TWI683425B - 玻璃基板以及包含彼之顯示裝置 - Google Patents

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熱海隆史
歐德里斯柯堤摩西Ｊ
艾爾卡洛特阿迪
琴良樹
霍依珊史蒂芬Ｆ
徐鎮宇
桔釗 江
加藤良彰
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Abstract

茲揭示製作薄膜裝置及/或減少薄膜裝置翹曲的方法，方法包含施用至少一金屬膜至玻璃基板的凸面，其中玻璃基板實質呈圓頂形。所述其他方法包括測定玻璃片凹度的方法。方法包括當片由平坦表面支撐且重力作用於上時，測定凹面位向及測量片邊緣升高度量值。本文亦揭示依該等方法製作的薄膜裝置和包含此薄膜裝置的顯示裝置。

Description

玻璃基板以及包含彼之顯示裝置 【交互參照之相關申請案】
本申請案根據專利法法規主張西元2015年1月14日申請的美國臨時專利申請案第62/103411號的優先權權益，本申請案依賴該臨時申請案全文內容且該臨時申請案全文內容以引用方式併入本文中。
本發明大體係關於顯示裝置用玻璃片或基板，且更特別係關於用於薄膜裝置的玻璃片或基板，例如包含玻璃片或基板的薄膜電晶體(TFT)和高解析度平面顯示裝置。本發明大體亦關於依據玻璃片凹度，測定玻璃片與參考表面共形性的方法，及確定凹面位向，以助於薄膜沉積至片表面上。
液晶顯示器(LCD)常用於各種電子元件，例如行動電話、筆記型電腦、電子平板、電視和電腦螢幕。隨著對大型高解析度平面顯示器需求增加，將促使大型高品質玻璃用於顯示器，例如用於製造TFT、彩色濾光片或其他顯示部件。4K2K或超高清顯示器在產品製造方面可提出權衡高解析度與成本效益的解決方案。
4K2K用於指稱水平解析度為4000個像素等級的顯示裝置(工業標準在1.9：1寬高比下為4096×21060)。然大量像素會產生更多阻電容(RC)，進而影響裝置充電效率。為減少RC延遲及提高像素充電，期增加沉積於玻璃表面的金屬膜寬度及/或厚度。例如，如第1圖所示，4K2K裝置的金屬膜寬度W2及/或厚度T2明顯大於全高清(FHD)裝置的金屬膜寬度w2及/或厚度t2。如第2圖所示，沉積厚金屬層可能因膜應力而造成翹曲，導致薄膜裝置呈非平面或碗狀、而不平坦。
另外，處理玻璃片用於電子裝置，例如顯示器或照明面板，需使片順應平面支撐件，以形成裝置的某些部件。該等部件(例如有機發光二極體材料和其他薄膜)一般利用光微影製程形成，製程包括將片真空夾持於平面表面，使片變平。玻璃片順應平面支撐件的能力取決於片本質(例如無重力)形狀(例如片在無重力下所具形狀)。稱為可展開形狀的某些形狀較易順應平面，且抗順應主要係因片剛性所致。另一方面，不可展開形狀沒那麼容易弄平。故某些形狀難以用於光微影製程。更重要的是，形狀相對平面支撐件的位向會影響片順應力。
因此，有利的是提供薄膜裝置，例如用於大型平板顯示裝置(例如LCD)的TFT，以解決上述一或更多缺點，例如具低成本及/或高解析度的平坦TFT。在 不同實施例中，包含此TFT的LCD裝置可改善圖像品質、改善充電及/或能量效率，及/或增進成本效益。
在不同實施例中，本發明係關於製作薄膜電晶體及/或減少薄膜電晶體翹曲的方法。在玻璃基板或片上製造薄膜裝置(例如薄膜電晶體)需要高平坦度表面。此係因為選用製造裝置的方法包含光微影技術，此光學製程的景深通常很淺。
製造玻璃片時，玻璃片可能翹曲，其中玻璃片具有凹度(即曲率)，是以即便真空夾持於表面，玻璃片也不會完全平坦地放在支撐參考表面。在最簡單形式下，凹面看起來像相對參考表面的圓頂或相對參考表面呈碗狀。
茲發現當片相對參考表面定向呈圓頂時，玻璃片達成的平坦度將大於玻璃片相對參考表面定向呈碗狀所能達成的平坦度。此係因為「碗」的邊緣上沒有重量而會往上彎曲，但「圓頂」的邊緣會碰到參考表面而支撐重量。再者，當玻璃片相對參考表面定向呈碗狀並試圖弄平片時，片邊緣易自支撐參考表面升高。升高將露出玻璃片底下的真空埠，以致影響弄平片的真空力。另一方面，當玻璃片相對支撐參考表面定向呈圓頂時，真空夾持易使邊緣往下朝參考表面捲曲，從而最小化真空洩漏。故為提供最大平坦度，使玻璃片定向在支撐參 考表面上的圓頂位置可最大化達成平坦度，及改善在玻璃片上形成薄膜裝置的製程。
在一實施例中，描述製備玻璃片以用於形成薄膜裝置的方法，包含下列步驟：提供具相對第一與第二側邊的玻璃片，片進一步包含凹面；將玻璃片支撐在平坦參考表面上；測定相對平坦參考表面的邊緣升高度或玻璃片翹曲；依據測量邊緣升高度量值，測定玻璃片凹面位向；及標記片，以指示凹面位向。凹面位向可藉由測量最大邊緣升高度而測定。玻璃片在玻璃片邊緣的20毫米(mm)內的最大邊緣升高度為小於或等於約100微米(μm)。在其他實施例中，在玻璃片邊緣的5mm內的最大邊緣升高度為小於或等於約100μm。凹面位向可藉由測定平均邊緣升高度而測定。標記可包含移除玻璃片一角。標記可包含用雷射照射玻璃片，以製造表面標記或次表面標記。在一實施例中，玻璃片由融合下拉製程製造。
在另一實施例中，揭示形成薄膜裝置的方法，包含支撐玻璃片，玻璃片於平坦參考表面上包含朝一位向的凹面，使得玻璃片相對參考表面呈圓頂形；及沉積薄膜材料至玻璃片的圓頂側。方法可進一步包含利用光微影技術移除一部分的薄膜材料。薄膜材料例如包含薄膜電晶體。
在又一實施例中，描述薄膜裝置，包含具凹度的玻璃片，其中當玻璃片由平坦參考表面支撐時，薄 膜裝置設在玻璃片的圓頂側。薄膜裝置例如包含薄膜電晶體。在一些實施例中，當真空夾持於平坦參考表面上時，薄膜裝置的邊緣升高度不大於100μm。
