KR20180033193A - 유리 기판, 적층 기판, 적층 기판의 제조 방법, 적층체, 곤포체, 및 유리 기판의 제조 방법 - Google Patents

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유 하나와
슈헤이 노무라
가즈타카 오노
노부히코 다케시타
게이스케 하나시마
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아사히 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 유리 기판은, 실리콘을 포함하는 기판과 적층됨으로써 적층 기판을 형성시키기 위한 유리 기판이며, 상기 유리 기판이 오목면과 볼록면을 갖고, 상기 오목면과 상기 볼록면을 식별할 수 있는 표시를 갖는다.

Description

유리 기판, 적층 기판, 적층 기판의 제조 방법, 적층체, 곤포체, 및 유리 기판의 제조 방법
본 발명은, 유리 기판, 적층 기판, 적층 기판의 제조 방법, 적층체, 곤포체, 및 유리 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 분야에서는, 디바이스의 집적도가 증가되는 한편, 소형화가 진행되고 있다. 그것에 수반하여, 고집적도를 갖는 디바이스의 패키징 기술에 대한 요망이 높아지고 있다. 지금까지의 반도체 조립 공정에서는, 웨이퍼 상태의 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판을 각각 절단한 후에, 상기 유리 기판과 상기 실리콘을 포함하는 기판을 접합하고, 다이 본딩, 와이어 본딩, 및 몰딩 등의 일련의 조립 공정을 행하고 있다.
최근 들어, 원치수의 웨이퍼 상태에서 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판을 접합하여 조립 공정을 행한 후에 절단을 행하는 웨이퍼 레벨 패키지 기술이 각광을 받고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 웨이퍼 레벨 패키지에 사용하는 지지 유리 기판이 제안되어 있다.
국제 공개 제2015/037478호
유리 기판의 제조에 있어서는, 완전히 평탄한 유리는 양산 레벨에서는 제조하는 것이 어렵고, 굴곡을 가진 유리 기판이 제조되어 버린다는 문제가 있다. 웨이퍼 레벨 패키지에서는, 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판을 접합하여 적층 기판으로 하는 공정에 있어서, 유리 기판에 굴곡이 있으면, 상기 유리 기판과 상기 실리콘을 포함하는 기판 사이에 간극이 생겨 기포가 들어가기 쉽다는 문제가 생긴다.
그래서, 본 발명은, 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판을 접합하여 적층 기판으로 하는 공정에 있어서, 상기 유리 기판과 상기 실리콘을 포함하는 기판 사이에 기포가 생기기 어려운 유리 기판, 적층 기판, 적층 기판의 제조 방법, 적층체, 곤포체, 및 유리 기판의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 유리 기판은, 실리콘을 포함하는 기판과 적층됨으로써 적층 기판을 형성시키기 위한 유리 기판이며, 상기 유리 기판이 오목면과 볼록면을 갖고, 상기 오목면과 상기 볼록면을 식별할 수 있는 표시를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 적층 기판은, 상기 유리 기판의 볼록면과 실리콘을 포함하는 기판이 적층되어서 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 적층 기판의 제조 방법은, 상기 유리 기판의 볼록면 또는 오목면을 포함하는 곡면과, 실리콘을 포함하는 기판의 볼록면 또는 오목면을 포함하는 곡면을, 서로의 곡면이 모방하도록 접합하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 적층체는, 상기 적층 기판을 구성하는 유리 기판에 다른 유리 기판을 접합함으로써 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 곤포체는, 상기 유리 기판이 2매 이상 곤포되어 형성되고, 상기 유리 기판 중 하나의 유리 기판 볼록면이, 다른 하나의 유리 기판 오목면과 대향하도록 곤포되는 것을 특징으로 한다.
또는, 본 발명의 곤포체는, 상기 적층 기판이 2매 이상 곤포되어 형성되고, 상기 적층 기판 중 하나의 적층 기판을 구성하는 실리콘을 포함하는 기판이, 다른 하나의 적층 기판을 구성하는 유리 기판의 오목면과 대향하도록 곤포되는 것을 특징으로 한다.
또는, 본 발명의 곤포체는, 상기 적층체가 2매 이상 곤포되어 형성되고, 상기 적층체 중 하나의 적층체를 구성하는 실리콘을 포함하는 기판이, 다른 하나의 적층체를 구성하는 유리 기판의 오목면과 대향하도록 곤포되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유리 기판의 제조 방법은, 실리콘을 포함하는 기판과 적층됨으로써 적층 기판을 형성시키기 위한 유리 기판의 제조 방법이며,
유리 원료를 가열하여 용융 유리를 얻는 용해 공정과,
상기 용융 유리를 판형으로 하여 유리 리본을 얻는 성형 공정과,
상기 유리 리본을 서랭하는 서랭 공정과,
상기 유리 리본을 절단하여 유리 기판을 얻는 절단 공정과,
상기 유리 기판의 오목면과 볼록면을 판별하는 검사 공정과,
상기 오목면 상 및 상기 볼록면 상 중 적어도 한쪽에 표시를 하는 공정을 가짐으로써 상기 유리 기판을 얻는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유리 기판, 적층 기판, 적층 기판의 제조 방법, 적층체, 곤포체, 및 유리 기판의 제조 방법에 의하면, 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판을 접합하여 적층 기판으로 하는 공정에 있어서, 상기 유리 기판과 상기 실리콘을 포함하는 기판의 사이에 기포가 생기기 어렵다.
도 1의 (A) 및 도 1의 (B)는 실리콘을 포함하는 기판과 접합하는 본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판을 나타내며, 도 1의 (A)는 접합 전의 단면도, 도 1의 (B)는 접합 후의 단면도를 도시한다.
도 2의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판을 나타내며, 도 2의 (A)는 상면도, 도 2의 (B)는 하면도, 도 2의 (C)는 단면도를 도시한다.
도 3의 (A) 내지 (C)는 표시로서 노치를 형성한 유리 기판을 나타내며, 도 3의 (A)는 상면도, 도 3의 (B)는 하면도, 도 3의 (C)는 단면도를 도시한다.
도 4의 (A) 및 도 4의 (B)는 본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판을 접합하는 모습을 나타낸 단면도를 도시한다.
도 5의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판을 지지 부재에 의해 지지했을 때의 모습을 나타내며, 도 5의 (A)는 평면도, 도 5의 (B) 및 도 5의 (C)는 단면도를 도시한다.
도 6의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판을 지지 부재에 의해 지지했을 때 모습을 나타내며, 도 6의 (A)는 평면도, 도 6의 (B) 및 도 6의 (C)는 단면도를 도시한다.
도 7의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 제2 실시 형태의 유리 기판을 나타내며, 도 7의 (A)는 상면도, 도 7의 (B)는 하면도, 도 7의 (C)는 단면도를 도시한다.
도 8의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 제3 실시 형태의 유리 기판을 나타내며, 도 8의 (A)는 상면도, 도 8의 (B)는 하면도, 도 8의 (C)는 단면도를 도시한다.
도 9의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 제3 실시 형태의 유리 기판을 나타내며, 도 9의 (A)는 상면도, 도 9의 (B)는 하면도, 도 9의 (C)는 단면도를 도시한다.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 곤포체의 단면도를 도시한다.
도 11은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 곤포체의 단면도를 도시한다.
도 12의 (a) 및 도 12의 (b)는 적층 기판의 제조 공정에 있어서, 유리 기판의 곡면과 실리콘을 포함하는 기판의 곡면의 관계를 설명하기 위한 단면도를 도시한다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판에 대해 설명한다. 도 1의 (A) 및 도 1의 (B)는 실리콘을 포함하는 기판과 접합하는 본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판의 단면도이다.
도 1의 (A)에 표시되는 본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판(G1)은, 실리콘을 포함하는 기판(10)과, 수지(20)를 사이에 개재해서, 예를 들어 분위기 200℃ 내지 400℃의 온도로 접합되어, 도 1의 (B)에 표시되는 적층 기판(30)이 얻어진다.
실리콘을 포함하는 기판(10)으로서, 예를 들어 원치수의 웨이퍼(예를 들어 실리콘 웨이퍼)가 사용된다.
또한, 실리콘을 포함하는 기판(10)은, 소자가 형성된 웨이퍼, 웨이퍼로부터 소자를 잘라낸 칩(예를 들어 실리콘 칩)이 수지에 몰드된 기판 등이어도 되고, 실리콘 웨이퍼나 실리콘 칩 등의 실리콘 기판과, TGV 등의 유리 기판이나 수지 기판 등의 실리콘 기판 이외의 것을 포함해도 된다. 이 경우, 실리콘 기판과 유리 기판은, 예를 들어 구리 등에 의해 배선 접속된다.
수지(20)는, 예를 들어 200 내지 400℃의 온도를 견뎌낼 수 있는 것이다.
본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판은, 팬 아웃형의 웨이퍼 레벨 패키지용 지지 유리 기판으로서 적합하다. 또한, 웨이퍼 레벨 패키지에 의한 소자의 소형화가 유효한 MEMS, CMOS, CIS 등의 이미지 센서용의 유리 기판, 유리 인터포저(GIP)의 펀칭 기판 및 반도체 백그라인드용 서포트 유리로서 적합하다.
본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판은 굴곡이 없고, 하나의 주표면이 오목면이며, 대향하는 다른 하나의 주표면은 볼록면인 곡면을 갖는다.
