位置與第二半導體晶圓W上之對準標記AM的位置時，調整該第一半導體晶圓W及第二半導體晶圓W的重疊位置。此時，對準器控制裝置51係以第一半導體晶圓W與第二半導體晶圓W之對準標記AM的位置誤差為最小之方式，以最小平方法進行計算，對準器控制裝置51依據該結果移動第二平臺56。
另外，係從二片晶圓W上之對準標記AM的位置關係進行最佳化處理，不過，亦可求出將重疊半導體晶圓W之位置及半導體晶圓W之姿勢預先設定於基準座標系的各半導體晶圓W之位置與姿勢。該情況下，對準標記AM之位置在二片半導體晶圓W間亦可不同。
再者，由於高精度對準相機CA3可直接觀察固定於第二平臺56上之半導體晶圓W的對準標記AM，因此關於第二晶圓保持器WH，亦可不觀察基準標記FM而執行定位。此外，此種情況下，第二晶圓保持器亦可使用無基準標記FM之晶圓保持器WH。再者，由於第二平臺56之位置藉由第三干擾儀52而精密地觀察，因此 無須觀察第二晶圓保持器WH之基準標記，即可瞭解第二半導體晶圓W之位置。
決定第一、第二半導體晶圓W之位置關係時，對準器控制裝置51藉由第二驅動裝置53使二個半導體晶圓W彼此接近。此時，對準器控制裝置51藉由第三干擾儀52測定移動之第二平臺56在XY面內的變動，反饋於第二驅動裝置53並使其接近而收在特定之偏差的範圍內。
如此，在相互定位狀態下貼合第一半導體晶圓W及第二半導體晶圓W。不過，由於該狀態係第一半導體晶圓W及第二半導體晶圓W尚未接著，因此使第一半導體晶圓W與第二半導體晶圓W夾住或接著，而保持定位之狀態。彼此夾住之第一半導體晶圓W及第二半導體晶圓W藉由晶圓保持器載入器WHL而從對準器50輸送至加壓裝置70。
另外，在晶圓預對準裝置20及晶圓保持器預對準裝置40中之半導體晶圓W及晶圓保持器WH的預對準精度，比在對準器50中最後求出之精度低。但是，由於藉由各預對準，半導體晶圓W及晶圓保持器WH係在各預對準之精度範圍內對準，因此基準標記FM或對準標記AM出現於高精度對準相機CA3之狹窄視野內的概率高。
此外，由於在個別地預對準半導體晶圓W及晶圓保持器WH後，將半導體晶圓W搭載於晶圓保持器WH，因此，防止檢測第一平臺54中之基準標記FM及對準標記AM時花費許多時間。因此，可提高層積基板製造之生產量。
再者，由於在個別地預對準半導體晶圓W及晶圓保持器WH後，將半導體晶圓W搭載於晶圓保持器WH，因此，如前述，可將半導體晶圓W之對準標記AM與晶圓保持器WH之基準標記FM的相對位置偏差之大小收在特定之範圍內。
半導體晶圓W之對準標記AM與晶圓保持器WH之基準標記FM的位置偏差之大小，如超出對準器50之第三干擾儀52可測定的範圍時，為了以對準器50使兩半導體晶圓W定位而移動，需要使第二平臺56超過第三干擾儀52之可測定範圍而移動。因而，無法以第三干擾儀52測定第二平臺56之移動量。
此外，各半導體晶圓W之對準標記AM對分別對應之各基準標記FM在同一方向大致以同一個量偏差時，為了貼合而使兩半導體晶圓W相對之狀態下，對準標記AM間之偏差量大致為二倍。因而，對準標記AM對基準標記FM之偏差量如上述地大的情況下，為了定位兩半導體晶圓W之對準標記AM，需要使第二平臺56大幅移動。因此，對準器50之作業繁雜，而導致生產量降低。
而本發明如前述，由於可將位置偏差之大小收在特定範圍內，因此藉由將前述特定之範圍設定於第二平臺56之移動量不超出第三干擾儀52可測定之範圍的範圍內，可防止第三干擾儀52無法測定。此外，可防止因對準標記AM對基準標記FM大幅偏差而導致生產量降低。
此外，由於防止在第一平臺54中之基準標記FM及對準標記AM的檢測不順利地結束，因此，層積基板對 作為材料之半導體晶圓W的良率亦提高。再者，高精度對準相機CA3避免使用視野寬之大型顯微鏡。
