KR20240044359A - 낮은 광학 결함, 특히 낮은 근표면 굴절을 갖는 유리판, 이의 제조 방법 및 이의 용도 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유리판, 특히 적어도 1.75 mm 내지 최대 7 mm의 두께(D)를 갖고, 상부면 및 하부면을 포함하고, 유리판의 표면에 평행한 적어도 하나의 방향으로 99.9% 분위수에 대해 0 mdpt 내지 1.7 mdpt 미만의 유리판 상에 수직으로 입사하는 광에 대한 500 mm × 500 mm의 정사각형 면적(Mb) 내의 상부면과 하부면으로부터의 굴절의 총합의 크기를 특징으로 하는, 특히 보로실리케이트 유리를 포함하는, 바람직하게는 열간 성형에 의해 형성된 플로팅된 유리 스트립으로부터의 통합에 의해 수득되는 유리판, 이의 제조 방법 및 이의 용도에 관한 것이다.
Description
본 출원은 유리판, 바람직하게는 낮은 광학 결함, 특히 낮은 근표면 굴절을 갖는 유리판, 이의 제조 방법 및 이의 용도에 관한 것이다.
유리판은 다양한 적용에서, 예를 들어, 차량 글레이징에서, 건축 적용에서 또는 전자 디바이스용 커버(디스플레이 판유리라 불림)로서 사용될 수 있다.
예를 들어, 독일 특허 출원 DE 10 2007 025 687 B3에는 평판유리 디스플레이 디바이스에서의 보로실리케이트 유리의 유리판, 및 이를 구비한 평판유리 디스플레이 디바이스의 용도가 기재되어 있다.
국제 특허 출원 WO 2018/114956 A1에는 박형 유리 기판 및 이의 제조를 위한 방법 및 장치가 기재되어 있다. 박형 유리 기판의 제조 공정에서는 유리의 점도가 제어된다. 국제 특허 출원 WO 2019/076492 A1에는 또한 박형 유리 기판, 특히 보로실리케이트 박형 유리 기판, 및 이의 제조를 위한 방법 및 장치가 기재되어 있으며, 이때 유리의 점도는 여기서도 제조 공정에서 제어된다. 둘 모두의 출원에는 열간 성형 작업에서 인발 방향으로 발생하는 길어진 인발 줄무늬를 감소시키는 방법이 개시되어 있으며, 이러한 인발 방향에 횡단하는 측정이 보고되어 있다.
마지막으로, 독일 공개 명세서 DE 10 2020 104 973 A1에는 차량 글레이징을 위한, 특히 차량의 윈드실드를 위한 유리 기판이 기재되어 있다. 이러한 목적 상, 유리의 에이징 속도가 제어된다.
그러나, 종래 기술의 유리판은, 예를 들어, 인발 방향으로 발생하는 근표면 굴절에 의해 초래될 수 있는 상당히 현저한, 특히 렌즈형의 광학 결함을 여전히 갖고, 이는 종래 기술에 의해 지금까지 다루어지지 않았다. 그러나, 이는 특히 디스플레이 디바이스에서 이러한 판유리의 사용에 바람직하지 않을 수 있다.
따라서, 광학 결함, 예를 들어, 근표면 굴절이 여전히 감소될 수 있는 유리판의 제조 방법, 및 바람직하게는 낮은 광학 결함, 특히 인발 방향으로 발생하는 낮은 근표면 굴절을 갖는 유리판이 필요하다. 여기서 인발 방향은 열간 성형될 유리가 열간 성형될 때 가장 큰 정도로 신장되는 방향을 의미하는 것으로 이해된다.
발명의 목적
본 발명의 일 목적은 종래 기술의 상기 기재된 단점을 적어도 부분적으로 감소시키는 유리판을 제공하는 것이다. 추가의 양상은 이러한 유리판의 제조 방법, 및 이들 유리판의 용도를 제공하는 것이다.
발명의 개요
본 발명의 목적은 독립항의 주제에 의해 달성된다. 바람직한 특정의 실시양태는 본 개시의 종속항, 설명 및 도면에서 확인될 수 있다.
특히 본 개시의 맥락에서 고려되는 바와 같은 유리판에서, 및 이에 따라 열간 성형 방법에 의해 수득되고 본질적으로 평행한 주요 표면을 갖는 유리판에서, 그 위에 입사하는 광의 빔 경로의 편향이 발생할 수 있는데, 이는 상기 광의 적어도 일부에 대한 전파 방향을 변경시킨다. 이러한 편향은 이상적으로 평평한 표면으로부터 유리판의 표면에서의 변동의 결과로서 발생할 수 있고, 그 결과 이후, 이상적인 경우에서와 같이, 예를 들어, 유리판에 대해 유리판을 통한 광의 경사진 통로의 경우에, 이의 전파 방향에 수직인 광의 빔 경로의 단지 평행한 변위가 아니고; 대신, 빔 경로의 다양한 유형의 편향이 발생할 수 있다.
유리판이 적어도 한 방향으로 공간적으로 연장되는 융기를 갖는 경우, 이는 유리판을 통해 볼 때 유리판 뒤의 물품의 시야를 변경, 특히 왜곡시킬 수 있는 렌즈형 굴절을 일으킬 수 있다. 빔 경로의 이들 이미지-변경 섭동은 또한 본 발명의 맥락에서 광학 결함으로 지칭되며, 유리판의 표면의 굴절로서 간주될 수 있다. 이러한 왜곡은, 예를 들어, 유리판을, 예를 들어, 커버 판유리로서 사용한 디스플레이 디바이스를 볼 때 특히 지장을 줄 수 있다.
본 발명의 일 양상은 특히 유리판의 표면 중 적어도 하나에서, 그러나 바람직하게는 유리판의 상부면의 표면과 유리판의 하부면의 표면 둘 모두에서 이들 이미지-변경 구조를 완화시키도록 의도된다.
본 발명은 놀랍게도 유리판의 후속 표면 처리에 대한 임의의 필요 없이 유리판의 열간 성형 동안에도 광학 결함을 직접적으로 감소시키는 데 성공하였다. 따라서, 본 경우에 보고된 데이터는 열간 성형 동안 또는 상기 열간 성형 이외의 열간 성형 후에 표면 처리를 거치지 않은, 통합 후의 열간 성형된 유리판에 대한 것이다. 용어 "표면 처리"는 표면을 평활화하거나 그 위의 융기 및 함몰을 완화시키는 데 특히 적합한 표면의 기계적, 화학적 및 열적 처리, 및 처리된 표면의 강도를 증가시킬 수 있는 압축 및/또는 인장 응력을 발생시키는 방법, 예를 들어, 열적 또는 화학적 프리스트레싱을 포함한다.
광학 굴절은 광학 결함을 유발할 수 있는 빔- 또는 파면-형성 특성을 가지며, 본 발명의 맥락에서 근표면 굴절로도 지칭된다. 따라서, 용어 "근표면 굴절"은 유리판 내에서, 예를 들어, 유리판의 각각의 유리의 조성의 불균질성에 의해 마찬가지로 초래될 수 있는 굴절률의 변화가 아니라, 표면의 형상에 의해 생성된 굴절을 지칭하는 것이다. 이러한 근표면 굴절은 규정된 적용, 예를 들어, 고해상도 디스플레이 디바이스를 위한 유리판의 유용성에 영향을 미치거나, 심지어 이의 해상도 능력을 감소시킬 수 있다. 단지 용어 "굴절"이 본 개시의 맥락에서 약어로 사용되는 경우, 이 용어는 마찬가지로 각각의 경우에 근표면 굴절을 지칭한다. 그러나, 본원에 개시된 유리판에서, 각각의 유리판에서 유리의 불균질성 및 휨, 특히 또한 쐐기형 휨에 의해 초래된 굴절은 실제로 측정된 근표면 굴절에 거의 영향을 미치지 않는 매우 작은 것이다.
이러한 근표면 굴절은, 예를 들어, 순수한 광학 측정에 의해 검출될 수 있다. "수평 왜곡" 측정 배열에서 이러한 목적을 위해 ISRA VISION LABSCAN-SCREEN 2D 측정 시스템을 사용하는 것이 업계에서 통상적이다.
이러한 측정은 각각의 경우에 열간 성형 작업에서 사용되는 인발 방향에 평행하게 라인별로 검출된 데이터를 포함하였고, 여기서 각각의 측정 라인은 인발 방향에 평행하게 연장되었다. 근표면 굴절의 측정이 경사각에서 수행된 경우, 여기서 검출된 측정은 입사광의 수직 방향에 대해 변환되었고, 이에 상응하여 또한 입사광의 이러한 수직 방향에 대해 보고되었다. 4/5/0(각도/굴절/미분 길이) 필터가 여기서 각각의 유리판의 양 표면으로 측정된 데이터, 및 이에 따라 55°의 경사각에서 스캐닝된 상부면과 하부면의 굴절의 총합에 대해 사용되었다. 여기서 얻어진 측정의 도식은, 예를 들어, 도 6, 7a 및 7b 및 도 8에서 찾아볼 수 있다.
본 발명은 유리판, 특히 적어도 1.75 mm 내지 최대 7 mm의 두께를 갖는, 보로실리케이트 유리를 포함하거나 보로실리케이트 유리로 구성된 유리판에 관한 것이다. 유리판은 각각 유리판의 표면을 형성하는 상부면과 하부면을 포함하며, 여기서 이들 표면은 서로에 대해 본질적으로 평행하게 연장된다.
본 발명의 일 양상에서, 유리판, 특히 적어도 1.75 mm 내지 최대 7 mm의 두께(D)를 갖고, 상부면 및 하부면을 포함하고, 유리판의 표면에 평행한 적어도 하나의 방향으로 99.9% 분위수에 대해 0 mdpt 내지 1.7 mdpt의 유리판 상에 수직으로 입사하는 광에 대한 500 mm × 500 mm의 정사각형 면적(Mb) 내의 상부면과 하부면으로부터의 굴절의 총합의 크기를 특징으로 하는, 특히 보로실리케이트 유리를 포함하는, 바람직하게는 열간 성형에 의해 형성된 플로팅된 유리 스트립으로부터의 통합에 의해 수득되는 유리판이 제공된다.
상기 언급된 적어도 하나의 방향은 각각의 경우에 도 1 내지 4에 도시된 데카르트 좌표계의 Y 방향에 상응하였고, 따라서 열간 성형 작업에 사용되는 인발 방향 Y에 평행하게 이어지며, 여기서 처리량 조절을 위한 구성요소, 트윌 또는 제어 밸브로부터의 거리가 또한 각각의 경우에 보고되며, 도 5에 도시된 바와 같이, 플로트 배쓰를 향하는 트윌 또는 제어 밸브의 면은 인발 방향 Y로 0 미터의 거리의 위치에 있고, 이에 따라 X 방향을 기준으로 하여 플로트 배쓰의 중간 Mi에 대해 각각의 경우에 보고되는 거리 수치에 대한 출발점을 구성한다.
