CN113307471A - 玻璃基板、捆包体以及玻璃基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的玻璃基板是通过与含有硅的基板层叠而形成层叠基板的玻璃基板，上述玻璃基板具有凹面和凸面，具有能够识别上述凹面和上述凸面的标记。

Description

玻璃基板、捆包体以及玻璃基板的制造方法
本申请是申请号为201680043220.X、申请日为2016年7月19日、发明名称为“玻璃基板、层叠基板、层叠基板的制造方法、层叠体、捆包体以及玻璃基板的制造方法”的发明申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及玻璃基板、层叠基板、层叠基板的制造方法、层叠体、捆包体以及玻璃基板的制造方法。
背景技术
在半导体器件的领域中，器件的集成度增加，另一方面不断小型化。与此相伴，对具有高集成度的器件的封装技术的需要越来越高。迄今为止的半导体组装工序中，将晶圆状态的玻璃基板和含有硅的基板分别切断后，将上述玻璃基板与上述含有硅的基板贴合，进行贴片、引线接合以及封胶等一系列的组装工序。
近年来，在原尺寸的晶圆状态下将玻璃基板与含有硅的基板贴合进行组装工序后再进行切断的晶圆级封装技术备受关注。例如，专利文献1中了提出晶圆级封装中使用的支承玻璃基板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2015/037478号
发明内容
玻璃基板的制造中，很难以量产等级制造完全平坦的玻璃，存在会制造出具有起伏的玻璃基板的问题。晶圆级封装中，将玻璃基板与含有硅的基板贴合而制成层叠基板的工序中，如果玻璃基板有起伏，则产生上述玻璃基板与上述含有硅的基板之间出现缝隙而气泡容易进入的问题。
因此，本发明提供将玻璃基板与含有硅的基板贴合而制成层叠基板的工序中，气泡不易进入上述玻璃基板与上述含有硅的基板之间的玻璃基板、层叠基板、层叠基板的制造方法、层叠体、捆包体以及玻璃基板的制造方法。
本发明的玻璃基板的特征在于，是用于通过与含有硅的基板层叠而形成层叠基板的玻璃基板，上述玻璃基板具有凹面和凸面，具有能够识别上述凹面和上述凸面的标记。
本发明的层叠基板的特征在于，上述玻璃基板的凸面与含有硅的基板层叠而形成。
本发明的层叠基板的制造方法的特征在于具有如下工序：上述玻璃基板的由凸面或凹面构成的曲面与含有硅的基板的由凸面或凹面构成的曲面以彼此的曲面吻合的方式进行贴合。
本发明的层叠体的特征在于，通过在构成上述层叠基板的玻璃基板上贴合其他玻璃基板而形成。
本发明的捆包体的特征在于，将2张以上上述玻璃基板捆包而形成，以上述玻璃基板的一个玻璃基板的凸面与另一个玻璃基板的凹面对置的方式进行捆包。
或者，本发明的捆包体的特征在于，将2张以上上述层叠基板捆包而形成，以上述层叠基板中的构成一个层叠基板的含有硅的基板与构成另一个层叠基板的玻璃基板的凹面对置的方式进行捆包。
或者，本发明的捆包体的特征在于，将2张以上上述层叠体捆包而形成，以上述层叠体中的构成一个层叠体的含有硅的基板与构成另一个层叠体的玻璃基板的凹面对置的方式进行捆包。
本发明的玻璃基板的制造方法的特征在于，是用于通过与含有硅的基板层叠而形成层叠基板的玻璃基板的制造方法，通过具有如下工序而得到上述玻璃基板：
熔解工序，加热玻璃原料而得到熔融玻璃；
成型工序，将上述熔融玻璃制成板状而得到玻璃带；
缓慢冷却工序，将上述玻璃带缓慢冷却，
切断工序，将上述玻璃带切断而得到玻璃基板；
检查工序，辨别上述玻璃基板的凹面和凸面；
在上述凹面和上述凸面中的至少一方给予标记的工序。
采用本发明的玻璃基板、层叠基板、层叠基板的制造方法、层叠体、捆包体以及玻璃基板的制造方法，在将玻璃基板与含有硅的基板贴合而制成层叠基板的工序中，气泡不易进入上述玻璃基板与上述含有硅的基板之间。
附图说明
图1中的(A)和图1中的(B)表示与含有硅的基板贴合的本发明的第一实施方式的玻璃基板，图1中的(A)表示贴合前的截面图，图1中的(B)表示贴合后的截面图。
图2中的(A)～(C)表示本发明的第一实施方式的玻璃基板，图2中的(A)表示俯视图，图2中的(B)表示仰视图，图2中的(C)表示截面图。
图3中的(A)～(C)表示形成槽口作为标记的玻璃基板，图3(A)表示俯视图，图3中的(B)表示仰视图，图3中的(C)表示截面图。
图4中的(A)和图4中的(B)表示示出了将本发明的第一实施方式的玻璃基板与含有硅的基板贴合的状况的截面图。
图5中的(A)～(C)表示由支承部件支承本发明的第一实施方式的玻璃基板时的状况，图5中的(A)表示平面图，图5中的(B)和图5中的(C)表示截面图。
图6中的(A)～(C)表示由支承部件支承本发明的第一实施方式的玻璃基板时的状况，图6中的(A)表示平面图，图6中的(B)和图6中的(C)表示截面图。
图7中的(A)～(C)表示本发明的第二实施方式的玻璃基板，图7中的(A)表示俯视图，图7中的(B)表示仰视图，图7中的(C)表示截面图。
图8中的(A)～(C)表示本发明的第三实施方式的玻璃基板，图8中的(A)表示俯视图，图8中的(B)表示仰视图，图8中的(C)表示截面图。
图9中的(A)～(C)表示本发明的第三实施方式的玻璃基板，图9中的(A)表示俯视图，图9中的(B)表示仰视图，图9中的(C)表示截面图。