附加方法包括施用至少一金屬膜至具實質圓頂形輪廓的玻璃片或基板的凸面。本文亦揭示根據該等方法製作的薄膜電晶體和包含此薄膜電晶體的顯示裝置。在某些實施例中，金屬膜包含選自銅、矽、非晶矽、多晶矽、ITO、IGZO、IZO、ZTO、氧化鋅、其他金屬氧化物和摻雜金屬與摻雜金屬氧化物及上述組合物的金屬。根據附加實施例，玻璃片或基板的厚度為小於約3mm，例如約0.2mm至約2mm、約0.3mm至約2mm、約0.7mm至約1.5mm、約0.2mm至約0.5mm、約0.3mm至約0.5mm、約0.2mm至約1.0mm或約1.5mm至約2.5mm，包括其間所有範圍與子範圍。玻璃片或基板可選自如鋁矽酸鹽、鹼鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、鹼硼矽酸鹽、鋁硼矽酸鹽、鹼鋁硼矽酸鹽和其他適合玻璃。在不同實施例中，玻璃片或基板可為透明或實質透明。應注意「片」與「基板」和各自複數型等用語在本文中可互換使用，此用法不應限定後附申請專利範圍的範圍。
應理解以上概要說明和下述詳細說明僅為說明本發明的不同實施例，及擬提供概觀或架構以對申請專利範圍的本質和特性有所瞭解。所含附圖提供對本發明的進一步瞭解，故當併入及構成說明書的一部分。圖 式描繪本發明的不同實施例，並連同實施方式說明一起用於解釋本發明的原理和操作。
20‧‧‧楔構件
22‧‧‧流道
24‧‧‧壁面
26‧‧‧堰
28、30‧‧‧表面
32‧‧‧根部
34‧‧‧熔融玻璃
36‧‧‧輸送通道
38‧‧‧限制壩
42‧‧‧玻璃帶
44‧‧‧拉輥
48‧‧‧切線
50‧‧‧玻璃片
50a‧‧‧材料
70‧‧‧OLED裝置
72‧‧‧OLED
74‧‧‧玻璃片
76‧‧‧基板
78‧‧‧玻料
80‧‧‧雷射
82‧‧‧雷射光束
84‧‧‧參考表面
86‧‧‧真空埠
100、104‧‧‧曲線
102、106‧‧‧資料點
108、110、112、114、116、118‧‧‧曲線
120‧‧‧薄膜裝置
以下詳細實施方式在配合參閱附圖後將能進一步暸解。
第1圖圖示用於FHD與4K2K顯示裝置的示例性TFT；第2圖圖示示例性顯示裝置的TFT因拉伸膜應力而翹曲；第3圖係UV遮蔽翹曲TFT的示意圖；第4A圖至第4C圖係光阻膜塗佈翹曲TFT的示意圖；第5A圖至第5B圖係測量TFT翹曲的示意圖；第6A圖至第6B圖圖示示例性玻璃基板的片形狀度量工具資料(例如BON資料)；第6C圖至第6D圖圖示TFT翹曲隨玻璃基板形狀變化；第7圖係根據本發明不同實施例的TFT翹曲減少示意圖；第8圖圖示TFT翹曲隨玻璃基板形狀變化；第9A圖至第9B圖圖示示例性玻璃基板的片形狀度量工具資料(例如BON資料)； 第10A圖至第10D圖圖示不同示例性玻璃基板的應力分佈和圓頂形狀；第11圖圖示不同示例性玻璃基板的應力分佈和圓頂形狀；第12圖圖示TFT翹曲隨玻璃形狀變化；第13圖係示例性融合下拉設備的局部透視剖視圖，用於形成玻璃片；第14圖係雷射密封製程的截面側視圖，用於密封有機發光二極體裝置；第15圖係代表玻璃片相對參考表面往上凹或呈圓頂形位向的透視圖；第16圖係代表玻璃片相對參考表面往下凹或呈碗狀位向的透視圖；第17圖係玻璃片邊緣在存有重力下相對參考表面呈圓頂形位向並夾住的局部側視圖；第18圖係玻璃片邊緣在存有重力下相對參考表面呈碗狀位向並夾住的局部側視圖；第19圖係碗狀與圓頂形片的玻璃片相對最大無重力片形狀偏差的預測裸玻璃翹曲或邊緣升高圖；第20圖係就不同膜厚預測TFT翹曲或邊緣升高度隨張力變化圖，張力由沉積於片上的薄矽膜施加；第21圖係玻璃片上視圖，玻璃片已藉由移除片一角而「標記」顯示適當支撐位向； 第22圖係圓頂形玻璃片的邊視圖，玻璃片包含沉積於片圓頂側的薄膜；及第23A圖及第23B圖係就不同片厚度預測TFT翹曲或邊緣升高度隨張力變化圖，張力由沉積於片上的薄矽膜施加。
茲揭示製作薄膜裝置(例如、但不限於薄膜電晶體)及/或減少薄膜裝置翹曲的方法，方法包含施用至少一金屬膜至玻璃基板的凸面，其中玻璃基板實質呈圓頂形。本文亦揭示根據該等方法製作的薄膜裝置和包含此薄膜裝置的顯示裝置。
製造平坦玻璃片的非限定方法為利用融合下拉製程；然方法可為任何適合的玻璃片製作製程，包括浮式製程、上拉、下拉、狹槽和融合下拉製程，但不以此為限。在用於形成玻璃帶的示例性融合下拉製程中，如第13圖所示，形成楔20包含向上敞開流道22，流道沿壁部24與縱向側接壤，壁部上面止於相對縱向延伸溢流唇緣或堰26。堰26連接楔構件20的相對外形成表面。如圖所示，楔構件20配設一對連接堰26的實質垂直形成表面部分28和一對在較低尖端或根部32會合的向下傾斜會合表面部分30。
熔融玻璃34利用連接流道22的輸送通道36送入流道22。可單端或依需求雙端送入流道22。一對限制壩38設在溢流堰26上方且鄰接流道22各端，以引導 熔融玻璃34溢流過溢流堰26而成分離流，並沿形成表面28、30往下流至根部32，鏈線所示分離流在此會合形成玻璃帶42。拉輥44置於根部32下游，及用於調整形成玻璃帶離開根部的速率。
拉輥可設計成以外側增厚邊緣接觸玻璃帶。拉輥接觸的玻璃邊緣部分後來將自片丟棄。當玻璃帶42往設備抽拉部下方行進時，帶將經歷複雜結構變化，不僅物理尺寸、還有分子級改變。藉由仔細選定溫度場或分佈，可微妙平衡機械與化學要求而完成從液體或黏性態轉化成固體或彈性態，以從如形成楔根部的黏稠液體形式變成厚度約0.5毫米或以下的剛硬帶。在彈性溫度區域內一處，機械手(未圖示)固定於帶，例如利用柔性吸杯，沿機械手上方切線48切割帶，以形成玻璃片或板50。機械手(未圖示)接著將玻璃片50裝載至載具而運送到下游製程。
儘管玻璃製造商採取嚴格製造控制形成平坦玻璃片，例如利用上述製程，但片形狀仍可能偏離理想平面。例如，在上述融合製程中，拉輥可從形成楔抽拉玻璃帶，拉輥僅接觸帶邊緣部分而提供帶中心部分翹曲機會。此翹曲可能因帶移動或存於帶內的各種熱應力相互作用引起。例如，下游切割製程引入帶的振動會往上傳播到帶黏彈性區、結凍成片，並呈現偏離彈性帶平面。遍及帶寬度及/或長度的溫度變化亦會導致偏離平面。事實上，自帶切割個別玻璃片時翹曲可部分減輕結凍成帶 的應力而造成不平坦表面。簡言之，自帶切割的玻璃片形狀取決於帶轉變完成黏彈性區期間的帶物理與熱歷程，且歷程不盡相同。再者，自抽拉帶切割的大玻璃片本身可切割成複數個小片。故各分切將致使應力減輕或重新分配，隨後形狀改變。故雖然所得片一般視為平坦，但片表面各處實際上可能具有谷及/或峰，因而妨礙後續處理時弄平片。壓力及/或形狀改變不利於尺寸穩定性相依製程，例如沉積部件至基板上，例如用於製造液晶顯示器或其他裝置的各種薄膜層。在一些實施例中，片形成具有一致已知形狀。故期策劃方法來精確測定玻璃片或基板形狀，所得資訊用於修改待抽拉玻璃帶的熱歷程。