또한, 본 발명에서 의미하는 볼록면 또는 오목면이란, SEMI 규격을 사용하여, 거시적인 곡면이 볼록면이나 오목면인지를 식별하는 것을 의미한다. 이것으로부터, 상기 제1 실시 형태의 유리 기판의 「굴곡이 없다」는 것은, 유리 기판에 미시적인 굴곡도 존재하지 않는다고 하는 것을 의미하는 것이 아니다.
본 발명에서 의미하는 볼록면 또는 오목면은, 구체적으로는, SEMI 규격의 BOW(MF534) 또는 WARP(MF657, MF1390)를 사용하여, 볼록면 또는 오목면을 식별하면 된다. 일정한 휨의 경우에는 BOW를 사용하면 되고, 굴곡이 존재하는 경우는 WARP을 사용하면 된다.
BOW는, 흡착 고정하지 않는 상태의 기판으로, 어느 지정된 기준면으로부터 기판 중심면의 거리로 나타낸다. 기준면측을 오목면이라 하고, 오목면과 반대측의 면을 볼록면으로 한다. 기준면은, 기판의 판 두께 중심선에서 결정된다.
WARP은, 흡착 고정하지 않는 상태의 기판으로, 어느 지정된 기준면에 대해, 기준면과 기판 중심면의 거리의 최댓값과 최솟값의 차로 나타낸다. 기준면은 최소 제곱법에 의해 결정되어, 그 최댓값과 최솟값의 차가 최소가 되도록 기판 중심면을 설정한다. 최댓값이 존재하는 측을 볼록면이라 하고, 최솟값이 존재하는 면을 오목면으로 한다.
거시적인 관점에 의하면, 볼록면은 오목하게 되는 역 휨이 없다. 또한, 볼록면의 곡률은, 적층 기판이 크게 휘지 않도록 작은 것이 바람직하다. 그 때문에, 실리콘을 포함하는 기판과 적층할 때에 어느 쪽이 오목면인지 볼록면인지를 판별하기 어렵고, 오목면과 볼록면을 식별할 수 있는 표시를 필요로 한다.
도 2의 (A) 내지 (C)는, 본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판(G1)을 나타내며, 도 2의 (A)는 상면도, 도 2의 (B)는 하면도, 도 2의 (C)는 단면도이다.
본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판(G1)은, 실리콘을 포함하는 기판과 적층됨으로써 적층 기판을 형성시키기 위한 유리 기판이며, 유리 기판(G1)이 오목면(G1A)과 볼록면(G1B)을 갖고, 오목면(G1A)과 볼록면(G1B)을 식별할 수 있는 표시를 갖는 것을 특징으로 한다. 오목면(G1A)과 볼록면(G1B)을 식별할 수 있는 표시를 가지면, 유리 기판(G1)의 오목면(G1A)과 볼록면(G1B)을 식별할 수 있고, 유리 기판(G1)과 실리콘을 포함하는 기판을 접합하여 적층 기판으로 하는 공정에 있어서, 유리 기판(G1)의 볼록면(G1B)과 실리콘을 포함하는 기판을 접합함으로써, 유리 기판(G1)과 실리콘을 포함하는 기판 사이에 기포가 생기기 어려워진다. 기포가 생기면, 적층 기판을 구성하는 실리콘을 포함하는 기판의 평탄도가 악화되고, 실리콘을 포함하는 기판을 연마하는 공정에 있어서, 실리콘을 포함하는 기판의 판 두께 편차가 커져서, 그 후의 공정에서 패터닝하기 어렵다. 또한, 적층 기판을 가열했을 때에 기포가 팽창하여, 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판이 박리되기 쉽다. 본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판(G1)은, 적층할 때에 유리 기판(G1)과 실리콘을 포함하는 기판 사이에 기포가 생기기 어렵다. 그 때문에, 적층 기판을 구성하는 실리콘을 포함하는 기판의 평탄도가 좋고, 실리콘을 포함하는 기판을 연마하는 공정에 있어서, 실리콘을 포함하는 기판의 판 두께 편차가 작아, 그 후의 공정에서 패터닝하기 쉽다. 또한, 적층 기판을 가열해도, 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판이 박리하기 어려워진다.
본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판(G1)은, 오목면(G1A)에 형성된, 오목면(G1A)과 볼록면(G1B)을 식별하는, 서로 형상이 상이한 2개의 표시(130, 140)와, 볼록면(G1B)에 형성된 오목면(G1A)과 볼록면(G1B)을 식별하는 오목면(G1A)의 2개의 표시(130, 140) 각각과 대향하는 위치에 대응하는 오목면(G1A)의 표시와 동일 형상인 2개의 표시(150, 160)를 포함하며, 볼록면(G1B)의 2개의 표시(150, 160)끼리를 볼록면(G1B) 상에서 최단이 되도록 연결한 선(L)이 볼록면(G1B) 상의 무게 중심(F)을 통과하지 않는 것이 바람직하다. 이것은, 후술하는 오목면(G1A) 및 볼록면(G1B)을 보다 확실하게 식별하기 위해서이다. 이와 같이, 표시(150, 160, 130, 140)에 의해 유리 기판(G1)의 오목면(G1A)과 볼록면(G1B)을 식별할 수 있다.
표시는, 예를 들어 도료여도 되고, 레이저 등에 의해 새겨져 오목해도 된다. 또한, "오목면(G1A)에 형성되는, 서로 형상이 상이한 2개의 표시(130, 140)와, 볼록면(G1B)에 형성되는, 오목면(G1A)의 2개의 표시(130, 140) 각각과 대향하는 위치에 대응하는 오목면(G1A)의 표시와 동일 형상인 2개의 표시(150, 160)를 포함"이라는 것은, 오목면(G1A)의 2개의 표시(130, 140)가 볼록면(G1B)에 관통하여 형성되고, 오목면(G1B)의 2개의 표시(150, 160)를 구성해도 되는 것을 의미한다. 이러한 표시로서, 레이저 등에 의해 형성된 관통 구멍, 유리 기판(G1)의 단부에 형성되는 노치나 오리엔테이션 플랫(이하, 오리플라라고 함) 등의 절결을 들 수 있다.
오리플라는 유리 기판의 단부를 원호상으로 잘라서 형성되는 절결이다. 노치는 유리 기판의 단부에 형성되는 V자형이나 U자형의 절결이다. 도 3의 (A) 내지 (C)는, 표시로서 노치를 형성한 유리 기판을 나타내며, 도 3의 (A)는 상면도, 도 3의 (B)는 하면도, 도 3의 (C)는 단면도이다.
절결은, 예를 들어 레이저에 의해, 유리 기판(G1)의 어느 위치에 있는지를 검출할 수 있다. 또한, 절결은, 카메라에 의해 유리 기판을 촬상하여 화상 해석을 행함으로써 검출해도 된다. 표시가 절결인 것에 의해, 실리콘을 포함하는 기판(10) 상에 회로 패턴을 형성할 때에, 절결에 맞춰서 실리콘을 포함하는 기판(10)의 위치나 각도를 특정할 수 있고, 회로 패턴의 치수 어긋남을 억제할 수 있다.
도 3의 (A) 내지 (C)와 같이, 절결이 노치라면, 유리 기판(G1)의 손실 면적이 적고, 실리콘을 포함하는 기판(10)과 접합하기 쉽다. 절결이 오리플라라면 절결이 형성되기 쉽고, 절결의 위치를 검출하기 쉽다.
표시는, 유리 기판(G1)의 단부로부터 20㎜ 이내의 영역에 있는 것이 바람직하다. 유리 기판(G1)의 단부로부터 20㎜ 이내의 영역이라면, 표시가 있어도 실리콘을 포함하는 기판에 형성되는 회로 패턴과 간섭하지 않는다. 표시의 위치는, 유리 기판(G1)의 단부로부터 10㎜ 이내의 영역에 있는 것이 더 바람직하고, 5㎜ 이내의 영역에 있는 것이 더욱 바람직하고, 유리 기판의 단부에 있는 것이 특히 바람직하다.
표시는, 유리 기판(G1)의 단면을 절결하여 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 표시로서, 상술한 노치나 오리플라 등을 들 수 있다.
여기서, 오목면(G1A)과 볼록면(G1B)의 식별 방법에 대해 설명한다. 예를 들어, 도 2의 (A)와 같이, 형상이 상이한 2개의 표시(150, 160)가 있고, 표시(150)는 표시(160)보다도 큰 것으로 한다. 여기에서는, 표시(150, 160)는 원형의 관통 구멍이며, 표시(150)와 표시(130), 표시(160)와 표시(140)는 각각 동일한 것으로 한다.
예를 들어, 볼록면(G1B)을 상면으로 한 도 2의 (A)에 있어서, 표시(150)로부터 유리 기판(G1)의 볼록면(G1B) 상의 무게 중심(F)에 대해 좌측 방향으로 180° 미만의 영역[도 2의 (a)의 θ가 180° 미만]에 표시(160)를 형성한다. 이 경우, 표시(150)로부터 유리 기판(G1)의 볼록면(G1B) 상의 무게 중심(F)에 대해 좌측 방향으로 180° 미만의 영역(θ가 180° 미만)에 표시(160)가 있으면 볼록면(G1B), 표시(150)로부터 유리 기판(G1)의 무게 중심(I)에 대해 좌측 방향으로 180°초과의 영역(θ가 180°초과)에 표시(160)가 있는 도 2의 (B)라면 오목면(G1A)인 것을 알 수 있다.