이러한 적어도 하나의 방향은 유리판의 추가 처리의 최대 단순성을 보장하기 위해 유리판 또는 유리판의 패키지 상에 특정될 수 있다. 대안적으로, 이러한 적어도 하나의 방향은 또한 적어도 하나의 방향의 임의의 상태와 상관 없이, 특히 "인발 방향"의 상태와 상관 없이 가장 낮은 근표면 굴절을 갖는 각각의 방향을 측정함으로써 확인될 수 있다.
다시 말해서, 본 개시에 따르면, 특히 근표면 광학 굴절에 의해 초래될 수 있는 광학 결함을 특히 낮은 수준으로 갖는 유리판이 이에 따라 제공된다.
이는 현재까지 공지된 바가 없다. 그러나, 본 출원에 따른 유리판의 낮은 근표면 굴절은 구체적으로, 예를 들어, 이들이 커버 판유리로서 사용될 수 있는 전자 디바이스 및 디스플레이에서의 유리판의 적용에 특히 유리하다. 본 발명에 따른 유리판은 또한 유리하게는 글레이징으로서, 특히 건축용 글레이징으로서 사용하기에 적합하다.
추가로, 특히 유리판의 내스크래치성 및 화학적 안정성과 관련하여, 중량%로 하기 성분들을 포함하는 보로실리케이트 유리를 포함하는 경우가 유리하다:
SiO2
70 내지 87, 바람직하게는 75 내지 85
B2O3
5 내지 25, 바람직하게는 7 내지 14
Al2O3
0 내지 5, 바람직하게는 1 내지 4
Na2O
0.5 내지 9, 바람직하게는 0.5 내지 6.5
K2O
0 내지 3, 바람직하게는 0.3 내지 2.0
CaO
0 내지 3
MgO
0 내지 2.
이러한 보로실리케이트 유리는 특히 우수한 내스크래치성 및 화학적 안정성을 달성한다. 이러한 방식으로, 단지 낮은 열팽창 계수를 갖는 유리를 수득하는 것이 또한 가능하다. 20℃ 내지 300℃ 범위의 선형 열팽창 계수는 바람직하게는 5 * 10-6/K 미만, 그러나 바람직하게는 적어도 3.0 * 10-6/K이다.
더욱 바람직하게는, 일 실시양태에서 유리판은 플로트 유리판의 형태를 취한다. 이러한 방식으로, 유리판의 한 면의 적어도 하나의 표면의 낮은 근표면 굴절을 제공하는 것이 가능한 반면, 본 발명의 맥락에서는, 이를 넘어서, 각각의 경우에 서로 본질적으로 평행하게 연장되는 유리판의 2 개의 표면의 굴절의 총합을 명시하는 것이 가능하다.
상응하여, 굴절은 유리판의 상부면의 표면과 하부면의 표면에서, 및 이에 따라 플로트 방법에서 열간 성형 동안 주석 배쓰로부터 떨어져 있는 면의 표면과 주석 배쓰를 향하는 유리판의 면의 표면에서 측정되었다.
유리하게는, 이러한 유리판은 본 개시의 추가 양상에 따른 방법으로 제조될 수 있다. 따라서, 본 개시는 또한 유리판의 제조 방법, 특히 유리판, 특히 일 실시양태에 따른 유리판의 연속 제조 방법으로서,
- 유리 원료를 포함하는 배치를 제공하는 단계,
- 배치를 용융시켜 유리 용융물을 수득하는 단계,
- 유리 용융물의 점도를 조정하는 단계,
- 유리 용융물을 특히 플로팅시킴으로써 열간 성형 장치로 이송하여 유리 스트립을 형성시키는 단계,
- 열간 성형된 유리 스트립을 통합하여 유리판을 수득하는 단계
를 포함하고,
열간 성형 장치에서의 점도는 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터 거리에서의 십진 로그 lg(ηA/dPa*s)와 열간 성형의 종료 시 십진 로그 lg(ηE/dPa*s)의 총합이 적어도 11.4 내지 최대 11.8이 되도록 조정되는, 방법에 관한 것이다.
다시 말해서, 본 개시에 따른 방법은 유리가 특정 최소 점도 미만으로 절대 떨어지지 않도록 유리 용융물의 점도를 조정하는 단계를 포함한다. 반대로, 점도는, 예를 들어, 유리가 열간 성형 장치로 이송되기 전에 제어된 방식으로 냉각되는 것으로 제어된다. 그러나, 상당히 높은 점도가 특히 공정의 개시 시에 확립될 뿐만 아니라; 또한 여기서 전체 점도를 공정에서 구체적으로 조정하는 것이 유리하며, 이를 위해 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달하는 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서 및 열간 성형 작업의 종료 시 유리판에 의해 포함되는 유리의 유리 점도 η의 십진 로그의 합이 적합한 수단이다. 이러한 목적 상, 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서의 점도 ηA의 십진 로그, 즉, lg(ηA/dPa*s) 및 열간 성형 작업의 종료 시 점도 ηE의 십진 로그, 즉, lg(ηE/dPa*s)가 결정되고, 상기 방법에서 이들 값의 총합은 상기 언급된 제한치 내에 있고, 즉, 적어도 11.4 내지 최대 11.8이다. 이러한 총합에서, 점도 ηA 및 ηE의 로그 값이 합산되어 lg(ηA/dPa*s) + lg(ηE/dPa*s)를 형성하기 때문에, 이는 또한 이들 점도 값의 곱의 십진 로그에 상응한다(lg(ηA/dPa*s) + lg(ηE/dPa*s) = lg(ηA/dPa*s * ηE/dPa*s)). 점도 값 ηA 및 ηE의 곱, 또는 일반적으로 점도 값이 본 개시의 맥락에서, 예를 들어, 첨부된 도면의 범례에서 보고되는 경우, 각각의 경우에 이들의 십진 로그 각각의 합산이 또한 개시될 것이다.
현재까지는 열간 성형 작업의 시작 시 점도를 특정 값으로 조정하고, 또한 비교적 낮은 값을 선택하는 것이 공지되어 있다. 그러나, 이러한 방식으로는 여전히 상당한 근표면 굴절이 얻어지는 것으로 밝혀졌다. 이는 특히 표면 특성을 보다 상세히 고려하여, 특히 본원에 개시된 근표면 굴절을 고려하여, 특히 열간 성형 작업에 사용되는 인발 방향으로 또는 인발 방향과 평행하게 나타난다.
여기서 상기 발상은 이러한 방식으로 저점도 액체가 존재하고, 이것이 고온 성형 공정에서 유동함으로써 표면에서의 임의의 불균일성을 상쇄시킬 수 있다는 것이었다.
그러나, 놀랍게도, 이는 사실이 아닌 것으로 밝혀졌다. 대신에, 놀랍게도 점도가 처음에 특이적으로 높은 수준으로 설정될 때 특히 낮은 굴절의 형성에 훨씬 더 유리한 것으로 보인다. 이에 숨은 메커니즘은 아직 완전히 이해되지는 않는다.
또한, 공정에서 점도 - 및 상응하는 온도 체계의 방식 - 의 신중한 모니터링은 매우 유리하다. 또한, 우수한, 즉, 낮은 근표면 굴절은 이뿐만 아니라 특이적으로 높은 초기 점도에 의해서 달성될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 대신에, 성형 공정에서 점도를 전반적으로 고려하는 것이 중요하다. 따라서, 이의 한 가지 수단은 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서 및 열간 성형 작업의 종료 시 십진 로그의 총합인 것으로 밝혀졌다. 상기 방법에서, 점도는 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서 및 열간 성형 작업의 종료 시 점도의 십진 로그의 총합이 적어도 11.4 내지 최대 11.8이 되도록 조정된다.
"유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리" 및 열간 성형 작업의 "종료"는 본원에서 처음에 방법의 공간적 한계를 의미하는 것으로 이해된다. 유리의 규정된 두께가 확립되는 두께-기반 성형 또는 성형 구역(Hs)의 시작은 제1 상부 롤러(12, 42)이며, 이는 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 거리와 비교하여 흐름 조절을 위한 구성요소와 상이한 거리에서 이의 최대 폭에 도달한, 베이(2) 또는 플로트 배쓰 섹션(2)으로도 지칭되는, 제2 플로트 배쓰 섹션(28)의 시작 시이다. 제1 상부 롤러는 흐름 방향 또는 인발 방향 Y로 처리량 조절을 위한 구성요소인 트윌로부터 약 4.5 m 떨어져 있다. 더욱 특히, 유리가 이의 규정된 두께 변화를 겪는 두께-기반 열간 성형 구역의 시작은 상부 롤러(42)의 대칭축(50)으로부터 상부 표면(36)을 향해, 및 이에 따라 열간 성형될 유리(8)의 상부 주요 표면(48)을 향해 진행되는 음의 z 방향으로 수직선(52)에 의해 규정된다. 그러나, 특히 규정된 방식으로의 두께-기반 열간 성형은 단지 전체 열간 성형 작업의 일부일 뿐이다.
열간 성형 구역의 종료는 마지막 상부 롤러(40, 44)에 의해 결정되고, 이는 흐름 방향 또는 인발 방향으로 열간 성형될 유리 스트립에 대한 성형 효과를 발휘하고, 처리량 조절을 위한 구성요소인 트윌(17)로부터 흐름 방향 또는 인발 방향 Y로 약 10.5 m 내지 11.1 m 떨어져 있다. 더욱 특히, 열간 성형 구역의 종료는 마지막 성형 상부 롤러(44)의 대칭축(51)으로부터 열간 성형될 유리(8)의 상부 표면, 특히 주요 표면(48)을 향해 진행되는 음의 z 방향으로 수직선(53)에 의해 규정된다. 상기 언급된 상부 롤러(12 및 42, 및 40 및 44)는 또한, 예를 들어, 첨부된 도 3 및 4에서 용이하게 명백하다.
열간 성형될 유리의 하부 표면 또는 하부 주요 표면(49)은 열간 성형 작업 동안 플로트 배쓰(7) 상에 놓인다.
