JP2019001684A - ガラス基板及びガラス基板梱包体 - Google Patents

Abstract

【課題】ガラス基板の凹面凸面である反りの方向を管理できるガラス基板を提供する。【解決手段】ガラス基板１０は、第１主面１１と、第１主面１１と、第２主面１２と、側面（外周部）１３とを備えている。側面１３には、切欠き部５０が形成され、当該切欠き部５０が存在しないと仮定した場合に得られるガラス基板１０の仮想縁Ｍの中心位置Ｐを仮定し、切欠き部５０は、中心位置Ｐと当該ガラス基板１０の中心Ｏを結ぶ中心線Ｘを線対称の中心として、非対称の形状を有する。切欠き部５０はノッチ、オリエンテーションフラットである。また、側面（外周部）１３のベベル１６は、当該ガラス基板１０の板厚の中心位置Ｐを通る板厚中心線Ｙを線対称の中心として、非対称である。切欠き部５０、ベベル１６を非対称とすることで、ガラス基板１０の表裏が判別できる。【選択図】図２

Description

本発明は、積層基板を形成させるためのガラス基板及びガラス基板が梱包されてなるガラス基板梱包体に関する。

ガラス基板にシリコンを含む基板を貼り合わせる技術が知られている（例えば特許文献１）。

特許文献１は、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせて積層基板とする工程において、前記ガラス基板と前記シリコンを含む基板との間に泡が入りにくいガラス基板、積層基板、積層基板の製造方法、積層体、梱包体、およびガラス基板の製造方法を開示している。

国際公開第２０１７／０１８２７５号

ガラス基板の表裏が識別できないと、その後のプロセスで不具合を生じることがある。本発明の一態様は、ガラス基板の表裏を管理（識別）できるガラス基板及び当該ガラス基板が梱包されてなるガラス基板梱包体を提供する。

本発明の一態様のガラス基板は、半導体基板と積層されることにより積層基板を形成させるためのガラス基板であって、前記ガラス基板が外周部に切欠き部を有し、当該切欠き部が存在しないと仮定した場合に得られる前記ガラス基板の仮想縁の中心位置を仮定し、前記切欠き部は、前記中心位置と当該ガラス基板の中心を結ぶ中心線を線対称の中心として、非対称の形状を有する。

本発明の一態様のガラス基板は、ガラス基板が平面視において円形であり、切欠き部が円形の外周部から円形の内側に向けて形成されたノッチである。

本発明の一態様のガラス基板は、ガラス基板が平面視において矩形であり、切欠き部が前記矩形の少なくとも一つの角部に形成されたオリエンテーションフラットである。

本発明の一態様のガラス基板は、半導体基板と積層されることにより積層基板を形成させるためのガラス基板であって、前記ガラス基板が外周部において、主面から板厚方向に傾斜したべベルを有し、前記ベベルは、当該ガラス基板の板厚の中心位置を通る板厚中心線を線対称の中心として、非対称である。

本発明の一態様のガラス基板によれば、ガラス基板の表裏を管理（識別）できるため、当該ガラス基板を用いたその後のプロセスにおける不具合を防ぐことができる。

本発明に係るガラス基板を含む積層基板の断面図で、（Ａ）積層前、（Ｂ）積層後。 本発明に係るガラス基板の第１の実施形態の一例を示し、（Ａ）平面図、（Ｂ）（Ａ）のＡ−Ａ断面図。 図２（Ａ）のＢ部拡大図。 本発明に係るガラス基板の第２の実施形態の一例を示す平面図。 本発明に係るガラス基板の第３の実施形態の一例を示し、（Ａ）平面図、（Ｂ）（Ａ）のＡ部拡大図で第３の実施形態の例１、（Ｃ）（Ａ）のＡ部拡大図で第３の実施形態の例２。 本発明に係るガラス基板の第４の実施形態の一例を示し、（Ａ）平面図、（Ｂ）（Ａ）のＡ−Ａ断面図。 図６（Ｂ）のＡ部のベベルの拡大図、（Ａ）第４の実施形態の例１、（Ｂ）第４の実施形態の例２。 本発明に係るガラス基板の第５の実施形態の一例を示し、図６（Ｂ）のＡ部のベベルの拡大図。 本発明に係るガラス基板を積層したガラス基板梱包体の収納状態を示す模式図。

