JP6601493B2 - ガラス基板、および積層基板 - Google Patents

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Description

本発明は、ガラス基板、および積層基板に関する。
半導体デバイスの分野では、デバイスの集積度が増加される一方、小型化が進んでいる。それに伴い、高集積度を有するデバイスのパッケージング技術への要望が高まっている。これまでの半導体組立工程では、ウェハ状態のガラス基板とシリコンを含む基板とをそれぞれ切断した後に、前記ガラス基板と前記シリコンを含む基板とを貼り合わせて、ダイボンディング、ワイヤーボンディング、およびモールディングなどの一連の組立工程を行っている。
近年、ウェハ状態で、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる組立工程を行った後に切断を行うウェハレベルパッケージ技術が脚光を浴びている。例えば、特許文献１には、ウェハレベルパッケージに用いる支持ガラス基板が提案されている。
国際公開第２０１５／０３７４７８号
ウェハレベルパッケージでは、表面が平滑なガラス基板を用いると、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、前記ガラス基板と前記シリコンを含む基板との間の空気が抜けにくく、泡として残りやすい。泡のある部分は、基板同士を接合しにくい。
そこで、本発明は、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくいガラス基板を提供する。
本発明のガラス基板は、シリコンを含む基板と積層されることにより積層基板が形成されるガラス基板であって、前記ガラス基板の反りが２〜３００μｍであり、前記反りによる傾斜角度が０．０００４〜０．１２°であることを特徴とする。
また、本発明の積層基板は、上記ガラス基板とシリコンを含む基板とが積層されて形成されることを特徴とする。
なお、本明細書において、特に明記しない限りは、ガラス基板およびその製造方法における各成分の含有量は酸化物基準のモル百分率で表す。
本発明の一態様に係るガラス基板は、反りが２〜３００μｍであり、前記反りによる傾斜角度が０．０００４〜０．１２°であるため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、空気を外に出しながら貼り合わせできるために泡が入りにくく、基板同士を接合しやすい。
図１（Ａ）及び（Ｂ）は、シリコンを含む基板と貼り合わせる本発明の一実施形態に係るガラス基板を表し、図１（Ａ）は貼り合わせ前の断面図、図１（Ｂ）は貼り合わせ後の断面図である。 図２は、本発明の一実施形態に係るガラス基板の断面図である。 図３は、本発明の一実施形態に係るガラス基板の断面図である。 図４（Ａ）及び（Ｂ）は、たわみ量測定装置の本発明の一実施形態に係るガラス基板と支持部材を表し、図４（Ａ）は上面図、図４（Ｂ）は断面図である。
以下、本発明の一実施形態について図を参照して詳細に説明する。
図１（Ａ）及び（Ｂ）は、シリコンを含む基板と貼り合わせる、本発明の一実施形態に係るガラス基板の断面図である。図１（Ａ）に表されるガラス基板Ｇ１は、シリコンを含む基板１０と、樹脂２０を間に介して、例えば、雰囲気２００℃〜４００℃の温度で貼り合わされ、図１（Ｂ）に表される積層基板３０が得られる。シリコンを含む基板１０として、例えば、ウェハ（例えばシリコンウェハ）、素子が形成されたウェハ、ウェハから素子が切り出されたチップが樹脂にモールドされた基板などが用いられる。樹脂２０は、例えば、２００〜４００℃の温度に耐えられるものである。
本発明の一実施形態のガラス基板は、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ用の支持ガラス基板として好適である。また、ウェハレベルパッケージによる素子の小型化が有効なＭＥＭＳ、ＣＭＯＳ、ＣＩＳ等のイメージセンサ用のガラス基板、ガラスインターポーザ（ＧＩＰ）の穴開け基板、および半導体バックグラインド用のサポートガラスとして好適である。
図２は、本発明の一実施形態に係るガラス基板Ｇ１の断面図である。「反り」とは、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆの中心を通り、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆに対して直交する任意の断面において、ガラス基板Ｇ１の基準線Ｇ１Ｄとガラス基板Ｇ１の中心線Ｇ１Ｃとの垂直方向の距離の最大値Ｂと最小値Ａとの差Ｃである。
前記直交する任意の断面とガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆとの交線を、底線Ｇ１Ａとする。前記直交する任意の断面とガラス基板Ｇ１の他の一の主表面Ｇ１Ｇとの交線を、上線Ｇ１Ｂとする。ここで、中心線Ｇ１Ｃは、ガラス基板Ｇ１の板厚方向の中心を結んだ線である。中心線Ｇ１Ｃは、底線Ｇ１Ａと上線Ｇ１Ｂとの後述するレーザ照射の方向に対しての中点を求めることにより算出される。
基準線Ｇ１Ｄは、以下のように求められる。まず、自重の影響をキャンセルする測定方法のもとに、底線Ｇ１Ａを算出する。該底線Ｇ１Ａから、最小自乗法により直線を求める。求められた直線が、基準線Ｇ１Ｄである。自重による影響をキャンセルする測定方法としては公知の方法が用いられる。
例えば、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆを３点支持し、レーザ変位計によりガラス基板Ｇ１にレーザを照射し、任意の基準面からの、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆおよび他の一の主表面Ｇ１Ｇの高さを測定する。
次に、ガラス基板Ｇ１を反転させ、主表面Ｇ１Ｆを支持した３点に対向する主表面Ｇ１Ｇの３点を支持し、任意の基準面からの、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆおよび他の一の主表面Ｇ１Ｇの高さを測定する。
反転前後における各測定点の高さの平均を求めることで自重による影響がキャンセルされる。例えば、反転前に、上述のとおり、主表面Ｇ１Ｆの高さを測定する。ガラス基板Ｇ１を反転後、主表面Ｇ１Ｆの測定点に対応する位置で、主表面Ｇ１Ｇの高さを測定する。同様に、反転前に、主表面Ｇ１Ｇの高さを測定する。ガラス基板Ｇ１を反転後、主表面Ｇ１Ｇの測定点に対応する位置で、主表面Ｇ１Ｆの高さを測定する。
反りは、例えば、レーザ変位計により測定される。
