JP2002072922A - ディスプレイ用ガラス基板およびその選別方法 - Google Patents
ディスプレイ用ガラス基板およびその選別方法Info
- Publication number
- JP2002072922A JP2002072922A JP2001145370A JP2001145370A JP2002072922A JP 2002072922 A JP2002072922 A JP 2002072922A JP 2001145370 A JP2001145370 A JP 2001145370A JP 2001145370 A JP2001145370 A JP 2001145370A JP 2002072922 A JP2002072922 A JP 2002072922A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- glass
- display
- contact
- undulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2217/00—Gas-filled discharge tubes
- H01J2217/38—Cold-cathode tubes
- H01J2217/49—Display panels, e.g. not making use of alternating current
- H01J2217/492—Details
- H01J2217/49264—Vessels
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31—Surface property or characteristic of web, sheet or block
- Y10T428/315—Surface modified glass [e.g., tempered, strengthened, etc.]
Abstract
(57)【要約】
【課題】接触剥離による帯電を抑制できるディスプレイ
用ガラス基板を提供する。 【解決手段】板厚が０．３〜６ｍｍのディスプレイ用ガ
ラス基板１であって、測定長さを２００ｍｍとし、カッ
トオフ値を０．８〜２５ｍｍとする位相補償２ＲＣ帯域
フィルタを用いた触針式表面粗さ測定器で測定されるＷ
CA（ろ波中心線うねり ）の平均値が０．０３〜０．５
μｍであることを特徴とするディスプレイ用ガラス基板
とする。
用ガラス基板を提供する。 【解決手段】板厚が０．３〜６ｍｍのディスプレイ用ガ
ラス基板１であって、測定長さを２００ｍｍとし、カッ
トオフ値を０．８〜２５ｍｍとする位相補償２ＲＣ帯域
フィルタを用いた触針式表面粗さ測定器で測定されるＷ
CA（ろ波中心線うねり ）の平均値が０．０３〜０．５
μｍであることを特徴とするディスプレイ用ガラス基板
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイ用の
ガラス基板に関し、特に、プラズマディスプレイ（ＰＤ
Ｐ）、 ＴＦＴ液晶ディスプレイ（ＴＦＴ−ＬＣＤ）、
ＳＴＮ液晶ディスプレイ（ＳＴＮ−ＬＣＤ）、プラズマ
アシスト液晶ディスプレイ（ＰＡＬＣ）、エレクトロ・
ルミネッセンス・ディスプレイ（ＥＬ）、フィールド・
エミッション・ディスプレイ（ＦＥＤ）等のフラットパ
ネルディスプレイ（平坦なディスプレイの総称）用のガ
ラス基板に関する。
ガラス基板に関し、特に、プラズマディスプレイ（ＰＤ
Ｐ）、 ＴＦＴ液晶ディスプレイ（ＴＦＴ−ＬＣＤ）、
ＳＴＮ液晶ディスプレイ（ＳＴＮ−ＬＣＤ）、プラズマ
アシスト液晶ディスプレイ（ＰＡＬＣ）、エレクトロ・
ルミネッセンス・ディスプレイ（ＥＬ）、フィールド・
エミッション・ディスプレイ（ＦＥＤ）等のフラットパ
ネルディスプレイ（平坦なディスプレイの総称）用のガ
ラス基板に関する。
【０００２】フラットパネルディスプレイでは、通常２
枚のガラス基板が用いられ、これらのガラス基板は、プ
ラズマディスプレイでは前面板と背面板等と呼ばれ、Ｔ
ＦＴ液晶ディスプレイではアレイ側基板とカラーフィル
タ側基板と呼ばれている。本発明は、これらのガラス基
板に関する。
枚のガラス基板が用いられ、これらのガラス基板は、プ
ラズマディスプレイでは前面板と背面板等と呼ばれ、Ｔ
ＦＴ液晶ディスプレイではアレイ側基板とカラーフィル
タ側基板と呼ばれている。本発明は、これらのガラス基
板に関する。
【０００３】
【従来の技術】フラットパネルディスプレイでは通常２
枚のガラス基板が使用されており、これらの２枚のガラ
ス基板の間に発光機構や光透過制御機構等が形成され
る。ガラス基板として使用されるガラスには、代表的な
ものとして、プラズマディスプレイでは高歪点ガラス
（たとえば、旭硝子社製［商品名：ＰＤ２００］）等、
ＴＦＴ液晶ディスプレイでは無アルカリホウケイ酸ガラ
ス（たとえば、旭硝子社製［商品名：ＡＮ６３５、ＡＮ
１００等］、コーニング社製［商品名：１７３７］）
等、ＳＴＮ液晶ディスプレイではソーダライムガラス
（たとえば、旭硝子社製［商品名：ＡＳ］）等がある。
枚のガラス基板が使用されており、これらの２枚のガラ
ス基板の間に発光機構や光透過制御機構等が形成され
る。ガラス基板として使用されるガラスには、代表的な
ものとして、プラズマディスプレイでは高歪点ガラス
（たとえば、旭硝子社製［商品名：ＰＤ２００］）等、
ＴＦＴ液晶ディスプレイでは無アルカリホウケイ酸ガラ
ス（たとえば、旭硝子社製［商品名：ＡＮ６３５、ＡＮ
１００等］、コーニング社製［商品名：１７３７］）
等、ＳＴＮ液晶ディスプレイではソーダライムガラス
（たとえば、旭硝子社製［商品名：ＡＳ］）等がある。
【０００４】これらのガラス基板は、フロート法、フュ
ージョン法、スリットダウンドロー法等の方法で製造さ
れている。これらの製造方法によって一定の厚さに成形
されたガラスリボンは、所定の寸法に切り出され、ガラ
ス基板として供給される。
ージョン法、スリットダウンドロー法等の方法で製造さ
れている。これらの製造方法によって一定の厚さに成形
されたガラスリボンは、所定の寸法に切り出され、ガラ
ス基板として供給される。
【０００５】ガラス基板は、室温付近の温度状態では絶
縁体であり、異種物質との接触や摩擦により容易に帯電
する。ディスプレイの製造工程においては、微細な電極
を含む様々なパターンがガラス基板上に形成されるが、
ガラス基板の帯電は、電極を形成する膜の絶縁破壊を引
き起こす原因となる。また、帯電したガラス基板は、塵
埃を引き寄せやすく、いわゆるパーティクル付着の問題
を生じさせる。
縁体であり、異種物質との接触や摩擦により容易に帯電
する。ディスプレイの製造工程においては、微細な電極
を含む様々なパターンがガラス基板上に形成されるが、
ガラス基板の帯電は、電極を形成する膜の絶縁破壊を引
き起こす原因となる。また、帯電したガラス基板は、塵
埃を引き寄せやすく、いわゆるパーティクル付着の問題
を生じさせる。
【０００６】このため、フラットパネルディスプレイの
製造工程においては、数多くの除電設備、たとえばイオ
ナイザが設置されている。イオナイザにはＤＣタイプ、
ＡＣタイプ、真空紫外線や軟Ｘ線を利用したもの等、様
々なタイプがあり、使用場所に応じて適切なタイプが選
択されている。しかし、これらイオナイザは、ガラス基
板が帯電した後に除電する設備であり、ガラス基板の帯
電を抑制するものではない。
製造工程においては、数多くの除電設備、たとえばイオ
ナイザが設置されている。イオナイザにはＤＣタイプ、
ＡＣタイプ、真空紫外線や軟Ｘ線を利用したもの等、様
々なタイプがあり、使用場所に応じて適切なタイプが選
択されている。しかし、これらイオナイザは、ガラス基
板が帯電した後に除電する設備であり、ガラス基板の帯
電を抑制するものではない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、ガラス
基板の帯電は、絶縁破壊、パーティクル付着等の問題を