示例性玻璃片或基板可包含此領域已知用作薄膜裝置基板的任何玻璃，包括鋁矽酸鹽、鹼鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、鹼硼矽酸鹽、鋁硼矽酸鹽、鹼鋁硼矽酸鹽和其他適合玻璃，但不以此為限。在某些實施例中，玻璃基板或片的厚度為小於或等於約3mm，例如約0.2mm至約2mm、約0.3mm至約2mm、約0.7mm至約1.5mm、約0.2mm至約0.5mm、約0.3mm至約0.5mm、約0.2mm至約1.0mm或約1.5mm至約2.5mm，包括其間所有範圍與子範圍。在一實施例中，玻璃基板包含化學強化玻璃，例如取自Corning公司的Corning® Gorilla®玻璃。化學強化玻璃例如可根據美國專利案第7,666,511號、第4,483,700號及/或第5,674,790號提供，該等專利案全文內容以引用方式併入本文中。 在不同實施例中，取自Corning公司的Corning® WillowTM、LotusTM和Corning® EAGLE XG®玻璃亦適用玻璃基板。在附加實施例中，玻璃基板包含高穿透率玻璃及/或低Fe玻璃，例如根據美國專利申請案第62/026,264號、第62/014,382號和第14/090,275號提供、取自Corning公司的IrisTM，但不以此為限，該等專利申請案全文內容以引用方式併入本文中。
根據進一步態樣，玻璃片或基板可具有大於約100兆帕(MPa)的壓縮應力和大於約10微米的壓縮應力層深度(DOL)，例如大於約500MPa的壓縮應力和大於約20微米的DOL、或大於約700MPa的壓縮應力和大於約40微米的DOL。在一些實施例中，玻璃基板可經如化學強化及/或熱回火處理，以提高玻璃強度及/或抗斷及/或耐刮性。
根據本發明的非限定態樣，化學強化可利用離子交換製程施行。例如，玻璃片(例如鋁矽酸鹽玻璃、鹼鋁硼矽酸鹽玻璃)可以融合抽拉製作，接著把玻璃片浸入熔融鹽浴一段預定時間而化學強化。玻璃片內於玻璃片表面或附近的離子與如出自鹽浴的較大金屬離子交換。熔融鹽浴溫度和處理時間不盡相同；然熟諳此技術者當能依預定應用來決定時間和溫度。非限定舉例來說，熔融鹽浴溫度可為約430℃至約450℃，預定時間可為約4至約8小時。
不期侷限於理論，咸信玻璃中併入較大離子將在近表面區域產生壓縮應力而強化片。對應拉伸應力則於玻璃片的中心區域誘發以平衡壓縮應力。化學強化處理Corning® Gorilla®玻璃可具較大壓縮應力(例如約700MPa至約730MPa，甚至能大於800MPa)和較大DOL(例如約40微米，甚至能大於100微米)。此玻璃具有高保留強度與高耐刮損性、高衝擊抗性及/或高抗彎強度和實質初始表面。
在不同實施例中，玻璃片或基板可為透明或實質透明。在此所用「透明」一詞擬指厚度約1mm的玻璃基板在可見光譜範圍(400-700nm)的穿透率為大於約85%。例如，示例性透明玻璃基板在可見光範圍的穿透率為大於約85%，例如穿透率大於約90%、大於約95%或大於約99%，包括其間所有範圍與子範圍。根據不同實施例，玻璃基板在可見光範圍的穿透率為小於約50%，例如小於約45%、小於約40%、小於約35%、小於約30%、小於約25%或小於約20%，包括其間所有範圍與子範圍。在某些實施例中，示例性玻璃基板在紫外光(UV)範圍(100-400nm)的穿透率為大於約50%，例如穿透率大於約55%、大於約60%、大於約65%、大於約70%、大於約75%、大於約80%、大於約85%、大於約90%、大於約95%或大於約99%，包括其間所有範圍與子範圍。
裝置製造商可接收玻璃製造商製造的薄玻璃片及進一步處理片而形成預定裝置，例如顯示面板、薄膜裝置(例如薄膜電晶體(TFT)、有機發光二極體(OLED)、彩色濾光片等)或固態照明面板(例如OLED照明面板)。例如，製造薄膜裝置時，例如第14圖所示有機發光二極體裝置70，有機發光二極體72形成在第一玻璃片74上。第一玻璃片通常稱作背板。玻璃片或基板可包含第一表面和相對的第二表面。非限定舉例來說，玻璃基板可包含具四個邊的矩形或方形玻璃片，但其他形狀或構造當可想見且落在本發明範圍內。根據不同實施例，玻璃基板可具實質恆定厚度遍及基板長度與寬度。例如，遍及基板長度與寬度的厚度變化可小於約10%，例如小於約5%、3%、2%或1%，包括其間所有範圍與子範圍。除了有機發光材料，背板74上的發光二極體還可包含TFT及/或彩色濾光片，及包括用於供應有機材料電流及使之發亮的電極。然因有機材料易受各種環境因素影響，例如水分和氧，有機層必須與周遭環境氣密隔離。故有機層可密封在背板74、第二玻璃片或基板76(有時稱作蓋片或蓋板)和置於背板和蓋片與密封件間的密封材料78構成的玻璃包封內。數種密封方法可用於連接背板和蓋板，包括使用黏著劑。雖然容易施用，但黏著劑失效前確保裝置具有商業可行使用壽命所需氣密性不佳。即，水分及/或氧最終將滲透黏著密封件，導致有機層和顯示裝置劣化。
另一方式為在背板與蓋片間形成熔塊密封。故一排玻璃熔塊膏密封材料可以環路或框架形式分配在蓋板上面，之後加熱熔塊蓋板，使玻料黏附蓋板。蓋板76接著利用設置其間的玻料78(和有機發光二極體72)設在背板74上。隨後加熱玻料78，例如利用發射雷射光束82的雷射80，使玻料軟化及在背板74與蓋板76間形成氣密密封。應注意薄膜裝置70可為許多形式，第14圖裝置僅為一例而已。例如，薄膜裝置可包含液晶裝置(例如液晶顯示器)、有機發光面板或此領域已知無數其他薄膜裝置。再者，密封裝置的方式可視應用而定。例如，薄膜裝置可用共形層密封，例如濺射或蒸鍍沉積的無機材料層，或者可利用示例性雷射密封或焊接技術密封，此描述於西元2014年5月7日申請且同在申請中的美國專利申請案第14/271,797號，該申請案全文內容以引用方式併入本文中。