여기서, θ가 180°가 되는 위치에 표시(160)를 형성하면 오목면(G1A)과 볼록면(G1B)을 식별할 수 없다. θ가 180°가 되는 위치에 표시(160)가 형성될 때, 볼록면(G1B) 상의 2개의 표시(150, 160)끼리를 볼록면(G1B) 상에서 최단이 되도록 연결한 선은 볼록면(G1B) 상의 무게 중심(F)을 통과한다.
본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판(G1)은, 볼록면(G1B)의 2개의 표시(150, 160)끼리를 최단이 되도록 연결한 선이 볼록면 상의 무게 중심(F)을 통과하지 않는 것이 바람직하다. 이러한 표시(150, 160)를 형성함으로써 θ는 180°가 되지 않고, 오목면(G1A)과 볼록면(G1B)을 식별할 수 있다.
볼록면(G1B)의 2개의 표시(150, 160)끼리를 최단이 되도록 연결한 선이 볼록면 상의 무게 중심(F)으로부터 1㎜의 영역을 통과하지 않는 것이 바람직하고, 5㎜의 영역을 통과하지 않는 것이 더 바람직하고, 10㎜의 영역을 통과하지 않는 것이 더욱 바람직하다. 표시(150, 160)의 위치는, 예를 들어 카메라에 의해 유리 기판(G1)의 볼록면(G1B)을 촬상하여 화상 해석을 행함으로써 특정할 수 있다.
도 4의 (A) 내지 (B)는, 본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판과, 실리콘을 포함하는 기판을 접합하는 모습을 나타낸 단면도이다.
도 4의 (A)는, 유리 기판(G1)의 볼록면(G1B)이 접합면이 되도록 유리 기판(G1)이 수지(20)를 개재하여 실리콘을 포함하는 기판(10)과 접합되는 모습을 나타낸다. 이렇게 유리 기판(G1)과 실리콘을 포함하는 기판(10)이 접합되면, 유리 기판(G1)과 실리콘을 포함하는 기판(10) 사이에 간극이 생기기 어렵기 때문에 기포가 생기기 어렵다.
도 4의 (B)는 유리 기판(G1)의 볼록면(G1B)과 실리콘을 포함하는 기판(10)을 수지(20)를 개재하여 접합함으로써 형성된 적층 기판(30)이다. 이렇게 유리 기판(G1)과 실리콘을 포함하는 기판(10)을 접합함으로써 형성되는 적층 기판(30)은, 유리 기판(G1)과 실리콘을 포함하는 기판(10) 사이에 기포가 생기기 어렵다. 또한, 유리 기판(G1)과 실리콘을 포함하는 기판(10)에 잔류 응력이 발생되기 어려워, 깨짐이나 결함이 일어나기 어렵다. 또한, 배선에 응력이 발생되기 어려워, 배선이 단선되기 어렵다.
도 5의 (A) 내지 (C) 및 도 6의 (A) 내지 (C)는, 본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판을 지지 부재에 의해 지지했을 때의 모습을 나타낸다. 도 5의 (A) 및 도 6의 (A)는 평면도, 도 5의 (B) 및 도 5의 (C) 그리고 도 6의 (B) 및 도 6의 (C)는 단면도이다. 도 5의 (B) 및 도 6의 (B)는 볼록면(G1B)을 지지했을 때, 도 5의 (C) 및 도 6의 (C)는 오목면(G1A)을 지지했을 때의 단면도이다.
본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판(G1)은, 도 5의 (A)와 같이 지지 부재(110)에 의해 4점으로 지지되는 것이 바람직하다. 접촉 면적이 적어지는 것 등에 의해, 유리 기판(G1)을 보관 및 운반할 때에, 먼지 등에 의한 유리 기판(G1) 표면의 오염을 방지할 수 있다.
이 경우, 유리 기판(G1)은 자중에 의해 휘기 때문에, 도 5의 (B)와 같이 유리 기판(G1)의 볼록면(G1B)이 지지 부재(110)에 의해 지지되어서 보관 및 운반하면, 유리 기판(G1)이 휨에 따라 변형되기 쉽다. 한편으로, 도 5의 (C)와 같이 유리 기판(G1)의 오목면(G1A)이 지지 부재(110)에 의해 지지되어서 보관 및 운반하면, 유리 기판(G1)이 변형되기 어렵기 때문에 바람직하다.
유리 기판(G1)은, 도 6의 (A) 내지 (C)와 같이 지지 부재(120)에 의해 2변으로 지지되어도 된다. 유리 기판(G1)은 2변으로 지지됨으로써, 안정적으로 보관 및 운반할 수 있다. 또한, 유리 기판(G1)을 보관 및 운반할 때에, 먼지 등에 의한 유리 기판(G1) 표면의 오염을 방지할 수 있다. 도 6의 (C)와 같이, 유리 기판(G1)의 오목면(G1A)을 지지하는 것이, 유리 기판(G1)이 변형되기 어렵기 때문에, 더 바람직하다.
본 발명의 제1 실시 형태의 유리 기판(G1)은, 유리 기판(G1)을 수평면에 오목면(G1A)이 접하도록 두었을 때에, 유리 기판의 두께를 V(단위: ㎜), 볼록면(G1B)의 무게 중심과 수평면의 최단 거리를 U(단위: ㎜)로 했을 때에, U/V가 0.05 내지 50인 것이 바람직하다. U/V가 0.05 이상이면, 유리 기판(G1)과 실리콘을 포함하는 기판을 접합하여 적층 기판으로 하는 공정에 있어서, 유리 기판(G1)의 볼록면(G1B)과 실리콘을 포함하는 기판을 접합함으로써, 유리 기판(G1)과 실리콘을 포함하는 기판 사이에 기포가 생기기 어렵다. U/V는 1 이상인 것이 더 바람직하고, 5 이상인 것이 더욱 바람직하다. U/V가 50 이하에서는 유리 기판(G1)과 실리콘을 포함하는 기판을 접합하기 쉽다. U/V는 30 이하가 더 바람직하고, 10 이하가 더욱 바람직하다.
다음에, 본 발명의 제2 실시 형태의 유리 기판에 대해 설명한다.
도 7의 (A) 내지 (C)는, 본 발명의 제2 실시 형태의 유리 기판(G2)을 나타내고, 도 7의 (A)는 상면도, 도 7의 (B)는 하면도, 도 7의 (C)는 단면도이다.
본 발명의 제2 실시 형태의 유리 기판(G2)은, 오목면(G2A)과 볼록면(G2B)을 식별할 수 있는 표시가, 오목면(G2A)에 형성되고, 오목면(G2A) 상의 무게 중심으로부터의 거리가 서로 상이한 2개의 표시(230, 240)와, 볼록면(G2B)에 형성되고, 오목면(G2A)의 2개의 표시(230, 240) 각각과 대향하는 위치에 대응하는 오목면(G2A)의 표시(230, 240)와 동일 형상인 2개의 표시(210, 220)를 포함하고, 볼록면(G2B)의 2개의 표시(210, 220)끼리를 볼록면(G2B) 상에서 최단이 되도록 연결한 선(M)이 볼록면(G2B) 상의 무게 중심(J)을 통과하지 않는 것이 바람직하다. 이 조건을 충족하면, 표시(210, 220, 230, 240)에 의해 유리 기판(G2)의 오목면(G2A)과 볼록면(G2B)을 보다 확실하게 식별할 수 있다.
여기서, 오목면(G2A)과 볼록면(G2B)의 식별 방법에 대해 설명한다. 예를 들어, 도 7의 (A) 및 도 7의 (B)와 같이, 유리 기판(G2)의 오목면(G2A) 상에 오목면(G2A) 상의 무게 중심(K)으로부터의 거리(S, T)가 상이한 2개의 표시(230, 240)가 있고, 표시(230)는 표시(240)보다도 무게 중심(K)에 가까운 것으로 한다. 여기에서는, 표시(210, 220)는 원형의 관통 구멍이며, 표시(210)와 표시(230), 표시(220)와 표시(240)는 동일한 것으로 한다.
볼록면(G2B)을 상면으로 한 도 7의 (A)에 있어서, 표시(210)로부터 유리 기판(G2)의 무게 중심(J)에 대해 좌측 방향으로 180° 미만의 영역[도 7의 (A)의 θ가 180° 미만]에 표시(220)를 형성함으로써, 표시(210)로부터 유리 기판(G2)의 무게 중심(J)에 대해 좌측 방향으로 180° 미만의 영역(θ가 180° 미만)에 표시(220)가 있으면, 볼록면(G2B), 표시(210)로부터 유리 기판(G2)의 무게 중심(K)에 대해 좌측 방향으로 180°초과의 영역(θ가 180°초과)에 표시(220)가 있는 도 7의 (B)이면 오목면(G2A)인 것을 알 수 있다.
여기서, θ가 180°가 되는 위치에 표시(220)를 형성하면 오목면(G2A)과 볼록면(G2B)을 식별할 수 없다. 이 경우, 볼록면(G2B) 상의 2개의 표시(210, 220)끼리를 최단이 되도록 연결한 선은 볼록면(G2B) 상의 무게 중심(J)을 통과한다.