引き起こす。該帯電は、様々な要因で発生するが、他の
部材との接触、剥離による帯電は、製造工程で回避でき
ない現象である。
基板の帯電は、絶縁破壊、パーティクル付着等の問題を
引き起こす。該帯電は、様々な要因で発生するが、他の
部材との接触、剥離による帯電は、製造工程で回避でき
ない現象である。
【０００８】上記接触剥離帯電は、以下のメカニズムで
発生すると考えられている。すなわち、異なる材質の二
物体が接近し、接触すると、電荷担体が両物体の接触界
面を飛び越えて、一方の物体から他の一方の物体の表面
に移動する。このとき両物体の表面間距離は、０．２〜
０．８ｎｍ程度であると考えられている。電荷担体とし
ては、電子、イオン、電荷を持った表面物質のかけら等
が考えられているが、一般的には電子の移動が支配的で
あると考えられている。接触した二物体が分離する際、
電荷の一部は逆流し、残った電荷が帯電電荷となる（以
上、村田雄司：固体物理，２７［７］，５０１−５０９
（１９９２）参照）。
発生すると考えられている。すなわち、異なる材質の二
物体が接近し、接触すると、電荷担体が両物体の接触界
面を飛び越えて、一方の物体から他の一方の物体の表面
に移動する。このとき両物体の表面間距離は、０．２〜
０．８ｎｍ程度であると考えられている。電荷担体とし
ては、電子、イオン、電荷を持った表面物質のかけら等
が考えられているが、一般的には電子の移動が支配的で
あると考えられている。接触した二物体が分離する際、
電荷の一部は逆流し、残った電荷が帯電電荷となる（以
上、村田雄司：固体物理，２７［７］，５０１−５０９
（１９９２）参照）。
【０００９】ガラス基板は、液晶ディスプレイパネル等
の製造工程で、ガラス基板吸着プレートである金属プレ
ート等と接触、剥離し、一般的には負に帯電する。すな
わち、金属プレートからガラス基板に電子が移動する。
このときの電子の移動のしやすさは、金属の仕事関数に
依存することが知られている（以上、北林宏佳他：１９
９７年春季応用物理学会予稿集，２９ａ−ＮＡ−１，３
７６（１９９７）参照）。ガラス基板がアルミニウムと
接触剥離した場合とガラス基板がニッケルと接触剥離し
た場合とを比較すると、ニッケルと接触剥離した場合の
方が帯電電位は小さい。ガラス基板が金と接触剥離した
場合には帯電電位はさらに小さい。
の製造工程で、ガラス基板吸着プレートである金属プレ
ート等と接触、剥離し、一般的には負に帯電する。すな
わち、金属プレートからガラス基板に電子が移動する。
このときの電子の移動のしやすさは、金属の仕事関数に
依存することが知られている（以上、北林宏佳他：１９
９７年春季応用物理学会予稿集，２９ａ−ＮＡ−１，３
７６（１９９７）参照）。ガラス基板がアルミニウムと
接触剥離した場合とガラス基板がニッケルと接触剥離し
た場合とを比較すると、ニッケルと接触剥離した場合の
方が帯電電位は小さい。ガラス基板が金と接触剥離した
場合には帯電電位はさらに小さい。
【００１０】ガラス基板の接触剥離帯電は、ガラス基板
と金属との接触面積にも依存することが知られている。
すなわち、ガラス基板と接触する金属プレートの表面粗
さが粗い場合には、ガラス基板と金属との接触面積は小
さく、帯電量も小さくなる。ガラス基板と金属とを繰り
返し接触させると帯電量は増加するが、これは微視的な
接触面積が増加するためと考えられる（以上、北林宏佳
他：静電気学会講演論文集，１９９６，３１−３２（１
９９６）参照）。
と金属との接触面積にも依存することが知られている。
すなわち、ガラス基板と接触する金属プレートの表面粗
さが粗い場合には、ガラス基板と金属との接触面積は小
さく、帯電量も小さくなる。ガラス基板と金属とを繰り
返し接触させると帯電量は増加するが、これは微視的な
接触面積が増加するためと考えられる（以上、北林宏佳
他：静電気学会講演論文集，１９９６，３１−３２（１
９９６）参照）。
【００１１】接触剥離帯電を抑制するためには、ガラス
基板と接触する金属プレートの材質および金属プレート
の表面粗さの選択が重要となる。金属プレートの材質の
点では、上記のように金が最適である。しかし、製造ラ
インの設備でガラス基板と接触する部分をすべて金でコ
ーティングすることは、コストがかかり、現実的な解決
策とはなりにくい。
基板と接触する金属プレートの材質および金属プレート
の表面粗さの選択が重要となる。金属プレートの材質の
点では、上記のように金が最適である。しかし、製造ラ
インの設備でガラス基板と接触する部分をすべて金でコ
ーティングすることは、コストがかかり、現実的な解決
策とはなりにくい。
【００１２】また、帯電量を左右する要因として、雰囲
気中の湿度も関係しており、湿度が高いほうが帯電しに
くいことが知られている。しかし、高湿度下では結露し
やすくなる不具合があるため、現実の製造工程では、帯
電しやすい低湿度下でフラットパネルディスプレイの製
造が行われている。したがって、フラットパネルディス
プレイの製造工程において、帯電防止対策は重要な課題
の一つである。
気中の湿度も関係しており、湿度が高いほうが帯電しに
くいことが知られている。しかし、高湿度下では結露し
やすくなる不具合があるため、現実の製造工程では、帯
電しやすい低湿度下でフラットパネルディスプレイの製
造が行われている。したがって、フラットパネルディス
プレイの製造工程において、帯電防止対策は重要な課題
の一つである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題を
解決すべくなされたものであり、板厚が０．３〜６ｍｍ
のディスプレイ用ガラス基板であって、測定長さを２０
０ｍｍとし、カットオフ値を０．８〜２５ｍｍとする位
相補償２ＲＣ帯域フィルタを用いた触針式表面粗さ測定
器（ＪＩＳ Ｂ０６５１）で測定されるＷCA（ろ波中心
線うねり：ＪＩＳ Ｂ０６１０）の平均値が０．０３〜
０．５μｍであることを特徴とするディスプレイ用ガラ
ス基板を提供する。
解決すべくなされたものであり、板厚が０．３〜６ｍｍ
のディスプレイ用ガラス基板であって、測定長さを２０
０ｍｍとし、カットオフ値を０．８〜２５ｍｍとする位
相補償２ＲＣ帯域フィルタを用いた触針式表面粗さ測定
器（ＪＩＳ Ｂ０６５１）で測定されるＷCA（ろ波中心
線うねり：ＪＩＳ Ｂ０６１０）の平均値が０．０３〜
０．５μｍであることを特徴とするディスプレイ用ガラ
ス基板を提供する。
【００１４】ガラス基板の接触剥離帯電は、ガラス基板
と金属との接触面積に依存することより、ガラス基板の
表面粗さが上記の粗さであれば、ガラス基板と金属との
接触面積は小さく、帯電量も小さくなる。
と金属との接触面積に依存することより、ガラス基板の
表面粗さが上記の粗さであれば、ガラス基板と金属との
接触面積は小さく、帯電量も小さくなる。
【００１５】本発明において、ディスプレイ用ガラス基
板はプラズマディスプレイパネルに用いられることが好
ましい。プラズマディスプレイパネルは大面積のものが
多く、上記帯電抑止効果の利点が生かせるからである。
板はプラズマディスプレイパネルに用いられることが好
ましい。プラズマディスプレイパネルは大面積のものが
多く、上記帯電抑止効果の利点が生かせるからである。
【００１６】また、本発明は、測定長さを２００ｍｍと
し、カットオフ値を０．８〜２５ｍｍとする位相補償２
ＲＣ帯域フィルタを用いた触針式表面粗さ測定器（ＪＩ
ＳＢ０６５１）でガラス基板の表面を測定し、ＷCA（ろ
波中心線うねり：ＪＩＳＢ０６１０）の平均値で０．０
３〜０．５μｍのガラス基板を選別することを特徴とす
るディスプレイ用ガラス基板の選別方法を提供する。
し、カットオフ値を０．８〜２５ｍｍとする位相補償２
ＲＣ帯域フィルタを用いた触針式表面粗さ測定器（ＪＩ
ＳＢ０６５１）でガラス基板の表面を測定し、ＷCA（ろ
波中心線うねり：ＪＩＳＢ０６１０）の平均値で０．０
３〜０．５μｍのガラス基板を選別することを特徴とす
るディスプレイ用ガラス基板の選別方法を提供する。