유리하게는, 일 실시양태에서, 점도는 이에 따라 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서 점도의 십진 로그가, 특히 1.5 m의 처리량 조절을 위한 구성요소인 트윌로부터의 인발 방향 Y로의 거리에서, 및 특히 제4 플로트 배쓰 섹션(또는 플로트 배쓰 섹션(2))의 시작 시, 적어도 5.0, 더욱 바람직하게는 적어도 5.1, 및 바람직하게는 5.25 미만이고, 바람직하게는 열간 성형의 종료 시 십진 로그가, 특히 흐름 조절을 위한 구성요소인 트윌의 하류에서 약 10.5 m 내지 11.1 m의 인발 방향으로의 거리에서, 및 특히 제4 플로트 배쓰 섹션의 시작 시, 적어도 6.2, 바람직하게는 적어도 6.3, 더욱 바람직하게는 적어도 6.35이고, 바람직한 상한이 최대 6.5가 되도록 조정된다.
본 발명자들은 현재까지 추정되는 것과는 달리, 광학 굴절이 특히 시작 시에 특이적으로 비교적 저온으로 열간 성형 작업을 수행함으로써 특히 감소될 수 있다는 견해를 갖고 있다. 특히 열간 성형을 위한 영역에서 용융 유닛으로부터 유리질 물질이 이송되는 유리 제조 유닛의 영역에서 특이적으로 고온의 작동 모드가 근표면 굴절의 감소에 유리한 것으로 추정되었다.
실제로, "고온 작동 모드", 즉, 열간 성형 공정의 시작 시 점도가 낮은, 예를 들어, 105.0 dPa*s 훨씬 더 미만인 작동 모드는 인발 줄무늬로도 지칭되는 플로트 유리의 인발 방향으로 본질적으로 발생하는 세로로 연장되는 융기를 감소시킬 수 있는 것으로 밝혀졌다. 이들 인발 줄무늬는 인발 방향으로 효과적으로 연장되는 원통형-렌즈형 구조를 형성하고, 이의 굴절은 이후 인발 방향에 본질적으로 수직으로 나타난다. 그러나, 이들 인발 줄무늬, 즉, 인발 방향으로 연장되는 인발 방향에 대해 횡방향으로 발생하는 유리 스트립의 두께 변동은 본원에서 다루어지는 근표면 굴절의 원인이 아닌 것으로 밝혀졌다. 대신에, 인발 줄무늬의 형성에 중첩되고 단순히 인발 줄무늬의 형성을 억제하는 수단에 의해 본질적으로 영향을 받지 않는 추가 현상이 존재한다.
이를 고려하여, 놀랍게도, 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달하는 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서 유리질 물질의 점도가 특이적으로 낮은 수준으로, 즉, 예를 들어, 105.0 dPa*s 미만으로 설정되는 방법에서, 생성되는 유리 스트립은 더 적은 인발 줄무늬를 갖지만, 다른 표면 구조, 특히 인발 방향으로 발생하고 인발 방향으로 이어지는 굴절을 발달시키는 표면 구조가 향상된 정도로 나타날 수 있는 것으로 밝혀졌다. 이들은 인발 방향과 평행한 융기 또는 함몰을 초래하지 않지만(소위 인발 줄무늬의 경우에서와 같이), 표범피부(leopardskin) 또는 "오렌지 피부(orange skin)"를 연상시키는 불규칙한 구조를 형성하는 작은 면적의 구조이다. 이러한 구조는 예로서 본 발명에 따른 유리판 및 통상적인 유리판에 대한 상부면과 하부면 둘 모두에서의 굴절의 총합으로서 이들 구조로부터 생성되는 근표면 굴절과 함께 도 7a 및 도 7b에 도시되어 있다. 본 발명에 의해서, 예로서 도 7b의 다이어그램으로부터 추론될 수 있는 바와 같이, 이러한 구조의 수준 및 이에 따라 이들 구조에 의해 생성된 근표면 굴절을 상당히 감소시키는 것이 가능하였다. 도 7a 및 7b의 각각의 상부 이미지에서 이러한 측정 면적(Mb)의 도식이 정사각형에 상응하지 않는 경우, 이는 단지 도 7a 및 7b의 각각의 하부 이미지에서 본질적으로 보정된 Y 방향으로의 이미지 축척의 변화일 뿐이고, 실제 측정 면적(Mb)에서 벗어나는 것으로 여겨지지 않는다.
결과적으로, 이는, 이전에 사료된 바와 같이, 열간 성형 작업의 시작 시 점도의 조정은 이러한 방식으로 제조된 유리 스트립 또는 유리판에서(통합 후) 다시 한번 표면 특징의 전반적인 개선을 위한 유일한 중요한 인자인 경우가 아니다. 오히려, 열간 성형 작업 동안 전체 점도를 고려하는 것이 특히 유리하다. 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서및 열간 성형 작업의 종료 시 점도는 방법의 평가를 위한 우수한 수단인 것으로 밝혀졌다. 상기 공정의 평가를 위해 제공될 수 있는 간단한 수단은 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서 및 열간 성형 작업의 종료 시 점도의 십진 로그의 총합일 수 있다. 상기 방법에서, 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서 및 열간 성형 작업의 종료 시 점도의 십진 로그의 총합은 적어도 11.4 내지 최대 11.8이다.
바람직하게는, 이에 따라 점도의 십진 로그는, 열간 성형 작업의 종료 시, 특히 제4 플로트 배쓰 섹션의 시작 시, 열간 성형될 유리의 흐름의 처리량 조절을 위한 구성요소로부터 약 10.5 m 내지 11.1 m의 거리에서, 적어도 6.2, 바람직하게는 적어도 6.3, 더욱 바람직하게는 적어도 6.35이고, 여기서 바람직한 상한은 최대 6.5이다. 열간 성형 작업에서 이러한 시점에, 즉, 예를 들어, 제4 플로트 배쓰 섹션의 종료 시, 열간 성형 방법에서 유리 스트립은 이전만큼 강하게 수축되지 않아서, 경계 롤러 또는 상부 롤러라 불리는 것에 의해 인발은 주로 이에 인발 방향에 있고, 이의 크기는 유리 스트립 온도에 반비례한다.
이는 원칙적으로 사실이지만, 특이적으로 또한, 심지어 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달하는 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서 유리 스트립의 점도가 특히 처리량 조절을 위한 구성요소의 상류에서 및/또는 제1 플로트 배쓰 섹션의 시작 시 적어도 5.0, 더욱 바람직하게는 적어도 5.1, 및 5.25 미만인 경우, 상부 롤러, 특이적으로 또한 마지막 상부 롤러에 의한 강한 인발이 있어야 하는 것으로 밝혀졌다. 이러한 시점에, 인발은 이후 바람직하게는 인발 방향으로 적용된다. 그러나, 상부 롤러는 바람직하게는 열간 성형의 중간에 최대 15°의 외향 각도에 있다. 성형의 종료 시 높은 점도는, 예를 들어, 또한 어닐링 레어 롤의 장력으로 인해 유리 스트립의 줄어듬(수축)을 방지한다.
일반적으로, 적어도 유리 제조에서 열간 성형의 시작 시 "저온" 작업 모드는 현재까지 바람직하지 않은 것으로 여겨졌다. 그 이유는 특히 열간 성형의 제조 공정이 이후 전반적으로 더욱 면밀히 모니터링되어야 할 뿐만 아니라, 이러한 방식으로 비교적 낮은 처리량만이 가능하기 때문이다.
이러한 방법, 특히 연속 방법에서, 유리 스트립이 수득되고, 이는 이후 레어를 떠난 후 추가로 처리될 수 있다. 특히, 여기서 이후 이러한 유리 스트립을 유리판으로 통합하는 것이 가능하다.
유리하게는, 본 개시에 따른 방법은 일 실시양태에서 1 일 400 t 미만의 유리, 바람직하게는 1 일 200 t 미만의 유리, 및 더욱 바람직하게는 1 일 100 t 미만의 유리의 처리량을 위해 설계된 플랜트에서 수행될 수 있다.
이는 상기 방법이 "냉각"으로, 즉, 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리를 넘어서 비교적 높은 점도로 수행될 뿐만 아니라 열간 성형의 종료 시 점도가 매우 규정된 방식으로 조정되기 때문이다. 이는, 제시된 바와 같이, 특히 낮은 근표면 굴절의 확립에 있어서 매우 유리하다. 열간 성형 공정에서의 온도는 일반적으로 가열 유닛을 사용하여 조정된다. 그러나, 특히 냉각 수행의 경우, 유리질 물질 자체가 또한 열을 수송한다는 것이 고려되어야 한다. 따라서, 특정 처리량을 넘어서, 예를 들어, 팬 등과 같은 냉각을 위한 특수 디바이스에 의해 유리질 물질 자체로부터 열을 회수하기 위해 처리량이 추가로 증가하는 것이 필요할 수 있다. 이는 추가적인 장치 복잡성 및 이에 상응하여 더 높은 비용을 의미할 뿐만 아니라, 추가 특성, 예를 들어, 열 응력이 유리질 물질 또는 유리 스트립에 부과되는 효과를 가질 수 있다.
그러나, 처리량이, 예를 들어, 상기 명시된 바와 같이 제한되는 경우, 유리질 물질 자체에 의해 수송된 열의 제거는, 예를 들어, 각각의 플로트 배쓰 섹션에서 주석 배쓰의 온도의 조정을 통해 보다 용이하게 가능하다. 따라서, 비교적 낮은 처리량으로의 어셈블리 시 공정 체계는, 특히 본원에 개시된 방법이 이에 이용되는 경우, 유리하게 낮은 근표면 굴절을 갖는 유리판을 제조하는 특히 우수한 능력을 갖는다.
유리 용융물의 점도의 조정이 또한 스파우트의 상류에서 또는 스파우트의 부위에서 열간 성형을 위한 디바이스로 이송되기 전에 수행되는 것이 유리하다.
실시예
특히 유리하게는, 기재된 방법은 보로실리케이트 유리로부터의 또는 이를 포함하는 유리판을 제조하는 데 사용될 수 있다. 예시적인 조성물은 산화물을 기준으로 하여 중량%로 주어진 하기 조성 범위 내에 있을 수 있다:
SiO2
70 내지 87, 바람직하게는 75 내지 85
B2O3
5 내지 25, 바람직하게는 7 내지 14
Al2O3
0 내지 5, 바람직하게는 1 내지 4
Na2O
0.5 내지 9, 바람직하게는 0.5 내지 6.5
K2O
0 내지 3, 바람직하게는 0.3 내지 2.0
CaO
0 내지 3
MgO
0 내지 2.