图10表示本发明的一个实施方式的捆包体的截面图。
图11表示本发明的一个实施方式的捆包体的截面图。
图12中的(a)和图12中的(b)表示对在层叠基板的制造工序中玻璃基板的曲面与含有硅的基板的曲面的关系进行说明的截面图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行详细说明。
首先，对本发明的第一实施方式的玻璃基板进行说明。图1(A)和图1(B)是与含有硅的基板贴合的本发明的第一实施方式的玻璃基板的截面图。
图1(A)所表示的本发明的第一实施方式的玻璃基板G1与含有硅的基板10在中间介由树脂20在例如气氛200℃～400℃的温度下贴合，得到图1(B)所表示的层叠基板30。
作为含有硅的基板10，例如，使用原尺寸的晶圆(例如硅晶圆)。
另外，含有硅的基板10可以是形成有元件的晶圆、从晶圆切出元件的芯片(例如硅芯片)被树脂封胶而成的基板等，也可以由硅晶圆、硅芯片等硅基板与TGV等玻璃基板、树脂基板等硅基板以外的基板构成。这时，硅基板和玻璃基板例如利用铜等进行布线连接。
树脂20耐受例如200～400℃的温度。
本发明的第一实施方式的玻璃基板适合作为扇出型晶圆级封装用的支承玻璃基板。另外，适合作为由晶圆级封装得到的元件小型化有效的MEMS、CMOS、CIS等图像传感器用的玻璃基板、玻璃中介层(GIP)的开孔基板、以及半导体背面研磨用的支持玻璃。
本发明的第一实施方式的玻璃基板没有起伏，具有一个主表面为凹面、对置的另一个主表面为凸面的曲面。
应予说明，本发明中所说的凸面或凹面是指使用SEMI标准而识别宏观曲面为凸面或凹面。由此，上述第一实施方式的玻璃基板的“没有起伏”并不是指在玻璃基板上微观起伏也不存在。
本发明中所说的凸面或凹面具体而言，使用SEMI标准的BOW(MF534)或者WARP(MF657、MF1390)能够识别凸面或凹面即可。在一定的翘曲的情况可以使用BOW，在存在起伏的情况下可以使用WARP。
BOW是在不吸附固定的状态的基板中，以基板中心面距某指定的基准面的距离表示。使基准面侧为凹面，使与凹面相反的一侧的面为凸面。基准面由基板的板厚中心线决定。
WARP是在不吸附固定的状态的基板中，相对于某指定的基准面，以基准面与基板中心面的距离的最大值与最小值之差表示。基准面由最小二乘法决定，以其最大值与最小值之差成为最小的方式设定基板中心面。将最大值所在的一侧设为凸面，将最小值所在的面设为凹面。
根据宏观的观点，凸面没有成为凹陷那样的反翘曲。应予说明，凸面的曲率优选小以使得层叠基板不会较大地翘曲。因此，与含有硅的基板层叠时很难辨别哪一个为凹面哪一个凸面，需要能够识别凹面和凸面的标记。
图2(A)～(C)表示本发明的第一实施方式的玻璃基板G1，图2(A)为俯视图，图2(B)为仰视图，图2(C)为截面图。
本发明的第一实施方式的玻璃基板G1的特征在于，是通过与含有硅的基板层叠而形成层叠基板的玻璃基板，玻璃基板G1具有凹面G1A和凸面G1B，具有能够识别凹面G1A和凸面G1B的标记。如果有能够识别凹面G1A和凸面G1B的标记，则能够识别玻璃基板G1的凹面G1A和凸面G1B，将玻璃基板G1与含有硅的基板贴合而制成层叠基板的工序中，通过将玻璃基板G1的凸面G1B与含有硅的基板贴合，使得气泡不易进入玻璃基板G1与含有硅的基板之间。如果气泡进入，则构成层叠基板的含有硅的基板的平坦度劣化，在研磨含有硅的基板的工序中，含有硅的基板的板厚偏差变大，其后的工序中难以形成图案。另外，加热层叠基板时泡膨胀，玻璃基板和含有硅的基板容易剥离。本发明的第一实施方式的玻璃基板G1在层叠时气泡不易进入玻璃基板G1与含有硅的基板之间。因此，构成层叠基板的含有硅的基板的平坦度好，在研磨含有硅的基板的工序中，含有硅的基板的板厚偏差变小，其后的工序中容易形成图案。另外，即便将层叠基板加热，玻璃基板与含有硅的基板也不易剥离。
优选本发明的第一实施方式的玻璃基板G1包含形成于凹面G1A的、识别凹面G1A和凸面G1B的、形状互不相同的2个标记130、140，和形成于凸面G1B的、识别凹面G1A和凸面G1B的、在与凹面G1A的2个标记130、140分别对置的位置、与对应的凹面G1A的标记为相同形状的2个标记150、160，在凸面G1B上将凸面G1B的2个标记150、160彼此以成为最短的方式连接而成的线L不通过凸面G1B上的重心F。这是为了更可靠地识别后述的凹面G1A和凸面G1B。这样，利用标记150、160、130、140能够识别玻璃基板G1的凹面G1A和凸面G1B。
标记例如可以是涂料，也可以是利用激光等刻出的凹陷。应予说明，“包含形成于凹面G1A的、形状互不相同的2个标记130、140，和形成于凸面G1B的、在与凹面G1A的2个标记130、140分别对置的位置、与对应的凹面G1A的标记为相同形状的2个标记150、160”是指凹面G1A的2个标记130、140也可以贯通于凸面G1B而形成，构成凸面G1B的2个标记150、160。作为这样的标记，可举出利用激光等形成的贯通孔，形成于玻璃基板G1的端部的槽口、定向平面(以下，称为Ori-Fla)等切口。
Ori-Fla是将玻璃基板的端部按圆弧状切去而形成的切口。槽口是在玻璃基板的端部形成的V字形、U字形的切口。图3(A)～(C)表示形成了槽口作为标记的玻璃基板，图3(A)为俯视图，图3(B)为仰视图，图3(C)为截面图。
