TW202228318A - 用於微ｌｅｄ及微電子傳輸之基板 - Google Patents

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尚恩馬修 卡諾
大衛羅伯特 海涅
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Abstract

揭示一種具有改良的微LED傳輸特性的玻璃基板，此玻璃基板包括第一主表面、與第一主表面相對的第二主表面、及在第一主表面和第二主表面之間的厚度。電氣功能層可安置在第一主表面上。玻璃晶圓展現出在從約0.25 mm至約50 mm的空間波長範圍中具有幅度小於或等於約1 μm的起伏。

Description

用於微LED及微電子傳輸之基板
本案依據專利法主張2020年11月24日提出之美國臨時申請案第63/117,653號之優先權權益，其內容藉由參照其全文的方式在此被依賴且併入。
本發明大體上關於用於微LED及微電子傳輸之基板，及更具體地關於展現出最佳化幾何屬性的玻璃基板。
由於微發光二極體(微LED)的一些固有優勢，諸如對比於標準LED標牌的改良的解析度與對比率，及相較於有機發光二極體顯示器(OLED)之更佳的壽命、對比率、及更大的無縫拼裝顯示器，基於微LED的顯示器準備在接下來的數年間與現行的顯示器技術競爭。微LED顯示器的大尺度製造的阻礙為需要近乎完美成功地將數百萬個微LED傳輸至每個顯示器基板上。傳輸的微LED的產率目標為99.9999%，然而現行產業水準為大約99.9%。目前，傳輸技術涉及機械、靜電、或磁性印模傳輸技術，其中一組的微LED從來源晶圓傳輸至印模上，接著從印模至通常由玻璃製成的接收基板上。成功的傳輸要求在印模表面上的良好形成且精確排列的微LED、印模與基板的精確定位及接觸、及具有良好控制的塊體及表面性質的基板，以接收微LED。
考慮用於微LED傳輸的基板源自幾個不同的體系。在一事例中，基板被考慮用於使用作為中間(暫時)傳輸載具。此類基板通常以其的組成與整體形狀為特徵，及基板的品質藉由總厚度變動(TTV)、翹曲(或彎曲)、及粗糙度所估算。在另一事例中，大型產生尺寸(Gen-size)玻璃片可使用於顯示器背平面應用。實例特定的屬性包括完全的片翹曲、起伏(在特定空間波長範圍中)、及移動視窗厚度變動。雖然這些屬性對於光微影系的背平面製造及矽-玻璃或玻璃-玻璃背平面之間的暫時或永久接合是有意義的，它們並非指明成功的微LED傳輸組件的充足標準。對於這些新的微LED應用，使用對於TTV、翹曲、及粗糙度的先前方針的基板被設想為當傳輸微LED至基板表面時造成較少缺陷。然而，此方針能作到預測微LED至基板表面上的傳輸成功的不充足工作。微LED傳輸效率的更強力預測物為對於起伏的新目標範圍。
具有至少低起伏的基板對於在印模傳輸處理中接收微LED是較佳的基板，例如相較於單獨具有低TTV或翹曲的基板具有改良的傳輸效率。空間波長範圍被確認為傳輸處理對於起伏特別地敏感的地方。在這些空間波長範圍中顯示出低起伏的基板相較於現存產品會顯著地表現地更好。
藉由確認決定微LED印模傳輸效率的基板特徵，可進行相較於先前技術的實質的品質改良。鑑於基板供給者測量，及製造者指明，翹曲與TTV作為品質度量，使用起伏作為進一步品質度量可產生較佳表現的基板。對於未來應用，當製造者移向較大印模尺寸時，確認出應被最小化以產生可接受的傳輸效率之特徵的特定空間波長範圍。