裝置製造製程期間通常需要精確對準，特別係在各種形成薄膜裝置製程期間。通常，在玻璃上形成部件時，玻璃片需為平坦。例如，常將背板基板往下抽真空至平面支撐表面以供處理。在用於形成薄膜裝置(例如TFT、彩色濾光片、OLED等)的光微影製程期間，玻璃支托在最平坦的適合水平面。例如，光微影製程能沉積薄膜至第7.5代玻璃基板(1950×2250mm)的系統焦深為約20-30微米。為此，光微影裝備使用者可採 用夾座，夾座能真空夾持大玻璃表面。座表面平坦度明顯小於10微米。
用於特性化大致平面玻璃片平坦度的度量方式為測量玻璃的最大「翹曲」。即，測定片表面複數個點相對參考平面的距離(或偏差)，偏離參考點的距離代表片形狀偏離真平面-片「翹曲」。最大翹曲可做為片形狀測量值(例如片平坦度)。
上述翹曲測量僅簡單表示玻璃片地形及指示迫使片變平的能力，例如將片抽真空至平面桌。片形狀是否可展開為另一考量因素。可展開表面係無需延展、壓縮或撕開表面便可弄平的表面。可展開表面係可轉變成平面表面、同時表面上保持角度和距離的表面。當可展開表面轉變成平面表面時，無應變引入表面。或者，可展開表面係不需延展、壓縮或撕開表面便可由平面表面構成的表面。利用最大翹曲特性化玻璃片足以表明片不平坦，但不足以測量迫使片變成特定構造的適當性。
如上所述，在典型光微影製程中，位於支撐件表面各處的真空埠產生周遭氣壓，迫使待處理片抵著支撐件，真空埠可減少片下方壓力。再者，施加真空至埠時，片會壓抵支撐件。作用於片使片順應支撐表面的力度尤其取決於真空埠遍及支撐表面的分佈。例如，單一置中真空埠的效果不如大量真空埠分佈遍及支撐表面與片下方。然即使依此分配埠，埠間距也可能不足以適當限制片。即，就具可展開形狀的玻璃片而言，若埠間 隔太開，使得片邊緣與最近真空埠間的距離超過一定距離，則片邊緣的邊緣將因施加力引入應變至片而升高。
就包括凹面且不可展開的玻璃片而言，片邊緣行為可指示凹面位向或方向。在此所用「凹面」一詞通常表示片的至少一部分呈圓頂形或碗狀曲率。凹面視為圓頂形或碗狀取決於凹面相對參考點的位向。通常，圓頂據悉為「凸狀」，碗據悉為「凹狀」。即，凹面從片一側看來像圓頂，但從對側看來像碗(即碗係上下顛倒的圓頂)。為達本發明的目的，不論支撐件係用於測量，例如測量片翹曲(出平面偏差)，或於後續處理步驟，例如光微影製程，參考點將視為平面支撐件。故如第15圖及第9B圖所示，當片相對支撐件定向使凸部遠離參考表面84時，片50呈圓頂形(凹面朝下，向上隆起)，或如第16圖及第9A圖所示，當片相對支撐件定向使凸部鄰接參考表面84時，片呈碗狀(凹面朝上，向下隆起)。就圓頂形玻璃片而言，圓頂側係指片面朝外側。
繼續參照第9A圖、第9B圖、第15圖及第16圖的無重力形狀，玻璃片或基板可為圓形且具恆定曲率。圓頂曲率量值因需求而異，以達成適當翹曲抗性。例如，玻璃基板周圍區域與玻璃基板中心區域間的高度差可為約0.1mm至約20mm，例如約1mm至約19mm、約2mm至約15mm、約3mm至約12mm、約4mm至約11mm、約5mm至約10mm、約6mm至約9mm或約7mm至約8mm，包括其間所有範圍與子範 圍。該等達20mm的大形狀在參考表面上弄平前需視為無重力形狀。
亦應注意玻璃片或基板包含實質互相平行的二主要相對表面。當玻璃片由參考表面支撐時，玻璃片的一表面(「B」)將鄰接及接觸參考表面，而另一側(「A」)將背離且不接觸參考表面。為便於以下敘述，背離支撐表面且不接觸支撐表面的片表面標為片的「A」側，而接觸支撐表面的片表面或側邊標為片的「B」側。換言之，當片放在支撐件上時，片的「A」側面朝上，就由參考表面支撐的圓頂形玻璃片而言，圓頂側為「A」側。
根據不同實施例，玻璃基板的A或B側可用至少一金屬膜圖案化，例如金屬膜條或線。在某些非限定實施例中，金屬膜可沉積於玻璃基板的凸面。根據不同實施例，金屬膜T2的厚度及/或寬度可為約1000埃(Å)至約10000Å，例如約2000Å至約9000Å、約3000Å至約8000Å、約4000Å至約7000Å或約5000Å至約6000Å，包括其間所有範圍與子範圍。金屬膜可包含任何適用TFT或其他薄膜裝置的金屬，例如銅、矽、非晶矽、多晶矽、ITO、IGZO、IZO、ZTO、氧化鋅、其他金屬氧化物和摻雜金屬與摻雜金屬氧化物及上述組合物。
金屬膜可依此領域已知方法施用，例如沉積於玻璃基板。例如，膜可在高達1500℃的高溫下沉積， 例如約500℃至約1250℃或約750℃至約1000℃，沉積膜後，可使基板冷卻至低於約100℃的第二溫度，例如室溫。接著可進一步處理基板，例如用UV遮罩處理、塗覆光阻膜和此領域已知其他光學處理。
如第3圖及第4A圖至第4C圖所示，翹曲會引起各種處理困難，例如在UV遮蔽處理期間，PI光對準製程時薄膜裝置的翹曲區接觸遮罩(第3圖)，及/或在狹縫塗佈薄膜裝置(如所示為TFT)期間，不均勻施用光阻層，例如TFT的翹曲區有不同厚度(第4A圖至第4C圖)。在一些實施例中，翹曲可利用如沿製造製程安裝於一或更多點(例如光阻塗佈機、氣浮桌)的高度感測器測量，及將二測量點的薄膜裝置高度相減(例如點2-點1)，此如第5A圖至第5B圖所示。施用金屬膜應力造成翹曲可能因如冷卻至室溫時的膜張力所致，例如從約250℃到約25℃。由於金屬膜的熱膨脹係數(CTE)比玻璃基板大，故當薄膜裝置冷卻時，金屬膜的張力將引起翹曲，導致邊緣往上捲曲而形成碗狀。在一些實施例中，膜應力可表示成膜CTE與楊氏模數的因子，此如下式(I)所示：
Figure 105101140-A0202-12-0018-1
 其中σf代表膜應力，αf代表膜CTE，αg代表玻璃CTE，△T代表冷卻期間的溫差(例如250℃-25℃)，Ef代表膜模數，νf代表膜帕松比。