切口例如可以利用激光检测出在玻璃基板G1的哪个位置。另外，切口也可以通过利用照相机拍摄玻璃基板而进行图像解析来检测。通过标记为切口，从而在含有硅的基板10上形成电路图案时，能够对应切口而确定含有硅的基板10的位置、角度，能够抑制电路图案的尺寸偏离。
像图3(A)～(C)那样，如果切口为槽口，则玻璃基板G1的损失面积少，容易与含有硅的基板10贴合。如果切口为Ori-Fla，则容易形成切口，容易检测切口的位置。
标记优选存在于距玻璃基板G1的端部20mm以内的区域。如果是距玻璃基板G1的端部20mm以内的区域，即便有标记也不干扰形成在含有硅的基板上的电路图案。标记的位置更优选存在于距玻璃基板G1的端部10mm以内的区域，进一步优选存在于5mm以内的区域，特别优选存在于玻璃基板的端部。
优选标记是将玻璃基板G1的端面切去而形成。作为这样的标记，可举出上述的槽口、Ori-Fla等。
这里，对凹面G1A和凸面G1B的识别方法进行说明。例如，像图2(A)那样，具有形状不同的2个标记150、160，使标记150比标记160大。这里，标记150、160是圆形的贯通孔，使标记150与标记130、标记160与标记140分别相同。
例如，在以凸面G1B为上表面的图2(A)中，在从标记150相对于玻璃基板G1的凸面G1B上的重心F逆时针旋转小于180°的区域[图2(A)的θ小于180°]形成标记160。这时可知，如果在从标记150相对于玻璃基板G1的凸面G1B上的重心F逆时针旋转小于180°的区域(θ小于180°)具有标记160，则为凸面G1B，如果是在从标记150相对于玻璃基板G1的重心I逆时针旋转大于180°的区域(θ大于180°)具有标记160的图2(B)那样，则为凹面G1A。
这里，如果在θ为180°的位置形成标记160，则无法识别凹面G1A和凸面G1B。如果在θ为180°的位置形成标记160时，在凸面G1B上将凸面G1B上的2个标记150、160彼此以成为最短的方式连接而成的线通过凸面G1B上的重心F。
本发明的第一实施方式的玻璃基板G1优选将凸面G1B的2个标记150、160彼此以成为最短的方式连接而成的线不通过凸面上的重心F。通过形成这样的标记150、160，从而θ不会成为180°，能够识别凹面G1A和凸面G1B。
优选将凸面G1B的2个标记150、160彼此以成为最短的方式连接而成的线不通过距凸面上的重心F1mm的区域，更优选不通过5mm的区域，进一步优选不通过10mm的区域。标记150、160的位置例如可以通过利用照相机拍摄玻璃基板G1的凸面G1B而进行图像解析来确定。
图4(A)～(B)是表示将本发明的第一实施方式的玻璃基板与含有硅的基板贴合的状况的截面图。
图4(A)表示以玻璃基板G1的凸面G1B成为贴合面的方式将玻璃基板G1介由树脂20与含有硅的基板10贴合的状况。这样将玻璃基板G1与含有硅的基板10贴合时，玻璃基板G1与含有硅的基板10之间不易出现缝隙，因此气泡不易进入。
图4(B)是通过将玻璃基板G1的凸面G1B与含有硅的基板10介由树脂20贴合而形成的层叠基板30。通过这样将玻璃基板G1与含有硅的基板10贴合而形成的层叠基板30，气泡不易进入玻璃基板G1与含有硅的基板10之间。另外，在玻璃基板G1与含有硅的基板10不易产生残留应力，不易引起破裂、缺损。并且，布线不易产生应力，布线不易断线。
图5(A)～(C)以及图6(A)～(C)表示由支承部件支承本发明的第一实施方式的玻璃基板时的状况。图5(A)和图6(A)为平面图，图5(B)和图5(C)以及图6(B)和图6(C)为截面图。图5(B)和图6(B)是支承凸面G1B时的截面图，图5(C)和图6(C)是支承凹面G1A时的截面图。
本发明的第一实施方式的玻璃基板G1优选像图5(A)那样由支承部件110以4点支承。因为接触面积少等，能够在保存和搬运玻璃基板G1时防止由尘埃等所致的玻璃基板G1表面的污染。
这时，因为玻璃基板G1因自重而弯曲，所以像图5(B)那样玻璃基板G1的凸面G1B由支承部件支承110支承而进行保存和搬运时，玻璃基板G1容易因弯曲而变形。另一方面，像图5(C)那样，玻璃基板G1的凹面G1A由支承部件支承110支承而进行保存和搬运时，玻璃基板G1不易变形，因此优选。
玻璃基板G1可以像图6(A)～(C)那样由支承部件120在2边支承。通过在2边支承玻璃基板G1，能够稳定地进行保存和搬运。另外，能够在对玻璃基板G1进行保存和搬运时防止由尘埃等所致的玻璃基板G1表面的污染。像图6(C)那样，支承玻璃基板G1的凹面G1A时因玻璃基板G1不易变形而更优选。
对于本发明的第一实施方式的玻璃基板G1，将玻璃基板G1以凹面G1A与水平面相接的方式放置时，将玻璃基板的厚度设为V(单位：mm)，将凸面G1B的重心与水平面的最短距离设为U(单位：mm)时，U/V优选为0.05～50。如果U/V为0.05以上，则将玻璃基板G1与含有硅的基板贴合而制成层叠基板的工序中，通过将玻璃基板G1的凸面G1B与含有硅的基板贴合，从而气泡不易进入玻璃基板G1与含有硅的基板之间。更优选U/V为1以上，进一步优选为5以上。如果U/V为50以下，则容易将玻璃基板G1与含有硅的基板贴合。U/V更优选30以下，进一步优选10以下。
接下来，对本发明的第二实施方式的玻璃基板进行说明。
图7(A)～(C)表示本发明的第二实施方式的玻璃基板G2，图7(A)为俯视图，图7(B)为仰视图，图7(C)为截面图。
