TWI762398B - 玻璃基板及積層基板 - Google Patents

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澤村茂輝
野村周平
小野和孝
竹下暢彥
花島圭輔
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日商Ａｇｃ股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中氣泡不易進入之玻璃基板。本發明係關於一種玻璃基板，其係藉由與含矽之基板積層而形成積層基板之玻璃基板，上述玻璃基板之翹曲為2～300 μm，由上述翹曲所引起之傾斜角度為0.0004～0.12°。

Description

玻璃基板及積層基板
本發明係關於一種玻璃基板及積層基板。
於半導體元件之領域中，元件之積體度增加，另一方面小型化得到推進。伴隨此，對具有高積體度之元件之封裝技術之期望提高。於至今為止之半導體組裝步驟中，於將晶圓狀態之玻璃基板與含矽之基板分別切斷之後，將上述玻璃基板與上述含矽之基板貼合，進行黏晶、打線接合、及成型等一系列之組裝步驟。 近年來，以晶圓狀態進行將玻璃基板與含矽之基板貼合之組裝步驟之後進行切斷之晶圓級封裝技術受到關注。例如，於專利文獻1中，提出有用於晶圓級封裝之支持玻璃基板。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：國際公開第2015/037478號
[發明所欲解決之問題] 於晶圓級封裝中，若使用表面平滑之玻璃基板，則於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，上述玻璃基板與上述含矽之基板之間之空氣難以洩漏，容易作為氣泡殘留。具有氣泡之部分不易將基板彼此接合。 因此，本發明提供一種玻璃基板，其係於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中氣泡不易進入。 [解決問題之技術手段] 本發明之玻璃基板之特徵在於，其係藉由與含矽之基板積層而形成積層基板之玻璃基板，上述玻璃基板之翹曲為2～300 μm，由上述翹曲所引起之傾斜角度為0.0004～0.12°。 又，本發明之積層基板之特徵在於，其係將上述玻璃基板與含矽之基板積層而形成。 再者，於本說明書中，只要未特別記明，則玻璃基板及其製造方法中之各成分之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示。 [發明之效果] 本發明之一態樣之玻璃基板由於翹曲為2～300 μm，由上述翹曲所引起之傾斜角度為0.0004～0.12°，故而於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，可一面將空氣向外部排出一面貼合，因而氣泡不易進入，容易將基板彼此接合。
以下，參照圖對本發明之一實施形態詳細地進行說明。 圖1(A)及(B)係與含矽之基板貼合之本發明之一實施形態之玻璃基板之剖視圖。圖1(A)所示之玻璃基板G1係將含矽之基板10與樹脂20介隔間隙，例如，以環境200℃～400℃之溫度貼合，獲得圖1(B)所示之積層基板30。作為含矽之基板10，例如，使用晶圓(例如矽晶圓)、形成有元件之晶圓、將自晶圓切出元件而成之晶片成形於樹脂而成之基板等。樹脂20例如係耐200～400℃之溫度者。 本發明之一實施形態之玻璃基板作為扇出型之晶圓級封裝用之支持玻璃基板較佳。又，作為晶圓級封裝之元件之小型化有效之MEMS(microelectromechanical system，微機電系統)、CMOS(complementary metal oxide semiconductor，互補金氧半導體)、CIS(CMOS Image Sensor，CMOS影像感測器)等影像感測器用之玻璃基板、玻璃內插器(GIP)之開孔基板、及半導體背面研磨用之支持玻璃較佳。 圖2係本發明之一實施形態之玻璃基板G1之剖視圖。所謂「翹曲」，係指於通過玻璃基板G1之一主表面G1F之中心，相對於玻璃基板G1之一主表面G1F正交之任意之剖面中，玻璃基板G1之基準線G1D與玻璃基板G1之中心線G1C之垂直方向之距離之最大值B與最小值A之差C。 將上述正交之任意之剖面與玻璃基板G1之一主表面G1F之交線設為底線G1A。將上述正交之任意之剖面與玻璃基板G1之另一主表面G1G之交線設為上線G1B。此處，中心線G1C係將玻璃基板G1之板厚方向之中心連接之線。中心線G1C係藉由求出底線G1A與上線G1B之相對於下述雷射照射之方向之中點而算出。 基準線G1D係以如下方式求出。首先，基於刪除自重之影響之測定方法，算出底線G1A。根據該底線G1A，利用最小平方法求出直線。所求出之直線為基準線G1D。作為刪除自重之影響之測定方法係使用公知之方法。 例如，用3點支持玻璃基板G1之一主表面G1F，藉由雷射位移計對玻璃基板G1照射雷射，測定自任意之基準面算起之玻璃基板G1之一主表面G1F及另一主表面G1G之高度。 其次，使玻璃基板G1反轉，對與支持主表面G1F之3點對向之主表面G1G之3點進行支持，測定自任意之基準面算起之玻璃基板G1之一主表面G1F及另一主表面G1G之高度。 藉由求出反轉前後之各測定點之高度之平均而刪除自重之影響。例如，於反轉前，如上所述，測定主表面G1F之高度。將玻璃基板G1反轉之後，於與主表面G1F之測定點對應之位置，測定主表面G1G之高度。同樣地，於反轉前，測定主表面G1G之高度。將玻璃基板G1反轉之後，於與主表面G1G之測定點對應之位置，測定主表面G1F之高度。 翹曲例如係藉由雷射位移計而測定。 本發明之一實施形態之玻璃基板之特徵在於，翹曲為2～300 μm。若翹曲為2 μm以上，則於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。翹曲較佳為4 μm以上，更佳為6 μm以上，若為8 μm以上則進而較佳。若翹曲為300 μm以下，則與含矽之基板之匹配性(沿著含矽之基板之容易性)較佳，故而容易將玻璃基板與含矽之基板貼合。又，於用作半導體背面研磨用之支持玻璃之情形時，若翹曲為300 μm以下，則於研磨時不易破裂。翹曲較佳為200 μm以下，更佳為100 μm以下，若為50 μm以下則進而較佳。 所謂表示上述數值範圍之「～」，係以包含其前後數值作為下限值及上限值之意思使用。只要未特別規定，以下本說明書中「～」亦具有相同之意思而使用。 本發明之一實施形態之玻璃基板之特徵在於，由翹曲所引起之傾斜角度為0.0004～0.12°。