以下、図面を用いて、本発明の一態様に係るガラス基板の具体的な実施の形態について詳述する。

図１は、本発明の一態様に係るガラス基板を含む積層基板の断面図で、（Ａ）は積層前、（Ｂ）は積層後を示す。図２は、本発明に係るガラス基板の第１の実施形態の一例を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。

図１（Ａ）に示される本実施形態のガラス基板１０に半導体基板２０を、接合層３０を間に介して、例えば、雰囲気２００℃〜４００℃の温度で貼り合わせ、図１（Ｂ）に示される積層基板４０を得る。

半導体基板２０として、例えば、原寸の半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ、ゲルマニウムウェハ、化合物半導体ウェハ）が用いられる。また、半導体基板２０は、素子が形成されたウェハ、ウェハから素子が切り出されたチップ（例えばシリコンチップ）が樹脂にモールドされた基板等であってもよい。半導体基板２０とガラス基板１０とは、例えば、銅等により配線接続されてもよい。接合層３０は、例えば、２００〜４００℃の温度に耐えられる材料である。接合層３０としては、例えば樹脂を用いればよい。

本実施形態のガラス基板１０は、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ用の支持ガラス基板として好適である。また、ウェハレベルパッケージによる素子の小型化が有効なＭＥＭＳ、ＣＭＯＳ、ＣＩＳ等のイメージセンサ用のガラス基板、ガラスインターポーザ（ＧＩＰ）の孔開け基板、および半導体バックグラインド用のサポートガラスとして好適である。

なお、図１は簡略化した模式図であり、ガラス基板１０と半導体基板２０とを、接合層３０を間に介して貼り合わせている例を示しているが、特に限定されない。接合層３０上には、例えば、金属部材（銅配線やはんだ）や樹脂部材なども積層されてもよい。

本実施形態のガラス基板１０は、図２に示すように、第１主面１１と、第１主面１１に対向する他の面である第２主面１２と、第１主面１１と第２主面１２を繋ぐ側面１３とを備えている。例えば、第１主面１１を表面とし、第２主面１２を裏面とする。本実施形態のガラス基板１０は、表裏で相違する点を有する。本実施形態では、ガラス基板１０が反り（凹面凸面）を有し、第１主面１１が凸面、第２主面１２が凹面の例を説明するが、凹面と凸面はその逆でも良い。凸面及び凹面は曲面（反り）でもある。また、表裏で相違する点は目視等で検知しにくい点であれば特に限定されず、表裏で面粗さが相違する（例えば一方の面が研磨面で他方の面が未研磨面）などであってもよい。

尚、本実施形態で述べる凸面または凹面とは、ＳＥＭＩ規格を用いて、巨視的な曲面が凸面か凹面であるのかを識別することを意味する。具体的には、ＳＥＭＩ規格のＢＯＷ（ＭＦ５３４）またはＷＡＲＰ（ＭＦ６５７、ＭＦ１３９０）を用いて、凸面または凹面を識別すればよい。一定の反りの場合はＢＯＷを用いればよく、一定の反りでない（断面状に見たときにウェーブ状）場合はＷＡＲＰを用いればよい。

凹面凸面の識別は、例えば、表面形状測定システム（一例としてＫＯＨＺＵ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ製のＬａｓｅｒ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｓｙｓｔｅｍ Ｄｙｖｏｃｅ‐３０００）を用いて行うことができる。上記システムにより、一定の反りか否かを判断することができる。また、上記システムを用い、ガラス基板１０の反り値を測定することができる。一定の反りの場合はＢＯＷとして測定された値を反り値とし、一定の反りでない場合はＷＡＲＰとして測定された値を反り値とする。

ＢＯＷは、吸着固定しない状態の基板で、ある指定された基準面から基板中心面の距離で表される。基準面側を凹面とし、凹面と反対側の面を凸面とする。基準面は、ウェハの板厚中心線で決定される。

ＷＡＲＰは、吸着固定しない状態の基板で、ある指定された基準面に対して、基準面と基板中心面との距離の最大値と最小値の差で表される。基準面は最小自乗法により決定され、その最大値と最小値の差が最小となるように基板中心面を設定する。最大値が存在する側を凸面とし、最小値が存在する面を凹面とする。