本発明の一実施形態のガラス基板は、反りが２〜３００μｍであることを特徴とする。反りが２μｍ以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。反りは４μｍ以上が好ましく、６μｍ以上がより好ましく、８μｍ以上であればさらに好ましい。反りが３００μｍ以下であれば、シリコンを含む基板との整合性（シリコンを含む基板に対する沿いやすさ）がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。また、半導体バックグラインド用のサポートガラスとして用いた場合に、反りが３００μｍ以下であれば、研磨したときに割れにくい。反りは、２００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以下であればさらに好ましい。
上記した数値範囲を示す「〜」とは、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。特段の定めがない限り、以下本明細書においても「〜」は、同様の意味をもって使用される。
本発明の一実施形態のガラス基板は、反りによる傾斜角度が０．０００４〜０．１２°であることを特徴とする。図３は、本発明の一実施形態に係るガラス基板Ｇ１の断面図であり、図２と同じ断面を表す。
「反りによる傾斜角度」とは、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆの中心を通り、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆに対して直交する任意の断面において、基準線Ｇ１Ｄと中心線Ｇ１Ｃの接線Ｇ１Ｅとのなす角度θが最大となる角度である。
反りによる傾斜角度が０．０００４°以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。反りによる傾斜角度は、０．０００８°以上であることが好ましく、０．００１°以上であることがより好ましく、０．００１５°以上であることがさらに好ましい。
反りによる傾斜角度が０．１２°以下であれば、シリコンを含む基板との整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。反りによる傾斜角度は、０．０６°以下であることが好ましく、０．０４°以下であることがより好ましく、０．０２°以下であることがさらに好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、反りＷ（単位：μｍ）と反りによる傾斜角度θＷ（単位：°）との積Ｗ×θＷが０．０００８〜３６であることが好ましい。Ｗ×θＷが０．０００８以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。Ｗ×θＷは０．０１以上がより好ましく、０．１以上がさらに好ましい。
Ｗ×θＷが３６以下であれば、シリコンを含む基板との整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。Ｗ×θＷは２０以下が好ましく、１０以下がより好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、一の主表面の面積が７０〜２０００ｃｍ２であることが好ましい。ガラス基板の一の主表面の面積が７０ｃｍ２以上であれば、多数のシリコン素子を含む、シリコンを含む基板を配置することができ、ガラス基板とシリコンを含む基板とを積層させる工程において生産性が向上する。一の主表面の面積は８０ｃｍ２以上であることがより好ましく、１７０ｃｍ２以上であることがさらに好ましく、３００ｃｍ２以上であることが特に好ましく、７００ｃｍ２以上であることが最も好ましい。
一の主表面の面積が２０００ｃｍ２以下であればガラス基板の取り扱いが容易になり、シリコンを含む基板や周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。一の主表面の面積は、１７００ｃｍ２以下であることがより好ましく、１０００ｃｍ２以下であることがさらに好ましく、８００ｃｍ２以下であることがさらに好ましく、７５０ｃｍ２以下であることが特に好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板の形状は、円形であることが好ましい。円形であれば、シリコンを含む基板との積層が容易である。特に、円形のシリコンを含む基板との積層が容易である。ここで、円形とは真円に限らず、直径が同一の真円からの寸法差が５０μｍ以下である場合を含む。
本発明の一実施形態のガラス基板は、円形に限らず、矩形であってもよいし、ガラス基板の端にノッチがあってもよい。円形の場合、外周の一部が直線であってもよい。矩形であれば、同一面積の円形の場合と比べて、多くの枚数のガラス基板を得ることができる。
本発明の一実施形態のガラス基板は、円形である場合において、直径は３インチ以上であることが好ましい。直径が３インチ以上であれば、多数のシリコン素子を含む、シリコンを含む基板を配置することができ、ガラス基板とシリコンを含む基板とを積層させる工程において生産性が向上する。直径は４インチ以上がより好ましく、６インチ以上がより好ましく、８インチ以上がさらに好ましく、１０インチ以上が特に好ましい。
また、直径は１８インチ以下であることが好ましい。直径が１８インチ以下であれば、ガラス基板の取り扱いが容易になり、シリコンを含む基板や周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。直径は１３インチ以下がより好ましく、１２．５インチ以下がさらに好ましく、１２．１インチ以下が特に好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、厚さが２．０ｍｍ以下であることが好ましい。厚さが２．０ｍｍ以下であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせた積層基板を小型（薄型）にすることができる。厚さは、１．５ｍｍ以下であることがより好ましく、１．０ｍｍ以下であることがさらに好ましく、０．８ｍｍ以下であることが特に好ましい。