【００１７】ガラス基板の製造条件が変動して、所期特
性のガラス基板が１００％の歩留で得られなかった場合
でも、このような選別方法でガラス基板を選別すること
で所望のガラス基板が得られる。すなわち、従来は帯電
しにくいガラス基板を判別する方法がなかったが、本方
法により、帯電しにくいガラス基板のみを容易に選び出
して使用できる。
性のガラス基板が１００％の歩留で得られなかった場合
でも、このような選別方法でガラス基板を選別すること
で所望のガラス基板が得られる。すなわち、従来は帯電
しにくいガラス基板を判別する方法がなかったが、本方
法により、帯電しにくいガラス基板のみを容易に選び出
して使用できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明において、ガラス基板のＷ
CA（ろ波中心線うねり）は以下に述べる方法で測定され
る。東京精密社製の触針式表面粗さ測定器［商品名：サ
ーフコム５７９Ａ］によりＷCA（ろ波中心線うねり）を
測定する。まず、十分に表面を洗浄し乾燥させたガラス
基板を該ガラス基板よりも寸法の大きい測定台に載せ
る。
CA（ろ波中心線うねり）は以下に述べる方法で測定され
る。東京精密社製の触針式表面粗さ測定器［商品名：サ
ーフコム５７９Ａ］によりＷCA（ろ波中心線うねり）を
測定する。まず、十分に表面を洗浄し乾燥させたガラス
基板を該ガラス基板よりも寸法の大きい測定台に載せ
る。
【００１９】上記測定器において、測定台の移動速度は
３．０ｍｍ／秒とし、かつ、移動速度の安定した状態で
測定するために、ガラス基板表面における測定開始点か
ら２５ｍｍ手前の点から予備測定を行う。測定開始点か
らの測定長さは２００ｍｍとし、カットオフ値を０．８
〜２５ｍｍ、すなわち低域フィルタのカットオフ値を
０．８ｍｍ、高域フィルタのカットオフ値を２５ｍｍと
する測定器内蔵の位相補償２ＲＣ帯域フィルタを用い
て、ろ波中心線うねり曲線（ＪＩＳ Ｂ０６１０）を測
定する。
３．０ｍｍ／秒とし、かつ、移動速度の安定した状態で
測定するために、ガラス基板表面における測定開始点か
ら２５ｍｍ手前の点から予備測定を行う。測定開始点か
らの測定長さは２００ｍｍとし、カットオフ値を０．８
〜２５ｍｍ、すなわち低域フィルタのカットオフ値を
０．８ｍｍ、高域フィルタのカットオフ値を２５ｍｍと
する測定器内蔵の位相補償２ＲＣ帯域フィルタを用い
て、ろ波中心線うねり曲線（ＪＩＳ Ｂ０６１０）を測
定する。
【００２０】なお、前記ろ波中心線うねり曲線の傾斜補
正は測定器内蔵の直線補正方法とし、測定長さ方向の横
倍率は１倍、縦方向の倍率は２０，０００（２０Ｋ）倍
とする。本発明におけるＷCA（ろ波中心線うねり）は、
上記の条件により測定されるろ波中心線うねり曲線と測
定長さから、測定器内蔵の算出装置により計算され、測
定器装置本体に表示される値を用いる。
正は測定器内蔵の直線補正方法とし、測定長さ方向の横
倍率は１倍、縦方向の倍率は２０，０００（２０Ｋ）倍
とする。本発明におけるＷCA（ろ波中心線うねり）は、
上記の条件により測定されるろ波中心線うねり曲線と測
定長さから、測定器内蔵の算出装置により計算され、測
定器装置本体に表示される値を用いる。
【００２１】次に、ガラス基板の接触剥離帯電を抑制す
る原理について説明する。ガラス基板の接触剥離帯電
は、前述のとおり、接触する対象金属の仕事関数と接触
面積で決定される。仕事関数は、金属による固有の値で
あり不変である。しかし、接触面積はガラス基板と金属
プレートの表面の凹凸や吸着の状態で制御可能である。
電荷の移動が起こる接触距離は、０．２〜０．８ｎｍ程
度である。ガラス基板表面に適度なうねりがあると、ガ
ラス基板と金属プレートとの接触面積を実質的に低減で
きるので、接触剥離帯電を抑制できる。
る原理について説明する。ガラス基板の接触剥離帯電
は、前述のとおり、接触する対象金属の仕事関数と接触
面積で決定される。仕事関数は、金属による固有の値で
あり不変である。しかし、接触面積はガラス基板と金属
プレートの表面の凹凸や吸着の状態で制御可能である。
電荷の移動が起こる接触距離は、０．２〜０．８ｎｍ程
度である。ガラス基板表面に適度なうねりがあると、ガ
ラス基板と金属プレートとの接触面積を実質的に低減で
きるので、接触剥離帯電を抑制できる。
【００２２】一般に、ガラス基板の表面は微視的に見る
と凹凸状態となっており、その表面形状は、波長が数ｍ
ｍ程度に短い「粗さ」成分と、波長が数〜数十ｍｍの
「うねり」成分と、さらに波長が数十〜数百ｍｍの「反
り」成分に分けて考えることができる。このうち、「粗
さ」については、通常、接触する金属プレート等の方が
より粗いので、ガラス基板の「粗さ」を制御することは
意味がない。波長の長い「反り」については、金属プレ
ート上で吸着などの操作が行われた場合に、ガラス基板
が弾性変形して金属プレートに密着するため、反りを制
御しても帯電対策としては有効ではない。
と凹凸状態となっており、その表面形状は、波長が数ｍ
ｍ程度に短い「粗さ」成分と、波長が数〜数十ｍｍの
「うねり」成分と、さらに波長が数十〜数百ｍｍの「反
り」成分に分けて考えることができる。このうち、「粗
さ」については、通常、接触する金属プレート等の方が
より粗いので、ガラス基板の「粗さ」を制御することは
意味がない。波長の長い「反り」については、金属プレ
ート上で吸着などの操作が行われた場合に、ガラス基板
が弾性変形して金属プレートに密着するため、反りを制
御しても帯電対策としては有効ではない。
【００２３】一方、ガラス基板と金属プレートの接触面
積は、ガラス基板表面形状の波長が数〜数十ｍｍの、ガ
ラス基板表面の「うねり」によって大きく変化する。ガ
ラス基板表面の「うねり」の波長が数〜数十ｍｍである
と、接触面積の制御に特に顕著な効果が見られる。
積は、ガラス基板表面形状の波長が数〜数十ｍｍの、ガ
ラス基板表面の「うねり」によって大きく変化する。ガ
ラス基板表面の「うねり」の波長が数〜数十ｍｍである
と、接触面積の制御に特に顕著な効果が見られる。
【００２４】ガラス基板表面のうねりは不規則であるた
め、実際に金属プレートと接触するのは、うねりの極大
点の中で、突出している数個所から数十個所の点とな
る。この接触点において、ガラスと金属プレートの双方
がわずかな弾性変形を起こして、所定の面積における接
触となる。「うねり」の周期に対してガラス基板表面の
凹凸の振幅幅が小さい場合には、わずかな弾性変形で接
触面積が大きくなり、凹凸の振幅幅が大きい場合には接
触面積が小さくなる。
め、実際に金属プレートと接触するのは、うねりの極大
点の中で、突出している数個所から数十個所の点とな
る。この接触点において、ガラスと金属プレートの双方
がわずかな弾性変形を起こして、所定の面積における接
触となる。「うねり」の周期に対してガラス基板表面の
凹凸の振幅幅が小さい場合には、わずかな弾性変形で接
触面積が大きくなり、凹凸の振幅幅が大きい場合には接
触面積が小さくなる。
【００２５】ＷCA（ろ波中心線うねり）が０．０３μｍ
未満になると接触面積が急激に増大し、接触剥離帯電量
が増加する。ＷCA（ろ波中心線うねり）が０．５μｍ超
であると、接触剥離帯電量は問題ないが、ディスプレイ
とした場合において画像のゆがみ等の問題を引き起こ
す。「うねり」のある面がディスプレイの表面（発光機
構や光透過制御機構等に寄与しない面）であったとして
も、ディスプレイ用の基板としては好ましくない。
未満になると接触面積が急激に増大し、接触剥離帯電量
が増加する。ＷCA（ろ波中心線うねり）が０．５μｍ超
であると、接触剥離帯電量は問題ないが、ディスプレイ
とした場合において画像のゆがみ等の問題を引き起こ
す。「うねり」のある面がディスプレイの表面（発光機
構や光透過制御機構等に寄与しない面）であったとして
も、ディスプレイ用の基板としては好ましくない。
【００２６】本発明における「うねり」は、ガラス基板
の片面のみ、すなわち金属プレートと接触する面に形成
