JP6910299B2 - ガラス基板およびそれを備えたディスプレイ装置 - Google Patents

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Description

関連出願の説明
本出願は、その内容が依拠され、ここに全て引用される、２０１５年１月１４日に出願された米国仮特許出願第６２／１０３４１１号の米国法典第３５編第１１９条の下での優先権の恩恵を主張するものである。
本開示は、広く、ディスプレイ装置のためのガラス板または基板に関し、より詳しくは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの薄膜デバイス用のガラス板または基板およびそれを備えた高解像度フラットパネルディスプレイ装置に関する。本開示は、広く、ガラス板の凹面に基づいて基準面に対するガラスの板の順応性を決定し、凹面の方向を特定して、その板の表面上の薄膜の堆積を促進する方法にも関する。
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が、携帯電話、ラップトップ型コンピュータ、電子タブレット、テレビ、およびコンピュータ用モニタなどの様々な電子機器に一般に使用されている。より大型の高解像度フラットパネルディスプレイに対する需要の増加により、ディスプレイに使用するための、例えば、ＴＦＴ、カラーフィルタ、または他のディスプレイ用構成要素の製造に使用するための大型の高品質ガラスの必要性が高まっている。４Ｋ２Ｋまたは超高解像度ディスプレイは、高解像度と、製品製造に関する費用対効果とのバランスをとる解決策を提示するであろう。
４Ｋ２Ｋは、約４，０００ピクセルの水平解像度（１．９：１のアスペクト比で業界基準４０９６×２１０６０）のディスプレイ装置を称するために使用される。しかしながら、この多数のピクセルはより大きい抵抗容量を生じ得、これは次に、その装置の充電効率に影響を与え得る。ＲＣ遅延を減少させ、ピクセル充電を増加させるために、ガラス表面上に堆積される金属膜の幅および／または厚さを増加させることが好ましいであろう。例えば、図１に示されるように、４Ｋ２Ｋ装置における金属膜の幅Ｗ2および／または厚さＴ2は、フル高解像度（ＦＨＤ）装置における金属膜の幅ｗ1および／または厚さｔ1よりも著しく大きいであろう。図２に示されるように、より厚い金属層を堆積させると、膜応力のために、反りが生じ得、これは、薄膜デバイスに、平らな形状の代わりに、非平面またはボウル状形状を与え得る。
さらに、ディスプレイまたは照明パネルなどの電子装置用のガラス板の加工には、その板を平面支持体に一致させて、その装置の特定の構成要素を形成する必要があるであろう。有機発光ダイオード材料および他の薄膜などのこれらの構成要素は、典型的に、板を平面に真空チャックして、板を平らにする工程を含むフォトリソグラフィープロセスによって形成される。ガラス板を平面に一致させる能力は、その板の固有の（例えば、無重量）形状（例えば、板が重力の不在下で有するであろう形状）に依存する。一致抵抗は、主に、板の剛性の結果であるので、可展形状として知られている特定の形状は、比較的容易に平面に一致させられるであろう。他方で、非可展形状は、それほど容易に平らにならない。それゆえ、特定の形状は、フォトリソグラフィープロセスに難点をもたらすであろう。より重要なことに、平面支持体に対するその形状の方向が、板が一致する能力に影響するであろう。
したがって、上述した欠点の１つ以上に対処した薄膜デバイス、例えば、ＬＣＤなどの大型フラットパネルディスプレイ装置用のＴＦＴ、例えば、より低コストおよび／またはより高解像度のより平らなＴＦＴを提供することが都合よいであろう。様々な実施の形態において、そのようなＴＦＴを備えたＬＣＤ装置は、改善された画質、改善された充電効率および／またはエネルギー効率、および／または改善された費用効果を与えるであろう。
本開示は、様々な実施の形態において、薄膜トランジスタを製造するための、および／または薄膜トランジスタの反りを減少させるための方法に関する。ガラス基板またはガラス板上の薄膜トランジスタなどの薄膜デバイスの製造には、高度な平面度を有する表面が必要である。これは、そのデバイスを製造するための最適な方法がフォトリソグラフィーを含み、この光学的プロセスの被写界深度は通常、非常に浅いからである。
ガラス板が製造されるときに、そのガラス板は反りを伴うことがあり、そのガラス板は、支持基準面に真空チャックされた場合でさえも、ガラス板が支持基準面上に完全には平らに横たわらない程度の凹面（すなわち、湾曲）を示す。この凹面は、最も単純な形態で、基準面に対してドーム、または基準面に対してボウルに見え得る。
ガラス板が、基準面に対してドームとして方向付けられている場合にその板が達成できる平面度は、ガラス板が、基準面に対してボウルとして方向付けられている場合に達成できる平面度よりも大きいことが分かった。これは、「ボウル」のエッジにはその上に重さがなく、上向きに曲がり得るが、「ドーム」のエッジは基準面に触れ、重さを支えているために生じる。さらに、ガラス板が基準面に対してボウルとして方向付けられていて、その板を平らにしようと試みた場合、その板のエッジは、支持基準面から浮く傾向を示す。この浮きは、ガラス板の下にある真空ポートを露出し、それによって、板を平らにする真空の能力に影響し得る。他方で、ガラス板が支持基準面に対してドームとして方向付けられている場合、真空チャックは、基準面に向かって、エッジを下方に屈曲させる傾向があり、それによって、真空の漏れが最小になる。このように、最大平面度を提供するために、ガラス板を支持基準面上でドーム位置に方向付けると、達成できる平面度が最大になり、ガラス板上に薄膜デバイスを形成するプロセスが改善される。
１つの実施の形態において、薄膜デバイスを形成するためのガラス板を調製する方法であって、反対の第１と第２の面を有し、さらに凹面を備えたガラス板を提供する工程、平らな基準面上にそのガラス板を支持する工程、その平らな基準面に対するガラス板のエッジ浮きまたは反りを決定する工程、測定したエッジ浮きの大きさに基づいて、そのガラス板の凹面の方向を決定する工程、およびその凹面の向きを示すためにその板に印を付ける工程を有してなる方法が記載されている。その凹面の向きは、最大エッジ浮きを測定することによって決定してもよい。ガラス板の最大エッジ浮きは、そのガラス板のエッジの２０ｍｍ以内で、約１００μｍ以下である。他の実施の形態において、最大エッジ浮きは、そのガラス板のエッジの５ｍｍ以内で、約１００μｍ以下である。その凹面の向きは、平均エッジ浮きを決定することによって決定してもよい。印付けは、ガラス板の角を除去する工程を含むことがある。その印付けは、ガラス板にレーザを照射して、表面記号または表面下記号を生じる工程を含むことがある。１つの実施の形態において、ガラス板はフュージョンドロー法により製造される。
別の実施の形態において、薄膜デバイスを形成する方法であって、凹面を備えたガラス板を平らな基準面上に、そのガラス板がその基準面に対してドーム形状であるような向きに支持する工程、およびそのガラス板のドーム側に薄膜材料を堆積させる工程を有してなる方法が開示されている。この方法は、その薄膜材料の一部をフォトリソグラフィーによって除去する工程をさらに含むことがある。その薄膜材料は、例えば、薄膜トランジスタを含んでよい。
さらに別の実施の形態において、凹面を有するガラス板を備えた薄膜デバイスであって、ガラス板が平らな基準面により支持されたときに、ガラス板のドーム側に配置されている薄膜デバイスが記載されている。その薄膜デバイスは、例えば、薄膜トランジスタを含むことがある。いくつかの実施の形態において、その薄膜デバイスは、平らな基準面上に真空チャックされた時に、１００ｍｍ超のエッジ浮きを示さない。
追加の方法は、実質的にドーム形状のプロファイルを有するガラス板または基板の凸面に少なくとも１つの金属膜を施す工程を含む。これらの方法により製造された薄膜トランジスタおよびそのような薄膜トランジスタを備えたディスプレイ装置も、ここに開示されている。特定の実施の形態において、金属膜は、銅、シリコン、非晶質シリコン、ポリシリコン、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、ＩＺＯ、ＺＴＯ、酸化亜鉛、他の金属酸化物、並びにそのドープ金属および酸化物から選択される金属を含み得る。追加の実施の形態によれば、そのガラス板または基板は、約３ｍｍ未満、例えば、約０．２ｍｍから約２ｍｍ、約０．３ｍｍから約２ｍｍ、約０．７ｍｍから約１．５ｍｍ、約０．２ｍｍから約０．５ｍｍ、約０．３ｍｍから約０．５ｍｍ、約０．２ｍｍから約１．０ｍｍ、または約１．５ｍｍから約２．５ｍｍに及ぶ範囲、並びにそれらの間の全ての範囲および部分的範囲の厚さを有し得る。そのガラス板または基板は、例えば、アルミノケイ酸塩、アルカリアルミノケイ酸塩、ホウケイ酸塩、アルカリホウケイ酸塩、アルミノホウケイ酸塩、アルカリアルミノホウケイ酸塩、および他の適切なガラスから選択することができる。様々な実施の形態において、そのガラス板または基板は、透明または実質的に透明であり得る。「板」および「基板」という用語、並びにそれぞれの複数形の用語は、本開示全体に亘り交換可能に使用され、そのような使用は、ここに付随する特許請求の範囲を限定するものと考えるべきではないことを留意すべきである。