本実施の形態のガラス基板１０は、一の主面の表面積が７０７ｃｍ^２以下の場合は、ガラス基板１０の反り値は２００μｍ以下が好ましく、１００μｍ以下がより好ましく、６０μｍ以下が特に好ましい。ガラス基板１０は、一の主面の表面積が７０７ｃｍ^２以上の場合は、ガラス基板１０の反り値は１０００μｍ以下が好ましく、５００μｍ以下がより好ましく、１００μｍ以下が特に好ましい。

例えば、第２主面１２である凹面は、ガラス基板１０と半導体基板２０とを貼り合わせて積層基板４０とする工程において、半導体基板２０と貼り合わせる側とするのが好ましい。凹面側と半導体基板２０とを貼り合わせることにより、その後の熱処理工程でガラス基板１０の反り方向が圧縮方向となる。そのため、ガラス基板１０と半導体基板２０などの積層した部材とが剥がれにくくなる。なお、プロセスや積層する部材によっては、ガラス基板１０の反り方向が引っ張り方向となった方が好ましい場合がある。その場合は、貼り合わせ面が凸面となるようにすればよい。

ガラス基板１０と半導体基板２０と積層する際に、ガラス基板１０の主面のどちらが凹面か凸面か、すなわち反りの向きを判別することが重要になる場合がある。よって、表裏識別の一例として、主面のいずれかが凹面と凸面なのか（反りの向き）を、目視によって（場合によっては判別装置によって）容易に識別できるような、何らかの識別要素をガラス基板１０に設けることが望ましいと考えられる。

本実施形態のガラス基板１０は、半導体基板２０と積層されることにより積層基板４０を形成させるためのガラス基板１０であって、ガラス基板１０が第１主面１１の凸面と、第２主面１２の凹面とを有し、表裏（凸面と凹面）を識別できる識別要素を有している。第１の実施形態のガラス基板１０は、平面視において円形であり、当該識別要素は切欠き部５０である。

図３は、図２（Ａ）のＢ部である切欠き部５０の拡大図である。図３に基づいて切欠き部５０を詳述する。

図３において、仮想縁Ｍは、切欠き部５０が存在しないと仮定した場合のガラス基板１０の外周部分（円形の場合は円周部分、図３の点線部分）とする。仮想縁Ｍは、ガラス基板１０の切り欠き部５０部を含まない円周部分から複数の点を取って最小二乗法により求めた近似円のうち、切欠き部に該当する円周部分である。ここで、複数の点は、切欠き部と対向する位置（切欠き部から略１８０度の位置）の点を基準（０時（０度））として２時（６０度）、４時（１２０度）、８時（２４０度）、１０時（３００度）の位置で取る。ガラス基板１０の中心Ｏは、上記近似円の中心とする。仮想縁Ｍの中心位置Ｐは、仮想縁Ｍの中心の点（中央点）とする。切り欠き部５０は、中心位置Ｐとガラス基板１０の中心Ｏを結ぶ中心線Ｘを線対称の中心として、非対称の形状を有している。

切欠き部５０は、目視でも確認できるが、例えば、レーザ方式によって、ガラス基板１０のどこの位置にあるかを検出できる。また、切欠き部５０は、カメラによりガラス基板１０を撮像して画像認識して検出してもよい。切欠き部５０を有することにより、半導体基板２０上に回路パターンを形成するときに、切欠き部５０に合わせて半導体基板２０の位置や角度を特定することができ、回路パターンの寸法ずれを抑えることができる。

また、切欠き部５０の切欠きは、ノッチやオリエンテーションフラット（以下、オリフラという）などが挙げられる。ノッチとはガラス基板１０の端に形成されるＶ字形やＵ字形の切欠きで、オリフラとはガラス基板１０の角部を切り落として形成される切欠きのことである。従って、第１の実施形態の切欠き部５０はノッチでもある。ノッチ及びオリフラは、SEMI M1-0302 SPECIFICATIONS FOR POLISHED MONOCRYSTALLINE SILICON WAFERSに準拠して形成することができる。

図３において、仮想縁Ｍは点線で示している。また、非対称の形状の一例として、ガラス基板１０の側面１３である外周部から切り欠き部５０の輪郭線Ｅを結ぶ二つの連結線Ｆ１、Ｆ２の曲率半径Ｒ１、Ｒ２が互いに異なっている。本実施形態では、曲率半径Ｒ１は、Ｒ２に比べて大きく、例えばＲ１＝０．９ｍｍ、Ｒ２＝０．３ｍｍである。また、曲率半径Ｒ１とＲ２との差は、０．３以上が好ましく、０．６以上がより好ましく、０．９以上が特に好ましい。

