WO2017018275A1 - ガラス基板、積層基板、積層基板の製造方法、積層体、梱包体、およびガラス基板の製造方法 - Google Patents

ガラス基板、積層基板、積層基板の製造方法、積層体、梱包体、およびガラス基板の製造方法 Download PDF

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substrate
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laminated
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優 塙
周平 野村
和孝 小野
暢彦 竹下
圭輔 花島
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旭硝子株式会社
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    • Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Definitions

  • the present invention relates to a glass substrate, a laminated substrate, a method for producing a laminated substrate, a laminate, a package, and a method for producing a glass substrate.
  • the degree of integration is increasing while miniaturization is progressing. Accordingly, there is an increasing demand for packaging technology for devices having a high degree of integration.
  • the conventional semiconductor assembly process after the wafer-state glass substrate and the silicon-containing substrate are cut, the glass substrate and the silicon-containing substrate are bonded together, and die bonding, wire bonding, molding, etc. A series of assembly processes is performed.
  • Patent Document 1 proposes a supporting glass substrate used for a wafer level package.
  • the present invention provides a glass substrate, a laminated substrate, and a laminated substrate in which bubbles are less likely to enter between the glass substrate and the silicon-containing substrate in a step of bonding a glass substrate and a substrate containing silicon to form a laminated substrate.
  • the manufacturing method of this, a laminated body, a package, and the manufacturing method of a glass substrate are provided.
  • the glass substrate of the present invention is a glass substrate for forming a laminated substrate by being laminated with a substrate containing silicon, the glass substrate having a concave surface and a convex surface, and identifying the concave surface and the convex surface It is characterized by having a mark that can be made.
  • the laminated substrate of the present invention is formed by laminating the convex surface of the glass substrate and a substrate containing silicon.
  • the method for producing a laminated substrate of the present invention includes a step of bonding a curved surface formed of a convex surface or a concave surface of the glass substrate and a curved surface formed of a convex surface or a concave surface of a substrate containing silicon so that the curved surfaces of each other follow each other.
  • the laminate of the present invention is formed by attaching another glass substrate to the glass substrate constituting the laminate substrate.
  • the package of the present invention is formed by packing two or more of the glass substrates, and is packed so that the convex surface of one glass substrate of the glass substrate faces the concave surface of the other glass substrate.
  • the packaging body of the present invention is formed by packing two or more of the above-mentioned multilayer substrates, and a substrate containing silicon constituting one multilayer substrate of the multilayer substrate is a glass substrate constituting another multilayer substrate It is packed so that it may oppose the concave surface of.
  • the packaging body of the present invention is formed by packing two or more of the above-mentioned laminates, and a substrate containing silicon constituting one laminate of the laminate is a glass substrate constituting another laminate. It is packed so that it may oppose the concave surface of.
  • the method for producing a glass substrate of the present invention is a method for producing a glass substrate for forming a laminated substrate by being laminated with a substrate containing silicon, A melting step of heating the glass raw material to obtain molten glass; A molding step for obtaining a glass ribbon by forming the molten glass into a plate shape; and A slow cooling step of slowly cooling the glass ribbon; A cutting step of cutting the glass ribbon to obtain a glass substrate; An inspection step of discriminating between the concave surface and the convex surface of the glass substrate; And a step of marking at least one of the concave surface and the convex surface to obtain the glass substrate.
  • the glass substrate, the laminated substrate, the laminated substrate manufacturing method, the laminated body, the package, and the glass substrate manufacturing method of the present invention in the step of laminating the glass substrate and the silicon-containing substrate, It is difficult for bubbles to enter between the glass substrate and the substrate containing silicon.
  • FIG. 1A and 1B show the glass substrate of the first embodiment of the present invention to be bonded to a substrate containing silicon
  • FIG. 1A is a cross-sectional view before bonding
  • FIG. ) Shows a cross-sectional view after bonding
  • 2A to 2C show the glass substrate of the first embodiment of the present invention
  • FIG. 2A is a top view
  • FIG. 2B is a bottom view
  • FIG. 2C is a cross-sectional view.
  • Indicates. 3A to 3C show a glass substrate in which notches are formed as marks
  • FIG. 3A is a top view
  • FIG. 3B is a bottom view
  • FIG. 3C is a cross-sectional view.
  • FIGS. 5A to 5C show a state in which the glass substrate according to the first embodiment of the present invention is supported by a support member.
  • FIG. 5A is a plan view
  • FIGS. (C) shows a cross-sectional view.
  • 6A to 6C show a state in which the glass substrate according to the first embodiment of the present invention is supported by the support member.
  • FIG. 6A is a plan view
  • FIG. 6B and FIG. C) shows a cross-sectional view.
  • 7A to 7C show a glass substrate according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7A is a top view
  • FIG. 7A is a top view
  • FIG. 7A is a top view
  • FIG. 7B is a bottom view
  • FIG. 7C is a cross-sectional view.
  • Indicates. 8A to 8C show a glass substrate according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 8A is a top view
  • FIG. 8B is a bottom view
  • FIG. 8C is a cross-sectional view.
  • Indicates. 9A to 9C show a glass substrate according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9A is a top view
  • FIG. 9B is a bottom view
  • FIG. 9C is a cross-sectional view.
  • FIG. 10 shows a cross-sectional view of a package according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 shows a cross-sectional view of a package according to an embodiment of the present invention.
  • 12A and 12B are cross-sectional views for explaining the relationship between the curved surface of the glass substrate and the curved surface of the substrate containing silicon in the manufacturing process of the laminated
  • 1A and 1B are cross-sectional views of the glass substrate according to the first embodiment of the present invention to be bonded to a substrate containing silicon.
  • the glass substrate G1 of the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1A is bonded at a temperature of 200 ° C. to 400 ° C., for example, with a substrate 10 containing silicon and a resin 20 interposed therebetween. Together, a laminated substrate 30 shown in FIG. 1B is obtained.
  • a full-size wafer for example, a silicon wafer
  • the substrate 10 containing silicon may be a wafer on which an element is formed, a substrate in which a chip (for example, a silicon chip) obtained by cutting an element from the wafer is molded in a resin, a silicon wafer, a silicon chip, or the like.
  • a silicon substrate other than a silicon substrate such as a glass substrate such as TGV or a resin substrate.
  • the silicon substrate and the glass substrate are connected to each other by, for example, copper.
  • the resin 20 can withstand a temperature of 200 to 400 ° C., for example.
  • the glass substrate of the first embodiment of the present invention is suitable as a supporting glass substrate for a fan-out type wafer level package. Further, it is suitable as a glass substrate for an image sensor such as MEMS, CMOS, CIS, etc., which is effective for miniaturization of an element by a wafer level package, a glass interposer (GIP) perforated substrate, and a support glass for a semiconductor back grind.
  • an image sensor such as MEMS, CMOS, CIS, etc.
  • GIP glass interposer
  • the glass substrate of the first embodiment of the present invention has no waviness, one main surface is a concave surface, and the other one main surface that faces is a convex surface.
  • the convex surface or concave surface referred to in the present invention means identifying whether a macroscopic curved surface is a convex surface or a concave surface using the SEMI standard. From this, the “no undulation” of the glass substrate of the first embodiment does not mean that there is no microscopic undulation in the glass substrate.
  • the convex surface or concave surface referred to in the present invention may be identified by using SEMI standard BOW (MF534) or WARP (MF657, MF1390).
  • BOW may be used
  • WARP may be used.
  • BOW is a substrate that is not sucked and fixed, and is represented by the distance from a specified reference plane to the center plane of the substrate.
  • the reference surface side is a concave surface, and the surface opposite to the concave surface is a convex surface.
  • the reference plane is determined by the thickness center line of the substrate.
  • WARP is a substrate that is not sucked and fixed, and is represented by the difference between the maximum value and the minimum value of the distance between the reference surface and the substrate center surface with respect to a specified reference surface.
  • the reference plane is determined by the least square method, and the substrate center plane is set so that the difference between the maximum value and the minimum value is minimized.
  • the side where the maximum value exists is a convex surface, and the surface where the minimum value exists is a concave surface.
  • the convex surface does not have a reverse warp that becomes a depression.
  • the curvature of a convex surface is small so that a laminated substrate may not warp large. Therefore, it is difficult to distinguish which is concave or convex when stacking with a substrate containing silicon, and a mark that can distinguish the concave and convex surfaces is required.
  • FIG. 2A to 2C show the glass substrate G1 according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A is a top view
  • FIG. 2B is a bottom view
  • FIG. It is sectional drawing.
  • the glass substrate G1 of the first embodiment of the present invention is a glass substrate for forming a laminated substrate by being laminated with a substrate containing silicon, and the glass substrate G1 has a concave surface G1A and a convex surface G1B.
  • the concave surface G1A and the convex surface G1B have a mark that can be distinguished.
  • the concave surface G1A and the convex surface G1B of the glass substrate G1 can be identified, and in the step of bonding the glass substrate G1 and the silicon-containing substrate to form a laminated substrate, By bonding the convex surface G1B of the substrate G1 and the substrate containing silicon, bubbles are less likely to enter between the glass substrate G1 and the substrate containing silicon. When bubbles enter, the flatness of the substrate containing silicon constituting the laminated substrate deteriorates, and in the step of polishing the substrate containing silicon, the thickness deviation of the substrate containing silicon becomes large, and patterning is difficult in the subsequent steps. .
  • the laminated substrate when the laminated substrate is heated, bubbles expand, and the glass substrate and the substrate containing silicon are easily separated.
  • the glass substrate G1 of the first embodiment of the present invention is laminated, bubbles are unlikely to enter between the glass substrate G1 and the substrate containing silicon. Therefore, the flatness of the substrate containing silicon constituting the laminated substrate is good, and in the step of polishing the substrate containing silicon, the thickness deviation of the substrate containing silicon is small, and patterning is easy in the subsequent steps. Further, even when the laminated substrate is heated, the glass substrate and the substrate containing silicon are hardly separated.
  • the glass substrate G1 of the first embodiment of the present invention is formed on the convex surface G1B, two marks 130 and 140 having a shape different from each other and identifying the concave surface G1A and the convex surface G1B formed on the concave surface G1A.
  • Two marks 150 and 160 having the same shape as the marks on the concave surface G1A corresponding to the positions facing the two marks 130 and 140 on the concave surface G1A for identifying the concave surface G1A and the convex surface G1B, respectively. It is preferable that the line L connecting the two marks 150 and 160 so as to be the shortest on the convex surface G1B does not pass through the center of gravity F on the convex surface G1B.
  • the concave surface G1A and the convex surface G1B of the glass substrate G1 can be identified by the marks 150, 160, 130, and 140.
  • the mark may be, for example, a paint or a dent engraved by a laser or the like.
  • “the two marks 130 and 140 having different shapes formed on the concave surface G1A and the marks on the concave surface G1A corresponding to the positions facing the two marks 130 and 140 of the concave surface G1A formed on the convex surface G1B. Includes two marks 150 and 160 having the same shape as "", even if the two marks 130 and 140 of the concave surface G1A are formed so as to penetrate the convex surface G1B, and the two marks 150 and 160 of the concave surface G1B are configured. Means good. Examples of such marks include through-holes formed by a laser or the like, and notches such as notches and orientation flats (hereinafter referred to as orientation flats) formed at the end of the glass substrate G1.
  • An orientation flat is a notch formed by cutting an end of a glass substrate into an arc shape.
  • the notch is a V-shaped or U-shaped notch formed at the end of the glass substrate.
  • 3A to 3C show a glass substrate in which a notch is formed as a mark.
  • FIG. 3A is a top view
  • FIG. 3B is a bottom view
  • FIG. 3C is a cross-sectional view. .
  • the position of the notch can be detected by, for example, a laser on the glass substrate G1.
  • the notch may be detected by imaging the glass substrate with a camera and performing image analysis. Since the mark is a notch, when the circuit pattern is formed on the substrate 10 containing silicon, the position and angle of the substrate 10 containing silicon can be specified in accordance with the notch, and the circuit pattern can be misaligned. Can be suppressed.
  • the notch is a notch, the loss area of the glass substrate G1 is small, and it is easy to bond the substrate 10 containing silicon. If the notch is orientation flat, it is easy to form a notch, and the position of the notch is easy to detect.
  • the mark is preferably in an area within 20 mm from the end of the glass substrate G1. If it is an area within 20 mm from the edge of the glass substrate G1, it does not interfere with the circuit pattern formed on the substrate containing silicon even if there is a mark.
  • the position of the mark is more preferably in a region within 10 mm from the end of the glass substrate G1, more preferably in a region within 5 mm, and particularly preferably at the end of the glass substrate.