圖3係本發明之一實施形態之玻璃基板G1之剖視圖，表示與圖2相同之剖面。 所謂「由翹曲所引起之傾斜角度」，係指於通過玻璃基板G1之一主表面G1F之中心，且相對於玻璃基板G1之一主表面G1F正交之任意之剖面中，基準線G1D與中心線G1C之切線G1E所成之角度θ為最大之角度。 若由翹曲所引起之傾斜角度為0.0004°以上，則於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。由翹曲所引起之傾斜角度較佳為0.0008°以上，更佳為0.001°以上，進而較佳為0.0015°以上。 若由翹曲所引起之傾斜角度為0.12°以下，則與含矽之基板之匹配性較佳，故而容易將玻璃基板與含矽之基板貼合。由翹曲所引起之傾斜角度較佳為0.06°以下，更佳為0.04°以下，進而較佳為0.02°以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為翹曲W(單位：μm)與由翹曲所引起之傾斜角度θW (單位：°)之積W×θW 為0.0008～36。若W×θW 為0.0008以上，則於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。W×θW 更佳為0.01以上，進而較佳為0.1以上。 若W×θW 為36以下，則與含矽之基板之匹配性較佳，故而容易將玻璃基板與含矽之基板貼合。W×θW 較佳為20以下，更佳為10以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為一主表面之面積為70～2000 cm2 。若玻璃基板之一主表面之面積為70 cm2 以上，則可配置包含多數個矽元件之含矽之基板，於使玻璃基板與含矽之基板積層之步驟中生產性提高。一主表面之面積更佳為80 cm2 以上，進而較佳為170 cm2 以上，尤佳為300 cm2 以上，最佳為700 cm2 以上。 若一主表面之面積為2000 cm2 以下，則玻璃基板之處理變得容易，可抑制由與含矽之基板或周邊構件等之接觸所引起之破損。一主表面之面積更佳為1700 cm2 以下，進而較佳為1000 cm2 以下，進而較佳為800 cm2 以下，尤佳為750 cm2 以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板之形狀較佳為圓形。若為圓形，則與含矽之基板之積層容易。尤其，與圓形之含矽之基板之積層容易。此處，所謂圓形並不限定於真圓，包含直徑距相同之真圓之尺寸差為50 μm以下之情形。 本發明之一實施形態之玻璃基板並不限定於圓形，既可為矩形，亦可於玻璃基板之端存在凹口。於圓形之情形時，外周之一部分亦可為直線。若為矩形，則與相同面積之圓形之情形相比，可獲得較多之片數之玻璃基板。 於本發明之一實施形態之玻璃基板為圓形之情形時，直徑較佳為3英吋以上。若直徑為3英吋以上，則可配置包含多數個矽元件之含矽之基板，於使玻璃基板與含矽之基板積層之步驟中生產性提高。直徑更佳為4英吋以上，更佳為6英吋以上，進而較佳為8英吋以上，尤佳為10英吋以上。 又，直徑較佳為18英吋以下。若直徑為18英吋以下，則玻璃基板之處理變得容易，可抑制由與含矽之基板或周邊構件等之接觸所引起之破損。直徑更佳為13英吋以下，進而較佳為12.5英吋以下，尤佳為12.1英吋以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為厚度為2.0 mm以下。若厚度為2.0 mm以下，則可使將玻璃基板與含矽之基板貼合之積層基板小型(薄型)。厚度更佳為1.5 mm以下，進而較佳為1.0 mm以下，尤佳為0.8 mm以下。 又，厚度較佳為0.1 mm以上。若厚度為0.1 mm以上，則可抑制由與含矽之基板或周邊構件等之接觸所引起之破損。又，可抑制玻璃基板之自重撓曲。厚度更佳為0.2 mm以上，進而較佳為0.3 mm以上。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為板厚偏差為1～15 μm。若板厚偏差為1 μm以上，則於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。板厚偏差更佳為1.5 μm以上，進而較佳為2 μm以上。若板厚偏差為15 μm以下，則與含矽之基板之匹配性較佳，故而容易將玻璃基板與含矽之基板貼合。板厚偏差更佳為12 μm以下，進而較佳為10 μm以下，尤佳為5 μm以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板若面積較大則翹曲容易變大。於本發明之一實施形態之玻璃基板係直徑為12英吋之圓形之情形時，翹曲較佳為4～300 μm。若係直徑為12英吋之圓形且翹曲為4 μm以上，則於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。於直徑為12英吋之圓形之情形時，翹曲較佳為6 μm以上，更佳為8 μm以上，若為10 μm以上則進而較佳。 又，若於直徑為12英吋之圓形之玻璃基板中翹曲為300 μm以下，則與含矽之基板匹配性較佳，故而容易將玻璃基板與含矽之基板貼合。又，於用作半導體背面研磨用之支持玻璃之情形時，若翹曲為300 μm以下，則於研磨時不易破裂。於直徑為12英吋之圓形之玻璃基板中，翹曲更佳為200 μm以下，進而較佳為100 μm以下，尤佳為50 μm以下。 於本發明之一實施形態之玻璃基板係直徑為8英吋之圓形之情形時，翹曲較佳為3～200 μm。若係直徑為8英吋之圓形且翹曲為3 μm以上，則於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。於直徑為8英吋之圓形之情形時翹曲較佳為4 μm以上，更佳為5 μm以上，進而較佳為6 μm以上。 又，於直徑為8英吋之圓形之玻璃基板中，若翹曲為200 μm以下，則與含矽之基板匹配性較佳，故而容易將玻璃基板與含矽之基板貼合。又，於用作半導體背面研磨用之支持玻璃之情形時，若翹曲為200 μm以下，則於研磨時不易破裂。於直徑為8英吋之圓形之玻璃基板中，翹曲更佳為100 μm以下，進而較佳為50 μm以下，尤佳為40 μm以下。 於本發明之一實施形態之玻璃基板係直徑為6英吋之圓形之情形時，翹曲較佳為2～100 μm。若係直徑為6英吋之圓形且翹曲為2 μm以上，則於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。