切欠き部５０が、非対称の形状を有することにより、表裏（本実施の形態では凹面がどちらにあるか）の判別がし易い。大きい曲率半径Ｒ１が０．９ｍｍであり、小さい曲率半径Ｒ２が０．３ｍｍであれば、表裏の識別が目視でも可能となる。またＲ１とＲ２の差を大きく取ることで、より識別判定が容易となる。

以上説明した本実施形態のガラス基板１０にあっては、ガラス基板１０の凹面と凸面とを識別できるため、その後のプロセスで様々な積層部材を積層して熱処理を行っても、ガラス基板１０と積層した部材（半導体基板２０など）とが剥離しにくくなるように、ガラス基板１０の向き（方向）を制御することができる。

図４は、本発明に係るガラス基板１０の第２の実施形態の一例を示す平面図である。第２の実施形態では、切欠き部５０を複数有している。第１切欠き部５０ａの側方（図面上右側）に第２の切欠き部５０ｂを設けている。複数の切欠き部５０を設けることにより、目視でも表裏の判別が容易となる。また、切欠き部５０ａと切欠き部５０ｂとの大きさを相違させても良い。

本発明の一実施形態のガラス基板１０は、円形であることが好ましい。円形であれば、半導体基板２０との積層が容易である。特に、円形の半導体基板２０との積層が容易である。ここで、円形とは真円に限らず、直径が同一の真円からの寸法差が５０μｍ以下である場合を含む。

図５は、本発明に係るガラス基板１０の第３の実施形態の一例を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ部拡大図で第３の実施形態の例１、（Ｃ）は（Ａ）のＡ部拡大図で第３の実施形態の例２である。

第３の実施形態では、ガラス基板１０の平面視が矩形であり、切欠き部５０は当該矩形の少なくとも一つの角部１４に形成されたオリフラである。

図５において、仮想縁Ｍは、切欠き部５０が存在しないと仮定した場合のガラス基板の外周部分（図５の点線部分）とする。仮想縁Ｍは、ガラス基板１０を構成する４辺から近似した矩形のうち、切欠き部５０に該当する外周部分である。ガラス基板１０の中心Ｏは、上記近似矩形の中心とする。仮想縁Ｍの中心位置Ｐは、仮想縁Ｍを構成する２辺の交点とする。切欠き部５０は、中心位置Ｐと当該ガラス基板１０の中心Ｏを結ぶ中心線Ｘを線対称の中心として、非対称の形状を有している。

図５（Ｂ）の例１では、仮想縁Ｍにおいて中心位置Ｐから第１側面１３ａまでの距離Ｌ１と、中心位置Ｐから第２側面１３ｂまでの距離Ｌ２とが異なっている。距離Ｌ１と距離Ｌ２の比は、例えば１：２等に設定されるが特には限定されない。

また、図５（Ｃ）の例２では、側面１３と切欠き部５０の輪郭線Ｅを結ぶ二つの連結線Ｆ１、Ｆ２の曲率半径Ｒ１、Ｒ２が、互いに異なっている。本例では、曲率半径Ｒ１は曲率半径Ｒ２に比べ小さくなっている。中心位置Ｐから第１側面１３ａ、第２側面１３ｂまでの距離は同じであってもよいし、異なっていてもよい。

切欠き部５０を非対称の形状とすることで、ガラス基板１０の表裏（どちらの主面１１、１２が凸面であるか）容易に判別できる。また、切欠き部５０の大きさ、個数などは限定されない。切欠き部５０が角であれば切欠きが形成しやすく、切欠き部５０の位置を検出しやすい。

また、ガラス基板１０が矩形であれば、同一面積の円形の場合に比べて、板状のガラス板（素板）からガラス基板１０の枚数を多く得ることが可能である。また、ガラス基板１０が矩形であれば、同一面積の円形の場合に比べて、多くのチップを貼り合わせることが可能である。

図６は、本発明に係るガラス基板１０の第４の実施形態の一例を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。図７は、図６（Ｂ）のＢ部であるベベルの拡大図で、（Ａ）は第４の実施形態の例１、（Ｂ）は第４の実施形態の例２である。図６、図７に基づいて、第４の実施形態を説明する。