因此，基板被揭示為包含第一主表面、相對於第一主表面的第二主表面、及在第一主表面與第二主表面之間的厚度，基板進一步包含在第一或第二主表面的50 mm x 50 mm區域上的最大起伏，例如，在40 mm x 40 mm區域上，諸如在30 mm x 300 mm區域上、或20 mm x 20 mm區域上，具有幅度小於或等於約1 μm，例如等於或小於約0.5 μm，於從約0.25 mm至約50 mm的空間波長範圍中，例如於從約20 mm至約50 mm的空間波長範圍中，諸如於從約30 mm至約50 mm的空間波長範圍中。
在一些實施例中，基板可進一步包含安置在基板上的電氣功能層，例如安置在第一主表面及/或第二主表面上。電氣功能層可包含複數個金屬導體。在一些實施例中，電氣功能層可包含薄膜電晶體(TFT)。
基板可進一步包含安置在基板上方的黏附層，例如安置在第一或第二主表面的至少一者上。
在一些實施例中，第一及/或第二主表面的表面積可等於或大於約1x10 4mm 2。在一些實施例中，第一及/或第二主表面的表面積可等於或大於約1 m 2。第一主表面與第二主表面之間的基板的厚度可在從約0.1 mm至約1 mm的範圍中。
基板可為玻璃基板，例如二氧化矽系玻璃基板(例如，等於或大於約50重量%的二氧化矽)，然而在進一步實施例中，基板可為矽基板(例如，矽晶圓)。
在各種實施例中，當按照ASTM C1350M - 96 (2019)測量時，基板的熱膨脹係數(CTE)在從約0°C至約300°C的溫度範圍中為從約3 ppm/°C至約10 ppm/°C的範圍中。
將在之後的實施方式中說明本文所揭示的實施例的額外特徵與優點，及部分地從說明書或藉由實行本文所述的實施例，包括之後的實施方式、申請專利範圍、及隨附圖式所認知的，對於本領域的通常知識者會是清楚的。
將理解到前面的一般說明及之後的詳細說明兩者呈現意於提供理解本文所揭示的實施例的本質與特性的概觀與架構的實施例。隨附圖式被包括以提供進一步理解且被併入及構成本說明書的一部分。圖式繪示本發明的各種實施例，及與說明書一同解釋本發明的原理與操作。
現在將詳細地參照本發明的實施例，本發明的實例繪示在隨附圖式中。儘可能地在圖式中將使用相同的元件符號指代相同或類似部件。然而，本發明可以許多不同形式實行且不應解釋成受限於本文所說明的實施例。
在此使用時，用語「約」意指數量、尺寸、配方、參數、及其他分量與特性不是且不需要是準確的，但可為大約及/或較大或較小，如所期望的，以反映容限值、換算因素、捨入、測量誤差與類似物，及本領域的通常知識者所知的其他因素。
範圍在本文中可表示成從「約」一特定值，及/或至「約」另一特定值。當表示出此種範圍時，另一實施例包括從此一特定值至此另一特定值。類似地，當藉由使用前綴詞「約」來表示數值為約略值時，將理解到此特定值形成另一實施例。將進一步理解到範圍的各自的端點在相關於其他端點且獨立於其他端點兩者上是重要的。
本文所使用的方向用語-例如，上、下、右、左、前、後、頂、底-是參照所繪製的圖示且不意於暗示絕對定向。
除非另外明確地說明，絕不意指本文所說明的任何方法被解釋成需要將其步驟以特定順序執行，或需要使用任何設備、特定定向。因此，當方法請求項沒有確實敘明其步驟所依循的順序，或任何設備請求項沒有確實敘明個別部件的順序或定向，或在申請專利範圍或說明書中沒有另外明確地敘明步驟受限於特定順序，或沒有提及設備的部件之特定順序或定向時，絕不意指在任何態樣中暗示順序或定向。此狀況維持在用於闡述的任何可能的非明確基礎，包括關於步驟的排列、操作流程、部件順序、或部件的定向的邏輯事態；由文法組織或標點所衍生的直白意義，及；本說明書中所述的實施例的數目或類型。
在此使用時，除非上下文清楚地指示並非如此，單數形式「一(a)」、「一(an)」與「該」包括複數參照物。因此，例如，除非上下文清楚地指示並非如此，參照「一」部件包括具有兩個或更多個此部件的態樣。