於直徑為6英吋之圓形之情形時翹曲較佳為3 μm以上，更佳為4 μm以上，進而較佳為5 μm以上。 又，於直徑為6英吋之圓形之玻璃基板中，若翹曲為100 μm以下，則與含矽之基板匹配性較佳，故而容易將玻璃基板與含矽之基板貼合。又，於用作半導體背面研磨用之支持玻璃之情形時，若翹曲為100 μm以下，則於研磨時不易破裂。於直徑為6英吋之圓形之玻璃基板中，翹曲更佳為50 μm以下，進而較佳為30 μm以下。 於本發明之一實施形態之玻璃基板為圓形之情形時，較佳為將翹曲W(單位：μm)除以直徑D(單位：英吋)而得之值W/D為0.33～25。若W/D為0.33以上，則於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。W/D更佳為0.4以上，進而較佳為0.6以上，尤佳為0.8以上。 又，若W/D為25以下，則與含矽之基板匹配性較佳，故而容易將玻璃基板與含矽之基板貼合。又，於用作半導體背面研磨用之支持玻璃之情形時，若W/D為25以下，則於研磨時不易破裂。W/D更佳為20以下，進而較佳為10以下，尤佳為5以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為楊氏模數為65 GPa以上。若楊氏模數為65 GPa以上，則可抑制於製造玻璃基板時之緩冷步驟中所產生之玻璃基板之翹曲或破裂。又，可抑制由與含矽之基板等之接觸所引起之破損。楊氏模數更佳為70 GPa以上，進而較佳為75 GPa以上，尤佳為80 GPa以上。 又，楊氏模數較佳為100 GPa以下。若楊氏模數為100 GPa以下，則可抑制玻璃變脆，抑制玻璃基板之切削、切割時之缺損。楊氏模數更佳為90 GPa以下，進而較佳為87 GPa以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為，與玻璃基板之一主表面正交、且通過一主表面之重心之剖面之形狀為凹形，通過上述一主表面之重心且與上述剖面及上述一主表面正交之剖面為凸形。具體而言，於一主表面上，設置任意之正交之XY軸。較佳為，沿著X軸而將玻璃切斷時之剖面為凹型，沿著Y軸之剖面為凸型。若為此種形狀，則於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。於製造玻璃基板之成形步驟及緩冷步驟中，藉由增大玻璃帶之板厚方向之溫差，而容易形成為此種形狀。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為，與玻璃基板之一主表面正交、且通過一主表面之重心之剖面之形狀為凹形，通過上述一主表面之重心且與上述剖面及上述一主表面正交之剖面為凹形。具體而言，於一主表面上，設置任意之正交之XY軸。較佳為，沿著X軸而將玻璃切斷時之剖面為凹型，沿著Y軸之剖面為凹型。若為此種形狀，則於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。於製造玻璃基板之成形步驟及緩冷步驟中，藉由減小玻璃帶之板厚方向之溫差，而容易形成為此種形狀。 圖4(A)係表示撓曲量測定裝置100之俯視圖，圖4(B)係表示撓曲量測定裝置100之剖視圖。圖4(A)、圖4(B)係表示構成撓曲量測定裝置100之支持構件110支持玻璃基板G1之狀態。撓曲量S係藉由支持構件110而支持玻璃基板G1之一主表面G1F之4個點時之自支持構件110之上表面之高度位準J(支持構件110之上表面與玻璃基板G1之一主表面G1F之接觸點)算起的主表面G1F之鉛垂方向之變化量之最大值V。支持之4個點為自玻璃基板G1之端算起之距離E為10 mm、且向通過玻璃基板G1之另一主表面G1G之中心F之線之垂線之距離H為30 mm之位置。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為，於將玻璃基板之撓曲量設為S(單位：mm)，將玻璃基板之厚度設為T(單位：mm)時，S×T3 為0.0001～6。若S×T3 為0.0001以上，則於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。S×T3 更佳為0.0005以上，進而較佳為0.001以上。 又，若S×T3 為6以下，則與含矽之基板之匹配性較佳，故而容易將玻璃基板與含矽之基板貼合。S×T3 更佳為1以下，進而較佳為0.1以下，尤佳為0.01以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為撓曲量為0.1～5 mm。若撓曲量為0.1 mm以上，則於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。撓曲量更佳為0.2 mm以上，進而較佳為0.3 mm以上，尤佳為0.5 mm以上。 又，若撓曲量為5 mm以下，則與含矽之基板之匹配性較佳，故而容易將玻璃基板與含矽之基板貼合。撓曲量更佳為3 mm以下，進而較佳為2 mm以下，尤佳為1 mm以下。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為，50℃～350℃之平均熱膨脹係數為30～120(×10-7 /℃)。將含矽之基板與玻璃基板貼合需要熱處理步驟。於熱處理步驟中，例如，使以200℃～400℃之溫度將含矽之基板與玻璃基板貼合而成之積層基板降溫至室溫為止。此時，若玻璃基板與含矽之基板之熱膨脹係數存在差，則因熱膨脹之差異而成為含矽之基板產生大殘留應變(殘留變形)之原因。 又，於將本發明之一實施形態之玻璃基板用作扇出型之晶圓級封裝之情形時，於玻璃基板上積層含矽之基板，以與玻璃基板及含矽之基板相接之方式形成樹脂。於此種情形時，樹脂之熱膨脹係數亦成為殘留應變之產生原因。若50℃～350℃之平均熱膨脹係數為30～120(×10-7 /℃)，則於將含矽之基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，可減小產生於含矽之基板之殘留應變。 此處，所謂50℃～350℃之平均熱膨脹係數，係指利用JIS(Japanese industry standard，日本工業標準)R3102(1995年)規定之方法測定之測定熱膨脹係數之溫度範圍為50℃～350℃之平均熱膨脹係數。 若50℃～350℃之平均熱膨脹係數為30～50(×10-7 /℃)，則於熱處理步驟中產生於含矽之基板之殘留應變較小。50℃～350℃之平均熱膨脹係數既可為31～50(×10-7 /℃)，亦可為32～40(×10-7 /℃)，亦可為32～36(×10-7 /℃)，亦可為34～36(×10-7 /℃)。 