  • the mark is preferably formed by cutting out the end surface of the glass substrate G1. Examples of such marks include the notches and orientation flats described above.
  • the concave surface G1A and the convex surface G1B will be described.
  • the marks 150 and 160 there are two marks 150 and 160 having different shapes, and the mark 150 is larger than the mark 160.
  • the marks 150 and 160 are circular through holes, and the marks 150 and 130 and the marks 160 and 140 are the same.
  • the convex surface G1B and the mark 150 to the glass substrate G1 If it is as shown in FIG. 2B where the mark 160 is in the region of 180 ° counterclockwise with respect to the center of gravity I ( ⁇ is greater than 180 °), it can be seen that it is a concave surface G1A.
  • the mark 160 is formed at a position where ⁇ is 180 °, the concave surface G1A and the convex surface G1B cannot be distinguished.
  • the line connecting the two marks 150, 160 on the convex surface G1B so as to be the shortest on the convex surface G1B passes through the center of gravity F on the convex surface G1B.
  • the line connecting the two marks 150, 160 of the convex surface G1B so as to be the shortest does not pass through the center of gravity F on the convex surface.
  • ⁇ does not become 180 °, and the concave surface G1A and the convex surface G1B can be distinguished.
  • the line connecting the two marks 150 and 160 on the convex surface G1B so as to be the shortest does not pass through a region of 1 mm from the center of gravity F on the convex surface, more preferably not through a region of 5 mm. More preferably, it does not pass through.
  • the positions of the marks 150 and 160 can be specified by, for example, imaging the convex surface G1B of the glass substrate G1 with a camera and performing image analysis.
  • 4 (A) to 4 (B) are cross-sectional views showing a state in which the glass substrate of the first embodiment of the present invention and the substrate containing silicon are bonded together.
  • FIG. 4A shows a state in which the glass substrate G1 is bonded to the substrate 10 containing silicon through the resin 20 so that the convex surface G1B of the glass substrate G1 becomes a bonding surface.
  • FIG. 4B shows a laminated substrate 30 formed by bonding the convex surface G1B of the glass substrate G1 and the substrate 10 containing silicon via the resin 20.
  • the laminated substrate 30 formed by bonding the glass substrate G1 and the substrate 10 containing silicon is less likely to have bubbles between the glass substrate G1 and the substrate 10 containing silicon.
  • residual stress is unlikely to occur in the glass substrate G1 and the substrate 10 containing silicon, and cracking and chipping are unlikely to occur.
  • stress is not easily generated in the wiring, and the wiring is not easily disconnected.
  • FIGS. 5A to 5C and FIGS. 6A to 6C show a state when the glass substrate of the first embodiment of the present invention is supported by the support member.
  • 5A and 6A are plan views
  • FIGS. 5B and 5C and FIGS. 6B and 6C are cross-sectional views.
  • 5B and 6B are cross-sectional views when the convex surface G1B is supported
  • FIGS. 5C and 6C are cross-sectional views when the concave surface G1A is supported.
  • the glass substrate G1 of the first embodiment of the present invention is preferably supported at four points by the support member 110 as shown in FIG.
  • contamination of the surface of the glass substrate G1 due to dust or the like can be prevented.
  • the glass substrate G1 bends due to its own weight, if the convex surface G1B of the glass substrate G1 is supported by the support member 110 as shown in FIG. 5B and stored and transported, the glass substrate G1 is likely to be deformed due to the deflection. On the other hand, it is preferable to store and transport the concave surface G1A of the glass substrate G1 supported by the support member 110 as shown in FIG. 5C because the glass substrate G1 is difficult to deform.
  • the glass substrate G1 may be supported on two sides by the support member 120 as shown in FIGS.
  • the glass substrate G1 can be stably stored and transported by being supported on two sides. Further, when the glass substrate G1 is stored and transported, contamination of the glass substrate G1 surface due to dust or the like can be prevented. As shown in FIG. 6C, it is more preferable to support the concave surface G1A of the glass substrate G1 because the glass substrate G1 is difficult to deform.
  • the thickness of the glass substrate is V (unit: mm)
  • the gravity center of the convex surface G1B and the horizontal plane U / V is preferably 0.05 to 50, where U (unit: mm) is the shortest distance between If U / V is 0.05 or more, in the step of laminating the glass substrate G1 and the substrate containing silicon to form a laminated substrate, by bonding the convex surface G1B of the glass substrate G1 and the substrate containing silicon, It is difficult for bubbles to enter between the glass substrate G1 and the substrate containing silicon.
  • U / V is more preferably 1 or more, and further preferably 5 or more. If U / V is 50 or less, it is easy to bond the glass substrate G1 and the substrate containing silicon. U / V is more preferably 30 or less, and even more preferably 10 or less.
  • FIG. 7A to 7C show a glass substrate G2 according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7A is a top view
  • FIG. 7B is a bottom view
  • FIG. It is sectional drawing.
  • two marks 230, 240 having a mark that can distinguish the concave surface G2A and the convex surface G2B are formed on the concave surface G2A, and the distances from the center of gravity on the concave surface G2A are different from each other.
  • the line M connecting the two marks 210 and 220 so as to be the shortest on the convex surface G2B does not pass through the center of gravity J on the convex surface G2B. If this condition is satisfied, the concave surface G2A and the convex surface G2B of the glass substrate G2 can be more reliably identified by the marks 210, 220, 230, and 240.
  • FIGS. 7A and 7B there are two marks 230 and 240 having different distances S and T from the center of gravity K on the concave surface G2A on the concave surface G2A of the glass substrate G2. Is closer to the center of gravity K than the mark 240.
  • the marks 210 and 220 are circular through holes, and the marks 210 and 230 and the marks 220 and 240 are the same.
  • a mark 220 is marked in a region less than 180 ° counterclockwise from the mark 210 with respect to the center of gravity J of the glass substrate G2 [ ⁇ in FIG. 7A is less than 180 °].
  • ⁇ in FIG. 7A is less than 180 °.
  • the concave surface G2A cannot be distinguished from the convex surface G2B.
  • a line connecting the two marks 210 and 220 on the convex surface G2B so as to be the shortest passes through the center of gravity J on the convex surface G2B.
  • the line connecting the two marks 210 and 220 of the convex surface G2B so as to be the shortest on the convex surface G2B does not pass through the center of gravity J on the convex surface.
  • the line connecting the two marks 210, 220 of the convex surface G2B so as to be the shortest on the convex surface G2B preferably does not pass through the 1 mm region from the center of gravity J on the convex surface, and more preferably does not pass through the 5 mm region. More preferably, it does not pass through a 10 mm area.
  • the positions of the marks 210 and 220 can be specified by, for example, imaging the convex surface G2B of the glass substrate G2 with a camera and performing image analysis.
  • FIGS. 8A to 8C and FIGS. 9A to 9C show a glass substrate G3 according to the third embodiment of the present invention, and FIGS. 8A and 9A are top views. 8 (B) and 9 (B) are bottom views, and FIG. 8 (C) and FIG. 9 (C) are cross-sectional views.
  • the mark that can distinguish the concave surface G3A and the convex surface G3B is a mark formed on at least one of the concave surface G3A or the convex surface G3B, and the mark of the concave surface G3A and the convex surface G3B It is preferable that at least one of the number, shape, and distance from the center of gravity of the marks differs from the marks.
  • the number of marks on the concave surface G3A is different from the number of marks on the convex surface G3B.
  • the difference in the number of marks includes the case where there is no mark on either the concave surface G3A or the convex surface G3B.
  • 8A to 8C have a mark 310 on the concave surface G3A and no mark on the convex surface G3B.
  • the shapes of the mark 330 on the concave surface G3A and the marks 320 on the convex surface G3B and the distances Q and P from the centers of gravity R and O are different.
  • the concave surface G3A and the convex surface G3B can be discriminated by measuring the shape of the mark on the concave surface G3A and the mark on the convex surface G3B.
  • at least one of the marks may be different from the shape of the other marks.
  • the marks on the concave surface G3A and the convex surface G3B are previously marked. If the formation is determined, the concave surface G3A and the convex surface G3B can be discriminated by measuring the distances Q and P from the centers of gravity R and O of the mark 330 on the concave surface G3A and the mark 320 on the convex surface G3B. it can. When there are two or more marks on at least one of the concave surface G3A and the convex surface G3B, the distance to the centroid of at least one of the marks may be different from the distance to the centroid of the other marks.
  • the concave surface and the convex surface of the glass substrate can be identified, so that in the step of bonding the glass substrate and the silicon-containing substrate, the convex surface of the glass substrate is identified. Since the convex surface and the substrate containing silicon are bonded together, bubbles are unlikely to enter between the glass substrate and the substrate containing silicon.
  • At least one of the marks is preferably a depression.
  • the depression can be formed by a laser, for example.
  • the shape, size, and number of indentations are not limited. Any shape such as a circle, an ellipse, or a polygon may be used, and a character or symbol may be used.
  • the depth of the depression is preferably 1 to 50 ⁇ m. If the depth of the depression is 1 ⁇ m or more, the depression is easy to detect.
  • the depth of the recess is more preferably 3 ⁇ m or more, and further preferably 4 ⁇ m or more. If the depth of the recess is 50 ⁇ m or less, the glass substrate is difficult to break.
  • the depth of the recess is more preferably 20 ⁇ m or less, and more preferably 10 ⁇ m or less.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has an area of one main surface of 70 to 2000 cm 2 . If the area of the glass substrate is 70 cm 2 or more, a silicon-containing substrate including a large number of silicon elements can be disposed, and productivity is improved in the step of stacking the glass substrate and the silicon-containing substrate.
  • the area of one main surface of the glass substrate is more preferably 80 cm 2 or more, further preferably 170 cm 2 or more, particularly preferably 300 cm 2 or more, and most preferably 700 cm 2 or more. If the area of one main surface of a glass substrate is 2000 cm ⁇ 2 > or less, handling of a glass substrate will become easy and the damage by contact with the board
  • Area of the one main surface is more preferably 1700 cm 2 or less, still more preferably 1000 cm 2 or less, particularly preferably at 800 cm 2 or less, and most preferably 750 cm 2 or less.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention is preferably circular. If it is circular, lamination with a substrate containing silicon is easy. In particular, lamination with a substrate containing circular silicon is easy.
  • the circular shape is not limited to a perfect circle but includes a case where a dimensional difference from a perfect circle having the same diameter is 50 ⁇ m or less.
  • the diameter is preferably 7 cm or more. If the diameter is 7 cm or more, a silicon-containing substrate including a large number of silicon elements can be disposed. In addition, a large number of semiconductor elements can be obtained from a stacked substrate formed by bonding a glass substrate having a diameter of 7 cm or more and a substrate containing silicon, and productivity is improved.
  • the diameter is more preferably 10 cm or more, further preferably 15 cm or more, particularly preferably 20 cm or more, and most preferably 25 cm or more.
  • the diameter is preferably 50 cm or less. When the diameter is 50 cm or less, the glass substrate can be easily handled, and damage due to contact with a silicon-containing substrate or a peripheral member can be suppressed.
  • the diameter is more preferably 45 cm or less, further preferably 40 cm or less, and particularly preferably 35 cm or less.
  • the glass substrate according to an embodiment of the present invention is not limited to a circle but may be a rectangle.
  • a part of the outer periphery may be a straight line.
  • more semiconductor elements can be obtained from a stacked substrate formed by bonding a substrate containing silicon to a substrate having a same area, and productivity is improved.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a thickness of 2.0 mm or less.
  • a thickness is 2.0 mm or less, a laminated substrate obtained by bonding a glass substrate and a substrate containing silicon can be thinned.
  • the thickness is more preferably 1.5 mm or less, further preferably 1.0 mm or less, and particularly preferably 0.8 mm or less.
  • the thickness is preferably 0.1 mm or more. If the thickness is 0.1 mm or more, damage due to contact with a substrate containing silicon, a peripheral member, or the like can be suppressed. Moreover, the self-weight deflection of the glass substrate can be suppressed.
  • the thickness is more preferably 0.2 mm or more, and further preferably 0.3 mm or more.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a plate thickness deviation of 15 ⁇ m or less.
  • the plate thickness deviation is calculated, for example, by measuring the plate thickness with a laser displacement meter. If the plate thickness deviation is 15 ⁇ m or less, the bonding surface with the substrate containing silicon has good consistency, so that the glass substrate and the substrate containing silicon are easily bonded together.
  • the plate thickness deviation is more preferably 12 ⁇ m or less, further preferably 10 ⁇ m or less, and particularly preferably 5 ⁇ m or less.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a Young's modulus of 65 GPa or more.