本发明的第二实施方式的玻璃基板G2优选能够识别凹面G2A和凸面G2B的标记包含：形成于凹面G2A、距凹面G2A上的重心的距离互不相同的2个标记230、240；和形成于凸面G2B、在与凹面G2A的2个标记230、240分别对置的位置、与对应的凹面G2A的标记230、240为相同形状的2个标记210、220，在凸面G2B上将凸面G2B的2个标记210、220彼此以成为最短的方式连接而成的线M不通过凸面G2B上的重心J。如果满足该条件，则借助标记210、220、230、240能够更可靠地识别玻璃基板G2的凹面G2A和凸面G2B。
这里，对凹面G2A和凸面G2B的识别方法进行说明。例如，像图7(A)和图7(B)那样，在玻璃基板G2的凹面G2A上具有距凹面G2A上的重心K的距离S、T不同的2个标记230、240，使标记230与标记240相比更接近重心K。这里，标记210、220是圆形的贯通孔，使标记210与标记230、标记220与标记240相同。
在将凸面G2B作为上表面的图7(A)中，通过在从标记210相对于玻璃基板G2的重心J逆时针旋转小于180°的区域[图7(A)的θ小于180°]形成标记220，由此可知如果从标记210相对于玻璃基板G2的重心J逆时针旋转小于180°的区域(θ小于180°)存在标记220，则为凸面G2B，如果是在从标记210相对于玻璃基板G2的重心K逆时针旋转大于180°的区域(θ大于180°)存在标记220的图7(B)那样，则为凹面G2A。
这里，如果在θ为180°的位置形成标记220，则无法识别凹面G2A和凸面G2B。这时，凸面G2B上的2个标记210、220彼此以成为最短的方式连接而成的线通过凸面G2B上的重心J。
本发明的第二实施方式的玻璃基板G2中，在凸面G2B上将凸面G2B的2个标记210、220彼此以成为最短的方式连接而成的线不通过凸面上的重心J。通过形成这样的标记210、220而能够识别凹面G2A和凸面G2B。
优选在凸面G2B上将凸面G2B的2个标记210、220彼此以成为最短的方式连接而成的线不通过距凸面上的重心J1mm的区域，更优选不通过5mm的区域，进一步优选不通过10mm的区域。标记210、220的位置例如可以通过利用照相机拍摄玻璃基板G2的凸面G2B而进行图像解析来确定。
接下来，对本发明的第三实施方式的玻璃基板进行说明。
图8(A)～(C)和图9(A)～(C)表示本发明的第三实施方式的玻璃基板G3，图8(A)和图9(A)为俯视图，图8(B)和图9(B)为仰视图，图8(C)和图9(C)为截面图。
对于本发明的第三实施方式的玻璃基板G3，能够识别凹面G3A和凸面G3B的标记是形成于凹面G3A或凸面G3B的至少一方的标记，凹面G3A的标记与凸面G3B的标记优选彼此的标记的个数、形状以及距重心的距离中的至少一个不同。
图8(A)～(C)是凹面G3A上的标记与凸面G3B上的标记的个数不同。标记的个数不同也包括凹面G3A上或凸面G3B上的任一方没有标记的情况。图8(A)～(C)是在凹面G3A上具有标记310，在凸面G3B上没有标记。通过以凹面G3A上的标记和凸面G3B上的标记的个数不同的方式形成标记，从而如果预先决定在凹面G3A上和凸面G3B上分别形成几个标记，则可以通过测定凹面G3A上的标记和凸面G3B上的标记的个数来辨别凹面G3A和凸面G3B。
图9(A)～(C)是凹面G3A上的标记330和凸面G3B上的标记320的形状和距重心R、O的距离Q、P不同。通过以凹面G3A上的标记330和凸面G3B上的标记320的形状不同的方式形成标记，从而如果预先决定在凹面G3A上和凸面G3B上分别形成何种形状的标记，则可以通过测定凹面G3A上的标记和凸面G3B上的标记的形状来辨别凹面G3A和凸面G3B。这里，凹面G3A上和凸面G3B上的至少一方存在2个以上的标记时，全部标记中至少一个的形状与其他标记的形状不同即可。
另外，通过以凹面G3A上的标记330和凸面G3B上的标记320的距重心R、O的距离Q、P不同的方式形成标记，从而如果预先决定在凹面G3A上和凸面G3B上分别在何处形成标记，则可以通过测定凹面G3A上的标记330和凸面G3B上的标记320的距重心R、O的距离Q、P来辨别凹面G3A和凸面G3B。在凹面G3A上和凸面G3B上的至少一方存在2个以上的标记时，全部标记中的至少一个标记的到重心的距离与其他标记的到重心的距离不同即可。
以上说明的本实施方式的玻璃基板中，通过能够识别玻璃基板的凹面和凸面，从而在将玻璃基板与含有硅的基板贴合的工序中，区分玻璃基板的凸面而将玻璃基板的凸面与含有硅的基板贴合，因此气泡不易进入玻璃基板与含有硅的基板之间。
本发明的一个实施方式的玻璃基板优选标记的至少一个为凹陷。通过由凹陷形成标记，能够容易检测标记的位置，能够容易地识别玻璃基板的哪一个主表面为凸面。凹陷例如可以利用激光形成。凹陷的形状、大小、个数没有限制。可以是圆形、椭圆形、多边形等任意的形状，也可以是文字、符号。
本发明的一个实施方式的玻璃基板的标记为凹陷时，优选凹陷的深度为1～50μm。如果凹陷的深度为1μm以上，则容检测易凹陷。凹陷的深度更优选为3μm以上，进一步优选为4μm以上。如果凹陷的深度为50μm以下，则玻璃基板不易破裂。更优选凹陷的深度为20μm以下，进一步优选为10μm以下。