可根據下式(II)與(III)，計算薄膜裝置翹曲隨膜厚度/應力和玻璃厚度/楊氏模數的變化，此假設片最初係平坦的，且應力為拉伸力：
Figure 105101140-A0202-12-0019-2
Figure 105101140-A0202-12-0019-3
 其中w係翹曲，例如點1與點2間的高度差(參見第5B圖)，Llift係點1與點2間的水平距離，σf代表膜應力，tf代表膜厚度，Es代表玻璃楊氏模數，ts代表玻璃厚度，νs代表玻璃帕松比，ρs係玻璃密度，g係重力。由於4K2KTFT的閘極/訊號金屬膜厚度大於FHD顯示器，故TFT翹曲更加顯著，特別係螢幕尺寸增大時。
鑒於上式(II)，申請人探究各種方法來減少或反制翹曲(w)，例如包括提高玻璃CTE、提高玻璃楊氏模數、增加玻璃厚度及減少玻璃翹曲。為測定玻璃CTE和楊氏模數做為翹曲對策的效果，乃比較EAGLE XG®玻璃(CTE=32×10-7/℃，模數=74吉帕(GPa))與比較玻璃(CTE=34×10-7/℃，模數=77GPa)。基於式(II)可預測，使用比較玻璃形成的TFT翹曲將小於使用EAGLE XG®玻璃形成的TFT。然發現，比較玻 璃在某一位置(位置P)的翹曲實際上比EAGLE XG®玻璃大，但在另一位置(位置Q)則相反(參見第6C圖)。
同樣地，為測定玻璃厚度做為翹曲對策的效果，乃比較由不同厚度(0.62、0.63、0.65mm)的EAGLE XG®玻璃基板製成的TFT。基於式(II)可預測，使用厚玻璃形成的TFT翹曲將小於使用薄玻璃形成的TFT。然發現翹曲與玻璃厚度間沒有很大的關聯性。最後，為測定裸玻璃翹曲做為TFT翹曲對策的效果，乃比較由不同裸翹曲度(0.02-0.05mm)的EAGLE XG®玻璃基板製成的TFT。基於式(II)可預測，使用低裸翹曲度玻璃形成的TFT翹曲將小於使用高裸翹曲度玻璃形成的TFT。然發現TFT翹曲與玻璃翹曲間沒有很大的關聯性，此代表其他因素影響TFT翹曲更甚。
申請人驚訝地發現，薄膜裝置翹曲可由玻璃片形狀抵消，例如所述圓頂形或凸面玻璃基板。參照第6A圖至第6C圖，應注意比較玻璃1和玻璃2在位置Q呈現小翹曲，而於位置P呈現大翹曲。利用片形狀度量工具資料(例如針床(BON)資料)可測定二玻璃在位置P的玻璃片高度遠高於位置Q(玻璃1：△P-Q=-4.6；玻璃2：△P-Q=-9.2)，例如位置P的角隅略往上彎曲(凹狀)，位置Q的角隅略往下彎曲(凸狀)。故不期侷限於理論，咸信玻璃在位置Q的「負片」形狀(圓頂形)據測可抵消膜拉伸應力引起的翹曲，玻璃在位置P的「正片」形狀(碗狀)據測會惡化膜拉伸應力引起的 翹曲(參見第7圖)。測量大量生產的EAGLE XG®玻璃將確定位置Q的翹曲小於位置P。如第8圖所示，預測模型亦可證實此關聯性。
重要的是，在此應區別玻璃「形狀」和「翹曲」或「裸翹曲」。可利用已知方法進行翹曲測量，例如全片翹曲(雷射測量出平面表面脫離支撐在設定間距滾珠軸承上的已知平坦表面)或其他水平重力施加測量；然該等方法因重力影響而無法準確描述或顯示完整圓頂或碗狀。另一方面，結合數學模型的片形狀度量(例如針床(BON))量具及進一步後處理資料可讓工程師和科學家細察何謂本質(例如無重力(或近乎無重力))片形狀，此如第9A圖至第9B圖所示。
可利用上述數個方法形成圓頂形玻璃基板或片。在某些實施例中，形成具實質一致形狀及/或圓頂曲率量值的玻璃基板係有利的。例如，當玻璃從熔融狀態「設置」時，藉由調整熱分佈及/或歷程及/或玻璃成形機內施加機械力，可達成圓頂形狀。非限定舉例來說，玻璃黏彈性設定區的熱分佈可調整以加強成形機內的玻璃帶形狀，例如融合抽拉機(FDM)。此外，利用一或更多接觸輥及/或輪來物理描繪玻璃帶輪廓，可加強形狀。在形成及調理製程期間，線上與離線處理措施和工具可用於監測玻璃形狀。例如，線上工具可包括測溫熱耦計、玻璃形狀監測相機及/或UV射線、超音波和雷射片感測器。離線工具包括、但不限於重力影響應力與翹 曲測量工具和無重力測量及預測工具。數學模擬可用於協助圓頂形玻璃基板形成。根據某些實施例，玻璃基板的應力分佈測量可用於確定形成預定圓頂形，此如第10A圖至第10D圖所示。如第11圖所示，應力與圓頂尺寸相關聯。當應力係藉由把片水平放在平坦表面測量時，具大圓頂形狀曲率的片易具高拉伸應力。利用重力使片形狀變平，可產生應力場。
第12圖進一步證實相較於「正常」玻璃基板，整體觀之，圓頂形玻璃基板能有效減少薄膜裝置翹曲(如圓頂總值所示)。另外，圓頂2、3(較大曲率)具有明顯比圓頂1(較小曲率)少的TFT翹曲。
亦發現迫使抵著支撐表面(例如平坦真空座)的玻璃片平坦度取決於凹面相對支撐表面的位向。即，施加相同真空且片同樣大致放在支撐件上時，圓頂形片可比碗狀片平。有限元素分析(FEA)用於顯示當圓頂形片被迫順應大致平面表面時，片邊緣將向下捲曲，此如第17圖所示。但以相同一般方式支撐碗狀片時，片邊緣將向上升高有限距離「z」，此如第18圖所示。「z」爾後將指稱「升高度」。線性彈性板(LEP)理論亦用於分析曲率定向作用且具類似結果。當試圖在真空座上弄平下凹(碗狀)片時，如第18圖所示，邊緣將向上升高，導致片底下真空洩漏，使得一或更多真空埠與周遭大氣間產生直接路徑。即，片(例如片50)未覆蓋真空埠86。真空洩漏可防止片進一步變平及影響在片上形成 薄膜裝置的能力。為進一步清楚說明第17圖及第18圖，乃使該等示意圖應用到近乎平坦的極薄玻璃片。例如，在第17圖中，片太大及/或玻璃太薄，以致無法支撐自身重量，並在片中間坍平而於邊緣附近留下略高的「環」。同樣地，在第18圖中，片無法支撐自身重量，直到大部分內部變平，故僅薄邊緣區域的重量增加超過參考表面。
第19圖圖示具已知無重力形狀(片在無重力環境所具形狀)的玻璃片的模型化行為。FEA和LEP分析用於預測邊緣升高度(微米)，當重力負載置於片上而抵著參考表面時，此將出現特定最大無重力片形狀(毫米)(片的最大垂直-或峰谷-偏差)。重力負載模擬片放在支撐件上的作用，重力則使片變平。結果係以垂直軸的模型化邊緣升高度與沿底部或水平軸的最大總體片偏差作圖。