특히, 유리판에서 유리는 산화물을 기준으로 하여 중량%로 하기 성분들을 포함할 수 있다:
SiO2
70 내지 86
Al2O3
0 내지 5
B2O3
9 내지 25
Na2O
0.5 내지 5
K2O
0 내지 1
또한, 유리판에서 유리는 중량%로 하기 성분들을 포함할 수 있다:
SiO2
77 내지 80
Al2O3
2 내지 5
B2O3
9 내지 11
Na2O
2.6 내지 5.2
K2O
0.5 내지 2.5
MgO
0 내지 2
CaO
1.2 내지 2.7
본 발명은 하기에 첨부된 도면에 의해 그리고 바람직한 및 특히 바람직한 작업예를 참조하여 보다 상세히 기술된다.
도 1은 유리판의 제조를 위한 및 본원에 개시된 방법의 수행을 위한 장치의 개략적 단면도이고, 여기서 섹션 평면은 장치의 대략 중간을 거쳐 수직으로 이어져 있다.
도 2는 매우 단순화된 형태의 도 1의 개략적 단면도이고, 여기서 도 4에 도시된 섹션은 섹션 평면 A 및 B로 표시되어 있다.
도 3은 유리판, 특히 플로트 배쓰 상에서 열간 성형을 거칠 유리 스트립의 유리판의 제조를 위한 도 1 및 2에 도시된 장치의 일부에 대한 개략적 상면도이고, 예시를 단순화하기 위해 예로서 전체적으로 사용된 상부 롤러의 일부만이 도시되어 있다.
도 4는 섹션 평면 A와 B 사이에서 연장되는 섹션 형태의 유리판의 제조를 위한 도 1 및 2에 도시된 장치의 일부에 대한, 위에서부터의 비스듬히 본, 상면도이다.
도 5는 본원에 개시된 점도 프로파일의 예시적인 다이어그램이고, 여기서 특히 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터 거리에서의 점도 값(ηA) 및 열간 성형 섹션의 종료 시, 및 이에 따라 수직선(53)의 부위에서 점도 값(ηE)이 또한 추론될 수 있다.
도 6은 본원에 개시된 방법에 의해 제조된 유리판의, 열간 성형 작업에서 주석 배쓰로부터 떨어져 있는, 상부 표면의 상면도이고, 55°의 경사각에서 근표면 굴절을 확인하기 위해 측정 면적(Mb)(실제 축척이 아니라 단지 예로서 나타냄)에서 유리판의 상부면과 하부면 둘 모두에서의 이의 근표면 굴절률의 총합을 보여주고 있다.
도 7은 각각의 경우에 55°의 경사각으로 공간적으로 분해된 다이아그램에서 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서 각각의 유리의 점도 ηA의 십진 로그, 즉, lg(ηA/dPa*s)와 열간 성형 작업의 종료 시 점도 ηE의 십진 로그, 즉, lg(ηE/dPa*s)의 본 발명의 총합 값에 대한, 도 7a에서는 통상적인 유리판의 경우 및 도 7b에서는 본원에 개시된 방법에 의해 제조된 유리판의 경우, 측정 면적(Mb) 내의 유리판의 상부면과 하부면의 근표면 굴절의 총합(mdpt)이다.
도 8은 55°의 경사각에서 점도 ηA의 십진 로그, 즉, lg(ηA/dPa*s)와 점도 ηE의 십진 로그, 즉, lg(ηE/dPa*s)의 총합 값의 함수로서, 통상적인 유리판의 경우 및 본원에 개시된 방법에 의해 제조된 유리판의 경우, 측정 면적(Mb) 내의 유리판의 상부면과 하부면의 근표면 굴절의 총합(mdpt)의 99.9% 분위수이다.
도 9는 특히 유리판의 상부면과 하부면의 근표면 굴절의 총합의 측정에서 발생하는 바와 같은 경사에 의한 광학 효과의 향상의 예시이다.
도 10 은 경사 유리판에 대해 얻어진 데이터로부터 이를 필터링하기 전에 비경사 유리판 대해 변환된 Y 또는 인발 방향으로의 원시 데이터의 주기 또는 파장의 함수로서, ISRA VISION LABSCAN-SCREEN 2D 측정 기기에 의해 얻어진 필터링되지 않은 원시 데이터의 필터링에 사용된 바와 같은, 18차 버터워스 저역 통과 필터의 필터 응답, 즉, 향상 계수이다.
도 1은 유리판의 제조를 위한 및 본원에 개시된 방법의 수행을 위한 장치의 개략적 단면도이고, 여기서 섹션 평면은 장치의 대략 중간을 거쳐 수직으로 이어져 있다.
도 2는 매우 단순화된 형태의 도 1의 개략적 단면도이고, 여기서 도 4에 도시된 섹션은 섹션 평면 A 및 B로 표시되어 있다.
도 3은 유리판, 특히 플로트 배쓰 상에서 열간 성형을 거칠 유리 스트립의 유리판의 제조를 위한 도 1 및 2에 도시된 장치의 일부에 대한 개략적 상면도이고, 예시를 단순화하기 위해 예로서 전체적으로 사용된 상부 롤러의 일부만이 도시되어 있다.
도 4는 섹션 평면 A와 B 사이에서 연장되는 섹션 형태의 유리판의 제조를 위한 도 1 및 2에 도시된 장치의 일부에 대한, 위에서부터의 비스듬히 본, 상면도이다.
도 5는 본원에 개시된 점도 프로파일의 예시적인 다이어그램이고, 여기서 특히 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터 거리에서의 점도 값(ηA) 및 열간 성형 섹션의 종료 시, 및 이에 따라 수직선(53)의 부위에서 점도 값(ηE)이 또한 추론될 수 있다.
도 6은 본원에 개시된 방법에 의해 제조된 유리판의, 열간 성형 작업에서 주석 배쓰로부터 떨어져 있는, 상부 표면의 상면도이고, 55°의 경사각에서 근표면 굴절을 확인하기 위해 측정 면적(Mb)(실제 축척이 아니라 단지 예로서 나타냄)에서 유리판의 상부면과 하부면 둘 모두에서의 이의 근표면 굴절률의 총합을 보여주고 있다.
도 7은 각각의 경우에 55°의 경사각으로 공간적으로 분해된 다이아그램에서 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서 각각의 유리의 점도 ηA의 십진 로그, 즉, lg(ηA/dPa*s)와 열간 성형 작업의 종료 시 점도 ηE의 십진 로그, 즉, lg(ηE/dPa*s)의 본 발명의 총합 값에 대한, 도 7a에서는 통상적인 유리판의 경우 및 도 7b에서는 본원에 개시된 방법에 의해 제조된 유리판의 경우, 측정 면적(Mb) 내의 유리판의 상부면과 하부면의 근표면 굴절의 총합(mdpt)이다.
도 8은 55°의 경사각에서 점도 ηA의 십진 로그, 즉, lg(ηA/dPa*s)와 점도 ηE의 십진 로그, 즉, lg(ηE/dPa*s)의 총합 값의 함수로서, 통상적인 유리판의 경우 및 본원에 개시된 방법에 의해 제조된 유리판의 경우, 측정 면적(Mb) 내의 유리판의 상부면과 하부면의 근표면 굴절의 총합(mdpt)의 99.9% 분위수이다.
도 9는 특히 유리판의 상부면과 하부면의 근표면 굴절의 총합의 측정에서 발생하는 바와 같은 경사에 의한 광학 효과의 향상의 예시이다.
도 10 은 경사 유리판에 대해 얻어진 데이터로부터 이를 필터링하기 전에 비경사 유리판 대해 변환된 Y 또는 인발 방향으로의 원시 데이터의 주기 또는 파장의 함수로서, ISRA VISION LABSCAN-SCREEN 2D 측정 기기에 의해 얻어진 필터링되지 않은 원시 데이터의 필터링에 사용된 바와 같은, 18차 버터워스 저역 통과 필터의 필터 응답, 즉, 향상 계수이다.
바람직한 실시양태의 상세한 설명
하기 바람직한 및 특히 바람직한 실시양태의 설명에서, 다양한 도면에서 동일한 참조 부호는 본원에 각각 개시된 장치의 동일한 구성요소, 또는 동일한 효과를 갖는 구성요소를 나타낸다.
유리판(33)의 두께(D)에 대한 수치는 이의 열간 성형 후 유리판(33)의 2 개의 주요 표면, 즉, 상부면(34)과 하부면(35) 사이의 거리에 상응하고, 도 4에서 예로서 예시된 바와 같이 각각 이들 주요 표면에 수직으로 측정되어야 한다.
본원에 개시된 방법의 수행을 위해 도 1, 2 및 3에 도시된 플로트 장치는 용융될 배치, 특히 유리 배치(3)가 공지된 방식으로 공급되는 용융 탱크로도 지칭되는 용융로(2)를 갖고, 요망되는 조성의 유리 용융물(5)이 형성될 때까지 버너(4)로 가열된다. 유리 용융물의 균질화를 위한 추가의 디바이스는 당업자에게 공지되어 있으므로 상세하게 기술되지 않을 것이다.
도관(6)을 통해, 일반적으로 중력의 영향 하에 유리 용융물(5)의 용융된 유리는 액체 주석을 포함하는 플로트 배쓰(7)에 도달하고, 여기서 열간 성형될 유리(8)는 이에 대한 열간 성형 작업의 일부로서 중력의 영향 하에 이의 높이의 감소와 함께 측방향으로 확산될 수 있다.
열간 성형될 유리의 온도를 조정하기 위해, 주석 배쓰(7)는 전기 루프 히터(10)를 갖는 플로트 배쓰 노(9)에 배치될 수 있으며, 이에 의해 열간 성형될 유리의 온도가 조정 가능하다. 또한, 주석 배쓰(7)의 온도는 인발 방향으로 규정된 방식으로 조정될 수 있고, 이러한 방식으로 열간 성형될 유리의 온도 및 이에 따라 이의 점도는 규정된 방식으로 영향을 받을 수 있다.
용융 탱크(2)를 떠날 때, 열간 성형될 용융 유리(8)는 이미 확산되기 시작하는, 스파우트로도 지칭되는, 비스듬히 하향으로 이어지는 입구 립(11)을 거쳐 주석 배쓰(7) 상으로 안내된다. 처리량 조절을 위한 구성요소로부터 1.5 m의 거리, 및 이에 따라 X 방향에 대해 유리 스트립(13)의 중간 Mi에서 Y 방향으로 1.5 m의 거리에서, 유리 스트립(13)은 X 방향에서 이의 가장 큰 정도를 의미하는 가장 큰 폭을 갖는다. 개시된 실시양태에서 이러한 거리는 약 1.5 m이고, 예를 들어, 도 4에서 참조 부호 56으로 표시된다. 인발 디바이스로서의 롤-형상 상부 롤러(12)는 규정된 방식으로, 면으로부터의 이의 확산 이동에서 주석 배쓰(7) 상에 형성되는 유리 스트립(13)의 추가 이동에 영향을 미친다. 도 1은, 예로서, 각각의 경우에 단지 3개의 상부 롤러를 도시하고 있지만, 사용을 위해, 필요한 경우, 예를 들어, 도 3 및 4로부터 또한 추론될 수 있는 바와 같이, 2 개 초과의 이들 상부 롤러가 이에 존재하는 것이 또한 가능하다.