上述的表示数值范围的“～”以包含在其前后记载的数值作为下限值和上限值的含义使用，只要没有特别说明，以下在本说明书中“～”以相同的含义使用。
本发明的一个实施方式的玻璃基板优选一个主表面的面积为70～2000cm2。如果玻璃基板的面积为70cm2以上，则能够配置包含大量硅元件的含有硅的基板，在将玻璃基板与含有硅的基板层叠的工序中生产率提高。玻璃基板的一个主表面的面积更优选为80cm2以上，进一步优选为170cm2以上，特别优选为300cm2以上，最优选为700cm2以上。如果玻璃基板的一个主表面的面积为2000cm2以下，则玻璃基板的操作变得容易，能够抑制与含有硅的基板、周边部件等的接触所致的破损。一个主表面的面积更优选为1700cm2以下，进一步优选为1000cm2以下，特别优选为800cm2以下，最优选为750cm2以下。
本发明的一个实施方式的玻璃基板优选为圆形。如果为圆形，则容易进行与含有硅的基板的层叠。特别是容易进行与圆形的含有硅的基板的层叠。这里，圆形并不局限于正圆，还包括相对于直径相同的正圆的尺寸差为50μm以下的情况。
本发明的一个实施方式的玻璃基板为圆形的情况下，直径优选为7cm以上。如果直径为7cm以上，则能够配置包含大量硅元件的含有硅的基板。另外，能够从将直径为7cm以上的玻璃基板与含有硅的基板贴合而形成的层叠基板得到大量半导体元件，生产率提高。直径更优选10cm以上，进一步优选15cm以上，特别优选20cm以上，最优选25cm以上。
直径优选为50cm以下。如果直径为50cm以下，则玻璃基板的操作变得容易，能够抑制与含有硅的基板、周边部件等的接触所致的破损。直径更优选45cm以下，进一步优选40cm以下，特别优选35cm以下。
本发明的一个实施方式的玻璃基板并不局限于圆形，也可以是矩形。圆形的情况下，外周的一部分可以是直线。如果为矩形，与相同面积的圆形的情况相比，能够从通过与含有硅的基板贴合而形成的层叠基板得到大量半导体元件，生产率提高。
本发明的一个实施方式的玻璃基板的厚度优选为2.0mm以下。如果厚度为2.0mm以下，则能够使将玻璃基板与含有硅的基板贴合而成的层叠基板薄板化。厚度更优选为1.5mm以下，进一步优选为1.0mm以下，特别优选为0.8mm以下。
厚度优选为0.1mm以上。如果厚度为0.1mm以上，则能够抑制与含有硅的基板、周边部件等的接触所致的破损。另外，能够抑制玻璃基板的自重弯曲。厚度更优选为0.2mm以上，进一步优选为0.3mm以上。
本发明的一个实施方式的玻璃基板的板厚偏差优选为15μm以下。板厚偏差例如通过利用激光位移仪测定板厚来计算。如果板厚偏差为15μm以下，则与含有硅的基板的贴合面的匹配性好，因此容易将玻璃基板与含有硅的基板贴合。板厚偏差更优选12μm以下，进一步优选10μm以下，特别优选5μm以下。
本发明的一个实施方式的玻璃基板的杨氏模量优选为65GPa以上。杨氏模量例如利用超声波脉冲法测定。如果杨氏模量为65GPa以上，则能够抑制制造玻璃基板时的缓慢冷却工序中产生的玻璃基板的翘曲、破裂。另外，能够抑制与含有硅的基板等的接触所致的破损。杨氏模量更优选为70GPa以上，进一步优选为75GPa以上，特别优选为80GPa以上。
杨氏模量优选为100GPa以下。如果杨氏模量为100GPa以下，则抑制玻璃变脆，能够抑制玻璃基板的切削、切割时的缺损。杨氏模量更优选为90GPa以下，进一步优选为87GPa以下。
本发明的一个实施方式的玻璃基板的在50℃～350℃的平均热膨胀系数优选为30～140(×10－7/℃)。为了将含有硅的基板与玻璃基板贴合，需要热处理工序。
热处理工序中，例如，将在200℃～400℃的温度将含有硅的基板与玻璃基板贴合而成的层叠基板降温到室温。此时，如果玻璃基板与含有硅的基板的热膨胀系数存在差异，则会成为因热膨胀率的不同而使含有硅的基板产生较大的残留应变(残留变形)的原因。
如果在50℃～350℃的平均热膨胀系数为30～140(×10－7/℃)，则在将含有硅的基板与玻璃基板贴合的热处理工序中，含有硅的基板所产生的残留应变小。
这里，50℃～350℃的平均热膨胀系数是按JIS R3102(1995年)中规定的方法测定的且测定热膨胀系数的温度范围为50℃～350℃的平均热膨胀系数。
本发明的一个实施方式的玻璃基板作为扇出型的晶圆级封装使用时，在玻璃基板上层叠含有硅的基板，以与玻璃基板和含有硅的基板相接的方式形成树脂。如果在50℃～350℃的平均热膨胀系数为30～50(×10－7/℃)，则热处理工序中含有硅的基板所产生的残留应变小。
在50℃～350℃的平均热膨胀系数可以为31～50(×10－7/℃)，也可以为32～40(×10－7/℃)，还可以为32～36(×10－7/℃)，还可以为34～36(×10－7/℃)。
另外，如果在50℃～350℃的平均热膨胀系数为50～80(×10－7/℃)，则热处理工序中含有硅的基板和树脂所产生的残留应变变小。
在50℃～350℃的平均热膨胀系数可以为60～75(×10－7/℃)，也可以为67～72(×10－7/℃)。
另外，如果在50℃～350℃的平均热膨胀系数为80～120(×10－7/℃)，则树脂、布线所产生的残留应变小。在50℃～350℃的平均热膨胀系数可以为85～100(×10－7/℃)，也可以为90～95(×10－7/℃)。
如果在50℃～350℃的平均热膨胀系数为120～140(×10－7/℃)，则在扇出型的晶圆级封装中树脂的比率较多，具有高的平均热膨胀系数的基板所产生的残留应变小。