字語「範例」、「實例」、或其各種形式在本文中使用以意於作為實例、舉例、或圖例。本文中描述為「範例」或作為「實例」的任何態樣或設計不應解釋成相較於其他態樣或設計為偏好或有利的。再者，單獨地提供實例以用於明瞭與理解目的，且不意指以任何方式限制或約束本發明的所揭示主題標的或相關部分。可理解到大量的變動範疇的額外或替代實例可已經被呈現，但已被省略以用於簡潔目的。
在此使用時，除非另外指明，用語「包含」與「包括」及其變化物應解釋成同義的及開放式的。在過渡片語包含或包括之後的一清單的元件為非排他性清單，使得除了在此清單中明確敘明的那些元件之外的元件也可存在。
在本文中使用的用語「實質的」、「實質上」、及其變化物意於指明所描述的特徵是等於或大約等於一數值或說明。例如，「實質上平面」表面意於表示表面為平面或大致上平面。再者，「實質上」意於表示兩個數值為相等或大致上相等。在一些實施例中，「實質上」可表示彼此在約10%之內的數值，諸如彼此在約5%之內，或彼此在約2%之內。
除非另外指明，否則圖式並不按比例。
如第1圖所示，總厚度變動(TTV)指稱基板10的最大厚度Tmax與基板10的最小厚度Tmin之間的差異，其中基板10包含第一主表面12與相對於第一主表面12的第二主表面14。厚度界定為第一主表面上的第一點與第二主表面上的第二點之間的距離，第一點與第二點落在正交於第一主表面或第二主表面的至少一者的線段上。因此，TTV取決於第一主表面與第二主表面兩者的形貌。TTV可計算成Tmax-Tmin。鑒於TTV用於參照整個基板，局部厚度變動(LTV)可界定成基板的一部分的厚度變動。因此，LTV可用於指稱在小於特定基板的總面積的表面積上的厚度變動，例如及面積大約用於將微LED傳輸至基板的印模的尺寸。
參照第2圖，翹曲是測量參考表面16與基板10的中心線18之間的距離D中的變動。翹曲可計算成(Dmax-Dmin)/2。
起伏是在移除表面特徵之後以大於例如50毫米(mm)與小於0.25 mm的空間波長之基板的主表面的形貌的測量。例如，如第3(a)-3(c)圖所繪示，原狀表面形貌數據(第3a圖)可以高斯濾波器(第3(b)圖)過濾以移除大尺度表面特徵(例如，具有大於約50 mm的空間頻率)，產生表面起伏(第3(c)圖)。具有小於約0.25 mm的空間頻率的特徵可被定性為表面粗糙度且被類似地移除。
微LED傳輸處理可包括四種不同方案：1)從原生磊晶基板至中間(暫時)基板的傳輸；2)從原生磊晶基板至最終背平面基板的傳輸；3)從中間基板至另一中間基板的傳輸；及/或4)從中間基板至最終背平面基板的傳輸。在這四個事例中，接收基板可為裸基板(例如，裸、未塗佈玻璃)、塗佈有黏附劑的基板、或帶有經製造的電子部件的基板，例如，電氣功能層。在此使用時，電氣功能層指稱在基板上的一層或多層，其引導或者利用及/或傳輸電氣能量於使用在包含此基板的電子裝置中的部件之間。例如，電氣功能層可包含電氣傳導金屬層。電氣導體可包括用於遞送電流及/或電壓至一或多個電子部件的電氣軌跡。電氣軌跡可為電力軌跡或電氣數據線段。電氣軌跡可藉由諸如光微影的習知方式圖案化在基板上。電氣功能層可進一步包括電子部件，諸如薄膜電晶體(TFT)或其他電子及/或電氣部件，包括但不限於電阻、電容、電感、電晶體、二極體，包括發光二極體，及類似物。用於之後說明的經改良微LED傳輸產量的基板配方可應用於非塗佈、經塗佈、或基板圖案化層，例如，圖案化金屬層及/或圖案化半導體層。
現行工業上要求用於電子裝置傳輸(諸如微LED的傳輸)之中間載具基板具有小於2 μm的TTV與小於10微米(μm)的翹曲之非塗佈屬性。類似地，用於顯示器背平面製造的產生尺寸(Gen-size)玻璃基板目前被要求具有對於150 mm x 150 mm移動視窗厚度變動小於9 μm、完全片翹曲小於500 μm、從0.8 mm至8 mm的空間波長範圍中的起伏小於0.06 μm、及從0.8 mm至25 mm的空間波長範圍中的起伏小於0.33 μm的非塗佈屬性。玻璃基板與產生尺寸(Gen-size)背平面玻璃基板的這些屬性被指明用於非塗佈基板且被選擇用於電子裝置傳輸之外的理由。