상부 롤러는 이의 외부 환형 숄더에 의해 열간 성형될 유리(8)의 상부 표면(48) 또는 주석 배쓰로부터 떨어져 있는 주요 표면과 접촉되고 각각의 경우에 이의 종축 또는 대칭축(50, 51)을 중심으로 하는 회전 운동에 의해 열간 성형될 유리(8)에 힘을 가하는 당업계의 숙련된 자에게 널리 공지된 본질적인 롤-형상 바디를 지칭한다. 이러한 대칭축(50, 51)은 단지 상부 롤러(42 및 44)에 대한 예로서 도시되어 있다. 본 개시의 맥락에서, 용어 "상부 롤러"는 또한 열간 성형될 유리를 위한 본질적으로 롤-형상 이송 장치로 간주될 수 있다. 이러한 맥락에서, 제1 상부 롤러(12, 42)는 섹션(Hs)의 시작, 특히 규정된 두께-기반 열간 성형 구역에서 열간 성형될 유리를 위한 본질적으로 롤-형상 이송 장치를 구성하고, 마지막 상부 롤러(40, 44)는 열간 성형 구역의 섹션(Hs)의 종료 시 열간 성형될 유리를 위한 본질적으로 롤-형상 이송 장치를 구성한다. 이러한 두께-기반 열간 성형 구역(Hs)의 과정에 걸쳐, 유리 스트립(13)의 두께는 규정된 방식으로 조정되지만, 이러한 열간 성형 구역(Hs)은 모든 열간 성형 수단을 포함하지 않는데, 그 이유는 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭을 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터 거리(56) 이후에도 섹션(Hs)의 시작까지 유리 스트립(13)에서 열간 성형될 유리(8)가 이미 성형되기 때문이다.
각각의 상부 롤러의 외부 환형 숄더와 접촉하는 열간 성형될 유리(8)의 일부는 이것이 규정된 방식으로 이동하게 한다. 상부 롤러는 각각의 경우에 규정된 방식으로 구동되며, 본질적으로 로드-형상 차축이 있는 모터에 의해 제어될 수 있다.
특히 유리(8)의 흐름 방향 Y로 상부 롤러의 자리 또는 위치는 본 개시의 맥락에서 각각의 경우에 열간 성형될 유리(8)의 표면으로부터, 특히 주요 표면(48)으로부터 상응하는 상부 롤러(42, 44)의 각각의 대칭 축(50, 51)으로부터 진행되는 음의 z 방향으로 수직선(52, 53)인 것으로 이해된다.
각각의 제1 상부 롤러(12, 42)의 자리 또는 위치는 이의 두께와 관련하여 이의 열간 성형을 위한 섹션(Hs)으로의 유리(8)의 진입을 규정한다.
각각의 마지막 상부 롤러(40, 44)의 자리 또는 위치는 이의 두께-기반 열간 성형 및 이에 따라 이의 전체 열간 성형을 위해 섹션(Hs)으로부터의 유리(8)의 출구를 규정한다.
단순화를 위해, 본 개시의 맥락에서, 각각의 경우에 제1 상부 롤러의 언급은 상부 롤러 쌍, 예를 들어, 흐름 방향으로 동일한 부위에 있는 상부 롤러(42, 12)를 지칭하고, 각각의 경우에 마지막 상부 롤러의 언급은 상부 롤러 쌍, 예를 들어, 흐름 또는 y 방향으로 동일한 부위에 있는 상부 롤러(44, 40)를 지칭한다.
두께-기반 열간 성형을 위한 섹션(Hs)으로의 유리(8)의 진입 부위는 결과적으로 점선(54)에 의해 분명해지는 반면, 열간 성형을 위한 섹션(Hs)으로부터의 유리(8)의 출구 부위는 점선(55)으로 표시된다.
추가의 점선은 열간 성형될 유리(8)가 플로트 배쓰(7)를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 부위 또는 거리(56)를 나타낸다.
본 개시의 맥락에서 두께-기반 열간 성형을 위한 섹션(Hs)의 길이(Hsl)는 제1 상부 롤러(42)의 수직선(52)과 마지막 상부 롤러(44)의 수직선(53) 사이의 흐름 또는 y 방향의 거리를 의미하는 것으로 이해된다.
이의 열간 성형 후, 유리 스트립(13)은 선택적으로, 도 1에서 예로서 루프 히터만이 도시되어 있기는 하지만, 유리 스트립(13)이 규정된 온도 하강을 거치도록 마찬가지로 전기 루프 및 바닥 히터(15)를 가질 수 있는 레어(14)로 이송될 수 있다.
레어(14)를 떠난 후, 유리 스트립(13)은 이후 추가 처리, 특히 유리판(33)으로의 통합에 이용 가능하다.
하기 바람직한 실시양태의 설명에서, 예를 들어, 열간 성형될 유리 또는 열간 성형 후 통합된 유리판(33)의 상이한 조립 또는 특성의 공간적 배열을 보다 명확하게 예시할 수 있도록, 먼저 직교 X, Y 및 Z 방향을 규정하는 도 1, 2, 3 및 4에 도시된 데카르트 좌표계가 참조되며, 다양한 도면의 모든 설명은 이하에서 계속 관련된다.
X 및 Y 방향은 수평으로 연장되고 이에 따라 또한 주석 배쓰(7)의 표면으로 본질적으로 평행하게 이어지는 평면을 형성한다. 이러한 평면에 수직으로 이어져, Z 방향은 위쪽으로 연장되며, 이에 의해 또한 유리 스트립(13)에 대한 법선 방향을 규정한다.
전체로서 참조 부호 1이 주어진 플로트 장치를 포함하는, 본원에 개시된 유리판(33)으로 통합될 수 있는 유리 스트립(13)의 제조를 위한 장치로서, 도 2, 3 및 4를 참조하여 기재된 모든 디바이스 또는 장치를 갖는 장치에 대해서는 이하에서 도 1이 참조된다.
여기에 포함되는 용융 디바이스(16)는 용융 탱크 또는 용융로(2), 유리 배치를 위한 공급 디바이스(3), 및 버너(4)이다. 또한, 용융 탱크(2)는 열간 성형될 용융 유리(8)를 주석 배쓰(7)로 이송하기 위한 도관(6)을 갖는다.
예로서, 제어 밸브(17), 즉, 트윌로도 지칭되는 유리 흐름의 처리량 조절을 위한 구성요소는 도관(6)을 넘어서 배치된다. 참조 부호 17과 함께 도시된 양방향 화살표의 방향으로 처리량 조절을 위한 구성요소(17)를 형성하는 제어 밸브 또는 트윌(17)의 이동에 의해, 단위 시간 당 용융 탱크(2)로부터 배출되는 열간 성형될 용융 유리(8)의 양을 조절하는, 특히 규정된 방식으로 조절하는 도관(6)의 단면을 축소하거나 확대하는 것이 가능하다. 또한, 공급기는, 특히 트윌(17)의 상류에서, 용융 탱크(2)와 플로트 배쓰 노(9) 사이에 배치될 수 있고, 이는 이러한 경우에 특히 또한 도 1에 도시된 것보다 더 긴 거리에 걸쳐서 도관(6)을 형성한다. 처리량 조절의 보다 상세한 설명은 본 출원의 주제에 참조로 또한 포함되는 본 출원인의 DE 10 2013 203 624 A1에서 찾아볼 수 있다.
열간 성형될 용융 유리(8)의 흐름 방향에서 볼 때, 열간 성형될 용융 유리(8)의 규정된 점도 조정을 위한 디바이스(18)는 처리량 조절을 위한 구성요소(17)의 상류에 및 스파우트(11)의 상류에 배치된다.
규정된 점도 조정을 위한 이러한 디바이스(18)는 용융 탱크(2)로부터 분할되거나 달리 이의 일부를 형성할 수 있는 챔버(19)를 포함하고, 이의 규정된 점도 조정을 위해 유리 기판으로 형성될 용융 유리(8)를 수용한다.
또한, 규정된 점도 조정을 위한 디바이스(18)는 유체가 흐르는 영역(20, 21), 특히 물이 흐르는 영역을 포함하며, 이는 열간 성형될 유리(8)로부터 열을 흡수하고 금속 파이프 시스템의 형태를 취할 수 있다. 이러한 금속성 파이프 시스템은 또한 더 나은 열 흡수를 위해 착색되거나 이의 표면 상에 내열성 페인트가 제공될 수 있다.
대안적으로 또는 추가로, 챔버(19)의 벽(22, 23, 24 및 25)은 열간 성형될 유리(8)로부터 열을 흡수하고, 이의 온도는, 예를 들어, 추가 냉각 디바이스에 의해 규정된 방식으로 조정된다.
벽(22, 23, 24 및 25)이 있는 챔버(19)는 또한 개선된 열 소산을 제공하기 위해 용융 탱크(2)와 공간적으로 별개로 형성되고 높은 내열성 금속 벽을 가질 수 있다.
전술된 바와 같이, 규정된 점도 조정을 위한 디바이스(18)는 적어도 하나의 냉각 디바이스를 포함하며, 이에 의해 열간 성형될 유리(8)의 온도 및 이에 따라 또한 점도가 규정된 방식으로 조정될 수 있다.
비접촉식, 및 대안적으로 또는 추가로 측정될 유리와 접촉하는 직접적인 온도 측정은 당업자에게 공지되어 있다. 상응하는 센서는, 예를 들어, 본 개시의 맥락에서 감지 디바이스 또는 유닛(26)에 의해 기술된다.
감지 디바이스 또는 유닛(26)은 유리와 직접 접촉할 수 있고, 이에 따라 직접 온도 측정을 수행할 수 있거나, 또는 달리 스펙트럼 자체 및/또는 방출된 방사선의 강도를 참조하여 열간 성형될 유리(8)에 의해 방출된 스펙트럼의 검출에 의해 온도를 검출하는 방사선 측정 디바이스를 포함할 수 있다.