されていると、帯電防止の効果を発揮する。しかし、ガ
ラス基板の製造の際のガラス溶解後のフロート法成形工
程や、ガラス基板の研磨工程で、ガラス基板の片面のみ
にうねりを形成することは、一般的に困難である。
の片面のみ、すなわち金属プレートと接触する面に形成
されていると、帯電防止の効果を発揮する。しかし、ガ
ラス基板の製造の際のガラス溶解後のフロート法成形工
程や、ガラス基板の研磨工程で、ガラス基板の片面のみ
にうねりを形成することは、一般的に困難である。
【００２７】特にＴＦＴ−ＬＣＤ用のガラス基板におい
て、ディスプレイ基板の液晶側に配される面のＷCA（ろ
波中心線うねり）が大きくなると、セルギャップが不均
一になり表示むらを引き起こす。ＴＦＴ−ＬＣＤのセル
ギャップは、一般に２〜６μｍであり、セルギャップを
均一に保つためには、ＷCA（ろ波中心線うねり）が０．
２μｍ以下であることが好ましい。
て、ディスプレイ基板の液晶側に配される面のＷCA（ろ
波中心線うねり）が大きくなると、セルギャップが不均
一になり表示むらを引き起こす。ＴＦＴ−ＬＣＤのセル
ギャップは、一般に２〜６μｍであり、セルギャップを
均一に保つためには、ＷCA（ろ波中心線うねり）が０．
２μｍ以下であることが好ましい。
【００２８】したがって、本発明において、上記Ｗ
CA（ろ波中心線うねり）の平均値は、０．０３〜０．５
μｍである必要があり、０．０３〜０．２μｍが好まし
く、０．０３〜０．１５μｍがより好ましい。
CA（ろ波中心線うねり）の平均値は、０．０３〜０．５
μｍである必要があり、０．０３〜０．２μｍが好まし
く、０．０３〜０．１５μｍがより好ましい。
【００２９】周期的なうねりを持ったガラス基板は、フ
ロート法で製造されることが好ましい。フロート法は、
フロートバスと呼ばれる溶融金属で満たされたプール
に、融液状のガラスを連続的に供給しながら溶融金属上
にガラスリボンを形成し、ガラスリボンの自重による表
面平滑化の効果を利用して、平滑な表面を持つ板ガラス
を製造する方法である。特に、高い生産性を有し、大面
積の板ガラス製造に適している。
ロート法で製造されることが好ましい。フロート法は、
フロートバスと呼ばれる溶融金属で満たされたプール
に、融液状のガラスを連続的に供給しながら溶融金属上
にガラスリボンを形成し、ガラスリボンの自重による表
面平滑化の効果を利用して、平滑な表面を持つ板ガラス
を製造する方法である。特に、高い生産性を有し、大面
積の板ガラス製造に適している。
【００３０】フロート法で製造する板ガラスの表面うね
りの大きさは、ガラスリボンの成形条件によって左右さ
れる。すなわち、ガラスリボンの成形温度によって異な
る表面平滑化時間、ガラスリボンの厚さによって異なる
ガラスリボンに加わる張力や収縮力、等の成形状態での
履歴により変化する。言い換えれば、フロートバスへの
ガラス供給量やフロートバス内の温度分布、ガラスリボ
ンの成形時間等の成形条件を適切に調節することで、ガ
ラスリボンの成形状態を制御でき、ひいては板ガラスの
表面うねりを調節できる。
りの大きさは、ガラスリボンの成形条件によって左右さ
れる。すなわち、ガラスリボンの成形温度によって異な
る表面平滑化時間、ガラスリボンの厚さによって異なる
ガラスリボンに加わる張力や収縮力、等の成形状態での
履歴により変化する。言い換えれば、フロートバスへの
ガラス供給量やフロートバス内の温度分布、ガラスリボ
ンの成形時間等の成形条件を適切に調節することで、ガ
ラスリボンの成形状態を制御でき、ひいては板ガラスの
表面うねりを調節できる。
【００３１】また、ディスプレイ製造工程において、ガ
ラス基板寸法が大きくなると、移動電荷の総量が多くな
るため、帯電量は増加し、面積が広くなるので除電も難
しくなる。したがって、基板寸法が大きくなるほどガラ
ス基板表面のうねりによる接触剥離帯電抑制の効果が顕
著になる。フラットパネルディスプレイ中では、プラズ
マディスプレイが面積の大きなディスプレイパネルとし
て開発されており、プラズマディスプレイパネル用ガラ
ス基板において帯電を抑制することは、効果が大きい。
ゆえに、ガラスの大面積化に適したフロート法により、
ガラス基板を製造することが好ましい。
ラス基板寸法が大きくなると、移動電荷の総量が多くな
るため、帯電量は増加し、面積が広くなるので除電も難
しくなる。したがって、基板寸法が大きくなるほどガラ
ス基板表面のうねりによる接触剥離帯電抑制の効果が顕
著になる。フラットパネルディスプレイ中では、プラズ
マディスプレイが面積の大きなディスプレイパネルとし
て開発されており、プラズマディスプレイパネル用ガラ
ス基板において帯電を抑制することは、効果が大きい。
ゆえに、ガラスの大面積化に適したフロート法により、
ガラス基板を製造することが好ましい。
【００３２】
【実施例】ガラス基板として、高歪点ガラス（旭硝子社
製［商品名：ＰＤ２００］）の生地を用い、フロート法
により、板厚２．８ｍｍのガラスリボンを成形した。フ
ロート成形の際、成形温度、成形時間等の成形条件を変
えることにより、３段階のうねりを持つ板ガラスを成形
し、ガラス基板（例１〜例３）として準備した。比較用
のガラス基板として、例３のガラス基板と同一ロットの
基板を、オスカー式研磨機により、除去厚さで１０μｍ
分研磨して、評価する表面を平滑にしたガラス基板（例
４）として準備した。
製［商品名：ＰＤ２００］）の生地を用い、フロート法
により、板厚２．８ｍｍのガラスリボンを成形した。フ
ロート成形の際、成形温度、成形時間等の成形条件を変
えることにより、３段階のうねりを持つ板ガラスを成形
し、ガラス基板（例１〜例３）として準備した。比較用
のガラス基板として、例３のガラス基板と同一ロットの
基板を、オスカー式研磨機により、除去厚さで１０μｍ
分研磨して、評価する表面を平滑にしたガラス基板（例
４）として準備した。
【００３３】ガラス基板は、同一条件で製造した基板を
各１０枚準備し、フロート法でのトップ面となる面の接
触剥離帯電とうねりを評価した。ガラス基板は、帯電評
価のためのサイズである矩形で５５０ｍｍ×６５０ｍｍ
の寸法に切り出し、エッジの面取り加工を施した。ガラ
ス基板は、評価前に塩酸と水で洗浄し、熱風で十分に乾
燥した後、クリーンルーム中で以下の評価を行った。
各１０枚準備し、フロート法でのトップ面となる面の接
触剥離帯電とうねりを評価した。ガラス基板は、帯電評
価のためのサイズである矩形で５５０ｍｍ×６５０ｍｍ
の寸法に切り出し、エッジの面取り加工を施した。ガラ
ス基板は、評価前に塩酸と水で洗浄し、熱風で十分に乾
燥した後、クリーンルーム中で以下の評価を行った。
【００３４】接触剥離帯電の評価は、図１に示す専用の
実験装置を製作して行った。実験装置は、水平に設置さ
れた、ガラス基板１を吸着する金属プレートである吸着
ステージ２、吸着ステージ２の４隅に設けられた昇降ピ
ンの孔５に配された、ガラス基板１を支持して昇降させ
る昇降ピン４、帯電評価センサ６、イオナイザ７から構
成される。
実験装置を製作して行った。実験装置は、水平に設置さ
れた、ガラス基板１を吸着する金属プレートである吸着
ステージ２、吸着ステージ２の４隅に設けられた昇降ピ
ンの孔５に配された、ガラス基板１を支持して昇降させ
る昇降ピン４、帯電評価センサ６、イオナイザ７から構
成される。
【００３５】金属プレートである吸着ステージ２には、
機械加工して平坦化したアルミニウム板の表面にニッケ
ルの無電解メッキを施したものを使用した。吸着ステー
ジ２には、ガラス基板１吸着用の直径２ｍｍの孔３が縦
横に３０ｍｍ間隔で、略全面に設けられており、真空ポ
ンプに接続可能となっている。また、前記昇降ピン４が
通る直径１０ｍｍの孔である昇降ピンの孔５が４隅に設
けられている。
機械加工して平坦化したアルミニウム板の表面にニッケ
ルの無電解メッキを施したものを使用した。吸着ステー
ジ２には、ガラス基板１吸着用の直径２ｍｍの孔３が縦
横に３０ｍｍ間隔で、略全面に設けられており、真空ポ