使用實驗測量及模擬的組合發現電子裝置傳輸至基板上的傳輸效率的改良。使用Tropel®Flatmaster®多表面剖析儀將玻璃基板樣品特徵化，其可提供表面的詳細形貌地圖。使用表面形貌地圖化以特徵化每個基板樣品的翹曲、總厚度變動(TTV)、局部厚度變動(LTV)、起伏、等等。此詳細表面資訊被用於建構微LED印模傳輸處理至每個基板樣品的表面上的模擬。模擬的圖表顯示在第4與5圖中，其中在表面上載有微LED的印模20被下降至基板表面上的各種位置上。若印模上的微LED接觸安置在基板表面上的黏附層24，微LED將被傳輸至基板。然而，基板的一些區域可具有高局部表面變動(例如，起伏)，使得並非所有的微LED可與基板接觸。因此，模擬可預測將傳輸至給定基板的微LED的百分比，基於基板的表面形貌及其他處理變數，諸如印模尺寸、施加壓力、及微LED的間隔。與可能傳輸的總數目(安置在印模上的微LED的總數目)相比較的成功傳輸的百分比指明傳輸效率。即，傳輸效率被決定為(在傳輸事件期間成功的微LED傳輸的數目/在傳輸事件中微LED的總數目) x 100%。
藉由模擬在幾十個基板上的數百個印模傳輸處理，可描述何種表面特徵允許有效微LED傳輸及何種特徵不允許的代表。使用諸如翹曲、LTV、及傳輸印模之下的基板區的起伏的表面形貌數據可計算傳輸效率。此數據顯示出藉由如普遍思考的單獨地特徵化翹曲或厚度變動並無法預測出傳輸效率。分析顯示出翹曲是不佳的度量，因為在傳輸處理期間的基板以真空(夾持)被固持於表面，基板中的大部分翹曲被夾持處理及印模接合力所消除。基板夾持的研究顯示出表面變動的較小波長特徵在夾持之後維持。類似地，TTV是不佳的預測物，因為其考量到基板表面的兩個點，最大厚度的點與最小厚度的點。局部厚度變動(LTV)考量到在印模的區域上的厚度變動，但是LTV仍是不佳的預測物，因為其取決於基板的頂表面與底表面兩者的特性。另一方面，起伏捕捉到基板頂表面的品質，同時考量到與微LED的傳輸相關的空間波長範圍上的特徵。因此，相較於其他因素最佳化起伏的基板(例如，晶圓)可造成更大的傳輸成功。
分析進一步顯示出對於微LED傳輸考量的獨特屬性為在約0.25 mm至約50 mm(及更特定地從約30 mm至約50 mm)的空間波長範圍中於50 mm x 50 mm移動視窗上的最大起伏。翹曲與LTV的次要組合也可扮演簡化角色。玻璃基板可在尺寸從100 mm x 100 mm晶圓至大於1 x 1 m 2片材的範圍。當藉由根據ASTM C623之「Test Method for Youngs Modulus, Shear Modulus, and Poissons Ratio for Glass and Glass-Ceramics by Resonance」的共振超音波光譜儀測量時，玻璃基板的彈性模數值的範圍可從約60十億帕斯卡(GPa)至約90 GPa。玻璃基板的厚度範圍可從約0.1 mm至約1 mm、從約0.1 mm至約0.7 mm、從約0.3 mm至約1 mm、從約0.1 mm至約0.250 mm、從約0.3至約1 mm，包括在這些範圍之間的所有範圍與子範圍，其中厚度界定為基板的第一主表面與基板的第二主表面之間沿著正交於第一與第二主表面的任一者或兩者之線段的距離。當根據ASTM E228 – 17之「Standard Test Method for Linear Thermal Expansion of Solid Materials With a Push-Rod Dilatometer」量測時，玻璃基板的熱膨脹係數(CTE)值範圍可為在從約0°C至約300°C的溫度範圍中從約3 ppm/°C至約10 ppm/°C。