장치(1)는 이후 상세히 기술될 열간 성형을 위한 디바이스 또는 장치(47)를 포함하고, 이는 흐름 방향 또는 인발 방향으로 규정된 점도 조정을 위한 디바이스(18)를 넘어서 존재하고, 스파우트(11)를 통해 열간 성형될 유리(8)를 수용한다.
스파우트(8)는 열간 성형될 유리(8)를 플로트 배쓰 노(9)에 수용된 주석 배쓰(7) 상으로 안내한다.
추가 냉각 디바이스(57)는 Y 방향으로의 이의 중간을 기준으로 약 2 m의 처리량 조절을 위한 구성요소(17)로부터의 거리에서 열간 성형될 유리(8) 위에 배치된다. 이러한 냉각 디바이스(57)는 용융물 위로 돌출하고, 300 mm의 Y 방향으로의 폭, 80 mm의 Z 방향으로의 높이 및 2.5 미터의 X 방향으로의 길이를 가질 수 있고, 2-부분 형태일 수 있다. 이러한 경우에, 냉각 디바이스(57)의 일부는 X 방향으로 각각의 대향하는 면으로부터 열간 성형될 유리 위로 돌출하고, 따라서 X 방향으로 및 국소적으로 Y 방향으로 열간 성형될 유리(8)의 본질적으로 완전한 커버를 구성한다.
냉각 디바이스(57)는 루프 히터(10)와 관련하여 열간 성형될 유리(8)를 간섭(shadowing)할 뿐만 아니라, 유리(8)의 상부로부터 오는 냉각 기류를 발생시키며, 이에 의해 냉각 디바이스(57) 아래에 존재하는 유리(8)를 약 20 내지 25 K까지 냉각시킬 수 있다. 이러한 방식으로, 유리(8)의 점도가 이미 초기에 높은 경우, 또한 도 5에 예로서 도시된 바와 같이, 인발 방향으로의 연속 진행으로 전반적인 점도 곡선의 더 평평한 진행을 야기하는 것이 가능하다.
주석 배쓰(7) 상에 형성되는 유리 스트립(13) 위에, 또한 도 3으로부터 용이하게 명백한 바와 같이, 유리 스트립(13)의 기계적 이동을 위해 상부 롤러(12)와 나란히 추가의 상부 롤러(38 내지 44)가 배치된다.
이러한 맥락에서, 본 발명의 바람직한 실시양태에서, 바람직하게는 10 내지 12 쌍의 상부 롤러가 사용되기 때문에, 도 3에 도시된 상부 롤러의 수는 단지 예시일 뿐이다.
상부 롤러(41, 38)는 단지 열간 성형 작업으로부터 발생하는 유리 스트립 Bg(13)의 폭을 조정하기 위한 역할을 하는 것이고, 폭 Bg가 또한, 예를 들어, 열간 성형에 제공되는 유리(8)의 부피를 조절함으로써 다른 방식으로 조정 가능하기 때문에 선택적이다.
도 3은 또한 규정된 점도 조정을 위한 디바이스(18)의 대안적인 또는 추가적인 구성을 도시한 것이다. 용융 유리(8)는 플로트 배쓰 노(9)에 대한 용융 탱크(2)(도 3에는 도시되지 않음)의 도관(6)에 존재한다. 도관(6)의 벽(45, 46)은 높은 열 안정성의 금속, 예를 들어, 백금으로 형성되었으며, 이는 또한 광물 내화 물질 상에 금속 층으로서 배치될 수 있다. 이들 벽의 규정된 온도 조정은 열이 유리(8)로부터 빠져나갈 수 있게 하고, 또한 이의 온도 및 점도가 규정된 방식으로 조정되도록 한다. 이러한 실시양태에서도, 전술된 감지 유닛(26)은 바람직하게는 트윌(17)에 가깝게 배치될 수 있다.
플로트 디바이스, 특히 주석 배쓰(7)가 있는 플로트 배쓰 노(9)를 포함하는, 열간 성형을 위한 장치(47)에 대하여 인발 디바이스가 전술되었다.
본원에 개시된 방법은 플로트 방법을 참조하여 이하에서 예로서 기술된다.
도 4는 유리판(33)으로 통합될 유리 스트립(13)의 제조를 위한 장치(1)의 섹션 평면 A와 B 사이에서 연장되는 섹션을 도시한 것이며, 여기서 더 나은 명확성을 위해, 열간 성형될 유리(8)뿐만 아니라, 주석 배쓰 형태의 플로트 배쓰(7)가 도시되어 있다.
유리(8)는 도 4의 좌측으로부터 제1 상부 롤러(42, 12) 상으로 진입 속도로 이동하고, 여기서 유리판(33)으로 통합될 유리 스트립(13)을 제공하는 본원에 개시된 두께-기반 열간 성형이 개시된다. 이러한 속도는 제1 상부 롤러(42, 12)에서 유리(8)의 속도에 상응한다. 따라서, 유리(8)는 마지막 상부 롤러(40, 44) 이후에, 및 이에 따라 본원에 기재된 바와 같이 열간 성형된 후에 출구 두께(D)를 갖는 유리판(33)으로 통합될 유리 스트립(13)으로 흐름 방향으로 계속 이동한다.
본 개시의 맥락에서 단순히 열간 성형만이 간략히 언급되는 경우, 이는 언어적 단순성을 위해, 두께-기반 열간 성형 구역의 섹션(Hs)과, 예를 들어, 유리(8)를 플로트 배쓰(7) 상으로 부을 때와 같이 제1 상부 롤러의 도달 전에 이미 수행될 수 있는 추가의 열간 성형 단계 둘 모두에 따라, 특히 유리 스트립(13)의 냉각 후, 유리판(33)으로 통합될 유리 스트립(13)을 제공하기 위해 하기에 보다 상세히 기술되는 열간 성형을 지칭하는 것이고, 여기서 유리는 2차원적으로 확산되고 약 7 mm +/- 1 mm의 이의 평형 두께(Dg)로 추정될 수 있다.
열간 성형 후, 유리(8)는 마지막 상부 롤러(40, 44) 이후에 추정된 D의 출구 두께를 갖는다.
유리(8)는, 제1 상부 롤러(42, 12)와 마지막 상부 롤러(40, 44) 사이에, 및 이에 따라 섹션(Hs)에서, 유리판(33)으로 통합될 유리 스트립(13)을 제공하기 위한 이의 두께-기반 열간 성형 전체에 걸쳐, 폭 Bg, 즉, x 방향의 Bg의 정도를 갖고, 이는 바람직하게는 x 방향의 이러한 두께-기반 열간 성형 시 3% 미만 만큼 변경된다. 이는 각각의 상부 롤러의 대칭축(회전축)을 따라 회전 속도 및 각도를 조정함으로써 보장될 수 있다. 이러한 경우에, 특히 또한 열간 성형될 유리(8)의 수송 과정에서 x-방향으로, 특히 두께-기반 열간 성형 구역(Hs)을 따라, 열간 성형될 유리(8) 또는 유리 스트립(13)의 일부의 이동의 더 크거나 더 적은 기여를 초래하도록 상응하는 상부 롤러의 각각의 대칭 축의 각도를 변경하는 것이 가능하다.
유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소(17)로부터의 거리(56)에서, 특히 이러한 부위에서 유리 스트립(13)의 온도의 조정에 의해, 점도 ηA는 적어도 5.0, 더욱 바람직하게는 적어도 5.1, 및 5.25 미만의 lg(ηA/dPa*s)의 값을 갖도록 조정된다.
열간 성형 구역(Hs)의 종료 시, 특히 이러한 부위에서 유리 스트립(13)의 온도의 조정에 의해, 점도 ηE는 적어도 6.2, 바람직하게는 적어도 6.3, 더욱 바람직하게는 적어도 6.35의 lg(ηE/dPa*s)의 값을 갖도록 조정되고, 여기서 바람직한 상한은 최대 6.5의 값으로 추정된다.
본 발명에 따르면, 열간 성형을 위한 장치에서의 점도는 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소(17)로부터의 거리(56)에서 및 열간 성형 작업의 종료 시 점도의 십진 로그 lg(ηA /dPa*s)와 lg(ηE /dPa*s)의 합이 적어도 11.4 내지 최대 11.8 η dPa*s가 되도록 조정된다.
상응하는 점도 진행의 예시적인 도식은 도 5에서 볼 수 있으며, 여기서 특히 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소(17)로부터 거리(56)에서의 점도 값(ηA) 및 열간 성형 구역, 및 이에 따라 수직선(53)의 종료 시 점도 값(ηE)이 또한 추론될 수 있다.
도 6은 55°의 측정 각도에서 근표면 굴절의 확인을 위해 축적되지 않은 단지 예로서 도시된 측정 면적(Mb)으로 본원에 개시된 방법에 의해 제조된 유리판(33)의 열간 성형 작업에서 주석 배쓰로부터 떨어져 있는 상부 표면 또는 주요 표면(48)의 상면도이다. 이 도면은 이들의 각 값으로 본원에 개시된 방법에 의해 달성될 수 있는 근표면 굴절을 도시한 것이며, 이는 도 7을 참조하여 하기에서 보다 상세히 설명될 것이다. 여기서 측정 면적(Mb)은 X 방향으로 열간 성형될 유리 스트립의 중간을 덮거나, 인접하거나, 이로부터 약 200 mm 미만의 거리를 가졌다.
유리판의 표면에서 높이 H로 Z 방향의 융기 z(x, y)를 갖는 유리판의 표면의 광학 굴절 P(x,y)는 굴절의 측정에 통상적인 방식으로 표면 상에 수직으로 입사하는 광에 대해 x의 고정된 값에서 Y 방향으로 이어지는 직선에 따라 결정될 때 확인된 결과이다:
여기서,
n은 분석된 유리판의 굴절률을 나타내고, 각각의 경우에 분석된 유리판에 대해 1.471의 값을 갖고,
z'(y) 및 z''(y)는 Y 방향, 즉, 인발 방향으로의 정도 z(y)의 1차 및 2차 도함수를 나타내고,
z(y)는 지정된, 특히 고정된 x의 값인 경우 부위 y에서의 z 방향의 정도이다.
따라서, 원칙적으로, 유리판의 공지된 굴절률 n으로, 프로파일로메트릭 측정 방법에 의해 얻어진 균등한 z(x, y) 값을 굴절, 특히 전술된 바와 같이 Y 방향으로 이어지는 굴절로 변환하는 것이 가능하다. 그러나, 상기 광학 굴절 계산은 단지 하나의 표면만을 포함하기 때문에, 표면에 대한 기하학적 데이터로부터 본원에 개시된 값에 도달하기 위해서는 유리판의 양면, 즉, 상부면과 하부면으로부터 굴절을 계산하고 합산할 필요가 있다. 따라서, 유리판의 표면의 굴절의 사양 또는 유리판의 표면의 구조가 본 측정을 반영하는 것은 가능하지 않으며, 여기서 분석된 유리판의 각각의 경우에 양 표면이 포함되고, 총합으로서 보고된다.