第十二圖係模式顯示加壓裝置70之構造圖。加壓裝置70具有：一對擠壓構件72，與設於各個擠壓構件72之加熱部74。
擠壓構件72藉由使彼此相對之擠壓面接近，而加壓夾在其中之半導體晶圓W及晶圓保持器WH。加熱部74如將藉由電熱線所發生之熱，經由與晶圓保持器WH接觸之擠壓構件72傳導，而將半導體晶圓W加熱。藉此，使貼合之一對半導體晶圓W恆久地接著，可形成多層基板。
另外，加壓裝置70亦有時不實施加熱，而藉由加壓圓筒以特定時間施加特定之壓力，而接合半導體晶圓W上之電極的銅等各個金屬凸塊。此外，亦有時在半導體晶圓W之間注入樹脂而接著。如日本特開2002－64266號公報係使用電漿、離子束、原子束、游離光束(Radical beam)或雷射，不將半導體晶圓W加熱而結合各金屬凸塊。
另外，上述之態樣係個別地設置晶圓預對準裝置20及晶圓保持器預對準裝置40，不過，如在對準器50之第二平臺56中亦可執行晶圓保持器之預對準。此外，同樣地，第二平臺56中，亦可在晶圓保持器WH上搭載半導體晶圓W。
再者，如參照第九圖之說明，亦可在晶圓保持器暫存盒30中執行晶圓保持器WH之預對準。藉由此種態樣，可縮小層積基板製造裝置100之設置面積。
此外，上述態樣係顯示對準器50具備可觀察固定 於第二平臺56上之半導體晶圓W的對準標記AM之高精度對準相機CA3的例子，不過，亦可代之以分別具備用於觀察第一平臺54上之半導體晶圓W的對準相機及用於觀察第二平臺56上之半導體晶圓W的對準相機之對準器適用於本發明。此時，由於可藉由前述各對準相機直接觀察各半導體晶圓W之對準標記AM，因此在藉由對準器50實施定位時，不將基準標記FM作為基準，而可將對準標記AM作為基準，進行兩半導體晶圓W之定位。因此，此時可不需要第一晶圓保持器WH及第二晶圓保持器WH之基準標記FM。第一晶圓保持器WH及第二晶圓保持器WH中不設置基準標記FM時，可使用如第九圖所示之晶圓保持器預對準裝置，來進行第一晶圓保持器WH及第二晶圓保持器WH之預對準。
此外，上述之說明係例示層積基板製造裝置100，本發明之定位方法對於半導體裝置之製造過程中，用於光微影之曝光裝置中的被曝光基板及標線片等之圖案形成基板的定位上亦是有效的。
AA‧‧‧定位手臂部
AM‧‧‧對準標記
FM‧‧‧基準標記
CA1‧‧‧晶圓用對準相機
CA2‧‧‧晶圓保持器用對準相機
CA3‧‧‧高精度對準相機
FO‧‧‧叉部
NC‧‧‧凹槽
NT‧‧‧缺口部
RA、RB‧‧‧導軌
W‧‧‧半導體晶圓
WH‧‧‧晶圓保持器
WL‧‧‧晶圓載入器
WHL‧‧‧晶圓保持器載入器
WHA‧‧‧手柄
10‧‧‧晶圓暫存盒
20‧‧‧晶圓預對準裝置
21‧‧‧晶圓預對準控制裝置
22‧‧‧第一干擾儀
23‧‧‧真空吸盤
25‧‧‧第一XYθ 載台
27‧‧‧第一定位桿
29‧‧‧θ 載台
30‧‧‧晶圓保持器暫存盒
32‧‧‧缺口用定位桿
34‧‧‧緣部用定位桿
40‧‧‧晶圓保持器預對準裝置
41‧‧‧晶圓保持器預對準控制裝置
42‧‧‧第二干擾儀
43‧‧‧真空吸盤
45‧‧‧第二XYθ 載台
46‧‧‧晶圓用昇降銷
47‧‧‧第二定位桿
49‧‧‧平臺
50‧‧‧對準器
51‧‧‧對準器控制裝置
52‧‧‧第三干擾儀
53‧‧‧第二驅動裝置
54‧‧‧第一平臺
55‧‧‧第一驅動裝置
56‧‧‧第二平臺
70‧‧‧加壓裝置
72‧‧‧擠壓構件
74‧‧‧加熱部
80‧‧‧分離冷卻單元
85‧‧‧層積基板用暫存盒
90‧‧‧主控制裝置
100‧‧‧層積基板製造裝置
第一圖係層積基板製造裝置100之全體立體圖。
第二圖係層積基板製造裝置100之上面概略圖。
第三圖係顯示晶圓貼合方法之執行程序的流程圖。
第四a圖係晶圓預對準裝置20之俯視圖。
第四b圖係晶圓預對準裝置20之側視圖。