본 발명의 제2 실시 형태의 유리 기판(G2)은, 볼록면(G2B)의 2개의 표시(210, 220)끼리를 볼록면(G2B) 상에서 최단이 되도록 연결한 선이 볼록면 상의 무게 중심(J)을 통과하지 않는다. 이러한 표시(210, 220)를 형성함으로써 오목면(G2A)과 볼록면(G2B)을 식별할 수 있다.
볼록면(G2B)의 2개의 표시(210, 220)끼리를 볼록면(G2B) 상에서 최단이 되도록 연결한 선이 볼록면 상의 무게 중심(J)으로부터 1㎜의 영역을 통과하지 않는 것이 바람직하고, 5㎜의 영역을 통과하지 않는 것이 더 바람직하고, 10㎜의 영역을 통과하지 않는 것이 더욱 바람직하다. 표시(210, 220)의 위치는, 예를 들어 카메라에 의해 유리 기판(G2)의 볼록면(G2B)을 촬상하여 화상 해석을 행함으로써 특정할 수 있다.
다음에, 본 발명의 제3 실시 형태의 유리 기판에 대해 설명한다.
도 8의 (A) 내지 (C) 및 도 9의 (A) 내지 (C)는, 본 발명의 제3 실시 형태의 유리 기판(G3)을 나타내고, 도 8의 (A) 및 도 9의 (A)는 상면도, 도 8의 (B) 및 도 9의 (B)는 하면도, 도 8의 (C) 및 도 9의 (C)는 단면도이다.
본 발명의 제3 실시 형태의 유리 기판(G3)은, 오목면(G3A)과 볼록면(G3B)을 식별할 수 있는 표시가, 오목면(G3A) 또는 볼록면(G3B) 중 적어도 한쪽에 형성되는 표시이며, 오목면(G3A)의 표시와 볼록면(G3B)의 표시는, 서로의 표시, 수, 형상 및 무게 중심으로부터의 거리 중 적어도 하나가 상이한 것이 바람직하다.
도 8의 (A) 내지 (C)는, 오목면(G3A) 상의 표시와 볼록면(G3B) 상의 표시의 수가 상이하다. 표시의 수가 상이하다는 것은, 오목면(G3A) 상 또는 볼록면(G3B) 상의 어느 한쪽에 표시가 없을 경우도 포함한다. 도 8의 (A) 내지 (C)는, 오목면(G3A) 상에 표시(310)를 갖고, 볼록면(G3B) 상에 표시를 갖지 않는다. 오목면(G3A) 상의 표시와 볼록면(G3B) 상의 표시의 수가 상이하도록 표시를 형성함으로써, 미리 오목면(G3A) 상과 볼록면(G3B) 상에 각각 몇개의 표시를 형성하는지를 정해 두면, 오목면(G3A) 상의 표시와 볼록면(G3B) 상의 표시의 수를 측정함으로써, 오목면(G3A)과 볼록면(G3B)을 판별할 수 있다.
도 9의 (A) 내지 (C)는, 오목면(G3A) 상의 표시(330)와 볼록면(G3B) 상의 표시(320)의 형상과 무게 중심(R, O)으로부터의 거리(Q, P)가 상이하다. 오목면(G3A) 상의 표시(330)와 볼록면(G3B) 상의 표시(320)의 형상이 상이하도록 표시를 형성함으로써, 미리 오목면(G3A) 상과 볼록면(G3B) 상에 각각 어떠한 형상의 표시를 형성하는지를 정해 두면, 오목면(G3A) 상의 표시와 볼록면(G3B) 상의 표시의 형상을 측정함으로써, 오목면(G3A)과 볼록면(G3B)을 판별할 수 있다. 여기서, 오목면(G3A) 상과 볼록면(G3B) 상 중 적어도 한쪽에 2개 이상의 표시가 있는 경우에는, 모든 표시 중 적어도 하나의 형상이 다른 표시의 형상과 상이하면 된다.
또한, 오목면(G3A) 상의 표시(330)와 볼록면(G3B) 상의 표시(320)의 무게 중심(R, O)으로부터의 거리(Q, P)가 상이하도록 표시를 형성함으로써, 미리 오목면(G3A) 상과 볼록면(G3B) 상의 각각 어디에 표시를 형성할지를 정해 두면, 오목면(G3A) 상의 표시(330)와 볼록면(G3B) 상의 표시(320)의 무게 중심(R, O)으로부터의 거리(Q, P)를 측정함으로써, 오목면(G3A)과 볼록면(G3B)을 판별할 수 있다. 오목면(G3A) 상과 볼록면(G3B) 상의 적어도 한쪽에 2개 이상의 표시가 있는 경우에는, 모든 표시 중 적어도 하나의 표시의 무게 중심까지의 거리가 다른 표시의 무게 중심까지의 거리와 상이하면 된다.
이상 설명한 본 실시 형태의 유리 기판에 있어서는, 유리 기판의 오목면과 볼록면을 식별할 수 있는 것에 의해, 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판을 접합하는 공정에 있어서, 유리 기판의 볼록면을 분별하여 유리 기판의 볼록면과 실리콘을 포함하는 기판을 접합하도록 하고 있기 때문에, 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판 사이에 기포가 생기기 어렵다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 표시 중 적어도 하나가 오목한 것이 바람직하다. 표시가 오목한 것에 의해 형성됨으로써, 표시의 위치 검출이 용이하고, 유리 기판의 어느 쪽의 주표면이 볼록면인지가 용이하게 식별할 수 있다. 오목한 것은, 예를 들어 레이저에 의해 형성할 수 있다. 오목함의 형상, 크기, 개수는 한정되지 않는다. 원형, 타원형, 다각형 등, 어떤 형상이어도 되고, 문자나 기호여도 된다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 표시가 오목한 경우, 오목함의 깊이는 1 내지 50㎛인 것이 바람직하다. 오목함의 깊이가 1㎛ 이상이면, 오목함을 검출하기 쉽다. 오목함의 깊이는 3㎛ 이상인 것이 더 바람직하고, 4㎛ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 오목함의 깊이가 50㎛ 이하에서는 유리 기판이 깨지기 어렵다. 오목함의 깊이는 20㎛ 이하인 것이 더 바람직하고, 10㎛ 이하인 것이 더 바람직하다.
상기한 수치 범위를 나타내는 「내지」란, 그 전후에 기재된 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용되며, 특별히 정하지 않는 한, 이하 본 명세서에 있어서 「내지」는, 동일한 의미로 사용된다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 하나의 주표면의 면적이 70 내지 2000㎠인 것이 바람직하다. 유리 기판의 면적이 70㎠ 이상이면, 다수의 실리콘 소자를 포함하는, 실리콘을 포함하는 기판을 배치할 수 있어, 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판을 적층시키는 공정에 있어서 생산성이 향상된다. 유리 기판 중 하나의 주표면의 면적은 80㎠ 이상인 것이 더 바람직하고, 170㎠ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 300㎠ 이상인 것이 특히 바람직하고, 700㎠ 이상인 것이 가장 바람직하다. 유리 기판 중 하나의 주표면의 면적이 2000㎠ 이하이면 유리 기판의 취급이 용이해져, 실리콘을 포함하는 기판이나 주변 부재 등의 접촉에 의한 파손을 억제할 수 있다. 하나의 주표면의 면적은, 1700㎠ 이하인 것이 더 바람직하고, 1000㎠ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 800㎠ 이하인 것이 특히 바람직하고, 750㎠ 이하인 것이 가장 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 원형인 것이 바람직하다. 원형이면, 실리콘을 포함하는 기판과의 적층이 용이하다. 특히, 원형의 실리콘을 포함하는 기판과의 적층이 용이하다. 여기서, 원형이란 진원에 한하지 않고, 직경이 동일한 진원으로부터의 치수 차가 50㎛ 이하인 경우를 포함한다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 원형인 경우에 있어서, 직경은 7㎝ 이상인 것이 바람직하다. 직경이 7㎝ 이상이면, 다수의 실리콘 소자를 포함하는, 실리콘을 포함하는 기판을 배치할 수 있다. 또한, 직경이 7㎝ 이상인 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판을 접합함으로써 형성되는 적층 기판으로부터는, 많은 반도체 소자를 얻을 수 있어, 생산성이 향상된다. 직경은 10㎝ 이상이 더 바람직하고, 15㎝ 이상이 더욱 바람직하고, 20㎝ 이상이 특히 바람직하고, 25㎝ 이상이 가장 바람직하다.
직경은 50㎝ 이하인 것이 바람직하다. 직경이 50㎝ 이하에서는 유리 기판의 취급이 용이해져, 실리콘을 포함하는 기판이나 주변 부재 등의 접촉에 의한 파손을 억제할 수 있다. 직경은 45㎝ 이하가 더 바람직하고, 40㎝ 이하가 더욱 바람직하고, 35㎝ 이하가 특히 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 원형에 한하지 않고, 직사각형이어도 된다. 원형의 경우, 외주의 일부가 직선이어도 된다. 직사각형이면, 동일 면적의 원형 경우에 비하여, 실리콘을 포함하는 기판을 접합함으로써 형성되는 적층 기판으로부터는, 많은 반도체 소자를 얻을 수 있어, 생산성이 향상된다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 두께가 2.0㎜ 이하인 것이 바람직하다. 두께가 2.0㎜ 이하에서는 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판을 접합한 적층 기판을 박판화할 수 있다. 두께는, 1.5㎜ 이하인 것이 더 바람직하고, 1.0㎜ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.8㎜ 이하인 것이 특히 바람직하다.