若50℃～350℃之平均熱膨脹係數為50～80(×10-7 /℃)，則於熱處理步驟中產生於含矽之基板與樹脂之殘留應變較小。 若50℃～350℃之平均熱膨脹係數為80～120(×10-7 /℃)，則產生於樹脂或配線之殘留應變較小。 50℃～350℃之平均熱膨脹係數既可為85～100(×10-7 /℃)，亦可為90～95(×10-7 /℃)。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為，於玻璃基板之主表面形成遮光膜。藉由於玻璃基板之主表面形成遮光膜，而於玻璃基板或積層基板之檢查步驟中，容易檢測玻璃基板或積層基板之位置。位置係由藉由對玻璃基板或積層基板照射光所產生之反射光而特定。由於玻璃基板容易使光透過，故而藉由於玻璃基板之主表面形成遮光膜而反射光變強，容易檢測位置。遮光膜較佳為包含Ti。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為下述之組成。 SiO2 ：50～75%、 Al2 O3 ：0～16%、 B2 O3 ：0～15%、 MgO：0～18%、 CaO：0～13%、 SrO：0～11%、 BaO：0～15%、 Na2 O：0～17%、 K2 O：0～15% SiO2 為形成玻璃之骨架之成分。若SiO2 之含量為50%以上，則耐熱性、化學性耐久性、耐候性成為良好。又，若SiO2 之含量為50%以上，則容易進行於將玻璃基板G1自積層基板30剝離之後進行之洗淨或作為再利用處理之蝕刻處理。 若SiO2 之含量為75%以下，則玻璃熔解時之黏性不會變得過高而熔融性成為良好。SiO2 之含量更佳為60～70%，進而較佳為64～68%。 Al2 O3 並非必需成分，但因含有而耐候性、耐熱性、化學性耐久性成為良好，楊氏模數變高。若Al2 O3 之含量為16%以下，則玻璃熔解時之黏性不會變得過高而熔融性成為良好，不易失透。Al2 O3 之含量更佳為3～14%，進而較佳為6～14%。 B2 O3 並非必需成分，但因含有而玻璃熔解時之黏性不會變得過高而熔融性成為良好，不易失透。若B2 O3 之含量為15%以下，則可提高玻璃轉移溫度，楊氏模數變高。B2 O3 之含量更佳為0～12%，進而較佳為3～6%。 MgO並非必需成分，但因含有而玻璃熔解時之黏性不會變得過高而熔融性成為良好，耐候性提高，楊氏模數變高。若MgO之含量為18%以下，則不易失透。MgO之含量更佳為0～10%，進而較佳為4～9.5%，尤佳為6～9%。 CaO並非必需成分，但因含有而玻璃熔解時之黏性不會變得過高而熔融性成為良好，耐候性提高。若CaO之含量為13%以下，則不易失透。CaO之含量更佳為0～10%，進而較佳為4～8%。 SrO並非必需成分，但因含有而玻璃熔解時之黏性不會變得過高而熔融性成為良好，耐候性提高。若SrO之含量為11%以下，則不易失透。SrO之含量更佳為0～8%，進而較佳為0.5～3%。 BaO並非必需成分，但因含有而玻璃熔解時之黏性不會變得過高而熔融性成為良好，耐候性提高。若BaO之含量為15%以下，則不易失透。BaO之含量更佳為0～9.5%，進而較佳為0～3%。 Na2 O並非必需成分，但因含有而玻璃熔解時之黏性不會變得過高而熔融性成為良好。若Na2 O之含量為17%以下，則耐候性提高。Na2 O之含量更佳為15%以下，進而較佳為10%以下。 於將含矽之基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，為了使鹼離子不擴散至含矽之基板，較佳為實質上不包含Na2 O。此處，所謂實質上不包含Na2 O，係指完全不包含Na2 O，或作為製造上不可避免地混入之雜質亦可包含Na2 O。 K2 O並非必需成分，但因含有而玻璃熔解時之黏性不會變得過高而熔融性成為良好。若K2 O之含量為15%以下，則耐候性提高。K2 O之含量更佳為13%以下，進而較佳為10%以下。 於將含矽之基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，為了使鹼離子不擴散至含矽之基板，較佳為實質上不包含K2 O。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為，MgO、CaO、SrO、及BaO之合計含量為7%以上。若MgO、CaO、SrO、及BaO之合計含量為7%以上，則不易失透。MgO、CaO、SrO、及BaO之合計含量更佳為7.5%以上，進而較佳為8.0%以上。 本發明之一實施形態之玻璃基板亦可含有SnO2 、SO3 、Cl、及F等作為澄清劑。 本發明之一實施形態之玻璃基板為了改善耐候性、熔解性、失透性、紫外線遮蔽、紅外線遮蔽、紫外線透過、紅外線透過等，亦可含有ZnO、Li2 O、WO3 、Nb2 O5 、V2 O5 、Bi2 O3 、MoO3 、P2 O5 、Ga2 O3 、I2 O5 、In2 O5 、Ge2 O5 等。 本發明之一實施形態之玻璃基板為了提高化學性耐久性，亦可以合計含量2%以下含有ZrO2 、Y2 O3 、La2 O3 、TiO2 、SnO2 ，較佳為以1%以下而含有，更佳為以0.5%以下而含有。該等之中Y2 O3 、La2 O3 及TiO2 亦有助於提高玻璃之楊氏模數。 本發明之一實施形態之玻璃基板若考慮環境負荷，則較佳為實質上不含有As2 O3 、Sb2 O3 。又，若考慮穩定地浮式法成形，則較佳為實質上不含有ZnO。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為β-OH為0.05～0.65 mm-1 。β-OH係表示本發明之一實施形態之玻璃基板之中之水分含量的指標，藉由使β-OH為0.05 mm-1 以上，可提高澄清性。藉由使β-OH為0.65 mm-1 以下，可提高耐熱性。 β-OH更佳為0.1～0.55 mm-1 ，進而較佳為0.15～0.5 mm-1 ，尤佳為0.17～0.45 mm-1 。 此處，β-OH係藉由以下之式而求出之值。 β-OH(mm-1 )＝-log10 (T3500 cm-1 /T4000 cm-1 )/t 於上述式中，T3500 cm-1 係波數(wave number)3500 cm-1 之透過率(%)，T4000 cm-1 係波數4000 cm-1 之透過率(%)，t係玻璃基板之厚度(mm)。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為密度為2.60 g/cm3 以下。