ンプに接続可能となっている。また、前記昇降ピン４が
通る直径１０ｍｍの孔である昇降ピンの孔５が４隅に設
けられている。
【００３６】昇降ピン４には、ガラス基板１と接触する
先端にプラスチックのカバーを被せてあり（キズ防止の
ため）、ガラス基板１を吸着ステージ２と平行に任意の
高さまで突き上げることができる。本測定では、ガラス
基板１の突き上げ高さは２０ｍｍとした。
先端にプラスチックのカバーを被せてあり（キズ防止の
ため）、ガラス基板１を吸着ステージ２と平行に任意の
高さまで突き上げることができる。本測定では、ガラス
基板１の突き上げ高さは２０ｍｍとした。
【００３７】帯電評価センサ６は、ヒューグルエレクト
ロニクス社製イオナイザチェッカーＭＯＤＥＬ７２０／
７２０−１を用いた。帯電評価センサ６はガラス基板１
の上側中央部に配置され、昇降ピン４によりガラス基板
１が上昇したとき、帯電評価センサ６とガラス基板１と
の距離が１０ｍｍとなるように設置した。除電設備とし
てのイオナイザ７は、イオンシステムズ社製Ｚ−ｓｔａ
ｔ６４３０型ブロワを用いた。イオナイザ７は、ガラス
基板１の除電を必要とするときに手で保持して操作し
た。
ロニクス社製イオナイザチェッカーＭＯＤＥＬ７２０／
７２０−１を用いた。帯電評価センサ６はガラス基板１
の上側中央部に配置され、昇降ピン４によりガラス基板
１が上昇したとき、帯電評価センサ６とガラス基板１と
の距離が１０ｍｍとなるように設置した。除電設備とし
てのイオナイザ７は、イオンシステムズ社製Ｚ−ｓｔａ
ｔ６４３０型ブロワを用いた。イオナイザ７は、ガラス
基板１の除電を必要とするときに手で保持して操作し
た。
【００３８】接触剥離帯電の評価は、以下の手順で行っ
た。吸着ステージ２上にガラス基板１を載置し、昇降ピ
ン４を突き上げガラス基板１を上昇させて、所定位置で
停止させる。この状態でイオナイザ７を用いてガラス基
板１の除電を行い、ガラス基板１の帯電量をゼロにす
る。ガラス基板１の帯電量がゼロになったらイオナイザ
７を停止させる。
た。吸着ステージ２上にガラス基板１を載置し、昇降ピ
ン４を突き上げガラス基板１を上昇させて、所定位置で
停止させる。この状態でイオナイザ７を用いてガラス基
板１の除電を行い、ガラス基板１の帯電量をゼロにす
る。ガラス基板１の帯電量がゼロになったらイオナイザ
７を停止させる。
【００３９】次に昇降ピン４を下降させ、ガラス基板１
を吸着ステージ２上に載置させ、その状態で３０秒間ガ
ラス基板１をステージ２に真空吸着させる。吸着終了後
は０．１秒のブローバック（真空吸着孔３からエアを吹
き出させる）を行い、同時に速やかに昇降ピン４を突き
上げ、ガラス基板１を上昇させて停止させる。このとき
ガラス基板１が帯電するので、帯電評価センサ６により
帯電電位の最大値（単位：Ｖ）を読み取った。
を吸着ステージ２上に載置させ、その状態で３０秒間ガ
ラス基板１をステージ２に真空吸着させる。吸着終了後
は０．１秒のブローバック（真空吸着孔３からエアを吹
き出させる）を行い、同時に速やかに昇降ピン４を突き
上げ、ガラス基板１を上昇させて停止させる。このとき
ガラス基板１が帯電するので、帯電評価センサ６により
帯電電位の最大値（単位：Ｖ）を読み取った。
【００４０】剥離帯電評価後のガラス基板１を、矩形で
３００ｍｍ×３００ｍｍの寸法に切り出し、うねりの評
価を行った。ガラス基板１の表面のうねりの評価は、前
述の方法、すなわち、触針式表面粗さ測定器により、ガ
ラス基板についてＷCA（ろ波中心線うねり）を測定する
ことで行った。各ガラス基板１についてそれぞれ１０箇
所を測定し、その平均値（単位：μｍ）を求めた。帯電
評価結果を表１に、Ｗ CAの評価結果を表２に示す。
３００ｍｍ×３００ｍｍの寸法に切り出し、うねりの評
価を行った。ガラス基板１の表面のうねりの評価は、前
述の方法、すなわち、触針式表面粗さ測定器により、ガ
ラス基板についてＷCA（ろ波中心線うねり）を測定する
ことで行った。各ガラス基板１についてそれぞれ１０箇
所を測定し、その平均値（単位：μｍ）を求めた。帯電
評価結果を表１に、Ｗ CAの評価結果を表２に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】
【表２】
【００４３】また、ガラス基板の表面形状については、
触針式表面粗さ測定器のデータをパソコンに取り込み、
データのプロットを行った。例１〜例４において、各ロ
ット（いずれも、基板Ｎｏ．１〜１０）の表面形状測定
結果のうち、代表例として基板Ｎｏ．１の例を図２〜５
に示す。すなわち、例１の代表例は図２に、例２の代表
例は図３に、例３の代表例は図４に、例４の代表例は図
５にそれぞれ示される。
触針式表面粗さ測定器のデータをパソコンに取り込み、
データのプロットを行った。例１〜例４において、各ロ
ット（いずれも、基板Ｎｏ．１〜１０）の表面形状測定
結果のうち、代表例として基板Ｎｏ．１の例を図２〜５
に示す。すなわち、例１の代表例は図２に、例２の代表
例は図３に、例３の代表例は図４に、例４の代表例は図
５にそれぞれ示される。
【００４４】上記評価結果において、例１のロットでは
基板のＷCAは平均値で０．４５μｍ、例２のロットでは
平均値で０．１５μｍであり、基板の帯電電位はいずれ
も−１００Ｖ程度であった。例３のロットではＷCAは平
均値で０．０３μｍと小さくなり、帯電電位は約−４０
０Ｖとやや高めになっている。これに対し、例４の研磨
基板のロットでは、ＷCAは平均値で０．０１μｍまで小
さくなり、帯電電位が約−２０００Ｖと桁違いに高くな
り、帯電量が増加している。上記結果より、吸着ステー
ジ２と接触する面に適度な振幅のうねりを有するガラス
基板１では、接触剥離による帯電が低減されていること
がわかる。
基板のＷCAは平均値で０．４５μｍ、例２のロットでは
平均値で０．１５μｍであり、基板の帯電電位はいずれ
も−１００Ｖ程度であった。例３のロットではＷCAは平
均値で０．０３μｍと小さくなり、帯電電位は約−４０
０Ｖとやや高めになっている。これに対し、例４の研磨
基板のロットでは、ＷCAは平均値で０．０１μｍまで小
さくなり、帯電電位が約−２０００Ｖと桁違いに高くな
り、帯電量が増加している。上記結果より、吸着ステー
ジ２と接触する面に適度な振幅のうねりを有するガラス
基板１では、接触剥離による帯電が低減されていること
がわかる。
【００４５】次に、実験装置の金属プレートである吸着
ステージ２をガラス製のプレートに交換して、ガラス基
板１の吸着時の接触面積を調べる実験を行った。ガラス
製のプレートには、厚さ２０ｍｍのソーダ石灰ガラスの
ガラス板を用い、金属プレートと同様の孔を設け、ガラ
ス基板１の昇降と吸着ができる構成とした。
ステージ２をガラス製のプレートに交換して、ガラス基
板１の吸着時の接触面積を調べる実験を行った。ガラス
製のプレートには、厚さ２０ｍｍのソーダ石灰ガラスの
ガラス板を用い、金属プレートと同様の孔を設け、ガラ
ス基板１の昇降と吸着ができる構成とした。
【００４６】なお、厚さ８ｍｍ以上のガラス板は、フロ
ート成形の際、ガラスリボンの両端を横から押えながら
成形するため、厚さ６ｍｍ以下のガラスに比べ、うねり
の小さいガラス板を得ることができる。したがって、厚
さ２０ｍｍガラス板のうねりは小さい。
ート成形の際、ガラスリボンの両端を横から押えながら
成形するため、厚さ６ｍｍ以下のガラスに比べ、うねり
の小さいガラス板を得ることができる。したがって、厚
さ２０ｍｍガラス板のうねりは小さい。
【００４７】実験装置に例１〜４のガラス基板１を載置
し、Ｎａランプ（波長５８９ｎｍ）の照射の下でガラス
基板１の吸着を行い、干渉縞の形状を観察した。干渉縞
１本の間隔が２９５ｎｍ、すなわち約０．３μｍの高低
差を示す。この状態では、ガラス基板１の反りは干渉縞
の等高線により読み取れ、ガラス基板１のうねりは、の
こぎりの状の干渉縞のジグザグ模様として観察される。
し、Ｎａランプ（波長５８９ｎｍ）の照射の下でガラス
基板１の吸着を行い、干渉縞の形状を観察した。干渉縞