先の一般的な説明および以下の詳細な説明の両方とも、本開示の様々な実施の形態を提示しており、請求項の性質および特徴を理解するための概要または骨子を提供することが意図されるのを理解すべきである。添付図面は、本開示のさらなる理解を与えるために含まれ、本明細書に包含され、その一部を構成する。それら図面は、本開示の様々な実施の形態を図示しており、説明と共に、本開示の原理および作動を説明する働きをする。
以下の詳細な説明は、以下の図面と共に読んだときに、さらに理解することができる。
ＦＨＤおよび４Ｋ２Ｋディスプレイ装置用の例示のＴＦＴの説明図 例示のディスプレイ装置内の張力膜応力によるＴＦＴの反りを示す説明図 反ったＴＦＴのＵＶマスキングの説明図 反ったＴＦＴのレジスト膜被覆の説明図 反ったＴＦＴのレジスト膜被覆の説明図 反ったＴＦＴのレジスト膜被覆の説明図 ＴＦＴの反り測定の説明図 ＴＦＴの反り測定の説明図 例示のガラス基板に関する板形状計測ツールデータ（例えば、ＢＯＮデータ）を示す図 例示のガラス基板に関する板形状計測ツールデータ（例えば、ＢＯＮデータ）を示す図 ガラス基板の形状の関数としてのＴＦＴの反りのグラフ ガラス基板の形状の関数としてのＴＦＴの反りのグラフ 本開示の様々な実施の形態によるＴＦＴ反り減少の説明図 ガラス基板の形状の関数としてのＴＦＴの反りのグラフ 例示のガラス基板に関する板形状計測ツールデータ（例えば、ＢＯＮデータ）を示す図 例示のガラス基板に関する板形状計測ツールデータ（例えば、ＢＯＮデータ）を示す図 例示のガラス基板に関する応力プロファイルのグラフ 例示のガラス基板に関するドーム形状の画像表示 例示のガラス基板に関する応力プロファイルのグラフ 例示のガラス基板に関するドーム形状の画像表示 様々な例示のガラス基板に関する応力プロファイルおよびドーム形状のグラフ ガラス形状の関数としてのＴＦＴの反りのグラフ ガラス板を形成するための例示のフュージョンダウンドロー装置の斜視で示された部分切り欠き図 有機発光ダイオード装置を封止するためのレーザ封止過程の垂直断面図 基準面に関する下向きの凹形またはドーム形状の向きにあるガラス板を表す斜視図 基準面に関する上向きの凹形またはボウル形状の向きにあるガラス板を表す斜視図 ドーム形状の向きにあり、重力の存在下で基準面に関してチャックされたガラス板のエッジの部分側面図 ボウル形状の向きにあり、重力の存在下で基準面に関してチャックされたガラスの板のエッジの部分側面図 ボウル形状およびドーム形状の両方の板に関する板の最大無重力形状偏差に関するガラス板の予測した裸ガラスの反りまたはエッジ浮きをプロットしたグラフ 様々な膜厚に関する板上に堆積された薄膜シリコンにより印加される張力の関数としての予測したＴＦＴ反りまたはエッジ浮きをプロットしたグラフ ガラス板の角を除去することによって、適切な支持方向を示すために「印付け」られた板の上面図 板のドーム側に堆積された薄膜を備えた、ガラスのドーム形状の板の側面図 様々な板厚に関する板の上に堆積された薄膜シリコンにより印加された張力の関数としての予測されたＴＦＴの反りまたはエッジ浮きをプロットしたガラス 様々な板厚に関する板の上に堆積された薄膜シリコンにより印加された張力の関数としての予測されたＴＦＴの反りまたはエッジ浮きをプロットしたガラス
以下に限られないが、薄膜トランジスタなどの薄膜デバイスを製造するための、および／または薄膜デバイスの反りを減少させるための方法であって、実質的にドーム形状のガラス基板の凸面に少なくとも１つの金属膜を施す工程を有してなる方法が、ここに開示されている。これらの方法により製造された薄膜デバイスおよびそのような薄膜デバイスを備えたディスプレイ装置も、ここに開示されている。
平らなガラス板を製造する非限定的方法の１つは、フュージョンドロー法によるものである；しかしながら、その方法は、制限するものではなく、フロート法、アップドロー法、ダウンドロー法、スロットおよびフュージョンダウンドロー法を含む、どの適切なガラス板製造法であっても差し支えない。図１３に示されたものなどのガラスリボンを形成するための例示のフュージョンダウンドロー法において、形成楔体２０は、縦の両側が壁部分２４で囲まれている上方に開いた通路２２を備え、これら壁部分２４は、対向する長手方向に延在するオーバーフローリップまたは堰２６を上限として終わっている。堰２６は、楔体２０の反対の外側形成面に通じている。図示されるように、楔体２０には、堰２６と通じている一対の実質的に垂直な形成面部分２８、および下方先端または基部３２で交わる一対の下方に傾斜した収束面部分３０が設けられている。
溶融ガラス３４は、通路２２に通じる送達通路３６によって通路２２中に供給される。通路２２への供給は、片端であっても、または所望であれば、両端であってもよい。溢れた溶融ガラス３４が別々の流れとしてオーバーフロー堰２６を越え、基部３２へと形成面２８、３０を下方に向いて、その基部で、一点鎖線で示される別々の流れが収束してガラスリボン４２を形成するように、通路２２の各端部に隣接してオーバーフロー堰２６の上に、一対の制限ダム３８が設けられている。牽引ロール４４が、基部３２の下流に配置されており、形成されたガラスリボンが基部を去る速度を調節するために使用される。
牽引ロールは、外側の肥厚エッジでガラスリボンと接触するように設計できる。牽引ロールと接触したガラスのエッジ部分は、後に、ガラスから廃棄される。ガラスリボン４２が装置の延伸部分を下方に移動するにつれて、そのリボンは、物理的寸法だけでなく、分子レベルでも、複雑な構造変化を経る。例えば、形成楔体の基部での厚い液体形態から、約０．５ミリメートル以下の厚さの堅いリボンへの変化は、液体または粘性状態から、固体または弾性状態への転換を完了するために、機械的要件と化学的要件を微妙に釣り合わせる注意深く選択された温度場またはプロファイルによって、達成される。弾性温度領域内のある地点で、コンプライアント吸引カップの使用などにより、そのリボンにロボット（図示せず）が固定され、そのリボンが、ロボットの上の切断線４８で切断されて、ガラス板または板ガラス５０を形成する。次いで、ガラス板５０は、後続プロセスに輸送するために、ロボット（図示せず）によって担体に装填される。
上述した方法などにより、平らなガラス板を形成するためにガラス製造業者により使用される厳しい製造制御にもかかわらず、これらの板は、形状が完璧な面から逸れることがある。例えば、上述したフュージョン法において、ガラスリボンは、リボンのエッジ部分のみと接触する牽引ロールによって、形成楔部から延伸することができ、リボンの中央部分が反る機会を与えられる。この反りは、リボンの動きにより、またはリボン内で現れるかもしれない様々な熱応力の相互作用により、生じるであろう。例えば、後続の切断プロセスによりリボンに導入される振動は、リボンの粘弾性領域へと上方に伝搬し、板中に凝固し、弾性リボンの平面性における偏差として現れることがある。リボンの幅および／または長さに亘る温度変動も、平面性における偏差をもたらすであろう。実際に、リボン中に凝固する応力は、個々のガラス板がリボンから切断されるときに反りによってある程度解放され、これによっても、非平坦面が生じることがある。手短に言えば、リボンから切断されたガラス板の形状は、粘弾性領域を通るリボンの移行中のリボンの物理的および熱的履歴に依存し、それらの履歴は様々であろう。さらに、延伸されたリボンから切断された大型のガラス板は、それ自体、複数のより小さい板に切断されることがある。したがって、各区域に、応力の解放または再分布、および続いて起こる形状変化が生じるであろう。このように、結果として得られる板は、概して、平らであると考えられるであろうが、その板は、実際には、後続の加工中の板の平坦化を妨げるであろう谷および／または山を、その表面に亘り示すことがある。応力および／または形状におけるそのような変化は、液晶ディスプレイまたは他の装置の製造に使用される様々な薄膜層などの構成要素の基板上への堆積などの、寸法安定性に依存するプロセスにとって有害であろう。いくつかの実施の形態において、その板は、一貫した公知の形状を有するように形成することができる。したがって、ガラス板または基板の形状を精確に決定でき、そのように得られた情報を使用して、延伸されているガラスリボンの熱履歴を変更できる方法を想起することが望ましい。