在50℃～350℃的平均热膨胀系数可以为120～135(×10－7/℃)，也可以为125～130(×10－7/℃)。
本发明的一个实施方式的玻璃基板，优选在玻璃基板的凹面或凸面的至少一方形成遮光膜。通过在玻璃基板的凹面或凸面的至少一方遮光膜形成，从而在玻璃基板、层叠基板的检查工序中，容易检测玻璃基板、层叠基板的位置。位置通过向玻璃基板、层叠基板照射光而产生的反射光确定。玻璃基板容易透过光，因此在玻璃基板的主表面形成遮光膜而反射光变强，容易检测位置。遮光膜优选含有Ti。
本发明的一个实施方式的玻璃基板优选以氧化物基准的摩尔百分率表示含有0～0.1％的碱金属氧化物。这里，碱金属氧化物为Li2O、Na2O、K2O等。如果碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分率表示为0.1％以下，则在将含有硅的基板与玻璃基板贴合的热处理工序中，碱离子不易向硅基板扩散。
碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分率表示更优选为0.05％以下，进一步优选为0.02％以下，特别优选实质上不含有。这里，实质上不含有碱金属氧化物是指完全不含有碱金属氧化物，或者也可以将碱金属氧化物作为在制造上不可避免地混入的杂质而含有。
本发明的一个实施方式的玻璃基板的密度优选为2.60g/cm3以下。如果密度为2.60g/cm3以下，则玻璃基板为轻型的。另外，玻璃基板不易因自重而弯曲。密度更优选为2.55g/cm3以下，进一步优选为2.50g/cm3以下。
密度优选为2.20g/cm3以上。如果密度为2.20g/cm3以上，则玻璃的维氏硬度变高，玻璃表面不易损伤。密度更优选为2.30g/cm3以上，进一步优选为2.40g/cm3以上，特别优选为2.45g/cm3以上。
本发明的一个实施方式的玻璃基板优选波长250nm的透射率为10％以上。紫外线通过玻璃基板照射到树脂，从而玻璃基板从层叠基板剥离。如果玻璃基板的波长250nm的透射率为10％以上，则照射到树脂的紫外线变多，玻璃基板容易从层叠基板剥离。波长250nm的透射率更优选为15％以上，进一步优选为20％以上。
本发明的一个实施方式的玻璃基板优选波长300nm的透射率为45％以上。如果玻璃基板的波长300nm的透射率为45％以上，则照射到树脂的紫外线变多，玻璃基板容易从层叠基板剥离。波长300nm的透射率更优选为50％以上，进一步优选为55％以上，特别优选为60％以上。
本发明的一个实施方式的玻璃基板优选波长350nm的透射率为45％以上。如果玻璃基板的波长350nm的透射率为45％以上，则照射到树脂的紫外线变多，玻璃基板容易从层叠基板剥离。波长350nm的透射率更优选为50％以上，进一步优选为55％以上，特别优选为60％以上。
本发明的一个实施方式的玻璃基板优选长径200μm以上的气泡、异物等缺陷为10pcs/cm2以下。如果长径200μm以上的缺陷为10pcs/cm2以下，则贴合工序中照射的光不被遮挡，容易贴合。长径200μm以上的缺陷更优选为2pcs/cm2以下，特别优选没有长径200μm以上的缺陷。
本发明的一个实施方式的玻璃基板优选通过将玻璃基板的凸面与含有硅的基板贴合而形成层叠基板。通过这样形成层叠基板，从而在玻璃基板与含有硅的基板贴合的工序中，气泡不易进入玻璃基板与含有硅的基板之间。另外，通过以由支承部件支承玻璃基板的凹面的方式对层叠基板进行保存和搬运，层叠基板不易变形。
支承部件并不局限于固定式，也可以是可动式。通过以可动式的支承部件支承玻璃基板和层叠基板，能够不污染玻璃基板和层叠基板的表面地搬运玻璃基板和层叠基板。另外，通过以可动式的支承部件支承玻璃基板以及层叠基板的凹面，能够在抑制玻璃基板或者层叠基板的变形的情况下进行搬运。
接下来，对本发明的一个实施方式的层叠基板进行说明。
本发明的一个实施方式的层叠基板通过将上述玻璃基板的凸面与含有硅的基板贴合而形成。通过将上述玻璃基板的凸面与含有硅的基板贴合而形成，因此气泡不易进入玻璃基板与含有硅的基板之间。
接着，对本发明的其他实施方式的层叠基板进行说明。
本发明的另一个实施方式的层叠基板是将上述玻璃基板的由凸面或凹面构成的曲面与含有硅的基板的由凸面或凹面构成的曲面以彼此吻合的方式进行贴合而成。这里“彼此吻合”是指玻璃基板的曲面与含有硅的基板的曲面、即翘曲的方向朝向相同的方向。
图12表示对在层叠基板的制造工序中玻璃基板的曲面与含有硅的基板的曲面的关系进行说明的截面图。
图12(a)的实施方式中，玻璃基板G1的由凸面构成的曲面与含有硅的基板10的由凹面构成的曲面以彼此吻合的方式进行贴合。由此，能够实现玻璃基板G1与含有硅的基板10的粘接不均的减少、贴合时的脱气泡的改善、整体的翘曲的程度的减少、层间的残留应力的减少、以及固化后的层叠基板的界面的残留应力分布的均匀化，成品率以及可靠性提高。另外，也能够防止其后的工序中界面间的剥离不良等所致的成品率降低，并且，以最终工序的切割工艺制作的芯片制品的可靠性也提高。
与此相对，图12(b)是以玻璃基板G1与含有硅的基板10的凹面彼此对置的方式贴合的形态。该形态中，界面间的残留应力分布变得不均匀，并且局部残留应力大的位置散在，引发剥离不良，并且，在芯片制品间可靠性产生波动。