１本の間隔が２９５ｎｍ、すなわち約０．３μｍの高低
差を示す。この状態では、ガラス基板１の反りは干渉縞
の等高線により読み取れ、ガラス基板１のうねりは、の
こぎりの状の干渉縞のジグザグ模様として観察される。
【００４８】例１〜３のガラス基板１では、実験装置に
載置した際、干渉縞が５〜５０ｍｍのピッチでジグザグ
模様を呈していた。これらのガラス基板１をガラス製の
プレートに吸着すると、干渉縞の１本目の暗線、すなわ
ちガラス製のプレートとの距離が約０．１５μｍとなる
等高線が、直径３ｃｍ以下のいびつな楕円状となった。
載置した際、干渉縞が５〜５０ｍｍのピッチでジグザグ
模様を呈していた。これらのガラス基板１をガラス製の
プレートに吸着すると、干渉縞の１本目の暗線、すなわ
ちガラス製のプレートとの距離が約０．１５μｍとなる
等高線が、直径３ｃｍ以下のいびつな楕円状となった。
【００４９】一方、実施例４のガラス基板１では、実験
装置に載置した際、干渉縞にジグザグ模様は認められな
かった。これらのガラス基板１をガラス製のプレートに
吸着すると、１本目の暗線が直径５ｃｍから１０ｃｍの
領域に不規則に広がっている。
装置に載置した際、干渉縞にジグザグ模様は認められな
かった。これらのガラス基板１をガラス製のプレートに
吸着すると、１本目の暗線が直径５ｃｍから１０ｃｍの
領域に不規則に広がっている。
【００５０】上記結果より、うねりの少ないガラス基板
１では、ガラス製のプレートに吸着時の接触面積が増加
していることが解った。
１では、ガラス製のプレートに吸着時の接触面積が増加
していることが解った。
【００５１】
【発明の効果】本発明のガラス基板により、フラットパ
ネルディスプレイの製造工程中で発生する接触剥離によ
る帯電を抑制できる。これにより、電極を形成する膜の
絶縁破壊、パーティクル付着等の課題を解消でき、フラ
ットパネルディスプレイの品質向上が図れる。
ネルディスプレイの製造工程中で発生する接触剥離によ
る帯電を抑制できる。これにより、電極を形成する膜の
絶縁破壊、パーティクル付着等の課題を解消でき、フラ
ットパネルディスプレイの品質向上が図れる。
【図１】本発明における接触剥離帯電の評価に使用した
装置の概要を示す斜視図。
装置の概要を示す斜視図。
【図２】例１のガラス基板表面のプロファイル。
【図３】例２のガラス基板表面のプロファイル。
【図４】例３のガラス基板表面のプロファイル。
【図５】例４のガラス基板表面のプロファイル。
１：ガラス基板 ２：吸着ステージ ３：吸着孔 ４：昇降ピン ５：昇降ピンの孔 ６：帯電評価センサ ７：イオナイザ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G059 AA08 AB19 AC01 5C040 GA09 KB29 MA07 5C094 AA42 AA43 BA31 BA43 EB02 JA08 5G435 AA17 BB06 BB12 KK05 KK07 KK10
Claims (3)
- 【請求項１】板厚が０．３〜６ｍｍのディスプレイ用ガ
ラス基板であって、 測定長さを２００ｍｍとし、カットオフ値を０．８〜２
５ｍｍとする位相補償２ＲＣ帯域フィルタを用いた触針
式表面粗さ測定器（ＪＩＳ Ｂ０６５１）で測定される
ＷCA（ろ波中心線うねり：ＪＩＳ Ｂ０６１０）の平均
値が０．０３〜０．５μｍであることを特徴とするディ
スプレイ用ガラス基板。 - 【請求項２】プラズマディスプレイパネルに用いられる
請求項１に記載のディスプレイ用ガラス基板。 - 【請求項３】測定長さを２００ｍｍとし、カットオフ値
を０．８〜２５ｍｍとする位相補償２ＲＣ帯域フィルタ
を用いた触針式表面粗さ測定器（ＪＩＳ Ｂ０６５１）
でガラス基板の表面を測定し、ＷCA（ろ波中心線うね
り：ＪＩＳ Ｂ０６１０）の平均値で０．０３〜０．５
μｍのガラス基板を選別することを特徴とするディスプ
レイ用ガラス基板の選別方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001145370A JP2002072922A (ja) | 2000-06-13 | 2001-05-15 | ディスプレイ用ガラス基板およびその選別方法 |
| US09/878,413 US6818308B2 (en) | 2000-06-13 | 2001-06-12 | Glass substrate for display and method of selecting it |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000177393 | 2000-06-13 | ||
| JP2000-177393 | 2000-06-13 | ||
| JP2001145370A JP2002072922A (ja) | 2000-06-13 | 2001-05-15 | ディスプレイ用ガラス基板およびその選別方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002072922A true JP2002072922A (ja) | 2002-03-12 |
Family
ID=26593857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001145370A Withdrawn JP2002072922A (ja) | 2000-06-13 | 2001-05-15 | ディスプレイ用ガラス基板およびその選別方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6818308B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002072922A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007074610A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | フラットディスプレイ用ガラス基板 |
| JP2008120638A (ja) * | 2006-11-14 | 2008-05-29 | Asahi Glass Co Ltd | ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法 |
| JP2010120797A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板およびこれを用いたフラットパネルディスプレイ並びにガラス基板の製造方法 |
| JP2010243381A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Avanstrate Inc | 帯電性に基づくガラス板の評価方法、それを用いたガラス板の製造方法、その評価に用いる装置 |
| JP2012212156A (ja) * | 2006-06-30 | 2012-11-01 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 液晶パネル用ガラス基板、及び該ガラス基板を備える液晶パネル |
| US9120698B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-09-01 | Avanstrate Inc. | Method for making glass substrate for display, glass substrate and display panel |
| JP2015157751A (ja) * | 2012-04-17 | 2015-09-03 | ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 | ディスプレイ用ガラス基板の製造方法およびガラス基板 |