例示のガラス板または基板は、以下に限られないが、アルミノケイ酸塩、アルカリアルミノケイ酸塩、ホウケイ酸塩、アルカリホウケイ酸塩、アルミノホウケイ酸塩、アルカリアルミノホウケイ酸塩、および他の適切なガラスを含む薄膜デバイスの基板として使用するための当該技術分野に公知のどのガラスから作られていてもよい。特定の実施の形態において、そのガラス基板または板は、約３ｍｍ以下の厚さ、例えば、約０．２ｍｍから約２ｍｍ、約０．３ｍｍから約２ｍｍ、約０．７ｍｍから約１．５ｍｍ、約０．２ｍｍから約０．５ｍｍ、約０．３ｍｍから約０．５ｍｍ、約０．２ｍｍから約１．０ｍｍ、または約１．５ｍｍから約２．５ｍｍに及ぶ厚さ、並びにそれらの間の全ての範囲および部分的な範囲の厚さを有することがある。１つの実施の形態において、そのガラス基板は、Ｃｏｒｎｉｎｇ ＩｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄからのＣｏｒｎｉｎｇ（登録商標）Ｇｏｒｉｌｌａ（登録商標）ガラスなどの化学強化ガラスから作ることができる。そのような化学強化ガラスは、例えば、ここに全てが引用される、米国特許第７６６６５１１号、同第４４８３７００号、および／または同第５６７４７９０号の各明細書にしがって提供されるであろう。Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄからの「Ｃｏｒｎｉｎｇ」Ｗｉｌｌｏｗ（商標）、Ｌｏｔｕｓ（商標）、および「Ｃｏｒｎｉｎｇ」ＥＡＧＬＥ ＸＧ（登録商標）ガラスも、様々な実施の形態においてガラス基板として使用するのに適しているであろう。追加の実施の形態において、そのガラス基板は、ここに全てが引用される、米国特許出願第６２／０２６２６４号、同第６２／０１４３８２号、および同第１４／０９０２７５号にしたがって提供されるＣｏｒｎｉｎｇ ＩｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄからのＩｒｉｓ（商標）ガラス（これに制限されない）などの高透過率ガラスおよび／または低Ｆｅガラスから作ることができる。
さらなる態様によれば、ガラス板または基板は、約１００ＭＰａ超の圧縮応力および約１０マイクロメートル超の圧縮応力の層の深さ（ＤＯＬ）、例えば、約５００ＭＰａ超の圧縮応力および約２０マイクロメートル超のＤＯＬ、または約７００ＭＰａ超の圧縮応力および約４０マイクロメートル超のＤＯＬを有し得る。そのガラス基板は、いくつかの実施の形態において、ガラスの強度および／または耐破損性および／または耐引掻性を増加させるために、処理、例えば、化学強化および／または熱強化することができる。
本開示の非限定的態様によれば、化学強化は、イオン交換プロセスによって行ってよい。例えば、ガラス板（例えば、アルミノケイ酸塩ガラス、アルカリアルミノホウケイ酸塩ガラス）をフュージョンドロー法により製造し、次いで、そのガラス板を所定の期間に亘り溶融塩浴中に浸漬することによって化学強化してよい。ガラス板の表面またはその近くでのガラス板内のイオンが、例えば、塩浴からの、より大きい金属イオンと交換される。溶融塩浴の温度および処理期間は様々である；しかしながら、所望の用途にしたがってその期間および温度を決定することは、当業者の能力の範囲内である。非限定例により、溶融塩浴の温度は約４３０℃から約４５０℃に及んでよく、所定の期間は約４から８時間に及んでよい。
理論により束縛するものではなく、ガラス中により大きいイオンが含まれて、表面近くの領域に圧縮応力が生じることによって、板が強化されると考えられる。その圧縮応力との釣り合いをとるために、ガラス板の中央領域内に対応する引張応力が誘発される。「Ｃｏｒｎｉｎｇ」「Ｇｏｒｉｌｌａ」ガラスの化学強化プロセスは、比較的高いＤＯＬ（例えば、約４０マイクロメートル、さらに１００マイクロメートルを超えることができる）で、比較的高い圧縮応力（例えば、約７００ＭＰａから約７３０ＭＰａ；さらに８００ＭＰａを超えることができる）を有し得る。そのようなガラスは、高い残留強度および耐引っ掻き損傷性、高い耐衝撃性、および／または高い曲げ強度、並びに実質的に無垢な表面を有し得る。
前記ガラス板または基板は、様々な実施の形態において、透明または実質的に透明であり得る。ここに用いたように、「透明」という用語は、ガラス基板が、約１ｍｍの厚さで、スペクトルの可視領域（４００〜７００ｎｍ）において約８５％超の透過率を有することを意味することが意図されている。例えば、例示の透明なガラス基板は、約９０％超、約９５％超、または約９９％超の透過率、並びにそれらの間の全ての範囲および部分的な範囲の透過率などの、可視光範囲における約８５％超の透過率を有するであろう。様々な実施の形態によれば、そのガラス基板は、約４５％未満、約４０％未満、約３５％未満、約３０％未満、約２５％未満、または約２０％未満、並びにそれらの間の全ての範囲および部分的範囲などの可視領域における約５０％未満の透過率を有することがある。特定の実施の形態において、例示のガラス基板は、約５５％超、約６０％超、約６５％超、約７０％超、約７５％超、約８０％超、約８５％超、約９０％超、約９５％超、または約９９％超、並びにそれらの間の全ての範囲および部分的範囲などの紫外線（ＵＶ）領域（１００〜４００ｎｍ）における約５０％超の透過率を有することがある。
デバイス製造業者は、ガラス製造業者により製造された薄いガラス板を受け取り、さらに、その板を加工して、ディスプレイパネル、薄膜デバイス（例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、カラーフィルタなど）、または固体ライティングパネル（例えば、ＯＬＥＤライティングパネル）などの所望のデバイスを形成することができる。例えば、図１４に示された有機発光ダイオードデバイス７０などの薄膜デバイスの製造において、有機発光ダイオード７２が第１のガラス板７４上に形成される。この第１のガラス板は、しばしば、バックプレーンと呼ばれる。そのガラス板または基板は、第１の表面および反対の第２の表面を有するであろう。非限定的例として、そのガラス基板は、４つのエッジを有する矩形または正方形のガラス板から作られることがあるが、他の形状および構造が考えられ、本開示の範囲内に入ることが意図されている。様々な実施の形態によれば、そのガラス基板は、その基板の長さおよび幅に亘り実質的に一定の厚さを有することがある。例えば、その厚さは、約５％、３％、２％、または１％未満、並びにそれらの間の全ての範囲および部分的範囲などの約１０％未満しか基板の長さおよび幅に亘り変動しないであろう。有機発光材料に加え、バックプレーン７４上の発光ダイオードは、ＴＦＴおよび／またはカラーフィルタも備えることがあり、その有機材料に電流を供給し、それらを発光させるための電極を含む。しかしながら、その有機材料は、水分および酸素などの様々な環境要因に対して敏感であるので、その有機層は、周囲環境から密封分離されなければならない。それゆえ、その有機層は、バックプレーン７４、カバーシートまたはカバープレートと呼ばれることもある第２のガラス板または基板７６、およびそのバックプレーンとカバーシートの間に配置された密封材料７８により形成されたガラス外囲器内に密封されることがある。接着剤の使用を含む、いくつかの密封方法を使用して、バックプレーンをカバープレートに接続してよい。接着剤は、塗布と使用が容易であるが、そのデバイスが、不具合が生じる前に商業的に実現可能な寿命を示すことを確実にするのに必要な気密性が不十分である。すなわち、水分および／または酸素がやがて接着シールを貫通して、有機層およびディスプレイ装置の劣化をもたらすであろう。
別の手法は、バックプレーンとカバーシートの間にフリットシールを形成することである。したがって、ガラスフリットペースト密封材料のラインを、ループまたは枠の形態でカバープレート上に分配し、その後、フリット付きカバープレートを加熱して、フリットをカバープレートに接着する。次いで、カバープレート７６を、それらの間にフリット７８（および有機発光ダイオード７２）を配置して、バックプレーン７４上に配置する。その後、レーザビーム８２を発射するレーザ８０などにより、フリット７８を加熱して、フリットを軟化させ、バックプレーン７４とカバープレート７６の間に気密シールを形成する。薄膜デバイス７０は多くの形態をとってよく、図１４のデバイスはほんの一例であることを留意すべきである。例えば、薄膜デバイスは、液晶装置（例えば、液晶ディスプレイ）、有機発光ライティングパネル、または当該技術分野で公知の多種多様な他の薄膜デバイスを含んでもよい。さらに、そのデバイスを密封する様式は、用途に応じて様々であろう。例えば、薄膜デバイスは、スパッタリングまたは蒸発によって堆積される無機材料の層などの適合層により密封されてもよく、またはその全てをここに引用する、２０１４年５月７日に出願された同時係属出願である米国特許出願第１４／２７１７９７号に記載された例示のレーザ密封または溶接技術を使用して密封してもよい。
デバイスの製造プロセス中、特に、薄膜デバイスを形成するための様々なプロセス中に、その正確な位置合わせが典型的に必要とされる。典型的に、ガラス板は、ガラス上に構成要素を形成するときに、平らである必要がある。例えば、バックプレーン基板は、しばしば、加工のために平面の支持面上で下方に真空引きされる。薄膜デバイス（例えば、ＴＦＴ、カラーフィルタ、ＯＬＥＤなど）を形成するためのフォトリソグラフィープロセス中、ガラスは、最も平らな可能性のある水平面に保持される。例えば、第７．５世代のガラス基板（１９５０×２２５０ｍｍ）上に薄膜を堆積させることができるフォトリソグラフィープロセスの焦点のシステム深さは、約２０〜３０マイクロメートルである。この能力を達成するために、フォトリソグラフィー装置のユーザは、大型ガラス表面を真空チャックできるようにするチャック台を用いてもよい。そのような台の表面平坦度は、１０マイクロメートルより著しく小さいことがあり得る。