因此，制造本发明的层叠基板时，优选具有将玻璃基板G1的由凸面或凹面构成的曲面与含有硅的基板10的由凸面或凹面构成的曲面以曲面彼此吻合的方式进行贴合的工序。
本发明的层叠基板中，玻璃基板G1与含有硅的基板10的翘曲的差异，即重叠玻璃基板G1与含有硅的基板10时的在与基板平面方向正交的方向形成的空隙部的最大尺寸优选为0～400μm，进一步优选为0～100μm。如果为该范围内，则能够良好地起到上述各效果。
应予说明，本发明的层叠基板中，玻璃基板G1优选以浮法成型。以浮法成型的玻璃基板为中心对称的碗形的翘曲形状，与以易成为鞍型等的无规翘曲形状的熔融法成型的玻璃基板相比，贴合时的吻合方向容易变得均匀，容易有助于品质稳定。应予说明，如上述那样使用SEMI标准判断为“没有起伏”的情况下，即便以熔融法成型的玻璃基板也能够良好地使用。
另外，本发明的层叠基板的制造方法中，进一步优选具有预先预测含有硅的基板的曲面的形状，以预测的上述曲面的形状与上述玻璃基板的曲面的形状以彼此吻合的方式进行贴合的工序。例如，扇出型的晶圆级封装等的制造中，成为含有硅的基板与其以外的树脂等材料的混合物，制造工序进展过程中翘曲的方向大多由制品决定。因此，如果预先预测这样的含有硅的基板在制造工序中形成怎样的翘曲，以预测出的翘曲的形状与玻璃基板的翘曲的形状彼此吻合的方式进行贴合，则能够使在制造工序后的层叠界面产生的残留应力均匀化和减少。
本发明的一个实施方式的层叠基板的厚度优选为0.5～3mm。如果厚度为0.5mm以上，层叠基板的强度变强，能够抑制因与周边部件等的接触所致的破损。厚度更优选1.0mm以上，进一步优选1.3mm以上。如果厚度为3mm以下，则能够薄板化。厚度更优选2.5mm以下，进一步优选2.0mm以下。
本发明的一个实施方式的层叠基板可以在含有硅的基板具有切口。如果在含有硅的基板具有切口，则能够在含有硅的基板上形成电路图案时，根据切口确定含有硅的基板的位置、角度，能够抑制电路图案的尺寸偏离。例如可以利用激光检测切口在含有硅的基板的哪个位置。另外，切口也可以通过利用照相机拍摄玻璃基板进行图像解析来进行检测。
本发明的一个实施方式的层叠基板优选在玻璃基板与含有硅的基板具有切口，以玻璃基板的切口与含有硅的基板的切口重合的方式贴合玻璃基板与含有硅的基板而形成。如果这样形成层叠基板，则容易检测含有硅的基板的切口的位置，容易抑制电路图案的尺寸偏离。
例如，即便将激光对着含有硅的基板也能够检测切口，即便对着玻璃基板也能够检测切口。如果切口为槽口，则玻璃基板、硅基板的损失面积少，容易贴合玻璃基板与含有硅的基板。另外，由于含有硅的基板的损失面积少，因此能够在含有硅的基板上较多地形成电路。如果切口为Ori-Fla，则容易形成切口，容易检测切口的位置。
本发明的一个实施方式的层叠基板也可以通过将构成一个层叠基板的玻璃基板的凹面与构成另一个层叠基板的含有硅的基板贴合而形成。可以贴合2个层叠基板，还可以贴合3个层叠基板，还可以贴合4个以上的层叠基板。这样形成的层叠基板不易产生残留应力，不易引起破裂、缺损。
本发明的一个实施方式的层叠基板优选玻璃基板的凹面由支承部件以4点支承。通过玻璃基板的凹面由支承部件以4点支承，从而玻璃基板或者层叠基板的表面不易被尘埃等污染。
本发明的一个实施方式的层叠基板，玻璃基板的凹面可以由支承部件以2边支承。通过玻璃基板的凹面由支承部件以2边支承，能够稳定地进行保存和搬运。另外，层叠基板的表面不易被尘埃等污染。
接下来，对本发明的一个实施方式的层叠体进行说明。
本发明的一个实施方式的层叠体的特征在于，通过在构成上述层叠基板的玻璃基板上贴合其他玻璃基板而形成。当使用本发明的一个实施方式的层叠基板例如作为半导体背面研磨用的支持玻璃的情况下，构成层叠基板的玻璃基板为1张，因此为了调整玻璃基板的厚度而需要研磨。
本发明的一个实施方式的层叠体，因为在构成层叠基板的玻璃基板上贴合其他玻璃基板而形成，所以即便不研磨玻璃基板，也可以通过将其他玻璃基板剥离而调整厚度。另外，任意的厚度的玻璃基板的弯曲量比层叠2张该玻璃基板的一半厚度的玻璃基板而成的层叠基板的弯曲量大。通过调整玻璃基板的厚度和玻璃基板的层叠张数，能够调整层叠基板的弯曲量。
接下来，对本发明的一个实施方式的捆包体进行说明。
图10是本发明的一个实施方式的捆包体500的截面图。本发明的一个实施方式的捆包体500是将2张以上上述玻璃基板捆包而形成，以上述玻璃基板的一个玻璃基板G5的凸面G5B与另一个玻璃基板G6的凹面G6A对置的方式进行捆包。
图11是本发明的一个实施方式的捆包体600的截面图。本发明的一个实施方式的捆包体600是将2张以上上述层叠基板捆包而形成，以上述层叠基板的构成一个层叠基板610的含有硅的基板640与构成另一个层叠基板620的玻璃基板G8的凹面G8A对置的方式进行捆包。
或者，本发明的一个实施方式的捆包体是将2张以上上述层叠体捆包而形成，以上述层叠体的构成一个层叠体的含有硅的基板与构成另一个层叠体的玻璃基板的凹面对置的方式进行捆包。
本发明的一个实施方式的捆包体中，形成捆包体的玻璃基板、层叠基板或者层叠体可以为2个，也可以为3个，如果为2个以上则几个都可以。这样形成的捆包体中，玻璃基板的凸面和凹面的朝向一致，能够缩小构成捆包体的玻璃基板、层叠基板或者层叠体彼此的间隔，能够缩小捆包体的大小。
其结果，玻璃基板的凸面和凹面的朝向一致的捆包体与玻璃基板的凸面和凹面的朝向不一致的相同大小的捆包体相比，能够捆包更多的层叠基板。