若密度為2.60 g/cm3 以下，則玻璃基板為輕量。又，可減少由玻璃基板之自重所引起之撓曲。密度更佳為2.55 g/cm3 以下，進而較佳為2.50 g/cm3 以下。 密度較佳為2.20 g/cm3 以上。若密度為2.20 g/cm3 以上，則玻璃之維氏硬度變高，可使玻璃表面不易劃傷。密度更佳為2.30 g/cm3 以上，進而較佳為2.40 g/cm3 以上，尤佳為2.45 g/cm3 以上。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為玻璃轉移點(以下，亦記為Tg)為700℃以上。若Tg為700℃以上，則於熱處理步驟中可抑制玻璃基板之尺寸變化較少。Tg更佳為720℃以上，進而較佳為740℃以上。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為，波長250 nm之透過率為10%以上。藉由紫外線通過玻璃基板照射至樹脂，而將玻璃基板自積層基板剝離。若玻璃基板中之波長250 nm之透過率為10%以上，則照射至樹脂之紫外線變多，容易將玻璃基板自積層基板剝離。玻璃基板中之波長250 nm之透過率更佳為15%以上，進而較佳為20%以上。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為，波長300 nm之透過率為45%以上。若玻璃基板中之波長300 nm之透過率為45%以上，則照射至樹脂之紫外線變多，容易將玻璃基板自積層基板剝離。玻璃基板中之波長300 nm之透過率更佳為50%以上，進而較佳為55%以上，尤佳為60%以上。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為，波長350 nm之透過率為45%以上。若玻璃基板中之波長350 nm之透過率為45%以上，則照射至樹脂之紫外線變多，容易將玻璃基板自積層基板剝離。波長350 nm之透過率更佳為50%以上，進而較佳為55%以上，尤佳為60%以上。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為，直徑為200 μm以上之氣泡或異物等缺陷為10 pcs/cm2 以下。若直徑為200 μm以上之缺陷為10 pcs/cm2 以下，則於貼合步驟中所照射之光不會被遮蔽，容易接合。直徑為200 μm以上之缺陷更佳為2 pcs/cm2 以下，尤佳為無直徑為200 μm以上之缺陷。 本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為，直徑為20 μm以上之氣泡或異物等缺陷為10 pcs/cm2 以下。若直徑為20 μm以上之缺陷為10 pcs/cm2 以下，則於接合步驟中所照射之光不會被遮蔽，容易接合。直徑為20 μm以上之缺陷更佳為2 pcs/cm2 以下，尤佳為無直徑為20 μm以上之缺陷。 本發明之一實施形態之積層基板係將上述玻璃基板與含矽之基板積層而形成。由於將上述玻璃基板與含矽之基板積層而形成，故而於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。 本發明之一實施形態之積層基板較佳為厚度為0.5～3 mm。若厚度為0.5 mm以上，則可抑制由與周邊構件等之接觸所引起之破損。厚度更佳為1.0 mm以上，進而較佳為1.3 mm以上。若厚度為3 mm以下，則可小型化。厚度更佳為2.5 mm以下，進而較佳為2.0 mm以下。 本發明之一實施形態之積層基板亦可將積層有2片以上之玻璃基板而成之積層基板(以下，亦記為玻璃積層基板)與含矽之基板積層而形成。於將本發明之一實施形態之積層基板例如用作半導體背面研磨用之支持玻璃之情形時，若玻璃基板為1片則對玻璃基板進行研磨，藉此調整玻璃基板之厚度(積層基板之厚度)。若本發明之一實施形態之積層基板係將玻璃積層基板與含矽之基板積層而形成，則即便不對玻璃基板進行研磨亦將玻璃基板自玻璃積層基板剝離，藉此可調整積層基板整體之厚度。 又，任意之厚度之玻璃基板之撓曲量大於將該玻璃基板之一半之厚度之玻璃基板積層2片而成之玻璃積層基板之撓曲量。藉由調整玻璃基板之厚度與玻璃基板之積層片數，可調整玻璃積層基板之撓曲量。 本發明之一實施形態之積層基板較佳為，於積層基板中，玻璃基板之翹曲為200 μm以下。若於積層基板中，玻璃基板之翹曲為200 μm以下，則容易搬送積層基板。於積層基板中，玻璃基板之翹曲更佳為100 μm以下，進而較佳為50 μm以下。積層基板中之玻璃基板之翹曲係利用與上述玻璃基板單體之翹曲相同之方法求出。於支持玻璃基板之面之3個點時，自玻璃基板之面照射雷射。 其次，對本發明之一實施形態之玻璃基板之製造方法進行說明。 於製造本發明之一實施形態之玻璃基板之情形時，經過熔解、澄清、成形、及緩冷步驟。 熔解步驟係以成為所獲得之玻璃板之組成之方式製備原料，將原料連續地投入至熔解爐，較佳為加熱至1450～1650℃左右獲得熔融玻璃。 原料可使用氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物，根據情形可使用氯化物等鹵化物等。於熔解或澄清步驟中存在熔融玻璃與鉑接觸之步驟之情形時，存在微小鉑粒子溶出至熔融玻璃中，於所獲得之玻璃板中作為異物混入之情形，但硝酸鹽原料之使用具有防止鉑異物溶出之效果。 作為硝酸鹽，可使用硝酸鍶、硝酸鋇、硝酸鎂、硝酸鈣等。更佳為使用硝酸鍶。 可適當使用自原料粒度亦熔解而不產生殘留之程度之數百微米之較大的粒徑之原料至不產生原料搬送時之飛散之作為二次粒子不凝聚之程度之數微米左右之較小的粒徑之原料。亦可使用造粒體。含水量、β-OH、Fe之氧化還原度或氧化還原［Fe2 ＋ /(Fe2 ＋ ＋Fe3 ＋ )］等熔解條件亦可適當調整、使用。 澄清步驟係將氣泡自上述熔解步驟中所獲得之熔融玻璃去除之步驟。作為澄清步驟，亦可應用減壓之脫泡法。又，本發明中之玻璃基板可使用SO3 或SnO2 作為澄清劑。 作為SO3 源，較佳為選自Al、Mg、Ca、Sr、Ba、Na及K之至少1種之元素之硫酸鹽，更佳為鹼土類金屬或鹼金屬之硫酸鹽，其中，CaSO4 ・2H2 O、SrSO4 、BaSO4 及Na2 SO4 使氣泡變大之作用顯著，尤佳。 作為減壓之脫泡法中之澄清劑較佳為使用Cl或F等鹵素。作為Cl源，較佳為選自Al、Mg、Ca、Sr、Ba、Na及K之至少1種之元素之氯化物，更佳為鹼土類金屬或鹼金屬之氯化物，其中，SrCl2 ・6H2 O、BaCl2 ・2H2 O、及NaCl使氣泡變大之作用顯著，且潮解性較小，故而尤佳。 