  • the Young's modulus is measured by, for example, an ultrasonic pulse method. If Young's modulus is 65 GPa or more, the curvature and the crack of the glass substrate which generate
  • the Young's modulus is more preferably 70 GPa or more, further preferably 75 GPa or more, and particularly preferably 80 GPa or more.
  • the Young's modulus is preferably 100 GPa or less. If the Young's modulus is 100 GPa or less, the glass can be prevented from becoming brittle, and chipping during cutting and dicing of the glass substrate can be suppressed.
  • the Young's modulus is more preferably 90 GPa or less, and further preferably 87 GPa or less.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has an average coefficient of thermal expansion of 30 to 140 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.) at 50 to 350 ° C.
  • a heat treatment step is required.
  • a laminated substrate obtained by bonding a substrate containing silicon and a glass substrate at a temperature of 200 ° C. to 400 ° C. is cooled to room temperature.
  • a large residual strain residual deformation
  • the average thermal expansion coefficient of 50 ° C. to 350 ° C. is an average heat whose temperature range for measuring the thermal expansion coefficient is 50 ° C. to 350 ° C. measured by the method defined in JIS R3102 (1995). Expansion coefficient.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention is used as a fan-out type wafer level package, a substrate containing silicon is stacked on the glass substrate, and a resin is formed so as to be in contact with the glass substrate and the substrate containing silicon.
  • the average thermal expansion coefficient at 50 ° C. to 350 ° C. is 30 to 50 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.), the residual strain generated in the substrate containing silicon in the heat treatment step is small.
  • ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. may be 31 to 50 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.), 32 to 40 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.), and 32 to 36 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.) or 34 to 36 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.).
  • the average coefficient of thermal expansion at 50 ° C. to 350 ° C. is 50 to 80 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.)
  • the residual strain generated in the substrate containing silicon and the resin in the heat treatment step is reduced.
  • the average thermal expansion coefficient at 50 ° C. to 350 ° C. may be 60 to 75 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.) or 67 to 72 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.).
  • the average thermal expansion coefficient at 50 ° C. to 350 ° C. is 80 to 120 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.), the residual strain generated in the resin and wiring is small.
  • the average coefficient of thermal expansion at 50 ° C. to 350 ° C. may be 85 to 100 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.), or 90 to 95 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.).
  • the fan-out type wafer level package has a high average thermal expansion coefficient with a high resin ratio. Small residual strain is generated.
  • the average thermal expansion coefficient at 50 ° C. to 350 ° C. may be 120 to 135 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.), or 125 to 130 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.).
  • a light shielding film is formed on at least one of the concave surface or the convex surface of the glass substrate.
  • the light shielding film By forming the light shielding film on at least one of the concave surface or the convex surface of the glass substrate, it is easy to detect the position of the glass substrate or the laminated substrate in the inspection process of the glass substrate or the laminated substrate. The position is specified by the reflected light by irradiating the glass substrate or the laminated substrate with light. Since the glass substrate easily transmits light, forming a light-shielding film on the main surface of the glass substrate increases the reflected light and makes it easy to detect the position.
  • the light shielding film preferably contains Ti.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably contains 0 to 0.1% of an alkali metal oxide in terms of a molar percentage based on the oxide.
  • the alkali metal oxide is Li 2 O, Na 2 O, K 2 O, or the like. If the content of the alkali metal oxide is 0.1% or less in terms of oxide-based mole percentage, alkali ions are unlikely to diffuse into the silicon substrate in the heat treatment step of bonding the substrate containing silicon and the glass substrate.
  • the content of the alkali metal oxide is more preferably 0.05% or less, more preferably 0.02% or less, particularly preferably not substantially contained, in terms of oxide-based mole percentage.
  • substantially free of alkali metal oxide means that it does not contain alkali metal oxide at all, or may contain alkali metal oxide as an impurity inevitably mixed in production. .
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a density of 2.60 g / cm 3 or less. If the density is 2.60 g / cm 3 or less, the glass substrate is lightweight. Further, the glass substrate is not easily bent due to its own weight. More preferably the density is less than 2.55 g / cm 3, further preferably 2.50 g / cm 3 or less.
  • the density is preferably 2.20 g / cm 3 or more.
  • the density is 2.20 g / cm 3 or more, the Vickers hardness of the glass is high and the glass surface is hardly damaged.
  • the density is 2.30 g / cm 3 or more, still more preferably 2.40 g / cm 3 or more, particularly preferably 2.45 g / cm 3 or more.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a transmittance at a wavelength of 250 nm of 10% or more.
  • the glass substrate is peeled from the laminated substrate. If the transmittance of the glass substrate at a wavelength of 250 nm is 10% or more, the ultraviolet rays applied to the resin increase, and the glass substrate is easily peeled from the laminated substrate.
  • the transmittance at a wavelength of 250 nm is more preferably 15% or more, and further preferably 20% or more.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a transmittance at a wavelength of 300 nm of 45% or more. If the transmittance of the glass substrate at a wavelength of 300 nm is 45% or more, the ultraviolet rays applied to the resin increase, and the glass substrate is easily peeled from the laminated substrate.
  • the transmittance at a wavelength of 300 nm is more preferably 50% or more, further preferably 55% or more, and particularly preferably 60% or more.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a transmittance at a wavelength of 350 nm of 45% or more. If the transmittance of the glass substrate at a wavelength of 350 nm is 45% or more, the ultraviolet rays applied to the resin increase, and the glass substrate is easily peeled from the laminated substrate.
  • the transmittance at a wavelength of 350 nm is more preferably 50% or more, further preferably 55% or more, and particularly preferably 60% or more.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has 10 pc / cm 2 or less of defects such as bubbles and foreign matters having a major axis of 200 ⁇ m or more. If the defect having a major axis of 200 ⁇ m or more is 10 pcs / cm 2 or less, the light irradiated in the bonding step is not blocked, and bonding is easy.
  • the defect having a major axis of 200 ⁇ m or more is more preferably 2 pcs / cm 2 or less, and it is particularly preferable that there is no defect having a major axis of 200 ⁇ m or more.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably forms a laminated substrate by bonding a convex surface of a glass substrate and a substrate containing silicon.
  • a laminated substrate By forming the laminated substrate in such a manner, bubbles are unlikely to enter between the glass substrate and the silicon-containing substrate in the step of bonding the glass substrate and the silicon-containing substrate. Further, the laminated substrate is not easily deformed by storing and transporting the laminated substrate so that the concave surface of the glass substrate is supported by the support member.
  • the support member is not limited to a fixed type, and may be a movable type.
  • the glass substrate and the laminated substrate can be transported without contaminating the surfaces of the glass substrate and the laminated substrate. Further, by supporting the concave surfaces of the glass substrate and the laminated substrate with a movable support member, it can be transported while suppressing the deformation of the glass substrate or the laminated substrate.
  • the laminated substrate of one embodiment of the present invention is formed by bonding the convex surface of the glass substrate and a substrate containing silicon. Since it is formed by bonding the convex surface of the glass substrate and a substrate containing silicon, bubbles are unlikely to enter between the glass substrate and the substrate containing silicon.
  • a laminated substrate according to another embodiment of the present invention is formed by bonding a curved surface made of a convex surface or a concave surface of the glass substrate and a curved surface made of a convex surface or a concave surface of a substrate containing silicon so as to follow each other.
  • follow each other means that the curved surface of the glass substrate and the curved surface of the substrate containing silicon, that is, the direction of warpage is in the same direction.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining the relationship between the curved surface of the glass substrate and the curved surface of the substrate containing silicon in the manufacturing process of the laminated substrate.
  • the curved surface formed of the convex surface of the glass substrate G1 and the curved surface formed of the concave surface of the substrate 10 containing silicon are bonded so as to follow each other.
  • reduction in uneven adhesion between the glass substrate G1 and the substrate 10 containing silicon; improvement in bubble removal at the time of bonding; reduction in overall warpage; reduction in residual stress between layers; and in a laminated substrate after curing The interface residual stress distribution can be made uniform, and the yield and reliability are improved.
  • FIG. 12B shows a form in which the glass substrate G1 and the concave surface of the substrate 10 containing silicon are bonded to each other.
  • the residual stress distribution between the interfaces becomes non-uniform, and the portions having large residual stress are scattered locally, inducing separation failure, and there is a variation in reliability between chip products. Arise.
  • the difference in warpage between the glass substrate G1 and the substrate 10 containing silicon that is, the gap formed in the direction orthogonal to the substrate plane direction when the glass substrate G1 and the substrate 10 containing silicon are overlaid.
  • the maximum size of the part is preferably 0 to 400 ⁇ m, and more preferably 0 to 100 ⁇ m. If it is in this range, the above-mentioned effects can be achieved satisfactorily.
  • the glass substrate G1 is preferably formed by a float process.
  • the glass substrate molded by the float method has a center-symmetric saddle-shaped warp shape, and the direction of copying at the time of bonding compared to a glass substrate formed by a fusion method that tends to be a random warp shape such as a saddle type Tends to be uniform and contributes to quality stability.
  • a glass substrate formed by the fusion method can be used favorably.
  • the curved surface shape of the substrate containing silicon is predicted in advance, and the predicted curved surface shape and the curved surface shape of the glass substrate are bonded to each other. More preferably, the method includes a step. For example, in the manufacture of a fan-out type wafer level package or the like, there is a case where the direction of warpage is determined by the product as the manufacturing process flows as a hybrid of a substrate containing silicon and other materials such as resin. Many.
  • the laminated substrate of one embodiment of the present invention preferably has a thickness of 0.5 to 3 mm. If thickness is 0.5 mm or more, the intensity
  • the thickness is more preferably 1.0 mm or more, and further preferably 1.3 mm or more. If the thickness is 3 mm or less, it can be thinned.
  • the thickness is more preferably 2.5 mm or less, and further preferably 2.0 mm or less.
  • the laminated substrate of one embodiment of the present invention may have a notch in a substrate containing silicon. If the substrate containing silicon has a notch, when forming a circuit pattern on the substrate containing silicon, the position and angle of the substrate containing silicon can be specified by the notch, thereby reducing the dimensional deviation of the circuit pattern. Can be suppressed.
  • the position of the notch in the substrate containing silicon can be detected by, for example, a laser.
  • the notch may be detected by imaging the glass substrate with a camera and performing image analysis.
  • the laminated substrate of one embodiment of the present invention has a glass substrate and silicon so that the glass substrate and the substrate containing silicon have a notch, and the notch of the glass substrate and the notch of the substrate containing silicon overlap. It is preferable that the substrate is bonded to the substrate. If such a laminated substrate is formed, it is easy to detect the position of the notch in the substrate containing silicon, and it is easy to suppress the dimensional deviation of the circuit pattern.
  • a notch can be detected even when a laser is applied to a substrate containing silicon, and a notch can be detected even when applied to a glass substrate. If the notch is a notch, the loss area of the glass substrate or the silicon substrate is small, and the glass substrate and the substrate containing silicon are easily bonded to each other. In addition, since the loss area of the substrate containing silicon is small, many circuits can be formed over the substrate containing silicon. If the notch is orientation flat, the notch is easy to form and the position of the notch is easy to detect.
  • the multilayer substrate of one embodiment of the present invention may be formed by bonding a concave surface of a glass substrate that constitutes one laminate substrate and a substrate containing silicon that constitutes another laminate substrate. Two laminated substrates may be bonded, three laminated substrates may be bonded, or four or more laminated substrates may be bonded.
  • the laminated substrate formed in this manner is less prone to residual stress and is less likely to crack or chip.
  • the concave surface of the glass substrate is preferably supported at four points by the support member. Since the concave surface of the glass substrate is supported at four points by the support member, the surface of the glass substrate or the laminated substrate is hardly contaminated by dust or the like.
  • the concave surface of the glass substrate may be supported on two sides by a support member. Since the concave surface of the glass substrate is supported on two sides by the support member, it can be stably stored and transported. In addition, the surface of the multilayer substrate is not easily contaminated by dust or the like.
  • the laminate of one embodiment of the present invention is characterized in that it is formed by bonding another glass substrate to the glass substrate constituting the laminate substrate.
  • the laminated substrate of one embodiment of the present invention is used as, for example, a support glass for semiconductor back grinding
  • the number of glass substrates constituting the laminated substrate is one, so that the thickness of the glass substrate can be adjusted. Need to be polished.
  • the laminated body of one embodiment of the present invention is formed by bonding another glass substrate to the glass substrate constituting the laminated substrate, the other glass substrate can be peeled off without polishing the glass substrate.
  • the thickness can be adjusted.