また、厚さは、０．１ｍｍ以上であることが好ましい。厚さが０．１ｍｍ以上であれば、シリコンを含む基板や周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。また、ガラス基板の自重たわみを抑えることができる。厚さは、０．２ｍｍ以上であることがより好ましく、０．３ｍｍ以上であることがさらに好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、板厚偏差が１〜１５μｍであることが好ましい。板厚偏差が１μｍ以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。板厚偏差は、１．５μｍ以上がより好ましく、２μｍ以上がさらに好ましい。板厚偏差が１５μｍ以下であれば、シリコンを含む基板との整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。板厚偏差は、１２μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましく、５μｍ以下が特に好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、面積が大きいと反りが大きくなりやすい。本発明の一実施形態のガラス基板は、直径１２インチの円形である場合において、反りは４〜３００μｍであることが好ましい。直径１２インチの円形で反りが４μｍ以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。直径１２インチの円形である場合において、反りは、６μｍ以上が好ましく、８μｍ以上がより好ましく、１０μｍ以上であればさらに好ましい。
また、直径１２インチの円形であるガラス基板において反りは３００μｍ以下であれば、シリコンを含む基板と整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。また、半導体バックグラインド用のサポートガラスとして用いた場合に、反りが３００μｍ以下であれば、研磨したときに割れにくい。直径１２インチの円形のガラス基板において、反りは２００μｍ以下がより好ましく、１００μｍ以下がさらに好ましく、５０μｍ以下であることが特に好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、直径８インチの円形である場合において、反りは３〜２００μｍであることが好ましい。直径８インチの円形で反りが３μｍ以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。直径８インチの円形で反りは、４μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましく、６μｍ以上であればさらに好ましい。
また、直径８インチの円形であるガラス基板において、反りは２００μｍ以下であれば、シリコンを含む基板と整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。また、半導体バックグラインド用のサポートガラスとして用いた場合に、反りが２００μｍ以下であれば、研磨したときに割れにくい。直径８インチの円形のガラス基板において、反りは１００μｍ以下がより好ましく、５０μｍ以下がさらに好ましく、４０μｍ以下であることが特に好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、直径６インチの円形である場合において、反りは２〜１００μｍであることが好ましい。直径６インチの円形で反りが２μｍ以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。直径６インチの円形で反りは、３μｍ以上が好ましく、４μｍ以上がより好ましく、５μｍ以上であればさらに好ましい。
また、直径６インチの円形であるガラス基板において、反りは１００μｍ以下であれば、シリコンを含む基板と整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。また、半導体バックグラインド用のサポートガラスとして用いた場合に、反りが１００μｍ以下であれば、研磨したときに割れにくい。直径６インチの円形のガラス基板において、反りは５０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下がさらに好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、円形である場合において、反りＷ（単位：μｍ）を直径Ｄ（単位：インチ）で除した値Ｗ／Ｄは０．３３〜２５であることが好ましい。Ｗ／Ｄが０．３３以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。Ｗ／Ｄは０．４以上であることがより好ましく、０．６以上であることがさらに好ましく、０．８以上であることが特に好ましい。
また、Ｗ／Ｄが２５以下であれば、シリコンを含む基板と整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。また、半導体バックグラインド用のサポートガラスとして用いた場合に、Ｗ／Ｄが２５以下であれば、研磨したときに割れにくい。Ｗ／Ｄは２０以下であることがより好ましく、１０以下であることがさらに好ましく、５以下であることが特に好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、ヤング率が６５ＧＰａ以上であることが好ましい。ヤング率が６５ＧＰａ以上であれば、ガラス基板を製造する際の徐冷工程において発生するガラス基板の反りや割れを抑制することができる。また、シリコンを含む基板等との接触による破損を抑制することができる。ヤング率は７０ＧＰａ以上であることがより好ましく、７５ＧＰａ以上であることがさらに好ましく、８０ＧＰａ以上であることが特に好ましい。
また、ヤング率は、１００ＧＰａ以下であることが好ましい。ヤング率が１００ＧＰａ以下であれば、ガラスが脆くなることを抑制し、ガラス基板の切削、ダイシング時の欠けを抑えることができる。ヤング率は９０ＧＰａ以下であることがより好ましく、８７ＧＰａ以下であることがさらに好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラス基板の一の主表面に直交し、一の主表面の重心を通る断面の形状が凹形であり、上記一の主表面の重心を通り上記断面と上記一の主表面とに直交する断面が凸形であることが好ましい。具体的には、一の主表面上に、任意の直交するＸＹ軸を設ける。Ｘ軸に沿ってガラスを切断した時の断面は凹型であり、Ｙ軸に沿った断面は凸型であることが好ましい。そのような形状であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。ガラス基板を製造する成形工程および徐冷工程において、ガラスリボンの板厚方向の温度差を大きくすることにより、そのような形状にしやすい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラス基板の一の主表面に直交し、一の主表面の重心を通る断面の形状が凹形であり、上記一の主表面の重心を通り上記断面と上記一の主表面とに直交する断面が凹形であることが好ましい。具体的には、一の主表面上に、任意の直交するＸＹ軸を設ける。Ｘ軸に沿ってガラスを切断した時の断面は凹型であり、Ｙ軸に沿った断面は凹型であることが好ましい。そのような形状であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。ガラス基板を製造する成形工程および徐冷工程において、ガラスリボンの板厚方向の温度差を小さくすることにより、そのような形状にしやすい。