作為F源，較佳為選自Al、Mg、Ca、Sr及Ba之至少1種之元素之氟化物，更佳為鹼土類金屬之氟化物，其中，CaF2 使玻璃原料之熔解性增大之作用顯著，尤佳。 作為成形步驟，應用將熔融玻璃於熔融金屬上流動形成為板狀而獲得玻璃帶之浮式法。 作為緩冷步驟，藉由於將玻璃帶緩冷並切出為玻璃板之後，切斷為特定之形狀、大小而獲得本發明之一實施形態之玻璃基板。 本發明之一實施形態之玻璃基板例如係於成形步驟及緩冷步驟中，藉由使與玻璃帶前進方向正交之玻璃帶寬度方向之玻璃帶中央部之緩冷速度與玻璃帶端部之緩冷速度之差變大，可使翹曲或由翹曲所引起之傾斜角度變大。 藉由緩冷速度之調整，可使翹曲為2～300 μm，使由翹曲所引起之傾斜角度為0.0004～0.12°。又，於成形步驟及緩冷步驟中，藉由使玻璃帶之局部的冷卻或與玻璃帶前進方向正交之玻璃帶寬度方向之玻璃帶中央部之溫度與玻璃帶端部之溫度之差變大，可使翹曲或由翹曲所引起之傾斜角度變大。 於以上所說明之本實施形態之玻璃基板中，若翹曲為2～300 μm，由翹曲所引起之傾斜角度為0.0004～0.12°，則於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。 本發明並不限定於上述實施形態。可達成本發明之目的之範圍內之變化或改良等包含於本發明。 例如，於製造本發明之一實施形態之玻璃基板之情形時，於成形步驟中，亦可應用熔融法或輾平法、加壓成形法等而將熔融玻璃形成為板狀。 又，於製造本發明之一實施形態之玻璃基板之情形時，亦可使用鉑坩堝。於使用鉑坩堝之情形時，熔解步驟係以成為玻璃基板之目標組成之方式製備原料，將放入有原料之鉑坩堝投入至電氣爐，較佳為加熱至1450～1650℃左右插入鉑攪拌器攪拌1～3小時而獲得熔融玻璃。 成形步驟係將熔融玻璃例如呈碳板狀流出而形成為板狀。緩冷步驟係將板狀之玻璃緩冷至室溫狀態為止，並切斷後，獲得玻璃基板。實施例 以下，列舉實施例對本發明具體地進行說明，但本發明並不限定於該等例。 例1～18為實施例，例19～21為比較例。以成為表1、2所示之玻璃組成(目標組成)之方式調製矽砂等各種玻璃原料，相對於目標組成之原料100%，以氧化物基準之質量百分率表示，以SO3 換算添加0.01～1%之硫酸鹽，0.16%之F，1%之Cl，使用鉑坩堝以1550～1650℃之溫度加熱3小時而熔融。於熔融時，插入鉑攪拌器攪拌1小時而進行玻璃之均質化。繼而，將熔融玻璃流出為碳板狀而成形為板狀之後，將板狀之玻璃放入Tg＋50℃左右之溫度之電氣爐，以冷卻速度R(℃/分鐘)使電氣爐降溫，將玻璃冷卻至室溫為止。 測定所獲得之玻璃之密度(單位：g/cm3 )、平均熱膨脹係數(單位：×10-7 /℃)、玻璃轉移點Tg(單位：℃)、楊氏模數(單位：GPa)、T2 (單位：℃)、及T4 (單位：℃)、失透溫度(單位：℃)、透過率(單位：%)，並示於表1、2。再者，表中之括在括弧里之值係藉由計算而求出者。玻璃中之Fe2 O3 殘存量為50～200 ppm，SO3 殘存量為10～500 ppm。以下表示各物性之測定方法。 (平均熱膨脹係數) 按照JIS R3102(1995年)規定之方法，使用示差熱膨脹計(TMA)測定50～350℃之平均熱膨脹係數。 (玻璃轉移點Tg) 按照JIS R3103-3(2001年)規定之方法，使用TMA測定。 (密度) 藉由阿基米德法而測定不包含氣泡之約20 g之玻璃塊。 (楊氏模數) 對厚度為0.5～10 mm之玻璃，藉由超音波脈衝法而測定。 (T2 ) 使用旋轉黏度計測定黏度，測定成為102 dPa・s時之溫度T2 (℃)。 (T4 ) 使用旋轉黏度計測定黏度，測定成為104 dPa・s時之溫度T4 (℃)。 (失透溫度) 玻璃之失透溫度係於鉑製盤子放入經粉碎之玻璃粒子，於控制為固定溫度之電氣爐中進行17小時之熱處理，藉由熱處理後之光學顯微鏡觀察，於玻璃之內部結晶析出之最高溫度與結晶未析出之最低溫度之平均值。 (透過率) 將所獲得之玻璃鏡面研磨為厚度1 mm，藉由分光光度計而測定波長300 nm中之透過率。 其次，以成為表1、2所示之玻璃組成之方式調製矽砂等各種玻璃原料，相對於目標組成之原料100%，以氧化物基準之質量百分率表示，以SO3 換算使硫酸鹽為0.01～1%，使用玻璃熔融裝置以1550～1650℃之溫度熔融，並進行脫泡、均質化。繼而，將熔融玻璃成形為板狀，緩冷，並切斷。進而，以成為表1、2所示之直徑之方式切斷為圓形，獲得玻璃基板。於成形步驟及緩冷步驟中，藉由調整與玻璃帶前進方向正交之玻璃帶寬度方向之玻璃帶中央部之溫度與玻璃帶端部之溫度，而調整翹曲或傾斜角度。 於例1～18之玻璃基板中，於成形步驟及緩冷步驟中，使與玻璃帶前進方向正交之玻璃帶寬度方向之玻璃帶中央部之溫度與玻璃帶端部之溫度之差變大。 於例19～20之玻璃基板中，於成形步驟及緩冷步驟中，使與玻璃帶前進方向相交之玻璃帶寬度方向之玻璃帶中央部之溫度與玻璃帶端部之溫度之差較製作例1～18之玻璃基板時更小。 於例21之玻璃基板中，於成形步驟及緩冷步驟中，使與玻璃帶前進方向相交之玻璃帶寬度方向之玻璃帶中央部之溫度與玻璃帶端部之溫度之差較製作例1～18之玻璃基板時更大。 測定所獲得之玻璃基板之厚度T(單位：mm)、直徑D(單位：英吋)、一主表面之面積(單位：cm2 )、板厚偏差(單位：μm)、翹曲(單位：μm)、撓曲量S(單位：μm)，並示於表1、2。又，求出由翹曲所引起之傾斜角度，表示該傾斜角度是否處於0.0004～0.12°之範圍內。再者，表中之括在括弧裡之值係藉由計算而求出者。以下表示各物性之測定方法。 (厚度) 藉由分光干涉雷射位移計(基恩士製)而測定玻璃基板之板厚。 (直徑) 藉由游標卡尺而測定玻璃基板之直徑。 (面積) 藉由非接觸雷射位移計(黑田精工製NANOMETRO)而以1 mm間隔測定玻璃基板之一主表面，算出面積。 (板厚偏差) 藉由非接觸雷射位移計(黑田精工製NANOMETRO)而以3 mm間隔測定玻璃基板之板厚，算出板厚偏差。 (翹曲) 藉由非接觸雷射位移計(黑田精工製NANOMETRO)而以3 mm間隔測定玻璃基板之2個主表面之高度，利用使用上述圖2所說明之方法而算出翹曲。 (撓曲量) 藉由非接觸雷射位移計(黑田精工製NANOMETRO)而利用使用上述圖4所說明之方法而測定撓曲量。 (由翹曲所引起之傾斜角度) 藉由非接觸雷射位移計(黑田精工製NANOMETRO)而以3 mm間隔測定玻璃基板之2個主表面之高度，利用使用上述圖3所說明之方法而算出傾斜角度。 [表1] 表1
   例1 例2 例3 例4 例5 例6 例7 例8 例9 例10 例11