  • the amount of deflection of a glass substrate having an arbitrary thickness is larger than the amount of deflection of a laminated substrate in which two glass substrates having a thickness half that of the glass substrate are laminated.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a package 500 according to an embodiment of the present invention.
  • a package 500 according to an embodiment of the present invention is formed by packing two or more glass substrates, and a convex surface G5B of one glass substrate G5 of the glass substrate is a concave surface G6A of another glass substrate G6. Packed to face each other.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a package 600 according to an embodiment of the present invention.
  • a package 600 according to an embodiment of the present invention is formed by packing two or more of the above-mentioned multilayer substrates, and a substrate 640 containing silicon that constitutes one of the multilayer substrates 610 is another multilayer substrate.
  • the glass substrate G8 constituting the 620 is packed so as to face the concave surface G8A.
  • the packing body according to an embodiment of the present invention is formed by packing two or more of the above-described stacked bodies, and the substrate including silicon constituting one stacked body of the above-described stacked body is another stacked body. It is packed so as to face the concave surface of the glass substrate that constitutes.
  • the packaging body according to the embodiment of the present invention may have two, three, or three glass substrates, laminated substrates, or laminated bodies that form the packaging body. But you can. Since the packaging body formed in this way has the convex and concave directions of the glass substrate aligned, the distance between the glass substrate, the laminated substrate, or the laminate constituting the packaging body can be reduced. Can be reduced in size.
  • a packaging body in which the orientation of the convex and concave surfaces of the glass substrate is aligned packs more laminated substrates than a packaging body of the same size in which the orientation of the convex and concave surfaces of the glass substrate is not uniform. Can do.
  • the directions of the convex surface and the concave surface of the glass substrate are uniform.
  • the laminated substrate can be transported while suppressing deformation of the glass substrate, the laminated substrate, or the laminated body.
  • the directions of the convex surface and the concave surface of the glass substrate are aligned, the surfaces on which a film is formed on a substrate containing silicon can be aligned, and the film thickness distribution by the film formation can be easily controlled.
  • the concave surface of the glass substrate is supported at four points by the support member. Since the concave surface of the glass substrate is supported at four points by the support member, the surface of the glass substrate or the laminated substrate is hardly contaminated by dust or the like.
  • the package according to an embodiment of the present invention may store the package in a container. If stored in a container, the package is less likely to be contaminated by dust or the like.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention has steps of melting, clarifying, molding, slow cooling, cutting, inspection, and marking.
  • raw materials are prepared so that the glass substrate has a desired composition, the raw materials are continuously charged into a melting furnace, and preferably heated to about 1400 to 1650 ° C. to obtain molten glass.
  • the glass substrate in the present invention can use SO 3 or SnO 2 as a clarifier. Further, a defoaming method using reduced pressure may be applied.
  • a float method is used in which molten glass is poured over molten metal to form a glass ribbon.
  • the glass ribbon is slowly cooled.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention is obtained by cutting into a predetermined shape and size.
  • the inspection process for example, whether a main surface of the glass substrate is concave or convex is identified by a laser displacement meter.
  • a mark is formed on at least one of the concave surface and the convex surface of the glass substrate.
  • the depression is formed by, for example, a laser.
  • a recess having a desired shape is formed.
  • Symbols and characters may be formed.
  • the notches and orientation flats are formed, for example, by forming a cut line with a cutter or a laser and cleaving it.
  • the mark formed on the glass substrate is detected by, for example, imaging the glass substrate with a camera and performing image analysis, and the concave surface and the convex surface of the glass substrate are identified.
  • the molten glass may be formed into a plate by applying a fusion method, a roll-out method, a press molding method, or the like in the forming step.
  • a platinum crucible When manufacturing the glass substrate of one embodiment of the present invention, a platinum crucible may be used.
  • a platinum crucible in the melting step, raw materials are prepared so that the composition of the obtained glass substrate is obtained, the platinum crucible containing the raw materials is put into an electric furnace, and preferably heated to about 1450 to 1650 ° C. A platinum stirrer is inserted and stirred for 1 to 3 hours to obtain molten glass.
  • SO 3 or SnO 2 can be used as a clarifier. Further, a defoaming method using reduced pressure may be applied. Halogens such as Cl and F are preferably used as the clarifying agent in the defoaming method using reduced pressure.
  • the molten glass is poured into a carbon plate, for example, to form a plate.
  • the slow cooling step the plate-like glass is gradually cooled to room temperature, and after cutting, a glass substrate is obtained.

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Abstract

本発明のガラス基板は、シリコンを含む基板と積層されることにより積層基板を形成させるためのガラス基板であって、前記ガラス基板が凹面と凸面とを有し、前記凹面と前記凸面とを識別できる印を有する。

Description

ガラス基板、積層基板、積層基板の製造方法、積層体、梱包体、およびガラス基板の製造方法
　本発明は、ガラス基板、積層基板、積層基板の製造方法、積層体、梱包体、およびガラス基板の製造方法に関する。
　半導体デバイスの分野では、デバイスの集積度が増加される一方、小型化が進んでいる。それに伴い、高集積度を有するデバイスのパッケージング技術への要望が高まっている。これまでの半導体組立工程では、ウェハ状態のガラス基板とシリコンを含む基板とをそれぞれ切断した後に、前記ガラス基板と前記シリコンを含む基板とを貼り合わせて、ダイボンディング、ワイヤーボンディング、およびモールディングなどの一連の組立工程を行っている。