図４（Ａ）は、たわみ量測定装置１００を表した上面図であり、図４（Ｂ）は、たわみ量測定装置１００を表した断面図である。図４（Ａ）、図４（Ｂ）は、たわみ量測定装置１００を構成する支持部材１１０が、ガラス基板Ｇ１を支持した状態を表している。たわみ量Ｓは、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆの４点を支持部材１１０により支持したときの、支持部材１１０の上面の高さレベルＪ（支持部材１１０の上面とガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆとの接触点）からの主表面Ｇ１Ｆの鉛直方向の変化量の最大値Ｖである。支持する４点は、ガラス基板Ｇ１の端からの距離Ｅが１０ｍｍ、かつ、ガラス基板Ｇ１の他の一の主表面Ｇ１Ｇの中心Ｆを通る線への垂線の距離Ｈが３０ｍｍの位置である。
本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラス基板のたわみ量をＳ（単位：ｍｍ）、ガラス基板の厚さをＴ（単位：ｍｍ）としたときに、Ｓ×Ｔ３が０．０００１〜６であることが好ましい。Ｓ×Ｔ３が０．０００１以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。Ｓ×Ｔ３は０．０００５以上であることがより好ましく、０．００１以上であることがさらに好ましい。
また、Ｓ×Ｔ３は６以下であれば、シリコンを含む基板との整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。Ｓ×Ｔ３は１以下であることがより好ましく、０．１以下がさらに好ましく、０．０１以下であることが特に好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、たわみ量が０．１〜５ｍｍであることが好ましい。たわみ量が０．１ｍｍ以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。たわみ量は０．２ｍｍ以上であることがより好ましく、０．３ｍｍ以上であることがさらに好ましく、０．５ｍｍ以上であることが特に好ましい。
また、たわみ量が５ｍｍ以下であれば、シリコンを含む基板との整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。たわみ量は３ｍｍ以下がより好ましく、２ｍｍ以下がさらに好ましく、１ｍｍ以下であることが特に好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、５０℃〜３５０℃での平均熱膨張係数が３０〜１２０（×１０−７／℃）であることが好ましい。シリコンを含む基板とガラス基板とを貼り合わせるには、熱処理工程を必要とする。熱処理工程では、例えば、２００℃〜４００℃の温度でシリコンを含む基板とガラス基板とを貼り合わせた積層基板を室温まで降温させる。このとき、ガラス基板とシリコンを含む基板の熱膨張係数に差があると、熱膨張の違いによりシリコンを含む基板に大きな残留歪（残留変形）が発生する原因となる。
また、本発明の一実施形態のガラス基板は、ファンアウト型のウェハレベルパッケージとして用いる場合は、ガラス基板上にシリコンを含む基板が積層され、ガラス基板およびシリコンを含む基板に接するように樹脂が形成される。このような場合、樹脂の熱膨張係数も、残留歪の発生原因となる。５０℃〜３５０℃での平均熱膨張係数が３０〜１２０（×１０−７／℃）であれば、シリコンを含む基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコンを含む基板に発生する残留歪を小さくすることができる。
ここで、５０℃〜３５０℃の平均熱膨張係数とは、ＪＩＳ Ｒ３１０２（１９９５年）で規定されている方法で測定した、熱膨張係数を測定する温度範囲が５０℃〜３５０℃である平均熱膨張係数である。
５０℃〜３５０℃での平均熱膨張係数が３０〜５０（×１０−７／℃）であれば、熱処理工程でシリコンを含む基板に発生する残留ひずみが小さい。５０℃〜３５０℃での平均熱膨張係数が３１〜５０（×１０−７／℃）であってもよく、３２〜４０（×１０−７／℃）であってもよく、３２〜３６（×１０−７／℃）であってもよく、３４〜３６（×１０−７／℃）であってもよい。
５０℃〜３５０℃での平均熱膨張係数が５０〜８０（×１０−７／℃）であれば、熱処理工程でシリコンを含む基板と樹脂に発生する残留ひずみが小さい。
５０℃〜３５０℃での平均熱膨張係数が８０〜１２０（×１０−７／℃）であれば、樹脂や配線に発生する残留ひずみが小さい。
５０℃〜３５０℃での平均熱膨張係数は８５〜１００（×１０−７／℃）であってもよく、９０〜９５（×１０−７／℃）であってもよい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラス基板の主表面に遮光膜が形成されることが好ましい。ガラス基板の主表面に遮光膜が形成されることで、ガラス基板や積層基板の検査工程において、ガラス基板や積層基板の位置を検出しやすい。位置はガラス基板や積層基板に光を照射することによる反射光で特定される。ガラス基板は光を透過しやすいため、ガラス基板の主表面に遮光膜を形成することにより反射光が強くなり、位置を検出しやすい。遮光膜はＴｉを含むことが好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、下記の組成であることが好ましい。
ＳｉＯ２ ：５０〜７５％、
Ａｌ２Ｏ３ ：０〜１６％、
Ｂ２Ｏ３ ：０〜１５％、
ＭｇＯ ：０〜１８％、
ＣａＯ ：０〜１３％、
ＳｒＯ ：０〜１１％、
ＢａＯ ：０〜１５％、
Ｎａ２Ｏ ：０〜１７％、
Ｋ２Ｏ ：０〜１５％
ＳｉＯ２はガラスの骨格を形成する成分である。ＳｉＯ２の含有量が５０％以上であれば、耐熱性、化学的耐久性、耐候性が良好となる。また、ＳｉＯ２の含有量が５０％以上であれば、積層基板３０からガラス基板Ｇ１を剥離した後に行う、洗浄やリサイクル処理としてのエッチング処理がしやすい。
ＳｉＯ２の含有量が７５％以下であれば、ガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となる。ＳｉＯ２の含有量は、６０〜７０％がより好ましく、６４〜６８％がさらに好ましい。