略平らなガラス板の平坦度を特徴付けるために使用される測定基準の１つは、ガラスの最大「反り」の尺度である。すなわち、板の表面上の複数の地点の距離（または偏差）は、基準平面に関して決定され、その基準平面からの距離の偏差は、真の平面からの板形状の偏差−板の「反り」−を表す。最大反りは、板の形状の尺度（例えば、板の平坦度）として使用してよい。
直前に記載された反り測定は、ガラス板のトポグラフィーの単純な表示であり、板を平らな台に真空引きすることなどによって、板を強制的に平らにするその能力の指標である。板の形状が可展であるか否かは、検討されることがある別の要因である。可展面は、その面の延伸、圧縮または引き裂きを生じずに、平らにできる表面である。可展面は、表面上の距離および角度を維持しつつ、平面に変換できる表面である。可展面を平面に変換するときに、その表面に歪みが誘発されない。あるいは、可展面は、その面の延伸、圧縮、または引き裂きを生じずに、平面から形成される表面である。その最大反りによってガラス板を特徴付けることは、板が非平坦であることを示すのに十分かもしれないが、板をどれだけうまく強制的に所定の構造にできるかの尺度としては不適切であろう。
上述したように、典型的なフォトリソグラフィープロセスにおいて、加工すべき板は、板の下の圧力を低下させる、支持体の表面に亘り配置された真空ポートの結果として、周囲空気圧により支持体に押し付けることができる。さらに、それらのポートが真空に引かれたときに、板が支持体に押し付けられる。板に作用する力が板を支持面に一致させられる程度は、とりわけ、支持体の表面に亘る真空ポートの分布に依存する。例えば、ただ１つの中央に配置された真空ポートは、板の下で、支持体の表面に亘り分布した多数の真空ポートほど効果的ではないであろう。それでも、そのように分布したポート配置でさえ、ポート間の距離は、板を適切に拘束するのに十分ではないかもしれない。すなわち、可展形状を有するガラス板について、板のエッジと、最も近い真空ポートとの間の距離が特定の距離を超えるほど、ポートが広く離れて配置されている場合、板のエッジは、印加される力により板に誘発される歪みの結果として、浮くかもしれない。
凹面を含み、非可展であるガラス板について、板のエッジの挙動は、凹面の向き、または方向を示すことができる。ここに用いたように、「凹面(concavity)」は、概して、板の少なくとも一部におけるドーム形状またはボウル形状の湾曲を示すために用いられる。凹面がドーム形状またはボウル形状と考えられるか否かは、基準に関する凹面の向きに依存する。典型的に、ドームは「凸形」であると理解され、ボウルは「凹形」であると理解される。すなわち、板の一方の側から見た凹面はドームに見えるが、反対側から見たときにボウルであろう（すなわち、ボウルは逆さまのドームである）。本開示の目的のために、前記基準は、板の反り（面外偏差）の測定などの測定の文脈において、またはフォトリソグラフィープロセスなどの後続加工工程において、平らな支持体が使用されるか否かにかかわらず、平らな支持体と考えられる。このように、板５０は、図１５および９Ｂに示されるように、膨らみ部分が基準面８４から離れるように、板が支持体に対して方向付けられている場合、ドーム形状（凹形が下向きで、膨らみが上向き）であり、または図１６および９Ａに示されるように、膨らみが基準面８４に隣接するように、板が支持体に対して方向付けられている場合、ボウル形状（凹形が上向きで、膨らみが下向き）である。ドーム形のガラス板について、ドーム側は、板の外向き面を称する。
図９Ａ、９Ｂ、１５および１６の無重力形状を引き続き参照すると、ガラス板または基板は、丸まっていることがあり、一定の曲率を有することがある。ドームの曲率の大きさは、適切な反り耐性を達成するために望ましいように様々であり得る。例えば、ガラス基板の周囲領域とガラス基板の中央領域との間の高さの差は、約１ｍｍから約１９ｍｍ、約２ｍｍから約１５ｍｍ、約３ｍｍから約１２ｍｍ、約４ｍｍから約１１ｍｍ、約５ｍｍから約１０ｍｍ、約６ｍｍから約９ｍｍ、または約７ｍｍから約８ｍｍ、並びにそれらの間の全ての範囲および部分的範囲などの約０．１ｍｍから約２０ｍｍに及び得る。２０ｍｍまでのこれらの大きい形状は、基準面上での平坦化前の無重力形状として理解する必要がある。
ガラス板または基板は、互いに実質的に平行である２つの反対の主面を有することも留意すべきである。ガラス板が基準面により支持されているときに、そのガラス板の一方の面（「Ｂ」）は基準面に隣接し、接触しているのに対し、他方の面（「Ａ」）は、基準面から見て外方に向き、したがって、基準面と接触しない。以下の説明の目的のために、支持面から見て外方を向いており、したがって、支持面と接触していない板の表面は板の「Ａ」面と指定されるのに対し、支持面と接触する板の表面または面は、板の「Ｂ」面と指定される。言い換えれば、板の「Ａ」面は、板が支持体上に置かれているときに上向きであり、基準面により支持されているドーム形状のガラス板について、ドーム側が「Ａ」面である。
様々な実施の形態によれば、ガラス基板のＡまたはＢ面に、金属膜のストリップまたはラインなどの、少なくとも１つの金属膜でパターンが形成されることがある。特定の非限定的実施の形態において、金属膜は、ガラス基板の凸面に堆積させることができる。様々な実施の形態によれば、金属膜Ｔ2の厚さおよび／または幅は、約２，０００Åから約９，０００Å、約３，０００Åから約８，０００Å、約４，０００Åから約７，０００Å、または約５，０００Åから約６，０００Å、並びにそれらの間の全ての範囲および部分的範囲などのように約１０００Åから約１０，０００Åに及び得る。その金属膜は、例えば、銅、シリコン、非晶質シリコン、ポリシリコン、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、ＩＺＯ、ＺＴＯ、酸化亜鉛、他の金属酸化物、およびそのドープ金属と酸化物、並びにそれらの組合せなどのＴＦＴまたは他の薄膜デバイスに使用するのに適切などの金属から作られても差し支えない。
前記金属膜は、ガラス基板上に施す、例えば、当該技術分野で公知の方法にしたがって堆積させることができる。例えば、その膜は、約５００℃から約１２５０℃、または約７５０℃から約１０００℃などの１５００℃までに及ぶ高温で堆積させることができ、膜の堆積後、その基板を、約１００℃未満の第２の温度に、例えば、室温に冷ますことができる。次いで、その基板をさらに加工する、例えば、ＵＶマスクで処理する、レジスト膜で被覆する、および当該技術分野で公知の他の随意的な処理を施すことができる。
図３および４Ａ〜Ｃに示されるように、反りが、薄膜デバイスの反った領域とＰＩフォトリソグラフィープロセス中のマスクとの間の接触によりＵＶマスキングプロセス中（図３）、および／またはＴＦＴの反った領域における、例えば、異なる厚さでの、不均一に施されたレジスト層による薄膜デバイス（例えば、ＴＦＴとして示される）のスリットコーティング中（図４Ａ〜Ｃ）などの様々な加工の複雑な状態を生じ得る。いくつかの実施の形態において、図５Ａ〜Ｂに示されるように、反りは、例えば、製造プロセスに沿って１つ以上の地点に取り付けられた高さセンサを使用し（例えば、レジスト塗布装置の空気浮上台）、２つの測定地点で薄膜デバイスの高さを除算することにより（例えば、地点２−地点１）、測定することができる。施された金属膜の応力により生じる反りは、例えば、約２５０℃から約２５℃までなどの、室温までの冷却中の膜における張力のためであり得る。金属膜は、ガラス基板よりも高い熱膨張係数（ＣＴＥ）を有し得るので、薄膜デバイスが冷めるときに、基板は金属膜の張力により反り得、これにより、エッジが上方に丸まってボウルのような形状を形成し得る。いくつかの実施の形態において、膜応力は、以下の式（Ｉ）：
Figure 0006910299
に表されるように、膜のＣＴＥおよびヤング率の要因として表すことができ、式中、σfは膜の応力を表し、αfは膜のＣＴＥを表し、αgはガラスのＣＴＥを表し、ΔＴは冷却中の温度差（例えば、２５０℃−２５℃）を表し、Ｅfは膜のヤング率を表し、νfは膜のポアソン比を表す。
反りは、以下の式（ＩＩ）および（ＩＩＩ）にしたがって、膜の厚さ／応力およびガラスの厚さ／ヤング率の関数として薄膜デバイスについて計算でき、これにより、初期の板は平らであり、応力は引張であると仮定する：
Figure 0006910299
Figure 0006910299
式中、ｗは反り、例えば、地点１と２の間の高差（図５Ｂ参照）であり、Ｌliftは、地点１と２の間の水平距離であり、σfは膜の応力を表し、ｔfは膜の厚さを表し、Ｅsはガラスのヤング率を表し、ｔsはガラスの厚さを表し、νsはガラスのポアソン比を表し、ρsはガラスの密度を表し、ｇは重力を表す。４Ｋ２Ｋ ＴＦＴに関するゲート／信号金属膜の厚さは、ＦＨＤディスプレイのものより大きいことがあり得るので、ＴＦＴの反りは、特に画面サイズが大きくなるにつれて、ずっと目立ち得る。