另外，例如，利用可动式的支承部件支承玻璃基板、层叠基板、或者层叠体而进行搬运的情况下，因为玻璃基板的凸面和凹面的朝向一致，所以容易由支承部件支承玻璃基板的凹面，能够在抑制玻璃基板、层叠基板或者层叠体的变形的情况下搬运层叠基板。并且，因为玻璃基板的凸面和凹面的朝向一致，所以能够使对含有硅的基板进行成膜的面一致，容易控制成膜的膜厚分布。
本发明的一个实施方式的捆包体，优选玻璃基板的凹面由支承部件以4点支承。通过玻璃基板的凹面由支承部件以4点支承，玻璃基板或者层叠基板的表面不易被尘埃等污染。
本发明的一个实施方式的捆包体，可以将捆包体储存在容器中。如果储存在容器，则捆包体不易被尘埃等污染。
接下来，对本发明的一个实施方式的玻璃基板的制造方法进行说明。
制造本发明的一个实施方式的玻璃基板时，具有熔解、澄清、成型、缓慢冷却、切断、检查、给予标记的工序。
熔解工序是以玻璃基板成为所希望的组成的方式制备原料，将该原料连续投入熔解炉中，优选加热到1400～1650℃左右而得到熔融玻璃。
作为澄清工序，本发明中的玻璃基板可以使用作为澄清剂的SO3、SnO2。另外，可以应用利用减压的脱泡法。
作为成型工序，应用将熔融玻璃流到熔融金属上来制成板状而得到玻璃带的浮法
作为缓慢冷却工序，将玻璃带缓慢冷却。
作为切断工序，切出玻璃板后，切断成规定的形状、大小而得到本发明的一个实施方式的玻璃基板。
本发明的一个实施方式的玻璃基板的制造方法中，例如，在成型工序和缓慢冷却工序中，如果玻璃带的一个主表面的温度与另一主表面的温度之差大则容易翘曲。
作为检查工序，例如利用激光位移仪识别玻璃基板的一个主表面为凹面还是凸面。
作为给予标记的工序，在玻璃基板的凹面和凸面中的至少一方形成标记。凹陷例如利用激光而形成。通过扫描激光而形成所希望的形状的凹陷。也可以形成符号、文字。槽口、Ori-Fla例如利用刀具、激光而形成切线并割断而形成。
在玻璃基板上形成的标记例如通过利用照相机拍摄玻璃基板而进行图像解析来检测，识别玻璃基板的凹面和凸面。
在制造本发明的一个实施方式的玻璃基板时，在成型工序中也可以应用熔融法、轧平法、加压成型法等而将熔融玻璃制成板状。
在制造本发明的一个实施方式的玻璃基板时，也可以使用铂坩埚。使用铂坩埚时，熔解工序是以成为得到的玻璃基板的组成的方式制备原料，将加入了原料的铂坩埚投入电炉中，优选加热到1450～1650℃左右，插入铂搅拌器搅拌1～3小时，得到熔融玻璃。
澄清工序可以使用作为澄清剂的SO3、SnO2。另外，也可以应用利用减压的脱泡法。作为利用减压的脱泡法中的澄清剂，优选使用Cl、F等卤素。成型工序是将熔融玻璃以例如碳板状流出而制成板状。缓慢冷却工序是将板状的玻璃缓慢冷却到室温状态，切断后，得到玻璃基板。
以上，基于上述具体例对本发明进行了详细说明，但本发明不限定于上述具体例，只要不脱离本发明的范畴就可以进行所谓的变形、变更。另外，本申请基于在2015年7月24日申请的日本专利申请(日本特愿2015－147249号)和在2015年12月28日申请的日本专利申请(日本特愿2015－256895号)的记载，引入其整体。另外，这样本申请中引用的全部的内容作为参照事项并入本申请中。
符号说明
10 含有硅的基板
20 树脂
30 层叠基板
G1 玻璃基板

Claims (12)

1.一种玻璃基板，是用于通过与含有硅的基板层叠而形成层叠基板的玻璃基板，所述玻璃基板具有凹面和凸面且具有能够识别所述凹面和所述凸面的标记，
能够识别所述凹面和所述凸面的标记为形成于所述凹面和所述凸面中的至少一方的标记，
形成于所述凹面的标记的个数与形成于所述凸面的标记的个数不同。
2.根据权利要求1所述的玻璃基板，其中，在所述凹面上具有标记，且在所述凸面上没有标记。
3.根据权利要求1或2所述的玻璃基板，其中，能够识别所述凹面和所述凸面的标记的至少一个为凹陷。
4.根据权利要求3所述的玻璃基板，其中，所述凹陷的形状为文字或符号。
5.根据权利要求1或2所述的玻璃基板，其中，至少一个主表面的面积为70～2000cm2。
6.根据权利要求1或2所述的玻璃基板，其中，至少一个主表面的形状为圆形。
7.根据权利要求1或2所述的玻璃基板，其中，杨氏模量为65GPa以上。
8.根据权利要求1或2所述的玻璃基板，其中，板厚偏差为15μm以下。
9.根据权利要求1或2所述的玻璃基板，其中，在所述凹面和所述凸面中的至少一方具有遮光膜。
10.一种捆包体，是将2张以上的权利要求1～9中任一项所述的玻璃基板捆包而形成的，以所述玻璃基板中的一个玻璃基板的凸面与另一个玻璃基板的凹面对置的方式进行捆包。
11.根据权利要求10所述的捆包体，其中，所述玻璃基板的凹面由支承部件以4点支承。
12.一种玻璃基板的制造方法，是用于通过与含有硅的基板层叠而形成层叠基板的玻璃基板的制造方法，通过具有如下工序而得到权利要求1～9中任一项所述的玻璃基板，
熔解工序，加热玻璃原料而得到熔融玻璃；
成型工序，将所述熔融玻璃制成板状而得到玻璃带；
缓慢冷却工序，将所述玻璃带缓慢冷却；
切断工序，将所述玻璃带切断而得到玻璃基板；
检查工序，辨别所述玻璃基板的凹面和凸面；
在所述凹面和所述凸面中的至少一方给予标记的工序。
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