Ａｌ２Ｏ３は必須成分ではないが、含有することにより耐候性、耐熱性、化学的耐久性が良好となり、ヤング率が高くなる。Ａｌ２Ｏ３の含有量が１６％以下であれば、ガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、失透しにくくなる。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、３〜１４％がより好ましく、６〜１４％がさらに好ましい。
Ｂ２Ｏ３は必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、失透しにくくなる。Ｂ２Ｏ３の含有量が１５％以下であれば、ガラス転移温度を高くすることができ、ヤング率が高くなる。Ｂ２Ｏ３の含有量は、０〜１２％がより好ましく、３〜６％がさらに好ましい。
ＭｇＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上し、ヤング率が高くなる。ＭｇＯの含有量が、１８％以下であれば、失透しにくくなる。ＭｇＯの含有量は、０〜１０％がより好ましく、４〜９．５％がさらに好ましく、６〜９％が特に好ましい。
ＣａＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上する。ＣａＯの含有量が１３％以下であれば、失透しにくくなる。ＣａＯの含有量は、０〜１０％がより好ましく、４〜８％がさらに好ましい。
ＳｒＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上する。ＳｒＯの含有量が１１％以下であれば、失透しにくくなる。ＳｒＯの含有量は、０〜８％がより好ましく、０．５〜３％がさらに好ましい。
ＢａＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上する。ＢａＯの含有量が１５％以下であれば、失透しにくくなる。ＢａＯの含有量は、０〜９．５％がより好ましく、０〜３％がさらに好ましい。
Ｎａ２Ｏは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となる。Ｎａ２Ｏの含有量が１７％以下であれば、耐候性が向上する。Ｎａ２Ｏの含有量は、１５％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましい。
シリコンを含む基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、アルカリイオンがシリコンを含む基板に拡散しないようにするためには、Ｎａ２Ｏを実質的に含まないことが好ましい。ここで、Ｎａ２Ｏを実質的に含まないとは、Ｎａ２Ｏを全く含まないこと、またはＮａ２Ｏを製造上不可避的に混入した不純物として含んでいてもよいことを意味する。
Ｋ２Ｏは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となる。Ｋ２Ｏの含有量が１５％以下であれば、耐候性が向上する。Ｋ２Ｏの含有量は、１３％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましい。
シリコンを含む基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、アルカリイオンがシリコンを含む基板に拡散しないようにするためには、Ｋ２Ｏを実質的に含まないことが好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの合計含有量が、７％以上であることが好ましい。ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの合計含有量が７％以上であれば、失透しにくくなる。ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの合計含有量は７．５％以上であることがより好ましく、８．０％以上であることがさらに好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、清澄剤としてＳｎＯ２、ＳＯ３、Ｃｌ、およびＦなどを含有させてもよい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、耐候性、溶解性、失透性、紫外線遮蔽、赤外線遮蔽、紫外線透過、赤外線透過等の改善のために、ＺｎＯ、Ｌｉ２Ｏ、ＷＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３、Ｐ２Ｏ５、Ｇａ２Ｏ３、Ｉ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ５、Ｇｅ２Ｏ５等を含有させてもよい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、化学的耐久性向上のため、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２を合量で２％以下含有させてもよく、好ましくは１％以下、より好ましくは０．５％以下で含有させる。これらのうちＹ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３およびＴｉＯ２は、ガラスのヤング率向上にも寄与する。
本発明の一実施形態のガラス基板は、環境負荷を考慮すると、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３を実質的に含有しないことが好ましい。また、安定してフロート成形することを考慮すると、ＺｎＯを実質的に含有しないことが好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、β−ＯＨが０．０５〜０．６５ｍｍ−１であることが好ましい。β−ＯＨは本発明の一実施形態のガラス基板の中の水分含有量を示す指標であり、β−ＯＨを０．０５ｍｍ−１以上にすることによって、清澄性を向上させることができる。β−ＯＨを０．６５ｍｍ−１以下にすることによって、耐熱性を高めることができる。
β−ＯＨは、０．１〜０．５５ｍｍ−１がより好ましく、０．１５〜０．５ｍｍ−１がさらに好ましく、０．１７〜０．４５ｍｍ−１が特に好ましい。
ここで、β−ＯＨは、以下の式により求められた値である。
β−ＯＨ（ｍｍ−１）＝−ｌｏｇ１０（Ｔ３５００ｃｍ−１／Ｔ４０００ｃｍ−１）／ｔ
上記式において、Ｔ３５００ｃｍ−１は、波数（ｗａｖｅ ｎｕｍｂｅｒ）３５００ｃｍ−１の透過率（％）であり、Ｔ４０００ｃｍ−１は、波数４０００ｃｍ−１の透過率（％）であり、ｔは、ガラス基板の厚さ（ｍｍ）である。
本発明の一実施形態のガラス基板は、密度が２．６０ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましい。密度が２．６０ｇ／ｃｍ３以下であれば、ガラス基板が軽量である。また、ガラス基板の自重によるたわみを低減することができる。密度は２．５５ｇ／ｃｍ３以下であることがより好ましく、２．５０ｇ／ｃｍ３以下であることがさらに好ましい。