두께는, 0.1㎜ 이상인 것이 바람직하다. 두께가 0.1㎜ 이상이면, 실리콘을 포함하는 기판이나 주변 부재 등의 접촉에 의한 파손을 억제할 수 있다. 또한, 유리 기판의 자중 휨을 억제할 수 있다. 두께는, 0.2㎜ 이상인 것이 더 바람직하고, 0.3㎜ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 판 두께 편차가 15㎛ 이하인 것이 바람직하다. 판 두께 편차는, 예를 들어 레이저 변위계에 의해 판 두께를 측정함으로써 산출된다. 판 두께 편차는 15㎛ 이하에서는 실리콘을 포함하는 기판의 접합면의 정합성이 좋기 때문에, 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판을 접합하기 쉽다. 판 두께 편차는, 12㎛ 이하가 더 바람직하고, 10㎛ 이하가 더욱 바람직하고, 5㎛ 이하가 특히 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 영률이 65GPa 이상인 것이 바람직하다. 영률은, 예를 들어 초음파 펄스법에 의해 측정된다. 영률이 65GPa 이상이면, 유리 기판을 제조할 때의 서랭 공정에 있어서 발생되는 유리 기판의 휨이나 깨짐을 억제할 수 있다. 또한, 실리콘을 포함하는 기판 등과의 접촉에 의한 파손을 억제할 수 있다. 영률은 70GPa 이상인 것이 더 바람직하고, 75GPa 이상인 것이 더욱 바람직하고, 80GPa 이상인 것이 특히 바람직하다.
영률은, 100GPa 이하인 것이 바람직하다. 영률이 100GPa 이하에서는 유리가 취성이 되는 것을 억제하고, 유리 기판의 절삭, 다이싱 시의 절결을 억제할 수 있다. 영률은 90GPa 이하인 것이 더 바람직하고, 87GPa 이하인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 50℃ 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수가 30 내지 140(×10-7/℃)인 것이 바람직하다. 실리콘을 포함하는 기판과 유리 기판을 접합하기 위해서는, 열처리 공정을 필요로 한다.
열처리 공정에서는, 예를 들어 200℃ 내지 400℃의 온도에서 실리콘을 포함하는 기판과 유리 기판을 접합한 적층 기판을 실온까지 강온시킨다. 이 때, 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판의 열팽창 계수에 차가 있으면, 열팽창률의 차이에 의해 실리콘을 포함하는 기판에 큰 잔류 왜곡(잔류 변형)이 발생하는 원인이 된다.
50℃ 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수가 30 내지 140(×10-7/℃)이면, 실리콘을 포함하는 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에서, 실리콘을 포함하는 기판에 발생하는 잔류 왜곡이 작다.
여기서, 50℃ 내지 350℃의 평균 열팽창 계수란, JIS R3102(1995년)로 규정되고 있는 방법으로 측정한, 열팽창 계수를 측정하는 온도 범위가 50℃ 내지 350℃인 평균 열팽창 계수이다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 팬 아웃형의 웨이퍼 레벨 패키지로서 사용하는 경우는, 유리 기판 상에 실리콘을 포함하는 기판이 적층되어, 유리 기판 및 실리콘을 포함하는 기판에 접하도록 수지가 형성된다. 50℃ 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수가 30 내지 50(×10-7/℃)이면, 열처리 공정에서 실리콘을 포함하는 기판에 발생하는 잔류 왜곡이 작다.
50℃ 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수는 31 내지 50(×10-7/℃)이어도 되고, 32 내지 40(×10-7/℃)이어도 되고, 32 내지 36(×10-7/℃)이어도 되고, 34 내지 36(×10-7/℃)이어도 된다.
또한, 50℃ 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수가 50 내지 80(×10-7/℃)이라면, 열처리 공정에서 실리콘을 포함하는 기판과 수지에 발생하는 잔류 왜곡이 작아진다.
50℃ 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수는 60 내지 75(×10-7/℃)이어도 되고, 67 내지 72(×10-7/℃)여도 된다.
또한, 50℃ 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수가 80 내지 120(×10-7/℃)이라면, 수지나 배선에 발생하는 잔류 왜곡이 작다. 50℃ 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수는 85 내지 100(×10-7/℃)이어도 되고, 90 내지 95(×10-7/℃)여도 된다.
50℃ 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수가 120 내지 140(×10-7/℃)이라면, 팬 아웃형의 웨이퍼 레벨 패키지 중 수지의 비율이 많이 높은 평균 열팽창 계수를 갖는 기판에 발생하는 잔류 왜곡이 작다.
50℃ 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수는 120 내지 135(×10-7/℃)이어도 되고, 125 내지 130(×10-7/℃)이어도 된다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 유리 기판의 오목면 또는 볼록면 중 적어도 한쪽에 차광막이 형성되는 것이 바람직하다. 유리 기판의 오목면 또는 볼록면 중 적어도 한쪽에 차광막이 형성됨으로써, 유리 기판이나 적층 기판의 검사 공정에 있어서, 유리 기판이나 적층 기판의 위치를 검출하기 쉽다. 위치는 유리 기판이나 적층 기판에 광을 조사하는 것에 의한 반사광으로 특정된다. 유리 기판은 광을 투과하기 쉽기 때문에, 유리 기판의 주표면에 차광막을 형성함으로써 반사광이 강해져, 위치를 검출하기 쉽다. 차광막은 Ti를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 알칼리 금속 산화물을 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 0 내지 0.1％ 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 알칼리 금속 산화물은, Li2O, Na2O, K2O 등이다. 알칼리 금속 산화물의 함유량이 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 0.1％ 이하에서는 실리콘을 포함하는 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에 있어서, 알칼리 이온이 실리콘 기판에 확산하기 어렵다.
알칼리 금속 산화물의 함유량은, 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 0.05％ 이하인 것이 더 바람직하고, 0.02％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 실질적으로 포함하지 않는 것이 특히 바람직하다. 여기서, 알칼리 금속 산화물을 실질적으로 포함하지 않는다는 것은, 알칼리 금속 산화물을 전혀 포함하지 않음, 또는 알칼리 금속 산화물을 제조상 불가피적으로 혼입된 불순물로서 포함해도 됨을 의미한다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 밀도가 2.60g/㎤ 이하인 것이 바람직하다. 밀도가 2.60g/㎤ 이하에서는 유리 기판이 경량이다. 또한, 유리 기판이 자중에 의해 휘기 어렵다. 밀도는 2.55g/㎤ 이하인 것이 더 바람직하고, 2.50g/㎤ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
밀도는, 2.20g/㎤ 이상인 것이 바람직하다. 밀도가 2.20g/㎤ 이상이면, 유리의 비커스 경도가 높아져, 유리 표면에 흠집이 생기기 어렵다. 밀도는 2.30g/㎤ 이상인 것이 더 바람직하고, 2.40g/㎤ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 2.45g/㎤ 이상인 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 파장 250㎚의 투과율이 10％ 이상인 것이 바람직하다. 자외선이 유리 기판을 통하여 수지에 조사됨으로써, 유리 기판이 적층 기판으로부터 박리된다. 유리 기판의 파장 250㎚의 투과율이 10％ 이상이면, 수지에 조사되는 자외선이 많아지고, 유리 기판이 적층 기판으로부터 용이하게 박리된다. 파장 250㎚의 투과율은 15％ 이상인 것이 더 바람직하고, 20％ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 파장 300㎚의 투과율이 45％ 이상인 것이 바람직하다. 유리 기판의 파장 300㎚의 투과율이 45％ 이상이면, 수지에 조사되는 자외선이 많아지고, 유리 기판이 적층 기판으로부터 용이하게 박리된다. 파장 300㎚의 투과율은 50％ 이상인 것이 더 바람직하고, 55％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 60％ 이상인 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 파장 350㎚의 투과율이 45％ 이상인 것이 바람직하다. 유리 기판의 파장 350㎚의 투과율이 45％ 이상이면, 수지에 조사되는 자외선이 많아지고, 유리 기판이 적층 기판으로부터 용이하게 박리된다. 파장 350㎚의 투과율은 50％ 이상인 것이 더 바람직하고, 55％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 60％ 이상인 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 긴 직경 200㎛ 이상인 기포나 이물 등의 결점이 10pcs/㎠ 이하인 것이 바람직하다. 긴 직경 200㎛ 이상인 결점이 10pcs/㎠ 이하라면 접합 공정으로 조사하는 광이 차단되지 않고, 접합하기 쉽다. 긴 직경 200㎛ 이상인 결점은 2pcs/㎠ 이하인 것이 더 바람직하고, 긴 직경 200㎛ 이상인 결점은 없는 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 유리 기판의 볼록면과 실리콘을 포함하는 기판을 접합함으로써 적층 기판을 형성하는 것이 바람직하다. 그렇게 적층 기판을 형성함으로써, 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판을 접합하는 공정에 있어서, 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판 사이에 기포가 생기기 어렵다. 또한, 유리 기판의 오목면이 지지 부재에 의해 지지되도록 적층 기판을 보관 및 운반함으로써, 적층 기판이 변형되기 어렵다.