　近年、原寸のウェハ状態でガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせて組立工程を行った後に切断を行うウェハレベルパッケージ技術が脚光を浴びている。例えば、特許文献１には、ウェハレベルパッケージに用いる支持ガラス基板が提案されている。
国際公開第２０１５／０３７４７８号
　ガラス基板の製造においては、完全に平坦なガラスは量産レベルでは製造することが難しく、うねりを有したガラス基板が製造されてしまうという問題がある。ウェハレベルパッケージでは、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせて積層基板とする工程において、ガラス基板にうねりがあると、前記ガラス基板と前記シリコンを含む基板との間に隙間ができ泡が入りやすいという問題が生じる。
　そこで、本発明は、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせて積層基板とする工程において、前記ガラス基板と前記シリコンを含む基板との間に泡が入りにくいガラス基板、積層基板、積層基板の製造方法、積層体、梱包体、およびガラス基板の製造方法を提供する。
　本発明のガラス基板は、シリコンを含む基板と積層されることにより積層基板を形成させるためのガラス基板であって、前記ガラス基板が凹面と凸面とを有し、前記凹面と前記凸面とを識別できる印を有することを特徴とする。
　本発明の積層基板は、上記ガラス基板の凸面とシリコンを含む基板とが積層されて形成されることを特徴とする。
　本発明の積層基板の製造方法は、上記ガラス基板の凸面または凹面からなる曲面と、シリコンを含む基板の凸面または凹面からなる曲面とを、互いの曲面が倣うように貼り合わせる工程を有することを特徴とする。
　本発明の積層体は、上記積層基板を構成するガラス基板に他のガラス基板を貼り合わせることにより形成されることを特徴とする。
　本発明の梱包体は、上記ガラス基板が２枚以上梱包されて形成され、前記ガラス基板の一のガラス基板の凸面が、他の一のガラス基板の凹面と対向するように梱包されることを特徴とする。
　または、本発明の梱包体は、上記積層基板が２枚以上梱包されて形成され、前記積層基板の一の積層基板を構成するシリコンを含む基板が、他の一の積層基板を構成するガラス基板の凹面と対向するように梱包されることを特徴とする。
　または、本発明の梱包体は、上記積層体が２枚以上梱包されて形成され、前記積層体の一の積層体を構成するシリコンを含む基板が、他の一の積層体を構成するガラス基板の凹面と対向するように梱包されることを特徴とする。
　本発明のガラス基板の製造方法は、シリコンを含む基板と積層されることにより積層基板を形成させるためのガラス基板の製造方法であって、
　ガラス原料を加熱して溶融ガラスを得る溶解工程と、
　前記溶融ガラスを板状にしてガラスリボンを得る成形工程と、
　前記ガラスリボンを徐冷する徐冷工程と、
　前記ガラスリボンを切断してガラス基板を得る切断工程と、
　前記ガラス基板の凹面と凸面とを判別する検査工程と、
　前記凹面上および前記凸面上の少なくとも一方に印を付ける工程と、を有することにより上記ガラス基板を得ることを特徴とする。
　本発明のガラス基板、積層基板、積層基板の製造方法、積層体、梱包体、およびガラス基板の製造方法によれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせて積層基板とする工程において、前記ガラス基板と前記シリコンを含む基板との間に泡が入りにくい。
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）はシリコンを含む基板と貼り合わせる本発明の第一の実施形態のガラス基板を表し、図１（Ａ）は貼り合わせ前の断面図、図１（Ｂ）は貼り合わせ後の断面図を示す。 図２（Ａ）～（Ｃ）は本発明の第一の実施形態のガラス基板を表し、図２（Ａ）は上面図、図２（Ｂ）は下面図、図２（Ｃ）は断面図を示す。 図３（Ａ）～（Ｃ）は印としてノッチを形成したガラス基板を表し、図３（Ａ）は上面図、図３（Ｂ）は下面図、図３（Ｃ）は断面図を示す。 図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は本発明の第一の実施形態のガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる様子を表した断面図を示す。 図５（Ａ）～（Ｃ）は本発明の第一の実施形態のガラス基板を支持部材により支持したときの様子を表し、図５（Ａ）は平面図、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）は断面図を示す。 図６（Ａ）～（Ｃ）は本発明の第一の実施形態のガラス基板を支持部材により支持したとき様子を表し、図６（Ａ）は平面図、図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）は断面図を示す。 図７（Ａ）～（Ｃ）は本発明の第二の実施形態のガラス基板を表し、図７（Ａ）は上面図、図７（Ｂ）は下面図、図７（Ｃ）は断面図を示す。 図８（Ａ）～（Ｃ）は本発明の第三の実施形態のガラス基板を表し、図８（Ａ）は上面図、図８（Ｂ）は下面図、図８（Ｃ）は断面図を示す。 図９（Ａ）～（Ｃ）は本発明の第三の実施形態のガラス基板を表し、図９（Ａ）は上面図、図９（Ｂ）は下面図、図９（Ｃ）は断面図を示す。 図１０は本発明の一実施形態に係る梱包体の断面図を示す。 図１１は本発明の一実施形態に係る梱包体の断面図を示す。 図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は積層基板の製造工程において、ガラス基板の曲面とシリコンを含む基板の曲面との関係を説明するための断面図を示す。
　以下、本発明の一実施形態について図を参照して詳細に説明する。
　まず、本発明の第一の実施形態のガラス基板について説明する。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、シリコンを含む基板と貼り合わせる本発明の第一の実施形態のガラス基板の断面図である。
　図１（Ａ）に表される本発明の第一の実施形態のガラス基板Ｇ１は、シリコンを含む基板１０と、樹脂２０を間に介して、例えば、雰囲気２００℃～４００℃の温度で貼り合わされ、図１（Ｂ）に表される積層基板３０が得られる。
　シリコンを含む基板１０として、例えば、原寸のウェハ（例えばシリコンウェハ）が用いられる。
　また、シリコンを含む基板１０は、素子が形成されたウェハ、ウェハから素子が切り出されたチップ（たとえばシリコンチップ）が樹脂にモールドされた基板などであってもよいし、シリコンウェハやシリコンチップ等のシリコン基板と、ＴＧＶ等のガラス基板や樹脂基板等のシリコン基板以外のものとからなってもよい。この場合、シリコン基板とガラス基板とは、例えば、銅等により配線接続される。
　樹脂２０は、例えば、２００～４００℃の温度に耐えられるものである。
　本発明の第一の実施形態のガラス基板は、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ用の支持ガラス基板として好適である。また、ウェハレベルパッケージによる素子の小型化が有効なＭＥＭＳ、ＣＭＯＳ、ＣＩＳ等のイメージセンサ用のガラス基板、ガラスインターポーザ（ＧＩＰ）の孔開け基板、および半導体バックグラインド用のサポートガラスとして好適である。
　本発明の第一の実施形態のガラス基板はうねりがなく、一の主表面が凹面であり、対向する他の一の主表面は凸面である曲面を有する。
　なお、本発明で言う凸面または凹面とは、ＳＥＭＩ規格を用いて、巨視的な曲面が凸面か凹面であるのかを識別することを意味する。このことから、上記第一の実施形態のガラス基板の「うねりがない」とは、ガラス基板に微視的なうねりも存在しないということを意味するものではない。
　本発明で言う凸面または凹面は、具体的には、ＳＥＭＩ規格のＢＯＷ（ＭＦ５３４）またはＷＡＲＰ（ＭＦ６５７、ＭＦ１３９０）を用いて、凸面または凹面を識別すればよい。一定の反りの場合はＢＯＷを用いればよく、うねりが存在する場合はＷＡＲＰを用いればよい。
　ＢＯＷは、吸着固定しない状態の基板で、ある指定された基準面から基板中心面の距離で表される。基準面側を凹面とし、凹面と反対側の面を凸面とする。基準面は、基板の板厚中心線で決定される。
　ＷＡＲＰは、吸着固定しない状態の基板で、ある指定された基準面に対して、基準面と基板中心面との距離の最大値と最小値の差で表される。基準面は最小自乗法により決定され、その最大値と最小値の差が最小となるように基板中心面を設定する。最大値が存在する側を凸面とし、最小値が存在する面を凹面とする。
　巨視的な観点によれば、凸面は窪みになるような逆反りがない。なお、凸面の曲率は、積層基板が大きく反らないように小さいことが好ましい。そのため、シリコンを含む基板と積層する際にどちらが凹面か凸面かを判別しにくく、凹面と凸面とを識別できる印を必要とする。
　図２（Ａ）～（Ｃ）は、本発明の第一の実施形態のガラス基板Ｇ１を表し、図２（Ａ）は上面図、図２（Ｂ）は下面図、図２（Ｃ）は断面図である。
　本発明の第一の実施形態のガラス基板Ｇ１は、シリコンを含む基板と積層されることにより積層基板を形成させるためのガラス基板であって、ガラス基板Ｇ１が凹面Ｇ１Ａと凸面Ｇ１Ｂとを有し、凹面Ｇ１Ａと凸面Ｇ１Ｂとを識別できる印を有することを特徴とする。凹面Ｇ１Ａと凸面Ｇ１Ｂとを識別できる印を有すれば、ガラス基板Ｇ１の凹面Ｇ１Ａと凸面Ｇ１Ｂとを識別でき、ガラス基板Ｇ１とシリコンを含む基板とを貼り合わせて積層基板とする工程において、ガラス基板Ｇ１の凸面Ｇ１Ｂとシリコンを含む基板とを貼り合わせることにより、ガラス基板Ｇ１とシリコンを含む基板との間に泡が入りにくくなる。泡が入ると、積層基板を構成するシリコンを含む基板の平坦度が悪化し、シリコンを含む基板を研磨する工程において、シリコンを含む基板の板厚偏差が大きくなり、その後の工程でパターニングしにくい。また、積層基板を加熱したときに泡が膨張し、ガラス基板とシリコンを含む基板とが剥離しやすい。本発明の第一の実施形態のガラス基板Ｇ１は、積層する際にガラス基板Ｇ１とシリコンを含む基板との間に泡が入りにくい。そのため、積層基板を構成するシリコンを含む基板の平坦度がよく、シリコンを含む基板を研磨する工程において、シリコンを含む基板の板厚偏差が小さく、その後の工程でパターニングしやすい。また、積層基板を加熱しても、ガラス基板とシリコンを含む基板とが剥離しにくくなる。
　本発明の第一の実施形態のガラス基板Ｇ１は、凹面Ｇ１Ａに形成された、凹面Ｇ１Ａと凸面Ｇ１Ｂとを識別する、互いに形状が異なる２つの印１３０，１４０と、凸面Ｇ１Ｂに形成された、凹面Ｇ１Ａと凸面Ｇ１Ｂとを識別する、凹面Ｇ１Ａの２つの印１３０、１４０それぞれと対向する位置に対応する凹面Ｇ１Ａの印と同一形状である２つの印１５０，１６０とを含み、凸面Ｇ１Ｂの２つの印１５０、１６０同士を凸面Ｇ１Ｂ上で最短となるように結んだ線Ｌが凸面Ｇ１Ｂ上の重心Ｆを通らないことが好ましい。これは、後述の凹面Ｇ１Ａおよび凸面Ｇ１Ｂをより確実に識別するためである。このように、印１５０、１６０、１３０、１４０によりガラス基板Ｇ１の凹面Ｇ１Ａと凸面Ｇ１Ｂとを識別できる。
　印は、例えば、塗料であってもよいし、レーザなどにより刻まれたくぼみであってもよい。なお、“凹面Ｇ１Ａに形成される、互いに形状が異なる２つの印１３０，１４０と、凸面Ｇ１Ｂに形成される、凹面Ｇ１Ａの２つの印１３０、１４０それぞれと対向する位置に対応する凹面Ｇ１Ａの印と同一形状である２つの印１５０，１６０とを含み”、とは、凹面Ｇ１Ａの２つの印１３０、１４０が凸面Ｇ１Ｂに貫通して形成され、凹面Ｇ１Ｂ２つの印１５０，１６０を構成してもよいことを意味する。このような印として、レーザなどにより形成された貫通孔、ガラス基板Ｇ１の端に形成されるノッチやオリエンテーションフラット（以下、オリフラという）などの切欠きが挙げられる。
　オリフラとはガラス基板の端を円弧状に切り落として形成される切欠きである。ノッチとはガラス基板の端に形成されるＶ字形やＵ字形の切欠きである。図３（Ａ）～（Ｃ）は、印としてノッチを形成したガラス基板を表し、図３（Ａ）は上面図、図３（Ｂ）は下面図、図３（Ｃ）は断面図である。
　切欠きは、例えば、レーザによって、ガラス基板Ｇ１のどこの位置にあるかを検出できる。また、切欠きは、カメラによりガラス基板を撮像して画像解析を行うことにより検出してもよい。印が切欠きであることにより、シリコンを含む基板１０上に回路パターンを形成するときに、切欠きに合わせてシリコンを含む基板１０の位置や角度を特定することができ、回路パターンの寸法ずれを抑えることができる。
　図３（Ａ）～（Ｃ）のように、切欠きがノッチであれば、ガラス基板Ｇ１の損失面積が少なく、シリコンを含む基板１０と貼り合わせしやすい。切欠きがオリフラであれば切欠きが形成しやすく、切欠きの位置を検出しやすい。
　印は、ガラス基板Ｇ１の端から２０ｍｍ以内の領域にあることが好ましい。ガラス基板Ｇ１の端から２０ｍｍ以内の領域であれば、印があってもシリコンを含む基板に形成される回路パターンと干渉しない。印の位置は、ガラス基板Ｇ１の端から１０ｍｍ以内の領域にあることがより好ましく、５ｍｍ以内の領域にあることがさらに好ましく、ガラス基板の端にあることが特に好ましい。
　印は、ガラス基板Ｇ１の端面を切欠いて形成されることが好ましい。このような印として、上述したノッチやオリフラなどが挙げられる。
　ここで、凹面Ｇ１Ａと凸面Ｇ１Ｂの識別方法について説明する。例えば、図２（Ａ）のように、形状が異なる２つの印１５０、１６０があり、印１５０は印１６０よりも大きいとする。ここでは、印１５０、１６０は円形の貫通孔であり、印１５０と印１３０、印１６０と印１４０はそれぞれ同一であるとする。
　例えば、凸面Ｇ１Ｂを上面とした図２（Ａ）において、印１５０からガラス基板Ｇ１の凸面Ｇ１Ｂ上の重心Ｆに対して左回りに１８０°未満の領域［図２（Ａ）のθが１８０°未満］に印１６０を形成する。この場合、印１５０からガラス基板Ｇ１の凸面Ｇ１Ｂ上の重心Ｆに対して左回りに１８０°未満の領域（θが１８０°未満）に印１６０があれば凸面Ｇ１Ｂ、印１５０からガラス基板Ｇ１の重心Ｉに対して左回りに１８０°超の領域（θが１８０°超）に印１６０がある図２（Ｂ）のようであれば凹面Ｇ１Ａであることがわかる。
　ここで、θが１８０°となる位置に印１６０を形成すると凹面Ｇ１Ａと凸面Ｇ１Ｂを識別できない。θが１８０°となる位置に印１６０が形成されるとき、凸面Ｇ１Ｂ上の２つの印１５０、１６０同士を凸面Ｇ１Ｂ上で最短となるように結んだ線は凸面Ｇ１Ｂ上の重心Ｆを通る。