密度は、２．２０ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましい。密度が２．２０ｇ／ｃｍ３以上であれば、ガラスのビッカース硬度が高くなり、ガラス表面に傷をつき難くすることができる。密度は２．３０ｇ／ｃｍ３以上であることがより好ましく、２．４０ｇ／ｃｍ３以上であることがさらに好ましく、２．４５ｇ／ｃｍ３以上であることが特に好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラス転移点（以下、Ｔｇとも記す）が７００℃以上であることが好ましい。Ｔｇが７００℃以上であれば、熱処理工程でガラス基板の寸法変化を少なく抑えることができる。Ｔｇは７２０℃以上であることがより好ましく、７４０℃以上であることがさらに好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、波長２５０ｎｍの透過率が１０％以上であることが好ましい。紫外線がガラス基板を通して樹脂に照射されることにより、ガラス基板が積層基板から剥離される。ガラス基板における波長２５０ｎｍの透過率が１０％以上であれば、樹脂に照射される紫外線が多くなり、ガラス基板が積層基板から容易に剥離される。ガラス基板における波長２５０ｎｍの透過率は１５％以上であることがより好ましく、２０％以上であることがさらに好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、波長３００ｎｍの透過率が４５％以上であることが好ましい。ガラス基板における波長３００ｎｍの透過率が４５％以上であれば、樹脂に照射される紫外線が多くなり、ガラス基板が積層基板から容易に剥離される。ガラス基板における波長３００ｎｍの透過率は５０％以上であることがより好ましく、５５％以上であることがさらに好ましく、６０％以上であることが特に好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、波長３５０ｎｍの透過率が４５％以上であることが好ましい。ガラス基板における波長３５０ｎｍの透過率が４５％以上であれば、樹脂に照射される紫外線が多くなり、ガラス基板が積層基板から容易に剥離される。波長３５０ｎｍの透過率は５０％以上であることがより好ましく、５５％以上であることがさらに好ましく、６０％以上であることが特に好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、径２００μｍ以上の泡や異物などの欠点が１０ｐｃｓ／ｃｍ２以下であることが好ましい。径２００μｍ以上の欠点が１０ｐｃｓ／ｃｍ２以下であれば、貼り合わせる工程で照射する光が遮られず、ボンディングしやすい。径２００μｍ以上の欠点は２ｐｃｓ／ｃｍ２以下であることがより好ましく、径２００μｍ以上の欠点はないことが特に好ましい。
本発明の一実施形態のガラス基板は、径２０μｍ以上の泡や異物などの欠点が１０ｐｃｓ／ｃｍ２以下であることが好ましい。径２０μｍ以上の欠点が１０ｐｃｓ／ｃｍ２以下であれば、ボンディング工程で照射する光が遮られず、ボンディングしやすい。径２０μｍ以上の欠点は２ｐｃｓ／ｃｍ２以下であることがより好ましく、径２０μｍ以上の欠点はないことが特に好ましい。
本発明の一実施形態の積層基板は、上記ガラス基板とシリコンを含む基板とが積層されて形成される。上記ガラス基板とシリコンを含む基板とが積層されて形成されるため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。
本発明の一実施形態の積層基板は、厚さが０．５〜３ｍｍであることが好ましい。厚さが０．５ｍｍ以上であれば、周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。厚さは、１．０ｍｍ以上がより好ましく、１．３ｍｍ以上がさらに好ましい。厚さが３ｍｍ以下であれば、小型化できる。厚さは、２．５ｍｍ以下がより好ましく、２．０ｍｍ以下がさらに好ましい。
本発明の一実施形態の積層基板は、ガラス基板が２枚以上積層された積層基板（以下、ガラス積層基板とも記す）とシリコンを含む基板とが積層されて形成されてもよい。本発明の一実施形態の積層基板を、例えば、半導体バックグラインド用のサポートガラスとして用いる場合において、ガラス基板が１枚であればガラス基板を研磨することにより、ガラス基板の厚さ（積層基板の厚さ）を調整する。本発明の一実施形態の積層基板が、ガラス積層基板とシリコンを含む基板とが積層されて形成されていれば、ガラス基板を研磨しなくてもガラス積層基板からガラス基板を剥離することによって、積層基板全体の厚さを調整することができる。
また、任意の厚さのガラス基板のたわみ量は、該ガラス基板の半分の厚さのガラス基板を２枚積層したガラス積層基板のたわみ量よりも大きい。ガラス基板の厚さとガラス基板の積層枚数を調整することにより、ガラス積層基板のたわみ量を調整することができる。
本発明の一実施形態の積層基板は、積層基板において、ガラス基板の反りが２００μｍ以下であることが好ましい。積層基板において、ガラス基板の反りが２００μｍ以下であれば、積層基板を搬送しやすい。積層基板において、ガラス基板の反りは、１００μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以下であればさらに好ましい。積層基板におけるガラス基板の反りは、上記したガラス基板単体の反りと同様の方法によって求められる。ガラス基板の面を３点支持するときは、ガラス基板の面からレーザを照射させる。
次に、本発明の一実施形態のガラス基板の製造方法について説明する。
本発明の一実施形態のガラス基板を製造する場合、溶解、清澄、成形、および徐冷工程を経る。
溶解工程は、得られるガラス板の組成となるように原料を調製し、原料を溶解炉に連続的に投入し、好ましくは１４５０〜１６５０℃程度に加熱して溶融ガラスを得る。
原料には酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、場合により塩化物などのハロゲン化物なども使用できる。溶解や清澄工程で溶融ガラスが白金と接触する工程がある場合、微小な白金粒子が溶融ガラス中に溶出し、得られるガラス板中に異物として混入してしまう場合があるが、硝酸塩原料の使用はこの白金異物の溶出を防止する効果がある。
硝酸塩としては、硝酸ストロンチウム、硝酸バリウム、硝酸マグネシウム、硝酸カルシウムなどを使用できる。硝酸ストロンチウムを使用することがより好ましい。