第五a圖係其他晶圓預對準裝置20之俯視圖。
第五b圖係其他晶圓預對準裝置20之側視圖。
第六a圖係顯示其他晶圓預對準裝置20之構造的俯視圖。
第六b圖係顯示其他晶圓預對準裝置20之構造的側視圖。
第六c圖係說明其他晶圓預對準裝置20之動作的波形圖。
第七a圖係晶圓保持器預對準裝置40之俯視圖。
第七b圖係晶圓保持器預對準裝置40之側視圖。
第八圖係其他晶圓保持器預對準裝置40之俯視圖。
第九圖係其他晶圓保持器預對準裝置40之俯視圖。
第十圖係顯示放置了半導體晶圓W之晶圓保持器WH的俯視圖。
第十一圖係顯示對準器50之構造的模式圖。
第十二圖係模式顯示加壓裝置70之構造圖。
WHL‧‧‧晶圓保持器載入器
WL‧‧‧晶圓載入器
RA、RB‧‧‧導軌
10‧‧‧晶圓暫存盒
20‧‧‧晶圓預對準裝置
30‧‧‧晶圓保持器暫存盒
40‧‧‧晶圓保持器預對準裝置
50‧‧‧對準器
70‧‧‧加壓裝置
85‧‧‧層積基板用暫存盒
90‧‧‧主控制裝置
100‧‧‧層積基板製造裝置

Claims (49)

  1. 一種基板貼合方法，具有：保持工程，將第一基板保持於基板保持構件；輸送工程，將保持有前述第一基板之前述基板保持構件輸送到定位部；定位工程，將前述第一基板與第二基板以前述定位部互相定位；貼合工程，將經定位之前述第一基板及前述第二基板互相貼合；第一對準工程，該第一對準工程在前述第一基板未保持於前述基板保持構件之狀態，檢測相對於第一基準位置之前述基板保持構件之位置；第二對準工程，該第二對準工程檢測相對於第二基準位置之前述第一基板之位置；其中前述第二對準工程具有檢測前述第一基板之外形的外形檢測工程，根據在前述外形檢測工程檢測出的前述第一基板之外形與前述第二基準位置之關係來檢測該第一基板之位置。
  2. 依據申請專利範圍第1項之基板貼合方法，其中具有第一對準工程，該第一對準工程在前述第一基板未保持於前述基板保持構件之狀態，將前述基板保持構件對準第一基準位置。
  3. 依據申請專利範圍第1或2項之基板貼合方法，其中具有第二對準工程，該第二對準工程將前述第一基板對準第二基準位置。
  4. 依據申請專利範圍第3項之基板貼合方法，其中前述第二對準工程具有對準標記檢測工程，該對準標記檢測 工程檢測前述第一基板之對準標記之位置。
  5. 依據申請專利範圍第4項之基板貼合方法，其中前述定位工程具有位置檢測工程，該位置檢測工程檢測保持於前述基板保持部之前述第一基板之前述對準標記之位置，與前述對準標記檢測工程中之位置檢測之精度相比，前述定位工程中之位置檢測之精度更高。
  6. 依據申請專利範圍第3項之基板貼合方法，其中前述第二對準工程中，使設於進行前述第二對準工程之第二對準部的對準構件抵接於前述第一基板，藉此將該第一基板對準前述第二基準位置。
  7. 依據申請專利範圍第3項之基板貼合方法，其中前述第二對準工程中，在將前述第一基板搬入進行前述第二對準工程之第二對準部的輸送裝置，抵接設於前述第二對準部之對準構件，藉此將輸送到前述輸送裝置之前述第一基板對準前述第二基準位置。
  8. 依據申請專利範圍第4項之基板貼合方法，其中前述保持工程中，在前述第一基板未保持於前述基板保持構件之狀態在進行將前述基板保持構件對準第一基準位置之第一對準工程的第一對準部，抵接前述輸送裝置，藉此將輸送到前述輸送裝置之前述第一基板對準配置於前述第一對準部之前述基板保持構件後，搭載於前述基板保持構件。
  9. 依據申請專利範圍第3項之基板貼合方法，其中前述第二對準工程具有檢測前述第一基板之外形的外形檢測工程，根據在前述外形檢測工程檢測出的前述第一基板之外形與前述第二基準位置之關係來使該第一基板 對準。