組成(莫耳%) SiO2 66.0 67.7 73.5 73.5 83.3 83.3 68.6 66.8 70.6 65.2 67.1
Al2 O3 11.3 11.7 1.7 1.7 1.2 1.2 11.4 13.0 1.0 6.0 12.8
B2 O3 7.8 8.8       11.5 11.5 7.9 4.6       1.2
MgO 5.1 4.8 15.0 15.0       2.5 8.0 6.2 8.0 9.1
CaO 4.6 5.6             9.1 6.6 9.2 7.0 5.4
SrO 5.2                0.5 1.0    1.0 4.4
BaO    1.4             0.0          0.0
ZnO                                 
Na2 O       6.2 6.2 4.0 4.0       12.4 5.0   
K2 O       3.6 3.6             0.6 6.5   
ZrO2                            1.3   
SnO2                                 
MgO+CaO+SrO+BaO 14.9 11.8 15.0 15.0 0.0 0.0 12.1 15.6 15.4 16.0 18.9
平均熱膨脹係數(×10-7 /℃) 38 34 70 70 33 33 34 35 85 84 39
密度(g/cm3 ) 2.5 2.41 2.4 2.4 2.2 2.2 2.38 2.47 2.50 2.55 2.59
玻璃轉移點Tg(℃) 720 715 635 635 525 525    754 550 645   
楊氏模數(GPa) 77 73.5 73.5 73.5 63 63 73 84.6 73 77 86
T2 (℃) 1645 (1669) 1687 1687       1692 1647 1461 1599 1654
T4 (℃) 1275 (1273) 1249 1249 1252 1252 1296 1294 1039 1178 1298
失透溫度(℃)       ＜1240 ＜1240          1305         
透過率[300 nm](%@l mmt) 10 50       70 70    60       20
厚度T(mm) 0.7 0.5 0.55 0.8 0.5 0.5 0.7 0.5 0.5 0.5 0.5
直徑D(英吋) 12 12 12 12 8 12 12 8 12 12 12
面積(cm2 ) 730 730 730 730 324 730 730 324 730 730 730
翹曲W(μm) 124 88 42 22 75 150 122 8.1 50 30 60
翹曲W/直徑D(μm/英吋) 10 7 3 2 9 13 10 1 4 3 5
板厚偏差(μm)       2 2 4 4               
撓曲量S(μm) 1.0 1.3                           
S×T3 (μm×mm3 ) 1.0 1.3                           
傾斜角度(0.0004～0.12°之範圍內) 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇
[表2] 表2
   例12 例13 例14 例15 例16 例17 例18 例19 例20 例21
組成(莫耳%) SiO2 64.2 68.0 68.4 67.0 65.8 70.2 67.0 69.6 79.6 67.2
Al2 O3 8.0 10.0 8.7 13.1 6.0 4.1 5.0 2.0 1.3 4.0
B2 O3          3.8 0.0 9.9 12.0    11.1   
MgO 10.5 8.0 7.1 2.3 0.0 0.0 0.0 8.2    6.0
CaO 0.1    0.5 0.0 5.3 3.6 3.6 7.2    9.0
SrO 0.1          9.0             1.0
BaO 0.1          14.0               
ZnO                0.7 0.7         
Na2 O 12.5 14.0 14.0 13.7    11.4 11.6 12.0 6.0 7.0
K2 O 4.0 0.0 1.3 0.1          1.0 2.0 4.5
ZrO2 0.5                         1.3
SnO2                0.1 0.1         
MgO+CaO+SrO+BaO 10.8 8.0 7.6 2.3 28.3 3.6 3.6 15.4 0.0 16.0
平均熱膨脹係數(×10-7 /℃) 98 80 83 76 71 69 69         
密度(g/cm3 ) 2.48 2.44 2.46 2.38 3.20 2.45 2.43         
玻璃轉移點Tg(℃) 604 662 595 631 740 576 572         
楊氏模數(GPa) 74 72 72 64 77 77 75         
T2 (℃) 1601 1716 1728 (1769) 1489 (1045) (1050)         
T4 (℃) 1176 1263 1269 (1331) 1165 (1545) (1570)         
失透溫度(℃)             ＜1130 900 800         
透過率[300 nm](%@l mmt)             50 80 80         
厚度T(mm) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
直徑D(英吋) 12 12 12 12 12 12 12 12 8 8
面積(cm2 ) 730 730 730 730 730 730 730 730 324 324
翹曲W(μm) 100 60 40 30 150 30 50 1 1 400
翹曲W/直徑D(μm/英吋) 8 5 3 3 13 3 4 0.1 0.1 50
板厚偏差(μm)                              