　本発明の第一の実施形態のガラス基板Ｇ１は、凸面Ｇ１Ｂの２つの印１５０、１６０同士を最短となるように結んだ線が凸面上の重心Ｆを通らないことが好ましい。このような印１５０、１６０を形成することでθは１８０°とならず、凹面Ｇ１Ａと凸面Ｇ１Ｂとを識別できる。
　凸面Ｇ１Ｂの２つの印１５０、１６０同士を最短となるように結んだ線が凸面上の重心Ｆから１ｍｍの領域を通らないことが好ましく、５ｍｍの領域を通らないことがより好ましく、１０ｍｍの領域を通らないことがさらに好ましい。印１５０、１６０の位置は、例えば、カメラによりガラス基板Ｇ１の凸面Ｇ１Ｂを撮像して画像解析を行うことにより特定できる。
　図４（Ａ）～（Ｂ）は、本発明の第一の実施形態のガラス基板と、シリコンを含む基板とを貼り合わせる様子を表した断面図である。
　図４（Ａ）は、ガラス基板Ｇ１の凸面Ｇ１Ｂが貼り合わせ面となるようにガラス基板Ｇ１が樹脂２０を介してシリコンを含む基板１０と貼り合わされる様子を表す。このようにガラス基板Ｇ１とシリコンを含む基板１０とが貼り合わされると、ガラス基板Ｇ１とシリコンを含む基板１０との間に隙間ができにくいため泡が入りにくい。
　図４（Ｂ）は、ガラス基板Ｇ１の凸面Ｇ１Ｂとシリコンを含む基板１０とを樹脂２０を介して貼り合わせることにより形成された積層基板３０である。このようにガラス基板Ｇ１とシリコンを含む基板１０とを貼り合わせることにより形成される積層基板３０は、ガラス基板Ｇ１とシリコンを含む基板１０との間に泡が入りにくい。また、ガラス基板Ｇ１とシリコンを含む基板１０とに残留応力が発生しにくく、割れや欠けが起きにくい。さらに、配線に応力が発生しにくく、配線が断線しにくい。
　図５（Ａ）～（Ｃ）及び図６（Ａ）～（Ｃ）は、本発明の第一の実施形態のガラス基板を支持部材により支持したときの様子を表す。図５（Ａ）及び図６（Ａ）は平面図、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）並びに図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）は断面図である。図５（Ｂ）及び図６（Ｂ）は凸面Ｇ１Ｂを支持したとき、図５（Ｃ）及び図６（Ｃ）は凹面Ｇ１Ａを支持したときの断面図である。
　本発明の第一の実施形態のガラス基板Ｇ１は、図５（Ａ）のように支持部材１１０により４点で支持されることが好ましい。接触面積が少なくなることなどにより、ガラス基板Ｇ１を保管および運搬するときに、ほこり等によるガラス基板Ｇ１表面の汚染を防ぐことができる。
　この場合、ガラス基板Ｇ１は自重によりたわむため、図５（Ｂ）のようにガラス基板Ｇ１の凸面Ｇ１Ｂが支持部材１１０により支持されて保管および運搬すると、ガラス基板Ｇ１がたわみにより変形しやすい。一方で、図５（Ｃ）のようにガラス基板Ｇ１の凹面Ｇ１Ａが支持部材１１０により支持されて保管および運搬すると、ガラス基板Ｇ１が変形しにくいため好ましい。
　ガラス基板Ｇ１は、図６（Ａ）～（Ｃ）のように支持部材１２０により２辺で支持されてもよい。ガラス基板Ｇ１は２辺で支持されることにより、安定して保管および運搬することができる。また、ガラス基板Ｇ１を保管および運搬するときに、ほこり等によるガラス基板Ｇ１表面の汚染を防ぐことができる。図６（Ｃ）のように、ガラス基板Ｇ１の凹面Ｇ１Ａを支持することが、ガラス基板Ｇ１が変形しにくいため、より好ましい。
　本発明の第一の実施形態のガラス基板Ｇ１は、ガラス基板Ｇ１を水平面に凹面Ｇ１Ａが接するように置いたときに、ガラス基板の厚さをＶ（単位：ｍｍ）、凸面Ｇ１Ｂの重心と水平面との最短距離をＵ（単位：ｍｍ）としたときに、Ｕ／Ｖが０．０５～５０であることが好ましい。Ｕ／Ｖが０．０５以上であれば、ガラス基板Ｇ１とシリコンを含む基板とを貼り合わせて積層基板とする工程において、ガラス基板Ｇ１の凸面Ｇ１Ｂとシリコンを含む基板とを貼り合わせることにより、ガラス基板Ｇ１とシリコンを含む基板との間に泡が入りにくい。Ｕ／Ｖは１以上であることがより好ましく、５以上であることがさらに好ましい。Ｕ／Ｖが５０以下であれば、ガラス基板Ｇ１とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。Ｕ／Ｖは３０以下がより好ましく、１０以下がさらに好ましい。
　次に、本発明の第二の実施形態のガラス基板について説明する。
　図７（Ａ）～（Ｃ）は、本発明の第二の実施形態のガラス基板Ｇ２を表し、図７（Ａ）は上面図、図７（Ｂ）は下面図、図７（Ｃ）は断面図である。
　本発明の第二の実施形態のガラス基板Ｇ２は、凹面Ｇ２Ａと凸面Ｇ２Ｂとを識別できる印が、凹面Ｇ２Ａに形成され、凹面Ｇ２Ａ上の重心からの距離が互いに異なる２つの印２３０、２４０と、凸面Ｇ２Ｂに形成され、凹面Ｇ２Ａの２つの印２３０、２４０それぞれと対向する位置に対応する凹面Ｇ２Ａの印２３０、２４０と同一形状である２つの印２１０、２２０とを含み、凸面Ｇ２Ｂの２つの印２１０、２２０同士を凸面Ｇ２Ｂ上で最短となるように結んだ線Ｍが凸面Ｇ２Ｂ上の重心Ｊを通らないことが好ましい。この条件を満たせば、印２１０、２２０、２３０、２４０によりガラス基板Ｇ２の凹面Ｇ２Ａと凸面Ｇ２Ｂとをより確実に識別できる。
　ここで、凹面Ｇ２Ａと凸面Ｇ２Ｂの識別方法について説明する。例えば、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）のように、ガラス基板Ｇ２の凹面Ｇ２Ａ上に凹面Ｇ２Ａ上の重心Ｋからの距離Ｓ、Ｔが異なる２つの印２３０、２４０があり、印２３０は印２４０よりも重心Ｋに近いとする。ここでは、印２１０、２２０は円形の貫通孔であり、印２１０と印２３０、印２２０と印２４０は同一であるとする。
　凸面Ｇ２Ｂを上面とした図７（Ａ）において、印２１０からガラス基板Ｇ２の重心Ｊに対して左回りに１８０°未満の領域［図７（Ａ）のθが１８０°未満］に印２２０を形成することで、印２１０からガラス基板Ｇ２の重心Ｊに対して左回りに１８０°未満の領域（θが１８０°未満）に印２２０があれば凸面Ｇ２Ｂ、印２１０からガラス基板Ｇ２の重心Ｋに対して左回りに１８０°超の領域（θが１８０°超）に印２２０がある図７（Ｂ）のようであれば凹面Ｇ２Ａであることがわかる。
　ここで、θが１８０°となる位置に印２２０を形成すると凹面Ｇ２Ａと凸面Ｇ２Ｂとを識別できない。この場合、凸面Ｇ２Ｂ上の２つの印２１０、２２０同士を最短となるように結んだ線は凸面Ｇ２Ｂ上の重心Ｊを通る。
　本発明の第二の実施形態のガラス基板Ｇ２は、凸面Ｇ２Ｂの２つの印２１０、２２０同士を凸面Ｇ２Ｂ上で最短となるように結んだ線が凸面上の重心Ｊを通らない。このような印２１０、２２０を形成することで凹面Ｇ２Ａと凸面Ｇ２Ｂを識別できる。
　凸面Ｇ２Ｂの２つの印２１０、２２０同士を凸面Ｇ２Ｂ上で最短となるように結んだ線が凸面上の重心Ｊから１ｍｍの領域を通らないことが好ましく、５ｍｍの領域を通らないことがより好ましく、１０ｍｍの領域を通らないことがさらに好ましい。印２１０、２２０の位置は、例えば、カメラによりガラス基板Ｇ２の凸面Ｇ２Ｂを撮像して画像解析を行うことにより特定できる。
　次に、本発明の第三の実施形態のガラス基板について説明する。
　図８（Ａ）～（Ｃ）及び図９（Ａ）～（Ｃ）は、本発明の第三の実施形態のガラス基板Ｇ３を表し、図８（Ａ）及び図９（Ａ）は上面図、図８（Ｂ）及び図９（Ｂ）は下面図、図８（Ｃ）及び図９（Ｃ）は断面図である。
　本発明の第三の実施形態のガラス基板Ｇ３は、凹面Ｇ３Ａと凸面Ｇ３Ｂとを識別できる印が、凹面Ｇ３Ａまたは凸面Ｇ３Ｂの少なくとも一方に形成される印であり、凹面Ｇ３Ａの印と凸面Ｇ３Ｂの印とは、互いの印の、数、形状、および重心からの距離のうち少なくとも一つが異なることが好ましい。
　図８（Ａ）～（Ｃ）は、凹面Ｇ３Ａ上の印と凸面Ｇ３Ｂ上の印の数が異なる。印の数が異なるとは、凹面Ｇ３Ａ上または凸面Ｇ３Ｂ上のどちらか一方に印がない場合も含む。図８（Ａ）～（Ｃ）は、凹面Ｇ３Ａ上に印３１０を有し、凸面Ｇ３Ｂ上に印を有さない。凹面Ｇ３Ａ上の印と凸面Ｇ３Ｂ上の印の数が異なるように印を形成することで、あらかじめ凹面Ｇ３Ａ上と凸面Ｇ３Ｂ上にそれぞれいくつの印を形成するかを決めておけば、凹面Ｇ３Ａ上の印と凸面Ｇ３Ｂ上の印の数を測定することにより、凹面Ｇ３Ａと凸面Ｇ３Ｂとを判別することができる。
　図９（Ａ）～（Ｃ）は、凹面Ｇ３Ａ上の印３３０と凸面Ｇ３Ｂ上の印３２０の形状と重心Ｒ、Ｏからの距離Ｑ、Ｐが異なる。凹面Ｇ３Ａ上の印３３０と凸面Ｇ３Ｂ上の印３２０の形状が異なるように印を形成することで、あらかじめ凹面Ｇ３Ａ上と凸面Ｇ３Ｂ上にそれぞれどのような形状の印を形成するかを決めておけば、凹面Ｇ３Ａ上の印と凸面Ｇ３Ｂ上の印の形状を測定することにより、凹面Ｇ３Ａと凸面Ｇ３Ｂとを判別することができる。ここで、凹面Ｇ３Ａ上と凸面Ｇ３Ｂ上との少なくとも一方に２つ以上の印がある場合は、全ての印のうち少なくとも１つの形状が他の印の形状と異なればよい。
　さらに、凹面Ｇ３Ａ上の印３３０と凸面Ｇ３Ｂ上の印３２０の重心Ｒ、Ｏからの距離Ｑ、Ｐが異なるように印を形成することで、あらかじめ凹面Ｇ３Ａ上と凸面Ｇ３Ｂ上のそれぞれどこに印を形成するかを決めておけば、凹面Ｇ３Ａ上の印３３０と凸面Ｇ３Ｂ上の印３２０の重心Ｒ、Ｏからの距離Ｑ、Ｐを測定することで、凹面Ｇ３Ａと凸面Ｇ３Ｂとを判別することができる。凹面Ｇ３Ａ上と凸面Ｇ３Ｂ上との少なくとも一方に２つ以上の印がある場合は、全ての印のうち少なくとも１つの印の重心までの距離が他の印の重心までの距離と異なればよい。
　以上説明した本実施形態のガラス基板にあっては、ガラス基板の凹面と凸面とを識別できることにより、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、ガラス基板の凸面を見分けてガラス基板の凸面とシリコンを含む基板とを貼り合わせるようにしているため、ガラス基板とシリコンを含む基板との間に泡が入りにくい。　
　本発明の一実施形態のガラス基板は、印の少なくとも１つがくぼみであることが好ましい。印がくぼみにより形成されることにより、印の位置の検出が容易で、ガラス基板のどちらの主表面が凸面であるかが容易に識別できる。くぼみは、例えば、レーザにより形成することができる。くぼみの形状、大きさ、個数は限られない。円形、楕円形、多角形など、どのような形状でもよいし、文字や記号であってもよい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、印がくぼみである場合、くぼみの深さは１～５０μｍであることが好ましい。くぼみの深さが１μｍ以上であれば、くぼみを検出しやすい。くぼみの深さは３μｍ以上であることがより好ましく、４μｍ以上であることがさらに好ましい。くぼみの深さが５０μｍ以下であれば、ガラス基板が割れにくい。くぼみの深さは２０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましい。
　上記した数値範囲を示す「～」とは、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含む意味で使用され、特段の定めがない限り、以下本明細書において「～」は、同様の意味をもって使用される。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、一の主表面の面積が７０～２０００ｃｍ２であることが好ましい。ガラス基板の面積が７０ｃｍ２以上であれば、多数のシリコン素子を含む、シリコンを含む基板を配置することができ、ガラス基板とシリコンを含む基板とを積層させる工程において生産性が向上する。ガラス基板の一の主表面の面積は８０ｃｍ２以上であることがより好ましく、１７０ｃｍ２以上であることがさらに好ましく、３００ｃｍ２以上であることが特に好ましく、７００ｃｍ２以上であることが最も好ましい。ガラス基板の一の主表面の面積が２０００ｃｍ２以下であればガラス基板の取り扱いが容易になり、シリコンを含む基板や周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。一の主表面の面積は、１７００ｃｍ２以下であることがより好ましく、１０００ｃｍ２以下であることがさらに好ましく、８００ｃｍ２以下であることが特に好ましく、７５０ｃｍ２以下であることが最も好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、円形であることが好ましい。円形であれば、シリコンを含む基板との積層が容易である。特に、円形のシリコンを含む基板との積層が容易である。ここで、円形とは真円に限らず、直径が同一の真円からの寸法差が５０μｍ以下である場合を含む。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、円形である場合において、直径は７ｃｍ以上であることが好ましい。直径が７ｃｍ以上であれば、多数のシリコン素子を含む、シリコンを含む基板を配置することができる。また、直径が７ｃｍ以上のガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせることにより形成される積層基板からは、多くの半導体素子を得ることができ、生産性が向上する。直径は１０ｃｍ以上がより好ましく、１５ｃｍ以上がさらに好ましく、２０ｃｍ以上が特に好ましく、２５ｃｍ以上が最も好ましい。
　直径は５０ｃｍ以下であることが好ましい。直径が５０ｃｍ以下であれば、ガラス基板の取り扱いが容易になり、シリコンを含む基板や周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。直径は４５ｃｍ以下がより好ましく、４０ｃｍ以下がさらに好ましく、３５ｃｍ以下が特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、円形に限らず、矩形であってもよい。円形の場合、外周の一部が直線であってもよい。矩形であれば、同一面積の円形の場合と比べて、シリコンを含む基板とを貼り合わせることにより形成される積層基板からは、多くの半導体素子を得ることができ、生産性が向上する。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、厚さが２．０ｍｍ以下であることが好ましい。厚さが２．０ｍｍ以下であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせた積層基板を薄板化することができる。厚さは、１．５ｍｍ以下であることがより好ましく、１．０ｍｍ以下であることがさらに好ましく、０．８ｍｍ以下であることが特に好ましい。