  10. 依據申請專利範圍第1項之基板貼合方法，其中前述第一對準工程具有基準標記檢測工程，該基準標記檢測工程檢測設於前述基板保持構件之基準標記之位置，與前述基準標記檢測工程中之位置檢測之精度相比，前述定位工程中之位置檢測之精度高。
  11. 依據申請專利範圍第10項之基板貼合方法，其中前述基準標記配置於前述第一基板之外側，該第一基板保持於前述基板保持構件。
  12. 依據申請專利範圍第2項之基板貼合方法，其中前述第一對準工程中，在設於進行前述第一對準工程之第一對準部的對準構件抵接前述基板保持構件，藉此將該基板保持構件對準前述第一基準位置。
  13. 依據申請專利範圍第2項之基板貼合方法，其中前述第一對準工程中，在設於進行前述第一對準工程之第一對準部的對準構件，抵接將前述基板保持構件搬入的輸送裝置，藉此將輸送到該輸送裝置之前述基板保持構件對準前述第一基準位置。
  14. 依據申請專利範圍第1項之基板貼合方法，其中前述定位工程中，藉由顯微鏡從前述基板保持構件之表面及背面，來觀察設於前述基板保持構件之基準標記。
  15. 依據申請專利範圍第1項之基板貼合方法，其中前述定位工程中，將搭載於具有基準標記之前述基板保持構件的前述第一基板之對準標記、及該基板保持構件之前述基準標記加以檢測後，檢測該對準標記與該基準標記之相對的位置關係。
  16. 依據申請專利範圍第1項之基板貼合方法，其中具有第二保持工程，該第二保持工程將前述第二基板保持於其他的基板保持構件；前述輸送工程中，將保持有前述第二基板之前述其他的基板保持構件輸送到前述定位部。
  17. 依據申請專利範圍第1項之基板貼合方法，其中前述貼合工程中，將保持於前述基板保持構件之前述第一基板、及前述第二基板加熱以及加壓。
  18. 一種定位方法，係將具有對準標記之基板加以定位的定位方法，其具有：第一對準工程，在前述基板未保持於將前述基板保持的基板保持構件的狀態，檢測相對於第一基準位置之前述基板保持構件之位置；第二對準工程，檢測相對於第二基準位置之前述基板之位置；其中前述第二對準工程具有檢測前述基板之外形的外形檢測工程，根據在前述外形檢測工程檢測出的前述基板之外形與前述第二基準位置之關係來檢測該基板之位置；及位置檢測工程，將保持於前述基板保持部之前述基板之對準標記之位置加以檢測。
  19. 一種定位方法，係將具有對準標記之基板加以定位的定位方法，其具備：第一對準階段，在前述基板未保持於能保持前述基板且輸送到平臺上的基板保持構件的狀態，檢測相對於第一基準位置之前述基板保持構件之位置； 第二對準階段，檢測相對於第二基準位置之前述基板之位置；其中前述第二對準階段具有檢測前述基板之外形的外形檢測階段，根據在前述外形檢測階段檢測出的前述基板之外形與前述第二基準位置之關係來檢測該基板之位置；及位置檢測階段，將保持於前述平臺上之前述基板保持部的前述基板之對準標記之位置加以檢測。
  20. 依據申請專利範圍第18或19項之定位方法，其中具備將前述基板保持構件輸送到平臺上之輸送階段，前述位置檢測階段中，將保持於前述平臺上之前述基板保持部的前述基板之對準標記之位置加以檢測。
  21. 一種層積基板製造裝置，具備：保持部，使第一基板保持於基板保持構件；定位部，將保持於前述基板保持構件之第一基板及第二基板互相定位；輸送部，將保持有前述第一基板之前述基板保持構件輸送到前述定位部；貼合部，使被前述定位部定位的前述第一基板及第二基板互相貼合；第一對準部，該第一對準部在前述第一基板未保持於前述基板保持構件的狀態，檢測相對於第一基準位置之前述基板保持構件之位置；第二對準部，該第二對準部檢測相對於第二基準位置之前述第一基板之位置；其中前述第二對準部具有將前述第一基板之外形檢測的外形檢測部，根據前述外形檢測部所檢測出之前述 第一基板之外形與前述第二基準位置之關係來檢測該第一基板之位置。