| JP2015202997A (ja) * | 2014-04-16 | 2015-11-16 | 旭硝子株式会社 | 基板、基板製造システム、剥離装置、基板製造方法および剥離方法 |
| JPWO2017065138A1 (ja) * | 2015-10-15 | 2018-08-02 | 旭硝子株式会社 | ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10115309A1 (de) * | 2001-03-28 | 2002-10-02 | Gnothis Holding Sa Ecublens | Mikroskopanordnung zur Fluoreszenzspektorskopie, insbesondere Fluoreszenzkorrelationsspektroskopie |
| JP3922986B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2007-05-30 | 日本板硝子株式会社 | ディスプレイ用ガラス基板 |
| DE102004052568B4 (de) * | 2004-10-29 | 2012-02-02 | Schott Ag | Dünnglas-Substrat und Verfahren zur Herstellung von Dünnglas |
| DE102006054011B4 (de) * | 2006-11-16 | 2009-01-02 | Schott Ag | Verfahren zum Herstellen von Flachglasscheiben für Displayanwendungen und Verwendung der Glasscheiben |
| KR20100062602A (ko) * | 2008-12-02 | 2010-06-10 | 삼성전자주식회사 | 유리 기판, 그를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| JP5709032B2 (ja) * | 2010-02-12 | 2015-04-30 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスフィルムの製造方法 |
| FR2964473B1 (fr) * | 2010-09-03 | 2012-08-17 | Saint Gobain | Vitrage multiple a diffusion variable par cristaux liquides, son procede de fabrication |
| US9676649B2 (en) | 2011-08-26 | 2017-06-13 | Corning Incorporated | Glass substrates with strategically imprinted B-side features and methods for manufacturing the same |
| US20130156530A1 (en) * | 2011-12-14 | 2013-06-20 | Intermolecular, Inc. | Method and apparatus for reducing contamination of substrate |
| FR2985327B1 (fr) * | 2011-12-29 | 2013-12-20 | Saint Gobain | Vitrage multiple a diffusion variable par cristaux liquides, son procede de fabrication |
| FR2985328B1 (fr) | 2011-12-29 | 2013-12-20 | Saint Gobain | Vitrage multiple a diffusion variable par cristaux liquides |
| FR2987907B1 (fr) * | 2012-03-08 | 2014-02-21 | Saint Gobain | Valve optique et son procede de fabrication |
| US10153268B2 (en) | 2014-08-12 | 2018-12-11 | Corning Incorporated | Organic surface treatments for display glasses to reduce ESD |
| KR20240044359A (ko) | 2022-09-28 | 2024-04-04 | 쇼오트 테크니컬 글래스 솔루션즈 게엠베하 | 낮은 광학 결함, 특히 낮은 근표면 굴절을 갖는 유리판, 이의 제조 방법 및 이의 용도 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3652891A (en) * | 1970-07-20 | 1972-03-28 | Ncr Co | Plasma display panel having display and counter conductors on one plate |
| GB2171990B (en) * | 1985-03-08 | 1988-12-07 | Central Glass Co Ltd | Method of strengthening glass article formed of float glass by ion exchange and strengthened glass article |
| JP2823725B2 (ja) * | 1992-01-18 | 1998-11-11 | シャープ株式会社 | カラー薄膜ｅｌパネル |
| US5817383A (en) * | 1994-02-24 | 1998-10-06 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Substrate of electrode for liquid crystal |
| JPH09281508A (ja) * | 1996-04-12 | 1997-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその作製方法 |
| US5925438A (en) * | 1996-06-17 | 1999-07-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Antireflection film |
| JP3321029B2 (ja) * | 1997-06-18 | 2002-09-03 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| TW396365B (en) * | 1997-08-27 | 2000-07-01 | Toray Industries | Plasma display decive and its method of manufacture |
| US6210805B1 (en) * | 1998-01-29 | 2001-04-03 | Asahi Glass Company Ltd. | Glass plate provided with a conductive layer, method for its production, conductive paste and window for an automobile |
| JP3634702B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2005-03-30 | キヤノン株式会社 | 電子源基板及び画像形成装置 |