先の式（ＩＩ）を考えて、出願人は、例えば、ガラスのＣＴＥを増加させる工程、ガラスのヤング率を増加させる工程、ガラスの厚さを増加させる工程、およびガラスの反りを減少させる工程を含む、反り（ｗ）を減少させるまたは相殺する様々な方法を探求した。反りの対策としてのガラスのＣＴＥおよびヤング率の影響を決定するために、「ＥＡＧＬＥ ＸＧ」ガラス（ＣＴＥ ３２×１０-7／℃、ヤング率 ７４ＧＰａ）を比較ガラス（ＣＴＥ ３４×１０-7／℃、ヤング率 ７７ＧＰａ）と比べた。式（ＩＩ）に基づいて、「ＥＡＧＬＥ ＸＧ」ガラスを使用して製造したＴＦＴよりも、比較ガラスを使用して形成したＴＦＴのほうが小さい反りを示すであろうと予測された。しかしながら、反りは、ある位置（位置Ｐ）で、「ＥＡＧＬＥ ＸＧ」ガラスと比べて、比較ガラスのほうが実際に増加したのが観察されたのに対し、別の位置（位置Ｑ）では、別の傾向が観察された（図６Ｃ参照）。
同様に、反りの対策としてのガラスの厚さの影響を決定するために、様々な厚さ（０．６２、０．６３、０．６５ｍｍ）の「ＥＡＧＬＥ ＸＧ」ガラス基板から製造したＴＦＴを比べた。式（ＩＩ）に基づいて、より厚いガラスを使用して形成したＴＦＴが、より薄いガラスを使用して製造したＴＦＴよりも小さい反りを示すであろうと予測された。しかしながら、反りとガラスの厚さとの間に強い相関関係が存在することが分からなかった。最後に、ＴＦＴの反りの対策としての裸ガラスの反りの影響を決定するために、様々なありのままの反り（０．０２〜０．０５ｍｍに及ぶ）を有する「ＥＡＧＬＥ ＸＧ」ガラス基板から製造されたＴＦＴを比べた。式（ＩＩ）に基づいて、より小さいありのままの反りを有するガラスを使用して形成したＴＦＴが、より大きいありのままの反りを有するガラスを使用して製造したＴＦＴよりも小さいＴＦＴの反りを示すであろうと予測された。しかしながら、ＴＦＴの反りとガラスの反りとの間に強い相関関係が存在することが分からず、他の要因がＴＦＴの反りに対するより強い影響を有することが示された。
出願人は、意外にことに、薄膜デバイスの反りは、ガラス板の形状、例えば、ここに論じられたようなドーム形または凸型ガラス基板によって相殺できることを発見した。図６Ａ〜Ｃを参照すると、比較ガラス１および２は、位置Ｑで小さい反りを示すのに対し、位置Ｐでは、より大きい反りが観察されることに気付いた。板形状計測ツールデータ（例えば、ベッド・オブ・ネイル(Bed of Nail)（ＢＯＮ）データ）を使用して、位置Ｐでのガラス板の高さは、両方のガラスについて位置Ｑのものよりずっと高い（ガラス１ΔＰ−Ｑ＝−４．６；ガラス２ΔＰ−Ｑ＝−９．２）、例えば、位置Ｐでの角はわずかに上方に湾曲し（凹形）、位置Ｑでの角は、わずかの下向きに湾曲した（凸形）と断定された。このように、理論により束縛するものではなく、位置Ｑでのガラスの「負の」形状（ドーム形状）は、膜の引張応力により生じる反りを相殺すると決定されるのに対し、位置Ｐでのガラスの「正の」形状（ボウル形状）は、膜の引張応力により生じる反りを悪化させると決定されると考えられる（図７参照）。大量生産される「ＥＡＧＬＥ ＸＧ」ガラスについて行った測定により、反りは、位置Ｐと比べて、位置Ｑでのほうが小さいことが確認された。予測モデル化により、図８に示されるように、この相関関係が確認された。
重要なことに、ここに用いたガラスの「形状」は、「反り」または「ありのままの反り」とは区別すべきである。反りの測定は、板全体の反り（固定間隔のボールベアリング上に支持されたような公知の平面から面外の表面をレーザが測定する）、または他の水平重力印加測定などの公知の方法を使用して行うことができる；しかしながら、これらの方法は、重力の影響のために、完全なドームまたはボウルの形状を精確には記述しないまたは示さない。他方で、数学モデル化と併用される板形状計測（例えば、ベッド・オブ・ネイル（ＢＯＮ））計測器およびそのデータのさらなる後処理により、技術者および科学者は、図９Ａ〜Ｂに示されるような固有（例えば、無重力（またはほぼ無重力））の板形状と呼べるものを見ることができる。
ドーム形状を有するガラス基板または板は、先に論じたようないくつかの方法を使用して形成できる。特定の実施の形態において、実質的に一貫した形状および／またはドームの湾曲の大きさを有するガラス基板を形成することが都合よいであろう。ドーム形状は、例えば、熱プロファイルおよび／または履歴を調節することにより、および／またはガラス形成装置の内部で機械力を印加することにより、ガラスが溶融状態から「凝固」するときに、達成することができる。非限定例として、ガラスの粘弾性硬化区域における熱プロファイルは、形成装置、例えば、フュージョンドロー装置（ＦＤＭ）の内部のガラスリボンの形状を向上させるために調節することができる。それに加え、その形状は、１つ以上の接触ローラおよび／またはホイールを使用してガラスリボンを物理的に輪郭形成することによって、向上させることができる。オンラインおよびオフラインプロセス測定およびツールを使用して、形成および状態調節過程中のガラス形状をモニタすることができる。例えば、オンラインツールとしては、温度を測定するための熱電対、ガラス形状モニタリングカメラ、および／またはＵＶ線、超音波、およびレーザシートセンサが挙げられる。オフラインツールとしては、以下に限られないが、重力衝撃応力および反り測定ツール、並びに無重力測定および予測ツールが挙げられる。数理シミュレーションを使用して、ドーム形ガラス基板の形成を支援しても差し支えない。特定の実施の形態によれば、ガラス基板の応力プロファイルの測定を使用して、図１０Ａ〜Ｄに示されるような、所望のドーム形状を形成したことを確認することができる。応力は、図１１に示されるように、ドームサイズに相関させることができる。平面上に板を水平に置くことによって、応力を測定する場合、より大きいドーム形状曲率を有する板が、より高い引張応力を有する傾向にある。応力場は、重力により板形状の平坦化によって生じることがある。
図１２は、「通常の」ガラス基板と比べて、ドーム形ガラス基板は、全体として薄膜デバイスの反りを効果的に減少させられることをさらに示す（ドーム・トータル値により示されるように）。さらに、ドーム２および３（より高い曲率）は、ドーム１（より低い曲率）と比べて、著しく小さいＴＦＴの反りを示す。
平面真空台などの支持面に押し付けられたガラス板の平坦度は、支持面に対する凹面の向きに依存することも分かった。すなわち、引かれた同じ真空、および支持体上の板の同じ一般的な位置決めについて、ドーム形の板は、ボウル形の板よりも、平らに押し付けられる。有限要素解析（ＦＥＡ）を使用して、ドーム形の板を略平面に強制的に一致させたときに、板のエッジは、図１７に示されるように、下方に湾曲することを示した。しかし、ボウル形の板が同じ一般様式で支持された場合、板のエッジは、図１８に示されるように、有限距離「ｚ」だけ上方に浮く。後に使用されるように、「ｚ」は「浮き」と称される。線形弾性プレート（ＬＥＰ）理論も使用して、曲率向きの影響を分析し、同様の結果が得られた。図１８に示されるもののように、真空台上に下向きに凹形（ボウル形）の板を平坦化させる試みを行ったときに生じる上向きのエッジの浮きは、板の下で真空の漏れを生じ得、１つ以上の真空ポートと周囲雰囲気との間に直接の通路を通す。すなわち、板（例えば、板５０）は、真空ポート８６を覆わない。この真空漏れは、板の平坦化をさらに妨げ、板上に薄膜デバイスを形成する能力に影響を与え得る。明確にするために図１７および１８をさらに説明するために、これらの図は、ほぼ平らな非常に薄いガラス板に適用される。例えば、図１７において、板は大きすぎて、および／またはガラスは薄すぎて、自重を支えられず、板の中央で平らに潰れ、エッジ近くに小さく隆起した「リング」が残される。同様に、図１８において、板は、薄いエッジ領域の重さだけが、基準面より高くなるように内部のほとんどが平坦化されるまで、自重を支えられない。
図１９は、公知の無重力形状（板が無重力環境において有するであろう形状）を有するガラス板のモデル化挙動を示す。ＦＥＡおよびＬＥＰ解析を使用して、重力による荷重が基準面に対して板に置かれたときに、ミリメートルで表される最大無重力板形状（板の最大垂直−または山谷−偏差）を考えるて、生じるであろうマイクロメートルで表されたエッジの浮きを予測した。重力による荷重は、板を支持体上に置く影響および重力が板の平坦化において果たす役割をシミュレートした。その結果が、垂直軸にモデル化されたエッジの浮き、および底または水平軸に沿った最大全体板偏差によりプロットされている。
図１９において、ＬＥＰまたはＦＥＡ解析のいずれかによりモデル化された場合の予測されるエッジの浮きの間に良好な一致がある。曲線１００およびデータ点１０２は、ボウル形の板に関するＦＥＡ（点線１００）およびＬＥＰ（正方形１０２）解析の結果を表すのに対し、曲線１０４およびデータ点１０６は、ドーム形の板に関するＦＥＡ（点線１０４）およびＬＥＰ（正方形１０６）解析の結果を表す。データは、同じ全体の板形状を考えると、ドーム形のガラス板の反りよりも、ボウル形のガラス板に関して著しく大きいエッジの浮きも示す。