  22. 依據申請專利範圍第21項之層積基板製造裝置，其中具備第一對準部，該第一對準部在前述第一基板未保持於前述基板保持構件的狀態，將前述基板保持構件對準第一基準位置。
  23. 依據申請專利範圍第21或22項之層積基板製造裝置，其中具備第二對準部，該第二對準部將前述第一基板對準第二基準位置。
  24. 依據申請專利範圍第23項之層積基板製造裝置，其中前述第二對準部具有對準標記檢測部，該對準標記檢測部將前述第一基板之對準標記之位置加以檢測。
  25. 依據申請專利範圍第24項之層積基板製造裝置，其中前述定位部具備位置檢測部，該位置檢測部將保持於前述基板保持部之前述第一基板之前述對準標記之位置加以檢測；與以前述對準標記檢測部進行之位置檢測之精度相比，以前述位置檢測部進行之位置檢測之精度更高。
  26. 依據申請專利範圍第23項之層積基板製造裝置，其中前述第二對準部含有對準構件，該對準構件藉由抵接於前述第一基板而將該第一基板對準前述第二基準位置。
  27. 依據申請專利範圍第23項之層積基板製造裝置，其中前述第二對準部含有對準構件，該對準構件藉由抵接於將基板搬入前述第二對準部之輸送裝置，而將輸送到前述輸送裝置之前述基板對準前述第二基準位置。
  28. 依據申請專利範圍第27項之層積基板製造裝置，其中 前述第一對準部藉由抵接於前述輸送裝置，而將輸送到前述輸送裝置之前述第一基板對準前述基板保持構件後，搭載於前述基板保持構件。
  29. 依據申請專利範圍第23項之層積基板製造裝置，其中前述第二對準部具有將前述第一基板之外形檢測的外形檢測部，根據前述外形檢測部所檢測出之前述第一基板之外形與前述第二基準位置之關係來使該第一基板對準。
  30. 依據申請專利範圍第21項之層積基板製造裝置，其中前述第一對準部具有基準標記檢測部，該基準標記檢測部將設於前述基板保持構件之基準標記之位置加以檢測；與以前述基準標記檢測部進行之位置檢測之精度相比，以前述定位部進行之位置檢測之精度更高。
  31. 依據申請專利範圍第30項之層積基板製造裝置，其中前述基準標記配置於前述第一基板之外側，該前述第一基板保持於前述基板保持構件。
  32. 依據申請專利範圍第22項之層積基板製造裝置，其中前述第一對準部含有對準構件，該對準構件藉由使前述基板保持構件抵接，而將該基板保持構件對準前述第一基準位置。
  33. 依據申請專利範圍第22項之層積基板製造裝置，其中前述第一對準部含有對準構件，該對準構件藉由抵接於將前述基板保持構件搬入前述第一對準部之輸送裝置，而將輸送到該輸送裝置之前述基板保持構件對準前述第一基準位置。
  34. 依據申請專利範圍第21項之層積基板製造裝置，其中 前述第一基板根據已搭載前述第一基板之前述基板保持構件之基準標記之位置而被定位；前述第二基板根據前述第二基板之對準標記之位置而被定位。
  35. 依據申請專利範圍第21項之層積基板製造裝置，其中前述貼合部具備加壓部，該加壓部將前述第一基板及前述第二基板加壓，而恆久地接合前述第一及第二基板。
  36. 依據申請專利範圍第21項之層積基板製造裝置，其中前述保持部使前述第二基板保持於其他的基板保持構件，前述輸送部將保持有前述第二基板之前述其他的基板保持構件輸送到前述定位部。
  37. 一種定位裝置，係將具有對準標記之基板加以定位的定位裝置，其具備：第一對準部，在前述基板未保持於將前述基板保持的基板保持構件的狀態，檢測相對於第一基準位置之前述基板保持構件之位置；第二對準部，檢測相對於第二基準位置之前述基板之位置；其中前述第二對準部具有將前述基板之外形檢測的外形檢測部，根據前述外形檢測部所檢測出之前述基板之外形與前述第二基準位置之關係來檢測該基板之位置；及位置檢測部，將保持於前述基板保持部之前述基板之對準標記之位置加以檢測。