그러나, 실제 측정을 위해 4/5/0(각도/굴절/미분 길이) 필터를 갖는 ISRA VISION LABSCAN-SCREEN 2D 광학 측정 시스템을 사용하는 것이 업계에서 통상적이었고, 이에 의해서 유리 스트립으로부터 통합된 유리판의 상부면과 하부면 둘 모두의 굴절이 동시에 측정되었다. 이러한 측정은 각각의 경우에 열간 성형 작업에서 사용되는 인발 방향에 평행하게 라인별로 검출된 데이터를 포함하였고, 여기서 각각의 측정 라인은 인발 방향에 평행하게 연장되었다.
그러나, 이러한 굴절이 유리의 표면 상에 비스듬히 입사하는 광에 대해 결정되는 경우, 굴절은 하기 방정식 1에 따라 경사각(Φ)의 함수로서 향상된다:
여기서,
P = 경사를 통한 상대 광학 강도
Φ = 경사각
n = 유리의 굴절률
경사각 Φ = 55°는 여기서 측정된 광학 굴절을 4.2 배 향상시켰고, 이는 경사 방향 평가의 정확도를 증가시킨다. 측정 위치는 비경사 유리판에 대해 재계산되었으므로 실제 유리판에 상응한다. 이는 유리판 상에 수직으로 입사하는 광에 대해, 유리판 상부면의 굴절만이 유리판 하부면의 굴절에 합산된다는 것을 의미하고, 이는 4.2 배 더 낮다.
경사 유리판 상에서의 측정은, 예를 들어, 평판유리에서 지브라 각도(zebra angle)의 측정을 위한 플로트 유리의 광학 품질의 결정에서의 방법과 관련된 DIN 52305 또는 EN 572-2로부터 당업자에게 공지되어 있다. 상기 표준에서의 설명과 유사한 방식으로, 유리판은 인발 방향에 수직인 방향으로, 및 이에 따라 X 방향으로 유리판이 기울어지면서 유리판의 상부 표면의 법선에 대해 각도 α = 55°만큼 기울어졌다. 경사 축, 즉, 유리판이 회전하는 축은 인발 방향에 수직인 유리판의 평면에 있으며, 이는 이후 인발 방향에서 렌즈 효과의 향상을 초래한다.
도 7로부터, 본 발명의 방법에 의해 제조된 유리판(33)은 통상적인 유리판과 비교하여 단지 매우 낮은 굴절을 가졌다는 것이 용이하게 명백하다. 유리판의 하부면 표면의 굴절에 합산된 유리판의 상부면 표면의 굴절은 통상적인 유리판 및 본 발명에 따라 제조된 유리판에 대해 본원에 보고되어 있다.
도 8은 55°의 경사각에서 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서 각각의 유리의 점도 ηA의 십진 로그, 즉, lg(ηA/dPa*s)와 열간 성형의 종료 시 점도 ηE의 십진 로그, 즉, lg(ηE/dPa*s)의 총합 값의 함수로서, 통상적인 유리판의 경우 및 본원에 개시된 방법에 의해 제조된 유리판의 경우, 측정 면적(Mb) 내의 유리판의 상부면과 하부면의 근표면 굴절의 총합(mdpt)의 99.9% 분위수를 도시한 것이다. 각각의 경우에 분석된 유리판은 3.8 mm의 두께를 갖고 보로실리케이트 유리로 이루어졌다.
55°의 각도로 기울어진, 본 발명에 따라 제조된 유리판은 일반적으로 7 mdpt 미만의 유리판의 상부면의 근표면 굴절과 유리판의 하부면의 근표면 굴절의 합산된 크기를 가졌고, 예를 들어, 99.9% 분위수에 대해, 이들은 약 6 mdpt의 영역에 있었다. 이러한 경우, 측정은 유리판(33)의 상부면의 표면을 따라 인발 방향으로, 및 이에 따라 Y 방향으로 수행되었다.
이들 값으로부터, 비경사 유리판에 대해, 및 이에 따라 유리판 상에 수직으로 입사하는 광에 대해 상기 논의된 방정식 1을 사용하여, 일반적으로 7 mdpt 미만의 유리판의 상부면의 근표면 굴절과 유리판의 하부면의 근표면 굴절의 합산된 크기를 전술된 계수 4.2로 나눈 것으로, 따라서 0 mdpt 내지 약 1.7 mdpt, 및 이에 따라 보다 정확한 계산에서 1.66 mdpt 미만의 굴절률이 확인되었다. 예를 들어, 유리판 상에 수직으로 입사하는 광에 대한 99.9% 분위수로 유리판의 상부면과 하부면의 합산된 근표면 굴절의 이들 값은 약 6 mdpt의 영역에서 전술된 인자 4.2로 나눈 것, 따라서 약 1.7 미만, 또는 보다 정확한 계산에서 1.66 mdpt 미만이었다. 여기서 측정 면적(Mb) 내에서 얻어진 필터링된 값에 대해 99.9% 분위수가 확인되었다. 개별 측정과 관련하여 99.9% 분위수에 관한 설명은 평균, 특히 산술 평균에 관한 설명과 값이 달랐는데, 그 이유는 이들이 얻어진 측정치의 99.9%에 대해 이루어지고, 반면에 산술 평균이 모든 측정치의 총합을 이들의 수로 나눈 값을 다룰 뿐이므로 단지 원칙적으로만 측정치의 99.9%에 대해 유효한 설명을 할 수 없기 때문이다.
4/5/0(각도/굴절/미분 길이) 필터와 사용되고 유리 스트립으로부터 통합된 유리판의 상부면과 하부면 둘 모두의 굴절이 동시에 측정되는 ISRA VISION LABSCAN-SCREEN 2D 광학 측정 시스템을 사용하여 업계에 통상적인 측정 이외에, 4/5/0(각도/굴절/미분 길이) 필터로의 상기 언급된 필터링보다는 이러한 측정 기기로부터 필터링되지 않은 원시 데이터가 또한 평가되었고, 이들은 하기 기술된 필터링을 거쳤다.
55°의 경사각에서 얻어진 이들 값의 경우, 개별 측정 지점은 각각 0.8 mm의 인발 방향으로의 거리를 가졌다. 이들 값을 비경사 유리판에 적용하기 위해, 이들은 먼저 하기 방정식 2에 따라, 인발 방향, 및 이에 따라 Y 방향으로 얻어진 이의 값에 대해 하기와 같이 경사각(Φ)에 따라 변환되었다:
여기서,
Y 비경사 유리판 =
비경사 유리판의 경우 각각의 측정 지점의 거리
Y 경사 유리판 =
경사 유리판의 경우 각각의 측정 지점의 거리
Φ =
경사각
변환된 데이터의 경우, 각각의 측정 지점에 대한, 및 이에 따라 비경사 유리판에 대한 거리는 이후 1.4 mm였다.
이에 의해 얻어진 값이 18차 버터워스 저역 통과 필터를 사용하여 Y 또는 인발 방향으로 필터링되었고, 이의 필터 특징은 도 10에 도시되어 있다. 이러한 저역 통과 필터의 한계 파장은 20 mm였다. 도 10으로부터, 15 mm 미만의 인발 방향의 주기 또는 파장을 갖는 신호는 본질적으로 완전히 억제되었고, 약 22 mm 초과의 Y 방향의 주기 또는 파장을 갖는 신호는 본질적으로 변하지 않은 채로 유지된 것이 용이하게 명백하다. 이들 계산을 위해, Python SciPy 프로그램이 사용되었다. 이러한 필터링은 노이즈 성분 및 파괴 영향, 예를 들어, 유리판 상의 미립자 커버리지 또는 오염을 억제하기 위해 수행되었다.
그러나, 상기 필터링으로 인해, 여기서 얻어지고 보고된 값은 통상적인 유리판의 표면의 미세 코루게이션(corrugation)에 대해 전형적으로 개시되는 바와 같지 않은데, 그 이유는 미세 코루게이션의 측정이 λc = 0.25 mm의 하한 차단 파장 및 λf = 8 mm의 상한 차단 파장을 갖는 범위 내에서 일반적으로 그리고 표준 방식으로 측정되지만 이들이 상기 명시된 필러링에 의해 본질적으로 완전히 억제되지 않기 때문이다.
이러한 경우에 또한, 그리고 이에 따라 원시 데이터 및 버터워스 필터에 의한 전술된 저역 통과 필터링에 기초하여, 경사 유리판에 대해, 및 이에 따라 유리판 상에 수직으로 입사하는 광에 대해 상기 논의된 방정식 1에 의해서, 일반적으로 7 mdpt 미만, 및 일부 측정에서 심지어 5.7 mdpt 미만의 유리판의 상부면의 근표면 굴절과 유리판의 하부면의 근표면 굴절의 합산된 크기를 전술된 계수 4.2로 나눈 것으로, 따라서 0 mdpt 내지 약 1.7 mdpt, 및 이에 따라 보다 정확한 계산에서 1.66 mdpt 미만의 굴절이 제공되었다. 예를 들어, 유리판 상에 수직으로 입사하는 광에 대한 99.9% 분위수로 유리판의 상부면과 하부면의 합산된 근표면 굴절의 이들 값은 약 6 mdpt의 영역에서 전술된 인자 4.2로 나눈 것, 따라서 약 1.7 미만, 또는 보다 정확한 계산에서 1.66 mdpt 미만이었다. 본 평가에 대한 측정 기술의 경험에 기초하여, 본 발명자들은 1.7 mdpt의 값의 상기 사양이 약 +/- 0.1 mdpt의 최대 편차에 주어질 수 있다고 추정한다. 여기서 각각의 경우에 측정 면적(Mb) 내에서 얻어진 필터링된 값에 대해 99.9% 분위수가 확인되었다. 상기 이미 언급된 바와 같이, 개별 측정과 관련하여 99.9% 분위수에 관한 이들 설명은 또한 평균, 특히 산술 평균에 관한 설명과 값이 달랐는데, 그 이유는 이들이 얻어진 측정치의 99.9%에 대해 이루어지고, 반면에 산술 평균이 모든 측정치의 총합을 이들의 수로 나눈 값을 다룰 뿐이므로 단지 원칙적으로만 측정치의 99.9%에 대해 유효한 설명을 할 수 없기 때문이다.