接下來的內容更詳細地說明所進行的實驗工作以評估起伏在電子部件傳輸效率上的影響。使用Tropel Flatmaster測量23個玻璃基板之形貌屬性(例如，翹曲、LTV、及起伏)。此等基板是200 mm直徑碟片且包含三種不同的商業上可取得的玻璃：鹼土鋁硼矽酸鹽玻璃(玻璃1與3)，兩種不同的無鹼鋁硼矽酸鹽玻璃(玻璃2與4)，及無鹼硼矽酸鹽玻璃(玻璃5)。這些數據接著被用以創造玻璃晶圓(虛擬玻璃晶圓)的數位摹本，展現出經量測屬性的各種組合，及執行複數個模擬，其中包含複數個微LED的假定的印模被用於數位地壓印此虛擬玻璃晶圓。此印模被模造具有30 mm x 30 mm的印模表面。此印模被當作堅固且平坦，帶有彈性模數為70 GPa。進一步假設藉由印模施加至虛擬玻璃晶圓的力為1牛頓(N)。像素節距(微LED結構之間的間隔)被假設為200 μm，及安置在虛擬玻璃晶圓上的黏附層的厚度被設定為1 μm。進一步假設黏附層如所需要的順應及變形。各個微LED被假設為方形15 μm x 15 μm結構，帶有厚度為5 μm。若單一微LED的一半或更多的接觸表面(面向黏附層的表面)接觸黏附劑，微LED被當作已成功地傳輸至虛擬玻璃晶圓。彎曲與翹曲兩者被當作已經藉由真空夾持而從虛擬玻璃晶圓移除。模擬數據顯示在第6、7、與8圖中。
第6圖描繪作為對於範圍從0.25 mm至50 mm中的空間波長以μm表示之最大起伏的函數之以百分比表示的模擬微LED傳輸效率。具有空間波長小於0.25 mm的特徵被當作表面粗糙度與具有空間波長大於50 mm的特徵被分類成翹曲。實際上，報告出的最大起伏是在低與高的空間波長特徵已經從表面數據被數位地過濾之後的在表面高度中的變動。第6圖顯示出不取決於玻璃基板組成或來源，特定空間波長的起伏具有對於印模傳輸產率的強烈關聯。此數據顯示出對於範圍從0.25 mm至50 mm中的空間波長，使用具有在50 mm x 50 mm移動視窗中的最大起伏等於或小於約1 μm，諸如等於或小於約0.75 μm，或等於或小於約0.5 μm的玻璃基板，可產生約100%的傳輸效率。另一方面，顯示出對於LTV或翹曲的微小關聯，如分別描繪在第7與8圖。
第9圖顯示出除了在上方所指示的特定空間波長範圍(0.25 mm至50 mm)之外，將所有的表面特徵從數據過濾之後的對於玻璃晶圓的模擬傳輸效率。印模尺寸經變動以更加理解印模尺寸如何貢獻於傳輸效率。此數據顯示出對於小的印模尺寸，例如，10 mm x 10 mm，一致地高傳輸效率，但隨著印模尺寸增加而減少傳輸效率。此對於朝向更高產量製造的處理縮放是重要的。較長的空間波長，特別是大於30 mm，對於以較大印模的傳輸是特別不佳的。最小的空間波長，例如在範圍從約0 mm至約10 mm，對於大的印模也表現地不佳。此結果顯示出當製造者移向較大印模尺寸以增加效率時，晶圓會需要展現出在30 mm至50 mm的空間波長範圍中的降低起伏以維持可接受的傳輸效率。再者，此結果顯現需要使用不僅是低起伏的晶圓，且是在約0.25 mm至約50 mm空間波長範圍中的低起伏，及更特定地在從約30 mm至約50 mm的空間波長範圍中。此空間波長範圍並未在現行的產生尺寸(Gen-size)、商業上可取得的玻璃基板產品中所特徵化。
在受限情況中，微LED可傳輸至裸、未塗佈基板。在大多數的事例中，微LED將傳輸至已經歷經黏附塗佈或電子部件製造處理的基板。考慮到此，具有組合的塗佈與結構的基板屬性應被指明用於有效的微LED傳輸效率，因為基板的三維形狀可在處理之後(例如，在熱循環之後)改變。此對於在現行x-y玻璃壓實研究中俯瞰的垂直z方向是特別確實的。例如，當熱循環鋁硼矽酸鹽基板至500°C與650°C條件時，可觀察到顯著增加的翹曲與起伏，此條件可藉由晶圓在TFT的沉積期間而經受。因此，雖然在本實驗中所執行的玻璃晶圓測量是進行在裸玻璃樣品上，但假定這些測量結果代表處理後的表面特性。即，裸樣品被假定為已被熱處理，諸如在TFT沉積處理期間，其可改變表面形貌。