撓曲量S(μm)                              
S×T3 (μm×mm3 )                              
傾斜角度(0.0004～0.12°之範圍內) 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 × ×   
例1～18之玻璃基板中，翹曲為2 μm以上，由翹曲所引起之傾斜角度為0.0004～0.12°之範圍內。因此，例1～18之玻璃基板係於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。 例19～20之玻璃基板中，翹曲未達2 μm，由翹曲所引起之傾斜角度未達0.0004°。因此，例19～20之玻璃基板係於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡容易進入。 例21之玻璃基板中，翹曲超過300 μm。因此，例21之玻璃基板係與含矽之基板之匹配性較差，難以將玻璃基板與含矽之基板貼合。 使用特定之態樣對本發明詳細地進行了說明，但業者明確不脫離本發明之意圖與範圍能夠進行各種變更及變化。再者，本申請案係基於2015年5月28日申請之日本專利申請案(日本專利特願2015-109200)，其整體係藉由引用而援用於此。 [產業上之可利用性] 根據本發明，可提供一種玻璃基板，其係於將玻璃基板與含矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入。又，可作為扇出型之晶圓級封裝用之支持玻璃基板而較佳地利用。又，可作為晶圓級封裝之元件之小型化有效之MEMS、 CMOS、CIS等影像感測器用之玻璃基板、玻璃內插器(GIP)之開孔基板、及半導體背面研磨用之支持玻璃而較佳地利用。
10:基板 20:樹脂 30:積層基板 100:撓曲量測定裝置 110:支持構件 A:最小值 B:最大值 C:差 E:距離 F:中心 G1:玻璃基板 G1A:底線 G1B:上線 G1C:中心線 G1D:基準線 G1E:切線 G1F:一主表面 G1G:另一主表面 H:距離 J:高度位準 V:最大值 θ:角度
圖1(A)及(B)係表示與含矽之基板貼合之本發明之一實施形態之玻璃基板，圖1(A)係貼合前之剖視圖，圖1(B)係貼合後之剖視圖。 圖2係本發明之一實施形態之玻璃基板之剖視圖。 圖3係本發明之一實施形態之玻璃基板之剖視圖。 圖4(A)及(B)係表示撓曲量測定裝置之本發明之一實施形態之玻璃基板與支持構件，圖4(A)係俯視圖，圖4(B)係剖視圖。

Claims (18)

  1. 一種玻璃基板，其係藉由與含矽之基板積層而形成積層基板之玻璃基板， 上述玻璃基板之形狀為具有直徑D之圓形， 上述玻璃基板之翹曲W為2～300 μm，由上述翹曲所引起之傾斜角度為0.0004～0.12°， 將上述翹曲W除以上述直徑D而得之值W/D為0.33~25。
  2. 一種玻璃基板，其係藉由與含矽之基板積層而形成積層基板之玻璃基板， 上述玻璃基板之翹曲為2～300 μm，由上述翹曲所引起之傾斜角度為0.0004～0.12°， 將上述玻璃基板之撓曲量設為S，將上述玻璃基板之厚度設為T時，S×T3 為0.0001～6。
  3. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述玻璃基板之一主表面之面積為70～2000 cm2 。
  4. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述玻璃基板之密度為2.20 g/cm3 以上且2.60 g/cm3 以下。
  5. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述玻璃基板之楊氏模數為65 GPa以上。
  6. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述玻璃基板之直徑為20 μm以上之缺陷為10 pcs/cm2 以下。
  7. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述玻璃基板滿足波長250 nm之透過率為10%以上之條件、波長300 nm之透過率為45%以上之條件、波長350 nm之透過率為45%以上之條件中至少任一條件。
  8. 如請求項1或2之玻璃基板，其中與上述玻璃基板之一主表面正交、且通過上述一主表面之重心之剖面之形狀為凹形，通過上述一主表面之重心且與上述剖面及上述一主表面正交之剖面為凸形。
  9. 如請求項1或2之玻璃基板，其中與上述玻璃基板之一主表面正交、且通過上述一主表面之重心之剖面之形狀為凹形，通過上述一主表面之重心且與上述剖面及上述一主表面正交之剖面為凹形。
  10. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述玻璃基板以氧化物基準之莫耳百分率表示包含 SiO2 ：50～75%、 Al2 O3 ：0～16%、 B2 O3 ：0～15%、 MgO：0～18%、 CaO：0～13%、 SrO：0～11%、 BaO：0～15%、 Na2 O：0～17%、以及 K2 O：0～15%。
  11. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述玻璃基板之β-OH為0.05～0.65 mm-1 。
  12. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述玻璃基板之板厚偏差為1～15 μm。
  13. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述玻璃基板之50℃～350℃之平均熱膨脹係數為30～120(×10-7 /℃)。
  14. 如請求項1或2之玻璃基板，其中於上述玻璃基板之主表面形成遮光膜。
  15. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述玻璃基板為扇出型晶圓級封裝用之支持基板。
  16. 一種積層基板，其積層有如請求項1至15中任一項之玻璃基板與含矽之基板。
  17. 如請求項16之積層基板，其中上述玻璃基板積層有2片以上。
  18. 如請求項16或17之積層基板，其中於上述積層基板中，上述玻璃基板之翹曲為200 μm以下。
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