第４の実施形態は、半導体基板２０と積層されることにより積層基板４０を形成させるためのガラス基板１０であって、ガラス基板１０が側面１３である外周部において、主面１１、１２から板厚方向に傾斜した傾斜面１５からなるベベル１６を有し、当該ベベル１６は、当該ガラス基板１０の板厚の中心位置を通る板厚中心線Ｙを線対称の中心として、非対称である。

図７（Ａ）の例１では、第１主面１１から側面１３に向かって傾斜する第１傾斜面１５ａと、第２主面１２から側面１３に向かって傾斜する第２傾斜面１５ｂが設けられ、第１傾斜面１５ａと第２傾斜面１５ｂとの傾斜角度が異なっている。また、第１傾斜面１５ａと第２傾斜面１５ｂとの長さが異なっていても良い。即ち、第１傾斜面１５ａと第２傾斜面１５ｂは、板厚中心線Ｙを線対称の中心として、非対称に設けられている。

図７（Ｂ）の例２では、第１主面１１から側面１３に向かって湾曲する傾斜面１５ａが設けられ、第２主面１２側には傾斜面１５が設けられていない。即ち、ベベル１６は、板厚中心線Ｙを線対称の中心として、非対称である。

ベベル１６は、ガラス基板１０の側面１３において、面取り加工を行うことにより形成された傾斜面１５を含む形状であり、ベベル１６を設けることによりガラス基板１０のクラックの発生を防止している。

ベベル１６の形状を、板厚中心線Ｙを線対称の中心として非対称にすることにより、凸面と凹面との判別が容易となり、ガラス基板１０と半導体基板２０とを貼り合わせて積層基板４０とする工程において、半導体基板２０とを貼り合わせる凹面側を容易に判別できる。

尚、ベベル１６の非対称形状は、切欠き部５０と同様に目視、レーザ方式、または／および画像処理により判別ができる。

図８は、本発明に係るガラス基板１０の第５の実施形態の一例を示し、図６（Ｂ）のＡ部であるベベル１６の拡大図である。図８に基づいて第５の実施形態を説明する。

第５の実施形態は、ガラス基板１０のベベル１６が、主面１１、１２から板厚方向に傾斜した少なくとも二つの傾斜面１５ａ、１５ｂを有し、一つの傾斜面１５ａにマーキング６０が形成され、他方の傾斜面１５ｂにマーキング６０が形成されていない。マーキング６０は、貼り付け、印刷、刻印、エッチング、筆記具によるマーキング等の方法で形成され、記号、数字、マークなど種々の形状が可能であり、特に限定しない。

マーキング６０を形成することにより、凸面と凹面との判別が容易となり、ガラス基板１０と半導体基板２０とを貼り合わせて積層基板４０とする工程において、半導体基板２０とを貼り合わせる凹面側を容易に判別できる。

上述した識別要素であるノッチやオリフラを含む切欠き部５０、非対称ベベル１６、マーキング６０を、それぞれ単独で用いても良く、また、組み合わせて用いても良い。

本実施形態のガラス基板１０は、例えば、以下の製造工程により成形、出荷される。

（１）成形工程：溶融ガラスを溶融金属上に流して板状にしてガラスリボンを得るフロート法が適用される。また、ダウンドロー法、フュージョン法、ロールアウト法、プレス成形法などを適用して溶融ガラスを板状にしてもよい。溶融ガラスをインゴット状に成形した後、スライスして板状にしてもよい。

（２）切り出し工程：ガラス板に切り出した後、所定の形状、大きさに切断することでガラス基板１０を得る。

（３）識別要素形成工程：ガラス基板１０の一の主面１１、１２が凸面であるか凹面であるかを、例えばレーザ変位計、画像解析等により判定して、側面１３の研磨を行うと共に、切欠き部５０、ベベル１６、マーキング６０等を形成する。「識別要素」とは、ガラス基板１０の第１主面（凸面）１１及び第２主面（凹面）１２を判別する要素で、ノッチ、オリフラを含む切欠き部５０、ベベル１６、マーキング６０などを含む。

（４）研磨工程：ガラス基板１０の主面１１、１２を、例えば、酸化アルミニウム、酸化セリウム等を研磨砥粒として含む研磨液で研磨処理する。

（５）識別番号付与工程：識別番号をレーザ等でガラス基板１０の側面１３近傍に形成する。識別番号は、ガラス基板１０の第１主面１１及び第２主面１２の少なくとも一方に形成される。