先に記載されたエッジの浮き効果は、後続の加工中にボウル形「Ａ」（上）面に堆積されるであろう薄膜により誇張され得る。図２０は、堆積膜（例えば、シリコン膜）がガラス板上に堆積され、膜が張力下にある場合のボウルおよびドーム形状のガラス板の予測されるエッジ浮きを示す。３つの膜の厚さを、公称厚が約０．７ｍｍであるガラス板についてモデル化した。板が、３０ｍｍの無重力反り（最大偏差）を有すると仮定した。その影響を、ボウル形の板の「Ａ」面または上面に施された膜（それぞれ、４０００Å、３０００Å、および２０００Åの厚さで曲線１０８、１１０および１１２）およびドーム形の板の「Ａ」面に施された膜（それぞれ、４０００Å、３０００Å、および２０００Åの厚さで曲線１１４、１１６および１１８）の両方について決定した。その結果は、ボウル形の板のエッジは、張力下の薄膜が施されたときに、著しく浮き、一方で、ドーム形の板に膜が施されたときに、エッジにはごくわずかな影響しか見られなかったことを示す。圧縮下にある膜について、ボウル形の板およびドーム形の板のエッジの丸まりの間の違いは、ごくわずかである。
図２３Ａおよび２３Ｂは、様々な板厚の板上に堆積されたシリコン薄膜により印加される張力の関数としての予測されるＴＦＴの反りまたはエッジの浮きのプロットである。図２３Ａおよび２３Ｂを参照すると、上述したエッジ浮き効果は、式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩにより示されるように、ガラス板の厚さの影響を受け得る。膜の張力は、平らな板をより「ボウル状」にし、板が既にボウルである場合、その膜の張力がこれに加わり、その効果は、ボウルがさらに悪化するかのようである。しかしながら、板がドーム形である場合、膜の張力は、そのドームにボウル効果を加え、それをより小さいドームにする（すなわち、より平らにする）。図２３Ａおよび２３Ｂは、図２０に示されるような、実質的に一定の３０ｍｍの曲率半径で、０．７ｍｍ、０．５ｍｍ、０．３ｍｍ、および０．２ｍｍの厚さの板に関して膜の張力が増加するにつれての、膜を持つ場合の反りのプロットを示す。これらの図面に示されるように、厚さが減少すると、ボウルおよびドームの両方について、反りが増加する。さらに、厚さが十分に減少すると、膜の応力が優位に立ち、ドームおよびボウルの両方が大きい反りを示すが、ドームの反りは、ボウルの反りよりも小さくなり得ることが観察できる。
本開示の実施の形態によれば、ガラス板は、ガラス板形成プロセスにより形成できる。そのプロセスは、制限するものではなく、フロート法、アップドロー法、ダウンドロー法、スロットおよびフュージョンダウンドロー法を含む、どの従来のまたは将来のガラス板製造プロセスであってもよい。
第１の工程において、ガラス板は、形成装置から測定装置に移送される。一部には、液晶ディスプレイ装置などのいくつかの装置の製造に使用されるガラス板は、並外れて薄く（約１ｍｍ未満、０．２ｍｍまたは０．３ｍｍと０．５ｍｍの間、０．２ｍｍまたは０．３ｍｍと１ｍｍ未満の間）、壊れやすいので、そのような移送は、典型的に、コンピュータ／プロセッサ制御された「ロボット」などの自動化設備により行われる。ロボットは、世界中の製造業においてよく知られており、ガラス板製品、特に、ディスプレイ製品のその後の製造を目的とするガラス板製品の移送に関して、板の表面を傷付けるまたは損なうかもしれないガラス板とロボットとの間の接触を最小にするために、あらゆる努力をすることを除いて、ここではさらに説明しない。その結果、ロボットをガラス板に一時的に接続する方法は、典型的に、柔軟な吸引カップ、空気ベアリング、またはそれらの組合せを含む。
続く工程において、前記ガラス板を支持面に置いて、その板のトポグラフィー形状を決定する。限定ではなく、議論の目的のために、その測定装置は板の反り測定装置であってよい。典型的な反り測定において、大型の平らな寸法安定性台からなる測定テーブルが、板を支持するために使用される。適切な台は、大理石または御影石の板、または金属ブロックを含むが、石板も適している。その台は、従来の防振脚を使用してさらに防振してもよい。１つの実施の形態において、光学式距離測定装置は、その距離測定装置を台の表面と平行な面でガラス板の表面の上で動かせるように、ガントリーに取り付けられている。その距離測定装置は、その装置と、ガラス板の表面、概して、距離測定装置に面する表面との間の距離を決定することができる。今度は、そのガントリーは、距離測定装置が、その装置と、ガラス表面上の複数の地点についてその板との間の距離を決定できるように、ガラス板の表面上に複数の地点で距離測定装置を位置決めすることができる。その距離測定装置と、ガラス板を支持する台表面との間の公知の距離を考えると、その台表面の上の板の測定される表面の高さは、容易に決定することができる。
一般に、前記ガラス板は矩形であり、その板上の測定位置は、矩形の格子に配置することができる。しかしながら、ガラス板の形状に応じて、他の配置も可能である。
エッジの浮きを検出できることを確実にするために、反りの測定は、板の各エッジの少なくとも約２０ｍｍ以内、各エッジの少なくとも約１０ｍｍ以内、または各エッジの少なくとも約５ｍｍ以内で行うべきである。その板のエッジは、その板を支持する基準面の面の上で所定の制限よりも大きいエッジの浮きを示す場合、そのガラス板は、基準面に対してボウル形状を示すと決定されるであろう。例えば、約１００μｍの値が、エッジの浮きに適した制限であることが分かった。反対に、板のエッジが、浮きの所定の量より小さい場合、その板は、基準面に対してドーム形状を有すると考えられるであろう。
いくつかの追加の手法を使用して、ガラス板の凹面を決定することができる。上述したように、板がボウル形である場合、そのエッジは、エッジ近くの水平支持（基準）面から「浮き」、この浮きの大きさを、板の曲率半径に関連付けることができる。ｚ（ｘ，ｙ）が水平基準からの板の高さである場合、エッジに沿った最大浮き、ｚ＿ｍａｘおよびエッジに沿った平均浮きｚ＿ａｖｅが決定される。ｚ＿ｍａｘ、またはｚ＿ａｖｅの一方または両方が各測量について所定の閾値を超える場合、エッジが上方に浮き、板が基準面に対してボウル形状を有すると結論付けることができる。所定の閾値は、ガラスの最終用途、顧客の仕様などに依存する。エッジがそうではなく下方に湾曲している（例えば、板がドーム形である）と決定するために、その板をひっくり返し、再び測定することができる。最大浮きは、板がボウル形である場合、典型的な７倍大きいことが観察された。纏めると、エッジに沿って見られた最大浮き、またはエッジに沿って見られた平均浮きを使用して板の向きを評価することができる。板の全ての４つのエッジが、１００μｍより大きい浮きを示す場合、ボウル状の曲率が測定される。
測定データから適切な方向付け測量を決定するための別の方法は、エッジでまたはその近くで板の勾配または傾斜を評価することである。ｚ（ｘ，ｙ）が水平基準面からの板の高さであり、「ｘ」がエッジに対して垂直な方向である場合、その結果、板のエッジでの勾配ｄｚ／ｄｘを、ｚ＿ｍａｘおよびｚ＿ａｖｅを補うか、代替手段として、使用することもできる。その勾配は、各エッジについての最大勾配、または各エッジについての平均勾配であってよい。
上述した測定方法は、板に対して単純なボウルまたはドーム形状を想定する。しかしながら、ここに記載した方法は、より複雑な板形状にまで広げることができる。これらの例に、エッジが波形である板が含まれ、そのエッジに沿った曲率は、凹形と凸形の両方（例えば、蛇行）である。この場合、板を単に裏返すだけでは役立たないであろう。測量（例えば、最大浮き、平均浮きなど）を使用して、板の使用適性を評価する、またはプロセス作業を、板製造プロセスから根本的原因を除去するために向けることができる。
他の場合には、板は、凹形曲率を示すいくつかのエッジ、およびそうではない他のエッジを有するであろう。フュージョン法により製造された大型ガラス板の製造において、板が延伸され、リボンから切断されるときに、二面が垂直であり、二面が水平である。上述した測量を使用して、垂直エッジが一貫して凹形であり、水平エッジが一貫して凸形である場合、ひいては、その板は、単にボウルまたはドーム形ではなく、「サドル形」であると推測できる。この場合、板のドーム状の形状を達成するために板の製造プロセスによって、板の曲率を調節できれば、いくらかの付加的改善が期待できる。
接触面（すなわち、ロボット、測定支持体などと接触する面）で支持されたときにボウル形状を示すと決定されたガラス板は、製造プロセスからはねてもよく、ガラス形成プロセスに再循環され、他の供給材料と共に再溶融されるカレットになってもよい。あるいは、ある用途については、その板をひっくり返して、反対側を上向きにし、そのエッジの浮きが合格限界内である場合、その板に印を付けて、適切な（凹形下向き）向きを示す。ひっくり返したときに板が利用できるか否かは、最終用途の要件に依存する。他方で、先に接触した面で支持されたときに、ドーム形状を示すと決定されたガラス板は、合格ガラスを示し、後続の加工のために、それに応じて印を付けてよい。板の最終使用者は、典型的に、受け取る製品の挙動に対して設備（例えば、フォトグラフィー設備）を調整するので、これは妥当である。このように、最終使用者が、特定の加工工程の成功を最大にするのに適切に方向付けられた製品を受け取り、その製品が、適切な向きを示すように印が付けられていることが重要である。