雖然各種實施例已經相對於其的某些例示與特定實例而被詳細說明，但本發明不應被當作侷限於此，由於在不背離之後的申請專利範圍的範疇下，對於所揭示的特徵的許多修改與組合是可能的。
10:基板 12:第一主表面 14:第二主表面 16:參考表面 18:中心線 20:印模 24:黏附層 D:距離 Tmax:最大厚度 Tmin:最小厚度
第1圖是繪示出總厚度變動(TTV)的基板的剖面圖示；
第2圖是繪示出翹曲的基板的剖面視圖；
第3圖是一系列展示起伏的繪圖；
第4圖是具有例如微LED的複數個電子裝置的印膜的剖面視圖，複數個電子裝置安置在印模上且定位在包含非平面表面形貌的基板上方；
第5圖是當印模接近基板時的第5圖的印膜的剖面視圖，及繪示電子裝置至基板的不完全傳輸；
第6圖是顯示對於各種玻璃基板樣品之模擬電子裝置傳輸效率作為基板起伏之函數的結果的散佈圖；
第7圖是顯示對於各種玻璃基板樣品之模擬電子傳輸效率作為基板TTV之函數的結果的散佈圖；
第8圖是顯示對於各種玻璃基板樣品之模擬電子裝置傳輸效率作為基板翹曲之函數的結果的散佈圖；及
第9圖是顯示模擬電子裝置傳輸效率作為印模尺寸之函數的圖表。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
10:基板
12:第一主表面
14:第二主表面
Tmax:最大厚度
Tmin:最小厚度

Claims (10)

  1. 一種基板，包含： 一第一主表面、一第二主表面，相對於該第一主表面、及該第一主表面與該第二主表面之間的一厚度，其中在該第一主表面或該第二主表面的一50 mm x 50 mm區域上所評估的該基板的一最大起伏包含一幅度，該幅度在範圍從約0.25 mm至約50 mm的一空間波長中小於或等於約1 μm。
  2. 如請求項1所述之基板，該基板進一步包含安置在該第一主表面上的一電氣功能層。
  3. 如請求項2所述之基板，其中該電氣功能層包含一薄膜電晶體。
  4. 如請求項1所述之基板，其中該空間波長在從約30 mm至約50 mm的一範圍中。
  5. 如請求項1所述之基板，其中該起伏等於或小於約0.5 μm。
  6. 如請求項1所述之基板，進一步包含安置在該第一主表面上的一黏附層。
  7. 如請求項1所述之基板，其中該第一主表面的一表面積等於或大於1x10 4mm 2。
  8. 如請求項1所述之基板，其中該基板的一厚度在從約0.1 mm至約1 mm的一範圍中。
  9. 如請求項1所述之基板，其中該玻璃基板的一熱膨脹係數為在從0°C至300°C的一溫度範圍中的從約3 ppm/°C至約10 ppm/°C的一範圍中。
  10. 如請求項1所述之基板，其中在一30 mm x 30 mm區域上評估該最大起伏。
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JP5978912B2 (ja) * 2012-10-18 2016-08-24 旭硝子株式会社 ガラス積層体の製造方法、電子デバイスの製造方法
WO2015076372A1 (ja) * 2013-11-22 2015-05-28 三井金属鉱業株式会社 埋設回路を備えるプリント配線板の製造方法及びその製造方法で得られるプリント配線板

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