| MY127591A (en) * | 1999-03-31 | 2006-12-29 | Hoya Corp | Substrate for an information recording medium, information recording medium using the substrate, and method of producing the substrate |
-
2001
- 2001-05-15 JP JP2001145370A patent/JP2002072922A/ja not_active Withdrawn
- 2001-06-12 US US09/878,413 patent/US6818308B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007074610A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | フラットディスプレイ用ガラス基板 |
| JP2007169138A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Nippon Electric Glass Co Ltd | フラットディスプレイ用ガラス基板 |
| JP2012212156A (ja) * | 2006-06-30 | 2012-11-01 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 液晶パネル用ガラス基板、及び該ガラス基板を備える液晶パネル |
| JP2012215894A (ja) * | 2006-06-30 | 2012-11-08 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 反射ミラー用ガラス基板及び該ガラス基板を備える反射ミラー |
| JP2008120638A (ja) * | 2006-11-14 | 2008-05-29 | Asahi Glass Co Ltd | ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法 |
| JP2010120797A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板およびこれを用いたフラットパネルディスプレイ並びにガラス基板の製造方法 |
| JP2010243381A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Avanstrate Inc | 帯電性に基づくガラス板の評価方法、それを用いたガラス板の製造方法、その評価に用いる装置 |
| JP2015157751A (ja) * | 2012-04-17 | 2015-09-03 | ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 | ディスプレイ用ガラス基板の製造方法およびガラス基板 |
| US9120698B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-09-01 | Avanstrate Inc. | Method for making glass substrate for display, glass substrate and display panel |
| US9126858B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-09-08 | Avanstrate Inc. | Method for making glass substrate for display, glass substrate and display panel |
| JP2015202997A (ja) * | 2014-04-16 | 2015-11-16 | 旭硝子株式会社 | 基板、基板製造システム、剥離装置、基板製造方法および剥離方法 |
| JPWO2017065138A1 (ja) * | 2015-10-15 | 2018-08-02 | 旭硝子株式会社 | ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020012160A1 (en) | 2002-01-31 |
| US6818308B2 (en) | 2004-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002072922A (ja) | ディスプレイ用ガラス基板およびその選別方法 | |
| JP5961719B2 (ja) | ディスプレイ用ガラス基板の製造方法およびガラス基板 | |
| KR100798432B1 (ko) | 유리 스페이서와 상기 스페이서를 사용하는 방법 | |
| US20120058306A1 (en) | Glass substrate and method for producing same | |
| JP5066895B2 (ja) | ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法 | |
| JP4582498B2 (ja) | ガラス基板 | |
| JP2014201445A (ja) | ディスプレイ用ガラス基板、その製造方法及びそれを用いたディスプレイ用パネルの製造方法 | |
| US20130306995A1 (en) | Method for making glass substrate for display, glass substrate and display panel | |
| JP7256473B2 (ja) | ガラス基板及びその製造方法 | |
| JP2021514928A (ja) | 静電帯電の低減のための起伏加工済みガラス表面 | |
| JP2014201446A (ja) | ディスプレイ用ガラス基板及びその製造方法、並びにディスプレイ用パネルの製造方法 | |
| KR100590274B1 (ko) | 유리 스페이서 | |
| KR20140042640A (ko) | 글래스 기판 및 글래스 기판의 제조 방법 | |
| JP3922986B2 (ja) | ディスプレイ用ガラス基板 | |
| CN102446674A (zh) | 显示器用玻璃基板及其分选方法 | |
| JP6870617B2 (ja) | ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法 | |
| JP2011016202A (ja) | 異物研磨装置 | |
| JP2001343632A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JP2009503820A (ja) | 型および物品を整合配置する方法 | |
| JP2011016207A (ja) | 異物研磨装置 | |
| CN103373818B (zh) | 显示器用玻璃基板的制造方法、玻璃基板以及显示器用面板 | |
| JP5572195B2 (ja) | ガラス基板、および、ガラス基板の製造方法 | |
| KR20210035991A (ko) | 작업 스테이지 수선 방법 | |
| JP2015067512A (ja) | ディスプレイ用ガラス基板、ディスプレイ用ガラス基板の製造方法 | |
| JP2006244747A (ja) | ディスプレーパネル用基板及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050315 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070529 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070709 |