印を付けるそのような方法の１つは、図２１にその描写が示されている、板５０の角から少量の材料（５０ａ）を除去することである。このように、板が所定の向きで配置されている場合、すなわち、所定の場所に変更角が位置している場合、ガラス板の適切な表面が支持され、凹面が支持面に対してドーム形である。レーザによる表面または表面下の印付けなどの、他の方法を必要に応じて使用しても、または利用可能であることがある。
前記板の適切な向きが一旦決定されたら、その位置をさらに加工してよい。例えば、印付けられた向きを利用することによって、その板を下向きの凹形（ドーム）位置でチャック台（支持体）上に配置し、板を平坦化させる。例えば、板を平坦化させるために、台のオリフィスを通じて、真空に引いてもよい。次に、その板上に１つ以上の薄膜材料層を堆積させることができる。その１つ以上の薄膜材料層は、絶縁材料、誘電材料、半導体材料または導電性材料を含んでよい。その薄膜材料は、どの適切な従来の方法によって堆積させてもよい。例えば、その薄膜層は、蒸着、同時蒸着、またはスパッタリングしてもよい。図２２は、板の「Ａ」面に堆積された薄膜デバイス１２０を備えたドーム形のガラス板５０を示している。適切な材料層が一旦堆積されたら、その材料は、フォトリソグラフィープロセスなどによって除去して、所望のデバイスを製造してよい。その薄膜堆積および材料除去は、多段階工程により行ってよい。この追加の加工は、後続の「相手先商標製品の製造会社」が行ってよく、その会社は、ガラス上に追加の膜および構成要素を堆積させることにより、裸のガラスを、液晶ディスプレイ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、または任意の他のデバイスなどのデバイスに転換させる。典型的に、多くのデバイスは、１枚のガラス板上に形成される。それらのデバイスが一旦形成されたら、その後、その板は、図１４のデバイス７０などの個々のデバイスに分割される。
ここに開示された方法により調製された薄膜デバイス（例えば、ＴＦＴ、ＯＬＥＤ、カラーフィルタなど）は、従来の平らなガラス基板を使用して調製された薄膜デバイスと比べて、反りが少ないであろう。いくつかの実施の形態において、ここに開示された薄膜デバイスの反りは、平らなガラス基板を使用して同様に調製された薄膜デバイスにおける反りと比べて、少なくとも約３０％少ない、少なくとも約４０％少ない、少なくとも約５０％少ない、少なくとも約６０％少ない、少なくとも約７０％少ない、少なくとも約８０％少ない、または少なくとも約９０％少ない、並びにそれらの間の全ての範囲および部分的範囲などの少なくとも約２０％少ない。例えば、様々な実施の形態において、その薄膜デバイスの反りは、約９００マイクロメートル未満、約８００マイクロメートル未満、約７００マイクロメートル未満、約６００マイクロメートル未満、約５００マイクロメートル未満、約４００マイクロメートル未満、約３００マイクロメートル未満、約２００マイクロメートル未満、または約１００マイクロメートル未満、並びにそれらの間の全ての範囲および部分的範囲などの約１０００マイクロメートル未満であることがある。そのようなＴＦＴを備えた、ＬＣＤなどのディスプレイ装置も、ここに開示されており、改善された画質、改善された充電および／または放電効率、および／または改善された費用効果などの１つ以上の利点を与えるであろう。しかしながら、本開示による薄膜デバイスおよびディスプレイ装置は、上述した改善の１つ以上を示さないかもしれないが、それでも、本開示の範囲に入ることを目的としていることを理解すべきである。
様々な開示された実施の形態は、特定の実施の形態に関して記載された特定の特徴、要素または工程を含んでよいことが認識されよう。特定の特徴、要素または工程は、ある特定の実施の形態に関して記載されているかもしれないが、様々な説明されていない組合せまたは順序で、代わりの実施の形態と交換されても、または組み合わされてもよいことも認識されよう。
ここに用いたように、名詞は「少なくとも１つの」対象を指し、特に明記のない限り、「ただ１つの」対象に限定されるべきではないことも理解すべきである。それゆえ、例えば、「金属膜」への言及は、特に明記のない限り、そのような金属膜を２つ以上有する例を含む。同様に、「複数」は、「１つより多い」ことを意味する意図がある。それゆえ、「複数の金属膜」は、そのような膜を３つ以上などの、そのような膜を２つ以上含む。
範囲は、ここでは、「約」ある特定の値から、および／または「約」別の特定の値までと表すことができる。そのような範囲が表された場合、例は、そのある特定の値から、および／または他方の特定の値まで、を含む。同様に、値が、先行詞「約」を使用して近似として表された場合、その特定の値は別の態様を形成することが理解されよう。範囲の各々の端点は、他方の端点に関連して、および他方の端点とは関係なくの両方で有意であることがさらに理解されよう。
ここに用いた「実質的」、「実質的に」という用語、およびその変形は、記載された特徴が、ある値または記載と等しいまたはほぼ等しいことを留意することが意図されている。例えば、「実質的に平らな」表面は、平らなまたはほぼ平らな表面を表すことが意図されている。さらに、先に定義されたように、「実質的に同様」とは、２つの値が等しいまたはほぼ等しいことを表すことが意図されている。いくつかの実施の形態において、「実質的に同様」は、互いに約５％以内、または互いに約２％以内などの、互いに約１０％以内の値を表すことがある。
特に明記のない限り、ここに述べられたどの方法も、その工程を特定の順序で行う必要があると解釈されることは決して意図されていない。したがって、方法の請求項が、その工程がしたがうべき順序を実際に挙げていない場合、または他にそれらの工程が特定の順序に限定されることが、請求項または説明に具体的に述べられていない場合、どの特定の順序も暗示されることは決して意図されていない。
特定の実施の形態の様々な特徴、要素または工程が、「含む」という移行句を使用して開示されていることがあるが、「からなる」または「から実質的になる」という移行句を使用して記載されるものを含む代わりの実施の形態が暗示されることを理解すべきである。それゆえ、例えば、Ａ＋Ｂ＋Ｃを含むデバイスに対して暗示される代わりの実施の形態は、デバイスがＡ＋Ｂ＋Ｃからなる実施の形態、デバイスがＡ＋Ｂ＋Ｃから実質的になる実施の形態を含む。
本開示の精神および範囲から逸脱せずに、本開示に様々な変更および改変が行えることが当業者に明白であろう。本開示の精神および実体を含む開示の実施の形態の改変、組合せ、下位の組合せ、および変更が、当業者に想起されるであろうから、その開示は、付随の特許請求の範囲およびその同等物の範囲内に全てを含むと考えるべきである。
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
実施形態１
薄膜デバイスを製造する方法において、第１の温度でガラス基板の凸面に少なくとも１つの金属膜を施して、薄膜デバイを形成する工程、およびその薄膜デバイスを第２の温度に冷却する工程を有してなる方法。
実施形態２
前記少なくとも１つの金属膜が、銅、シリコン、非晶質シリコン、ポリシリコン、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、ＩＺＯ、ＺＴＯ、酸化亜鉛、他の金属酸化物、およびそのドープ金属と酸化物、並びにその組合せから選択される、実施形態１に記載の方法。
実施形態３
前記少なくとも１つの金属膜の厚さが、約１，０００Åから約１０，０００Åに及ぶ、実施形態１または２に記載の方法。
実施形態４
前記少なくとも１つの金属膜の幅が、約１，０００Åから約１０，０００Åに及ぶ、実施形態１から３いずれか１つに記載の方法。
実施形態５
前記ガラス基板の厚さが約３ｍｍ未満である、実施形態１から４いずれか１つに記載の方法。
実施形態６
前記ガラス基板の厚さが、０．２ｍｍと約１ｍｍ未満の間である、実施形態１から５いずれか１つに記載の方法。
実施形態７
前記ガラス基板が実質的にドーム形またはボウル形である、実施形態１から６いずれか１つに記載の方法。
実施形態８
前記ガラス基板の厚さが、該ガラス基板の長さおよび幅に亘り実質的に一定である、実施形態１から７いずれか１つに記載の方法。
実施形態９
前記第１の温度が約１５００℃未満であり、前記第２の温度が約１００℃未満である、実施形態１から８いずれか１つに記載の方法。
実施形態１０
前記少なくとも１つの金属膜および前記ガラス基板が、前記第１の温度から前記第２の温度に及ぶ温度に亘り、異なる熱膨張係数を有する、実施形態１から９いずれか１つに記載の方法。
実施形態１１
実施形態１から１０いずれか１つに記載の方法による製造された薄膜トランジスタ、カラーフィルタ、または有機発光ダイオード。
実施形態１２
薄膜デバイスの反りを減少させる方法において、実質的にドーム形またはボウル形であるガラス基板の凸面に少なくとも１つの金属膜を施す工程を有してなる方法。
実施形態１３