在第19圖中，LEP或FEA分析模型化預測邊緣升高度間有良好一致性。曲線100和資料點102代表碗狀片的FEA結果(虛線100)和LEP(方塊102)分析，曲線104和資料點106代表圓頂形片的FEA結果(虛線104)和LEP(方塊106)分析。資料亦顯示，假定有相同整體片形狀，碗狀玻璃片邊緣升高比圓頂形玻璃片翹曲更顯著。
上述邊緣升高作用可能因下游處理期間薄膜沉積至碗狀「A」(上)側而加劇。第20圖圖示當沉積 膜(例如矽膜)沉積至玻璃片且膜受到拉伸時，碗狀和圓頂形玻璃片的預測邊緣升高度。就標稱厚度約0.7mm的玻璃片模型化三種膜厚。假設片的無重力翹曲(最大偏差)為30mm。測定膜施加於碗狀片的「A」或上側(曲線108、110和112，厚度分別為4000埃、3000埃和2000埃)及膜施加於圓頂形片的「A」側(曲線114、116和118，厚度分別為4000埃、3000埃和2000埃)的影響。結果指出，當施加受拉伸薄膜時，碗狀片的邊緣將顯著升高，當膜施加於圓頂形片時，在邊緣的作用微乎其微。就受壓縮膜而言，碗狀與圓頂形片的邊緣捲曲差異可忽略。
第23A圖及第23B圖係就不同片厚度預測TFT翹曲或邊緣升高度隨張力變化圖，張力由沉積於片上的薄矽膜施加。參照第23A圖及第23B圖，上述邊緣升高作用受玻璃片厚度影響，此如式I、II、III所述。膜張力將使平坦片變得更像「碗」，若片已是碗，則膜張力將加劇此點，致使碗遭加重。然若片呈圓頂形，則膜張力將增加碗效果至圓頂，使之便成較小圓頂(即更平坦)。第23A圖及第23B圖圖示片厚度為0.7mm、0.5mm、0.3mm和0.2mm且具如第20圖所示30mm的實質恆定曲率半徑時，隨著膜張力增加，帶有膜的翹曲圖。從該等圖可知，就碗和圓頂而言，厚度減小，翹曲增加。另可得知，若厚度充分減小，膜應力變成主力，則圓頂和碗呈現大翹曲，但圓頂翹曲比碗翹曲小。
根據本發明一實施例，利用玻璃片形成製程形成玻璃片。製程可為任何習知或未來的玻璃片製作製程，包括浮式製程、上拉、下拉、狹槽和融合下拉製程，但不以此為限。
在第一步驟中，玻璃片從形成設備輸送到測量設備。部分因用於製造諸如液晶顯示裝置等一些裝置的玻璃片非常薄(小於約1mm、0.2mm或0.3mm至0.5mm、0.2mm或0.3mm至小於1mm)且容易斷裂，故輸送通常係由自動化設備進行，例如電腦/處理器控制的「機械手」。機械手為製造領域所公知，故在此不再描述，只是為輸送玻璃片產品，特別係擬用於後續製造顯示產品的玻璃片產品，需致力減少機械手與玻璃片接觸，以免損傷或破壞片表面。因此，暫時連接機械手至玻璃片的方法通常包括柔性吸杯、空氣軸承或上述組合。
在下一步驟中，把玻璃片放到支撐表面，以測定片地形形狀。為予討論且不以此為限，測量設備可為片翹曲測量。在典型翹曲測量中，由大型平坦尺寸穩定平臺組成的測量桌用於支撐片。適合平臺包括大理石或花崗岩板或金屬塊，然石板亦適用。平臺更可利用習知隔振支柱隔振。在一實施例中，光學測距裝置附接至臺架，使測距裝置得以在玻璃片表面上方沿平行平臺表面的平面移動。測距裝置能測定裝置與玻璃片表面間的距離，通常係面向測距裝置的表面。依次，臺架能將測距裝置定位在玻璃片表面上面的複數個點，如此測距裝 置可測定裝置與片在玻璃表面上複數個點上面的距離。假定已知測距裝置與支撐玻璃片的平臺表面間的距離，則很容易測定平臺表面上方的測量片表面高度。
通常，玻璃片為矩形，片上測量位置可排成矩形網格。然亦可視玻璃片形狀為其他排列方式。
為確保可偵測邊緣升高度，翹曲測量應在各片邊緣的至少約20mm內、在各邊緣的至少約10mm內或在各邊緣的至少約5mm內進行。若片邊緣的邊緣升高度超過支撐片的參考表面平面上方預定限度。則決定玻璃片為相對參考表面呈碗狀。例如，約100μm據悉為適當邊緣升高度限度。反之，若片邊緣升高度小於預定量，則片視為相對參考表面呈圓頂形。
數個附加方式可用於測定玻璃片凹度。如上所述，若片呈碗狀，則邊緣將「抬離」邊緣附近的水平支撐(參考)平面，此升高度量值可連結片的曲率半徑。若z(x,y)係從水平參考點算起的片高度，則測定沿邊緣的最大升高度z_max和沿邊緣的平均升高度z_ave。若z_max及/或z_ave超過各度量的預定閥值，則可推斷邊緣往上抬起，且片相對參考表面呈碗狀。預定閥值取決於玻璃最終用途、消費者規格等。為測定邊緣反而是向下捲曲(例如片呈圓頂形)，可將片翻轉及再次測量。據察最大升高度通常比碗狀片大7倍。總之，沿邊緣的最大升高度或沿邊緣的平均升高度可用於評估片位向。若 片的四個邊緣升高度大於100μm，則可鑑定為碗狀曲率。
從測量資料測定適當位向度量的另一方法為估計於邊緣或附近的片形狀斜率或梯度。若z(x,y)係從水平參考表面算起的片高度，「x」係垂直邊緣的方向，則亦可採用片邊緣的梯度dz/dx，以輔助或替代z_max和z_ave。梯度可為各邊緣的最大梯度或各邊緣的平均梯度。
上述測量方法假設片呈單純碗狀或圓頂形。然所述方法可擴大到更複雜的片形狀，例如包括邊緣呈波浪狀的片，及沿邊緣的曲率同時為凹曲線與凸曲線(例如蛇紋)。在此情況下，僅僅翻轉片可能沒有幫助。度量(例如最大升高度、平均升高度等)可用於評估片適用性或指示製程運作，以消除片製造製程的根本原因。
在其他情況下，片的一些邊緣可具凹曲率，其他則不。以融合製程製造大玻璃片時，當抽拉片及自帶切割時，兩個側邊為垂直，兩個側邊為水平。若利用上述度量，垂直邊緣始終為凹面，水平邊緣始終為凸面，則可推定片呈「鞍狀」、而非單純碗狀或圓頂形。在此情況下，期利用片製造製程調整片曲率來獲得一些漸進改善，使片達成圓頂形。
由接觸側(即機械手、測量支撐件等接觸的側邊)支撐時測定具碗狀的玻璃片可能遭製造製程退回，及最後變成碎玻璃而再循環至玻璃形成製程、與其 他進料一起重新熔化。或者，就一些應用而言，片可翻轉讓反側朝上，若邊緣升高度在可接受限度內，則片經標記以指示適當(凹面向上)位向。是否翻轉片取決於最終用途要求。另一方面，由先前接觸側支撐時測定具圓頂形的玻璃片代表可接受玻璃，並標記以供下游處理。此關係重大，因為片最終用戶通常會將裝備(例如光微影裝備)調整成與接收產品行為一致。故重要的是，用戶接收適當定向而最大化特定製程步驟成功率的產品，但產品經標記以指示適當位向。