지지 부재는 고정식에 한정되지 않고, 가동식이어도 된다. 가동식의 지지 부재에서 유리 기판 및 적층 기판을 지지함으로써, 유리 기판 및 적층 기판의 표면을 오염시키지 않고 유리 기판 및 적층 기판을 운반할 수 있다. 또한, 가동식의 지지 부재에서 유리 기판 및 적층 기판의 오목면을 지지함으로써, 유리 기판 또는 적층 기판의 변형을 억제하면서 운반할 수 있다.
다음에, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 적층 기판에 대해 설명한다.
본 발명의 일 실시 형태의 적층 기판은, 상기 유리 기판의 볼록면과 실리콘을 포함하는 기판을 접합함으로써 형성된다. 상기 유리 기판의 볼록면과 실리콘을 포함하는 기판을 접합함으로써 형성되기 때문에, 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판 사이에 기포가 생기기 어렵다.
계속해서, 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 적층 기판에 대해 설명한다.
본 발명의 다른 실시 형태의 적층 기판은, 상기 유리 기판의 볼록면 또는 오목면을 포함하는 곡면과, 실리콘을 포함하는 기판의 볼록면 또는 오목면을 포함하는 곡면이, 서로 모방하도록 접합되어서 이루어진다. 여기에서 「서로 모방한다」는 것은, 유리 기판의 곡면과 실리콘을 포함하는 기판의 곡면, 즉 휨의 방향이 동일한 방향을 향하고 있는 것을 의미한다.
도 12는, 적층 기판의 제조 공정에 있어서, 유리 기판의 곡면과 실리콘을 포함하는 기판의 곡면의 관계를 설명하기 위한 단면도를 나타내는 것이다.
도 12의 (a)의 실시 형태에서는, 유리 기판(G1)의 볼록면을 포함하는 곡면과, 실리콘을 포함하는 기판(10)의 오목면을 포함하는 곡면이, 서로 모방하도록 접합되어 있다. 이에 의해, 유리 기판(G1)과 실리콘을 포함하는 기판(10)의 접착 불균일의 저감; 접합 시의 기포 빠짐의 개선; 전체의 휨 정도의 저감; 층간에 있어서의 잔류 응력의 저감; 및 경화 후의 적층 기판에 있어서의 계면의 잔류 응력 분포의 균일화를 도모할 수 있고, 수율 및 신뢰성이 향상된다. 또한, 이 후의 공정에서의 계면간에서의 박리 불량 등에 의한 수율 저하도 방지할 수 있음과 함께, 최종 공정의 다이싱 프로세스로 제작된 칩 제품에 있어서의 신뢰성도 향상된다.
이에 반하여, 도 12의 (b)는 유리 기판(G1)과 실리콘을 포함하는 기판(10)의 오목면끼리가 대향하도록 접합되어 있는 형태이다. 이 형태에서는, 계면간에 있어서의 잔류 응력 분포가 불균일해지고, 또한 국소적으로 잔류 응력의 큰 개소가 점재해 버려, 박리 불량을 유발해 버림과 함께, 칩 제품간에서 신뢰성에 변동이 발생한다.
따라서, 본 발명의 적층 기판을 제조하기 위해서는, 유리 기판(G1)의 볼록면 또는 오목면을 포함하는 곡면과, 실리콘을 포함하는 기판(10)의 볼록면 또는 오목면을 포함하는 곡면을, 서로의 곡면이 모방하도록 접합하는 공정을 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 적층 기판에 있어서, 유리 기판(G1)과 실리콘을 포함하는 기판(10)의 휨의 차이, 즉 유리 기판(G1)과 실리콘을 포함하는 기판(10)을 중첩했을 때의 기판 평면 방향과 직교 방향으로 형성되는 공극부의 최대 치수는, 0 내지 400㎛인 것이 바람직하고, 0 내지 100㎛인 것이 더욱 바람직하다. 이 범위 내이면, 상기 각 효과를 양호하게 발휘할 수 있다.
또한, 본 발명의 적층 기판에 있어서, 유리 기판(G1)은 플로트법으로 성형된 것이 바람직하다. 플로트법으로 성형된 유리 기판은, 중심 대칭의 공기형의 휨 형상이 되고, 안장형 등의 랜덤한 휨형 형상이 되기 쉬운 퓨전법으로 성형된 유리 기판과 비교하여, 접합 시의 모방하는 방향이 균일해지기 쉽고 품질 안정에 공헌하기 쉽다. 또한, 상술한 바와 같이 SEMI 규격을 사용하여 「굴곡이 없다」라고 판단된 경우는 퓨전법으로 성형된 유리 기판이어도 양호하게 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 적층 기판의 제조 방법에서는, 실리콘을 포함하는 기판의 곡면 형상을 미리 예측하고, 예측된 상기 곡면의 형상과, 상기 유리 기판의 곡면 형상이, 서로 모방하도록 접합하는 공정을 갖는 것이 더욱 바람직하다. 예를 들어, 팬 아웃형의 웨이퍼 레벨 패키지 등의 제조에서는, 실리콘을 포함하는 기판과 그 이외의 수지 등의 재료의 하이브리드가 되고, 제조 공정이 흘러 가는 중에서 휨의 방향이 제품에 따라 결정되는 경우가 많다. 따라서, 이러한 실리콘을 포함하는 기판이 제조 공정에서 어떤 휨을 형성하는 것인지, 미리 예측하고, 예측된 휨의 형상과, 유리 기판의 휨 형상이, 서로 모방하도록 접합하면, 제조 공정 후의 적층 계면에 발생되는 잔류 응력을 균일화 및 저감시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태의 적층 기판은, 두께가 0.5 내지 3㎜인 것이 바람직하다. 두께가 0.5㎜ 이상이면, 적층 기판의 강도가 강해지고, 주변 부재 등의 접촉에 의한 파손을 억제할 수 있다. 두께는, 1.0㎜ 이상이 더 바람직하고, 1.3㎜ 이상이 더욱 바람직하다. 두께가 3㎜ 이하라면 박판화할 수 있다. 두께는, 2.5㎜ 이하가 더 바람직하고, 2.0㎜ 이하가 더욱 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 적층 기판은, 실리콘을 포함하는 기판에 절결을 갖고 있어도 된다. 실리콘을 포함하는 기판에 절결을 갖으면, 실리콘을 포함하는 기판 상에 회로 패턴을 형성할 때에, 절결에 의해 실리콘을 포함하는 기판의 위치나 각도를 특정할 수 있고, 회로 패턴의 치수 어긋남을 억제할 수 있다. 절결은, 예를 들어 레이저에 의해, 실리콘을 포함하는 기판의 어느 위치에 있는지를 검출할 수 있다. 또한, 절결은 카메라에 의해 유리 기판을 촬상하여 화상 해석을 행함으로써 검출해도 된다.
본 발명의 일 실시 형태의 적층 기판은, 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판에 절결을 갖고, 유리 기판의 절결과 실리콘을 포함하는 기판의 절결이 중첩되도록 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판이 접합되어서 형성되는 것이 바람직하다. 그렇게 적층 기판이 형성되면, 실리콘을 포함하는 기판의 절결의 위치가 검출되기 쉽고, 회로 패턴의 치수 어긋남을 억제하기 쉽다.
예를 들어, 레이저를 실리콘을 포함하는 기판에 대도 절결을 검출할 수 있고, 유리 기판에 대도 절결을 검출할 수 있다. 절결이 노치라면, 유리 기판이나 실리콘 기판의 손실 면적이 적고, 유리 기판과 실리콘을 포함하는 기판을 접합하기 쉽다. 또한, 실리콘을 포함하는 기판의 손실 면적이 적기 때문에, 실리콘을 포함하는 기판 상에 회로를 많이 형성할 수 있다. 절결이 오리플라이면, 절결이 형성하기 쉽고, 절결의 위치를 검출하기 쉽다.
본 발명의 일 실시 형태의 적층 기판은, 하나의 적층 기판을 구성하는 유리 기판의 오목면과, 다른 하나의 적층 기판을 구성하는 실리콘을 포함하는 기판을 접합함으로써 형성되어도 된다. 2개의 적층 기판이 접합되어 있어도 되며, 3개의 적층 기판이 접합되어 있고도 되고, 4개 이상의 적층 기판이 접합되어 있어도 된다. 이렇게 형성되는 적층 기판은, 잔류 응력이 발생되기 어렵고, 깨짐이나 결함이 일어나기 어렵다.
본 발명의 일 실시 형태의 적층 기판은, 유리 기판의 오목면이 지지 부재에 의해 4점으로 지지되는 것이 바람직하다. 유리 기판의 오목면이 지지 부재에 의해 4점으로 지지됨으로써, 유리 기판 또는 적층 기판의 표면이 먼지 등에 의해 오염되기 어렵다.
본 발명의 일 실시 형태의 적층 기판은, 유리 기판의 오목면이 지지 부재에 의해 2변으로 지지되어도 된다. 유리 기판의 오목면이 지지 부재에 의해 2변으로 지지됨으로써, 안정적으로 보관 및 운반할 수 있다. 또한, 적층 기판의 표면이 먼지 등에 의해 오염되기 어렵다.
다음에, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 적층체에 대해 설명한다.