　厚さは、０．１ｍｍ以上であることが好ましい。厚さが０．１ｍｍ以上であれば、シリコンを含む基板や周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。また、ガラス基板の自重たわみを抑えることができる。厚さは、０．２ｍｍ以上であることがより好ましく、０．３ｍｍ以上であることがさらに好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、板厚偏差が１５μｍ以下であることが好ましい。板厚偏差は、例えばレーザ変位計により板厚を測定することにより算出される。板厚偏差は１５μｍ以下であれば、シリコンを含む基板との貼り合わせ面の整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。板厚偏差は、１２μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましく、５μｍ以下が特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、ヤング率が６５ＧＰａ以上であることが好ましい。ヤング率は、例えば超音波パルス法により測定される。ヤング率が６５ＧＰａ以上であれば、ガラス基板を製造する際の徐冷工程において発生するガラス基板の反りや割れを抑制することができる。また、シリコンを含む基板等との接触による破損を抑制することができる。ヤング率は７０ＧＰａ以上であることがより好ましく、７５ＧＰａ以上であることがさらに好ましく、８０ＧＰａ以上であることが特に好ましい。
　ヤング率は、１００ＧＰａ以下であることが好ましい。ヤング率が１００ＧＰａ以下であれば、ガラスが脆くなる事を抑制し、ガラス基板の切削、ダイシング時の欠けを抑えることができる。ヤング率は９０ＧＰａ以下であることがより好ましく、８７ＧＰａ以下であることがさらに好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数が３０～１４０（×１０－７／℃）であることが好ましい。シリコンを含む基板とガラス基板とを貼り合わせるには、熱処理工程を必要とする。
　熱処理工程では、例えば、２００℃～４００℃の温度でシリコンを含む基板とガラス基板とを貼り合わせた積層基板を室温まで降温させる。このとき、ガラス基板とシリコンを含む基板の熱膨張係数に差があると、熱膨張率の違いによりシリコンを含む基板に大きな残留歪（残留変形）が発生する原因となる。
　５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数が３０～１４０（×１０－７／℃）であれば、シリコンを含む基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコンを含む基板に発生する残留歪が小さい。
　ここで、５０℃～３５０℃の平均熱膨張係数とは、ＪＩＳ　Ｒ３１０２（１９９５年）で規定されている方法で測定した、熱膨張係数を測定する温度範囲が５０℃～３５０℃である平均熱膨張係数である。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、ファンアウト型のウェハレベルパッケージとして用いる場合は、ガラス基板上にシリコンを含む基板が積層され、ガラス基板およびシリコンを含む基板に接するように樹脂が形成される。５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数が３０～５０（×１０－７／℃）であれば、熱処理工程でシリコンを含む基板に発生する残留歪が小さい。
　５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数は３１～５０（×１０－７／℃）であってもよく、３２～４０（×１０－７／℃）であってもよく、３２～３６（×１０－７／℃）であってもよく、３４～３６（×１０－７／℃）であってもよい。
　また、５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数が５０～８０（×１０－７／℃）であれば、熱処理工程でシリコンを含む基板と樹脂に発生する残留歪が小さくなる。
　５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数は６０～７５（×１０－７／℃）であってもよく、６７～７２（×１０－７／℃）であってもよい。
　また、５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数が８０～１２０（×１０－７／℃）であれば、樹脂や配線に発生する残留歪が小さい。５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数は８５～１００（×１０－７／℃）であってもよく、９０～９５（×１０－７／℃）であってもよい。
　５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数が１２０～１４０（×１０－７／℃）であれば、ファンアウト型のウェハレベルパッケージのうち樹脂の比率が多く高い平均熱膨張係数を有する基板に発生する残留ひずみが小さい。
　５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数は１２０～１３５（×１０－７／℃）であってもよく、１２５～１３０（×１０－７／℃）であってもよい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラス基板の凹面または凸面の少なくとも一方に遮光膜が形成されることが好ましい。ガラス基板の凹面または凸面の少なくとも一方に遮光膜が形成されることで、ガラス基板や積層基板の検査工程において、ガラス基板や積層基板の位置を検出しやすい。位置はガラス基板や積層基板に光を照射することによる反射光で特定される。ガラス基板は光を透過しやすいため、ガラス基板の主表面に遮光膜を形成することにより反射光が強くなり、位置を検出しやすい。遮光膜はＴｉを含むことが好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、アルカリ金属酸化物を酸化物基準のモル百分率表示で０～０．１％含むことが好ましい。ここで、アルカリ金属酸化物は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏなどである。アルカリ金属酸化物の含有量が酸化物基準のモル百分率表示で０．１％以下であれば、シリコンを含む基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、アルカリイオンがシリコン基板に拡散しにくい。
　アルカリ金属酸化物の含有量は、酸化物基準のモル百分率表示で０．０５％以下であることがより好ましく、０．０２％以下であることがさらに好ましく、実質的に含まないことが特に好ましい。ここで、アルカリ金属酸化物を実質的に含まないとは、アルカリ金属酸化物を全く含まないこと、またはアルカリ金属酸化物を製造上不可避的に混入した不純物として含んでいてもよいことを意味する。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、密度が２．６０ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましい。密度が２．６０ｇ／ｃｍ３以下であれば、ガラス基板が軽量である。また、ガラス基板が自重によりたわみにくい。密度は２．５５ｇ／ｃｍ３以下であることがより好ましく、２．５０ｇ／ｃｍ３以下であることがさらに好ましい。
　密度は、２．２０ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましい。密度が２．２０ｇ／ｃｍ３以上であれば、ガラスのビッカース硬度が高くなり、ガラス表面に傷がつきにくい。密度は２．３０ｇ／ｃｍ３以上であることがより好ましく、２．４０ｇ／ｃｍ３以上であることがさらに好ましく、２．４５ｇ／ｃｍ３以上であることが特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、波長２５０ｎｍの透過率が１０％以上であることが好ましい。紫外線がガラス基板を通して樹脂に照射されることにより、ガラス基板が積層基板から剥離される。ガラス基板の波長２５０ｎｍの透過率が１０％以上であれば、樹脂に照射される紫外線が多くなり、ガラス基板が積層基板から容易に剥離される。波長２５０ｎｍの透過率は１５％以上であることがより好ましく、２０％以上であることがさらに好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、波長３００ｎｍの透過率が４５％以上であることが好ましい。ガラス基板の波長３００ｎｍの透過率が４５％以上であれば、樹脂に照射される紫外線が多くなり、ガラス基板が積層基板から容易に剥離される。波長３００ｎｍの透過率は５０％以上であることがより好ましく、５５％以上であることがさらに好ましく、６０％以上であることが特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、波長３５０ｎｍの透過率が４５％以上であることが好ましい。ガラス基板の波長３５０ｎｍの透過率が４５％以上であれば、樹脂に照射される紫外線が多くなり、ガラス基板が積層基板から容易に剥離される。波長３５０ｎｍの透過率は５０％以上であることがより好ましく、５５％以上であることがさらに好ましく、６０％以上であることが特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、長径２００μｍ以上の泡や異物などの欠点が１０ｐｃｓ／ｃｍ２以下であることが好ましい。長径２００μｍ以上の欠点が１０ｐｃｓ／ｃｍ２以下であれば、貼り合わせ工程で照射する光が遮られず、貼り合わせやすい。長径２００μｍ以上の欠点は２ｐｃｓ／ｃｍ２以下であることがより好ましく、長径２００μｍ以上の欠点はないことが特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラス基板の凸面とシリコンを含む基板とを貼り合わせることにより積層基板を形成することが好ましい。そのように積層基板を形成することにより、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、ガラス基板とシリコンを含む基板との間に泡が入りにくい。また、ガラス基板の凹面が支持部材により支持されるように積層基板を保管および運搬することにより、積層基板が変形しにくい。
　支持部材は固定式に限らず、可動式であってもよい。可動式の支持部材でガラス基板および積層基板を支持することにより、ガラス基板および積層基板の表面を汚染せずにガラス基板および積層基板を運搬することができる。また、可動式の支持部材でガラス基板および積層基板の凹面を支持することにより、ガラス基板または積層基板の変形を抑えながら運搬することができる。
　次に、本発明の一実施形態に係る積層基板について説明する。
　本発明の一実施形態の積層基板は、上記ガラス基板の凸面とシリコンを含む基板とを貼り合わせることにより形成される。上記ガラス基板の凸面とシリコンを含む基板とを貼り合わせることにより形成されるため、ガラス基板とシリコンを含む基板との間に泡が入りにくい。
　続いて、本発明の別の実施形態に係る積層基板について説明する。
　本発明の別の実施形態の積層基板は、上記ガラス基板の凸面または凹面からなる曲面と、シリコンを含む基板の凸面または凹面からなる曲面とが、互いに倣うように貼り合わされてなる。ここで「互いに倣う」とは、ガラス基板の曲面とシリコンを含む基板の曲面、すなわち反りの方向が同じ方向を向いていることを意味する。
　図１２は、積層基板の製造工程において、ガラス基板の曲面とシリコンを含む基板の曲面との関係を説明するための断面図を示すものである。
　図１２（ａ）の実施形態では、ガラス基板Ｇ１の凸面からなる曲面と、シリコンを含む基板１０の凹面からなる曲面とが、互いに倣うように貼り合わされている。これにより、ガラス基板Ｇ１とシリコンを含む基板１０との接着ムラの低減；貼り合わせ時の泡抜けの改善；全体の反りの程度の低減；層間における残留応力の低減；および硬化後の積層基板における界面の残留応力分布の均一化を図ることができ、歩留りおよび信頼性が向上する。また、その後の工程における界面間での剥離不良等による歩留まり低下も防ぐことができるとともに、最終工程のダイシングプロセスで製作されたチップ製品における信頼性も向上する。
　これに対し、図１２（ｂ）は、ガラス基板Ｇ１とシリコンを含む基板１０の凹面同士が対向するように貼り合わされている形態である。この形態では、界面間における残留応力分布が不均一になり、かつ局所的に残留応力の大きな箇所が点在してしまい、剥離不良を誘発してしまうとともに、チップ製品間で信頼性にバラツキが生じる。
　したがって、本発明の積層基板を製造するには、ガラス基板Ｇ１の凸面または凹面からなる曲面と、シリコンを含む基板１０の凸面または凹面からなる曲面とを、互いの曲面が倣うように貼り合わせる工程を有することが好ましい。
　本発明の積層基板において、ガラス基板Ｇ１とシリコンを含む基板１０との反りの差異、すなわちガラス基板Ｇ１とシリコンを含む基板１０とを重ね合わせた際の基板平面方向と直交方向に形成される空隙部の最大寸法は、０～４００μｍであるのが好ましく、０～１００μｍであるのがさらに好ましい。この範囲内であれば、上記各効果を良好に奏することができる。
　なお、本発明の積層基板において、ガラス基板Ｇ１はフロート法で成形されたものが好ましい。フロート法で成形されたガラス基板は、中心対称の椀形の反り形状となり、鞍型等のランダムな反り形状になり易いフュージョン法で成形されたガラス基板と比較して、貼り合わせ時の倣う方向が均一になりやすく品質安定に貢献しやすい。なお、上述のようにＳＥＭＩ規格を用いて「うねりがない」と判断された場合はフュージョン法で成形されたガラス基板であっても良好に用いることができる。
　また、本発明の積層基板の製造方法では、シリコンを含む基板の曲面の形状を予め予測し、予測された前記曲面の形状と、前記ガラス基板の曲面の形状とが、互いに倣うように貼り合わせる工程を有することがさらに好ましい。例えば、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ等の製造では、シリコンを含む基板とそれ以外の樹脂等の材料とのハイブリッドとなり、製造プロセスが流れていく中で反りの方向が製品により決定される場合が多い。したがって、このようなシリコンを含む基板が製造プロセスでどのような反りを形成するのか、予め予測し、予測された反りの形状と、ガラス基板の反りの形状とが、互いに倣うように貼り合わせれば、製造プロセス後の積層界面に発生する残留応力を均一化及び低減させることができる。