참조 부호의 목록
1 플로트 장치
2 용융 탱크
3 용융될 배치, 특히 유리 배치
4 버너
5 유리 용융물
6 도관
7 플로트 배쓰
8 열간 성형될 유리
9 플로트 배쓰 노
10 루프 히터
11 스파우트
12 상부 롤러
13 유리 스트립
14 레어
15 바닥 및 저부 히터
16 용융 디바이스
17 처리량 조절을 위한 구성요소, 특히 제어 밸브 또는 트윌
18 처리량 조절을 위한 구성요소(17)의 상류에서 열간 성형될 용융 유리(8)의 규정된 점도 조정을 위한 디바이스
19 용융 탱크(2)로부터 분리되거나 달리 용융 탱크(2)의 일부를 형성할 수 있고 이의 규정된 점도 조정을 위해 유리 스트립(13)으로 형성될 용융 유리(8)를 수용하는, 챔버
20 유체 흐름 영역
21 유체 흐름 영역
22 챔버(19)의 벽
23 챔버(19)의 벽
24 챔버(19)의 벽
25 챔버(19)의 벽
26 감지 디바이스 또는 유닛
27 베이 또는 탱크 섹션(1)
28 베이 또는 탱크 섹션(2)
29 베이 또는 탱크 섹션(3)
30 베이 또는 탱크 섹션(4)
31 베이 또는 탱크 섹션(5)
32 베이 또는 탱크 섹션(6)
33 유리판
34 유리판(33)의 상부면
35 유리판(33)의 하부면
36 유리판(33)의 상부면(34)의 표면
37 유리판(33)의 하부면(35)의 표면
38 상부 롤러
39 상부 롤러
40 상부 롤러
41 상부 롤러
42 상부 롤러
43 상부 롤러
44 상부 롤러
45 도관(6)의 벽
46 도관(6)의 벽
47 열간 성형을 위한 디바이스 또는 장치
48 열간 성형될 유리(8) 또는 유리 스트립(13)의 상부 표면, 상부 주요 표면
49 열간 성형될 유리(8) 또는 유리 스트립(13)의 하부 표면, 하부 주요 표면
50 대칭축
51 대칭축
52 음의 z 방향으로 수직
53 음의 z 방향으로 수직
54 점선으로 도시된, 두께-기반 열간 성형을 위한 섹션(Hs)으로의 유리(8)의 진입 부위
55 열간 성형을 위한 섹션(Hs)으로부터의 유리(8)의 출구 부위
56 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리
57 추가 냉각 디바이스
Mb 굴절, 특히 근표면 굴절의 결정을 위한 면적 또는 측정 면적
Mi X 방향으로의 유리 스트립의 중간
η 점도
ηA 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서의 점도
ηE 열간 성형의 종료 시 점도
1 플로트 장치
2 용융 탱크
3 용융될 배치, 특히 유리 배치
4 버너
5 유리 용융물
6 도관
7 플로트 배쓰
8 열간 성형될 유리
9 플로트 배쓰 노
10 루프 히터
11 스파우트
12 상부 롤러
13 유리 스트립
14 레어
15 바닥 및 저부 히터
16 용융 디바이스
17 처리량 조절을 위한 구성요소, 특히 제어 밸브 또는 트윌
18 처리량 조절을 위한 구성요소(17)의 상류에서 열간 성형될 용융 유리(8)의 규정된 점도 조정을 위한 디바이스
19 용융 탱크(2)로부터 분리되거나 달리 용융 탱크(2)의 일부를 형성할 수 있고 이의 규정된 점도 조정을 위해 유리 스트립(13)으로 형성될 용융 유리(8)를 수용하는, 챔버
20 유체 흐름 영역
21 유체 흐름 영역
22 챔버(19)의 벽
23 챔버(19)의 벽
24 챔버(19)의 벽
25 챔버(19)의 벽
26 감지 디바이스 또는 유닛
27 베이 또는 탱크 섹션(1)
28 베이 또는 탱크 섹션(2)
29 베이 또는 탱크 섹션(3)
30 베이 또는 탱크 섹션(4)
31 베이 또는 탱크 섹션(5)
32 베이 또는 탱크 섹션(6)
33 유리판
34 유리판(33)의 상부면
35 유리판(33)의 하부면
36 유리판(33)의 상부면(34)의 표면
37 유리판(33)의 하부면(35)의 표면
38 상부 롤러
39 상부 롤러
40 상부 롤러
41 상부 롤러
42 상부 롤러
43 상부 롤러
44 상부 롤러
45 도관(6)의 벽
46 도관(6)의 벽
47 열간 성형을 위한 디바이스 또는 장치
48 열간 성형될 유리(8) 또는 유리 스트립(13)의 상부 표면, 상부 주요 표면
49 열간 성형될 유리(8) 또는 유리 스트립(13)의 하부 표면, 하부 주요 표면
50 대칭축
51 대칭축
52 음의 z 방향으로 수직
53 음의 z 방향으로 수직
54 점선으로 도시된, 두께-기반 열간 성형을 위한 섹션(Hs)으로의 유리(8)의 진입 부위
55 열간 성형을 위한 섹션(Hs)으로부터의 유리(8)의 출구 부위
56 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리
57 추가 냉각 디바이스
Mb 굴절, 특히 근표면 굴절의 결정을 위한 면적 또는 측정 면적
Mi X 방향으로의 유리 스트립의 중간
η 점도
ηA 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서의 점도
ηE 열간 성형의 종료 시 점도
Claims (12)
- 유리판, 특히 적어도 1.75 mm 내지 최대 7 mm의 두께(D)를 갖고, 상부면 및 하부면을 포함하고, 유리판의 표면에 평행한 적어도 하나의 방향으로 99.9% 분위수에 대해 0 mdpt 내지 1.7 mdpt 미만의 유리판 상에 수직으로 입사하는 광에 대한 500 mm × 500 mm의 정사각형 면적(Mb) 내의 상부면과 하부면으로부터의 굴절의 총합의 크기를 특징으로 하는, 특히 보로실리케이트 유리를 포함하는, 바람직하게는 열간 성형에 의해 형성된 플로팅된 유리 스트립으로부터의 통합에 의해 수득되는, 유리판.
- 제1항에 있어서, 유리판의 상부면의 표면과 하부면의 표면에서의 굴절이 측정되며, 따라서 플로트 방법에서 열간 성형 동안 주석 배쓰로부터 떨어져 있는 면의 표면과 주석 배쓰를 향하는 유리판의 면의 표면에서 측정되는 것인 유리판.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 적어도 하나의 방향은 유리판의 열간 성형에 사용되는 인발 방향에 상응하는 것인 유리판.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 중량%로 하기 성분들을 포함하는 보로실리케이트 유리를 포함하는, 유리판:
SiO2 70 내지 87, 바람직하게는 75 내지 85
B2O3 5 내지 25, 바람직하게는 7 내지 14
Al2O3 0 내지 5, 바람직하게는 1 내지 4
Na2O 0.5 내지 9, 바람직하게는 0.5 내지 6.5
K2O 0 내지 3, 바람직하게는 0.3 내지 2.5, 더욱 바람직하게는
내지 2
CaO 0 내지 3
MgO 0 내지 2. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 유리판은 플로트 유리판인 유리판.
- 유리판의 제조 방법, 특히 유리판, 특히 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 유리판의 연속 제조 방법으로서,
- 유리 원료를 포함하는 배치를 제공하는 단계,
- 배치를 용융시켜 유리 용융물을 수득하는 단계,
- 유리 용융물의 점도를 조정하는 단계,
- 유리 용융물을 특히 플로팅시킴으로써 열간 성형 장치로 이송하여 유리 스트립을 형성시키는 단계,
- 열간 성형된 유리 스트립을 통합하여 유리판을 수득하는 단계
를 포함하고,
열간 성형 장치에서의 점도는 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서 점도의 십진 로그 lg(ηA/dPa*s)와 열간 성형의 종료 시 점도의 십진 로그 lg(ηE/dPa*s)의 총합이 적어도 11.4 내지 최대 11.8이 되도록 조정되는, 유리판의 제조 방법. - 특히 제6항에 따른 방법의 특징을 갖는, 유리판의 제조 방법, 특히 유리판, 특히 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 유리판의 연속 제조 방법으로서, 유리가 플로트 배쓰를 접한 후 이의 최대 폭에 도달한 처리량 조절을 위한 구성요소로부터의 거리에서 점도의 십진 로그 lg(ηA/dPa*s)는, 특히 처리량 조절을 위한 구성요소의 하류에서 인발 방향으로 약 1.5 m의 거리에서, 특히 제2 플로트 배쓰 섹션의 시작 시, 적어도 5.0, 더욱 바람직하게는 적어도 5.1, 및 5.25 미만이고, 열간 성형의 종료 시 십진 로그 lg(ηE/dPa*s)는, 특히 처리량 조절을 위한 구성요소의 하류에서 약 10.5 m 내지 11.1 m의 인발 방향으로의 거리에서, 특히 제4 플로트 배쓰 섹션의 시작 시, 적어도 6.2, 바람직하게는 적어도 6.3, 더욱 바람직하게는 적어도 6.35이고, 여기서 바람직한 상한은 최대 6.5인, 방법.
- 제6항 또는 제7항에 있어서, 열간 성형은 플로팅에 의해 수행되는 것인 방법.
- 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 방향은 유리판 또는 유리판의 패키지 상에 특정되는 것인 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 바람직하게는 제8항 또는 제9항에 따른 방법에 의해 제조되거나 제조 가능한, 유리판.
- 전자 디바이스에서의, 특히 디스플레이 디바이스의 커버 판유리로서의, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 또는 제10항에 따른 유리판의 용도.
- 글레이징으로서, 특히 건물의 건축 글레이징으로서, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 또는 제10항에 따른 유리판의 용도.
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US5948133A (en) * | 1996-02-29 | 1999-09-07 | Asahi Glass Company Ltd. | Method for holding an edge of a molten glass flow |
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DE102017124625A1 (de) | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Schott Ag | Dünnglassubstrat, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung |
WO2019076492A1 (de) | 2017-10-20 | 2019-04-25 | Schott Ag | Dünnglassubstrat, insbesondere borosilicatglas-dünnglassubstrat verfahren und vorrichtung zu dessen herstellung |
DE102020104973A1 (de) | 2019-03-04 | 2020-09-10 | Schott Ag | Glassubstrat für eine Fahrzeugscheibe, insbesondere für die Frontscheibe eines Fahrzeugs |
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