一標記方法為自片50的一角移除少量材料(50a)，此如第21圖所示。故當片定向朝預定位向時，即使修飾角位於預定位置，將支撐玻璃片的適當表面，且凹面相對支撐表面呈圓頂形。其他方法亦可採用，例如用雷射標記表面或次表面。
一旦測定片已適當定向，便可進一步處理片。例如，藉由採取標示位向，片可置於凹面向上(圓頂)位置的夾座(支撐件)，及將片弄平。例如，可利用座中口孔施加真空，使片變平。接著，一或更多薄膜材料層沉積至片上。一或更多薄膜層可包括絕緣材料、介電材料、半導體材料或導電材料。薄膜材料可以任何適合習知方法沉積。例如，薄膜可蒸鍍、共蒸鍍或濺射。第22圖圖示圓頂形玻璃片50，片50包含薄膜裝置120置於片的向上「A」側。一旦沉積適當材料層，便可移除材料，例如利用光微影製程，以製造預定裝置。薄膜 沉積和材料移除可透過多個步驟進行。此附加處理可由下游「原裝備製造商」施行，製造商藉由沉積附加膜和部件至玻璃上而將裸玻璃轉變成裝置，例如液晶顯示器、有機發光二極體(OLED)顯示器或任何其他裝置。通常，許多裝置形成於單一玻璃片。裝置一形成，片隨後便可分離成個別裝置，例如第14圖的裝置70。
依所述方法製備的薄膜裝置(例如TFT、OLED、彩色濾光片等)的翹曲少於使用習知平坦玻璃基板製備的薄膜裝置。在一些實施例中，所述薄膜裝置翹曲比使用平坦玻璃基板製備的類似薄膜裝置少至少約20%，例如少至少約30%、少至少約40%、少至少約50%、少至少約60%、少至少約70%、少至少約80%或少至少約90%，包括其間所有範圍與子範圍。例如，在不同實施例中，薄膜裝置翹曲可小於約1000微米，例如小於約900微米、小於約800微米、小於約700微米、小於約600微米、小於約500微米、小於約400微米、小於約300微米、小於約200微米或小於約100微米，包括其間所有範圍與子範圍。本文亦揭示包含此TFT的顯示裝置(例如LCD)，及提供一或更多優點，例如改善圖像品質、改善充電及/或能量效率，及/或增進成本效益。然應理解根據本發明的薄膜裝置和顯示裝置可不具上述一或更多改善處，但仍擬落在本發明範圍內。
應理解所述不同實施例可能涉及特定實施例描述的相關特定特徵結構、元件或步驟。亦應理解特定 特徵結構、元件或步驟雖描述於特定實施例，但當可以各種未示結合或變更方式互換或結合替代實施例。
亦應理解除非清楚指明，否則在此所用「該」或「一」等用語意指「至少一個」且不應限於「只有一個」。故例如，除非內文清楚指出，否則指稱「一金屬膜」包括具二或更多金屬膜的實例。同樣地，「複數個」擬指「一個以上」。故「複數個金屬膜」包括二或更多膜，例如三或更多膜等。
範圍在此表示成從「約」一特定值及/或到「約」另一特定值。依此表示範圍時，實例將包括從一特定值及/或到另一特定值。同樣地，數值以先行詞「約」表示成近似值時，當理解特定值會構成另一態樣。更應理解各範圍的終點相對另一終點係有意義的，並且獨立於另一終點。
在此所用「實質」、「實質上」和變體字等用語擬指所述特徵等於或近乎等於某一數值或敘述。例如，「實質平面」的表面擬指平面或近乎平面的表面。再者，如上所定義，「實質相似」擬指二數值相等或近乎相等。在一些實施例中，「實質相似」表示彼此落在約10%以內的數值，例如彼此落在約5%以內或彼此落在約2%以內。
除非明確指出，否則在此提及的任何方法不擬解釋成需按特定順序進行方法步驟。是以當方法請求項未實際敘述步驟依循順序，或者申請專利範圍和實施 方式未具體指出步驟限於特定順序時，不擬推斷任何特定順序。
雖然特定實施例的各種特徵結構、元件或步驟係以轉承用語「包含」來描述，但應理解包括以「由…組成」或「本質由…組成」等轉承用語描述的替代實施例亦涵蓋在內。例如，包含A+B+C的替代裝置實施例暗指包括裝置由A+B+C組成的實施例和裝置本質由A+B+C組成的實施例。
熟諳此技術者將明白，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可對本發明作各種更動與潤飾。因熟諳此技術者可併入本發明的精神與本質而獲得所述實施例的修改例、組合例、子組合例和變化例，故本發明應解釋成包括落在後附申請專利範圍與均等物內的一切事物。

Claims (42)

  1. 一種製作一薄膜裝置的方法，該方法包含以下步驟：在一第一溫度下施用至少一金屬膜於一玻璃基板的一凸面，以形成該薄膜裝置，及使該薄膜裝置冷卻至一第二溫度，其中在該玻璃基板的各邊緣的至少約20mm內測量該玻璃基板的一邊緣的一預定升高量，且該預定升高量具有約100μm的一限值。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該至少一金屬膜選自銅、矽、非晶矽、多晶矽、ITO、IGZO、IZO、ZTO、氧化鋅、其他金屬氧化物和摻雜金屬與摻雜金屬氧化物及上述的組合物。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該至少一金屬膜具有約1000Å至約10000Å的一厚度。
  4. 如請求項1所述之方法，其中該至少一金屬膜具有約1000Å至約10000Å的一寬度。
  5. 如請求項1所述之方法，其中該玻璃基板具有小於約3mm的一厚度。
  6. 如請求項1所述之方法，其中該玻璃基板具有介於0.2mm與小於約1mm之間的一厚度。
  7. 如請求項1所述之方法，其中該玻璃基板實質呈圓頂形或碗狀。
  8. 如請求項1所述之方法，其中該玻璃基板在 該玻璃基板的一長度與寬度內具有一實質恆定厚度。
  9. 如請求項1所述之方法，其中該第一溫度低於約1500℃，該第二溫度低於約100℃。
  10. 如請求項1所述之方法，其中該至少一金屬膜和該玻璃基板在該第一溫度至該第二溫度的一溫度範圍下具有不同的熱膨脹係數。