　本発明の一実施形態の積層基板は、厚さが０．５～３ｍｍであることが好ましい。厚さが０．５ｍｍ以上であれば、積層基板の強度が強くなり、周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。厚さは、１．０ｍｍ以上がより好ましく、１．３ｍｍ以上がさらに好ましい。厚さが３ｍｍ以下であれば、薄板化できる。厚さは、２．５ｍｍ以下がより好ましく、２．０ｍｍ以下がさらに好ましい。
　本発明の一実施形態の積層基板は、シリコンを含む基板に切欠きを有していてもよい。シリコンを含む基板に切欠きを有すれば、シリコンを含む基板上に回路パターンを形成するときに、切欠きによりシリコンを含む基板の位置や角度を特定することができ、回路パターンの寸法ずれを抑えることができる。切欠きは、例えば、レーザによって、シリコンを含む基板のどこの位置にあるかを検出できる。また、切欠きは、カメラによりガラス基板を撮像して画像解析を行うことにより検出してもよい。
　本発明の一実施形態の積層基板は、ガラス基板とシリコンを含む基板とに切欠きを有し、ガラス基板の切欠きとシリコンを含む基板の切欠きとが重なり合うようにガラス基板とシリコンを含む基板とが貼り合わされて形成されることが好ましい。そのように積層基板が形成されれば、シリコンを含む基板の切欠きの位置が検出しやすく、回路パターンの寸法ずれを抑えやすい。
　例えば、レーザをシリコンを含む基板に当てても切欠きを検出でき、ガラス基板に当てても切欠きを検出できる。切欠きがノッチであれば、ガラス基板やシリコン基板の損失面積が少なく、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。また、シリコンを含む基板の損失面積が少ないため、シリコンを含む基板上に回路を多く形成することができる。切欠きがオリフラであれば、切欠きが形成しやすく、切欠きの位置を検出しやすい。
　本発明の一実施形態の積層基板は、一の積層基板を構成するガラス基板の凹面と、他の一の積層基板を構成するシリコンを含む基板とを貼り合わせることにより形成されてもよい。２つの積層基板が貼り合わされていてもよいし、３つの積層基板が貼り合わされていてもよいし、４つ以上の積層基板が貼り合わされていてもよい。このように形成される積層基板は、残留応力が発生しにくく、割れや欠けが起きにくい。
　本発明の一実施形態の積層基板は、ガラス基板の凹面が支持部材により４点で支持されることが好ましい。ガラス基板の凹面が支持部材により４点で支持されることにより、ガラス基板または積層基板の表面がほこり等により汚染されにくい。
　本発明の一実施形態の積層基板は、ガラス基板の凹面が支持部材により２辺で支持されてもよい。ガラス基板の凹面が支持部材により２辺で支持されることにより、安定して保管および運搬することができる。また、積層基板の表面がほこり等により汚染されにくい。
　次に、本発明の一実施形態に係る積層体について説明する。
　本発明の一実施形態の積層体は、上記積層基板を構成するガラス基板に他のガラス基板を貼り合わせることにより形成されることを特徴とする。本発明の一実施形態の積層基板を、例えば、半導体バックグラインド用のサポートガラスとして用いる場合において、積層基板を構成するガラス基板は１枚であるので、ガラス基板の厚さを調整するためには研磨する必要がある。
　本発明の一実施形態の積層体は、積層基板を構成するガラス基板に他のガラス基板を貼り合わせることにより形成されているため、ガラス基板を研磨しなくても他のガラス基板を剥離することによって、厚さを調整することができる。また、任意の厚さのガラス基板のたわみ量は、該ガラス基板の半分の厚さのガラス基板を２枚積層した積層基板のたわみ量よりも大きい。ガラス基板の厚さとガラス基板の積層枚数を調整することにより、積層基板のたわみ量を調整することができる。
　次に、本発明の一実施形態に係る梱包体について説明する。
　図１０は、本発明の一実施形態に係る梱包体５００の断面図である。本発明の一実施形態の梱包体５００は、上記ガラス基板が２枚以上梱包されて形成され、上記ガラス基板の一のガラス基板Ｇ５の凸面Ｇ５Ｂが、他の一のガラス基板Ｇ６の凹面Ｇ６Ａと対向するように梱包される。
　図１１は、本発明の一実施形態に係る梱包体６００の断面図である。本発明の一実施形態の梱包体６００は、上記積層基板が２枚以上梱包されて形成され、上記積層基板の一の積層基板６１０を構成するシリコンを含む基板６４０が、他の一の積層基板６２０を構成するガラス基板Ｇ８の凹面Ｇ８Ａと対向するように梱包される。
　または、本発明の一実施形態に係る梱包体は、上記積層体が２枚以上梱包されて形成され、上記積層体の一の積層体を構成するシリコンを含む基板が、他の一の積層体を構成するガラス基板の凹面と対向するように梱包される。
　本発明の一実施形態に係る梱包体は、梱包体を形成するガラス基板、積層基板、または積層体は２つであってもよく、３つであってもよく、２つ以上であればいくつでもよい。このように形成される梱包体は、ガラス基板の凸面および凹面の向きが揃っているため、梱包体を構成するガラス基板、積層基板、または積層体同士の間隔を小さくすることができ、梱包体の大きさを小さくすることができる。
　その結果、ガラス基板の凸面および凹面の向きが揃っている梱包体は、ガラス基板の凸面および凹面の向きが揃っていない同じ大きさの梱包体と比べて、より多くの積層基板を梱包することができる。
　また、例えば、可動式の支持部材によりガラス基板、積層基板、または積層体を支持して搬送する場合に、ガラス基板の凸面および凹面の向きが揃っているため、支持部材によりガラス基板の凹面を支持しやすくガラス基板、積層基板、または積層体の変形を抑制しながら積層基板を運搬することができる。さらに、ガラス基板の凸面および凹面の向きが揃っているため、シリコンを含む基板への成膜を行う面を揃えることができ、成膜による膜厚分布を制御しやすい。
　本発明の一実施形態に係る梱包体は、ガラス基板の凹面が支持部材により４点で支持されることが好ましい。ガラス基板の凹面が支持部材により４点で支持されることにより、ガラス基板または積層基板の表面がほこり等により汚染されにくい。
　本発明の一実施形態に係る梱包体は、梱包体を容器に格納していてもよい。容器に格納すれば、梱包体がほこり等により汚染されにくい。
　次に、本発明の一実施形態のガラス基板の製造方法について説明する。
　本発明の一実施形態のガラス基板を製造する場合、溶解、清澄、成形、徐冷、切断、検査、印をつける工程を有する。
　溶解工程は、ガラス基板が所望の組成となるように原料を調製し、該原料を溶解炉に連続的に投入し、好ましくは１４００～１６５０℃程度に加熱して溶融ガラスを得る。
　清澄工程として、本発明におけるガラス基板は、清澄剤としてＳＯ３やＳｎＯ２を用いることができる。また、減圧による脱泡法を適用してもよい。
　成形工程として、溶融ガラスを溶融金属上に流して板状にしてガラスリボンを得るフロート法が適用される。
　徐冷工程として、ガラスリボンを徐冷する。
　切断工程として、ガラス板に切り出した後、所定の形状、大きさに切断することで本発明の一実施形態のガラス基板を得る。
　本発明の一実施形態のガラス基板の製造方法では、例えば、成形工程および徐冷工程において、ガラスリボンの一の主表面の温度と他の主表面の温度の差が大きいと反りやすい。
　検査工程として、例えば、レーザ変位計によりガラス基板の一の主表面が凹面であるか凸面であるかが識別される。
　印を付ける工程として、ガラス基板の凹面および凸面の少なくとも一方に印が形成される。くぼみは、例えば、レーザによって形成される。レーザを走査することにより所望の形状のくぼみが形成される。記号や文字が形成されてもよい。ノッチやオリフラは、例えば、カッターやレーザによって切線を形成し、割断することによって形成される。
　ガラス基板に形成された印は、例えば、カメラによりガラス基板を撮像して画像解析を行うことにより検出され、ガラス基板の凹面と凸面とが識別される。
　本発明の一実施形態のガラス基板を製造する場合、成形工程で、フュージョン法やロールアウト法、プレス成形法などを適用して溶融ガラスを板状にしてもよい。
　本発明の一実施形態のガラス基板を製造する場合、白金坩堝を用いてもよい。白金坩堝を用いた場合、溶解工程は、得られるガラス基板の組成となるように原料を調製し、原料を入れた白金坩堝を電気炉に投入し、好ましくは１４５０～１６５０℃程度に加熱して白金スターラーを挿入し１～３時間撹拌し溶融ガラスを得る。
　清澄工程は、清澄剤としてＳＯ３やＳｎＯ２を用いることができる。また、減圧による脱泡法を適用してもよい。減圧による脱泡法における清澄剤としてはＣｌやＦなどのハロゲンを使用するのが好ましい。成形工程は、溶融ガラスを例えばカーボン板状に流し出し板状にする。徐冷工程は、板状のガラスを室温状態まで徐冷し、切断後、ガラス基板を得る。　　　
　以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。また、本出願は、２０１５年７月２４日付で出願された日本特許出願（特願２０１５－１４７２４９号）および２０１５年１２月２８日付で出願された日本特許出願（特願２０１５－２５６８９５号）の記載に基づいており、その全体が援用される。また、当該に本出願で引用される全ての内容は、参照事項として本出願に取り込まれる。
１０　シリコンを含む基板
２０　樹脂
３０　積層基板
Ｇ１　ガラス基板

Claims (22)

  1. 　シリコンを含む基板と積層されることにより積層基板を形成させるためのガラス基板であって、前記ガラス基板が凹面と凸面とを有し、前記凹面と前記凸面とを識別できる印を有するガラス基板。
  2. 　前記凹面と前記凸面とを識別できる印は、前記凹面に形成され、互いに形状が異なる２つの印と、前記凸面に形成され、前記凹面の２つの印それぞれと対向する位置に対応する前記凹面の印と同一形状である２つの印とを含み、
    　前記凸面の２つの印同士を前記凸面上で最短となるように結んだ線が前記凸面上の重心を通らない請求項１に記載のガラス基板。
  3. 　前記凹面と前記凸面とを識別できる印は、前記凹面に形成される、前記凹面上の重心からの距離が互いに異なる２つの印と、前記凸面に形成される、前記凹面の２つの印それぞれと対向する位置に、対応する前記凹面の印と同一形状である２つの印とを含み、
    　前記凸面の２つの印同士を前記凸面上で最短となるように結んだ線が前記凸面上の重心を通らない請求項１に記載のガラス基板。
  4. 　前記凹面の印と前記凸面の印とが貫通孔である請求項１～３のいずれか一項に記載のガラス基板。
  5. 　前記凹面と前記凸面とを識別できる印は、前記凹面および前記凸面の少なくとも一方に形成される印であり、
    　前記凹面の印と前記凸面の印は、互いの印の、数、形状、および重心からの距離のうち少なくとも一つが異なる請求項１に記載のガラス基板。
  6. 　前記印は、前記ガラス基板の端面の切欠きである請求項１～５のいずれか一項に記載のガラス基板。
  7. 　少なくとも一の主表面の面積が７０～２０００ｃｍ２である請求項１～６のいずれか一項に記載のガラス基板。
  8. 　少なくとも一の主表面の形状が円形である請求項１～７のいずれか一項に記載のガラス基板。
  9. 　ヤング率が６５ＧＰａ以上である請求項１～８のいずれか一項に記載のガラス基板。
  10. 　アルカリ金属酸化物を酸化物基準のモル百分率表示で０～０．１％含む請求項１～９のいずれか一項に記載のガラス基板。
  11. 　板厚偏差が１５μｍ以下である請求項１～１０のいずれか一項に記載のガラス基板。
  12. 　前記凹面または前記凸面の少なくとも一方に遮光膜を有する請求項１～１１のいずれか一項に記載のガラス基板。
  13. 　請求項１～１２のいずれか一項に記載のガラス基板の凸面とシリコンを含む基板とを貼り合わせることにより形成される積層基板。
  14. 　請求項１～１２のいずれか一項に記載のガラス基板の凸面または凹面からなる曲面と、シリコンを含む基板の凸面または凹面からなる曲面とが、互いに倣うように貼り合わされてなる積層基板。
  15. 　請求項１～１２のいずれか一項に記載のガラス基板の凸面または凹面からなる曲面と、シリコンを含む基板の凸面または凹面からなる曲面とを、互いの曲面が倣うように貼り合わせる工程を有する積層基板の製造方法。
  16. 　前記シリコンを含む基板の曲面の形状を予め予測し、予測された前記曲面の形状と、前記ガラス基板の曲面の形状とが、互いに倣うように貼り合わせる工程を有する請求項１５に記載の積層基板の製造方法。
  17. 　請求項１３または１４に記載の積層基板を構成するガラス基板に他のガラス基板が貼り合わされてなる積層体。
  18. 　請求項１～１２のいずれか一項に記載のガラス基板が２枚以上梱包されて形成され、前記ガラス基板の一のガラス基板の凸面が、他の一のガラス基板の凹面と対向するように梱包される梱包体。
  19. 　請求項１３または１４に記載の積層基板が２枚以上梱包されて形成され、前記積層基板の一の積層基板を構成するシリコンを含む基板が、他の一の積層基板を構成するガラス基板の凹面と対向するように梱包される梱包体。
  20. 　請求項１７に記載の積層体が２枚以上梱包されて形成され、前記積層体の一の積層体を構成するシリコンを含む基板が、他の一の積層体を構成するガラス基板の凹面と対向するように梱包される梱包体。
  21. 　前記ガラス基板の凹面が支持部材により４点で支持される請求項１８～２０のいずれか一項に記載の梱包体。
  22. 　シリコンを含む基板と積層されることにより積層基板を形成させるためのガラス基板の製造方法であって、
    　ガラス原料を加熱して溶融ガラスを得る溶解工程と、
    　前記溶融ガラスを板状にしてガラスリボンを得る成形工程と、
    　前記ガラスリボンを徐冷する徐冷工程と、
    　前記ガラスリボンを切断してガラス基板を得る切断工程と、
    　前記ガラス基板の凹面と凸面とを判別する検査工程と、
    　前記凹面および前記凸面の少なくとも一方に印を付ける工程と、
    を有することにより請求項１～１２のいずれか一項に記載のガラス基板を得る、ガラス基板の製造方法。
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