原料粒度も溶け残りが生じない程度の数百ミクロンの大きな粒径の原料から、原料搬送時の飛散が生じない、二次粒子として凝集しない程度の数ミクロン程度の小さな粒径の原料まで適宜使用できる。造粒体の使用も可能である。含水量、β−ＯＨ、Ｆｅの酸化還元度またはレドックス［Ｆｅ２＋／（Ｆｅ２＋＋Ｆｅ３＋）］などの溶解条件も適宜調整、使用できる。
清澄工程は、上記溶解工程で得られた溶融ガラスから泡を除く工程である。清澄工程としては、減圧による脱泡法を適用してもよい。また、本発明におけるガラス基板は、清澄剤としてＳＯ３やＳｎＯ２を用いることができる。
ＳＯ３源としては、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＮａおよびＫから選ばれる少なくとも１種の元素の硫酸塩であることが好ましく、アルカリ土類金属あるいはアルカリ金属の硫酸塩であることがより好ましく、中でも、ＣａＳＯ４・２Ｈ２Ｏ、ＳｒＳＯ４、ＢａＳＯ４およびＮａ２ＳＯ４が、泡を大きくする作用が著しく、特に好ましい。
減圧による脱泡法における清澄剤としてはＣｌやＦなどのハロゲンを使用するのが好ましい。Ｃｌ源としては、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＮａおよびＫから選ばれる少なくとも１種の元素の塩化物であることが好ましく、アルカリ土類金属あるいはアルカリ金属の塩化物であることがより好ましく、中でも、ＳｒＣｌ２・６Ｈ２Ｏ、ＢａＣｌ２・２Ｈ２Ｏ、およびＮａＣｌが、泡を大きくする作用が著しく、かつ潮解性が小さいため、特に好ましい。
Ｆ源としては、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素のフッ化物であることが好ましく、アルカリ土類金属のフッ化物であることがより好ましく、中でも、ＣａＦ２がガラス原料の溶解性を大きくする作用が著しく、特に好ましい。
成形工程として、溶融ガラスを溶融金属上に流して板状にしてガラスリボンを得るフロート法が適用される。
徐冷工程として、ガラスリボンを徐冷し、ガラス板に切り出した後、所定の形状、大きさに切断することで本発明の一実施形態のガラス基板を得る。
本発明の一実施形態のガラス基板は、例えば、成形工程および徐冷工程において、ガラスリボン進行方向に直交するガラスリボン幅方向のガラスリボン中央部の徐冷速度とガラスリボン端部の徐冷速度との差を大きくすることにより、反りや反りによる傾斜角度を大きくすることができる。
徐冷速度の調整により、反りを２〜３００μｍ、反りによる傾斜角度を０．０００４〜０．１２°とすることができる。また、成形工程および徐冷工程において、ガラスリボンの局所的な冷却や、ガラスリボン進行方向に直交するガラスリボン幅方向のガラスリボン中央部の温度とガラスリボン端部の温度との差を大きくすることにより、反りや反りによる傾斜角度を大きくすることができる。
以上説明した本実施形態のガラス基板にあっては、反りが２〜３００μｍであり、反りによる傾斜角度が０．０００４〜０．１２°であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。
本発明は上記実施形態に限定されない。本発明の目的を達成できる範囲での変形や改良等は本発明に含まれる。
例えば、本発明の一実施形態のガラス基板を製造する場合、成形工程で、フュージョン法やロールアウト法、プレス成形法などを適用して溶融ガラスを板状にしてもよい。
また、本発明の一実施形態のガラス基板を製造する場合、白金坩堝を用いてもよい。白金坩堝を用いた場合、溶解工程は、ガラス基板の目標組成となるように原料を調製し、原料を入れた白金坩堝を電気炉に投入し、好ましくは１４５０〜１６５０℃程度に加熱して白金スターラーを挿入し１〜３時間撹拌し溶融ガラスを得る。
成形工程は、溶融ガラスを例えばカーボン板状に流し出し板状にする。徐冷工程は、板状のガラスを室温状態まで徐冷し、切断後、ガラス基板を得る。
以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定されない。
例１〜１８は実施例であり、例１９〜２１は比較例である。表１、２に示すガラス組成（目標組成）となるように珪砂等の各種のガラス原料を調合し、目標組成の原料１００％に対し、酸化物基準の質量百分率表示で、硫酸塩をＳＯ３換算で０．０１〜１％、Ｆを０．１６％、Ｃｌを１％添加し、白金坩堝を用いて１５５０〜１６５０℃の温度で３時間加熱し溶融した。溶融にあたっては、白金スターラーを挿入し１時間攪拌しガラスの均質化を行った。次いで溶融ガラスをカーボン板状に流し出して板状に成形した後、板状のガラスをＴｇ＋５０℃程度の温度の電気炉に入れ、冷却速度Ｒ（℃／分）で電気炉を降温させ、ガラスが室温になるまで冷却した。
得られたガラスの密度（単位：ｇ／ｃｍ３）、平均熱膨張係数（単位：×１０−７／℃）、ガラス転移点Ｔｇ（単位：℃）、ヤング率（単位：ＧＰａ）、Ｔ２（単位：℃）、およびＴ４（単位：℃）、失透温度（単位：℃）、透過率（単位：％）を測定し、表１、２に示した。なお、表中のかっこ書きした値は、計算により求めたものである。ガラス中のＦｅ２Ｏ３残存量は５０〜２００ｐｐｍ、ＳＯ３残存量は１０〜５００ｐｐｍであった。以下に各物性の測定方法を示す。
（平均熱膨張係数）
ＪＩＳ Ｒ３１０２（１９９５年）に規定されている方法に従い、示差熱膨張計（ＴＭＡ）を用いて５０〜３５０℃の平均熱膨張係数を測定した。
（ガラス転移点Ｔｇ）
ＪＩＳ Ｒ３１０３−３（２００１年）に規定されている方法に従い、ＴＭＡを用いて測定した。
（密度）
泡を含まない約２０ｇのガラス塊をアルキメデス法によって測定した。
（ヤング率）
厚さ０．５〜１０ｍｍのガラスについて、超音波パルス法により測定した。
（Ｔ２）
回転粘度計を用いて粘度を測定し、１０２ｄＰａ・ｓとなるときの温度Ｔ２（℃）を測定した。
（Ｔ４）
回転粘度計を用いて粘度を測定し、１０４ｄＰａ・ｓとなるときの温度Ｔ４（℃）を測定した。
（失透温度）
ガラスの失透温度は、白金製皿に粉砕されたガラス粒子を入れ、一定温度に制御された電気炉中で１７時間熱処理を行い、熱処理後の光学顕微鏡観察によって、ガラスの内部に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度との平均値である。
（透過率）
得られたガラスを厚さ１ｍｍに鏡面研磨し、波長３００ｎｍにおける透過率を分光光度計により測定した。
次に、表１、２に示すガラス組成となるように珪砂等の各種のガラス原料を調合し、目標組成の原料１００％に対し、酸化物基準の質量百分率表示で、硫酸塩をＳＯ３換算で０．０１〜１％、ガラス溶融装置を用いて１５５０〜１６５０℃の温度で溶融し、脱泡、均質化を行った。次いで溶融ガラスを板状に成形、徐冷し、切断した。さらに、表１、２に示す直径となるように円形に切断し、ガラス基板を得た。成形工程および徐冷工程において、ガラスリボン進行方向に直交するガラスリボン幅方向のガラスリボン中央部の温度とガラスリボン端部の温度を調整することにより、反りや傾斜角度を調整した。