본 발명의 일 실시 형태의 적층체는, 상기 적층 기판을 구성하는 유리 기판에 다른 유리 기판을 접합함으로써 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 일 실시 형태의 적층 기판을, 예를 들어 반도체 백그라인드용 서포트 유리로서 사용하는 경우에 있어서, 적층 기판을 구성하는 유리 기판은 1매이므로, 유리 기판의 두께를 조정하기 위해서는 연마할 필요가 있다.
본 발명의 일 실시 형태의 적층체는, 적층 기판을 구성하는 유리 기판에 다른 유리 기판을 접합함으로써 형성되어 있기 때문에, 유리 기판을 연마하지 않아도 다른 유리 기판을 박리함으로써, 두께를 조정할 수 있다. 또한, 임의의 두께의 유리 기판의 휨량은, 해당 유리 기판의 절반 두께 유리 기판을 2매 적층한 적층 기판의 휨량보다도 크다. 유리 기판의 두께와 유리 기판의 적층 매수를 조정함으로써, 적층 기판의 휨량을 조정할 수 있다.
다음에, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 곤포체에 대해 설명한다.
도 10은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 곤포체(500)의 단면도이다. 본 발명의 일 실시 형태의 곤포체(500)는, 상기 유리 기판이 2매 이상 곤포되어 형성되고, 상기 유리 기판 중 하나의 유리 기판(G5)의 볼록면(G5B)이, 다른 하나의 유리 기판(G6)의 오목면(G6A)과 대향하도록 곤포된다.
도 11은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 곤포체(600)의 단면도이다. 본 발명의 일 실시 형태의 곤포체(600)는, 상기 적층 기판이 2매 이상 곤포되어 형성되고, 상기 적층 기판 중 하나의 적층 기판(610)을 구성하는 실리콘을 포함하는 기판(640)이, 다른 하나의 적층 기판(620)을 구성하는 유리 기판(G8)의 오목면(G8A)과 대향하도록 곤포된다.
또는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 곤포체는, 상기 적층체가 2매 이상 곤포되어 형성되고, 상기 적층체의 하나의 적층체를 구성하는 실리콘을 포함하는 기판이, 다른 하나의 적층체를 구성하는 유리 기판의 오목면과 대향하도록 곤포된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 곤포체는, 곤포체를 형성하는 유리 기판, 적층 기판 또는 적층체는 2개여도 되고, 3개여도 되고, 2개 이상이면 몇개여도 된다. 이렇게 형성되는 곤포체는, 유리 기판의 볼록면 및 오목면의 방향이 정렬되기 때문에, 곤포체를 구성하는 유리 기판, 적층 기판 또는 적층체끼리의 간격을 작게 할 수 있고, 곤포체의 크기를 작게 할 수 있다.
그 결과, 유리 기판의 볼록면 및 오목면의 방향이 정렬되어 있는 곤포체는, 유리 기판의 볼록면 및 오목면의 방향이 정렬되지 않은 동일한 크기의 곤포체와 비교하여, 보다 많은 적층 기판을 곤포할 수 있다.
또한, 예를 들어 가동식의 지지 부재에 의해 유리 기판, 적층 기판 또는 적층체를 지지하여 반송하는 경우에, 유리 기판의 볼록면 및 오목면의 방향이 정렬되기 때문에, 지지 부재에 의해 유리 기판의 오목면을 지지하기 쉽게 유리 기판, 적층 기판 또는 적층체의 변형을 억제하면서 적층 기판을 운반할 수 있다. 또한, 유리 기판의 볼록면 및 오목면의 방향이 정렬되기 때문에, 실리콘을 포함하는 기판에 대한 성막을 행하는 면을 정렬시킬 수 있고, 성막에 의한 막 두께 분포를 제어하기 쉽다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 곤포체는, 유리 기판의 오목면이 지지 부재에 의해 4점으로 지지되는 것이 바람직하다. 유리 기판의 오목면이 지지 부재에 의해 4점으로 지지됨으로써, 유리 기판 또는 적층 기판의 표면이 먼지 등에 의해 오염되기 어렵다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 곤포체는, 곤포체를 용기에 저장하고 있어도 된다. 용기에 저장하면, 곤포체가 먼지 등에 의해 오염되기 어렵다.
다음에, 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판의 제조 방법에 대해 설명한다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판을 제조하는 경우, 용해, 청징, 성형, 서랭, 절단, 검사, 표시를 하는 공정을 갖는다.
용해 공정은, 유리 기판이 원하는 조성이 되도록 원료를 조제하고, 해당 원료를 용해로에 연속적으로 투입하고, 바람직하게는 1400 내지 1650℃ 정도로 가열하여 용융 유리를 얻는다.
청징 공정으로서, 본 발명에서의 유리 기판은, 청징제로서 SO3이나 SnO2를 사용할 수 있다. 또한, 감압에 의한 탈포법을 적용해도 된다.
성형 공정으로서, 용융 유리를 용융 금속 위로 흘려서 판형으로 하여 유리 리본을 얻는 플로트법이 적용된다.
서랭 공정으로서, 유리 리본을 서랭한다.
절단 공정으로서, 유리판에 잘라낸 후, 소정의 형상, 크기로 절단함으로써 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판을 얻는다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판의 제조 방법에서는, 예를 들어 성형 공정 및 서랭 공정에 있어서, 유리 리본의 하나의 주표면 온도와 다른 주표면의 온도차가 크면 휘기 쉽다.
검사 공정으로서, 예를 들어 레이저 변위계에 의해 유리 기판 중 하나의 주표면이 오목면일지 볼록면일지가 식별된다.
표시를 하는 공정으로서, 유리 기판의 오목면 및 볼록면 중 적어도 한쪽에 표시가 형성된다. 오목함은, 예를 들어 레이저에 의해 형성된다. 레이저를 주사함으로써 원하는 형상의 오목함이 형성된다. 기호나 문자가 형성되어도 된다. 노치나 오리플라는, 예를 들어 커터나 레이저에 의해 절선을 형성하고, 할단함으로써 형성된다.
유리 기판에 형성된 표시는, 예를 들어 카메라에 의해 유리 기판을 촬상하여 화상 해석을 행함으로써 검출되어, 유리 기판의 오목면과 볼록면이 식별된다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판을 제조하는 경우, 성형 공정에서, 퓨전법이나 롤 아웃법, 프레스 성형법 등을 적용하여 용융 유리를 판형으로 해도 된다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판을 제조하는 경우, 백금 도가니를 사용해도 된다. 백금 도가니를 사용한 경우, 용해 공정은, 얻어지는 유리 기판의 조성이 되도록 원료를 조제하고, 원료를 넣은 백금 도가니를 전기로에 투입하고, 바람직하게는 1450 내지 1650℃ 정도로 가열하여 백금 교반기를 삽입해 1 내지 3시간 교반해 용융 유리를 얻는다.
청징 공정은, 청징제로서 SO3이나 SnO2를 사용할 수 있다. 또한, 감압에 의한 탈포법을 적용해도 된다. 감압에 의한 탈포법에 있어서의 청징제로서는 Cl이나 F 등의 할로겐을 사용하는 것이 바람직하다. 성형 공정은, 용융 유리를 예를 들어 카본 판형에 흘려내 판형으로 한다. 서랭 공정은, 판형의 유리를 실온 상태까지 서랭하여, 절단한 후, 유리 기판을 얻는다.
이상, 본 발명을 상기 구체예에 기초하여 상세하게 설명했지만, 본 발명은 상기 구체예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 범주를 일탈하지 않는 한에 있어서 모든 변형이나 변경이 가능하다. 또한, 본 출원은, 2015년 7월 24일자로 출원된 일본 특허 출원(일본 특허 출원 제2015-147249호) 및 2015년 12월 28일자로 출원된 일본 특허 출원(일본 특허 출원 제2015-256895호)의 기재에 기초하고 있고, 그 전체가 원용된다. 또한, 당해에 본 출원에서 인용되는 모든 내용은, 참조 사항으로서 본 출원에 도입된다.
10: 실리콘을 포함하는 기판
20: 수지
30: 적층 기판
G1: 유리 기판

Claims (22)

  1. 실리콘을 포함하는 기판과 적층됨으로써 적층 기판을 형성시키기 위한 유리 기판이며, 상기 유리 기판이 오목면과 볼록면을 갖고, 상기 오목면과 상기 볼록면을 식별할 수 있는 표시를 갖는, 유리 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 오목면과 상기 볼록면을 식별할 수 있는 표시는, 상기 오목면에 형성되고, 서로 형상이 상이한 2개의 표시와, 상기 볼록면에 형성되고, 상기 오목면의 2개의 표시 각각과 대향하는 위치에 대응하는 상기 오목면의 표시와 동일 형상인 2개의 표시를 포함하고,
    상기 볼록면의 2개의 표시끼리를 상기 볼록면 상에서 최단이 되도록 연결한 선이 상기 볼록면 상의 무게 중심을 통과하지 않는, 유리 기판.
  3. 제1항에 있어서, 상기 오목면과 상기 볼록면을 식별할 수 있는 표시는, 상기 오목면에 형성되는, 상기 오목면 상의 무게 중심으로부터의 거리가 서로 상이한 2개의 표시와, 상기 볼록면에 형성되는, 상기 오목면의 2개의 표시 각각과 대향하는 위치에, 대응하는 상기 오목면의 표시와 동일 형상인 2개의 표시를 포함하고,
    상기 볼록면의 2개의 표시끼리를 상기 볼록면 상에서 최단이 되도록 연결한 선이 상기 볼록면 상의 무게 중심을 통과하지 않는, 유리 기판.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 오목면의 표시와 상기 볼록면의 표시가 관통 구멍인, 유리 기판.