前記少なくとも１つの金属膜の厚さが、約１，０００Åから約１０，０００Åに及ぶ、実施形態１２に記載の方法。
実施形態１４
前記少なくとも１つの金属膜の幅が、約１，０００Åから約１０，０００Åに及ぶ、実施形態１２または１３に記載の方法。
実施形態１５
前記ガラス基板の厚さが、該ガラス基板の長さおよび幅に亘り実質的に一定である、実施形態１２から１４いずれか１つに記載の方法。
実施形態１６
ガラス基板および該ガラス基板の表面上に堆積された少なくとも１つの金属膜を備えた薄膜デバイスであって、
前記金属膜が、約１，０００Åから約１０，０００Åに及ぶ厚さ、または約１，０００Åから約１０，０００Åに及ぶ幅から選択される少なくとも１つの寸法を有し、
前記薄膜デバイスの反りが約１０００マイクロメートル未満である、薄膜デバイス。
実施形態１７
前記ガラス基板の厚さが約３ｍｍ未満である、実施形態１６に記載の薄膜デバイス。
実施形態１８
前記ガラス基板の厚さが、０．２ｍｍと約１ｍｍ未満の間である、実施形態１６または１７に記載の薄膜デバイス。
実施形態１９
前記薄膜デバイスが、薄膜トランジスタ、カラーフィルタ、または有機発光ダイオードからなる群より選択される、実施形態１６から１８いずれか１つに記載の薄膜デバイス。
実施形態２０
前記ガラス基板が、アルミノケイ酸塩、アルカリアルミノケイ酸塩、ホウケイ酸塩、アルカリホウケイ酸塩、アルミノホウケイ酸塩、およびアルカリアルミノホウケイ酸塩から選択されるガラスから作られる、実施形態１６から１９いずれか１つに記載の薄膜デバイス。
実施形態２１
前記ガラス基板が実質的に透明である、実施形態１６から２０いずれか１つに記載の薄膜デバイス。
実施形態２２
前記金属膜が、銅、シリコン、非晶質シリコン、ポリシリコン、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、ＩＺＯ、ＺＴＯ、酸化亜鉛、他の金属酸化物、およびそのドープ金属と酸化物、並びにその組合せから選択される、実施形態１６から２１いずれか１つに記載の薄膜デバイス。
実施形態２３
実施形態１６から２２いずれか１つに記載の薄膜デバイスを備えたディスプレイ装置。
実施形態２４
ガラス基板および該ガラス基板の表面上に堆積された少なくとも１つの金属膜を備えた薄膜デバイスであって、
前記ガラス基板の厚さが、該基板の長さおよび幅に亘り実質的に一定であり、
前記薄膜デバイスの反りが約１０００マイクロメートル未満である、薄膜デバイス。
実施形態２５
前記ガラス基板の厚さが、０．２ｍｍと約１ｍｍ未満の間である、実施形態２４に記載の薄膜デバイス。
実施形態２６
前記薄膜デバイスが、薄膜トランジスタ、カラーフィルタ、または有機発光ダイオードからなる群より選択される、実施形態２４または２５に記載の薄膜デバイス。
実施形態２７
前記ガラス基板が、前記表面上に前記少なくとも１つの金属膜を堆積させる前に、実質的にドーム形またはボウル形である、実施形態２４から２６いずれか１つに記載の薄膜デバイス。
実施形態２８
その上に薄膜を形成するためのガラス板を調製する方法において、
０．２ｍｍと１ｍｍの間の厚さを有し、凹面を備えたガラス板を提供する工程、
前記ガラス板を平らな基準面上に支持する工程、
前記平らな基準面に対して前記ガラス板のエッジの浮ｚを決定する工程、
測定されたエッジの浮きの大きさに基づいて、前記ガラス板の凹面の向きをを決定する工程、および
前記板に印を付けて、前記凹面の向きを示す工程、
を有してなる方法。
実施形態２９
最大エッジ浮きが、前記ガラス板のエッジの２０ｍｍ以内で１００μｍ以下である、実施形態２８に記載の方法。
実施形態３０
最大エッジ浮きが、前記ガラス板のエッジの５ｍｍ以内で１００μｍ以下である、実施形態２８に記載の方法。
実施形態３１
前記エッジの浮きを決定する工程が、最大エッジ浮きを決定する工程を含む、実施形態２８に記載の方法。
実施形態３２
前記エッジの浮きを決定する工程が、平均エッジ浮きを決定する工程を含む、実施形態２８に記載の方法。
実施形態３３
前記印を付ける工程が、前記ガラス板の角を除去する工程を含む、実施形態２８に記載の方法。
実施形態３４
前記印を付ける工程が、前記ガラスにレーザを照射する工程を含む、実施形態２８に記載の方法。
実施形態３５
前記ガラス板を提供する工程が、フュージョンダウンドロー法により前記ガラス板を形成する工程を含む、実施形態２８に記載の方法。
実施形態３６
薄膜デバイスを形成する方法であって、
０．２ｍｍと１ｍｍの間の厚さを有し、凹面を備えたガラス板を平らな基準面上に、該ガラス板が該平らな基準面に対してドーム形であるような向きに支持する工程、および
前記ガラス板のドーム側に薄膜材料を堆積させる工程、
を有してなる方法。
実施形態３７
前記薄膜材料の一部をフォトリソグラフィーにより除去する工程をさらに含む、実施形態３６に記載の方法。
実施形態３８
前記薄膜材料が薄膜トランジスタを含む、実施形態３６に記載の方法。
実施形態３９
凹面を有するガラス板を備えた薄膜デバイスであって、前記ガラス板が平らな基準面上に支持されたときに、前記薄膜デバイスは該ガラス板のドーム面上に配置されており、該ガラス板の厚さが０．２ｍｍと１ｍｍの間である、薄膜デバイス。
実施形態４０
前記薄膜デバイスが、薄膜トランジスタ、カラーフィルタ、または有機発光ダイオードを含む、実施形態３９に記載の薄膜デバイス。
実施形態４１
前記ガラス板が、前記平らな基準面上で真空チャックされたときに、１００ｍｍ超のエッジの浮きを示さない、実施形態３９に記載の薄膜デバイス。
実施形態４２
ＬＣＤディスプレイに使用するのに適したガラス板であって、
第一面、第二面、および該第一面と該第二面を縁取る複数のエッジ、
を備え、
前記ガラス板が、該ガラス板が前記第一面で平らな基準面上に支持されたときに、前記複数のエッジの各エッジの前記基準面に対する最大エッジ浮きが、各エッジの２０ｍｍ以内で１００μｍ未満であり、該ガラス板が前記第二面で前記平らな基準面上に支持されたときに、前記複数のエッジの少なくとも１つのエッジの最小エッジ浮きが、該少なくとも１つのエッジの２０ｍｍ以内で、前記基準面に対して少なくとも１００μｍであるような曲率を有し、
前記ガラス板の厚さが０．２ｍｍと約１．０ｍｍの間である、ガラス板。
２０ 成形楔体
２２ 通路
２４ 壁部分
２６ 堰
３４ 溶融ガラス
３６ 送達通路
４２ ガラスリボン
４４ 牽引ロール
５０、７４ ガラス板
７０、１２０ 薄膜デバイス
７２ 有機発光ダイオード
７６ カバープレート
７８ 密封材料
８４ 基準面

Claims (9)

  1. 薄膜デバイスを製造する方法において、約５００℃から約１５００℃までの範囲の第１の温度でガラス基板の凸面に少なくとも１つの金属膜を施して、薄膜デバイスを形成する工程、および該薄膜デバイスを約１００℃未満の第２の温度に冷却する工程を有してなる方法であって、
    冷却後に、前記薄膜デバイスが、約１０００マイクロメートル未満の反りを有し、かつ、前記少なくとも１つの金属膜が、銅、シリコン、非晶質シリコン、ポリシリコン、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、ＩＺＯ、ＺＴＯ、酸化亜鉛、並びにその組合せから選択される、方法。
  2. 前記少なくとも１つの金属膜が、約１，０００Åから約１０，０００Åに及ぶ厚さおよび幅を有する、請求項１記載の方法。
  3. 前記ガラス基板が、ドーム形であって、厚さが、０．２ｍｍと約１ｍｍ未満の間である、請求項１または２記載の方法。
  4. 前記ガラス基板を、平らな基準面上に支持する工程であって、前記ガラス基板が前記基準面に対してドーム形であるような向きに支持する工程をさらに含む、請求項１から３いずれか１項記載の方法。
  5. 前記少なくとも１つの金属膜および前記ガラス基板が、前記第１の温度から前記第２の温度に及ぶ温度に亘り、異なる熱膨張係数を有する、請求項１から４いずれか１項記載の方法。
  6. 薄膜デバイスを形成する方法であって、
    ０．２ｍｍと１ｍｍの間の厚さを有し、凹面を備えたガラス板を平らな基準面上に、該ガラス板が該平らな基準面に対してドーム形であるような向きに置く工程、
    前記ガラス板のドーム側の面に薄膜材料を、第1の温度で堆積させる工程、および、
    前記薄膜材料を、第２の温度まで冷却する工程、
    を有してなり、
    冷却後に、前記薄膜デバイスが、約１０００マイクロメートル未満の反りを有する、方法。
  7. 前記薄膜材料の一部をフォトリソグラフィーにより除去する工程をさらに含む、請求項６記載の方法。
  8. 前記薄膜材料が、薄膜トランジスタ、カラーフィルタ、または有機発光ダイオードを含む、請求項６または７記載の方法。
  9. 前記薄膜材料が、銅、シリコン、非晶質シリコン、ポリシリコン、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、ＩＺＯ、ＺＴＯ、酸化亜鉛、並びにその組合せから選択される、請求項６〜８のいずれか１項に記載の方法。
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