  11. 一種薄膜電晶體、彩色濾光片或有機發光二極體，係由如請求項1-10中任一項之方法製作。
  12. 一種減少薄膜裝置翹曲的方法，包含以下步驟：施用至少一金屬膜於一玻璃基板的一凸面，其中該玻璃基板實質呈圓頂形或碗狀，其中在該玻璃基板的各邊緣的至少約20mm內測量該玻璃基板的一邊緣的一預定升高量，且該預定升高量具有約100μm的一限值。
  13. 如請求項12所述之方法，其中該至少一金屬膜具有約1000Å至約10000Å的一厚度。
  14. 如請求項12所述之方法，其中該至少一金屬膜具有約1000Å至約10000Å的一寬度。
  15. 如請求項12所述之方法，其中該玻璃基板在該玻璃基板的一長度與寬度內具有一實質恆定厚度。
  16. 一種薄膜裝置，包含一玻璃基板和至少一 金屬膜置於該玻璃基板的一表面上，其中該金屬膜具有選自約1000Å至約10000Å的一厚度或約1000Å至約10000Å的一寬度的至少一個尺寸；及其中該薄膜裝置翹曲小於約1000微米；其中在該玻璃基板的各邊緣的至少約20mm內測量該玻璃基板的一邊緣的一預定升高量，且該預定升高量具有約100μm的一限值。
  17. 如請求項16所述之薄膜裝置，其中該玻璃基板具有小於約3mm的一厚度。
  18. 如請求項16所述之薄膜裝置，其中該玻璃基板具有介於0.2mm與小於約1mm之間的一厚度。
  19. 如請求項16所述之薄膜裝置，其中該薄膜裝置選自由一薄膜電晶體、一彩色濾光片或一有機發光二極體所組成的群組。
  20. 如請求項16所述之薄膜裝置，其中該玻璃基板包含選自鋁矽酸鹽、鹼鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、鹼硼矽酸鹽、鋁硼矽酸鹽和鹼鋁硼矽酸鹽玻璃的一玻璃。
  21. 如請求項16所述之薄膜裝置，其中該玻璃為實質透明。
  22. 如請求項16所述之薄膜裝置，其中該金屬選自銅、矽、非晶矽、多晶矽、ITO、IGZO、IZO、ZTO、氧化鋅、其他金屬氧化物和摻雜金屬與摻雜金屬氧化物及上述的組合物。
  23. 一種顯示裝置，包含如請求項16-22中任一項之薄膜裝置。
  24. 一種薄膜裝置，包含一玻璃基板和至少一金屬膜置於該玻璃基板的一表面上，其中該玻璃基板在該基板的一長度與寬度內具有一實質恆定厚度；及其中該薄膜裝置翹曲小於約1000微米；其中在該玻璃基板的各邊緣的至少約20mm內測量該玻璃基板的一邊緣的一預定升高量，且該預定升高量具有約100μm的一限值。
  25. 如請求項24所述之薄膜裝置，其中該玻璃基板具有介於0.2mm與小於約1mm之間的一厚度。
  26. 如請求項24所述之薄膜裝置，其中該薄膜裝置選自由一薄膜電晶體、一彩色濾光片或一有機發光二極體所組成的群組。
  27. 如請求項24所述之薄膜裝置，其中在該至少一金屬膜置於該表面上之前，該玻璃基板實質呈 圓頂形或碗狀。
  28. 一種製備一玻璃片供形成一薄膜於其上的方法，該方法包含以下步驟：提供一玻璃片，該玻璃片具有介於0.2mm與1mm之間的一厚度且包含一凹面；將該玻璃片支撐在一平坦參考表面上；測定該玻璃片相對該平坦參考表面的一邊緣升高度z；根據該測得邊緣升高度量值，測定該玻璃片凹面的一位向；及標記該片，以指示該凹面的該位向。
  29. 如請求項28所述之方法，其中在該玻璃片的一邊緣的20mm內的一最大邊緣升高度為小於或等於100μm。
  30. 如請求項28所述之方法，其中在該玻璃片的一邊緣的5mm內的一最大邊緣升高度為小於或等於100μm。
  31. 如請求項28所述之方法，其中測定該邊緣升高度之步驟包含以下步驟：測定一最大邊緣升高度。
  32. 如請求項28所述之方法，其中測定該邊緣升高度之步驟包含以下步驟：測定一平均邊緣升高 度。
  33. 如請求項28所述之方法，其中該標記之步驟包含以下步驟：移除該玻璃片的一角。
  34. 如請求項28所述之方法，其中該標記之步驟包含以下步驟：用一雷射照射該玻璃片。
  35. 如請求項28所述之方法，其中提供該玻璃片之步驟包含以下步驟：利用一融合下拉製程形成該玻璃片。
  36. 一種形成一薄膜裝置的方法，包含以下步驟：支撐一玻璃片，該玻璃片具有介於0.2mm與約1.0mm之間的一厚度且於一平坦參考表面上包含朝一位向的一凹面，使得該玻璃片相對該平坦參考表面呈圓頂形；及沉積一薄膜材料至該玻璃片的一圓頂側；其中在該玻璃片的各邊緣的至少約20mm內測量該玻璃片的一邊緣的一預定升高量，且該預定升高量具有約100μm的一限值。
  37. 如請求項36所述之方法，進一步包含以下步驟：利用光微影技術移除一部分的該薄膜材料。
  38. 如請求項36所述之方法，其中該薄膜材料包含一薄膜電晶體。
  39. 一種薄膜裝置，包含具一凹度的一玻璃片，其中當該玻璃片支撐在一平坦參考表面時，該薄膜裝置設在該玻璃片的一圓頂側，其中該玻璃片具有介於0.2mm與約1.0mm之間的一厚度。
  40. 如請求項39所述之薄膜裝置，其中該薄膜裝置包含一薄膜電晶體、一彩色濾光片或一有機發光二極體。
  41. 如請求項39所述之薄膜裝置，其中當真空夾持於該平坦參考表面上時，該玻璃片不呈現大於100μm的一邊緣升高度。
  42. 一種適用於一LCD顯示器的玻璃片，該玻璃片包含：一第一側邊、一第二側邊和複數個邊緣毗鄰該第一側邊與該第二側邊；及其中該玻璃片包含一曲率，使得當該玻璃片由該第一側邊支撐在一平面參考表面上時，該複數個邊緣的各個邊緣相對該參考表面在各邊緣的20mm內的一最大邊緣升高度為小於100μm，以及當該玻璃片由該第二表面支撐在該平面表面上時，該複數個邊緣的至少一邊緣相對該參考表面在該至少一邊緣的20mm內的一最小邊緣升高度為至少100μm；及 其中該玻璃片具有介於0.2mm與約1.0mm之間的一厚度。
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