例１〜１８のガラス基板にあっては、成形工程および徐冷工程において、ガラスリボン進行方向に直交するガラスリボン幅方向のガラスリボン中央部の温度とガラスリボン端部の温度との差を大きくした。
例１９〜２０のガラス基板にあっては、成形工程および徐冷工程において、ガラスリボン進行方向に交わるガラスリボン幅方向のガラスリボン中央部の温度とガラスリボン端部の温度との差を例１〜１８のガラス基板を作製するときよりも小さくした。
例２１のガラス基板にあっては、成形工程および徐冷工程において、ガラスリボン進行方向に交わるガラスリボン幅方向のガラスリボン中央部の温度とガラスリボン端部の温度との差を例１〜１８のガラス基板を作製するときよりも大きくした。
得られたガラス基板の厚さＴ（単位：ｍｍ）、直径Ｄ（単位：インチ）、一の主表面の面積（単位：ｃｍ２）、板厚偏差（単位：μｍ）、反り（単位：μｍ）、たわみ量Ｓ（単位：μｍ）を測定し、表１、２に示した。また、反りによる傾斜角度を求め、該傾斜角度が０．０００４〜０．１２°の範囲内にあるかを示した。なお、表中のかっこ書きした値は、計算により求めたものである。以下に各物性の測定方法を示す。
（厚さ）
ガラス基板の板厚を分光干渉レーザ変位計（キーエンス製）により測定した。
（直径）
ガラス基板の直径をノギスにより測定した。
（面積）
ガラス基板の一の主表面を非接触レーザ変位計（黒田精工製ナノメトロ）により１ｍｍ間隔で測定し、面積を算出した。
（板厚偏差）
ガラス基板の板厚を非接触レーザ変位計（黒田精工製ナノメトロ）により３ｍｍ間隔で測定し、板厚偏差を算出した。
（反り）
ガラス基板の２つの主表面の高さを非接触レーザ変位計（黒田精工製ナノメトロ）により３ｍｍ間隔で測定し、上記図２を用いて説明した方法により反りを算出した。
（たわみ量）
非接触レーザ変位計（黒田精工製ナノメトロ）により上記図４を用いて説明した方法によりたわみ量を測定した。
（反りによる傾斜角度）
ガラス基板の２つの主表面の高さを非接触レーザ変位計（黒田精工製ナノメトロ）により３ｍｍ間隔で測定し、上記図３を用いて説明した方法により傾斜角度を算出した。
Figure 0006601493
Figure 0006601493
例１〜１８のガラス基板は、反りが２μｍ以上で、反りによる傾斜角度が０．０００４〜０．１２°の範囲内であった。したがって、例１〜１８のガラス基板は、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。
例１９〜２０のガラス基板は、反りが２μｍ未満で、反りによる傾斜角度が０．０００４°未満であった。したがって、例１９〜２０のガラス基板は、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りやすい。
例２１のガラス基板は、反りが３００μｍを超える。したがって、例２１のガラス基板は、シリコンを含む基板との整合性が悪く、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしにくい。
本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更および変形が可能であることは、当業者にとって明らかである。なお本出願は、２０１５年５月２８日付で出願された日本特許出願（特願２０１５−１０９２００）に基づいており、その全体が引用により援用される。
本発明によれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくいガラス基板を提供できる。また、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ用の支持ガラス基板として好適に利用できる。また、ウェハレベルパッケージによる素子の小型化が有効なＭＥＭＳ、ＣＭＯＳ、ＣＩＳ等のイメージセンサ用のガラス基板、ガラスインターポーザ（ＧＩＰ）の穴開け基板、および半導体バックグラインド用のサポートガラスとして好適に利用できる。
１０ 基板
２０ 樹脂
３０ 積層基板
Ｇ１ ガラス基板

Claims (14)

  1. シリコンを含む基板と積層されることにより積層基板が形成されるガラス基板であって、前記ガラス基板の反りが２〜３００μｍであり、前記反りによる傾斜角度が０．０００４〜０．１２°であるガラス基板。
  2. 前記ガラス基板の一の主表面の面積が７０〜２０００ｃｍ２である請求項１に記載のガラス基板。
  3. 前記ガラス基板の形状が円形である請求項１または２に記載のガラス基板。
  4. 前記ガラス基板のヤング率が６５ＧＰａ以上である請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス基板。
  5. 前記ガラス基板の一の主表面に直交し、前記一の主表面の重心を通る断面の形状が凹形であり、前記一の主表面の重心を通り前記断面と前記一の主表面とに直交する断面が凸形である請求項１〜４のいずれか１項に記載のガラス基板。
  6. 前記ガラス基板の一の主表面に直交し、前記一の主表面の重心を通る断面の形状が凹形であり、前記一の主表面の重心を通り前記断面と前記一の主表面とに直交する断面が凹形である請求項５に記載のガラス基板。
  7. 前記ガラス基板が、酸化物基準のモル百分率表示で
    ＳｉＯ２ ：５０〜７５％、
    Ａｌ２Ｏ３ ：０〜１６％、
    Ｂ２Ｏ３ ：０〜１５％、
    ＭｇＯ ：０〜１８％、
    ＣａＯ ：０〜１３％、
    ＳｒＯ ：０〜１１％、
    ＢａＯ ：０〜１５％、
    Ｎａ２Ｏ ：０〜１７％、
    Ｋ２Ｏ ：０〜１５％
    を含む請求項１〜６のいずれか１項に記載のガラス基板。
  8. 前記ガラス基板のβ−ＯＨが０．０５〜０．６５ｍｍ−１である請求項１〜７のいずれか１項に記載のガラス基板。
  9. 前記ガラス基板の板厚偏差が１〜１５μｍである請求項１〜８のいずれか１項に記載のガラス基板。
  10. 前記ガラス基板の５０℃〜３５０℃での平均熱膨張係数が３０〜１２０（×１０−７／℃）である請求項１〜９のいずれか１項に記載のガラス基板。
  11. 前記ガラス基板の主表面に遮光膜が形成される請求項１〜１０のいずれか１項に記載のガラス基板。
  12. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載のガラス基板とシリコンを含む基板とが積層された積層基板。
  13. 前記ガラス基板が２枚以上積層された請求項１２に記載の積層基板。
  14. 前記積層基板において、前記ガラス基板の反りが２００μｍ以下である請求項１２または１３に記載の積層基板。
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