  5. 제1항에 있어서, 상기 오목면과 상기 볼록면을 식별할 수 있는 표시는, 상기 오목면 및 상기 볼록면 중 적어도 한쪽에 형성되는 표시이며,
    상기 오목면의 표시와 상기 볼록면의 표시는, 서로의 표시, 수, 형상 및 무게 중심으로부터의 거리 중 적어도 하나가 다른, 유리 기판.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표시는 상기 유리 기판의 단면 절결인, 유리 기판.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 주표면의 면적이 70 내지 2000㎠인, 유리 기판.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 주표면 형상이 원형인, 유리 기판.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 영률이 65GPa 이상인, 유리 기판.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 알칼리 금속 산화물을 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 0 내지 0.1％ 포함하는, 유리 기판.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 판 두께 편차가 15㎛ 이하인, 유리 기판.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 오목면 또는 상기 볼록면 중 적어도 한쪽에 차광막을 갖는, 유리 기판.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 유리 기판의 볼록면과 실리콘을 포함하는 기판을 접합함으로써 형성되는, 적층 기판.
  14. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 유리 기판의 볼록면 또는 오목면을 포함하는 곡면과, 실리콘을 포함하는 기판의 볼록면 또는 오목면을 포함하는 곡면이, 서로 모방하도록 접합되어서 이루어지는, 적층 기판.
  15. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 유리 기판의 볼록면 또는 오목면을 포함하는 곡면과, 실리콘을 포함하는 기판의 볼록면 또는 오목면을 포함하는 곡면을, 서로의 곡면이 모방하도록 접합하는 공정을 갖는, 적층 기판의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 실리콘을 포함하는 기판의 곡면의 형상을 미리 예측하고, 예측된 상기 곡면의 형상과, 상기 유리 기판의 곡면의 형상이, 서로 모방하도록 접합하는 공정을 갖는, 적층 기판의 제조 방법.
  17. 제13항 또는 제14항에 기재된 적층 기판을 구성하는 유리 기판에 다른 유리 기판이 접합되어서 이루어지는, 적층체.
  18. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 유리 기판이 2매 이상 곤포되어 형성되고, 상기 유리 기판 중 하나의 유리 기판의 볼록면이, 다른 하나의 유리 기판의 오목면과 대향하도록 곤포되는, 곤포체.
  19. 제13항 또는 제14항에 기재된 적층 기판이 2매 이상 곤포되어 형성되고, 상기 적층 기판 중 하나의 적층 기판을 구성하는 실리콘을 포함하는 기판이, 다른 하나의 적층 기판을 구성하는 유리 기판의 오목면과 대향하도록 곤포되는, 곤포체.
  20. 제17항에 기재된 적층체가 2매 이상 곤포되어 형성되고, 상기 적층체의 하나의 적층체를 구성하는 실리콘을 포함하는 기판이, 다른 하나의 적층체를 구성하는 유리 기판의 오목면과 대향하도록 곤포되는, 곤포체.
  21. 제18항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유리 기판의 오목면이 지지 부재에 의해 4점으로 지지되는, 곤포체.
  22. 실리콘을 포함하는 기판과 적층됨으로써 적층 기판을 형성시키기 위한 유리 기판의 제조 방법이며,
    유리 원료를 가열하여 용융 유리를 얻는 용해 공정과,
    상기 용융 유리를 판형으로 하여 유리 리본을 얻는 성형 공정과,
    상기 유리 리본을 서랭하는 서랭 공정과,
    상기 유리 리본을 절단하여 유리 기판을 얻는 절단 공정과,
    상기 유리 기판의 오목면과 볼록면을 판별하는 검사 공정과,
    상기 오목면 및 상기 볼록면 중 적어도 한쪽에 표시를 하는 공정,
    을 가짐으로써 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 유리 기판을 얻는, 유리 기판의 제조 방법.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017124625A1 (de) 2016-12-22 2018-06-28 Schott Ag Dünnglassubstrat, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung
JP7276644B2 (ja) * 2017-08-31 2023-05-18 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板
WO2020185020A1 (ko) * 2019-03-12 2020-09-17 에스케이씨 주식회사 유리를 포함하는 기판의 적재 카세트 및 이를 적용한 기판의 적재방법
WO2020185021A1 (ko) 2019-03-12 2020-09-17 에스케이씨 주식회사 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치
WO2020208985A1 (ja) * 2019-04-08 2020-10-15 株式会社村田製作所 接合基板の製造方法
CN114222722B (zh) * 2019-07-29 2024-02-23 Ａｇｃ株式会社 支承玻璃基板
WO2021108069A1 (en) * 2019-11-25 2021-06-03 Corning Incorporated Glass articles having surface features and methods of making the same
JP2023127000A (ja) * 2020-08-06 2023-09-13 Ａｇｃ株式会社 積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法
CN116745243A (zh) * 2020-12-23 2023-09-12 Ａｇｃ株式会社 玻璃基板和玻璃基板的制造方法
CN112978087B (zh) * 2021-02-22 2022-07-12 惠州市华星光电技术有限公司 显示面板包装组合

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4061228A (en) * 1976-12-20 1977-12-06 Fluoroware, Inc. Shipping container for substrates
JPH0624199B2 (ja) * 1982-07-30 1994-03-30 株式会社日立製作所 ウエハの加工方法
JPS6088536U (ja) * 1983-11-24 1985-06-18 住友電気工業株式会社 化合物半導体ウエハ
JPS6088535U (ja) * 1983-11-24 1985-06-18 住友電気工業株式会社 半導体ウエハ
JPH0726086Y2 (ja) * 1990-02-28 1995-06-14 ホーヤ株式会社 プラスチック多焦点眼鏡レンズ用モールド
JP3274190B2 (ja) * 1992-09-26 2002-04-15 株式会社東芝 半導体エピタキシャル基板の製造方法
US5876819A (en) * 1995-02-17 1999-03-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Crystal orientation detectable semiconductor substrate, and methods of manufacturing and using the same
JPH10256105A (ja) * 1997-03-11 1998-09-25 Super Silicon Kenkyusho:Kk レーザマークを付けたウェーハ
US6774340B1 (en) * 1998-11-25 2004-08-10 Komatsu Limited Shape of microdot mark formed by laser beam and microdot marking method
US6242817B1 (en) * 1998-12-28 2001-06-05 Eastman Kodak Company Fabricated wafer for integration in a wafer structure
US6420792B1 (en) * 1999-09-24 2002-07-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer edge marking
US20010038153A1 (en) * 2000-01-07 2001-11-08 Kiyofumi Sakaguchi Semiconductor substrate and process for its production
US20020090799A1 (en) * 2000-05-05 2002-07-11 Krishna Vepa Substrate grinding systems and methods to reduce dot depth variation
JP2002231665A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Sumitomo Metal Ind Ltd エピタキシャル膜付き半導体ウエーハの製造方法
KR100476933B1 (ko) * 2002-10-10 2005-03-16 삼성전자주식회사 식별 표시를 갖는 반도체 웨이퍼
WO2006047117A2 (en) * 2004-10-21 2006-05-04 Chippac, Inc. Method for reducing semiconductor die warpage
US7312154B2 (en) * 2005-12-20 2007-12-25 Corning Incorporated Method of polishing a semiconductor-on-insulator structure
US8829661B2 (en) * 2006-03-10 2014-09-09 Freescale Semiconductor, Inc. Warp compensated package and method
TWI296735B (en) * 2006-07-07 2008-05-11 Univ Nat Cheng Kung Silicon material having a mark on the surface thereof and the method for making the same
US8389099B1 (en) * 2007-06-01 2013-03-05 Rubicon Technology, Inc. Asymmetrical wafer configurations and method for creating the same
TWI478272B (zh) * 2007-08-15 2015-03-21 尼康股份有限公司 A positioning device, a bonding device, a laminated substrate manufacturing device, an exposure device, and a positioning method
JP5625229B2 (ja) * 2008-07-31 2014-11-19 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法
KR101723254B1 (ko) * 2009-09-08 2017-04-04 도요보 가부시키가이샤 유리/수지 적층체 및 그것을 사용한 전자 디바이스
US8888085B2 (en) * 2010-10-05 2014-11-18 Skyworks Solutions, Inc. Devices and methodologies for handling wafers
US8859103B2 (en) * 2010-11-05 2014-10-14 Joseph Eugene Canale Glass wafers for semiconductor fabrication processes and methods of making same
US9227295B2 (en) * 2011-05-27 2016-01-05 Corning Incorporated Non-polished glass wafer, thinning system and method for using the non-polished glass wafer to thin a semiconductor wafer
JP5887403B2 (ja) * 2012-04-27 2016-03-16 並木精密宝石株式会社 複合基板の製造方法、半導体素子の製造方法、複合基板および半導体素子
JP6157890B2 (ja) * 2013-03-26 2017-07-05 日東電工株式会社 アンダーフィル材、封止シート及び半導体装置の製造方法
JP6593669B2 (ja) * 2013-09-12 2019-10-23 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた搬送体

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