（６）洗浄工程：ガラス基板１０を洗浄する。例えば、アルカリ性洗浄を純水に添加した洗浄槽に浸漬して、超音波洗浄を行い、ガラス基板１０を純水で十分リンスした後、乾燥させる。

（７）検査工程：出荷前のガラス基板１０の品質等を検査する。

（８）梱包／出荷工程：複数のガラス基板１０を重ね合わせてガラス基板梱包体１００として出荷する。ガラス基板梱包体１００は、図９に示すように、各ガラス基板１０の間に合紙１１０挟み、ガラス基板１０を少なくとも２枚以上積層させたもので、梱包容器１２０に収納し、ガラス基板梱包体１００として出荷する。ガラス基板１０は、表裏（例えば凹面側）が容易に判別できるため、ガラス基板１０の反りの方向を揃えて積層できる。すなわち、ガラス基板梱包体１００は、ガラス基板１０が有する非対称の形状が揃うように梱包される。

梱包容器１２０及びガラス基板１０の積層形態は、図９に示すようなものには限られない。例えば、梱包容器が、特定のガラス基板専用に設計され、ガラス基板を収容するスロットのようなものを設けたカセット式のものであってもよい。

尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。その他、上述した実施形態における各構成要素の材質、形状、寸法、数値、形態、数、配置箇所、等は本発明を達成できるものであれば任意であり、限定されない。

本発明の一態様のガラス基板は、ガラス基板の２つの主面に対して、表裏を容易に判定することを要求する分野に好適に用いられる。

１０ ガラス基板
１１ 第１主面
１２ 第２主面
１３ 側面（外周部）
１４ 角部
１５ 傾斜面
１６ ベベル
２０ 半導体基板
３０ 接合層
４０ 積層基板
５０ 切欠き部（ノッチ、面取り部）
６０ マーキング
１００ ガラス基板梱包体
Ｍ 仮想縁
Ｐ 中心位置
Ｒ１、Ｒ２ 曲率半径
Ｘ 中心線
Ｙ 板厚中心線

Claims (9)

1. 半導体基板と積層されることにより積層基板を形成させるためのガラス基板であって、
   前記ガラス基板が外周部に切欠き部を有し、
   当該切欠き部が存在しないと仮定した場合に得られる前記ガラス基板の仮想縁の中心位置を仮定し、
   前記切欠き部は、前記中心位置と当該ガラス基板の中心を結ぶ中心線を線対称の中心として、非対称の形状を有する、ガラス基板。
2. 前記ガラス基板が平面視において円形であり、
   前記切欠き部が前記円形の外周部から前記円形の内側に向けて形成されたノッチである、請求項１に記載のガラス基板。
3. 前記外周部と前記ノッチの輪郭線を結ぶ二つの連結線の曲率半径が互いに異なる、請求項２に記載のガラス基板。
4. 前記ガラス基板が平面視において矩形であり、
   前記切欠き部が前記矩形の少なくとも一つの角部に形成されたオリエンテーションフラットである、請求項１に記載のガラス基板。
5. 半導体基板と積層されることにより積層基板を形成させるためのガラス基板であって、
   前記ガラス基板が外周部において、主面から板厚方向に傾斜したべベルを有し、
   前記ベベルは、当該ガラス基板の板厚の中心位置を通る板厚中心線を線対称の中心として、非対称である、ガラス基板。
6. 前記ベベルが、前記主面から前記板厚方向に傾斜した少なくとも二つの傾斜面を有し、
   一つの傾斜面にマーキングが形成され、他方の傾斜面にマーキングが形成されていない、請求項５に記載のガラス基板。
7. 前記ガラス基板の一の主面の表面積が７０７ｃｍ^２以下の場合は、前記ガラス基板の反り値が２００μｍ以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のガラス基板。
8. 前記ガラス基板の一の主面の表面積が７０７ｃｍ^２以上の場合は、前記ガラス基板の反り値が１０００μｍ以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のガラス基板。
9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載のガラス基板が２枚以上梱包されてなり、
   ２枚以上の前記ガラス基板は、それぞれのガラス基板が有する非対称の形状が揃うように梱包される、ガラス基板梱包体。