  38. 一種曝光裝置，其具備申請專利範圍第37項之定位裝置，且藉由前述定位裝置來定位具有對準標記之圖案形成基板以及具有對準標記之被曝光基板的至少一 方。
  39. 一種層積基板製造裝置，具備：第一對準部，將第一基板及第二基板分別對準基準位置；第二對準部，將保持前述第一基板之第一基板保持構件以及保持前述第二基板之第二基板保持構件，分別對準第二基準位置；第一平臺，將保持前述第一基板之前述第一基板保持構件加以放置；及第二平臺，以前述第二基板與前述第一基板可相對之方式將前述第二基板保持構件加以放置，可與前述第一平臺相對地移動；將前述第一平臺上之前述第一基板及前述第二平臺上之前述第二基板互相對準後貼合；其中前述第一對準部及前述第二對準部之至少一方進行前述對準，以使前述第一基板與前述第一基板保持構件之相對位置、及前述第二基板與前述第二基板保持構件之相對位置分別落入特定範圍。
  40. 依據申請專利範圍第39項之層積基板製造裝置，其中前述第二對準部將前述第一基板保持構件對準前述第一基板之位置，將前述第二基板保持構件對準前述第二基板之位置。
  41. 依據申請專利範圍第39或40項之層積基板製造裝置，其中具備：驅動部，使前述第一平臺及前述第二平臺相對移動；及位置測定部，將前述第一平臺與前述第二平臺之相對位置加以測定；前述特定範圍係在前述第一平臺及前述第二平臺 藉由前述驅動部而移動了時，能以前述位置測定部進行測定之範圍。
  42. 依據申請專利範圍第41項之層積基板製造裝置，其中前述位置測定部係干擾儀。
  43. 依據申請專利範圍第39項之層積基板製造裝置，其中具備輸送部，該輸送部將藉由前述第二對準部而對準的前述第一基板保持構件輸送到前述第一平臺上，將藉由前述第二對準部而對準的前述第二基板保持構件輸送到前述第二平臺上。
  44. 依據申請專利範圍第39項之層積基板製造裝置，其中具備檢測部，該檢測部將藉由前述對準部而對準的前述第一基板之對準標記及前述第二基板之對準標記分別檢測；前述對準部使前述第一基板及前述第二基板分別對準，以使前述第一基板及前述第二基板之對準標記落入前述檢測部可檢測的區域。
  45. 依據申請專利範圍第39項之層積基板製造裝置，其中前述檢測部分別檢測前述第一基板之對準標記及前述第二基板之對準標記，該第一基板保持於已輸送到前述第一平臺之前述第一基板保持構件，該第二基板保持於已輸送到前述第二平臺之前述第二基板保持構件。
  46. 依據申請專利範圍第39項之層積基板製造裝置，其中前述檢測部分別檢測對前述檢測部之前述第一基板之相對關係、以及對前述檢測部之前述第二基板之相對關係。
  47. 依據申請專利範圍第46項之層積基板製造裝置，其中 前述檢測部具有顯微鏡，檢測設於前述顯微鏡視野內之指標與前述第一基板之相對關係、及該指標與前述第二基板之相對關係。
  48. 依據申請專利範圍第44項之層積基板製造裝置，其中前述檢測部具有顯微鏡，前述區域係前述顯微鏡之視野。
  49. 一種層積基板製造裝置，具備：對準部，將第一基板及第二基板分別對準基準位置；第一平臺，將藉由前述對準部而對準的前述第一基板加以放置；及第二平臺，將藉由前述對準部而對準的前述第二基板以與前述第一基板可相對之方式放置，可與前述第一平臺相對地移動；將前述第一平臺上之前述第一基板與前述第二平臺上之前述第二基板互相對準後貼合；其中前述對準部使前述第一基板及前述第二基板分別對準，以使對前述基準位置之前述第一基板之位置與對前述基準位置之前述第二基板之位置的偏差量落入特定範圍。
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